JP2010089109A

JP2010089109A - Method and apparatus for laser machining

Info

Publication number: JP2010089109A
Application number: JP2008260281A
Authority: JP
Inventors: Naoki Omiya; 直樹大宮
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2008-10-07
Filing date: 2008-10-07
Publication date: 2010-04-22
Anticipated expiration: 2028-10-07
Also published as: CN101712099A; JP5324180B2; TWI504470B; TW201016371A

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accelerate a manufacturing speed while securing quality by shortening the time required for a step of forming a protective film prior to laser machining for preventing an adverse effect caused by debris in laser machining and for a step of removing the protective film after laser machining. SOLUTION: When forming a protective film P1 by applying a water soluble resin P on the surface of a wafer 1 prior to laser machining, curing of the resin P is accelerated by blowing warm air to the resin P applied. Further, when removing the protective film P1 after laser machining and rinsing the wafer, the removal operation is accelerated by supplying rinsing water made warm by heating to the protective film P1. After removal of the protective film P1, drying of the wafer 1 is accelerated by blowing warm air to the wafer 1. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークにレーザ光線を照射して溝加工や切断加工等を施すレーザ加工技術に係り、特に、スピンナテーブルに保持したワークの加工面に水溶性樹脂を塗布し、また、塗布した樹脂を除去する技術に関する。 The present invention relates to a laser processing technology for irradiating a laser beam to a workpiece such as a semiconductor wafer to perform groove processing or cutting processing, and in particular, a water-soluble resin is applied to a processing surface of a workpiece held on a spinner table, The present invention also relates to a technique for removing the applied resin.

半導体デバイスの製造工程においては、略円板状の半導体ウェーハの表面に、格子状に配列された分割予定ラインによって多数の矩形状のチップ領域を区画し、これらチップ領域にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成した後、ウェーハに対して裏面研削等の必要な処理を行ってから、ウェーハを分割予定ラインに沿って切断して分割する、すなわちダイシングして、各チップ領域を半導体チップとして得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やＰＣ（パーソナル・コンピュータ）等の各種電気・電子機器に広く用いられている。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a large number of rectangular chip areas are defined on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer by dividing lines arranged in a lattice pattern, and electronic devices such as ICs and LSIs are formed in these chip areas. After forming the circuit, perform necessary processing such as backside grinding on the wafer, then cut the wafer along the planned dividing line and divide it, that is, dicing to obtain each chip area as a semiconductor chip Yes. The semiconductor chip thus obtained is packaged by resin sealing and widely used in various electric / electronic devices such as mobile phones and PCs (personal computers).

ウェーハを半導体チップにダイシングする手段としては、高速回転させた薄い円板状の切削ブレードをウェーハに切り込ませるブレードダイシングが一般的であった。一方、近年では、透過性のレーザ光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハを溶融しながら溝加工や切断加工を施してダイシングするレーザダイシングも試みられている。（特許文献１参照）。ところでレーザダイシングの場合、レーザ光線照射時にデブリと呼ばれる蒸散成分の飛沫がウェーハの加工面に付着し、品質を低下させるという問題が生じていた。そこで本出願人は、ウェーハの加工面に水溶性樹脂で保護膜を形成した状態で当該加工面にレーザ光線を照射することにより、デブリは樹脂に付着してウェーハ表面には直接付着せず、品質を確保することができる技術を提案している（特許文献２参照）。 As means for dicing a wafer into semiconductor chips, blade dicing is generally used in which a thin disc-shaped cutting blade rotated at a high speed is cut into the wafer. On the other hand, in recent years, laser dicing has also been attempted in which dicing is performed by irradiating a transmissive laser beam along a planned division line and performing groove processing or cutting processing while melting the wafer. (See Patent Document 1). By the way, in the case of laser dicing, there has been a problem that droplets of transpiration components called debris adhere to the processed surface of the wafer when the laser beam is irradiated, and the quality deteriorates. Therefore, the present applicant irradiates the processed surface with a laser beam in a state where a protective film is formed with a water-soluble resin on the processed surface of the wafer, so that debris adheres to the resin and does not directly adhere to the wafer surface, A technique capable of ensuring quality is proposed (see Patent Document 2).

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２００４−１８８４７５号公報JP 2004-188475 A

上記特許文献２に記載される技術では、レーザ加工時におけるウェーハへのデブリの付着が効果的に防止されるが、レーザ加工の前後に、樹脂塗布による保護膜の形成と保護膜の除去といった新たな２つの工程が付加されることになる。ところで、今般の半導体デバイス製造分野においては、大量生産の要求に応えるべく製造速度のさらなる高速化が品質とともに重要視されている。そこで、レーザ加工前後のこれら２つの工程の付加は、製造速度を高速化させる上では不利になるため、改良策が求められることとなった。 The technique described in Patent Document 2 effectively prevents debris from adhering to the wafer during laser processing. However, before and after laser processing, new techniques such as formation of a protective film by resin coating and removal of the protective film are provided. Two processes are added. By the way, in the recent semiconductor device manufacturing field, in order to meet the demand for mass production, further increase in manufacturing speed is regarded as important along with quality. Therefore, the addition of these two steps before and after laser processing is disadvantageous in increasing the production speed, and therefore an improvement measure has been required.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、上記デブリによる悪影響を防止するためのレーザ加工前の保護膜の形成工程およびレーザ加工後の保護膜の除去工程に要する時間を短縮させて、品質を確保しながら製造速度の高速化も図ることができるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and shortens the time required for the protective film forming step before laser processing and the protective film removing step after laser processing to prevent the adverse effects due to the debris. An object of the present invention is to provide a laser processing method and a laser processing apparatus capable of increasing the manufacturing speed while ensuring quality.

本発明のレーザ加工方法は、ワークの加工面に液状の水溶性樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、ワークの加工面にレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ加工工程と、レーザ加工が施されたワークを洗浄する洗浄工程とを含むレーザ加工方法であって、樹脂塗布工程は、水溶性樹脂をワークの加工面にスピンコート法で塗布するスピンコート工程と、塗布された該水溶性樹脂に温風を供給して該水溶性樹脂を乾燥させる樹脂乾燥工程とを含み、洗浄工程は、ワークに塗布された水溶性樹脂に温水を供給して該水溶性樹脂を除去する樹脂除去工程と、水溶性樹脂が除去されたワークに温風を供給して該ワークを乾燥させるワーク乾燥工程とを含むことを特徴としている。 The laser processing method of the present invention includes a resin coating step of applying a liquid water-soluble resin to a workpiece processing surface, a laser processing step of irradiating a laser beam on the workpiece processing surface to perform laser processing, and laser processing. A laser processing method including a cleaning step of cleaning the applied workpiece, wherein the resin coating step includes a spin coating step of applying a water-soluble resin to a processed surface of the workpiece by a spin coating method, and the applied water-soluble resin. A resin drying step of drying the water-soluble resin by supplying hot air to the substrate, and the cleaning step includes removing the water-soluble resin by supplying hot water to the water-soluble resin applied to the workpiece, And a workpiece drying step of supplying warm air to the workpiece from which the water-soluble resin has been removed to dry the workpiece.

本発明のレーザ加工方法によると、レーザ加工工程前の樹脂塗布工程においては、スピンコート法でワークの加工面に塗布した水溶性樹脂に温風を供給することにより、常温で放置して自然硬化させる場合に比して該水溶性樹脂の硬化が促進し、より速く硬化させることができる。硬化した水溶性樹脂は、ワークの加工面に保護膜として形成され、レーザ加工工程では、上記デブリが発生しても該保護膜に付着してワークの加工面には直接付着せず、品質が確保される。 According to the laser processing method of the present invention, in the resin coating process before the laser processing process, the hot-air is supplied to the water-soluble resin applied to the work surface of the workpiece by the spin coating method, and then allowed to stand at room temperature for natural curing. Compared with the case of making it, hardening of this water-soluble resin accelerates | stimulates and it can harden more rapidly. The cured water-soluble resin is formed as a protective film on the work surface of the workpiece. In the laser processing process, even if the above debris is generated, it adheres to the protective film and does not directly adhere to the work surface of the work. Secured.

そして、レーザ加工工程の後の洗浄工程では、温水を水溶性樹脂（保護膜）に供給することにより該水溶性樹脂は洗い流されて除去されるが、温水を使用することにより、常温の水を使用した場合と比べると該水溶性樹脂の融解が促進し、より速く洗い流すことができる。そして、この後の乾燥工程では、温風を供給してワークを乾燥させるため、ワークをより速く乾燥させることができる。このように本発明では、ワークへ塗布した水溶性樹脂の乾燥や該樹脂をワークから除去した後のワークの乾燥を温風で行い、また、ワークから該樹脂の除去する際の洗浄水として温水を使用するので、それぞれの工程にかかる時間を、常温の水や空気を使用する場合に比べると短縮させることができ、製造速度の高速化に寄与する。 In the cleaning step after the laser processing step, the water-soluble resin is washed away and removed by supplying warm water to the water-soluble resin (protective film). Compared with the case where it is used, melting of the water-soluble resin is promoted, and it can be washed away more quickly. In the subsequent drying step, the work is dried by supplying hot air, so that the work can be dried more quickly. As described above, in the present invention, the water-soluble resin applied to the workpiece is dried with hot air after the resin is removed from the workpiece, and warm water is used as cleaning water when removing the resin from the workpiece. Therefore, the time required for each step can be shortened compared to the case of using room temperature water or air, which contributes to an increase in production speed.

次に、本発明のレーザ加工装置は、上記レーザ加工方法を好適に実施し得るもので、ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークにレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ加工手段と、ワークを保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたレーザ加工前のワークの加工面に液状の水溶性樹脂を供給する樹脂供給手段と、スピンナテーブルに保持されたレーザ加工後のワークの加工面に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、スピンナテーブルに保持されたワークの加工面にエアを供給するエア供給手段とを有するスピンナ装置とを含むレーザ加工装置であって、樹脂供給手段は、水溶性樹脂を供給する樹脂源と、スピンナテーブルに保持されたワークの加工面に、樹脂源から送られる水溶性樹脂を供給する第１のノズルとを有し、洗浄水供給手段は、洗浄水を供給する水源と、該水源から送られる洗浄水を加熱して温水とする第１の熱源と、スピンナテーブルに保持されたワークに温水を供給する第２のノズルとを有し、エア供給手段は、エアを供給するエア源と、該エア源から送られるエアを加熱して温風とする第２の熱源と、スピンナテーブルに保持されたワークに温風を供給する第３のノズルとを有することを特徴としている。 Next, the laser processing apparatus of the present invention can suitably carry out the laser processing method described above. The laser processing apparatus performs laser processing by irradiating the workpiece held by the holding means with a laser beam. Laser processing means to be applied, a spinner table that holds and rotates the work, a resin supply means that supplies liquid water-soluble resin to the work surface of the work before laser processing held by the spinner table, and is held by the spinner table Laser processing including a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the processed surface of the workpiece after laser processing and an air supply unit that supplies air to the processed surface of the workpiece held by the spinner table The resin supply means is a resin source that supplies a water-soluble resin, and a water-soluble resin that is sent from the resin source to the work surface of the work held by the spinner table. A first nozzle for supplying fat, and a cleaning water supply means includes: a water source for supplying cleaning water; a first heat source for heating the cleaning water sent from the water source to warm water; and a spinner table A second nozzle for supplying hot water to the held work, and the air supply means supplies an air, and a second heat source for heating the air sent from the air source to produce hot air And a third nozzle for supplying warm air to the work held on the spinner table.

本発明のレーザ加工装置では、上記の第１の熱源と第２の熱源を同一の熱源とする形態を含む。この形態によると、熱源を共有することにより省スペースならびに低コストを図ることができる。 The laser processing apparatus of the present invention includes a mode in which the first heat source and the second heat source are the same heat source. According to this embodiment, the space can be saved and the cost can be reduced by sharing the heat source.

また、本発明のレーザ加工装置は、上記第２のノズルは、上記第１の熱源で加熱された温水を気体と混合する混合機構を有する形態を含む。この形態では、ワークの加工面に供給された水溶性樹脂を、温水と気体が混合したミストを噴出して除去することができ、該ミストによる洗浄効果の促進が図られる。また、この場合の温水に混合する気体としては、上記第２の熱源で加熱された温風を使用するようにすれば、構成を簡素にすることができるので好ましい。 Moreover, the laser processing apparatus of this invention contains the form in which the said 2nd nozzle has a mixing mechanism which mixes the warm water heated with the said 1st heat source with gas. In this embodiment, the water-soluble resin supplied to the work surface of the workpiece can be removed by ejecting mist in which hot water and gas are mixed, and the cleaning effect by the mist can be promoted. In this case, it is preferable to use hot air heated by the second heat source as the gas to be mixed with the hot water because the configuration can be simplified.

さらに本発明のレーザ加工装置では、上記の第１の熱源および第２の熱源が断熱材で覆われている形態は、装置周囲への熱の放散が抑えられるとともに、当該装置の他の部分への熱による影響を防ぐことができる。また、第１の熱源および第２の熱源の熱損失が抑えられて省エネルギー化が図られるとともに、外部からの温度変化の影響を受けにくくなって温度設定の精度が確保されるといった利点もある。 Furthermore, in the laser processing apparatus of the present invention, the above-described form in which the first heat source and the second heat source are covered with the heat insulating material can suppress the heat dissipation to the periphery of the apparatus, and to other parts of the apparatus. Can prevent the effects of heat. In addition, there is an advantage that the heat loss of the first heat source and the second heat source is suppressed, energy saving is achieved, and the accuracy of temperature setting is ensured by being hardly affected by the temperature change from the outside.

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイアあるいはシリコン系の基板、各種電子部品、液晶表示装置を制御駆動するＬＣＤドライバ等の各種ドライバ、さらには、ミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。 The workpiece in the present invention is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer, an adhesive member such as DAF (Die Attach Film) provided on the back surface of the wafer for chip mounting, or a package of a semiconductor product, Examples include ceramic, glass, sapphire or silicon substrates, various electronic components, various drivers such as LCD drivers that control and drive liquid crystal display devices, and various processing materials that require micron-order accuracy.

本発明によれば、レーザ加工前にワークの加工面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を形成する際には、該樹脂に温風を供給して硬化させ、レーザ加工後に該樹脂を洗浄する際には、温水で該樹脂を融解させた後、ワークを温風で乾燥させるため、これらの工程に要する時間を短縮させることができ、結果として上記デブリの付着を防止して品質を確保しながら、製造速度の高速化を図ることができるといった効果を奏する。 According to the present invention, when a water-soluble resin is applied to the work surface of a workpiece before laser processing to form a protective film, hot air is supplied to the resin to be cured, and the resin is washed after laser processing. When melting the resin with warm water, the work is dried with warm air, so the time required for these steps can be shortened, and as a result, adhesion of the debris is prevented and quality is ensured. However, there is an effect that the manufacturing speed can be increased.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図１は一実施形態のレーザ加工装置１０の全体を示しており、図２は背面側を示している。該装置１０は、図３に示す半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称）１をワークとするものであって、ウェーハ１を自動制御でダイシングするレーザダイシング装置である。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows the entire laser processing apparatus 10 of one embodiment, and FIG. 2 shows the back side. The apparatus 10 uses a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as wafer) 1 shown in FIG. 3 as a workpiece, and is a laser dicing apparatus for dicing the wafer 1 by automatic control.

（１）ウェーハ
図３により先にウェーハ１を説明すると、このウェーハ１はシリコン等の単結晶材料からなる円板状のもので、外周部の一部には、結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット１ａが形成されている。ウェーハ１の表面（加工面）には、格子状に形成された分割予定ライン２により多数の矩形状のチップ３が区画されている。各チップ３の表面には、図示せぬＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。ウェーハ１は、レーザ加工装置１０により全ての分割予定ライン２がレーザ加工されて個々のチップ３にダイシングされる。なお、この場合のダイシングは、厚さ方向に完全に貫通して切断するフルカットの他に、厚さの途中まで所定深さの溝を形成する溝加工を含む。溝加工した場合のウェーハは、後工程でさらに溝の残り厚さ部分をフルカットするか、あるいは応力を付与して割断することにより、多数のチップ３にダイシングされる。 (1) Wafer The wafer 1 will be described first with reference to FIG. 3. This wafer 1 is a disk-shaped material made of a single crystal material such as silicon, and an orientation flat as a crystal orientation mark is formed on a part of the outer peripheral portion. 1a is formed. A large number of rectangular chips 3 are partitioned on the surface (processed surface) of the wafer 1 by division lines 2 formed in a lattice pattern. On the surface of each chip 3, electronic circuits such as IC and LSI (not shown) are formed. The wafer 1 is diced into individual chips 3 by laser processing of all the division lines 2 by the laser processing apparatus 10. In addition, the dicing in this case includes groove processing for forming a groove having a predetermined depth to the middle of the thickness in addition to a full cut that penetrates and cuts completely in the thickness direction. The wafer in the case where the groove is processed is diced into a large number of chips 3 by further cutting the remaining thickness of the groove in a later process or by applying stress to cleave it.

ウェーハ１がレーザ加工装置１０に供給される際には、図３に示すように環状のフレーム４の内側に粘着テープ５を介して支持された状態とされる。フレーム４は、金属等の板材からなる剛性を有するものである。粘着テープ５は片面が粘着面とされたもので、その粘着面にフレーム４とウェーハ１が貼着される。粘着テープ５を介してウェーハ１を支持したフレーム４（以下、ウェーハ付きフレーム６と称する）は、図１に示すウェーハ収納用のカセット９内に、ウェーハ１を上側にした状態で収納される。カセット９には、多数のウェーハ付きフレーム６が水平、かつ上下方向に積層されて収納される。 When the wafer 1 is supplied to the laser processing apparatus 10, the wafer 1 is supported inside the annular frame 4 via the adhesive tape 5 as shown in FIG. 3. The frame 4 has rigidity made of a plate material such as metal. The adhesive tape 5 has an adhesive surface on one side, and the frame 4 and the wafer 1 are attached to the adhesive surface. A frame 4 (hereinafter referred to as a frame 6 with a wafer) that supports a wafer 1 via an adhesive tape 5 is stored in a wafer storage cassette 9 shown in FIG. 1 with the wafer 1 facing upward. In the cassette 9, a large number of frames 6 with wafers are stacked horizontally and vertically and stored.

（２）レーザ加工装置
（２−１）全体の構成
図１および図２の符号１１はキャビネットである。このキャビネット１１の内部には、レーザ加工手段１９が配設されている。レーザ加工手段１９としては、ＹＡＧレーザ発振器やＹＶＯ４レーザ発振器等のレーザ発振器で発振したレーザをレンズで集光して照射する構成を有するもの等が用いられる。なお、図１および図２にはレーザ加工手段１９の一部であってレーザ光線を下方に照射するレーザヘッドを図示している。 (2) Laser processing apparatus (2-1) Overall configuration Reference numeral 11 in FIGS. 1 and 2 denotes a cabinet. Laser processing means 19 is disposed inside the cabinet 11. As the laser processing means 19, one having a configuration in which a laser oscillated by a laser oscillator such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator is condensed by a lens and irradiated is used. 1 and 2 show a laser head which is a part of the laser processing means 19 and irradiates a laser beam downward.

キャビネット１１のＹ方向一端側（図１で手前側）には、タッチパネル式の操作表示盤１２が設けられており、レーザ加工の自動運転に係わる各種設定などは、この操作表示盤１２を利用して行われる。また、操作表示盤１２には、内部の運転状況を表示する機能なども付加されている。操作表示盤１２の上方の、キャビネット１１の天板には、運転状態を表示したり警告を発したりする表示灯１３が取り付けられている。 A touch panel type operation display panel 12 is provided on one end side of the cabinet 11 in the Y direction (front side in FIG. 1), and this operation display panel 12 is used for various settings related to automatic operation of laser processing. Done. The operation display panel 12 is also provided with a function for displaying the internal operation status. On the top plate of the cabinet 11 above the operation display panel 12, an indicator lamp 13 for displaying an operation state or issuing a warning is attached.

キャビネット１１の側面１１ａ側には、基台１４が併設されている。この基台１４上の中央が、円板状のチャックテーブル（保持手段）２０に対してウェーハ１を着脱するウェーハ着脱位置に設定されている。チャックテーブル２０は、基台１４上のウェーハ着脱位置と、キャビネット１１内のレーザ加工手段１９による加工位置との間をＸ方向に往復移動させられる。図２で示すチャックテーブル２０は、加工位置に位置付けられている。ウェーハ着脱位置の、図１においてＹ方向手前側にはカセット台１５が配設され、反対側のＹ方向奥側には本発明に係るスピンナ装置６０Ａが配設されている。 A base 14 is provided on the side surface 11 a side of the cabinet 11. The center on the base 14 is set to a wafer attachment / detachment position where the wafer 1 is attached to and detached from the disk-shaped chuck table (holding means) 20. The chuck table 20 is reciprocated in the X direction between a wafer attachment / detachment position on the base 14 and a processing position by the laser processing means 19 in the cabinet 11. The chuck table 20 shown in FIG. 2 is positioned at the machining position. 1, a cassette table 15 is disposed on the front side in the Y direction in FIG. 1, and a spinner device 60A according to the present invention is disposed on the far side in the Y direction on the opposite side.

多数のウェーハ付きフレーム６が収納された上記カセット９は、カセット台１５にセットされる。カセット台１５は昇降可能なエレベータ式であり、昇降することによってカセット内の１つのウェーハ付きフレーム６が、一定高さの引き出し位置に位置付けられるようになっている。 The cassette 9 containing a large number of frames 6 with wafers is set on a cassette table 15. The cassette base 15 is an elevator type that can be raised and lowered, and by moving up and down, the frame 6 with one wafer in the cassette is positioned at a drawing position with a certain height.

カセット台１５にセットされたカセット９内のウェーハ付きフレーム６は、上記引き出し位置からチャックテーブル２０に移されて保持される。チャックテーブル２０は一般周知の真空チャック式のもので、矩形状のベーステーブル２１に、Ｚ方向（上下方向）を回転軸として回転自在に支持されており、ベーステーブル２１内に配設された図示せぬ回転駆動機構によって一方向または両方向に回転させられる。 The wafer-attached frame 6 in the cassette 9 set on the cassette table 15 is moved from the drawing position to the chuck table 20 and held. The chuck table 20 is of a generally known vacuum chuck type, and is supported on a rectangular base table 21 so as to be rotatable about the Z direction (vertical direction) as a rotation axis. It is rotated in one direction or both directions by a rotational drive mechanism (not shown).

基台１４上のウェーハ着脱位置から、キャビネット１１内のレーザ加工手段１９による加工位置にわたっては、Ｘ方向に延びる矩形状の凹所１６がベーステーブル２１の移動スペースとして設けられている。ベーステーブル２１は、凹所１６の底面に設けられた図示せぬ往復移動手段によってＸ方向に往復移動させられるようになっており、したがってチャックテーブル２０はベーステーブル２１とともにＸ方向に往復移動させられる。ベーステーブル２１のＸ方向の両端部には、蛇腹状のカバー１７がそれぞれ取り付けられている。これらカバー１７は、凹所１６内に塵埃等が落下することを防ぐもので、ベーステーブル２１の移動に追従して伸縮する。 A rectangular recess 16 extending in the X direction is provided as a moving space for the base table 21 from the wafer attachment / detachment position on the base 14 to the processing position by the laser processing means 19 in the cabinet 11. The base table 21 is reciprocated in the X direction by a reciprocating means (not shown) provided on the bottom surface of the recess 16, so that the chuck table 20 is reciprocated in the X direction together with the base table 21. . Bellows-like covers 17 are attached to both ends of the base table 21 in the X direction. These covers 17 prevent dust and the like from falling into the recesses 16 and expand and contract following the movement of the base table 21.

チャックテーブル２０には図示せぬバキューム装置が接続されており、このバキューム装置が運転されると、チャックテーブル２０の上方の空気が吸引され、この空気吸引作用により、ウェーハ１がチャックテーブル２０の上面に吸着されて保持されるようになっている。チャックテーブル２０の外径はウェーハ１とほぼ同等であり、ウェーハ１の全体がチャックテーブル２０の上面に密着して同心状に保持される。また、ウェーハ１の周囲のフレーム４は、チャックテーブル２０の外周面に取り付けられた複数のクランプ２２で把持されて保持される。これらクランプ２２はフレーム４を着脱可能に把持するもので、Ｘ方向およびＹ方向に沿った位置に計４つ配設されている。 A vacuum device (not shown) is connected to the chuck table 20. When the vacuum device is operated, the air above the chuck table 20 is sucked, and the air suction action causes the wafer 1 to move to the upper surface of the chuck table 20. It is adsorbed to and held. The outer diameter of the chuck table 20 is substantially the same as that of the wafer 1, and the entire wafer 1 is held in a concentric manner in close contact with the upper surface of the chuck table 20. The frame 4 around the wafer 1 is held and held by a plurality of clamps 22 attached to the outer peripheral surface of the chuck table 20. These clamps 22 detachably hold the frame 4 and are arranged in a total of four positions along the X direction and the Y direction.

上記スピンナ装置６０Ａは、ウェーハ付きフレーム６が保持されるスピンナテーブル７０を有している。スピンナテーブル７０は、上記チャックテーブル２０と同様の真空チャック式のもので、空気吸引作用によりウェーハ付きフレーム６を上面に吸着して保持する。スピンナ装置６０Ａでは、レーザ加工前に、ウェーハ１の加工面である表面に水溶性樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、レーザ加工後のウェーハ１を洗浄する洗浄工程が行われる。このスピンナ装置６０Ａに関しては後で詳述する。 The spinner apparatus 60A has a spinner table 70 on which the frame 6 with a wafer is held. The spinner table 70 is a vacuum chuck type similar to the chuck table 20 described above, and holds and holds the frame 6 with a wafer on the upper surface by an air suction action. In the spinner apparatus 60A, before laser processing, a resin coating process for applying a water-soluble resin to the surface that is the processing surface of the wafer 1 and a cleaning process for cleaning the wafer 1 after the laser processing are performed. The spinner device 60A will be described in detail later.

次に、図１によりウェーハ付きフレーム６を搬送する搬送系を説明する。
上記カセット９内に収納され、カセット台１５の昇降動作によって上記引き出し位置に位置付けられた１枚のウェーハ付きフレーム６は、把持機構３０によってＹ方向奥側に水平に引き出され、ウェーハ着脱位置の上方に配設された一対のＹ方向に延びる位置決めバー３５で受けられる。把持機構３０は、キャビネット１１の側面１１ａに設けられたリニアガイド３１によってＹ方向に往復移動させられるアーム３２の先端に、フレーム４を把持するクランプ部３３が設けられたものである。一対の位置決めバー３５はＸ方向に離間している。そして、一対の位置決めバー３５はＸ方向に同期して互いに近付いたり離れたりするように作動し、両者の中間位置が常にチャックテーブル２０の中心に一致するようになされている。 Next, a conveyance system for conveying the frame 6 with a wafer will be described with reference to FIG.
The single wafer-attached frame 6 housed in the cassette 9 and positioned at the pull-out position by the raising / lowering operation of the cassette table 15 is pulled out horizontally by the gripping mechanism 30 in the Y direction, and above the wafer attachment / detachment position. Are received by a pair of positioning bars 35 extending in the Y direction. The gripping mechanism 30 is provided with a clamp portion 33 that grips the frame 4 at the tip of an arm 32 that is reciprocated in the Y direction by a linear guide 31 provided on the side surface 11 a of the cabinet 11. The pair of positioning bars 35 are separated in the X direction. The pair of positioning bars 35 operate so as to approach and separate from each other in synchronism with the X direction, so that the intermediate position between them is always coincident with the center of the chuck table 20.

ウェーハ付きフレーム６は、把持機構３０のクランプ部３３によって把持され、アーム３２の移動によって２つの位置決めバー３５に架け渡される状態に載置される。そして位置決めバー３５が互いに近付いてフレーム４の外周縁に接触することによりウェーハ付きフレーム６のＸ方向の位置決めがなされる。なお、Ｙ方向の位置決めはアーム３２の移動によってなされる。これによりウェーハ１は、チャックテーブル２０と同心状にセンタリング（Ｘ・Ｙ方向の位置決め）される。 The wafer-attached frame 6 is gripped by the clamp portion 33 of the gripping mechanism 30 and placed in a state of being spanned between the two positioning bars 35 by the movement of the arm 32. Then, the positioning bars 35 come close to each other and come into contact with the outer peripheral edge of the frame 4 to thereby position the frame 6 with a wafer in the X direction. The positioning in the Y direction is performed by moving the arm 32. As a result, the wafer 1 is centered (positioned in the X and Y directions) concentrically with the chuck table 20.

次に、位置決めバー３５で支持されているフレーム４が、上方の第１の搬送機構４０によって吸着、保持され、この後、位置決めバー３５は離間し、ウェーハ付きフレーム６は第１の搬送機構４０のみで保持される。第１の搬送機構４０は、キャビネット１１の側面１１ａに設けられたリニアガイド４１に沿ってＹ方向に往復移動させられる伸縮アーム４２の先端に、フレーム４の上面に吸着して該フレーム４を保持する複数の真空吸着パッド４３が設けられたものである。 Next, the frame 4 supported by the positioning bar 35 is sucked and held by the upper first transfer mechanism 40, and thereafter, the positioning bar 35 is separated and the frame 6 with a wafer is moved to the first transfer mechanism 40. Only retained. The first transport mechanism 40 holds the frame 4 by adsorbing the top surface of the frame 4 to the tip of the telescopic arm 42 that is reciprocated in the Y direction along the linear guide 41 provided on the side surface 11 a of the cabinet 11. A plurality of vacuum suction pads 43 are provided.

第１の搬送機構４０の伸縮アーム４２はＺ方向に伸縮するように作動し、伸縮アーム４２が下方に伸び、真空吸着パッド４３の真空吸着が解除されると、ウェーハ１は、ウェーハ着脱位置に位置付けられているチャックテーブル２０上に載置される。また、第１の搬送機構４０によると、伸縮アーム４２が下方に伸びた状態でチャックテーブル２０上のウェーハ付きフレーム６が真空吸着パッド４３で吸着、保持され、伸縮アーム４２が、上方に縮小してウェーハ１を上昇させてからＹ方向奥側に移動し、次いで下方に伸びて真空吸着パッド４３の真空吸着が解除されることにより、ウェーハ付きフレーム６はスピンナ装置６０Ａのスピンナテーブル７０に同心状に載置される。 The telescopic arm 42 of the first transport mechanism 40 operates to expand and contract in the Z direction, the telescopic arm 42 extends downward, and when the vacuum suction of the vacuum suction pad 43 is released, the wafer 1 is moved to the wafer attachment / detachment position. It is placed on the chuck table 20 that is positioned. Further, according to the first transport mechanism 40, the frame 6 with a wafer on the chuck table 20 is sucked and held by the vacuum suction pad 43 in a state where the telescopic arm 42 extends downward, and the telescopic arm 42 is contracted upward. After the wafer 1 is lifted, it moves to the back in the Y direction, and then extends downward to release the vacuum suction of the vacuum suction pad 43, so that the frame 6 with the wafer is concentric with the spinner table 70 of the spinner apparatus 60A. Placed on.

スピンナテーブル７０上のウェーハ付きフレーム６は、第２の搬送機構５０によって上記位置決めバー３５に戻される。第２の搬送機構５０は第１の搬送機構４０と同様の構成であって、キャビネット１１の側面１１ａのリニアガイド４１の下側に設けられたリニアガイド５１に沿ってＹ方向に往復移動させられる伸縮アーム５２の先端に、フレーム４の上面に吸着して該フレーム４を保持する複数の真空吸着パッド５３が設けられたものである。 The frame 6 with a wafer on the spinner table 70 is returned to the positioning bar 35 by the second transport mechanism 50. The second transport mechanism 50 has the same configuration as the first transport mechanism 40, and is reciprocated in the Y direction along a linear guide 51 provided below the linear guide 41 on the side surface 11a of the cabinet 11. A plurality of vacuum suction pads 53 are provided at the tip of the telescopic arm 52 so as to be attracted to the upper surface of the frame 4 and hold the frame 4.

第２の搬送機構５０によると、伸縮アーム５２が伸びて真空吸着パッド５３によりウェーハ付きフレーム６のフレーム４が吸着、保持され、次いで伸縮アーム５２が縮小してからＹ方向手前側に移動し、再び伸縮アーム５２が伸びて真空吸着パッド５３の真空吸着が解除されることにより、ウェーハ付きフレーム６は位置決めバー３５に載置される。位置決めバー３５に載置されたウェーハ付きフレーム６は、上記把持機構３０によってフレーム４が把持され、アーム３２がＹ方向手前側に移動することによりカセット９内に再び収納される。 According to the second transport mechanism 50, the telescopic arm 52 extends, the frame 4 of the frame 6 with the wafer is sucked and held by the vacuum suction pad 53, and then the telescopic arm 52 is reduced and then moved to the front side in the Y direction. When the telescopic arm 52 is extended again and the vacuum suction of the vacuum suction pad 53 is released, the frame 6 with a wafer is placed on the positioning bar 35. The frame 6 with a wafer placed on the positioning bar 35 is stored in the cassette 9 again when the frame 4 is gripped by the gripping mechanism 30 and the arm 32 moves forward in the Y direction.

なお、図２に示すように、上記搬送系や、ウェーハ着脱位置およびスピンナ装置６０Ａの上方空間は、カバー部材１１ｂ，１１ｃにより覆われている。図１では、カバー部材１１ｂ，１１ｃの内部を示すためにこれらカバー部材１１ｂ，１１ｃを示していない。 As shown in FIG. 2, the transfer system, the wafer attachment / detachment position, and the space above the spinner apparatus 60A are covered with cover members 11b and 11c. In FIG. 1, these cover members 11b and 11c are not shown in order to show the inside of the cover members 11b and 11c.

（２−２）第１の実施形態に係るスピンナ装置の構成
以上はレーザ加工装置１０の全体構成であり、続いて図４を参照して第１の実施形態に係るスピンナ装置６０Ａを説明する。このスピンナ装置６０Ａは、円筒状のケーシング６１とケーシング６１を支持する支持台６２とを備えている。支持台６２は、水平に設置される板状のベース６３と、このベース６３上に立設された複数の脚部６４と、これら脚部６４の上端に固定された受け部６５とからなっている。受け部６５は円形の皿状に形成されたもので、この受け部６５にケーシング６１が上側から嵌め込まれて支持されている。 (2-2) Configuration of Spinner Device According to First Embodiment The above is the overall configuration of the laser processing device 10, and the spinner device 60A according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The spinner device 60 A includes a cylindrical casing 61 and a support base 62 that supports the casing 61. The support base 62 includes a plate-like base 63 installed horizontally, a plurality of leg portions 64 erected on the base 63, and a receiving portion 65 fixed to the upper ends of the leg portions 64. Yes. The receiving part 65 is formed in a circular dish shape, and a casing 61 is fitted into and supported by the receiving part 65 from above.

受け部６５に支持されたケーシング６１は、軸心がほぼ鉛直方向に沿った状態となっており、このケーシング６１の内部に、上記スピンナテーブル７０がケーシング６１と同心状に配設されている。スピンナテーブル７０は、円板状の枠体７１の上面に多孔質体からなる円板状の吸着部７２が嵌合されて構成されたものである。吸着部７２は枠体７１と同心状でスピンナテーブル７０の上面の大部分を占めており、吸着部７２の上面と吸着部７２の周囲の環状の枠体７１の上面とは同一平面とされている。 The casing 61 supported by the receiving portion 65 has a state in which the axis is substantially along the vertical direction, and the spinner table 70 is disposed concentrically with the casing 61 inside the casing 61. The spinner table 70 is configured by fitting a disk-shaped adsorption portion 72 made of a porous body on the upper surface of a disk-shaped frame 71. The suction part 72 is concentric with the frame 71 and occupies most of the upper surface of the spinner table 70, and the upper surface of the suction part 72 and the upper surface of the annular frame 71 around the suction part 72 are coplanar. Yes.

スピンナテーブル７０には図示せぬバキューム装置が接続されており、このバキューム装置が運転されると、スピンナテーブル７０の上方の空気が吸引され、この空気吸引作用により、スピンナテーブル７０に同心状に載置されたウェーハ付きフレーム６が吸着部７２に吸着されて保持されるようになっている。 A vacuum device (not shown) is connected to the spinner table 70, and when the vacuum device is operated, air above the spinner table 70 is sucked, and is concentrically mounted on the spinner table 70 by this air suction action. The placed frame 6 with a wafer is sucked and held by the sucking portion 72.

スピンナテーブル７０の枠体７１の外径はフレーム４の外径とほぼ同等であり、また、吸着部７２の外径はウェーハ１の外径とほぼ同等とされている。したがって、ウェーハ付きフレーム６がスピンナテーブル７０に同心状に載置されると、フレーム４と枠体７１の外周縁がほぼ一致し、かつ、ウェーハ１の全体が吸着部７２に密着して保持されるようになっている。 The outer diameter of the frame 71 of the spinner table 70 is substantially the same as the outer diameter of the frame 4, and the outer diameter of the suction portion 72 is substantially equal to the outer diameter of the wafer 1. Therefore, when the frame 6 with a wafer is placed concentrically on the spinner table 70, the outer peripheral edges of the frame 4 and the frame body 71 substantially coincide with each other, and the entire wafer 1 is held in close contact with the suction portion 72. It has become so.

また、ウェーハ付きフレーム６のフレーム４は、スピンナテーブル７０の外周面に取り付けられた複数のクランプ７３で把持されて保持される。これらクランプ７３はフレーム４を着脱可能に把持するもので、フレーム４を上方から覆うカバー部７３ａを有している。クランプ７３は、上記第２の搬送機構５０の真空吸着パッド５３に対応する位置に配設されており、フレーム４がカバー部７３ａで覆われた箇所に、各真空吸着パッド５３が吸着することが可能とされている。 The frame 4 of the frame 6 with a wafer is held and held by a plurality of clamps 73 attached to the outer peripheral surface of the spinner table 70. These clamps 73 detachably grip the frame 4 and have a cover portion 73a that covers the frame 4 from above. The clamp 73 is disposed at a position corresponding to the vacuum suction pad 53 of the second transport mechanism 50, and each vacuum suction pad 53 can be sucked to a place where the frame 4 is covered with the cover portion 73a. It is possible.

支持台６２のベース６３上には、スピンナテーブル７０を回転させるモータ７４が固定されている。このモータ７４の駆動軸７４ａ（図６に示す）は上方に延びており、受け部６５を貫通してケーシング６１内に挿入されている。そして駆動軸７４ａの先端はスピンナテーブル７０の枠体７１の中心に接続されており、モータ７４が作動するとスピンナテーブル７０は一方向に回転するようになっている。 A motor 74 for rotating the spinner table 70 is fixed on the base 63 of the support base 62. A drive shaft 74 a (shown in FIG. 6) of the motor 74 extends upward and passes through the receiving portion 65 and is inserted into the casing 61. The tip of the drive shaft 74a is connected to the center of the frame 71 of the spinner table 70, and the spinner table 70 rotates in one direction when the motor 74 is operated.

また、スピンナテーブル７０は、図示せぬ昇降機構によって昇降させられるようになっており、この昇降機構によってスピンナテーブル７０はケーシング６１から上方に出たウェーハ受け渡し位置と、ウェーハ受け渡し位置からケーシング６１内に下降した処理位置に位置付けられる。なお、モータ７４の駆動軸７４ａはスピンナテーブル７０の昇降に追随可能なように、例えば伸縮自在な構造とされている。スピンナ装置６０Ａは上記基台１４の内部に収容されており、図１で示すスピンナ装置６０Ａは、スピンナテーブル７０がウェーハ受け渡し位置に上昇した状態を示している。ウェーハ受け渡し位置に上昇したスピンナテーブル７０は基台１４の上面とほぼ同じ高さになるようになされている。 Further, the spinner table 70 can be moved up and down by an elevator mechanism (not shown), and the spinner table 70 is moved upward from the casing 61 by the lifting mechanism and moved into the casing 61 from the wafer transfer position. Positioned at the lowered processing position. The drive shaft 74a of the motor 74 has, for example, a telescopic structure so that the spinner table 70 can follow up and down. The spinner apparatus 60A is accommodated in the base 14, and the spinner apparatus 60A shown in FIG. 1 shows a state in which the spinner table 70 is raised to the wafer delivery position. The spinner table 70 that has been raised to the wafer delivery position is designed to be approximately the same height as the upper surface of the base 14.

ケーシング６１内には、先端が下方に向かって屈曲した水平方向に延びる３つのノズル（第１のノズル８１，第２のノズル８２，第３のノズル８３）が設けられている。この場合、第１のノズル８１が単独であって第１の配管基部８１Ａに水平旋回可能に支持されている。また、第２のノズル８２と第３のノズル８３は上下に並列して１組とされており、第１の配管基部８１Ａとスピンナテーブル７０の中心を挟んだ位置に配置された第２の配管基部８２Ａに、水平旋回可能に支持されている。第１のノズル８１と、第２および第３のノズル８２，８３とは、配管基部から延びる方向が互い違いの方向とされている。 In the casing 61, three nozzles (first nozzle 81, second nozzle 82, and third nozzle 83) extending in the horizontal direction with the tip bent downward are provided. In this case, the first nozzle 81 is independent and is supported by the first piping base 81A so as to be horizontally rotatable. In addition, the second nozzle 82 and the third nozzle 83 are paired in parallel in the vertical direction, and the second pipe arranged at a position sandwiching the center of the first pipe base 81A and the spinner table 70. The base portion 82A is supported so as to be horizontally rotatable. The first nozzle 81 and the second and third nozzles 82 and 83 have alternate directions extending from the pipe base.

各配管基部８１Ａ，８２Ａはケーシング６１の内壁近傍に配設されている。そして各ノズル８１，８２，８３は、ケーシング６１の内壁に近接した通常位置においては、スピンナテーブル７０よりも外周側にあり、スピンナテーブル７０が昇降する際、スピンナテーブル７０に保持されているウェーハ付きフレーム６のフレーム４に干渉しない位置に退避するようになされている。そして各ノズル８１，８２，８３は、スピンナテーブル７０が処理位置に位置付けられている時（図４はその状態を示している）に、退避位置からスピンナテーブル７０の上方において水平旋回するように作動する。 Each of the pipe bases 81 A and 82 A is disposed near the inner wall of the casing 61. Each nozzle 81, 82, 83 is on the outer peripheral side of the spinner table 70 at a normal position close to the inner wall of the casing 61, and with the wafer held by the spinner table 70 when the spinner table 70 moves up and down. The frame 6 is retracted to a position that does not interfere with the frame 4. The nozzles 81, 82, and 83 operate so as to turn horizontally above the spinner table 70 from the retracted position when the spinner table 70 is positioned at the processing position (FIG. 4 shows the state). To do.

第１のノズル８１には、液状の水溶性樹脂を供給する樹脂源８４に接続された配管８４Ａが接続されている。第１のノズル８１には樹脂源８４から配管８４Ａを介して液状の水溶性樹脂が送られ、第１のノズル８１の先端から該樹脂が滴下されるようになっている。使用される水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）等の水溶性レジストが好ましく用いられる。 A pipe 84 A connected to a resin source 84 that supplies a liquid water-soluble resin is connected to the first nozzle 81. A liquid water-soluble resin is sent from the resin source 84 to the first nozzle 81 via the pipe 84 A, and the resin is dropped from the tip of the first nozzle 81. As the water-soluble resin to be used, a water-soluble resist such as polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene glycol (PEG), polyethylene oxide (PEO) is preferably used.

また、第２のノズル８２には、洗浄水を供給する水源８５に接続された配管８５Ａが接続されている。第２のノズル８２には水源８５から配管８５Ａを介して洗浄水が送られ、第２のノズル８２の先端から該洗浄水が吐出されるようになっている。使用される洗浄水としては、純水、あるいは静電気防止のためにＣＯ_２が混入された純水が好ましく用いられる。第２のノズル８２の先端から吐出される洗浄水の吐出圧は、例えば０．４ＭＰａ程度に調節される。 Further, the second nozzle 82 is connected to a pipe 85A connected to a water source 85 that supplies cleaning water. Wash water is sent from the water source 85 to the second nozzle 82 via the pipe 85 A, and the wash water is discharged from the tip of the second nozzle 82. As the cleaning water used, pure water or pure water mixed with CO ₂ for preventing static electricity is preferably used. The discharge pressure of the cleaning water discharged from the tip of the second nozzle 82 is adjusted to about 0.4 MPa, for example.

さらに、第３のノズル８３には、エアを供給するエア源８６に接続された配管８６Ａが接続されている。第３のノズル８３にはエア源８６から配管８６Ａを介してエアが送られ、第３のノズル８３の先端から該エアが噴出されるようになっている。第３のノズル８３の先端から噴出されるエアは乾燥状態であることが好ましく、また、噴出圧は、例えば０．４ＭＰａ程度に調節される。 Furthermore, a pipe 86 A connected to an air source 86 that supplies air is connected to the third nozzle 83. Air is sent from the air source 86 to the third nozzle 83 via the pipe 86 A, and the air is ejected from the tip of the third nozzle 83. The air ejected from the tip of the third nozzle 83 is preferably in a dry state, and the ejection pressure is adjusted to about 0.4 MPa, for example.

第２のノズル８２に洗浄水を送る配管８５Ａは、第１の熱源９１を通過させられており、第３のノズル８３にエアを送る配管８６Ａは、第２の熱源９２を通過させられている。各熱源９１，９２は別体であるが近接して配設されており、これら熱源９１，９２は、断熱性を有する１つのハウジング９５内に収容されている。 A pipe 85 A that sends cleaning water to the second nozzle 82 is passed through the first heat source 91, and a pipe 86 A that sends air to the third nozzle 83 is passed through the second heat source 92. . The heat sources 91 and 92 are separate but are arranged close to each other, and these heat sources 91 and 92 are accommodated in a single housing 95 having heat insulation properties.

水源８５から第２のノズル８２に送られる洗浄水は第１の熱源９１で加熱され、第２のノズル８２の先端からは温水となった洗浄水が吐出される。また、エア源８６から第３のノズル８３に送られるエアは第２の熱源９２で加熱され、第３のノズル８３の先端からは加熱されたエアが温風となって噴出される。洗浄水は常温（例えば２５℃程度）よりも高温から８０℃程度までの間に加熱されると好ましく、また、エアは常温よりも高温から１２０℃程度までの間に加熱されると好ましい。洗浄水やエアの温度に関しては、デバイスごとに熱の影響の受けやすさが異なったりデバイスごとに表面形状が異なったりすることから水溶性樹脂の塗布状態が変わってくるため、これらのことを考慮し、加工するデバイスに応じて温度条件が設定される。各熱源９１，９２は、例えば工業用の電熱ヒータ等が適宜に選択されるが、洗浄水やエアを適宜に加熱することができるものであれば種類は限定されない。 The washing water sent from the water source 85 to the second nozzle 82 is heated by the first heat source 91, and the washing water that has become warm water is discharged from the tip of the second nozzle 82. The air sent from the air source 86 to the third nozzle 83 is heated by the second heat source 92, and the heated air is jetted from the tip of the third nozzle 83 as warm air. The washing water is preferably heated from a temperature higher than room temperature (for example, about 25 ° C.) to about 80 ° C., and the air is preferably heated from a temperature higher than room temperature to about 120 ° C. With regard to the temperature of cleaning water and air, the water-soluble resin application state changes depending on the device's sensitivity to heat and the surface shape of each device. The temperature condition is set according to the device to be processed. For example, an industrial electric heater or the like is appropriately selected for each of the heat sources 91 and 92, but the type is not limited as long as the cleaning water or air can be appropriately heated.

この第１の実施形態では、上記の樹脂源８４と第１のノズル８１とにより樹脂供給手段８７が構成されている。また、水源８５と第１の熱源９１と第２のノズル８２とにより洗浄水供給手段８８が構成されている。また、エア源８６と第２の熱源９２と第３のノズル８３とによりエア供給手段８９が構成されている。なお、図示はしていないが、受け部６５には、洗浄水や樹脂を所定の処理設備に排出するための排液口が設けられているとともに、この排液口には排液管が接続されている。 In the first embodiment, the resin supply means 87 is configured by the resin source 84 and the first nozzle 81. Further, the water source 85, the first heat source 91, and the second nozzle 82 constitute a cleaning water supply unit 88. The air source 86, the second heat source 92, and the third nozzle 83 constitute an air supply means 89. Although not shown in the drawings, the receiving portion 65 is provided with a drainage port for discharging cleaning water and resin to a predetermined treatment facility, and a drainage pipe is connected to the drainage port. Has been.

（２−３）レーザ加工装置の動作
次に、上記レーザ加工装置１０によってウェーハ１の分割予定ライン２にレーザ加工を施す動作を説明する。なお、図５は該動作の過程を示している。図５中、Ｃ／Ｔはチャックテーブル２０のことである。 (2-3) Operation of Laser Processing Apparatus Next, an operation of performing laser processing on the division line 2 of the wafer 1 by the laser processing apparatus 10 will be described. FIG. 5 shows the process of the operation. In FIG. 5, C / T is the chuck table 20.

（２−３−１）樹脂塗布工程
カセット９内に収納され、カセット台１５の昇降動作によって引き出し位置に位置付けられた１枚のウェーハ付きフレーム６が把持機構３０によって引き出され、位置決めバー３５に載置されてＸ・Ｙ方向の位置決めがなされる。次いで、位置決めバー３５上のウェーハ付きフレーム６のフレーム４が、第１の搬送機構４０によってスピンナ装置６０Ａの上方に搬送される。そして、予めバキューム装置が運転され、かつ、ウェーハ受け渡し位置に上昇して待機しているスピンナテーブル７０に、ウェーハ付きフレーム６が同心状に吸着、保持される。また、これと同時にクランプ７３によってフレーム４が保持される。 (2-3-1) Resin Application Process One frame 6 with a wafer, which is stored in the cassette 9 and positioned at the drawing position by the raising and lowering operation of the cassette table 15, is pulled out by the gripping mechanism 30 and placed on the positioning bar 35. And is positioned in the X and Y directions. Next, the frame 4 of the frame 6 with a wafer on the positioning bar 35 is transported above the spinner device 60 A by the first transport mechanism 40. Then, the frame 6 with a wafer is concentrically adsorbed and held on the spinner table 70 that has been operated in advance and is lifted to the wafer transfer position and is waiting. At the same time, the frame 4 is held by the clamp 73.

ウェーハ付きフレーム６が第１の搬送機構４０の真空吸着パッド４３からスピンナテーブル７０に受け渡されると、スピンナテーブル７０が処理位置に下降し、ウェーハ１の表面全面に、以下のようにして水溶性の液状樹脂が塗布される（スピンコート工程）。 When the frame 6 with a wafer is transferred from the vacuum suction pad 43 of the first transport mechanism 40 to the spinner table 70, the spinner table 70 is lowered to the processing position, and the entire surface of the wafer 1 is water-soluble as follows. The liquid resin is applied (spin coating process).

まず、第１のノズル８１がケーシング６１の内側に旋回してその先端が図６（ａ）に示すようにウェーハ１の中心付近の直上に位置付けられ、液状の水溶性樹脂Ｐが第１のノズル８１の先端からウェーハ１の表面の中心付近に滴下される。樹脂Ｐの滴下が開始されたら、続いてモータ７４を作動させてスピンナテーブル７０を一方向に回転させ、所定の滴下時間が経過したら回転を停止する。ウェーハ１に滴下された樹脂Ｐは、図６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、スピンナテーブル７０の回転によって発生している遠心力の作用で外周側に広がり、ウェーハ１の表面全面に行き渡ってスピンコートされる。 First, the first nozzle 81 turns inside the casing 61 and its tip is positioned immediately above the center of the wafer 1 as shown in FIG. 6A, and the liquid water-soluble resin P is the first nozzle. It is dropped from the front end of 81 to the vicinity of the center of the surface of the wafer 1. When the dropping of the resin P is started, the motor 74 is subsequently operated to rotate the spinner table 70 in one direction, and when the predetermined dropping time has elapsed, the rotation is stopped. As shown in FIGS. 6B to 6C, the resin P dripped onto the wafer 1 spreads to the outer peripheral side due to the centrifugal force generated by the rotation of the spinner table 70, and spreads over the entire surface of the wafer 1. It is spread and spin coated.

なお、スピンコート時のスピンナテーブル７０の回転速度と回転速度は、樹脂Ｐがウェーハ１の表面を十分に被覆する程度に設定され、例えば、回転速度は５００〜３０００ｒｐｍ程度、回転時間は３０〜１２０秒程度とされる。また、樹脂Ｐの膜厚は、例えば０．１〜１０μｍ程度とされる。 Note that the rotation speed and rotation speed of the spinner table 70 at the time of spin coating are set so that the resin P sufficiently covers the surface of the wafer 1. For example, the rotation speed is about 500 to 3000 rpm, and the rotation time is 30 to 120. About 2 seconds. The film thickness of the resin P is, for example, about 0.1 to 10 μm.

樹脂Ｐのスピンコートが完了したら、スピンナテーブル７０の回転を続行させたまま、第１のノズル８１を退避させるとともに、一体となっている第２のノズル８２と第３のノズル８３をケーシング６１の内側に旋回させる。そして第３のノズル８３の先端から温風を噴出させ、ウェーハ１の表面に塗布された樹脂Ｐに温風を吹き付けて樹脂Ｐを乾燥させる（樹脂乾燥工程）。第３のノズル８３は往復旋回が何回か繰り返され、ウェーハ１の表面全面に温風がまんべんなく吹き付けられる。樹脂Ｐは、温風の吹き付けによって速やかに乾燥して硬化し、保護膜Ｐ１に形成される。 When the spin coating of the resin P is completed, the first nozzle 81 is retracted while the rotation of the spinner table 70 is continued, and the integrated second nozzle 82 and third nozzle 83 are moved to the casing 61. Turn inward. Then, warm air is ejected from the tip of the third nozzle 83, and the warm air is blown onto the resin P applied to the surface of the wafer 1 to dry the resin P (resin drying step). The third nozzle 83 is repeatedly reciprocated several times, and hot air is blown evenly over the entire surface of the wafer 1. The resin P is quickly dried and cured by blowing warm air, and is formed on the protective film P1.

以上によりウェーハ１への水溶性樹脂の塗布および乾燥による保護膜Ｐ１の形成は終了し、スピンナテーブル７０の回転が停止され、さらにスピンナテーブル７０がウェーハ受け渡し位置に上昇させられる。次に、スピンナテーブル７０上のウェーハ付きフレーム６のフレーム４が第２の搬送機構５０の真空吸着パッド５３に吸着、保持され、第２の搬送機構５０によりウェーハ付きフレーム６はチャックテーブル２０まで搬送され、チャックテーブル２０に保持される。なお、フレーム４の真空吸着パッド５３が吸着する箇所は、クランプ７３のカバー部７３ａで覆われた箇所とされる。カバー部７３ａで覆われた箇所は、上記スピンコート時に樹脂Ｐが飛散してもその飛散樹脂がカバー部７３ａで覆われているので樹脂が付着せず、このため、真空吸着パッド５３がフレーム４の表面に直接吸着し、フレーム４が確実に保持される。 Thus, the formation of the protective film P1 by applying the water-soluble resin to the wafer 1 and drying is completed, the rotation of the spinner table 70 is stopped, and the spinner table 70 is raised to the wafer delivery position. Next, the frame 4 of the frame 6 with wafer on the spinner table 70 is sucked and held by the vacuum suction pad 53 of the second transfer mechanism 50, and the frame 6 with wafer is transferred to the chuck table 20 by the second transfer mechanism 50. And held on the chuck table 20. In addition, the place where the vacuum suction pad 53 of the frame 4 is sucked is a place covered with the cover portion 73 a of the clamp 73. Even if the resin P is scattered at the time of the spin coating, the portion covered with the cover portion 73a is not covered with the scattered resin because the scattered resin is covered with the cover portion 73a. The frame 4 is securely held by adsorbing directly to the surface of the frame.

（２−３−２）レーザ加工工程
次いで、ウェーハ１へのレーザ加工に移る。それにはまず、ウェーハ付きフレーム６を吸着、保持したチャックテーブル２０が、ベーステーブル２１が移動することによりキャビネット１１内の加工位置に移動させられる。そしてこの加工位置で、レーザ加工手段１９によりウェーハ１の分割予定ライン２にレーザ光線が照射されてレーザ加工が施され、ウェーハ１がダイシングされる。 (2-3-2) Laser Processing Step Next, the laser processing for the wafer 1 is started. First, the chuck table 20 that sucks and holds the frame 6 with a wafer is moved to a processing position in the cabinet 11 by moving the base table 21. At this processing position, the laser processing unit 19 irradiates the division line 2 of the wafer 1 with a laser beam to perform laser processing, and the wafer 1 is diced.

ここで、ウェーハ１にレーザ光線が照射されると前述したデブリが発生する場合があるが、デブリは保護膜Ｐ１の表面に付着してウェーハ１の表面には直接付着せず、これによってチップ３の品質が確保される。 Here, when the wafer 1 is irradiated with a laser beam, the above-described debris may be generated. However, the debris adheres to the surface of the protective film P1 and does not directly adhere to the surface of the wafer 1, whereby the chip 3 Quality is ensured.

ダイシングは、例えば、チャックテーブル２０をＸ方向に加工送りしながらレーザ光線を分割予定ライン２に照射することと、レーザ加工手段１９がＹ方向に移動してレーザ光線照射位置を分割予定ライン２に合わせる割り出し送りとが交互に繰り返されるといった動作によって遂行される。レーザ加工でウェーハ１をフルカットする場合、ウェーハ１は多数のチップ３に分割されるが、チップ３は粘着テープ５に貼り付いたままの状態でありウェーハ１としての形態は保たれる。全ての分割予定ライン２にレーザ加工が施されてウェーハ１のダイシングが完了したら、チャックテーブル２０がウェーハ着脱位置に戻り、次いで、ウェーハ付きフレーム６は洗浄工程に送られる。 In the dicing, for example, the laser beam is irradiated onto the planned division line 2 while the chuck table 20 is processed and fed in the X direction, and the laser processing means 19 moves in the Y direction to move the laser beam irradiation position to the planned division line 2. This is accomplished by an operation in which the indexing and feeding to be combined are repeated alternately. When the wafer 1 is fully cut by laser processing, the wafer 1 is divided into a large number of chips 3, but the chips 3 remain attached to the adhesive tape 5 and the form of the wafer 1 is maintained. When the laser processing is performed on all the division lines 2 and the dicing of the wafer 1 is completed, the chuck table 20 returns to the wafer attaching / detaching position, and the frame 6 with the wafer is sent to the cleaning process.

（２−３−３）洗浄工程
ウェーハ１がダイシングされたウェーハ付きフレーム６は、ウェーハ着脱位置にあるチャックテーブル２０から、第１の搬送機構４０によって再びスピンナ装置６０Ａまで搬送され、ウェーハ受け渡し位置で待機しているスピンナテーブル７０に吸着、保持される。 (2-3-3) Cleaning Step The wafer-attached frame 6 on which the wafer 1 has been diced is transferred again from the chuck table 20 at the wafer attachment / detachment position to the spinner device 60A by the first transfer mechanism 40, and at the wafer transfer position. It is attracted and held by the spinner table 70 that is waiting.

続いて、スピンナテーブル７０は処理位置に下降させられ、回転が開始される。そして第２のノズル８２の先端から温水を吐出させながら、第２、第３のノズル８２，８３を往復旋回させて、温水を保護膜Ｐ１の全面にまんべんなくかける。これによって水溶性の樹脂からなる保護膜Ｐ１は速やかに融解し、ウェーハ１の表面から樹脂Ｐが洗い流されて除去される（樹脂除去工程）。 Subsequently, the spinner table 70 is lowered to the processing position, and rotation is started. Then, while discharging hot water from the tip of the second nozzle 82, the second and third nozzles 82 and 83 are reciprocally swirled to uniformly apply the hot water to the entire surface of the protective film P1. As a result, the protective film P1 made of water-soluble resin is quickly melted, and the resin P is washed away from the surface of the wafer 1 and removed (resin removal step).

ウェーハ１の表面の保護膜Ｐ１が完全に除去されたら、第２のノズル８２からの温水の吐出を停止し、続いてスピンナテーブル７０の回転、ならびに第２，第３のノズル８２，８３の往復旋回を続行したまま、第３のノズル８３の先端から温風を噴出させる。温風は露出したウェーハ１の表面全面にまんべんなく吹き付けられ、さらに遠心力で水分が吹き飛ぶ作用も相まって、ウェーハ１は速やかに乾燥処理される（ウェーハ乾燥工程）。この後、スピンナテーブル７０がウェーハ受け渡し位置に上昇させられる。 When the protective film P1 on the surface of the wafer 1 is completely removed, the hot water discharge from the second nozzle 82 is stopped, and then the rotation of the spinner table 70 and the reciprocation of the second and third nozzles 82 and 83 are stopped. Hot air is spouted from the tip of the third nozzle 83 while continuing the turning. The hot air is sprayed evenly over the entire surface of the exposed wafer 1, and the wafer 1 is also quickly dried (wafer drying process) in combination with the action of blowing off moisture by centrifugal force. Thereafter, the spinner table 70 is raised to the wafer delivery position.

（２−３−４）カセットへの格納
以上のようにしてウェーハ１の表面への保護膜Ｐ１の形成、レーザ加工によるウェーハ１のダイシング、保護膜Ｐ１を除去するウェーハ１の洗浄といった各工程を経たウェーハ付きフレーム６は、第２の搬送機構５０によってスピンナテーブル７０から位置決めバー３５に移され、次いで把持機構３０によってカセット９に戻される。 (2-3-4) Storage in cassette As described above, each process of forming the protective film P1 on the surface of the wafer 1, dicing the wafer 1 by laser processing, and cleaning the wafer 1 to remove the protective film P1 is performed. The passed frame 6 with the wafer is moved from the spinner table 70 to the positioning bar 35 by the second transport mechanism 50 and then returned to the cassette 9 by the gripping mechanism 30.

以上の一連の動作が、カセット９内の全てのウェーハ１に対して遂行される。そして、カセット９内のウェーハ１が全てダイシング済みのものになったら、カセット９が次のチップピックアップ工程に搬送され、粘着テープ５から各チップ３がピックアップされて個々のチップ３を得る。 The above series of operations is performed on all the wafers 1 in the cassette 9. When all the wafers 1 in the cassette 9 have been diced, the cassette 9 is transported to the next chip pick-up process, and each chip 3 is picked up from the adhesive tape 5 to obtain individual chips 3.

（２−４）レーザ加工装置の作用効果
上記実施形態のレーザ加工装置１０によれば、レーザ加工前の樹脂塗布工程においては、スピンコート法でウェーハ１の表面に水溶性樹脂Ｐを塗布した後、塗布した樹脂Ｐに第３のノズル８３から温風を吹き付けて樹脂Ｐを硬化させ、保護膜Ｐ１を形成している。樹脂Ｐは、常温で放置して自然硬化させる場合よりも、このように温風を吹き付けることにより、乾燥から硬化に至る反応が大幅に促進し、このため、樹脂Ｐをより速く硬化させることができる。すなわち、樹脂塗布工程に要する時間が大幅に短縮される。 (2-4) Effects of Laser Processing Apparatus According to the laser processing apparatus 10 of the above embodiment, in the resin application step before laser processing, after the water-soluble resin P is applied to the surface of the wafer 1 by spin coating. Then, hot air is blown from the third nozzle 83 to the applied resin P to cure the resin P, thereby forming a protective film P1. Resin P sprays warm air in this way, rather than leaving it at room temperature to allow it to cure naturally, thereby greatly promoting the reaction from drying to curing, and thus curing resin P faster. it can. That is, the time required for the resin coating process is greatly reduced.

また、レーザ加工後の洗浄工程においては、温水を保護膜Ｐ１に供給することにより樹脂Ｐは洗い流されて除去されるが、温水を使用することにより、常温の水を使用した場合と比べると樹脂Ｐの融解作用が大幅に促進し、より速く洗い流すことができる。そして、この後の乾燥工程では、温風を吹き付けてウェーハ１を乾燥させるため、ウェーハ１をより速く乾燥させることができる。 Further, in the cleaning process after laser processing, the resin P is washed away and removed by supplying warm water to the protective film P1, but the resin is used by using warm water as compared with the case where normal temperature water is used. The melting action of P is greatly accelerated and can be washed out faster. In the subsequent drying step, since the wafer 1 is dried by blowing hot air, the wafer 1 can be dried more quickly.

このように本実施形態では、ウェーハ１に塗布した樹脂Ｐの乾燥や、樹脂Ｐをウェーハ１から除去した後のウェーハ１の乾燥を、いずれも温風で行い、また、洗浄工程においてウェーハ１から樹脂を除去する際の洗浄水として温水を使用している。このため、これらの工程に要する時間を、常温の水や空気を使用する場合に比べると大幅に短縮させることができ、その結果、ウェーハ１の表面に樹脂を塗布するといった工程を備えながらも、チップ３をウェーハ１から得る全体の製造速度をなるべく速くすることができる。 As described above, in this embodiment, drying of the resin P applied to the wafer 1 and drying of the wafer 1 after removing the resin P from the wafer 1 are both performed with warm air, and from the wafer 1 in the cleaning process. Hot water is used as washing water when removing the resin. For this reason, the time required for these steps can be greatly reduced as compared with the case of using room temperature water or air, and as a result, while having a step of applying a resin to the surface of the wafer 1, The overall production speed for obtaining the chip 3 from the wafer 1 can be made as fast as possible.

また、上記の第１の熱源９１および第２の熱源９２が断熱性を有するハウジング９５で覆われているため、各熱源９１，９２の周囲への熱の放散が抑えられるとともに、熱源９１，９２以外のレーザ加工装置１０の他の部分への熱による影響を防ぐことができる。また、各熱源９１，９２の熱損失がハウジング９５で抑えられて省エネルギー化が図られる。さらに、各熱源９１，９２はハウジング９５があることによって外部からの温度変化の影響を受けにくくなり、このため温度設定の精度が確保されるといった利点もある。 In addition, since the first heat source 91 and the second heat source 92 are covered with a heat-insulating housing 95, heat dissipation to the surroundings of the heat sources 91 and 92 can be suppressed, and the heat sources 91 and 92 can be prevented. It is possible to prevent the influence of heat on other parts of the laser processing apparatus 10 other than the above. Further, the heat loss of each of the heat sources 91 and 92 is suppressed by the housing 95, thereby saving energy. Further, since the heat sources 91 and 92 are provided with the housing 95, the heat sources 91 and 92 are not easily affected by the temperature change from the outside, and thus there is an advantage that the accuracy of temperature setting is ensured.

（３）第２の実施形態に係るスピンナ装置
次に、図７を参照して第２の実施形態に係るスピンナ装置６０Ｂを説明する。
このスピンナ装置６０Ｂにおいては、熱源が１つである。この熱源９１Ａに、水源８５側の配管８５Ａとエア源８６側の配管８６Ａが通過しており、洗浄水とエアは、ともに１つの熱源９１Ａによって加熱されるようになっている。換言するならば、上記実施形態の洗浄水を加熱する第１の熱源９１とエアを加熱する第２の熱源９２が、同一の熱源９１Ａとして構成されている。このように熱源を１つとして共有することにより、省スペースならびに低コストを図ることができる。 (3) Spinner Device According to Second Embodiment Next, a spinner device 60B according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
In the spinner device 60B, there is one heat source. A pipe 85A on the water source 85 side and a pipe 86A on the air source 86 side pass through the heat source 91A, and both the washing water and the air are heated by one heat source 91A. In other words, the first heat source 91 for heating the cleaning water of the above embodiment and the second heat source 92 for heating the air are configured as the same heat source 91A. Thus, by sharing the heat source as one, space saving and low cost can be achieved.

また、第２の実施形態のスピンナ装置６０Ｂでは、洗浄水を吐出する第２のノズル８２には第３のノズル８３に供給される温風が配管８５ａを介して混合され、第２のノズル８２の先端からは、加熱された洗浄水である温水に温風が高速で衝突して噴霧化したミストが噴出するようになっている。第２のノズル８２は、温水と温風が混合したミストを噴出する二流体ノズルであり、上記洗浄工程の樹脂除去工程において、高温のミストが第２のノズル８２から噴射されて保護膜Ｐ１が除去される。このようにミストを噴出させて洗浄する場合においては、使用する水の量は例えば２００ｍｌ／ｍｉｎ程度と比較的少なくて済み、より少ない水の量で高い洗浄効果を得ることができるといった利点がある。そして、樹脂塗布工程における樹脂乾燥工程と、洗浄工程におけるウェーハ乾燥工程では、上記実施形態と同じく第３のノズル８３から温風を噴出させてウェーハ１を乾燥させる。 Further, in the spinner apparatus 60B of the second embodiment, the second nozzle 82 that discharges cleaning water is mixed with warm air supplied to the third nozzle 83 via the pipe 85a, and the second nozzle 82 is mixed. From the tip of the mist, hot mist collides with hot water, which is heated washing water, at high speed, and atomized mist is ejected. The second nozzle 82 is a two-fluid nozzle that ejects a mist mixed with warm water and warm air. In the resin removal step of the cleaning step, the high temperature mist is sprayed from the second nozzle 82 and the protective film P1 is formed. Removed. Thus, in the case of cleaning by ejecting mist, the amount of water used is relatively small, for example, about 200 ml / min, and there is an advantage that a high cleaning effect can be obtained with a smaller amount of water. . In the resin drying step in the resin coating step and the wafer drying step in the cleaning step, the hot air is ejected from the third nozzle 83 in the same manner as in the above embodiment to dry the wafer 1.

このように第２のノズル８２から高温のミストを噴出させて樹脂Ｐを除去する形態では、単に温水を吐出する場合と比べると、樹脂Ｐを除去する効果は格段に優れており、洗浄時間を一層短縮させることができる。また、第２のノズル８２へ混合させる温風はエア源８６から供給されて第２の熱源９２で加熱され第３のノズル８３に送られる温風を流用するため、構成が複雑になることはない。 Thus, in the form in which the high temperature mist is ejected from the second nozzle 82 and the resin P is removed, the effect of removing the resin P is significantly superior to the case of simply discharging hot water, and the cleaning time is reduced. It can be further shortened. Further, since the warm air mixed into the second nozzle 82 is supplied from the air source 86 and heated by the second heat source 92 and sent to the third nozzle 83, the configuration is complicated. Absent.

（４）第３の実施形態に係るスピンナ装置
次に、図８を参照して第３の実施形態に係るスピンナ装置６０Ｃを説明する。
このスピンナ装置６０Ｃにおいては、温風を噴出する第３のノズル８３が上記第１の実施形態のものと異なっている。すなわち第３の実施形態での第３のノズル８３は、ケーシング６１の開口に近い上部の内壁に固定されている。この第３のノズル８３は円筒状であり、エア源８６につながる配管８６Ａが接続されている。そして配管８６Ａの第２の熱源９２とケーシング６１との間には、上流側から順に、エアドライヤ９８とフィルタ９９が介在されている。エアドライヤ９８は配管８６Ａを流れるエア中の水分を除去してエアを乾燥させるものであり、フィルタ９９は、配管８６Ａを流れるエア中に存在する塵埃等の異物を捕捉してエアを清浄化するものである。 (4) Spinner Device According to Third Embodiment Next, a spinner device 60C according to a third embodiment will be described with reference to FIG.
In the spinner device 60C, a third nozzle 83 for ejecting warm air is different from that in the first embodiment. That is, the third nozzle 83 in the third embodiment is fixed to the upper inner wall near the opening of the casing 61. The third nozzle 83 has a cylindrical shape, and is connected with a pipe 86 A connected to the air source 86. An air dryer 98 and a filter 99 are interposed between the second heat source 92 of the pipe 86A and the casing 61 in order from the upstream side. The air dryer 98 removes moisture in the air flowing through the pipe 86A and dries the air, and the filter 99 cleans the air by capturing foreign matter such as dust present in the air flowing through the pipe 86A. It is.

このスピンナ装置６０Ｃでは、上記の樹脂塗布工程における樹脂乾燥工程と、洗浄工程におけるウェーハ乾燥工程では、第３のノズル８３から温風を噴出させ、ケーシング６１の内部全体を高温・乾燥状態として、樹脂Ｐやウェーハ１を乾燥させる運転がなされる。 In the spinner apparatus 60C, in the resin drying step in the resin coating step and the wafer drying step in the cleaning step, hot air is blown from the third nozzle 83 to make the entire interior of the casing 61 in a high temperature / dry state. An operation for drying P and the wafer 1 is performed.

本発明の実施形態に係るレーザ加工装置の全体斜視図である。1 is an overall perspective view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. レーザ加工装置の背面側の全体斜視図である。It is a whole perspective view of the back side of a laser processing apparatus. 実施形態でレーザ加工が施される半導体ウェーハが粘着テープを介してフレームに保持されている状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the semiconductor wafer to which laser processing is given by embodiment is hold | maintained at the flame | frame via the adhesive tape. レーザ加工装置が備える第１実施形態のスピンナ装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spinner apparatus of 1st Embodiment with which a laser processing apparatus is provided. レーザ加工装置によるレーザ加工の動作過程を示すチャート図である。It is a chart figure which shows the operation process of the laser processing by a laser processing apparatus. ウェーハ表面に樹脂をスピンコートする動作を（ａ）〜（ｃ）の順に示す側面図である。It is a side view which shows the operation | movement which spin-coats resin on the wafer surface in order of (a)-(c). 第２実施形態のスピンナ装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spinner apparatus of 2nd Embodiment. 第３実施形態のスピンナ装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spinner apparatus of 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１…ウェーハ（ワーク）、１０…レーザ加工装置、１９…レーザ加工手段、２０…チャックテーブル（保持手段）、６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ…スピンナ装置、７０…スピンナテーブル、８１…第１のノズル、８２…第２のノズル、８３…第３のノズル、８４…樹脂源、８５…水源、８６…エア源、８７…樹脂供給手段、８８…洗浄水供給手段、８９…エア供給手段、９１…第１の熱源、９１Ａ…同一の熱源、９２…第２の熱源、９５…ハウジング（断熱材）、Ｐ…水溶性樹脂。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (work), 10 ... Laser processing apparatus, 19 ... Laser processing means, 20 ... Chuck table (holding means), 60A, 60B, 60C ... Spinner apparatus, 70 ... Spinner table, 81 ... 1st nozzle, 82 ... second nozzle, 83 ... third nozzle, 84 ... resin source, 85 ... water source, 86 ... air source, 87 ... resin supply means, 88 ... washing water supply means, 89 ... air supply means, 91 ... first Heat source, 91A ... same heat source, 92 ... second heat source, 95 ... housing (heat insulating material), P ... water-soluble resin.

Claims

ワークの加工面に液状の水溶性樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、
前記ワークの前記加工面にレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ加工工程と、
前記レーザ加工が施された前記ワークを洗浄する洗浄工程と、を含むレーザ加工方法であって、
前記樹脂塗布工程は、前記水溶性樹脂を前記ワークの加工面にスピンコート法で塗布するスピンコート工程と、塗布された該水溶性樹脂に温風を供給して該水溶性樹脂を乾燥させる樹脂乾燥工程と、を含み、
前記洗浄工程は、前記ワークに塗布された前記水溶性樹脂に温水を供給して該水溶性樹脂を除去する樹脂除去工程と、前記水溶性樹脂が除去された前記ワークに温風を供給して該ワークを乾燥させるワーク乾燥工程と、
を含むことを特徴とするレーザ加工方法。 A resin application step of applying a liquid water-soluble resin to the work surface of the workpiece;
A laser processing step of performing laser processing by irradiating the processing surface of the workpiece with a laser beam;
A cleaning step of cleaning the workpiece subjected to the laser processing, and a laser processing method comprising:
The resin coating process includes a spin coating process in which the water-soluble resin is applied to a processed surface of the workpiece by a spin coating method, and a resin that supplies hot air to the applied water-soluble resin to dry the water-soluble resin. A drying step,
The cleaning step includes supplying a hot water to the water-soluble resin applied to the workpiece to remove the water-soluble resin, and supplying hot air to the workpiece from which the water-soluble resin has been removed. A workpiece drying step of drying the workpiece;
A laser processing method comprising:

ワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持された前記ワークにレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ加工手段と、
前記ワークを保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたレーザ加工前の前記ワークの加工面に液状の水溶性樹脂を供給する樹脂供給手段と、前記スピンナテーブルに保持されたレーザ加工後の前記ワークの加工面に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、前記スピンナテーブルに保持された前記ワークの加工面にエアを供給するエア供給手段とを有するスピンナ装置と、を含むレーザ加工装置であって、
前記樹脂供給手段は、前記水溶性樹脂を供給する樹脂源と、前記スピンナテーブルに保持された前記ワークの加工面に、前記樹脂源から送られる前記水溶性樹脂を供給する第１のノズルとを有し、
前記洗浄水供給手段は、前記洗浄水を供給する水源と、該水源から送られる前記洗浄水を加熱して温水とする第１の熱源と、前記スピンナテーブルに保持された前記ワークに前記温水を供給する第２のノズルとを有し、
前記エア供給手段は、エアを供給するエア源と、該エア源から送られる前記エアを加熱して温風とする第２の熱源と、前記スピンナテーブルに保持された前記ワークに前記温風を供給する第３のノズルと、
を有することを特徴とするレーザ加工装置。 Holding means for holding the workpiece;
Laser processing means for performing laser processing by irradiating the workpiece held by the holding means with a laser beam;
A spinner table that holds and rotates the workpiece, a resin supply means that supplies a liquid water-soluble resin to a processed surface of the workpiece before the laser processing held by the spinner table, and a laser held by the spinner table A laser comprising: a cleaning water supply means for supplying cleaning water to the processed surface of the workpiece after processing; and a spinner device having an air supply means for supplying air to the processed surface of the work held by the spinner table. A processing device,
The resin supply means includes: a resin source that supplies the water-soluble resin; and a first nozzle that supplies the water-soluble resin sent from the resin source to a work surface of the workpiece held by the spinner table. Have
The cleaning water supply means includes a water source that supplies the cleaning water, a first heat source that heats the cleaning water sent from the water source to make warm water, and supplies the hot water to the work held by the spinner table. A second nozzle to supply,
The air supply means includes: an air source that supplies air; a second heat source that heats the air sent from the air source to generate hot air; and the hot air that is supplied to the work held by the spinner table. A third nozzle to supply;
A laser processing apparatus comprising:

前記第１の熱源と前記第２の熱源が同一の熱源であることを特徴とする請求項２に記載のレーザ加工装置。 The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the first heat source and the second heat source are the same heat source.

前記第２のノズルは、前記温水を気体と混合する混合機構を有することを特徴とする請求項２または３に記載のレーザ加工装置。 The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the second nozzle has a mixing mechanism that mixes the hot water with a gas.

前記気体は、前記第２の熱源で加熱された前記温風であることを特徴とする請求項４に記載のレーザ加工装置。 The laser processing apparatus according to claim 4, wherein the gas is the warm air heated by the second heat source.

前記第１の熱源および前記第２の熱源が断熱材で覆われていることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載のレーザ加工装置。 The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the first heat source and the second heat source are covered with a heat insulating material.