JP2010109345A5 - - Google Patents

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Claims (6)

  1. 単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、
    絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、
    前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を設ける工程と、を有し、
    前記単結晶半導体基板への前記イオンの照射は、前記単結晶半導体基板を冷却しながら行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記単結晶半導体基板への前記イオンの照射は、前記単結晶半導体基板を揺動させながら行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  3. 請求項１又は２において、
    前記単結晶半導体基板への前記イオンの照射を複数回に分けて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  4. 請求項３において、
    前記単結晶半導体基板に複数回に分けて前記イオンを照射する際に、第ｎ回目（ｎは１以上の自然数）の照射後であって第ｎ＋１回目の照射前に、前記単結晶半導体基板の温度を下げることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記イオンとして、水素元素からなるイオンを用い、前記イオンの総数に対してＨ３ ＋の割合を７０％以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
    前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を、２００℃以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7348227B1 (en) * 1995-03-23 2008-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
SG160300A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing soi substrate
US8288249B2 (en) * 2010-01-26 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
US8324084B2 (en) 2010-03-31 2012-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device
JP4831844B1 (ja) * 2010-09-28 2011-12-07 三菱重工業株式会社 常温接合装置および常温接合方法
US8735263B2 (en) 2011-01-21 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
US8772130B2 (en) 2011-08-23 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US9721832B2 (en) 2013-03-15 2017-08-01 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding
WO2016171262A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 日新電機株式会社 イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法
JP6503859B2 (ja) * 2015-04-24 2019-04-24 日新電機株式会社 イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法
JP2016207520A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 日新電機株式会社 イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法
US9607847B1 (en) * 2015-12-18 2017-03-28 Texas Instruments Incorporated Enhanced lateral cavity etch
CN109904065B (zh) * 2019-02-21 2021-05-11 中国科学院上海微***与信息技术研究所 异质结构的制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
JPH06163446A (ja) 1992-11-25 1994-06-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd イオンドーピング方法及び装置
JP3438377B2 (ja) * 1995-02-22 2003-08-18 石川島播磨重工業株式会社 イオンシャワードーピング装置
JPH08255762A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp 半導体デバイスの製造方法
JP3514912B2 (ja) * 1995-08-31 2004-04-05 東芝電子エンジニアリング株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0973873A (ja) * 1995-09-05 1997-03-18 Nissin Electric Co Ltd ホルダ駆動装置
JPH0982267A (ja) 1995-09-08 1997-03-28 Advanced Display:Kk イオンドーピング装置
JPH0982661A (ja) 1995-09-19 1997-03-28 Sony Corp 半導体装置の製造方法及びイオンドーピング装置
JPH1064471A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Hitachi Ltd イオン注入装置
US6582999B2 (en) 1997-05-12 2003-06-24 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process using pressurized fluid
US6534380B1 (en) * 1997-07-18 2003-03-18 Denso Corporation Semiconductor substrate and method of manufacturing the same
JP2000124092A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
JP2001274368A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 貼り合わせウエーハの製造方法およびこの方法で製造された貼り合わせウエーハ
US6583440B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus
US6717213B2 (en) * 2001-06-29 2004-04-06 Intel Corporation Creation of high mobility channels in thin-body SOI devices
JP4772258B2 (ja) 2002-08-23 2011-09-14 シャープ株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
US7119365B2 (en) 2002-03-26 2006-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate
US7148124B1 (en) 2004-11-18 2006-12-12 Alexander Yuri Usenko Method for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate preferably for making silicon-on-insulator wafers
US20070281440A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Jeffrey Scott Cites Producing SOI structure using ion shower
SG160300A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing soi substrate

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