JP2010062478A - Manufacturing method for circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、多層プリント配線板などの回路基板の製造方法、特に、ソルダーレジスト層にビアホールが形成された回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a circuit board such as a multilayer printed wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a circuit board in which a via hole is formed in a solder resist layer.
各種電子機器に広く使用されている多層プリント配線板、フレキシブルプリント配線板等の回路基板は、電子機器の小型化、高機能化のために、層の薄型化や回路の微細配線化が求められている。
これらの回路基板では、図４に示すように、該回路基板２０の表面にソルダーレジスト層１０を形成し、該ソルダーレジスト層に設けた開口部であるビアホール（via hole）１１内にＩＣ等の電子部品との外部接続用の半田付けランドが設けてある。図の例では、回路基板２０は、ベース基板である絶縁層２１と回路部分（導体層）２２とからなる積層体である。そして、ビアホール１１を除く回路部分２２はソルダーレジスト層１０で被覆され、回路基板２０に電子部品を半田付けする際、該ソルダーレジスト層１０は、半田が不要な部分に付着するのを防止すると共に、回路基板２０の腐食を保護する永久保護膜となる。ソルダーレジストとしては、従来、一般的に感光性樹脂組成物が選択され、開口デザインのマスクを介してソルダーレジストを感光、架橋させ、未露光部分をアルカリ性水溶液などで溶解除去（現像）することによって形成していた。開口部を除く回路部分はソルダーレジスト層で被覆され、回路基板に電子部品を半田付けする際、該ソルダーレジスト層は、半田が不要な部分に付着するのを防止すると共に、回路基板の腐食を保護する永久保護膜となる。
Circuit boards such as multilayer printed wiring boards and flexible printed wiring boards widely used in various electronic devices are required to have thinner layers and finer circuit wiring in order to make electronic devices smaller and more functional. ing.
In these circuit boards, as shown in FIG. 4, a solder resist layer 10 is formed on the surface of the circuit board 20, and an IC or the like is placed in a via hole 11 which is an opening provided in the solder resist layer. Solder lands for external connection with electronic components are provided. In the example of the figure, the circuit board 20 is a laminated body including an insulating layer 21 that is a base substrate and a circuit portion (conductor layer) 22. The circuit portion 22 excluding the via hole 11 is covered with a solder resist layer 10, and when soldering an electronic component to the circuit board 20, the solder resist layer 10 prevents solder from adhering to an unnecessary portion. It becomes a permanent protective film that protects the corrosion of the circuit board 20. Conventionally, a photosensitive resin composition is generally selected as the solder resist, and the solder resist is exposed and cross-linked through an opening design mask, and the unexposed portion is dissolved and removed (developed) with an alkaline aqueous solution or the like. Was forming. The circuit part excluding the opening is covered with a solder resist layer, and when soldering electronic components to the circuit board, the solder resist layer prevents the solder from adhering to unnecessary parts and also prevents the circuit board from corroding. It becomes a permanent protective film to protect.
しかし、フォトリソグラフィーによる方法では、感光性の材料に限られ、近年の回路基板の薄型化や微細配線化に充分対応できないという問題が生じている。このような問題に対応するため、例えば、特許文献１に、ソルダーレジストの材料として、熱硬化性樹脂組成物を使用し、開口部の形成方法として、レーザーを用いてソルダーレジスト層の半田付けランドに対応する部分にビアホールを形成する方法が開示されている。 However, the photolithography method is limited to photosensitive materials, and there is a problem that it cannot sufficiently cope with the recent thinning and fine wiring of circuit boards. In order to cope with such a problem, for example, in Patent Document 1, a thermosetting resin composition is used as a solder resist material, and a soldering land for a solder resist layer is formed using a laser as a method for forming an opening. A method of forming a via hole in a portion corresponding to is disclosed.
また、その半田付けランド部のビア底には、スミアとしてのソルダーレジスト残渣が付着するため、その後のめっき処理工程でめっきされない部分が生じやすく、半田接続不良を起こすことが問題であるので、このスミアを除く工程（デスミア処理）を設ける必要がある。 Also, since solder resist residue as smear adheres to the bottom of the via of the soldering land part, a portion that is not plated tends to occur in the subsequent plating process, and this causes a problem of poor solder connection. It is necessary to provide a process for removing smear (desmear treatment).
しかしながら、デスミア処理の工程はスミア除去だけでなく、永久保護膜としてのソルダーレジスト層表面にもダメージを与えるため、ソルダーレジストの特性が損なわれるという問題がある。 However, the desmear treatment process not only removes smear but also damages the surface of the solder resist layer as a permanent protective film, so that the characteristics of the solder resist are impaired.
上記デスミア処理の問題に対応する方法としては、例えば、特許文献２に、酸化剤溶液等を使用した湿式法によるデスミア処理への耐性向上の目的で、ソルダーレジスト層をデスミアされ易い層／され難い層の２層構造とすることが開示されている。しかし、従来１層であったものを２層構造とするため、工程及びコストが増大するという問題がある。 As a method for dealing with the problem of the desmear treatment, for example, Patent Document 2 discloses that a solder resist layer is / is difficult to be subjected to desmearing for the purpose of improving resistance to desmear treatment by a wet method using an oxidant solution or the like. It is disclosed to have a two-layer structure of layers. However, since the conventional one-layer structure has a two-layer structure, there is a problem that the process and cost increase.
一方、特許文献３には、プラズマを使用した乾式法によるデスミア処理への耐性向上の目的で、ビアホール形成後、ソルダーレジスト表面全体にカバーフィルムを貼り付け、プラズマによるデスミア処理を行い、その後カバーフィルムを除去する方法が開示されている。しかし本方法も、カバーフィルムを接着及び剥離する工程や、カバーフィルムを剥がした後に残る接着剤を除去するオゾン処理工程が必要となるなど、工程及びコストが増大するという問題があった。
また上記問題に加え、レーザー光照射によるビアホール形成は、高速に加工するため強いエネルギーで加工を行った場合、ソルダーレジスト層表面付近に加わるダメージが大きく、ビア周辺の凹凸の程度が大きくなり、特に微細なランド周辺においては、半田接続ショート不良となるなどの問題があることが分かった。 In addition to the above problems, via hole formation by laser light irradiation is a high-speed processing, so when processing with strong energy, the damage applied to the surface of the solder resist layer is large, and the degree of unevenness around the via increases. It has been found that there are problems such as short solder connection failure around the fine land.
従って本発明は、レーザー光により、ソルダーレジスト層の表面にダメージを与えることなくビアホールを形成することができ、かつ、ビア底に付着したスミアを除去する工程においても、ソルダーレジスト層表面のダメージを与えない回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can form a via hole without damaging the surface of the solder resist layer by laser light, and can also damage the surface of the solder resist layer even in the process of removing smear attached to the via bottom. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a circuit board that is not provided.
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、回路基板上に形成されたソルダーレジスト層に、該ソルダーレジスト層表面に接着したプラスチックフィルム上から、レーザー光を照射してビアホールを形成することにより、ソルダーレジスト層表面のダメージが抑制され、かつ、ビアホールを形成後、プラスチックフィルムとソルダーレジスト層が接着した状態で、デスミア処理を行う工程を行うことにより、ソルダーレジスト層表面にダメージを与えることなくスミアを除去できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。 As a result of diligent research to solve the above problems, the present inventors have radiated a laser beam on a solder resist layer formed on a circuit board from a plastic film adhered to the surface of the solder resist layer to form a via hole. By forming, damage to the surface of the solder resist layer is suppressed, and after forming a via hole, the surface of the solder resist layer is damaged by performing a process of desmearing with the plastic film and the solder resist layer adhered. The present inventors have found that smear can be removed without imparting water. That is, the present invention includes the following contents.
（１）回路基板上に形成されたソルダーレジスト層に、該ソルダーレジスト層表面に接着したプラスチックフィルム上から、レーザー光を照射してビアホールを形成する工程を含むこと特徴とする、回路基板の製造方法。
（２）プラスチックフィルム上に熱硬化性樹脂組成物層が形成された接着性フィルムを、熱硬化性樹脂組成物層が回路基板表面に接するように重ねて積層し、熱硬化性樹脂組成物を熱硬化してソルダーレジスト層を形成後、プラスチックフィルム層上よりレーザーを照射して、ビアホールを形成する工程を含むこと特徴とする、回路基板の製造方法。
（３）プラスチックフィルムが離型処理されており、プラスチックフィルムが離型処理面でソルダーレジスト層と接着している、上記（１）または（２）記載の方法。
（４）プラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムである、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の方法。
（５）プラスチックフィルムの厚みが１０〜５０μｍであり、ソルダーレジスト層の厚みが８〜５０μｍである、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の方法。
（６）レーザー光の光源が炭酸ガスレーザー装置である、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の方法。
（７）ビアホールの形成後、プラスチックフィルムとソルダーレジスト層が接着した状態で、デスミア処理を行う工程をさらに含む、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の方法。
（８）デスミア処理がアルカリ性過マンガン酸溶液により行われる、上記（７）記載の方法。
（９）プラスチックフィルムをソルダーレジスト層から剥離する工程をさらに含む、上記（７）または（８）記載の方法。
（１０）ビアホール底に露出した回路基板の導体層の表面処理を行う工程をさらに含む、上記（７）〜（９）のいずれかに記載の方法。
(1) Manufacturing of a circuit board, comprising a step of irradiating a solder resist layer formed on a circuit board with a laser beam from a plastic film adhered to the surface of the solder resist layer to form a via hole Method.
(2) The adhesive film in which the thermosetting resin composition layer is formed on the plastic film is laminated so that the thermosetting resin composition layer is in contact with the circuit board surface, and the thermosetting resin composition is formed. A method of manufacturing a circuit board, comprising: forming a via hole by irradiating a laser beam on a plastic film layer after forming a solder resist layer by thermosetting.
(3) The method according to (1) or (2) above, wherein the plastic film is subjected to a release treatment, and the plastic film is adhered to the solder resist layer on the release treatment surface.
(4) The method according to any one of (1) to (3) above, wherein the plastic film is a polyethylene terephthalate film.
(5) The method according to any one of (1) to (4) above, wherein the plastic film has a thickness of 10 to 50 μm and the solder resist layer has a thickness of 8 to 50 μm.
(6) The method according to any one of (1) to (5), wherein the laser light source is a carbon dioxide laser device.
(7) The method according to any one of (1) to (6), further including a step of performing a desmear treatment in a state where the plastic film and the solder resist layer are adhered after the formation of the via hole.
(8) The method according to (7) above, wherein the desmear treatment is performed with an alkaline permanganate solution.
(9) The method according to (7) or (8) above, further comprising a step of peeling the plastic film from the solder resist layer.
(10) The method according to any one of (7) to (9), further including a step of performing a surface treatment on the conductor layer of the circuit board exposed at the bottom of the via hole.
本発明によれば、回路基板を製造する工程において、レーザー光照射によるビアホール形成及びデスミア処理を、簡便なプロセスで、かつソルダーレジスト層表面にダメージを与えることなく行うことができ、信頼性に優れた回路基板を製造することができる。 According to the present invention, in the process of producing a circuit board, via hole formation and desmear treatment by laser light irradiation can be performed by a simple process and without damaging the surface of the solder resist layer, and excellent in reliability. Circuit boards can be manufactured.
本発明の回路基板の製造方法では、図１（ｃ）に断面を示すように、回路基板３上に形成されたソルダーレジスト層１に対し、該ソルダーレジスト層表面に接着したプラスチックフィルム２の上からレーザー光Ｌ１を照射し、プラスチックフィルム２に貫通孔を形成すると共に、その直下のソルダーレジスト層１にビアホール４を形成する。
図１（ｃ）の例では、回路基板３は、ベース基板である絶縁層３ｂと回路部分（パターン化された導体層）３ａとからなる２層の積層体である。導体層３ａは、絶縁層３ｂの上面全体に広がる均一な層のように描かれているが、回路基板として使用可能な回路パターンとして形成されている。
ソルダーレジスト層表面にプラスチックフィルムを接着する手段としては、例えば、回路基板上にワニス状の熱硬化性樹脂組成物で熱硬化性樹脂組成物層を形成し、その上にプラスチックフィルムを積層してから、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化してソルダーレジスト層を形成する方法なども挙げられるが、工業的生産に最も適した方法としては、図１（ａ）に示すように、プラスチックフィルム２を支持体として使用し、該プラスチックフィルム２上に、熱硬化性樹脂組成物層１ａを形成して接着性フィルムを調製し、該接着性フィルムを熱硬化性樹脂組成物層１ａが回路基板３の表面に接するように重ねて積層してから、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させてソルダーレジスト層１とする方法が挙げられる。
In the method of manufacturing a circuit board according to the present invention, as shown in a cross section in FIG. 1 (c), the solder resist layer 1 formed on the circuit board 3 is placed on the plastic film 2 adhered to the surface of the solder resist layer. Then, a laser beam L1 is irradiated to form a through hole in the plastic film 2, and a via hole 4 is formed in the solder resist layer 1 immediately below the through hole.
In the example of FIG. 1C, the circuit board 3 is a two-layer laminate including an insulating layer 3b as a base substrate and a circuit portion (patterned conductor layer) 3a. The conductor layer 3a is drawn as a uniform layer extending over the entire top surface of the insulating layer 3b, but is formed as a circuit pattern that can be used as a circuit board.
As a means for adhering the plastic film to the surface of the solder resist layer, for example, a thermosetting resin composition layer is formed with a varnish-like thermosetting resin composition on a circuit board, and the plastic film is laminated thereon. From the above, a method of forming a solder resist layer by thermosetting the thermosetting resin composition layer is also exemplified. As a method most suitable for industrial production, as shown in FIG. 2 is used as a support, a thermosetting resin composition layer 1a is formed on the plastic film 2 to prepare an adhesive film, and the thermosetting resin composition layer 1a is used as a circuit board. 3, after being laminated so as to be in contact with the surface of 3, as shown in FIG. 1B, the thermosetting resin composition layer is thermally cured to form a solder resist layer 1.
本発明にいう「回路基板」は、絶縁層と導体層（該導体層は、上記のとおり、回路パターンとして形成されたものであるが、パターン化されていない金属層であってよい）とを有するものであれば、特に限定はされず、多層プリント配線板、フレキシブルプリント配線板等の各種回路基板が含まれる。なお導体層表面はエッチング等により予め粗化処理が施されていた方がソルダーレジスト層の回路基板への密着性の観点から好ましい。導体層の材料としては、一般に銅が使用される。 The “circuit board” referred to in the present invention includes an insulating layer and a conductor layer (the conductor layer is formed as a circuit pattern as described above, but may be an unpatterned metal layer). If it has, it will not specifically limit, Various circuit boards, such as a multilayer printed wiring board and a flexible printed wiring board, are included. The surface of the conductor layer is preferably roughened by etching or the like from the viewpoint of adhesion of the solder resist layer to the circuit board. As a material for the conductor layer, copper is generally used.
本発明における、「プラスチックフィルム」の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムが好ましく、特に安価なポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。 In the present invention, as a material for the “plastic film”, polyesters such as polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”), polycarbonate, and the like. (Hereinafter, it may be abbreviated as “PC.”), Acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, polyimide and the like. It is done. Among these, a polyethylene terephthalate film and a polyethylene naphthalate film are preferable, and an inexpensive polyethylene terephthalate film is particularly preferable.
なお、プラスチックフィルムは、ビアホール形成後にソルダーレジスト層表面から剥離可能とするために、ソルダーレジスト層との接触面が離型処理されているプラスチックフィルムを用いるのが好ましい。特に接着性フィルムの熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化してソルダーレジスト層を形成する場合には、接着性フィルムの支持体となるプラスチックフィルムの熱硬化性樹脂組成物層との接触面に離型処理がされていないと、一般に、熱硬化後にソルダーレジスト層表面よりプラスチックフィルムを剥離するのが困難となる場合が多いので、離型処理されているプラスチックフィルムの使用が望ましい。
離型処理に使用する離型剤としては、ソルダーレジスト層表面からプラスチックフィルムが剥離可能であれば特に限定されず、例えば、フッ素系離型剤、シリコーン系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤等が挙げられる。離型剤は異なる種類のものを混合して用いてもよい。また、プラスチックフィルム表面はマット処理、コロナ処理等が施されていてもよく、該コロナ処理表面上にさらに離型処理が施されていてもよい。また、プラスチックフィルムは、カーボンブラック等のカーボン粉、金属化合物粉、金属粉、黒色染料等のレーザーエネルギー吸収性成分を含有していてもよい。
In addition, it is preferable to use the plastic film in which the contact surface with the solder resist layer is subjected to a release treatment so that the plastic film can be peeled off from the surface of the solder resist layer after the via hole is formed. In particular, when a thermosetting resin composition layer of an adhesive film is thermoset to form a solder resist layer, the contact surface with the thermosetting resin composition layer of a plastic film that is a support for the adhesive film is used. If the mold release treatment is not performed, it is generally difficult to peel the plastic film from the surface of the solder resist layer after heat curing. Therefore, it is desirable to use a plastic film that has been subjected to a mold release treatment.
The release agent used for the release treatment is not particularly limited as long as the plastic film can be peeled from the surface of the solder resist layer. For example, a fluorine release agent, a silicone release agent, an alkyd resin release agent Etc. Different types of release agents may be mixed and used. The plastic film surface may be subjected to mat treatment, corona treatment or the like, and may further be subjected to mold release treatment on the corona treatment surface. The plastic film may contain a laser energy absorbing component such as carbon powder such as carbon black, metal compound powder, metal powder, and black dye.
ソルダーレジスト層と接するプラスチックフィルム表面は、ソルダーレジスト層の表面平坦性の観点から、算術平均粗さ（Ｒａ）を５０ｎｍ以下（０以上５０ｎｍ以下）、さらには４０ｎｍ以下、さらには３５ｎｍ以下、さらには３０ｎｍ以下とするのが好ましい。算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定は、公知の方法を用いることができ、例えば、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ ＮＴ３３００）等の装置を用いて測定することができる。 From the viewpoint of the surface flatness of the solder resist layer, the plastic film surface in contact with the solder resist layer has an arithmetic average roughness (Ra) of 50 nm or less (0 to 50 nm), further 40 nm or less, further 35 nm or less, The thickness is preferably 30 nm or less. The arithmetic average roughness (Ra value) can be measured using a known method, for example, using a non-contact type surface roughness meter (WYKO NT3300 manufactured by Beec Instruments) or the like.
プラスチックフィルムの厚み（離型処理されたプラスチックフィルムの場合は離型層も含む総厚み）は、１０〜５０μｍの範囲が好ましく、１２〜４５μｍの範囲がより好ましく、１６〜３８μｍの範囲がより好ましい。プラスチックフィルムの厚みが１０μｍ未満では、回路上の平坦性が低下する傾向となり、５０μｍを越えると、コスト高の傾向となり、好ましくない。なお、離型処理されたプラスチックフィルムにおける離型層の厚みは通常０．０５〜２μｍ程度である。 The thickness of the plastic film (total thickness including the release layer in the case of a release-treated plastic film) is preferably in the range of 10 to 50 μm, more preferably in the range of 12 to 45 μm, and more preferably in the range of 16 to 38 μm. . If the thickness of the plastic film is less than 10 μm, the flatness on the circuit tends to decrease, and if it exceeds 50 μm, the cost tends to increase, which is not preferable. In addition, the thickness of the release layer in the plastic film subjected to the release treatment is usually about 0.05 to 2 μm.
プラスチックフィルムは市販のものを用いることもでき、例えば、Ｔ６０(東レ（株）製、ポリエチレンテレフタレートフィルム、Ｒａ＝２２ｎｍ)、Ａ４１００（東洋紡（株）製、ポリエチレンテレフタレートフィルム、平滑面側Ｒａ＝１２ｎｍ）、Ｑ８３（帝人デュポンフィルム（株）製、ポリエチレンナフタレートフィルム、平滑面側Ｒａ＝３２ｎｍ）、ダイアホイルOＢ１００（三菱化学ポリエステルフィルム（株）製、ポリエチレンテレフタレートフィルム）、リンテック（株）製のアルキッド樹脂系離型剤ＳＫ−１、ＡＬ−５、ＡＬ−７等で処理されたプラスチックフィルムなどが挙げられる。 A commercially available plastic film can also be used, for example, T60 (manufactured by Toray Industries, Inc., polyethylene terephthalate film, Ra = 22 nm), A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., polyethylene terephthalate film, smooth surface side Ra = 12 nm). , Q83 (manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd., polyethylene naphthalate film, smooth surface Ra = 32 nm), Diafoil OB100 (manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd., polyethylene terephthalate film), Alkyd resin manufactured by Lintec Corporation Examples thereof include a plastic film treated with a series release agent SK-1, AL-5, AL-7 or the like.
ソルダーレジスト層を形成する熱硬化性樹脂組成物は、その硬化物が、十分な耐熱性、耐薬品性と絶縁性を有し、ソルダーレジスト層として適したものであれば、特に限定なく使用でき、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の熱硬化性樹脂にその硬化剤を少なくとも配合した組成物が使用される。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する組成物が好ましく、例えば、（ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）熱可塑性樹脂と、（ｃ）硬化剤とを、少なくとも含有する組成物が好ましい。 The thermosetting resin composition for forming the solder resist layer can be used without particular limitation as long as the cured product has sufficient heat resistance, chemical resistance and insulation and is suitable as a solder resist layer. For example, a composition in which at least the curing agent is blended with a thermosetting resin such as an epoxy resin, a cyanate ester resin, a phenol resin, a bismaleimide-triazine resin, a polyimide resin, an acrylic resin, or a vinylbenzyl resin is used. A composition containing an epoxy resin as the thermosetting resin is preferable. For example, a composition containing at least (a) an epoxy resin, (b) a thermoplastic resin, and (c) a curing agent is preferable.
上記（ａ）のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物、及びアルコール類のジグリシジルエーテル化物、並びにこれらのエポキシ樹脂のアルキル置換体、ハロゲン化物及び水素添加物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を使用するか２種以上を混合して用いてもよい。 Examples of the epoxy resin (a) include, for example, bisphenol A type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, Alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, bisphenol A novolac epoxy resin, anthracene epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, diglycidyl etherified product of bisphenol , Diglycidyl etherified products of naphthalenediol, glycidyl etherified products of phenols, and diglycidyl etherified products of alcohols, and alkyls of these epoxy resins Recombinants, and halides and hydrogenated products or the like. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
エポキシ樹脂は、これらの中でも、耐熱性、絶縁信頼性、密着性の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ］）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）、ナフトール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂(日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ４０００」）などが挙げられる。 Among these, the epoxy resin is preferably a bisphenol A type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, or an epoxy resin having a butadiene structure, from the viewpoint of heat resistance, insulation reliability, and adhesion. . Specifically, for example, liquid bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 828EL” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), naphthalene type bifunctional epoxy resin (“HP4032”, “HP4032D” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) ), Naphthalene type tetrafunctional epoxy resin ("HP4700" manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), naphthol type epoxy resin ("ESN-475V" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), epoxy resin having a butadiene structure (Daicel Chemical) “PB-3600” manufactured by Kogyo Co., Ltd., epoxy resins having a biphenyl structure (“NC3000H”, “NC3000L”, “NC3100” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “YX4000” manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), etc. Can be mentioned.
上記（ｂ）の熱可塑性樹脂は、硬化後の組成物に適度な可撓性を付与する等の目的で配合されるものであり、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン等が挙げられる。これらはいずれか１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。当該熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．５〜６０質量％の割合で配合するのが好ましく、より好ましくは３〜５０質量％である。熱可塑性樹脂の配合割合が０．５質量％未満の場合、樹脂組成物粘度が低いために、均一な熱硬化性樹脂組成物層を形成することが難しくなる傾向となり、６０質量％を超える場合、樹脂組成物の粘度が高くなり過ぎて、回路上の配線パターンへの埋め込みが困難になる傾向となる。 The thermoplastic resin (b) is blended for the purpose of imparting appropriate flexibility to the cured composition, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide, polyamideimide, poly Examples include ether sulfone and polysulfone. These may be used alone or in combination of two or more. The thermoplastic resin is preferably blended at a rate of 0.5 to 60% by mass, more preferably 3 to 50% by mass, when the nonvolatile component of the thermosetting resin composition is 100% by mass. When the blending ratio of the thermoplastic resin is less than 0.5% by mass, since the viscosity of the resin composition is low, it tends to be difficult to form a uniform thermosetting resin composition layer, and exceeds 60% by mass. The viscosity of the resin composition becomes too high, and it tends to be difficult to embed it in the wiring pattern on the circuit.
フェノキシ樹脂の具体例としては、例えば、東都化成（株）製ＦＸ２８０、ＦＸ２９３、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＸ８１００、ＹＬ６９５４、ＹＬ６９７４等が挙げられる。 Specific examples of the phenoxy resin include, for example, FX280, FX293 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., YX8100, YL6954, YL6974 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., and the like.
ポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルブチラール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製、電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製エスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。 The polyvinyl acetal resin is preferably a polyvinyl butyral resin, and specific examples of the polyvinyl acetal resin include Denki Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co., Ltd. Examples include ESREC BH series, BX series, KS series, BL series, and BM series.
ポリイミドの具体例としては、新日本理化（株）製のポリイミド「リカコートＳＮ２０」および「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。また、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報、特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。 Specific examples of polyimide include polyimide “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. In addition, linear polyimides obtained by reacting bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadienes, diisocyanate compounds and tetrabasic acid anhydrides (described in JP-A-2006-37083), polysiloxane skeleton-containing polyimides (JP-A-2002-2002). And modified polyimides such as those described in JP-A No. 12667 and JP-A No. 2000-319386.
ポリアミドイミドの具体例としては、東洋紡績（株）製のポリアミドイミド「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」および「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。また、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。 Specific examples of the polyamideimide include polyamideimides “Vilomax HR11NN” and “Vilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. Further, modified polyamideimides such as polysiloxane skeleton-containing polyamideimides “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. can be mentioned.
ポリエーテルスルホンの具体例としては、住友化学（株）社製のポリエーテルスルホン「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。 Specific examples of the polyethersulfone include polyethersulfone “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
ポリスルホンの具体例としては、ソルベンアドバンストポリマーズ（株）社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。 Specific examples of the polysulfone include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solven Advanced Polymers Co., Ltd.
上記（ｃ）の硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの、ベンゾオキサジン樹脂、シアネートエステル樹脂等を挙げることができる。中でも、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、シアネートエステル樹脂が好ましい。なお、本発明において、硬化剤は１種であっても２種以上を併用してもよい。 Examples of the curing agent (c) include amine curing agents, guanidine curing agents, imidazole curing agents, phenol curing agents, naphthol curing agents, acid anhydride curing agents, active ester curing agents, Alternatively, these epoxy adducts, microencapsulated ones, benzoxazine resins, cyanate ester resins and the like can be mentioned. Of these, phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, and cyanate ester resins are preferable. In addition, in this invention, a hardening | curing agent may be 1 type, or may use 2 or more types together.
フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、ＭＥＨ−７７００、ＭＥＨ−７８１０、ＭＥＨ−７８５１（明和化成（株）製）、ＮＨＮ、ＣＢＮ、ＧＰＨ（日本化薬（株）製）、ＳＮ１７０、ＳＮ１８０、ＳＮ１９０、ＳＮ４７５、ＳＮ４８５、ＳＮ４９５、ＳＮ３７５、ＳＮ３９５（東都化成（株）製）、ＬＡ７０５２、ＬＡ７０５４、ＬＡ３０１８、ＬＡ１３５６（大日本インキ化学工業（株）製）等が挙げられる。 Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include, for example, MEH-7700, MEH-7810, MEH-7851 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), NHN, CBN, GPH (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) ), SN170, SN180, SN190, SN475, SN485, SN495, SN375, SN395 (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), LA7052, LA7054, LA3018, LA1356 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), and the like.
また、シアネートエステル樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。市販されているシアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量１２４）やビスフェノールＡジシアネートの一部または全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０」、シアネート当量２３２）等が挙げられる。 Specific examples of the cyanate ester resin include, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4′-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3, Bifunctional cyanate resins such as 5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, bis (4-cyanatephenyl) ether , Phenol novolac Examples include polyfunctional cyanate resins derived from cresol novolac, prepolymers in which these cyanate resins are partially triazines, etc. Commercially available cyanate ester resins include phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins (Lonza Japan ( "PT30" manufactured by Co., Ltd., cyanate equivalent 124), and prepolymers in which a part or all of bisphenol A dicyanate is triazine-modified to form a trimer ("BA230" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., cyanate equivalent 232) and the like. It is done.
エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率は、フェノール系硬化剤またはナフトール系硬化剤の場合、エポキシ樹脂のエポキシ当量１に対してこれら硬化剤のフェノール性水酸基当量が０．４〜２．０の範囲となる比率が好ましく、０．５〜１．０の範囲となる比率がより好ましい。シアネートエステル樹脂の場合は、エポキシ当量１に対してシアネート当量が０．３〜３．３の範囲となる比率が好ましく、０．５〜２の範囲となる比率がより好ましい。 In the case of a phenolic curing agent or a naphthol curing agent, the blending ratio of the epoxy resin and the curing agent is such that the phenolic hydroxyl group equivalent of these curing agents is in the range of 0.4 to 2.0 with respect to the epoxy equivalent 1 of the epoxy resin. The ratio which becomes and the ratio which becomes the range of 0.5-1.0 is more preferable. In the case of a cyanate ester resin, a ratio in which the cyanate equivalent is in the range of 0.3 to 3.3 with respect to the epoxy equivalent 1 is preferable, and a ratio in the range of 0.5 to 2 is more preferable.
なお、当該熱硬化性樹脂組成物には、硬化剤に加え、硬化促進剤をさらに配合することができ、このような硬化促進剤としては、イミダゾール系化合物、有機ホスフィン系化合物等が挙げられ、具体例としては、例えば、２−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィンなどを挙げることができる。硬化促進剤を用いる場合、エポキシ樹脂に対して０．１〜３．０質量％の範囲で用いるのが好ましい。なお、エポキシ樹脂硬化剤にシアネートエステル樹脂を使用する場合には、硬化時間を短縮する目的で、従来からエポキシ樹脂組成物とシアネート化合物とを併用した系で硬化触媒として用いられている有機金属化合物を添加してもよい。有機金属化合物としては、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅化合物、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛化合物、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト化合物などが挙げられる。有機金属化合物の添加量は、シアネートエステル樹脂に対し、金属換算で通常１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは２５〜２００ｐｐｍの範囲である。 In addition to the curing agent, the thermosetting resin composition can further contain a curing accelerator. Examples of such a curing accelerator include imidazole compounds and organic phosphine compounds. Specific examples include 2-methylimidazole and triphenylphosphine. When using a hardening accelerator, it is preferable to use in 0.1-3.0 mass% with respect to an epoxy resin. In the case of using a cyanate ester resin as an epoxy resin curing agent, an organometallic compound conventionally used as a curing catalyst in a system in which an epoxy resin composition and a cyanate compound are used together for the purpose of shortening the curing time. May be added. Examples of organometallic compounds include organic copper compounds such as copper (II) acetylacetonate, organic zinc compounds such as zinc (II) acetylacetonate, and organic compounds such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate. A cobalt compound etc. are mentioned. The addition amount of the organometallic compound is usually in the range of 10 to 500 ppm, preferably 25 to 200 ppm in terms of metal with respect to the cyanate ester resin.
また、当該熱硬化性樹脂組成物には、硬化後の組成物の低熱膨張化のために、無機充填剤を含有させることができる。無機充填剤としては、例えば、シリカ、アルミナ、雲母、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン等が挙げられ、シリカ、アルミナが好ましく、特にシリカが好ましい。なお、無機充填剤は絶縁信頼性の観点から、平均粒径が３μｍ以下であるのが好ましく、平均粒径が１．５μｍ以下であるのがより好ましい。熱硬化性樹脂組成物中の無機充填剤の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした時、好ましくは２０〜６０質量％であり、より好ましくは２０〜５０質量％である。無機充填剤の含有量が２０質量％未満の場合、熱膨張率の低下効果が十分に発揮されない傾向にあり、無機充填剤の含有量が６０質量％を超えると、硬化物の機械強度が低下するなどの傾向となる。 Moreover, the said thermosetting resin composition can be made to contain an inorganic filler for the low thermal expansion of the composition after hardening. Examples of the inorganic filler include silica, alumina, mica, mica, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, and titanium oxide. Silica and alumina are preferable, and silica is particularly preferable. The inorganic filler preferably has an average particle size of 3 μm or less and more preferably 1.5 μm or less from the viewpoint of insulation reliability. The content of the inorganic filler in the thermosetting resin composition is preferably 20 to 60% by mass, more preferably 20 to 50% by mass when the nonvolatile component of the thermosetting resin composition is 100% by mass. %. When the content of the inorganic filler is less than 20% by mass, the effect of decreasing the coefficient of thermal expansion tends not to be sufficiently exhibited. When the content of the inorganic filler exceeds 60% by mass, the mechanical strength of the cured product decreases. It becomes a tendency to do.
熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等の難燃剤、シリコーンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等を挙げることができる。 Other components can be blended in the thermosetting resin composition as necessary. Examples of other components include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, flame retardants such as metal hydroxides, fillers such as silicone powder, nylon powder, and fluorine powder. Thickeners such as Orben and Benton, silicone-based, fluorine-based, polymer-based antifoaming or leveling agents, imidazole-based, thiazole-based, triazole-based, and silane-based coupling agents such as phthalocyanines, Coloring agents such as blue, phthalocyanine / green, iodin / green, disazo yellow, and carbon black can be used.
プラスチックフィルム上に熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着性フィルムは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解するとともに無機充填材等を分散させた樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて、支持フィルム上に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。 An adhesive film in which a thermosetting resin composition layer is formed on a plastic film is a method known to those skilled in the art, for example, a resin in which a thermosetting resin composition is dissolved in an organic solvent and an inorganic filler is dispersed. A varnish can be prepared, and this resin varnish can be produced by applying the resin varnish onto a support film using a die coater or the like, and drying the organic solvent by heating or blowing hot air to form a resin composition layer. it can.
熱硬化性樹脂組成物層の厚みは８〜５０μｍであるのが好ましく、１２〜４０μｍがより好ましい。絶縁層の厚みが８μｍ未満であると、導体層の厚みにもよるが回路基板に平坦に積層させることが困難となる傾向にあり、５０μｍを超えると、多層プリント配線板の薄型化に不向きである。なお、熱硬化性樹脂組成物層が熱硬化されて形成されるソルダーレジスト層の厚みも同様の理由で上記範囲内であるのが好ましい。 The thickness of the thermosetting resin composition layer is preferably 8 to 50 μm, and more preferably 12 to 40 μm. If the thickness of the insulating layer is less than 8 μm, although it depends on the thickness of the conductor layer, it tends to be difficult to laminate it flat on the circuit board. If the thickness exceeds 50 μm, it is not suitable for thinning the multilayer printed wiring board. is there. The thickness of the solder resist layer formed by thermosetting the thermosetting resin composition layer is preferably within the above range for the same reason.
接着性フィルムは、回路基板への積層を行うまでは、熱硬化性樹脂組成物層を覆って保護するための保護フィルムを有しているのが好ましい。保護フィルムは、熱硬化性樹脂組成物層の表面を物理的ダメージから守り、またゴミ等の異物付着を防止するなどの利点がある。このような保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル、ＰＣ、ポリイミド等のフィルムを挙げることができる。なお、保護フィルムにも、支持フィルムに使用するプラスチックフィルムと同様、マッド処理、コロナ処理の他、離型処理が施してあってもよい。保護フィルムの厚みは５〜３０μｍの範囲であるのが好ましい。 The adhesive film preferably has a protective film for covering and protecting the thermosetting resin composition layer until lamination to the circuit board is performed. The protective film has advantages such as protecting the surface of the thermosetting resin composition layer from physical damage, and preventing adhesion of foreign matters such as dust. Examples of such a protective film include polyolefin films such as polyethylene, polypropylene, and polyvinyl chloride, polyester films such as PET and PEN, PC, and polyimide films. In addition, the protective film may be subjected to a release treatment in addition to the mud treatment and the corona treatment, similarly to the plastic film used for the support film. The thickness of the protective film is preferably in the range of 5 to 30 μm.
本発明において、接着性フィルムを回路基板に積層し、接着性フィルムの熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する作業は従来の方法に準じて行うことができる。例えば、回路基板の片面または両面に接着性フィルムを重ね、ＳＵＳ鏡板等の金属板を用いて、加熱および加圧し、積層プレスを行う。この際の圧力は、好ましくは５〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２（４９×１０４〜３９２×１０４Ｎ／ｍ２）、温度は好ましくは１２０〜１８０℃、プレス時間は好ましくは２０〜１００分で行うことができる。加熱および加圧は、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板をプラスチックフィルム側からプレスすることにより行うことができるが、金属板を直接プレスするのではなく、回路基板の回路凹凸に接着シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスを行うのが好ましい。また、真空ラミネーターを使用して製造することもできる。この場合、接着性フィルムを、減圧下で、加熱および加圧し、回路基板に接着性フィルムをラミネートする。ラミネートは、温度が好ましくは７０〜１４０℃、圧力が好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８×１０４〜１０７．９×１０４Ｎ／ｍ２）の範囲で行われる。空気圧は好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で行われる。ラミネート工程の後に、好ましくは、金属板による熱プレスにより、ラミネートされた接着性フィルムの平滑化を行う。該平滑化工程は、常圧下（大気圧下）で、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板により、接着シートを加熱および加圧することにより行われる。加熱および加圧条件は、上記ラミネート工程と同様の条件を用いることができる。上記ラミネート工程および平滑化工程は、市販されている真空ラミネーターによって連続的に行うことができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製 真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。 In the present invention, the operation of laminating an adhesive film on a circuit board and thermosetting the thermosetting resin composition layer of the adhesive film to form an insulating layer can be performed according to a conventional method. For example, an adhesive film is overlapped on one or both sides of a circuit board, heated and pressed using a metal plate such as a SUS mirror plate, and a lamination press is performed. The pressure at this time is preferably 5 to 40 kgf / cm 2 (49 × 10 4 to 392 × 10 4 N / m 2 ), the temperature is preferably 120 to 180 ° C., and the press time is preferably 20 to 100 minutes. be able to. Heating and pressurization can be performed by pressing a heated metal plate such as a SUS mirror plate from the plastic film side. However, instead of directly pressing the metal plate, the adhesive sheet is sufficient for circuit irregularities on the circuit board It is preferable to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so as to follow. It can also be produced using a vacuum laminator. In this case, the adhesive film is heated and pressurized under reduced pressure, and the adhesive film is laminated on the circuit board. Lamination is preferably performed at a temperature of 70 to 140 ° C. and a pressure of preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ). The air pressure is preferably reduced under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. After the laminating step, the laminated adhesive film is preferably smoothed by hot pressing with a metal plate. The smoothing step is performed by heating and pressurizing the adhesive sheet with a heated metal plate such as a SUS mirror plate under normal pressure (atmospheric pressure). As heating and pressurizing conditions, the same conditions as in the laminating step can be used. The laminating step and the smoothing step can be continuously performed by a commercially available vacuum laminator. Examples of the commercially available vacuum laminator include a vacuum pressure laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton, and the like.
ラミネート工程の後、または平滑化工程の後、熱硬化工程を行う。熱硬化工程においては、樹脂組成物を熱硬化し、絶縁層を形成する。熱硬化条件は熱硬化性樹脂組成物の種類等によっても異なるが、一般に硬化温度が１５０〜１９０℃、硬化時間が１５〜９０分である。 After the laminating process or the smoothing process, a thermosetting process is performed. In the thermosetting step, the resin composition is thermoset to form an insulating layer. The thermosetting conditions vary depending on the type of the thermosetting resin composition, but generally the curing temperature is 150 to 190 ° C. and the curing time is 15 to 90 minutes.
回路基板上にソルダーレジスト層を形成後、該ソルダーレジスト層表面に接着したプラスチックフィルム上からレーザー光を照射して、半田付け用ランドとなる部分にビアホールを形成する。ビアホールの開口の大きさは、搭載する部品の微細度で選択されるが、トップ径４０〜５００μｍの範囲が一般的である。
レーザー光源としては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられるが、特に加工速度、コストの観点から炭酸ガスレーザーが好ましい。
After forming the solder resist layer on the circuit board, a laser beam is irradiated from above the plastic film adhered to the surface of the solder resist layer to form a via hole in a portion to be a soldering land. The size of the opening of the via hole is selected depending on the fineness of the component to be mounted, but the top diameter is generally in the range of 40 to 500 μm.
Examples of the laser light source include a carbon dioxide laser, a YAG laser, and an excimer laser, and a carbon dioxide laser is particularly preferable from the viewpoint of processing speed and cost.
炭酸ガスレーザー装置を用いる場合、一般に９．３〜１０．６μｍの波長のレーザー光が使用される。また、ショット数は、形成すべきビアホールの深さ、孔径によっても異なるが、通常１〜１０ショットの間で選択される。ビア加工速度を速め、回路基板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、１〜５ショットであるのが好ましく、１〜３ショットであるのがさらに好ましい。
炭酸ガスレーザー装置を用いる場合のレーザー光のエネルギーは、ショット数、ブラインドビアの深さ、金属膜層の厚さ、離型層の厚さにもよるが、好ましくは０．５ｍＪ以上に設定され、より好ましくは１ｍＪ以上、より好ましくは２ｍＪ以上に設定される。上限は２０ｍＪ以下が好ましく、１５ｍＪ以下がより好ましく、１０ｍＪ以下がより好ましく、５ｍＪ以下がさらに好ましい。レーザー光のエネルギーが高すぎると、ビアホールの下地導体層がダメージを受けやすくなるため、ショット数に応じて、上記範囲で最適なエネルギー値を選択するのが望ましい。なお、複数のショットで加工する場合、連続的なショットであるバーストモードは孔内に加工熱がこもり、ビア加工性に差が生じやすくなる傾向にあるため、時間的間隔を持たせた複数ショットである、サイクルモードが好ましい。
In the case of using a carbon dioxide laser device, laser light having a wavelength of 9.3 to 10.6 μm is generally used. The number of shots is usually selected from 1 to 10 shots, although it varies depending on the depth and diameter of the via hole to be formed. From the viewpoint of increasing the via processing speed and improving the productivity of the circuit board, it is preferable that the number of shots is small, preferably 1 to 5 shots, and more preferably 1 to 3 shots.
The energy of the laser beam when using a carbon dioxide laser device depends on the number of shots, the depth of the blind via, the thickness of the metal film layer, and the thickness of the release layer, but is preferably set to 0.5 mJ or more. More preferably, it is set to 1 mJ or more, more preferably 2 mJ or more. The upper limit is preferably 20 mJ or less, more preferably 15 mJ or less, more preferably 10 mJ or less, and even more preferably 5 mJ or less. If the energy of the laser beam is too high, the underlying conductor layer of the via hole is likely to be damaged. Therefore, it is desirable to select an optimum energy value within the above range according to the number of shots. In addition, when processing with multiple shots, burst mode, which is a continuous shot, tends to accumulate processing heat in the hole and tends to cause differences in via processability, so multiple shots with time intervals The cycle mode is preferred.
照射に用いられるレーザー光のパルス幅は特に限定されず、２８μｓのミドルレンジから４μｓ程度の短パルスまで広い範囲で選択可能であるが、一般的に高エネルギーの小径化工の場合、短パルスの方がビア加工形状に優れるとされている。 The pulse width of the laser beam used for irradiation is not particularly limited, and can be selected in a wide range from a middle range of 28 μs to a short pulse of about 4 μs. Is said to be excellent in the via processing shape.
なお、市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、三菱電機（株）ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ、日立ビアメカニクス（株）LC−Gシリーズ、松下溶接システム（株）基板穴あけレーザ加工機などが挙げられる。 Examples of commercially available carbon dioxide laser apparatuses include Mitsubishi Electric Corporation ML605GTWII, Hitachi Via Mechanics Corporation LC-G series, Matsushita Welding System Co., Ltd. substrate drilling laser processing machine, and the like.
回路基板の製造においては、一般に、ビアホールを形成後、デスミア処理が行われる。
本発明においては、プラスチックフィルムとソルダーレジスト層とが接着した状態でデスミア処理を行うことができる。この方法は、プラスチックフィルムがソルダーレジスト層を保護しており、デスミア処理によりソルダーレジスト層表面がダメージを受けるという制約がないため、ビアホール底のスミアの除去性にも優れた方法となる。本発明におけるデスミア処理は、公知の各種方法により行うことができ、好ましくは一般に使用されているプラズマによる乾式法と、アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤溶液を使用する湿式法が用いることができ、特に汎用性が高い、アルカリ性過マンガン酸溶液を使用した湿式法が好適に使用される。
In manufacturing a circuit board, a desmear process is generally performed after forming a via hole.
In the present invention, the desmear treatment can be performed in a state where the plastic film and the solder resist layer are adhered. In this method, the plastic film protects the solder resist layer, and there is no restriction that the surface of the solder resist layer is damaged by the desmear treatment. The desmear treatment in the present invention can be carried out by various known methods, preferably a dry method using plasma, which is generally used, and a wet method using an oxidizing agent solution such as an alkaline permanganate solution can be used. In particular, a wet method using an alkaline permanganate solution, which is particularly versatile, is preferably used.
プラズマデスミア装置としては、荏原ユージライト（株）製「大海」、積水化学（株）製常圧プラズマ処理装置など、市販されているものを使用することができる。 As the plasma desmear apparatus, commercially available apparatuses such as “Omi” manufactured by Sugawara Eugleite Co., Ltd. and atmospheric pressure plasma treatment apparatus manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. can be used.
アルカリ性過マンガン酸水溶液等の酸化剤でデスミア処理する場合、処理に先立って膨潤液による膨潤処理を行うのが好ましい。膨潤液には、例えば、アトテックジャパン（株）製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Swelling Dip Securiganth P）、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Swelling Dip Securiganth SBU）等を挙げることができる。膨潤処理は、通常６０〜８０℃程度に加熱した膨潤液に絶縁層を５〜１０分程度付すことで行われる。アルカリ性過マンガン酸水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。アルカリ性過マンガン酸水溶液による粗化処理は、通常６０〜８０℃、１０〜３０分程度付すことで行われる。アルカリ性過マンガン酸水溶液は、市販品としては、アトテックジャパン株式会社製のコンセントレート コンパクトＣＰ、ド−ジングソリューション セキュリガンスＰ、等が挙げられる。 When desmearing with an oxidizing agent such as an aqueous alkaline permanganate solution, it is preferable to perform a swelling treatment with a swelling liquid prior to the treatment. Examples of the swelling liquid include Swelling Dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth P) and Swelling Dip Securiganth SBU (ABUTECH Japan). The swelling treatment is usually performed by attaching an insulating layer to the swelling liquid heated to about 60 to 80 ° C. for about 5 to 10 minutes. Examples of the alkaline permanganate aqueous solution include a solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with the alkaline permanganic acid aqueous solution is usually performed at 60 to 80 ° C. for about 10 to 30 minutes. Examples of commercially available alkaline permanganate aqueous solutions include Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Dosing Solution Securigans P, and the like.
デスミア処理後、プラスチックフィルムを剥離する。剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。 After the desmear treatment, the plastic film is peeled off. Peeling may be carried out manually or mechanically by an automatic peeling device.
ビアホール底に露出した導体層表面には、信頼性や実装精度の向上、銅等の導体の酸化防止等の目的で、公知の各種表面処理を施してもよい。表面処理としては、耐熱プリフラックス処理、半田レベラー処理、鉛フリー半田レベラー処理、無電解ニッケル−金めっき処理、電解ニッケル−金めっき処理等が挙げられる。表面処理工程は、デスミア処理工程の後、プラスチックフィルムを剥離する工程の前又は後に行うことができる。なお、プラスチックフィルムとソルダーレジスト層間にめっき液が浸透するなど表面処理における不具合が予想される場合は、プラスチックフィルム剥離後に行うのが好ましい。 The surface of the conductor layer exposed at the bottom of the via hole may be subjected to various known surface treatments for the purpose of improving reliability and mounting accuracy and preventing oxidation of a conductor such as copper. Examples of the surface treatment include heat-resistant preflux treatment, solder leveler treatment, lead-free solder leveler treatment, electroless nickel-gold plating treatment, and electrolytic nickel-gold plating treatment. The surface treatment step can be performed after the desmear treatment step and before or after the step of peeling the plastic film. In addition, when the malfunction in surface treatment is anticipated, such as a plating solution osmose | permeating between a plastic film and a soldering resist layer, it is preferable to carry out after peeling a plastic film.
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明する。なお、以下の記載において材料の配合量を表す際に用いる「部」は「質量部」を意味する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. In the following description, “part” used when expressing the blending amount of the material means “part by mass”.
実施例１
（熱硬化性樹脂組成物ワニスの製造例１）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）２８部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）２８部とをメチルエチルケトン１５部とシクロヘキサノン１５部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ナフトール系硬化剤（東都化成（株）製「ＳＮ４８５」、フェノール性水酸基当量２１５）の固形分５０％のメチルエチルケトン溶液１１０部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、「ＳＯＣ２」（株）アドマテックス製）７０部、ポリビニルブチラール樹脂溶液（積水化学工業（株）製「ＫＳ１」の固形分１５％のエタノールとトルエンの１：１溶液）３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物ワニスを作製した。
Example 1
(Production Example 1 of Thermosetting Resin Composition Varnish)
28 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, “Epicoat 828EL” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163, “HP4700” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 28 parts) was dissolved by heating in a mixed solvent of 15 parts of methyl ethyl ketone and 15 parts of cyclohexanone with stirring. Thereto, 110 parts of a methyl ethyl ketone solution having a solid content of 50% of a naphthol-based curing agent (“SN485” manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., phenolic hydroxyl group equivalent 215), a curing accelerator (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) ) 0.1 part, 70 parts of spherical silica (average particle size 0.5 μm, “SOC2” manufactured by Admatechs), polyvinyl butyral resin solution (“KS1” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) with a solid content of 15% 30 parts of a 1: 1 solution of ethanol and toluene) were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a thermosetting resin composition varnish.
上記ワニスを、離型剤（リンテック（株）製ＡＬ−５）で処理されたＰＥＴフィルム（総厚み３８μｍ）の離型処理面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約１．５質量％）。
次いで、樹脂組成物層の表面に、保護フィルムとして、厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着性フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着性フィルムを得た。
この後、該接着性フィルムを、保護フィルムを剥離して、回路形成された銅張積層板（回路導体厚１８μｍ、外形サイズ５１０×３４０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）の両面へ仮付けし、（株）名機製作所製真空ラミネーターにより、温度１００℃、圧力７ｋｇｆ／ｃｍ２、気圧５ｍｍＨｇ以下の条件で両面にラミネートし、さらに連続的に温度１００℃、圧力５ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でＳＵＳ鏡板による熱プレスを行った。
次いで、ＰＥＴフィルムが付いた状態で１８０℃、３０分の条件で熱硬化させ、回路基板両面にソルダーレジスト層（約３０μｍ）を形成した。
The resin composition layer after drying is 40 μm on the release treatment surface of the PET film (total thickness 38 μm) treated with the above varnish with a release agent (AL-5 manufactured by Lintec Corporation). It apply | coated uniformly with the die-coater, and it dried for 6 minutes at 80-120 degreeC (average 100 degreeC) (residual solvent amount in a resin composition layer: about 1.5 mass%).
Next, a 15 μm-thick polypropylene film was wound as a protective film on the surface of the resin composition layer while being rolled. The roll-like adhesive film was slit to a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film having a size of 507 × 336 mm.
Thereafter, the adhesive film is temporarily attached to both sides of a copper-clad laminate (circuit conductor thickness 18 μm, outer size 510 × 340 mm, thickness 0.2 mm) formed with a circuit by peeling off the protective film, Using a vacuum laminator manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., laminated on both sides under conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 7 kgf / cm 2 , and an atmospheric pressure of 5 mmHg or less, and continuously with a SUS end plate at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 5 kgf / cm 2 A hot press was performed.
Next, the film was thermally cured at 180 ° C. for 30 minutes with a PET film attached, and a solder resist layer (about 30 μm) was formed on both surfaces of the circuit board.
室温まで冷却後、ＰＥＴフィルムを剥離せず、その上から三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー装置（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ）により、〔レーザー光の波長９．３μｍ、エネルギー２．５０ｍＪ、パルス幅４μｓ、ショット数１回〕なる条件にて孔あけを行い、ビアホール（トップ径７０μｍを想定）を形成した。
なお、想定トップ径７０μｍを比較例と同じとするため、ＰＥＴフィルムが接着した状態での孔あけにおけるマスク径は、後掲比較例（ＰＥＴフィルム無しでの孔あけ）の場合のマスク径（１．０ｍｍ）よりも若干大きい１．１ｍｍとした。その後、ＰＥＴフィルム剥離し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてビアホールの観察を行い、ビアの形状、熱硬化性樹脂組成物へのダメージの評価を行った。その電子顕微鏡写真を図２Ａに示す。
After cooling to room temperature, the PET film was not peeled off, and a carbon dioxide laser device (ML605GTWII-P) manufactured by Mitsubishi Electric Co., Ltd. was then used to [laser light wavelength 9.3 μm, energy 2.50 mJ, pulse width 4 μs, The number of shots was 1], and holes were formed to form via holes (assuming a top diameter of 70 μm).
In addition, in order to make the assumed top diameter 70 μm the same as that of the comparative example, the mask diameter in drilling with the PET film adhered is the mask diameter (1 in the case of the comparative example described later (drilling without the PET film)). 1.0 mm), which is slightly larger than 1.1 mm. Thereafter, the PET film was peeled off, the via hole was observed with an electron microscope (SEM), and the shape of the via and the damage to the thermosetting resin composition were evaluated. The electron micrograph is shown in FIG. 2A.
上記と同様条件でビアホール形成後、ＰＥＴフィルムを剥離せずにデスミア処理を行った後、ＰＥＴフィルムを剥離して、電子顕微鏡にてビアホールの観察を行った。その電子顕微鏡写真を図２Ｂに示す。なおデスミア処理は、アトテックジャパン（株）製の粗化液（スエリングディップ・セキユリガンド Ｐ（膨潤）、コンセントレート コンパクト Ｐ（酸化）、リダクションショリューシン セキュリガント Ｐ（中和）を用いて、膨潤６０℃×５分、酸化８０℃×２０分、中和４０℃×５分の工程を通すことで行った。 After forming the via hole under the same conditions as described above, desmear treatment was performed without peeling off the PET film, and then the PET film was peeled off and the via hole was observed with an electron microscope. The electron micrograph is shown in FIG. 2B. The desmear treatment is swollen using a roughening solution (Swelling Dip / Sekiyu Ligand P (swelling), Concentrate Compact P (oxidation), Reduction Sholysin Securigant P (neutralization) manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. It was performed by passing through a process of 60 ° C. × 5 minutes, oxidation 80 ° C. × 20 minutes, and neutralization 40 ° C. × 5 minutes.
上記デスミア処理後の回路基板をＰＥＴ剥離後、無電解ニッケル処理した。無電解ニッケル処理は、脱脂処理溶液（上村工業（株）社製 ACL−００７）に５０℃×５分、ソフトエッチング溶液（ペルオキソ二硫酸ナトリウム１００ｇ／L、硫酸１８ｇ／L）に１分、酸処理溶液（硫酸１００ｇ／L）に１分、プレディップ溶液（硫酸２８．７／L）に１分、アクチベーター溶液（上村工業（株）社製 アクセマルタMNK−４）に３０℃×２分、無電解ニッケル溶液（上村工業（株）社製 ニムデンNPR−４）に８０℃×３０分浸漬して行なった。ビアホール底に残存するスミアもなく、露出した銅層表面に良好にニッケル皮膜が形成された。 The circuit board after the desmear treatment was subjected to electroless nickel treatment after PET peeling. The electroless nickel treatment is performed at 50 ° C. for 5 minutes in a degreasing solution (ACL-007 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.), 1 minute in a soft etching solution (sodium peroxodisulfate 100 g / L, sulfuric acid 18 g / L), acid 1 minute in the treatment solution (100 g / L sulfuric acid), 1 minute in the pre-dip solution (28.7 / L sulfuric acid), 30 ° C. × 2 minutes in the activator solution (Axmarta MNK-4 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) The sample was immersed in an electroless nickel solution (Nimden NPR-4, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) at 80 ° C. for 30 minutes. There was no smear remaining at the bottom of the via hole, and a nickel film was satisfactorily formed on the exposed copper layer surface.
比較例１
本比較例では、上記実施例１と全く同様の条件にて、回路基板両面にソルダーレジスト層（約３０μｍ）を形成した後、ＰＥＴフィルムを剥離し、ソルダーレジスト層に直接的にレーザー光を照射してビアホールを形成した例を示す。
上記実施例１と同様に、回路基板両面にソルダーレジスト層（約３０μｍ）を形成し、室温まで冷却した後、ＰＥＴフィルムを剥離して、実施例１と同じ炭酸ガスレーザー装置により、〔レーザー光の波長９．３μｍ、エネルギー１．２８ｍＪ、パルス幅４μｓ、ショット数１回〕なる条件にて、ソルダーレジスト層に対する直接的な孔あけを行った。マスク径は１．０ｍｍとした。
実施例１と同様に、電子顕微鏡にてビアホールの観察を行った。その電子顕微鏡写真を図３Ａに示す。さらに、当該比較例と同様条件でビアホール形成後、露出したソルダーレジスト層に対するデスミア処理を行った後にも、電子顕微鏡にてビアホールの観察を行った。その電子顕微鏡写真を図３Ｂに示す。
Comparative Example 1
In this comparative example, a solder resist layer (about 30 μm) was formed on both surfaces of the circuit board under exactly the same conditions as in Example 1, and then the PET film was peeled off, and the solder resist layer was directly irradiated with laser light. An example in which a via hole is formed is shown.
In the same manner as in Example 1 above, solder resist layers (about 30 μm) are formed on both surfaces of the circuit board, cooled to room temperature, and then the PET film is peeled off. Were directly drilled in the solder resist layer under the conditions of a wavelength of 9.3 μm, an energy of 1.28 mJ, a pulse width of 4 μs, and the number of shots of 1 time]. The mask diameter was 1.0 mm.
In the same manner as in Example 1, the via hole was observed with an electron microscope. The electron micrograph is shown in FIG. 3A. Furthermore, after forming the via hole under the same conditions as in the comparative example, the via hole was observed with an electron microscope even after the desmear treatment was performed on the exposed solder resist layer. The electron micrograph is shown in FIG. 3B.
図２Ａの電子顕微鏡写真から分かるように、実施例１において、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーにより形成されたビアホールは、１ｍＪを超える比較的高エネルギーの加工でも、ビア表面付近の樹脂ダメージが少ないことが分かる。
さらに、図２Ｂの電子顕微鏡写真から分かるように、プラスチックフィルムが接着した状態でデスミア処理されているため、デスミア後のソルダーレジスト層表面もダメージを受けることなく平滑な表面が維持されていることが分かる。
一方、図３Ａの電子顕微鏡写真から分かるように、プラスチックフィルムを剥離後、絶縁層にレーザー光を直接的に照射してビアホールを形成した比較例１では、実施例１よりエネルギー値が低いにもかかわらず、ビア周辺の樹脂ダメージが大きいため、三日月状のダメージがビア周辺に顕著に観察される（図３Ａの写真中に白い矢印で表示）。
また、図３Ｂの電子顕微鏡写真から分かるように、その後のソルダーレジスト層表面への直接的なデスミア処理にて樹脂層表面が荒らされ、無機充填材が露出するなどの変化が顕著となっている。
As can be seen from the electron micrograph in FIG. 2A, in Example 1, the via hole formed by the carbon dioxide laser on the plastic film has little resin damage near the via surface even when processed at a relatively high energy exceeding 1 mJ. I understand.
Furthermore, as can be seen from the electron micrograph of FIG. 2B, since the desmear treatment is performed with the plastic film adhered, the surface of the solder resist layer after desmear is maintained without being damaged. I understand.
On the other hand, as can be seen from the electron micrograph of FIG. 3A, in Comparative Example 1 in which the plastic film was peeled and the insulating layer was directly irradiated with laser light to form a via hole, the energy value was lower than in Example 1. Regardless, since the resin damage around the via is large, crescent-shaped damage is noticeably observed around the via (indicated by a white arrow in the photograph of FIG. 3A).
Moreover, as can be seen from the electron micrograph of FIG. 3B, the resin layer surface is roughened by the subsequent desmear treatment to the surface of the solder resist layer, and changes such as the exposure of the inorganic filler are remarkable. .
本発明によって、レーザー光を用いてソルダーレジスト層にビアホールを形成するに際して、該ソルダーレジスト層の表面に与えるダメージを抑制しながらも、該ビアホールの底に付着したスミアを除去する工程においても、ソルダーレジスト層表面に与えるダメージを抑制し得ることが可能となった。 According to the present invention, when forming a via hole in a solder resist layer using a laser beam, the solder is also suppressed in the step of removing smear attached to the bottom of the via hole while suppressing damage to the surface of the solder resist layer. It has become possible to suppress damage to the resist layer surface.
１ ソルダーレジスト層
１ａ 熱硬化性樹脂組成物層
２ プラスチックフィルム
３ 回路基板
３ａ 導体層
３ｂ 絶縁層
４ ビアホール
Ｌ１ レーザー光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solder resist layer 1a Thermosetting resin composition layer 2 Plastic film 3 Circuit board 3a Conductor layer 3b Insulating layer 4 Via hole L1 Laser beam
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