JP2010092579A - 磁気再生ヘッドおよびその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気センサ1は、ABSに露出したスタック2と、スタック2の、ABSと反対側に位置する永久磁石層21とを備える。スタック2は、磁気フリー層29と非磁性層20と磁気フリー層28とが順に積層されたものである。永久磁石層21からのバイアス磁場24により磁化22,23が互いにほぼ直交した状態となる。スタック2は、条件式(1)を満たす矩形状の平面形状を有する。非磁性層20は磁気フリー層29と磁気フリー層28との強磁性結合の強度が最小となり、かつ、それらの相互間に反強磁性結合が生じるような厚さを有する。
1/3≦(SH/TW)≦2/3 ……(1)
【選択図】図1
Description
1/3≦(SH/TW)≦2/3 ……(1)
但し、SHはMRハイトを表し、TWはトラック幅方向の長さを表す。この構造は、従来のGMRセンサにおけるリファレンス層や縦バイアス層を必要としないものである。
1/3≦(SH/TW)≦2/3 ……(1)
但し、SHはMRハイトを表し、TWはトラック幅方向の長さを表す。
1/3≦(SH/TW)≦2/3 ……(1)
(1)ハードバイアス磁場の安定性を損なうことなく、再生シールド層間のスペースを縮小可能であること。
(2)ハードバイアス磁場は、フリー層の端部における磁化を固定することなく、均質な強度を有するものである。ハードバイアス磁場とフリー層との間の極めて狭いスペースを要求するものではない。
(3)ノイズキャンセル効果により、磁気センサの寸法縮小に起因するノイズ増大が回避される。
(4)静磁結合または他の反強磁性型結合が、一対の磁気フリー層間におけるノイズに対するキャンセル効果を向上させることとなる。
Claims (20)
- 基体の上に、第1の磁気フリー層と、非磁性層と、第2の磁気フリー層とを順に積層することにより積層膜を形成する工程と、
前記積層膜をパターニングすることにより、平面形状が下記の条件式(1)を満たす矩形状の積層体を形成する工程と、
前記積層体から所定の距離を隔てた位置に強磁性層を形成する工程と、
前記第1および第2の磁気フリー層の各々の磁化方向が互いに交差するように、前記強磁性層を磁化することにより前記第1および第2の磁気フリー層に対して一定方向に固着された磁場を印加する工程と
を含み、
前記非磁性層を、前記第1の磁気フリー層と前記第2の磁気フリー層との強磁性結合の強度が最小となり、かつ、それらの相互間に反強磁性結合が生じるような厚さとなるように形成する
ことを特徴とする磁気再生ヘッドの形成方法。
1/3≦(SH/TW)≦2/3 ……(1)
但し、
SH:MRハイト
TW:トラック幅方向の長さ
とする。 - 前記第1および第2の磁気フリー層を、互いに等しい大きさの総磁気モーメントを有するように形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 前記反強磁性結合を静磁結合とすることを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。
- 前記非磁性層として酸化物層を形成し、
前記反強磁性結合を、前記酸化物層を通過する電子のスピン偏極トンネリングによって生じさせる
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 前記非磁性層として1nm以上5nm以下の厚みの銅層を形成し、
前記反強磁性結合として前記銅層を介して生じるRKKY相互作用に基づく交換結合を生じさせる
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 前記強磁性結合の強度を200×103 /4π[A/m]以下とすることを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。
- アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),チタン(Ti),ハフニウム(Hf),ジルコニウム(Zr),亜鉛(Zn)またはそれらの合金を酸化処理することにより、前記非磁性層を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 前記非磁性層を、銅(Cu),銀(Ag),金(Au),ルテニウム(Ru)およびマグネシウム(Mg)のうちの少なくとも1種を用いて形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 前記非磁性層を、
アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),チタン(Ti),ハフニウム(Hf),ジルコニウム(Zr),亜鉛(Zn)またはそれらの合金を酸化処理することにより形成した酸化物層と、
銅(Cu),銀(Ag),金(Au),ルテニウム(Ru)およびマグネシウム(Mg)のうちの少なくとも1種を用いて形成した金属層と
をそれぞれ少なくとも1層ずつ含むように形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni),硼素(B),マンガン(Mn),クロム(Cr),ハフニウム(Hf),銅(Cu),ジルコニウム(Zr),タンタル(Ta),チタン(Ti)およびそれらの合金のうちの1種または2種以上を用いて、前記第1および第2の磁気フリー層をそれぞれ形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッドの形成方法。 - 基体上に、
第1の磁気フリー層と、非磁性層と、第2の磁気フリー層とが順に積層された積層体と、
前記積層体から所定距離を隔てて配置された永久磁石層と
を備え、
前記積層体は、下記の条件式(1)を満たす矩形状の平面形状を有し、
前記非磁性層は、前記第1の磁気フリー層と前記第2の磁気フリー層との強磁性結合の強度が最小となり、かつ、それらの相互間に反強磁性結合が生じるような厚さを有する
ことを特徴とする磁気再生ヘッド。
1/3≦(SH/TW)≦2/3 ……(1)
但し、
SH:MRハイト
TW:トラック幅方向の長さ
とする。 - 前記第1および第2の磁気フリー層は、互いに等しい大きさの総磁気モーメントを有する
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。 - 前記反強磁性結合は静磁結合であることを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。
- 前記反強磁性結合は、前記非磁性層としての酸化物層を通過する電子のスピン偏極トンネリングに起因して生じるものである
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。 - 前記反強磁性結合は、1nm以上5nm以下の厚みの銅層を介して生じるRKKY相互作用に基づく交換結合である
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。 - 前記強磁性結合の強度は200×103 /4π[A/m]以下であることを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。
- 前記非磁性層は、アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),チタン(Ti),ハフニウム(Hf),ジルコニウム(Zr)および亜鉛(Zn)のうちの少なくとも1種を含む金属の酸化物からなる
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。 - 前記非磁性層は、銅(Cu),銀(Ag),金(Au),ルテニウム(Ru)およびマグネシウム(Mg)のうちの少なくとも1種からなる
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。 - 前記非磁性層は、
アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),チタン(Ti),ハフニウム(Hf),ジルコニウム(Zr)および亜鉛(Zn)のうちの少なくとも1種を含む金属の酸化物からなる酸化物層と、
銅(Cu),銀(Ag),金(Au),ルテニウム(Ru)およびマグネシウム(Mg)のうちの少なくとも1種からなる金属層と
をそれぞれ少なくとも1層ずつ有する
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。 - 前記第1および第2の磁気フリー層は、
鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni),硼素(B),マンガン(Mn),クロム(Cr),ハフニウム(Hf),銅(Cu),ジルコニウム(Zr),タンタル(Ta),チタン(Ti)およびそれらの合金のうちの1種または2種以上からなる
ことを特徴とする請求項11記載の磁気再生ヘッド。
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