JP2010147201A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被処理基板表面への薄膜形成及び薄膜の改質を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for forming a thin film on a surface of a substrate to be processed and modifying the thin film.
図1は、従来の平行平板型基板処理装置10の断面図を示す。
反応室12は反応室壁14で気密に構成され、該反応室12内部には上電極16とサセプタ18が対向して設けられている。上電極16の上部には反応ガス導入部20が設けてあり矢印で示すように第1の反応ガス22及び第2の反応ガス24(以下、反応ガス22、24と称す)を、ガスシャワー板26から反応室12に供給できるようになっている。
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional parallel plate type substrate processing apparatus 10.
The reaction chamber 12 is hermetically configured with a reaction chamber wall 14, and an upper electrode 16 and a
また、上電極16は絶縁ブロック28で反応室壁14と絶縁され、発振器30が出力する高周波電力を整合器32を介して供給し、減圧下で反応ガス導入部20から導入した反応ガス22、24を用いて、プラズマ34を生成する構造となっている。
Further, the upper electrode 16 is insulated from the reaction chamber wall 14 by an
サセプタ18はサセプタ加熱ヒータ36で加熱され、サセプタ18上の被処理基板38を加熱する構造となっている。
The
反応室壁14面には、反応室12を排気する為の排気管40が設けてあり、排気ゲート弁42を介して、図示しないポンプに接続され、反応室12を排気する構造となっている。
An
また、反応室壁14の一部に設けたスリット部にゲート弁44が設けてあり、ベローズ46で気密且つ上下動可能に設けたウエハピン48と図示しない搬送ロボットとの共働により、被処理基板38の搬入・搬出ができるようになっている。
In addition, a gate valve 44 is provided in a slit provided in a part of the reaction chamber wall 14, and a substrate to be processed is obtained by the cooperation of a wafer pin 48 that is airtight and vertically movable by a
次に、この従来の平行平板型基板処理装置10の動作について説明する。
図示しない排気ポンプによって、排気管40により反応室12内部を排気した後、ゲート弁44を開いて、ウエハピン48と図示しない搬送ロボットとの共働により、被処理基板38をサセプタ18上に搬送した後、反応ガス導入部20から一定流量の反応ガス22、24を導入し、反応室12内の圧力を所定の値に安定保持する。
Next, the operation of the conventional parallel plate type substrate processing apparatus 10 will be described.
After exhausting the inside of the reaction chamber 12 by the
上電極16に発振器30の出力する高周波電力を整合器32を介して供給すると、反応室12内にプラズマ34が生成され、サセプタ18に載置された被処理基板38が処理される。
When the high frequency power output from the oscillator 30 is supplied to the upper electrode 16 via the
例えば、シリコンウエハの表面に窒化珪素(SiN)膜を形成する場合に、例えば以下の処理条件とする。モノシラン(SiH4):500sccm、アンモニア(NH3):2000sccm、窒素(N2):1000sccm、圧力:399Pa、RF電力:1200W(13.56MHz)、電極間隔:20mm、シリコンウエハ温度:350℃。この処理条件で成膜を行うと、5000Å/min程度の成膜速度が得られる。 For example, when a silicon nitride (SiN) film is formed on the surface of a silicon wafer, the following processing conditions are used, for example. Monosilane (SiH 4): 500sccm, ammonia (NH 3): 2000sccm, nitrogen (N 2): 1000sccm, pressure: 399 Pa, RF power: 1200W (13.56MHz), electrode spacing: 20 mm, a silicon wafer temperature: 350 ° C.. When film formation is performed under these processing conditions, a film formation speed of about 5000 Å / min is obtained.
しかし、上述した従来の平行平板型基板処理装置10で窒化珪素の成膜を行うと、反応室12の反応室壁14の内側表面に反応副生成物が付着する。
これらの反応副生成物は、反応ガスが反応室12各部に対流する間に、気相反応及び反応室壁14内面における表面反応で堆積するものであり、反応室壁14近傍のガスの状態、反応室壁14の温度、滞留時間及び圧力等によって、堆積速度も異なる。
However, when the silicon nitride film is formed by the conventional parallel plate substrate processing apparatus 10 described above, reaction by-products adhere to the inner surface of the reaction chamber wall 14 of the reaction chamber 12.
These reaction by-products are deposited by a gas phase reaction and a surface reaction on the inner surface of the reaction chamber wall 14 while the reaction gas convects to each part of the reaction chamber 12. The deposition rate varies depending on the temperature, residence time, pressure, and the like of the reaction chamber wall 14.
この反応副生成物の堆積物は次第に厚くなり、やがて剥がれてプロセス中に浮遊する細かな異物となり、被処理基板であるウエハ表面に付着する。
ウエハに付着した異物は、半導体製造プロセスにおけるデバイス生産の歩留まりを低下させる原因となるため、異物が発生する前に除去する必要がある。
The reaction by-product deposit gradually becomes thick, eventually peels off and becomes a fine foreign substance that floats during the process, and adheres to the wafer surface, which is the substrate to be processed.
The foreign matter adhering to the wafer causes a decrease in the yield of device production in the semiconductor manufacturing process, and therefore it is necessary to remove the foreign matter before it occurs.
反応副生成物の除去の方法は、プロセスの合間に活性なクリーニングガスを導入してエッチングする方法と、反応室を開いて反応副生成物が付着した部品を洗浄したり、削り取ったりする方法が用いられている。
しかし、いずれの方法も時間を要するため、当該装置の生産性を低下させる原因となっている。
しは、反応室の側壁面側からだけではなく、反応室壁14面の上下も
There are two methods for removing reaction by-products: a method in which an active cleaning gas is introduced between processes to perform etching, and a method in which a reaction chamber is opened to clean or scrape parts to which reaction by-products are attached. It is used.
However, since both methods require time, it causes a decrease in productivity of the apparatus.
Not only from the side wall surface side of the reaction chamber, but also from the top and bottom of the reaction chamber wall 14 surface
これらの問題に対し、従来の技術として、例えば特許文献1では、光励起CVD装置において光化学反応に関係しないガスによって、光入射窓を覆うことで、反応生成物の付着を防止することが開示されている。特許文献2では、上下の不活性ガス層により中央の反応性ガス層を挟むことにより、試料保持台及び試料室への反応生成物の付着を抑えることが開示されている。特許文献3では、レーザCVD装置において反応ガスを供給したまま不活性ガスを基板表面に平行に僅かに離して噴射することで、気中で粒子が形成されても不活性ガスに遮られて基板表面に到達することなく排出されることが開示されている。特許文献4では、ステージの外周に浮遊する反応副生成物を噴出する不活性ガスで阻むことで、ステージの下面と半導体基板との間への侵入を防ぐことが開示されている。また、特許文献5では、第1のガスと組成の異なる第2のガスを、電極とシールド電極との間隙に供給することによって、排気口側端部の近傍における副生成物自体の生成及び副生成物の堆積を抑制することが開示されている。 As a conventional technique for solving these problems, for example, Patent Document 1 discloses that a light incident window is covered with a gas not related to a photochemical reaction in a photoexcited CVD apparatus to prevent adhesion of a reaction product. Yes. In Patent Document 2, it is disclosed to suppress the adhesion of reaction products to the sample holder and the sample chamber by sandwiching the central reactive gas layer between upper and lower inert gas layers. In Patent Document 3, the inert gas is injected slightly apart from the substrate surface in parallel while supplying the reaction gas in the laser CVD apparatus, so that even if particles are formed in the air, the substrate is blocked by the inert gas. It is disclosed that it is discharged without reaching the surface. Patent Document 4 discloses that an intrusion between the lower surface of the stage and the semiconductor substrate is prevented by blocking the reaction by-product floating on the outer periphery of the stage with an inert gas. Further, in Patent Document 5, by supplying a second gas having a composition different from that of the first gas to the gap between the electrode and the shield electrode, the by-product itself and the by-product in the vicinity of the end on the exhaust port side are generated. Suppressing product deposition is disclosed.
しかしながら、処理室内にガスが淀む部分が生じ、副生成物の付着防止が十分でなく、副生成物が付着した部品を頻繁にクリーニングする必要がある。 However, there is a portion where gas stagnates in the processing chamber, and the prevention of adhesion of by-products is not sufficient, and it is necessary to frequently clean the parts to which the by-products are attached.
本発明は、反応室のクリーニング頻度を低減する為に、反応副生成物の反応室壁面への付着を抑制する基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that suppresses adhesion of reaction by-products to the reaction chamber wall surface in order to reduce the frequency of cleaning the reaction chamber.
上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の基板支持面に対向して設けられ、前記処理室内に反応ガスを供給するための反応ガス供給系と、前記反応ガスと異なる方向から不活性ガスが供給されるように前記処理室内壁付近に複数の不活性ガス供給ノズルが設けられる不活性ガス供給系と、前記処理室内のガスを排気するガス排気系と、を有する基板処理装置である。これにより、基板付近に残留する副生成物を除去し、且つ処理室内に淀みが生じないため、処理室内の副生成物を残らず除去することができる。 In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber for processing a substrate, a substrate support for supporting the substrate in the processing chamber, and a substrate support surface of the substrate support. A reactive gas supply system for supplying a reactive gas into the processing chamber, and a plurality of inert gas supply nozzles in the vicinity of the processing chamber wall so that the inert gas is supplied from a direction different from the reactive gas. A substrate processing apparatus having an inert gas supply system provided and a gas exhaust system for exhausting a gas in the processing chamber. Thereby, by-products remaining in the vicinity of the substrate are removed, and no stagnation occurs in the processing chamber, so that all by-products in the processing chamber can be removed.
好適には、前記基板処理装置は、前記不活性ガス供給ノズルの開口部をウエハとは逆の方向に向けて不活性ガスを前記処理室内の内壁に衝突させる。これにより処理室内壁への衝撃により、ウエハの方向へ流れる不活性ガスの圧力を低減し、基板が多量の不活性ガスに曝されることを防止できる。 Preferably, the substrate processing apparatus causes the inert gas to collide with the inner wall of the processing chamber with the opening of the inert gas supply nozzle directed in the direction opposite to the wafer. Accordingly, the pressure of the inert gas flowing toward the wafer due to the impact on the processing chamber wall can be reduced, and the substrate can be prevented from being exposed to a large amount of the inert gas.
好適には、前記不活性ガス供給ノズルは、基板に対して不活性ガスが平行に供給されるように設けられる。 Preferably, the inert gas supply nozzle is provided so that an inert gas is supplied in parallel to the substrate.
好適には、前記基板処理装置は、前記基板支持部と前記反応ガス供給系の間に遮蔽板を設ける。これにより不活性ガスが基板上に流れ込むことを防止できる。 Suitably, the said substrate processing apparatus provides a shielding board between the said substrate support part and the said reactive gas supply system. This can prevent the inert gas from flowing onto the substrate.
好適には、対向する一対の平板電極間に前記反応ガスを供給し、前記一対の平板電極の少なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加して前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置を設ける。 Preferably, a plasma generator is provided that generates the plasma in the processing chamber by supplying the reaction gas between a pair of opposed plate electrodes and applying high frequency power to at least one plate electrode of the pair of plate electrodes. .
好適には、前記処理室の内壁は角がなく丸形状で形成されている。 Preferably, the inner wall of the processing chamber has a round shape without corners.
好適には、前記基板支持部の下部に不活性ガスを流す。 Preferably, an inert gas is allowed to flow under the substrate support.
好適には、前記基板支持部の下部に遮蔽板を設ける。 Preferably, a shielding plate is provided below the substrate support.
本発明によれば、被処理基板のプラズマ処理中、反応副生成物が反応室(処理室)内の壁面や、処理室内の各種部材に接触するのを抑制することができるので、反応室内の壁面や処理室内の各種部材に反応副生成物が付着するのを抑制することができる。 According to the present invention, during the plasma processing of the substrate to be processed, reaction by-products can be prevented from coming into contact with the wall surface in the reaction chamber (processing chamber) and various members in the processing chamber. It is possible to suppress the reaction by-product from adhering to the wall surface and various members in the processing chamber.
また、インサイチュークリーニング及び反応室の開放メンテナンスの頻度が5分の1から10分の1に減り、装置のスループットを向上させることができる。 In addition, the frequency of in-situ cleaning and reaction chamber opening maintenance is reduced from 1/5 to 1/10, and the throughput of the apparatus can be improved.
次に、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
図2及び図3は、本発明の一実施形態としての基板処理装置50を示す。図3は、上下動可能に設けられたサセプタ18が下降している状態を示す。反応室12は反応室壁14で気密に構成され、該反応室12内部には上電極16とサセプタ18が対向して設けられている。上電極16の上部には反応ガス導入部20が設けてあり、矢印で示すように反応ガス22、24を、ガスシャワー板26から反応室12に供給できるようになっている。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
2 and 3 show a substrate processing apparatus 50 as an embodiment of the present invention. FIG. 3 shows a state where the
また、上電極16は絶縁ブロック28で反応室壁14と絶縁され、同様に絶縁されたサセプタ軸52に回転導入端子54を経由して、発振器30が出力する高周波電力を整合器32を介して供給し、減圧下で反応ガス導入部20から導入した反応ガス22、24を用いて、プラズマ34を生成する構造となっている。
Further, the upper electrode 16 is insulated from the reaction chamber wall 14 by an
サセプタ18はサセプタ加熱ヒータ36で加熱され、サセプタ18上の被処理基板38を加熱するとともに、このサセプタ18は回転可能となっている。サセプタ18が回転できることにより、被処理基板38への処理を均一に行うことができる。
The
反応室壁14面には、反応室12を排気する為の排気管40が設けてあり、排気ゲート弁42を介して、図示しないポンプに接続され、反応室12を排気する構造となっている。なお、排気管40の内壁には角のない丸みを帯びた形状の方が、内壁に副生成物が堆積しづらく好ましい。
An
反応室壁14の一部に設けたスリット部にゲート弁44が設けてあり、図3に示すように、サセプタ18が下降してウエハピン48上に被処理基板38が載った状態で、図示しない搬送ロボットが被処理基板38の搬入・搬出を行う構造となっている。
A gate valve 44 is provided in a slit provided in a part of the reaction chamber wall 14, and as shown in FIG. 3, the
また、反応室12のゲート弁44側の反応室壁14面付近から不活性ガス56を流せるように、反応室12内部に不活性ガス第1導入ノズル58が設けてある。つまり、反応ガス導入口20とは異なる部位にあり、反応ガスとは異なる方向に不活性ガスを流すことができる。この不活性ガス第1導入ノズル58と対向する側の反応室12の壁面には排気口60が設けてあり、プロセス実行中は不活性ガス56をサセプタ18の側面方向から供給し、基板38に対して平行な流れとなるように層流状態にして排気口60側へ流すことができる。
排気口60の設置場所は上記構成に限られず、不活性ガス第1導入ノズル58と水平な位置に設置されることが最も好ましいが、必ずしも水平な位置でなくてもよく、反応副生成物が反応室内の壁面や処理室内の各種部材に付着するのを抑制できればどのような位置でもよい。
Further, an inert gas first introduction nozzle 58 is provided inside the reaction chamber 12 so that the inert gas 56 can flow from the vicinity of the surface of the reaction chamber wall 14 on the gate valve 44 side of the reaction chamber 12. That is, the inert gas can flow in a direction different from that of the reactive gas because the reactive gas is located at a different location from the
The installation location of the exhaust port 60 is not limited to the above-described configuration, and it is most preferable that the exhaust port 60 be installed at a horizontal position with the inert gas first introduction nozzle 58. Any position may be used as long as adhesion to the wall surface in the reaction chamber and various members in the processing chamber can be suppressed.
また、不活性ガス56の供給は反応室壁14の一面に限られず、反応副生成物が反応室壁14に付着しないような流れになるように適宜選択する。不活性ガス56の吹出しは、反応室の側壁面側からだけではなく、反応室壁14面の上下も対象としてもよい。 The supply of the inert gas 56 is not limited to one surface of the reaction chamber wall 14, and is appropriately selected so that the reaction by-product does not adhere to the reaction chamber wall 14. The blowing of the inert gas 56 may be performed not only from the side wall surface side of the reaction chamber but also from the upper and lower sides of the reaction chamber wall 14 surface.
反応室12内を気密に保持したまま、サセプタ18を上下するために設けられたベローズ46の袋構造部に、不活性ガス第2導入ノズル62から不活性ガス56が導入され、ベローズ46の袋構造内部に反応副生成物が侵入して堆積するのを防止する。
不活性ガス56は、反応副生成物が凝集し反応室壁14に付着しない程度の温度に加熱された状態で、反応室12に導入されるような構成としてもよい。
The inert gas 56 is introduced from the inert gas
The inert gas 56 may be introduced into the reaction chamber 12 in a state where the inert gas 56 is heated to a temperature at which the reaction by-products are aggregated and do not adhere to the reaction chamber wall 14.
次に、本基板処理装置50の動作について説明する。
図示しない排気ポンプによって、排気管40により反応室12内部を排気した後、ゲート弁44を開いてウエハピン48と図示しない搬送ロボットとの共働により、被処理基板38をサセプタ18上に搬送した後、反応ガス導入部20から一定流量の反応ガス22、24を導入し、また同時に、不活性ガス第1導入ノズル58及び不活性ガス第2導入ノズル62から、不活性ガス56を反応室12内部に導入し、図示しない排気コンダクタンス調節弁により、反応室12内の圧力を所定の値に保持する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus 50 will be described.
After exhausting the inside of the reaction chamber 12 by the
上電極16とサセプタ軸52に、発振器30の出力する高周波電力を整合器32を介して供給すると、反応室12内にプラズマ34が生成され、サセプタ18に載置された被処理基板38が処理される。
When high frequency power output from the oscillator 30 is supplied to the upper electrode 16 and the susceptor shaft 52 via the
このとき、サセプタ18とガスシャワー板26の間に生成されたプラズマ34領域で生成された反応副生成物が反応室12内の部材の各部に付着するのを、反応室12内を被処理基板38に対して平行に層流状に流れる不活性ガス56により防ぎながら、これらのガスは排気される。不活性ガス56は、サセプタ18の下部と反応室壁14の間も流れるような構成となっている。また、反応室12全体の形状は上記構成に限られず、反応室12の内壁は角をなくした丸形状としてもよい(図5参照)。
At this time, reaction by-products generated in the region of the plasma 34 generated between the susceptor 18 and the
成膜を行うに際して、反応ガスと異なる方向から不活性ガス56を導入すると、不活性ガス56が成膜を阻害するおそれがある。具体的には、不活性ガス56の上流側の被処理基板38直上部ほど不活性ガス56濃度が低く、下流となる程、不活性ガス導入部からの距離に比例して不活性ガスが貯まるため不活性ガス濃度が高くなる。その対策として、不活性ガス56を遮蔽する遮蔽板等をガスシャワー板26に設け、被処理基板38の上部に不活性ガス56が流れにくくするようにしてもよい。
また、上電極16とサセプタ18の間の距離を狭めることで、被処理基板38上に不活性ガス56が流れにくくするようにしてもよい。さらに、不活性ガス56の流れを調整するために、サセプタ18周辺に風よけ板を設けてもよい。
When forming the film, if the inert gas 56 is introduced from a direction different from the reaction gas, the inert gas 56 may hinder the film formation. Specifically, the concentration of the inert gas 56 is lower as it is directly above the substrate to be processed 38 upstream of the inert gas 56, and the inert gas is stored in proportion to the distance from the inert gas introduction portion as it is downstream. Therefore, the inert gas concentration becomes high. As a countermeasure, a shielding plate or the like for shielding the inert gas 56 may be provided on the
Further, the inert gas 56 may be made difficult to flow on the substrate to be processed 38 by narrowing the distance between the upper electrode 16 and the
不活性ガス第1導入ノズル58から基板に対して平行に供給される不活性ガス56のガス種は、一般的にN2、Ar及びHe等である。この平行に供給される不活性ガス56は、成膜に悪影響を与えないものであって、反応ガスと共に供給される不活性なキャリアガスと同一のガスを用いることが好ましい。
平行に供給される不活性ガス56の導入されるタイミングは、反応ガスを節約でき、RF放電の前であることが条件のため、反応ガス22、24を供給する直前又は同時であることが好ましい。
また、平行に供給される不活性ガス56は、反応ガス22、24全流量の20倍程度の流量で導入されるのが好ましい。
The gas type of the inert gas 56 supplied in parallel to the substrate from the inert gas first introduction nozzle 58 is generally N 2 , Ar, He, or the like. The inert gas 56 supplied in parallel does not adversely affect the film formation, and it is preferable to use the same gas as the inert carrier gas supplied together with the reaction gas.
The introduction timing of the inert gas 56 supplied in parallel is preferably just before or simultaneously with the supply of the reaction gases 22, 24, because the reaction gas can be saved and the condition is that before the RF discharge. .
In addition, the inert gas 56 supplied in parallel is preferably introduced at a flow rate of about 20 times the total flow rate of the reaction gases 22 and 24.
処理条件を、例えば、反応ガス(SiH4、NH3、N2等)の全流量を0.5slm、不活性ガス(N2)の流量を1〜100slm、サセプタの温度を350℃、反応室内の圧力を10〜931Paとし、被処理基板38に処理が行われる。
このとき、圧力が高すぎるとガスに淀みが生じる。低圧力であるほど、ガスは層流状態となり易く淀みが生じにくい。特に10〜931Paでは良好に成膜され、好ましい。
また、不活性ガス濃度10〜100slmでは反応ガスと不活性ガスがうまく分離して副生成物の付着が少なく良好に成膜され、好ましい。
被処理基板38として例えば300mmウエハが用いられる場合、反応室12の長手方向の長さは500mm以下とすることが好ましい。
The processing conditions are, for example, a total flow rate of reaction gas (SiH 4 , NH 3 , N 2, etc.) of 0.5 slm, a flow rate of inert gas (N 2 ) of 1 to 100 slm, a susceptor temperature of 350 ° C., and a reaction chamber The pressure is set to 10 to 931 Pa, and the substrate 38 is processed.
At this time, if the pressure is too high, stagnation occurs in the gas. The lower the pressure, the easier the gas will be in a laminar flow state and the less likely it is to stagnate. Particularly, 10 to 931 Pa is preferable because a good film is formed.
In addition, an inert gas concentration of 10 to 100 slm is preferable because the reaction gas and the inert gas are well separated to form a good film with less by-product adhesion.
For example, when a 300 mm wafer is used as the substrate to be processed 38, the length in the longitudinal direction of the reaction chamber 12 is preferably 500 mm or less.
図4は他の実施形態を示す。上述した基板処理装置50の上電極16の形状を変更したものである。上電極16全体を、きのこを逆さまにしたような形状とし、この茎に相当する部分に、反応ガス22、24の導入及び発振器30の出力する高周波電力を整合器32を介して供給する構造となっている。
FIG. 4 shows another embodiment. The shape of the upper electrode 16 of the substrate processing apparatus 50 described above is changed. The entire upper electrode 16 is shaped like a mushroom upside down, and a structure corresponding to the stem is introduced with the introduction of the reaction gases 22 and 24 and the high frequency power output from the oscillator 30 through the
また、反応室12内に導入された不活性ガス56が、上電極16の上部と反応室壁14の間も流れるような構成となっており、上電極16の上部を通過した不活性ガス56は、反応室12内上方から排気口60へ流れる。 In addition, the inert gas 56 introduced into the reaction chamber 12 flows between the upper portion of the upper electrode 16 and the reaction chamber wall 14, and the inert gas 56 that has passed through the upper portion of the upper electrode 16. Flows from above the reaction chamber 12 to the exhaust port 60.
図5に示される他の実施形態では、不活性ガス第1導入ノズル58は、吹出しがサセプタ18(被処理基板38)に対して反対の方向に向けて設けられており、不活性ガス56を反応室12内壁に衝突させるように構成されている。反応室12内壁へ衝突させることにより、被処理基板38へ流れる不活性ガス56の圧力が低減され、被処理基板38が過剰の不活性ガス56に晒されることを防止できる。 In another embodiment shown in FIG. 5, the inert gas first introduction nozzle 58 is provided such that the blowout is directed in the opposite direction with respect to the susceptor 18 (substrate to be processed 38), and the inert gas 56 is made to flow. The reaction chamber 12 is configured to collide with the inner wall. By colliding with the inner wall of the reaction chamber 12, the pressure of the inert gas 56 flowing to the substrate to be processed 38 is reduced, and the substrate 38 to be processed can be prevented from being exposed to the excessive inert gas 56.
本発明は平行平板を用いる装置に特に有効であり、一対の平板電極の間に基板を設けて基板を処理する際に、処理室内に副生成物が付着しないように不活性ガスとは異なる方向から不活性ガスを供給するものである。 The present invention is particularly effective for an apparatus using parallel plates, and a direction different from that of an inert gas is provided so that by-products do not adhere to the processing chamber when a substrate is processed between a pair of plate electrodes. From which an inert gas is supplied.
10 平行平板型基板処理装置
12 反応室
14 反応室壁
16 上電極
18 サセプタ
30 発振器
32 整合器
34 プラズマ
38 被処理基板
48 ウエハピン
50 基板処理装置
52 サセプタ軸
54 回転導入端子
56 不活性ガス
58 不活性ガス第1導入ノズル
60 排気口
62 不活性ガス第2導入ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Parallel plate type substrate processing apparatus 12 Reaction chamber 14 Reaction chamber wall 16
Claims (5)
前記処理室内で基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の基板支持面に対向して設けられ、前記処理室内に反応ガスを供給するための反応ガス供給系と、
前記反応ガスと異なる方向から不活性ガスが供給されるように前記処理室内壁付近に複数の不活性ガス供給ノズルが設けられる不活性ガス供給系と、
前記処理室内のガスを排気するガス排気系と、
を有する基板処理装置。 A processing chamber for processing the substrate;
A substrate support for supporting the substrate in the processing chamber;
A reaction gas supply system provided to face the substrate support surface of the substrate support portion, and for supplying a reaction gas into the processing chamber;
An inert gas supply system in which a plurality of inert gas supply nozzles are provided in the vicinity of the processing chamber wall so that the inert gas is supplied from a direction different from the reaction gas;
A gas exhaust system for exhausting the gas in the processing chamber;
A substrate processing apparatus.
請求項1に記載の基板処理装置。 The opening of the inert gas supply nozzle is directed in the direction opposite to the wafer, and the inert gas is supplied in the direction of the substrate after colliding with the inner wall of the processing chamber.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
請求項1に記載の基板処理装置。 The inert gas supply nozzle is provided so that an inert gas is supplied in parallel to the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
請求項1に記載の基板処理装置。 Providing a shielding plate between the substrate support and the reactive gas supply system;
The substrate processing apparatus according to claim 1.
請求項1に記載の基板処理装置。 Having a plasma generator for supplying the reaction gas between a pair of opposed flat plate electrodes and applying high frequency power to at least one flat plate electrode of the pair of flat plate electrodes to generate plasma in the processing chamber;
The substrate processing apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008321796A JP2010147201A (en) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | Substrate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008321796A JP2010147201A (en) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | Substrate processing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010147201A true JP2010147201A (en) | 2010-07-01 |
Family
ID=42567320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008321796A Pending JP2010147201A (en) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | Substrate processing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010147201A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104081646A (en) * | 2012-01-31 | 2014-10-01 | 株式会社安川电机 | Power conversion device and method for producing power conversion device |
JP2018508980A (en) * | 2015-01-09 | 2018-03-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Gate stack materials for semiconductor applications to improve lithography overlay |
WO2020053996A1 (en) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate-processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104081646A (en) * | 2012-01-31 | 2014-10-01 | 株式会社安川电机 | Power conversion device and method for producing power conversion device |
JP2018508980A (en) * | 2015-01-09 | 2018-03-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Gate stack materials for semiconductor applications to improve lithography overlay |
JP2020170846A (en) * | 2015-01-09 | 2020-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Gate stack materials for semiconductor applications for lithographic overlay improvement |
WO2020053996A1 (en) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate-processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program |
JPWO2020053996A1 (en) * | 2018-09-12 | 2021-09-09 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing equipment, substrate holders, semiconductor device manufacturing methods and programs |
JP7058338B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-04-21 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing equipment, substrate holders, semiconductor device manufacturing methods and programs |
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