JP2010103619A - Failure detection circuit - Google Patents

Failure detection circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2010103619A
JP2010103619A JP2008270934A JP2008270934A JP2010103619A JP 2010103619 A JP2010103619 A JP 2010103619A JP 2008270934 A JP2008270934 A JP 2008270934A JP 2008270934 A JP2008270934 A JP 2008270934A JP 2010103619 A JP2010103619 A JP 2010103619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
failure detection
switch
circuit
push
comparator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008270934A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Sadohara
聡 佐土原
Koichi Yamashita
幸一 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2008270934A priority Critical patent/JP2010103619A/en
Publication of JP2010103619A publication Critical patent/JP2010103619A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a failure detection circuit detecting a resistance short-circuit mode failure of a push-side power transistor of a push-pull type power transistor used in an in-vehicle apparatus. <P>SOLUTION: In the failure detection circuit 10, a comparator 1 compares a voltage of an output terminal OUT of a push-pull type transistor circuit 110 with a reference voltage Vref; a switch 2 turns on/off connection between the comparator 1 and an operating power voltage line; a switch 3 turns on/off connection between a bias circuit 120 for supplying a bias voltage to the push-pull type transistor circuit 110 and the operating power voltage line; a switch control part 4 controls the switch 2 and the switch 3 which are turned on and turned off, respectively, when a failure detection mode is set; and a warning output part 5 outputs a warning signal to the outside when the comparator 1 detects that the voltage of the output terminal OUT of the push-pull type transistor circuit 110 is higher than the reference voltage Vref in the failure detection mode. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、故障検出回路に関する。   The present invention relates to a failure detection circuit.

カーステレオ用のパワーＩＣでは、その出力段にプッシュプル形式のパワートランジスタが用いられることが多い。このパワートランジスタに短絡故障やオープン故障が発生すると、音声が出力されないなどの不具合が生じる。   In power ICs for car stereos, push-pull type power transistors are often used at the output stage. If a short circuit failure or an open failure occurs in this power transistor, problems such as no audio output occur.

このようなプッシュプル形式のパワートランジスタにおける故障モードの１つに、何らかの外的電気的ストレスがスピーカ出力に与えられたことにより、プッシュ側のパワートランジスタがダメージを受けたとき、そのダメージの程度が軽いと、プッシュ側のパワートランジスタが抵抗短絡状態になるモードがある。この場合、スピーカからは曲がりなりにも音声が出力されるので、使用者はその故障に気づかないことが多い。   One of the failure modes in such a push-pull type power transistor is that when some external electrical stress is applied to the speaker output and the push-side power transistor is damaged, the degree of damage is reduced. When light, there is a mode in which the push-side power transistor is in a resistance short circuit state. In this case, since the sound is output from the speaker even when turning, the user often does not notice the failure.

カーステレオでは、一般に、プッシュ側のパワートランジスタが車載のバッテリに接続されている。そのため、上述のプッシュ側のパワートランジスタが抵抗短絡状態になる故障が発生すると、カーステレオの電源がオフのときも、バッテリからプッシュ側のパワートランジスタを介してパワーＩＣのバイアス回路へ電流が流れ続け、バッテリから流れる暗電流を増加させることになる。その結果、最悪の場合、バッテリ上がりに至るという問題が発生する。   In a car stereo, generally, a push-side power transistor is connected to an in-vehicle battery. Therefore, when a failure occurs in which the above-mentioned push-side power transistor is in a resistance short-circuit state, current continues to flow from the battery to the bias circuit of the power IC via the push-side power transistor even when the car stereo power supply is off. The dark current flowing from the battery will be increased. As a result, in the worst case, there is a problem that the battery runs out.

従来、このようなパワーＩＣの信頼性向上のため、パワーＩＣの出力状態を容易に検出できるようにした故障検出回路が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。   Conventionally, in order to improve the reliability of such a power IC, there has been proposed a failure detection circuit that can easily detect the output state of the power IC (see, for example, Patent Document 1).

しかし、上述の提案された故障検出回路では、出力段のプッシュ側のトランジスタからプッシュ電流が流れている期間内にて、プル側トランジスタがオフ状態になる期間があるか否かを判定し、この判定結果を出力するようにされているため、パワーアンプの出力がオープン状態であることが検出できるだけである。   However, in the above-described proposed failure detection circuit, it is determined whether or not there is a period in which the pull-side transistor is in the off state within the period in which the push current flows from the push-side transistor of the output stage. Since the determination result is output, it is only possible to detect that the output of the power amplifier is in an open state.

すなわち、従来の故障検出回路では、プッシュ側のパワートランジスタが抵抗短絡状態になる故障が検出できない、という問題があった。
特開平８−３３０８５８号公報 （第３−４ページ、図１） That is, the conventional failure detection circuit has a problem in that a failure in which the push-side power transistor is in a resistance short circuit state cannot be detected.
JP-A-8-330858 (page 3-4, FIG. 1)

そこで、本発明の目的は、車載機器で用いられるプッシュプル形式のパワートランジスタのプッシュ側パワートランジスタの抵抗短絡モード故障を検出することのできる故障検出回路を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a failure detection circuit capable of detecting a resistance short-circuit mode failure of a push-side power transistor of a push-pull type power transistor used in an in-vehicle device.

本発明の一態様によれば、バッテリに接続されたプッシュプル形式のパワートランジスタの出力端子の電圧を所定の基準電圧と比較するコンパレータと、前記コンパレータと前記コンパレータの動作用電源電圧線との接続をオン／オフする第１のスイッチと、前記プッシュプル形式のパワートランジスタへバイアス電圧を供給するバイアス回路と前記バイアス回路の動作用電源電圧線との接続をオン／オフする第２のスイッチと、動作モード設定信号により故障検出モードが設定されたとき、前記第１のスイッチをオンさせ、前記第２のスイッチをオフさせるように制御するスイッチ制御部と、前記故障検出モード時に前記出力端子の電圧が前記基準電圧より高いことを前記コンパレータが検出したときは、外部へ警告信号を出力する警告出力部とを備えることを特徴とする故障検出回路が提供される。   According to one aspect of the present invention, a comparator that compares the voltage of the output terminal of a push-pull type power transistor connected to a battery with a predetermined reference voltage, and the connection between the comparator and the power supply voltage line for operation of the comparator A first switch for turning on / off, a second switch for turning on / off a connection between a bias circuit for supplying a bias voltage to the push-pull type power transistor and an operation power supply voltage line of the bias circuit; A switch control unit that controls to turn on the first switch and turn off the second switch when a failure detection mode is set by an operation mode setting signal; and a voltage of the output terminal in the failure detection mode. When the comparator detects that is higher than the reference voltage, it outputs a warning signal to the outside. Fault detection circuit is provided, characterized in that it comprises a part.

本発明によれば、車載機器で用いられるプッシュプル形式のパワートランジスタのプッシュ側パワートランジスタの抵抗短絡モード故障を検出することができる。   According to the present invention, it is possible to detect a resistance short-circuit mode failure of a push-side power transistor of a push-pull type power transistor used in an in-vehicle device.

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

図１は、本発明の実施例１に係る故障検出回路の構成の例を示す回路図である。   FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an example of a configuration of a failure detection circuit according to the first embodiment of the present invention.

本実施例の故障検出回路１０は、例えばカーステレオに搭載されるパワーＩＣ１０００の出力端子Ｔ１００に接続されるプッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴに接続される。   The failure detection circuit 10 of this embodiment is connected to an output terminal OUT of a push-pull transistor circuit 110 connected to an output terminal T100 of a power IC 1000 mounted on a car stereo, for example.

ここで、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０は、直列に接続されたプッシュ側パワートランジスタＴ１１１とプル側トランジスタＴ１１２により構成され、アンプ１００の出力を受けて、出力端子Ｔ１００に接続されるスピーカを駆動する。このプッシュプル形式トランジスタ回路１１０へは、バイアス回路１２０よりバイアス電圧が供給される。   Here, the push-pull transistor circuit 110 includes a push-side power transistor T111 and a pull-side transistor T112 connected in series, receives the output of the amplifier 100, and drives a speaker connected to the output terminal T100. A bias voltage is supplied from the bias circuit 120 to the push-pull transistor circuit 110.

また、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０は、電源端子Ｔ２００を介して車載のバッテリ２００へ接続されている。   The push-pull transistor circuit 110 is connected to the vehicle battery 200 via the power supply terminal T200.

本実施例の故障検出回路１０は、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧を所定の基準電圧Ｖｒｅｆと比較するコンパレータ１と、コンパレータ１とコンパレータ１の動作用電源電圧線との接続をオン／オフするスイッチ２と、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０へバイアス電圧を供給するバイアス回路１２０とバイアス回路１２０の動作用電源電圧線との接続をオン／オフするスイッチ３と、動作モード設定信号ＭＤにより故障検出モードが設定されたとき、スイッチ２をオンさせ、スイッチ３をオフさせるように制御するスイッチ制御部４と、上述の故障検出モード時にプッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧が基準電圧Ｖｒｅｆより高いことをコンパレータ１が検出したとき、外部へ警告信号を出力する警告出力部５と、を備える。   The failure detection circuit 10 of the present embodiment connects the comparator 1 that compares the voltage at the output terminal OUT of the push-pull transistor circuit 110 with a predetermined reference voltage Vref, and the operation power supply voltage line of the comparator 1. A switch 2 for turning on / off, a switch 3 for turning on / off connection of a bias circuit 120 for supplying a bias voltage to the push-pull transistor circuit 110 and a power supply voltage line for operation of the bias circuit 120, and an operation mode setting signal MD When the failure detection mode is set, the switch control unit 4 that controls the switch 2 to be turned on and the switch 3 to be turned off, and the voltage of the output terminal OUT of the push-pull transistor circuit 110 in the failure detection mode described above When the comparator 1 detects that it is higher than the reference voltage Vref It includes a warning output unit 5 that outputs a warning signal to the outside.

警告出力部５として、本実施例では、コンパレータ１の出力により導通が制御されるトランジスタＴ５１を備える。すなわち、本実施例では、トランジスタＴ５１が導通したとき、“Ｌ”レベルの警告信号が、トランジスタＴ５１のコレクタ端子から出力される。   In this embodiment, the warning output unit 5 includes a transistor T51 whose conduction is controlled by the output of the comparator 1. That is, in this embodiment, when the transistor T51 is turned on, an “L” level warning signal is output from the collector terminal of the transistor T51.

また、図１では、警告信号が出力されたことを外部へ知らせる回路として、トランジスタＴ５１のコレクタ端子に直列に、発光ダイオードＤ５００と、発光ダイオードＤ５００に流れる電流を制御する抵抗Ｒ５００とが、接続された例を示す。発光ダイオードＤ５００は、警告出力部５から“Ｌ”レベルの警告信号が出力されたときに発光する。   In FIG. 1, a light emitting diode D500 and a resistor R500 for controlling the current flowing through the light emitting diode D500 are connected in series with the collector terminal of the transistor T51 as a circuit for notifying the outside that a warning signal has been output. An example is shown. The light emitting diode D <b> 500 emits light when an “L” level warning signal is output from the warning output unit 5.

次に、図２を参照して、本実施例の故障検出モード時の動作について説明する。   Next, the operation in the failure detection mode of this embodiment will be described with reference to FIG.

図２に示すように、動作モード設定信号ＭＤにより故障検出モードが設定されると、スイッチ２はオンし、スイッチ３はオフする。   As shown in FIG. 2, when the failure detection mode is set by the operation mode setting signal MD, the switch 2 is turned on and the switch 3 is turned off.

スイッチ２がオンすることにより、コンパレータ１は、動作用電源電圧線に接続され、動作可能状態となる。   When the switch 2 is turned on, the comparator 1 is connected to the operation power supply voltage line and becomes operable.

一方、スイッチ３がオフすると、バイアス回路１２０は、動作用電源電圧線との接続が切断され、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０へのバイアス電圧の供給を停止する。   On the other hand, when the switch 3 is turned off, the bias circuit 120 is disconnected from the operation power supply voltage line and stops supplying the bias voltage to the push-pull transistor circuit 110.

プッシュ側パワートランジスタＴ１１１およびプル側トランジスタＴ１１２が正常な状態であれば、バイアス電圧の供給が停止されると、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１およびプル側トランジスタＴ１１２はともにオフし、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴはハイ・インピーダンス状態となる。   If the push-side power transistor T111 and the pull-side transistor T112 are in a normal state, when the supply of the bias voltage is stopped, both the push-side power transistor T111 and the pull-side transistor T112 are turned off. The output terminal OUT is in a high impedance state.

この場合、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧は、微小な浮遊電圧程度である。したがって、コンパレータ１の出力は‘Ｌ’となり、警告出力部５のトランジスタＴ５１は導通せず、発光ダイオードＤ５００は発光しない。   In this case, the voltage at the output terminal OUT of the push-pull transistor circuit 110 is about a minute floating voltage. Accordingly, the output of the comparator 1 is 'L', the transistor T51 of the warning output unit 5 is not conducted, and the light emitting diode D500 does not emit light.

ところが、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡となる故障があった場合、バイアス回路１２０からのバイアス電圧の供給を停止しても、バッテリ２００から抵抗短絡状態のプッシュ側パワートランジスタＴ１１１へ電流（暗電流）が流れ続ける。   However, if there is a failure that causes a resistance short circuit in the push-side power transistor T111, even if the supply of the bias voltage from the bias circuit 120 is stopped, a current (dark current) is transferred from the battery 200 to the push-side power transistor T111 in the resistance short-circuit state. ) Continues to flow.

その結果、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧が上昇する。その電圧は、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１の受けたダメージが大きく抵抗値が低いほど大きくなる。   As a result, the voltage at the output terminal OUT of the push-pull transistor circuit 110 increases. The voltage increases as the damage received by the push-side power transistor T111 is large and the resistance value is low.

そこで、予め許容できるダメージを想定してコンパレータ１へ与える基準電圧Ｖｒｅｆを設定しておくと、コンパレータ１は、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ以上に上昇したとき、その出力が‘Ｈ’となる。   Therefore, if the reference voltage Vref applied to the comparator 1 is set in advance assuming an allowable damage, when the voltage at the output terminal OUT of the push-pull transistor circuit 110 rises above the reference voltage Vref, the comparator 1 The output becomes 'H'.

コンパレータ１の出力が‘Ｈ’となると、警告出力部５のトランジスタＴ５１が導通し、発光ダイオードＤ５００が発光する。   When the output of the comparator 1 becomes 'H', the transistor T51 of the warning output unit 5 is turned on, and the light emitting diode D500 emits light.

発光ダイオードＤ５００が発光することにより、使用者は、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡となる故障が発生したことを知ることができる。   When the light emitting diode D500 emits light, the user can know that a failure that causes a resistance short circuit has occurred in the push side power transistor T111.

図３は、動作モード設定信号ＭＤにより通常動作モードが設定されたときのスイッチ２およびスイッチ３の状態を示す。   FIG. 3 shows the state of the switch 2 and the switch 3 when the normal operation mode is set by the operation mode setting signal MD.

通常動作モードでは、スイッチ３はオンし、スイッチ２はオフしている。スイッチ３がオンしていることにより、バイアス回路１２０からプッシュプル形式トランジスタ回路１１０へバイアス電圧の供給が行われる。   In the normal operation mode, the switch 3 is on and the switch 2 is off. When the switch 3 is turned on, a bias voltage is supplied from the bias circuit 120 to the push-pull transistor circuit 110.

一方、スイッチ２がオフしていることにより、コンパレータ１へは動作用電源電圧が供給されず、コンパレータ１は動作を行わない。すなわち、通常動作モードでは、故障検出動作を行わない。   On the other hand, since the switch 2 is off, the operation power supply voltage is not supplied to the comparator 1, and the comparator 1 does not operate. That is, the failure detection operation is not performed in the normal operation mode.

このような本実施例によれば、必要に応じて、動作モードを故障検出モードに設定することにより、任意のタイミングで、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０のプッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障が発生しているかどうかの検査を行うことができる。   According to the present embodiment as described above, if the operation mode is set to the failure detection mode as necessary, the push-side power transistor T111 of the push-pull transistor circuit 110 has a failure in the resistance short-circuit mode at an arbitrary timing. It is possible to check whether or not this has occurred.

プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障が発生していた場合、故障検出モードに設定したときに、発光ダイオードＤ５００が発光する。これにより、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障が発生していることを容易に検知することができる。   If a failure in the resistance short-circuit mode has occurred in the push-side power transistor T111, the light-emitting diode D500 emits light when the failure detection mode is set. Thereby, it can be easily detected that a failure in the resistance short-circuit mode has occurred in the push-side power transistor T111.

また、図４に示すように、警告部５から出力される警告信号を車載機器を制御するマイコン５００へ出力するようにしてもよい。これにより、マイコン５００は、パワーＩＣ１０００に異常があることを検知することができる。   Moreover, as shown in FIG. 4, you may make it output the warning signal output from the warning part 5 to the microcomputer 500 which controls vehicle equipment. Thereby, the microcomputer 500 can detect that the power IC 1000 is abnormal.

近年、車には様々な電子機器が搭載され、これらの電子機器間をバスラインで接続し、その相互間の制御を効率よく行うことが行われている。そのようなバスラインの１つに、Ｉ２Ｃバスがある。   2. Description of the Related Art In recent years, various electronic devices are mounted on a car, and these electronic devices are connected by a bus line and the mutual control is efficiently performed. One such bus line is the I2C bus.

Ｉ２Ｃバスでは、バスラインが、シリアル・データ・ライン（ＳＤＡ）とシリアル・クロック・ライン（ＳＤＣ）の２本のラインで構成され、バスに接続される各デバイスの間で、マスターとスレーブという簡単な関係が常に成立するようにされている。   In the I2C bus, the bus line is composed of two lines, a serial data line (SDA) and a serial clock line (SDC). Between each device connected to the bus, a master and a slave are simple. The relationship is always established.

このようなＩ２Ｃバスに対応したパワーＩＣでは、マスター側からの設定により動作するスレーブ機能として、自己診断回路を搭載することが行われている。   In such a power IC corresponding to the I2C bus, a self-diagnosis circuit is mounted as a slave function that operates by setting from the master side.

そこで本実施例では、このような自己診断回路から、自己診断機能の一環として、動作モード設置信号ＭＤが出力される例を示す。   Therefore, in this embodiment, an example in which the operation mode setting signal MD is output from such a self-diagnosis circuit as part of the self-diagnosis function is shown.

図５は、本発明の実施例２に係る故障検出回路の構成の例を示す回路図である。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the failure detection circuit according to the second embodiment of the present invention.

本実施例の故障検出回路１０Ａの回路構成自体は、実施例１の故障検出回路１０と同じである。実施例１と異なる点は、スイッチ制御部４Ａが、パワーＩＣ２０００に搭載される自己診断回路１４０から動作モード設定信号ＭＤを受ける点である。   The circuit configuration of the failure detection circuit 10A of the present embodiment is the same as that of the failure detection circuit 10 of the first embodiment. The difference from the first embodiment is that the switch control unit 4A receives the operation mode setting signal MD from the self-diagnosis circuit 140 mounted on the power IC 2000.

ここで、自己診断回路１４０は、Ｉ２Ｃバスインターフェイス部１３０を介してＩ２Ｃバスに接続される回路であり、Ｉ２Ｃバスに接続されるマスター（非図示）からの設定により、パワーＩＣ２０００内の各機能を自己診断するための制御信号を生成する回路である。   Here, the self-diagnosis circuit 140 is a circuit connected to the I2C bus via the I2C bus interface unit 130, and each function in the power IC 2000 is set by setting from a master (not shown) connected to the I2C bus. This circuit generates a control signal for self-diagnosis.

この自己診断の一環として、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０のプッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障検出が設定されると、自己診断回路１４０は動作モード設定信号ＭＤを出力する。   As part of this self-diagnosis, when failure detection in the resistance short-circuit mode is set for the push-side power transistor T111 of the push-pull transistor circuit 110, the self-diagnosis circuit 140 outputs an operation mode setting signal MD.

動作モード設定信号ＭＤが出力されたときの故障検出回路１０Ａの動作は、実施例１の故障検出回路１０と同じであり、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０のプッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障が発生すると、警告出力部５から警告信号が出力される。   The operation of the failure detection circuit 10A when the operation mode setting signal MD is output is the same as that of the failure detection circuit 10 of the first embodiment, and the push-side power transistor T111 of the push-pull transistor circuit 110 has a resistance short-circuit mode failure. When this occurs, a warning signal is output from the warning output unit 5.

ただし、本実施例では、警告出力部５から出力される警告信号は、自己診断回路１４０へ入力される。自己診断回路１４０は、警告出力部５から警告信号を受け取ると、マスターへの返信として、この警告信号をＩ２Ｃバスインターフェイス部１３０およびＩ２Ｃバスを介してマスターへ送信する。   However, in this embodiment, the warning signal output from the warning output unit 5 is input to the self-diagnosis circuit 140. When receiving the warning signal from the warning output unit 5, the self-diagnosis circuit 140 transmits this warning signal to the master via the I2C bus interface unit 130 and the I2C bus as a reply to the master.

また、自己診断の設定に関し、電源投入時に自己診断を行うように設定されることがある。その場合、自己診断回路１４０は、電源投入時に動作モード設定信号ＭＤを出力する。   In addition, the self-diagnosis setting may be set to perform self-diagnosis when the power is turned on. In that case, the self-diagnosis circuit 140 outputs an operation mode setting signal MD when the power is turned on.

これにより、故障検出回路１０Ａは、電源投入時に、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障があるかどうかの検査を行う。   As a result, the failure detection circuit 10A checks whether or not the push-side power transistor T111 has a failure in the resistance short-circuit mode when the power is turned on.

このような本実施例によれば、Ｉ２Ｃバスに接続されるマスター側から設定される自己診断の一環として、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障検出動作を実行することができる。   According to the present embodiment, the failure detection operation in the resistance short-circuit mode can be performed on the push-side power transistor T111 as part of the self-diagnosis set from the master side connected to the I2C bus.

また、故障を検出したときの警告信号をＩ２Ｃバスを介して、マスター側へ返信することができる。   Further, a warning signal when a failure is detected can be returned to the master side via the I2C bus.

また、マスター側から電源投入時に自己診断を行うように設定された場合、電源投入の度に、プッシュ側パワートランジスタＴ１１１に抵抗短絡モードの故障検出動作を実行することができる。   Further, when the master side is set to perform self-diagnosis when the power is turned on, the failure detection operation in the resistance short-circuit mode can be performed on the push-side power transistor T111 each time the power is turned on.

本発明の実施例１に係る故障検出回路の構成の例を示す回路図。1 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a failure detection circuit according to Embodiment 1 of the present invention. 故障検出モード時のスイッチのオン／オフ状態を示す図。The figure which shows the ON / OFF state of the switch at the time of failure detection mode. 通常動作時のスイッチのオン／オフ状態を示す図。The figure which shows the ON / OFF state of the switch at the time of normal operation | movement. 警告出力部と外部の別の接続例を示す図Figure showing another example of connection between warning output and external 本発明の実施例２に係る故障検出回路の構成の例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example of a structure of the failure detection circuit which concerns on Example 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０、１０Ａ 故障検出回路
１ コンパレータ
２、３ スイッチ
４、４Ａ スイッチ制御部
５ 警告出力部
Ｔ５１ トランジスタ 10, 10A Fault detection circuit 1 Comparator 2, 3 Switch 4, 4A Switch control unit 5 Warning output unit T51 Transistor

Claims (5)

バッテリに接続されたプッシュプル形式のパワートランジスタの出力端子の電圧を所定の基準電圧と比較するコンパレータと、
前記コンパレータと前記コンパレータの動作用電源電圧線との接続をオン／オフする第１のスイッチと、
前記プッシュプル形式のパワートランジスタへバイアス電圧を供給するバイアス回路と前記バイアス回路の動作用電源電圧線との接続をオン／オフする第２のスイッチと、
動作モード設定信号により故障検出モードが設定されたとき、前記第１のスイッチをオンさせ、前記第２のスイッチをオフさせるように制御するスイッチ制御部と、
前記故障検出モード時に前記出力端子の電圧が前記基準電圧より高いことを前記コンパレータが検出したときは、外部へ警告信号を出力する警告出力部と
を備えることを特徴とする故障検出回路。 A comparator that compares the voltage of the output terminal of the push-pull type power transistor connected to the battery with a predetermined reference voltage;
A first switch for turning on / off the connection between the comparator and the power supply voltage line for operation of the comparator;
A second switch for turning on / off a connection between a bias circuit for supplying a bias voltage to the push-pull type power transistor and an operation power supply voltage line of the bias circuit;
A switch control unit that controls to turn on the first switch and turn off the second switch when the failure detection mode is set by an operation mode setting signal;
A failure detection circuit comprising: a warning output unit for outputting a warning signal to the outside when the comparator detects that the voltage of the output terminal is higher than the reference voltage in the failure detection mode. 前記スイッチ制御部が、
前記動作モード設定信号により通常動作モードが設定されたとき、前記第１のスイッチをオフさせ、前記第２のスイッチをオンさせるように制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の故障検出回路。 The switch controller is
2. The failure detection circuit according to claim 1, wherein when the normal operation mode is set by the operation mode setting signal, the first switch is turned off and the second switch is turned on. 3. . 前記警告出力部が、
前記コンパレータの出力により導通が制御されるトランジスタのオープンコレクタ出力端子から前記警告信号を出力する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の故障検出回路。 The warning output unit is
The failure detection circuit according to claim 1, wherein the warning signal is output from an open collector output terminal of a transistor whose conduction is controlled by the output of the comparator. 前記警告出力部が、
前記トランジスタのオープンコレクタ出力端子に発光素子が接続されたときに、前記警告信号により前記発光素子を点灯させる
ことを特徴とする請求項３に記載の故障検出回路。 The warning output unit is
4. The failure detection circuit according to claim 3, wherein when the light emitting element is connected to an open collector output terminal of the transistor, the light emitting element is turned on by the warning signal. 前記動作モード設定信号が、
Ｉ２Ｃバスを介して外部マスターから制御され、
前記警告信号が、
前記Ｉ２Ｃバスを介して前記外部マスターへ返信される
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の故障検出回路。 The operation mode setting signal is
Controlled from an external master via the I2C bus,
The warning signal is
4. The failure detection circuit according to claim 1, wherein the failure detection circuit is returned to the external master via the I2C bus.
JP2008270934A 2008-10-21 2008-10-21 Failure detection circuit Pending JP2010103619A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008270934A JP2010103619A (en) 2008-10-21 2008-10-21 Failure detection circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008270934A JP2010103619A (en) 2008-10-21 2008-10-21 Failure detection circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010103619A true JP2010103619A (en) 2010-05-06

Family

ID=42293882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008270934A Pending JP2010103619A (en) 2008-10-21 2008-10-21 Failure detection circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010103619A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8937797B2 (en) Method and apparatus to detect a broken wire condition in an integrated circuit
TWI500232B (en) Multi-purpose power management chip, and power path control circuit
JP6577270B2 (en) Fault diagnosis circuit and fault diagnosis method
US10734955B2 (en) Audio amplifier, audio output device including the same, and electronic apparatus
JP5487568B2 (en) Semiconductor device
JP6612583B2 (en) Open / Circuit detection circuit
JP2010119262A (en) Switching power supply protection system, mother board and computer
US20200314249A1 (en) Information processing apparatus and control method therefor
JP2008029132A (en) Protection circuit of power supply unit
JP2008141612A (en) Fault detection apparatus for load driving device, and load driving ic
JP2011044604A (en) Semiconductor laser driving device and image forming device employing the same
JP5825957B2 (en) Switching circuit
CN116430266A (en) Apparatus and method for outputting monitoring result
JP2010103619A (en) Failure detection circuit
JP2009292399A (en) Acoustic device
JP2008098495A (en) Led fault detection apparatus
JP5817585B2 (en) Electronic control unit
KR101889948B1 (en) Short detection circuit of multi-terminal
TWI619011B (en) Power supply apparatus and power supply method
CN110690883A (en) EC reset circuit and electronic equipment based on composite signal
JP2009021071A (en) Disconnection and/or overcurrent detecting device of load circuit
JP2008066951A (en) Bus driver circuit, data transmission control device, and bus driving method
JP2007006615A (en) Fault detection circuit
JP5378737B2 (en) Load connection detection circuit, power supply circuit, and electronic equipment
JP4826445B2 (en) Output control device for DC-DC converter, DC-DC converter and control method thereof