JP2010064011A - Catalyst for producing deuterated compound and method of producing deuterated compound using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、重水素化された溶媒中で重水素化化合物を製造するための触媒、及びそれを用いた重水素化化合物の製造方法に関し、特に、重水素化された溶媒中で有機化合物に重水素を導入することによる重水素化化合物の製造方法及び重水素ガスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a catalyst for producing a deuterated compound in a deuterated solvent, and a method for producing a deuterated compound using the same, and more particularly to an organic compound in a deuterated solvent. The present invention relates to a method for producing a deuterated compound by introducing deuterium and a method for producing deuterium gas.
重水素化化合物は、反応の追跡による反応機構の解明や生体物質の構造解析などにおいて、標識化合物等として広く利用されている。また、最近では、医薬品、農薬、有機ＥＬ材料、光ファイバ等としても興味を持たれている。
しかしながら、従来、重水素化化合物の製造には多数の工程が必要であったため、重水素化化合物は極めて高価であり、得られる重水素化化合物の種類も限られていた。また、重水素源としては、高価な重水素ガスや金属重水素化物であった。一方、比較的安価な重水を重水素源として用いる重水素化化合物の製造方法は、強酸あるいは強アルカリを用いた過酷な条件、あるいは超臨界条件を用いるための高価な装置が必要であった（特許文献１、２参照）。また、低い重水素化率が問題であった。
A deuterated compound is widely used as a labeling compound or the like in elucidating a reaction mechanism by tracking a reaction or analyzing a structure of a biological material. Recently, they are also interested in pharmaceuticals, agricultural chemicals, organic EL materials, optical fibers, and the like.
However, since a number of steps have been conventionally required for producing a deuterated compound, the deuterated compound is extremely expensive, and the types of deuterated compounds obtained are limited. Moreover, as a deuterium source, it was expensive deuterium gas and metal deuteride. On the other hand, a method for producing a deuterated compound using relatively inexpensive heavy water as a deuterium source requires harsh conditions using strong acid or strong alkali, or expensive equipment for using supercritical conditions ( (See Patent Documents 1 and 2). Also, a low deuteration rate has been a problem.
これに対して、入手容易な水素ガス（Ｈ２）と重水（Ｄ２Ｏ）を用いて、Ｈ／Ｄ交換反応を利用した触媒的重水素化反応が知られている（特許文献３、非特許文献１参照）。しかしながら、この方法は、一旦重水素ガス（Ｄ２）を生成させるために２４時間の前処理を必要し、その後生じた重水素ガス（Ｄ２）から接触還元を行っているため、実験操作が煩雑であることが問題であった。 On the other hand, a catalytic deuteration reaction using an H / D exchange reaction using hydrogen gas (H 2 ) and heavy water (D 2 O) which are easily available is known (Patent Document 3, Non-Patent Document 3). Patent Document 1). However, this method requires a pretreatment for 24 hours to once generate deuterium gas (D 2 ), and then performs catalytic reduction from the resulting deuterium gas (D 2 ). It was a problem that it was complicated.
また、水溶性ルテニウム及びロジウム錯体存在下、重水（Ｄ２Ｏ）中、水素ガス（Ｈ２）と反応させることにより、直接重水素化反応させる方法が提案されている（非特許文献２〜４参照）。しかしながら、水素化との競合による重水素化率の低下や汎用性に問題があった。さらには、均一触媒であるために、溶媒からの当該錯体触媒を回収、再利用することが困難であった。 Moreover, the presence a water-soluble ruthenium and rhodium complexes, in heavy water (D 2 O), by reacting with hydrogen gas (H 2), has been proposed a method of directly reacting deuterated (Non-Patent Documents 2 to 4 reference). However, there has been a problem in the decrease in deuteration rate and versatility due to competition with hydrogenation. Furthermore, since it is a homogeneous catalyst, it is difficult to recover and reuse the complex catalyst from the solvent.
このような状況下、低コストで、より簡便な操作で、高純度で、触媒の回収、再利用が可能な重水素化化合物の製造プロセスが求められていた。
この発明は、以上の通りの状況に鑑みてなされたものであって、重水素化された溶媒中、水素ガス（Ｈ２）又はギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）を用いた重水素化化合物の製造において、特許文献３、及び非特許文献２〜４に記載された従来技術の欠点を解消し、（１）高純度、（２）操作が簡便、（３）選択的、及び（４）錯体触媒の回収が可能な重水素化化合物の製造方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the situation as described above, and in the production of a deuterated compound using hydrogen gas (H 2 ) or formic acid (HCO 2 H) in a deuterated solvent. , Patent Document 3 and Non-Patent Documents 2 to 4 have been solved. (1) High purity, (2) Simple operation, (3) Selective, and (4) Complex catalyst It aims at providing the manufacturing method of the deuterated compound which can be collect | recovered.
下記の一般式（１）又は（２）で示される錯体が、水素化触媒あるいはギ酸を用いた水素移動触媒（非特許文献５参照）として、ｐＨ選択的に作用することは既に知られている。
本発明者らは、二酸化炭素と水素を反応させてギ酸を製造する際の水素化触媒において、上記の一般式（１）又は（２）で示される錯体のうち、二座窒素配位子として２，２´−ビピリジン又は１,１０−フェナントロリン上に電子供与性置換基が存在する場合、特に、水酸基の導入によって、触媒性能が著しく向上することを見出している（特許文献４、５、非特許文献６参照）。
さらには、本発明者らは、前記ギ酸塩の製造において、一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒のうち、二座窒素配位子として２，２´−ビピリジンまたは１,１０−フェナントロリン上に水酸基を置換した錯体触媒を用いる場合、反応系のｐＨにより錯体触媒の溶解性が変化することを利用して、錯体触媒を回収、再利用出来ることを見出している（特許文献６、非特許文献７参照）。
In the hydrogenation catalyst for producing formic acid by reacting carbon dioxide and hydrogen, the present inventors have selected as a bidentate nitrogen ligand among the complexes represented by the general formula (1) or (2). It has been found that when an electron-donating substituent is present on 2,2′-bipyridine or 1,10-phenanthroline, the catalytic performance is remarkably improved particularly by introduction of a hydroxyl group (Patent Documents 4 and 5). (See Patent Document 6).
Furthermore, the present inventors have prepared 2,2′-bipyridine or 1,10 as a bidentate nitrogen ligand among the complex catalysts represented by the general formula (1) or (2) in the production of the formate salt. -When using the complex catalyst which substituted the hydroxyl group on phenanthroline, it discovered that the solubility of a complex catalyst changed with pH of a reaction system, and can collect | recover and reuse a complex catalyst (patent document 6). Non-patent document 7).
また、以前より、上記の一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒において、Ｒ６からＲ１３が全て水素原子であり、かつＬが水素原子の場合、重水との間で、Ｈ／Ｄ交換反応が起こることが知られていたが、この交換反応は極めて遅く、重水素化化合物の製造に用いられていなかった（非特許文献８、９参照）。 In addition, in the complex catalyst represented by the above general formula (1) or (2), when R 6 to R 13 are all hydrogen atoms and L is a hydrogen atom, H The / D exchange reaction was known to occur, but this exchange reaction was extremely slow and was not used for the production of deuterated compounds (see Non-Patent Documents 8 and 9).
本発明らは、以上の知見を基に鋭意研究の結果、一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒の存在下、重水素化された溶媒中、水素ガス（Ｈ２）又はギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）を用いて、還元性官能基を有する基質から、簡便な操作で、高純度な重水素化化合物を製造できることを見いだした。 As a result of intensive studies based on the above knowledge, the present inventors have found that hydrogen gas (H 2 ) or formic acid in a deuterated solvent in the presence of a complex catalyst represented by the general formula (1) or (2) It has been found that a highly pure deuterated compound can be produced from a substrate having a reducing functional group using (HCO 2 H) by a simple operation.
本発明は、これらの知見に基づいて完成に至ったものであり、以下の技術的手段から構成される。
［１］重水素化された溶媒中で重水素化化合物を製造するための触媒であって、
下記の一般式（１）又は（２）
［２］前記式中のＭが、鉄、コバルト、ニッケル、白金、イリジウム、ロジウム、ルテニウム又はオスミニウムである、［１］の重水素化化合物製造用触媒。
［３］前記式中のＭが、イリジウム、ロジウム又はルテニウムである、［１］の重水素化化合物製造用触媒。
［４］前記式中のＲ８及びＲ１１が、水酸基(−ＯＨ)、オキシアニオン（−Ｏ−）又はアルコシ基（−ＯＲ）である、［１］の重水素化化合物製造用触媒。
［５］前記式中のＬが、重水素原子（Ｄ、Ｔ）である、［１］に記載の重水素化化合物製造用触媒。
［６］下記の一般式（３）又は（４）で表される、［１］の重水素化化合物製造用触媒。
［７］下記の一般式（５）又は（６）で表される、［１］の重水素化化合物製造用触媒。
［８］下記の一般式（７）又は（８）で表される、［６］の重水素化化合物製造用触媒。
［９］下記の一般式（９）又は（１０）で表される、［７］の重水素化化合物製造用触媒。
［１０］重水素化化合物の製造方法において、［１］〜［９］のいずれかの重水素化化合物製造用触媒の存在下、還元性官能基を有する基質を、重水素化された溶媒中、水素ガスと反応させることを特徴とする重水素化化合物の製造方法。
［１１］前記重水素化された溶媒が、重水（Ｄ２Ｏ）又はトリチウム水（Ｔ２Ｏ）である、請求項１０に記載の重水素化化合物の製造方法。
［１２］重水素化化合物の製造方法において、［１］〜［９］のいずれかの重水素化化合物製造用触媒の存在下、還元性官能基を有する基質を、重水中、ギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）と反応させることを特徴とする重水素化化合物の製造方法。
［１３］重水素化化合物の製造方法において、［１］〜［９］のいずれかの重水素化化合物製造用触媒の存在下、還元性官能基を有する基質を存在しない条件で、重水（Ｄ２Ｏ）又はトリチウム水（Ｔ２Ｏ）を水素ガス（Ｈ２）と反応させることを特徴とする重水素ガス（Ｄ２あるいはＴ２）の製造方法。
［１４］重水素化化合物の製造方法において、［１］〜［９］のいずれかの重水素化化合物製造用触媒の存在下、還元性官能基を有する基質を存在しない条件で、重水（Ｄ２Ｏ）又はトリチウム水（Ｔ２Ｏ）をギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）と反応させることを特徴とする重水素ガス（Ｄ２又はＴ２）の製造方法。
［１５］［１０］〜［１４］のいずれかの重水素化化合物の製造方法において、反応系のｐＨを変化させることにより、重水素化される位置及び／又は重水素化率を制御することを特徴とする重水素化化合物の製造方法。
［１６］［１０］〜［１４］のいずれかの重水素化化合物の製造方法において、重水素化化合物を製造する反応が終了後、反応系のｐＨを変化することで、錯体触媒を沈殿させることにより錯体触媒を回収することを特徴とする重水素化化合物の製造方法。・・・
The present invention has been completed based on these findings, and comprises the following technical means.
[1] A catalyst for producing a deuterated compound in a deuterated solvent,
The following general formula (1) or (2)
[2] The catalyst for producing a deuterated compound according to [1], wherein M in the formula is iron, cobalt, nickel, platinum, iridium, rhodium, ruthenium or osmium.
[3] The catalyst for producing a deuterated compound according to [1], wherein M in the formula is iridium, rhodium or ruthenium.
[4] The catalyst for producing a deuterated compound according to [1], wherein R 8 and R 11 in the above formula are a hydroxyl group (—OH), an oxyanion (—O − ), or an alkoxy group (—OR).
[5] The catalyst for producing a deuterated compound according to [1], wherein L in the formula is a deuterium atom (D, T).
[6] A catalyst for producing a deuterated compound of [1] represented by the following general formula (3) or (4).
[7] A catalyst for producing a deuterated compound of [1] represented by the following general formula (5) or (6).
[8] A catalyst for producing a deuterated compound of [6] represented by the following general formula (7) or (8).
[9] A catalyst for producing a deuterated compound of [7] represented by the following general formula (9) or (10).
[10] In the method for producing a deuterated compound, in the presence of the catalyst for producing a deuterated compound according to any one of [1] to [9], a substrate having a reducing functional group is deuterated in a deuterated solvent. A method for producing a deuterated compound, characterized by reacting with hydrogen gas.
[11] The method for producing a deuterated compound according to claim 10, wherein the deuterated solvent is heavy water (D 2 O) or tritium water (T 2 O).
[12] In the method for producing a deuterated compound, in the presence of the catalyst for producing a deuterated compound according to any one of [1] to [9], a substrate having a reducing functional group is formic acid (HCO 2 A method for producing a deuterated compound, characterized by reacting with H).
[13] In the method for producing a deuterated compound, in the presence of the catalyst for producing a deuterated compound according to any one of [1] to [9], heavy water (D 2 O) or tritium water (T 2 O) is reacted with hydrogen gas (H 2 ), thereby producing a deuterium gas (D 2 or T 2 ).
[14] In the method for producing a deuterated compound, in the presence of the catalyst for producing a deuterated compound according to any one of [1] to [9], heavy water (D 2 O) or tritium water (T 2 O) is reacted with formic acid (HCO 2 H), a method for producing deuterium gas (D 2 or T 2 ).
[15] In the method for producing a deuterated compound according to any one of [10] to [14], the deuterated position and / or deuteration rate is controlled by changing the pH of the reaction system. A process for producing a deuterated compound.
[16] In the method for producing a deuterated compound according to any one of [10] to [14], the complex catalyst is precipitated by changing the pH of the reaction system after completion of the reaction for producing the deuterated compound. A method for producing a deuterated compound, comprising recovering a complex catalyst. ...
本発明により、重水素化された溶媒中、水素ガス（Ｈ２）又はギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）から、（１）高純度、（２）反応が１段階で済む簡便な実験操作、（３）ｐＨによる選択的な重水素化、および（４）錯体触媒の回収、再利用、が可能な重水素化化合物の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, (1) high purity, (2) a simple experimental operation in which the reaction is performed in one step, from hydrogen gas (H 2 ) or formic acid (HCO 2 H) in a deuterated solvent, (3) It is possible to provide a method for producing a deuterated compound capable of selective deuteration by pH and (4) recovery and reuse of a complex catalyst.
本発明において、重水素とは、ジュウテリウム（Ｄ）又はトリチウム（Ｔ）のことを意味し、重水素化とは、ジュウテリウム化及びトリチウム化のことを意味する。また、重水素化還元反応により、還元性官能基を有する化合物の反応部位に重水素が付加された比率を「重水素化率」とする。 In the present invention, deuterium means deuterium (D) or tritium (T), and deuteration means deuteration and tritiation. Further, the ratio of deuterium added to the reaction site of the compound having a reducing functional group by the deuteration reduction reaction is defined as “deuteration rate”.
本発明においては、下記の式で示すように、前記一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒（Ｍ−Ｌ）と水素ガス（Ｈ２）又はギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）が反応して発生するヒドリド錯体（Ｍ−Ｈ）から、重水素化された溶媒中極めて早いＨ／Ｄ２Ｏ又はＨ／Ｔ２Ｏ変換反応によって、重水素錯体（Ｍ−Ｄ又はＭ−Ｔ）が生成する。この重水素錯体が重水素化触媒として、還元性官能基を有する基質を還元することによって、重水素化化合物を製造することができる。
一般式（１）又は（２）で示される錯体において、Ｍの遷移金属としては、例えば、鉄、コバルト、ニッケル、白金、イリジウム、ロジウム、ルテニウム又はオスミニウムが挙げられるが、特にロジウム、ルテニウム又はイリジウムが好ましい。 In the complex represented by the general formula (1) or (2), examples of the transition metal of M include iron, cobalt, nickel, platinum, iridium, rhodium, ruthenium, and osmium, and particularly rhodium, ruthenium, or iridium. Is preferred.
一般式（１）又は（２）で示される錯体において、Ｌの配位子としては、水素原子（−Ｈ）、重水素原子（−Ｄ，−Ｔ）、水分子（−Ｈ２Ｏ）、重水分子（−Ｄ２Ｏ，−Ｔ２Ｏ）、水酸化物イオン（−ＯＨ）、重水酸化物イオン（−ＯＤ、−ＯＴ）、アルコキシドイオン、ハロゲン化物イオン、炭酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオンあるいはギ酸イオンの配位子であるか、または存在しなくてもよい。アルコキシドイオンとしては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、またはｔｅｒｔ−ブチルアルコール等から誘導されるアルコキシドイオンがあげられる。 In the complex represented by the general formula (1) or (2), the ligand for L includes a hydrogen atom (—H), a deuterium atom (—D, —T), a water molecule (—H 2 O), heavy water molecules (-D 2 O, -T 2 O ), hydroxide ions (-OH), heavy hydroxide ions (-OD, -OT), alkoxide ion, halide ion, carbonate ion, sulfate ion, nitrate ion , Acetate ion or formate ion ligand, or may be absent. The alkoxide ion is not particularly limited. For example, an alkoxide ion derived from methanol, ethanol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, sec-butyl alcohol, isobutyl alcohol, tert-butyl alcohol, or the like can be used. can give.
一般式（１）又は（２）で示される錯体において、配位子であるＬは、容易に置換、脱離が極めて容易であることが特徴である。特に、水素原子（−Ｈ）、重水素原子（−Ｄ，−Ｔ）は条件により容易に脱離、置換する。そのため、式１で表されるように、一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒と水素ガス又はギ酸から生じるＬが水素分子である錯体触媒（Ｍ−Ｈ）は、重水中容易に重水素原子に置換されてＬが重水素分子である錯体触媒（Ｍ−ＤまたはＭ−Ｔ）が生じる。このＬが重水素分子である錯体触媒（Ｍ−ＤまたはＭ−Ｔ）が、重水素化触媒として、還元性官能基を有する基質を還元することにより重水素化化合物を製造することができる。 In the complex represented by the general formula (1) or (2), L, which is a ligand, is characterized in that it can be easily substituted and eliminated easily. In particular, a hydrogen atom (-H) and a deuterium atom (-D, -T) are easily desorbed and replaced depending on conditions. Therefore, as represented by the formula 1, the complex catalyst represented by the general formula (1) or (2) and the complex catalyst (M-H) in which L generated from hydrogen gas or formic acid is a hydrogen molecule are easy in heavy water. To form a complex catalyst (MD or MT) in which L is a deuterium molecule. The complex catalyst (MD or MT) in which L is a deuterium molecule can produce a deuterated compound by reducing a substrate having a reducing functional group as a deuteration catalyst.
一般式（１）又は（２）で示される錯体において、カウンターアニオンとしては、特に限定はされないが、陰イオンとしては、例えば、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、炭酸イオン、リン酸イオン、水酸化物イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ハロゲン化物イオン（フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン）、次亜ハロゲン酸イオン（次亜フッ素酸イオン、次亜塩素酸イオン、次亜臭素酸イオン、次亜ヨウ素酸イオン）、亜ハロゲン酸イオン（亜フッ素酸イオン、亜塩素酸イオン、亜臭素酸イオン、亜ヨウ素酸イオン）、ハロゲン酸イオン（フッ素酸イオン、塩素酸イオン、臭素酸イオン、ヨウ素酸イオン）、過ハロゲン酸イオン（過フッ素酸イオン、過塩素酸イオン、過臭素酸イオン、過ヨウ素酸イオン）、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、チオシアン酸イオン等が挙げられる。陽イオンとしては、リチウムイオン、マグネシウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、バリウムイオン、ストロンチウムイオン、イットリウムイオン、スカンジウムイオン、またはランタノイドイオン等の各種金属イオンまたは水素イオン等が挙げられる。またこれらのカウンターイオンは、一種類でもよいが、二種類以上併存していても良い。 In the complex represented by the general formula (1) or (2), the counter anion is not particularly limited, but examples of the anion include sulfate ion, nitrate ion, acetate ion, carbonate ion, phosphate ion, and water. Oxide ion, trifluoromethanesulfonate ion, halide ion (fluoride ion, chloride ion, bromide ion, iodide ion), hypohalite ion (hypofluorite ion, hypochlorite ion, hypochlorite ion) Bromate ion, hypoiodite ion), halite ion (fluoride ion, chlorite ion, bromate ion, iodate ion), halogenate ion (fluorate ion, chlorate ion, bromine) Acid ion, iodate ion), perhalogenate ion (perfluorate ion, perchlorate ion, perbromate ion, periodate) Ion), a tetrafluoroborate ion, hexafluorophosphate ion and thiocyanate ion and the like. Examples of the cation include lithium ions, magnesium ions, sodium ions, potassium ions, calcium ions, barium ions, strontium ions, yttrium ions, scandium ions, or various metal ions such as lanthanoid ions, hydrogen ions, and the like. These counter ions may be one kind, but may be two or more kinds.
一般式（１）で示される錯体において、シクロペンタジエニル配位子としては、通常は全ての炭素上にメチル基が置換されたペンタメチルシクロペンタジエニルが好ましいが、Ｒ１〜Ｒ５が水素原子、アルキル基、芳香族基、水酸基（−ＯＨ）、エステル基（−ＣＯＯＲ）、アミド基（−ＣＯＮＲＲ’）、ハロゲン（−Ｘ）、アルコシ基（−ＯＲ）、アルキルチオ基（−ＳＲ）、アミノ基（−ＮＲＲ’）、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基、またはスルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）であり、それらは同一でも異なってもよい。 In the complex represented by the general formula (1), the cyclopentadienyl ligand is usually preferably pentamethylcyclopentadienyl in which methyl groups are substituted on all carbons, but R 1 to R 5 are Hydrogen atom, alkyl group, aromatic group, hydroxyl group (—OH), ester group (—COOR), amide group (—CONRR ′), halogen (—X), alkoxy group (—OR), alkylthio group (—SR) , An amino group (—NRR ′), a carboxylic acid group (—COOH), a nitro group, or a sulfonic acid group (—SO 3 H), which may be the same or different.
一般式（２）で示される錯体において、アレーン配位子としては、通常は全ての炭素上にメチル基が置換されたヘキサメチルベンゼンが好ましいが、Ｒ１４〜Ｒ１９は、水素原子、アルキル基、芳香族基、水酸基（−ＯＨ）、エステル基（−ＣＯＯＲ）、アミド基（−ＣＯＮＲＲ’）、ハロゲン（−Ｘ）、アルコシ基（−ＯＲ）、アルキルチオ基（−ＳＲ）、アミノ基（−ＮＲＲ’）、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基、またはスルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）であり、それらは同一でも異なってもよい。 In the complex represented by the general formula (2), the arene ligand is usually preferably hexamethylbenzene in which methyl groups are substituted on all carbons, but R 14 to R 19 are each a hydrogen atom or an alkyl group. , Aromatic group, hydroxyl group (—OH), ester group (—COOR), amide group (—CONRR ′), halogen (—X), alkoxy group (—OR), alkylthio group (—SR), amino group (— NRR ′), a carboxylic acid group (—COOH), a nitro group, or a sulfonic acid group (—SO 3 H), which may be the same or different.
一般式（１）又は（２）で示される錯体において、二座窒素配位子として、置換された２，２´−ビピリジンまたは１,１０−フェナントロリンなどが挙げられる。Ｒ６〜Ｒ１３の置換基としては、水素原子、アルキル基、芳香族基、水酸基（−ＯＨ）、オキシアニオン（−Ｏ−）、アルコシ基（−ＯＲ）、エステル基（−ＣＯＯＲ）、アミド基（−ＣＯＮＲＲ’）、ハロゲン（−Ｘ）、アルキルチオ基（−ＳＲ）、アミノ基（−ＮＲＲ’）、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基、またはスルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）などが置換していてもよい。 In the complex represented by the general formula (1) or (2), examples of the bidentate nitrogen ligand include substituted 2,2′-bipyridine and 1,10-phenanthroline. Examples of the substituent for R 6 to R 13 include a hydrogen atom, an alkyl group, an aromatic group, a hydroxyl group (—OH), an oxyanion (—O − ), an alkoxy group (—OR), an ester group (—COOR), and an amide. Group (—CONRR ′), halogen (—X), alkylthio group (—SR), amino group (—NRR ′), carboxylic acid group (—COOH), nitro group, or sulfonic acid group (—SO 3 H), etc. May be substituted.
一般式（１）又は（２）で示される錯体において、二座窒素配位子として２，２´−ビピリジンまたは１,１０−フェナントロリン上に置換された置換基（Ｒ６〜Ｒ１３）の電子的効果が反応速度に著しく影響を与え、特に、アルコシ基、水酸基、アミノ基、およびオキシアニオン基などの電子供与性置換基により、錯体触媒が活性化される。中でも、水酸基が窒素に対してパラ位に置換した４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン、または４，７−ジヒドロキシ−１，１０−フェナントロリンが特に好ましい。 In the complex represented by the general formula (1) or (2), an electron of a substituent (R 6 to R 13 ) substituted on 2,2′-bipyridine or 1,10-phenanthroline as a bidentate nitrogen ligand The reaction effect significantly affects the reaction rate, and in particular, the complex catalyst is activated by electron donating substituents such as an alkoxy group, a hydroxyl group, an amino group, and an oxyanion group. Among these, 4,4′-dihydroxy-2,2′-bipyridine or 4,7-dihydroxy-1,10-phenanthroline in which the hydroxyl group is substituted at the para position with respect to nitrogen is particularly preferable.
本発明の一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒の調整方法は特に限定されず、従来公知の方法を適用することができ、例えば、配位子であるビピリジン誘導体と調整原料の遷移金属化合物を溶媒中で反応させた後、溶媒を除去し、得られた固体を再結晶等により、錯体触媒を精製する方法が挙げられる。また、反応させる際に、錯体触媒に代え、調製原料の遷移金属化合物およびピリジン誘導体を反応系に加えて混合することにより、反応系にて本発明の錯体触媒を形成させてもよい。 The method for adjusting the complex catalyst represented by the general formula (1) or (2) of the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method can be applied. For example, the bipyridine derivative as a ligand and the adjustment raw material An example is a method in which the transition metal compound is reacted in a solvent, the solvent is removed, and the resulting solid is purified by recrystallization or the like to purify the complex catalyst. Moreover, when making it react, you may form the complex catalyst of this invention in a reaction system by replacing with a complex catalyst and adding the transition metal compound and pyridine derivative of a preparation raw material to a reaction system.
本発明の重水素化化合物の製造法においては、上記の如き触媒を単独で用いても２つ以上を適宜組み合わせて用いてもよい。 In the method for producing a deuterated compound of the present invention, the above-described catalysts may be used alone or in combination of two or more.
重水素化された溶媒としては、例えば、重水（Ｄ２Ｏ）、トリチウム水（Ｔ２Ｏ）が挙げられる。また、重メタノール、重エタノール、重プロパノール、重イソプロパノール、重ブタノール、重tert−ブタノール、重ペンタノール、重ヘキサノール、重ヘプタノール、重オクタノール、重ノナノール、重デカノール、重ウンデカノール、重ドデカノール等の重アルコール類、例えば重ギ酸、重酢酸、重プロピオン酸、重酪酸、重イソ酪酸、重吉草酸、重イソ吉草酸、重ピバル酸等の重カルボン酸類等の有機溶媒等が挙げられ、中でも環境面や作業性を考慮すれば、重水が好ましい。これらは単独で用いても、２つ以上を適宜組み合わせて用いてもよい。 Examples of the deuterated solvent include heavy water (D 2 O) and tritium water (T 2 O). Heavy alcohols such as heavy methanol, heavy ethanol, heavy propanol, heavy isopropanol, heavy butanol, heavy tert-butanol, heavy pentanol, heavy hexanol, heavy heptanol, heavy octanol, heavy nonanol, heavy decanol, heavy undecanol, heavy dodecanol, etc. Organic solvents such as heavy carboxylic acids such as heavy formic acid, heavy acetic acid, heavy propionic acid, heavy butyric acid, heavy isobutyric acid, heavy valeric acid, heavy isovaleric acid, heavy pivalic acid, etc. Considering the properties, heavy water is preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
また、本発明の重水素化化合物の製造法においては、必要に応じて反応溶媒を加えてもよい。利用可能な反応溶媒としては、本発明に於ける重水素化化合物の製造に影響を及ぼさないものであれば何れでもよい。具体的には、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１、２−ジメトキシエタン、オキシラン、１、４−ジオキサン、ジヒドロピラン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、あるいはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類等が挙げられる。これらは単独で用いても、２つ以上を適宜組み合わせて用いてもよい。 Moreover, in the manufacturing method of the deuterated compound of this invention, you may add a reaction solvent as needed. Any reaction solvent may be used as long as it does not affect the production of the deuterated compound in the present invention. Specifically, for example, ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane, oxirane, 1,4-dioxane, dihydropyran, tetrahydrofuran, or hexane, heptane, octane, nonane, decane, cyclohexane, etc. Aliphatic hydrocarbons etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明の重水素化化合物の製造法においては、反応系のｐＨを変化させることにより、錯体触媒の反応性、重水素化される位置、あるいは重水素化率を制御することを特徴とする。 The method for producing a deuterated compound of the present invention is characterized in that the reactivity of the complex catalyst, the position to be deuterated, or the deuteration rate is controlled by changing the pH of the reaction system.
一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒において、二座窒素配位子として２，２´−ビピリジンまたは１,１０−フェナントロリン上に水酸基を置換した錯体触媒を用いる場合、反応系のｐＨを変化させることで、錯体触媒の溶解性を制御することができる。特に、下記の一般式（３）又は（４）で示される錯体触媒は、反応溶液を塩酸で弱酸性にすると、錯体の溶解性がほとんどなくなり、沈殿した錯体触媒を瀘取することで回収することができる。
本発明の重水素化方法における基質の還元性官能基として、通常の水素化反応もしくは水素移動反応により還元される官能基であれば如何なるものでもよく、還元性官能基としては、例えば炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結合、エポキシ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、ニトリル基、ニトロ基、芳香環に直結した炭素原子に結合する水酸基（ベンジル位水酸基）、カルボニル基（ケトン、アルデヒド）、イミノ基、芳香環、炭素数３〜４の環状アルキル基等が挙げられる。本反応において、基質として、上記の如き還元性官能基を１つ以上有していればよく、また、本発明における錯体触媒に影響されない如何なる官能基を有していてもよい。 The reducing functional group of the substrate in the deuteration method of the present invention may be any functional group that can be reduced by a normal hydrogenation reaction or hydrogen transfer reaction. Examples of the reducing functional group include carbon-carbon. A double bond, a carbon-carbon triple bond, an epoxy group, a halogen atom (eg, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), a nitrile group, a nitro group, a hydroxyl group bonded to a carbon atom directly bonded to an aromatic ring ( Benzyl group hydroxyl group), carbonyl group (ketone, aldehyde), imino group, aromatic ring, C3-C4 cyclic alkyl group and the like. In this reaction, the substrate may have one or more reducing functional groups as described above, and may have any functional group that is not affected by the complex catalyst in the present invention.
また、本発明の重水素化方法によって還元される基質として、二酸化炭素が挙げられる。 Moreover, carbon dioxide is mentioned as a substrate reduced by the deuteration method of this invention.
本発明における上記の基質の濃度については、上限及び下限はないが、反応によって高い収率と重水素化率を与える濃度が好ましい。ただし、競争反応であることを考慮すれば、著しく高い基質濃度は好ましくない。 The concentration of the substrate in the present invention has no upper limit and lower limit, but a concentration that gives a high yield and a deuteration rate by the reaction is preferable. However, considering that it is a competitive reaction, a remarkably high substrate concentration is not preferable.
さらには、本発明において、還元性の基質を用いない場合、重水素ガス（ジュウテリウム（Ｄ２）又はトリチウム（Ｔ２））を製造することが出来る。 Furthermore, in the present invention, when no reducing substrate is used, deuterium gas (deuterium (D 2 ) or tritium (T 2 )) can be produced.
本発明における反応に用いられる水素ガスの圧力は、特に上限及び下限はないが、一般に常圧以上が用いられる。圧力は高いほうが好ましいが、装置及び運転コスト等の経済的な理由に依存する。また、反応系は、更に、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが添加されていてもよい。なお反応は、低酸素状態若しくは酸素が存在しない条件下で実施するのが好ましく、反応媒体は脱気した後に使用するのが好ましい。 The pressure of the hydrogen gas used in the reaction in the present invention is not particularly limited at an upper limit and a lower limit, but generally an atmospheric pressure or higher is used. A higher pressure is preferred, but depends on economic reasons such as equipment and operating costs. Further, the reaction system may be further added with an inert gas such as nitrogen gas or argon gas. The reaction is preferably carried out under hypoxic conditions or in the absence of oxygen, and the reaction medium is preferably used after deaeration.
本発明における反応に用いられるギ酸の濃度は、特に上限及び下限はないが、一般に基質濃度以上のギ酸の濃度が好ましい。また、反応系は、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で実施することが好ましい。なお反応は、低酸素状態若しくは酸素が存在しない条件下で実施するのが好ましく、反応媒体は脱気した後に使用するのが好ましい。 The concentration of formic acid used in the reaction in the present invention is not particularly limited in an upper limit and a lower limit, but generally a formic acid concentration equal to or higher than the substrate concentration is preferable. Moreover, it is preferable to implement a reaction system in inert gas atmosphere, such as nitrogen gas and argon gas, for example. The reaction is preferably carried out under hypoxic conditions or in the absence of oxygen, and the reaction medium is preferably used after deaeration.
本発明における上記の金属錯体の使用量については、上限及び下限はないが、触媒の反応速度、回収効率、反応液への溶解性及び経済性などに依存する。適切な触媒濃度は１×１０-１０から１×１０-１Ｍで、好ましくは１×１０-６から１×１０-３Ｍである。 Although there is no upper limit and lower limit for the amount of the metal complex used in the present invention, it depends on the reaction rate of the catalyst, the recovery efficiency, the solubility in the reaction solution, the economy, and the like. Suitable catalyst concentrations are 1 × 10 −10 to 1 × 10 −1 M, preferably 1 × 10 −6 to 1 × 10 −3 M.
本発明における反応温度は、触媒が分解することなく、かつ充分な反応速度で反応が進行する方が有利である。好ましくは４０度以上８０度以下が好ましいが、０度から２５０度の範囲で反応を実施することができる。反応時間は特に制限はない。 The reaction temperature in the present invention is advantageously such that the reaction proceeds without causing decomposition of the catalyst and at a sufficient reaction rate. The reaction is preferably in the range of 40 ° to 80 °, but the reaction can be carried out in the range of 0 ° to 250 °. The reaction time is not particularly limited.
次に、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
（実施例１）
水素ガスを用いる重水素化化合物の製造方法
Example 1
Method for producing deuterated compound using hydrogen gas
アクア(４，４´−ジヒドロキシ-２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(３．２ ｍｇ)とイタコン酸（６５ ｍｇ）を、２０ ｍｌのガラスフラスコ中で充分に脱気した重水(５ ｍｌ)に溶解した。この溶液を、水素ガス雰囲気下、６０度で、８時間で攪拌を行った。反応後、核磁気共鳴装置（以下、１Ｈ ＮＭＲ）で生成物を確認した。その結果を表１に示す。
また、この反応後の溶液に希塩酸を加え、ｐＨを５前後に調整すると、錯体触媒が沈殿し、これを瀘取することで回収、再利用することができた。
Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5-pentamethyl-2,4-cyclopentadiene- 1-yl] iridium (III) sulfate (3.2 mg) and itaconic acid (65 mg) were dissolved in fully degassed heavy water (5 ml) in a 20 ml glass flask. This solution was stirred at 60 ° C. for 8 hours under a hydrogen gas atmosphere. After the reaction, the product was confirmed with a nuclear magnetic resonance apparatus (hereinafter, 1 H NMR). The results are shown in Table 1.
Moreover, when dilute hydrochloric acid was added to the solution after this reaction and the pH was adjusted to around 5, the complex catalyst was precipitated, which could be recovered and reused by collecting it.
（実施例２）
アクア(４，４´−ジメトキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(３．３ ｍｇ)とイタコン酸（６５ ｍｇ）を、２０ ｍｌのガラスフラスコ中で充分に脱気した重水(５ｍｌ)に溶解した。この溶液を、水素ガス雰囲気下、６０度で、８時間で攪拌を行った。反応後、１Ｈ ＮＭＲで生成物を確認した。その結果を表１に示す。
(Example 2)
Aqua (4,4'-dimethoxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5-pentamethyl-2,4-cyclopentadiene- 1-yl] iridium (III) sulfate (3.3 mg) and itaconic acid (65 mg) were dissolved in fully degassed heavy water (5 ml) in a 20 ml glass flask. This solution was stirred at 60 ° C. for 8 hours under a hydrogen gas atmosphere. After the reaction, the product was confirmed by 1 H NMR. The results are shown in Table 1.
（実施例３）
アクア(２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５-ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(２．８ ｍｇ)とイタコン酸（６５ ｍｇ）を、２０ ｍｌのガラスフラスコ中で充分に脱気した重水(５ｍｌ)に溶解した。この溶液を、水素ガス雰囲気下、６０度で、８時間で攪拌を行った。 反応後、１Ｈ ＮＭＲで生成物を確認した。その結果を表１に示す。
(Example 3)
Aqua (2,2′-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5-pentamethyl-2,4-cyclopentadien-1-yl] iridium (III ) Sulfate (2.8 mg) and itaconic acid (65 mg) were dissolved in fully degassed heavy water (5 ml) in a 20 ml glass flask. This solution was stirred at 60 ° C. for 8 hours under a hydrogen gas atmosphere. After the reaction, the product was confirmed by 1 H NMR. The results are shown in Table 1.
実施例１〜３の結果から、一般式（１）又は（２）で示される錯体触媒において、二座窒素配位子として２，２´−ビピリジン配位子上の置換基によって、基質の還元速度や重水素化率が影響されることがわかる。例えば、ビピリジン配位子上の４位および４´位の置換基は、電子供与性が強いほど、収率や重水素化率が高い。 From the results of Examples 1 to 3, in the complex catalyst represented by the general formula (1) or (2), reduction of the substrate by a substituent on the 2,2′-bipyridine ligand as a bidentate nitrogen ligand. It can be seen that the speed and deuteration rate are affected. For example, the 4-position and 4′-position substituents on the bipyridine ligand have higher yields and higher deuteration rates as the electron-donating properties are stronger.
（実施例４）
アクア(４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５-η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(３．２ ｍｇ)とシトラコン酸（６５ ｍｇ）を、２０ ｍｌのガラスフラスコ中で充分に脱気した重水(５ｍｌ)に溶解した。この溶液を、水素ガス雰囲気下、６０度で、８時間で攪拌を行った。反応後、１Ｈ ＮＭＲで生成物を確認したところ、収率６８％、重水素化率９４％であった。
Example 4
Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5-pentamethyl-2,4-cyclopentadiene- 1-yl] iridium (III) sulfate (3.2 mg) and citraconic acid (65 mg) were dissolved in fully degassed heavy water (5 ml) in a 20 ml glass flask. This solution was stirred at 60 ° C. for 8 hours under a hydrogen gas atmosphere. After the reaction, when the product was confirmed by 1 H NMR, the yield was 68% and the deuteration rate was 94%.
（実施例５〜７）
ギ酸を用いる重水素化化合物の製造方法
アクア(４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(３．２ ｍｇ)を、下記の表２に示す基質（０．５ ｍｍｏｌ）とギ酸（０．１ ｍｌ）を含む充分に脱気した重水(５ ｍｌ)に溶解した。この溶液を、４０度で、１２時間で攪拌を行った。反応中、ギ酸分解に伴う二酸化炭素ガスおよび水素ガス（Ｈ２，Ｄ２，及びＨＤ）が発生した。反応後、１Ｈ ＮＭＲで生成物を確認した。その結果を表２に示す。
(Examples 5-7)
Method for producing deuterated compound using formic acid Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5 -Pentamethyl-2,4-cyclopentadien-1-yl] iridium (III) sulfate (3.2 mg), substrate (0.5 mmol) and formic acid (0.1 ml) shown in Table 2 below. Dissolved in fully degassed heavy water (5 ml). The solution was stirred at 40 degrees for 12 hours. During the reaction, carbon dioxide gas and hydrogen gas (H 2 , D 2 , and HD) accompanying formic acid decomposition were generated. After the reaction, the product was confirmed by 1 H NMR. The results are shown in Table 2.
（実施例８）
アクア(４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５、６−η)−１，２，３，４，５、６−ヘキサメチルベンゼン]ルテニウム(II)硫酸塩(２．９ ｍｇ)を、イタコン酸（６５ ｍｇ）を含む充分に脱気した重水(５ ｍｌ)に溶解した。この溶液を、水素ガス雰囲気下、６０度で、８時間で攪拌を行った。反応後、１Ｈ ＮＭＲで生成物を確認したところ、収率３１％、重水素化率９７％であった。
(Example 8)
Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5,6-η) -1,2,3,4,5,6-hexamethylbenzene] ruthenium (II) Sulfate (2.9 mg) was dissolved in fully degassed heavy water (5 ml) containing itaconic acid (65 mg). This solution was stirred at 60 ° C. for 8 hours under a hydrogen gas atmosphere. After the reaction, when the product was confirmed by 1 H NMR, the yield was 31% and the deuteration rate was 97%.
（実施例９）
アクア(４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]ロジウム(III)硫酸塩(２．９ ｍｇ)を、イタコン酸（６５ ｍｇ）とギ酸（０．１ ｍｌ）を含む充分に脱気した重水(５ ｍｌ)に溶解した。この溶液を、４０度で、８時間で攪拌を行った。反応後、１Ｈ ＮＭＲで生成物を確認したところ、収率９９％、重水素化率９８％であった。
Example 9
Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5-pentamethyl-2,4-cyclopentadiene- 1-yl] rhodium (III) sulfate (2.9 mg) was dissolved in fully degassed heavy water (5 ml) containing itaconic acid (65 mg) and formic acid (0.1 ml). The solution was stirred at 40 degrees for 8 hours. After the reaction, when the product was confirmed by 1 H NMR, the yield was 99% and the deuteration rate was 98%.
（実施例１０）
酸性条件での重水素化化合物の合成
アクア(４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(３．２ ｍｇ)を、２-シクロヘキセン-１-オン（４８ ｍｇ）とギ酸（０．１ ｍｌ）を含む充分に脱気した重水(５ ｍｌ)に溶解した。この溶液を、４０度で、１２時間で攪拌を行った。反応後、１Ｈ ＮＭＲとガスクロマトグラフィーで生成物を確認したところ、重水素化されたシクロヘキサノール（収率：８７％、重水素化率：７６％）と２−シクロヘキセン−１−オール（収率：１３％）が生成した。
(Example 10)
Synthesis of deuterated compounds under acidic conditions Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4,5 -Pentamethyl-2,4-cyclopentadien-1-yl] iridium (III) sulfate (3.2 mg) sufficient to contain 2-cyclohexen-1-one (48 mg) and formic acid (0.1 ml) Was dissolved in degassed heavy water (5 ml). The solution was stirred at 40 degrees for 12 hours. After the reaction, the product was confirmed by 1 H NMR and gas chromatography. As a result, deuterated cyclohexanol (yield: 87%, deuteration rate: 76%) and 2-cyclohexen-1-ol (recovery) were obtained. Rate: 13%).
（実施例１１）
中性条件での重水素化化合物の合成
アクア(４，４´−ジヒドロキシ−２，２´−ビピリジン)[(１，２，３，４，５−η)−１，２，３，４，５−ペンタメチル−２，４−シクロペンタジエン−１−イル]イリジウム(III)硫酸塩(１．６ ｍｇ)を、２-シクロヘキセン-１-オン（４８ ｍｇ）とギ酸ナトリウム（６８ ｍｇ）を含む充分に脱気した重水(５ ｍｌ)に溶解した。この溶液を、４０度で、１時間で攪拌を行った。反応後、１Ｈ ＮＭＲとガスクロマトグラフィーで生成物を確認したところ、重水素化されたシクロヘキサノンが９９％以上生成し、その重水素化率は８４％であった。
(Example 11)
Synthesis of deuterated compounds under neutral conditions Aqua (4,4'-dihydroxy-2,2'-bipyridine) [(1,2,3,4,5-η) -1,2,3,4, 5-pentamethyl-2,4-cyclopentadien-1-yl] iridium (III) sulfate (1.6 mg) sufficient to contain 2-cyclohexen-1-one (48 mg) and sodium formate (68 mg) Was dissolved in degassed heavy water (5 ml). The solution was stirred at 40 degrees for 1 hour. After the reaction, the product was confirmed by 1 H NMR and gas chromatography. As a result, 99% or more of deuterated cyclohexanone was produced, and the deuteration rate was 84%.
本発明により、従来の高価な重水素ガス（Ｄ２）等を用いていた重水素化化合物の製造において、重水素化された溶媒中、入手容易で安価な水素ガス（Ｈ２）若しくはギ酸（ＨＣＯ２Ｈ）と反応させることにより、簡便な手段で高純度かつ高効率で重水素化化合物を製造することが可能となり、かつ、反応後に錯体触媒を回収し、再利用することが可能になった。 According to the present invention, in the production of a deuterated compound using a conventional expensive deuterium gas (D 2 ) or the like, hydrogen gas (H 2 ) or formic acid (H 2 ) that is easily available and inexpensive in a deuterated solvent. By reacting with (HCO 2 H), it becomes possible to produce a deuterated compound with high purity and high efficiency by a simple means, and it is possible to recover and reuse the complex catalyst after the reaction. It was.
Claims (16)
下記の一般式（１）又は（２）
The following general formula (1) or (2)
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