JP2010129702A - インダクタ部品アレイ、及び部品間のクロストークを低減できる薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インダクタ部品アレイにおいて、部品間のクロストークを低減する。
【解決手段】コモンモードフィルタアレイ１０は、並列配置されたコモンモードフィルタＦ１，Ｆ２と、コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の一方端部を連結する磁性体基体１２とを備え、磁性体基体１２には、コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の間に位置する部分にループコイルＲが形成される。これにより、磁性体基体を通る漏れ磁束がループコイルＲによって遮断されるので、部品間のクロストークを低減することが可能になる。
【選択図】図１

Description

本発明はインダクタ部品アレイ、及び部品間のクロストークを低減できる薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法に関する。

コモンモードフィルタなどのインダクタ部品をアレイにしたインダクタ部品アレイが知られているが、このようなインダクタ部品アレイでは、部品間のクロストークが特性劣化の要因となる。

薄膜コモンモードフィルタアレイを例にとって説明する。図１４は、背景技術による薄膜コモンモードフィルタアレイ１の断面図である。同図に示すように、薄膜コモンモードフィルタアレイ１は、それぞれ２つの平面スパイラル導体を有する２つの薄膜コモンモードフィルタ２，３の上下を、共通の磁性体基体４，５によって挟んだ形状を有している。例えば薄膜コモンモードフィルタ２の平面スパイラル導体に電流が流れると、電磁誘導によって磁束が発生する。この磁束の一部は磁性体基体４，５を介して薄膜コモンモードフィルタ３側に漏れ（図１４の矢印Ａに沿う磁束）、薄膜コモンモードフィルタ３の平面スパイラル導体に誘導電流を発生させる。これがクロストークである。

特許文献１，２には、このようなクロストークによる特性劣化を防止するための技術が開示されている。特許文献１に開示される技術では、各平面スパイラル導体の巻回数を、隣り合う側の巻回数が隣り合わない側の巻回数よりも少なくなるようにするとともに、同一平面上の各平面スパイラル導体の巻回方向を互いに逆とすることで、クロストークを減じている。特許文献２に開示される技術では、一方の薄膜コモンモードフィルタの端子電極（薄膜コモンモードフィルタアレイの側面に形成する端子電極）と、他方の薄膜コモンモードフィルタの端子電極との間の距離を大きくすることで、クロストークを減じている。
特開２００３−２１７９３２号公報 特開２００６−２８６８８６号公報

したがって、本発明の目的のひとつは、部品間のクロストークを低減できるインダクタ部品アレイ、及び部品間のクロストークを低減できる薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明によるインダクタ部品アレイは、並列配置された第１及び第２のインダクタ部品と、前記第１及び第２のインダクタ部品の一方端部を連結する磁性体基体とを備え、前記磁性体基体には、前記第１及び第２のインダクタ部品の間に位置する部分に実質的にループコイルが形成されることを特徴とする。

本発明によれば、磁性体基体を通る漏れ磁束がループコイルによって遮断されるので、部品間のクロストークを低減することが可能になる。

また、上記インダクタ部品アレイにおいて、前記ループコイルは、前記磁性体基体の、前記第１及び第２のインダクタ部品の間に位置する部分の全周にわたって形成された導体によって構成されることとしてもよい。これによれば、完全なループコイルを用いることになるので、信号の周波数帯によらずクロストークを低減できる。

また、上記インダクタ部品アレイにおいて、前記磁性体基体は、前記第１及び第２のインダクタ部品に接する第１の表面と、前記第１の表面の反対側に位置する第２の表面と、前記第１及び第２のインダクタ部品の配列方向に平行な第３及び第４の側面とを有し、前記ループコイルは、前記第３及び第４の側面側と、前記第１及び第２の表面のいずれか少なくとも一方側とに形成された導体によって構成されることとしてもよい。一部がつながっていない導体によってループコイルを構成するとしても、信号が比較的高周波である場合には、つながっていない部分が容量結合する。したがって、実質的にループコイルが構成され、部品間のクロストークを低減することが可能になる。

また、上記各インダクタ部品アレイにおいて、前記第１及び第２のインダクタ部品はともにコモンモードフィルタであることとしてもよい。これによれば、コモンモードフィルタアレイを構成するコモンモードフィルタ間のクロストークを低減することが可能になる。

また、上記インダクタ部品アレイにおいて、当該インダクタ部品アレイは、積層構造の素体を備え、前記素体の第１の層には第１及び第２の平面スパイラル導体が形成され、前記素体の第２の層には第３及び第４の平面スパイラル導体が形成され、前記第１のインダクタ部品は、前記第１及び第３の平面スパイラル導体によって構成され、前記第２のインダクタ部品は、前記第２及び第４の平面スパイラル導体によって構成され、前記磁性体基体は前記素体の積層方向に垂直な面に接着されていることとしてもよい。これによれば、薄膜コモンモードフィルタアレイを構成する薄膜コモンモードフィルタ間のクロストークを低減することが可能になる。

また、上記インダクタ部品アレイにおいて、前記ループコイルは、前記素体内に形成された導体パターンを含んで構成されることとしてもよい。これによれば、平面スパイラル導体等を形成するのと同様にしてループコイルの一部を形成することが可能になる。

また、上記インダクタ部品アレイにおいて、前記第１及び第２のインダクタ部品はそれぞれ、コイルが巻回された巻芯部と該巻芯部の両端に形成された２つの鍔部とを有するドラムコアを有し、前記磁性体基体は前記第１のインダクタ部品の鍔部と前記第２のインダクタ部品の鍔部とに接着されており、前記ループコイルは、前記第１及び第２のインダクタ部品の一方鍔部間に位置する部分に形成されることを特徴とすることとしてもよい。これによれば、ドラムコアを用いるインダクタ部品間のクロストークを低減することが可能になる。

また、本発明による薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法は、積層構造の素体を備え、前記素体内に第１のコモンモードフィルタ導体と第２のコモンモードフィルタ導体とが形成されている薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法であって、前記第１のコモンモードフィルタ導体と前記第２のコモンモードフィルタ導体の間に導体パターンを構成する工程と、前記素体の積層方向に垂直な面に磁性体基体を接着する工程と、前記磁性体基体の前記第１及び第２のコモンモードフィルタ導体の配列方向に平行な側面に、前記導体パターンと電気的に接続する導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。

このように、本発明によれば、磁性体基体を通る漏れ磁束がループコイルによって遮断されるので、部品間のクロストークを低減することが可能になる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい第１及び第２の実施の形態について詳細に説明する。

図１（ａ）（ｂ）は、本発明の好ましい第１の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイ１０の斜視図である。図１（ａ）は正面から見た斜視図、図１（ｂ）は背面から見た斜視図をそれぞれ示している。図１（ａ）（ｂ）に示すように、コモンモードフィルタアレイ１０は、２枚の磁性体基体１１，１２で層構造体（素体）１３を挟み込んだ直方体状の積層体１４と、積層体１４の表面に形成された外部電極Ｐ１〜Ｐ８と、磁性体基体１２の表面に形成された導体パターンＲ１〜Ｒ３とによって構成される。

磁性体基体１１，１２は層構造体１３を物理的に保護するとともに、コモンモードチョークコイルの磁路としての役割を果たすものである。磁性体基体１１，１２の材料としては、焼結フェライトや複合フェライト（粉状のフェライトを含有した樹脂）を用いることが好適である。特に、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトやＭｎ−Ｚｎ系フェライトなどの比較的透磁率の高い材料を用いることが好ましい。透磁率の高い磁性材料を用いることにより、コモンモードフィルタとして本来求められる磁気特性が高められるからである。

外部電極Ｐ１〜Ｐ８は、積層体１４の側面１４ａ，１４ｂ（後述する薄膜コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の配列方向に平行な側面。すなわち、長辺側側面。）に、上面から下面にわたって設けられた所定幅の直線状の導体パターンである。外部電極Ｐ１〜Ｐ４は側面１４ａに、外部電極Ｐ５〜Ｐ８は側面１４ｂに、それぞれ積層体１４の長辺方向の一端側からこの順で並べて設けられている。

導体パターンＲ１は、磁性体基体１２の側面１４ａ側、より詳しくは側面１４ａの表面のうち外部電極Ｐ２とＰ３の間に位置する部分に設けられた所定幅の直線状の導体パターンである。また、導体パターンＲ３は、磁性体基体１２の側面１４ｂ側、より詳しくは側面１４ｂの表面のうち外部電極Ｐ６とＰ７の間に位置する部分に設けられた所定幅の直線状の導体パターンである。導体パターンＲ１，Ｒ３は、主として磁性体基体１２の側面に設けられているが、層構造体１３の側面にも少しはみ出して形成されている。これは、層構造体１３に設けられた導体パターンＲ４（後述）と接続するためである。導体パターンＲ２は、磁性体基体１２の上面（層構造体１３に接する表面の反対側の表面）側、より詳しくは上面の表面のうち外部電極Ｐ６とＰ７の間に位置する部分に設けられた所定幅の直線状の導体パターンであり、両端で導体パターンＲ１，Ｒ３と接続している。

外部電極Ｐ１〜Ｐ８及び導体パターンＲ１〜Ｒ３の形成にはマスクスパッタ法及び電気めっきを用いることが好適である。すなわち、まず積層体１４の側面１４ａ，１４ｂに、マスクスパッタ法によりＣｒ／Ｃｕ膜又はＴｉ／Ｃｕ膜を成膜し、その後、Ｎｉ／Ｓｎを用いて電気めっきを施すことで、外部電極Ｐ１〜Ｐ８及び導体パターンＲ１〜Ｒ３を形成する。

次に、図２はコモンモードフィルタアレイ１０の略分解斜視図である。図２に示すように、コモンモードフィルタアレイ１０の層構造体１３は、樹脂層Ｓ１〜Ｓ５、磁性体層Ｓ６ａ〜Ｓ６ｄ，Ｓ７がこの順で積層されたものである。なお、図２では外部電極Ｐ１〜Ｐ８を省略している。

樹脂層Ｓ２〜Ｓ５には、４つの貫通孔Ｈａ〜Ｈｄが形成されている。また、樹脂層Ｓ２の表面には平面スパイラル導体Ｃ１，Ｃ３が形成され、樹脂層Ｓ３の表面には平面スパイラル導体Ｃ２，Ｃ４が形成される。このうち平面スパイラル導体Ｃ１，Ｃ２は、磁気結合して薄膜コモンモードフィルタＦ１を構成する。また、平面スパイラル導体Ｃ３，Ｃ４は、磁気結合して薄膜コモンモードフィルタＦ２を構成する。層構造体１３がこのような構成を有することにより、磁性体基体１１，１２は、それぞれ薄膜コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の一方端部同士を連結する磁性体基体となっている。

樹脂層Ｓ１〜Ｓ４の表面には各平面スパイラル導体を外部電極Ｐ１〜Ｐ８に電気的に接続するための導体パターンが形成されている。樹脂層Ｓ５は導体パターンと磁性体層Ｓ７を分離するために設けられているもので、その表面には導体パターンは形成されていない。

樹脂層Ｓ１〜Ｓ４のそれぞれには、外部電極Ｐ１〜Ｐ８に対応する位置に引出電極Ｅ１〜Ｅ８が形成されており、対応する電極同士は層構造体１３の側面で電気的に接続している。

平面スパイラル導体Ｃ１の外端は、樹脂層Ｓ２上に形成された引出電極Ｄ１を介して、樹脂層Ｓ２上で引出電極Ｅ５に接続している。平面スパイラル導体Ｃ１の内端は、スルーホール導体Ｔ１を介して樹脂層Ｓ１上に形成された引出電極Ｄ２に接続する。引出電極Ｄ２は、樹脂層Ｓ１の引出電極Ｅ１に接続している。

平面スパイラル導体Ｃ２の外端は、樹脂層Ｓ３上に形成された引出電極Ｄ３を介して、樹脂層Ｓ３上で引出電極Ｅ６に接続している。平面スパイラル導体Ｃ２の内端は、スルーホール導体Ｔ２を介して樹脂層Ｓ４上に形成された引出電極Ｄ４に接続する。引出電極Ｄ４は、樹脂層Ｓ４の引出電極Ｅ２に接続している。

平面スパイラル導体Ｃ３の外端は、樹脂層Ｓ２上に形成された引出電極Ｄ５を介して、樹脂層Ｓ２上で引出電極Ｅ８に接続している。平面スパイラル導体Ｃ３の内端は、スルーホール導体Ｔ３を介して樹脂層Ｓ１上に形成された引出電極Ｄ６に接続する。引出電極Ｄ６は、樹脂層Ｓ１の引出電極Ｅ４に接続している。

平面スパイラル導体Ｃ４の外端は、樹脂層Ｓ３上に形成された引出電極Ｄ７を介して、樹脂層Ｓ３上で引出電極Ｅ７に接続している。平面スパイラル導体Ｃ４の内端は、スルーホール導体Ｔ４を介して樹脂層Ｓ４上に形成された引出電極Ｄ８に接続する。引出電極Ｄ８は、樹脂層Ｓ４の引出電極Ｅ３に接続している。

なお、各樹脂層Ｓ１〜Ｓ５は、感光性を有する絶縁性非磁性樹脂（例えば感光性ポリイミド樹脂）をスピンコートし、これを露光・現像・熱硬化することによって形成する。ディップ法やスプレー法を用いてもよい。樹脂層Ｓ２〜Ｓ５の貫通孔Ｈａ〜Ｈｄは、エッチングにより形成する。スルーホール導体Ｔ１〜Ｔ４は、まずエッチングによって各樹脂層に貫通孔を形成し、その中に導電性材料を充填することによって形成する。各導体パターンは、蒸着法又はスパッタリング法により樹脂層の上に下地導電層を形成し、これを給電体としたメッキを行うことにより形成する。

磁性体層Ｓ６ａ〜Ｓ６ｄはコモンモードチョークコイルの磁路としての役割を果たす層であり、それぞれ貫通孔Ｈａ〜Ｈｄ内に埋め込まれている。磁性体層Ｓ６ａ〜Ｓ６ｄは、樹脂を混ぜて流動性を持たせた磁性材料を樹脂層Ｓ５上に流すことによって形成する。磁性体層Ｓ７は磁性材料を樹脂層Ｓ５上に流した際に形成される層である。

ここで、薄膜コモンモードフィルタＦ１の動作について説明しておく。薄膜コモンモードフィルタＦ２についても同様である。

図３は、一般的な差動伝送回路の回路図である。

図３に示す差動伝送回路は、一対の信号線５１，５２と、信号線５１，５２に差動信号を供給する出力バッファ５３と、信号線５１，５２からの差動信号を受ける入力バッファ５４とを備えている。かかる構成により、出力バッファ５３に与えられる入力信号ＩＮは、一対の信号線５１，５２を経由して入力バッファ５４へ伝えられ、出力信号ＯＵＴとして再生される。このような差動伝送回路は、信号線５１，５２から発生する放射電磁界が少ないという特徴を有しているが、信号線５１，５２に共通のノイズ（コモンモードノイズ）が重畳した場合には比較的大きな放射電磁界を発生させてしまう。コモンモードノイズによって発生する放射電磁界を低減するためには、図３に示すように、信号線５１，５２に薄膜コモンモードフィルタＦ１を挿入することが有効である。

薄膜コモンモードフィルタＦ１では、同方向に巻回された平面スパイラル導体Ｃ１，Ｃ２が磁気結合する。そのため、信号線５１，５２を伝わる差動成分（信号）に対するインピーダンス（特性インピーダンス）が低く、同相成分（コモンモードノイズ）に対するインピーダンスが高くなる。したがって、薄膜コモンモードフィルタＦ１は、信号線５１，５２に供給される差動信号を実質的に減衰させることなく、一方で信号線５１，５２を伝わるコモンモードノイズを遮断する。

さて、図２に示すように、樹脂層Ｓ４の表面には、薄膜コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の間の位置に導体パターンＲ４が形成されている。この導体パターンＲ４は、磁性体基体１２の下面（層構造体１３に接する表面）側に位置している。導体パターンＲ４は、両端で導体パターンＲ１，Ｒ３に接続する。これにより、導体パターンＲ１〜Ｒ３及び導体パターンＲ４は、磁性体基体１２の、薄膜コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の間に位置する部分の全周にわたって形成されたループコイルＲを構成する。

図４は、図１（ａ）に示したコモンモードフィルタアレイ１０のＡ−Ａ'線断面図である。図１４を参照しながらすでに説明したように、例えば薄膜コモンモードフィルタＦ２に電流が流れると、磁性体基体１１，１２を介して薄膜コモンモードフィルタＦ１側に漏れる磁束が発生する（図４の矢印Ｍに沿う磁束）。これがコモンモードフィルタ間のクロストークであることは上述したとおりであるが、コモンモードフィルタアレイ１０では、ループコイルＲによってこの漏れ磁束が遮断される。

すなわち、漏れ磁束が発生すると、その電磁誘導によってループコイルＲに電流が流れ、漏れ磁束を打ち消す方向の磁束が発生する。したがって、漏れ磁束が遮断されることになるのである。これにより、コモンモードフィルタアレイ１０では、コモンモードフィルタ間のクロストークを低減することが可能になっている。また、コモンモードフィルタに流れる信号の周波数によらず、クロストークを低減することが可能になっている。

次に、コモンモードフィルタアレイ１０の製造方法について説明する。

図５は、コモンモードフィルタアレイ１０の製造フローを示す図である。同図に示すように、まず磁性体基体１１を用意し、その上にスピンコートなどの方法により樹脂層Ｓ１を形成する（Ｓｔｅｐ１）。続いて、導体パターンＲ４を含む導体パターンの形成と、樹脂層Ｓ２〜Ｓ５の積層を繰り返し行う（Ｓｔｅｐ２）。

次に、エッチングにより、樹脂層Ｓ２〜Ｓ５の貫通孔Ｈａ〜Ｈｄを形成し（Ｓｔｅｐ３）、樹脂層Ｓ５の上に磁性材料を流し込むことで、磁性体層Ｓ６ａ〜Ｓ６ｄ，Ｓ７を形成する（Ｓｔｅｐ４）。

次に、磁性体層Ｓ７の上に磁性体基体１２を接着し（Ｓｔｅｐ５）、積層体１４の側面及び上面に、マスクスパッタ法及び電気めっきにより、外部電極Ｐ１〜Ｐ８と、導体パターンＲ１〜Ｒ３とを形成する（Ｓｔｅｐ６）。

以上説明したように、コモンモードフィルタアレイ１０では、ループコイルＲのうち、磁性体基体１２の下面に位置する部分を、樹脂層Ｓ４の表面に形成した導体パターンＲ４で構成したため、平面スパイラル導体等を形成するのと同様にしてループコイルの一部を形成することが可能になっている。

以下、ループコイルのバリエーションについて説明する。

まず、図６（ａ）は、図１（ａ）に示したコモンモードフィルタアレイ１０のＢ−Ｂ'線断面図である。図６（ａ）におけるループコイルは上述したループコイルＲであり、磁性体基体１２の全周にわたって形成された完全なループコイルとなっている。なお、上記実施の形態では樹脂層Ｓ４の表面に形成した導体パターンＲ４をループコイルＲの一部として用いたが、例えば磁性体基体１２の下面に直接形成することとしてもよい。また、導体パターンＲ１〜Ｒ３の製造方法について、上記実施の形態ではマスクスパッタ法及び電気めっきを用いる例を説明したが、例えば金属製のリングなどの金具を磁性体基体１２に嵌めることで製造することも可能である。

次に、図６（ｂ）は、導体パターンＲ４を用いずに作製したループコイルＲｘを有するコモンモードフィルタアレイ１０の断面図である。ループコイルＲｘは、ループコイルＲのような完全なループコイルとはなっていないが、実質的に、薄膜コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の間に設けられたループコイルとなっている。すなわち、コモンモードフィルタに入力される信号が高周波信号である場合、ループコイルＲｘのつながっていない部分は、図６（ｂ）に示すように、容量結合により結合する。したがって、ループコイルＲｘは、ループコイルＲと同様に作用し、漏れ磁束の遮断効果を有する。

次に、図６（ｃ）は、導体パターンＲ２を用いずに作製したループコイルＲｙを有するコモンモードフィルタアレイ１０の断面図である。ループコイルＲｙも、ループコイルＲのような完全なループコイルとはなっていないが、実質的に、薄膜コモンモードフィルタＦ１，Ｆ２の間に設けられたループコイルとなっている。すなわち、コモンモードフィルタに入力される信号が高周波信号である場合、ループコイルＲｙのつながっていない部分は、図６（ｃ）に示すように、容量結合により結合する。したがって、ループコイルＲｙも、ループコイルＲと同様に作用し、漏れ磁束の遮断効果を有する。

また、ループコイルＲｙを用いる場合、積層体１４の上面に導体パターンを形成する必要がなくなる。したがって、マスクスパッタ法及び電気めっきによって積層体１４の側面及び上面に導体パターンを形成する際の工数が削減できる。

次に、図６（ｄ）は、磁性体基体１１にもループコイルＲを設けた例を示す断面図である。このように、磁性体基体１１，１２それぞれにループコイルＲを設けてもよい。

図７は、本発明の好ましい第２の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイ２０の斜視図である。また、図８は、コモンモードフィルタアレイ２０を裏面から見た平面図である。また、図９は、図７に示したコモンモードフィルタアレイ２０のＣ−Ｃ'線断面図である。

図７及び図８に示すように、コモンモードフィルタアレイ２０は、ドラムコアタイプのコモンモードフィルタＦ３，Ｆ４を備えている。コモンモードフィルタＦ３は、両端に鍔部ＦＲ１，ＦＲ２が設けられた巻芯部Ｏ１からなるドラムコアＤＲ１と、巻芯部Ｏ１に巻回されたワイヤＬ１，Ｌ２とを有している。コモンモードフィルタＦ４は、両端に鍔部ＦＲ３，ＦＲ４が設けられた巻芯部Ｏ２からなるドラムコアＤＲ２と、巻芯部Ｏ２に巻回されたワイヤＬ３，Ｌ４とを有している。

鍔部ＦＲ１の下面には端子電極Ｇ１，Ｇ２が形成されている。同様に、鍔部ＦＲ２の下面には端子電極Ｇ３，Ｇ４が、鍔部ＦＲ３の下面には端子電極Ｇ５，Ｇ６が、鍔部ＦＲ４の下面には端子電極Ｇ７，Ｇ８がそれぞれ形成されている。ワイヤＬ１は端子電極Ｇ１と端子電極Ｇ３とに接続される。同様に、ワイヤＬ２は端子電極Ｇ２と端子電極Ｇ４に接続され、ワイヤＬ３は端子電極Ｇ５と端子電極Ｇ７に接続され、ワイヤＬ４は端子電極Ｇ６と端子電極Ｇ８に接続される。ワイヤＬ１〜Ｌ４は互いに同一ターン数で同一方向に巻回されており、それぞれがコモンモードフィルタ用コイルを構成している。

コモンモードフィルタアレイ２０は、鍔部ＦＲ１〜ＦＲ４の各上面に接着された板状コアＢも備えている。

なお、ドラムコアＤＲ１，ＤＲ２及び板状コアＢは、比較的透磁率の高い磁性材料、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトやＭｎ−Ｚｎ系フェライトの焼結体によって作られている。

さて、板状コアＢは、鍔部ＦＲ１，ＦＲ３の間に位置する部分の上面，側面、下面にそれぞれ導体パターンＱ１〜Ｑ３を有しており、導体パターンＱ１の一端と導体パターンＱ２の上端，導体パターンＱ２の下端と導体パターンＱ３の一端は、それぞれ電気的に接続されている。また、図９に示すように、板状コアＢは、導体パターンＱ１の他端と導体パターンＱ３の他端とを接続するスルーホール導体Ｑ４も有している。

導体パターンＱ１〜Ｑ３及びスルーホール導体Ｑ４は、コモンモードフィルタＦ３，Ｆ４の間に位置する部分の全周にわたって形成されたループコイルＱを構成する。鍔部ＦＲ１と鍔部ＦＲ３の間に磁束（漏れ磁束）が発生すると、その電磁誘導によってループコイルＱに電流が流れ、漏れ磁束を打ち消す方向の磁束が発生する。したがって、漏れ磁束が遮断されることになるので、コモンモードフィルタアレイ２０でも、コモンモードフィルタ間のクロストークを低減することが可能になっている。

以下、ループコイルのバリエーションについて説明する。

まず、図１０（ａ）は、スルーホール導体Ｑ４を用いずに作製したループコイルＱｘの断面図であり、図９に対応している。ループコイルＱｘは、ループコイルＱのような完全なループコイルとはなっていないが、実質的に、コモンモードフィルタＦ３，Ｆ４の間に設けられたループコイルとなっている。すなわち、コモンモードフィルタに入力される信号が高周波信号である場合、ループコイルＱｘのつながっていない部分は、図１０（ａ）に示すように、容量結合により結合する。したがって、ループコイルＱｘは、ループコイルＱと同様に作用し、漏れ磁束の遮断効果を有する。

次に、図１０（ｂ）は、導体パターンＱ２を用いずに作製したループコイルＱｙの断面図であり、図９に対応している。ループコイルＱｙも、ループコイルＱのような完全なループコイルとはなっていないが、実質的に、コモンモードフィルタＦ３，Ｆ４の間に設けられたループコイルとなっている。すなわち、コモンモードフィルタに入力される信号が高周波信号である場合、ループコイルＱｙのつながっていない部分は、図１０（ｂ）に示すように、容量結合により結合する。したがって、ループコイルＱｙも、ループコイルＱと同様に作用し、漏れ磁束の遮断効果を有する。

次に、図１１は、鍔部ＦＲ２，Ｒ４の間に位置する部分にもループコイルＱを設けた例を示す断面図である。このように、鍔部ＦＲ１，ＦＲ３側と鍔部ＦＲ２，ＦＲ４側のそれぞれにループコイルＱを設けてもよい。

次に、図１２は、中央部に巻芯部Ｏ１，Ｏ２とほぼ同じ長さの貫通孔Ｈを有する板状コアＢｘを用いる例によるコモンモードフィルタアレイ２０の斜視図である。また、図１３は、図１２に示したコモンモードフィルタアレイ２０のＤ−Ｄ'線断面図である。

図１２及び図１３に示した例では、貫通孔Ｈの鍔部ＦＲ１，Ｒ３側の内側面に、導体パターンＱ１の他端と導体パターンＱ３の他端とを接続する導体パターンＱ５を形成し、導体パターンＱ１〜Ｑ３と導体パターンＱ５とでループコイルＱｚを構成している。このようにすることで、マスクスパッタ法及び電気めっきを用いる方法などを用いて、導体パターンＱ１〜Ｑ３，Ｑ５を同じ方法で形成することが可能になる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について２つの例を挙げて説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。

例えば、上記各実施の形態ではコモンモードフィルタアレイに本発明を適用した場合を説明したが、コモンモードフィルタ以外のインダクタ部品であっても、アレイ化したときに部品間のクロストークが問題になることはあり得る。そのような場合、インダクタ部品アレイに本発明を適用し、インダクタ部品の間に位置する部分に実質的にループコイルを形成すれば、部品間のクロストークを減ずることが可能になる。

本発明の好ましい第１の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイの斜視図である。（ａ）は正面から見た斜視図、（ｂ）は背面から見た斜視図をそれぞれ示している。 本発明の好ましい第１の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイの略分解斜視図である。 一般的な差動伝送回路の回路図である。 図１（ａ）に示したコモンモードフィルタアレイのＡ−Ａ'線断面図である。 本発明の好ましい第１の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイの製造フローを示す図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示したコモンモードフィルタアレイのＢ−Ｂ'線断面図である。（ｂ）は、本発明の好ましい第１の実施の形態の変形例によるコモンモードフィルタアレイの断面図である。（ｃ）は、本発明の好ましい第１の実施の形態の他の変形例によるコモンモードフィルタアレイの断面図である。（ｄ）は、本発明の好ましい第１の実施の形態のさらに他の変形例によるコモンモードフィルタアレイの断面図である。 本発明の好ましい第２の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイの斜視図である。 本発明の好ましい第２の実施の形態によるコモンモードフィルタアレイを裏面から見た平面図である。 図７に示したコモンモードフィルタアレイのＣ−Ｃ'線断面図である。 （ａ）は、本発明の好ましい第２の実施の形態の変形例によるコモンモードフィルタアレイの断面図である。（ｂ）は、本発明の好ましい第２の実施の形態の他の変形例によるコモンモードフィルタアレイの断面図である。 本発明の好ましい第２の実施の形態のさらに他の変形例によるコモンモードフィルタアレイの断面図である。 本発明の好ましい第２の実施の形態のさらに他の変形例によるコモンモードフィルタアレイの斜視図である。 図１２に示したコモンモードフィルタアレイのＤ−Ｄ'線断面図である。 本発明の背景技術による薄膜コモンモードフィルタアレイの断面図である。

符号の説明

１０ コモンモードフィルタアレイ
１１，１２ 磁性体基体
１３ 層構造体
１４ 積層体
Ｃ１〜Ｃ４ 平面スパイラル導体
Ｄ１〜Ｄ８，Ｅ１〜Ｅ８ 引出電極
Ｆ１，Ｆ２ 薄膜コモンモードフィルタ
Ｈａ〜Ｈｄ 貫通孔
Ｐ１〜Ｐ８ 外部電極
Ｒ，Ｒｘ，Ｒｙ ループコイル
Ｒ１〜Ｒ４ 導体パターン
Ｓ１〜Ｓ５ 樹脂層
Ｓ６ａ〜Ｓ６ｄ，Ｓ７ 磁性体層
Ｔ１〜Ｔ４ スルーホール導体
２０ コモンモードフィルタアレイ
Ｂ，Ｂｘ 板状コア
ＤＲ１，ＤＲ２ ドラムコア
Ｆ３，Ｆ４ ドラムコアタイプのコモンモードフィルタ
ＦＲ１〜ＦＲ４ 鍔部
Ｇ１〜Ｇ８ 端子電極
Ｈ 貫通孔
Ｌ１〜Ｌ４ ワイヤ
Ｏ１，Ｏ２ 巻芯部
Ｑ，Ｑｘ，Ｑｙ，Ｑｚ ループコイル
Ｑ１〜Ｑ３，Ｑ５ 導体パターン
Ｑ４ スルーホール導体

Claims (8)

1. 並列配置された第１及び第２のインダクタ部品と、
   前記第１及び第２のインダクタ部品の一方端部を連結する磁性体基体とを備え、
   前記磁性体基体には、前記第１及び第２のインダクタ部品の間に位置する部分に実質的にループコイルが形成されることを特徴とするインダクタ部品アレイ。
2. 前記ループコイルは、前記磁性体基体の、前記第１及び第２のインダクタ部品の間に位置する部分の全周にわたって形成された導体によって構成されることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ部品アレイ。
3. 前記磁性体基体は、前記第１及び第２のインダクタ部品に接する第１の表面と、前記第１の表面の反対側に位置する第２の表面と、前記第１及び第２のインダクタ部品の配列方向に平行な第３及び第４の側面とを有し、
   前記ループコイルは、前記第３及び第４の側面側と、前記第１及び第２の表面のいずれか少なくとも一方側とに形成された導体によって構成されることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ部品アレイ。
4. 前記第１及び第２のインダクタ部品はともにコモンモードフィルタであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインダクタ部品アレイ。
5. 当該インダクタ部品アレイは、積層構造の素体を備え、
   前記素体の第１の層には第１及び第２の平面スパイラル導体が形成され、
   前記素体の第２の層には第３及び第４の平面スパイラル導体が形成され、
   前記第１のインダクタ部品は、前記第１及び第３の平面スパイラル導体によって構成され、
   前記第２のインダクタ部品は、前記第２及び第４の平面スパイラル導体によって構成され、
   前記磁性体基体は前記素体の積層方向に垂直な面に接着されていることを特徴とする請求項４に記載のインダクタ部品アレイ。
6. 前記ループコイルは、前記素体内に形成された導体パターンを含んで構成されることを特徴とする請求項５に記載のインダクタ部品アレイ。
7. 前記第１及び第２のインダクタ部品はそれぞれ、コイルが巻回された巻芯部と該巻芯部の両端に形成された２つの鍔部とを有するドラムコアを有し、
   前記磁性体基体は前記第１のインダクタ部品の鍔部と前記第２のインダクタ部品の鍔部とに接着されており、
   前記ループコイルは、前記第１及び第２のインダクタ部品の一方鍔部間に位置する部分に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインダクタ部品アレイ。
8. 積層構造の素体を備え、
   前記素体内に第１のコモンモードフィルタ導体と第２のコモンモードフィルタ導体とが形成されている薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法であって、
   前記第１のコモンモードフィルタ導体と前記第２のコモンモードフィルタ導体の間に導体パターンを構成する工程と、
   前記素体の積層方向に垂直な面に配置された磁性体基体の前記第１及び第２のコモンモードフィルタ導体の配列方向に平行な側面に、前記導体パターンと電気的に接続する導体パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜コモンモードフィルタアレイの製造方法。

Images