JP2010123685A - Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method - Google Patents

Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2010123685A
JP2010123685A JP2008294797A JP2008294797A JP2010123685A JP 2010123685 A JP2010123685 A JP 2010123685A JP 2008294797 A JP2008294797 A JP 2008294797A JP 2008294797 A JP2008294797 A JP 2008294797A JP 2010123685 A JP2010123685 A JP 2010123685A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
plasma
liquid
exposure
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008294797A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsushi Nakano
勝志 中野
Ryuichi Hoshika
隆一 星加
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2008294797A priority Critical patent/JP2010123685A/en
Publication of JP2010123685A publication Critical patent/JP2010123685A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method that can suppress an exposure defect. <P>SOLUTION: The substrate processing method includes enhancing liquid repellency of a surface of a substrate having a photosensitive film to a liquid by bringing the surface of the substrate into contact with plasma produced with a process gas; and exposing the substrate by irradiating, with exposure light, at least a portion of the surface of the substrate that is brought into contact with the plasma. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板処理方法、デバイス製造システム、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing method, a device manufacturing system, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば特許文献１，２に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
米国特許出願公開第２００６／０１３９６１４号明細書 米国特許第７１９９８５８号明細書 As an exposure apparatus used in a photolithography process, there is known an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid as disclosed in Patent Documents 1 and 2, for example.
US Patent Application Publication No. 2006/0139614 US Pat. No. 7,199,858

液浸露光装置においては、露光される基板の表面と液体とが接触する。その基板の表面状態が悪化すると、露光不良が発生する可能性がある。例えば、その基板の表面の液体に対する撥液性が低下していると、液体が漏出したり、その基板上に液体（例えば液体の膜、滴等）が残留したりする可能性がある。漏出した液体、あるいは残留した液体の気化に起因して、露光装置が置かれている環境（温度、湿度、クリーン度等）が変化したり、基板、あるいは周辺の部材が熱変形したりする可能性がある。そのような不具合が生じると、露光装置の性能が低下し、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。   In the immersion exposure apparatus, the surface of the substrate to be exposed comes into contact with the liquid. If the surface state of the substrate deteriorates, exposure failure may occur. For example, when the liquid repellency with respect to the liquid on the surface of the substrate is lowered, the liquid may leak or a liquid (for example, a liquid film or a droplet) may remain on the substrate. The environment (temperature, humidity, cleanliness, etc.) in which the exposure apparatus is placed may change due to vaporization of leaked liquid or residual liquid, and the substrate or surrounding members may be thermally deformed. There is sex. If such a problem occurs, the performance of the exposure apparatus may deteriorate, and an exposure failure may occur, such as a defect occurring in a pattern formed on the substrate. As a result, a defective device may occur.

本発明は、露光不良の発生を抑制できる基板処理方法、及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造システム、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the substrate processing method and exposure apparatus which can suppress generation | occurrence | production of exposure failure. It is another object of the present invention to provide a device manufacturing system and a device manufacturing method that can suppress the occurrence of defective devices.

本発明の第１の態様に従えば、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む基板処理方法が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the surface of the substrate including the photosensitive film is brought into contact with the plasma generated from the process gas to improve the liquid repellency of the substrate surface with respect to the liquid, and the substrate in contact with the plasma Irradiating at least a part of the surface of the substrate with exposure light through a liquid to expose the substrate, a substrate processing method is provided.

本発明の第２の態様に従えば、感光膜を含む基板を形成する成膜装置と、プロセスガスより生成されたプラズマを、感光膜を含む基板の表面と接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光する液浸露光装置と、を備えたデバイス製造システムが提供される。   According to the second aspect of the present invention, a film forming apparatus for forming a substrate including a photosensitive film, and a plasma generated from the process gas is brought into contact with the surface of the substrate including the photosensitive film to thereby form a liquid on the surface of the substrate. A device manufacturing system comprising: a plasma processing apparatus that improves liquid repellency to liquid; and an immersion exposure apparatus that exposes the substrate by irradiating at least part of the surface of the substrate in contact with the plasma through the liquid with exposure light Is provided.

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を保持して露光光が照射可能な位置に対して移動可能な基板保持部材と、基板が露光光で露光される前に、プロセスガスより生成されたプラズマを、基板の表面と接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、を備え、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光が照射される露光装置が提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, the substrate holding member movable to a position where the substrate can be held and irradiated with the exposure light. A plasma processing apparatus for bringing the plasma generated from the process gas into contact with the surface of the substrate before the substrate is exposed to exposure light and increasing the liquid repellency with respect to the liquid on the surface of the substrate. An exposure apparatus is provided in which exposure light is irradiated to at least a part of the surface of the contacted substrate through a liquid.

本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the third aspect and developing the exposed substrate.

本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。   According to the present invention, the occurrence of exposure failure can be suppressed. Moreover, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defective devices.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

図１は、本実施形態に係るデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す概略構成図である。図１において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸと、インターフェースＩＦを介して露光装置ＥＸと接続された処理装置ＣＤとを備えている。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a device manufacturing system SYS according to the present embodiment. In FIG. 1, the device manufacturing system SYS includes an exposure apparatus EX that exposes a substrate P with exposure light EL, and a processing apparatus CD that is connected to the exposure apparatus EX via an interface IF.

本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.

本実施形態において、処理装置ＣＤは、感光膜Ｒｇを含む基板Ｐを形成する成膜装置Ｃと、露光された基板Ｐを現像する現像装置Ｄとを有する。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。基板Ｐは、露光装置ＥＸと処理装置ＣＤとの間で、インターフェースＩＦを介して搬送される。   In the present embodiment, the processing apparatus CD includes a film forming apparatus C that forms the substrate P including the photosensitive film Rg, and a developing apparatus D that develops the exposed substrate P. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). The substrate P is transported between the exposure apparatus EX and the processing apparatus CD via the interface IF.

露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測する干渉計システム７と、基板Ｐを搬送可能な搬送装置９と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材１０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１１とを備えている。   The exposure apparatus EX moves the mask stage 1 that can move while holding the mask M, the substrate stage 2 that can move while holding the substrate P, the drive system 4 that moves the mask stage 1, and the substrate stage 2. Drive system 5, interferometer system 7 for measuring the positions of mask stage 1 and substrate stage 2, transport device 9 capable of transporting substrate P, illumination system IL for illuminating mask M with exposure light EL, and exposure light A projection optical system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated by EL onto the substrate P, and an immersion space LS that can form an immersion space LS so that at least a part of the optical path of the exposure light EL is filled with the liquid LQ. A member 10 and a control device 11 for controlling the operation of the entire exposure apparatus EX are provided.

また、露光装置ＥＸは、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを、基板Ｐの表面と接触させて、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高めるプラズマ処理装置１０１を備えている。プラズマ処理装置１０１は、基板Ｐが露光光ＥＬで露光される前に、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高める。   In addition, the exposure apparatus EX includes a plasma processing apparatus 101 that brings the plasma generated from the process gas PG into contact with the surface of the substrate P to improve the liquid repellency of the surface of the substrate P with respect to the liquid LQ. The plasma processing apparatus 101 improves the liquid repellency with respect to the liquid LQ on the surface of the substrate P before the substrate P is exposed with the exposure light EL.

また、露光装置ＥＸは、内部空間１２を形成するチャンバ装置１３と、内部空間１２に配置されたボディ１４とを備えている。ボディ１４は、第１コラム１５と、第１コラム１５上に設けられた第２コラム１６とを含む。本実施形態において、チャンバ装置１３によって形成される内部空間１２には、マスクステージ１、基板ステージ２、照明系ＩＬ、投影光学系ＰＬ、搬送装置９、及びボディ１４等が配置される。露光光ＥＬは、内部空間１２の少なくとも一部を進行する。   In addition, the exposure apparatus EX includes a chamber device 13 that forms the internal space 12 and a body 14 that is disposed in the internal space 12. The body 14 includes a first column 15 and a second column 16 provided on the first column 15. In the present embodiment, the mask stage 1, the substrate stage 2, the illumination system IL, the projection optical system PL, the transfer device 9, the body 14, and the like are arranged in the internal space 12 formed by the chamber device 13. The exposure light EL travels at least part of the internal space 12.

第１コラム１５は、第１支持部材１８と、第１支持部材１８に防振装置１９を介して支持された第１定盤２０とを備えている。第２コラム１６は、第１定盤２０上に配置された第２支持部材２１と、第２支持部材２１に防振装置２２を介して支持された第２定盤２３とを備えている。   The first column 15 includes a first support member 18 and a first surface plate 20 supported by the first support member 18 via a vibration isolator 19. The second column 16 includes a second support member 21 disposed on the first surface plate 20 and a second surface plate 23 supported by the second support member 21 via a vibration isolator 22.

本実施形態において、内部空間１２は、実質的に閉ざされた第１，第２、第３、第４空間１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを含む。本実施形態において、第１空間１２Ａは、第１コラム１５と例えばクリーンルーム内に配置された支持面ＦＬとの間の空間の少なくとも一部を含む。本実施形態において、第２空間１２Ｂは、第２コラム１６と第１定盤２０との間の空間の少なくとも一部を含む。本実施形態において、第３空間１２Ｃは、チャンバ装置１３と第２定盤２３との間の空間の少なくとも一部を含む。本実施形態において、第４空間１２Ｄは、第１コラム１５（第１支持部材１８）とチャンバ装置１３との間の空間の少なくとも一部を含む。   In the present embodiment, the internal space 12 includes first, second, third, and fourth spaces 12A, 12B, 12C, and 12D that are substantially closed. In the present embodiment, the first space 12A includes at least a part of a space between the first column 15 and a support surface FL disposed in, for example, a clean room. In the present embodiment, the second space 12 </ b> B includes at least a part of the space between the second column 16 and the first surface plate 20. In the present embodiment, the third space 12 </ b> C includes at least a part of the space between the chamber device 13 and the second surface plate 23. In the present embodiment, the fourth space 12 </ b> D includes at least a part of the space between the first column 15 (first support member 18) and the chamber device 13.

また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１，第２，第３，第４空間１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つ）を調整する環境調整装置２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄを備えている。本実施形態において、環境調整装置２４Ａ〜２４Ｄのそれぞれは、ガスの温度を調整可能な温度調整装置、及びガス中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境調整装置２４Ａ〜２４Ｄは、第１〜第４空間１２Ａ〜１２Ｄのそれぞれにクリーンで温度調整されたガスを供給することによって、第１〜第４空間１２Ａ〜１２Ｄの環境を調整する。本実施形態において、環境調整装置２４Ａ〜２４Ｄが供給するガスの温度は、例えば２３℃である。なお、第１空間１２Ａ〜第４空間１２Ｄのそれぞれに１つの環境調整装置を備える必要はなく、複数の空間の環境を１つの環境調整装置で制御してもよい。   In the present embodiment, the exposure apparatus EX adjusts the environment (at least one of temperature, humidity, pressure, and cleanness) of the first, second, third, and fourth spaces 12A, 12B, 12C, and 12D. Environment adjusting devices 24A, 24B, 24C, and 24D. In the present embodiment, each of the environmental adjustment devices 24A to 24D includes a temperature adjustment device that can adjust the temperature of the gas, a filter unit that can remove foreign substances in the gas, and the like. The environment adjusting devices 24A to 24D adjust the environment of the first to fourth spaces 12A to 12D by supplying clean and temperature-adjusted gases to the first to fourth spaces 12A to 12D, respectively. In the present embodiment, the temperature of the gas supplied by the environment adjusting devices 24A to 24D is, for example, 23 ° C. Note that it is not necessary to provide one environment adjusting device in each of the first space 12A to the fourth space 12D, and the environment of a plurality of spaces may be controlled by one environment adjusting device.

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL irradiates the predetermined illumination area IR with the exposure light EL. The illumination area IR includes a position where the exposure light EL emitted from the illumination system IL can be irradiated. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Vacuum ultraviolet light (VUV light) such as excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light that is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light) is used as the exposure light EL.

マスクステージ１は、第３空間１２Ｃ内において、第２定盤２３のガイド面２３Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭを保持して照明領域ＩＲに対して移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部２５を有する。本実施形態において、マスク保持部２５は、マスクＭの表面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。   The mask stage 1 is movable on the guide surface 23G of the second surface plate 23 in the third space 12C. The mask stage 1 is movable with respect to the illumination region IR while holding the mask M. The mask stage 1 has a mask holding unit 25 that holds the mask M in a releasable manner. In the present embodiment, the mask holding unit 25 holds the mask M so that the surface (pattern forming surface) of the mask M and the XY plane are substantially parallel.

マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、移動可能である。本実施形態において、駆動システム４は、ガイド面２３Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。マスクステージ１を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子１Ｍと、第２定盤２３に配置された固定子２３Ｃとを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、平面モータを含む駆動システム４の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。   The mask stage 1 is movable by the operation of the drive system 4. In the present embodiment, the drive system 4 includes a planar motor for moving the mask stage 1 on the guide surface 23G. A planar motor for moving the mask stage 1 includes, for example, a movable element 1M arranged on the mask stage 1 and a fixed plate arranged on the second surface plate 23 as disclosed in US Pat. No. 6,452,292. And a child 23C. In the present embodiment, the mask stage 1 is movable in six directions including the X-axis, Y-axis, Z-axis, θX, θY, and θZ directions by the operation of the drive system 4 including a planar motor.

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２６に保持されている。鏡筒２６は、フランジ２６Ｆを有する。投影光学系ＰＬは、フランジ２６Ｆを介して、第１定盤２０に支持される。なお、第１定盤２０と鏡筒２６との間に防振装置を設けることができる。   The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. A plurality of optical elements of the projection optical system PL are held by the lens barrel 26. The lens barrel 26 has a flange 26F. Projection optical system PL is supported by first surface plate 20 via flange 26F. A vibration isolator can be provided between the first surface plate 20 and the lens barrel 26.

本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。   The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.

投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子２７は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２８を有する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２７）の射出面２８から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。   Of the plurality of optical elements of the projection optical system PL, the terminal optical element 27 closest to the image plane of the projection optical system PL has an exit surface 28 that emits the exposure light EL toward the image plane of the projection optical system PL. The projection region PR includes a position where the exposure light EL emitted from the emission surface 28 of the projection optical system PL (terminal optical element 27) can be irradiated.

本実施形態において、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子２７は、第１空間１２Ａに配置されている。終端光学素子２７の射出面２８から射出される露光光ＥＬの光路は、第１空間１２Ａに配置される。すなわち、本実施形態において、第１空間１２Ａは、投影光学系ＰＬの像面側の光路を含み、基板Ｐに入射する露光光ＥＬの光路の少なくとも一部を含む。   In the present embodiment, among the plurality of optical elements of the projection optical system PL, at least the terminal optical element 27 is disposed in the first space 12A. The optical path of the exposure light EL emitted from the exit surface 28 of the last optical element 27 is arranged in the first space 12A. That is, in the present embodiment, the first space 12A includes an optical path on the image plane side of the projection optical system PL, and includes at least a part of the optical path of the exposure light EL incident on the substrate P.

基板ステージ２は、第１空間１２Ａ内において、第３定盤３０のガイド面３０Ｇ上を移動可能である。ガイド面３０Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。第３定盤３０は、防振装置３１を介して、支持面ＦＬに支持されている。基板ステージ２は、基板Ｐを保持して投影領域ＰＲに対して移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２９を有する。本実施形態において、基板保持部２９は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。   The substrate stage 2 is movable on the guide surface 30G of the third surface plate 30 in the first space 12A. The guide surface 30G is substantially parallel to the XY plane. The third surface plate 30 is supported on the support surface FL via the vibration isolator 31. The substrate stage 2 is movable with respect to the projection region PR while holding the substrate P. The substrate stage 2 has a substrate holding portion 29 that holds the substrate P in a releasable manner. In the present embodiment, the substrate holding unit 29 holds the substrate P so that the surface (exposure surface) of the substrate P and the XY plane are substantially parallel.

基板ステージ２は、駆動システム５の作動により移動可能である。本実施形態において、駆動システム５は、ガイド面３０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。基板ステージ２を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子２Ｍと、第３定盤３０に配置された固定子３０Ｃとを有する。本実施形態においては、基板ステージ２は、平面モータを含む駆動システム５の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。   The substrate stage 2 can be moved by the operation of the drive system 5. In the present embodiment, the drive system 5 includes a planar motor for moving the substrate stage 2 on the guide surface 30G. A planar motor for moving the substrate stage 2 includes, for example, a movable element 2M arranged on the substrate stage 2 and a fixed plate arranged on the third surface plate 30 as disclosed in US Pat. No. 6,452,292. And a child 30C. In the present embodiment, the substrate stage 2 is movable in six directions including the X axis, Y axis, Z axis, θX, θY, and θZ directions by the operation of the drive system 5 including a planar motor.

液浸部材１０は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）であって、液体ＬＱを供給する供給口と、液体ＬＱを回収する回収口とを有する。   The liquid immersion member 10 is a liquid immersion member (nozzle member) as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2007/0132976 and European Patent Application Publication No. 1768170, and supplies liquid LQ. And a recovery port for recovering the liquid LQ.

液浸部材１０は、終端光学素子２７の近傍に配置されている。液浸部材１０は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面３２を有する。液浸部材１０は、投影領域ＰＲに配置された物体との間で液体ＬＱを保持して、終端光学素子２７から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、及び基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。一方側の射出面２８及び下面３２と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子２７と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。   The liquid immersion member 10 is disposed in the vicinity of the last optical element 27. The liquid immersion member 10 has a lower surface 32 that can face an object arranged in the projection region PR. The liquid immersion member 10 holds the liquid LQ with the object arranged in the projection region PR, and the liquid immersion space LS so that the optical path of the exposure light EL emitted from the last optical element 27 is filled with the liquid LQ. Can be formed. The immersion space LS is a portion (space, region) filled with the liquid LQ. In the present embodiment, the object that can be arranged in the projection region PR includes at least one of the substrate stage 2 and the substrate P held on the substrate stage 2. By holding the liquid LQ between the emission surface 28 and the lower surface 32 on one side and the surface (upper surface) of the object on the other side, the optical path of the exposure light EL between the terminal optical element 27 and the object is liquid. An immersion space LS is formed so as to be filled with LQ.

本実施形態においては、基板Ｐの露光中において、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光中において、液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材１０の下面３２と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。制御装置１１は、供給口からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、終端光学素子２７と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。   In the present embodiment, during the exposure of the substrate P, the immersion space LS is formed so that a partial region of the surface of the substrate P including the projection region PR is covered with the liquid LQ. During the exposure of the substrate P, at least a part of the interface (meniscus, edge) LG of the liquid LQ is formed between the lower surface 32 of the liquid immersion member 10 and the surface of the substrate P. That is, the exposure apparatus EX of the present embodiment employs a local liquid immersion method. The control device 11 executes the recovery operation of the liquid LQ from the recovery port in parallel with the supply operation of the liquid LQ from the supply port, so that the optical path of the exposure light EL between the terminal optical element 27 and the substrate P The immersion space LS is formed so that is filled with the liquid LQ.

本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、第１空間１２Ａに配置されている。本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、支持機構３６を介して、第１コラム１５（第１定盤２０）に支持されている。本実施形態において、基板ステージ２は、プラズマ処理装置１０１と対向する位置、すなわちプラズマ処理装置１０１の下方に移動可能である。   In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 is disposed in the first space 12A. In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 is supported by the first column 15 (first surface plate 20) via the support mechanism 36. In the present embodiment, the substrate stage 2 can move to a position facing the plasma processing apparatus 101, that is, below the plasma processing apparatus 101.

搬送装置９は、基板Ｐを搬送可能である。搬送装置９は、基板Ｐを基板ステージ２に搬入(ロード）する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する動作の少なくとも一方を実行可能である。   The transport device 9 can transport the substrate P. The transfer device 9 can perform at least one of an operation for loading (loading) the substrate P into the substrate stage 2 and an operation for unloading (unloading) the substrate P from the substrate stage 2.

本実施形態において、搬送装置９の少なくとも一部は、第４空間１２Ｄに配置される。基板ステージ２に露光前の基板Ｐをロードする動作、及び露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードする動作の少なくとも一方を実行するとき、搬送装置９の少なくとも一部は、開口３３を介して、第１空間１２Ａに移動可能である。   In the present embodiment, at least a part of the transport device 9 is disposed in the fourth space 12D. When performing at least one of the operation of loading the substrate P before exposure onto the substrate stage 2 and the operation of unloading the substrate P after exposure from the substrate stage 2, at least a part of the transfer device 9 is passed through the opening 33. The first space 12A can be moved.

第１空間１２Ａには、基板交換位置ＣＰが設けられている。基板交換位置ＣＰは、基板ステージ２に基板Ｐをロードする動作、及び基板ステージ２から基板Ｐをアンロードする動作の少なくとも一方を実行可能な位置である。基板交換位置ＣＰは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置と異なる位置である。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに移動可能である。   A substrate replacement position CP is provided in the first space 12A. The substrate exchange position CP is a position where at least one of the operation of loading the substrate P onto the substrate stage 2 and the operation of unloading the substrate P from the substrate stage 2 can be performed. The substrate exchange position CP is a position different from the position where the exposure light EL emitted from the projection optical system PL can be irradiated. The substrate stage 2 can be moved to the substrate exchange position CP.

本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、基板交換位置ＣＰの近傍に配置されている。   In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 is disposed in the vicinity of the substrate exchange position CP.

干渉計システム７は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット７Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット７Ｂとを有する。第１，第２干渉計ユニット７Ａ，７Ｂのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第１干渉計ユニット７Ａは、マスクステージ１に設けられた計測ミラーに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測する。第２干渉計ユニット７Ｂは、基板ステージ２に設けられた計測ミラーに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測する。   The interferometer system 7 includes the first interferometer unit 7A capable of optically measuring the position information of the mask stage 1 (mask M) in the XY plane and the position information of the substrate stage 2 (substrate P) in the XY plane. And a second interferometer unit 7B capable of optical measurement. Each of the first and second interferometer units 7A and 7B includes a plurality of laser interferometers. The first interferometer unit 7A irradiates the measurement mirror provided on the mask stage 1 with measurement light, and measures position information of the mask stage 1 (mask M) in the X axis, Y axis, and θZ directions. The second interferometer unit 7B irradiates the measurement mirror provided on the substrate stage 2 with measurement light, and measures position information of the substrate stage 2 (substrate P) in the X axis, Y axis, and θZ directions.

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置１１は、干渉計システム７の計測結果に基づいて、駆動システム４、５を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）及び基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。   When executing the exposure process of the substrate P or when executing a predetermined measurement process, the control device 11 operates the drive systems 4 and 5 based on the measurement result of the interferometer system 7 to thereby generate the mask stage 1 (mask M) and position control of the substrate stage 2 (substrate P) are executed.

図２は、本実施形態に係る基板Ｐの一例を示す側断面図である。基板Ｐは、デバイス（デバイスパターン）を形成するために所定の処理が実行される基板である。基板Ｐは、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の円形の基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成される感光膜Ｒｇを含む所定の材料膜とを有する。以下の説明において、基材Ｗの表面（上面、側面、下面）に形成された材料膜のうち、最も表層の材料膜の表面（露出面）を適宜、基板Ｐの表面（上面、側面、下面）、と称する。   FIG. 2 is a side sectional view showing an example of the substrate P according to the present embodiment. The substrate P is a substrate on which a predetermined process is performed to form a device (device pattern). The substrate P has a circular base material W such as a semiconductor wafer such as a silicon wafer, and a predetermined material film including a photosensitive film Rg formed on the base material W. In the following description, among the material films formed on the surface (upper surface, side surface, and lower surface) of the substrate W, the surface (exposed surface) of the most surface material film is appropriately selected as the surface (upper surface, side surface, and lower surface) of the substrate P. ).

また、以下では、説明を簡単にするために、基材Ｗがシリコンウエハであり、そのシリコンウエハ上に材料膜を形成する場合を例にして説明するが、基材Ｗの表面（下地）がＳｉＯ２等の酸化膜の場合もある。また、基材Ｗの表面（下地）が、前のプロセスまでに形成されたＳｉＯ２等の酸化膜、ＳｉＯ２及びＳｉＮｘ等の絶縁膜、Ｃｕ及びＡｌ−Ｓｉ等の金属・導体膜、アモルファスＳｉ等の半導体膜の少なくとも１つの表面である場合もある。 Further, in the following, in order to simplify the explanation, a case where the base material W is a silicon wafer and a material film is formed on the silicon wafer will be described as an example. In some cases, an oxide film such as SiO 2 is used. Further, the surface (base) of the substrate W is an oxide film such as SiO 2 formed by the previous process, an insulating film such as SiO 2 and SiNx, a metal / conductor film such as Cu and Al—Si, amorphous Si, etc. In some cases, it may be at least one surface of a semiconductor film.

本実施形態において、基板Ｐは、基材Ｗ上に形成されたＨＭＤＳ膜Ｍｈと、そのＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に形成された感光膜Ｒｇとを有する。ＨＭＤＳ膜Ｍｈは、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の膜である。   In the present embodiment, the substrate P includes an HMDS film Mh formed on the base material W and a photosensitive film Rg formed on the HMDS film Mh. The HMDS film Mh is a film of HMDS (hexamethyldisilazane).

感光膜Ｒｇを含む基板Ｐは、成膜装置Ｃを有する処理装置ＣＤによって形成される。成膜装置Ｃは、基材Ｗ上にＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成可能な第１成膜装置Ｃ１と、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成された基板上に感光膜Ｒｇを形成可能な第２成膜装置Ｃ２とを含む。   The substrate P including the photosensitive film Rg is formed by the processing apparatus CD having the film forming apparatus C. The film forming apparatus C includes a first film forming apparatus C1 capable of forming the HMDS film Mh on the substrate W, and a second film forming apparatus C2 capable of forming the photosensitive film Rg on the substrate on which the HMDS film Mh is formed. including.

第１成膜装置Ｃ１は、基材Ｗを収容可能な密閉室と、ガス状のＨＭＤＳを密閉室の内部に供給するガス供給装置とを備える。第１成膜装置Ｃ１は、密閉室に収容された基材Ｗを加熱した状態で、ガス供給装置よりガス状のＨＭＤＳを密閉室の内部に供給する。これにより、基材Ｗの表面とガス状のＨＭＤＳとが接触し、基材Ｗの表面にＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成される。   The first film forming apparatus C1 includes a sealed chamber that can accommodate the substrate W and a gas supply device that supplies gaseous HMDS to the inside of the sealed chamber. The first film forming apparatus C1 supplies gaseous HMDS from the gas supply apparatus to the inside of the sealed chamber in a state where the substrate W accommodated in the sealed chamber is heated. As a result, the surface of the substrate W and the gaseous HMDS come into contact with each other, and the HMDS film Mh is formed on the surface of the substrate W.

第２成膜装置Ｃ２は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成された基板上に感光膜Ｒｇを形成する。感光膜Ｒｇを形成する処理は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成する処理が終了した後に実行される。第２処理装置Ｃ２は、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されているようなスピンコーティング装置を含み、スピンコーティング法を用いて、基板（ＨＭＤＳ膜Ｍｈ）上に感光膜Ｒｇを形成する。   The second film forming apparatus C2 forms the photosensitive film Rg on the substrate on which the HMDS film Mh is formed. The process for forming the photosensitive film Rg is performed after the process for forming the HMDS film Mh is completed. The second processing apparatus C2 includes a spin coating apparatus as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2006/0068110, and a photosensitive film on a substrate (HMDS film Mh) using a spin coating method. Rg is formed.

本実施形態において、感光膜Ｒｇは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）である。例えば、感光膜Ｒｇと液体ＬＱとの接触角は７０°以上、好ましくは９０°以上である。本実施形態においては、感光膜Ｒｇとして、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）の化学増幅型レジストを用いる。また、本実施形態の感光膜Ｒｇは、露光光ＥＬが照射された部分が現像処理によって除去されるポジ型レジストで形成される。また、感光膜Ｒｇが形成された後、エッジリンス処理が実行される。エッジリンス処理は、基板の周縁領域に形成された感光膜Ｒｇの少なくとも一部を除去する処理である。   In the present embodiment, the photosensitive film Rg is liquid repellent (water repellent) with respect to the liquid LQ (water). For example, the contact angle between the photosensitive film Rg and the liquid LQ is 70 ° or more, preferably 90 ° or more. In the present embodiment, a chemically amplified resist that is liquid repellent (water repellent) with respect to the liquid LQ (water) is used as the photosensitive film Rg. Further, the photosensitive film Rg of this embodiment is formed of a positive resist in which a portion irradiated with the exposure light EL is removed by a development process. Further, after the photosensitive film Rg is formed, an edge rinse process is performed. The edge rinse process is a process for removing at least a part of the photosensitive film Rg formed in the peripheral region of the substrate.

エッジリンス処理が終了した後、処理装置ＣＤは、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱する処理（ベーク処理）を実行する。加熱する処理によって、例えば感光膜Ｒｇ中の溶剤が蒸発し、感光膜Ｒｇが固化され、感光膜ＲｇとＨＭＤＳ膜Ｍｈとの密着性を更に高めることができる。これにより、基材Ｗ、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ、及び感光膜Ｒｇを含む、本実施形態に係る基板Ｐが形成される。   After the edge rinsing process is completed, the processing apparatus CD executes a process (baking process) for heating the photosensitive film Rg formed on the substrate. By the heating treatment, for example, the solvent in the photosensitive film Rg evaporates and the photosensitive film Rg is solidified, and the adhesion between the photosensitive film Rg and the HMDS film Mh can be further improved. Thereby, the substrate P according to this embodiment including the base material W, the HMDS film Mh, and the photosensitive film Rg is formed.

図２に示すように、本実施形態においては、基板Ｐの表面（露出面）の少なくとも一部は、感光膜Ｒｇの表面である。   As shown in FIG. 2, in the present embodiment, at least a part of the surface (exposed surface) of the substrate P is the surface of the photosensitive film Rg.

図３は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０１の一例を示す図である。プラズマ処理装置１０１は、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを、感光膜Ｒｇを含む基板Ｐの表面と接触させて、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高める処理を実行可能である。以下の説明において、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高める処理（表面処理）を適宜、撥液化処理、と称する。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the plasma processing apparatus 101 according to the present embodiment. The plasma processing apparatus 101 can perform a process of increasing the liquid repellency of the surface of the substrate P with respect to the liquid LQ by bringing the plasma generated from the process gas PG into contact with the surface of the substrate P including the photosensitive film Rg. In the following description, a process (surface treatment) for improving the liquid repellency of the surface of the substrate P with respect to the liquid LQ is appropriately referred to as a liquid repellency process.

図３において、プラズマ処理装置１０１は、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを供給可能な第１供給口８１を有する第１部材８０を備えている。第１供給口８１は、基板Ｐの表面と対向可能な第１部材８０の下面８２に配置されている。制御装置１１は、搬送装置９で基板Ｐを支持して、その搬送装置９を移動することによって、プラズマ処理装置１０１の第１供給口８１と対向する位置に基板Ｐの表面を移動可能である。本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、第１供給口８１から供給されたプラズマと、基板Ｐの表面とを接触させて、基板Ｐの表面の撥液性を高める。   In FIG. 3, the plasma processing apparatus 101 includes a first member 80 having a first supply port 81 capable of supplying plasma generated from the process gas PG. The first supply port 81 is disposed on the lower surface 82 of the first member 80 that can face the surface of the substrate P. The control device 11 can move the surface of the substrate P to a position facing the first supply port 81 of the plasma processing apparatus 101 by supporting the substrate P by the transfer device 9 and moving the transfer device 9. . In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 brings the plasma supplied from the first supply port 81 into contact with the surface of the substrate P, thereby improving the liquid repellency of the surface of the substrate P.

本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、第１部材８０に形成された放電空間８３と、放電空間８３にプロセスガスを供給するガス供給装置８４とを備えている。放電空間８３の一端（下端）は、第１供給口８１に接続されている。ガス供給装置８４は、放電空間８３の他端（上端）より、放電空間８３にプロセスガスＰＧを導入する。   In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 includes a discharge space 83 formed in the first member 80 and a gas supply device 84 that supplies a process gas to the discharge space 83. One end (lower end) of the discharge space 83 is connected to the first supply port 81. The gas supply device 84 introduces the process gas PG into the discharge space 83 from the other end (upper end) of the discharge space 83.

放電空間８３は、対向する電極８５，８５間に配置されている。電極８５の表面は、誘電体８６で覆われている。誘電体８６は、例えばポリテトラフルオロエチレン及びポリエチレンテレフタラート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム及び二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物で形成される。   The discharge space 83 is disposed between the opposing electrodes 85 and 85. The surface of the electrode 85 is covered with a dielectric 86. The dielectric 86 is made of a plastic such as polytetrafluoroethylene and polyethylene terephthalate, a metal oxide such as glass, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium dioxide and titanium dioxide, or a double oxide such as barium titanate.

ガス供給装置８４より放電空間８３にプロセスガスＰＧを導入し、電極８５，８５間に高周波、パルス波、及びマイクロ波等の電界を与えることにより、放電空間８３にプラズマが生成される。プラズマ処理装置１０１は、放電空間８３に導入されたプロセスガスＰＧの少なくとも一部より生成されたプラズマを、第１供給口８１より供給する。第１供給口８１は、下面８２と基板Ｐの表面との間の空間８７にプラズマ（プラズマを含むガス）を供給する。空間８７に供給されたプラズマは、基板Ｐの表面と接触する。これにより、基板Ｐは、プラズマにより撥液化処理される。   Plasma is generated in the discharge space 83 by introducing a process gas PG from the gas supply device 84 into the discharge space 83 and applying an electric field such as a high frequency, a pulse wave, or a microwave between the electrodes 85 and 85. The plasma processing apparatus 101 supplies plasma generated from at least a part of the process gas PG introduced into the discharge space 83 from the first supply port 81. The first supply port 81 supplies plasma (a gas containing plasma) to a space 87 between the lower surface 82 and the surface of the substrate P. The plasma supplied to the space 87 is in contact with the surface of the substrate P. Thereby, the substrate P is subjected to a liquid repellency treatment by the plasma.

このように、本実施形態のプラズマ処理装置１０１は、対向する電極８５，８５間における放電により生成されたプラズマを基板Ｐに供給して、その基板Ｐの表面処理（撥液化処理）を実行する、所謂、間接方式のプラズマ処理装置である。   As described above, the plasma processing apparatus 101 of the present embodiment supplies the plasma generated by the discharge between the opposed electrodes 85 and 85 to the substrate P, and executes the surface treatment (liquid repellency treatment) of the substrate P. This is a so-called indirect plasma processing apparatus.

また、本実施形態において、放電空間８３は、ほぼ常圧（大気圧）である。すなわち、本実施形態のプラズマ処理装置１０１は、ほぼ常圧における放電によりプラズマを生成する、所謂、常圧プラズマ処理装置である。   In the present embodiment, the discharge space 83 is substantially at normal pressure (atmospheric pressure). That is, the plasma processing apparatus 101 of the present embodiment is a so-called normal pressure plasma processing apparatus that generates plasma by discharge at substantially normal pressure.

本実施形態において、プロセスガスＰＧは、四フッ化炭素（ＣＦ４)等のフッ素化合物を含む。なお、例えば常圧で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するために、プロセスガスＰＧが、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガス、窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを含んでもよい。 In the present embodiment, the process gas PG includes a fluorine compound such as carbon tetrafluoride (CF 4 ). For example, in order to easily start and maintain a stable discharge at normal pressure, the process gas PG is made of a rare gas such as helium (He) or argon (Ar), or an inert gas such as nitrogen (N 2 ). May be included.

本実施形態において、ガス供給装置８４は、プロセスガスＰＧを送出可能なプロセスガス供給源８８と、プロセスガス供給源８８からのプロセスガスＰＧを放電空間８３に供給するための供給路９１を有する供給管９３とを備える。プロセスガス供給源８８から送出されたプロセスガスＰＧは、放電空間８３に導入される。その放電空間８３において、プロセスガスよりプラズマが生成される。生成されたプラズマは、第１供給口８１から基板Ｐの表面に供給され、その基板Ｐの表面と接触する。   In the present embodiment, the gas supply device 84 includes a process gas supply source 88 capable of delivering the process gas PG and a supply path 91 for supplying the process gas PG from the process gas supply source 88 to the discharge space 83. A tube 93. The process gas PG delivered from the process gas supply source 88 is introduced into the discharge space 83. In the discharge space 83, plasma is generated from the process gas. The generated plasma is supplied to the surface of the substrate P from the first supply port 81 and comes into contact with the surface of the substrate P.

また、本実施形態においては、プラズマ処理装置１０１は、第１供給口８１からプラズマが供給された空間８７の周囲に第２ガスＧ２を供給する第２供給口９６と、第１供給口８１からプラズマが供給された空間８７のガスの少なくとも一部を排出する排気口９７とを有する。本実施形態において、第２供給口９６及び排気口９７は、第２部材９８に配置されている。第２部材９８は、第１部材８０の周囲の少なくとも一部に配置される。第２供給口９６は、第２ガス供給源１０３と流路１０４を介して接続されている。流路１０４は、第２部材９８の内部流路、及びその内部流路と第２ガス供給源１０３とを接続する供給管によって形成される流路を含む。排気口９７は、真空システムを含む吸引装置１０５と流路１０６を介して接続されている。流路１０６は、第２部材９８の内部流路、及びその内部流路と吸引装置１０５とを接続する排気管によって形成される流路を含む。   In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 includes the second supply port 96 that supplies the second gas G2 around the space 87 to which the plasma is supplied from the first supply port 81, and the first supply port 81. And an exhaust port 97 for discharging at least a part of the gas in the space 87 supplied with plasma. In the present embodiment, the second supply port 96 and the exhaust port 97 are disposed in the second member 98. The second member 98 is disposed on at least a part of the periphery of the first member 80. The second supply port 96 is connected to the second gas supply source 103 via the flow path 104. The flow path 104 includes an internal flow path of the second member 98 and a flow path formed by a supply pipe that connects the internal flow path and the second gas supply source 103. The exhaust port 97 is connected to a suction device 105 including a vacuum system via a flow path 106. The flow path 106 includes an internal flow path of the second member 98 and a flow path formed by an exhaust pipe that connects the internal flow path and the suction device 105.

第２供給口９６及び排気口９７は、基板Ｐの表面と対向可能な第２部材９８の下面９９に配置されている。排気口９７は、第１供給口８１の周囲の少なくとも一部に配置されている。第２供給口９６は、排気口９７の周囲の少なくとも一部に配置されている。   The second supply port 96 and the exhaust port 97 are disposed on the lower surface 99 of the second member 98 that can face the surface of the substrate P. The exhaust port 97 is disposed at least at a part around the first supply port 81. The second supply port 96 is disposed at least at a part around the exhaust port 97.

制御装置１１は、第２供給口９６を用いるガス供給動作と並行して、排気口９７を用いるガス排出動作を実行することによって、第１供給口８１からプラズマが供給される第１部材８０の下面８２と基板Ｐの表面との間の空間８７の周囲に、ガスシール１０７を形成する。これにより、第１供給口８１から供給されたプラズマなどが、空間８７の外部に放出されることが抑制される。   The control device 11 performs the gas discharge operation using the exhaust port 97 in parallel with the gas supply operation using the second supply port 96, whereby the first member 80 to which plasma is supplied from the first supply port 81. A gas seal 107 is formed around a space 87 between the lower surface 82 and the surface of the substrate P. Thereby, the plasma supplied from the first supply port 81 is suppressed from being released to the outside of the space 87.

本実施形態において、第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２は、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスとほぼ同じ温度（例えば２３℃）である。第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２の温度と、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスの温度とがほぼ同じなので、環境制御装置２４Ａによって環境（温度）が調整されている第１空間１２Ａに、第２供給口９６から第２ガスＧ２が供給されても、その第１空間１２Ａの環境（例えば温度、屈折率）の変化を抑制できる。   In the present embodiment, the second gas G2 supplied from the second supply port 96 has substantially the same temperature (for example, 23 ° C.) as the gas supplied from the environment control device 24A to the first space 12A. Since the temperature of the second gas G2 supplied from the second supply port 96 and the temperature of the gas supplied from the environment control device 24A to the first space 12A are substantially the same, the environment (temperature) is adjusted by the environment control device 24A. Even if the second gas G2 is supplied from the second supply port 96 to the first space 12A, a change in the environment (for example, temperature and refractive index) of the first space 12A can be suppressed.

また、本実施形態において、第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２は、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスとほぼ同じ種類である。本実施形態においては、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスは、空気である。本実施形態において、第２供給口９６は、空気を供給する。第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２の種類と、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスの種類とがほぼ同じなので、環境制御装置２４Ａによって環境が調整されている第１空間１２Ａに、第２供給口９６から第２ガスＧ２が流出しても、その第１空間１２Ａの環境（例えば屈折率）の変化を抑制できる。   In the present embodiment, the second gas G2 supplied from the second supply port 96 is substantially the same type as the gas supplied from the environment control device 24A to the first space 12A. In the present embodiment, the gas supplied from the environment control device 24A to the first space 12A is air. In the present embodiment, the second supply port 96 supplies air. Since the type of the second gas G2 supplied from the second supply port 96 is almost the same as the type of gas supplied from the environment control device 24A to the first space 12A, the environment is adjusted by the environment control device 24A. Even if the second gas G2 flows out from the second supply port 96 into the first space 12A, a change in the environment (for example, refractive index) of the first space 12A can be suppressed.

なお、第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２の温度が、第２空間１２Ｂ、第３空間１２Ｃ、及び第４空間１２Ｄの温度とほぼ一致するように、第２ガスＧ２の温度が調整されてもよい。   Note that the temperature of the second gas G2 supplied from the second supply port 96 is substantially the same as the temperature of the second space 12B, the third space 12C, and the fourth space 12D. It may be adjusted.

また、第２ガスＧ２は、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスと同じ温度でなくてもよいし、種類が異なっていてもよい。   The second gas G2 may not be the same temperature as the gas supplied from the environment control device 24A to the first space 12A, or may be of a different type.

次に、上述のデバイス製造システムＳＹＳの動作の一例について、図４のフローチャート、及び図５，図６の模式図を参照して説明する。   Next, an example of the operation of the above-described device manufacturing system SYS will be described with reference to the flowchart of FIG. 4 and the schematic diagrams of FIGS.

感光膜Ｒｇを含む基板Ｐが処理装置ＣＤによって形成される。処理装置ＣＤは、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ、及び感光膜Ｒｇを含む材料膜を基材Ｗ上に形成する（ステップＳ１）。処理装置ＣＤは、第１成膜装置Ｃ１で基材Ｗ上にＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成した後、第２成膜装置Ｃ２で感光膜Ｒｇを形成する。材料膜が形成される前の基材Ｗは、少なくとも１回のリソグラフィ工程（露光工程）を経ていてもよいし、経ていなくてもよい。   A substrate P including the photosensitive film Rg is formed by the processing apparatus CD. The processing apparatus CD forms a material film including the HMDS film Mh and the photosensitive film Rg on the substrate W (step S1). In the processing apparatus CD, the HMDS film Mh is formed on the substrate W by the first film forming apparatus C1, and then the photosensitive film Rg is formed by the second film forming apparatus C2. The base material W before the material film is formed may or may not have undergone at least one lithography process (exposure process).

処理装置ＣＤで形成された基板Ｐは、インターフェースＩＦを介して、露光装置ＥＸに供給される（ステップＳ２）。処理装置ＣＤからの基板Ｐは、第４空間１２Ｄに供給される。制御装置１１は、処理装置ＣＤから供給された露光前の基板Ｐを、第４空間１２Ｄに配置されている搬送装置９で支持する（ステップＳ３）。   The substrate P formed by the processing apparatus CD is supplied to the exposure apparatus EX via the interface IF (step S2). The substrate P from the processing apparatus CD is supplied to the fourth space 12D. The control device 11 supports the unexposed substrate P supplied from the processing device CD by the transport device 9 disposed in the fourth space 12D (step S3).

制御装置１１は、基板Ｐを支持した搬送装置９を、開口３３を介して、第１空間１２Ａに移動する。制御装置１１は、搬送装置９の位置を調整して、プラズマ処理装置１０１の第１供給口８１と、搬送装置９に支持されている基板Ｐの表面とを対向させる（ステップＳ４）。   The control device 11 moves the transfer device 9 that supports the substrate P to the first space 12 </ b> A through the opening 33. The control device 11 adjusts the position of the transfer device 9 so that the first supply port 81 of the plasma processing apparatus 101 faces the surface of the substrate P supported by the transfer device 9 (step S4).

制御装置１１は、プラズマ処理装置１０１を作動して、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを第１供給口８１より供給する。これにより、図５に示すように、第１供給口８１から供給された基板Ｐの表面とプラズマとが接触し、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性が高くなる（ステップＳ５）。   The control device 11 operates the plasma processing apparatus 101 to supply plasma generated from the process gas PG from the first supply port 81. Thereby, as shown in FIG. 5, the surface of the substrate P supplied from the first supply port 81 comes into contact with the plasma, and the liquid repellency with respect to the liquid LQ on the surface of the substrate P is increased (step S5).

本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、基板交換位置ＣＰの近傍に配置されている。プラズマ処理装置１０１は、基板交換処位置ＣＰの近傍において、基板Ｐが基板ステージ２に保持される前に、搬送装置９で支持された基板Ｐの表面がプラズマと接触するように、第１供給口８１よりプラズマを供給する。   In the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 is disposed in the vicinity of the substrate exchange position CP. In the vicinity of the substrate exchange processing position CP, the plasma processing apparatus 101 performs the first supply so that the surface of the substrate P supported by the transfer device 9 comes into contact with the plasma before the substrate P is held on the substrate stage 2. Plasma is supplied from the port 81.

本実施形態において、制御装置１１は、搬送装置９を制御して、第１供給口８１に対して基板Ｐの表面をＸＹ方向（基板Ｐの表面と平行な方向）に移動しながら、第１供給口８１よりプラズマを供給する。これにより、制御装置１１は、第１供給口８１から供給されたプラズマを、基板Ｐの表面（上面）の大部分の領域と接触させることができる。すなわち、制御装置１１は、プラズマ処理装置１０１を用いて、第１供給口８１と対向可能な基板Ｐの表面（上面）の大部分の領域の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。制御装置１１は、少なくとも露光光ＥＬが照射される感光膜Ｒｇの表面の液体ＬＱに対する撥液性が高まるように、プラズマ処理装置１０１を用いて基板Ｐの表面処理を実行する。   In the present embodiment, the control device 11 controls the transport device 9 to move the first surface while moving the surface of the substrate P in the XY direction (direction parallel to the surface of the substrate P) with respect to the first supply port 81. Plasma is supplied from the supply port 81. Thereby, the control apparatus 11 can make the plasma supplied from the 1st supply port 81 contact the most area | regions of the surface (upper surface) of the board | substrate P. FIG. That is, the control device 11 can improve the liquid repellency with respect to the liquid LQ in the most region of the surface (upper surface) of the substrate P that can face the first supply port 81 using the plasma processing apparatus 101. The control device 11 performs the surface treatment of the substrate P using the plasma processing device 101 so that at least the liquid repellency with respect to the liquid LQ on the surface of the photosensitive film Rg irradiated with the exposure light EL is increased.

また、本実施形態においては、プラズマ処理装置１０１は、露光光ＥＬが照射される感光膜Ｒｇの表面のみならず、エッジリンス処理された基板Ｐの上面の周縁領域、及び基板Ｐの側面がプラズマと接触するようにプラズマを供給することができる。本実施形態において、エッジリンス処理された基板Ｐの上面の周縁領域、及び基板Ｐの側面は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈの表面で形成されている。なお、エッジリンス処理された基板Ｐの上面の周縁領域、及び基板Ｐの側面の少なくとも一方が、基材Ｗの表面でもよい。第１供給口８１から供給されたプラズマと、基板Ｐの上面及び側面とが接触することによって、それら基板Ｐの上面及び側面の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。   Further, in the present embodiment, the plasma processing apparatus 101 uses plasma not only on the surface of the photosensitive film Rg irradiated with the exposure light EL, but also on the peripheral region of the upper surface of the substrate P subjected to the edge rinse processing and the side surface of the substrate P. The plasma can be supplied so as to be in contact with. In the present embodiment, the peripheral region of the upper surface of the substrate P subjected to the edge rinse process and the side surface of the substrate P are formed by the surface of the HMDS film Mh. Note that at least one of the peripheral region on the upper surface of the substrate P subjected to the edge rinse process and the side surface of the substrate P may be the surface of the base material W. When the plasma supplied from the first supply port 81 comes into contact with the upper surface and the side surface of the substrate P, the liquid repellency of the upper surface and the side surface of the substrate P with respect to the liquid LQ can be improved.

プラズマ処理装置１０１を用いる表面処理が終了した後、制御装置１１は、第１供給口８１からのプラズマの供給を停止するとともに、搬送装置９を制御して、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２に基板Ｐをロードする（ステップＳ６）。   After the surface treatment using the plasma processing apparatus 101 is completed, the control apparatus 11 stops the supply of plasma from the first supply port 81 and controls the transfer apparatus 9 to be arranged at the substrate exchange position CP. The substrate P is loaded on the substrate stage 2 (step S6).

基板Ｐが基板ステージ２にロードされた後、制御装置１１は、その基板Ｐを保持した基板ステージ２を、射出面２７及び下面３２と対向する位置に移動する。制御装置１１は、終端光学素子２７と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、射出面２７及び下面３２と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。制御装置１１は、プラズマと接触した基板Ｐの表面（感光膜Ｒｇの表面）に液体ＬＱを介して露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する（ステップＳ７）。   After the substrate P is loaded on the substrate stage 2, the control device 11 moves the substrate stage 2 holding the substrate P to a position facing the emission surface 27 and the lower surface 32. The control device 11 is immersed in the liquid LQ between the emission surface 27 and the lower surface 32 and the surface of the substrate P so that the optical path of the exposure light EL between the terminal optical element 27 and the substrate P is filled with the liquid LQ. A space LS is formed. The control device 11 irradiates the surface of the substrate P in contact with the plasma (the surface of the photosensitive film Rg) with the exposure light EL through the liquid LQ to expose the substrate P (step S7).

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域が設定される。基板Ｐのショット領域の露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置１１は、基板Ｐのショット領域を投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐのショット領域は、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２７）からの露光光ＥＬで液体ＬＱを介して露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐのショット領域に投影される。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. On the substrate P, a plurality of shot areas which are exposure target areas are set. During exposure of the shot area of the substrate P, the mask M and the substrate P are moved in a predetermined scanning direction in the XY plane. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction. The control device 11 moves the shot region of the substrate P in the Y-axis direction with respect to the projection region PR, and in synchronization with the movement of the substrate P in the Y-axis direction, the pattern of the mask M with respect to the illumination region IR. The substrate P is irradiated with the exposure light EL via the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS while moving in the Y axis direction in the formation region. Thereby, the shot area of the substrate P is exposed through the liquid LQ with the exposure light EL from the projection optical system PL (terminal optical element 27), and the pattern image of the mask M is projected onto the shot area of the substrate P. .

基板Ｐの露光を開始する前に、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性がプラズマ処理装置１０１によって高められている。したがって、基板Ｐの表面と液体ＬＱとを接触させた状態で、基板Ｐを移動しながら露光した場合でも、液体ＬＱは射出面２７及び下面３２と基板Ｐの表面との間に良好に保持される。したがって、射出面２７及び下面３２と基板Ｐの表面との間の空間から液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱ（液体ＬＱの膜、滴等）が残留したりすることが抑制される。   Before the exposure of the substrate P is started, the liquid repellency of the surface of the substrate P with respect to the liquid LQ is enhanced by the plasma processing apparatus 101. Accordingly, even when exposure is performed while moving the substrate P in a state where the surface of the substrate P is in contact with the liquid LQ, the liquid LQ is well held between the emission surface 27 and the lower surface 32 and the surface of the substrate P. The Therefore, the liquid LQ is prevented from leaking out from the space between the emission surface 27 and the lower surface 32 and the surface of the substrate P, and the liquid LQ (liquid LQ film, droplets, etc.) remaining on the substrate P is suppressed. The

また、基板Ｐの露光時において、例えば図６に示すように、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、基板保持部２９に保持された基板Ｐの側面と、その基板Ｐの周囲に配置されている基板ステージ２との間に形成されるギャップＧ上に配置される可能性がある。本実施形態においては、プラズマ処理装置１０１によって、基板Ｐの上面の周縁領域及び側面の液体ＬＱに対する撥液性が高められているので、ギャップＧに液体ＬＱが浸入することが抑制される。   Further, at the time of exposure of the substrate P, for example, as shown in FIG. 6, the liquid LQ in the immersion space LS is disposed on the side surface of the substrate P held by the substrate holding unit 29 and around the substrate P. There is a possibility of being disposed on a gap G formed between the substrate stage 2 and the substrate stage 2. In this embodiment, since the liquid repellency with respect to the liquid LQ on the peripheral region and the side surface of the upper surface of the substrate P is enhanced by the plasma processing apparatus 101, the liquid LQ is prevented from entering the gap G.

基板Ｐの露光が終了した後、制御装置１１は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２を基板交換位置ＣＰに移動する。制御装置１１は、搬送装置９を用いて、基板ステージ２から露光後の基板Ｐをアンロードする（ステップＳ８）。   After the exposure of the substrate P is completed, the control device 11 moves the substrate stage 2 holding the exposed substrate P to the substrate replacement position CP. The controller 11 unloads the exposed substrate P from the substrate stage 2 using the transport device 9 (step S8).

基板ステージ２からアンロードされた露光後の基板Ｐは、インターフェースＩＦを介して、処理装置ＣＤに搬送される。処理装置ＣＤは、ポストベーク処理、及び現像装置Ｄを用いる基板Ｐの現像処理を含む所定のプロセス処理を実行する（ステップＳ９）。   The exposed substrate P unloaded from the substrate stage 2 is transported to the processing apparatus CD via the interface IF. The processing apparatus CD executes predetermined process processing including post-baking processing and developing processing of the substrate P using the developing device D (step S9).

以上説明したように、本実施形態によれば、プラズマ処理装置１０１を用いて、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。そのため、基板Ｐ上に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱ（例えば液体ＬＱの膜、滴等）が残留したりすることを抑制できる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。   As described above, according to the present embodiment, the liquid repellency with respect to the liquid LQ on the surface of the substrate P can be improved using the plasma processing apparatus 101. Therefore, it is possible to prevent the liquid LQ in the immersion space LS formed on the substrate P from leaking out or the liquid LQ (for example, a liquid LQ film or a droplet) from remaining on the substrate P. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure and the occurrence of defective devices.

なお、上述の実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、基板Ｐが基板ステージ２に保持された後に、基板Ｐの表面がプラズマと接触するようにプラズマを供給することができる。例えば、図７に示すように、制御装置１１は、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２に、処理装置ＣＤから供給された露光前の基板Ｐを搬送装置９を用いてロードした後、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面がプラズマ処理装置１０１の第１供給口８１と対向するように、基板ステージ２の位置を制御する。制御装置１１は、第１供給口８１と、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面とを対向させた状態で、第１供給口８１よりプラズマを供給する。これにより、プラズマ処理装置１０１は、基板Ｐが基板ステージ２に保持された後に、その基板Ｐの表面とプラズマとを接触させることができる。また、制御装置１１は、基板ステージ２を制御して、第１供給口８１に対して基板Ｐの表面をＸＹ方向（基板Ｐの表面と平行な方向）に移動しながら、第１供給口８１よりプラズマを供給することにより、第１供給口８１から供給されたプラズマを、基板Ｐの上面の大部分の領域と接触させることができる。   In the above-described embodiment, the plasma processing apparatus 101 can supply the plasma so that the surface of the substrate P is in contact with the plasma after the substrate P is held on the substrate stage 2. For example, as shown in FIG. 7, the control device 11 loads the substrate P 2 supplied from the processing device CD onto the substrate stage 2 disposed at the substrate replacement position CP using the transport device 9. The position of the substrate stage 2 is controlled so that the surface of the substrate P held on the substrate stage 2 faces the first supply port 81 of the plasma processing apparatus 101. The control device 11 supplies plasma from the first supply port 81 with the first supply port 81 and the surface of the substrate P held by the substrate stage 2 facing each other. As a result, the plasma processing apparatus 101 can bring the surface of the substrate P into contact with the plasma after the substrate P is held on the substrate stage 2. Further, the control device 11 controls the substrate stage 2 to move the first supply port 81 while moving the surface of the substrate P in the XY direction (direction parallel to the surface of the substrate P) with respect to the first supply port 81. By supplying more plasma, the plasma supplied from the first supply port 81 can be brought into contact with most of the region on the upper surface of the substrate P.

なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの表面（露出面）の少なくとも一部が感光膜Ｒｇの表面である場合を例にして説明したが、図８に示すように、感光膜Ｒｇを保護する保護膜Ｔｃの表面であってもよい。図８に示す基板Ｐｂは、基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成されたＨＭＤＳ膜Ｍｈと、そのＭＨＤＳ膜Ｍｈ上に形成された感光膜Ｒｇと、その感光膜Ｒｇを覆うように形成された保護膜Ｔｃとを有する。保護膜Ｔｃは、処理装置ＣＤの成膜装置Ｃによって形成可能である。保護膜Ｔｃは、基板上に感光膜Ｒｇを形成した後、その感光膜Ｒｇを含む基板上に形成される。   In the above embodiment, the case where at least a part of the surface (exposed surface) of the substrate P is the surface of the photosensitive film Rg has been described as an example. However, as shown in FIG. 8, the photosensitive film Rg is protected. It may be the surface of the protective film Tc. The substrate Pb shown in FIG. 8 is formed so as to cover the base material W, the HMDS film Mh formed on the base material W, the photosensitive film Rg formed on the MHDS film Mh, and the photosensitive film Rg. And a protective film Tc. The protective film Tc can be formed by the film forming apparatus C of the processing apparatus CD. The protective film Tc is formed on the substrate including the photosensitive film Rg after forming the photosensitive film Rg on the substrate.

制御装置１１は、基板Ｐｂを露光する前に、プラズマ処理装置１０１の第１供給口８１よりプラズマを供給して、保護膜Ｔｃの表面を含む基板Ｐｂの表面とプラズマとを接触させることによって、その基板Ｐｂの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。   Prior to exposing the substrate Pb, the control device 11 supplies plasma from the first supply port 81 of the plasma processing apparatus 101 to bring the surface of the substrate Pb including the surface of the protective film Tc into contact with the plasma. The liquid repellency of the surface of the substrate Pb with respect to the liquid LQ can be enhanced.

なお、上述の実施形態においては、基板交換位置ＣＰの近傍において、プラズマ処理装置１０１を用いる処理が実行される場合を例にして説明したが、基板Ｐの撥液化処理を実行可能であれば、任意の場所にプラズマ処理装置１０１を配置することができる。例えば、プラズマ処理装置１０１を液浸部材１０の近傍に配置することもできる。   In the above-described embodiment, the case where the processing using the plasma processing apparatus 101 is performed near the substrate replacement position CP has been described as an example. However, if the liquid repellent processing of the substrate P can be performed, The plasma processing apparatus 101 can be arranged at an arbitrary place. For example, the plasma processing apparatus 101 can be disposed in the vicinity of the liquid immersion member 10.

また、液浸部材として、例えば米国特許第６９５２２５３号明細書に開示されているような、液浸空間ＬＳの周囲にガスシールが形成する液浸部材を用いる場合、そのガスシールを形成するためのガス供給口からプラズマを供給してもよい。また、ガスシールを形成するためのガス回収口からプラズマを含むガス、プラズマ処理によって発生したガスを排気することもできる。   In addition, when an immersion member that forms a gas seal around the immersion space LS as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,952,253, is used as the immersion member. Plasma may be supplied from a gas supply port. Further, gas containing plasma and gas generated by plasma treatment can be exhausted from a gas recovery port for forming a gas seal.

なお、上述の実施形態においては、露光装置ＥＸがプラズマ処理装置１０１を備えている場合を例にして説明したが、プラズマ処理装置が露光装置ＥＸの外部に配置されてもよい。感光膜Ｒｇが形成された基板Ｐの撥液化処理を、露光装置ＥＸの外部に配置されたプラズマ処理装置を用いて実行し、その撥液化処理された後の基板Ｐを露光装置ＥＸに供給して、その基板Ｐの露光を実行してもよい。また、プラズマ処理装置が、処理装置ＣＤに配置されてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the exposure apparatus EX includes the plasma processing apparatus 101 has been described as an example. However, the plasma processing apparatus may be disposed outside the exposure apparatus EX. The substrate P on which the photosensitive film Rg is formed is subjected to a lyophobic process using a plasma processing apparatus disposed outside the exposure apparatus EX, and the lyophobized substrate P is supplied to the exposure apparatus EX. Then, the substrate P may be exposed. Further, the plasma processing apparatus may be disposed in the processing apparatus CD.

なお、上述の実施形態においては、プラズマ処理装置１０１が、所謂、間接方式である場合を例にして説明したが、例えば米国特許出願公開第２００８／０１１５８９２号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１９３３４２号明細書等に開示されているような、電極と基板Ｐ（Ｐｂ）とを対向させ、電極と基板Ｐ（Ｐｂ）との間における放電により生成されたプラズマで、その基板Ｐ（Ｐｂ）の表面処理を実行する、所謂、直接方式のプラズマ処理装置でもよい。直接方式のプラズマ処理装置を用いた場合でも、プロセスガスとして、プロセスガスＰＧを用いることにより、基板Ｐ（Ｐｂ）の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。   In the above-described embodiment, the case where the plasma processing apparatus 101 is a so-called indirect method has been described as an example. However, for example, US Patent Application Publication No. 2008/0115892, US Patent Application Publication No. 2008 / The plasma generated by the discharge between the electrode and the substrate P (Pb), as disclosed in the specification of No. 0193342, and the substrate P (Pb) is opposed to the substrate P (Pb). A so-called direct-type plasma processing apparatus that performs the surface treatment may be used. Even when a direct plasma processing apparatus is used, the liquid repellency of the substrate P (Pb) with respect to the liquid LQ can be improved by using the process gas PG as the process gas.

なお、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子２７の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子２７の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。   In the above-described embodiment, the optical path on the exit side (image plane side) of the terminal optical element 27 of the projection optical system PL is filled with the liquid LQ, but is disclosed in, for example, International Publication No. 2004/019128 Pamphlet. As described above, the projection optical system PL in which the optical path on the incident side (object plane side) of the terminal optical element 27 is also filled with the liquid LQ can be employed.

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体ＬＱであってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。   In each of the above-described embodiments, water is used as the liquid LQ, but a liquid LQ other than water may be used. The liquid LQ is a film such as a photosensitive material (photoresist) that is transmissive to the exposure light EL, has a high refractive index with respect to the exposure light EL, and forms the surface of the projection optical system PL or the substrate P. Stable ones are preferable. For example, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used as the liquid LQ. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板Ｐ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置ＥＸで用いられるマスクＭまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。   As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate P for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask M used in an exposure apparatus EX or A reticle original (synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置ＥＸ（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus EX (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P are used. Can be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed in a stationary state and the substrate P is sequentially moved stepwise.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system PL while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern In a state where the pattern and the substrate P are substantially stationary, a reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern using the projection optical system PL and may be collectively exposed on the substrate P (stitch-type batch). Exposure equipment). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクＭのパターンを、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上で合成し、１回の走査露光によって基板Ｐ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, the patterns of the two masks M are synthesized on the substrate P via the projection optical system PL, and the substrate P is subjected to one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of one shot area almost simultaneously. The present invention can also be applied to proximity type exposure apparatuses, mirror projection aligners, and the like.

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   The present invention also relates to a twin-stage type exposure having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to devices.

また、本発明は、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置にも適用できる。   Further, the present invention relates to a substrate stage that can move while holding the substrate P, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963, US Patent Application Publication No. 2007/0127006, and the like, It is applicable also to an exposure apparatus provided with a movable measurement stage mounted with a measurement member (measuring instrument) for measuring the exposure light EL without holding it.

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。   The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクＭなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). It can also be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask M, or the like.

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば米国特許出願公開第２００８／００８８８４３号明細書に開示されているような、各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。   In each of the above-described embodiments, the position information of each stage is measured using an interferometer system including a laser interferometer. However, the present invention is not limited thereto, and, for example, US Patent Application Publication No. 2008/0088843 is disclosed. An encoder system that detects a scale (diffraction grating) provided in each stage, as disclosed in the document, may be used.

なお、上述の実施形態において、マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭとしては、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上に形成された所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）とを有する透過型マスクを用いることができる。また、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。また、このマスクＭに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。   In the above-described embodiment, the mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. As the mask M, for example, a transmissive mask having a transparent plate such as a glass plate and a predetermined light shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) formed on the transparent plate can be used. A reflective mask can also be used as the mask M. Further, instead of the mask M, for example, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaping mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. (Also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) may be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置ＥＸを例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光ＥＬはレンズ等の光学部材を介して基板Ｐに照射され、そのような光学部材と基板Ｐとの間の所定空間に液浸空間ＬＳが形成される。   In each of the above embodiments, the exposure apparatus EX including the projection optical system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Even when the projection optical system PL is not used, the exposure light EL is irradiated onto the substrate P through an optical member such as a lens, and the immersion space LS is placed in a predetermined space between the optical member and the substrate P. Is formed.

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   The exposure apparatus EX of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. After the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスクＭ（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板Ｐを製造（形成）するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光すること、及び露光された基板Ｐを現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。   As shown in FIG. 9, the microdevice such as a semiconductor device is a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask M (reticle) based on this design step, and a substrate of the device. Step 203 of manufacturing (forming) the substrate P, substrate processing (exposure) including exposing the substrate P with the exposure light EL from the pattern of the mask M and developing the exposed substrate P according to the above-described embodiment Substrate processing step 204 including processing), device assembly step (including processing processes such as dicing process, bonding process, and packaging process) 205, inspection step 206, and the like.

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the exposure apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る基板の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the plasma processing apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of the device manufacturing system which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of operation | movement of the exposure apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of operation | movement of the exposure apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of operation | movement of the exposure apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る基板の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the board | substrate which concerns on this embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of the manufacturing process of a microdevice.

符号の説明Explanation of symbols

２…基板ステージ、９…搬送装置、１０…液浸部材、１１…制御装置、１２Ａ…第１空間、１２Ｂ…第２空間、１２Ｃ…第３空間、１２Ｄ…第４空間、２４Ａ〜２４Ｄ…環境調整装置、８１…第１供給口、８３…放電空間、８７…空間、９６…第２供給口、９７…排気口、１０１…プラズマ処理装置、Ｃ…成膜装置、Ｃ１…第１成膜装置、Ｃ２…第２成膜装置、ＣＤ…処理装置、Ｄ…現像装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｒｇ…感光膜、ＳＹＳ…デバイス製造システム、Ｔｃ…保護膜   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Substrate stage, 9 ... Conveyance apparatus, 10 ... Liquid immersion member, 11 ... Control apparatus, 12A ... 1st space, 12B ... 2nd space, 12C ... 3rd space, 12D ... 4th space, 24A-24D ... Environment Adjustment device, 81 ... first supply port, 83 ... discharge space, 87 ... space, 96 ... second supply port, 97 ... exhaust port, 101 ... plasma treatment device, C ... film formation device, C1 ... first film formation device C2 ... second film forming device, CD ... processing device, D ... developing device, EL ... exposure light, EX ... exposure device, LQ ... liquid, LS ... immersion space, P ... substrate, Rg ... photosensitive film, SYS ... Device manufacturing system, Tc ... protective film

Claims (16)

感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、前記基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、
前記プラズマと接触した前記基板の表面の少なくとも一部に前記液体を介して露光光を照射して、前記基板を露光することと、を含む基板処理方法。 Bringing the surface of the substrate including the photosensitive film into contact with the plasma generated from the process gas to increase the liquid repellency of the substrate surface with respect to the liquid;
Irradiating at least a part of the surface of the substrate in contact with the plasma with exposure light through the liquid to expose the substrate. 前記プロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項１記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein the process gas contains a fluorine compound. 前記基板の表面の少なくとも一部は、前記感光膜の表面を含む請求項１又は２記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein at least a part of the surface of the substrate includes the surface of the photosensitive film. 前記感光膜を形成した後、前記感光膜を保護する保護膜を形成することを含み、
前記基板の表面の少なくとも一部は、前記保護膜の表面を含む請求項１又は２記載の基板処理方法。 Forming a protective film for protecting the photosensitive film after forming the photosensitive film,
The substrate processing method according to claim 1, wherein at least a part of the surface of the substrate includes the surface of the protective film. 請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含む基板処理方法。 Exposing the substrate using the substrate processing method according to any one of claims 1 to 4,
Developing the exposed substrate; and a substrate processing method. 感光膜を含む基板を形成する成膜装置と、
プロセスガスより生成されたプラズマを、前記感光膜を含む基板の表面と接触させて、前記基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、
前記プラズマと接触した前記基板の表面の少なくとも一部に前記液体を介して露光光を照射して、前記基板を露光する液浸露光装置と、を備えたデバイス製造システム。 A film forming apparatus for forming a substrate including a photosensitive film;
A plasma processing apparatus for bringing the plasma generated from the process gas into contact with the surface of the substrate including the photosensitive film and increasing the liquid repellency with respect to the liquid on the surface of the substrate;
A device manufacturing system comprising: an immersion exposure apparatus that exposes the substrate by irradiating at least a part of a surface of the substrate in contact with the plasma with exposure light through the liquid. 前記プロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項６記載のデバイス製造システム。   The device manufacturing system according to claim 6, wherein the process gas contains a fluorine compound. 前記露光された基板を現像する現像装置を備える請求項６又は７記載のデバイス製造システム。   The device manufacturing system according to claim 6, further comprising a developing device that develops the exposed substrate. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して前記露光光が照射可能な位置に対して移動可能な基板保持部材と、
前記基板が前記露光光で露光される前に、プロセスガスより生成されたプラズマを、前記基板の表面と接触させて、前記基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、を備え、
前記プラズマと接触した前記基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光が照射される露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
A substrate holding member that holds the substrate and is movable relative to a position where the exposure light can be irradiated;
A plasma processing apparatus that brings plasma generated from a process gas into contact with the surface of the substrate before the substrate is exposed to the exposure light, thereby improving liquid repellency with respect to the liquid on the surface of the substrate; ,
An exposure apparatus in which exposure light is irradiated via a liquid onto at least a part of the surface of the substrate in contact with the plasma. 前記プラズマ処理装置は、前記基板が前記基板保持部材に保持される前又は後に、前記基板の表面が前記プラズマと接触するように、前記プラズマを供給する請求項９記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 9, wherein the plasma processing apparatus supplies the plasma so that a surface of the substrate is in contact with the plasma before or after the substrate is held by the substrate holding member. 前記プロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項９又は１０記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 9 or 10, wherein the process gas contains a fluorine compound. 所定空間と、
前記所定空間に第１ガスを供給することによって、前記所定空間の環境を調整する調整装置と、をさらに備え、
前記プラズマ処理装置は、前記プラズマを供給する第１供給口と、前記プラズマが供給された空間の周囲に第２ガスを供給する第２供給口と、前記第１供給口からプラズマが供給された空間のガスの少なくとも一部を排出する排気口とを有し、
前記第２ガスは、前記第１ガスとほぼ同じ温度である請求項９〜１１のいずれか一項記載の露光装置。 A predetermined space;
An adjustment device that adjusts the environment of the predetermined space by supplying a first gas to the predetermined space;
The plasma processing apparatus is supplied with plasma from a first supply port for supplying the plasma, a second supply port for supplying a second gas around a space to which the plasma is supplied, and the first supply port. An exhaust port for discharging at least part of the gas in the space;
The exposure apparatus according to claim 9, wherein the second gas has substantially the same temperature as the first gas. 前記第２ガスは、前記第１ガスとほぼ同じ種類である請求項１２記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 12, wherein the second gas is substantially the same type as the first gas. 前記プラズマ処理装置は、対向する電極間の放電空間に前記プロセスガスを導入し、前記放電空間に導入された前記プロセスガスの少なくとも一部より生成されたプラズマを供給する請求項９〜１３のいずれか一項記載の露光装置。   The plasma processing apparatus introduces the process gas into a discharge space between opposing electrodes, and supplies plasma generated from at least a part of the process gas introduced into the discharge space. An exposure apparatus according to claim 1. 前記放電空間はほぼ常圧である請求項１４記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 14, wherein the discharge space is substantially at normal pressure. 請求項９〜１５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 9 to 15,
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
JP2008294797A 2008-11-18 2008-11-18 Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method Pending JP2010123685A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008294797A JP2010123685A (en) 2008-11-18 2008-11-18 Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008294797A JP2010123685A (en) 2008-11-18 2008-11-18 Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010123685A true JP2010123685A (en) 2010-06-03

Family

ID=42324785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008294797A Pending JP2010123685A (en) 2008-11-18 2008-11-18 Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010123685A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI610147B (en) Liquid immersion member, exposure device, exposure method, and component manufacturing method
US8179517B2 (en) Exposure apparatus and method, maintenance method for exposure apparatus, and device manufacturing method
US8300207B2 (en) Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
JP5516628B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2010050240A1 (en) Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP2010093245A (en) Exposure apparatus, maintenance method, exposure method, and device manufacturing method
JP2008041822A (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, and environment control unit
JP2009188119A (en) Cover member, stepper, exposure method, and device manufacturing method
JP2011165798A (en) Aligner, method used by the aligner, method of manufacturing device, program, and recording medium
US20130050666A1 (en) Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
JP2014060217A (en) Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP5018277B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, and cleaning method
JP2010123685A (en) Substrate processing method, device manufacturing system, aligner, and device manufacturing method
JP2008300771A (en) Liquid immersion exposure apparatus, device manufacturing method, and determining method of exposure condition
JP5120193B2 (en) Exposure apparatus, maintenance method, exposure method, and device manufacturing method
JP2019032552A (en) Exposure equipment, exposure method, device manufacturing method
JP2011060845A (en) Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device
JP2009212132A (en) Substrate, method and apparatus of treating substrate, substrate treatment system, method and apparatus of lithography, and device manufacturing method
JP2010238984A (en) Exposure apparatus, method for adjusting pressure for exposure apparatus and device manufacturing method
JP2010135796A (en) Immersion lithography apparatus and method, and device manufacturing method
JP2010021549A (en) Stage apparatus, aligner, and device manufacturing method
JP2010003963A (en) Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP6418281B2 (en) Exposure equipment
WO2010082475A1 (en) Stage equipment, exposure equipment, exposure method and device manufacturing method
JP2011124415A (en) Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device