JP2010121182A - Film deposition apparatus - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition apparatus capable of depositing a thin film free from any trouble such as a defect attributable to splash by rapidly removing particles generated in a vapor deposition source causing the splash during the film deposition. <P>SOLUTION: The film deposition apparatus includes a vacuum vessel 2 for storing a substrate W, a bottomed cylindrical hearth 4 which is arranged below a side wall of the vacuum vessel 2 and a film deposition surface of the substrate W to store a material for vapor deposition, and a plasma gun 5 for heating the material for vapor deposition stored in the hearth 4. The hearth 4 is arranged opposite to the plasma gun 5, and the axis L1 of the hearth 4 is substantially orthogonal to the perpendicular L2 of the surface for film deposition of the substrate W. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus.

従来、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一種として、有機発光層を無機陽極と
無機陰極とで挟持した複数の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を備え
た有機ＥＬ装置が知られている。この有機ＥＬ装置は、複数の有機ＥＬ素子を覆う封止層
を備えた素子基板と、この素子基板に対向して配置され接着層を介して接着された封止基
板と、を備えて構成されている。
この有機ＥＬ装置の発光方式としては、有機ＥＬ素子が放つ光を該有機ＥＬ素子が形成
された基板側から取り出すボトムエミッション方式と、有機ＥＬ素子が放つ光を該有機Ｅ
Ｌ素子が形成された基板側とは反対側から取り出すトップエミッション方式とがある。 Conventionally, as a type of flat panel display (FPD), an organic EL device including a plurality of organic electroluminescence elements (organic EL elements) in which an organic light emitting layer is sandwiched between an inorganic anode and an inorganic cathode is known. The organic EL device includes an element substrate including a sealing layer that covers a plurality of organic EL elements, and a sealing substrate that is disposed opposite to the element substrate and bonded via an adhesive layer. ing.
As a light emission method of the organic EL device, a bottom emission method in which light emitted from the organic EL element is extracted from the substrate side on which the organic EL element is formed, and light emitted from the organic EL element is emitted from the organic E device.
There is a top emission system in which the L element is taken out from the side opposite to the substrate side.

ところで、従来の有機ＥＬ装置では、特に低電圧で電子注入効果を得るために電子注入
層を含む無機陰極を非常に活性化する必要があり、そこで、この電子注入層を含む無機陰
極をアルカリ金属やアルカリ土類金属を主成分としているが、これらのアルカリ金属やア
ルカリ土類金属は大気中に存在する水分と簡単に反応して変質してしまい、場合によって
は電子注入層による電子注入効果が無くなり、ダークスポットと称される非発光領域が生
じてしまうという問題点がある。
従来では、このような問題点を解決するために、複数の有機ＥＬ素子を備えた回路基板
全体を水分を遮断するガラスまたは金属からなる封止基板で覆い、この回路基板と封止基
板とを接着剤で貼り合わせて中空構造とし、この中空部に乾燥剤等を備えた構造が一般的
に用いられてきた。 By the way, in the conventional organic EL device, in order to obtain an electron injection effect particularly at a low voltage, it is necessary to activate the inorganic cathode including the electron injection layer. Therefore, the inorganic cathode including the electron injection layer is alkali metal. Or alkaline earth metals, but these alkali metals and alkaline earth metals easily react with moisture present in the atmosphere and change their properties. In some cases, the electron injection layer has an electron injection effect. There is a problem that a non-light-emitting region called a dark spot is generated.
Conventionally, in order to solve such a problem, the entire circuit board including a plurality of organic EL elements is covered with a sealing substrate made of glass or metal that blocks moisture, and the circuit substrate and the sealing substrate are covered. A structure in which a hollow structure is formed by bonding with an adhesive and a drying agent or the like is provided in the hollow part has been generally used.

しかしながら、このような構造の有機ＥＬ装置においては、接着剤の部分から侵入する
水分を乾燥剤で吸収することができるものの、構造の強度及び製造コストの点で大きな制
約があり、そこで、近年では、封止基板の替わりに、低温下でも水分を遮断する窒化ケイ
素（ＳｉＮ_ｘ）や酸窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等の高密度ガスバリア層と、このガスバ
リア層のクラックを防止しかつ画素隔壁及び配線等により生じた表面の凹凸形状を平坦化
するための有機緩衝層とを含む多層構造の薄膜封止層による封止技術が用いられるように
なってきている（特許文献１〜５等参照）。この高密度ガスバリア層は、プラズマガン方
式のイオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタリング、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表
面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤ等の高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相
成長法により成膜することができる。 However, in the organic EL device having such a structure, moisture entering from the adhesive portion can be absorbed by the desiccant, but there are significant restrictions in terms of the strength of the structure and the manufacturing cost. In place of the sealing substrate, a high-density gas barrier layer such as silicon nitride (SiN _x ) or silicon oxynitride (SiO _x N _y ) that blocks moisture even at a low temperature, and prevents cracks in the gas barrier layer and pixel partition walls In addition, a sealing technique using a thin film sealing layer having a multilayer structure including an organic buffer layer for flattening the uneven shape of the surface caused by wiring and the like has been used (see Patent Documents 1 to 5). ). This high-density gas barrier layer is formed by a high-density plasma vapor deposition method using a high-density plasma source such as plasma gun type ion plating, ECR plasma sputtering, ECR plasma CVD, surface wave plasma CVD, or ICP-CVD. can do.

この薄膜封止層は、透明でありかつ水分遮断性に極めて優れていることにより、白色発
光素子とカラーフィルタとを含むフルカラーパネルの実用化を進展させる主要技術になっ
ている。
特開２００５−３８７８４号公報 特開２００５−１３５６８７号公報 特開２００５−３１０４７２号公報 特開２００６−１９６７８号公報 特開２００８−１５０６６２号公報 Since this thin film sealing layer is transparent and has an extremely excellent moisture barrier property, it has become a main technology for promoting the practical application of full color panels including white light emitting elements and color filters.
JP 2005-38784 A JP 2005-135687 A JP 2005-310472 A JP 2006-19678 A JP 2008-150662 A

しかしながら、従来の多層構造の薄膜封止層では、高密度ガスバリア層にスプラッシュ
が原因と思われる欠陥が生じてしまい、その結果、薄膜封止層の膜性能が低下するという
問題点があった。
このスプラッシュは、高密度ガスバリア層を構成する窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）や酸窒化
ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等を成膜する際に、蒸着材料である酸化ケイ素（ＳｉＯ）からケ
イ素が析出し、Ｓｉ粒子となって水しぶきのように基板の表面に付着する現象であり、高
密度ガスバリア層を成膜する際に、そのＳｉ粒子を取り除く必要があるが、真空装置内で
取り除くことは難しい。 However, the conventional multi-layered thin film sealing layer has a problem that the high-density gas barrier layer has a defect that is considered to be caused by splash, and as a result, the film performance of the thin film sealing layer is deteriorated.
In the splash, when silicon nitride (SiN _x ), silicon oxynitride (SiO _x N _y ) or the like constituting the high-density gas barrier layer is formed, silicon is deposited from silicon oxide (SiO) as a deposition material, This is a phenomenon that becomes Si particles and adheres to the surface of the substrate like spraying, and it is necessary to remove the Si particles when forming the high-density gas barrier layer, but it is difficult to remove them in a vacuum apparatus.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、成膜する際に、スプラ
ッシュの原因となる蒸着源にて発生する粒子を速やかに取り除くことにより、スプラッシ
ュに起因する欠陥等の不具合が生じる虞の無い薄膜を成膜することができる成膜装置を提
供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problem, and when forming a film, by quickly removing particles generated in a vapor deposition source causing splash, defects caused by splash, etc. It is an object of the present invention to provide a film forming apparatus capable of forming a thin film that does not cause the above-described problem.

本発明は、上記の課題を解決するために、次のような成膜装置を提供した。
本発明の成膜装置は、基板を収納する真空容器と、この真空容器内かつ前記基板の成膜
面の下方に配設され蒸着材料を収納する有底筒状の蒸着材料用容器と、この蒸着材料用容
器内の蒸着材料を加熱する加熱手段とを備え、前記蒸着材料用容器の軸線は、前記基板の
成膜面の垂線と交差してなることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention provides the following film forming apparatus.
A film forming apparatus of the present invention includes a vacuum container for storing a substrate, a bottomed cylindrical container for a vapor deposition material that is disposed in the vacuum container and below the film formation surface of the substrate, and stores a vapor deposition material. Heating means for heating the vapor deposition material in the vapor deposition material container, and the axis of the vapor deposition material container intersects the perpendicular of the film formation surface of the substrate.

この構成によれば、成膜する際に、蒸着材料用容器内の蒸着材料を加熱手段により加熱
すると、この蒸着材料の表面に加熱による温度の偏りが生じ、この温度の偏りにより蒸着
材料が部分的に過熱されて該蒸着材料からスプラッシュの原因となる粒子が析出する。こ
の粒子は、蒸着材料の表面が傾いていることで、この表面から落下して取り除かれ、この
表面上に停滞することはない。
以上により、成膜する際に、蒸着材料の表面にスプラッシュの原因となる粒子が析出し
た場合においても、この粒子を蒸着材料の表面上に停滞させずに落下させることで、速や
かに取り除くことができる。したがって、蒸着材料の表面にスプラッシュの原因となる粒
子が析出したとしても、この粒子を蒸着材料の表面から速やかに取り除くことで、成膜さ
れる膜表面へのスプラッシュによる悪影響を防止することができ、膜の品質を向上させる
ことができる。 According to this configuration, when the vapor deposition material in the vapor deposition material container is heated by the heating means during film formation, a temperature deviation occurs due to the heating on the surface of the vapor deposition material. The particles that cause the splash are deposited from the vapor deposition material. Since the surface of the vapor deposition material is inclined, the particles are dropped and removed from the surface, and do not stay on the surface.
As described above, even when particles causing splash are deposited on the surface of the vapor deposition material during film formation, the particles can be quickly removed by dropping the particles without stagnation on the surface of the vapor deposition material. it can. Therefore, even if particles that cause splash are deposited on the surface of the vapor deposition material, the particles can be removed from the surface of the vapor deposition material quickly to prevent adverse effects due to splash on the film surface. The film quality can be improved.

本発明においては、前記蒸着材料の表面における垂線は、前記基板の成膜面の垂線と略
直交してなることが好ましい。
この構成によれば、蒸着材料の表面が基板の成膜面に対して略直交しているので、蒸着
材料の表面にスプラッシュの原因となる粒子が析出した場合においても、この粒子を蒸着
材料の表面から略真下に落下させることで速やかに取り除くことができる。したがって、
蒸着材料の表面にスプラッシュの原因となる粒子が析出したとしても、この粒子を蒸着材
料の表面から速やかに取り除くことで、成膜される膜表面へのスプラッシュによる悪影響
を防止することができ、膜の品質を向上させることができる。 In the present invention, it is preferable that the perpendicular on the surface of the vapor deposition material is substantially perpendicular to the perpendicular of the film formation surface of the substrate.
According to this configuration, since the surface of the vapor deposition material is substantially orthogonal to the film formation surface of the substrate, even when particles that cause splash are deposited on the surface of the vapor deposition material, the particles are deposited on the surface of the vapor deposition material. It can be removed quickly by dropping it almost directly from the surface. Therefore,
Even if particles that cause splash are deposited on the surface of the vapor deposition material, by removing these particles quickly from the surface of the vapor deposition material, adverse effects due to splash on the film surface to be deposited can be prevented. Can improve the quality.

本発明においては、前記蒸着材料用容器の側壁の高さは、前記基板側が高くかつ前記真
空容器の底面側が低いことが好ましい。
この構成によれば、蒸着材料用容器の側壁の高さを、基板側が高くかつ真空容器の底面
側が低くなるようにしたので、蒸着材料の表面にスプラッシュの原因となる粒子が析出し
た場合においても、この粒子を蒸着材料の表面上に停滞させることなく速やかに略真下に
落下させ、取り除くことができる。したがって、蒸着材料の表面にスプラッシュの原因と
なる粒子が析出したとしても、この粒子を蒸着材料の表面から速やかに取り除くことで、
成膜される膜表面へのスプラッシュによる悪影響を防止することができ、膜の品質を向上
させることができる。 In the present invention, the height of the side wall of the vapor deposition material container is preferably high on the substrate side and low on the bottom side of the vacuum container.
According to this configuration, since the height of the side wall of the vapor deposition material container is set so that the substrate side is high and the bottom surface side of the vacuum container is low, even when particles causing splash are deposited on the surface of the vapor deposition material. The particles can be dropped and removed almost immediately without stagnation on the surface of the vapor deposition material. Therefore, even if particles that cause splash are deposited on the surface of the vapor deposition material, by quickly removing these particles from the surface of the vapor deposition material,
An adverse effect due to splash on the surface of the film to be formed can be prevented, and the quality of the film can be improved.

本発明においては、前記蒸着材料は円柱状であることが好ましい。
この構成によれば、蒸着材料を円柱状としたので、蒸着材料の表面にスプラッシュの原
因となる粒子が析出した場合においても、この粒子を蒸着材料の略円形状の表面から下方
に落下させることで速やかに取り除くことができる。 In the present invention, the vapor deposition material is preferably cylindrical.
According to this configuration, since the vapor deposition material has a cylindrical shape, even when particles causing splash are deposited on the surface of the vapor deposition material, the particles are dropped downward from the substantially circular surface of the vapor deposition material. Can be removed quickly.

本発明においては、前記蒸着材料用容器に、前記蒸着材料を前記真空容器内へ向かって
押し出す押し出し機構を設けてなることが好ましい。
この構成によれば、成膜の進行に伴い蒸着材料の表面が蒸着材料用容器の開口部から後
退した場合においても、押し出し機構を駆動させることにより、蒸着材料の表面を蒸着材
料用容器の開口部近傍に移動させることができる。したがって、成膜時のレートを変える
ことなく、厚み等の均一な膜を成膜することができる。 In this invention, it is preferable to provide the extrusion mechanism which extrudes the said vapor deposition material toward the said vacuum vessel in the said container for vapor deposition materials.
According to this configuration, even when the surface of the vapor deposition material is retracted from the opening of the vapor deposition material container as the film formation proceeds, the surface of the vapor deposition material is opened by driving the extrusion mechanism. It can be moved to the vicinity of the part. Therefore, a film having a uniform thickness can be formed without changing the film formation rate.

本発明においては、前記蒸着材料用容器は、その軸線の周りに回転または回動可能であ
ることが好ましい。
この構成によれば、蒸着材料用容器をその軸線の周りに回転、または回動させることで
、蒸着材料の表面における局所加熱を低減することができ、この蒸着材料から粒子が析出
するのを抑制することができる。したがって、この蒸着材料から生じるスプラッシュの原
因となる粒子の量を低減することができる。 In this invention, it is preferable that the said container for vapor deposition materials can be rotated or rotated around the axis line.
According to this configuration, by rotating or rotating the vapor deposition material container around its axis, local heating on the surface of the vapor deposition material can be reduced, and the precipitation of particles from this vapor deposition material is suppressed. can do. Therefore, it is possible to reduce the amount of particles that cause the splash generated from the vapor deposition material.

本発明においては、前記蒸着材料用容器を複数個とし、これらの蒸着材料用容器を前記
真空容器内かつ前記基板の成膜面の垂線と交差する方向それぞれに配設するとともに、こ
れら蒸着材料用容器の間に、これら相互間の干渉を阻止する隔壁を設けてなることが好ま
しい。 In the present invention, a plurality of the vapor deposition material containers are provided, and the vapor deposition material containers are disposed in the vacuum container and in the directions intersecting with the perpendicular of the film formation surface of the substrate, respectively. It is preferable to provide a partition wall between the containers to prevent interference between them.

この構成によれば、これらの蒸着材料用容器の間に、これら相互間の干渉を阻止する隔
壁を設けたことにより、一方の蒸着材料用容器から蒸発する蒸発材料が他方の蒸着材料用
容器から蒸発する蒸発材料に悪影響を及ぼしたり、あるいは、一方の蒸発材料から生じた
スプラッシュの原因となる粒子が他方の蒸発材料に悪影響を及ぼしたり等の不具合が発生
するのを防止することができる。
したがって、複数の蒸着材料用容器を用いた複数種の成膜を、これらの蒸着材料間の相
互の干渉なしに行うことができる。 According to this configuration, by providing a partition between these vapor deposition material containers to prevent interference between them, the vaporized material evaporating from one vapor deposition material container is removed from the other vapor deposition material container. It is possible to prevent problems such as adversely affecting the evaporating material that evaporates, or causing particles that cause splash from one evaporating material to adversely affect the other evaporating material.
Therefore, a plurality of types of film formation using a plurality of vapor deposition material containers can be performed without mutual interference between the vapor deposition materials.

本発明においては、前記隔壁は導電性及び耐熱性を有することが好ましい。
この構成によれば、隔壁が導電性及び耐熱性を有することにより、この隔壁が蒸発材料
に対する悪影響や蒸発材料から析出するスプラッシュの原因となる粒子による悪影響を防
止することはもちろんのこと、この隔壁に蒸発材料やスプラッシュの原因となる粒子が付
着した場合においても、帯電したり、熱により変形したり、等の不具合を防止することが
できる。したがって、成膜工程における膜の品質及び成膜効率を向上させることができる
。 In this invention, it is preferable that the said partition has electroconductivity and heat resistance.
According to this configuration, the partition wall has conductivity and heat resistance, so that the partition wall can prevent the partition material from adversely affecting the evaporation material and splashing from the evaporation material. Even when particles that cause evaporation material or splash adhere to the surface, problems such as charging and deformation due to heat can be prevented. Therefore, film quality and film formation efficiency in the film formation process can be improved.

本発明においては、前記隔壁は、正電荷を有しており、蒸発した前記蒸着材料を前記正
電荷の反発力により前記基板に案内する案内部材であることが好ましい。
この構成によれば、蒸着材料用容器から蒸発する蒸発材料は正電荷を有しているので、
この案内部材の有する正電荷の反発力により反発され速やかに基板に案内され、この基板
上に堆積するので、成膜の速度を向上させることができる。したがって、成膜効率を向上
させることができる。 In the present invention, the partition wall is preferably a guide member that has a positive charge and guides the evaporated deposition material to the substrate by a repulsive force of the positive charge.
According to this configuration, since the evaporation material that evaporates from the deposition material container has a positive charge,
The guide member is repelled by the positive charge repulsive force, promptly guided to the substrate, and deposited on the substrate, so that the film forming speed can be improved. Accordingly, film formation efficiency can be improved.

本発明においては、前記案内部材は導電性及び耐熱性を有することが好ましい。
この構成によれば、案内部材が導電性及び耐熱性を有することにより、この案内部材が
蒸発材料に対する悪影響や蒸発材料から析出するスプラッシュの原因となる粒子による悪
影響を防止することはもちろんのこと、この案内部材に蒸発材料やスプラッシュの原因と
なる粒子が付着した場合においても、帯電したり、熱により変形したり、等の不具合を防
止することができる。したがって、成膜工程における膜の品質及び成膜効率を向上させる
ことができる。 In the present invention, the guide member preferably has conductivity and heat resistance.
According to this configuration, the guide member has conductivity and heat resistance, so that this guide member prevents the adverse effect on the evaporation material and the adverse effect due to the particles that cause the splash to precipitate from the evaporation material, Even when evaporating material or particles that cause splash adhere to the guide member, problems such as charging and deformation due to heat can be prevented. Therefore, film quality and film formation efficiency in the film formation process can be improved.

本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。
本発明の実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものでは
なく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。
また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造とは縮尺
や数等が異なっている。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
The embodiment of the present invention shows one aspect of the present invention, and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention.
In the following drawings, in order to make each configuration easy to understand, the scale, number, and the like are different from the actual structure.

「第１の実施の形態」
図１は、本発明の第１の実施形態の成膜装置を示す断面図、図２は同成膜装置のハース
を示す斜視図であり、高密度プラズマ気相成長法により成膜する装置の一種であるプラズ
マガン方式のイオンプレーティング装置と称される成膜装置の例である。 “First Embodiment”
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a hearth of the film forming apparatus. It is an example of a film forming apparatus called a kind of plasma gun type ion plating apparatus.

この成膜装置１は、基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２の上部に設けられ基板
Ｗを真空容器２内に搬送するための基板搬送機構３と、真空容器２内の側壁かつ基板Ｗの
成膜面の下方に配設されたハース（蒸着材料用容器）４と、このハース４に高密度プラズ
マＨＰを入射させて収納された蒸着材料Ｍを加熱するプラズマガン（加熱手段）５と、こ
のハース４の周囲に設けられ入射する高密度プラズマＨＰの向きを制御するハースコイル
６と、プラズマガン５の高密度プラズマＨＰの出射側に設けられ高密度プラズマＨＰの向
きを制御するステアリングコイル７と、真空容器２に設けられ窒素ガス（Ｎ_２）等を導入
するための配管８とにより構成されている。 The film forming apparatus 1 includes a vacuum container 2 that accommodates a substrate W, a substrate transport mechanism 3 that is provided above the vacuum container 2 and transports the substrate W into the vacuum container 2, a side wall in the vacuum container 2, and A hearth (deposition material container) 4 disposed below the film formation surface of the substrate W, and a plasma gun (heating means) for heating the deposition material M stored by making the high-density plasma HP incident on the hearth 4. 5, a hearth coil 6 provided around the hearth 4 for controlling the direction of the incident high-density plasma HP, and a steering wheel provided on the exit side of the high-density plasma HP of the plasma gun 5 for controlling the direction of the high-density plasma HP. The coil 7 is configured by a vacuum vessel 2 and a pipe 8 for introducing nitrogen gas (N ₂ ) or the like.

このハース４は、真空容器２内にプラズマガン５と対向して配置された側壁の高さが一
定の有底円筒状の容器であり、その開口部の形状は円形である。このハース４には、酸化
ケイ素（ＳｉＯ）等の円柱状の蒸着材料Ｍが収納されるとともに、この蒸着材料Ｍを真空
容器２内へ向かって押し出すスクリュウ等の押し出し機構９が設けられている。
このハース４の軸線Ｌ１は、基板Ｗの成膜面の垂線Ｌ２と略直交している。言い換える
と、ハース４の軸線Ｌ１は、基板Ｗの成膜面の下側かつこの成膜面と略平行とされている
。
このハース４は、別途設けられた回転機構あるいは回動機構（図示略）により、その軸
線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２可能となっている。 The hearth 4 is a bottomed cylindrical container with a constant height of the side wall disposed in the vacuum container 2 so as to face the plasma gun 5, and the shape of the opening is circular. In the hearth 4, a cylindrical vapor deposition material M such as silicon oxide (SiO) is accommodated, and an extrusion mechanism 9 such as a screw for extruding the vapor deposition material M into the vacuum vessel 2 is provided.
The axis L1 of the hearth 4 is substantially perpendicular to the perpendicular L2 of the film formation surface of the substrate W. In other words, the axis L1 of the hearth 4 is below the film formation surface of the substrate W and substantially parallel to the film formation surface.
The hearth 4 can be rotated 11 or rotated 12 around its axis (= perpendicular line L1) by a rotation mechanism or a rotation mechanism (not shown) provided separately.

この成膜装置１では、次のようにして基板Ｗの表面に蒸着材料Ｍを成膜する。
真空容器２内を真空ポンプ（図示略）を用いて所定の真空度とした後、配管８から窒素
ガス（Ｎ_２）を導入し、真空容器２内を所定の圧力の窒素ガス雰囲気とする。
次いで、基板搬送機構３により基板Ｗを真空容器２内に搬送し、この真空容器２内の所
定位置に固定する。
次いで、プラズマガン５のステアリングコイル７を調整することにより、プラズマガン
５から真空容器２中に高密度プラズマＨＰを照射させる。 In the film forming apparatus 1, the vapor deposition material M is formed on the surface of the substrate W as follows.
After making the inside of the vacuum vessel 2 have a predetermined degree of vacuum using a vacuum pump (not shown), nitrogen gas (N ₂ ) is introduced from the pipe 8 to make the inside of the vacuum vessel 2 a nitrogen gas atmosphere at a predetermined pressure.
Next, the substrate W is transported into the vacuum container 2 by the substrate transport mechanism 3 and fixed at a predetermined position in the vacuum container 2.
Next, the high-density plasma HP is irradiated from the plasma gun 5 into the vacuum vessel 2 by adjusting the steering coil 7 of the plasma gun 5.

このプラズマガン５から出射された高密度プラズマＨＰは、制御装置（図示略）にてハ
ース４の放電電圧を適当な値に制御することにより、確実にハース４に導かれ、ハース４
中の蒸着材料Ｍを加熱し、蒸発させる。この蒸発した蒸着材料Ｍは、高密度プラズマＨＰ
中にてイオン化するとともに窒素ガス等の雰囲気ガスと反応し、この反応生成物が基板Ｗ
の表面に付着し、成膜される。 The high-density plasma HP emitted from the plasma gun 5 is reliably guided to the hearth 4 by controlling the discharge voltage of the hearth 4 to an appropriate value by a control device (not shown).
The vapor deposition material M inside is heated and evaporated. The evaporated deposition material M is a high density plasma HP.
It is ionized inside and reacts with an atmospheric gas such as nitrogen gas.
A film is deposited on the surface of the film.

ハース４中の蒸着材料Ｍの表面状態は、当初、図３に示すように、その断面が中央部が
湾曲した略楕円形１３である。
この蒸着材料Ｍに高密度プラズマＨＰを照射すると、この高密度プラズマＨＰはそれ自
体偏りを有するので、この高密度プラズマＨＰを用いてハース４中の蒸着材料Ｍを加熱す
ると、この蒸着材料Ｍの表面に加熱による温度の偏りが生じ、この温度の偏りにより蒸着
材料Ｍが部分的に過熱され、図４に示すように、蒸着材料Ｍの表面に、この蒸着材料Ｍ中
の元素を主成分とする粒子１４が生じる。
例えば、蒸着材料Ｍが酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）の場合、粒子１４は単結晶あるいは多結
晶のケイ素（Ｓｉ）である。 The surface state of the vapor deposition material M in the hearth 4 is, as shown in FIG. 3, initially, a substantially elliptical shape 13 whose section is curved at the center.
When the high-density plasma HP is irradiated to the vapor deposition material M, the high-density plasma HP has a bias in itself. Therefore, when the vapor deposition material M in the hearth 4 is heated using the high-density plasma HP, the vapor deposition material M The temperature deviation due to heating occurs on the surface, and the vapor deposition material M is partially overheated due to the temperature deviation, and the elements in the vapor deposition material M are mainly contained on the surface of the vapor deposition material M as shown in FIG. Particles 14 are produced.
For example, when the vapor deposition material M is silicon oxide (SiO _x ), the particles 14 are single crystal or polycrystalline silicon (Si).

このスプラッシュの原因となる粒子１４は、蒸着材料Ｍの表面から容易に剥落し、落下
するので、容易に取り除くことができる。しかも、この粒子１４は、蒸着材料Ｍの表面か
ら簡単に除去することができるので、蒸着材料Ｍの表面にスプラッシュの原因となる粒子
１４が生じたとしても、この粒子１４が蒸着材料Ｍの表面から速やかに落下することで、
成膜される膜表面へ悪影響を及ぼすのを防止することができる。したがって、成膜される
膜表面にスプラッシュに起因する欠陥部が生じる虞が無くなり、薄膜の面内均一性を向上
させることができる。 Since the particles 14 that cause the splash are easily peeled off from the surface of the vapor deposition material M and dropped, they can be easily removed. In addition, since the particles 14 can be easily removed from the surface of the vapor deposition material M, even if the particles 14 causing splash are generated on the surface of the vapor deposition material M, the particles 14 are removed from the surface of the vapor deposition material M. By quickly falling from
It is possible to prevent adverse effects on the film surface to be formed. Therefore, there is no possibility that a defective portion due to splash is generated on the film surface to be formed, and the in-plane uniformity of the thin film can be improved.

この場合、ハース４を、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２さ
せれば、蒸着材料Ｍ自体がその軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２す
ることにより、蒸着材料Ｍの表面における局所加熱を低減することができる。したがって
、この蒸着材料Ｍから生じるスプラッシュの原因となる粒子１４の量を削減することがで
きる。
したがって、成膜される膜表面にスプラッシュに起因する欠陥部が生じる虞が無くなり
、薄膜の面内均一性をさらに向上させることができる。 In this case, if the hearth 4 is rotated 11 or rotated 12 around its axis (= perpendicular L1), the vapor deposition material M itself is rotated 11 or rotated around its axis (= perpendicular L1). By doing, the local heating in the surface of the vapor deposition material M can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the amount of the particles 14 that cause the splash generated from the vapor deposition material M.
Therefore, there is no possibility that a defective portion due to splash occurs on the film surface to be formed, and the in-plane uniformity of the thin film can be further improved.

次に、この成膜装置１を用いて有機ＥＬ装置を製造する方法について説明する。
ここでは、まず、この成膜装置１を用いて得られたトップエミッション方式の有機ＥＬ
装置について、図５に基づき説明する。
この有機ＥＬ装置２１は、素子基板３１と透明保護基板４１とが対向して配置され、こ
れら素子基板３１及び透明保護基板４１は接着層５１を介して接着され一体化されている
。 Next, a method for manufacturing an organic EL device using the film forming apparatus 1 will be described.
Here, first, a top emission type organic EL obtained by using this film forming apparatus 1.
The apparatus will be described with reference to FIG.
In the organic EL device 21, the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are arranged to face each other, and the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are bonded and integrated through an adhesive layer 51.

この素子基板３１上には複数の有機ＥＬ素子３２が形成されている。これら有機ＥＬ素
子３２は、陽極としての第１電極３３と陰極としての第２電極３４とにより、単色の光、
例えば白色の光を発生する有機発光層３５を挟持した構成である。また、素子基板３１上
には、複数の有機ＥＬ素子３２を覆うように封止層５１が形成されている。 A plurality of organic EL elements 32 are formed on the element substrate 31. These organic EL elements 32 are composed of monochromatic light by a first electrode 33 as an anode and a second electrode 34 as a cathode.
For example, the organic light emitting layer 35 that generates white light is sandwiched. Further, a sealing layer 51 is formed on the element substrate 31 so as to cover the plurality of organic EL elements 32.

これらの有機ＥＬ素子３２は、素子基板３１上ではマトリクス状に規則的に配列され表
示領域Ｌを構成している。なお、有機ＥＬ素子３２は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の
３種類の有機材料を使い分けて３種類の有機ＥＬ素子、例えば赤色光を発生する有機ＥＬ
素子、緑色光を発生する有機ＥＬ素子、青色光を発生する有機ＥＬ素子としても良い。な
お、この表示領域Ｌの外側の領域を非表示領域Ｍとする。 These organic EL elements 32 are regularly arranged in a matrix on the element substrate 31 to form a display region L. In addition, the organic EL element 32 uses three types of organic materials of R (red), G (green), and B (blue) properly, for example, an organic EL that generates red light.
An element, an organic EL element that generates green light, and an organic EL element that generates blue light may be used. A region outside the display region L is referred to as a non-display region M.

素子基板３１は、素子基板本体３６と、この素子基板本体３６の透明保護基板４１側の
面を覆う無機絶縁層３７とを備えている。この素子基板本体３６は、例えばガラス基板、
プラスチック基板等の絶縁材料により形成されている。また、無機絶縁層３７は、例えば
酸化珪素（ＳｉＯ_２）や窒化珪素（ＳｉＮ）等の珪素化合物により形成されている。この
素子基板本体３６上には、複数の有機ＥＬ素子３２に１対１で対応する複数の薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）からなるスイッチング素子２８及び各種の配線（図示略）等が形成され
ている。 The element substrate 31 includes an element substrate main body 36 and an inorganic insulating layer 37 that covers the surface of the element substrate main body 36 on the transparent protective substrate 41 side. The element substrate main body 36 is, for example, a glass substrate,
It is made of an insulating material such as a plastic substrate. The inorganic insulating layer 37 is formed of a silicon compound such as silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiN). On the element substrate main body 36, a switching element 28 composed of a plurality of thin film transistors (TFTs) corresponding to the plurality of organic EL elements 32 on a one-to-one basis, various wirings (not shown), and the like are formed.

この無機絶縁層３７上には、Ａｌ（アルミニウム）合金等からなる金属反射層７１が内
装された樹脂平坦化層７２が形成されている。この樹脂平坦化層７２は、絶縁性の樹脂材
料、例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂等により形成されている。 On the inorganic insulating layer 37, a resin flattening layer 72 in which a metal reflective layer 71 made of an Al (aluminum) alloy or the like is provided is formed. The resin flattening layer 72 is formed of an insulating resin material such as a photosensitive acrylic resin or a cyclic olefin resin.

この樹脂平坦化層７２上の金属反射層７１に平面的に重なる領域には、有機ＥＬ素子３
２の第１電極３３が形成されている。この第１電極３３は、正孔注入性の高いＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）等の金属酸化物により形成され
ている。この第１電極３３は、樹脂平坦化層７２及び無機絶縁層３７を貫通するコンタク
トホール（図示略）を介して、素子基板本体３６上のスイッチング素子３８に接続されて
いる。 In the region overlapping with the metal reflection layer 71 on the resin flattening layer 72 in a plane, the organic EL element 3
Two first electrodes 33 are formed. The first electrode 33 is made of ITO (I
ndium Tin Oxide (indium tin oxide) or the like. The first electrode 33 is connected to the switching element 38 on the element substrate body 36 through a contact hole (not shown) penetrating the resin flattening layer 72 and the inorganic insulating layer 37.

この樹脂平坦化層７２上には、有機ＥＬ素子３２を区画するために、例えばアクリル樹
脂等からなる絶縁性の隔壁層７３が形成されている。この隔壁層７３は、第１電極３３の
上部を露出させる複数の開口部を有している。
この開口部と隔壁層７３による凹凸形状に沿って、隔壁層７３及び第１電極３３の上面
を覆うように有機発光層３５が形成されている。 On the resin flattening layer 72, an insulating partition layer 73 made of, for example, an acrylic resin is formed to partition the organic EL element 32. The partition layer 73 has a plurality of openings that expose the top of the first electrode 33.
An organic light emitting layer 35 is formed so as to cover the upper surface of the partition layer 73 and the first electrode 33 along the concavo-convex shape of the opening and the partition layer 73.

この有機発光層３５は、電界により注入された正孔と電子との再結合により励起して発
光する発光層を含むものであり、この有機発光層３５は、発光層以外の層をも含む多層構
造とすることも可能である。発光層以外の層としては、正孔を注入し易くするための正孔
注入層、注入された正孔を発光層へ輸送し易くするための正孔輸送層、電子を注入し易く
するための電子注入層、注入された電子を発光層へ輸送し易くするための電子輸送層等、
上記の再結合に寄与する層が挙げられる。 The organic light-emitting layer 35 includes a light-emitting layer that emits light by being excited by recombination of holes and electrons injected by an electric field. The organic light-emitting layer 35 is a multilayer including layers other than the light-emitting layer. A structure is also possible. As a layer other than the light emitting layer, a hole injection layer for facilitating injection of holes, a hole transport layer for facilitating transport of injected holes to the light emitting layer, and for facilitating injection of electrons. An electron injection layer, an electron transport layer for facilitating transport of injected electrons to the light emitting layer, etc.
Examples include a layer that contributes to the recombination.

この有機発光層３５の発光層としては、低分子系有機ＥＬ材料あるいは高分子系有機Ｅ
Ｌ材料が挙げられる。
低分子系有機ＥＬ材料は、正孔と電子との再結合により励起して発光する有機化合物の
うち、分子量が比較的に低いものである。また、高分子系有機ＥＬ材料は、正孔と電子と
の再結合により励起して発光する有機化合物のうち、分子量が比較的に高いものである。
これら低分子系有機ＥＬ材料あるいは高分子系有機ＥＬ材料は、有機ＥＬ素子３２の発
する単色の発光色の光（白色光）に応じた物質となっている。発光層における再結合に寄
与する層の材料は、この層に接する層の材料に応じた物質となっている。 As the light emitting layer of the organic light emitting layer 35, a low molecular weight organic EL material or a high molecular weight organic E
L material is mentioned.
The low molecular weight organic EL material has a relatively low molecular weight among organic compounds that emit light by being excited by recombination of holes and electrons. The high molecular weight organic EL material has a relatively high molecular weight among organic compounds that emit light when excited by recombination of holes and electrons.
These low molecular weight organic EL materials or high molecular weight organic EL materials are substances corresponding to light of a single color emitted from the organic EL element 32 (white light). The material of the layer contributing to recombination in the light emitting layer is a substance corresponding to the material of the layer in contact with this layer.

この有機発光層３５上には、この有機発光層３５をその凹凸形状に沿って覆うように、
第２電極３４が形成されている。この第２電極３４は、例えば有機発光層３５へ電子を注
入し易くするための電子注入バッファ層と、電子注入バッファ層上に形成された電気抵抗
の小さい導電層とを有する。
この電子注入バッファ層は、例えば、ＬｉＦ（フッ化リチウム）やＣａ（カルシウム）
、ＭｇＡｇ（マグネシウム‐銀合金）により形成されている。また、導電層は、例えばＩ
ＴＯやＡｌ等の金属により形成された電気抵抗の小さい導電層である。 On this organic light emitting layer 35, so as to cover this organic light emitting layer 35 along the uneven shape,
A second electrode 34 is formed. The second electrode 34 includes, for example, an electron injection buffer layer for facilitating injection of electrons into the organic light emitting layer 35 and a conductive layer having a low electrical resistance formed on the electron injection buffer layer.
This electron injection buffer layer is, for example, LiF (lithium fluoride) or Ca (calcium).
, MgAg (magnesium-silver alloy). The conductive layer is, for example, I
It is a conductive layer with a small electrical resistance formed of a metal such as TO or Al.

また、この素子基板３１上には、無機絶縁層３７、樹脂平坦化層７２及び有機ＥＬ素子
３２の第２電極３４を覆う封止層６１が形成され、この封止層６１は、電極保護層６２と
、有機緩衝層６３と、ガスバリア層６４とにより構成されている。
電極保護層６２は、例えば、珪素酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の珪素化合物により構成され
ている。
有機緩衝層６３は、隔壁層７３とその開口部による凹凸形状を埋めるように形成され、
素子基板３１上を平坦化している。有機緩衝層６３を構成する材料としては、例えばエポ
キシ化合物等を用いることができる。
ガスバリア層６４は、有機緩衝層６３を覆い、さらに電極保護層６２の終端部までを覆
うように形成されている。このガスバリア層６４は、透光性、ガスバリア性、耐水性を考
慮して、例えばＳｉＯＮ等により形成されている。 A sealing layer 61 is formed on the element substrate 31 to cover the inorganic insulating layer 37, the resin flattening layer 72, and the second electrode 34 of the organic EL element 32. The sealing layer 61 is an electrode protective layer. 62, an organic buffer layer 63, and a gas barrier layer 64.
The electrode protective layer 62 is made of, for example, a silicon compound such as silicon oxynitride (SiON).
The organic buffer layer 63 is formed so as to fill the uneven shape formed by the partition wall layer 73 and its opening,
The element substrate 31 is flattened. As a material constituting the organic buffer layer 63, for example, an epoxy compound or the like can be used.
The gas barrier layer 64 is formed so as to cover the organic buffer layer 63 and further to the terminal portion of the electrode protective layer 62. The gas barrier layer 64 is made of, for example, SiON in consideration of translucency, gas barrier properties, and water resistance.

この素子基板３１のガスバリア層６４が形成された面には、透明保護基板４１が対向し
て配置されている。この透明保護基板４１は、接着層５１を介して素子基板３１上のガス
バリア層６４に接着されている。
この透明保護基板４１は、例えば透明ガラス基板または透明プラスチック基板等の光透
過性を有する材料で構成された透明基板本体４２を備えている。 On the surface of the element substrate 31 on which the gas barrier layer 64 is formed, the transparent protective substrate 41 is arranged to face the surface. The transparent protective substrate 41 is bonded to the gas barrier layer 64 on the element substrate 31 through the adhesive layer 51.
The transparent protective substrate 41 includes a transparent substrate body 42 made of a light-transmitting material such as a transparent glass substrate or a transparent plastic substrate.

透明基板本体４２の素子基板３１と対向する面には、カラーフィルタ層４３として、赤
色着色層４３Ｒ、緑色着色層４３Ｇ、青色着色層４３Ｂがマトリクス状に規則的に配列さ
れ、表示領域Ｌを構成している。また、各着色層４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂの周囲を囲む位
置に、より具体的には隔壁層７３に対応する領域にブラックマトリクス層（遮光層）４４
が形成されている。このブラックマトリクス層４４を構成する材料としては、例えばＣｒ
（クロム）等を用いることができる。 A red colored layer 43R, a green colored layer 43G, and a blue colored layer 43B are regularly arranged in a matrix as the color filter layer 43 on the surface of the transparent substrate main body 42 facing the element substrate 31 to form the display region L. is doing. Further, a black matrix layer (light-shielding layer) 44 is provided in a position surrounding the periphery of each colored layer 43R, 43G, 43B, more specifically in a region corresponding to the partition wall layer 73.
Is formed. As a material constituting the black matrix layer 44, for example, Cr
(Chromium) or the like can be used.

各着色層４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂは、第１電極３３上に形成された白色の有機発光層３
５に対向して平面的に重なるように配置されている。これにより、有機発光層３５から発
せられた光は、着色層４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂの各々を透過し、赤色光、緑色光、青色光
の各色光として観察者側に出射されるようになっている。 Each colored layer 43R, 43G, 43B is a white organic light emitting layer 3 formed on the first electrode 33.
5 are arranged so as to be opposed to each other in plan view. Thereby, the light emitted from the organic light emitting layer 35 is transmitted through each of the colored layers 43R, 43G, and 43B, and is emitted to the viewer side as each color light of red light, green light, and blue light. Yes.

また、透明基板本体４２上には、表示領域Ｌに形成されたカラーフィルタ層４３及びブ
ラックマトリクス層４４上を覆うオーバーコート層（被覆層）４５が形成されている。
このオーバーコート層４５は、表示領域Ｌの内側から非表示領域Ｍの周辺の後述する第
２接着層４３の形成領域近傍まで延設されている。オーバーコート層４５は、例えばアク
リルやポリイミド等の樹脂材料により形成されている。
このオーバーコート層４５上には、このオーバーコート層４５を覆うように、例えば、
珪素酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の珪素化合物からなるガスバリア層４６が形成されている。 An overcoat layer (covering layer) 45 that covers the color filter layer 43 and the black matrix layer 44 formed in the display region L is formed on the transparent substrate body 42.
The overcoat layer 45 extends from the inside of the display area L to the vicinity of the formation area of the second adhesive layer 43 described later around the non-display area M. The overcoat layer 45 is formed of, for example, a resin material such as acrylic or polyimide.
On the overcoat layer 45, for example, so as to cover the overcoat layer 45, for example,
A gas barrier layer 46 made of a silicon compound such as silicon oxynitride (SiON) is formed.

接着層５１は、第１接着層５２と、周辺部をシールする第２接着層５３とにより構成さ
れている。
第１接着層５２は、素子基板３１と透明保護基板４１との間に設けられてガスバリア層
６４の少なくとも表示領域Ｌに対応する部位を覆うものであり、この第１接着層５２の材
料としては、例えばウレタン系樹脂やアクリル系樹脂に硬化剤としてイソシアネートを添
加した低弾性樹脂を用いることができる。 The adhesive layer 51 includes a first adhesive layer 52 and a second adhesive layer 53 that seals the periphery.
The first adhesive layer 52 is provided between the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 and covers at least a portion corresponding to the display region L of the gas barrier layer 64. As a material of the first adhesive layer 52, For example, a low elastic resin obtained by adding an isocyanate as a curing agent to a urethane resin or an acrylic resin can be used.

第２接着層５３は、素子基板３１と透明保護基板４１との間に、第１接着層５２を囲む
ように非表示領域Ｍに設けられたものであり、この第２接着層５３の材料としては、水分
透過率が低い材料、例えばエポキシ系樹脂に硬化剤として酸無水物を添加し、促進剤とし
てシランカップリング剤を添加した高接着性の接着剤を用いることができる。 The second adhesive layer 53 is provided in the non-display area M so as to surround the first adhesive layer 52 between the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41. As a material of the second adhesive layer 53, Can use a highly adhesive adhesive in which an acid anhydride is added as a curing agent to a material having a low moisture permeability, for example, an epoxy resin, and a silane coupling agent is added as an accelerator.

これら第１接着層５２及び第２接着層５３では、上述した材料を用いて形成することに
より、第１接着層５２は第２接着層５３よりも低い弾性率を有することができる。また、
第２接着層５３は第１接着層５２よりも高い接着強度を得ることができ、第１接着層５２
よりも水分透過率を低くすることができる。 By forming the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer 53 using the materials described above, the first adhesive layer 52 can have a lower elastic modulus than the second adhesive layer 53. Also,
The second adhesive layer 53 can obtain higher adhesive strength than the first adhesive layer 52, and the first adhesive layer 52
As a result, the moisture permeability can be lowered.

次に、この有機ＥＬ装置２１の製造方法について説明する。
この有機ＥＬ装置２１の製造工程は、素子基板３１側の工程と、透明保護基板４１側の
工程と、素子基板３１と透明保護基板４１とを接着層５１により接着、一体化する工程と
、により構成される。 Next, a method for manufacturing the organic EL device 21 will be described.
The manufacturing process of the organic EL device 21 includes a process on the element substrate 31 side, a process on the transparent protective substrate 41 side, and a process of bonding and integrating the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 with the adhesive layer 51. Composed.

まず、素子基板本体３６上にスイッチング素子３８及び各種配線（図示略）を形成し、
それらを覆うように無機絶縁層３７を熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の乾式成
膜法や、スピンコート法等の湿式成膜法を用いて形成する。
次いで、無機絶縁層３７上にＡｌ合金などの光反射性の金属反射層７１を形成し、それ
を覆うように樹脂平坦化層７２をスクリーン印刷法やスピンコート法等の湿式成膜法を用
いて形成する。 First, the switching element 38 and various wirings (not shown) are formed on the element substrate body 36,
An inorganic insulating layer 37 is formed so as to cover them using a dry film formation method such as a thermal oxidation method, a CVD method, or a sputtering method, or a wet film formation method such as a spin coating method.
Next, a light-reflective metal reflective layer 71 such as an Al alloy is formed on the inorganic insulating layer 37, and the resin flattening layer 72 is formed using a wet film-forming method such as a screen printing method or a spin coat method so as to cover it. Form.

次いで、樹脂平坦化層７２上の金属反射層７１に平面的に重なる領域に、ＩＴＯ等の透
明導電材料をスパッタリング法等により成膜して複数の画素となる第１電極３３を形成す
る。
次いで、この第１電極３３を含む領域全体に絶縁材料を成膜し、この膜を、無機絶縁層
３７上かつ第１電極３３を囲むように、公知のレジスト技術、フォトリソグラフィ技術、
エッチング技術等を用いてパターニングし、隔壁層７３を形成する。次いで、素子基板３
１上から有機物系の異物除去とＩＴＯ表面の濡れ性を向上させるために、プラズマ洗浄な
どの洗浄処理を行う。 Next, a transparent conductive material such as ITO is formed by a sputtering method or the like in a region overlapping the metal reflection layer 71 on the resin flattening layer 72 in a planar manner, thereby forming the first electrode 33 that becomes a plurality of pixels.
Next, an insulating material is formed over the entire region including the first electrode 33, and this film is formed on the inorganic insulating layer 37 and surrounding the first electrode 33 with a known resist technique, photolithography technique,
The partition layer 73 is formed by patterning using an etching technique or the like. Next, the element substrate 3
1. Cleaning treatment such as plasma cleaning is performed from the top to remove organic foreign matter and improve the wettability of the ITO surface.

次いで、隔壁層７３により囲まれた開口部と隔壁層７３による凹凸形状に沿って、隔壁
層７３及び第１電極３３の上面を覆うように、例えば蒸着、あるいはスピンコートやスリ
ットコート法等の湿式成膜法により有機発光層３５を形成する。有機発光層３５が複数の
層からなる場合には、各層を順に成膜することになる。 Next, in order to cover the upper surface of the partition wall layer 73 and the first electrode 33 along the unevenness formed by the partition wall layer 73 and the opening surrounded by the partition wall layer 73, for example, vapor deposition or wet processing such as spin coating or slit coating method. The organic light emitting layer 35 is formed by a film forming method. When the organic light emitting layer 35 is composed of a plurality of layers, the layers are sequentially formed.

次いで、有機ＥＬ素子３２の第２電極３４を、凹凸形状に沿って有機発光層３５を覆う
ように形成する。例えば、真空蒸着法によりＬｉＦ及びＣａやＭｇなどの電子注入性の高
い金属又は合金を成膜し、次いで、膜の電極抵抗を下げるために、真空蒸着法により画素
部を避けるようにパターン形成したＡｌ薄膜を成膜するか、あるいはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：電子サイクロトロン共鳴）プラズマ
スパッタ法やイオンプレーティング法、対向ターゲットスパッタ法などの高密度プラズマ
成膜法により透明なＩＴＯ膜を成膜する。 Next, the second electrode 34 of the organic EL element 32 is formed so as to cover the organic light emitting layer 35 along the uneven shape. For example, a metal or alloy having high electron injection properties such as LiF and Ca and Mg is formed by vacuum deposition, and then patterned to avoid the pixel portion by vacuum deposition in order to reduce the electrode resistance of the film. An Al thin film is formed or ECR (Elect
A transparent ITO film is formed by a high-density plasma film forming method such as a ron cyclotron resonance (electron cyclotron resonance) plasma sputtering method, an ion plating method, or an opposed target sputtering method.

次いで、素子基板３１上に、無機絶縁層３７、樹脂平坦化層７２、及び有機ＥＬ素子３
２の第２電極３４を覆うように電極保護層６２を形成する。
この電極保護層６２は、上記の成膜装置１のハース４に円柱状の蒸着材料Ｍである酸化
ケイ素（ＳｉＯ）を収納し、この酸化ケイ素（ＳｉＯ）に高密度プラズマＨＰを照射し、
ハース４から蒸発する酸化ケイ素（ＳｉＯ）が雰囲気ガスである窒素（Ｎ_２）と反応し、
生成したケイ素酸窒化物（ＳｉＯＮ）が無機絶縁層３７、樹脂平坦化層７２、及び有機Ｅ
Ｌ素子３２の第２電極３４を覆うように堆積することで形成することができる。 Next, the inorganic insulating layer 37, the resin flattening layer 72, and the organic EL element 3 are formed on the element substrate 31.
The electrode protective layer 62 is formed so as to cover the second second electrode 34.
The electrode protective layer 62 stores silicon oxide (SiO), which is a columnar deposition material M, in the hearth 4 of the film forming apparatus 1, and irradiates the silicon oxide (SiO) with high-density plasma HP.
Silicon oxide (SiO) evaporated from the hearth 4 reacts with nitrogen (N ₂ ), which is an atmospheric gas,
The generated silicon oxynitride (SiON) is composed of the inorganic insulating layer 37, the resin flattening layer 72, and the organic E
It can be formed by depositing so as to cover the second electrode 34 of the L element 32.

この場合、円柱状の蒸着材料Ｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面に高密度プラズマＨ
Ｐの加熱による温度の偏りが生じ、この温度の偏りにより酸化ケイ素（ＳｉＯ）が部分的
に過熱され、その表面にケイ素粒子からなるスプラッシュの原因となる粒子１４が生じる
。
この粒子１４は、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面から容易に剥落し、落下するので、酸化
ケイ素（ＳｉＯ）の表面から容易に取り除くことができる。したがって、成膜される電極
保護層６２にスプラッシュに起因する欠陥部が生じる虞が無くなり、電極保護層６２の面
内均一性を向上させることができる。 In this case, high-density plasma H is formed on the surface of silicon oxide (SiO), which is a cylindrical vapor deposition material M.
A temperature deviation occurs due to heating of P, and this temperature deviation partially heats silicon oxide (SiO), and particles 14 that cause splash of silicon particles are generated on the surface.
Since the particles 14 are easily peeled off and dropped from the surface of silicon oxide (SiO), they can be easily removed from the surface of silicon oxide (SiO). Therefore, there is no possibility that a defective portion due to splash occurs in the electrode protection layer 62 to be formed, and the in-plane uniformity of the electrode protection layer 62 can be improved.

この場合、ハース４を、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２さ
せれば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）がその軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動
１２することにより、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面における局所加熱を低減することがで
きる。したがって、この酸化ケイ素（ＳｉＯ）から生じるスプラッシュの原因となる粒子
１４の量を削減することができ、電極保護層６２の面内均一性をさらに向上させることが
できる。 In this case, if Haas 4 is rotated 11 or rotated 12 about its axis (= perpendicular L1), silicon oxide (SiO) is rotated 11 or rotated about its axis (= perpendicular L1). 12, local heating on the surface of silicon oxide (SiO) can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the amount of the particles 14 that cause the splash generated from the silicon oxide (SiO), and it is possible to further improve the in-plane uniformity of the electrode protective layer 62.

次いで、この電極保護層６２上に有機緩衝層６３を形成する。有機緩衝層６３は、例え
ばエポキシ化合物等の有機材料を減圧雰囲気下でスクリーン印刷し、その後、加熱硬化さ
せることにより形成する。 Next, an organic buffer layer 63 is formed on the electrode protective layer 62. The organic buffer layer 63 is formed, for example, by screen-printing an organic material such as an epoxy compound under a reduced pressure atmosphere, and then heat-curing.

次いで、この有機緩衝層６３上にガスバリア層６４を形成する。
このガスバリア層６４は、上記の成膜装置１のハース４に円柱状の蒸着材料Ｍである酸
化ケイ素（ＳｉＯ）を収納し、この酸化ケイ素（ＳｉＯ）に高密度プラズマＨＰを照射し
、ハース４から蒸発する酸化ケイ素（ＳｉＯ）が雰囲気ガスである窒素（Ｎ_２）と反応し
、生成したケイ素酸窒化物（ＳｉＯＮ）が有機緩衝層６３を覆うように堆積することで形
成することができる。 Next, a gas barrier layer 64 is formed on the organic buffer layer 63.
The gas barrier layer 64 stores silicon oxide (SiO), which is a cylindrical vapor deposition material M, in the hearth 4 of the film forming apparatus 1, and irradiates the silicon oxide (SiO) with high-density plasma HP. The silicon oxide (SiO) evaporated from the substrate reacts with nitrogen (N ₂ ) as an atmospheric gas, and the generated silicon oxynitride (SiON) is deposited so as to cover the organic buffer layer 63.

この場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面にケイ素粒子からなるスプラッシュの原因とな
る粒子１４が生じるが、この粒子１４は、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面から容易に剥落し
、落下するので、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面から容易に取り除くことができる。したが
って、成膜されるガスバリア層６４にスプラッシュに起因する欠陥部が生じる虞が無くな
り、ガスバリア層６４の面内均一性を向上させることができる。 In this case, the particles 14 that cause the splash of silicon particles are generated on the surface of the silicon oxide (SiO), but the particles 14 are easily peeled off from the surface of the silicon oxide (SiO) and fall down. It can be easily removed from the surface of (SiO). Therefore, there is no possibility that a defective portion due to splash is generated in the deposited gas barrier layer 64, and the in-plane uniformity of the gas barrier layer 64 can be improved.

この場合、ハース４を、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２さ
せれば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）がその軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動
１２することにより、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面における局所加熱を低減することがで
きる。したがって、この酸化ケイ素（ＳｉＯ）から生じるスプラッシュの原因となる粒子
１４の量を削減することができ、ガスバリア層６４の面内均一性をさらに向上させること
ができる。
以上により、複数の有機ＥＬ素子３２を備え、それらが電極保護層６２、有機緩衝層６
３及びガスバリア層６４からなる封止層６１により被覆された素子基板３１が作製される
。 In this case, if Haas 4 is rotated 11 or rotated 12 about its axis (= perpendicular L1), silicon oxide (SiO) is rotated 11 or rotated about its axis (= perpendicular L1). 12, local heating on the surface of silicon oxide (SiO) can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the amount of the particles 14 that cause the splash generated from the silicon oxide (SiO), and it is possible to further improve the in-plane uniformity of the gas barrier layer 64.
As described above, a plurality of organic EL elements 32 are provided, which include the electrode protective layer 62 and the organic buffer layer 6.
3 and the element substrate 31 covered with the sealing layer 61 composed of the gas barrier layer 64 is produced.

一方、透明基板本体４２上の隔壁層７３に対応する領域に、例えば蒸着法やスパッタリ
ング法でＣｒ（クロム）を成膜し、この膜を公知のレジスト技術、フォトリソグラフィ技
術、エッチング技術等を用いてパターニングし、ブラックマトリクス層４４を形成する。 On the other hand, in the region corresponding to the partition wall layer 73 on the transparent substrate main body 42, Cr (chromium) is formed, for example, by vapor deposition or sputtering, and this film is used using a known resist technique, photolithography technique, etching technique, or the like. The black matrix layer 44 is formed by patterning.

次いで、ブラックマトリクス層４４を隔壁として、例えばインクジェットなどの液滴吐
出法により、カラーフィルタ層４３を形成する。具体的には、液滴吐出ヘッドから所定の
ブラックマトリクス層４４の間に、例えば赤色着色層４３Ｒ、緑色着色層４３Ｇ、青色着
色層４３Ｂの液状の材料を選択的に注入し、これらを所定の温度にて加熱乾燥させること
により、赤色着色層４３Ｒ、緑色着色層４３Ｇ、青色着色層４３Ｂを形成する。このよう
にして、赤色着色層４３Ｒ、緑色着色層４３Ｇ、青色着色層４３Ｂからなるカラーフィル
タ層４３を形成することができる。 Next, the color filter layer 43 is formed by using the black matrix layer 44 as a partition wall, for example, by a droplet discharge method such as inkjet. Specifically, for example, liquid materials such as a red coloring layer 43R, a green coloring layer 43G, and a blue coloring layer 43B are selectively injected between a predetermined black matrix layer 44 from a droplet discharge head, and these are injected into a predetermined black matrix layer 44. The red colored layer 43R, the green colored layer 43G, and the blue colored layer 43B are formed by heating and drying at a temperature. In this way, the color filter layer 43 including the red colored layer 43R, the green colored layer 43G, and the blue colored layer 43B can be formed.

次いで、カラーフィルタ層４３及びブラックマトリクス層４４を覆い、表示領域Ｌの内
側から外側まで延設するようにオーバーコート層４５を形成する。このオーバーコート層
４５は、アクリルやポリイミド等の樹脂材料を原料成分又は有機溶媒等で希釈して、スリ
ットコート法やスクリーン印刷法等を用いてパターン塗布し、熱オーブン等で蒸発及び硬
化することにより形成する。 Next, an overcoat layer 45 is formed so as to cover the color filter layer 43 and the black matrix layer 44 and extend from the inside to the outside of the display region L. This overcoat layer 45 is obtained by diluting a resin material such as acrylic or polyimide with a raw material component or an organic solvent, applying a pattern using a slit coating method, a screen printing method, or the like, and evaporating and curing in a thermal oven or the like. To form.

次いで、このオーバーコート層４５を覆うようにガスバリア層４６を形成する。
このガスバリア層４６は、上記の成膜装置１のハース４に円柱状の蒸着材料Ｍである酸
化ケイ素（ＳｉＯ）を収納し、この酸化ケイ素（ＳｉＯ）に高密度プラズマＨＰを照射し
、ハース４から蒸発する酸化ケイ素（ＳｉＯ）が雰囲気ガスである窒素（Ｎ_２）と反応し
、生成したケイ素酸窒化物（ＳｉＯＮ）がオーバーコート層４５を覆うように堆積するこ
とで形成することができる。 Next, a gas barrier layer 46 is formed so as to cover the overcoat layer 45.
The gas barrier layer 46 contains silicon oxide (SiO), which is a columnar deposition material M, in the hearth 4 of the film forming apparatus 1, and irradiates the silicon oxide (SiO) with high-density plasma HP. The silicon oxide (SiO) evaporated from the substrate reacts with nitrogen (N ₂ ) as an atmospheric gas, and the generated silicon oxynitride (SiON) is deposited so as to cover the overcoat layer 45.

この場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面にケイ素粒子からなるスプラッシュの原因とな
る粒子１４が生じるが、この粒子１４は、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面から容易に剥落し
、落下するので、容易に取り除くことができる。したがって、成膜されるガスバリア層４
６にスプラッシュに起因する欠陥部が生じる虞が無くなり、ガスバリア層４６の面内均一
性を向上させることができる。 In this case, particles 14 that cause splash of silicon particles are generated on the surface of silicon oxide (SiO), but these particles 14 are easily peeled off from the surface of silicon oxide (SiO) and fall, so that Can be removed. Therefore, the gas barrier layer 4 to be formed is formed.
6, there is no possibility that a defective portion due to splash is generated, and the in-plane uniformity of the gas barrier layer 46 can be improved.

この場合、ハース４を、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２さ
せれば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）がその軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動
１２することにより、酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面における局所加熱を低減することがで
きる。したがって、この酸化ケイ素（ＳｉＯ）から生じるスプラッシュの原因となる粒子
１４の量を削減することができ、ガスバリア層４６の面内均一性をさらに向上させること
ができる。
以上により、透明基板本体４２上に、カラーフィルタ層４３及びブラックマトリクス層
４４が形成され、これらを覆うオーバーコート層４５及びガスバリア層４６を備えた透明
保護基板４１が作製される。 In this case, if Haas 4 is rotated 11 or rotated 12 about its axis (= perpendicular L1), silicon oxide (SiO) is rotated 11 or rotated about its axis (= perpendicular L1). 12, local heating on the surface of silicon oxide (SiO) can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the amount of the particles 14 that cause the splash generated from the silicon oxide (SiO), and it is possible to further improve the in-plane uniformity of the gas barrier layer 46.
As described above, the color filter layer 43 and the black matrix layer 44 are formed on the transparent substrate main body 42, and the transparent protective substrate 41 including the overcoat layer 45 and the gas barrier layer 46 covering them is manufactured.

次いで、透明保護基板４１上の額縁部、より具体的には透明保護基板４１上の非表示領
域Ｍのオーバーコート層４５及びガスバリア層４６が形成されていない領域に、第２接着
層５３の形成材料を塗布する。具体的には、例えばディスペンス描画法やスクリーン印刷
法により上述した接着剤を塗布する。
次いで、透明保護基板４１上に形成されたオーバーコート層４５及びガスバリア層４６
を覆うように、第１接着層５２の形成材料を塗布する。具体的には、例えばディスペンス
滴下法により上述した接着剤を塗布する。 Next, the second adhesive layer 53 is formed in the frame portion on the transparent protective substrate 41, more specifically, in the region where the overcoat layer 45 and the gas barrier layer 46 are not formed in the non-display region M on the transparent protective substrate 41. Apply material. Specifically, for example, the above-described adhesive is applied by a dispense drawing method or a screen printing method.
Next, an overcoat layer 45 and a gas barrier layer 46 formed on the transparent protective substrate 41.
A material for forming the first adhesive layer 52 is applied so as to cover the surface. Specifically, the above-described adhesive is applied by, for example, a dispense dropping method.

次いで、第１接着層５２及び第２接着層５３の形成材料が塗布された透明保護基板４１
に紫外線照射を行う。具体的には、第１接着層５２及び第２接着層５３の形成材料の硬化
反応を開始させる目的で、例えば照度３０ｍＷ／ｃｍ^２、光量２０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫
外線を透明保護基板４１に照射する。これにより、第１接着層５２及び第２接着層５３の
形成材料が反応し、徐々に粘度が上昇する。 Next, the transparent protective substrate 41 to which the forming material of the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer 53 is applied.
UV irradiation. Specifically, for example, the transparent protective substrate 41 is irradiated with ultraviolet rays having an illuminance of 30 mW / cm ² and a light amount of 2000 mJ / cm ² for the purpose of initiating a curing reaction of the forming materials of the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer 53. . Thereby, the formation material of the 1st contact bonding layer 52 and the 2nd contact bonding layer 53 reacts, and a viscosity rises gradually.

次いで、素子基板３１の封止層６１が形成された面と、透明保護基板４１の粘度が上昇
した第１接着層５２及び第２接着層５３の形成材料が形成された面とを対向させ、第１接
着層５２及び第２接着層５３の形成材料を介して素子基板３１と透明保護基板４１とを貼
り合せる。
このとき、貼り合わせた素子基板３１と透明保護基板４１とのアライメント位置の微調
整を行いながら、素子基板３１と透明保護基板４１とを相互に接近させていく。具体的に
は、素子基板３１と透明保護基板４１とを面方向（平行方向）に相対移動させ、有機ＥＬ
素子３２とカラーフィルタ層４３との相対位置を調整する。このように、アライメント位
置精度を高めながら最終的な位置合わせを行う。 Next, the surface of the element substrate 31 on which the sealing layer 61 is formed is opposed to the surface of the transparent protective substrate 41 on which the material for forming the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer 53 is formed. The element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are bonded to each other through the forming material of the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer 53.
At this time, the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are brought closer to each other while finely adjusting the alignment position of the bonded element substrate 31 and the transparent protective substrate 41. Specifically, the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are moved relative to each other in the plane direction (parallel direction), and the organic EL
The relative position between the element 32 and the color filter layer 43 is adjusted. Thus, final alignment is performed while improving alignment position accuracy.

次いで、素子基板３１と透明保護基板４１とを圧着する。具体的には、例えば真空度１
Ｐａの真空雰囲気下にて、加圧６００Ｎで２００秒間保持して圧着させる。
次いで、この圧着された素子基板３１及び透明保護基板４１を大気雰囲気中にて加熱す
る。具体的には、素子基板３１と透明保護基板４１とを貼り合わせた状態で、大気中、所
定の温度にて所定の時間、加熱することにより、粘度が上昇した第１接着層５２及び第２
接着層５３の形成材料を硬化させ、第１接着層５２及び第２接着層５３を形成する。
以上により、上述した有機ＥＬ装置２１を作製することができる。 Next, the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are pressure bonded. Specifically, for example, the degree of vacuum is 1
In a vacuum atmosphere of Pa, pressurization is performed by holding at a pressure of 600 N for 200 seconds.
Next, the pressure-bonded element substrate 31 and transparent protective substrate 41 are heated in an air atmosphere. Specifically, in a state where the element substrate 31 and the transparent protective substrate 41 are bonded to each other, the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer whose viscosity is increased by heating in the atmosphere at a predetermined temperature for a predetermined time.
The forming material of the adhesive layer 53 is cured to form the first adhesive layer 52 and the second adhesive layer 53.
As described above, the organic EL device 21 described above can be manufactured.

以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置２１によれば、電極保護層６２、ガス
バリア層６４及びガスバリア層４６を、蒸着材料Ｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ）の表面に
生じる粒子１４を取り除きつつ成膜したので、粒子１４に起因する欠陥部が生じる虞が無
く、しかも面内均一性が向上した膜を成膜することができる。 As described above, according to the organic EL device 21 of the present embodiment, the electrode protective layer 62, the gas barrier layer 64, and the gas barrier layer 46 are removed from the particles 14 generated on the surface of the silicon oxide (SiO) that is the vapor deposition material M. Since the film is formed while the film is formed, there is no risk of a defect due to the particles 14 and a film with improved in-plane uniformity can be formed.

この場合、ハース４を、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１１、または回動１２さ
せることにより、蒸着材料Ｍである酸化ケイ素（ＳｉＯ）から生じるスプラッシュの原因
となる粒子１４の量を削減することができ、ガスバリア層４６の面内均一性をさらに向上
させることができる。 In this case, by rotating the hearth 4 around its axis (= perpendicular line L1) 11 or rotation 12, the amount of the particles 14 that cause the splash generated from the silicon oxide (SiO) as the deposition material M is reduced. The in-plane uniformity of the gas barrier layer 46 can be further improved.

なお、本実施形態では、成膜装置としてプラズマガン方式のイオンプレーティング装置
を例にとり説明したが、この成膜装置は高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成
長法が適用される成膜装置であればよく、プラズマガン方式のイオンプレーティング装置
の他、ＥＣＲプラズマスパッタリング装置、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置、表面波プラズマ
ＣＶＤ装置、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置等に対しても適用可能である。 In this embodiment, the plasma gun type ion plating apparatus is described as an example of the film forming apparatus. However, this film forming apparatus uses a high-density plasma vapor deposition method using a high-density plasma source. Any film apparatus may be used, and the present invention can be applied to an ECR plasma sputtering apparatus, an ECR plasma CVD apparatus, a surface wave plasma CVD apparatus, an ICP-CVD apparatus, and the like in addition to a plasma gun type ion plating apparatus.

「第２の実施の形態」
図６は、本発明の第２の実施形態の成膜装置のハースを示す断面図である。
このハース８１が、第１の実施形態のハース４と異なる点は、第１の実施形態のハース
４が側壁の高さが一定の有底円筒状の容器であり、その開口部の形状が円形であるのに対
し、本実施形態のハース８１は、基板Ｗ側の側壁８１ａの高さ（Ｈ１）を高くかつ真空容
器２の底面側の側壁８１ａの高さ（Ｈ２）を低くすることにより、このハース８１の開口
部の形状を楕円形とした点である。 “Second Embodiment”
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a hearth of the film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention.
The hearth 81 is different from the hearth 4 of the first embodiment in that the hearth 4 of the first embodiment is a bottomed cylindrical container with a constant side wall height, and the shape of the opening is circular. On the other hand, the hearth 81 of the present embodiment increases the height (H1) of the side wall 81a on the substrate W side and lowers the height (H2) of the side wall 81a on the bottom surface side of the vacuum vessel 2, The hearth 81 has an elliptical shape.

このハース８１には、第１の実施形態のハース４と同様、酸化ケイ素（ＳｉＯ）等の円
柱状の蒸着材料Ｍが収納され、この蒸着材料Ｍの先端は、側壁８１ａの高さ（Ｈ１）と側
壁８１ａの高さ（Ｈ２）との中間部に位置するようになっている。また、この蒸着材料Ｍ
を真空容器２内へ向かって押し出すスクリュウ等の押し出し機構９が設けられている。 The hearth 81 stores a cylindrical vapor deposition material M such as silicon oxide (SiO) like the hearth 4 of the first embodiment, and the tip of the vapor deposition material M has a height (H1) of the side wall 81a. And the height of the side wall 81a (H2). This vapor deposition material M
An extruding mechanism 9 such as a screw for extruding the material toward the inside of the vacuum container 2 is provided.

このハース８１中の蒸着材料Ｍに高密度プラズマＨＰを照射して加熱すると、この蒸着
材料Ｍの表面に加熱による温度の偏りが生じ、この温度の偏りにより蒸着材料Ｍが部分的
に過熱され、この蒸着材料Ｍの表面にプラッシュの原因となる粒子１４が生じる。
この粒子１４は、蒸着材料Ｍの表面から容易に剥落し落下するが、ハース８１の側壁８
１ａの高さ（Ｈ２）が低くなっているので、何等抵抗も無く、この側壁８１ａの部分から
下方へ速やかに落下し、取り除かれる。 When the vapor deposition material M in the hearth 81 is heated by being irradiated with the high-density plasma HP, a temperature deviation due to heating occurs on the surface of the vapor deposition material M, and the vapor deposition material M is partially overheated due to the temperature deviation. Particles 14 that cause splash are generated on the surface of the vapor deposition material M.
The particles 14 are easily peeled off and dropped from the surface of the vapor deposition material M, but the side wall 8 of the hearth 81 is removed.
Since the height (H2) of 1a is low, there is no resistance and it quickly falls downward from the side wall 81a and is removed.

このように、プラッシュの原因となる粒子１４を蒸着材料Ｍの表面から簡単に除去する
ことができるので、蒸着材料Ｍの表面にプラッシュの原因となる粒子１４が生じたとして
も、この粒子１４が蒸着材料Ｍの表面から側壁８１ａの部分を経由して下方へ速やかに落
下することで、容易に取り除くことができる。
これにより、プラッシュが成膜される膜表面へ悪影響を及ぼすのを防止することができ
、したがって、成膜される膜表面に粒子１４に起因する欠陥部が生じる虞が無くなり、薄
膜の面内均一性を向上させることができる。 As described above, the particles 14 causing the splash can be easily removed from the surface of the vapor deposition material M. Therefore, even if the particles 14 causing the splash are generated on the surface of the vapor deposition material M, the particles 14 It can be easily removed by quickly falling downward from the surface of the vapor deposition material M via the side wall 81a.
As a result, it is possible to prevent the adverse effect on the film surface on which the plush film is formed. Therefore, there is no possibility that a defect portion due to the particles 14 is generated on the film surface on which the film is formed. Can be improved.

この場合、図７に示すように、ハース８１を、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１
１、または回動１２させれば、蒸着材料Ｍ自体がその軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転１
１、または回動１２することにより、蒸着材料Ｍの表面における局所加熱を低減すること
ができ、この蒸着材料Ｍから生じる粒子１４の量を削減することができる。
したがって、成膜される膜表面に粒子１４に起因する欠陥部が生じる虞が無くなり、薄
膜の面内均一性をさらに向上させることができる。 In this case, as shown in FIG. 7, the hearth 81 is rotated around its axis (= perpendicular line L1) 1
1 or rotation 12 causes the vapor deposition material M itself to rotate around its axis (= perpendicular line L1) 1
By 1 or turning 12, local heating on the surface of the vapor deposition material M can be reduced, and the amount of particles 14 generated from the vapor deposition material M can be reduced.
Therefore, there is no possibility that a defect due to the particles 14 is generated on the film surface to be formed, and the in-plane uniformity of the thin film can be further improved.

「第３の実施の形態」
図８は、本発明の第３の実施形態の成膜装置を示す平面図、図９は同成膜装置の要部を
示す断面図である。
この成膜装置９１が、第１の実施形態の成膜装置１と異なる点は、第１の実施形態の成
膜装置１が真空容器２内の側壁かつ基板Ｗの成膜面の下方にハース４をプラズマガン５と
対向して配置したのに対し、本実施形態の成膜装置９１は、真空容器２内の側壁かつ基板
Ｗの成膜面の下方に一対のハース９２Ａ、９２Ｂを互いに対向して配設し、これらハース
９２Ａ、９２Ｂに、高密度プラズマＨＰにより蒸着材料Ｍを加熱するプラズマガン（加熱
手段）９３Ａ、９３Ｂをそれぞれ配設し、これらのハース９２Ａ、９２Ｂ間に、これら相
互間の干渉を阻止する略三角柱状の隔壁９４を設けた点である。 “Third Embodiment”
FIG. 8 is a plan view showing a film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing the main part of the film forming apparatus.
The film forming apparatus 91 is different from the film forming apparatus 1 of the first embodiment in that the film forming apparatus 1 of the first embodiment has a hearth on the side wall in the vacuum vessel 2 and below the film forming surface of the substrate W. 4 is disposed opposite to the plasma gun 5, the film forming apparatus 91 of this embodiment has a pair of hearths 92 </ b> A and 92 </ b> B facing each other on the side wall in the vacuum vessel 2 and below the film forming surface of the substrate W. These hearths 92A and 92B are provided with plasma guns (heating means) 93A and 93B for heating the vapor deposition material M by high-density plasma HP, respectively. This is the point that a substantially triangular prism-shaped partition wall 94 is provided to prevent interference therebetween.

これらハース９２Ａ、９２Ｂ及びプラズマガン９３Ａ、９３Ｂの構成は、第１の実施形
態のハース４及びプラズマガン５と全く同様の構成である。
これらのハース９２Ａ、９２Ｂにおいても、ハース９２Ａ、９２Ｂ各々の軸線Ｌ１は、
基板Ｗの成膜面の垂線Ｌ２と略直交している。
そして、これらのハース９２Ａ、９２Ｂは、別途設けられた回転機構あるいは回動機構
（図示略）により、その軸線（＝垂線Ｌ１）の周りに回転、または回動可能となっている
。 The configurations of the hearths 92A and 92B and the plasma guns 93A and 93B are exactly the same as those of the hearth 4 and the plasma gun 5 of the first embodiment.
In these hearths 92A and 92B, the axis L1 of each of the hearths 92A and 92B is
It is substantially perpendicular to the perpendicular L2 of the film formation surface of the substrate W.
These hearths 92A and 92B can be rotated or rotated around the axis (= perpendicular line L1) by a rotation mechanism or a rotation mechanism (not shown) provided separately.

隔壁９４は、銅、銅合金等の比較的軟らかい金属からなる導電性及び耐熱性を有する壁
体であり、ハース９２Ａ、９２Ｂ各々の蒸発材料が互いに干渉し合うのを防止するととも
に、各々から生じるスプラッシュの原因となる粒子が互いに影響を及ぼさないようにする
ためのものである。 The partition wall 94 is a wall having conductivity and heat resistance made of a relatively soft metal such as copper or copper alloy, and prevents the evaporation materials of the hearths 92A and 92B from interfering with each other and is generated from each. This is to prevent the particles that cause splash from affecting each other.

この隔壁９４は、正に帯電させることにより、正電荷を有する案内部材としての機能を
有するものとなっている。
ハース９２Ａ、９２Ｂ各々から蒸発した蒸発材料は、正電荷を有するイオンとなって高
密度プラズマＨＰ中を隔壁９４に向かって進行するが、隔壁９４の有する正電荷による反
発力により反発され、この隔壁９４近傍から基板Ｗに向かって進行し、基板Ｗ上に堆積す
る。
これにより、ハース９２Ａ、９２Ｂ各々から蒸発した蒸発材料は、隔壁９４により効率
的に基板Ｗに案内され、基板Ｗ上にて成膜されることとなる。 The partition wall 94 has a function as a guide member having a positive charge by being positively charged.
The evaporating material evaporated from each of the hearths 92A and 92B becomes ions having a positive charge and proceeds in the high-density plasma HP toward the partition wall 94, but is repelled by the repulsive force of the partition wall 94 due to the positive charge. It proceeds from the vicinity of 94 toward the substrate W and is deposited on the substrate W.
As a result, the evaporation material evaporated from each of the hearths 92A and 92B is efficiently guided to the substrate W by the partition wall 94, and is formed on the substrate W.

本実施形態の成膜装置９１によれば、真空容器２内の側壁かつ基板Ｗの成膜面の下方に
一対のハース９２Ａ、９２Ｂを互いに対向して配設し、これらハース９２Ａ、９２Ｂにプ
ラズマガン９３Ａ、９３Ｂをそれぞれ配設し、これらハース９２Ａ、９２Ｂ間に隔壁９４
を設けたので、ハース９２Ａ、９２Ｂのいずれか一方あるいは双方から蒸発する蒸発材料
Ｗやスプラッシュが，いずれか他方あるいは相互に悪影響を及ぼすのを防止することがで
きる。
したがって、ハース９２Ａ、９２Ｂを用いた複数種の成膜を、これらの蒸着材料間の相
互の干渉なしに行うことができる。 According to the film forming apparatus 91 of the present embodiment, a pair of hearths 92A and 92B are disposed opposite to each other on the side wall in the vacuum vessel 2 and below the film forming surface of the substrate W, and plasma is applied to these hearths 92A and 92B. Guns 93A and 93B are disposed, and a partition wall 94 is provided between these hearths 92A and 92B.
Therefore, it is possible to prevent the evaporation material W and splash evaporated from either one or both of the hearts 92A and 92B from adversely affecting either one or the other.
Therefore, a plurality of types of film formation using the hearths 92A and 92B can be performed without mutual interference between these vapor deposition materials.

また、隔壁９４は、導電性及び耐熱性を有するので、蒸発材料やプラッシュの原因とな
る粒子が付着した場合においても、帯電したり、熱により変形したり、等の不具合を防止
することができる。したがって、成膜工程における膜の品質及び成膜効率を向上させるこ
とができる。 In addition, since the partition wall 94 has conductivity and heat resistance, it is possible to prevent problems such as charging and deformation due to heat even when particles that cause evaporation material or splash are attached. . Therefore, film quality and film formation efficiency in the film formation process can be improved.

また、この隔壁９４は、正電荷を有することで、ハース９２Ａ、９２Ｂ各々から蒸発し
た正電荷を有する蒸発材料を、正電荷の反発力により基板Ｗに案内する案内部材としての
機能を有するので、ハース９２Ａ、９２Ｂ各々から蒸発する正電荷を有する蒸発材料を速
やかに基板Ｗに案内し、この基板Ｗ上に堆積させることができる。したがって、成膜の速
度を向上させることができ、成膜効率を向上させることができる。 In addition, since the partition wall 94 has a positive charge, it has a function as a guide member that guides the evaporation material having the positive charge evaporated from each of the hearths 92A and 92B to the substrate W by the repulsive force of the positive charge. The evaporation material having a positive charge evaporating from each of the hearts 92A and 92B can be quickly guided to the substrate W and deposited on the substrate W. Therefore, the film formation speed can be improved, and the film formation efficiency can be improved.

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。図１０は、携
帯電話６００の全体構成を示す斜視図である。携帯電話６００は、筺体６０１、複数の操
作ボタンが設けられた操作部６０２、画像や動画、文字等を表示する表示部６０３を有す
る。表示部６０３には、本発明に係る有機ＥＬ装置２１が搭載される。
このように、スプラッシュに起因する欠陥部が生じる虞が無く、しかも面内均一性が向
上した有機ＥＬ装置２１を備えているので、高信頼性かつ高性能な電子機器（携帯電話）
６００を得ることができる。 (Electronics)
Next, an electronic apparatus according to the present invention will be described using a mobile phone as an example. FIG. 10 is a perspective view showing the overall configuration of the mobile phone 600. The mobile phone 600 includes a housing 601, an operation unit 602 provided with a plurality of operation buttons, and a display unit 603 that displays images, moving images, characters, and the like. The display unit 603 is equipped with the organic EL device 21 according to the present invention.
As described above, since the organic EL device 21 having no inferior portion due to splash and having improved in-plane uniformity is provided, a highly reliable and high performance electronic device (mobile phone).
600 can be obtained.

なお、電子機器としては、上記携帯電話６００以外にも、マルチメディア対応のパーソ
ナルコンピュータ（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、
ページャ、あるいは投射型液晶表示装置、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ
型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲ
ーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。 As electronic devices, in addition to the mobile phone 600, a multimedia-compatible personal computer (PC), an engineering workstation (EWS),
Examples thereof include a pager, a projection type liquid crystal display device, a word processor, a television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, an electronic notebook, an electronic desk calculator, a car navigation device, a POS terminal, a touch panel, and the like.

本発明の第１の実施形態の成膜装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the film-forming apparatus of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態のハースを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the hearth of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態のハースを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the hearth of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態のハースにおけるスプラッシュの落下の様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the fall state of the splash in the hearth of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態のハースを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the hearth of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態のハースの動作及びスプラッシュの落下の様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the operation | movement of the hearth and the fall of a splash of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態の成膜装置を示す平面図である。It is a top view which shows the film-forming apparatus of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態の成膜装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the film-forming apparatus of the 3rd Embodiment of this invention. 電子機器の一例である携帯電話を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mobile telephone which is an example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

１…成膜装置、２…真空容器、３…基板搬送機構、４…ハース、５…プラズマガン、６
…ハースコイル、７…ステアリングコイル、８…配管、９…押し出し機構、１１…回転、
１２…回動、１４…スプラッシュ、２１…有機ＥＬ装置、３１…素子基板、３２…有機Ｅ
Ｌ素子、４１…透明保護基板、５１…接着層、４６、６４…ガスバリア層、６２…電極保
護層、Ｌ…表示領域、Ｍ…非表示領域、Ｌ１…軸線、Ｌ２…垂線、６００…携帯電話（電
子機器） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 2 ... Vacuum container, 3 ... Substrate conveyance mechanism, 4 ... Hearth, 5 ... Plasma gun, 6
... Hearth coil, 7 ... Steering coil, 8 ... Piping, 9 ... Extrusion mechanism, 11 ... Rotation,
12 ... Rotation, 14 ... Splash, 21 ... Organic EL device, 31 ... Element substrate, 32 ... Organic E
L element, 41 ... transparent protective substrate, 51 ... adhesive layer, 46, 64 ... gas barrier layer, 62 ... electrode protective layer, L ... display area, M ... non-display area, L1 ... axis, L2 ... perpendicular line, 600 ... mobile phone (Electronics)

Claims (10)

基板を収納する真空容器と、この真空容器内かつ前記基板の成膜面の下方に配設され蒸
着材料を収納する有底筒状の蒸着材料用容器と、この蒸着材料用容器内の蒸着材料を加熱
する加熱手段とを備え、
前記蒸着材料用容器の軸線は、前記基板の成膜面の垂線と交差してなることを特徴とす
る成膜装置。 A vacuum container for storing a substrate, a bottomed cylindrical container for a deposition material that is disposed in the vacuum container and below the film formation surface of the substrate, and stores a deposition material, and a deposition material in the deposition material container Heating means for heating
The deposition apparatus characterized in that an axis of the vapor deposition material container intersects a perpendicular of a deposition surface of the substrate. 前記蒸着材料用容器の軸線は、前記基板の成膜面の垂線と略直交してなることを特徴と
する請求項１記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein an axis of the vapor deposition material container is substantially orthogonal to a perpendicular to a film forming surface of the substrate. 前記蒸着材料用容器の側壁の高さは、前記基板側が高くかつ前記真空容器の底面側が低
いことを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。 3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein a height of a side wall of the vapor deposition material container is high on the substrate side and low on a bottom surface side of the vacuum container. 前記蒸着材料は円柱状であることを特徴とする請求項１、２または３記載の成膜装置。   The film deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition material is cylindrical. 前記蒸着材料用容器に、前記蒸着材料を前記真空容器内へ向かって押し出す押し出し機
構を設けてなることを特徴とする請求項４記載の成膜装置。 5. The film forming apparatus according to claim 4, wherein the vapor deposition material container is provided with an extruding mechanism for extruding the vapor deposition material into the vacuum container. 前記蒸着材料用容器は、その軸線の周りに回転または回動可能であることを特徴とする
請求項１ないし５のいずれか１項記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition material container is rotatable or pivotable about an axis thereof. 前記蒸着材料用容器を複数個とし、これらの蒸着材料用容器を前記真空容器内かつ前記
基板の成膜面の垂線と交差する方向それぞれに配設するとともに、これら蒸着材料用容器
の間に、これら相互間の干渉を阻止する隔壁を設けてなることを特徴とする請求項１ない
し６のいずれか１項記載の成膜装置。 A plurality of the vapor deposition material containers, these vapor deposition material containers are disposed in the vacuum container and in each direction intersecting the perpendicular of the film formation surface of the substrate, and between these vapor deposition material containers, 7. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a partition wall for preventing interference between them. 前記隔壁は導電性及び耐熱性を有することを特徴とする請求項７記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 7, wherein the partition wall has conductivity and heat resistance. 前記隔壁は、正電荷を有しており、蒸発した前記蒸着材料を前記正電荷の反発力により
前記基板に案内する案内部材であることを特徴とする請求項７または８記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 7, wherein the partition wall has a positive charge, and is a guide member that guides the evaporated deposition material to the substrate by a repulsive force of the positive charge. 前記案内部材は導電性及び耐熱性を有することを特徴とする請求項９記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 9, wherein the guide member has conductivity and heat resistance.

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