JP2010070823A - 構造体の製造方法および構造体の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】構造体の製造方法は、タングステン(W)を含む導電性の材料101を準備する工程と、材料101にパターンを有するマスク層103を形成する工程と、溶融塩20中でマスク層103が形成された材料101にアノード電流を流す工程とを備えている。溶融塩20を構成するカチオンは、溶融塩20中の標準電極電位がWよりも卑である。マスク層103は、溶融塩20中の標準電極電位がWよりも貴な金属または絶縁体である。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- タングステンを含む導電性の材料を準備する工程と、
前記材料にパターンを有するマスク層を形成する工程と、
溶融塩中で前記マスク層が形成された前記材料にアノード電流を流す工程とを備え、
前記溶融塩を構成するカチオンは、前記溶融塩中の標準電極電位がタングステンよりも卑であり、
前記マスク層は、前記溶融塩中の標準電極電位がタングステンよりも貴な金属または絶縁体である、構造体の製造方法。 - 前記マスク層は、セラミックスである、請求項1に記載の構造体の製造方法。
- 前記溶融塩は、アルカリ金属とハロゲンとの塩、タングステン酸を含む塩および亜鉛を含む塩の少なくとも1つを含む、請求項1または2に記載の構造体の製造方法。
- 標準電極電位がタングステンよりも卑なカチオンを含む溶融塩を内部に収容し、かつ前記溶融塩に接するようにタングステンを含む導電性の材料を内部に配置するための坩堝と、
前記坩堝の内部を加熱するための加熱部と、
前記材料にアノード電流を流すための電源と、
前記坩堝の内部に配置され、かつ前記電源と電気的に接続されたカソード電極とを備えた、構造体の製造装置。 - 前記アノード電極のアノード電位を制御するための参照極をさらに備えた、請求項4に記載の構造体の製造装置。
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2008
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