JP2010093247A - 非シリコンチャネルmosデバイス中のフェルミレベルピンニングの低減方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体化合物11上のゲート誘電体19上にゲート電極20を形成し、水素アニール21を実施する。水素はゲート電極のPtやPdのような貴金属による触媒作用により原子状水素を形成しアニールを行い半導体化合物11とゲート誘電体19との界面を界面をパッシベートし、更には欠陥を回復する。
【選択図】図2G
Description
基板上に高移動度のGeまたはIII−V化合物半導体を形成して、MOSデバイスのチャネルを形成する工程と、
化合物半導体の上にゲート誘電体を形成する工程と、
ゲート誘電体の上にゲート電極を形成して、MOSデバイスのゲートを形成する工程と、
少なくとも5分間、原子状の水素を用いてアニールする工程とを含む。
基板上に高移動度のGeまたはIII−V化合物半導体を形成して、MOSデバイスのチャネルを形成する工程と、
化合物半導体の第1領域および第2領域に適当なドーパント型のドーパントをドーピングして、MOSFETのドレインおよびソースを形成する工程と、
半導体化合物の上にゲート誘電体を形成する工程と、
ゲート誘電体の上にゲート電極を形成して、MOSFETのゲート電極を形成する工程と、
少なくとも5分間、原子状の水素を用いてアニールする工程とを含む。
基板、
基板上に、(転位無しで)形成されたInxGa1−xAs(x>0.5)およびより好適にはIn0.53Ga0.47Asの半導体化合物チャネル、
InxGa1−xAs半導体化合物チャネルの上に形成されたゲート誘電体、
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極を含む。
基板、
基板上に形成され、任意的にアニールされて半導体化合物の上に薄いGeOx表面層を形成するGeまたはSiGe半導体化合物チャネル、
Ge(SiGe)半導体化合物の上に形成されたゲート誘電体、
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極とを含む。
HFIL=((Cinv−Cmin)/Cox
であり、Cminは、深い空乏で観察される最小キャパシタンスである。従来技術のSiのMOS−CAPでは、約100HzにおいてHFIL=0である。好適な具体例の方法(C−FGA後)を用いると、高移動度InGaAsMOS−CAPでは1MHzにおいてHFILが約0.2となり、GeMOS−CAPでは1MHzにおいて約0.1となる。
基板1、
基板上に形成されたGe(SiGe)またはIII−V化合物半導体チャネル2、
Ge(SiGe)またはIII−V化合物半導体チャネルの上に形成されたとゲート誘電体3、および
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極4を含み、
HFILが、10%から20%の範囲内であることを特徴とする。
基板、
基板上に形成されたIn0.53Ga0.47As半導体化合物、
In0.53Ga0.47As半導体化合物中に形成されたチャネル、
N−MOSFETを形成するために、n型ドーパントがドープされてMOSFETのドレインが形成されたIn0.53Ga0.47As半導体化合物中の第1領域、およびn型ドーパントがドープされてMOSFETのソースが形成されたIn0.53Ga0.47As半導体化合物中の第2領域、
In0.53Ga0.47As半導体化合物の上に形成されたAl2O3から選択されたゲート誘電体、および
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極を含み、
ゲート誘電体/In0.53Ga0.47As半導体化合物の界面が、本発明の好適な具体例で述べられたように原子状水素を用いてアニールされる。
基板、
基板上に形成されたGe(SiGe)半導体化合物、
Ge(SiGe)半導体化合物中に形成されたチャネル、
P−MOSFETを形成するために、p型ドーパントがドープされてMOSFETのドレインが形成されたGe(SiGe)半導体化合物中の第1領域、およびp型ドーパントがドープされてMOSFETのソースが形成されたGe(SiGe)半導体化合物中の第2領域、
Ge半導体化合物の上に形成されたAl2O3から選択されたゲート誘電体、および
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極を含み、
ゲート誘電体/半導体化合物の界面が、本発明の好適な具体例で述べられたように原子状水素を用いてアニールされる。
基板、
基板上に形成されたIn0.53Ga0.47As半導体化合物、
In0.53Ga0.47As半導体化合物中に形成されたチャネル、
第2ドーパント型にドープされてMOSFETのドレインが形成されたIn0.53Ga0.47As半導体化合物中の第1領域、および第2ドーパント型にドープされてMOSFETのソースが形成されたIn0.53Ga0.47As半導体化合物中の第2領域、
原子層成長でIn0.53Ga0.47As半導体化合物の上に形成されたゲート誘電体、および
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極を含む。
基板、
基板上に形成されたGe半導体化合物、
Ge(SiGe)半導体化合物中に形成されたチャネル、
第2ドーパント型にドープされてMOSFETのドレインが形成されたGe(SiGe)半導体化合物中の第1領域、および第2ドーパント型にドープされてMOSFETのソースが形成されたGe半導体化合物中の第2領域、
原子層成長でGe半導体化合物の上に形成されたゲート誘電体、および
ゲート誘電体の上に形成されたゲート電極を含む。
少数キャリア応答(発生−再結合または拡散)による測定された反転キャパシタンスは、ゲートバイアスがCVのDitこぶ(バンプ)を過ぎて動くやいなや、ゲートバイアスから独立になる。この挙動は、高移動度p型In0.53Ga0.47AsMOSキャパシタについて図6にプロットされた、測定されたCVトレース(1kHzから1MHz)中に示される。ゲートバイアスの独立性は、真のMOSキャパシタ反転挙動を示す。等価なMOSキャパシタ反転回路が図7に示され、図6に見られる反転CVトレースを説明する。図6は、p型In0.53Ga0.47AsMOSキャパシタのCVトレースを示し、真の反転応答を示す。反転におけるバイアスの独立特性は注意すべきである。MOSキャパシタは、1kHzから1MHzの間で、全体で30の周波数を用いて測定された。
図10は、真の反転応答を表す好適な具体例にかかる、触媒FGAを行う前(図10A)と行った後(図10B)の、n型高移動度GeMOSキャパシタの室温におけるCVトレースを示す。使用されたMOS−Capスタックは、1nmGeOx上部表面層、10nm膜厚のMBE堆積Al2O3ゲート誘電体、およびゲート誘電体の上のPt(Pd)ゲート電極を有するn型ドープのGe基板である。
図13は、室温におけるGeおよびInGaAsMOSCAPの、nおよびp型のC−Vトレースを、並べて比較する。図13は、p型GeMOSCAP(図13A)、n型GeMOACAP(図13B)、n型InGaAsMOSCAP(図13C)、およびp型InGaAsMOSCAP(図13D)を示す。GeおよびInGaAsMOSCAPの間の二重性が、C−Vペアのような鏡像として明らかに見られる。図13Aおよび図13CのC−V蓄積側で観察される、低周波数の分散および非常に小さいフラットバンド電圧シフトは、自由に動くフェルミレベルと比較的低いDitを示す。
Claims (16)
- 金属酸化物半導体(MOS)デバイスのゲルマニウム(GeまたはSiGe)またはIII−Vの高移動度化合物チャネル中のフェルミレベルピンニング(FLP)を低減する方法であって、少なくとも、
基板上に高移動度のGeまたはIII−V化合物半導体を形成して、MOSデバイスのチャネルを形成する工程と、
化合物半導体の上にゲート誘電体を形成する工程と、
ゲート誘電体の上にゲート電極を形成して、MOSデバイスのゲートを形成する工程と、
少なくとも5分間、原子状の水素を用いてアニールする工程とを含む方法。 - 原子状の水素を用いるアニールは、触媒フォーミングガスアニール(C−FGA)を用いて、好適にはPtやPdのような所定の貴金属の存在中で行われる請求項1に記載の方法。
- 水素アニールは、ゲート誘電体の上にゲート電極を堆積した後に行われる触媒フォーミングガスアニール(C−FGA)であり、ゲート電極は、PtやPdのような貴金属を含む請求項1または2に記載の方法。
- 水素アニールは、遠隔プラズマを用いた水素アニールであり、水素アニールは、好適にはゲート電極の堆積工程の前に行われる請求項1に記載の方法。
- III−V化合物は、InGaAsであり、好適にはInxGa1−xAs(x>0.5)であり、更に好適にはIn0.53Ga0.47Asである請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- Ge化合物は、GeまたはSixGe1−x(x<0.3)である請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 高移動度化合物は、アニールされてGeOx上部表面層を達成するGeから選択される請求項6に記載の方法。
- 更に、ゲート誘電体を形成する工程の前に、40〜48重量%(NH4)2Sの溶液中に少なくとも5〜10分間基板を浸責することにより、Ge(SiGe)またはIII−V化合物半導体の表面から自然酸化物を除去する工程を含む請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- ゲート誘電体の形成工程は、原子層成長(ALD)または分子線エピタキシ(MBE)を用いてAl2O3またはLaxAl1−xO3(LaAlO3)を形成する工程を含む請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- アニールは、200℃から500℃までの範囲の温度で、好適には300℃から400℃までの範囲の温度で、少なくとも5〜30分間行われる請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 高移動度のGe(SiGe)またはIII−V化合物半導体中に、第1領域および第2領域が形成され、n型ドーパンがドープされてN−MOSFETデバイスのドレインおよびソースを形成することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 高移動度のGe(SiGe)またはIII−V化合物半導体中に、第1領域および第2領域が形成され、p型ドーパンがドープされてP−MOSFETデバイスのドレインおよびソースを形成することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜12のいずれかの方法を用いた高移動度MOSデバイスであって、高周波反転リフティング(HFIL)が10%から20%までの範囲内である高移動度MOSデバイス。
- MOSデバイスは、量子井戸を有する高移動度N−MOSFETであり、In0.53Ga0.47As半導体化合物中のソース領域およびドレイン領域はn型ドーパントでドープされ、In0.53Ga0.47As半導体化合物チャネルの上にゲート誘電体が形成された請求項13に記載の高移動度MOSデバイス。
- MOSデバイスは、量子井戸を有する高移動度P−MOSFETであり、ソース領域およびドレイン領域はp型ドーパントでドープされ、Ge半導体化合物チャネルの上に原子層成長によりゲート誘電体が形成された請求項13に記載の高移動度MOSデバイス。
- 請求項15の高移動度P−MOSFETと、請求項14の高移動度N−MOSFETを含む高移動度CMOSデバイス。
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---|---|---|---|
JP2009214521A Expired - Fee Related JP5455518B2 (ja) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 非シリコンチャネルmosデバイス中のフェルミレベルピンニングの低減方法 |
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---|---|
US (1) | US8524562B2 (ja) |
EP (1) | EP2164094B1 (ja) |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013125965A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Jiaotong Univ | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2013214692A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2014069032A1 (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 |
KR101811663B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2017-12-26 | 고려대학교 산학협력단 | 후속 열처리 공정을 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자 |
JP2019505992A (ja) * | 2016-01-15 | 2019-02-28 | トランスフォーム インコーポレーテッド | AL(1−x)Si(x)Oゲート絶縁体を有するエンハンスメントモードIII族窒化物デバイス |
JP2020526921A (ja) * | 2017-07-06 | 2020-08-31 | テレダイン・サイエンティフィック・アンド・イメージング・エルエルシーTeledyne Scientific & Imaging,LLC | 埋込みゲート構造を有するfet |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8329541B2 (en) * | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
US8673746B2 (en) * | 2011-04-13 | 2014-03-18 | Sematech, Inc. | Ammonium sulfide passivation of semiconductors |
US9406518B2 (en) * | 2011-11-18 | 2016-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | (110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate |
US8610172B2 (en) * | 2011-12-15 | 2013-12-17 | International Business Machines Corporation | FETs with hybrid channel materials |
WO2013095377A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance |
US9252237B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Transistors, semiconductor devices, and methods of manufacture thereof |
US9276157B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-03-01 | First Solar, Inc. | Methods of treating a semiconductor layer |
US9917158B2 (en) | 2013-07-30 | 2018-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device contact structures including heterojunctions for low contact resistance |
US9685509B2 (en) | 2013-07-30 | 2017-06-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Finfet devices including high mobility channel materials with materials of graded composition in recessed source/drain regions |
EP2871683B1 (en) | 2013-11-07 | 2021-07-07 | IMEC vzw | Method for cleaning and passivating chalcogenide layers |
KR20160001114A (ko) * | 2014-06-26 | 2016-01-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR20160025781A (ko) | 2014-08-28 | 2016-03-09 | 전북대학교산학협력단 | 반도체 소자 및 제조방법 |
US10680108B2 (en) * | 2015-12-04 | 2020-06-09 | Imec Vzw | Field-effect transistor comprising germanium and manufacturing method thereof |
US10096473B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-10-09 | Aixtron Se | Formation of a layer on a semiconductor substrate |
CN111463133B (zh) * | 2020-04-17 | 2023-01-17 | 中国科学院微电子研究所 | Ge基NMOS晶体管及其制作方法 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617027A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-18 | Commissariat Energie Atomique | Method of treating semiconductor device |
JPH0410623A (ja) * | 1990-02-07 | 1992-01-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 3―v族半導体表面のパッシベーション方法 |
JPH04174560A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-06-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH05335346A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH06244409A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-02 | Sony Corp | 化合物半導体基板の前処理方法 |
JPH06275786A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Sony Corp | 相補形化合物半導体装置及びその作製方法 |
JP2001093987A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-04-06 | Stmicroelectronics Inc | Si基板上のGaAs/Geの新規なCMOS回路 |
JP2004047935A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-02-12 | Japan Science & Technology Corp | シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2005277253A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の作製方法及び水素処理装置 |
JP2006253224A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置とその製造方法 |
JP2007005534A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007123895A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 方法および半導体構造(非酸素カルコゲン不活性化ステップを用いて製作されたGe系半導体構造) |
JP2007281493A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-10-25 | Intel Corp | 誘電層を形成する方法及び関連するデバイス |
US20080210927A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Hudait Mantu K | Buffer architecture formed on a semiconductor wafer |
JP2009500873A (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-08 | メアーズ テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 少なくとも一対の空間的に隔てられた応力領域間に歪み超格子を含む半導体デバイス、及びその製造方法 |
JP2009503871A (ja) * | 2005-07-26 | 2009-01-29 | アンバーウェーブ システムズ コーポレイション | 代替活性エリア材料の集積回路への組み込みのための解決策 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2024134C (en) | 1989-09-01 | 1993-10-05 | Richard Alan Gottscho | Hydrogen plasma passivation of gaas |
US5616947A (en) * | 1994-02-01 | 1997-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having an MIS structure |
JP3737221B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2006-01-18 | 英樹 松村 | 薄膜作成方法及び薄膜作成装置 |
US6025281A (en) * | 1997-12-18 | 2000-02-15 | Motorola, Inc. | Passivation of oxide-compound semiconductor interfaces |
JPWO2003005435A1 (ja) | 2001-07-05 | 2004-10-28 | 大見 忠弘 | 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法 |
US20070252223A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-11-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Insulated gate devices and method of making same |
US7955926B2 (en) * | 2008-03-26 | 2011-06-07 | International Business Machines Corporation | Structure and method to control oxidation in high-k gate structures |
US7834387B2 (en) * | 2008-04-10 | 2010-11-16 | International Business Machines Corporation | Metal gate compatible flash memory gate stack |
-
2009
- 2009-09-15 US US12/560,282 patent/US8524562B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-16 JP JP2009214521A patent/JP5455518B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-16 EP EP09075423.5A patent/EP2164094B1/en active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617027A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-18 | Commissariat Energie Atomique | Method of treating semiconductor device |
JPH0410623A (ja) * | 1990-02-07 | 1992-01-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 3―v族半導体表面のパッシベーション方法 |
JPH04174560A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-06-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH05335346A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH06244409A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-02 | Sony Corp | 化合物半導体基板の前処理方法 |
JPH06275786A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Sony Corp | 相補形化合物半導体装置及びその作製方法 |
JP2001093987A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-04-06 | Stmicroelectronics Inc | Si基板上のGaAs/Geの新規なCMOS回路 |
JP2004047935A (ja) * | 2002-05-24 | 2004-02-12 | Japan Science & Technology Corp | シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2007281493A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-10-25 | Intel Corp | 誘電層を形成する方法及び関連するデバイス |
JP2005277253A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の作製方法及び水素処理装置 |
JP2006253224A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置とその製造方法 |
JP2007005534A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009500873A (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-08 | メアーズ テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 少なくとも一対の空間的に隔てられた応力領域間に歪み超格子を含む半導体デバイス、及びその製造方法 |
JP2009503871A (ja) * | 2005-07-26 | 2009-01-29 | アンバーウェーブ システムズ コーポレイション | 代替活性エリア材料の集積回路への組み込みのための解決策 |
JP2007123895A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 方法および半導体構造(非酸素カルコゲン不活性化ステップを用いて製作されたGe系半導体構造) |
US20080210927A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Hudait Mantu K | Buffer architecture formed on a semiconductor wafer |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013125965A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Jiaotong Univ | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2013214692A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2014069032A1 (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 |
JP2019505992A (ja) * | 2016-01-15 | 2019-02-28 | トランスフォーム インコーポレーテッド | AL(1−x)Si(x)Oゲート絶縁体を有するエンハンスメントモードIII族窒化物デバイス |
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