JP2010139264A - Semiconductor sensor and method for manufacturing semiconductor sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、加速度、傾斜、角速度等の物理量を検出する半導体センサ、及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor sensor that detects physical quantities such as acceleration, tilt, and angular velocity, and a manufacturing method thereof.
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて製造される加速度センサやジャイロセンサ等の半導体センサは、ビームやダイヤフラム等の可撓部を備えており、可撓部の変形や変位を電気信号に変換する半導体センサでは、可撓部に錘部を結合することによってその感度を高めている。
例えば特許文献１には、シリコン半導体基板によって形成された枠状の支持部及びその内側に配された錘部と、シリコン半導体基板の一部の層からなり支持部及び錘部の間に配された梁部（可撓部）とを備えた半導体センサが記載されている。この半導体センサにおいて、支持部及び錘部は、シリコン半導体基板を構成するシリコン窒化膜の一方の主面にシリコン酸化膜及び単結晶シリコン層を積層して構成されている。さらに、梁部の強度及び柔軟性を容易に調整できるように、梁部をなすシリコン窒化膜の他方の主面に樹脂膜を形成している。
For example, in Patent Document 1, a frame-shaped support portion formed of a silicon semiconductor substrate and a weight portion disposed inside the frame-shaped support portion, and a portion of the silicon semiconductor substrate are disposed between the support portion and the weight portion. A semiconductor sensor having a beam portion (flexible portion) is described. In this semiconductor sensor, the support portion and the weight portion are configured by laminating a silicon oxide film and a single crystal silicon layer on one main surface of the silicon nitride film constituting the silicon semiconductor substrate. Further, a resin film is formed on the other main surface of the silicon nitride film forming the beam so that the strength and flexibility of the beam can be easily adjusted.
しかしながら、特許文献１に記載の半導体センサでは、シリコン窒化膜の他方の主面に樹脂膜を追加しているため、半導体センサの厚みがシリコン半導体基板の厚さ寸法よりも大きくなり、近年要求の高まっている半導体センサの薄型化を阻害する虞がある。
また、梁部の強度や柔軟性は樹脂膜の厚みを変化することで調整されるが、結果として、半導体センサの特性が異なる毎に半導体センサの厚みが変化するため、半導体センサの各種電子機器への組み込みが面倒になる、という問題もある。
However, in the semiconductor sensor described in Patent Document 1, since the resin film is added to the other main surface of the silicon nitride film, the thickness of the semiconductor sensor becomes larger than the thickness dimension of the silicon semiconductor substrate. There is a risk of hindering the increasing thickness of semiconductor sensors.
In addition, the strength and flexibility of the beam are adjusted by changing the thickness of the resin film. As a result, the thickness of the semiconductor sensor changes each time the characteristics of the semiconductor sensor differ. There is also a problem that it is troublesome to incorporate it into.
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体センサの厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整できる半導体センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor sensor capable of easily adjusting the strength and flexibility of a flexible portion without changing the thickness of the semiconductor sensor.
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の半導体センサは、一部が可撓性を有する可撓部として構成される薄肉部と、前記薄肉部の主面から突出して前記薄肉部と共に錘部を構成する厚肉の凸部と、前記錘部の移動に伴う前記可撓部の変形又は変位を検出する検出手段とを備え、前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記薄肉部及び前記凸部と異なる種類の異種材料からなる調整層が形成され、積層された前記薄肉部及び前記調整層により前記可撓部が構成されていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The semiconductor sensor according to the present invention includes a thin portion that is partly configured as a flexible portion, and a thick convex portion that protrudes from the main surface of the thin portion and forms a weight portion together with the thin portion. Detecting means for detecting deformation or displacement of the flexible part accompanying the movement of the weight part, and the main surface of the thin part adjacent to the convex part is of a type different from the thin part and the convex part. An adjustment layer made of a different material is formed, and the flexible portion is configured by the laminated thin portion and the adjustment layer.
この半導体センサによれば、錘部も構成する薄肉部の厚さを変えることなく、剛体調整層の厚さ寸法を変化させるだけで、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整することができる。また、固有振動数やＱ値（振動の状態を表す無次元数）等の可撓部の振動特性を簡単に所望の値に調整することができる。
さらに、可撓部をなす調整層は、錘部をなす凸部と共に薄肉部の同一の主面に形成されているため、調整層を追加しても半導体センサの厚みが増加することを防止して、半導体センサの薄型化を図ることができる。
また、調整層の厚みを変化させても、半導体センサの厚さ寸法の変化を防止できるため、半導体センサの各種電子機器への組み込みも容易に行うことができる。
According to this semiconductor sensor, the strength and flexibility of the flexible part can be easily adjusted by changing the thickness dimension of the rigid body adjustment layer without changing the thickness of the thin part that also constitutes the weight part. it can. In addition, the vibration characteristics of the flexible portion such as the natural frequency and the Q value (a dimensionless number representing the state of vibration) can be easily adjusted to a desired value.
Furthermore, since the adjustment layer forming the flexible portion is formed on the same main surface of the thin portion as the convex portion forming the weight portion, the thickness of the semiconductor sensor is prevented from increasing even if the adjustment layer is added. Thus, the semiconductor sensor can be thinned.
Moreover, even if the thickness of the adjustment layer is changed, the change in the thickness dimension of the semiconductor sensor can be prevented, so that the semiconductor sensor can be easily incorporated into various electronic devices.
なお、前記半導体センサにおいては、前記調整層が、相互に弾性係数の異なる複数の前記異種材料からなる複数の異種材料層によって構成されていてもよい。
この場合には、異種材料層の積層数や各異種材料層の厚さ寸法を変化させることで、可撓部の固有振動数やＱ値を高い精度で調整することが可能となる。
In the semiconductor sensor, the adjustment layer may be composed of a plurality of different material layers made of a plurality of the different materials having mutually different elastic coefficients.
In this case, the natural frequency and Q value of the flexible portion can be adjusted with high accuracy by changing the number of layers of different material layers and the thickness of each different material layer.
そして、本発明の半導体センサの製造方法は、シリコンバルクの異方性エッチングにより、薄肉部の主面から突出する厚肉の凸部を形成して、前記薄肉部及びこれに積層された前記凸部により錘部を構成すると共に、前記凸部に隣り合う前記薄肉部により可撓性を有する可撓部の一部を構成するセンサ形成工程と、前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記シリコンバルクと異なる種類の異種材料を堆積してなる調整層を形成することで、前記薄肉部及びこれに積層された前記調整層により前記可撓部を構成する可撓部形成工程と、を備えることを特徴とする。
この製造方法を実施することで前記半導体センサを製造することができる。
Then, the semiconductor sensor manufacturing method of the present invention forms a thick convex portion protruding from the main surface of the thin portion by anisotropic etching of the silicon bulk, and the thin portion and the convex portion laminated on the thin portion. Forming a weight part and forming a part of the flexible part having flexibility by the thin part adjacent to the convex part, and a main surface of the thin part adjacent to the convex part Forming a flexible layer by forming an adjustment layer formed by depositing a different kind of material different from the silicon bulk, and forming the flexible portion by the thin-walled portion and the adjustment layer stacked thereon. It is characterized by providing.
By implementing this manufacturing method, the semiconductor sensor can be manufactured.
なお、前記半導体センサの製造方法においては、例えば可撓部形成工程後に前記調整層の厚さ寸法を変化させる調整工程を実施してもよい。また、前記調整工程は、ドライエッチング等により前記調整層の厚みを減少させる可撓部エッチング工程、及び、前記異種材料を追加して前記調整層の厚みを増加させる追加堆積工程のいずれか一方、あるいは両方を備えていてもよい。 In the semiconductor sensor manufacturing method, for example, an adjustment step of changing the thickness dimension of the adjustment layer may be performed after the flexible portion forming step. Further, the adjustment step is one of a flexible portion etching step for reducing the thickness of the adjustment layer by dry etching or the like, and an additional deposition step for increasing the thickness of the adjustment layer by adding the different material. Alternatively, both may be provided.
前記調整工程を実施することで、可撓部の振動特性をさらに高精度に調整することが可能となる。すなわち、可撓部形成工程を経た半導体センサに対して、可撓部の振動特性を測定する測定工程を実施する。この際、測定された可撓部の固有振動数やＱ値が所望の値を示していない場合に、上述した調整工程を実施することで可撓部の固有振動数やＱ値を所望の値に一致させたり近づけることができる。 By performing the adjustment step, the vibration characteristics of the flexible portion can be adjusted with higher accuracy. That is, a measurement process for measuring the vibration characteristics of the flexible part is performed on the semiconductor sensor that has undergone the flexible part forming process. At this time, when the measured natural frequency or Q value of the flexible part does not indicate a desired value, the above-described adjustment process is performed to obtain the desired natural frequency or Q value of the flexible part. Can be matched or brought close to.
本発明によれば、半導体センサの厚みを変えることなく、可撓部の強度や柔軟性を容易に調整することができる。 According to the present invention, the strength and flexibility of the flexible portion can be easily adjusted without changing the thickness of the semiconductor sensor.
以下、図１〜３を参照して本発明の一実施形態に係る半導体センサについて説明する。図１に示すように、この実施形態に係る半導体センサ１は、平面視環状に形成された支持部Ｓと、支持部Ｓの内側に間隔をあけて配された平面視略矩形の錘部Ｍと、可撓性を有して支持部Ｓと錘部Ｍとを一体に連結する複数の可撓部Ｆと、検出手段としてのピエゾ抵抗部１２１とを備えている。すなわち、この半導体センサ１は、慣性力に応じた可撓部Ｆの変形又は変位をピエゾ抵抗部１２１によって電気信号に変換することで加速度を検出する加速度センサとして構成されており、また、ＭＥＭＳ技術を用いてＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハ（シリコンバルク）１０によって製造されている。
Hereinafter, a semiconductor sensor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, a semiconductor sensor 1 according to this embodiment includes a support portion S formed in a ring shape in plan view, and a weight portion M having a substantially rectangular shape in plan view arranged at intervals inside the support portion S. And a plurality of flexible portions F that have flexibility and integrally connect the support portion S and the weight portion M, and a
支持部Ｓ及び錘部Ｍは、ベースウエハ１１上に半導体層（ＳＯＩ層）１２を積層したＳＯＩウエハ１０によって構成されており、支持部Ｓ及び錘部Ｍの厚さ寸法は、ＳＯＩウエハ１０の厚さ寸法に等しい。言い換えれば、支持部Ｓは、半導体層（薄肉部）１２、及び、その下面（主面）１２ｄの周縁から突出する平面視環状の枠体部１１Ａをなすベースウエハ１１によって構成されている。また、錘部Ｍは、半導体層（薄肉部）１２、及び、枠体部１１Ａの内側に間隔をあけるように半導体層１２の下面１２ｄの中央部分から突出する凸部１１Ｂをなすベースウエハ１１によって構成されている。
なお、ベースウエハ１１は、単結晶シリコン層１１１上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる酸化層１１２を積層して構成され、半導体層１２は酸化層１１２上に積層されている。また、酸化層１１２は、単結晶シリコン（Ｓｉ）からなるベースウエハ１１の熱酸化された表層である。
The support portion S and the weight portion M are configured by an
The
可撓部Ｆは、ＳＯＩウエハ１０の半導体層１２の一部、及び、半導体層１２の下面１２ｄに積層された調整層１３によって構成されている。調整層１３は、樹脂材料からなり、枠体部１１Ａ及び凸部１１Ｂの間に位置する半導体層１２の下面１２ｄに形成されている。調整層１３の厚さ寸法はベースウエハ１１の厚さ寸法よりも小さく設定され、調整層１３の先端面１３ｄがベースウエハ１１の下面１１ｄから窪んだ位置に配されている。この調整層１３を構成する樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、あるいは、感光性樹脂などが挙げられる。
The flexible portion F is configured by a part of the
この可撓部Ｆは、支持部Ｓに対する錘部Ｍの移動に伴って変形すれば、例えば支持部Ｓの内縁全体に連結されるダイヤフラム状に形成されていてもよいし、支持部Ｓの周方向に複数に分割して形成されていてもよい。また、可撓部Ｆは、例えば支持部Ｓと錘部Ｍとの間に１つだけ形成される片持ち梁状に形成されてもよい。
ピエゾ抵抗部１２１は、可撓部Ｆをなす半導体層１２の上面１２ｃ側に複数形成されており、半導体層１２上にはピエゾ抵抗部１２１の図示しない配線等が形成されている。
If the flexible portion F is deformed with the movement of the weight portion M with respect to the support portion S, for example, the flexible portion F may be formed in a diaphragm shape connected to the entire inner edge of the support portion S. It may be divided into a plurality of directions. Moreover, the flexible part F may be formed in the cantilever shape formed only between the support part S and the weight part M, for example.
A plurality of
上記構成の半導体センサ１を製造する場合には、はじめに、ＳＯＩウエハ１０の半導体層１２に不純物を注入してピエゾ抵抗部１２１を形成する工程や、半導体層１２を可撓部Ｆの平面視形状に合わせてエッチングする工程や、半導体層１２上にピエゾ抵抗部１２１の配線を形成する工程を実施しておく。これらの工程は、特開平８−２７４３４９号公報等に開示されているように公知であるため、その説明を省略する。
In the case of manufacturing the semiconductor sensor 1 having the above-described configuration, first, a process of forming impurities by injecting impurities into the
次に、ベースウエハ１１をＤｅｅｐ−ＲＩＥ等により異方性エッチングすることで、図２に示すように、ベースウエハ１１を枠体部１１Ａと凸部１１Ｂとに区画する環状の区画凹部Ｈ１を形成するセンサ形成工程を実施する。これにより、半導体層１２及びこれに積層された平面視環状の枠体部１１Ａによって支持部Ｓが構成され、半導体層１２及びこれに積層された凸部１１Ｂによって錘部Ｍが構成される。また、区画凹部Ｈ１の深さ寸法はベースウエハ１１の厚さ寸法と同等に設定されているため、枠体部１１Ａ及び凸部１１Ｂの間に位置する半導体層１２の下面１２ｄが露出する。この下面１２ｄが露出した半導体層１２の部分は可撓部Ｆの一部を構成している。
Next, the
そして、図３に示すように、区画凹部Ｈ１をなす半導体層１２の下面１２ｄに樹脂材料を堆積して、樹脂材料１４からなる調整層１３を形成する可撓部形成工程を実施する。
この工程においては、はじめに、ベースウエハ１１の下面１１ｄ側から樹脂材料１４を塗布して区画凹部Ｈ１に入り込ませる。樹脂材料１４の具体的な塗布方法としては、例えばスピンコート法、ディップコート法、スプレーによる塗布等のようにベースウエハ１１の下面１１ｄ及び半導体層１２の下面１２ｄ全体にわたって樹脂材料１４を塗布する方法や、ディスペンサーにより区画凹部Ｈ１及びその近傍のみに局所的に樹脂材料１４を塗布する方法、また、区画凹部Ｈ１の平面視形状に合わせてパターニングされた樹脂材料１４を印刷する方法が挙げられる。
Then, as shown in FIG. 3, a flexible part forming step is performed in which a resin material is deposited on the
In this step, first, the
次いで、ベースウエハ１１の下面１１ｄに残存する樹脂材料１４をスクイーズや研磨、ドライエッチング等の方法により除去する。なお、樹脂材料１４が感光性樹脂である場合には、露光現像によりベースウエハ１１の下面１１ｄに残存する樹脂材料を除去することもできる。
その後、真空脱泡により区画凹部Ｈ１内の樹脂材料１４中に含まれる気泡を除去し、さらに、この樹脂材料１４を硬化させることで図１に示す調整層１３が形成される。なお、この際には、樹脂材料１４を２００℃〜４００℃の間で硬化させることで、区画凹部Ｈ１内に形成される調整層１３の先端面１３ｄの平坦化を図ることができる。
Next, the
Thereafter, the bubbles contained in the
そして、この可撓部形成工程の終了後に、ダイシング等の後工程を実施することで、図１に示す半導体センサ１の製造が完了する。
なお、前述した可撓部形成工程は、上述したようにウエハレベルで実施することが好ましいが、例えばダイシングして個片化された半導体センサ１の状態で実施しても構わない。また、個片化された半導体センサ１の状態で可撓部形成工程を実施する場合には、ディスペンサーを用いて樹脂材料１４を塗布することが好ましい。
And after completion | finish of this flexible part formation process, the manufacture of the semiconductor sensor 1 shown in FIG. 1 is completed by implementing post-processes, such as dicing.
The above-described flexible portion forming step is preferably performed at the wafer level as described above, but may be performed in the state of the semiconductor sensor 1 diced into individual pieces, for example. Moreover, when implementing a flexible part formation process in the state of the semiconductor sensor 1 separated into pieces, it is preferable to apply | coat the
上記半導体センサ１によれば、その厚みを変えることなく、可撓部Ｆの強度や柔軟性を容易に調整することができる。すなわち、支持部Ｓや錘部Ｍも構成する半導体層１２の厚さを変えることなく、調整層１３の厚さ寸法を変化させるだけで、可撓部Ｆの強度や柔軟性を容易に調整することができる。また、固有振動数やＱ値等の可撓部Ｆの振動特性を簡単に所望の値に調整することができる。
さらに、可撓部Ｆをなす調整層１３は、支持部Ｓをなす枠体部１１Ａや錘部Ｍをなす凸部１１Ｂと共に半導体層１２の同一の下面１２ｄに形成されているため、調整層１３を追加しても半導体センサ１の厚みが増加することを防止して、半導体センサ１の薄型化を図ることができる。
According to the semiconductor sensor 1, the strength and flexibility of the flexible portion F can be easily adjusted without changing the thickness. That is, the strength and flexibility of the flexible portion F can be easily adjusted simply by changing the thickness dimension of the
Furthermore, the
以上のことから、多数の半導体センサ１を製造する際に半導体層１２の厚さ寸法にばらつきがあっても、多数の半導体センサ１における可撓部Ｆの振動特性を容易に揃えることができ、その結果として、半導体センサ１の歩留まり向上を図ることができる。
また、半導体センサ１の開発に際しては、同一種類のＳＯＩウエハ１０を用いて、多種類の可撓部Ｆの振動特性を有する半導体センサの試作品を製造できるため、開発効率の向上も図ることができる。
さらに、調整層１３の厚みを変化させても、半導体センサ１の厚さ寸法の変化を防止できるため、半導体センサ１の各種電子機器への組み込みも容易に行うことができる。
From the above, even when there are variations in the thickness dimension of the
Further, when developing the semiconductor sensor 1, it is possible to manufacture prototypes of semiconductor sensors having vibration characteristics of various types of flexible portions F using the same type of
Furthermore, since the thickness dimension of the semiconductor sensor 1 can be prevented from changing even when the thickness of the
なお、上記実施形態において、調整層１３は、ＳＯＩウエハ１０と異なる１種類の樹脂材料によって形成されるとしたが、例えば図４に示すように、相互に弾性係数の異なる複数の樹脂材料からなる複数の異種材料層２１，２３によって構成されてもよい。すなわち、可撓部Ｆをなす半導体層１２の下面１２ｄには、複数の異種材料層２１，２３を積層してもよい。そして、複数の異種材料層２１，２３を形成する際には、上記実施形態において示した可撓部形成工程を異種材料層２１，２３ごとに実施すればよい。
この構成の場合には、異種材料層２１，２３の積層数や各異種材料層２１，２３の厚さ寸法を変化させることで、可撓部Ｆの固有振動数やＱ値を高い精度で調整することが可能となる。
In the above embodiment, the
In this configuration, the natural frequency and Q value of the flexible portion F can be adjusted with high accuracy by changing the number of layers of the
また、半導体センサ１の製造方法においては、可撓部形成工程後に、調整層１３の厚さ寸法を変化させる調整工程を実施してもよい。この調整工程は、調整層１３をその先端面１３ｄ側からエッチングしてその厚みを減少させる可撓部エッチング工程、及び、樹脂材料を追加して調整層１３の厚みを増加させる追加堆積工程のいずれか一方、あるいは両方を備えていてもよい。
可撓部エッチング工程の具体例としては、例えばＯ２ドライアッシング等のドライエッチングが挙げられる。また、追加堆積工程は、上記実施形態の可撓部形成工程と同様に行えばよい。さらに、追加堆積工程において追加塗布する樹脂材料は、可撓部形成工程において塗布した樹脂材料と同一種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
Moreover, in the manufacturing method of the semiconductor sensor 1, you may implement the adjustment process which changes the thickness dimension of the
Specific examples of the flexible part etching step include dry etching such as O 2 dry ashing. Further, the additional deposition step may be performed in the same manner as the flexible portion forming step of the above embodiment. Further, the resin material to be additionally applied in the additional deposition step may be the same type as the resin material applied in the flexible portion forming step, or may be a different type.
上記調整工程を実施することで、可撓部Ｆの振動特性をさらに高精度に調整することが可能となる。
すなわち、可撓部形成工程を経た半導体センサ１に対して、可撓部Ｆの振動特性を測定する測定工程を実施する。この際、測定された可撓部Ｆの固有振動数やＱ値が所望の値を示していない場合に、上述した調整工程を実施することで可撓部Ｆの固有振動数やＱ値を所望の値に一致させたり近づけることができる。
なお、これら測定工程及び調整工程は、１回のみ実施してもよいし、複数回繰り返して実施してもよい。また、これら測定工程や調整工程は、少なくとも可撓部形成工程後に実施されればよく、ダイシング等の後工程の前後のいずれでも実施することが可能である。すなわち、測定工程や調整工程は、ウエハレベルで実施してもよいし、ダイシングして個片化された半導体センサ１の状態で実施しても構わない。
By performing the adjustment process, the vibration characteristics of the flexible portion F can be adjusted with higher accuracy.
That is, a measurement process for measuring the vibration characteristics of the flexible part F is performed on the semiconductor sensor 1 that has undergone the flexible part forming process. At this time, when the measured natural frequency or Q value of the flexible part F does not indicate a desired value, the natural frequency or Q value of the flexible part F is desired by performing the adjustment process described above. Can be matched to or close to the value of.
In addition, these measurement processes and adjustment processes may be implemented only once, or may be repeated a plurality of times. Moreover, these measurement processes and adjustment processes should just be implemented at least after a flexible part formation process, and can be implemented before and after post-processes, such as dicing. That is, the measurement process and the adjustment process may be performed at the wafer level, or may be performed in the state of the semiconductor sensor 1 diced into individual pieces.
また、調整層１３やこれを構成する複数の異種材料層２１，２３は、樹脂材料によって形成されることに限らず、少なくとも可撓性を有する可撓部Ｆとして機能するように、ＳＯＩウエハ１０と異なる種類の異種材料によって形成されていればよい。
さらに、可撓部Ｆは、半導体層１２及びこれに積層された調整層１３によって構成されるとしたが、例えば半導体層１２、酸化層１１２及びこれに積層された調整層１３によって構成されてもよい。この場合には、ベースウエハ１１のうち単結晶シリコン層１１１のみが、支持部Ｓの枠体部１１Ａや、錘部Ｍの凸部１１Ｂを構成することになる。
In addition, the
Furthermore, although the flexible part F was comprised with the
また、半導体センサ１は支持部Ｓを備えるとしたが、少なくとも錘部Ｍ及び可撓部Ｆを備えていればよい。
さらに、本発明は、加速度センサに限らず、角速度センサ、圧力センサ、振動センサ、マイクロフォン等の半導体センサにも広く適用することができる。
Moreover, although the semiconductor sensor 1 was provided with the support part S, it should just be provided with the weight part M and the flexible part F at least.
Furthermore, the present invention can be widely applied not only to acceleration sensors but also to semiconductor sensors such as angular velocity sensors, pressure sensors, vibration sensors, and microphones.
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
１…半導体センサ、１０…ＳＯＩウエハ（シリコンバルク）、１１…ベースウエハ、１１Ａ…枠体部、１１Ｂ…凸部、１２…半導体層（薄肉部）、１２ｄ…下面（主面）、１３…調整層、２１，２３…異種材料層、１２１…ピエゾ抵抗部（検出手段）、Ｆ…可撓部、Ｍ…錘部、Ｓ…支持部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor sensor, 10 ... SOI wafer (silicon bulk), 11 ... Base wafer, 11A ... Frame part, 11B ... Convex part, 12 ... Semiconductor layer (thin part), 12d ... Lower surface (main surface), 13 ... Adjustment Layers, 21, 23 ... dissimilar material layers, 121 ... piezoresistive part (detecting means), F ... flexible part, M ... weight part, S ... support part
Claims (3)
前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記薄肉部及び前記凸部と異なる種類の異種材料からなる調整層が形成され、
積層された前記薄肉部及び前記調整層により前記可撓部が構成されていることを特徴とする半導体センサ。 For the movement of the thin portion, a thin portion that is partly configured as a flexible portion, a thick convex portion that protrudes from the main surface of the thin portion and forms the weight portion together with the thin portion, and the weight portion Detecting means for detecting deformation or displacement of the flexible part,
An adjustment layer made of a different kind of material from the thin-walled portion and the convex portion is formed on the main surface of the thin-walled portion adjacent to the convex portion,
The semiconductor sensor, wherein the flexible portion is constituted by the thin-walled portion and the adjustment layer that are stacked.
前記凸部に隣り合う前記薄肉部の主面に、前記シリコンバルクと異なる種類の異種材料を堆積してなる調整層を形成することで、前記薄肉部及びこれに積層された前記調整層により前記可撓部を構成する可撓部形成工程と、を備えることを特徴とする半導体センサの製造方法。 A thick convex portion protruding from the main surface of the thin portion is formed by anisotropic etching of the silicon bulk, and a weight portion is constituted by the thin portion and the convex portion laminated thereon, and the convex portion Forming a part of a flexible part having flexibility by the thin-walled part adjacent to
By forming an adjustment layer formed by depositing a different kind of material different from the silicon bulk on the main surface of the thin portion adjacent to the convex portion, the thin portion and the adjustment layer stacked on the thin portion are used to form the adjustment layer. A method for manufacturing a semiconductor sensor, comprising: a flexible part forming step of forming a flexible part.
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2008
- 2008-12-09 JP JP2008313496A patent/JP2010139264A/en active Pending
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