JP2010097681A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基体上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第1磁気記録層122aと、第1磁気記録層122aの上に設けられた介在層122bと、介在層122bの上に設けられ柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第2磁気記録層122cと、第2磁気記録層122cの上に設けられた分断層124と、分断層124の上に設けられ基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層126とを備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
第1実施形態では、まず本発明にかかる垂直磁気記録媒体の第1実施形態について説明した後に、磁気記録層と補助記録層の間に設けた非磁性層について詳細に説明する。
図1は、第1実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100の構成を説明する図である。図1に示す垂直磁気記録媒体100は、ディスク基体110、付着層112、第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114c、前下地層116、第1下地層118a、第2下地層118b、非磁性グラニュラー層120、第1磁気記録層122a(第1の磁性層)、介在層122b(第1の非磁性層)、第2磁気記録層122c(第2の磁性層)、分断層124(第2の非磁性層)、補助記録層126(第3の磁性層)、媒体保護層128、潤滑層130で構成されている。なお第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114cは、あわせて軟磁性層114を構成する。第1下地層118aと第2下地層118bはあわせて下地層118を構成する。第1磁気記録層122aと介在層122b、第2磁気記録層122cとはあわせて磁気記録層122を構成する。
ディスク基体110上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、付着層112から補助記録層126まで順次成膜を行った。付着層112は、CrTiとした。軟磁性層114は、第1軟磁性層114a、第2軟磁性層114cの組成はCoFeTaZrとし、スペーサ層114bの組成はRuとした。前下地層116の組成はfcc構造のNiW合金とした。第1下地層118aは所定圧力(低圧:例えば0.6〜0.7Pa)のAr雰囲気下でRu膜を成膜した。第2下地層118bは、酸素が含まれているターゲットを用いて所定圧力より高い圧力(高圧:例えば4.5〜7Pa)のAr雰囲気下で、酸素を含有するRu膜を成膜した。非磁性グラニュラー層120の組成は非磁性のCoCr−SiO2とした。第1磁気記録層122aは粒界部に酸化物の例としてCr2O3を含有し、CoCrPt−Cr2O3のhcp結晶構造を形成した。第2磁気記録層122cは、粒界部に複合酸化物(複数の種類の酸化物)の例としてSiO2とTiO2を含有し、CoCrPt−SiO2−TiO2のhcp結晶構造を形成した。介在層122bおよび分断層124は膜厚を3Åとし、その組成は、下記のような実施例と比較例を作成して比較した。補助記録層126の組成はCoCrPtBとした。媒体保護層128はCVD法によりC2H4およびCNを用いて成膜し、潤滑層130はディップコート法によりPFPEを用いて形成した。
以下に、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の第2実施形態について説明する。上述した第1実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100では、第2磁気記録層122bが1層で構成されていたのに対し、第2実施形態にかかる垂直磁気記録媒体は、第2磁気記録層が2層で構成される。なお、第1実施形態と同一の機能、構成を有する要素については同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図5は、第2実施形態にかかる垂直磁気記録媒体200の構成を説明する図である。図5に示す垂直磁気記録媒体200は、ディスク基体110、付着層112、第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114c、前下地層116、第1下地層118a、第2下地層118b、非磁性グラニュラー層120、第1磁気記録層122a(第1の磁性層)、介在層222b(第1の非磁性層)、第1主記録層222c、第2主記録層222d、分断層124(第2の非磁性層)、補助記録層126(第3の磁性層)、媒体保護層128、潤滑層130で構成されている。なお第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114cは、あわせて軟磁性層114を構成する。第1下地層118aと第2下地層118bはあわせて下地層118を構成する。第1主記録層222cと第2主記録層222dはあわせて第2磁気記録層222a(第2の磁性層)を構成し、第1磁気記録層122aと介在層222b、第2磁気記録層222aとはあわせて磁気記録層222を構成する。
ディスク基体110上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、付着層112から補助記録層126まで順次成膜を行った。付着層112は、CrTiとした。軟磁性層114は、第1軟磁性層114a、第2軟磁性層114cの組成はCoFeTaZrとし、スペーサ層114bの組成はRuとした。前下地層116の組成はfcc構造のNiW合金とした。第1下地層118aは所定圧力(低圧:例えば0.6〜0.7Pa)のAr雰囲気下でRu膜を成膜した。第2下地層118bは、酸素が含まれているターゲットを用いて所定圧力より高い圧力(高圧:例えば4.5〜7Pa)のAr雰囲気下で、酸素を含有するRu膜を成膜した。非磁性グラニュラー層120の組成は非磁性のCoCr−SiO2とした。第1磁気記録層122aは粒界部に酸化物の例としてCr2O3を含有し、CoCrPt−Cr2O3のhcp結晶構造を形成した。介在層222bは、下地層118成膜時よりも低いガス圧にて成膜されたRuにより形成した。第1主記録層222cは、粒界部に複合酸化物(複数の種類の酸化物)の例としてSiO2およびTiO2を含有し、CoCrPt−SiO2−TiO2のhcp結晶構造を形成した。第2主記録層222dは、粒界部に複合酸化物(複数の種類の酸化物)の例としてSiO2、TiO2およびCoOを含有し、CoCrPt−SiO2−TiO2−CoOのhcp結晶構造を形成した。分断層124は、RuWO3により形成した。補助記録層126の組成はCoCrPtBとした。媒体保護層128はCVD法によりC2H4およびCNを用いて成膜し、潤滑層130はディップコート法によりPFPEを用いて形成した。
Claims (11)
- 基体上に少なくとも、
柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第1の磁性層と、
前記第1の磁性層の上に設けられた第1の非磁性層と、
前記第1の非磁性層の上に設けられ柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第2の磁性層と、
前記第2の磁性層の上に設けられた第2の非磁性層と、
前記第2の非磁性層の上に設けられ基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した第3の磁性層とを備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 前記第1または第2の非磁性層は、Ru又はRu化合物で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1または第2の非磁性層は、さらに酸素または酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1または第2の非磁性層は、RuO、RuWO3、またはRuTiO2であることを特徴とする請求項3に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1の磁性層の厚さが5nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1または第2の非磁性層の厚さが2Å〜10Åであることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第2の磁性層は2種以上の酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第2の磁性層はSiO2、TiO2、またはCoOから選択される1または複数の酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第2の磁性層は、前記粒界部を構成する酸化物を5mol%以上含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第2の磁性層は、前記第1の非磁性層の上に設けられCo酸化物を含まない第1主記録層と、該第1主記録層の上に設けられ少なくともCo酸化物を含む第2主記録層と、から構成されることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 当該垂直磁気記録媒体は、前記第1の磁性層より下に設けられRuまたはRu化合物からなる下地層を更に備え、
前記第1もしくは第2の非磁性層のいずれか一方または両方は、前記下地層成膜時のガス圧よりも低いガス圧で成膜されたRuからなる層であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
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