JP2010084175A - 製膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ステッピングロール方式またはロールツーロール方式において、可撓性基板上に製膜後、巻き取りローラに巻き取られるまでの間に発生するシワを抑制する製膜装置を提供する。
【解決手段】可撓性基板101を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板101上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板101を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置であって、前記製膜室にて製膜された可撓性基板101を冷却する冷却ローラ103を備え、前記冷却ローラは、前記可撓性基板101の幅方向に対し傾斜して配置されたことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】可撓性基板101を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板101上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板101を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置であって、前記製膜室にて製膜された可撓性基板101を冷却する冷却ローラ103を備え、前記冷却ローラは、前記可撓性基板101の幅方向に対し傾斜して配置されたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板の表面に製膜を行い、巻取りローラに巻き取られる製膜装置に関し、特にステッピングロール方式、ロールツーロール方式の製膜装置に関する。
ステッピングロール方式やロールツーロール方式の製膜装置では、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板は、真空中でスパッタリング法やプラズマCVD法などにより製膜され、巻き取りローラに巻き取られるようになっている。このような製膜装置は、生産性に優れている点から、太陽電池などの分野で広く用いられている。
しかしながら、上記製膜装置では、製膜時に加熱された可撓性基板が、高温状態のまま巻き取りローラに巻き取られると、その後の温度低下に伴う収縮によって応力がかかり、太陽電池の性能低下などの問題が発生する。
しかしながら、上記製膜装置では、製膜時に加熱された可撓性基板が、高温状態のまま巻き取りローラに巻き取られると、その後の温度低下に伴う収縮によって応力がかかり、太陽電池の性能低下などの問題が発生する。
そこで、製膜装置の製膜室と巻き取りローラ間の距離を長く取る構成とすることにより、その搬送中に可撓性基板を冷却することが考えられる。しかし、真空中で製膜を行い搬送する製膜装置では、熱の移動は放射だけであり、放射冷却では熱の移動量が少なく、搬送距離を長くする必要があり、装置が大型化してしまうという欠点がる。
また、製膜後、可撓性基板を冷却ローラに接触させることによって温度を低下させ、冷却された状態で巻き取りローラに巻き取る方法もある(特許文献1)が、可撓性基板が急激に冷却されるため、シワが発生する。
特開平8−116077号公報
また、製膜後、可撓性基板を冷却ローラに接触させることによって温度を低下させ、冷却された状態で巻き取りローラに巻き取る方法もある(特許文献1)が、可撓性基板が急激に冷却されるため、シワが発生する。
図3、図4に基づいて、従来の製膜装置を説明する。
図3は、従来の製膜装置の概略を示す正面図、図4は、図3におけるフィルム基板に発生するシワの状態を示す概略図である。
図3において、301は、フィルム基板(可撓性基板)、302は、搬送ローラ、302aは、搬送ローラ302の軸線、303は、冷却ローラ、303aは、冷却ローラ303の軸線である。
図3は、従来の製膜装置の概略を示す正面図、図4は、図3におけるフィルム基板に発生するシワの状態を示す概略図である。
図3において、301は、フィルム基板(可撓性基板)、302は、搬送ローラ、302aは、搬送ローラ302の軸線、303は、冷却ローラ、303aは、冷却ローラ303の軸線である。
フィルム基板301は、搬送ローラ302にて冷却ロール303の方向に搬送され、冷却ローラ303により冷却されるようになっている。搬送ローラ302の軸線302aと冷却ローラ303の軸線303aの向きは、鉛直方向すなわちフィルム基板301の幅方向に対して平行な方向である。搬送ローラ302と冷却ローラ303の間には、図示しないスパッタリング等の製膜を行う製膜室が備えられており、フィルム基板301はこの製膜室内で加熱・製膜され、高温状態まま冷却ローラ303と接触して、冷却されるようになっている。
図4において、(a)は、正面図、(b)は底面図、(c)はフィルム基板301の断面図((a)のI−I断面)、(d)はフィルム基板301の断面図((a)のII−II断面)であり、306は、冷却ローラ303と接触する前のフィルム基板301のシワ、308は、シワ306の山部、309は、シワ306の谷部、310は、冷却ローラ303によって冷却された後のシワ、313は、シワ310の山部、L3は、フィルム基板301と冷却ローラ303が接触し始める接触ライン、L4は、フィルム基板301と冷却ローラ303が離脱し始める離脱ラインである。
製膜後高温状態のフィルム基板301は、冷却ローラ303に接触し、その下流側に設けられた巻き取りローラに巻き取られるようになっている。フィルム基板301が、冷却ローラ303と接触する間、すなわち接触ラインL3と、離脱ラインL4との間で、熱伝導により熱量が冷却ローラ303に移動し、フィルム基板303の温度が低下するとともに、フィルム基板301が幅方向に収縮する。その結果、接触ラインL3から上流側(搬送ローラ302の方向)に向かって、シワ306が発生する。すなわち、接触ラインL3近傍では、図4(c)に示すように、フィルム基板301に山部308と谷部309からなるシワ306が形成されることとなる。
シワ310の谷部309は、冷却ローラ303と最初に接触し、温度が低下して収縮するが、山部308は、冷却ローラ303への接触が遅れることになり、接触しない場合には冷却ローラ303を通過後にもシワ310として残る。この場合、離脱ラインL4を通過した後のフィルム基板301には、図4(d)に示すように、フィルム基板301には、シワ310の山部313が残ることになる。このようなシワ310が形成されると、そのまま巻き取りローラに巻き取られて、最終製品である太陽電池を製造したときに、性能を低下させるとともに、概観上も好ましくない。
本願発明は、ステッピングロール方式またはロールツーロール方式の製膜装置において、製膜後巻き取りローラに巻き取られるまでの間に発生するシワを抑制することを目的とするものである。
本発明は、上記従来の製膜装置が有する課題を解決するためになされたものであり、巻可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置において、製膜室にて製膜された可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、冷却ローラは、前記可撓性基板の幅方向に対し傾斜して配置されたことを特徴とする。
また、冷却ローラの可撓性基板の幅方向に対する傾斜角度は、5度乃至10度の範囲であることを特徴とする。
また、可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置において、製膜室にて製膜された可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、冷却ローラは、可撓性基板の幅方向に対し傾斜自在に支持されたことを特徴とする。
また、可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置において、製膜室にて製膜された可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、冷却ローラは、可撓性基板の幅方向に対し傾斜自在に支持されたことを特徴とする。
さらに、可撓性基板は、幅方向が鉛直方向を向くように搬送されることを特徴とする。
本発明によれば、可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置において、可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、冷却ローラは、可撓性基板の幅方向に対し傾斜して配置される構成としたので、製膜後の可撓性基板を搬送する過程で冷却されることによって発生するシワを抑制することができる。
また、可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置において、可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、冷却ローラは、可撓性基板の幅方向に対し傾斜自在に支持される構成としたので、冷却ローラの可撓性基板に対する傾斜角度を適宜変更することが可能となり、可撓性基板の材質、幅方向の長さ、冷却直前の温度等に応じて、より効果的にシワの発生を抑制することができる。
本発明による製膜装置の一実施の形態について、図面に基づいて説明する。
図1は、本発明による製膜装置の概略を示す正面図、図2は、図1におけるフィルム基板の収縮の様子を示す概略図である。
図1において、101は、高分子材料からなるフィルム基板、102は、フィルム基板101を上流側から下流側に向けて搬送するための搬送ローラ、102aは、搬送ローラ102の軸線、103は、フィルム基板102を冷却する冷却ローラ、103aは、冷却ローラ103の軸線である。フィルム基板102は、その両端部が図示しない巻き出しローラと巻き取りローラに固定されており、巻き出しローラから巻き出されたフィルム基板101は、搬送ローラ102にて下流方向(紙面に向かって左から右の方向)に向けて搬送され、搬送ローラ102と、冷却ローラ103との間に備えられた製膜室(図示せず)でプラズマCVD法によって、表面上に製膜が行われる。表面上に製膜がなされたフィルム基板101は、冷却ローラ103を介して巻き取りローラに巻き取られるようになっている。
図1は、本発明による製膜装置の概略を示す正面図、図2は、図1におけるフィルム基板の収縮の様子を示す概略図である。
図1において、101は、高分子材料からなるフィルム基板、102は、フィルム基板101を上流側から下流側に向けて搬送するための搬送ローラ、102aは、搬送ローラ102の軸線、103は、フィルム基板102を冷却する冷却ローラ、103aは、冷却ローラ103の軸線である。フィルム基板102は、その両端部が図示しない巻き出しローラと巻き取りローラに固定されており、巻き出しローラから巻き出されたフィルム基板101は、搬送ローラ102にて下流方向(紙面に向かって左から右の方向)に向けて搬送され、搬送ローラ102と、冷却ローラ103との間に備えられた製膜室(図示せず)でプラズマCVD法によって、表面上に製膜が行われる。表面上に製膜がなされたフィルム基板101は、冷却ローラ103を介して巻き取りローラに巻き取られるようになっている。
ここで、フィルム基板101は、幅が500mm、長さ500mあり、鉛直に立てられた巻き出しローラから、同じく鉛直に立てられた巻き取りローラまで、その幅方向が鉛直方向を向く姿勢で搬送されるようになっている。また、搬送ローラ102は、その軸線102aの向きが、フィルム基板101の幅方向に対して平行になるように配置されており、冷却ローラ103の軸線103aの向きは、フィルム基板101の幅方向(鉛直方向)に対して角度αだけ傾けて配置されている。
図2は、図1における可撓性基板の収縮の様子を示す概略図である。図2において、(a)は正面図、(b)は底面図であり、LWは、フィルム基板101の幅方向を示す幅方向ライン、L1は、フィルム基板101と冷却ローラ103が接触し始める接触ライン、L2は、フィルム基板101と冷却ローラ103が離脱し始める離脱ラインである。製膜室で300℃近くにまで加熱されプラズマCVD法により製膜されたフィルム基板101は、下流方向に搬送されて高温状態を維持しながらラインL1で冷却ローラ103に接触して冷却された後、さらにラインL2で冷却ローラ103と離れて搬送され、巻き取りローラに巻き取られる。フィルム基板101が、冷却ローラ103と接触する間(接触ラインL1と離脱ラインL2の間)に、熱伝導により熱量が移動し、フィルム基板101の温度が低下するとともに、接触点105で矢印141の方向に収縮する。
このとき、フィルム基板101について、幅方向ラインLW上でみると、フィルム基板101は、最初の接触点131付近で冷却ローラ103と接触して収縮し、フィルム基板101は、わずかに接触点131の方向に矢印141の方向に移動する。さらに、フィルム基板101が搬送されると、フィルム基板101と冷却ローラ103との接触部分は順次接触点132,133のように下方に移動し、それに伴ってフィルム基板101の幅方向全体の収縮が徐々に進み、冷却ローラ103と接触ラインL1で接触し始めて、離脱ラインL2で離脱するまでの間にフィルム基板101の冷却がなされ、巻き取りローラに巻き取られる。ここに、冷却ローラ103の軸線103aは、フィルム基板101の幅方向に対して角度αだけ反時計周り方向に傾けて配置されているため、フィルム基板101が冷却ローラ103と接触して冷却される間に、下流方向に対して斜め上方に力がかかるが、フィルム基板101の幅方向の収縮により、フィルム基板101の上端部は一定の高さを保ちながら下流方向に搬送される。このようにして巻き取られた製膜済のフィルム基板101は、シワの発生がなく、良好な光電変換効率を達成することができた。
なお、フィルム基板101の幅方向と冷却ローラの軸線103aのなす角度αは、冷却ローラ103に接触する前のフィルム基板101の温度、フィルム基板(可撓性基板)101の材質、幅方向の長さなどにより適宜変更させるべきものであるが、概ね5度乃至10度の範囲でシワの発生を有効に防止できることを確認した。
本発明は、上記実施の形態に限られるものではない。
本発明は、上記実施の形態に限られるものではない。
すなわち、本実施の形態では、本実施の形態では、冷却ローラ103の軸線103aの向きは、一定にされているが、任意の角度に調整自在とすることによって、より効果的にシワの発生を抑制することができる。
また、本実施の形態では、冷却ローラは、可撓性基板を下流側に向かって上方に持ち上げることによって、シワの発生を防止しているが、可撓性基板を下流側に向かって下方に下げるように力を加えてもよい。
また、本実施の形態では、冷却ローラは、可撓性基板を下流側に向かって上方に持ち上げることによって、シワの発生を防止しているが、可撓性基板を下流側に向かって下方に下げるように力を加えてもよい。
さらに、本実施の形態では、製膜室と、巻き取りローラとの間に冷却ローラを設けているが、複数の製膜室を有する製膜装置では、各製膜室間に冷却ローラを設ける構造であってもよい。例えば、高温で製膜した後で、比較的低温で製膜する場合、高温製膜室と低温製膜室との間に冷却ローラを備えた製膜装置であってもよい。
101 フィルム基板(可撓性基板)
102 搬送ローラ
102a 搬送ローラ102の軸線
103 冷却ローラ
103a 冷却ローラ103の軸線
131、132、133 接触点
141 矢印
LW 幅方向ライン
L1 接触ライン
L2 離脱ライン
α フィルム基板101の幅方向と冷却ローラの軸線103aのなす角度
102 搬送ローラ
102a 搬送ローラ102の軸線
103 冷却ローラ
103a 冷却ローラ103の軸線
131、132、133 接触点
141 矢印
LW 幅方向ライン
L1 接触ライン
L2 離脱ライン
α フィルム基板101の幅方向と冷却ローラの軸線103aのなす角度
Claims (4)
- 可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置であって、
前記製膜室にて製膜された可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、
前記冷却ローラは、前記可撓性基板の幅方向に対し傾斜して配置されたことを特徴とする製膜装置。 - 前記冷却ローラの可撓性基板の幅方向に対する傾斜角度は、5度乃至10度の範囲であることを特徴とする請求項1記載の製膜装置。
- 可撓性基板を巻き出す巻き出しローラと、巻き出しローラから巻き出された可撓性基板上に製膜を行う製膜室と、製膜後の可撓性基板を巻き取る巻き取りローラからなる製膜装置であって、
前記製膜室にて製膜された可撓性基板を冷却する冷却ローラを備え、
前記冷却ローラは、前記可撓性基板の幅方向に対し傾斜自在に支持されたことを特徴とする製膜装置。 - 前記可撓性基板は、幅方向が鉛直方向を向くように搬送されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の製膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008253222A JP2010084175A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 製膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008253222A JP2010084175A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 製膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010084175A true JP2010084175A (ja) | 2010-04-15 |
Family
ID=42248425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008253222A Pending JP2010084175A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 製膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010084175A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110013410A (ko) * | 2008-06-04 | 2011-02-09 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 공중합체, 그 제조 방법 및 발수 발유제 조성물 |
CN105870319A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-08-17 | 贝骨新材料科技(上海)有限公司 | 一种长条状压电薄膜传感器卷对卷制造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6468467A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus for producing thin metallic film |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008253222A patent/JP2010084175A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101578243B1 (ko) | 2008-06-04 | 2015-12-16 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 공중합체, 그 제조 방법 및 발수 발유제 조성물 |
CN105870319A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-08-17 | 贝骨新材料科技(上海)有限公司 | 一种长条状压电薄膜传感器卷对卷制造方法 |
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Legal Events
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A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20110422 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 |
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A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110812 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130625 |