JP2010062067A - Method of manufacturing display device, and display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a display device improving view angle characteristics by a simple process. <P>SOLUTION: A first region 41 formed by laminating a transparent conductive film 13B on a reflecting film 13A, and a second region 42 having only the reflecting film 13A continuing from the first region 41 are formed in a first electrode 13. An optical distance L1 in the first region 41, an optical distance L2 in the second region 42, and the optical thickness T of the transparent conductive film 13B satisfy; L1=Lave+ΔL, L2=Lave-ΔL, (2 Lave)/λ+ϕ/(2π)=m, T=2ΔL. The transparent conductive film 13B is formed on the reflecting film 13A, and all of a partial region of the transparent conductive film 13B in its thickness direction is removed, and the second region 42 is thereby formed. Necessity of changing the thickness of the transparent conductive film in one element is eliminated, and the optical distances L1, L2 are varied by the simple process to improve view angle characteristics. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板に複数の有機発光素子を形成する表示装置の製造方法および表示装置に係り、特に共振器構造を有する表示装置の製造方法および表示装置に関する。   The present invention relates to a display device manufacturing method and display device in which a plurality of organic light emitting elements are formed on a substrate, and more particularly to a display device manufacturing method and display device having a resonator structure.

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられている。   In recent years, organic EL displays using organic light-emitting elements have been put into practical use as display devices that replace liquid crystal displays. Since the organic EL display is a self-luminous type, the viewing angle is wider than that of liquid crystal or the like, and it is considered that the organic EL display has sufficient response to a high-definition high-speed video signal.

これまで、有機発光素子については、共振器構造を導入することによって、発光色の色純度を向上させたり、発光効率を高めるなど、発光層で発生する光を制御する試みが行われてきた（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第０１／３９５５４号パンフレット 特開２００６−３２３２７号公報 So far, organic light-emitting devices have been tried to control the light generated in the light-emitting layer by introducing a resonator structure to improve the color purity of the light emission color or increase the light emission efficiency ( For example, see Patent Document 1).
WO 01/39554 pamphlet JP 2006-32327 A

しかしながら、このように有機発光素子に共振器構造を設けると、共振された光のスペクトルはピークが高く幅が狭いので、表示画面に対して正面方向の光取り出し効率が向上する一方、画面を斜めから見た場合には発光波長が大きくシフトしたり発光強度が低下するという問題があった。すなわち、従来では、画面を視る角度により輝度の差異や色ずれが生じ、視野角特性の悪化や画像品位の低下などを招いてしまうという問題があった。   However, when the organic light emitting device is thus provided with a resonator structure, the spectrum of the resonated light has a high peak and a narrow width, so that the light extraction efficiency in the front direction with respect to the display screen is improved, while the screen is inclined. When viewed from above, there is a problem that the emission wavelength is greatly shifted or the emission intensity is lowered. That is, conventionally, there has been a problem that luminance differences and color shifts occur depending on the viewing angle of the screen, resulting in deterioration of viewing angle characteristics and deterioration of image quality.

なお、特許文献２では、金属反射膜と透明導電膜との積層電極を用い、透明導電膜の厚みを変えることにより一つの素子内で光学的距離の異なる複数の共振器構造を設けることが提案されている。しかしながら、特許文献２の構造では、透明導電膜が必須となることに加えて一つの素子内で透明導電膜の厚みを変更する必要があり、そのための成膜およびパターニング工程が増加し、製造コストが上昇してしまうという問題があった。   In Patent Document 2, it is proposed to use a laminated electrode of a metal reflective film and a transparent conductive film, and to provide a plurality of resonator structures having different optical distances in one element by changing the thickness of the transparent conductive film. Has been. However, in the structure of Patent Document 2, it is necessary to change the thickness of the transparent conductive film within one element in addition to the necessity of the transparent conductive film, which increases the film formation and patterning steps for the manufacturing cost. There was a problem that would rise.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡素な工程により、視野角特性を向上させることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a display device manufacturing method and a display device capable of improving viewing angle characteristics by a simple process.

本発明による表示装置の製造方法は、基板に複数の有機発光素子を形成するものであって、複数の有機発光素子の各々を形成する工程は、反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含む第１電極を形成する工程と、第１電極の上に、発光層を含む複数の層よりなる有機層を形成する工程と、有機層の上に第２電極を形成すると共に、発光層で発生した光を反射膜と第２電極との間で共振させる共振器構造を形成する工程とを含み、第１電極を形成する工程は、反射膜を形成する工程と、反射膜の上に透明導電膜を形成する工程と、透明導電膜の一部領域の厚み方向の全部を除去することにより、第２領域を形成する工程とを含み、第１領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ１、第２領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および透明導電膜の光学的厚みＴが数１を満たすようにするものである。
（数１）
Ｌ１＝Ｌave ＋ΔＬ
Ｌ２＝Ｌave −ΔＬ
（２Ｌave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
Ｔ＝２ΔＬ
（式中、Ｌave は第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２との平均光学的距離、Φは反射膜で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第２電極で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは第２電極の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬ１，Ｌ２，Ｌave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。） A method of manufacturing a display device according to the present invention includes forming a plurality of organic light emitting elements on a substrate, and the step of forming each of the plurality of organic light emitting elements includes a step of laminating a transparent conductive film on a reflective film. Forming a first electrode including one region and a second region having only a reflective film continuous from the first region, and forming an organic layer including a plurality of layers including a light emitting layer on the first electrode Forming a second electrode on the organic layer, and forming a resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer between the reflective film and the second electrode, the first electrode Forming the reflective film, forming the transparent conductive film on the reflective film, and removing the entire region in the thickness direction of the partial area of the transparent conductive film. Forming between the reflective film and the second electrode in the first region. Distance L1, in which the optical thickness T of the optical distance L2, and the transparent conductive film between the reflection film and the second electrode in the second region is set to satisfy the equation (1).
(Equation 1)
L1 = Lave + ΔL
L2 = Lave−ΔL
(2Lave) / λ + Φ / (2π) = m
T = 2ΔL
(Where Lave is the average optical distance between the optical distance L1 in the first region 21 and the optical distance L2 in the second region 22, and Φ is the phase shift Φ 1 of the reflected light generated in the reflective film and the second electrode. The sum (Φ = Φ 1 + Φ 2 ) (rad) with the phase shift Φ 2 of the reflected light generated, λ is the peak wavelength of the spectrum of light to be extracted from the second electrode side, and m is an integer for which Lave is positive. (Note that in Equation 1, L1, L2, Lave, and λ may have the same unit, for example, (nm) as a unit.)

本発明による表示装置は、基板に複数の有機発光素子を備えたものであって、複数の有機発光素子の各々は、反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含む第１電極と、第１電極の上に形成され、発光層を含む複数の層よりなる有機層と、有機層の上に形成された第２電極とを備えると共に、発光層で発生した光を反射膜と第２電極との間で共振させる共振器構造を有し、第１領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ１、第２領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および透明導電膜の光学的厚みＴが数２を満たすものである。
（数２）
Ｌ１＝Ｌave ＋ΔＬ
Ｌ２＝Ｌave −ΔＬ
（２Ｌave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
Ｔ＝２ΔＬ
（式中、Ｌave は第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２との平均光学的距離、Φは前記反射膜で生じる反射光の位相シフトΦ1 と前記第２電極で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは前記第２電極の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数２においてＬ１，Ｌ２，Ｌave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。） The display device according to the present invention includes a plurality of organic light emitting elements on a substrate, and each of the plurality of organic light emitting elements includes a first region in which a transparent conductive film is laminated on a reflective film, and a first region. A first electrode including a second region having only a reflective film continuous from the first electrode, an organic layer formed on the first electrode and including a plurality of layers including a light emitting layer, and a first electrode formed on the organic layer. And an optical distance between the reflective film and the second electrode in the first region, having a resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer between the reflective film and the second electrode. L1, the optical distance L2 between the reflective film and the second electrode in the second region, and the optical thickness T of the transparent conductive film satisfy Expression 2.
(Equation 2)
L1 = Lave + ΔL
L2 = Lave−ΔL
(2Lave) / λ + Φ / (2π) = m
T = 2ΔL
(Where Lave is the average optical distance between the optical distance L1 in the first region 21 and the optical distance L2 in the second region 22, and Φ is the phase shift Φ 1 of the reflected light generated in the reflective film and the second The sum (Φ = Φ 1 + Φ 2 ) (rad) of the phase shift Φ 2 of the reflected light generated at the electrode, λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the second electrode side, and m is positive for Lave Each represents an integer.Note that, in Equation 2, L1, L2, Lave, and λ may have the same unit, for example, (nm) as a unit.)

本発明による表示装置では、第１電極が、反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含んでおり、第１領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ１、第２領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および透明導電膜の光学的厚みＴが数２を満たしているので、取り出される光のスペクトルのピーク波長が光学的距離Ｌ１，Ｌ２に応じて異なっており、それらを合成したスペクトルの半値幅が広くなり、視野角特性が向上する。   In the display device according to the present invention, the first electrode includes a first region in which a transparent conductive film is stacked on the reflective film, and a second region having only a reflective film continuous from the first region. The optical distance L1 between the reflective film and the second electrode in the region, the optical distance L2 between the reflective film and the second electrode in the second region, and the optical thickness T of the transparent conductive film satisfy Equation 2. Therefore, the peak wavelength of the spectrum of the extracted light differs depending on the optical distances L1 and L2, the half width of the spectrum obtained by synthesizing them is widened, and the viewing angle characteristics are improved.

本発明の表示装置の製造方法によれば、反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、この第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含む第１電極を形成する工程において、反射膜の上に透明導電膜を形成し、この透明導電膜の一部領域の厚み方向の全部を除去することにより、第２領域を形成するようにしたので、一つの素子内で透明導電膜の厚みを変更する必要をなくすことができ、そのための成膜およびパターニング工程の増加を抑えることができる。よって、簡単な工程により第１領域および第２領域の光学的距離Ｌ１，Ｌ２を異ならせることができ、視野角特性の向上した表示装置を容易に製造することが可能となる。   According to the method for manufacturing a display device of the present invention, the first electrode including the first region in which the transparent conductive film is laminated on the reflective film and the second region having only the reflective film continuous from the first region is provided. In the forming step, the transparent conductive film is formed on the reflective film, and the second region is formed by removing all of the partial region of the transparent conductive film in the thickness direction. It is possible to eliminate the need to change the thickness of the transparent conductive film, and to suppress an increase in the film formation and patterning steps. Therefore, the optical distances L1 and L2 between the first region and the second region can be made different by a simple process, and a display device with improved viewing angle characteristics can be easily manufactured.

本発明の表示装置によれば、第１電極が、反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含むようにすると共に、第１領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ１、第２領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および透明導電膜の光学的厚みＴが数２を満たすように調整するようにしたので、取り出される光のスペクトルのピーク波長を光学的距離Ｌ１，Ｌ２に応じて異ならせ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。   According to the display device of the present invention, the first electrode includes the first region in which the transparent conductive film is laminated on the reflective film, and the second region having only the reflective film continuous from the first region. In addition, the optical distance L1 between the reflective film and the second electrode in the first region, the optical distance L2 between the reflective film and the second electrode in the second region, and the optical thickness T of the transparent conductive film are Since the adjustment is performed so as to satisfy Equation 2, the peak wavelength of the spectrum of the extracted light can be varied according to the optical distances L1 and L2, and the half width of the spectrum obtained by synthesizing them can be widened. Angular characteristics can be improved.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。   FIG. 1 shows a configuration of a display device using an organic light-emitting element according to an embodiment of the present invention. This display device is used as an ultra-thin organic light emitting color display device or the like. For example, a plurality of organic light emitting elements 10R, which will be described later, are formed on a substrate 11 made of glass, silicon (Si) wafer, resin, or the like. A display area 110 in which 10G and 10B are arranged in a matrix is formed, and a signal line driving circuit 120 and a scanning line driving circuit 130, which are drivers for displaying images, are formed around the display area 110. Is.

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１５の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。   A pixel drive circuit 140 is formed in the display area 110. FIG. 2 illustrates an example of the pixel driving circuit 140. The pixel driving circuit 140 is formed below the first electrode 15 described later, and includes a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, a capacitor (holding capacitor) Cs therebetween, a first power supply line (Vcc), and a second power source line (Vcc). This is an active drive circuit having an organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) connected in series to the drive transistor Tr1 between power supply lines (GND). The driving transistor Tr1 and the writing transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT (Thin Film Transistor)), and the configuration may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). There is no particular limitation.

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。   In the pixel driving circuit 140, a plurality of signal lines 120A are arranged in the column direction, and a plurality of scanning lines 130A are arranged in the row direction. An intersection between each signal line 120A and each scanning line 130A corresponds to one of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B (sub pixel). Each signal line 120A is connected to the signal line drive circuit 120, and an image signal is supplied from the signal line drive circuit 120 to the source electrode of the write transistor Tr2 via the signal line 120A. Each scanning line 130A is connected to the scanning line driving circuit 130, and a scanning signal is sequentially supplied from the scanning line driving circuit 130 to the gate electrode of the writing transistor Tr2 via the scanning line 130A.

図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０を構成している。   FIG. 3 illustrates an example of a planar configuration of the display area 110. In the display area 110, an organic light emitting element 10R that generates red light, an organic light emitting element 10G that generates green light, and an organic light emitting element 10B that generates blue light are sequentially formed in a matrix. Has been. A combination of adjacent organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B constitutes one pixel (pixel) 10.

図４は図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの平面構成を表し、図５はそれらに共通の断面構成を表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１および平坦化絶縁膜１２を間にして、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、発光層１５Ｃを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。   FIG. 4 shows a planar configuration of the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B shown in FIG. 3, and FIG. 5 shows a common sectional configuration thereof. The organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B are respectively provided with the first electrode 13 and the insulating film 14 as anodes from the substrate 11 side with the driving transistor Tr1 and the planarizing insulating film 12 of the pixel driving circuit 140 described above therebetween. The organic layer 15 including the light emitting layer 15C and the second electrode 16 as the cathode are stacked in this order.

駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。平坦化絶縁膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料が挙げられる。 The drive transistor Tr1 is electrically connected to the first electrode 13 through a connection hole 12A provided in the planarization insulating film 12. The planarization insulating film 12 is for planarizing the surface of the substrate 11 on which the pixel driving circuit 140 is formed, and is formed of a material having a high pattern accuracy because a fine connection hole 12A is formed. Is preferred. Examples of the constituent material of the planarization insulating film 12 include an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ).

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などよりなる接着層３０を間にして、ガラスなどよりなる封止用基板２０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。   Such organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are covered with a protective film 17 such as silicon nitride (SiNx), and an adhesive layer 30 made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is further formed on the protective film 17. The sealing substrate 20 made of glass or the like is sealed over the entire surface with a gap therebetween.

第１電極１３は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとにパターニングされていると共に、平面形状において例えば左部の第１領域４１と右部の第２領域４２とに分けられている。第１電極１３は、第１領域４１では、反射膜１３Ａの上に透明導電膜１３Ｂを積層した構成を有している。一方、第２領域４２では、第１電極１３は、第１領域２１から連続した反射膜１３Ａのみを有している。   The first electrode 13 is patterned for each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and is divided into, for example, a left first region 41 and a right second region 42 in a planar shape. In the first region 41, the first electrode 13 has a configuration in which a transparent conductive film 13B is laminated on the reflective film 13A. On the other hand, in the second region 42, the first electrode 13 has only the reflective film 13 </ b> A continuous from the first region 21.

反射膜１３Ａは、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。反射膜１３Ａは、例えば積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金，銀（Ａｇ）あるいは銀（Ａｇ）を含む合金，またはモリブデン（Ｍｏ）により構成されている。   It is desirable that the reflective film 13A has as high a reflectance as possible in order to increase the light emission efficiency. The reflective film 13A has, for example, a thickness in the stacking direction (hereinafter simply referred to as thickness) of 100 nm to 1000 nm and includes aluminum (Al) or an alloy containing aluminum (Al), silver (Ag), or silver (Ag). It is made of an alloy or molybdenum (Mo).

特に、反射膜１３Ａは、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とし、少なくとも一種のランタノイド系元素を添加した合金により構成されていることが好ましい。具体的には、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とし、ネオジム（Ｎｄ）またはニッケル（Ｎｉ）を添加した合金が好ましい。反射膜１３Ａを、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とした合金により構成した場合に、ヒロックといわれる表面の微小異物等の欠陥を抑制することができるからである。ランタノイド系元素の添加濃度は例えば０．１％〜５％の範囲が好ましい。ただし、ランタノイド系元素の含有量が多くなると高抵抗になるので、２％程度の含有量とすることが好ましい。   In particular, the reflective film 13A is preferably composed of an alloy containing aluminum (Al) as a main component and at least one lanthanoid element added. Specifically, an alloy containing aluminum (Al) as a main component and adding neodymium (Nd) or nickel (Ni) is preferable. This is because when the reflective film 13A is made of an alloy containing aluminum (Al) as a main component, defects such as minute foreign matters on the surface called hillocks can be suppressed. The addition concentration of the lanthanoid element is preferably in the range of 0.1% to 5%, for example. However, if the content of the lanthanoid element increases, the resistance becomes high, so that the content is preferably about 2%.

透明導電膜１３Ｂは、第１領域４１のみに設けられ、反射膜１３Ａと共に第１電極１３を構成するものである。透明導電膜１３Ｂは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物により構成されている。   The transparent conductive film 13B is provided only in the first region 41 and constitutes the first electrode 13 together with the reflective film 13A. The transparent conductive film 13B is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or a compound containing indium, zinc (Zn), and oxygen.

絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保するとともに第１領域４１および第２領域４２からなる発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。絶縁膜１４には、発光領域に対応して開口部が設けられている。なお、有機層１５および第２電極１６は、第１領域４１および第２領域４２だけでなく絶縁膜１４の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは絶縁膜１４の開口部だけである。   The insulating film 14 is for ensuring insulation between the first electrode 13 and the second electrode 16 and for accurately forming a light emitting region including the first region 41 and the second region 42, for example, It is composed of a photosensitive resin. The insulating film 14 is provided with an opening corresponding to the light emitting region. The organic layer 15 and the second electrode 16 are continuously provided not only on the first region 41 and the second region 42 but also on the insulating film 14, but light emission occurs in the opening of the insulating film 14. Department only.

有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層１５Ｄを積層した構成を有するが、これらのうち発光層１５Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１５Ｄは、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１５Ｄと第２電極１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。 The organic layer 15 has, for example, a structure in which a hole injection layer 15A, a hole transport layer 15B, a light emitting layer 15C, and an electron transport layer 15D are stacked in this order from the first electrode 13 side. Other layers may be provided as necessary. The organic layer 15 may have a different configuration depending on the emission color of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The hole injection layer 15A is a buffer layer for increasing hole injection efficiency and preventing leakage. The hole transport layer 15B is for increasing the efficiency of transporting holes to the light emitting layer 15C. The light emitting layer 15C generates light by applying an electric field to recombine electrons and holes. The electron transport layer 15D is for increasing the efficiency of electron transport to the light emitting layer 15C. An electron injection layer (not shown) made of LiF, Li 2 O, or the like may be provided between the electron transport layer 15D and the second electrode 16.

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、第１電極１３に接して設けられており、化１に示した材料により構成されていることが好ましい。第１電極１３は、第１領域４１では反射膜１３Ａ上に透明導電膜１３Ｂを有する一方、第２領域４２では反射膜１３Ａのみを有している。このように電極構造の異なる第１領域４１および第２領域４２から、有機層１５へ効率的に正孔を注入することができるからである。なお、有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａの厚みは、例えば５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。   The hole injection layer 15A of the organic light emitting element 10R is provided in contact with the first electrode 13 and is preferably made of the material shown in Chemical formula 1. The first electrode 13 has the transparent conductive film 13B on the reflective film 13A in the first region 41, and has only the reflective film 13A in the second region 42. This is because holes can be efficiently injected into the organic layer 15 from the first region 41 and the second region 42 having different electrode structures. The thickness of the hole injection layer 15A of the organic light emitting element 10R is, for example, not less than 5 nm and not more than 300 nm.

Figure 2010062067
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
Figure 2010062067
 (In Chemical Formula 1, each of R1 to R6 is independently hydrogen, halogen, hydroxyl group, amino group, arylamino group, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms. Ester group, substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon group having 30 or less carbon atoms A substituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 30 or less carbon atoms, a nitrile group, a cyano group, a nitro group, or a silyl group, and adjacent Rm (m = 1 to 6) are And may be bonded to each other through a cyclic structure, and X1 to X6 are each independently a carbon or nitrogen atom.)

具体的には、有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、化２に示した材料により構成されていることが好ましい。反射膜１３Ａを、仕事関数の小さいアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金により構成し、透明導電膜１３Ｂを、それとは異なる仕事関数を有するＩＴＯにより構成した場合にも、十分かつ安定に正孔を注入することができるからである。   Specifically, the hole injection layer 15A of the organic light emitting device 10R is preferably made of the material shown in Chemical Formula 2. Even when the reflective film 13A is made of aluminum (Al) having a low work function or an alloy containing aluminum (Al) and the transparent conductive film 13B is made of ITO having a work function different from that, the reflective film 13A is sufficiently and stable. This is because holes can be injected.

Figure 2010062067
Figure 2010062067

有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole transport layer 15B of the organic light emitting device 10R has, for example, a thickness of 5 nm or more and 300 nm or less, and is composed of bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine (α-NPD). The light emitting layer 15C of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N] added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ). -Phenyl] aminostyryl] naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) mixed with 40% by volume. The electron transport layer 15D of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of Alq 3 .

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１５Ａは、第１電極１３に接して設けられており、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示した材料により構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole injection layer 15 </ b> A of the organic light emitting element 10 </ b> G is provided in contact with the first electrode 13, and has a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, and is made of the material shown in Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2. The hole transport layer 15 </ b> B of the organic light emitting element 10 </ b> G has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is configured by α-NPD. The light emitting layer 15C of the organic light emitting element 10G has, for example, a thickness of 10 nm to 100 nm, and is composed of Alq 3 mixed with 3% by volume of coumarin 6 (Coumarin 6). The electron transport layer 15D of the organic light emitting element 10G has a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, and is made of Alq 3 .

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１５Ａは、第１電極１３に接して設けられており、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示した材料により構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole injection layer 15A of the organic light emitting device 10B is provided in contact with the first electrode 13, and has a thickness of, for example, 5 nm to 300 nm and is made of the material shown in Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2. The hole transport layer 15B of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm and is made of α-NPD. The light emitting layer 15C of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of 10 nm to 100 nm, and is configured by spiro 6Φ. The electron transport layer 15D of the organic light emitting element 10B has a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, and is made of Alq 3 .

第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。   For example, the second electrode 16 has a thickness of 5 nm or more and 50 nm or less, and is made of a single element or alloy of a metal element such as aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), or sodium (Na). Among these, an alloy of magnesium and silver (MgAg alloy) or an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (AlLi alloy) is preferable.

また、第２電極１６は、半透過性反射層としての機能を有しており、これら第１電極１３の反射膜１３Ａと第２電極１６とにより、発光層１５Ｃにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。すなわち、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１３の発光層１５Ｃ側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極１６の発光層１５Ｃ側の端面を第２端部Ｐ２とし、透明導電膜１３Ｂおよび有機層１５を共振部として、発光層１５Ｃで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このように共振器構造を有するようにすれば、発光層１５Ｃで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができる。また、封止用基板２０側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ２２、または位相差板および偏光板（図示せず）との組合せにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができる。   Further, the second electrode 16 has a function as a semi-transmissive reflective layer, and the resonance that resonates the light generated in the light emitting layer 15C by the reflective film 13A of the first electrode 13 and the second electrode 16 is provided. A vessel structure is constructed. That is, in the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B, the end surface of the first electrode 13 on the light emitting layer 15C side is the first end portion P1, and the end surface of the second electrode 16 on the light emitting layer 15C side is the second end portion P2. With the transparent conductive film 13B and the organic layer 15 as a resonance part, the resonator structure has a resonator structure in which light generated in the light emitting layer 15C is resonated and extracted from the second end part P2. By having the resonator structure in this way, the light generated in the light emitting layer 15C causes multiple interference and acts as a kind of narrow band filter, thereby reducing the half width of the spectrum of the extracted light. Purity can be improved. Further, external light incident from the sealing substrate 20 side can also be attenuated by multiple interference, and the organic light emitting element 10R can be combined with a color filter 22 described later or a retardation plate and a polarizing plate (not shown). , 10G, 10B, the reflectance of external light can be made extremely small.

第１領域４１における共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１（以下、単に「第１領域４１における光学的距離Ｌ１」という。）と、第２領域４２における共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌ２（以下、単に「第２領域４２における光学的距離Ｌ２」という。）と、透明導電膜１３Ｂの光学的厚みＴとは数３を満たしている。これにより、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、簡素な工程により、視野角特性を向上させることができるようになっている。   An optical distance L1 between the first end P1 and the second end P2 of the resonator in the first region 41 (hereinafter simply referred to as “optical distance L1 in the first region 41”) and a second region. The optical distance L2 between the first end P1 and the second end P2 of the resonator at 42 (hereinafter simply referred to as “optical distance L2 in the second region 42”) and the optical property of the transparent conductive film 13B. The target thickness T satisfies Equation 3. Thereby, in this organic light emitting element 10R, 10G, 10B, a viewing angle characteristic can be improved by a simple process.

（数３）
Ｌ１＝Ｌave ＋ΔＬ
Ｌ２＝Ｌave −ΔＬ
（２Ｌave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
Ｔ＝２ΔＬ
（式中、Ｌave は第１領域４１における光学的距離Ｌ１と第２領域４２における光学的距離Ｌ２との平均光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬ１，Ｌ２，Ｌave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。） (Equation 3)
L1 = Lave + ΔL
L2 = Lave−ΔL
(2Lave) / λ + Φ / (2π) = m
T = 2ΔL
(Wherein, Lave average optical distance between the optical distance L2 in the optical distance L1 and the second region 42 in the first region 41, [Phi is the phase shift [Phi 1 of reflected light generated in the first end portion P1 first The sum (Φ = Φ 1 + Φ 2 ) (rad) of the phase shift Φ 2 of the reflected light generated at the two end P2, λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the second end P2, and m is Lave Each represents an integer in which L is positive, and in Equation 1, L1, L2, Lave, and λ may have the same unit, but for example, (nm) is the unit.)

数３において、平均光学的距離Ｌave に関する第３式は、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させ、光取り出し効率を最大とするためのものである。この平均光学的距離Ｌave は、実際には、数３の第３式のｍが０または１の場合が好ましい。   In Equation 3, the third equation relating to the average optical distance Lave is such that the resonance wavelength of the resonator (the peak wavelength of the spectrum of the extracted light) matches the peak wavelength of the spectrum of the desired light to maximize the light extraction efficiency. It is for. In practice, this average optical distance Lave is preferably the case where m in the third equation of Equation 3 is 0 or 1.

数３から分かるように、本実施の形態では、次数ｍを同一としても第１領域４１の光学的距離Ｌ１と第２領域４２の光学的距離Ｌ２とを互いに異ならせることができる。よって、例えばｍ＝１とすれば、有機層１５の厚みを厚くして非発光欠陥を低減することができ、生産性の向上と良好な視野角特性とを両立させることができる。これに対して、従来の特許文献２では、光学的距離に差を設けるために次数ｍを例えば０，１と異ならせるようにしていたので、ｍ＝０の領域ではｍ＝１の領域に比べて有機層の厚みが薄くなり、非発光欠陥などが増加しやすくなってしまっていた。また、ｍ＝０とｍ＝１との光学的距離の差（｜Ｌ２−Ｌ１｜）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や有機層の厚みに換算すると青色で１２０ｎｍ程度と大きくなるので、次数ｍを同一にする場合に比べて透明導電膜１３Ｂの厚みが大きくなり、透明電極１３Ｂの表面の平滑性が損なわれ、正孔の注入性悪化による、駆動電圧上昇やＥＬ寿命悪化のおそれがある。更に、次数ｍを例えばｍ＝０，１というように、同一画素内で異なる値にすると、有機層１５はｍ＝０として設計するので、その膜厚は薄くなり、非発光欠陥の抑制能が低くなってしまう可能性がある。   As can be seen from Equation 3, in the present embodiment, even if the order m is the same, the optical distance L1 of the first region 41 and the optical distance L2 of the second region 42 can be made different from each other. Therefore, for example, if m = 1, the thickness of the organic layer 15 can be increased to reduce non-light emitting defects, and both improvement in productivity and good viewing angle characteristics can be achieved. On the other hand, in the conventional patent document 2, the order m is made different from, for example, 0 and 1 in order to provide a difference in the optical distance. Therefore, in the area where m = 0, compared to the area where m = 1. As a result, the thickness of the organic layer is reduced, and non-luminous defects are likely to increase. Further, the difference in optical distance (| L2−L1 |) between m = 0 and m = 1 is as large as about 120 nm in blue when converted to the thickness of ITO (Indium Tin Oxide) or an organic layer. The thickness of the transparent conductive film 13B is increased compared to the case where the same is made, the smoothness of the surface of the transparent electrode 13B is impaired, and there is a possibility that the drive voltage rises and the EL lifetime deteriorates due to the deterioration of the hole injection property. Further, when the order m is set to different values in the same pixel, for example, m = 0, 1, the organic layer 15 is designed as m = 0, so that the film thickness is reduced and the ability to suppress non-luminous defects is reduced. There is a possibility of lowering.

数３の第１式および第２式におけるΔＬは、平均光学的距離Ｌave の５％以内であることが好ましく、２％以上５％以内であればより好ましい。５％より大きいと光取り出し効率が大幅に低減するおそれがあり、２％より小さいと十分な効果が得られないからである。   ΔL in the first and second expressions of Equation 3 is preferably within 5% of the average optical distance Lave, and more preferably within 2% to 5%. This is because if it exceeds 5%, the light extraction efficiency may be significantly reduced, and if it is less than 2%, a sufficient effect cannot be obtained.

表１は、数３がｍ＝１のときに成り立つ条件で、ΔＬを変えた場合に、第１領域４１および第２領域４２の各々の共振器フィルタのスペクトルが合成されたときの、スペクトルの強度（ＥＬ強度）、そのスペクトルの半値幅（半値幅）、また、ΔＬを変更させた合成スペクトルにおいて、斜め４５°方向から観察した時に、有機膜の成膜ばらつきが最大４％発生したときの、視野角による色度ばらつき（Δｕ’ｖ’）を調べた結果を表したものである。ＥＬ強度および半値幅は、ΔＬ／Ｌave ＝０（第１領域４１における光学的距離Ｌ１と第２領域４２における光学的距離Ｌ２とを等しくした場合）のスペクトルを基準にした規格値とした。   Table 1 shows the condition that is satisfied when Equation 3 is m = 1. When ΔL is changed, the spectrum of the resonator filter in each of the first region 41 and the second region 42 is synthesized. Intensity (EL intensity), half-width of spectrum (half-width), and synthetic spectrum with changed ΔL, when observed up to 4% of variation in organic film when observed obliquely from 45 ° 4 shows the results of examining the chromaticity variation (Δu′v ′) depending on the viewing angle. The EL intensity and the half-value width were standard values based on the spectrum of ΔL / Lave = 0 (when the optical distance L1 in the first region 41 and the optical distance L2 in the second region 42 are equal).

Figure 2010062067
Figure 2010062067

表１の試算では、有機発光素子は、第１電極１３上に、厚み９５ｎｍの正孔注入層、厚み９５ｎｍの正孔輸送層、緑色の光を発生する厚み３０ｎｍの発光層、厚み３０ｎｍの電子輸送層、および厚み８ｎｍの第２電極を順に積層した構成をΔＬ／Ｌave ＝０で設計したものとし、第１領域４１と第２領域４２との面積比は１：１、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λは５３０ｎｍとした。   In the calculation of Table 1, the organic light-emitting device has a 95-nm-thick hole injection layer, a 95-nm-thick hole transport layer, a 30-nm-thick light-emitting layer that generates green light, and a 30-nm-thick electron on the first electrode 13. It is assumed that a structure in which a transport layer and a second electrode having a thickness of 8 nm are sequentially stacked is designed with ΔL / Lave = 0, the area ratio of the first region 41 and the second region 42 is 1: 1, and the spectrum of light to be extracted The peak wavelength λ was 530 nm.

表１から分かるように、平均光学的距離Ｌave に対してΔＬが大きくなると異なる発光波長を持つスペクトルが取り出され、合成されたスペクトルを観察することができる。これら合成スペクトルを観察した結果、ΔＬ／Ｌave が±５％以内である場合には、発光強度を落とすことなく半値幅を増大させることができた。ΔＬ／Ｌave が±５％より大きくなるとＥＬ強度が低下し、ＥＬ発光のロスが生じた。よって、光取り出しの観点からΔＬ／Ｌave を±５％以内とすることが好ましいことが分かった。一方、合成スペクトルの半値幅は、ΔＬ／Ｌave が大きくなるに従って増大する。   As can be seen from Table 1, when ΔL increases with respect to the average optical distance Lave, spectra having different emission wavelengths are extracted, and the synthesized spectrum can be observed. As a result of observing these synthetic spectra, when ΔL / Lave was within ± 5%, it was possible to increase the half-value width without reducing the emission intensity. When ΔL / Lave was greater than ± 5%, the EL intensity was reduced, resulting in a loss of EL emission. Therefore, it was found that ΔL / Lave is preferably within ± 5% from the viewpoint of light extraction. On the other hand, the full width at half maximum of the combined spectrum increases as ΔL / Lave increases.

また、合成されたスペクトルを斜め４５°方向から、有機膜の成膜ばらつきが４％発生した時の色差を観察したところ、ΔＬ／Ｌave ＝±２％〜±５％の範囲で、視野角による色度ばらつきが軽減され、視野角性能の改善が可能であることが確認された。なお、有機膜のばらつきは代表的な有機ＥＬ向けの蒸着装置性能とし、色度ばらつきΔｕ’ｖ’が０．０２０以下であれば、視野角による色度の変化は視認できない領域となる。   Further, when the synthesized spectrum was observed from an oblique direction of 45 °, the color difference was observed when 4% of the variation in the film thickness of the organic film occurred, and ΔL / Lave = ± 2% to ± 5%, depending on the viewing angle. It was confirmed that chromaticity variation was reduced and viewing angle performance could be improved. Note that the variation in the organic film is a typical performance of a vapor deposition apparatus for organic EL, and if the chromaticity variation Δu′v ′ is 0.020 or less, the change in chromaticity due to the viewing angle is an invisible region.

なお、表１ではｍ＝１の場合について説明したが、ｍ＝０を含むその他のｍ値の場合についても同様の効果が得られる。   In Table 1, the case of m = 1 has been described, but the same effect can be obtained in the case of other m values including m = 0.

図５に示した封止用基板２０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１９の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２０には、例えば、カラーフィルタ２１が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。   The sealing substrate 20 shown in FIG. 5 is located on the second electrode 19 side of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and seals the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B together with the adhesive layer 30. It is made of a material such as glass that is transparent to the light generated by the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B. The sealing substrate 20 is provided with, for example, a color filter 21 to extract light generated in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B and reflect the light in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B and the wiring therebetween. It absorbs extraneous light and improves contrast.

カラーフィルタ２１は、封止用基板２０のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２１が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。また、発光層１５Ｃとカラーフィルタ２１との間の距離が狭くなることにより、発光層１５Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタ２１に入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタ２１は、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。   The color filter 21 may be provided on either side of the sealing substrate 20, but is preferably provided on the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B side. This is because the color filter 21 is not exposed on the surface and can be protected by the adhesive layer 30. In addition, since the distance between the light emitting layer 15C and the color filter 21 is narrowed, it is possible to prevent light emitted from the light emitting layer 15C from entering the adjacent color filter 21 and causing color mixing. Because. The color filter 21 includes a red filter, a green filter, and a blue filter (all not shown), and is sequentially arranged corresponding to the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。   Each of the red filter, the green filter, and the blue filter is, for example, rectangular and has no gap. These red filter, green filter and blue filter are each composed of a resin mixed with a pigment, and by selecting the pigment, the light transmittance in the target red, green or blue wavelength region is high, The light transmittance in the wavelength range is adjusted to be low.

更に、カラーフィルタ２１における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出したい光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止用基板２０から入射する外光のうち、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ２１を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。   Furthermore, the wavelength range with high transmittance in the color filter 21 and the peak wavelength λ of the spectrum of light to be extracted from the resonator structure coincide. Thereby, only the external light incident from the sealing substrate 20 has a wavelength equal to the peak wavelength λ of the spectrum of the light to be extracted passes through the color filter 21, and the external light of other wavelengths is the organic light emitting device. Intrusion into 10R, 10G, and 10B is prevented.

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。   This display device can be manufactured, for example, as follows.

図６ないし図８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図６（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、平坦化絶縁膜１２および接続孔１２Ａを形成し、焼成する。   6 to 8 show the manufacturing method of this display device in the order of steps. First, as shown in FIG. 6A, after forming the pixel driving circuit 140 including the driving transistor Tr1 on the substrate 11 made of the above-described material, a photosensitive resin is applied to the entire surface, and exposure and development are performed. Thus, the planarization insulating film 12 and the connection hole 12A are formed and baked.

次いで、図６（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述したアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金よりなる反射膜１３Ａを形成する。   Next, as shown in FIG. 6B, the reflective film 13A made of the above-described aluminum (Al) or an alloy containing aluminum (Al) is formed by sputtering, for example.

続いて、図７（Ａ）に示したように、例えばスパッタ法により、ＩＴＯよりなる透明導電膜１３Ｂを、数３を満たす光学的厚みＴで形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 7A, a transparent conductive film 13B made of ITO is formed with an optical thickness T satisfying Equation 3 by sputtering, for example.

そののち、図７（Ｂ）に示したように、透明導電膜１３Ｂの上にレジスト膜５１を形成し、このレジスト膜５１をマスクとして、例えばシュウ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより、透明導電膜１３Ｂの一部領域の厚み方向の全部を除去することにより、第２領域４２を形成する。シュウ酸は、ＩＴＯをエッチングし、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金をエッチングしないという選択性を有しているので、反射膜１３Ａに損傷を与えることなく、透明導電膜１３Ｂの一部領域の厚み方向の全部を除去することができる。   After that, as shown in FIG. 7B, a resist film 51 is formed on the transparent conductive film 13B, and this resist film 51 is used as a mask by, for example, wet etching using an etching solution containing oxalic acid. The second region 42 is formed by removing all of the partial region of the transparent conductive film 13B in the thickness direction. Since oxalic acid has a selectivity of etching ITO and not etching aluminum (Al) or an alloy containing aluminum (Al), the transparent conductive film 13B is not damaged without damaging the reflective film 13A. All of the partial region in the thickness direction can be removed.

第２領域４２を形成したのち、図８（Ａ）に示したように、第１電極１３の形成予定領域以外の反射膜１３Ａおよび透明導電膜１３Ｂを、リン酸，硝酸および酢酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより、一括して除去する。これにより、第１領域４１および第２領域４２を有する第１電極１３を形成する。   After the second region 42 is formed, as shown in FIG. 8A, the reflective film 13A and the transparent conductive film 13B other than the region where the first electrode 13 is to be formed are etched into an etching solution containing phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. It is removed all at once by wet etching using. Thereby, the first electrode 13 having the first region 41 and the second region 42 is formed.

第１電極１３を形成したのち、図８（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により第１領域４１および第２領域４２からなる発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、絶縁膜１４を形成する。   After forming the first electrode 13, as shown in FIG. 8B, a photosensitive resin is applied over the entire surface of the substrate 11, and a light emitting region composed of the first region 41 and the second region 42, for example, by photolithography. The insulating film 14 is formed by providing an opening corresponding to the above and firing.

第１電極１３および絶縁膜１４を形成したのち、有機層１５を形成する直前に、窒素プラズマ処理を行うことが好ましい。第１電極１３の反射膜１３Ａと透明導電膜１３Ｂという異なる二つの界面からの正孔注入障壁を低減し、第１領域４１の駆動電圧と第２領域４２の駆動電圧を同等レベルにすることができるからである。なお、通常は、有機層１５の成膜直前に真空中で酸素プラズマ処理を行う。正孔の注入障壁を低減、すなわち仕事関数等の調整を行い、駆動電圧を低減することができるからである。しかし、反射膜１３Ａをアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金により構成した場合には、大気中に放置されるだけで数ｎｍから数１０ｎｍ弱の自然酸化膜が形成され、従来のように酸素プラズマ処理を実施すると自然酸化膜が除去されることなく、酸素リッチ状態になり、第１領域４１（反射膜１３Ａ）の駆動電圧と第２領域４２（透明導電膜１３Ｂ）の駆動電圧とが乖離する現象が生じるからである。   It is preferable to perform nitrogen plasma treatment immediately after forming the first electrode 13 and the insulating film 14 and immediately before forming the organic layer 15. It is possible to reduce the hole injection barrier from two different interfaces of the reflective film 13A and the transparent conductive film 13B of the first electrode 13 and to make the drive voltage of the first region 41 and the drive voltage of the second region 42 at the same level. Because it can. In general, oxygen plasma treatment is performed in vacuum immediately before the organic layer 15 is formed. This is because the hole injection barrier can be reduced, that is, the work function or the like can be adjusted to reduce the drive voltage. However, when the reflective film 13A is made of aluminum (Al) or an alloy containing aluminum (Al), a natural oxide film having a thickness of a few nanometers to a few tens of nanometers is formed just by being left in the atmosphere. When the oxygen plasma treatment is performed, the natural oxide film is not removed and the oxygen rich state is obtained. The driving voltage of the first region 41 (reflection film 13A) and the driving voltage of the second region 42 (transparent conductive film 13B) This is because a phenomenon occurs in which there is a divergence.

更に、窒素プラズマ処理を行う前に、酸素プラズマ処理を行うことが好ましい。通常、酸素プラズマは仕事関数調整の目的のほかに、第１電極１３の表面に微量に残存する炭素系の不純物をアッシングする目的でも行われるが、窒素プラズマ処理では、炭素系不純物のアッシングができないからである。   Furthermore, it is preferable to perform oxygen plasma treatment before performing nitrogen plasma treatment. Usually, oxygen plasma is performed not only for the purpose of adjusting the work function but also for the purpose of ashing a small amount of carbon-based impurities remaining on the surface of the first electrode 13. However, the nitrogen plasma treatment cannot ash the carbon-based impurities. Because.

そののち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃ，電子輸送層１５Ｄおよび第２電極１６を順次成膜し、図５に示したような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。このとき、第１領域４１における光学的距離Ｌ１、および第２領域４２における光学的距離Ｌ２が数３を満たすようにする。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。   After that, the hole injection layer 15A, the hole transport layer 15B, the light emitting layer 15C, the electron transport layer 15D, and the second electrode 16 made of the above-described thickness and material are sequentially formed by, for example, vapor deposition, and shown in FIG. Organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B as described above are formed. At this time, the optical distance L1 in the first region 41 and the optical distance L2 in the second region 42 are set to satisfy Equation 3. Subsequently, the protective film 17 made of the above-described material is formed on the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。   Further, for example, a red filter material is formed on the sealing substrate 20 made of the above-described material by applying a red filter material by spin coating or the like, and patterning and baking by a photolithography technique. Subsequently, similarly to the red filter, a blue filter and a green filter are sequentially formed.

そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。その際、封止用基板２０のカラーフィルタ２１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図３に示した表示装置が完成する。   After that, an adhesive layer 30 is formed on the protective film 17, and the sealing substrate 20 is bonded with the adhesive layer 30 in between. In that case, it is preferable to arrange | position the surface in which the color filter 21 of the board | substrate 20 for sealing was formed in the organic light emitting element 10R, 10G, 10B side. Thus, the display device shown in FIG. 3 is completed.

また、この表示装置は、次のようにして製造することもできる。   Moreover, this display device can also be manufactured as follows.

まず、図６（Ａ）に示した工程により、上述した製造方法と同様にして、基板１１の上に画素駆動回路１４０，平坦化絶縁膜１２を形成する。   First, the pixel drive circuit 140 and the planarization insulating film 12 are formed on the substrate 11 by the process shown in FIG.

次いで、図６（Ｂ）に示した工程により、上述した製造方法と同様にして、反射膜１３Ａを形成する。   Next, the reflective film 13A is formed by the process shown in FIG. 6B in the same manner as in the manufacturing method described above.

続いて、図９（Ａ）に示したように、第１電極１３の形成予定領域以外の反射膜１３Ａを、リン酸，硝酸および酢酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより除去する。   Subsequently, as shown in FIG. 9A, the reflective film 13A other than the region where the first electrode 13 is to be formed is removed by wet etching using an etching solution containing phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.

そののち、図９（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により、ＩＴＯよりなる透明導電膜１３Ｂを形成する。   After that, as shown in FIG. 9B, a transparent conductive film 13B made of ITO is formed by, eg, sputtering.

そののち、図１０に示したように、透明導電膜１３Ｂの上にレジスト膜５１を形成し、このレジスト膜５１をマスクとして、例えばシュウ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより、透明導電膜１３Ｂの一部領域の厚み方向の全部を除去することにより、第２領域４２を形成する。シュウ酸は、上述したように、ＩＴＯをエッチングし、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金をエッチングしないという選択性を有しているので、反射膜１３Ａに損傷を与えることなく、透明導電膜１３Ｂの一部領域の厚み方向の全部を除去することができる。これにより、第１領域４１および第２領域４２を有する第１電極１３を形成する。   After that, as shown in FIG. 10, a resist film 51 is formed on the transparent conductive film 13B, and the transparent conductive film is formed by wet etching using, for example, an etching solution containing oxalic acid using the resist film 51 as a mask. The second region 42 is formed by removing all of the 13B partial region in the thickness direction. As described above, oxalic acid has the selectivity of etching ITO and not etching aluminum (Al) or an alloy containing aluminum (Al), so that it is transparent without damaging the reflective film 13A. The entire thickness direction of a partial region of the conductive film 13B can be removed. Thereby, the first electrode 13 having the first region 41 and the second region 42 is formed.

第１電極１３を形成したのち、図８（Ｂ）に示した工程により、上述した製造方法と同様にして、絶縁膜１４を形成する。続いて、窒素プラズマ処理と、必要に応じて酸素プラズマ処理とを行ったのち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃ，電子輸送層１５Ｄおよび第２電極１６を順次成膜し、図５に示したような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。   After the first electrode 13 is formed, the insulating film 14 is formed by the process shown in FIG. Subsequently, after performing nitrogen plasma treatment and oxygen plasma treatment as necessary, the hole injection layer 15A, the hole transport layer 15B, the light emitting layer 15C, and the electrons made of the above-described thickness and material are formed by, for example, vapor deposition. The transport layer 15D and the second electrode 16 are sequentially formed to form the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B as shown in FIG. Subsequently, the protective film 17 made of the above-described material is formed on the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。その際、封止用基板２０のカラーフィルタ２１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図３に示した表示装置が完成する。   After that, an adhesive layer 30 is formed on the protective film 17, and the sealing substrate 20 is bonded with the adhesive layer 30 in between. In that case, it is preferable to arrange | position the surface in which the color filter 21 of the board | substrate 20 for sealing was formed in the organic light emitting element 10R, 10G, 10B side. Thus, the display device shown in FIG. 3 is completed.

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１３の反射膜１３Ａと第２電極１６との間で多重反射し、第２電極１６，カラーフィルタ２１および封止用基板２０を透過して取り出される。ここでは、第１電極１３が、反射膜１３Ａの上に透明導電膜１３Ｂを積層した第１領域４１と、第１領域４１から連続した反射膜１３Ａのみを有する第２領域４２とを含んでおり、第１領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ１、第２領域における反射膜と第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および透明導電膜１３Ｂの光学的厚みＴが数３を満たしているので、取り出される光のスペクトルは第１領域４１と第２領域４２とではそのピーク波長が異なる。従って、各素子において取り出される光はそれらを合成したものとなり、そのスペクトルの半値幅が、従来の素子全体で光学的距離を同じとしたものに比べて広くなる、すなわち視野角特性が向上する。   In the display device thus obtained, a scanning signal is supplied to each pixel from the scanning line driving circuit 130 via the gate electrode of the writing transistor Tr2, and an image signal is supplied from the signal line driving circuit 120 to the writing transistor. It is held in the holding capacitor Cs via Tr2. That is, the driving transistor Tr1 is controlled to be turned on / off in accordance with the signal held in the holding capacitor Cs, whereby the driving current Id is injected into each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, so that holes, electrons, Recombine to emit light. This light is multiple-reflected between the reflective film 13 </ b> A of the first electrode 13 and the second electrode 16, passes through the second electrode 16, the color filter 21, and the sealing substrate 20 and is extracted. Here, the first electrode 13 includes a first region 41 in which the transparent conductive film 13B is laminated on the reflective film 13A, and a second region 42 having only the reflective film 13A continuous from the first region 41. , An optical distance L1 between the reflective film and the second electrode in the first region, an optical distance L2 between the reflective film and the second electrode in the second region, and an optical thickness T of the transparent conductive film 13B. Since Equation 3 is satisfied, the spectrum of the extracted light has different peak wavelengths in the first region 41 and the second region 42. Therefore, the light extracted from each element is a combination of them, and the half width of the spectrum becomes wider than that of the conventional optical element having the same optical distance, that is, the viewing angle characteristics are improved.

このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、反射膜１３Ａの上に透明導電膜１３Ｂを形成し、この透明導電膜１３Ｂの一部領域の厚み方向の全部を除去することにより、第２領域４２を形成するようにしたので、一つの素子内で透明導電膜の厚みを変更する必要をなくすことができ、そのための成膜およびパターニング工程の増加を抑えることができる。よって、簡単な工程により第１領域４１および第２領域４２の光学的距離Ｌ１，Ｌ２を異ならせることができ、視野角特性の向上した表示装置を容易に製造することが可能となる。   As described above, in the method for manufacturing the display device according to the present embodiment, the transparent conductive film 13B is formed on the reflective film 13A, and all of the partial direction of the transparent conductive film 13B in the thickness direction is removed. Since the two regions 42 are formed, it is not necessary to change the thickness of the transparent conductive film in one element, and an increase in film formation and patterning steps for that purpose can be suppressed. Therefore, the optical distances L1 and L2 between the first region 41 and the second region 42 can be made different by a simple process, and a display device with improved viewing angle characteristics can be easily manufactured.

本実施の形態の表示装置では、第１電極１３が、反射膜１３Ａの上に透明導電膜１３Ｂを積層した第１領域４１と、第１領域４１から連続した反射膜１３Ａのみを有する第２領域４２とを含むようにすると共に、第１領域４１における光学的距離Ｌ１、第２領域４２における光学的距離Ｌ２、および透明導電膜１３Ｂの光学的厚みＴが数３を満たすようにしたので、第１領域４１および第２領域４２の各々から取り出される光のスペクトルのピーク波長を異ならせ、それらを合成したスペクトルの半値幅を広くすることができ、視野角特性を向上させることができる。また、従来のように透明導電膜の厚みを変えるための複雑なパターニング工程も不要であり、製造コストの点でも有利である。よって、簡素な構成および工程により高品質な有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備えた表示装置を実現することができる。   In the display device according to the present embodiment, the first electrode 13 includes the first region 41 in which the transparent conductive film 13B is stacked on the reflective film 13A, and the second region having only the reflective film 13A continuous from the first region 41. 42, and the optical distance L1 in the first region 41, the optical distance L2 in the second region 42, and the optical thickness T of the transparent conductive film 13B satisfy Expression 3. The peak wavelength of the spectrum of the light extracted from each of the first region 41 and the second region 42 can be made different, the half width of the spectrum obtained by synthesizing them can be widened, and the viewing angle characteristics can be improved. Further, a complicated patterning process for changing the thickness of the transparent conductive film as in the prior art is unnecessary, which is advantageous in terms of manufacturing cost. Therefore, a display device including high-quality organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B can be realized with a simple configuration and process.

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。 (Modules and application examples)
Hereinafter, application examples of the display device described in the above embodiment will be described. The display device according to the above embodiment is an image signal that is input from the outside or is generated internally, such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera. Alternatively, the present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display images.

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板２０および接着層３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。 (module)
The display device of the above-described embodiment is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module illustrated in FIG. In this module, for example, a region 210 exposed from the sealing substrate 20 and the adhesive layer 30 is provided on one side of the substrate 11, and wirings of the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 are provided in the exposed region 210. An external connection terminal (not shown) is formed by extending. The external connection terminal may be provided with a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input / output.

（適用例１）
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 1)
FIG. 12 illustrates an appearance of a television device to which the display device of the above embodiment is applied. The television apparatus has, for example, a video display screen unit 300 including a front panel 310 and a filter glass 320, and the video display screen unit 300 is configured by the display device according to each of the above embodiments. .

（適用例２）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 2)
FIG. 13 shows the appearance of a digital camera to which the display device of the above embodiment is applied. The digital camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440. The display unit 420 is configured by the display device according to each of the above embodiments. Yes.

（適用例３）
図１４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 3)
FIG. 14 shows an appearance of a notebook personal computer to which the display device of the above embodiment is applied. The notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 for displaying an image. The display unit 530 is a display according to each of the above embodiments. It is comprised by the apparatus.

（適用例４）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 4)
FIG. 15 shows the appearance of a video camera to which the display device of the above embodiment is applied. This video camera has, for example, a main body 610, a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 630 at the time of photographing, and a display 640. Reference numeral 640 denotes the display device according to each of the above embodiments.

（適用例５）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。 (Application example 5)
FIG. 16 illustrates an appearance of a mobile phone to which the display device of the above embodiment is applied. For example, the mobile phone is obtained by connecting an upper housing 710 and a lower housing 720 with a connecting portion (hinge portion) 730, and includes a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 770. Yes. The display 740 or the sub-display 750 is configured by the display device according to each of the above embodiments.

更に、本発明の具体的な実施例について説明する。   Furthermore, specific examples of the present invention will be described.

（実施例１）
上記実施の形態の図６ないし図８に示した製造方法と同様にして表示装置を作製した。その際、有機層１５を形成する直前に、酸素プラズマ処理を行った。 Example 1
A display device was manufactured in the same manner as the manufacturing method shown in FIGS. At that time, an oxygen plasma treatment was performed immediately before the organic layer 15 was formed.

（実施例２）
有機層１５を形成する直前に、窒素プラズマ処理を行ったことを除いては、実施例１と同様にして表示装置を作製した。 (Example 2)
A display device was produced in the same manner as in Example 1 except that nitrogen plasma treatment was performed immediately before the organic layer 15 was formed.

得られた実施例１，２の表示装置について、第１領域４１および第２領域４２のそれぞれの駆動電圧を調べた。その結果を以下に示す。   Regarding the obtained display devices of Examples 1 and 2, the driving voltages of the first region 41 and the second region 42 were examined. The results are shown below.

実施例１の駆動電圧
第２領域４２（ＩＴＯ）；４．１Ｖ（１０ｍＡ／ｃｍ2 ）
第１領域４１（アルミニウム合金）；４．９Ｖ（１０ｍＡ／ｃｍ2 ）
酸素プラズマ条件；Ｏ2 圧力２００Ｐａ、プラズマ処理密度０．１Ｗ／ｃｍ2 、処理時間２４０秒
なお、プラズマ処理密度は（ＲＦパワー／電極面積）により求めた。 Driving voltage second region 42 (ITO) of Example 1; 4.1 V (10 mA / cm 2 )
The first region 41 (aluminum alloy); 4.9V (10mA / cm 2 )
Oxygen plasma conditions: O 2 pressure 200 Pa, plasma treatment density 0.1 W / cm 2 , treatment time 240 seconds The plasma treatment density was determined by (RF power / electrode area).

実施例２の駆動電圧
第２領域４２（ＩＴＯ）；４．０Ｖ（１０ｍＡ／ｃｍ2 ）
第１領域４１（アルミニウム合金）；４．０Ｖ（１０ｍＡ／ｃｍ2 ）
窒素プラズマ条件；Ｎ2 圧力１６０Ｐａ、プラズマ処理密度０．２Ｗ／ｃｍ2 、処理時間２４０秒 Driving voltage second region 42 (ITO) of Example 2; 4.0 V (10 mA / cm 2 )
1st area | region 41 (aluminum alloy); 4.0V (10mA / cm < 2 >)
Nitrogen plasma conditions: N 2 pressure 160 Pa, plasma treatment density 0.2 W / cm 2 , treatment time 240 seconds

以上の結果から分かるように、窒素プラズマ処理を行った実施例２では、第１領域４１と第２領域４２との駆動電圧の差が小さくなっていた。すなわち、有機層１５を形成する直前に窒素プラズマ処理を行うようにすれば、第１領域４１と第２領域４２とで駆動電圧を同等レベルにすることができることが分かった。   As can be seen from the above results, in Example 2 in which the nitrogen plasma treatment was performed, the difference in driving voltage between the first region 41 and the second region 42 was small. That is, it has been found that if the nitrogen plasma treatment is performed immediately before the organic layer 15 is formed, the drive voltage can be made equal in the first region 41 and the second region 42.

なお、得られた実施例１，２の表示装置について、発光効率および寿命についても調べたところ、実施例１，２間で特性変動は認められなかった。   The obtained display devices of Examples 1 and 2 were also examined for light emission efficiency and lifetime. As a result, no characteristic variation was observed between Examples 1 and 2.

以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、第１電極１３が、平面形状において右側半分の第１領域４１と左側半分の第２領域４２とに分けられている場合について説明したが、第１電極１３は、図１７に示したように、中央部の第１領域４１と左右部の第２領域２２とに分けられていてもよいし、図１８に示したように上側半分と下側半分とに分けられていてもよい。また、図１９に示したように斜めの境界線で分割されていてもよく、視認上問題ない範囲で選択可能である。   The present invention has been described with reference to the embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the above embodiments and examples, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiments and examples, the case where the first electrode 13 is divided into the first region 41 on the right half and the second region 42 on the left half in the planar shape has been described. 17 may be divided into a first area 41 at the center and a second area 22 at the left and right as shown in FIG. 17, or an upper half and a lower half as shown in FIG. It may be divided into. Moreover, as shown in FIG. 19, it may be divided by an oblique boundary line, and can be selected within a range that causes no problem in visual recognition.

また、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１３は、第１領域４１および第２領域４２の二つに限らず、三つ以上の領域に分けられていてもよい。この場合、そのうちの少なくとも二つの領域において光学的距離が異なればよい。   Further, the first electrode 13 of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B is not limited to two of the first region 41 and the second region 42, and may be divided into three or more regions. In this case, the optical distance may be different in at least two of the regions.

更に、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態および実施例では、透明導電膜１３Ｂを、シュウ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングによりパターニングして第２領域４２を形成する場合について説明したが、ドライエッチングを用いた場合も、エッチング時間のコントロール等により透明導電膜１３Ｂのみを選択的にエッチングすることも不可能ではない。ただし、ドライエッチングで選択性を出すことは非常に困難であり、実現性および製造プロセスコストを考慮すると、ウェットエッチングによる手法が好ましい。   Furthermore, for example, the materials and thicknesses of the respective layers described in the above embodiments and examples, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used. It is good also as a film | membrane method and film-forming conditions. For example, in the embodiments and examples described above, the case where the transparent conductive film 13B is patterned by wet etching using an etchant containing oxalic acid to form the second region 42 has been described, but dry etching was used. In this case, it is not impossible to selectively etch only the transparent conductive film 13B by controlling the etching time. However, it is very difficult to achieve selectivity by dry etching, and in consideration of feasibility and manufacturing process costs, a wet etching method is preferable.

加えて、例えば、上記実施の形態および実施例においては、基板１１の上に、第１電極１３，有機層１５および第２電極１６を基板１１の側から順で積層し、封止用基板２０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。   In addition, for example, in the above-described embodiments and examples, the first electrode 13, the organic layer 15, and the second electrode 16 are stacked on the substrate 11 in this order from the substrate 11 side, and the sealing substrate 20. However, the second electrode 16, the organic layer 15, and the first electrode 13 are stacked on the substrate 11 in this order from the substrate 11 side. It is also possible to extract light from the substrate 11 side.

更にまた、例えば、上記実施の形態および実施例では、第１電極１３を陽極、第２電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極としてもよい。さらに、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極とすると共に、基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。   Furthermore, for example, in the above-described embodiments and examples, the case where the first electrode 13 is an anode and the second electrode 16 is a cathode is described. However, the anode and the cathode are reversed, and the first electrode 13 is a cathode, The second electrode 16 may be an anode. Further, the first electrode 13 is a cathode, the second electrode 16 is an anode, and the second electrode 16, the organic layer 15, and the first electrode 13 are sequentially stacked on the substrate 11 from the substrate 11 side. It is also possible to extract light from the side.

加えてまた、上記実施の形態および実施例では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。   In addition, in the above-described embodiments and examples, the configuration of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B has been specifically described. However, it is not necessary to include all layers, and further include other layers. It may be.

更にまた、上記実施の形態および実施例では、第２電極１６が半透過性反射層により構成されている場合について説明したが、第２電極１６は、半透過性反射層と透明電極とが第１電極１３の側から順に積層された構造としてもよい。この透明電極は、半透過性反射層の電気抵抗を下げるためのものであり、発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成されている。透明電極を構成する材料としては、例えば、ＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物が好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。透明電極の厚みは、例えば３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。また、この場合、半透過性反射層を一方の端部とし、透明電極を挟んで半透過性電極に対向する位置に他方の端部を設け、透明電極を共振部とする共振器構造を形成するようにしてもよい。さらに、そのような共振器構造を設けた上で、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを保護膜１７で覆うようにし、この保護膜１７を、透明電極を構成する材料と同程度の屈折率を有する材料により構成すれば、保護膜１７を共振部の一部とすることができ、好ましい。   Furthermore, in the above-described embodiments and examples, the case where the second electrode 16 is formed of a semi-transmissive reflective layer has been described. However, the second electrode 16 includes a semi-transmissive reflective layer and a transparent electrode. It is good also as a structure laminated | stacked in an order from the 1 electrode 13 side. This transparent electrode is for lowering the electric resistance of the semi-transmissive reflective layer, and is made of a conductive material having sufficient translucency for the light generated in the light emitting layer. As a material constituting the transparent electrode, for example, ITO or a compound containing indium, zinc (Zn), and oxygen is preferable. This is because good conductivity can be obtained even if the film is formed at room temperature. The thickness of the transparent electrode can be, for example, 30 nm or more and 1000 nm or less. In this case, a semi-transparent reflective layer is used as one end, and the other end is provided at a position facing the semi-transparent electrode with the transparent electrode in between. You may make it do. Furthermore, after providing such a resonator structure, the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are covered with a protective film 17, and the protective film 17 has a refractive index similar to that of the material constituting the transparent electrode. If it comprises with the material which has, the protective film 17 can be made into a part of resonance part, and is preferable.

加えてまた、本発明は、第２電極１６を透明電極により構成すると共に、この透明電極の有機層１６と反対側の端面の反射率が大きくなるように構成し、第１電極１３の発光層１５Ｃ側の端面を第１端部、透明電極の有機層と反対側の端面を第２端部とした共振器構造を構成した場合についても適用することができる。例えば、透明電極を大気層に接触させ、透明電極と大気層との境界面の反射率を大きくして、この境界面を第２端部としてもよい。また、接着層との境界面での反射率を大きくして、この境界面を第２端部としてもよい。さらに、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを保護膜１７で覆い、この保護膜１７との境界面での反射率を大きくして、この境界面を第２端部としてもよい。   In addition, according to the present invention, the second electrode 16 is formed of a transparent electrode, and the reflectance of the end surface of the transparent electrode opposite to the organic layer 16 is increased. The present invention can also be applied to a resonator structure in which the end face on the 15C side is the first end and the end face on the side opposite to the organic layer of the transparent electrode is the second end. For example, the transparent electrode may be brought into contact with the atmospheric layer, the reflectance of the boundary surface between the transparent electrode and the atmospheric layer may be increased, and this boundary surface may be used as the second end portion. Further, the reflectance at the boundary surface with the adhesive layer may be increased, and this boundary surface may be the second end portion. Furthermore, the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B may be covered with the protective film 17, the reflectance at the boundary surface with the protective film 17 may be increased, and this boundary surface may be used as the second end portion.

更にまた、上記実施の形態および実施例では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。加えてまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態および実施例で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。   Furthermore, although the case of an active matrix display device has been described in the above embodiment modes and examples, the present invention can also be applied to a passive matrix display device. In addition, the configuration of the pixel driving circuit for active matrix driving is not limited to that described in the above embodiments and examples, and a capacitor and a transistor may be added as necessary. In that case, a necessary driving circuit may be added in addition to the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 described above in accordance with the change of the pixel driving circuit.

本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the pixel drive circuit shown in FIG. 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the display area shown in FIG. 図３に示した有機発光素子の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 in order of steps. 図６に続く工程を表す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 6. 図７に続く工程を表す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 7. 図１に示した表示装置の他の製造方法を工程順に表す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating another method for manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 in order of steps. 図９に続く工程を表す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 9. 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。It is a top view showing schematic structure of the module containing the display apparatus of the said embodiment. 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 1 of the display apparatus of the said embodiment. （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。(A) is a perspective view showing the external appearance seen from the front side of the application example 2, (B) is a perspective view showing the external appearance seen from the back side. 適用例３の外観を表す斜視図である。12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 3. FIG. 適用例４の外観を表す斜視図である。14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4. FIG. （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。(A) is a front view of the application example 5 in an open state, (B) is a side view thereof, (C) is a front view in a closed state, (D) is a left side view, and (E) is a right side view, (F) is a top view and (G) is a bottom view. 図４に示した有機発光素子の第１領域および第２領域の平面形状の他の例を表す平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating another example of the planar shape of the first region and the second region of the organic light emitting device illustrated in FIG. 4. 図４に示した有機発光素子の第１領域および第２領域の平面形状の更に他の例を表す平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating still another example of the planar shape of the first region and the second region of the organic light emitting device illustrated in FIG. 4. 図４に示した有機発光素子の第１領域および第２領域の平面形状の更に他の例を表す平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating still another example of the planar shape of the first region and the second region of the organic light emitting device illustrated in FIG. 4.

符号の説明Explanation of symbols

１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化絶縁膜、１３…第１電極、１３Ａ…反射膜、１３Ｂ…透明導電膜、１４…絶縁膜、１５…有機層、１５Ａ…正孔注入層、１５Ｂ…正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…封止用基板、２１…カラーフィルタ、３０…接着層、４１…第１領域、４２…第２領域、Ｐ１…第１端部、Ｐ２…第２端部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Pixel, 10R, 10G, 10B ... Organic light emitting element, 11 ... Substrate, 12 ... Flattened insulating film, 13 ... First electrode, 13A ... Reflective film, 13B ... Transparent conductive film, 14 ... Insulating film, 15 ... Organic 15A ... hole injection layer, 15B ... hole transport layer, 15C ... light emitting layer, 15D ... electron transport layer, 16 ... second electrode, 17 ... protective film, 20 ... substrate for sealing, 21 ... color filter, 30 ... adhesive layer, 41 ... first region, 42 ... second region, P1 ... first end, P2 ... second end

Claims (11)

基板に複数の有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記複数の有機発光素子の各々を形成する工程は、
反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、前記第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含む第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に、発光層を含む複数の層よりなる有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成すると共に、前記発光層で発生した光を前記反射膜と前記第２電極との間で共振させる共振器構造を形成する工程と
を含み、
前記第１電極を形成する工程は、
前記反射膜を形成する工程と、
前記反射膜の上に前記透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜の一部領域の厚み方向の全部を除去することにより、前記第２領域を形成する工程と
を含み、
前記第１領域における前記反射膜と前記第２電極との間の光学的距離Ｌ１、前記第２領域における前記反射膜と前記第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および前記透明導電膜の光学的厚みＴが数１を満たすようにする
表示装置の製造方法。
（数１）
Ｌ１＝Ｌave ＋ΔＬ
Ｌ２＝Ｌave −ΔＬ
（２Ｌave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
Ｔ＝２ΔＬ
（式中、Ｌave は第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２との平均光学的距離、Φは前記反射膜で生じる反射光の位相シフトΦ1 と前記第２電極で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは前記第２電極の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬ１，Ｌ２，Ｌave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。） A method of manufacturing a display device in which a plurality of organic light emitting elements are formed on a substrate,
The step of forming each of the plurality of organic light emitting elements includes:
Forming a first electrode including a first region in which a transparent conductive film is laminated on a reflective film, and a second region having only a reflective film continuous from the first region;
Forming an organic layer comprising a plurality of layers including a light emitting layer on the first electrode;
Forming a second electrode on the organic layer, and forming a resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer between the reflective film and the second electrode.
The step of forming the first electrode includes:
Forming the reflective film;
Forming the transparent conductive film on the reflective film;
Forming the second region by removing all of the thickness direction of the partial region of the transparent conductive film,
An optical distance L1 between the reflective film and the second electrode in the first region, an optical distance L2 between the reflective film and the second electrode in the second region, and the transparent conductive film A method for manufacturing a display device, wherein the optical thickness T satisfies Equation 1.
(Equation 1)
L1 = Lave + ΔL
L2 = Lave−ΔL
(2Lave) / λ + Φ / (2π) = m
T = 2ΔL
(Wherein, Lave is an optical distance L1 between the optical distance mean optical distance between L2, [Phi is the phase shift of reflected light generated by the reflection film [Phi 1 and the second in the second region 22 in the first region 21 The sum (Φ = Φ 1 + Φ 2 ) (rad) of the phase shift Φ 2 of the reflected light generated at the electrode, λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the second electrode side, and m is positive for Lave Each represents an integer. In Equation 1, L1, L2, Lave, and λ may have the same unit, for example, (nm) as a unit.) 前記反射膜を、アルミニウムを主成分とし、少なくとも一種のランタノイド系元素を添加した合金により構成する
請求項１記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the reflective film is made of an alloy containing aluminum as a main component and at least one lanthanoid element added. 前記透明導電膜をＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）により構成し、
前記透明導電膜の一部領域の厚み方向の全部を除去する工程を、シュウ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより行う
請求項２記載の表示装置の製造方法。 The transparent conductive film is made of ITO (indium-tin composite oxide),
The method for manufacturing a display device according to claim 2, wherein the step of removing all of the transparent conductive film in the thickness direction is performed by wet etching using an etchant containing oxalic acid. 前記有機層のうち前記第１電極に接する層を、化１に示す材料により構成する
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
Figure 2010062067
 （化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。） 4. The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein a layer of the organic layer that is in contact with the first electrode is formed of the material shown in Chemical Formula 1. 4.
Figure 2010062067
 (In Chemical Formula 1, each of R1 to R6 is independently hydrogen, halogen, hydroxyl group, amino group, arylamino group, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms. Ester group, substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon group having 30 or less carbon atoms A substituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 30 or less carbon atoms, a nitrile group, a cyano group, a nitro group, or a silyl group, and adjacent Rm (m = 1 to 6) are And may be bonded to each other through a cyclic structure, and X1 to X6 are each independently a carbon or nitrogen atom.) 前記有機層を形成する工程の直前に、窒素プラズマ処理を行う
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein nitrogen plasma treatment is performed immediately before the step of forming the organic layer. 前記第１電極を形成する工程は、前記第２領域を形成する工程ののち、前記第１電極の形成予定領域以外の前記反射膜および前記透明導電膜を、リン酸，硝酸および酢酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより一括して除去する工程を含む
請求項３ないし５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 In the step of forming the first electrode, after the step of forming the second region, the reflective film and the transparent conductive film other than the region where the first electrode is to be formed are etched including phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. The method for manufacturing a display device according to any one of claims 3 to 5, further comprising a step of removing all at once by wet etching using a liquid. 前記第１電極を形成する工程は、前記反射膜を形成する工程ののち、前記透明導電膜を形成する工程の前に、前記第１電極の形成予定領域以外の前記反射膜を、リン酸，硝酸および酢酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより除去する工程を含む
請求項３ないし５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 In the step of forming the first electrode, after the step of forming the reflective film and before the step of forming the transparent conductive film, the reflective film other than the region where the first electrode is to be formed is made phosphoric acid, The method for manufacturing a display device according to any one of claims 3 to 5, including a step of removing by wet etching using an etching solution containing nitric acid and acetic acid. 基板に複数の有機発光素子を備えた表示装置であって、
前記複数の有機発光素子の各々は、
反射膜の上に透明導電膜を積層した第１領域と、前記第１領域から連続した反射膜のみを有する第２領域とを含む第１電極と、
前記第１電極の上に形成され、発光層を含む複数の層よりなる有機層と、
前記有機層の上に形成された第２電極と
を備えると共に、前記発光層で発生した光を前記反射膜と前記第２電極との間で共振させる共振器構造を有し、
前記第１領域における前記反射膜と前記第２電極との間の光学的距離Ｌ１、前記第２領域における前記反射膜と前記第２電極との間の光学的距離Ｌ２、および前記透明導電膜の光学的厚みＴが数２を満たす
表示装置。
（数２）
Ｌ１＝Ｌave ＋ΔＬ
Ｌ２＝Ｌave −ΔＬ
（２Ｌave ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
Ｔ＝２ΔＬ
（式中、Ｌave は第１領域２１における光学的距離Ｌ１と第２領域２２における光学的距離Ｌ２との平均光学的距離、Φは前記反射膜で生じる反射光の位相シフトΦ1 と前記第２電極で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和（Φ＝Φ1 ＋Φ2 ）（ｒａｄ）、λは前記第２電極の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬave が正となる整数をそれぞれ表す。なお、数２においてＬ１，Ｌ２，Ｌave およびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。） A display device comprising a plurality of organic light emitting elements on a substrate,
Each of the plurality of organic light emitting elements is
A first electrode including a first region in which a transparent conductive film is laminated on the reflective film, and a second region having only a reflective film continuous from the first region;
An organic layer formed on the first electrode and including a plurality of layers including a light emitting layer;
A resonator structure that resonates light generated in the light emitting layer between the reflective film and the second electrode, and a second electrode formed on the organic layer.
An optical distance L1 between the reflective film and the second electrode in the first region, an optical distance L2 between the reflective film and the second electrode in the second region, and the transparent conductive film A display device in which the optical thickness T satisfies Formula 2.
(Equation 2)
L1 = Lave + ΔL
L2 = Lave−ΔL
(2Lave) / λ + Φ / (2π) = m
T = 2ΔL
(Where Lave is the average optical distance between the optical distance L1 in the first region 21 and the optical distance L2 in the second region 22, and Φ is the phase shift Φ 1 of the reflected light generated in the reflective film and the second The sum (Φ = Φ 1 + Φ 2 ) (rad) of the phase shift Φ 2 of the reflected light generated at the electrode, λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the second electrode side, and m is positive for Lave Each represents an integer.Note that, in Equation 2, L1, L2, Lave, and λ may have the same unit, for example, (nm) as a unit.) 前記反射膜は、アルミニウムを主成分とし、少なくとも一種のランタノイド系元素を添加した合金により構成されている
請求項８記載の表示装置。 The display device according to claim 8, wherein the reflective film is made of an alloy containing aluminum as a main component and at least one lanthanoid element added. 前記透明導電膜はＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）により構成されている
請求項９記載の表示装置。 The display device according to claim 9, wherein the transparent conductive film is made of ITO (indium-tin composite oxide). 前記有機層のうち前記第１電極に接する層は、化２に示す材料により構成されている
請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の表示装置。
Figure 2010062067
 （化２において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アリールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。） The display device according to claim 8, wherein a layer in contact with the first electrode in the organic layer is made of a material shown in Chemical Formula 2.
Figure 2010062067
 (In Chemical Formula 2, each of R1 to R6 is independently hydrogen, halogen, hydroxyl group, amino group, arylamino group, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms. Ester group, substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted alkenyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxyl group having 20 or less carbon atoms, substituted or unsubstituted carbon group having 30 or less carbon atoms A substituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 30 or less carbon atoms, a nitrile group, a cyano group, a nitro group, or a silyl group, and adjacent Rm (m = 1 to 6) are And may be bonded to each other through a cyclic structure, and X1 to X6 are each independently a carbon or nitrogen atom.)
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278010A (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting element
US8350464B1 (en) 2011-06-29 2013-01-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
WO2014038560A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 株式会社神戸製鋼所 Organic el element, production method for reflective electrode in organic el element, and al alloy sputtering target for forming reflective electrode in organic el element
US9013094B2 (en) 2011-11-29 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
WO2016197582A1 (en) 2015-06-12 2016-12-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
CN106505086A (en) * 2015-09-04 2017-03-15 三星显示有限公司 Display device
JP2017168851A (en) * 2010-10-25 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting element unit
US10204970B2 (en) 2013-11-18 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278010A (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting element
JP2017168851A (en) * 2010-10-25 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting element unit
US8350464B1 (en) 2011-06-29 2013-01-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US9013094B2 (en) 2011-11-29 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
WO2014038560A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 株式会社神戸製鋼所 Organic el element, production method for reflective electrode in organic el element, and al alloy sputtering target for forming reflective electrode in organic el element
US10204970B2 (en) 2013-11-18 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
WO2016197582A1 (en) 2015-06-12 2016-12-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
JP2018518792A (en) * 2015-06-12 2018-07-12 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Array substrate, display device including the same, and method for manufacturing the array substrate
EP3308402A4 (en) * 2015-06-12 2019-01-09 Boe Technology Group Co. Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
US10665638B2 (en) 2015-06-12 2020-05-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof
CN106505086A (en) * 2015-09-04 2017-03-15 三星显示有限公司 Display device
CN106505086B (en) * 2015-09-04 2022-02-18 三星显示有限公司 Display device

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