JP2010074069A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ZnO基板1上に、アンドープZnO層2、窒素ドープMgZnO層3、透明導電膜4が順に積層されている。透明導電膜4上にp電極5が、ZnO基板1の裏面にはn電極6が形成されている。ここで、窒素ドープMgZnO層3のバンドギャップが、アンドープZnO層2のバンドギャップよりも0.2eV以上大きくなるように形成されている。
【選択図】 図1
Description
A.Tsukazaki et al.,JJAP 44(2005)L643 A.Tsukazaki et al Nture Material 4(2005)42
2 アンドープZnO層
3 窒素ドープMgZnO層
4 透明導電膜
5 p電極
6 n電極
Claims (8)
- アクセプタ元素を含むアクセプタ層を少なくとも1層と発光層とを有する半導体積層体を備え、該アクセプタ層のうちの少なくとも1層のバンドギャップが、前記発光層のバンドギャップよりも0.2eV以上大きくなるように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 前記発光層のバンドギャップよりも0.2eV以上大きくなるように形成されたアクセプタ層が、アクセプタ層の中で最も発光層側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層体は、酸化物で構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記アクセプタ元素は、V族元素もしくはI族元素であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記アクセプタ層は、MgZnOで構成されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記MgZnOにおけるMgの含有比率が10%〜50%の間であることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記アクセプタ層のSi不純物濃度が1×1019cm−3以下であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記アクセプタ元素は窒素であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
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