JP2010109284A - Lead frame for electronic component - Google Patents

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直己 小谷
Kiyofumi Aoki
清文 青木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame for electronic component which has high strength while suppressing electric resistance and reduces an increase in ESR (Equivalent Series Resistance) after reflow. <P>SOLUTION: The lead frame includes a main material 11 having a high electrical conductivity and auxiliary materials 12 and 13 having high strength. The auxiliary materials 12 and 13 are formed in bending parts 11a and 11b of the main material 11, respectively. The main material 11 is made of copper, and the auxiliary materials 12 and 13 are made of a copper alloy. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子部品に用いるリードフレームの構造に関するものである。   The present invention relates to a structure of a lead frame used for an electronic component.

従来、コンデンサ素子などの回路部品を電子機器の回路と接続するためのリードフレームには、電気伝導率が比較的良好で、かつ機械強度が高いことから、４２％Ｎｉと５８％Ｆｅの合金である、４２アロイを主材とし、表面にＮｉメッキ層およびはんだ付け性を向上させるＳｎメッキ層をもつ材料が一般的に用いられていた（例えば特許文献１参照）。   Conventionally, a lead frame for connecting a circuit component such as a capacitor element to a circuit of an electronic device has a relatively good electrical conductivity and a high mechanical strength. Therefore, an alloy of 42% Ni and 58% Fe is used. A material having 42 alloy as a main material and having a Ni plating layer and a Sn plating layer for improving solderability on the surface is generally used (see, for example, Patent Document 1).

また、電子部品のリードフレームの電気伝導率向上のため、４２アロイ基材表面に、ごく薄いＣｕメッキ層を形成した材料が用いられていた（例えば特許文献２参照）。   Further, in order to improve the electrical conductivity of the lead frame of the electronic component, a material in which a very thin Cu plating layer is formed on the surface of the 42 alloy base has been used (see, for example, Patent Document 2).

特開平６―５４５８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-5458 特開２００６―２４５６１４号公報JP 2006-245614 A

しかし、近年、電解コンデンサの更なる低ＥＳＲ（Equivalent Series Resistance）の要求が高まるなか、特許文献１記載の４２アロイを用いる方法では、リードフレームの電気抵抗が高くなり、電解コンデンサのＥＳＲが高くなるという問題があった。   However, in recent years, the demand for further low ESR (Equivalent Series Resistance) of electrolytic capacitors has increased. In the method using 42 alloy described in Patent Document 1, the electrical resistance of the lead frame increases and the ESR of the electrolytic capacitors increases. There was a problem.

また、特許文献２記載の４２アロイ基材表面にＣｕメッキ層を形成する方法では、４２アロイ基材に比べてＣｕメッキ層が極端に薄いため、リードフレームの電気抵抗を下げるには不十分であり、逆にＣｕメッキ層が厚過ぎると、４２アロイ基材との熱膨張係数の差が大きすぎるため、固体電解コンデンサを回路基板に実装するためのリフロー時にリードフレームに反りが発生し、ＥＳＲが上昇するという問題があった。   Further, the method of forming the Cu plating layer on the surface of the 42 alloy base described in Patent Document 2 is not sufficient for reducing the electrical resistance of the lead frame because the Cu plating layer is extremely thin compared to the 42 alloy base. On the other hand, if the Cu plating layer is too thick, the difference in thermal expansion coefficient with the 42 alloy base material is too large, so that the lead frame warps during reflow for mounting the solid electrolytic capacitor on the circuit board. There was a problem of rising.

本発明は上記課題を解決するもので、電気抵抗を抑えながら強度が高く、かつリフロー後のＥＳＲの上昇を低減した電子部品用リードフレームを提供するものである。   The present invention solves the above problems, and provides a lead frame for an electronic component that has high strength while suppressing electrical resistance and reduced increase in ESR after reflow.

上記課題を解決するため、本発明の電子部品用リードフレームは、電子部品において電極端子として用いられるリードフレームであって、折り曲げ部分を有する主材と前記折り曲げ部分に形成された副材とを有し、前記主材が前記副材の電気伝導率より高い金属からなり、前記副材が前記主材の強度より高い金属からなり、少なくとも前記主材の金属の母材と前記副材の金属の母材が同一金属元素からなることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a lead frame for an electronic component according to the present invention is a lead frame used as an electrode terminal in an electronic component, and includes a main material having a bent portion and a secondary material formed on the bent portion. The main material is made of a metal higher than the electric conductivity of the sub-material, the sub-material is made of a metal higher than the strength of the main material, and at least the base metal of the main material and the metal of the sub-material The base material is made of the same metal element.

本発明によると、電気伝導率の高い主材により、全体として電気抵抗の低いリードフレームが実現する。また、強度の高い副材が主材の折り曲げ部に形成されているため、リードフレーム全体の強度を向上させることができる。さらに、主材と副材に共通する金属を用いているため、熱膨張係数に差が生じにくく、リフロー時に反りが生じにくい。したがって、リフロー後のＥＳＲの上昇を低減させることができる。   According to the present invention, a lead frame having a low electrical resistance as a whole is realized by the main material having a high electrical conductivity. In addition, since the strong secondary material is formed in the bent portion of the main material, the strength of the entire lead frame can be improved. In addition, since a common metal is used for the main material and the secondary material, a difference in thermal expansion coefficient is unlikely to occur, and warping is unlikely to occur during reflow. Therefore, an increase in ESR after reflow can be reduced.

また、本発明においては、前記主材が銅からなり、前記副材が銅の合金からなるものであってもよい。この場合、上記構成により、電気抵抗が低いリードフレームが実現する。   In the present invention, the main material may be made of copper, and the secondary material may be made of a copper alloy. In this case, the above configuration realizes a lead frame with low electrical resistance.

また、本発明においては、前記主材と前記副材との熱膨張係数の差が０．５×１０−６／℃以下であることが好ましい。このように、熱膨張係数の差を小さくすることで、リフロー時に反りがほとんど生じない。 Moreover, in this invention, it is preferable that the difference of the thermal expansion coefficient of the said main material and the said submaterial is 0.5 * 10 < -6 > / degrees C or less. Thus, by reducing the difference in thermal expansion coefficient, almost no warping occurs during reflow.

上記のように、電気伝導率の高い主材により、全体として電気抵抗の低いリードフレームが実現でき、また、強度の高い副材が主材の折り曲げ部に形成されているため、リードフレーム全体の強度が高い。さらに、主材と副材に同金属または母材が同じ合金を用いているため、熱膨張係数に差が生じにくく、リフロー時に反りが生じにくい。したがって、リフロー後のＥＳＲの上昇を低減することができる。   As described above, a lead frame having a low electrical resistance as a whole can be realized by the main material having a high electrical conductivity, and a secondary material having a high strength is formed in the bent portion of the main material. High strength. Furthermore, since the same metal or the same base metal alloy is used for the main material and the secondary material, a difference in thermal expansion coefficient is unlikely to occur, and warpage is unlikely to occur during reflow. Therefore, an increase in ESR after reflow can be reduced.

以下、本発明の好適な一実施形態について説明する。図１は、本実施形態のリードフレーム１０および２０を適用したコンデンサ１の正面図である。なお、図１は、外装樹脂層４の断面図を含んでいる。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a front view of a capacitor 1 to which the lead frames 10 and 20 of the present embodiment are applied. FIG. 1 includes a cross-sectional view of the exterior resin layer 4.

コンデンサ１に使用されるコンデンサ素子２は、固体電解コンデンサである。コンデンサ素子２には陽極導出線３が設けられており、リードフレーム１０はこの陽極導出線３に接続されている。また、コンデンサ素子２の表面には、誘電体酸化皮膜層および、陰極となる陰極引出層が形成され、この陰極引出層にリードフレーム２０が接続されている。コンデンサ素子２の周囲には、外装樹脂層４が形成されており、リードフレーム１０および２０の一部は、外装樹脂層４の外部へと露出している。   The capacitor element 2 used for the capacitor 1 is a solid electrolytic capacitor. The capacitor element 2 is provided with an anode lead-out line 3, and the lead frame 10 is connected to the anode lead-out line 3. In addition, a dielectric oxide film layer and a cathode lead layer serving as a cathode are formed on the surface of the capacitor element 2, and a lead frame 20 is connected to the cathode lead layer. The exterior resin layer 4 is formed around the capacitor element 2, and part of the lead frames 10 and 20 is exposed to the outside of the exterior resin layer 4.

次に、リードフレーム１０についてより詳細に説明する。図２（ａ）は、図１のリードフレーム１０を、図１の斜め左上方から見た斜視図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩＢ線に沿った断面の図である。なお、図２（ａ）は、リードフレーム１０からＮｉメッキ層１４およびＳｎメッキ層１５を除いた状態の図である。   Next, the lead frame 10 will be described in more detail. FIG. 2A is a perspective view of the lead frame 10 of FIG. 1 as viewed from the upper left of FIG. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB in FIG. 2A is a view of the lead frame 10 with the Ni plating layer 14 and the Sn plating layer 15 removed.

リードフレーム１０は、金属またはこの金属の合金からなる主材１１を有している。主材１１は、二箇所において折り曲げられており、全体として「コ」字型の概略形状を有している。主材１１の折り曲げ部１１ａおよび１１ｂには、副材１２および１３が形成されている。   The lead frame 10 has a main material 11 made of a metal or an alloy of this metal. The main material 11 is bent at two locations, and has a “U” -shaped schematic shape as a whole. Sub-materials 12 and 13 are formed at the bent portions 11 a and 11 b of the main material 11.

副材１２および１３は、いずれも主材１１に用いられた上記の金属または母材が同じ合金からなる。副材１２および１３に用いられている金属材料は、主材１１の金属材料より機械強度が高い材料となるものである。副材１２および１３は、図２（ｂ）に示すように主材１１に埋め込まれており、主材１１の厚さ方向に貫通している。また、副材１２および１３は、図２（ｂ）に示すように断面において左右から主材１１に挟まれている。
つまり、副材１２および１３は、いずれも主材１１を完全には分断しておらず、主材１１は、陽極導出線３に接続される端部１１ｃから外装樹脂層４の外部へと露出した端部１１ｄまで単独で導通可能である。 The secondary materials 12 and 13 are both made of the same metal or base material used for the main material 11. The metal material used for the secondary materials 12 and 13 is a material having higher mechanical strength than the metal material of the main material 11. The auxiliary materials 12 and 13 are embedded in the main material 11 as shown in FIG. 2 (b), and penetrate through the main material 11 in the thickness direction. Further, the auxiliary members 12 and 13 are sandwiched between the main members 11 from the left and right in the cross section as shown in FIG.
That is, the secondary materials 12 and 13 do not completely divide the main material 11, and the main material 11 is exposed from the end portion 11 c connected to the anode lead-out wire 3 to the outside of the exterior resin layer 4. It is possible to conduct to the end portion 11d alone.

さらに、主材１１、副材１２および１３の全体の表面には、内側から順にＮｉメッキ層１４およびＳｎメッキ層１５が形成されている。   Furthermore, a Ni plating layer 14 and a Sn plating layer 15 are formed in order from the inside on the entire surface of the main material 11 and the sub materials 12 and 13.

以上の構成によると、金属材料からなる主材１１が、陽極導出線３に接続される端部１１ｃから外装樹脂層４の外部へと露出した端部１１ｄまで単独で導通可能である。したがって、主材１１の材料として電気伝導率が高いものを採用すると、リードフレーム１０全体として電気抵抗を小さくできる。   According to the above configuration, the main material 11 made of a metal material can be independently conducted from the end portion 11 c connected to the anode lead-out line 3 to the end portion 11 d exposed to the outside of the exterior resin layer 4. Therefore, if a material having high electrical conductivity is adopted as the material of the main material 11, the electrical resistance of the lead frame 10 as a whole can be reduced.

また、主材１１の折り曲げ部１１ａおよび１１ｂに、主材１１の材料より強度の高い副材１２および１３を埋め込んでいるため、リードフレーム１０の全体としての強度が高くなる。なお、強度を確保するという観点から、図２（ｂ）の断面において、副材１２および１３の面積がリードフレーム１０全体の面積に対して５０％以上であることがより好ましい。   Further, since the sub-materials 12 and 13 having higher strength than the material of the main material 11 are embedded in the bent portions 11a and 11b of the main material 11, the strength of the lead frame 10 as a whole is increased. From the viewpoint of securing strength, it is more preferable that the area of the secondary materials 12 and 13 is 50% or more with respect to the entire area of the lead frame 10 in the cross section of FIG.

さらに、主材１１と副材１２および１３とに共通の金属を用いているので、これらの間の熱膨張係数に差が生じにくい。このため、リフロー時に反りなどが生じにくい。   Further, since a common metal is used for the main material 11 and the sub-materials 12 and 13, a difference in the coefficient of thermal expansion between them hardly occurs. For this reason, warpage or the like hardly occurs during reflow.

なお、リードフレーム２０もリードフレーム１０と同様、主材１１並びに副材１２および１３と同様の材料からなる主材と副材を有している。リードフレーム２０の主材は図１に示すように四箇所において折り曲げられており、これらの折り曲げ部のそれぞれに副材が埋め込まれている。   The lead frame 20 also has a main material and a sub material made of the same material as the main material 11 and the sub materials 12 and 13, similarly to the lead frame 10. As shown in FIG. 1, the main material of the lead frame 20 is bent at four locations, and a subsidiary material is embedded in each of these bent portions.

[実施例１]
以下に、本実施形態の具体的な実施例について説明する。 [Example 1]
Hereinafter, specific examples of the present embodiment will be described.

まず、コンデンサ１全体について説明する。タンタル粉末に陽極導出線３を埋設し、所定の形状にプレス成形後、焼結して２．４ｍｍ×１．５ｍｍ×１．２ｍｍの多孔質体とし、リン酸水溶液中において印加電圧１０Ｖで陽極酸化を行い、多孔質体の表面に誘電体酸化皮膜層を形成し、コンデンサ陽極体を得た。   First, the entire capacitor 1 will be described. Anode lead wire 3 is embedded in tantalum powder, pressed into a predetermined shape, sintered to a porous body of 2.4 mm × 1.5 mm × 1.2 mm, and an anode at an applied voltage of 10 V in a phosphoric acid aqueous solution. Oxidation was performed to form a dielectric oxide film layer on the surface of the porous body to obtain a capacitor anode body.

次に、上記のコンデンサ陽極体を、２，４−エチレンジオキシチオフェン（以下、ＥＤＯＴと略す）を含むモノマー溶液とドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄を含む酸化剤溶液とを用いて化学酸化重合し、導電性高分子層を形成した。   Next, the capacitor anode body is chemically oxidatively polymerized using a monomer solution containing 2,4-ethylenedioxythiophene (hereinafter abbreviated as EDOT) and an oxidizer solution containing ferric dodecylbenzenesulfonate. A conductive polymer layer was formed.

なお、近年、電子機器のデジタル化にともない、電子部品には優れた高周波特性が求められていることから、固体電解コンデンサに用いられる固体電解質には、低ＥＳＲ化を目的として導電性高分子が使用されている。一般に、固体電解コンデンサに使用される導電性高分子としては、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンまたはそれらの誘導体等がある。なかでもポリチオフェンは、ポリピロールやポリアニリンと比較して導電率が高く、かつ熱安定性に優れていることから使用されることが多い。   In recent years, with the digitization of electronic equipment, electronic components are required to have excellent high-frequency characteristics. Therefore, a solid polymer used for a solid electrolytic capacitor has a conductive polymer for the purpose of reducing ESR. in use. In general, examples of the conductive polymer used in the solid electrolytic capacitor include polythiophene, polypyrrole, polyaniline, and derivatives thereof. Of these, polythiophene is often used because it has higher electrical conductivity and better thermal stability than polypyrrole and polyaniline.

次に、導電性高分子層の上に、カーボンペースト、銀ペーストを塗布、乾燥して、カーボン層および銀層を順次形成してコンデンサ素子２とした。そして、この銀層の上に陰極リードフレーム２０を接続すると共に、陽極導出線３に陽極リードフレーム１０を接続した。その後、トランスファーモールドにより外装樹脂層４を形成した。   Next, a carbon paste and a silver paste were applied and dried on the conductive polymer layer, and a carbon layer and a silver layer were sequentially formed to obtain a capacitor element 2. A cathode lead frame 20 was connected to the silver layer, and an anode lead frame 10 was connected to the anode lead-out wire 3. Thereafter, the exterior resin layer 4 was formed by transfer molding.

本実施例のリードフレーム１０についてより詳細に説明する。主材１１として、電気伝導率１００％ＩＡＣＳ、引張り強さ３９０Ｎ／ｍｍ２、熱膨張係数１７．７×１０−６／℃の無酸素銅（Ｃ１０２０）を用いた。また、副材１２および１３として、電気伝導率３５％ＩＡＣＳ、引張り強さ８３０Ｎ／ｍｍ２、熱膨張係数１７．２×１０−６／℃のＣｕアロイ（Ｃ１８５）を共通に用いた。また、主材１１、副材１２および１３の全体の表面には、Ｎｉメッキ層１４およびＳｎメッキ層１５を形成した。 The lead frame 10 of this embodiment will be described in more detail. As the main material 11, oxygen-free copper (C1020) having an electrical conductivity of 100% IACS, a tensile strength of 390 N / mm 2 and a thermal expansion coefficient of 17.7 × 10 −6 / ° C. was used. Further, as the secondary materials 12 and 13, Cu alloy (C185) having an electrical conductivity of 35% IACS, a tensile strength of 830 N / mm 2 and a thermal expansion coefficient of 17.2 × 10 −6 / ° C. was commonly used. Further, the Ni plating layer 14 and the Sn plating layer 15 were formed on the entire surface of the main material 11 and the auxiliary materials 12 and 13.

リードフレーム１０の各層の厚さは、主材１１、副材１２および１３が０．９ｍｍ、Ｎｉメッキ層１４が１μｍずつ、Ｓｎメッキ層１５が５μｍずつとした。   The thickness of each layer of the lead frame 10 was 0.9 mm for the main material 11 and sub-materials 12 and 13, 1 μm for the Ni plating layer 14, and 5 μm for the Sn plating layer 15.

[実施例２]
副材１２および１３として、電気伝導率３５％ＩＡＣＳ、引張り強さ６５０Ｎ／ｍｍ２、熱膨張係数１７．３×１０−６／℃のＣｕアロイ（Ｃ１２５）を共通に用いた。これ以外は、実施例１と同様の方法で固体電解コンデンサ１を作製した。 [Example 2]
As the secondary materials 12 and 13, Cu alloy (C125) having an electrical conductivity of 35% IACS, a tensile strength of 650 N / mm 2 and a thermal expansion coefficient of 17.3 × 10 −6 / ° C. was commonly used. Except for this, the solid electrolytic capacitor 1 was produced in the same manner as in Example 1.

[比較例]
副材１２および１３として、電気伝導率３％ＩＡＣＳ、引張り強さ６４０Ｎ／ｍｍ２、熱膨張係数７．０×１０−６／℃の４２アロイを共通に用いた。これ以外は、実施例１と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。 [Comparative example]
As the secondary materials 12 and 13, 42 alloy having an electrical conductivity of 3% IACS, a tensile strength of 640 N / mm 2 and a thermal expansion coefficient of 7.0 × 10 −6 / ° C. was commonly used. Other than this, a solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 1.

（従来例１）
以下、従来例について説明する。図３（ａ）は、従来例１のリードフレーム８０の構成を示す斜視図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩＢ線に沿った断面の図である。なお、図３（ａ）は、リードフレーム８０からＮｉメッキ層８４およびＳｎメッキ層８５を除いた状態の図である。 (Conventional example 1)
A conventional example will be described below. FIG. 3A is a perspective view showing the configuration of the lead frame 80 of the first conventional example. FIG.3 (b) is a figure of the cross section along the IIIB line | wire of Fig.3 (a). FIG. 3A shows the lead frame 80 with the Ni plating layer 84 and the Sn plating layer 85 removed.

リードフレーム８０は、主材８１を有しているが、実施例１のような副材を有していない。主材８１は、主材１１と同様に二箇所において折り曲げられており、全体として「コ」字型の概略形状を有している。主材８１の表面には、内側から順にＮｉメッキ層８４およびＳｎメッキ層８５が形成されている。主材８１には、電気伝導率３％ＩＡＣＳ、引張り強さ６４０Ｎ／ｍｍ２、熱膨張係数７．０×１０−６／℃の４２アロイを用いた。上記の構成以外は、実施例１と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。 The lead frame 80 includes a main material 81 but does not include a secondary material as in the first embodiment. The main material 81 is bent at two places like the main material 11 and has a generally “U” -shaped general shape. On the surface of the main material 81, an Ni plating layer 84 and an Sn plating layer 85 are formed in order from the inside. As the main material 81, 42 alloy having an electrical conductivity of 3% IACS, a tensile strength of 640 N / mm 2 and a thermal expansion coefficient of 7.0 × 10 −6 / ° C. was used. A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except for the above configuration.

（従来例２）
図４（ａ）は、従来例２のリードフレーム９０の構成を示す斜視図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩＶＢ線に沿った断面の図である。なお、図４（ａ）は、リードフレーム９０からＣｕメッキ層９４、Ｎｉメッキ層９５、Ｐｄメッキ層９６およびＡｕメッキ層９７を除いた状態の図である。 (Conventional example 2)
FIG. 4A is a perspective view showing a configuration of the lead frame 90 of the second conventional example. FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line IVB in FIG. 4A shows a state in which the Cu plating layer 94, the Ni plating layer 95, the Pd plating layer 96, and the Au plating layer 97 are removed from the lead frame 90. FIG.

リードフレーム９０は、主材９１を有しているが、実施例１のような副材を有していない。主材９１は、主材１１と同様に二箇所において折り曲げられており、全体として「コ」字型の概略形状を有している。主材９１の表面には、内側から順にＣｕメッキ層９４、Ｎｉメッキ層９５、Ｐｄメッキ層９６およびＡｕメッキ層９７が形成されている。上記の構成以外は、従来例１と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。   The lead frame 90 includes the main material 91 but does not include the secondary material as in the first embodiment. The main material 91 is bent at two places like the main material 11 and has a “U” -shaped general shape as a whole. On the surface of the main material 91, a Cu plating layer 94, a Ni plating layer 95, a Pd plating layer 96, and an Au plating layer 97 are formed in this order from the inside. A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Conventional Example 1 except for the above configuration.

［測定結果］
上記の実施例１等においてＥＳＲ値およびフレーム折り曲げ回数を測定した結果を表１に示す。なお、ＥＳＲ値は、リフロー前およびリフロー後のそれぞれにおいて測定した。ＥＳＲ測定周波数は１００ｋＨｚであり、リフロー条件は２６０℃で１０秒間を３回である。また、フレーム折り曲げ回数は、各リードフレームの折り曲げ部において９０°折り曲げた後、元に戻すことを１回とし、リードフレームが断裂するまでこの曲げ戻しを繰り返した際の曲げ戻し回数を示す。これらの測定値は、各５０個のリードフレームでの平均値である。 [Measurement result]
Table 1 shows the results of measuring the ESR value and the number of frame folding in Example 1 and the like. The ESR value was measured before reflow and after reflow. The ESR measurement frequency is 100 kHz, and the reflow condition is 260 ° C. for 10 seconds three times. Further, the number of times of frame bending indicates the number of times of bending back when the bending portion of each lead frame is bent 90 ° and then returned to the original state and this bending back is repeated until the lead frame is torn. These measured values are average values of 50 lead frames.

Figure 2010109284
Figure 2010109284

表１より明らかなように、実施例１、２は、従来例１および２と比較して、リフロー前後のＥＳＲ特性およびフレーム折曲げ回数が良好な値を示した。   As is clear from Table 1, Examples 1 and 2 showed better values for the ESR characteristics before and after reflow and the number of frame bends compared to Conventional Examples 1 and 2.

ここで、主材１１と、副材１２および１３とを母材の異なる金属で形成した場合（比較例）、リフロー前のＥＳＲ値は改善されるが、リフロー後に大きく上昇するため、主材１１と、副材１２および１３とを、同金属または母材が同じ合金で形成し、さらに熱膨張係数の差を、０．５×１０−６／℃以下（実施例１および２）とすることがより好ましいことが分かる。このため、コンデンサ１を回路基板に実装するための２６０℃リフローの際にフレームに熱応力が発生せず、実装不良や電気特性の悪化を引き起こさない。したがって、比較例とくらべてＥＳＲ特性の良好な導電性高分子固体電解コンデンサを提供することができる。 Here, when the main material 11 and the sub-materials 12 and 13 are formed of metals having different base materials (comparative example), the ESR value before reflow is improved, but greatly increases after reflow. And the sub-materials 12 and 13 are made of the same metal or the same base metal alloy, and the difference in thermal expansion coefficient is 0.5 × 10 −6 / ° C. or less (Examples 1 and 2). Is more preferable. For this reason, no thermal stress is generated in the frame during the 260 ° C. reflow for mounting the capacitor 1 on the circuit board, and mounting defects and deterioration of electrical characteristics are not caused. Therefore, it is possible to provide a conductive polymer solid electrolytic capacitor having better ESR characteristics than the comparative example.

また、実施例１、２は、リードフレーム１０の機械強度を高く保ったまま電気抵抗を下げることができるため、従来例１、２および比較例と比べてもリフロー前後のＥＳＲ特性が良好な導電性高分子固体電解コンデンサを提供することができる。   Further, in Examples 1 and 2, the electrical resistance can be lowered while keeping the mechanical strength of the lead frame 10 high, so that the ESR characteristics before and after reflow are better than those of the conventional examples 1 and 2 and the comparative example. Can be provided.

［変形例］
以下、本実施形態の変形例について説明する。図５および図６は、本実施形態の変形例であるリードフレーム１１０および２１０の構成図である。上記の実施例では折り曲げ部にのみ副材を形成する構造としたが、図５や図６に示すような構造としても同様の効果が得られる。なお、図５および図６において上記の実施例と同じ構成には同じ符号を付し、その説明を省略する。 [Modification]
Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described. 5 and 6 are configuration diagrams of lead frames 110 and 210 which are modifications of the present embodiment. In the above embodiment, the secondary material is formed only at the bent portion. However, the same effect can be obtained with the structure as shown in FIGS. 5 and 6, the same reference numerals are given to the same components as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

図５（ａ）はリードフレーム１１０の斜視図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶＢ線に沿った断面図である。図５（ａ）は、リードフレーム１１０からＮｉメッキ層１４およびＳｎメッキ層１５を除いた状態の図である。リードフレーム１１０は主材１１１並びに副材１１２および１１３を有している。主材１１１は、実施例と同様に二箇所において折り曲げられており、全体として「コ」字型の概略形状を有している。副材１１２および１１３は、主材１１１の折り曲げ部の内部に埋設されている。主材１１１は、上述の主材１１と同様の材料から構成されており、副材１１２および１１３は、上述の副材１２および１３と同様の材料から構成されている。   5A is a perspective view of the lead frame 110, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line VB of FIG. 5A. FIG. 5A is a diagram showing a state in which the Ni plating layer 14 and the Sn plating layer 15 are removed from the lead frame 110. The lead frame 110 has a main material 111 and auxiliary materials 112 and 113. The main material 111 is bent at two places as in the embodiment, and has a “U” -shaped schematic shape as a whole. The auxiliary materials 112 and 113 are embedded in the bent portion of the main material 111. The main material 111 is made of the same material as the above-mentioned main material 11, and the sub-materials 112 and 113 are made of the same material as the above-mentioned sub-materials 12 and 13.

図６（ａ）はリードフレーム２１０の斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＶＩＢ線に沿った断面図である。図６（ａ）は、リードフレーム２１０からＮｉメッキ層１４およびＳｎメッキ層１５を除いた状態の図である。リードフレーム２１０は、主材２１１ａおよび２１１ｂを有している。主材２１１ａおよび２１１ｂは、それぞれ二箇所において折り曲げられており、全体として「コ」字型の概略形状を有している。
さらに、主材２１１ａおよび２１１ｂの間には、これらの部材に挟まれるように副材２１２が設けられている。主材２１１ａおよび２１１ｂ並びに副材２１２は、図６（ｂ）に示す断面とは直交する縦断面に関して互いに同じ形状を有している。主材２１１ａおよび２１１ｂは、上述の主材１１と同様の材料から構成されており、副材２１２は、上述の副材１２および１３と同様の材料から構成されている。 6A is a perspective view of the lead frame 210, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line VIB of FIG. 6A. FIG. 6A is a diagram showing a state in which the Ni plating layer 14 and the Sn plating layer 15 are removed from the lead frame 210. The lead frame 210 has main materials 211a and 211b. The main materials 211a and 211b are bent at two locations, respectively, and have a “U” -shaped schematic shape as a whole.
Further, a sub-material 212 is provided between the main materials 211a and 211b so as to be sandwiched between these members. The main materials 211a and 211b and the sub-material 212 have the same shape with respect to a vertical cross section perpendicular to the cross section shown in FIG. The main materials 211a and 211b are made of the same material as the above-mentioned main material 11, and the sub-material 212 is made of the same material as the above-mentioned sub-materials 12 and 13.

以上のリードフレーム１１０および２１０の形態においても、主材の折り曲げ部に副材を埋め込んでいるため、リードフレーム全体として強度が高い。また、主材と副材とに一部共通の金属を用いているので、これらの間の熱膨張係数に差が生じにくい。このため、リフロー時に反りなどが生じにくい。   Also in the forms of the lead frames 110 and 210 described above, since the secondary material is embedded in the bent portion of the main material, the strength of the entire lead frame is high. In addition, since a part of the common metal is used for the main material and the secondary material, a difference in the coefficient of thermal expansion between them hardly occurs. For this reason, warpage or the like hardly occurs during reflow.

＜その他の変形例＞
以上は、本発明の好適な実施形態についての説明であるが、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、課題を解決するための手段に記載された範囲の限りにおいて、様々な変更が可能なものである。 <Other variations>
The above is a description of a preferred embodiment of the present invention, but the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope described in the means for solving the problems. Is possible.

例えば、上述の実施形態では、リードフレーム表面のメッキをＮｉメッキ層、Ｓｎメッキ層としたが、Ｐｄメッキ層、Ａｕメッキ層もしくはＡｇメッキ層のようなその他の公知のメッキ層を用いても同様の効果が得られる。   For example, in the above-described embodiment, the lead frame surface is plated with a Ni plating layer or a Sn plating layer, but other known plating layers such as a Pd plating layer, an Au plating layer, or an Ag plating layer may be used. The effect is obtained.

さらに、コンデンサ陽極材料としてタンタルを用いたが、ニオブやアルミニウムのような弁作用金属を用いても同様の効果が得られる。   Further, although tantalum is used as the capacitor anode material, the same effect can be obtained by using a valve metal such as niobium or aluminum.

また、固体電解質として導電性高分子を用いたが、二酸化マンガンを用いても同様の効果が得られる。   Moreover, although the conductive polymer was used as the solid electrolyte, the same effect can be obtained by using manganese dioxide.

また、本発明は、タンタル固体電解コンデンサに適用したが、リードフレームに折曲げ部分を有するその他の電子部品に適用しても同様の効果が得られる。   Although the present invention is applied to a tantalum solid electrolytic capacitor, the same effect can be obtained when applied to other electronic components having a bent portion in the lead frame.

また、上述の実施形態では、主材の各折り曲げ部に副材が埋め込まれているが、折り曲げ部の一部にのみ副材が設けられていてもよい。   Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the submaterial is embedded in each bending part of the main material, the submaterial may be provided only in a part of bending part.

本発明の一実施形態である固体電解コンデンサの一部断面を含む正面図である。It is a front view including the partial cross section of the solid electrolytic capacitor which is one Embodiment of this invention. 図２（ａ）は、メッキを除いた状態のリードフレームを、図１の左方且つ斜め上方から見た斜視図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩＢ線に沿った断面の図である。FIG. 2A is a perspective view of the lead frame in a state where plating is removed as viewed from the left and obliquely upward in FIG. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB in FIG. 従来例１のリードフレームの構成を示す図２に対応する図である。FIG. 9 is a diagram corresponding to FIG. 2 showing a configuration of a lead frame of Conventional Example 1. 従来例２のリードフレームの構成を示す図２に対応する図である。FIG. 9 is a diagram corresponding to FIG. 2 showing a configuration of a lead frame of Conventional Example 2. 本実施形態の変形例のリードフレームの構成を示す図２に対応する図である。FIG. 6 is a view corresponding to FIG. 2 illustrating a configuration of a lead frame according to a modified example of the embodiment. 本実施形態の別の変形例のリードフレームの構成を示す図２に対応する図である。It is a figure corresponding to FIG. 2 which shows the structure of the lead frame of another modification of this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ コンデンサ
２ コンデンサ素子
３ 陽極導出線
４ 外装樹脂層
１０，２０，８０，９０，１１０，２１０ リードフレーム
１１，８１，９１，１１１，２１１ａ，２１１ｂ 主材
１２，１３，１１２，１１３，２１２ 副材
１４、８４、９５ Ｎｉメッキ層
１５、８５ Ｓｎメッキ層
９４ Ｃｕメッキ層
９６ Ｐｄメッキ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Capacitor 2 Capacitor element 3 Anode lead-out line 4 Exterior resin layer 10, 20, 80, 90, 110, 210 Lead frame 11, 81, 91, 111, 211a, 211b Main material 12, 13, 112, 113, 212 Secondary material 14, 84, 95 Ni plating layer 15, 85 Sn plating layer 94 Cu plating layer 96 Pd plating layer

Claims (3)

電子部品において電極端子として用いられるリードフレームであって、
折り曲げ部分を有する主材と前記折り曲げ部分に形成された副材とを有し、
前記主材が前記副材の電気伝導率より高い金属からなり、
前記副材が前記主材の強度より高い金属からなり、
少なくとも、前記主材の金属の母材と前記副材の金属の母材が同一金属元素からなることを特徴とする電子部品用リードフレーム。 A lead frame used as an electrode terminal in an electronic component,
A main material having a bent portion and a secondary material formed in the bent portion;
The main material is made of a metal higher than the electrical conductivity of the sub-material,
The secondary material is made of a metal higher than the strength of the main material,
The lead frame for electronic parts, wherein at least the metal base material of the main material and the metal base material of the secondary material are made of the same metal element. 前記主材が銅からなり、前記副材が銅の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用リードフレーム。   The lead frame for an electronic component according to claim 1, wherein the main material is made of copper, and the sub-material is made of a copper alloy. 前記主材と前記副材との熱膨張係数の差が０．５×１０−６／℃以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品用リードフレーム。 3. The lead frame for an electronic component according to claim 1, wherein a difference in thermal expansion coefficient between the main material and the auxiliary material is 0.5 × 10 −6 / ° C. or less.
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