JP2010122619A - Pattern drawing device, pattern drawing method and mask for pattern drawing - Google Patents

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年男 川畑
Oko Kajiya
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for efficiently carrying out exposure through a plurality of transmissive patterns. <P>SOLUTION: Each of transmissive patterns SLG1, SLG2 includes slots SLa or slots SLb in the same number which are regularly and equally spaced in a sub-scanning direction. The slot SLa is in a rectangular shape having a relatively narrow width compared to the slot SLb in a sub-scanning direction. When a pattern drawing device 100 scans an exposure unit 30 equipped with a mask 361 to the (+Y) side of the main scanning direction with respect to a substrate 9, the drawing device exposes a resist layer of a substrate 9 through the transmissive patterns SLG1, SLG2 at the same time. By this exposure scanning, a region irradiated with the pulse light transmitting through the transmissive pattern SLG1 is then irradiated with pulse light transmitting through the transmissive pattern SLG2 after a predetermined period has passed. That is, superimposed exposure is carried out, which means the same region is exposed through two transmissive patterns at the same time in exposure scanning in one direction. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、マスクを用いたパターン描画に関する技術であり、特に基板の主面に形成された感光性材料層を複数の透過パターンを用いて露光する技術に関する。   The present invention relates to a pattern drawing technique using a mask, and more particularly to a technique for exposing a photosensitive material layer formed on a main surface of a substrate using a plurality of transmission patterns.

液晶表示装置に具備されるカラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板、半導体基板、プリント基板等の各種基板の製造において、感光性材料（レジスト等）の層が形成された基板に光を照射して露光し、所定パターンを描画するパターン描画装置が知られている。   In the manufacture of various substrates such as color filter substrates, liquid crystal display devices, flat panel display (FPD) glass substrates such as liquid crystal display devices and plasma display devices, semiconductor substrates, and printed circuit boards, resist materials (resist etc.) There is known a pattern drawing apparatus that draws a predetermined pattern by irradiating light onto a substrate on which a layer of) is formed.

ここで、露光処理及び現像処理等により基板に形成するレジスト膜の断面形状を任意に調整する（例えば、凸型、凹型等に調整する）ために、例えば、基板に塗布するレジストの組成を変更することで、膜の断面形状を制御することが考えられるが、目的に沿うように組成をチューニングするには多大な時間とコストがかかってしまう。   Here, in order to arbitrarily adjust the cross-sectional shape of the resist film formed on the substrate by exposure processing, development processing, etc. (for example, to adjust the convex shape, concave shape, etc.), for example, the composition of the resist applied to the substrate is changed By doing so, it is conceivable to control the cross-sectional shape of the film, but it takes a lot of time and cost to tune the composition to meet the purpose.

そこで、レジストの組成を調整する代わりに、レジスト層に照射する光の露光量（積算露光量）を調整することによって、基板に形成される膜の断面形状を目的に応じて制御する技術がこれまでに提案されている（例えば特許文献１，２）。   Therefore, instead of adjusting the composition of the resist, a technique for controlling the cross-sectional shape of the film formed on the substrate according to the purpose by adjusting the exposure amount (integrated exposure amount) of light irradiating the resist layer. (For example, Patent Documents 1 and 2).

具体的に、特許文献１では、デフォーカス露光を行うことにより、所定の領域内で露光強度を部分的に調整することで、形成される膜厚を制御する技術が開示されている。また、特許文献２では、マスクに形成された透過領域についての光の透過量を中央部分と縁部分とで変化させることにより、形成される膜の断面形状を制御する（例えば、中央部分を比較的厚くし、縁部分を比較的薄くすることで、断面形状を凸型とする）技術が開示されている。   Specifically, Patent Document 1 discloses a technique for controlling the film thickness to be formed by partially adjusting the exposure intensity within a predetermined region by performing defocus exposure. In Patent Document 2, the cross-sectional shape of the formed film is controlled by changing the light transmission amount of the transmission region formed in the mask between the central portion and the edge portion (for example, comparing the central portions). And a technique of making the cross-sectional shape convex by making the edge portion relatively thin and the edge portion relatively thin.

特開平９−１５９８１５号公報JP-A-9-159815 特開２００７−１２１８００号公報JP 2007-121800 A

ところで、より複雑に膜の断面形状を制御したり、あるいは、膜形状を多層化したりする場合に、１の透過パターンのみを介しての露光走査では非常に困難であるため、複数の透過パターンを介する露光走査が行われている。   By the way, when the cross-sectional shape of the film is controlled more complicatedly or when the film shape is multilayered, it is very difficult to perform exposure scanning through only one transmission pattern. Exposure scanning is performed.

しかし、従来では、複数の透過パターンを介して基板を露光するためには、当該複数の透過パターンごとの露光走査を必要としていた。すなわち、１の透過パターンを用いて基板全体にパターンを描画した後に、当該１の透過パターンを別の透過パターンに置き換えて再び基板全体にパターンを描画するといったように、複数の透過パターンのそれぞれについて、個別の露光走査を行っていた。したがって、露光処理の時間が透過パターンの数に応じて増大してしまい、基板製造のスループット（単位時間あたりの基板の処理枚数）が大幅に低下してしまうという問題があった。   However, conventionally, in order to expose a substrate through a plurality of transmission patterns, exposure scanning for each of the plurality of transmission patterns has been required. That is, after drawing a pattern on the entire substrate using one transmission pattern, replacing the one transmission pattern with another transmission pattern and drawing the pattern on the entire substrate again, for each of the plurality of transmission patterns. Individual exposure scanning was performed. Therefore, there has been a problem that the exposure processing time increases in accordance with the number of transmission patterns, and the substrate manufacturing throughput (the number of substrates processed per unit time) is greatly reduced.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の透過パターン介しての露光処理を効率的に行う技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a technique for efficiently performing an exposure process through a plurality of transmission patterns.

上記の課題を解決するため、第１の態様に係るパターン描画装置は、マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画装置であって、第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向の側に配置される第２透過パターンとが形成されたマスクを含み、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光する露光部と、前記露光部を前記基板に対して前記主走査方向に相対移動させることにより、前記露光部を前記基板に対して露光走査させる移動機構とを備え、前記露光部は、前記マスクに形成された前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層を露光走査することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, the pattern writing apparatus according to the first aspect intermittently exposes the photosensitive material layer formed on the substrate through a transmission pattern that transmits light formed on the mask. A pattern drawing apparatus for drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer, wherein the first transmission pattern and a second transmission pattern arranged on a side in a predetermined main scanning direction with respect to the first transmission pattern, An exposure unit that intermittently exposes the photosensitive material layer formed on the substrate, and the exposure unit by moving the exposure unit relative to the substrate in the main scanning direction. A photosensitive material layer formed on the substrate via the first transmissive pattern and the second transmissive pattern formed on the mask. The By the optical scanning, characterized by drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer.

また、第２の態様に係るパターン描画装置は、第１の態様に係るパターン描画装置であって、前記露光部は、前記主走査方向の一方向についての露光走査において、前記第１透過パターンを介して露光した露光領域を、前記第２透過パターンを介して重畳的に露光することを特徴とする。   The pattern drawing apparatus according to the second aspect is the pattern drawing apparatus according to the first aspect, wherein the exposure unit displays the first transmission pattern in exposure scanning in one direction of the main scanning direction. The exposure area exposed through the second transmission pattern is exposed in a superimposed manner through the second transmission pattern.

また、第３の態様に係るパターン描画装置は、第１または２の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、所定の副走査方向に沿って設けられた１以上の第１透過部を有し、前記第２透過パターンは、前記１以上の第１透過部のそれぞれに対して主走査方向に沿う位置に、第２透過部を有することを特徴とする。   The pattern drawing apparatus according to the third aspect is the pattern drawing apparatus according to the first or second aspect, wherein the first transmission pattern includes one or more first patterns provided along a predetermined sub-scanning direction. The second transmission pattern has a second transmission part at a position along the main scanning direction with respect to each of the one or more first transmission parts.

また、第４の態様に係るパターン描画装置は、第１から３のいずれか１の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、第２透過パターンとは異なる形状のパターン光を透過させることを特徴とする。   The pattern drawing apparatus according to a fourth aspect is the pattern drawing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the first transmission pattern has a pattern light having a shape different from that of the second transmission pattern. Is transmitted.

また、第５の態様に係るパターン描画装置は、第１から４のいずれか１の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記マスクには、前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンと、当該第３透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記第２透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第４透過パターンとがさらに形成されており、前記露光部は、前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第３透過パターンと前記第４透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とする。   The pattern drawing apparatus according to a fifth aspect is the pattern drawing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the first transmission pattern is the main scanning with respect to the second transmission pattern. Arranged on one side in the direction, the mask is arranged on the one side in the main scanning direction with respect to the third transmission pattern, and a third transmission pattern that transmits substantially the same pattern light as the first transmission pattern. And a fourth transmission pattern that transmits substantially the same pattern light as the second transmission pattern is further formed, and the exposure section performs exposure scanning toward the one side in the main scanning direction with respect to the substrate. When exposing the photosensitive material layer through the first transmissive pattern and the second transmissive pattern, and exposing and scanning the substrate toward the other side in the main scanning direction, 3 Characterized by exposing said photosensitive material layer through the over-pattern and the fourth transmission pattern.

また、第６の態様に係るパターン描画装置は、第１から４のいずれか１の態様に係るパターン描画装置であって、前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記マスクには、前記第２透過パターンの前記主走査方向の他方側の位置に前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンがさらに形成されており、前記露光部は、前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第２透過パターンと前記第３透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とする。   The pattern drawing apparatus according to a sixth aspect is the pattern drawing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the first transmission pattern is the main scanning with respect to the second transmission pattern. A third transmissive pattern that is disposed on one side of the direction and that transmits substantially the same pattern light as the first transmissive pattern at a position on the other side of the second transmissive pattern in the main scanning direction. When the exposure unit performs exposure scanning toward the one side in the main scanning direction with respect to the substrate, the exposure material layer passes the photosensitive material layer through the first transmission pattern and the second transmission pattern. When exposing and scanning the substrate toward the other side in the main scanning direction, the photosensitive material layer is exposed through the second transmission pattern and the third transmission pattern. Toss .

また、第７の態様に係るパターン描画方法は、マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画方法であって、(a)第１透過パターンと、前記第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されたマスクを有する露光部を、基板に対して前記主走査方向に相対移動させる工程と、(b)前記(a)工程において、前記基板に対して前記主走査方向へ相対移動する前記露光部から、前記基板に形成された感光性材料層に向けて、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを透過させた透過光を照射することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画する工程とを含むことを特徴とする。   The pattern drawing method according to the seventh aspect includes the photosensitive material layer by intermittently exposing the photosensitive material layer formed on the substrate through a transmission pattern that transmits light formed on the mask. A pattern drawing method for drawing a predetermined pattern on a layer, wherein (a) a first transmission pattern and a second transmission pattern disposed on a predetermined main scanning direction side with respect to the first transmission pattern are formed A step of moving the exposure unit having a mask relative to the substrate in the main scanning direction; and (b) in the step (a), from the exposure unit moving relative to the substrate in the main scanning direction. A process of drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer by irradiating the photosensitive material layer formed on the substrate with transmitted light that has passed through the first transmission pattern and the second transmission pattern. Including And features.

また、第８の態様に係るパターン描画用のマスクは、基板に対して所定の主走査方向へ相対移動しつつ、前記基板に形成された感光性材料層に所定のパターンを描画するための光を透過させる透過パターンが形成されたパターン描画用のマスクであって、前記マスクは、第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されており、前記主走査方向に沿って移動したときに、所定の光源から照射された光を前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層に照射して、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とする。   The mask for pattern drawing according to the eighth aspect is a light for drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer formed on the substrate while moving relative to the substrate in a predetermined main scanning direction. A mask for pattern drawing in which a transmission pattern that transmits light is formed, the mask including a first transmission pattern and a second transmission pattern disposed on a predetermined main scanning direction side with respect to the first transmission pattern. Is formed on the substrate through the first transmissive pattern and the second transmissive pattern when the light is moved along the main scanning direction. Irradiating the material layer, a predetermined pattern is drawn on the photosensitive material layer.

第１の態様に係るパターン描画装置によれば、一方向への露光走査ごとに、主走査方向に並列配置された第１透過パターンと第２透過パターンとを介して基板を露光できる。したがって、露光走査の回数を増加させることなく、複数の透過パターンを介して露光できるため、効率的なパターン描画を実現できる。   According to the pattern drawing apparatus according to the first aspect, the substrate can be exposed via the first transmission pattern and the second transmission pattern arranged in parallel in the main scanning direction for each exposure scan in one direction. Therefore, since the exposure can be performed through a plurality of transmission patterns without increasing the number of exposure scans, efficient pattern drawing can be realized.

また、第２の態様に係るパターン描画装置によれば、第１透過パターンと第２透過パターンを介して同一の領域を重畳的に露光する重畳的露光を、露光走査の回数を増やすことなく効率的に行うことができる。   Moreover, according to the pattern drawing apparatus which concerns on a 2nd aspect, the superposition exposure which superimposes and exposes the same area | region through a 1st transmission pattern and a 2nd transmission pattern is efficient, without increasing the frequency | count of exposure scanning. Can be done automatically.

また、第３の態様に係るパターン描画装置によれば、第１透過パターンと第２透過パターンが有する第１透過部と第２透過部とを、主走査方向に沿う位置に形成することで、第１透過パターンを介して露光した部分が第２透過パターンを介して露光されるため、重畳的な露光を高効率に行うことができる。   Moreover, according to the pattern drawing apparatus which concerns on a 3rd aspect, by forming the 1st transmission part and the 2nd transmission part which a 1st transmission pattern and a 2nd transmission pattern have in the position along a main scanning direction, Since the portion exposed through the first transmission pattern is exposed through the second transmission pattern, superimposed exposure can be performed with high efficiency.

また、第４の態様に係るパターン描画装置によれば、第１透過パターンと第２透過パターンとで透過させるパターン光を異ならせることにより、基板上に種々の形状のパターンを形成させるためのパターン描画を効率的に実行できる。   Moreover, according to the pattern drawing apparatus which concerns on a 4th aspect, the pattern for forming the pattern of various shapes on a board | substrate by making the pattern light permeate | transmitted by a 1st transmissive pattern and a 2nd transmissive pattern differ. Drawing can be executed efficiently.

また、第５の態様に係るパターン描画装置によれば、主走査方向の一方側への露光走査と他方側への露光走査とで、露光条件を一致させることができる。したがって、基板に対して露光部を相対的に往復移動させて露光させたときのパターン描画を均一に行うことができる。   Moreover, according to the pattern drawing apparatus which concerns on a 5th aspect, exposure conditions can be made to correspond by the exposure scan to the one side of a main scanning direction, and the exposure scan to the other side. Therefore, pattern drawing can be performed uniformly when the exposure unit is moved reciprocally relative to the substrate for exposure.

また、第６の態様に係るパターン描画装置によれば、マスクの加工コストを抑えつつ、基板に対して露光部を相対的に往復移動させて露光させたときのパターン描画を均一に行うことができる。   Further, according to the pattern drawing apparatus of the sixth aspect, it is possible to uniformly perform pattern drawing when exposure is performed by reciprocating the exposure unit relative to the substrate while reducing the mask processing cost. it can.

＜１．第１実施形態＞
＜１．１． パターン描画装置の構成及び機能＞
以下、第１実施形態に係るパターン描画装置１００について説明する。 <1. First Embodiment>
<1.1. Configuration and function of pattern drawing apparatus>
Hereinafter, the pattern drawing apparatus 100 according to the first embodiment will be described.

図１は、本発明の第１実施形態に係るパターン描画装置１００の構成を示す側面図である。また、図２は、第１実施形態に係るパターン描画装置１００の上面図である。パターン描画装置１００は、液晶表示装置のカラーフィルタ用基板を製造する工程において、ガラス基板（以下、単に「基板」と称する。）９の主面に形成された感光性材料（ここでは、カラーレジスト）の層（以下、レジスト層と称する。）に、所定パターンを描画するための装置である。なお、本実施形態では、非露光部分が後の現像処理により溶解するタイプ（いわゆるネガ型）のカラーレジストを使用する場合について説明する。   FIG. 1 is a side view showing a configuration of a pattern drawing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a top view of the pattern drawing apparatus 100 according to the first embodiment. The pattern drawing apparatus 100 is a photosensitive material (here, a color resist) formed on a main surface of a glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) 9 in a process of manufacturing a color filter substrate of a liquid crystal display device. ) (Hereinafter referred to as a resist layer) is a device for drawing a predetermined pattern. In the present embodiment, a case will be described in which a non-exposed portion of a type (so-called negative type) color resist that is dissolved by a subsequent development process is used.

パターン描画装置１００は、基台１０と、その上面にて基板９を水平姿勢で保持するステージ１１と、基台１０に対してステージ１１を駆動する駆動部２０と、複数の露光部３０と、を主に備える。   The pattern drawing apparatus 100 includes a base 10, a stage 11 that holds the substrate 9 in a horizontal posture on the upper surface thereof, a drive unit 20 that drives the stage 11 with respect to the base 10, a plurality of exposure units 30, Is mainly provided.

以下の説明においては、方向及び向きを示す際に、図中に示すＸＹＺ直交座標を用いる。このＸＹＺ軸は、基台１０に対して相対的に固定されており、Ｘ軸及びＹ軸方向が水平方向、Ｚ軸方向が鉛直方向を示す。また、パターン描画装置１００における主走査方向は、Ｙ軸方向に対応し、副走査方向は、Ｘ軸方向に対応する。   In the following description, XYZ orthogonal coordinates shown in the figure are used when indicating the direction and orientation. The XYZ axes are fixed relative to the base 10, and the X-axis and Y-axis directions indicate the horizontal direction, and the Z-axis direction indicates the vertical direction. In the pattern drawing apparatus 100, the main scanning direction corresponds to the Y-axis direction, and the sub-scanning direction corresponds to the X-axis direction.

＜ステージ１１＞
ステージ１１は、平板状の外形を有し、その上面に載置された基板９を略水平姿勢に保持する保持部として機能する。ステージ１１の上面には、複数の吸引孔（図示省略）が形成されている。これらの吸引孔の吸引圧により、ステージ１１上に載置された基板９は、ステージ１１の上面に固定保持される。 <Stage 11>
The stage 11 has a flat outer shape and functions as a holding unit that holds the substrate 9 placed on the upper surface thereof in a substantially horizontal posture. A plurality of suction holes (not shown) are formed on the upper surface of the stage 11. The substrate 9 placed on the stage 11 is fixed and held on the upper surface of the stage 11 by the suction pressure of these suction holes.

＜駆動部２０＞
駆動部２０は、基台１０に対してステージ１１を主走査方向（Ｙ軸方向）、副走査方向（Ｘ軸方向）に移動させるとともに、Ｚ軸を回転軸として回転させる駆動機構である。具体的に、駆動部２０は、ステージ１１を回転させる回転機構２１と、ステージ１１を下面側から支持する支持プレート２２と、支持プレート２２を副走査方向に移動させる副走査機構２３と、副走査機構２３を介して支持プレート２２を支持するベースプレート２４と、ベースプレート２４を主走査方向に移動させる主走査機構２５とを有している。 <Drive unit 20>
The drive unit 20 is a drive mechanism that moves the stage 11 in the main scanning direction (Y-axis direction) and the sub-scanning direction (X-axis direction) with respect to the base 10 and rotates the Z-axis as a rotation axis. Specifically, the drive unit 20 includes a rotation mechanism 21 that rotates the stage 11, a support plate 22 that supports the stage 11 from the lower surface side, a sub-scanning mechanism 23 that moves the support plate 22 in the sub-scanning direction, and sub-scanning. A base plate 24 that supports the support plate 22 via the mechanism 23 and a main scanning mechanism 25 that moves the base plate 24 in the main scanning direction are provided.

回転機構２１は、ステージ１１の（−Ｙ）側端部に取り付けられた移動子と、支持プレート２２の上面に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２１ａを有する。また、回転機構２１は、ステージ１１の中央部下面側と支持プレート２２との間に、回転軸２１ｂを有する。リニアモータ２１ａを動作させることにより、固定子に沿って移動子がＸ軸方向に移動し、支持プレート２２上の回転軸２１ｂを中心としてステージ１１が所定角度の範囲内で回動する。   The rotation mechanism 21 includes a linear motor 21 a configured by a mover attached to the (−Y) side end of the stage 11 and a stator provided on the upper surface of the support plate 22. Further, the rotation mechanism 21 has a rotation shaft 21 b between the lower surface side of the central portion of the stage 11 and the support plate 22. By operating the linear motor 21a, the moving element moves in the X-axis direction along the stator, and the stage 11 rotates within a predetermined angle range around the rotating shaft 21b on the support plate 22.

副走査機構２３は、支持プレート２２の下面に取り付けられた移動子とベースプレート２４の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２３ａを有している。また、副走査機構２３は、支持プレート２２とベースプレート２４との間に、副走査方向に延びる一対のガイド部２３ｂを有している。このため、リニアモータ２３ａを動作させると、ベースプレート２４上のガイド部２３ｂに沿って支持プレート２２が副走査方向に移動する。ステージ１１は支持プレート２２に支持されているため、副走査機構２３は、基台１０に対してステージ１１を副走査方向に移動させることができる。   The sub-scanning mechanism 23 includes a linear motor 23 a configured by a mover attached to the lower surface of the support plate 22 and a stator laid on the upper surface of the base plate 24. In addition, the sub-scanning mechanism 23 has a pair of guide portions 23 b extending in the sub-scanning direction between the support plate 22 and the base plate 24. For this reason, when the linear motor 23a is operated, the support plate 22 moves in the sub-scanning direction along the guide portion 23b on the base plate 24. Since the stage 11 is supported by the support plate 22, the sub-scanning mechanism 23 can move the stage 11 in the sub-scanning direction with respect to the base 10.

主走査機構２５は、ベースプレート２４の下面に取り付けられた移動子と基台１０上に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２５ａを有する。また、主走査機構２５は、ベースプレート２４と基台１０との間に、主走査方向に延びる一対のガイド部２５ｂを有している。リニアモータ２５ａを動作させることにより、基台１０上のガイド部２５ｂに沿ってベースプレート２４が主走査方向に移動する。ステージ１１は支持プレート２２及びベースプレート２４に支持されるため、主走査機構２５は、基台１０に対してステージ１１を主走査方向に移動させることになる。   The main scanning mechanism 25 includes a linear motor 25 a configured by a mover attached to the lower surface of the base plate 24 and a stator provided on the base 10. The main scanning mechanism 25 has a pair of guide portions 25b extending in the main scanning direction between the base plate 24 and the base 10. By operating the linear motor 25a, the base plate 24 moves in the main scanning direction along the guide portion 25b on the base 10. Since the stage 11 is supported by the support plate 22 and the base plate 24, the main scanning mechanism 25 moves the stage 11 with respect to the base 10 in the main scanning direction.

複数の露光部３０は、ステージ１１上に載置された基板９の上面にパルス光を照射し、基板９を露光して規則的なパターンを描画する。基台１０には、基台１０の（−Ｘ）側端部から副走査方向に沿って（＋Ｘ）側端部まで掛け渡されており、ステージ１１及び駆動部２０を跨ぐ架橋構造のフレーム３１が固定されている。複数の露光部３０は、このフレーム３１において、副走査方向に沿って同一ピッチで配列するように取り付けられている。したがって、本実施形態では、複数の露光部３０の位置は、基台１０に対して固定されている。   The plurality of exposure units 30 irradiate the upper surface of the substrate 9 placed on the stage 11 with pulsed light, and expose the substrate 9 to draw a regular pattern. The base 10 spans from the (−X) side end of the base 10 to the (+ X) side end along the sub-scanning direction, and has a bridge structure frame 31 straddling the stage 11 and the drive unit 20. Is fixed. The plurality of exposure units 30 are attached to the frame 31 so as to be arranged at the same pitch along the sub-scanning direction. Therefore, in the present embodiment, the positions of the plurality of exposure units 30 are fixed with respect to the base 10.

駆動部２０の主走査機構２５及び副走査機構２３は、基台１０に対してステージ１１を移動させる。すなわち、主走査機構２５を駆動するとステージ１１上に載置された基板９に対して複数の露光部３０が主走査方向に相対的に移動し、副走査機構２３を駆動するとステージ１１上に載置された基板９に対して複数の露光部３０が副走査方向に相対的に移動することになる。   The main scanning mechanism 25 and the sub scanning mechanism 23 of the driving unit 20 move the stage 11 relative to the base 10. That is, when the main scanning mechanism 25 is driven, the plurality of exposure units 30 move relative to the substrate 9 placed on the stage 11 in the main scanning direction, and when the sub scanning mechanism 23 is driven, the exposure unit 30 is placed on the stage 11. The plurality of exposure units 30 move relative to the placed substrate 9 in the sub-scanning direction.

各露光部３０には、照明光学系３２を介してパルス光の光源である１つのレーザ発振器３３が接続されており、また、レーザ発振器３３にはレーザ駆動部３４が接続されている。そのため、レーザ駆動部３４を動作させると、レーザ発振器３３からパルス光が発振され、発振されたパルス光は照明光学系３２を介して各露光部３０内に導かれる。   Each exposure unit 30 is connected to one laser oscillator 33 which is a light source of pulsed light via an illumination optical system 32, and a laser driving unit 34 is connected to the laser oscillator 33. Therefore, when the laser driving unit 34 is operated, pulsed light is oscillated from the laser oscillator 33, and the oscillated pulsed light is guided into each exposure unit 30 via the illumination optical system 32.

各露光部３０の内部には、照明光学系３２により導かれたパルス光を下方へ向けて出射するための出射部３５と、パルス光を部分的に遮光して所定形状の光束を形成するためのマスクユニット３６と、当該光束を基板９の上面に照射するための投影光学系３７とが設けられている。   In each exposure unit 30, an emission unit 35 for emitting the pulsed light guided by the illumination optical system 32 downward and a part of the pulsed light to form a light beam having a predetermined shape are formed. The mask unit 36 and a projection optical system 37 for irradiating the upper surface of the substrate 9 with the luminous flux are provided.

詳細には、出射部３５から出射されたパルス光は、マスクユニット３６を通過する際に、後述のパターン描画用のマスク３６１により部分的に遮光され、所定形状に成形されて投影光学系３７へ入射する。そして、投影光学系３７を通過した所定形状のパルス光の光束が基板９の上面に照射されることにより、基板９に形成されたレジスト層が感光する。   More specifically, when the pulsed light emitted from the emission unit 35 passes through the mask unit 36, it is partially shielded by a pattern drawing mask 361, which will be described later, and is shaped into a predetermined shape and sent to the projection optical system 37. Incident. The resist layer formed on the substrate 9 is exposed to light by irradiating the upper surface of the substrate 9 with a light beam of pulse light having a predetermined shape that has passed through the projection optical system 37.

なお、本実施形態に係るパターン描画装置１００は、基本的には、レジスト層を過剰に露光しないように、パターン光を２回照射することにより、レジスト層を露光する。具体的には、パターン描画装置１００は、カラーフィルターのサブ画素となる各部分について、中強度のパルス光を１回照射した後、再び中強度のパルス光を重畳的に照射することで、レジスト層にカラーフィルター用のパターンを描画する。   Note that the pattern drawing apparatus 100 according to the present embodiment basically exposes the resist layer by irradiating the pattern light twice so that the resist layer is not excessively exposed. Specifically, the pattern drawing apparatus 100 irradiates each portion of the color filter sub-pixel with medium-intensity pulsed light once, and then again superimposes medium-intensity pulsed light on the resist filter. Draw a pattern for the color filter on the layer.

＜マスクユニット３６＞
図３は、第１実施形態に係るマスクユニット３６の構成を示す上面図である。マスクユニット３６は、光を遮る加工が施されたガラス板や、金属板等で構成されるマスク３６１と、当該マスク３６１の水平面内における位置を調整するマスク移動機構３６２とを主に有する。 <Mask unit 36>
FIG. 3 is a top view showing the configuration of the mask unit 36 according to the first embodiment. The mask unit 36 mainly includes a mask 361 made of a glass plate or a metal plate that has been processed to block light, and a mask moving mechanism 362 that adjusts the position of the mask 361 in the horizontal plane.

マスクユニット３６において、マスク３６１の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側の端部は、一対の保持部３６２ａに保持されている。また、一対の保持部３６２ａは、主走査方向に沿って敷設された第１駆動部３６２ｂに接続されている。このため、第１駆動部３６２ｂを動作させると、一対の保持部３６２ａとマスク３６１とが一体として主走査方向に移動する。   In the mask unit 36, the (+ X) side and (−X) side ends of the mask 361 are held by a pair of holding portions 362a. The pair of holding units 362a is connected to a first drive unit 362b laid along the main scanning direction. For this reason, when the first driving unit 362b is operated, the pair of holding units 362a and the mask 361 move together in the main scanning direction.

また、第１駆動部３６２ｂの下部には、副走査方向にのびる一対のガイドレール３６２ｃと、リニアモータ等により構成された第２駆動部３６２ｄとが設けられている。第２駆動部３６２ｄを動作させることにより、第１駆動部３６２ｂ、保持部３６２ａ及びマスク３６１が副走査方向へ一体的に移動する。   A pair of guide rails 362c extending in the sub-scanning direction and a second drive unit 362d configured by a linear motor or the like are provided below the first drive unit 362b. By operating the second drive unit 362d, the first drive unit 362b, the holding unit 362a, and the mask 361 move integrally in the sub-scanning direction.

このように、本実施形態に係るマスクユニット３６は、第１駆動部３６２ｂ及び第２駆動部３６２ｄを動作させることによりマスク３６１を移動させ、マスク３６１の主走査方向および副走査方向の位置を調整できる。   As described above, the mask unit 36 according to the present embodiment moves the mask 361 by operating the first driving unit 362b and the second driving unit 362d, and adjusts the position of the mask 361 in the main scanning direction and the sub scanning direction. it can.

＜マスク３６１＞
図４は、第１実施形態に係るマスク３６１を示す上面図である。マスク３６１には、光を透過させる複数のスロットＳＬａと複数のスロットＳＬｂが、それぞれ副走査方向において等間隔となるように、規則的に配置されており、これら複数のスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂにより、４つの透過パターン（透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４）が形成されている。 <Mask 361>
FIG. 4 is a top view showing the mask 361 according to the first embodiment. A plurality of slots SLa and a plurality of slots SLb that transmit light are regularly arranged in the mask 361 so as to be equally spaced in the sub-scanning direction, and the plurality of slots SLa or slots SLb Four transmission patterns (transmission patterns SLG1 to SLG4) are formed.

透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４は、主走査方向の長さが等しいスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂを有している。透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ３は、副走査方向において比較的幅の広い矩形形状のスロットＳＬａを複数個有しており、また、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ４は、副走査方向において比較的幅の狭い矩形形状のスロットＳＬｂを複数個有している。そして、透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４のそれぞれは、同じ数量のスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂを有している。   The transmissive patterns SLG1 to SLG4 have a slot SLa or a slot SLb having the same length in the main scanning direction. The transmissive patterns SLG1 and SLG3 have a plurality of rectangular slots SLa that are relatively wide in the sub-scanning direction, and the transmissive patterns SLG2 and SLG4 are rectangular shapes that are relatively narrow in the sub-scanning direction. A plurality of slots SLb are provided. Each of the transmissive patterns SLG1 to SLG4 has the same number of slots SLa or slots SLb.

透過パターンＳＬＧ１は、透過パターンＳＬＧ２に対して主走査方向の（＋Ｙ）に設けられており、また、透過パターンＳＬＧ４は、透過パターンＳＬＧ３に対して主走査方向の（−Ｙ）側に設けられている。   The transmissive pattern SLG1 is provided on the (+ Y) side in the main scanning direction with respect to the transmissive pattern SLG2, and the transmissive pattern SLG4 is provided on the (−Y) side in the main scanning direction with respect to the transmissive pattern SLG3. Yes.

透過パターンＳＬＧ２は、透過パターンＳＬＧ１を構成するスロットＳＬａのそれぞれに対して主走査方向の（−Ｙ）側に配置されたスロットＳＬｂにより構成される。また、透過パターンＳＬＧ１の各スロットＳＬａと、透過パターンＳＬＧ２の各スロットＳＬｂとは、主走査方向に平行な軸（例えば、軸Ｑ１）上に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２のスロットＳＬａ，ＳＬｂは、マスク３６１上において、主走査方向に沿って１対１に対応づけられて形成されている。   The transmissive pattern SLG2 includes slots SLb arranged on the (−Y) side in the main scanning direction with respect to each of the slots SLa constituting the transmissive pattern SLG1. Each slot SLa of the transmissive pattern SLG1 and each slot SLb of the transmissive pattern SLG2 are arranged along an axis (for example, the axis Q1) parallel to the main scanning direction. That is, the slots SLa and SLb of the transmissive patterns SLG1 and SLG2 are formed on the mask 361 so as to be associated with each other in the main scanning direction.

また、透過パターンＳＬＧ４は、透過パターンＳＬＧ３を構成するスロットＳＬａのそれぞれに対して主走査方向の（＋Ｙ）側に配置されたスロットＳＬｂにより構成される。また、透過パターンＳＬＧ３の各スロットＳＬａと、透過パターンＳＬＧ４の各スロットＳＬｂとは、主走査方向に平行な軸（例えば、軸Ｑ１）上に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４のスロットＳＬａ，ＳＬｂは、マスク３６１上において、主走査方向に沿って１対１に対応づけられて形成されている。   The transmissive pattern SLG4 is composed of slots SLb arranged on the (+ Y) side in the main scanning direction with respect to each of the slots SLa constituting the transmissive pattern SLG3. In addition, each slot SLa of the transmissive pattern SLG3 and each slot SLb of the transmissive pattern SLG4 are arranged along an axis (for example, the axis Q1) parallel to the main scanning direction. That is, the slots SLa and SLb of the transmissive patterns SLG3 and SLG4 are formed on the mask 361 so as to be associated with each other along the main scanning direction.

また、照明光学系３２を介して露光部３０へ入射させたパルス光が透過パターンＳＬＧ３を透過して得られる光束（パターン光）の形状は、透過パターンＳＬＧ１を透過したときと同一の形状（ここでは、主走査方向において比較的幅の広い矩形形状の光束が、副走査方向に沿って等間隔となるように規則的に並べられた形状）となる。また、露光部３０へ入射させたパルス光が透過パターンＳＬＧ４を透過して得られる光束の形状は、透過パターンＳＬＧ２を透過したときと同一の形状となる。   Further, the shape of the light beam (pattern light) obtained by transmitting the pulsed light incident on the exposure unit 30 via the illumination optical system 32 through the transmission pattern SLG3 is the same as that when the light is transmitted through the transmission pattern SLG1 (here). Then, a rectangular light beam having a relatively wide width in the main scanning direction is regularly arranged so as to be equally spaced along the sub-scanning direction. Further, the shape of the light beam obtained by transmitting the pulsed light incident on the exposure unit 30 through the transmission pattern SLG4 is the same as that when transmitting through the transmission pattern SLG2.

さらに、本実施形態では、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２と、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４とは、互いに、透過パターンＳＬＧ２と透過パターンＳＬＧ３との間の副走査方向に平行な軸Ｑ２を通るＸＺ平面を鏡像面とする鏡像関係にある。すなわち、光を透過パターンＳＬＧ１,ＳＬＧ２に同時に透過させたときに得られる光束形状と、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４に透過させたときに得られる光束形状とが、上記鏡像面に対して互いに鏡像関係となる。   Further, in the present embodiment, the transmissive patterns SLG1 and SLG2 and the transmissive patterns SLG3 and SLG4 are mirror images of the XZ plane passing through the axis Q2 parallel to the sub-scanning direction between the transmissive pattern SLG2 and the transmissive pattern SLG3. It is a mirror image relationship. That is, the shape of the light beam obtained when light is simultaneously transmitted through the transmission patterns SLG1 and SLG2 and the shape of the light beam obtained when light is transmitted through the transmission patterns SLG3 and SLG4 are mirror images of each other. Become.

また、詳細は後述するが、本実施形態に係るパターン描画装置１００は、基板９に対して露光部３０を主走査方向の（＋Ｙ）側と（−Ｙ）側とへ相対的に往復移動させつつ、基板９の所定領域（描画対象領域９１、図７参照）を露光する。この往復移動のうち、主走査方向の（＋Ｙ）側へ相対移動させて露光する「往路側の露光走査」では、パターン描画装置１００は、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を介して基板９を露光する。一方、主走査方向の（−Ｙ）側へ相対移動させて露光する「復路側の露光走査」では、パターン描画装置１００は、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を介して基板９を露光する。この透過パターン群からの特定の透過パターンの選択については、後述の制御部５０がマスク移動機構３６２を制御することにより、マスク３６１を所定位置へ移動させることで実現される。   Although details will be described later, the pattern drawing apparatus 100 according to the present embodiment reciprocates the exposure unit 30 relative to the substrate 9 in the main scanning direction to the (+ Y) side and the (−Y) side. Meanwhile, a predetermined area of the substrate 9 (the drawing target area 91, see FIG. 7) is exposed. In this reciprocating movement, in “outward exposure scanning” in which exposure is performed by moving relative to the (+ Y) side in the main scanning direction, the pattern drawing apparatus 100 exposes the substrate 9 via the transmission patterns SLG1 and SLG2. On the other hand, in “return-side exposure scanning” in which exposure is performed by moving relative to the (−Y) side in the main scanning direction, the pattern drawing apparatus 100 exposes the substrate 9 via the transmission patterns SLG3 and SLG4. The selection of a specific transmission pattern from the transmission pattern group is realized by moving the mask 361 to a predetermined position by controlling the mask moving mechanism 362 by a control unit 50 described later.

＜制御部５０＞
図５は、第１実施形態に係る制御部５０を含むパターン描画装置１００の構成を概念的に示すブロック図である。パターン描画装置１００は、装置全体を制御するとともに、各種の演算処理を行う制御部５０を備える。制御部５０は、ＣＰＵ及びメモリ等を備えたコンピュータによって構成され、予めメモリに記憶されたプログラムに従ってＣＰＵが演算処理を行うことにより、装置各部の制御機能や各種の演算機能が実現される。図５に示すように、上述の回転機構２１、副走査機構２３、主走査機構２５及びレーザ駆動部３４、マスク移動機構３６２等は、制御部５０と電気的に接続され、制御部５０により制御される。 <Control unit 50>
FIG. 5 is a block diagram conceptually showing the configuration of the pattern drawing apparatus 100 including the control unit 50 according to the first embodiment. The pattern drawing apparatus 100 includes a control unit 50 that controls the entire apparatus and performs various arithmetic processes. The control unit 50 is configured by a computer including a CPU, a memory, and the like. When the CPU performs arithmetic processing according to a program stored in advance in the memory, control functions of various units and various arithmetic functions are realized. As shown in FIG. 5, the rotation mechanism 21, the sub-scanning mechanism 23, the main scanning mechanism 25, the laser driving unit 34, the mask moving mechanism 362, and the like are electrically connected to the control unit 50 and controlled by the control unit 50. Is done.

また、パターン描画装置１００は、ユーザの各種の操作を受け付ける操作部５１、及び、パターンの描画に必要な描画用のデータを入力するデータ入力部５２をさらに備える。データ入力部５２は、例えば、記録媒体を読み取る読取装置や、外部装置との間でデータ通信を行う通信装置などとして構成される。これら操作部５１及びデータ入力部５２も制御部５０と電気的に接続される。操作部５１の操作内容は、所定形式の信号として制御部５０に入力されるとともに、データ入力部５２に入力された描画用のデータが制御部５０のメモリに記憶される。   The pattern drawing apparatus 100 further includes an operation unit 51 that receives various user operations, and a data input unit 52 that inputs drawing data necessary for pattern drawing. The data input unit 52 is configured as, for example, a reading device that reads a recording medium or a communication device that performs data communication with an external device. The operation unit 51 and the data input unit 52 are also electrically connected to the control unit 50. The operation content of the operation unit 51 is input to the control unit 50 as a signal in a predetermined format, and drawing data input to the data input unit 52 is stored in the memory of the control unit 50.

＜１．２． パターン描画装置の動作＞
次に、パターン描画装置１００の動作について図６〜図９を参照しつつ説明する。 <1.2. Operation of pattern drawing device>
Next, the operation of the pattern drawing apparatus 100 will be described with reference to FIGS.

図６は、第１実施形態に係るパターン描画装置１００の動作を示す流れ図である。まず、予めレジスト（カラーレジスト）が塗布された基板９が、搬送ロボットなどにより搬入され、ステージ１１の上面に載置される。基板９は、ステージ１１の上面に形成された吸着口により吸着保持され、ステージ１１の上面に略水平姿勢で保持される（ステップＳ１）。   FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the pattern drawing apparatus 100 according to the first embodiment. First, the substrate 9 on which a resist (color resist) is applied in advance is carried in by a transfer robot or the like and placed on the upper surface of the stage 11. The substrate 9 is sucked and held by a suction port formed on the upper surface of the stage 11, and is held on the upper surface of the stage 11 in a substantially horizontal posture (step S1).

基板９の吸着保持が完了すると、複数の露光部３０は、描画用のデータにより定められる所定の露光開始位置に相対移動され（ステップＳ２）、パターン描画装置１００によるパターン描画が開始される。なお、説明は省略するが、ステップＳ２が実行される前に、基板９の位置を所定位置に合わせる位置合わせ（アライメント）が適宜行われてもよい。   When the suction holding of the substrate 9 is completed, the plurality of exposure units 30 are relatively moved to a predetermined exposure start position determined by the drawing data (step S2), and pattern drawing by the pattern drawing apparatus 100 is started. Although description is omitted, before step S2 is executed, alignment (alignment) for adjusting the position of the substrate 9 to a predetermined position may be performed as appropriate.

図７〜図９は、第１実施形態に係るパターン描画装置１００がパターン描画するときの基板９の露光状態を示す図である。なお、図７〜図９に示す描画対象領域９１は、パターン描画が行われるべき領域（ここでは、カラーフィルターが形成されるべき領域）であり、制御部５０のメモリに予め記憶された描画用のデータに基づいて定められる。そして、同図では、各露光部３０が基板９に対して静止した状態で露光可能な（すなわち、パターンを描画可能な）範囲を、描画範囲８０として図示している。   7 to 9 are views showing an exposure state of the substrate 9 when the pattern drawing apparatus 100 according to the first embodiment draws a pattern. The drawing target area 91 shown in FIGS. 7 to 9 is an area in which pattern drawing is to be performed (here, an area in which a color filter is to be formed), and is for drawing stored in advance in the memory of the control unit 50. Determined based on the data. In the drawing, a range in which each exposure unit 30 can be exposed while being stationary with respect to the substrate 9 (that is, a pattern can be drawn) is illustrated as a drawing range 80.

前述のように、複数の露光部３０は、副走査方向に沿って同一ピッチ（例えば、２００ｍｍ）で配列されているため、複数の露光部３０のそれぞれに対応する複数の描画範囲８０も、副走査方向に沿ってこれと同一のピッチＨ（例えば、２００ｍｍ）で配列されている。   As described above, since the plurality of exposure units 30 are arranged at the same pitch (for example, 200 mm) along the sub-scanning direction, the plurality of drawing ranges 80 corresponding to each of the plurality of exposure units 30 are also included in the sub-scanning direction. They are arranged at the same pitch H (for example, 200 mm) along the scanning direction.

各露光部３０は、（＋Ｘ）側に隣り合う露光部３０までの基板９上の領域（幅Ｈの領域）を複数回に分けて走査しつつ露光する。そのため、パターン描画装置１００は、まず、描画用のデータに応じて、所定の移動開始位置に複数の露光部３０を相対移動させる。これにより、描画範囲８０が露光開始位置に相対移動する（図７参照）。   Each exposure unit 30 performs exposure while scanning the region (region of width H) on the substrate 9 up to the exposure unit 30 adjacent to the (+ X) side in a plurality of times. Therefore, the pattern drawing apparatus 100 first relatively moves the plurality of exposure units 30 to a predetermined movement start position in accordance with the drawing data. Thereby, the drawing range 80 is relatively moved to the exposure start position (see FIG. 7).

次に、図８に示すように、露光部３０（すなわち、描画範囲８０）が、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側に一定速度で相対移動される。この際、露光部３０からは、パルス光が所定の時間周期で（すなわち、間欠的に）出射される。これにより、主走査方向に沿って延びる基板９上の所定領域（走査領域Ａｓ）を対象に、描画すべきレジスト層の部分に対する露光が露光部３０ごとに実行される。   Next, as shown in FIG. 8, the exposure unit 30 (that is, the drawing range 80) is moved relative to the substrate 9 toward the (+ Y) side in the main scanning direction at a constant speed. At this time, pulsed light is emitted from the exposure unit 30 at a predetermined time period (that is, intermittently). As a result, exposure of the resist layer portion to be drawn is performed for each exposure unit 30 for a predetermined region (scanning region As) on the substrate 9 extending along the main scanning direction.

本実施形態では、この露光走査により露光される走査領域Ａｓに、規則的なパターンが描画される（図６、ステップＳ３）。このパターンが描画された領域を、図８では斜線のハッチングにより示している。   In the present embodiment, a regular pattern is drawn in the scanning area As exposed by this exposure scanning (FIG. 6, step S3). An area where this pattern is drawn is indicated by hatching in FIG.

主走査方向への露光走査が完了すると、パターン描画装置１００は、次の露光走査が必要か否かを判定する（図６、ステップＳ４）。この判定は、制御部５０が描画用のデータを参照することにより実現される。   When the exposure scanning in the main scanning direction is completed, the pattern drawing apparatus 100 determines whether or not the next exposure scanning is necessary (FIG. 6, step S4). This determination is realized by the control unit 50 referring to the drawing data.

次の露光走査が必要であると判定された場合（ステップＳ４にてＹＥＳ）、パターン描画装置１００は、次の露光走査を行うために、露光部３０（すなわち、描画範囲８０）を基板９に対して所定幅（ここでは、描画範囲８０の幅）だけ副走査方向の（＋Ｘ）側に相対移動させる（ステップＳ５）。   If it is determined that the next exposure scan is necessary (YES in step S4), the pattern drawing apparatus 100 places the exposure unit 30 (that is, the drawing range 80) on the substrate 9 in order to perform the next exposure scan. On the other hand, it is moved relative to the (+ X) side in the sub-scanning direction by a predetermined width (here, the width of the drawing range 80) (step S5).

副走査方向への相対移動が完了すると、パターン描画装置１００は、図９に示すように、基板９に対して露光部３０（すなわち、描画範囲８０）を主走査方向の（−Ｙ）側へ一定速度で相対移動させる。これにより、露光部３０ごとに、前回の露光走査で対象となった走査領域Ａｓとは異なる（ここでは、（＋Ｘ）側に隣接する）走査領域Ａｓを対象とした露光走査が実行される（ステップＳ３）。このように、パターン描画装置１００は、描画対象領域９１全体についてのパターンの描画が完了するまで、ステップＳ３からステップＳ５までの工程を繰り返し実行する。   When the relative movement in the sub-scanning direction is completed, the pattern drawing apparatus 100 moves the exposure unit 30 (that is, the drawing range 80) toward the (−Y) side in the main scanning direction with respect to the substrate 9, as shown in FIG. Relative movement at a constant speed. As a result, for each exposure unit 30, exposure scanning is performed on a scanning area As that is different from the scanning area As that is the target in the previous exposure scanning (here, adjacent to the (+ X) side) ( Step S3). Thus, the pattern drawing apparatus 100 repeatedly executes the processes from step S3 to step S5 until drawing of the pattern for the entire drawing target area 91 is completed.

ステップＳ４において、次の露光走査が不要であると判定された場合、すなわち、描画対象領域９１全体についてのパターンの描画が完了した場合には、基板９は、搬送ロボット等によりステージ１１の上面から搬出される（ステップＳ４にてＮＯ、ステップＳ６）。   If it is determined in step S4 that the next exposure scan is unnecessary, that is, if the pattern drawing for the entire drawing target area 91 is completed, the substrate 9 is removed from the upper surface of the stage 11 by a transfer robot or the like. It is carried out (NO in step S4, step S6).

基板９に描画された所定パターンの各部分は、後の工程にて現像処理及び熱硬化処理されて、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色を有するカラーフィルタのサブ画素となる。このようなサブ画素の形成（露光処理、現像処理及び熱硬化処理）は、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれについて実行される。   Each portion of the predetermined pattern drawn on the substrate 9 is developed and heat-cured in a later process, and has a color filter having any color of R (red), G (green), and B (blue). Sub-pixel. Such sub-pixel formation (exposure processing, development processing, and thermosetting processing) is performed for each of R, G, and B.

以上が、パターン描画装置１００のパターン描画における基本的な動作についての説明である。次に、本実施形態に係るパターン描画の詳細について、まず往路側の露光走査について説明し、その次に、復路側の露光走査について説明する。   This completes the description of the basic operation of the pattern drawing apparatus 100 in pattern drawing. Next, with respect to the details of pattern drawing according to the present embodiment, the forward-side exposure scanning will be described first, and then the backward-side exposure scanning will be described.

＜往路側の露光走査＞
図１０〜図１２は、往路側の露光走査における基板９の露光状況を説明するための図である。なお、図１０〜図１２は、基板９の描画対象領域９１の一部分を示している。また、要素領域９２は、カラーフィルターのサブ画素に相当する領域である。 <Outward exposure scanning>
10 to 12 are diagrams for explaining the exposure state of the substrate 9 in the forward-side exposure scanning. 10 to 12 show a part of the drawing target area 91 of the substrate 9. The element area 92 is an area corresponding to a sub-pixel of the color filter.

前述のように、パターン描画装置１００は、基板９に対して露光部３０を主走査方向の（＋Ｙ）側へ一定速度で相対移動させつつ露光する場合（すなわち、往路側の露光走査の場合）、マスク３６１に形成された透過パターン群のうちの透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を介して基板９を露光する。   As described above, the pattern drawing apparatus 100 performs exposure while moving the exposure unit 30 relative to the substrate 9 at a constant speed toward the (+ Y) side in the main scanning direction (that is, in the case of exposure scanning on the forward path side). The substrate 9 is exposed through the transmission patterns SLG1 and SLG2 of the transmission pattern group formed on the mask 361.

そこで、図１０〜図１２では、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ１に含まれるスロットＳＬａを透過したパルス光が照射される領域を照射領域８１として図示している。また、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ２に含まれるスロットＳＬｂを透過したパルス光が照射される領域を照射領域８２として図示している。上述のように、スロットＳＬｂは、スロットＳＬａよりも副走査方向における幅が狭いため（図４参照）、照射領域８２は、照射領域８１よりも副走査方向の幅が狭くなっている。   Accordingly, in FIGS. 10 to 12, an area irradiated with the pulsed light transmitted through the slot SLa included in the transmission pattern SLG <b> 1 formed on the mask 361 is illustrated as an irradiation area 81. In addition, an area irradiated with the pulsed light transmitted through the slot SLb included in the transmission pattern SLG2 formed on the mask 361 is illustrated as an irradiation area 82. As described above, since the slot SLb is narrower in the sub-scanning direction than the slot SLa (see FIG. 4), the irradiation region 82 is narrower than the irradiation region 81 in the sub-scanning direction.

また、図１１は、図１０に示す照射領域８１，８２が基板９に対して１サブ画素分（＋Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。そして、図１２は、図１１に示す照射領域８１，８２を基板９に対して１サブ画素分（＋Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。   FIG. 11 shows a state after the irradiation regions 81 and 82 shown in FIG. 10 have moved relative to the substrate 9 by one subpixel (+ Y). FIG. 12 shows a state after the irradiation areas 81 and 82 shown in FIG. 11 are relatively moved to the sub-pixel (+ Y) side with respect to the substrate 9.

本実施形態では、上述の透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２が有するスロットＳＬａとスロットＳＬｂの主走査方向における離間距離は、マスク３６１上において、主走査方向に隣り合うスロットＳＬａ，ＳＬｂを透過した光が照射される領域（すなわち、主走査方向において隣り合う照射領域８１，８２）が主走査方向において互いに隣り合う要素領域９２のそれぞれに一致するように設定されている。   In the present embodiment, the distance between the slot SLa and the slot SLb in the main scanning direction of the transmission patterns SLG1 and SLG2 described above is irradiated with light transmitted through the slots SLa and SLb adjacent in the main scanning direction on the mask 361. (Ie, irradiation regions 81 and 82 adjacent in the main scanning direction) are set to coincide with element regions 92 adjacent to each other in the main scanning direction.

したがって、図１０〜１２に示すように、副走査方向に沿う複数の要素領域９２の各列が、主走査方向の（−Ｙ）側から（＋Ｙ）側へ向かう順（すなわち、図１０〜１２中、列Ａ１、列Ａ２、列Ａ３の順）に照射領域８１と重なって、中強度での１回分の露光量が付与されることとなる。一方、列Ａ１の各要素領域９２は、照射領域８１が列Ａ２の各要素領域９２と重なるときに照射領域８２と重なって、要素領域９２の一部分（中央部分）についての２回目の露光が行われる（図１１参照）。同様に、列Ａ２の各要素領域９２は、照射領域８１が列Ａ３の要素領域９２と重なるときに、照射領域８２と重なって２回目の露光が行われる（図１２参照）。   Accordingly, as shown in FIGS. 10 to 12, the columns of the plurality of element regions 92 along the sub-scanning direction are in order from the (−Y) side to the (+ Y) side in the main scanning direction (that is, FIGS. 10 to 12). Middle, column A1, column A2, and column A3) are overlapped with the irradiation region 81, and a single exposure amount at medium intensity is given. On the other hand, each element region 92 in the column A1 overlaps the irradiation region 82 when the irradiation region 81 overlaps each element region 92 in the column A2, and the second exposure is performed on a part (center portion) of the element region 92. (See FIG. 11). Similarly, each element region 92 in the column A2 is exposed to the second time by overlapping with the irradiation region 82 when the irradiation region 81 overlaps with the element region 92 in the column A3 (see FIG. 12).

すなわち、列Ａ１〜Ａ３の各要素領域９２は、まず透過パターンＳＬＧ１を介して露光され、さらに露光部３０が基板９に対して１サブ画素分相対移動した後に、透過パターンＳＬＧ２を介して露光されることとなる。このような往路側の露光走査により、基板９の走査領域Ａｓのうちの各サブ画素に相当する部分（要素領域９２）のが、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を透過したパルス光により重畳的に露光されることとなる。   That is, the element regions 92 in the columns A1 to A3 are first exposed through the transmission pattern SLG1, and further exposed through the transmission pattern SLG2 after the exposure unit 30 has moved relative to the substrate 9 by one subpixel. The Rukoto. By such forward exposure scanning, a portion (element region 92) corresponding to each sub-pixel in the scanning region As of the substrate 9 is superimposedly exposed by the pulsed light transmitted through the transmission patterns SLG1 and SLG2. The Rukoto.

なお、重畳的に露光された部分（図１０〜１２中、比較的密な斜線ハッチングで示す。）は、１回分の露光がなされた部分（図１０〜１２中、比較的疎な斜線ハッチングで示す。）よりも副走査方向において狭い範囲となる。したがって、本実施形態では、往路側の露光走査による基板９上の露光部分には、後工程の現像処理直後において、ＸＺ平面の断面形状が中央部分で鉛直方向に突出する凸型形状のカラーフィルタのサブ画素が形成されることとなる。以上が、往路側の露光走査についての説明である。次に、復路側の露光走査について説明する。   Note that a portion exposed in a superimposed manner (indicated by relatively dense hatching in FIGS. 10 to 12) is a portion exposed by one exposure (in FIG. 10 to 12 by relatively sparse hatching). This is a narrower range in the sub-scanning direction than that shown in FIG. Therefore, in the present embodiment, the exposed portion on the substrate 9 by the forward-side exposure scanning includes a convex color filter in which the cross-sectional shape of the XZ plane protrudes in the vertical direction at the central portion immediately after the development process in the subsequent step. The sub-pixels are formed. The above is the description of the forward-side exposure scanning. Next, the exposure scanning on the return path side will be described.

＜復路側の露光走査＞
図１３〜図１５は、復路側の露光走査における基板９の露光状況を説明するための図である。なお、図１３〜図１５は、図１０〜１２と同様に、基板９の描画対象領域９１の一部分を示している。 <Exposure scan on the return path>
FIGS. 13 to 15 are views for explaining the exposure state of the substrate 9 in the exposure scanning on the backward path side. 13 to 15 show a part of the drawing target area 91 of the substrate 9 as in FIGS.

前述のように、パターン描画装置１００は、基板９に対して露光部３０を主走査方向の（−Ｙ）側へ一定速度で相対移動させつつ露光する場合（すなわち、復路側の露光走査の場合）、マスク３６１に形成された透過パターン群のうちの透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を介して基板９を露光する。   As described above, the pattern drawing apparatus 100 performs exposure while moving the exposure unit 30 relative to the substrate 9 at a constant speed toward the (−Y) side in the main scanning direction (that is, in the case of exposure scanning on the return path side). ), The substrate 9 is exposed through the transmission patterns SLG3 and SLG4 of the transmission pattern group formed on the mask 361.

そこで、図１３〜図１５では、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ３に含まれるスロットＳＬａを透過したパルス光が照射される領域を、照射領域８３として図示している。また、マスク３６１に形成された透過パターンＳＬＧ４に含まれるスロットＳＬｂを透過したパルス光が照射される領域を照射領域８４として図示している。照射領域８３は、照射領域８１と同サイズの矩形領域であり、また、照射領域８４は、照射領域８２と同サイズの矩形領域となっている。   Therefore, in FIGS. 13 to 15, an area irradiated with the pulsed light transmitted through the slot SLa included in the transmission pattern SLG3 formed on the mask 361 is illustrated as an irradiation area 83. In addition, an area irradiated with the pulsed light transmitted through the slot SLb included in the transmission pattern SLG4 formed on the mask 361 is illustrated as an irradiation area 84. The irradiation area 83 is a rectangular area having the same size as the irradiation area 81, and the irradiation area 84 is a rectangular area having the same size as the irradiation area 82.

また、図１４は、図１３に示す照射領域８３，８４が基板９に対して１サブ画素分（−Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。また、図１５は、図１４に示す照射領域８３，８４が基板９に対して１サブ画素分（−Ｙ）側へ相対移動した後の状態を示している。   FIG. 14 shows a state after the irradiation regions 83 and 84 shown in FIG. 13 have moved relative to the substrate 9 by one sub-pixel (−Y) side. FIG. 15 shows a state after the irradiation regions 83 and 84 shown in FIG. 14 have moved relative to the substrate 9 by one sub-pixel (−Y) side.

本実施形態では、上述の透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４が有するスロットＳＬａとスロットＳＬｂの主走査方向における離間距離は、マスク３６１上において、主走査方向に隣り合うスロットＳＬａ，ＳＬｂを透過した光が照射される領域（すなわち、主走査方向において隣り合う照射領域８３，８４）が主走査方向において互いに隣り合う要素領域９２と一致するように設定されている。   In the present embodiment, the distance between the slot SLa and the slot SLb in the main scanning direction of the transmission patterns SLG3 and SLG4 described above is irradiated with light transmitted through the slots SLa and SLb adjacent in the main scanning direction on the mask 361. Regions (that is, irradiation regions 83 and 84 adjacent in the main scanning direction) are set to coincide with element regions 92 adjacent to each other in the main scanning direction.

したがって、図１３〜１５に示すように、副走査方向に沿う複数の要素領域９２の各列が、時系列的に主走査方向の（＋Ｙ）側から（−Ｙ）側へ向かう順（すなわち、図１３〜１５中、列Ｂ１、列Ｂ２、列Ｂ３の順）に照射領域８３と重なり、中間強度での１回分の露光量が付与されることとなる。一方で、列Ｂ１の各要素領域９２は、照射領域８３が列Ｂ２の各要素領域９２と重なるときに、照射領域８４と重なって２回目の露光が行われる（図１４参照）。同様に、列Ｂ２の各要素領域９２については、照射領域８３が列Ｂ３の要素領域９２と重なるときに、照射領域８４と重なって２回目の露光が行われる（図１５参照）。   Therefore, as shown in FIGS. 13 to 15, each column of the plurality of element regions 92 along the sub-scanning direction is time-sequentially from the (+ Y) side to the (−Y) side in the main scanning direction (ie, 13 to 15, the irradiation region 83 is overlapped in the order of column B1, column B2, and column B3, and a single exposure amount at an intermediate intensity is given. On the other hand, each element region 92 in the row B1 is exposed to the second time by overlapping with the irradiation region 84 when the irradiation region 83 overlaps with each element region 92 in the row B2 (see FIG. 14). Similarly, for each element region 92 in column B2, when the irradiation region 83 overlaps with the element region 92 in column B3, the second exposure is performed so as to overlap with the irradiation region 84 (see FIG. 15).

すなわち、列Ｂ１〜Ｂ３の各要素領域９２は、まず透過パターンＳＬＧ３を介して露光され、さらに露光部３０が基板９に対して１サブ画素分相対移動した後に、透過パターンＳＬＧ４を介して露光されることとなる。このような復路側の露光走査により、基板９の走査領域Ａｓのうちの各サブ画素に相当する部分（要素領域９２）が、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を透過したパルス光により重畳的に露光されることとなる。   That is, the element regions 92 in the columns B1 to B3 are first exposed through the transmission pattern SLG3, and further exposed through the transmission pattern SLG4 after the exposure unit 30 has moved relative to the substrate 9 by one subpixel. The Rukoto. By such a return-side exposure scan, a portion (element region 92) corresponding to each sub-pixel in the scanning region As of the substrate 9 is superimposedly exposed by the pulsed light transmitted through the transmission patterns SLG3 and SLG4. It will be.

なお、重畳的に露光された部分（図１３〜１５中、比較的密な斜線ハッチングで示す。）は、一回分の露光がなされた部分（図１３〜１５中、比較的疎な斜線ハッチングで示す。）よりも副走査方向において狭くなっている。したがって、復路側の露光走査における基板９上の露光部分についても、往路側の露光走査における露光部分と同様に、後工程の現像処理によって、ＸＺ平面の断面形状が中央部分で鉛直方向に突出する凸型形状のカラーフィルタのサブ画素が形成されることとなる。   Note that a portion exposed in a superimposed manner (indicated by relatively dense hatching in FIGS. 13 to 15) is a portion subjected to one exposure (indicated by relatively sparse hatching in FIGS. 13 to 15). It is narrower in the sub-scanning direction than that shown in FIG. Therefore, also in the exposure portion on the substrate 9 in the return-side exposure scanning, the cross-sectional shape of the XZ plane protrudes in the vertical direction at the center portion by the development process in the subsequent process, similarly to the exposure portion in the outward-side exposure scanning. A sub-pixel of the convex color filter is formed.

以上のように、本実施形態に係るパターン描画装置１００では、主走査方向の（＋Ｙ）方向（または、−Ｙ方向）についての一回の露光走査で、マスク３６１上の主走査方向に沿って並列的に形成された透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（または、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）を介して基板９を露光する。したがって、従来のように、透過パターンごとに露光部３０を基板９に対して走査させる（すなわち、基板９の描画対象領域９１全面を少なくとも２回走査させる）ことと同様の露光を実現できる。したがって、複数の透過パターンを介した露光処理を効率的に実行できる。   As described above, in the pattern drawing apparatus 100 according to the present embodiment, a single exposure scan in the (+ Y) direction (or −Y direction) in the main scanning direction is performed along the main scanning direction on the mask 361. The substrate 9 is exposed through the transmissive patterns SLG1 and SLG2 (or the transmissive patterns SLG3 and SLG4) formed in parallel. Therefore, as in the prior art, exposure similar to scanning the exposure unit 30 with respect to the substrate 9 for each transmission pattern (that is, scanning the entire drawing target region 91 of the substrate 9 at least twice) can be realized. Therefore, it is possible to efficiently execute the exposure process through a plurality of transmission patterns.

また、本実施形態に係るマスク３６１は、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２と、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４とが、軸Ｑ２を通るＸＺ平面を鏡面とする鏡像関係となるように形成されている。そしてパターン描画装置１００は、往路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ１,ＳＬＧ２を介して露光し、復路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を介して露光する。したがって、レジスト層の露光されるべき部分は、常に、スロットＳＬａを透過したパルス光が照射された後に、スロットＳＬｂを透過したパルス光が照射されることとなる。これにより、往路側の露光走査と復路側の露光走査とで、露光条件を一致させることができるため、描画対象領域９１の全面に亘って、パターン描画を均一に行うことができる。   Further, the mask 361 according to the present embodiment is formed so that the transmissive patterns SLG1 and SLG2 and the transmissive patterns SLG3 and SLG4 have a mirror image relationship with the XZ plane passing through the axis Q2 as a mirror surface. The pattern drawing apparatus 100 exposes through the transmission patterns SLG1 and SLG2 in the forward exposure scan, and exposes through the transmission patterns SLG3 and SLG4 in the return exposure scan. Therefore, the portion to be exposed of the resist layer is always irradiated with the pulsed light transmitted through the slot SLb after being irradiated with the pulsed light transmitted through the slot SLa. As a result, the exposure conditions can be matched between the forward-side exposure scanning and the backward-side exposure scanning, so that pattern drawing can be performed uniformly over the entire drawing target area 91.

＜２．第２実施形態＞
第１実施形態では、マスク３６１において、透過パターンＳＬＧ２を、透過パターンＳＬＧ１の主走査方向の（−Ｙ）側に配置するとともに、透過パターンＳＬＧ４を、透過パターンＳＬＧ３の主走査方向の（＋Ｙ）側に配置するとしているが、透過パターン群の設け方は、これに限られるものではない。 <2. Second Embodiment>
In the first embodiment, in the mask 361, the transmission pattern SLG2 is arranged on the (−Y) side in the main scanning direction of the transmission pattern SLG1, and the transmission pattern SLG4 is arranged on the (+ Y) side in the main scanning direction of the transmission pattern SLG3. However, the method of providing the transmission pattern group is not limited to this.

＜マスク３６１ａ＞
図１６は、本発明の第２実施形態に係るマスク３６１ａを示す上面図である。なお、本実施形態の説明において、第１実施形態と同様の機能を有する要素については同一符号を付してその説明を省略する。 <Mask 361a>
FIG. 16 is a top view showing a mask 361a according to the second embodiment of the present invention. In the description of the present embodiment, elements having the same functions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

本実施形態に係るマスク３６１ａは、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２，ＳＬＧ３が、主走査方向の（＋Ｙ）側から（−Ｙ）側に向かってこの順に形成されているものの、透過パターンＳＬＧ４が省略されている点で第１実施形態に係るマスク３６１と異なる。なお、透過パターンＳＬＧ１と透過パターンＳＬＧ２との間の距離は、第１実施形態に係るマスク３６１に形成されている透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２間の距離と同じである。また、透過パターンＳＬＧ２と透過パターンＳＬＧ３との間の距離は、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２間の距離と一致している。   In the mask 361a according to this embodiment, the transmissive patterns SLG1, SLG2, and SLG3 are formed in this order from the (+ Y) side to the (−Y) side in the main scanning direction, but the transmissive pattern SLG4 is omitted. This is different from the mask 361 according to the first embodiment. Note that the distance between the transmissive patterns SLG1 and SLG2 is the same as the distance between the transmissive patterns SLG1 and SLG2 formed on the mask 361 according to the first embodiment. The distance between the transmissive pattern SLG2 and the transmissive pattern SLG3 is the same as the distance between the transmissive patterns SLG1 and SLG2.

本実施形態では、露光部３０が、往路側の露光走査のときには、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を介して基板９を露光し、復路側の露光走査のときには、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ３を介して露光するように、マスク３６１ａの露光部３０における配置位置がマスク移動機構３６２により調整される。   In the present embodiment, the exposure unit 30 exposes the substrate 9 via the transmission patterns SLG1 and SLG2 during the forward exposure scan, and exposes via the transmission patterns SLG2 and SLG3 during the return exposure scan. As described above, the arrangement position of the mask 361 a in the exposure unit 30 is adjusted by the mask moving mechanism 362.

すなわち、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、往路側及び復路側の露光走査で、スロットＳＬａを透過したパルス光が投射された要素領域９２に対して、所定時間経過後に、スロットＳＬｂを透過したパルス光が照射される。したがって、往路側及び復路側の露光走査において、露光条件を一致させることができるため、描画対象領域９１の全面に亘って、均一なパターンの描画を実現できる。   That is, also in the present embodiment, in the same way as in the first embodiment, after the elapse of a predetermined time with respect to the element region 92 onto which the pulsed light that has passed through the slot SLa is projected in the forward and backward exposure scans, The pulsed light transmitted through SLb is irradiated. Accordingly, since the exposure conditions can be matched in the exposure scanning on the forward path side and the backward path side, uniform pattern drawing can be realized over the entire surface of the drawing target area 91.

また、本実施形態に係るマスク３６１ａについては、第１実施形態に係るマスク３６１に設けた透過パターンＳＬＧ４の加工が不要となるとともに、マスク上に占める透過パターン領域を小さくすることができる。   Further, the mask 361a according to the present embodiment does not require the processing of the transmissive pattern SLG4 provided on the mask 361 according to the first embodiment, and can reduce the transmissive pattern area on the mask.

また、マスク上に占める透過パターン領域を小さくすることができることから、１のマスクにおいて、別の透過パターンを形成する領域を確保できるため、種々の透過パターンを同一マスク上に形成することも可能となる。この場合、照射すべきパターン光を形成する透過パターンを適宜に選択できるようにマスクユニットを構成することで、マスクを交換する手間を省きつつ、様々な種類のパターン光での露光処理を実現できる。   In addition, since the transmissive pattern area on the mask can be reduced, it is possible to secure an area for forming another transmissive pattern in one mask, so that various transmissive patterns can be formed on the same mask. Become. In this case, by configuring the mask unit so that the transmission pattern for forming the pattern light to be irradiated can be appropriately selected, exposure processing with various types of pattern light can be realized while omitting the trouble of replacing the mask. .

＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。 <3. Modification>
As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

例えば、第１実施形態では、往路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を使用し、復路側の露光走査では、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を使用すると説明した。しかし、露光走査時に使用する透過パターンの組み合わせは、このようなものに限られない。   For example, in the first embodiment, it has been described that the transmission patterns SLG1 and SLG2 are used in the forward exposure scan, and the transmission patterns SLG3 and SLG4 are used in the return exposure scan. However, the combination of transmission patterns used during exposure scanning is not limited to this.

すなわち、往路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４を使用し、復路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２を使用するようにしてもよい。あるいは、往路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ４（または、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ３）を使用し、復路側の露光走査において、透過パターンＳＬＧ２，ＳＬＧ３（または、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ４）を使用してもよい。   That is, the transmission patterns SLG3 and SLG4 may be used in the forward exposure scan, and the transmission patterns SLG1 and SLG2 may be used in the return exposure scan. Alternatively, the transmissive patterns SLG1 and SLG4 (or transmissive patterns SLG2 and SLG3) are used in the forward exposure scan, and the transmissive patterns SLG2 and SLG3 (or transmissive patterns SLG1 and SLG4) are used in the backward exposure scan. May be.

また、第１実施形態では、透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４の全てを同一のマスク３６１に形成されているが、必ずしも同一のマスク３６１上に形成されている必要はない。すなわち、透過パターンＳＬＧ１〜ＳＬＧ４のうちのいずれかを別のマスクに形成するとともに、往路側（あるいは、復路側）の露光走査において、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（あるいは、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）を選択可能とするマスク移動機構を適宜に設けることで、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   In the first embodiment, all of the transmissive patterns SLG1 to SLG4 are formed on the same mask 361, but it is not always necessary to be formed on the same mask 361. That is, any one of the transmissive patterns SLG1 to SLG4 is formed on another mask, and the transmissive patterns SLG1 and SLG2 (or transmissive patterns SLG3 and SLG4) are selected in the exposure scanning on the forward path side (or the backward path side). The effects similar to those of the above-described embodiment can be obtained by appropriately providing a mask moving mechanism that can be used.

また、第１実施形態では、使用する透過パターンの組み合わせを、往路側と復路側との露光走査で変更するとしているが、往路側と復路側との露光走査で、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（または、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）のみを使用してもよい。また、マスク３６１の代わりに、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（あるいは、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）のみが形成されたマスクを使用して、露光部３０が往路側及び復路側の露光走査をするようにしてもよい。   In the first embodiment, the combination of transmission patterns to be used is changed by the exposure scanning on the forward path side and the backward path side. However, the transmission patterns SLG1, SLG2 (or on the exposure scanning on the forward path side and the backward path side) are used. Only the transmission patterns SLG3 and SLG4) may be used. Further, instead of the mask 361, a mask on which only the transmissive patterns SLG1 and SLG2 (or the transmissive patterns SLG3 and SLG4) are formed is used so that the exposure unit 30 performs exposure scanning on the forward path side and the backward path side. Also good.

また、上記実施形態では、スロットＳＬａ及びスロットＳＬｂを介して、主走査方向において隣り合う要素領域９２を同時に照射するように、スロットＳＬａ，ＳＬｂの主走査方向の配置位置を設定しているが、スロットＳＬａ，ＳＬｂの配置位置はこれに限られるものではない。例えば、主走査方向においてＮ個分（ただし、Ｎは２以上の整数）の要素領域９２を間に挟んで離間する２つの要素領域９２のそれぞれに、スロットＳＬａ，ＳＬｂを介したパターン光を照射するように、主走査方向のスロットＳＬａ，ＳＬｂ間の離間距離が設定されてもよい。この場合、マスクを介して照射される照射領域８１，８２（または、照射領域８３，８４）が主走査方向において要素領域９２のＮ個分離間することとなるが、（＋Ｙ）側または（−Ｙ）側への１回分の露光走査で、各要素領域９２を照射領域８１，８２（または、照射領域８３，８４）が通過するため、結果的には、複数の透過パターンを介しての重畳的露光が行われることとなる。   In the above embodiment, the arrangement positions of the slots SLa and SLb in the main scanning direction are set so that the element regions 92 adjacent in the main scanning direction are simultaneously irradiated via the slot SLa and the slot SLb. The arrangement positions of the slots SLa and SLb are not limited to this. For example, pattern light via the slots SLa and SLb is irradiated to each of two element regions 92 that are spaced apart from each other with N element regions 92 interposed therebetween in the main scanning direction (where N is an integer of 2 or more). As described above, the distance between the slots SLa and SLb in the main scanning direction may be set. In this case, the irradiation regions 81 and 82 (or irradiation regions 83 and 84) irradiated through the mask are separated by N of the element regions 92 in the main scanning direction, but the (+ Y) side or (− Y) Since the irradiation areas 81 and 82 (or the irradiation areas 83 and 84) pass through the element areas 92 in one exposure scan to the side, as a result, superposition via a plurality of transmission patterns is performed. Exposure is performed.

また、上記実施形態では、パターン描画装置１００は、マスク３６１，３６１ａに形成された２種類の透過パターン群を介して、所定形状のパターン光を基板９に照射しているが、例えば、互いに同一または異なる形状のパターン光を透過する３以上の透過パターン群をマスクに設け、これら３以上の透過パターン群を同時に介して基板９を露光するようにしてもよい。この場合には、より複雑な条件での露光が可能となるため、露光走査回数を増やすことなく、パターン描画の自由度を高めることができる。   In the above embodiment, the pattern drawing apparatus 100 irradiates the substrate 9 with pattern light having a predetermined shape via two types of transmission pattern groups formed on the masks 361 and 361a. Alternatively, three or more transmission pattern groups that transmit pattern lights having different shapes may be provided in the mask, and the substrate 9 may be exposed through these three or more transmission pattern groups simultaneously. In this case, since exposure under more complicated conditions is possible, the degree of freedom of pattern drawing can be increased without increasing the number of exposure scans.

また、上記実施形態では、副走査方向におけるスロットＳＬｂの幅を、スロットＳＬａに比べて短くすることで、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２（または、透過パターンＳＬＧ３，ＳＬＧ４）のそれぞれを透過させるパターン光の形状を異ならせている。しかし、これに限られず、透過部について、幾何学的な形状（矩形、十字型、鉤型、円形（楕円形を含む）等）の違いや、配置方向の違い（縦横の向きが異なる）等によって、透過させるパターン光の形状を異ならせることも妨げられない。   In the above embodiment, the width of the slot SLb in the sub-scanning direction is shorter than the slot SLa, so that the shape of the pattern light that transmits each of the transmissive patterns SLG1 and SLG2 (or the transmissive patterns SLG3 and SLG4). Are different. However, the present invention is not limited to this, and the transmissive part is different in geometric shape (rectangular, cross-shaped, saddle-shaped, circular (including ellipse), etc.), disposition direction (vertical and horizontal orientations are different), etc. Therefore, it is not hindered to change the shape of the transmitted pattern light.

図１７は、変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。すなわち、種々の幾何学的形状を持つ透過部の例として、矩形のスロットＳＬａ，ＳＬｂの他、図１７に示すような、十字型のスロットＳＬｃ、鉤型のスロットＳＬｄ、楕円形のスロットＳＬｅ等が挙げられる。また、配置方向の違いの例としては、図１７に示すスロットＳＬｂと、これを回転配置したスロットＳＬｆなど、所定角度回転させて配置する場合等が挙げられる。   FIG. 17 is a top view showing a slot (transmission portion) according to a modification. That is, as an example of the transmissive portion having various geometric shapes, in addition to the rectangular slots SLa and SLb, as shown in FIG. 17, a cross-shaped slot SLc, a saddle-shaped slot SLd, an elliptical slot SLe, etc. Is mentioned. Further, as an example of the difference in arrangement direction, there is a case where the slot SLb shown in FIG. 17 and the slot SLf in which the slot SLb is rotated are arranged by being rotated by a predetermined angle.

また、上記実施形態では、スロットＳＬａ，ＳＬｂを主走査方向の同軸上に配置することで、重畳的な露光を行うようにしているが、スロットＳＬａ，ＳＬｂを副走査方向において互いにずらした位置に配置して、各スロットＳＬａ，ＳＬｂのそれぞれを透過したパターン光が、互いに副走査方向にずれた状態でレジスト層に照射されるようにしてもよい。この場合、主走査方向の（＋Ｙ）側または（−Ｙ）側への1回の露光走査で、照射領域８１，８２（８３，８４）が異なる直線上を走査することとなるため、重畳的な露光がなされなくなるが、複数の透過パターンを介した効率的なパターン描画を実現できる。もちろん、この場合の複数の透過パターンは、互いに異なるパターン光を成形するものあってもよいし、同一のパターン光を成形するものであってもよい。   In the above embodiment, the slots SLa and SLb are arranged coaxially in the main scanning direction so as to perform superimposing exposure. However, the slots SLa and SLb are shifted from each other in the sub-scanning direction. It is also possible to arrange and irradiate the resist layer with the pattern light transmitted through each of the slots SLa and SLb while being shifted from each other in the sub-scanning direction. In this case, the irradiation areas 81 and 82 (83, 84) are scanned on different straight lines in one exposure scan to the (+ Y) side or the (−Y) side in the main scanning direction. However, efficient pattern drawing through a plurality of transmission patterns can be realized. Of course, the plurality of transmission patterns in this case may form different pattern lights, or may form the same pattern light.

また、上記実施形態では、マスク３６１，３６１ａを単一の構成としているが、例えば、複数のマスクを上下に組み合わせて、これら複数のマスクを水平方向に相対移動させて各スロットの縦横長さを調整することで、レジスト層に照射するパターン光の形状を任意に調整できるようにしてもよい。   In the above embodiment, the masks 361 and 361a have a single configuration. For example, a plurality of masks are combined vertically, and the plurality of masks are moved relative to each other in the horizontal direction so that the vertical and horizontal lengths of each slot are increased. By adjusting, the shape of the pattern light applied to the resist layer may be arbitrarily adjusted.

また、上記実施形態では、ネガ型のカラーレジストを用いる場合について説明したが、ポジ型のカラーレジストを用いる場合には、マスク３６１，３６１ａに形成された透過部分と遮光部分とを逆転させたマスクを用いることにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   In the above-described embodiment, the case where a negative color resist is used has been described. However, when a positive color resist is used, a mask in which a transmission portion and a light shielding portion formed in the masks 361 and 361a are reversed. By using, effects similar to those of the above embodiment can be obtained.

また、上記実施形態では、スロットＳＬａ，ＳＬｂの領域は、パルス光をそのまま透過させているが、スロット（透過部）の構成は、このようなものに限られない。   Moreover, in the said embodiment, although the area | region of slot SLa and SLb permeate | transmits pulsed light as it is, the structure of a slot (transmission part) is not restricted to such a thing.

図１８は、その他の変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。すなわち、各スロットＳＬａ，ＳＬｂの領域の内側の一部に遮光部分（不透明性部分）を設けることで、スロットが、内側で部分的に遮光されたパターン光を成形するようにしてもよい。例えば、図１８に示すスロットＳＬｇのように、内部に光を遮断する不透明性部分Ｍ１を設けた場合には、帯状の光束を得ることが可能となる。   FIG. 18 is a top view showing a slot (transmission portion) according to another modification. That is, by providing a light shielding part (opaque part) in a part of the inside of each of the slots SLa and SLb, the slot may form pattern light partially shielded on the inside. For example, when an opaque portion M1 that blocks light is provided inside like a slot SLg shown in FIG. 18, it becomes possible to obtain a strip-shaped light flux.

また、スロットＳＬａ，ＳＬｂの領域の内側の一部または全部に、所定の透過率を有する半透明性部分を設けることにより、レジスト層に照射するパルス光の強度を当該透過率で部分的に調整することも妨げられない。例えば、図１８に示すスロットＳＬｈのように、内部に半透明性部分Ｍ２を設けた場合、周辺部分と中央部分とで露光強度の異なるパターン光を得ることができる。   In addition, by providing a translucent portion having a predetermined transmittance in part or all of the inside of the slot SLa and SLb regions, the intensity of the pulsed light applied to the resist layer is partially adjusted by the transmittance. It is not hindered to do. For example, when the translucent portion M2 is provided inside like the slot SLh shown in FIG. 18, it is possible to obtain pattern light having different exposure intensities in the peripheral portion and the central portion.

また、上記実施形態では、カラーフィルタ用の基板を製造する場合について説明したが、パターン描画装置１００は、このようなものに限られるものではなく、透過パターン群が形成されたマスクを用いて所定パターンを描画する（潜像を形成する）種々の装置に変形利用できる。   Moreover, although the case where the substrate for color filters was manufactured was demonstrated in the said embodiment, the pattern drawing apparatus 100 is not restricted to such a thing, It is predetermined using the mask in which the transmissive pattern group was formed. The present invention can be modified for use in various apparatuses that draw a pattern (form a latent image).

さらに、上記各実施形態及び変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜に組み合わせることができる。   Furthermore, each structure demonstrated by said each embodiment and modification can be suitably combined unless it mutually contradicts.

本発明の第１実施形態に係るパターン描画装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the pattern drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 第１実施形態に係るパターン描画装置の上面図である。It is a top view of the pattern drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係るマスクユニットの構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the mask unit which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係るマスクを示す上面図である。It is a top view which shows the mask which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る制御部を含むパターン描画装置の構成を概念的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows notionally the composition of the pattern drawing device containing the control part concerning a 1st embodiment. 第１実施形態に係るパターン描画装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the pattern drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係るパターン描画装置がパターン描画するときの基板の露光状態を示す図である。It is a figure which shows the exposure state of a board | substrate when the pattern drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment draws a pattern. 第１実施形態に係るパターン描画装置がパターン描画するときの基板の露光状態を示す図である。It is a figure which shows the exposure state of a board | substrate when the pattern drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment draws a pattern. 第１実施形態に係るパターン描画装置がパターン描画するときの基板の露光状態を示す図である。It is a figure which shows the exposure state of a board | substrate when the pattern drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment draws a pattern. 往路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure condition of the board | substrate in the exposure scanning of an outward path | route. 往路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure condition of the board | substrate in the exposure scanning of an outward path | route. 往路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure condition of the board | substrate in the exposure scanning of an outward path | route. 復路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure condition of the board | substrate in the exposure scanning of a return path | trip side. 復路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure condition of the board | substrate in the exposure scanning of a return path | trip side. 復路側の露光走査における基板の露光状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure condition of the board | substrate in the exposure scanning of a return path | trip side. 第２実施形態に係るマスクを示す上面図である。It is a top view which shows the mask which concerns on 2nd Embodiment. 変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。It is a top view which shows the slot (transmission part) which concerns on a modification. その他の変形例に係るスロット（透過部）を示す上面図である。It is a top view which shows the slot (transmission part) which concerns on another modification.

符号の説明Explanation of symbols

１００ パターン描画装置
２０ 駆動部（移動機構）
２３ 副走査機構
２５ 主走査機構
３０ 露光部
３６ マスクユニット
３６１，３６１ａ マスク
３６２ マスク移動機構
８１〜８４ 照射領域
９ 基板
９１ 描画対象領域
９２ 要素領域
Ａｓ 走査領域
ＳＬＧ１，ＳＬＧ２，ＳＬＧ３，ＳＬＧ４ 透過パターン
ＳＬａ〜ＳＬｈ スロット（透過部） 100 Pattern Drawing Device 20 Drive Unit (Movement Mechanism)
23 Sub-scanning mechanism 25 Main scanning mechanism 30 Exposure unit 36 Mask unit 361, 361a Mask 362 Mask moving mechanism 81-84 Irradiation area 9 Substrate 91 Drawing target area 92 Element area As scanning area SLG1, SLG2, SLG3, SLG4 Transmission pattern SLa- SLh slot (transmission part)

Claims (8)

マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画装置であって、
第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向の側に配置される第２透過パターンとが形成されたマスクを含み、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光する露光部と、
前記露光部を前記基板に対して前記主走査方向に相対移動させることにより、前記露光部を前記基板に対して露光走査させる移動機構と、
を備え、
前記露光部は、
前記マスクに形成された前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層を露光走査することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とするパターン描画装置。 A pattern drawing apparatus for drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer by intermittently exposing the photosensitive material layer formed on the substrate through a transmission pattern that transmits light formed on the mask. ,
A photosensitive material layer formed on the substrate is intermittently formed including a mask in which a first transmission pattern and a second transmission pattern arranged on a side in a predetermined main scanning direction with respect to the first transmission pattern are formed. An exposure part for exposing to,
A moving mechanism for exposing and scanning the exposure unit relative to the substrate by moving the exposure unit relative to the substrate in the main scanning direction;
With
The exposure unit is
A predetermined pattern is drawn on the photosensitive material layer by exposing and scanning the photosensitive material layer formed on the substrate through the first transmission pattern and the second transmission pattern formed on the mask. A characteristic pattern drawing apparatus. 請求項１に記載のパターン描画装置であって、
前記露光部は、
前記主走査方向の一方向についての露光走査において、前記第１透過パターンを介して露光した露光領域について、前記第２透過パターンを介して重畳的に露光することを特徴とするパターン描画装置。 The pattern drawing apparatus according to claim 1,
The exposure unit is
In the exposure scanning in one direction of the main scanning direction, an exposure region exposed through the first transmission pattern is exposed in a superimposed manner through the second transmission pattern. 請求項１または２に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、所定の副走査方向に沿って設けられた１以上の第１透過部を有し、前記第２透過パターンは、前記１以上の第１透過部のそれぞれに対して主走査方向に沿う位置に、第２透過部を有することを特徴とするパターン描画装置。 The pattern drawing apparatus according to claim 1, wherein:
The first transmission pattern has one or more first transmission parts provided along a predetermined sub-scanning direction, and the second transmission pattern is mainly provided for each of the one or more first transmission parts. A pattern drawing apparatus having a second transmission part at a position along a scanning direction. 請求項１から３のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、第２透過パターンとは異なる形状のパターン光を透過させることを特徴とするパターン描画装置。 It is a pattern drawing apparatus of any one of Claim 1 to 3,
The pattern drawing apparatus, wherein the first transmission pattern transmits pattern light having a shape different from that of the second transmission pattern. 請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、
前記マスクには、前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンと、当該第３透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、前記第２透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第４透過パターンとがさらに形成されており、
前記露光部は、
前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、
前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第３透過パターンと前記第４透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とするパターン描画装置。 The pattern drawing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The first transmission pattern is disposed on one side of the main scanning direction with respect to the second transmission pattern,
The mask is arranged with a third transmission pattern that transmits substantially the same pattern light as the first transmission pattern, and one side of the main scanning direction with respect to the third transmission pattern, and the second transmission pattern A fourth transmission pattern that transmits substantially the same pattern light is further formed;
The exposure unit is
When exposing and scanning the substrate toward one side in the main scanning direction, the photosensitive material layer is exposed through the first transmission pattern and the second transmission pattern, and
When the substrate is exposed and scanned toward the other side in the main scanning direction, the photosensitive material layer is exposed through the third transmissive pattern and the fourth transmissive pattern. apparatus. 請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第１透過パターンは、前記第２透過パターンに対して前記主走査方向の一方側に配置され、
前記マスクには、前記第２透過パターンの前記主走査方向の他方側の位置に前記第１透過パターンと略同一のパターン光を透過させる第３透過パターンがさらに形成されており、
前記露光部は、
前記基板に対して主走査方向の一方側へ向けて露光走査するときは、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光するとともに、
前記基板に対して主走査方向の他方側へ向けて露光走査するときは、前記第２透過パターンと前記第３透過パターンとを介して前記感光性材料層を露光することを特徴とするパターン描画装置。 The pattern drawing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The first transmission pattern is disposed on one side of the main scanning direction with respect to the second transmission pattern,
The mask is further formed with a third transmission pattern that transmits substantially the same pattern light as the first transmission pattern at a position on the other side of the second transmission pattern in the main scanning direction.
The exposure unit is
When exposing and scanning the substrate toward one side in the main scanning direction, the photosensitive material layer is exposed through the first transmission pattern and the second transmission pattern, and
When the substrate is exposed and scanned toward the other side in the main scanning direction, the photosensitive material layer is exposed through the second transmissive pattern and the third transmissive pattern. apparatus. マスクに形成された光を透過する透過パターンを介して、基板に形成された感光性材料層を間欠的に露光することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画するパターン描画方法であって、
(a) 第１透過パターンと、前記第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されたマスクを有する露光部を、基板に対して前記主走査方向に相対移動させる工程と、
(b) 前記(a)工程において、前記基板に対して前記主走査方向へ相対移動する前記露光部から、前記基板に形成された感光性材料層に向けて、前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを透過させた透過光を照射することにより、前記感光性材料層に所定パターンを描画する工程と、
を含むことを特徴とするパターン描画方法。 A pattern drawing method for drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer by intermittently exposing the photosensitive material layer formed on the substrate through a transmission pattern that transmits light formed on the mask. ,
(a) An exposure portion having a mask in which a first transmission pattern and a second transmission pattern arranged on a predetermined main scanning direction side with respect to the first transmission pattern are formed on the substrate. A relative movement in the direction;
(b) In the step (a), from the exposure unit that moves relative to the substrate in the main scanning direction, toward the photosensitive material layer formed on the substrate, the first transmission pattern and the first pattern Irradiating transmitted light that has passed through the two transmissive patterns to draw a predetermined pattern on the photosensitive material layer;
A pattern drawing method comprising: 基板に対して所定の主走査方向へ相対移動しつつ、前記基板に形成された感光性材料層に所定のパターンを描画するための光を透過させる透過パターンが形成されたパターン描画用のマスクであって、
前記マスクは、
第１透過パターンと、当該第１透過パターンに対して所定の主走査方向側に配置された第２透過パターンとが形成されており、
前記主走査方向に沿って移動したときに、所定の光源から照射された光を前記第１透過パターンと前記第２透過パターンとを介して基板に形成された感光性材料層に照射して、前記感光性材料層に所定パターンを描画することを特徴とするパターン描画用のマスク。 A pattern drawing mask having a transmission pattern for transmitting light for drawing a predetermined pattern on the photosensitive material layer formed on the substrate while moving relative to the substrate in a predetermined main scanning direction. There,
The mask is
A first transmission pattern and a second transmission pattern arranged on a predetermined main scanning direction side with respect to the first transmission pattern;
When moving along the main scanning direction, irradiate the photosensitive material layer formed on the substrate through the first transmission pattern and the second transmission pattern with light irradiated from a predetermined light source, A mask for pattern drawing, wherein a predetermined pattern is drawn on the photosensitive material layer.
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WO2013094555A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-27 シャープ株式会社 Exposure device and exposure mask

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