JP2010073386A - Organic el display device - Google Patents

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Nobutaka Mizuno
信貴 水野
Naoyuki Ito
尚行 伊藤
Osamu Yoshitake
修 吉武
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device capable of reducing use frequency of a high-definition mask. <P>SOLUTION: The organic EL display device 1 is constituted by a substrate 10 and a plurality of pixels provided on the substrate 10. The pixel is provided with a first sub pixel 1A and a second sub pixel 1B. The first sub pixel 1A has: a first organic EL layer 30 including a first light emitting layer 32 and emitting light in a first color; and a second organic EL layer 52 including a second light emitting layer 52 and emitting light in a second color. The second sub pixel 1B has: the first organic EL layer 30 including the first light emitting layer 32 and emitting light in the first color; and a third organic EL layer 60 including the second light emitting layer 52 and a third light emitting layer 62 and emitting light in a third color. The first organic EL layer 30 and the second light emitting layer 52 are formed to be shared by the first and second sub electrodes 1A and 1B, and the PL peak wavelength of the second color is shorter than that of the third color. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device.

有機ＥＬ表示装置において、素子の寿命を伸ばすために有機ＥＬ素子を構成する電極層と、発光層を含む有機化合物層と、を交互に積層する構成が提案されている。特許文献１には、１画素を２つの副画素で構成し、１つの副画素には異なる発光色を示す２つの有機ＥＬ層が積層されている有機ＥＬ表示装置が開示されている。   In an organic EL display device, a configuration in which electrode layers constituting an organic EL element and organic compound layers including a light emitting layer are alternately stacked has been proposed in order to extend the lifetime of the element. Patent Document 1 discloses an organic EL display device in which one pixel is composed of two sub-pixels, and two organic EL layers showing different emission colors are stacked in one sub-pixel.

特開２００５−１７４６３９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-174639

ところで有機ＥＬ表示装置を構成する有機化合物層を形成する手法として、蒸着法、転写法、インクジェット法等が挙げられるが、素子の発光効率、寿命という観点から現時点では蒸着法が最も有力である。しかしながら、１つのサブピクセルに２つの有機ＥＬ層が積層されてなる有機ＥＬ表示装置を蒸着法で作製する場合には、サブピクセル毎に発光層等の薄膜を個別に形成する必要がある。このため、高精細なマスクを使用する工程が少なくとも２回入れる必要がある。ここで高精細マスクを使用して発光層等を選択的に形成する場合、マスクの精細度が高くなればなるほど、蒸着時に発生する異物がマスク開口部に挟まりやすく成膜不良の原因になる、という問題がある。また蒸着時にマスク上に付着した蒸着材料を除去するためのマスク洗浄の費用がかかるという問題もある。従って、高精細マスクを使用する工程は１つでも低減することがプロセス的に望ましい。   By the way, as a method of forming the organic compound layer constituting the organic EL display device, there are a vapor deposition method, a transfer method, an ink jet method, and the like, but at present, the vapor deposition method is the most powerful from the viewpoint of the light emission efficiency and lifetime of the element. However, when an organic EL display device in which two organic EL layers are stacked on one subpixel is manufactured by an evaporation method, it is necessary to individually form a thin film such as a light emitting layer for each subpixel. For this reason, it is necessary to insert a process using a high-definition mask at least twice. Here, when a light emitting layer or the like is selectively formed using a high-definition mask, the higher the definition of the mask, the more easily foreign substances generated during vapor deposition are trapped in the mask opening, causing film formation defects. There is a problem. There is also a problem that the cost of cleaning the mask for removing the vapor deposition material adhering to the mask during vapor deposition is high. Therefore, it is desirable in terms of process to reduce even one process using a high-definition mask.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高精細マスクの使用回数を低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL display device capable of reducing the number of times a high-definition mask is used.

本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、
該基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
該画素が、第一副画素と、第二副画素と、を備え、
該第一副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第二副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層及び第三発光層を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第一有機ＥＬ層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二発光層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二色のＰＬピーク波長が該第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。 The organic EL display device of the present invention includes a substrate,
A plurality of pixels provided on the substrate,
The pixel comprises a first subpixel and a second subpixel,
The first subpixel includes a first electrode, a first organic EL layer that includes the first light emitting layer and emits a first color, a second electrode, and a second organic EL that includes the second light emitting layer and emits a second color. A layer and a third electrode,
The second subpixel includes a first electrode, a first organic EL layer that includes the first light emitting layer and emits a first color, a second electrode, a second light emitting layer, and a third light emitting layer that includes a third color. A third organic EL layer that emits, and a third electrode,
The first organic EL layer is formed in common with the first subpixel and the second subpixel,
The second light emitting layer is formed in common with the first subpixel and the second subpixel;
The PL peak wavelength of the second color is shorter than the PL peak wavelength of the third color.

本発明によれば、高精細マスクの使用回数を低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic electroluminescent display apparatus which can reduce the frequency | count of use of a high-definition mask can be provided.

本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板上に設けられる複数の画素と、から構成される。ここで画素は、以下に述べる第一副画素と、第二副画素と、を備える部材である。   The organic EL display device of the present invention includes a substrate and a plurality of pixels provided on the substrate. Here, the pixel is a member provided with a first subpixel and a second subpixel described below.

一方、この画素が備える第一副画素は、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層と、第三電極と、からなる部材である。   On the other hand, the first subpixel included in the pixel includes a first electrode, a first organic EL layer that includes the first light emitting layer and emits a first color, a second electrode, and a second color that includes the second light emitting layer. It is a member composed of a second organic EL layer that emits and a third electrode.

またこの画素が備える第二副画素は、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層及び第三発光層を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層と、第三電極と、からなる部材である。   The second subpixel included in the pixel includes a first electrode, a first organic EL layer that includes the first light emitting layer and emits a first color, a second electrode, a second light emitting layer, and a third light emitting layer. It is a member consisting of a third organic EL layer emitting a third color and a third electrode.

ただし、各副画素において、基板上に設けられる電極（下部電極）は、第一電極であってもよいし、第三電極であってもよい。   However, in each subpixel, the electrode (lower electrode) provided on the substrate may be the first electrode or the third electrode.

これら第一副画素、第二副画素を構成する部材のうち、第一有機ＥＬ層は、第一副画素と第二副画素とで共通して形成されている積層体である。また第二発光層も、第一副画素と第二副画素とで共通して形成されている積層体である。   Among the members constituting the first subpixel and the second subpixel, the first organic EL layer is a stacked body formed in common by the first subpixel and the second subpixel. The second light emitting layer is also a laminate formed in common with the first subpixel and the second subpixel.

本発明の有機ＥＬ表示装置において、第二色のＰＬピーク波長は第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。   In the organic EL display device of the present invention, the PL peak wavelength of the second color is shorter than the PL peak wavelength of the third color.

以下、図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ表示装置の実施形態について説明する。ただし以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つであり、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the organic EL display device of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiment described below is merely one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to these.

［第一の実施形態］
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。 [First embodiment]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of the organic EL display device of the present invention.

図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０と、この基板１０上に設けられる第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで構成されている。   The organic EL display device 1 shown in FIG. 1 includes a substrate 10, and a first subpixel 1A and a second subpixel 1B provided on the substrate 10.

図１の有機ＥＬ表示装置１において、第一副画素１Ａは、基板１０上に、第一電極２０、第一有機ＥＬ層３０、第二電極４０、第二有機ＥＬ層５０及び第三電極７０がこの順に設けられている。ここで第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０は、第一正孔注入／輸送層３１、第一発光層３２及び第一電子注入／輸送層３３からなる積層体である。また第一副画素１Ａを構成する第二有機ＥＬ層５０は、第二正孔注入／輸送層５１、第二発光層５２及び第二電子注入／輸送層５３からなる積層体である。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第三電極７０は陰極として機能する。   In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the first subpixel 1 </ b> A has a first electrode 20, a first organic EL layer 30, a second electrode 40, a second organic EL layer 50, and a third electrode 70 on a substrate 10. Are provided in this order. Here, the first organic EL layer 30 constituting the first subpixel 1 </ b> A is a stacked body including a first hole injection / transport layer 31, a first light emitting layer 32, and a first electron injection / transport layer 33. The second organic EL layer 50 constituting the first subpixel 1 </ b> A is a stacked body including a second hole injection / transport layer 51, a second light emitting layer 52, and a second electron injection / transport layer 53. In the present embodiment, the first electrode 20 functions as an anode, and the third electrode 70 functions as a cathode.

図１の有機ＥＬ表示装置１において、第二副画素１Ｂは、基板１０上に、第一電極２０、第一有機ＥＬ層３０、第二電極４０、第三有機ＥＬ層６０及び第三電極７０がこの順に設けられている。ここで第二副画素１Ｂを構成する第一有機ＥＬ層３０は、第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０と共通して形成される積層体であるので、その層構成は、第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０と同様である。また第二副画素１Ｂを構成する第三有機ＥＬ層６０は、第二正孔注入／輸送層５１、第三発光層６２、第二発光層５２及び第二電子注入／輸送層５３からなる積層体である。ここで第二副画素１Ｂを構成する第三有機ＥＬ層６０のうち、第二正孔注入／輸送層５１、第二発光層５２及び第二電子注入／輸送層５３は、第一副画素１Ａを構成する第二有機ＥＬ層５０と共通して形成されている。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第三電極７０は陰極として機能する。   In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the second subpixel 1 </ b> B includes a first electrode 20, a first organic EL layer 30, a second electrode 40, a third organic EL layer 60, and a third electrode 70 on a substrate 10. Are provided in this order. Here, the first organic EL layer 30 constituting the second subpixel 1B is a laminated body formed in common with the first organic EL layer 30 constituting the first subpixel 1A. This is the same as the first organic EL layer 30 constituting the first subpixel 1A. The third organic EL layer 60 constituting the second subpixel 1B is a stacked layer composed of a second hole injection / transport layer 51, a third light emitting layer 62, a second light emitting layer 52, and a second electron injection / transport layer 53. Is the body. Here, in the third organic EL layer 60 constituting the second subpixel 1B, the second hole injection / transport layer 51, the second light emitting layer 52, and the second electron injection / transport layer 53 are the first subpixel 1A. Are formed in common with the second organic EL layer 50 constituting the. In the present embodiment, the first electrode 20 functions as an anode, and the third electrode 70 functions as a cathode.

本発明の有機ＥＬ表示装置は、第二発光層５２から発せられる第二色のＰＬピーク波長は、第三発光層６２から発せられる第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。また図１に示すように、第三有機ＥＬ層６０に含まれる第二発光層５２が第三発光層６２と陰極（第三電極７０）との間に設けられる態様が好ましい。   The organic EL display device of the present invention is characterized in that the PL peak wavelength of the second color emitted from the second light emitting layer 52 is shorter than the PL peak wavelength of the third color emitted from the third light emitting layer 62. Moreover, as shown in FIG. 1, the aspect with which the 2nd light emitting layer 52 contained in the 3rd organic EL layer 60 is provided between the 3rd light emitting layer 62 and a cathode (3rd electrode 70) is preferable.

以上を考慮すると、第三有機ＥＬ層６０に含まれる２層の発光層のうち、ＰＬピーク波長の短い発光層である第二発光層５２が、第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで共通して形成されている。逆に、ＰＬピーク波長の長い発光層である第三発光層６２が、第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで共通して形成されていると、以下の不都合が生じる。即ち、電子の励起エネルギーが他方よりも小さくなるため、励起子の移動が起こりやすく、最悪の場合光らないといったことが起こるという不都合が生じる。   In consideration of the above, of the two light emitting layers included in the third organic EL layer 60, the second light emitting layer 52, which is a light emitting layer with a short PL peak wavelength, includes the first subpixel 1A and the second subpixel 1B. It is formed in common. Conversely, if the third light emitting layer 62, which is a light emitting layer having a long PL peak wavelength, is formed in common in the first subpixel 1A and the second subpixel 1B, the following inconvenience occurs. That is, since the excitation energy of electrons is smaller than that of the other, excitons are likely to move, and in the worst case, no light is emitted.

また第二発光層５２及び第三発光層６２は、好ましくは、ホストとゲストとからなる層である。さらに第三発光層６２のホストのＬＵＭＯの絶対値は第二発光層５２のホストのＬＵＭＯの絶対値よりも大きいのが好ましい。一般に、ホストはＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）のエネルギー準位が低いため電子が入りやすい。このため、第三発光層６２のホストのＬＵＭＯの絶対値が第二発光層５２のホストのＬＵＭＯの絶対値よりも大きければ、第三電極７０から流れる電子は、第三発光層６２のホストの方へ流れやすくなる。   The second light emitting layer 52 and the third light emitting layer 62 are preferably layers composed of a host and a guest. Further, the absolute value of the LUMO of the host of the third light emitting layer 62 is preferably larger than the absolute value of the LUMO of the host of the second light emitting layer 52. In general, a host has a low energy level of LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital), so electrons are likely to enter. For this reason, if the absolute value of the LUMO of the host of the third light emitting layer 62 is larger than the absolute value of the LUMO of the host of the second light emitting layer 52, electrons flowing from the third electrode 70 will flow to the host of the third light emitting layer 62. It becomes easy to flow toward.

一方で第三発光層６２のホストのＨＯＭＯの絶対値は第二発光層５２のホストのＨＯＭＯの絶対値よりも小さいのが好ましい。こうすることにより、第二電極４０から流れる正孔は、第三発光層６２のホストの方へ流れやすくなる。   On the other hand, the absolute value of the HOMO of the host of the third light emitting layer 62 is preferably smaller than the absolute value of the HOMO of the host of the second light emitting layer 52. By doing so, the holes flowing from the second electrode 40 are likely to flow toward the host of the third light emitting layer 62.

従って、陰極（第三電極７０）から注入された電子、及び陽極（第二電極４０）から注入される正孔は、それぞれ第三発光層６２でトラップされる。その結果、電子と正孔との再結合領域は第三発光層６２内に局在化することになる。また、ＰＬピーク波長がより短い第二発光層５２の電子の励起エネルギーは、第三発光層の電子の励起エネルギーよりも大きい。このため、第三発光層６２で発生した励起子は第二発光層５２に移動することなく第三発光層６２内に閉じ込められる。   Accordingly, electrons injected from the cathode (third electrode 70) and holes injected from the anode (second electrode 40) are trapped in the third light emitting layer 62, respectively. As a result, the recombination region of electrons and holes is localized in the third light emitting layer 62. Further, the excitation energy of electrons in the second light emitting layer 52 having a shorter PL peak wavelength is larger than the excitation energy of electrons in the third light emitting layer. For this reason, excitons generated in the third light emitting layer 62 are confined in the third light emitting layer 62 without moving to the second light emitting layer 52.

従って、第三有機ＥＬ層６０では、二種類の発光層（第三発光層６２、第二発光層５２）が含まれているが、第三発光層６２のみが選択的に発光する。   Therefore, the third organic EL layer 60 includes two types of light emitting layers (the third light emitting layer 62 and the second light emitting layer 52), but only the third light emitting layer 62 selectively emits light.

第三発光層６２のゲストは、好ましくは、燐光発光材料である。通常、ゲストが燐光発光材料である場合、ホストにおいて正孔が局在せず電子注入／輸送層側に抜けやすい。しかし本発明のように、第三発光層６２の電子注入／輸送層側には励起エネルギーが相対的に高い発光層（第二発光層５２）が配置されているので、この発光層は正孔阻止層として機能するため好適である。   The guest of the third light emitting layer 62 is preferably a phosphorescent material. Usually, when the guest is a phosphorescent material, holes do not localize in the host and easily escape to the electron injection / transport layer side. However, as in the present invention, a light emitting layer (second light emitting layer 52) having a relatively high excitation energy is disposed on the electron injection / transport layer side of the third light emitting layer 62. This is suitable because it functions as a blocking layer.

上記のように、各画素を構成する有機ＥＬ層は、基本的には、正孔注入／輸送層と、発光層と、電子注入／輸送層と、からなる積層体である。ただし有機ＥＬ層の層構成はこれに限定されるものではない。例えば、下記（ｉ）〜（ｖ）に示される層構成であってもよい。
（ｉ）単層型（発光層）
（ｉｉ）２層型（発光層／正孔注入層）
（ｉｉｉ）３層型（電子輸送層／発光層／正孔輸送層）
（ｉｖ）４層型（電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）
（ｖ）５層型（電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層） As described above, the organic EL layer constituting each pixel is basically a laminate including a hole injection / transport layer, a light emitting layer, and an electron injection / transport layer. However, the layer structure of the organic EL layer is not limited to this. For example, the layer configuration shown in the following (i) to (v) may be used.
(I) Single layer type (light emitting layer)
(Ii) Two-layer type (light emitting layer / hole injection layer)
(Iii) Three-layer type (electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer)
(Iv) 4 layer type (electron injection layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer)
(V) 5-layer type (electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer)

また各副画素（１Ａ、１Ｂ）を構成する二種類の有機ＥＬ層は発光色が異なっている。即ち、第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第二有機ＥＬ層５０は第二色を発する。一方、第二副画素１Ｂを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第三有機ＥＬ層６０は第三色を発する。ただし、ここでいう第一色、第二色及び第三色の具体的な色については特に限定されないが、好ましくは、第一色をＢ（青色）、第二色をＧ（緑色）、第三色をＲ（赤色）とする。   The two types of organic EL layers constituting each subpixel (1A, 1B) have different emission colors. That is, the first organic EL layer 30 constituting the first subpixel 1A emits a first color, and the second organic EL layer 50 emits a second color. On the other hand, the first organic EL layer 30 constituting the second subpixel 1B emits a first color, and the third organic EL layer 60 emits a third color. However, the specific colors of the first color, the second color, and the third color here are not particularly limited, but preferably the first color is B (blue), the second color is G (green), Let the three colors be R (red).

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の電気接続の状態及び駆動方法について説明する。   Next, the electrical connection state and driving method of the organic EL display device of the present embodiment will be described.

図２は、図１の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。各副画素（１Ａ、１Ｂ）に設けられている第二電極４０は、それぞれ画素回路８１，８２内に設けられている駆動用ＴＦＴ８１ａ，８２ａに接続されている。尚、第三電極７０は、第一電極２０と同電位である。   FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device of FIG. The second electrode 40 provided in each subpixel (1A, 1B) is connected to driving TFTs 81a, 82a provided in the pixel circuits 81, 82, respectively. The third electrode 70 is at the same potential as the first electrode 20.

実際に、各副画素を駆動する際にその駆動方法は同一なので、第一有機ＥＬ層３０（青色発光）と第二有機ＥＬ層５０（緑色発光）とを有する第一副画素１Ａを例にとって以下に説明する。   Actually, since the driving method is the same when driving each sub-pixel, the first sub-pixel 1A having the first organic EL layer 30 (blue light emission) and the second organic EL layer 50 (green light emission) is taken as an example. This will be described below.

第一副画素１Ａに含まれる第一有機ＥＬ層３０を発光させる場合には、第一電極２０からプラス電圧が、第二電極４０からマイナス電圧がそれぞれ印加される。これにより、第一発光層３２に電子と正孔とが注入され、電子と正孔とが第一発光層３２内で再結合することで励起子か形成される。この励起子が基底状態に戻る際に青色の発光が得られる。尚、このとき第三電極７０からプラス電圧が印加され、第二有機ＥＬ層５０には逆方向の電圧が印加されるため、第二有機ＥＬ層５０に含まれる第二発光層５２は発光しない。一方、第一副画素１Ａに含まれる第二有機ＥＬ層５０を発光させる場合には、先程とは逆に、第三電極７０にマイナス電圧、第二電極５０にプラス電圧を印加する（このとき第一電極７０からマイナス電圧が印加される。）。   When the first organic EL layer 30 included in the first subpixel 1A is caused to emit light, a positive voltage is applied from the first electrode 20 and a negative voltage is applied from the second electrode 40, respectively. Thereby, electrons and holes are injected into the first light emitting layer 32, and excitons are formed by recombining the electrons and holes in the first light emitting layer 32. When this exciton returns to the ground state, blue light emission is obtained. At this time, since a positive voltage is applied from the third electrode 70 and a reverse voltage is applied to the second organic EL layer 50, the second light emitting layer 52 included in the second organic EL layer 50 does not emit light. . On the other hand, when the second organic EL layer 50 included in the first subpixel 1A is caused to emit light, a negative voltage is applied to the third electrode 70 and a positive voltage is applied to the second electrode 50 (at this time). A negative voltage is applied from the first electrode 70).

図３は、印加される電圧の波形の具体例を示す図である。図３は、交流電圧の波形である。第一有機ＥＬ層３０と第二有機ＥＬ層５０とを発光させて、混合色を発光する場合には、図３に示すように交流電圧を印加して交流駆動を行う。具体的には、人間が識別できない程度、例えば、６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で電圧をプラス側とマイナス側とに切り替えて制御する。こうすることにより、第一有機ＥＬ層３０の発光色と第二有機ＥＬ層５０の発光色とを混合した色の光を表現することができる。   FIG. 3 is a diagram illustrating a specific example of a waveform of an applied voltage. FIG. 3 shows an AC voltage waveform. When the first organic EL layer 30 and the second organic EL layer 50 emit light to emit mixed colors, an AC voltage is applied to perform AC driving as shown in FIG. Specifically, control is performed by switching the voltage between the plus side and the minus side at a period that cannot be identified by humans, for example, about 60 Hz or higher. By doing so, it is possible to express light of a color in which the emission color of the first organic EL layer 30 and the emission color of the second organic EL layer 50 are mixed.

次に、有機ＥＬ表示装置の構成部材について説明する。   Next, components of the organic EL display device will be described.

基板１０としては、絶縁性の材料からなる基板が好ましく使用される。例えば、ガラス基板等が挙げられる。尚、アクティブマトリクス型の表示装置とする場合は、基板１０上に有機ＥＬ表示装置を駆動させるためのＴＦＴ駆動回路（図示せず）を設ける必要がある。   As the substrate 10, a substrate made of an insulating material is preferably used. For example, a glass substrate etc. are mentioned. In the case of an active matrix display device, it is necessary to provide a TFT drive circuit (not shown) for driving the organic EL display device on the substrate 10.

基板１０上に設けられる下部電極（本実施例における第一電極２０）は、通常陽極として機能する。また表示装置がトップエミッション型である場合は、下部電極は反射電極として機能する。このとき反射電極の構成部材としては、光反射性の材料であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料が挙げられる。これらの金属材料のうち反射率が高い材料は、光の取り出し効率を向上できるので好ましい。また下部電極を、上記の光反射性の材料からなる薄膜と、この薄膜上に設けられるＩＴＯ膜等からなる透明導電膜と、からなる積層体としてもよい。この場合は、光反射機能を上記の光反射性の材料（金属材料）によって確保しつつ、電極としての機能を上記透明導電膜によって確保することができる。   The lower electrode (first electrode 20 in this embodiment) provided on the substrate 10 normally functions as an anode. When the display device is a top emission type, the lower electrode functions as a reflective electrode. At this time, the constituent member of the reflective electrode is preferably a light-reflective material, and examples thereof include metal materials such as Cr, Al, Ag, Au, and Pt. Among these metal materials, a material having a high reflectance is preferable because the light extraction efficiency can be improved. Further, the lower electrode may be a laminated body including a thin film made of the above-described light reflective material and a transparent conductive film made of an ITO film or the like provided on the thin film. In this case, the function as an electrode can be ensured by the transparent conductive film while the light reflecting function is ensured by the light reflective material (metal material).

一方、表示装置がボトムエミッション型である場合は、下部電極は透明電極として機能する。このとき透明電極の構成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性の材料が挙げられる。   On the other hand, when the display device is a bottom emission type, the lower electrode functions as a transparent electrode. At this time, examples of the constituent material of the transparent electrode include transparent conductive materials such as ITO and IZO.

有機ＥＬ層（３０，５０，６０）の構成材料として、公知の正孔注入・輸送材料、発光材料及び電子注入・輸送材料を使用することができる。   As a constituent material of the organic EL layer (30, 50, 60), known hole injection / transport materials, light emitting materials, and electron injection / transport materials can be used.

正孔注入・輸送材料として、例えば、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ等が挙げられる。   Examples of the hole injection / transport material include TPD, α-NPD, m-MTDATA, and the like.

発光材料としては、青色発光材料、緑色発光材料、赤色発光材料のいずれも使用することができる。青色発光材料として、例えば、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、ＢＡｌｑ等が挙げられる。緑色発光材料として、例えば、Ｃｏｕｍａｒｉｎｎ６、Ｚｎ（ＢＴＺ）2等が挙げられる。赤色発光材料として、例えば、ＤＣＭ、ＤＣＪＴＢ等が挙げられる。 As the light emitting material, any of a blue light emitting material, a green light emitting material, and a red light emitting material can be used. Examples of the blue light emitting material include Perylene and BAlq. Examples of the green light emitting material include Coumarin 6 and Zn (BTZ) 2 . Examples of the red light emitting material include DCM and DCJTB.

電子注入・輸送材料として、例えば、Ａｌｑ3、ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ、ＯＸＤ−７等が挙げられる。 Examples of the electron injection / transport material include Alq 3 , BCP, Bphen, and OXD-7.

２層の有機ＥＬ層の間に設けられている中間電極層（本実施例における第二電極４０）の構成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等透明導電膜やＡｌ、Ａｇ、Ｍｇといった金属導電膜が挙げられる。尚、中間電極層が金属導電膜である場合は、膜厚を調整して光透過性を確保するのが望ましい。また、中間電極層は基板１０上に形成されるＴＦＴ等のスイッチング素子（図示せず）を介して電源手段（図示せず）と電気接続されている。   As a constituent material of the intermediate electrode layer (second electrode 40 in this embodiment) provided between the two organic EL layers, a transparent conductive film such as ITO and IZO and a metal conductive film such as Al, Ag, and Mg are used. Can be mentioned. When the intermediate electrode layer is a metal conductive film, it is desirable to adjust the film thickness to ensure light transmission. The intermediate electrode layer is electrically connected to power supply means (not shown) through a switching element (not shown) such as a TFT formed on the substrate 10.

上部電極（本実施例における第三電極７０）は、表示装置がトップエミッション型である場合は、透明電極として機能する。一方、表示装置がボトムエミッション型である場合は、反射電極として機能する。透明電極として機能する場合、構成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性の材料が挙げられる。一方、反射電極として機能する場合、構成材料としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料が挙げられる。   The upper electrode (the third electrode 70 in this embodiment) functions as a transparent electrode when the display device is a top emission type. On the other hand, when the display device is a bottom emission type, it functions as a reflective electrode. In the case of functioning as a transparent electrode, examples of the constituent material include transparent conductive materials such as ITO and IZO. On the other hand, when it functions as a reflective electrode, examples of the constituent material include metal materials such as Cr, Al, Ag, Au, and Pt.

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the organic EL display device of this embodiment will be described.

基板１０上に設けられる第一電極２０は、スパッタ法等の公知の方法により形成することができる。   The first electrode 20 provided on the substrate 10 can be formed by a known method such as a sputtering method.

第一電極２０上に順次設けられる第一有機ＥＬ層３０及び第二電極４０は、蒸着法、転写法等といった公知の方法により形成することができる。   The first organic EL layer 30 and the second electrode 40 sequentially provided on the first electrode 20 can be formed by a known method such as a vapor deposition method or a transfer method.

第二電極４０上には第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０が形成される。このとき双方の有機ＥＬ層を形成する際には、第三発光層６２以外の薄膜層を画素単位で形成することができる。   A second organic EL layer 50 and a third organic EL layer 60 are formed on the second electrode 40. At this time, when forming both organic EL layers, a thin film layer other than the third light-emitting layer 62 can be formed in units of pixels.

従来、蒸着法等により１つの画素中に異なる色の発光層を形成する際には、シャドウマスク（高精細マスク）を用いて色毎に個別に形成する必要があった。このため一画素につき２色の発光層を設ける場合は、高精細マスクを用いる工程を２回必要とした。これに対して本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、第三発光層６２のみを所定の領域に選択的に形成すればよい。このため、下記表１に示すように、高精細マスクを用いる工程を少なくすることができる。   Conventionally, when forming light emitting layers of different colors in one pixel by vapor deposition or the like, it has been necessary to individually form each color using a shadow mask (high definition mask). For this reason, in the case of providing a light emitting layer of two colors per pixel, a process using a high-definition mask is required twice. On the other hand, in the organic EL display device of the present embodiment, only the third light emitting layer 62 may be selectively formed in a predetermined region. For this reason, as shown in Table 1 below, the number of steps using a high-definition mask can be reduced.

Figure 2010073386
Figure 2010073386

一般に、高精細マスクを用いる工程はコストアップの要因になるため、本実施形態であれば装置の製造コストを下げることができる。また高精細マスクを使用する場合、精細度が高くなればなるほど、層を形成する際に発生する異物がマスク開口部に挟まる可能性が高くなるという問題点があり、成膜不良の原因になる。また、高精細マスクを用いると、マスク上に付着した蒸着材料を除去するためのマスク洗浄の費用がかかるという課題がある。以上より、高精細マスクを使用する工程を低減できる本実施形態は、プロセス的に望ましいと言える。   In general, since a process using a high-definition mask causes an increase in cost, the manufacturing cost of the apparatus can be reduced according to this embodiment. In addition, when using a high-definition mask, there is a problem that the higher the definition, the higher the possibility that foreign matter generated when forming a layer will be trapped in the mask opening, causing film formation defects. . In addition, when a high-definition mask is used, there is a problem that the cost of mask cleaning for removing the vapor deposition material attached on the mask is high. From the above, it can be said that the present embodiment that can reduce the process of using a high-definition mask is desirable in terms of process.

［第二の実施形態］
図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。尚、本実施形態において、上記第一の実施形態と同様の事項については説明を省略することがある。 [Second Embodiment]
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the organic EL display device of the present invention. In the present embodiment, description of matters similar to those in the first embodiment may be omitted.

図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０と、この基板１０上に設けられる第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで構成されている。   The organic EL display device 1 shown in FIG. 1 includes a substrate 10, and a first subpixel 1A and a second subpixel 1B provided on the substrate 10.

図４の有機ＥＬ表示装置２において、第一副画素２Ａは、基板１０上に、第三電極７０、第二有機ＥＬ層５０、第二電極４０、第１有機ＥＬ層３０及び第一電極２０がこの順に設けられている。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第二電極４０は陰極として機能し、第三電極７０は陽極として機能する。   In the organic EL display device 2 of FIG. 4, the first subpixel 2 </ b> A has a third electrode 70, a second organic EL layer 50, a second electrode 40, a first organic EL layer 30, and a first electrode 20 on the substrate 10. Are provided in this order. In the present embodiment, the first electrode 20 functions as an anode, the second electrode 40 functions as a cathode, and the third electrode 70 functions as an anode.

図４の有機ＥＬ表示装置２において、第二副画素２Ｂは、基板１０上に、第三電極７０、第三有機ＥＬ層６０、第二電極４０、第一有機ＥＬ層３０及び第１電極２０がこの順に設けられている。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第二電極４０は陰極として機能し、第三電極７０は陽極として機能する。   In the organic EL display device 2 of FIG. 4, the second subpixel 2 </ b> B has a third electrode 70, a third organic EL layer 60, a second electrode 40, a first organic EL layer 30, and a first electrode 20 on the substrate 10. Are provided in this order. In the present embodiment, the first electrode 20 functions as an anode, the second electrode 40 functions as a cathode, and the third electrode 70 functions as an anode.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置も、上記第一の実施形態と同様に、第二発光層５２から発せられる第二色のＰＬピーク波長は、第三発光層６２から発せられる第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。また図４に示すように、第三有機ＥＬ層６０に含まれる第二発光層５２が第三発光層６２と陰極（第二電極４０）との間に設けられる態様が好ましい。   Similarly to the first embodiment, the organic EL display device of the present embodiment also has the second color PL peak wavelength emitted from the second light emitting layer 52, and the third color PL emitted from the third light emitting layer 62. It is characterized by being shorter than the peak wavelength. Moreover, as shown in FIG. 4, the aspect by which the 2nd light emitting layer 52 contained in the 3rd organic EL layer 60 is provided between the 3rd light emitting layer 62 and a cathode (2nd electrode 40) is preferable.

以上を考慮すると、第三有機ＥＬ層６０に含まれる２層の発光層のうち、ＰＬピーク波長の短い発光層である第二発光層５２が、第一副画素２Ａと第二副画素２Ｂとで共通して形成されている。   In consideration of the above, of the two light emitting layers included in the third organic EL layer 60, the second light emitting layer 52, which is a light emitting layer with a short PL peak wavelength, includes the first subpixel 2A and the second subpixel 2B. It is formed in common.

また各副画素（２Ａ、２Ｂ）を構成する二種類の有機ＥＬ層は発光色が異なっている。即ち、第一副画素２Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第二有機ＥＬ層５０は第二色を発する。一方、第二副画素２Ｂを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第三有機ＥＬ層６０は第三色を発する。ただし、ここでいう第一色、第二色及び第三色の具体的な色については、第二色のＰＬピーク波長が第三色のＰＬピーク波長よりも短ければ特に限定されない。例えば、第一色をＲ（赤色）、第二色をＢ（青色）、第三色をＧ（緑色）としてもよい。   The two types of organic EL layers constituting each subpixel (2A, 2B) have different emission colors. That is, the first organic EL layer 30 constituting the first subpixel 2A emits a first color, and the second organic EL layer 50 emits a second color. On the other hand, the first organic EL layer 30 constituting the second subpixel 2B emits a first color, and the third organic EL layer 60 emits a third color. However, the specific colors of the first color, the second color, and the third color here are not particularly limited as long as the PL peak wavelength of the second color is shorter than the PL peak wavelength of the third color. For example, the first color may be R (red), the second color may be B (blue), and the third color may be G (green).

本実施形態の有機ＥＬ表示装置の電気接続方法の具体例について、図面を参照しながら説明する。ただし本発明はこれに限定されるものではない。   A specific example of the electrical connection method of the organic EL display device of this embodiment will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to this.

図５は、図４の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。図５より、第二電極４０は全有機ＥＬ素子（３４，５４，６４）に共通の陰極として機能する。ただし、それぞれの有機ＥＬ素子の陽極２０，７０は、それぞれ画素回路８３，８４，８５内に設けられている駆動用ＴＦＴ８３ａ，８４ａ，８５ａに接続されている。これにより個々の有機ＥＬ素子を独立に駆動することができる。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device of FIG. From FIG. 5, the second electrode 40 functions as a cathode common to all organic EL elements (34, 54, 64). However, the anodes 20 and 70 of the respective organic EL elements are connected to driving TFTs 83a, 84a, and 85a provided in the pixel circuits 83, 84, and 85, respectively. Thereby, each organic EL element can be driven independently.

［実施例１］
図１に示される有機ＥＬ表示装置１を以下に示す方法により作製した。 [Example 1]
The organic EL display device 1 shown in FIG. 1 was produced by the following method.

支持体（ガラス基板）上に、低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路（省略）を形成した後、ＴＦＴ駆動回路上にアクリル樹脂からなる平坦化膜（省略）を形成した。このように平坦化膜まで形成されている支持体を基板１０として使用した。   After a TFT drive circuit (omitted) made of low-temperature polysilicon was formed on a support (glass substrate), a planarizing film (omitted) made of acrylic resin was formed on the TFT drive circuit. Thus, the support body formed to the planarization film was used as the substrate 10.

次に、スパッタリング法により、基板１０上にアルミニウム合金（ＡｌＮｉＰｄ）を成膜し合金膜を形成した。このとき合金膜の膜厚を約１００ｎｍとした。次に、この合金膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。次に、スパッタリング法により、当該合金薄膜上にＩＺＯを成膜して透明導電膜を形成した。このとき透明導電膜の膜厚を２０ｎｍとした。次に、この透明導電膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。尚、パターンニングされた上記合金薄膜及び上記透明導電膜は第一電極２０（反射電極）として機能する。   Next, an aluminum alloy (AlNiPd) was formed on the substrate 10 by sputtering to form an alloy film. At this time, the thickness of the alloy film was about 100 nm. Next, this alloy film was patterned by a wet etching method so as to have a predetermined shape. Next, IZO was formed on the alloy thin film by sputtering to form a transparent conductive film. At this time, the film thickness of the transparent conductive film was 20 nm. Next, this transparent conductive film was patterned by a wet etching method so as to have a predetermined shape. The patterned alloy thin film and the transparent conductive film function as the first electrode 20 (reflection electrode).

次に、スリットスピン法により基板１０及び第一電極２０上にアクリル樹脂を成膜した後、フォトリソ法により所望の形状にパターニングを行うことにより、基板１０上であって第一電極２０が形成されていない領域に画素分離膜を形成した。このとき画素分離膜の膜厚は１．５μｍであった。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、ＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。   Next, after an acrylic resin film is formed on the substrate 10 and the first electrode 20 by the slit spin method, the first electrode 20 is formed on the substrate 10 by patterning into a desired shape by the photolithography method. A pixel separation film was formed in the unexposed region. At this time, the film thickness of the pixel separation film was 1.5 μm. This was ultrasonically washed with isopropyl alcohol (IPA), then boiled and washed with IPA and then dried. Further, UV / ozone cleaning was performed.

次に、真空蒸着法により第一電極２０上に第一有機ＥＬ層３０を形成した。   Next, the first organic EL layer 30 was formed on the first electrode 20 by vacuum deposition.

具体的には、まずα−ＮＰＤを成膜し第一正孔注入／輸送層３１を形成した。このとき第一正孔注入／輸送層３１の膜厚を４０ｎｍとした。次に、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＰｅｒｙｌｅｎｅと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着して第一発光層３２を形成した。このとき第一発光層３２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第一発光層３２は青色発光する。次に、Ｂｐｈｅｎを成膜した。このときＢｐｈｅｎ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、Ｂｐｈｅｎ膜及びＬｉＦ膜は第一電子注入／輸送層３３として機能する。以上により第一有機ＥＬ層３０を形成した。   Specifically, first, α-NPD was formed to form the first hole injection / transport layer 31. At this time, the film thickness of the first hole injection / transport layer 31 was set to 40 nm. Next, Balq as a host and Perylene as a guest (dopant) were co-evaporated to a weight ratio of 40: 1 to form the first light emitting layer 32. At this time, the thickness of the first light emitting layer 32 was set to 30 nm. The first light emitting layer 32 emits blue light. Next, Bphen was deposited. At this time, the thickness of the Bphen film was set to 30 nm. Next, LiF was deposited. At this time, the thickness of the LiF film was set to 0.5 nm. The Bphen film and the LiF film function as the first electron injection / transport layer 33. Thus, the first organic EL layer 30 was formed.

次に、スパッタ法により、第一有機ＥＬ層３０上にＭｇとＡｇとを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第二電極４０を形成した。このとき第二電極４０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第二電極４０を形成する際には電極用マスクを用いた。   Next, the second electrode 40 was formed by sputtering on the first organic EL layer 30 while controlling the weight ratio of Mg and Ag to be 10: 1. At this time, the film thickness of the second electrode 40 was set to 15 nm. An electrode mask was used when forming the second electrode 40.

次に、真空蒸着法により第二電極４０上に第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０をそれぞれ第一副画素１Ａ及び第二副画素１Ｂに相当する領域に形成した。   Next, the second organic EL layer 50 and the third organic EL layer 60 were formed on the second electrode 40 in regions corresponding to the first subpixel 1A and the second subpixel 1B, respectively, by vacuum deposition.

具体的には、まず共通マスクを用いて、ＴＰＤを成膜し第二正孔注入／輸送層５１を形成した。このとき第二正孔注入／輸送層５１の膜厚を７０ｎｍとした。次に、第二副画素１Ｂに相当する領域のみを成膜することができる高精細マスクを用いて、第三発光層６２を形成した。具体的には、ホストであるＲｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第三発光層６２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第三発光層６２は赤色発光する。次に、共通マスクを用いて、第二発光層５２を形成した。具体的には、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎｎ６と、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第二発光層５２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第二発光層５２は緑色発光する。次に、ＢＣＰを成膜した。このときＢＣＰ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、ＢＣＰ膜及びＬｉＦ膜は第二電子注入／輸送層５３として機能する。以上により第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を形成した。   Specifically, first, using a common mask, TPD was formed to form the second hole injection / transport layer 51. At this time, the thickness of the second hole injection / transport layer 51 was set to 70 nm. Next, the third light emitting layer 62 was formed using a high-definition mask capable of forming only a region corresponding to the second subpixel 1B. Specifically, rubrene as a host and DCM as a guest (dopant) were co-deposited so that the weight ratio was 40: 1. At this time, the thickness of the third light emitting layer 62 was set to 30 nm. The third light emitting layer 62 emits red light. Next, the second light emitting layer 52 was formed using a common mask. Specifically, Balq as a host and Coumarin 6 as a guest (dopant) were co-deposited so that the weight ratio was 40: 1. At this time, the thickness of the second light emitting layer 52 was set to 30 nm. The second light emitting layer 52 emits green light. Next, BCP was formed. At this time, the thickness of the BCP film was set to 30 nm. Next, LiF was deposited. At this time, the thickness of the LiF film was set to 0.5 nm. The BCP film and the LiF film function as the second electron injection / transport layer 53. Thus, the second organic EL layer 50 and the third organic EL layer 60 were formed.

次に、スパッタ法により、第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を覆うように、ＭｇとＡｇを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第三電極７０を形成した。このとき第三電極７０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第三電極７０を形成する際には電極用マスクを用いた。   Next, the third electrode 70 is formed by sputtering so as to cover the second organic EL layer 50 and the third organic EL layer 60 while controlling the weight ratio of Mg and Ag to be 10: 1. Formed. At this time, the film thickness of the third electrode 70 was 15 nm. An electrode mask was used when forming the third electrode 70.

以上により、有機ＥＬ表示層を得た。ここで本実施例における第三有機ＥＬ層６０に含まれる各層の構成材料（ゲストを除く）において、各々のエネルギー準位について、大気中光電子分光装置及び紫外分光法による解析により評価した。評価の結果、図６に示されるエネルギーダイアグラムが得られた。   Thus, an organic EL display layer was obtained. Here, in the constituent materials (excluding the guest) of each layer included in the third organic EL layer 60 in this example, each energy level was evaluated by analysis using an atmospheric photoelectron spectrometer and ultraviolet spectroscopy. As a result of the evaluation, the energy diagram shown in FIG. 6 was obtained.

［実施例２］
図４に示される有機ＥＬ表示装置２を以下に示す方法により作製した。 [Example 2]
The organic EL display device 2 shown in FIG. 4 was produced by the following method.

まず実施例１と同様の方法により基板１０を作製した。   First, a substrate 10 was produced by the same method as in Example 1.

次に、スパッタリング法により、基板１０上にアルミニウム合金（ＡｌＮｉＰｄ）を成膜し合金膜を形成した。このとき合金膜の膜厚を約１００ｎｍとした。次に、この合金膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。次に、スパッタリング法により、当該合金薄膜上にＩＺＯを成膜して透明導電膜を形成した。このとき透明導電膜の膜厚を２０ｎｍとした。次に、この透明導電膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。尚、パターンニングされた上記合金薄膜及び上記透明導電膜は第三電極（反射電極）７０として機能する。   Next, an aluminum alloy (AlNiPd) was formed on the substrate 10 by sputtering to form an alloy film. At this time, the thickness of the alloy film was about 100 nm. Next, this alloy film was patterned by a wet etching method so as to have a predetermined shape. Next, IZO was formed on the alloy thin film by sputtering to form a transparent conductive film. At this time, the film thickness of the transparent conductive film was 20 nm. Next, this transparent conductive film was patterned by a wet etching method so as to have a predetermined shape. The patterned alloy thin film and the transparent conductive film function as a third electrode (reflection electrode) 70.

次に、スリットスピン法により基板１０及び第三電極７０上にアクリル樹脂を成膜した後、フォトリソ法により所望の形状にパターニングを行うことにより、基板１０上であって第三電極７０が形成されていない領域に画素分離膜を形成した。このとき画素分離膜の膜厚は１．５μｍであった。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、ＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。   Next, after an acrylic resin film is formed on the substrate 10 and the third electrode 70 by the slit spin method, the third electrode 70 is formed on the substrate 10 by patterning into a desired shape by the photolithography method. A pixel separation film was formed in the unexposed region. At this time, the film thickness of the pixel separation film was 1.5 μm. This was ultrasonically washed with isopropyl alcohol (IPA), then boiled and washed with IPA and then dried. Further, UV / ozone cleaning was performed.

次に、真空蒸着法により第三電極７０上に第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０をそれぞれ第一副画素２Ａ及び第二副画素２Ｂに相当する領域に形成した。   Next, the second organic EL layer 50 and the third organic EL layer 60 were formed on the third electrode 70 in regions corresponding to the first subpixel 2A and the second subpixel 2B, respectively, by vacuum deposition.

具体的には、まず共通マスクを用いて、ＴＰＤを成膜し第二正孔注入／輸送層５１を形成した。このとき第二正孔注入／輸送層５１の膜厚を４０ｎｍとした。次に、第二副画素２Ｂに相当する領域のみを成膜することができる高精細マスクを用いて、第三発光層６２を形成した。具体的には、ホストであるＡｌｑ3と、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６と、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第三発光層６２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第三発光層６２は緑色発光する。次に、共通マスクを用いて、第二発光層５２を形成した。具体的には、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＰｅｒｙｌｅｎｅと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第二発光層５２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第二発光層５２は青色発光する。次に、ＢＣＰを成膜した。このときＢＣＰ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、ＢＣＰ膜及びＬｉＦ膜は第二電子注入／輸送層５３として機能する。以上により第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を形成した。 Specifically, first, using a common mask, TPD was formed to form the second hole injection / transport layer 51. At this time, the thickness of the second hole injection / transport layer 51 was set to 40 nm. Next, the third light emitting layer 62 was formed using a high-definition mask capable of forming only a region corresponding to the second subpixel 2B. Specifically, Alq 3 as a host and Coumarin 6 as a guest (dopant) were co-deposited so that the weight ratio was 40: 1. At this time, the thickness of the third light emitting layer 62 was set to 30 nm. The third light emitting layer 62 emits green light. Next, the second light emitting layer 52 was formed using a common mask. Specifically, Balq as a host and Perylene as a guest (dopant) were co-deposited so that the weight ratio was 40: 1. At this time, the thickness of the second light emitting layer 52 was set to 30 nm. The second light emitting layer 52 emits blue light. Next, BCP was formed. At this time, the thickness of the BCP film was set to 30 nm. Next, LiF was deposited. At this time, the thickness of the LiF film was set to 0.5 nm. The BCP film and the LiF film function as the second electron injection / transport layer 53. Thus, the second organic EL layer 50 and the third organic EL layer 60 were formed.

次に、スパッタ法により、第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を覆うように、ＭｇとＡｇを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第二電極４０を形成した。このとき第二電極４０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第二電極４０を形成する際には電極用マスクを用いた。   Next, the second electrode 40 is formed by sputtering so as to cover the second organic EL layer 50 and the third organic EL layer 60 while controlling the weight ratio of Mg and Ag to be 10: 1. Formed. At this time, the film thickness of the second electrode 40 was set to 15 nm. An electrode mask was used when forming the second electrode 40.

次に、真空蒸着法により第二電極４０上に第一有機ＥＬ層３０を形成した。   Next, the first organic EL layer 30 was formed on the second electrode 40 by vacuum deposition.

具体的には、まずＴＰＤを成膜し第一正孔注入／輸送層３１を形成した。このとき第一正孔注入／輸送層３１の膜厚を７０ｎｍとした。次に、ホストであるＲｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着して第一発光層３２を形成した。このとき第一発光層３２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第一発光層３２は赤色発光する。次に、ＢＣＰを成膜した。このときＢＣＰ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、ＢＣＰ膜及びＬｉＦ膜は第一電子注入／輸送層３３として機能する。以上により第一有機ＥＬ層３０を形成した。   Specifically, first, TPD was formed to form the first hole injection / transport layer 31. At this time, the thickness of the first hole injection / transport layer 31 was set to 70 nm. Next, Rubrene as a host and DCM as a guest (dopant) were co-evaporated to a weight ratio of 40: 1 to form the first light emitting layer 32. At this time, the thickness of the first light emitting layer 32 was set to 30 nm. The first light emitting layer 32 emits red light. Next, BCP was formed. At this time, the thickness of the BCP film was set to 30 nm. Next, LiF was deposited. At this time, the thickness of the LiF film was set to 0.5 nm. The BCP film and the LiF film function as the first electron injection / transport layer 33. Thus, the first organic EL layer 30 was formed.

次に、スパッタ法により、第一有機ＥＬ層３０上に、ＭｇとＡｇとを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第一電極２０を形成した。このとき第一電極２０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第一電極２０を形成する際には電極用マスクを用いた。   Next, the first electrode 20 was formed by sputtering on the first organic EL layer 30 while controlling the weight ratio of Mg and Ag to be 10: 1. At this time, the film thickness of the first electrode 20 was set to 15 nm. An electrode mask was used when forming the first electrode 20.

以上により、有機ＥＬ表示層を得た。ここで本実施例における第三有機ＥＬ層６０に含まれる各層の構成材料（ゲストを除く）において、各々のエネルギー準位について、実施例１と同様に評価した。評価の結果、図７に示されるエネルギーダイアグラムが得られた。   Thus, an organic EL display layer was obtained. Here, in the constituent materials (excluding the guest) of each layer included in the third organic EL layer 60 in this example, each energy level was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result of the evaluation, the energy diagram shown in FIG. 7 was obtained.

本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows 1st embodiment in the organic electroluminescent display apparatus of this invention. 図１の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the equivalent circuit of the organic electroluminescence display of FIG. 電源手段から印加される電圧の波形の具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of the waveform of the voltage applied from a power supply means. 本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows 2nd embodiment in the organic electroluminescent display apparatus of this invention. 図４の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the organic EL display device of FIG. 4. 実施例１における第三有機ＥＬ層に含まれる２つの発光層の構成材料のエネルギー準位を示すエネルギーダイアグラムである。4 is an energy diagram showing energy levels of constituent materials of two light emitting layers included in a third organic EL layer in Example 1. FIG. 実施例２における第三有機ＥＬ層に含まれる２つの発光層の構成材料のエネルギー準位を示すエネルギーダイアグラムである。6 is an energy diagram showing energy levels of constituent materials of two light emitting layers included in a third organic EL layer in Example 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１，２ 有機ＥＬ表示装置
１Ａ，２Ａ 第一副画素
１Ｂ，２Ｂ 第二副画素
１０ 基板
２０ 第一電極
３０ 第一有機ＥＬ層
３１ 第一正孔注入／輸送層
３２ 第一発光層
３３ 第一電子注入／輸送層
３４ 第一有機ＥＬ素子
４０ 第二電極
５０ 第二有機ＥＬ層
５１ 第二正孔注入／輸送層
５２ 第二発光層
５３ 第二電子注入／輸送層
５４ 第一有機ＥＬ素子
６０ 第三有機ＥＬ層
６２ 第三発光層
６４ 第一有機ＥＬ素子
７０ 第三電極
８１，８２，８３，８４，８５ 画素回路
８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａ，８５ａ 駆動ＴＦＴ 1, 2 Organic EL display devices 1A, 2A First subpixel 1B, 2B Second subpixel 10 Substrate 20 First electrode 30 First organic EL layer 31 First hole injection / transport layer 32 First light emitting layer 33 First Electron injection / transport layer 34 First organic EL element 40 Second electrode 50 Second organic EL layer 51 Second hole injection / transport layer 52 Second light emitting layer 53 Second electron injection / transport layer 54 First organic EL element 60 Third organic EL layer 62 Third light emitting layer 64 First organic EL element 70 Third electrode 81, 82, 83, 84, 85 Pixel circuit 81a, 82a, 83a, 84a, 85a Drive TFT

Claims (6)

基板と、
該基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
該画素が、第一副画素と、第二副画素と、を備え、
該第一副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第二副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層及び第三発光層を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第一有機ＥＬ層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二発光層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二色のＰＬピーク波長が該第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。 A substrate,
A plurality of pixels provided on the substrate,
The pixel comprises a first subpixel and a second subpixel,
The first subpixel includes a first electrode, a first organic EL layer that includes the first light emitting layer and emits a first color, a second electrode, and a second organic EL that includes the second light emitting layer and emits a second color. A layer and a third electrode,
The second subpixel includes a first electrode, a first organic EL layer that includes the first light emitting layer and emits a first color, a second electrode, a second light emitting layer, and a third light emitting layer that includes a third color. A third organic EL layer that emits, and a third electrode,
The first organic EL layer is formed in common with the first subpixel and the second subpixel,
The second light emitting layer is formed in common with the first subpixel and the second subpixel;
An organic EL display device, wherein the PL peak wavelength of the second color is shorter than the PL peak wavelength of the third color. 前記第二発光層が前記第三発光層と陰極との間に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the second light emitting layer is provided between the third light emitting layer and the cathode. 前記第二発光層及び前記第三発光層がホストとゲストとからなり、前記第三発光層のホストのＬＵＭＯの絶対値が前記第二発光層のホストのＬＵＭＯの絶対値よりも大きいことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。   The second light emitting layer and the third light emitting layer are composed of a host and a guest, and the absolute value of the LUMO of the host of the third light emitting layer is larger than the absolute value of the LUMO of the host of the second light emitting layer. The organic EL display device according to claim 1 or 2. 前記第三発光層のホストのＨＯＭＯの絶対値が前記第二発光層のホストのＨＯＭＯの絶対値よりも小さいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display according to any one of claims 1 to 3, wherein the absolute value of the HOMO of the host of the third light emitting layer is smaller than the absolute value of the HOMO of the host of the second light emitting layer. apparatus. 前記第三発光層のゲストが燐光発光材料であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the guest of the third light emitting layer is a phosphorescent material. 前記第一色が青色であり、
前記第二色が緑色であり、
前記第三色が赤色であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。 The first color is blue;
The second color is green;
The organic EL display device according to claim 1, wherein the third color is red.
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