JP2010062584A - High-frequency device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、内部に高周波回路が収容されるケーシング本体と、このケーシング本体の上面開口部を覆う箱形の蓋体とを備える高周波デバイスに関するものである。 The present invention relates to a high-frequency device including a casing main body in which a high-frequency circuit is accommodated and a box-shaped lid that covers an upper surface opening of the casing main body.
マイクロ波帯またはミリ波帯などの高周波帯で動作する高周波回路が内蔵される高周波デバイスにおいては、外部環境の影響を受けないようにするため、また各種の電波法のEMI規格を満足するために、通常、高周波シールドケース内に収容されている。 For high-frequency devices with built-in high-frequency circuits that operate in high-frequency bands such as the microwave band or the millimeter-wave band, in order not to be affected by the external environment, and to satisfy the EMI standards of various radio wave laws Usually, it is housed in a high-frequency shield case.
このような高周波シールドケースに関する従来技術として特許文献1がある。この特許文献1においては、上面が開口され、内部に高周波回路が内蔵される箱形の筐体と、この箱体を覆うシールドカバーとによって高周波シールドケースを構成するとともに、シールドカバーの側板部を弾性力が付与されるように折曲し、該折曲された側板部の突端部に高周波の波長の1/n(nは1以上の整数)の等間隔にて接触点形成用の突起を形成して、シールド効果を向上させるようにしている。 There exists patent document 1 as a prior art regarding such a high frequency shield case. In Patent Document 1, a high-frequency shield case is constituted by a box-shaped housing having an upper surface opened and a high-frequency circuit built therein and a shield cover covering the box, and a side plate portion of the shield cover is provided. Bends so that elastic force is applied, and protrusions for forming contact points are formed at equal intervals of 1 / n (n is an integer of 1 or more) of the wavelength of the high frequency at the protruding end portion of the bent side plate portion. It is formed to improve the shielding effect.
しかしながら、上記特許文献1の技術では、シールドカバーの上板部内側に筐体を構成する枠体上面が接触させるように構成し、枠体上面とシールドカバーの上板部内側とのクリアランスが規定されていない。このため、従来技術では、振動または温度変化などが発生した場合、枠体上面とシールドカバーの上板部内側とが接触したり離れたりする可能性がある。シールドケースの共振周波数は、筐体およびシールドカバーで構成されるシールドケースの内寸法で決まるため、上記従来技術では、枠体上面とシールドカバーの上板部内側が接触から非接触となった場合、または非接触から接触となった場合に、シールドケースの内寸が大きく変化することになり、シールドケースの共振周波数が変化し、内蔵する高周波回路から見た空間のインピーダンスが変化するため、高周波回路の伝送特性が変化するという問題がある。 However, the technique disclosed in Patent Document 1 is configured such that the upper surface of the frame body constituting the housing is in contact with the inner side of the upper plate portion of the shield cover, and the clearance between the upper surface of the frame body and the inner side of the upper plate portion of the shield cover is defined. It has not been. For this reason, in the prior art, when vibration or temperature change occurs, there is a possibility that the upper surface of the frame body and the inside of the upper plate portion of the shield cover may come into contact with or separate from each other. Since the resonance frequency of the shield case is determined by the inner dimensions of the shield case consisting of the housing and the shield cover, in the above conventional technology, the upper surface of the frame body and the inner side of the upper plate of the shield cover are not contacted. When contact is made from non-contact, the inner dimensions of the shield case will change greatly, the resonance frequency of the shield case will change, and the impedance of the space seen from the built-in high-frequency circuit will change. There is a problem that the transmission characteristics of the circuit change.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、振動や温度変化によって蓋体がケース本体に対しずれて配置されたとしてもケースの共振周波数が変化せず、高周波回路の伝送特性を安定化させることができる高周波デバイスを得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and even if the lid is displaced from the case main body due to vibration or temperature change, the resonance frequency of the case does not change, and the transmission characteristics of the high-frequency circuit are stabilized. An object is to obtain a high-frequency device that can be realized.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、上面に開口部が形成され、内部に高周波回路が収容される金属製のケーシング本体と、前記ケーシング本体の前記上面開口部を覆う箱形の金属製の蓋体とを備え、前記ケーシング本体の複数の辺から成る側壁部の上面と、前記蓋体の上板部内側とが当接する箇所に絶縁体を設けるようにしたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention includes a metal casing body in which an opening is formed on an upper surface and a high-frequency circuit is accommodated, and the upper surface opening of the casing body. A box-shaped metal lid for covering, and an insulator is provided at a position where the upper surface of the side wall portion formed of a plurality of sides of the casing body and the inner side of the upper plate portion of the lid abut. It is characterized by.
以上説明したように本発明によれば、蓋体とケーシング本体との間には絶縁体が介在されていて、蓋体はケーシング本体の上面と接触しないため、共振周波数が蓋体の内寸で決まるようになり、蓋体が熱や振動によって変動しても共振周波数を規定する内寸が変化しないため、共振周波数の変化を抑制することができる。これにより、ケーシング本体に内蔵した高周波回路から見た空間のインピーダンスが変化せず、内蔵した高周波回路の伝送特性が安定する。また、x,yの2次元方向に絶縁体を配設することができるので、より共振周波数の変化を抑制することができる。 As described above, according to the present invention, since the insulator is interposed between the lid and the casing body, and the lid does not contact the upper surface of the casing body, the resonance frequency is the inner dimension of the lid. Even if the lid body fluctuates due to heat or vibration, the inner dimension that defines the resonance frequency does not change, so that the change in the resonance frequency can be suppressed. Thereby, the impedance of the space seen from the high frequency circuit built in the casing body does not change, and the transmission characteristics of the built-in high frequency circuit are stabilized. Moreover, since an insulator can be arrange | positioned in the two-dimensional direction of x and y, the change of a resonant frequency can be suppressed more.
以下に、本発明にかかる高周波デバイスの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a high-frequency device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
まず、この発明の理解を容易にするために、上述した特許文献1に開示された従来技術について、図14〜図17を用いて説明する。図14は、特許文献1に開示されたシールドケースを示すものであり、このシールドケースは、筐体100とシールドカバー101とで構成されている。図15−1は、シールドカバー101を筐体2に正常に装着された状態における図14のB−B´断面を示すものである。図14に示す従来のシールドケースの場合、シールドカバー101を筐体100に取り付けた際に、筐体100を構成する4つの側壁部の全てによって、シールドカバー101の上板面を支えるような構造となっているので、シールドケースの共振周波数は、筐体100およびシールドカバー101で構成されるシールドケースの内寸法で決まり、図14に示すように、筐体100のx,y,z3方向の寸法をa,b,cとすると、
共振周波数≒〔C×{(L/a)2+(M/b)2+(N/c)2}1/2〕/2
…(1)
C:光速
L,M,N:1以上の整数
となる。ただし、上式(1)は、シールドケース内が空気の場合である。
First, in order to facilitate understanding of the present invention, the prior art disclosed in Patent Document 1 described above will be described with reference to FIGS. FIG. 14 shows a shield case disclosed in Patent Document 1, and this shield case includes a
Resonance frequency≈ [C × {(L / a) 2 + (M / b) 2 + (N / c) 2 } 1/2 ] / 2
... (1)
C: speed of light
L, M, N: An integer of 1 or more. However, the above equation (1) is for the case where the inside of the shield case is air.
図15−1に示すように、シールドカバー101が筐体2に正常に装着されているときには、上記共振周波数を規定するx方向のシールドケースの内寸法は、筐体100の側壁部間の距離aとなる。一方、図15−2は、シールドカバー101が筐体2に斜めに傾いいた場合における図14のB−B´断面を示すものである。図15−2に示すように、熱や振動などによりシールドカバー101が変動し、筐体2に正常に装着されていないときには、上記共振周波数を規定するx方向のシールドケースの内寸法は、例えば、シールドカバー101の側板間の距離a´となってしまう。
As shown in FIG. 15A, when the
このように、従来構成では、シールドカバー101の上板が筐体100の側壁部に対し接触から非接触となった場合、または非接触から接触となった場合、シールドケースの共振周波数を規定する内寸が大きく変化するため、ケースの共振周波数が大きく変化し、内蔵する高周波回路から見た空間のインピーダンスが変化し、高周波回路の伝送特性が変化するという問題がある。
As described above, in the conventional configuration, the resonance frequency of the shield case is defined when the upper plate of the
図16は、上記従来構成において、図15−1に示すようにシールドカバー101の上板が筐体100に接触している状態と、図15−2に示すようにシールドカバー101が筐体100に対し斜めに配置されてシールドカバー101の上板と筐体100との間に各種寸法の隙間が発生した場合の、共振周波数の変化を示すシミュレーション結果を示すものである。図16に記載されている隙間とは、図15−2に示すように、筐体100の側壁部とシールドカバー101の上板との間隔をいう。図16に示すシミュレーション結果は、図17に示すように、従来のシールドケース内に形成した線路102の両端102a−102b間の伝送特性(通過特性)を示したものである。
FIG. 16 shows a state in which the upper plate of the
図16から判るように、シールドカバー101が筐体100に対し接触状態から非接触状態となった瞬間に、シールドケースの共振周波数が大きく変化し、その後は、隙間の距離が変化しても共振周波数はそれ程変化していない。これは、前述したように、シールドカバー101が離れた瞬間、それまでは筐体100の内寸だけで決まっていたx方向の寸法が、シールドカバー101の内寸に変化するためである。このように従来技術では、熱や振動などによってシールドカバー101の筐体100に対する装着状態が、接触から非接触に変化した場合、シールドケースの共振周波数が大きく変化して内蔵する高周波回路から見た空間のインピーダンスが変化するため、伝送線路のインピーダンスが変化し、高周波特性が大きく変化するという問題がある。
As can be seen from FIG. 16, the resonance frequency of the shield case changes greatly at the moment when the
実施の形態1.
図1〜図13に従って本発明の実施の形態1について説明する。図1は本発明を適用するFMCWレーダ装置の機能ブロック図を示すものである。図1において、発振器7は高周波信号を発振する。発振器7から出力された高周波信号の一部が増幅器8に入力される。増幅器8は、入力された高周波信号を増幅し、送信信号を得る。この送信信号は図示しないアンテナを介して目標に照射される。目標から反射した信号、つまり受信信号がアンテナを介して入力される。この受信信号は、ミクサ9にて周波数変換され、目標までの距離情報や相対速度の情報を含むビデオ信号としてミクサ9から出力される。ビデオ信号は、信号処理部(図示せず)に入力され、A/D変換、フーリエ変換等の処理を加えることにより、目標までの距離及び相対速度を得る。
Embodiment 1 FIG.
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a functional block diagram of an FMCW radar apparatus to which the present invention is applied. In FIG. 1, an
図2は、発振器7の内部構成を示すものである。この発振器7においては、FET等の能動回路10の入力側に、共振回路11が設けられ、その出力側に整合回路12などが設けられており、所望の周波数の高周波信号を発生する。
FIG. 2 shows the internal configuration of the
図3は、増幅器8の内部構成を示すものである。この増幅器8においては、FET等の能動回路13の入出力側に整合回路14,15を設け、所望の周波数(発振器7の出力周波数)で送信出力を得るよう、発振器7の出力を増幅する。
FIG. 3 shows the internal configuration of the
このような構成のレーダは、一般には、空港に設置して管制業務に使用したり、自動車に搭載してその自動車の前方障害物を検出したり、高速道路脇に設置して道路上の障害物を検出する等の目的で使用される。 Radars with such a configuration are generally installed at airports for use in control operations, installed in automobiles to detect obstacles ahead of the automobile, or installed on the side of expressways for obstacles on the road. Used for purposes such as detecting objects.
図4は、上述した発振器7,増幅器8などの高周波回路が収容されるシールドケース3についての実施の形態1の構成を示すものである。図4に示すように、シールドケース3は、内部に高周波回路4が収容される矩形の金属製のケーシング本体1と、矩形箱形の金属製の蓋体2とから構成されている。ケーシング本体1は、上面部および下面部が開口されており、4つの側壁部1a〜1dから構成されている。これら4つの側壁部1a〜1dから構成されるケーシング本体1は、誘電体基板5上に半田付けなどの接続方法により固定されており、誘電体基板5上に高周波回路4が搭載されている。略箱形の蓋体2は、4つの側板部2a〜2dと、上板部2eとで構成されており、ケーシング本体1の上面開口部を覆うようにケーシング本体に取り付けられる。
FIG. 4 shows the configuration of the first embodiment of the shield case 3 in which the above-described high-frequency circuits such as the
蓋体2の側板部2a〜2dは弾性力が付与されるように折曲されている。また、対向する2つの側板部2a,2cには、図5にも示すように、2つの小さな孔部6aが形成されている。これら2つの孔部6aの間隔は、高周波回路4で使用する高周波信号の実効波長λの1/2未満に設定している。一方、ケーシング本体1の側壁部1a,1cには、図5に示すように、上記孔部6aに嵌合する2つの突起6bが夫々形成されている。したがって、蓋体2をケーシング本体1に取り付けた際には、屈曲された蓋体2の側板部2a〜2dによる作用と、孔部6aへの突起6bの嵌り止めによって、蓋体2の側板部はケーシング本体の側壁部に当接しつつ係止されることになる。
The
図6−1,図6−2に示すように、誘電体基板5の上面および下面には、接地導体70が形成されており、これら接地導体70はグランドビア71で接続されている。また、図4に示すように、シールドケース3内の高周波回路4とシールドケース3外の他の回路を接続するために、誘電体基板5の上面には、マイクロストリップ線路20が形成されている。マイクロストリップ線路20は、ケーシング本体1の側壁部1bに形成された小孔21を介してシールドケース3の内外に形成されている。
As shown in FIGS. 6A and 6B,
次に、実施の形態1の要部について説明する。実施の形態1においては、複数の辺から成る側壁部1a〜1dのうちの対向する2辺の側壁部1a,1cについて、該側壁部1a,1cの上面が蓋体2の上板部2eの内側(裏側)と接触しないように、側壁部1a,1cの上側に切欠き部30を形成している。この切欠き部30は、一方の端部から他方の端部まで辺全体が切り欠かれている。したがって、蓋体2を嵌め込んだ状態のとき、蓋体2の上板部2eの内側(裏側)は、ケーシング本体1の側壁部1b,1dのみと当接し、側壁部1a,1cについては、蓋体2の上板部2eの内側と接触することはなく、空間が形成されている。
Next, the main part of Embodiment 1 is demonstrated. In the first embodiment, of the two opposing
図6−1は、蓋体2をケーシング本体1に正常に取り付けた状態における図4のA−A´断面を示すものである。図6−1に示すように、蓋体2をケーシング本体1に正常に嵌め込んだ状態のときには、側壁部1a,1cは、蓋体2の上板部2eの内側(裏側)と接触することはなく、空間が形成されている。図6−2は、蓋体2がケーシング本体1に対し斜めに傾いて取り付けられた状態における図4のA−A´断面を示すものであり、側壁部1aと蓋体2の上板部2eとの間の隙間は、正常取付け時の隙間+追加分の隙間Δqとなっている。
FIG. 6A shows a cross section taken along the line AA ′ of FIG. 4 in a state where the
前述した式(1)に示したように、シールドケース3内の共振周波数は、シールドケース3の内寸法によって決まる。実施の形態1のシールドケース3の場合、図6−1に示すように、蓋体2をケーシング本体1に正常に嵌め込んだ状態のとき、共振周波数を規定するx方向の寸法は、側壁部1a,1cの上には空間が形成されているので、蓋体2の内寸法であるLとなる。
As shown in the above formula (1), the resonance frequency in the shield case 3 is determined by the internal dimensions of the shield case 3. In the case of the shield case 3 of the first embodiment, as shown in FIG. 6A, when the
一方、図6−2に示すように、蓋体2がケーシング本体1に対し斜めに配置された状態のとき、共振周波数を規定するx方向の寸法は、蓋体2の内寸法であるL´となり、L´とLとの間には大きな変化はない。したがって、振動や温度変化によって蓋体2がケーシング本体1から外れる方向に微小に動いたとしても、切欠き部30を形成した側壁部1a,1cに直交するx方向の寸法が変化しないため、シールドケース3の共振周波数も変化しない。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, when the
図7は、上記シールドケース3において、図6−1に示すように蓋体2がケーシング本体1に正常に取り付けられた状態と、図6−2に示すように蓋体2がケーシング本体1に対し斜めに配置された場合の、共振周波数の変化を示すシミュレーション結果を示すものである。図7における“隙間なし”とは、図6−1に示すように蓋体2が正常に取り付けられた状態をいい、“隙間20μm”とは、図6−2に示した追加隙間Δq=20μmの状態をいう。図7に示すシミュレーション結果は、図8に示すように、実施の形態1のシールドケース3内に形成した線路31の両端31a−31b間の伝送特性(通過特性)を示したものである。
7 shows a state in which the
図7から判るように、蓋体2が図6−1に示した正常装着状態(図7の隙間なしに対応)から図6−2に示した非正常装着状態(図7の隙間20μm〜隙間1000μmに対応)に変化しても、共振周波数は殆ど変化していない。また隙間間隔が40μm〜1000μmと変化しても、共振周波数は殆ど変化していない。
As can be seen from FIG. 7, the
このように、実施の形態1によれば、蓋体2を正常に装着した状態でも、蓋体2の上板部2eはケーシング本体1の上面と接触しないため、共振周波数が蓋体2の内寸で決まるようになり、蓋体2が熱や振動によって変動しても共振周波数を規定する内寸が変化しないため、共振周波数の変化を抑制することができる。これにより、ケーシング本体1に内蔵した高周波回路4から見た空間のインピーダンスが変化せず、内蔵した高周波回路4の伝送特性が安定する。
Thus, according to the first embodiment, even when the
ところで、実施の形態1の場合は、ケーシング本体1の4辺の側壁部1a〜1dのうちの最高2辺にしか切欠き部30を形成することができない。図4に示すシールドケース3において、ケーシング本体のx方向の寸法をx1とし、y方向の寸法をy1し、x1>y1、y1<λ/2、x1>λ/2とする。このような場合に、本実施の形態1の発明が有効であり、4つの側壁部1a〜1dのうちの側壁部1a,1cに切欠き部30を形成する。
By the way, in the case of Embodiment 1, the
図9は、実施の形態1の変形形態を示すものである。図9に示すシールドケース3においては、切欠き部30をケーシング本体1を構成する4辺の側壁部1a〜1dのうちの1辺の側壁部1cのみに形成するようにしている。このような構成でも、従来技術に比べれば、蓋体2の変動によるシールドケース3の共振周波数の変化を抑制できるという効果がある。
FIG. 9 shows a modification of the first embodiment. In the shield case 3 shown in FIG. 9, the
実施の形態2.
つぎに、図10を用いてこの発明の実施の形態2について説明する。図10に示す実施の形態2のシールドケース43は、実施の形態1の蓋体2と同様の蓋体42と、実施の形態1のケーシング本体1と同様、4辺の側壁部のうちの対向する2辺に切欠き部30が形成されたケーシング本体41とから構成されている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The
ただし、このケーシング本体41は、4つの側壁部の他に下板部41aを有し、この下板部41aの上に誘電体基板5が搭載されており、誘電体基板5の上に高周波回路4が搭載されている。高周波回路4は、誘電体基板5および同軸コネクタ45を介して外部に電気的に接続される。
However, the
このような構成のシールドケース43の場合でも、ケーシング本体41における4辺の側壁部のうちの対向する2辺に切欠き部30が形成されているので、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
Even in the case of the
実施の形態3.
つぎに、図11〜図13を用いてこの発明の実施の形態3について説明する。図11は実施の形態3のシールドケース50を示す断面図であり、図12はシールドケース50における蓋体52の平面図であり、図13は蓋体52が傾いて装着された状態のシールドケース50を示すものである。
Embodiment 3 FIG.
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 is a cross-sectional view showing the
実施の形態3のシールドケース50は、誘電体基板5上に配置されて内部に高周波回路4が収容される箱形の金属製のケーシング本体51と、箱形の金属製の蓋体2とから構成されている。ケーシング本体51は、上面部および下面部が開口されており、4つの側壁部51a〜51dから構成されている。また、このケーシング本体51は、先の実施の形態1とは異なり、側壁部51a,51cに切欠き部30が形成されておらず、図14に示した従来の筐体100と同様の構成を採用している。
The
実施の形態3のシールドケース50においては、ケーシング本体51を構成する4つの側壁部51a〜51dの上面と、蓋体52の上板部内側とが当接する箇所に、電気的絶縁性を有する絶縁体53を設けるようにしている。実施の形態3においては、絶縁体53を蓋体52の上板部内側(上板部の裏面側)に取り付けているが、絶縁体53をケーシング本体51を構成する4つの側壁部の上面に張付けるようにしてもよい。
In the
実施の形態3のシールドケース50の場合、図11に示すように、蓋体52がケーシング本体51に正常に嵌め込まれたとき、側壁部51a〜51dの上には薄い平板状の絶縁体53が形成されていて、これら側壁部51a〜51dの上面と蓋体52の上板部内側とが電気的に接することがなく、実施の形態1のような空間が形成されているのと実質的に等価であるので、共振周波数を規定するx方向の寸法は、蓋体52の内寸法であるtとなる。
In the case of the
一方、図13に示すように、蓋体52がケーシング本体51に対し斜めに配置された状態のときには、絶縁体53と側壁部51a〜51dとの間には隙間がさらに形成されるだけであるので、共振周波数を規定するx方向の寸法は、蓋体2の内寸法であるt´となり、t´とtとの間には大きな変化はない。
On the other hand, as shown in FIG. 13, when the
このように、実施の形態3によれば、蓋体52を正常に装着した状態でも、蓋体52とケーシング本体51との間には絶縁体53が介在されていて、蓋体52はケーシング本体51の上面と接触しないため、共振周波数が蓋体52の内寸で決まるようになり、蓋体52が熱や振動によって変動しても共振周波数を規定する内寸が変化しないため、共振周波数の変化を抑制することができる。これにより、ケーシング本体51に内蔵した高周波回路4から見た空間のインピーダンスが変化せず、内蔵した高周波回路4の伝送特性が安定する。また、x,yの2次元方向に絶縁体53を配設することができるので、より共振周波数の変化を抑制することができる。
Thus, according to the third embodiment, the
なお、上記実施の形態3では、ケーシング本体51の4辺の全ての側壁部51a〜51d上に絶縁体53を設けるようにしたが、実施の形態1のように4辺の側壁部のうちの対向する2辺に絶縁体53を設けるようにしてもよく、さらには図9に示すように、1辺に絶縁体53を設けるようにしてもよい。また、ケーシング本体51と蓋体52との間に絶縁体53を介在させる実施の形態3の発明を、先図10に示す実施の形態2のシールドケース43に適用するようにしてもよい。また、上記では、蓋体52とケーシング本体51との間に、電気的絶縁性を有する絶縁体53を設けるようにしているが、空気に近い誘電率を有する誘電体(例えばテフロン(登録商標)材:誘電率≒2など)を絶縁体53として用いるようにしても、上記と同等の効果を有する。
In the third embodiment, the
以上のように、本発明にかかる高周波デバイスは、内部に高周波回路が収容されるケーシング本体と、ケーシング本体の上面開口部を覆う箱形の蓋体とを備える高周波デバイスに有用である。 As described above, the high-frequency device according to the present invention is useful for a high-frequency device including a casing body in which a high-frequency circuit is accommodated and a box-shaped lid that covers an upper surface opening of the casing body.
1 ケーシング本体
1a〜1d 側壁部(ケーシング本体)
2 蓋体
2e 上板部(蓋体)
2a〜2d 側板部(蓋体)
3 シールドケース
4 高周波回路
5 誘電体基板
6a 孔部
6b 突起
7 発振器
8 増幅器
9 ミクサ
20 マイクロストリップ線路
30 切欠き部
41 ケーシング本体
42 蓋体
43 シールドケース
45 同軸コネクタ
50 シールドケース
51 ケーシング本体
52 蓋体
53 絶縁体
70 接地導体
71 グランドビア
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Casing
2
2a-2d Side plate (lid)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3
Claims (4)
前記ケーシング本体の前記上面開口部を覆う箱形の金属製の蓋体と、
を備え、
前記ケーシング本体の複数の辺から成る側壁部の上面と、前記蓋体の上板部内側とが当接する箇所に絶縁体を設けるようにしたことを特徴とする高周波デバイス。 An opening is formed on the upper surface, and a metal casing body in which a high-frequency circuit is accommodated,
A box-shaped metal lid covering the upper surface opening of the casing body;
With
A high-frequency device characterized in that an insulator is provided at a location where an upper surface of a side wall portion comprising a plurality of sides of the casing main body and an inner side of an upper plate portion of the lid are in contact with each other.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009276762A JP5356200B2 (en) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | High frequency device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009276762A JP5356200B2 (en) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | High frequency device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005005033A Division JP4498934B2 (en) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | High frequency device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010062584A true JP2010062584A (en) | 2010-03-18 |
JP5356200B2 JP5356200B2 (en) | 2013-12-04 |
Family
ID=42188977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009276762A Expired - Fee Related JP5356200B2 (en) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | High frequency device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5356200B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9445535B2 (en) | 2012-11-05 | 2016-09-13 | Denso Corporation | High-frequency module |
KR20170092866A (en) * | 2016-02-04 | 2017-08-14 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor Package and Semiconductor Device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2009
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102475280B1 (en) | 2016-02-04 | 2022-12-07 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor Package and Semiconductor Device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5356200B2 (en) | 2013-12-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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