JP2010061578A

JP2010061578A - Program or system for use limit estimation analysis of semiconductor storage device

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Publication number: JP2010061578A
Application number: JP2008229017A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Kawamura; 達哉河村; Takahide Kitajima; 貴秀北島; Yoshiyuki Samitsu; 義行佐光
Original assignee: JDS KK
Current assignee: JDS KK
Priority date: 2008-09-05
Filing date: 2008-09-05
Publication date: 2010-03-18

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a program for a use limit estimated time analysis of a semiconductor storage device that can specify a use limit estimated time (an estimated life) from immediately after starting to use a new semiconductor storage device. <P>SOLUTION: The program for the use limit estimated time analysis of the semiconductor storage device provides: a maximum value computing process for computing the maximum value of an erase count from the capacity of the semiconductor storage device and storing it in a storage means; an erase count acquisition process for acquiring the erase count every fixed cycle; and an erase count storage process for storing the erase count and the acquisition time of the erase count in the storage means; an arithmetic process for computing a rise coefficient based on the temporal transition of the erase count on condition that the erase count acquisition process was carried out a plurality of times, and computing the use limit estimated time of the semiconductor storage device in relation to the maximum value of the erase count stored in the storage means; and a use limit display output process for outputting use limit estimation information to a display means from a display/output means based on the use limit estimated time computed in the arithmetic process. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体記憶装置の使用限界（寿命）を予想し使用者又は管理者等に伝えるために用いられる半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラム又はシステムに関するものである。 The present invention relates to a semiconductor memory device usage limit prediction analysis program or system used for predicting the usage limit (lifetime) of a semiconductor memory device and communicating it to a user or administrator.

これまでコンピュータの記憶装置としては、ハードディスク装置（ＨＤＤ：ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）が使用されていたが、近年では、こうしたハードディスク装置に替って、ＳＳＤ（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ、すなわちフラッシュメモリ等からなる大容量記憶手段）等の半導体記憶装置が使用されつつある。こうした半導体記憶装置は、可動部（ヘッドやモータ）がないため，耐衝撃性に優れ、また、ヘッドを移動させるためのシーク時間やディスクの回転数を高めるスピンアップ時間をゼロにできること、さらにはＨＤＤと比較してよりデータ転送速度を高められるばかりではなく振動に強くまた塵埃から保護され、湿度による悪影響を防止できる点で優れており、今後は多用される可能性が高い。 Conventionally, a hard disk drive (HDD: Hard Disk Drive) has been used as a storage device of a computer. However, in recent years, an SSD (Solid State Drive), that is, a large capacity composed of a flash memory or the like is replaced with such a hard disk device. Semiconductor storage devices such as storage means) are being used. Such a semiconductor memory device has no moving parts (head or motor), so it has excellent impact resistance, and it can have zero seek time for moving the head and spin-up time for increasing the rotation speed of the disk, and Compared to HDDs, it is superior in that it can not only increase the data transfer speed, but also is resistant to vibrations and protected from dust, and can prevent adverse effects due to humidity, and is likely to be frequently used in the future.

ところで、こうした半導体記憶装置は、その容量に応じた寿命（使用限界時間）があることから、使用者としては、その寿命を予め知りたいという要請が強い。そこで、こうした半導体記憶装置の寿命に関する情報を取得するシステムないし方法としては、これまで以下に説明するものが提案されている。このシステムは、半導体記憶装置の不良ブロック代替領域の消費ブロック数を検出する消費ブロック数検出手段と、この消費ブロック数検出手段の検出結果に基づいて、半導体記憶装置の装置寿命を予想し、当該予想結果を報知する寿命報知手段と、を備えたものである。こうした構成により、使用者は、半導体記憶装置を消耗品と捉えて適切な時期に交換することができ、使用者の意に反して半導体記憶装置が装置寿命に達してしまい、データの信頼性が失われたり損失してしまったりすることを防止することができる（特許文献１参照）。
特開２００８−９５９４号公報 By the way, since such a semiconductor memory device has a lifetime (usage limit time) according to its capacity, there is a strong demand for users to know the lifetime in advance. Thus, as systems or methods for acquiring information relating to the lifetime of such a semiconductor memory device, those described below have been proposed. The system predicts the device life of the semiconductor memory device based on the detection result of the consumed block number detecting means for detecting the number of consumed blocks in the defective block replacement area of the semiconductor memory device, and the detected result of the consumed block number detecting means. Life notification means for reporting the expected result. With such a configuration, the user can regard the semiconductor storage device as a consumable item and replace it at an appropriate time, and the semiconductor storage device reaches the device life against the user's will, and the reliability of the data is reduced. Loss or loss can be prevented (see Patent Document 1).
JP 2008-9594 A

しかしながら、上記特許文献１に開示されたシステムないし方法では、不良ブロック代替領域の消費ブロックは、不良ブロックが生じることによりはじめて発生するものであるが、この不良ブロックは何時発生するかは不明であり、予想することは不可能である。したがって、不良ブロックが発生する以前では、該半導体記憶装置の寿命は予想できないばかりか、不良ブロックが発生することにより、極めて短い寿命であることを知るに至る可能性も否定できない。 However, in the system or method disclosed in Patent Document 1, the consumed block in the defective block replacement area is generated only when a defective block is generated, but it is unclear when this defective block occurs. It is impossible to predict. Therefore, before the occurrence of a defective block, not only the lifetime of the semiconductor memory device cannot be predicted, but also the possibility of knowing that the lifetime is extremely short due to the occurrence of a defective block cannot be denied.

そこで、本発明は、上述した従来のシステムないし方法が有する課題を解決するために提案されたものであって、新たな半導体記憶装置の使用開始直後から使用限界予想時間（予想寿命）を特定することができる新規な半導体記憶装置の使用限界予想時間解析用プログラム又はシステムを提供することを目的とするものである。 Therefore, the present invention has been proposed to solve the problems of the conventional system or method described above, and specifies the expected use limit time (expected life) immediately after the start of use of a new semiconductor memory device. It is an object of the present invention to provide a novel semiconductor memory device use limit expected time analysis program or system.

上述した目的を達成するため、第１の発明（請求項１記載の発明）は、半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラムに係るものであって、記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるとともに、半導体記憶装置が内蔵され又は接続されてなるコンピュータに対して、上記半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値を算出し、上記記憶手段に記憶させる最大値算出工程と、上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を、上記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力する使用限界表示出力工程と、を実現させることを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, a first invention (invention according to claim 1) relates to a program for use limit prediction analysis of a semiconductor memory device, and comprises storage means, display means and / or output means. And a storage means, a display means and / or an output means, a control means connected to the input means and controlling the storage means, the display means, the input means, and the output means, and a semiconductor memory device A maximum value calculating step of calculating the maximum value of the erase count of the semiconductor memory device from the capacity of the semiconductor memory device and storing the maximum value in the memory means for a computer having a built-in or connected device; and the semiconductor memory device The erase count acquisition step for acquiring the erase count at regular intervals, the erase count acquired by the erase count acquisition step, and the erase count The increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated on the condition that the erase count storage step for storing the source count acquisition time in the storage means constituting the computer and the erase count acquisition step are performed a plurality of times. And a calculation step for calculating the expected use limit time of the semiconductor memory device in relation to the maximum value of the erase count stored in the storage means, and the use limit expected time calculated by this calculation step. A use limit display output step of displaying the limit prediction information on the display means and / or outputting the limit prediction information from the output means is realized.

この発明に係るプログラムが実現させるコンピュータは、通常の事務処理等を行う際に使用されるパーソナルコンピュータばかりではなく、例えば、ＡＴＭやＰＯＳシステムにおいて使用されるサーバコンピュータであっても良く、少なくとも、記憶手段、表示手段及び／又は出力手段、入力手段、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段が構成要素とされていれば良い。そして、この発明においては、使用限界予想時間を解析する対象である半導体記憶装置が上記コンピュータに内蔵され又は接続されている必要がある。なお、ここに挙げた構成要素の内、記憶手段は、一般のコンピュータのいわゆるメインメモリ（主記憶手段）に相当するものである。また、半導体記憶装置は、一般のコンピュータのいわゆるサブメモリ（補助記憶手段）に相当するものであって、この半導体記憶装置の例としてはＳＳＤが挙げられる。なお、この半導体記憶装置はこのコンピュータに対していわゆる内部接続されるものでも外部接続されるものであっても良く、また、該半導体記憶装置は一つであっても複数であっても良い。また、表示手段は、例えば、一般のコンピュータに接続又は内蔵されるディスプレイである。また、入力手段は例えば、キーボードやマウスである。また、制御手段は、一般のコンピュータの中央演算処理装置（ＣＰＵ）に相当するものである。また、出力手段は、イーサネット（イーサネットは富士ゼロツクス株式会社の登録商標）やインターネット等により他のコンピュータに情報を送信（出力）するネットワーク手段や、紙面に印刷することにより使用者に視覚を介して情報を伝達するプリンタ等の印刷手段や、警告音や合成音声等を発する事により使用者に注意を喚起する事が出来るスピーカー等の発音手段であっても良い。 The computer realized by the program according to the present invention may be not only a personal computer used when performing ordinary paperwork, but also a server computer used in, for example, an ATM or POS system. Means, display means and / or output means, input means, storage means, display means and / or output means, and control means connected to the input means to control the storage means, display means, input means, and output means If it is said that. In the present invention, it is necessary that a semiconductor memory device, which is a target for analyzing the expected usage limit time, is built in or connected to the computer. Of the components listed here, the storage means corresponds to a so-called main memory (main storage means) of a general computer. The semiconductor memory device corresponds to a so-called sub memory (auxiliary memory means) of a general computer, and an example of the semiconductor memory device is an SSD. This semiconductor memory device may be so-called internally connected or externally connected to this computer, and there may be one or more semiconductor memory devices. The display means is, for example, a display connected to or built in a general computer. The input means is, for example, a keyboard or a mouse. The control means corresponds to a central processing unit (CPU) of a general computer. The output means is Ethernet (Ethernet is a registered trademark of Fuji Xerox Co., Ltd.), network means for transmitting (outputting) information to other computers via the Internet, etc., and printing on paper to the user visually. It may be a printing means such as a printer that transmits information, or a sounding means such as a speaker that can alert the user by issuing a warning sound or a synthesized voice.

そして、上記発明では、該プログラムが起動すると、先ず、上記半導体記憶装置の記憶容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値（回数）を算出し、この算出したイレースカウントの最大値を記憶手段に記憶する（最大値算出工程）。このイレースカウントの最大値の算出は、この半導体記憶装置の記憶容量や該半導体記憶装置のベンダーが公表する該半導体記憶装置の性能の数値や該半導体記憶装置に用いられている半導体記憶素子の種類等に基づいて算出するものとしても良い。すなわち、この半導体記憶装置に記憶されるデータは、この半導体記憶装置が管理する管理ブロック毎に分けて記憶がされており、また、この管理ブロック毎に消去することが可能な回数（該管理ブロックのデータについて保証される消去可能な回数）が定められている。このため、このイレースカウントの最大値の算出では、この半導体記憶装置の記憶容量と、該半導体記憶装置のベンダーが公表する管理ブロック毎の容量と、同じくこの半導体記憶装置のベンダーが公表するこの管理ブロック毎に消去することが可能な回数を用いて、例えば、以下の数式により算出がされる。
（イレースカウントの最大値）＝（半導体記憶装置の記憶容量）÷（管理ブロック毎の容量）×（管理ブロック毎に消去することが可能な回数）
なお、この数式では、１ＧＢ（ギガバイト）＝１，０００ＭＢ（メガバイト）として計算をしている（以下同じ）。
すなわち、例えば、記憶容量が３２ＧＢ（ギガバイト）の半導体記憶装置のイレースカウントの最大値は、ベンダーが該半導体記憶装置の管理ブロック毎の容量を１ＭＢ（メガバイト）、管理ブロック毎に消去することが可能な回数を１００，０００回として公表している場合には、該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値は、（３２×１，０００）÷１×１００，０００＝３２億（回）となる。なお、このイレースカウントの最大値の算出する上記方法はあくまでも一例であって、この数式やこの数式で用いているベンダーが公表する数値以外の数式や数値を用いて算出するものとしても良い。特に、この半導体記憶装置に搭載された半導体記憶素子の種類がＳＬＣ（＝ＳｉｎｇｌｅＬｅｖｅｌＣｅｌｌ）であるか、ＭＬＣ（＝ＭｕｌｔｉＬｅｖｅｌＣｅｌｌ）であるかによってはこのイレースカウントの最大値の算出に別の算式や数値を用いるものとしても良い。 In the above invention, when the program is started, first, the maximum value (number of times) of the erase count of the semiconductor memory device is calculated from the storage capacity of the semiconductor memory device, and the calculated maximum value of the erase count is stored in the storage means. (Maximum value calculation step). The maximum value of the erase count is calculated based on the storage capacity of the semiconductor storage device, the numerical value of the performance of the semiconductor storage device announced by the vendor of the semiconductor storage device, and the type of semiconductor storage element used in the semiconductor storage device. It may be calculated based on the above. That is, the data stored in the semiconductor memory device is stored separately for each management block managed by the semiconductor memory device, and the number of times that the data can be erased for each management block (the management block). The number of erasable times guaranteed for the data is defined. For this reason, in the calculation of the maximum value of the erase count, the storage capacity of the semiconductor storage device, the capacity for each management block announced by the vendor of the semiconductor storage device, and the management announced by the vendor of the semiconductor storage device Using the number of times that can be erased for each block, for example, the calculation is performed by the following mathematical formula.
(Maximum erase count) = (Storage capacity of semiconductor memory device) ÷ (Capacity for each management block) × (Number of times erasable for each management block)
In this equation, calculation is performed assuming that 1 GB (gigabyte) = 1,000 MB (megabyte) (the same applies hereinafter).
That is, for example, the maximum erase count value of a semiconductor storage device with a storage capacity of 32 GB (gigabytes) can be erased by the vendor for each management block, with the capacity of each management block of the semiconductor storage device set to 1 MB Therefore, the maximum erase count of the semiconductor memory device is (32 × 1,000) ÷ 1 × 100,000 = 3.2 billion (times). Note that the above-described method for calculating the maximum value of the erase count is merely an example, and it may be calculated using a mathematical expression or a numerical value other than this mathematical expression or a numerical value published by a vendor used in this mathematical expression. In particular, depending on whether the type of the semiconductor memory element mounted on the semiconductor memory device is SLC (= Single Level Cell) or MLC (= Multi Level Cell), there is another method for calculating the maximum value of the erase count. A formula or a numerical value may be used.

また、このプログラムが起動すると（或いは、上記最大値算出工程が完了すると）、イレースカウント取得工程がなされる。このイレースカウント取得工程は、上記半導体記憶装置から一定周期毎にイレースカウントを取得する工程である。すなわち、このプログラムの作動により、上記の本発明を構成する制御手段が半導体記憶装置に対して該半導体記憶装置から該制御手段に対してイレースカウントを出力するようにコマンドにより指示し、該半導体記憶装置はこのコマンドに応じて制御手段に指示された時点でのイレースカウントを出力する。なお、このイレースカウントを取得する際に制御手段と半導体記憶装置との間ではベンダーユニークなコマンド（この半導体記憶装置の製造者がそれぞれ独自に定めたコマンド）を用いて指示するものとしても良いが、特に該制御手段と半導体記憶手段とがＳＡＴＡ（ＳｅｒｉａｌＡｄｖａｎｃｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡｔｔａｃｈｍｅｎｔ）やＰＡＴＡ（ＰａｒａｌｌｅｌＡｄｖａｎｃｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡｔｔａｃｈｍｅｎｔ）で接続がされている場合（例えば、この半導体記憶装置がコンピュータに内蔵されているような場合）には、いわゆるＡＴＡコマンドに含まれるＳＭＡＲＴのコマンドにより指示をするものとしても良い。なお、上記イレースカウントを取得する周期は、特に限定されるものでは無く、例えば、１０分周期や１時間周期等として設定されても良い。この周期は上記半導体記憶装置が内蔵され又は接続されたコンピュータの特性・傾向等により適宜設定されていれば良く、また、この周期の設定はこのプログラムの作成者が行うものとしても良く、或いは、このプログラムの使用者が自己のコンピュータの使用の態様に応じて適宜設定・変更できるものとしても良い。そして、このイレースカウント取得工程が終了すると、次いで、イレースカウント記憶工程がなされる。このイレースカウント記憶工程は、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得した時間であるイレースカウント取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶する工程であり、イレースカウントとその取得時間とは必ず対の状態で記憶される必要がある。 When this program is started (or when the maximum value calculation step is completed), an erase count acquisition step is performed. This erase count acquisition step is a step of acquiring an erase count from the semiconductor memory device at regular intervals. That is, by the operation of this program, the above-mentioned control means constituting the present invention instructs the semiconductor memory device by a command to output an erase count from the semiconductor memory device to the control means. In response to this command, the apparatus outputs an erase count when instructed to the control means. It should be noted that when acquiring this erase count, an instruction may be given between the control means and the semiconductor memory device using a vendor-unique command (a command uniquely determined by the manufacturer of the semiconductor memory device). In particular, when the control means and the semiconductor memory means are connected by SATA (Serial Advanced Technology Attachment) or PATA (Parallel Advanced Technology Attachment) (for example, when this semiconductor memory device is built in a computer) ) May be instructed by a SMART command included in a so-called ATA command. The period for acquiring the erase count is not particularly limited, and may be set as, for example, a 10-minute period or a one-hour period. This period may be set as appropriate according to the characteristics / trends of the computer in which the semiconductor memory device is built-in or connected, and this period may be set by the creator of this program, or The user of this program may be able to set and change as appropriate according to the use mode of his computer. When this erase count acquisition process is completed, an erase count storage process is then performed. This erase count storage step is a step of storing the erase count acquired in the erase count acquisition step and the erase count acquisition time, which is the time acquired by the erase count, in the storage means constituting the computer. The count and its acquisition time must always be stored in pairs.

また、上記イレースカウント記憶工程が終了すると、次いで、演算工程がなされる。なお、この演算工程は、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算（解析）するものであることから、上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことが条件とされる。すなわち、この演算工程は、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算（解析）し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算（解析）する（つまり、このままコンピュータを使用し続けた場合に、この半導体記憶装置のイレースカウントが、ここで演算されたイレースカウントの上昇係数によれば上記イレースカウントの最大値にどれだけの時間の経過後に達するかを予想する演算（解析）をする。）ものである。そして、この演算工程が終了すると、次いで使用限界表示出力工程がなされ、上記演算（解析）された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を上記表示手段に表示し、及び／又は、出力手段より出力する。なお、この使用限界表示出力工程で表示部に表示される使用限界予想情報としては、少なくとも半導体記憶装置を異常無く使用が継続できる目安を使用者に伝達できる情報であれば良く、例えば、「２０１２年７月２５日」、「２０１２年７月」等のように、上記イレースカウント取得工程で得られるイレースカウントが上記イレースカウントの最大値に達すると予想される年月日（使用限界予想日）でも良く、或いは、「あと２５，０００時間」、「あと４，０００日」等のように、上記イレースカウント取得工程で得られるイレースカウントが上記イレースカウントの最大値に達すると予想されるまでカウントダウンされる残存時間，残存期間（使用限界予想期間）でも良い。なお、この使用限界表示出力工程にて使用限界予想情報を表示する際に既に先の演算（解析）により得られた使用限界予想情報が前回の使用限界表示出力工程により表示されていた場合には、より新たな演算により得られた使用限界予想情報により更新（上書き）がなされる。 When the erase count storage process is completed, a calculation process is performed. In addition, since this calculation process calculates (analyzes) the increase coefficient based on the temporal transition of the erase count, it is a condition that the erase count acquisition process is performed a plurality of times. That is, this calculation step calculates (analyzes) an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count, and uses the expected limit for use of the semiconductor memory device in relation to the maximum value of the erase count stored in the storage means. (I.e., if the computer continues to be used as it is, the erase count of this semiconductor memory device will be the maximum value of the erase count according to the increase coefficient of the erase count calculated here) (Analysis (analysis) to predict whether the time will be reached after elapse of time).) When this calculation step is completed, a use limit display output step is then performed, and use limit prediction information is displayed on the display means based on the calculated (analyzed) use limit expected time, and / or output means. Output more. Note that the usage limit prediction information displayed on the display unit in this usage limit display output step may be information that can convey to the user a guideline that allows at least the semiconductor memory device to be used without abnormality. For example, “2012 The date when the erase count obtained in the erase count acquisition process reaches the maximum value of the above erase count, such as “July 25th”, “July 2012”, etc. (expected date of use limit) However, it is also possible to count down until the erase count obtained in the erase count acquisition process is expected to reach the maximum value of the erase count, such as “25,000 hours left”, “4,000 days left”, etc. The remaining time and remaining period (expected period of use limit) may be used. In addition, when displaying the use limit prediction information in this use limit display output process, if the use limit prediction information obtained by the previous calculation (analysis) has already been displayed by the previous use limit display output process, Then, updating (overwriting) is performed with use limit prediction information obtained by a newer calculation.

すなわち、使用者等は、上記使用限界表示出力工程により、上記コンピュータに内蔵され又は接続された半導体記憶装置の寿命を把握することができる。換言すれば、このプログラムによれば、半導体記憶装置に不良ブロックが発生する以前（新たな半導体記憶装置の使用開始直後）から使用限界予想時間（予想寿命）が特定される。なお、上記表示手段に表示する表示態様としては、例えば、この使用限界予想解析用プログラムをオペレーションシステム（ＯＳ）であるウィンドウズ（ウィンドウズはマイクロソフトコーポレーションの登録商標）が動作するコンピュータにおいて動作させる場合において、上記表示手段であるディスプレイの最下端に表示されたタスクバー内のツールバーの中に、例えば「２０１２年７月２５日」と表示したものや、該ツールバーの中に表示されたアイコンからバルーン状に表示された領域内に表示するものや、或いは、独立したウィンドウをディスプレイ上に表示させ、かつ、そのウィンドウ内に表示するものであっても良い。また、上記出力手段より出力する出力態様としては、例えば、この使用限界予想解析用プログラムを動作させているコンピュータが備えるインターネットやＬＡＮに接続するネットワーク手段や紙に印字するプリンタ等の出力手段より、上記使用限界予想情報を表示した電子メールや紙を出力するものであっても良い。また、上記演算工程により演算（解析）される半導体記憶装置の使用限界予想時間は、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数から演算（解析）するものであるとともに、上記イレースカウントは一定周期毎に繰り返し取得され、さらに繰り返し取得する毎に該使用限界予想時間が演算（解析）されることから、新たな半導体記憶装置の使用開始直後において表示手段に表示される使用限界予想情報に比べ、その後の時間的推移により演算（解析）され表示される使用限界予想情報はより使用状態に合わさった演算（解析）に基づいて表示がされるものとなる。したがって、コンピュータの実際の使用による書き込み回数の増減等、該コンピュータの特性や使用者による該コンピュータの使用の傾向等により、一層正確な使用限界予想情報を特定することができる。 That is, the user or the like can grasp the lifetime of the semiconductor memory device incorporated in or connected to the computer through the use limit display output step. In other words, according to this program, the expected use limit time (expected life) is specified before a defective block occurs in the semiconductor memory device (immediately after the start of use of a new semiconductor memory device). In addition, as a display mode displayed on the display means, for example, in a case where the use limit prediction analysis program is operated on a computer that operates Windows (Windows is a registered trademark of Microsoft Corporation) as an operation system (OS), In the tool bar in the task bar displayed at the lowermost end of the display as the display means, for example, “July 25, 2012” or displayed in a balloon form from the icon displayed in the toolbar It is also possible to display in a designated area, or to display an independent window on the display and display in that window. Further, as an output mode to be output from the output means, for example, from an output means such as a network means connected to the Internet or a LAN provided in a computer operating the use limit prediction analysis program or a printer for printing on paper, An e-mail or paper displaying the use limit prediction information may be output. In addition, the expected usage limit time of the semiconductor memory device calculated (analyzed) by the above calculation step is calculated (analyzed) from an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count, and the erase count is calculated at a constant cycle. Since the use limit expected time is calculated (analyzed) every time it is repeatedly acquired, the use limit expected information displayed on the display means immediately after the start of use of a new semiconductor memory device The use limit prediction information that is calculated (analyzed) and displayed according to the temporal transition of the information is displayed based on the calculation (analysis) that is more suited to the usage state. Therefore, it is possible to specify more accurate usage limit prediction information based on the characteristics of the computer, the tendency of the computer to be used by the user, and the like, such as increase / decrease of the number of times of writing due to actual use of the computer.

なお、上記第１の発明では、上記最大値算出工程を構成要素とし、半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値（回数）を算出して、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶する工程を採用したが、こうしたイレースカウントの最大値は、予め上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶されていても良い。すなわち、第２の発明（請求項２記載の発明）は、半導体記憶装置の使用限界予想時間解析用プログラムであって、記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるとともに、半導体記憶装置が内蔵され又は接続されてなると同時に上記半導体記憶装置のイレースカウントの最大値が上記記憶手段に記憶されてなるコンピュータに対して、上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を、上記表示手段に表示及び／又は上記出力手段より出力する使用限界表示出力工程と、を実現させることを特徴とするものである。 In the first aspect of the invention, the maximum value calculating step is a constituent element, and the maximum value (number of times) of the erase count of the semiconductor memory device is calculated from the capacity of the semiconductor memory device to store the computer. However, the maximum value of the erase count may be stored in advance in a storage unit constituting the computer. That is, a second invention (invention according to claim 2) is a program for analyzing the expected limit of use time of a semiconductor memory device, which is a storage means, a display means and / or an output means, an input means, and these storages. Means, display means and / or output means, and control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the input means, and a semiconductor memory device is built-in or connected. At the same time, for a computer in which the maximum value of the erase count of the semiconductor storage device is stored in the storage means, an erase count acquisition step of acquiring an erase count from the semiconductor storage device at regular intervals, and the erase count acquisition step Means for storing the erase count acquired by the above and the acquisition time of the erase count On the condition that the erase count storage step to be stored and the erase count acquisition step are performed a plurality of times, an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the maximum value of the erase count stored in the storage means Therefore, the calculation step for calculating the expected use limit time of the semiconductor memory device and the expected use limit information based on the expected use limit time calculated by the calculation step are displayed and / or output on the display means. And a use limit display output step output from the means.

また、第３の発明（請求項３記載の発明）は、前記第１又は第２の発明の何れかの発明において、前記イレースカウント記憶工程の後に、前記演算工程に並行して、前記記憶手段に記憶された個々のイレースカウントを時間の推移とともに、前記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力することを特徴とするものである。 According to a third invention (invention of claim 3), in any one of the first and second inventions, the storage means is provided in parallel with the calculation step after the erase count storage step. Each of the erase counts stored in is displayed on the display means and / or output from the output means along with the transition of time.

この第３の発明では、記憶手段に記憶された個々のイレースカウントを時間の推移とともに前記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力することから、使用者は、視覚を通して現在のイレースカウントやその上昇状態を把握することが可能となる。 In the third aspect of the invention, the individual erase counts stored in the storage means are displayed on the display means and / or output from the output means along with the transition of time. It is possible to grasp the rising state.

また、第４の発明（請求項４記載の発明）は、上記第１、第２又は第３の何れかの発明において、前記記憶手段には、イレースカウントのしきい値が記憶され、前記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントが上記しきい値を超えたことを報知する報知工程を備えてなることを特徴とするものである。 According to a fourth invention (invention of claim 4), in any one of the first, second and third inventions, the memory means stores an erase count threshold value, and the erase A notification step of notifying that the erase count acquired in the count acquisition step exceeds the threshold value is provided.

この第４の発明では、しきい値（閾値）が記憶手段に記憶されており、報知工程において、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントが上記しきい値を超えたことを報知することから、使用限界予想情報により寿命（使用限界月、使用限界日、使用限界時間等の上記の使用限界予想日や使用限界予想期間）が迫っていることを使用者に認識させることができ、交換時期を示唆することができるので、使用者の意に反して半導体記憶装置が装置寿命に達してしまい、データの信頼性が失われたり損失してしまったりすることを一層防止することができる。したがって、上記記憶手段に記憶されたしきい値は、イレースカウントの最大値に満たない数字（回数又はイレースカウントの最大値に対する割合）とする必要があるとともに、このしきい値は、予め半導体記憶装置の容量や搭載された半導体記憶素子の種類の情報等により、自動的に記憶手段に記憶される方法Ａ（手順ないし工程）を採用しても良いし、使用者又は管理者等により適宜設定できる方法Ｂ（手順ないし工程）を採用しても良く、さらにはプログラムに一般に用いられている半導体記憶装置の種類・名称・形式番号毎に対応したしきい値を記憶させておき、これらのしきい値の何れかが自動的に上記記憶手段に記憶される方法Ｃ（手順ないし工程）を採用しても良い。上記方法Ａ（手順ないし工程）を採用する場合には、例えば、このプログラムが起動されたことを条件に、（制御手段が）半導体記憶装置の容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報を検出（取得）し、この容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報等からイレースカウントの最大値を算出するとともに、このイレースカウントの最大値から１００％に満たない値（例えば、８０％〜９５％）を自動的に乗じ、この演算結果である数値を上記しきい値として記憶手段に記憶させることができる。また、方法Ｂ（手順ないし工程）を採用する場合には、例えば、このプログラムが起動されたことを条件に、（制御手段が）半導体記憶装置の容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報を検出（取得）し、この容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報等からイレースカウントの最大値を算出し、次いで、しきい値を入力するための入力用情報を表示手段に表示し、使用者等がイレースカウントの最大値を参照しつつ上記入力手段を介して上記イレースカウントの最大値に満たないしきい値を入力したことを条件に、該しきい値を記憶手段に記憶させることができる。また、上記方法Ｃ（手順ないし工程）を採用する場合には、例えば、このプログラムに予め一般に用いられている半導体記憶装置の種類・名称・形式番号毎に対応したしきい値に関するデータベースを記憶させておき、（制御手段が）半導体記憶装置の名称又は型式番号等の情報を検出（取得）し、この種類・名称・形式番号等の情報から上記使用限界予想解析用プログラムを構成するデータベースとして記憶された複数のしきい値の中から特定の半導体記憶装置に係るしきい値を特定し、この特定されたしきい値を上記記憶手段に記憶させることができる。なお、この報知工程において使用者に対して報知する具体的な方法としては、このコンピュータが備える表示手段であるディスプレイ上にて表示することや、このコンピュータが備える出力手段であるネットワーク手段，印刷手段或いは発音手段から電子メールを送信し、警告を紙面に印刷し、或いは、警告音や合成音声等を発することが挙げられる。 In the fourth aspect of the invention, the threshold value (threshold value) is stored in the storage means, and in the notification step, it is notified that the erase count acquired in the erase count acquisition step exceeds the threshold value. The service life expectancy information allows the user to recognize that the service life (the above service life expectation date or service life expectation date, such as service life limit month, service life limit date, service life limit time, etc.) is approaching. Therefore, it is possible to further prevent the semiconductor memory device from reaching the device life against the will of the user and losing or losing data reliability. Therefore, the threshold value stored in the storage means must be a number that is less than the maximum value of the erase count (the number of times or the ratio to the maximum value of the erase count). The method A (procedure or process) automatically stored in the storage means may be adopted depending on the capacity of the device or the type of semiconductor memory element mounted, etc., or may be set appropriately by the user or administrator Method B (procedure or process) that can be used may be adopted, and further, threshold values corresponding to the types, names, and model numbers of semiconductor memory devices generally used in programs are stored, and these values are stored. You may employ | adopt the method C (procedure thru | or process) in which either threshold value is automatically memorize | stored in the said memory | storage means. When the above method A (procedure or process) is adopted, for example, on the condition that this program is started, the information on the capacity of the semiconductor memory device and the type of the semiconductor memory element mounted are determined (by the control means). Information is detected (acquired), the maximum value of the erase count is calculated from the information on the capacity and the information of the type of the semiconductor memory element mounted, and the value (for example, less than 100% from the maximum value of the erase count (for example, , 80% to 95%), and a numerical value as a result of the calculation can be stored in the storage means as the threshold value. Further, when the method B (procedure or process) is adopted, for example, on the condition that this program is started, the information on the capacity of the semiconductor memory device and the type of the semiconductor memory element mounted are provided (by the control means). Is detected (acquired), the maximum value of the erase count is calculated from the information regarding the capacity and the information of the type of the semiconductor memory element mounted, and then the input information for inputting the threshold value is displayed. The threshold value is stored on the condition that the user inputs a threshold value that does not satisfy the maximum erase count value via the input means while referring to the maximum erase count value. Can be memorized. When the method C (procedure or process) is adopted, for example, a database relating to threshold values corresponding to each type, name, and type number of a semiconductor memory device generally used in advance is stored in this program. In addition, (control means) detects (acquires) information such as the name or model number of the semiconductor memory device, and stores it as a database that constitutes the above-mentioned use limit prediction analysis program from the information such as type, name, and model number A threshold value relating to a specific semiconductor memory device can be specified from the plurality of threshold values thus specified, and the specified threshold value can be stored in the storage means. As a specific method of notifying the user in this notification step, display on a display which is a display means provided in this computer, network means which is output means provided in this computer, printing means Alternatively, an e-mail is transmitted from the sound generation means, a warning is printed on paper, or a warning sound or a synthesized voice is generated.

また、第５の発明（請求項５記載の発明）は、半導体記憶装置の使用限界予想解析システムに係るものであって、記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるコンピュータと、このコンピュータに内蔵され又は接続されてなる半導体記憶装置と、を備え、上記記憶手段には、使用限界解析用プログラムが記憶されてなり、上記制御手段は、上記使用限界解析用プログラムにより、上記半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値を算出し、上記記憶手段に記憶させる最大値算出工程と、上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を上記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力する使用限界表示出力工程と、を有してなることを特徴とするものである。 A fifth invention (invention according to claim 5) relates to a use limit prediction analysis system for a semiconductor memory device, and comprises storage means, display means and / or output means, input means, and these. A computer comprising storage means, display means and / or output means, and control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the input means, and built-in or connected to the computer And the storage means stores a use limit analysis program, and the control means uses the use limit analysis program to calculate the semiconductor storage device from the capacity of the semiconductor storage device. The maximum value of the erase count is calculated and stored in the storage means, and the erase count is acquired from the semiconductor memory device at regular intervals. The erase count acquisition step, the erase count acquired by the erase count acquisition step, and the erase count acquisition step of storing the erase count acquisition time in the storage means constituting the computer, and the erase count acquisition step On the condition that it has been made a plurality of times, an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the expected use limit time of the semiconductor memory device is calculated in relation to the maximum value of the erase count stored in the storage means. A calculation step for calculating, and a use limit display output step for displaying use limit prediction information on the display means and / or outputting from the output means based on the expected use limit time calculated by the calculation step. It is characterized by.

また、第６の発明（請求項６記載の発明）は、半導体記憶装置の使用限界予想解析システムに係るものであって、記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるコンピュータと、このコンピュータに内蔵され又は接続されてなる半導体記憶装置と、を備え、上記記憶手段には、上記半導体記憶装置のイレースカウントの最大値と、使用限界解析用プログラムとが記憶されてなり、上記制御手段は、上記使用限界解析用プログラムにより、上記半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値を算出し、上記記憶手段に記憶させる最大値算出工程と、上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を上記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力する使用限界時間表示工程と、を有してなることを特徴とするものである。 The sixth invention (the invention according to claim 6) relates to a semiconductor memory device usage limit prediction analysis system, comprising storage means, display means and / or output means, input means, A computer comprising storage means, display means and / or output means, and control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the input means, and built-in or connected to the computer A maximum value of the erase count of the semiconductor storage device and a use limit analysis program are stored in the storage means, and the control means is the use limit analysis program. Calculating the maximum value of the erase count of the semiconductor memory device from the capacity of the semiconductor memory device and storing the maximum value in the memory means; An erase count acquisition step of acquiring an erase count from the body storage device at regular intervals, an erase count acquired by the erase count acquisition step, and an acquisition time of the erase count are stored in a storage means constituting the computer. On the condition that the erase count storage step and the erase count acquisition step are performed a plurality of times, a rise coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the relationship between the maximum value of the erase count stored in the storage means And a calculation step for calculating the expected use limit time of the semiconductor memory device, and the expected use limit information is displayed on the display means and / or output from the output means based on the expected use limit time calculated by the calculation step. And a use limit time display step.

上記第１の発明（請求項１記載の発明）及び第２の発明（請求項２記載の発明）に係る半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラム、及び、第５の発明（請求項５記載の発明）及び第６の発明（請求項６記載の発明）に係る半導体記憶装置の使用限界予想解析システムによれば、半導体記憶装置に不良ブロックが発生する以前（新たな半導体記憶装置の使用開始直後）から使用限界予想情報（予想寿命）を特定し、使用者に認識させることができる。特に、上記演算工程により演算される半導体記憶装置の使用限界予想時間は、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数から演算（解析）するものであるとともに、上記イレースカウントは一定周期毎に繰り返し取得され、さらに繰り返し取得する毎に該使用限界予想時間が演算（解析）されることから、コンピュータの実際の使用による単位時間当たりの書き込み回数の増減等、該コンピュータの特性や使用者による該コンピュータの使用の傾向等により、一層正確な使用限界予想情報を特定することができる。 A program for use limit prediction analysis of a semiconductor memory device according to the first invention (invention of claim 1) and the second invention (invention of claim 2), and a fifth invention (invention 5) According to the semiconductor memory device usage limit prediction analysis system according to the present invention and the sixth invention (the invention according to claim 6), before a defective block occurs in the semiconductor memory device (new use of the semiconductor memory device is started). The use limit prediction information (expected life) can be specified from immediately after) and recognized by the user. In particular, the expected usage limit time of the semiconductor memory device calculated by the above calculation process is calculated (analyzed) from an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count, and the above erase count is repeatedly acquired at regular intervals. In addition, since the expected usage limit time is calculated (analyzed) every time it is repeatedly acquired, the characteristics of the computer, such as increase / decrease of the number of writes per unit time due to actual use of the computer, and the computer's More accurate usage limit prediction information can be identified based on usage trends and the like.

また、第３の発明（請求項３記載の発明）では、記憶手段に記憶された個々のイレースカウントを時間の推移とともに前記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力することから、使用者は、視覚を通して現在のイレースカウントやその上昇状態を把握することができる。 In the third invention (the invention according to claim 3), the individual erase count stored in the storage means is displayed on the display means and / or output from the output means together with the transition of time. Can visually grasp the current erase count and its rising state.

また、第４の発明（請求項４記載の発明）では、しきい値（閾値）が記憶手段に記憶されており、上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントが上記しきい値を超えたことを報知する報知工程が採用されていることから、表示手段に表示された使用限界予想時間が迫っていることを表示手段の表示又は出力手段の出力により使用者に認識させることができ、交換時期を示唆することができるので、使用者の意に反して半導体記憶装置が装置寿命に達してしまい、データの信頼性が失われたり損失してしまったりすることを一層防止することができる。 In the fourth invention (the invention according to claim 4), the threshold value (threshold value) is stored in the storage means, and the erase count acquired in the erase count acquisition step exceeds the threshold value. Since the notification step for notifying the user is adopted, the user can recognize that the expected use limit time displayed on the display means is approaching by displaying the display means or outputting the output means. Therefore, it is possible to further prevent the semiconductor memory device from reaching the device life against the will of the user and losing or losing data reliability.

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、半導体記憶装置としてのＳＳＤの使用限界予想時間を特定するプログラム（使用限界予想解析用プログラム、以下単に「プログラム」と言う場合にはこの使用限界予想解析用プログラムを指す。）に係るものであり、このプログラムは、このコンピュータ１を動作させるオペレーションシステム（ＯＳ）やデバイスドライバ等とともに、コンピュータ１を構成するサブメモリ（補助記憶手段）としての図１に示すＳＳＤ１１に記憶（インストール）されている。なお、このプログラムは、該プログラムをインストールするためのインストーラ（インストールするためのプログラム）が記憶されている図示しないＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体を、上記コンピュータ１を構成する記憶媒体駆動手段により駆動させて起動させ、又は、インターネット等を介して入手して上記ＳＳＤ１１に記憶された該インストーラを起動させることによりインストールされる。なお、このプログラムには、後述するような該プログラム自身が動作するために必要な様々な情報や数値、例えば、警告音や合成音声のデータ、イレースカウントのしきい値やイレースカウントの最大値やイレースカウントの上昇係数の算出に必要な情報やデータベース、該プログラムが動作する際に後述する表示装置５に表示されるアイコンやウィンドウの構成要素が含まれている。そして、このプログラムは起動することにより、上記コンピュータ１を構成する記憶手段（主記憶手段）としてのメインメモリ３に入力されて（読み込まれて）動作する。また、このコンピュータ１は、図１に示すように、本発明に係るコンピュータ１を構成する制御手段としての中央演算処理装置（ＣＰＵ）２と、記憶手段としての上記メインメモリ３とを備えたコンピュータ本体と、このコンピュータ本体に接続されたキーボードやマウス等の入力手段４と、ディスプレイ等の表示手段５と、上記の通り本発明に係るコンピュータ１を構成するサブメモリ（補助記憶手段）としてのＳＳＤ１１と、後述するように外部接続されたＳＳＤ１２，１３を備えており、これらの各構成要素は何れもＣＰＵ２に接続されている。なお、この実施の形態のコンピュータ１では、本発明を構成する出力手段を示していないが、この出力手段としては、イーサネット（イーサネットは富士ゼロツクス株式会社の登録商標）やインターネット等により他のコンピュータに情報を送信（出力）するネットワーク手段や、紙面に印刷することにより使用者に視覚を介して情報を伝達するプリンタ等の印刷手段や、警告音や合成音声等を発する事により使用者に注意を喚起する事が出来るスピーカー等の発音手段であっても良い。なお、上記表示手段５も広い意味では出力手段の一つではあるが、この実施の形態での説明においては、上記出力手段からは表示手段５を除くものとする。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described. The embodiment described below is a program for specifying the expected use limit time of an SSD as a semiconductor memory device (use limit prediction analysis program; hereinafter, simply referred to as “program”, this use limit prediction analysis program). This program is shown in FIG. 1 as a sub-memory (auxiliary storage means) constituting the computer 1 together with an operating system (OS) and device drivers for operating the computer 1. Stored (installed) in the SSD 11. In this program, a storage medium such as a CD-ROM (not shown) in which an installer for installing the program (program for installation) is stored is driven by a storage medium driving means constituting the computer 1. It is installed by activating the installer stored in the SSD 11 obtained via the Internet or the like. This program includes various information and numerical values necessary for the operation of the program itself as described later, such as warning sound and synthesized voice data, erase count threshold value, maximum erase count value, It includes information necessary for calculating the increase coefficient of the erase count, a database, and components of icons and windows displayed on the display device 5 described later when the program operates. When the program is started, the program is input (read) and operated in a main memory 3 as a storage unit (main storage unit) constituting the computer 1. Further, as shown in FIG. 1, the computer 1 includes a central processing unit (CPU) 2 as control means constituting the computer 1 according to the present invention and the main memory 3 as storage means. The main body, the input means 4 such as a keyboard and a mouse connected to the computer main body, the display means 5 such as a display, and the SSD 11 as a sub memory (auxiliary storage means) constituting the computer 1 according to the present invention as described above. As will be described later, externally connected SSDs 12 and 13 are provided, and each of these components is connected to the CPU 2. The computer 1 of this embodiment does not show the output means constituting the present invention. However, as this output means, Ethernet (Ethernet is a registered trademark of Fuji Xerox Co., Ltd.), the Internet or the like can be used for other computers. The network means for transmitting (outputting) information, the printing means such as a printer for visually transmitting information to the user by printing on paper, and the user is warned by issuing a warning sound or synthesized sound. It may be a pronunciation means such as a speaker that can be aroused. The display means 5 is also one of output means in a broad sense, but in the description of this embodiment, the display means 5 is excluded from the output means.

また、上述したように、上記ＳＳＤ１１には、上述したＯＳやプログラム等以外にも、上述したプログラムの一部として、しきい値又は該しきい値について算出等するための情報が記憶されている。なお、このしきい値がメインメモリ３に記憶される（読み込まれる）手順・動作は、予め第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の容量や該ＳＳＤ１１，１２，１３の種類の情報等により計算がなされ、自動的にメインメモリ３に記憶される方法Ａ（手順ないし工程）を採用しても良いし、使用者又は管理者等により適宜設定されてメインメモリに記憶される（読み込まれる）方法Ｂ（手順ないし工程）を採用しても良く、さらにはこのプログラムに一般に用いられているＳＳＤの種類・名称・形式番号毎に対応したしきい値を記憶させておき、これらのしきい値の何れかが自動的に上記メインメモリ３に記憶される（読み込まれる）方法Ｃ（手順ないし工程）を採用しても良い。上記方法Ａ（手順ないし工程）を採用する場合には、例えば、このプログラムを起動したことを条件に、（ＣＰＵ２が）第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報を検出（取得）し、この容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報等からイレースカウントの最大値を算出するとともに、このイレースカウントの最大値から１００％に満たない値（例えば、８０％〜９５％）を自動的に乗じ、この演算結果である数値を上記しきい値としてメインメモリ３に記憶させることができる。また、方法Ｂ（手順ないし工程）を採用する場合には、例えば、このプログラムが起動されたことを条件に、（ＣＰＵ２が）第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報を検出（取得）し、上述したようにこの容量に関する情報や搭載された半導体記憶素子の種類の情報等（及びベンダーが公表する情報）からイレースカウントの最大値を算出し、次いで、しきい値を入力するための入力用情報を表示手段５に表示し、使用者等がイレースカウントの最大値を参照しつつ上記入力手段４を介して上記イレースカウントの最大値に満たないしきい値を入力したことを条件に、該しきい値をメインメモリ３に記憶させることができる。また、上記方法Ｃ（手順ないし工程）を採用する場合には、例えば、このプログラムに予め一般に用いられているＳＳＤの種類・名称・形式番号毎に対応したしきい値に関するデータベースを記憶させておき、（ＣＰＵ２が）第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の種類・名称・型式番号等を検出（取得）し、このデバイス情報から上記プログラムを構成するデータベースとして記憶された複数のしきい値の中から特定の第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３に係るしきい値を特定し、この特定されたしきい値を上記メインメモリ３に記憶させることができる。 Further, as described above, in addition to the OS and programs described above, the SSD 11 stores threshold values or information for calculating the threshold values as part of the programs described above. . The procedure / operation in which this threshold value is stored (read) in the main memory 3 depends on the capacity of the first to third SSDs 11, 12, 13, information on the types of the SSDs 11, 12, 13, etc. A method A (procedure or process) that is calculated and automatically stored in the main memory 3 may be employed, or is appropriately set by a user or an administrator and stored (read) in the main memory. Method B (procedure or process) may be adopted, and further, threshold values corresponding to each SSD type / name / type number generally used in this program are stored, and these threshold values are stored. Method C (procedure or process) in which any one of the above is automatically stored (read) in the main memory 3 may be employed. In the case of adopting the above method A (procedure or process), for example, on the condition that the program is started, information on the capacity of the first to third SSDs 11, 12, and 13 (on which the CPU 2) is installed Information on the type of the semiconductor memory element is detected (acquired), the maximum value of the erase count is calculated from the information on the capacity, the information on the type of the mounted semiconductor memory element, and the like, and 100% from the maximum value of the erase count. A value that is less than (for example, 80% to 95%) is automatically multiplied, and a numerical value that is a result of this calculation can be stored in the main memory 3 as the threshold value. Further, when adopting the method B (procedure or process), for example, on the condition that this program is started, the information on the capacity of the first to third SSDs 11, 12, 13 (on the CPU 2) and mounting As described above, the maximum value of the erase count is detected from the information on the capacity and the information on the type of the mounted semiconductor memory element (and information published by the vendor). Then, the input information for inputting the threshold value is displayed on the display means 5, and the user or the like refers to the maximum value of the erase count while referring to the maximum value of the erase count. The threshold value can be stored in the main memory 3 on condition that a threshold value less than the value is input. Further, when adopting the method C (procedure or process), for example, a database relating to threshold values corresponding to each SSD type / name / format number generally used in advance is stored in the program. , (CPU 2) detects (acquires) the types, names, model numbers, etc. of the first to third SSDs 11, 12, 13 and stores a plurality of threshold values stored as a database constituting the program from this device information. It is possible to specify a threshold value related to specific first to third SSDs 11, 12, and 13 from among these and store the specified threshold value in the main memory 3.

また、この実施の形態の上記コンピュータ１には、上述したとおり、本発明を構成する半導体記憶装置として第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３が接続されており、上記第１のＳＳＤ１１は、上記コンピュータ１に内蔵されており、上記第２のＳＳＤ１２及び第３のＳＳＤ１３は、外部接続されている。なお、上記第１のＳＳＤ１１は、上記コンピュータ１に内蔵されるとともに該コンピュータ１のサブメモリ（補助記憶手段）として動作するものであって、上記ＣＰＵ２，メインメモリ３等から構成される該コンピュータ１のバスに対してＳＡＴＡやＰＡＴＡ等の一般にコンピュータに内蔵されるサブメモリの接続手段及び接続規格により接続されている。なお、この第１のＳＳＤ１１には、上述の通り、上記コンピュータ１で動作するＯＳが記憶されており、該コンピュータ１についてのいわゆる起動ディスクとして動作をする。また、上記第２及び第３のＳＳＤ１２，１３は、上記コンピュータ１に対していわゆる外部接続がされたサブメモリとして動作するものであって、該コンピュータ１に対してＵＳＢ，ＩＥＥＥ１３９４（ＦｉｒｅＷｉｒｅ）或いはｅＳＡＴＡ等の一般にコンピュータに外部接続されるサブメモリの接続手段及び接続規格により接続されている。また、これら第２及び第３のＳＳＤ１２，１３とコンピュータ１とを外部接続をする方法としては、イーサネット（イーサネットは富士ゼロツクス株式会社の登録商標）等のネットワーク手段によるものとしても良い。 In addition, as described above, the first to third SSDs 11, 12, and 13 are connected to the computer 1 of this embodiment as semiconductor memory devices that constitute the present invention. Built in the computer 1, the second SSD 12 and the third SSD 13 are externally connected. The first SSD 11 is built in the computer 1 and operates as a sub-memory (auxiliary storage means) of the computer 1. The computer 1 includes the CPU 2, the main memory 3, and the like. In general, a sub memory such as SATA or PATA is connected to the bus according to connection means and connection standards of a built-in computer. Note that the first SSD 11 stores an OS that operates on the computer 1 as described above, and operates as a so-called startup disk for the computer 1. The second and third SSDs 12 and 13 operate as sub-memory externally connected to the computer 1, and are connected to the computer 1 by USB, IEEE 1394 (FireWire) or eSATA. In general, the sub-memory is connected to the computer according to connection means and connection standards. Further, as a method of externally connecting the second and third SSDs 12 and 13 and the computer 1, network means such as Ethernet (Ethernet is a registered trademark of Fuji Xerox Co., Ltd.) may be used.

そして、この第１のＳＳＤ１１は、フラッシュディスクコントローラ２１と、このフラッシュディスクコントローラ２１に接続されたＤＲＡＭ２２と、上記フラッシュディスクコントローラ２１に接続されたＮＡＮＤフラッシュメモリ２３とを備えている。このフラッシュディスクコントローラ２１は、上記コンピュータ１からこの第１のＳＳＤ１１に対するデータの読み出しや書き込みに応じてＮＡＮＤフラッシュメモリ２３からデータの読み出しや書き込みの中継をするものである。また、上記ＤＲＡＭ２２は、この第１のＳＳＤ１１に対して一時に大量のデータが書き込まれた際に全てをＮＡＮＤフラッシュメモリ２３に書き込みを終えるまでの間に短期間データを蓄えるバッファとして動作し、或いは、頻繁に読み出されるデータを予め蓄えるキャッシュとして動作をする。また、上記ＮＡＮＤフラッシュメモリ２３は、上記ＤＲＡＭ２２に比べてデータの読み出し及び書き込みの速度はやや遅いものの、記憶できるデータの量は非常に大きく、この第１のＳＳＤ１１が記憶するデータは全てこのＮＡＮＤフラッシュメモリ２３内に記憶されており、また、この第１のＳＳＤ１１内にはこのＮＡＮＤフラッシュメモリ２３は複数個内蔵されている。なお、上記第１のＳＳＤ１１のフラッシュディスクコントローラ２１には、該第１のＳＳＤ１１のイレースカウント、種類、名称、記憶容量、型式番号、製造年月日、シリアルナンバー等のデバイス情報が記憶されている。この第１のＳＳＤ１１のデバイス情報については、上記コンピュータ１を構成するＣＰＵ２からの要求に応じて、該フラッシュディスクコントローラ２１は適宜該コンピュータ１に対してこれらの情報を出力する。また、上記第２及び第３のＳＳＤ１２，１３も、上記第１のＳＳＤ１１と同様にフラッシュディスクコントローラ，ＤＲＡＭ，ＮＡＮＤフラッシュメモリを内蔵するほぼ同様な構造とされており、ほぼ同様な動作をする。なお、これら第２及び第３のＳＳＤ１２，１３については、上記フラッシュディスクコントローラ，ＤＲＡＭ，ＮＡＮＤフラッシュメモリの符号及び図示は省略する。また、これら第２及び第３のＳＳＤ１２，１３のフラッシュディスクコントローラとコンピュータ１との接続の間には、該第２及び第３のＳＳＤ１２，１３とコンピュータ１との接続の規格（例えば、上述したＵＳＢ）に応じたコントローラが位置するが、これについても図示を省略する。なお、上述の通り第１のＳＳＤ１１は、上記コンピュータ１に内蔵されているとともに、該第１のＳＳＤ１１にはＯＳ等がインストールされていることから、該コンピュータ１は上記第２及び第３のＳＳＤ１２，１３が無くとも動作をするが、これらコンピュータ１に内蔵された第１のＳＳＤ１１や外部接続された第２及び第３のＳＳＤ１２，１３の何れを対象とした場合にも本発明に係るプログラムは動作（解析）する。 The first SSD 11 includes a flash disk controller 21, a DRAM 22 connected to the flash disk controller 21, and a NAND flash memory 23 connected to the flash disk controller 21. The flash disk controller 21 relays reading and writing of data from the NAND flash memory 23 in accordance with reading and writing of data from the computer 1 to the first SSD 11. Further, the DRAM 22 operates as a buffer for storing data for a short period of time until all of the data is written to the NAND flash memory 23 when a large amount of data is written to the first SSD 11 at a time, or It operates as a cache for storing frequently read data in advance. The NAND flash memory 23 is slightly slower than the DRAM 22 in reading and writing data, but the amount of data that can be stored is very large, and all the data stored in the first SSD 11 is the NAND flash memory. A plurality of NAND flash memories 23 are built in the first SSD 11. The flash disk controller 21 of the first SSD 11 stores device information such as the erase count, type, name, storage capacity, model number, date of manufacture, and serial number of the first SSD 11. . Regarding the device information of the first SSD 11, the flash disk controller 21 appropriately outputs the information to the computer 1 in response to a request from the CPU 2 constituting the computer 1. Similarly to the first SSD 11, the second and third SSDs 12 and 13 have substantially the same structure including a flash disk controller, DRAM, and NAND flash memory, and operate in substantially the same manner. In addition, about these 2nd and 3rd SSD12,13, the code | symbol and illustration of the said flash disk controller, DRAM, NAND flash memory are abbreviate | omitted. In addition, between the connection between the flash disk controllers of the second and third SSDs 12 and 13 and the computer 1, the connection standard between the second and third SSDs 12 and 13 and the computer 1 (for example, as described above) The controller corresponding to the USB) is located, but the illustration thereof is also omitted. As described above, the first SSD 11 is built in the computer 1 and an OS and the like are installed in the first SSD 11, so that the computer 1 includes the second and third SSDs 12. The program according to the present invention is applicable to any one of the first SSD 11 built in the computer 1 and the second and third SSDs 12 and 13 connected externally. Operate (analyze).

以下、上記コンピュータ１に接続された第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の予想寿命（予想される使用限界時期）を、上記使用限界予想解析用プログラムにより算出し表示する工程について説明する。先ず、上記コンピュータ１が起動されると、図２に示すように、上記ＳＳＤ１１に記憶されたＯＳがメインメモリ３に読み込まれて起動し、さらにこのＯＳの動作によって自動的に上記使用限界予想解析用プログラムが起動する（ステップＳｔ１）。なお、この使用限界予想解析用プログラムは、このコンピュータ１においていわゆる常駐プログラムとして動作をする。また、この使用限界予想解析用プログラムが動作すると、後述するように、表示手段５に、図６に示すプログラムの動作の状態を示す第１の使用限界日表示部６１内にアイコン６２や必要に応じて第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の寿命（使用限界予想日）を示す文字情報６３を表示するとともに、図５に示す該使用限界予想解析用プログラムのウィンドウ（このウィンドウを、以下、メインウィンドウ４１という。）を表示する。但し、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３何れかであって、この使用限界予想解析用プログラムにより初めて寿命予測をする場合には、第１の使用限界日表示部６１内には上記寿命を表示する文字情報６３は表示されず、また、上記メインウィンドウ４１内においても、予測寿命に関する情報は表示されない。なお、このメインウィンドウ４１，アイコン６２及び文字情報６３について詳細は後述する。使用者は、これらアイコン６２，文字情報６３及びメインウィンドウ４１について表示又は非表示の何れかを選択することが出来るが、この実施の形態において、使用者はこれらアイコン６２，文字情報６３及びウィンドウ４１を表示させているものとして以下説明する。そして、この使用限界予想解析用プログラムが起動すると、コンピュータ１を構成する上記ＣＰＵ２は、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３のフラッシュディスクコントローラ２１に記憶された該第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３のデバイス情報から記憶容量に関する情報等を取得し（ステップＳｔ２）、さらにこの取得した記憶容量に関する情報等からイレースカウントの最大値を算出して上記メインメモリ３に記憶させ、イレースカウントの最大値を設定する（最大値算出工程：ステップＳｔ３）。より具体的には、これら第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の記憶容量と、該第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３のベンダーが公表する上記管理ブロック毎の容量と、同じくこの半導体記憶装置のベンダーが公表するこの管理ブロック毎に消去することが可能な回数を用いて、以下の数式により算出がされる。
（イレースカウントの最大値）＝（第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の記憶容量）÷（管理ブロック毎の容量）×（管理ブロック毎に消去することが可能な回数）
例えば、記憶容量が３２ＧＢ（ギガバイト）のＳＳＤ１１のイレースカウントの最大値は、ベンダーが該ＳＳＤ１１の管理ブロック毎の容量を１ＭＢ（メガバイト）、管理ブロック毎に消去することが可能な回数を１００，０００回として公表している場合には、該ＳＳＤ１１のイレースカウントの最大値は、（３２×１，０００）÷１×１００，０００＝３２億（回）となる。そして、ＣＰＵ２はこの計算により得られたイレースカウントの最大値をメインメモリ３に記憶する。 Hereinafter, a process of calculating and displaying the expected life (expected use limit time) of the first to third SSDs 11, 12, and 13 connected to the computer 1 by the use limit prediction analysis program will be described. First, when the computer 1 is started, as shown in FIG. 2, the OS stored in the SSD 11 is read into the main memory 3 and started, and further, the use limit prediction analysis is automatically performed by the operation of the OS. Program is started (step St1). The use limit prediction analysis program operates as a so-called resident program in the computer 1. When this use limit prediction analysis program operates, as will be described later, the display means 5 displays an icon 62 and a necessary one in the first use limit date display section 61 indicating the operation state of the program shown in FIG. In response, the character information 63 indicating the lifetime (expected usage limit date) of the first to third SSDs 11, 12, and 13 is displayed, and the usage limit prediction analysis program window shown in FIG. , Referred to as main window 41). However, when any of the first to third SSDs 11, 12, 13 is used to predict the life for the first time by the use limit prediction analysis program, the first use limit date display unit 61 includes the above-mentioned The character information 63 for displaying the life is not displayed, and information about the predicted life is not displayed in the main window 41. Details of the main window 41, the icon 62, and the character information 63 will be described later. The user can select whether to display or hide these icons 62, character information 63, and main window 41. In this embodiment, the user can select these icons 62, character information 63, and window 41. In the following, it is assumed that is displayed. When the use limit prediction analysis program is started, the CPU 2 constituting the computer 1 stores the first to third stored in the flash disk controllers 21 of the first to third SSDs 11, 12, and 13. Information on the storage capacity is obtained from the device information of the SSDs 11, 12, and 13 (step St 2), and the maximum value of the erase count is calculated from the obtained information on the storage capacity and stored in the main memory 3. The maximum value of the count is set (maximum value calculation step: step St3). More specifically, the storage capacity of the first to third SSDs 11, 12, and 13 and the capacity of each management block announced by the vendor of the first to third SSDs 11, 12, and 13 are also the same. Using the number of times that can be erased for each management block announced by the vendor of the semiconductor memory device, the calculation is performed by the following formula.
(Maximum erase count) = (storage capacity of the first to third SSDs 11, 12, 13) ÷ (capacity for each management block) × (number of times erasable for each management block)
For example, the maximum value of the erase count of the SSD 11 having a storage capacity of 32 GB (gigabytes) is defined as the number of times that the vendor can erase 1 MB (megabyte) for each management block of the SSD 11 and 100,000 for each management block. In the case of publishing as times, the maximum value of the erase count of the SSD 11 is (32 × 1,000) ÷ 1 × 100,000 = 3.2 billion (times). Then, the CPU 2 stores the maximum value of the erase count obtained by this calculation in the main memory 3.

そして、上記ＣＰＵ２は、上記ステップＳｔ３の動作・手順が終了すると、次いで、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３からイレースカウントを取得し、これらのイレースカウントを、その取得時間とともに上記メインメモリ３に保存（記憶）する（ステップＳｔ４）。ここで取得されるイレースカウントは、このプログラムの起動直後の時点におけるイレースカウントである。すなわち、このステップＳｔ４の動作・手順は、上記ＣＰＵ２が、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３（のフラッシュディスクコントローラ２１）に対してイレースカウントの送信を要求し、この要求に応じて該第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３（のフラッシュディスクコントローラ２１）はイレースカウントを該ＣＰＵ２に対して送信し、この送信されたイレースカウントは上記メインメモリ３に記憶される。次いで、上記ＣＰＵ２は、上記ステップＳｔ４においてイレースカウントを取得した時点から（又は、後述するステップＳｔ１４から再度ステップＳｔ５に戻ってきた場合には、前回のステップＳｔ６においてイレースカウントを取得した時点から）所定時間が経過したか否かを判別し（ステップＳｔ５）、所定時間が経過したと判別した場合には、上記ステップＳｔ４と同様に上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３からイレースカウントを取得する（ステップＳｔ６）。つまりこのステップＳｔ６においては、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３からイレースカウントを一定周期毎に取得する（イレースカウント取得工程）。 When the operation / procedure of step St3 is completed, the CPU 2 then acquires erase counts from the first to third SSDs 11, 12, and 13, and these erase counts together with the acquisition time are stored in the main It is saved (stored) in the memory 3 (step St4). The erase count acquired here is an erase count at the time immediately after the start of the program. That is, in the operation / procedure of step St4, the CPU 2 requests the first to third SSDs 11, 12, and 13 (the flash disk controller 21) to transmit an erase count, and responds to this request. The first to third SSDs 11, 12 and 13 (the flash disk controller 21) transmit an erase count to the CPU 2, and the transmitted erase count is stored in the main memory 3. Next, the CPU 2 is predetermined from the time when the erase count is acquired in step St4 (or when the erase count is acquired in the previous step St6 when returning to step St5 again from step St14 described later). It is determined whether or not the time has elapsed (step St5), and if it is determined that the predetermined time has elapsed, the erase count is acquired from the first to third SSDs 11, 12, and 13 in the same manner as in step St4. (Step St6). That is, in this step St6, the erase count is acquired from the first to third SSDs 11, 12, and 13 at regular intervals (erase count acquisition step).

そして、上記ＣＰＵ２は、イレースカウントを上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３から取得すると、次いで、これら取得したイレースカウントを、それぞれの取得時間と共に上記メインメモリ３に記憶（保存）する（ステップＳｔ７）。次いで、このイレースカウントを時間の推移とともに上記表示手段５においてグラフ３１を表示する（ステップＳｔ８）。この表示手段５に表示されるグラフ３１は、図３に示すように、縦軸３２をイレースカウントの回数を単位とし、横軸３３を時間（取得時間）とし、時間の経過に伴うイレースカウントをプロットした折れ線グラフ３４である。なお、この図３に示すグラフ３１は、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の内で、後述するメインウィンドウ４１において選択された何れかのＳＳＤ１１（１２，１３）から取得したイレースカウントを時間の推移と共に表示したものである。また、後述するステップＳｔ９において、イレースカウントの上昇係数を得られた場合には、この上昇係数をもとに今後取得時間の増大に基づいて予想されるイレースカウントの回数と取得時間との関係を、この図３に示すように上記グラフ３１内に重ねてプロットして示すものとしても良い。なお、この上昇係数をもとにしたイレースカウントの回数と取得時間との関係のグラフは、この図３において点線３５により示している。なお、この実施の形態においては、この図３に示すグラフ３１を、メインウィンドウ４１とは独立した別のウィンドウにおいて表示がされるものとしているが、このグラフは該メインウィンドウ４１内に表示されるものとしても良い。 When the CPU 2 acquires the erase count from the first to third SSDs 11, 12, and 13, the CPU 2 then stores (saves) the acquired erase count in the main memory 3 together with the respective acquisition times ( Step St7). Next, this erase count is displayed on the display means 5 along with the transition of time in the graph 31 (step St8). As shown in FIG. 3, the graph 31 displayed on the display means 5 has the vertical axis 32 as the unit of the erase count, the horizontal axis 33 as the time (acquisition time), and the erase count with the passage of time. This is a plotted line graph 34. The graph 31 shown in FIG. 3 is an erase count obtained from any of the first to third SSDs 11, 12, 13 selected from the SSD 11 (12, 13) selected in the main window 41 described later. Is displayed along with the transition of time. In addition, in step St9, which will be described later, when an increase coefficient of the erase count is obtained, the relationship between the number of erase counts expected based on the increase in the acquisition time and the acquisition time based on the increase coefficient is obtained. As shown in FIG. 3, the graph 31 may be overlaid on the graph 31 for plotting. A graph of the relationship between the number of erase counts and the acquisition time based on the increase coefficient is indicated by a dotted line 35 in FIG. In this embodiment, the graph 31 shown in FIG. 3 is displayed in a separate window independent of the main window 41, but this graph is displayed in the main window 41. It is good as a thing.

また、上記ＣＰＵ２は、上記ステップＳｔ７において上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３から取得したイレースカウントとその取得時間をメインメモリ３に記憶すると、ステップＳｔ９において、上記ステップＳｔ４及びステップＳｔ６において取得された複数のイレースカウントから該イレースカウントの上昇係数を計算するとともに、上記ステップＳｔ３において算出し上記メインメモリ３に記憶したイレースカウントの最大値を基に、第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の使用限界予想時間を演算（解析）する。なお、この上昇係数及び使用限界予想時間の演算は、本発明の演算工程を構成するものである。そして、この第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の使用限界予想時間を演算（解析）すると、さらにこの使用限界予想時間を元に使用限界予想情報を演算（解析）する。すなわち、上記使用限界予想時間は、このステップＳｔ９にて演算した時点からあとどれだけの時間の経過後にイレースカウントが上記イレースカウントの最大値に達するかを予想される時間（残存期間：単位は、例えば秒）である。そして、この使用限界予想時間から、使用限界予想情報として演算される情報は、この実施の形態に係るプログラムでは、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３が使用できる使用限界日としている。そして、このステップＳｔ９（の演算工程）が終了すると、次いでステップＳｔ１０において、上記演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報（使用限界予想日）を上述した表示手段５の第１の使用限界日表示部６１及びメインウィンドウ４１に設けられた第２の使用限界日表示部５０ｃに表示する（使用限界表示出力工程）。なお、この使用限界表示出力工程で表示部に表示される使用限界予想情報としては、例えば、「２０１２年７月２５日」のように上記使用限界予想日とする方法以外に、例えば、「２０１２年７月」等のように、使用限界予想月としても良く、さらには、例えば、「あと２５，０００時間」、「あと４，０００日」等のように、上記イレースカウント取得工程で得られるイレースカウントが上記イレースカウントの最大値に達すると予想されるまでの残存時間，残存期間を使用者が理解しやすいように時間の長さの単位としての年，月，日，時間，分或いは秒で表したもの（使用限界予想期間）等、第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３を異常無く使用が継続できる目安を使用者に伝達できる情報であれば良い。 Further, when the CPU 2 stores the erase count and the acquisition time acquired from the first to third SSDs 11, 12, and 13 in the step St7 in the main memory 3, in step St9, in the steps St4 and St6. Based on the maximum value of the erase count calculated in step St3 and stored in the main memory 3, the first to third SSDs 11, 12 are calculated. , 13 is calculated (analyzed). The calculation of the increase coefficient and the expected use limit time constitutes the calculation process of the present invention. When the expected usage limit times of the first to third SSDs 11, 12, and 13 are calculated (analyzed), usage limit expected information is further calculated (analyzed) based on the expected usage limit time. That is, the expected usage limit time is the time that the erase count reaches the maximum value of the erase count after the elapse of the time calculated in step St9 (remaining period: unit is For example, seconds). The information calculated as the use limit prediction information from the use limit expected time is the use limit date that can be used by the first to third SSDs 11, 12, and 13 in the program according to this embodiment. When this step St9 (calculation step) is completed, then in step St10, the use limit prediction information (use limit expected date) based on the calculated use limit expected time is displayed on the first display means 5 described above. It displays on the use limit date display part 61 and the 2nd use limit date display part 50c provided in the main window 41 (use limit display output process). In addition, as the usage limit prediction information displayed on the display unit in the usage limit display output step, for example, in addition to the method of setting the usage limit prediction date as in “July 25, 2012”, for example, “2012 It may be the expected use limit month, such as “July Year”, and is obtained in the erase count acquisition step, for example, “25,000 hours left”, “4,000 days left”, etc. Year, month, day, hour, minute or second as a unit of time so that the user can easily understand the remaining time and remaining period until the erase count is expected to reach the maximum value of the above erase count. Any information may be used as long as the information can be transmitted to the user as an indication that the first to third SSDs 11, 12, and 13 can be used without abnormality.

また、上記ＣＰＵ２は、上記ステップＳｔ７において上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３から取得したイレースカウントとその取得時間をメインメモリ３に保存（記憶）すると、上記ステップＳｔ８及びステップＳｔ９の処理をするとともに、これらの動作に並行して、ステップＳｔ１１において、上記取得されたイレースカウントが上記メインメモリ３に記憶されたしきい値を超えたか否かを判別する。そしてこのステップＳｔ１１において、上記しきい値を超えたとＣＰＵ２が判別した場合には、さらにこれまでに既に警告メッセージを発行したか否か（発行済みか否か）を判別する（ステップＳｔ１２）。そして、警告メッセージが未だ発行されていないと判別した場合には、表示手段５に警告メッセージを発行（表示）する（ステップＳｔ１３）。この警告メッセージの発行は、本発明を構成する報知工程であり、具体的には、図４に示す警告ウィンドウ５１を上記表示手段５に表示することにより行う。この警告ウィンドウ５１は、使用者に警告であることを伝達する文字５２と、設定されたしきい値に達した日時を伝達する文字５３と、しきい値に達した事に対して使用者がするべき対策を指示する文字５４と、警告を伝達する図形表示部５５とから構成されている。 When the CPU 2 saves (stores) the erase count and the acquisition time acquired from the first to third SSDs 11, 12, and 13 in the step St 7 in the main memory 3, the processing of the steps St 8 and St 9 is performed. In parallel with these operations, in step St11, it is determined whether or not the acquired erase count has exceeded the threshold value stored in the main memory 3. In step St11, if the CPU 2 determines that the threshold value has been exceeded, it further determines whether a warning message has already been issued (whether it has been issued) (step St12). If it is determined that a warning message has not yet been issued, a warning message is issued (displayed) on the display means 5 (step St13). This issuance of the warning message is a notification step that constitutes the present invention. Specifically, the warning message is issued by displaying a warning window 51 shown in FIG. In this warning window 51, a character 52 that conveys a warning to the user, a character 53 that conveys the date and time when the threshold value that has been set is reached, and the fact that the user has reached the threshold value are displayed. It is composed of characters 54 for instructing measures to be taken and a graphic display unit 55 for transmitting a warning.

そして、ＣＰＵ２が上記ステップＳｔ１２において警告メッセージが表示済みであると判別した場合、ステップＳｔ１３において警告メッセージが発行された場合、ステップＳｔ８においてイレースカウントが時間的推移とともにグラフ表示がされた場合、ステップＳｔ１０において使用限界予想日又は使用限界予想期間が表示（更新）された場合には、ＣＰＵ２はそれぞれ使用者が上記入力手段４を使用してこのプログラムの終了する意思表示をしたか否かを判別し（ステップＳｔ１４）、使用者が終了の意思表示をしたと判別した場合には、このプログラムは終了する（ステップＳｔ１５）。なお、このプログラムが終了する際には、これまでにステップＳｔ４及びステップＳｔ７において記憶（保存）した取得したイレースカウント及びその取得時間を第１のＳＳＤ１１に記憶（保存）しておき、次に（二回目以降に）このプログラムを起動した際には、この記憶（保存）しておいたこれまでに取得したイレースカウント及びその取得時間を読み出す。このため、二回目以降にこのプログラムを起動した際にも、これまでにこのプログラムを起動して取得した全てのイレースカウント及びその取得時間を用いてグラフ３１の表示（ステップＳｔ８）やイレースカウントの上昇係数の計算（ステップＳｔ９）やイレースカウントがしきい値を超えたか否か（ステップＳｔ１１）をＣＰＵ２は判断することが出来る。一方、ＣＰＵ２がこのステップＳｔ１４において、終了の意思表示をしないと判別した場合には、再び上記ステップＳｔ５に戻り、前回ステップＳｔ６においてイレースカウントを取得した取得時間から所定時間が経過したか否かを判別し、前述した手順を繰り返す。 When the CPU 2 determines that the warning message has been displayed at step St12, when the warning message is issued at step St13, when the erase count is displayed along with the temporal transition at step St8, step St10 is executed. When the expected usage limit date or the expected usage limit period is displayed (updated), the CPU 2 determines whether or not the user has indicated the intention to end the program using the input means 4. (Step St14) When it is determined that the user has indicated the intention to end, the program ends (Step St15). When this program ends, the acquired erase count and the acquisition time stored (saved) in steps St4 and St7 so far are stored (saved) in the first SSD 11, and then ( When this program is started (from the second time onward), the erase count acquired so far and the acquisition time stored in the memory are stored. For this reason, even when this program is started from the second time onward, the graph 31 display (step St8) and the erase count are displayed using all the erase counts acquired by starting this program so far and their acquisition times. The CPU 2 can determine whether the increase coefficient is calculated (step St9) and whether the erase count exceeds a threshold value (step St11). On the other hand, if the CPU 2 determines in step St14 that the intention to end is not displayed, the process returns to step St5 again to determine whether or not a predetermined time has elapsed from the acquisition time at which the erase count was acquired in the previous step St6. Determine and repeat the procedure described above.

なお、上述したように、上記ステップＳｔ５において、再びイレースカウントを取得してから所定時間が経過したと判別した場合には、ＣＰＵ２はステップＳｔ７で記憶（保存）したイレースカウントに基づいて、ステップＳｔ８において、前回のステップＳｔ８において表示した図３に示すグラフ３１を更新する。また同様に、ＣＰＵ２は、上記ステップＳｔ９において、ステップＳｔ６において新たに取得されたイレースカウント及び取得時間とこのプログラムの最初の起動以来これまでに取得された全てのイレースカウント及び取得時間に基づいて上昇係数が再度演算（解析）し、前回ステップＳｔ１０において表示された寿命（使用限界予想日又は使用限界予想期間の表示）を更新する。 As described above, when it is determined in step St5 that the predetermined time has elapsed since the acquisition of the erase count again, the CPU 2 performs step St8 based on the erase count stored (saved) in step St7. 3 updates the graph 31 shown in FIG. 3 displayed in the previous step St8. Similarly, in step St9, the CPU 2 increases based on the erase count and acquisition time newly acquired in step St6 and all the erase counts and acquisition times acquired so far since the first activation of this program. The coefficient is calculated (analyzed) again, and the lifetime (display of expected use limit date or expected use limit period) displayed in the previous step St10 is updated.

なお、冒頭で説明したように、上記使用限界予想解析用プログラムが起動すると、ＣＰＵ２は、上記表示手段５の右下隅に図６に示すような第１の使用限界日表示部６１が表示させ、また、該第１の使用限界日表示部６１内にはこの使用限界予想解析用プログラムが起動していることを示すアイコン６２を表示される。そして、使用者が、このアイコン６２上に入力手段４（マウス）により操作されるマウスポインタを位置されると、ＣＰＵ２は該アイコン６２の近傍に文字情報６３を表示させる。また、使用者がこのアイコン６２上にマウスポインタを位置されるとともに（ダブル）クリックすると、ＣＰＵ２は上記表示手段５に図５に示すメインウィンドウ４１を表示させる。なお、この実施の形態で示すコンピュータ１はＯＳとしてウィンドウズ（ウィンドウズはマイクロソフトコーポレーションの登録商標）が動作するものであるため、上記表示手段５の下端には全幅に渡ってタスクバー６４が表示されており、該タスクバー６４の右端には時刻６５が表示されている。そして、上記第１の使用限界表示部６１は、この時刻６５の表示の左側近傍に位置している。また、この第１の使用限界表示部６１には、上記文字情報６３として、前述したように、上記ＳＳＤ１１の寿命である使用限界予想日が表示されている。なお、この文字情報６３としては、後述するように、メインウィンドウ４１において、使用者が上記第１のＳＳＤ１１ではなく、第２又は第３のＳＳＤ１２，１３を選択した場合には、それら第２のＳＳＤ１２又は第３のＳＳＤ１３の何れかの使用限界予想日（或いは、使用限界予想期間）が表示される。 As described at the beginning, when the use limit prediction analysis program is started, the CPU 2 displays the first use limit date display unit 61 as shown in FIG. 6 in the lower right corner of the display means 5. In addition, an icon 62 is displayed in the first usage limit date display section 61 to indicate that this usage limit prediction analysis program is activated. When the user places the mouse pointer operated by the input means 4 (mouse) on the icon 62, the CPU 2 displays character information 63 in the vicinity of the icon 62. When the user places the mouse pointer on the icon 62 and double-clicks it, the CPU 2 displays the main window 41 shown in FIG. Since the computer 1 shown in this embodiment operates Windows as an OS (Windows is a registered trademark of Microsoft Corporation), a task bar 64 is displayed over the entire width of the lower end of the display means 5. At the right end of the task bar 64, a time 65 is displayed. The first usage limit display unit 61 is located in the vicinity of the left side of the display at this time 65. Further, in the first usage limit display unit 61, the expected usage date that is the life of the SSD 11 is displayed as the character information 63 as described above. As will be described later, when the user selects not the first SSD 11 but the second or third SSD 12 or 13 in the main window 41, the character information 63 is the second information. The expected use limit date (or expected use limit period) of either the SSD 12 or the third SSD 13 is displayed.

また、上記メインウィンドウ４１には、第１の表示領域４３が形成され、この第１の表示領域４３の隣には第２の表示領域４４が形成されている。上記第１の表示領域４３には、上記コンピュータ１に内蔵された第１のＳＳＤ１１に対応した「ディスクドライブ１」の文字４６ａと、コンピュータ１に外部接続された第２のＳＳＤ１２に対応する「ディスクドライブ２」の文字４６ｂと、上記第３のＳＳＤ１３に対応する「ディスクドライブ３」の文字４６ｃとが表示されているとともに、これらの文字４６ａ，４６ｂ，４６ｃのそれぞれ隣には、使用者等が上記入力手段４によりクリック（選択）する第１ないし第３のボタン４７ａ，４７ｂ，４７ｃが形成されている。一方、上記第２の表示領域４４には、上記第１ないし第３の何れかのボタン４７ａ，４７ｂ，４７ｃのクリックにより選択的に色が反転する第１ないし第３の反転表示部４８ａ，４８ｂ，４８ｃが形成されている。また、上記第１の反転表記部４８ａには、「ディスクドライブ１」の文字（符号は省略する。）が表示され、第２の反転表示部４８ｂには、「ディスクドライブ２」の文字（符号は省略する。）が表示され、第３の反転表示部４８ｃには、「ディスクドライブ３」の文字（符号は省略する。）が表示されている。すなわち、上記第１のボタン４７ａがクリック（選択）されると、上記第１の反転表示部４８ａが反転し、上記第２のボタン４７ｂがクリック（選択）されると、上記第２の反転表示部４８ｂが反転し、上記第３のボタン４７ｃがクリック（選択）されると、上記第３の反転表示部４８ｃが反転する。 Further, a first display area 43 is formed in the main window 41, and a second display area 44 is formed next to the first display area 43. In the first display area 43, a character 46 a “disk drive 1” corresponding to the first SSD 11 built in the computer 1 and a “disk” corresponding to the second SSD 12 externally connected to the computer 1 are displayed. A character 46b of "drive 2" and a character 46c of "disk drive 3" corresponding to the third SSD 13 are displayed, and a user or the like is next to each of these characters 46a, 46b, 46c. First to third buttons 47a, 47b, 47c that are clicked (selected) by the input means 4 are formed. On the other hand, in the second display area 44, first to third reverse display portions 48a and 48b whose colors are selectively inverted by clicking one of the first to third buttons 47a, 47b and 47c. , 48c are formed. In addition, the character “disk drive 1” (not shown) is displayed on the first reverse display portion 48a, and the character “disk drive 2” (reference number is omitted) on the second reverse display portion 48b. Is displayed), and the letters “disk drive 3” (the symbols are omitted) are displayed on the third reverse display portion 48c. That is, when the first button 47a is clicked (selected), the first reverse display portion 48a is reversed, and when the second button 47b is clicked (selected), the second reverse display is performed. When the part 48b is inverted and the third button 47c is clicked (selected), the third inverted display part 48c is inverted.

また、上記第１ないし第３の反転表示部４８ａ，４８ｂ，４８ｃの下方には、対応する第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の何れかの記憶容量の大きさと、その記憶容量の内、現在使用中の領域である使用領域の大きさと使用中ではない領域（空き領域）の大きさを表示する容量表示部４９が形成され、さらにこの容量表示部４９の下方には、該当する第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の何れかのＳＳＤの寿命に関する情報を表示する寿命診断表示部５０が形成されている。この寿命診断表示部５０には、上記第１ないし第３のボタン４７ａ，４７ｂ，４７ｃによって選択された第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の何れかのＳＳＤについてのイレースカウントの最大値に対する現時点でのイレースカウントの比率を示す数値５０ａと、該数値５０ａを棒グラフで示すグラフ表示部５０ｂが形成され、また、このグラフ表示部５０ｂの下方には、該第１ないし第３のボタン４７ａ，４７ｂ，４７ｃによって選択された第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の何れかのＳＳＤのイレースカウントがイレースカウントの最大値に達すると予想される使用限界予想日を示す第２の使用限界日表示部５０ｃが形成されている。したがって、このメインウィンドウ４１が表示され、上記第１ないし第３のボタン４７ａ，４７ｂ，４７ｃの何れかがクリックされると、上記ＣＰＵ２は、上記第１ないし第３の反転表示４８ａ，４８ｂ，４８ｃの何れかを反転させるとともに、その選択されたＳＳＤ１１（１２，１３）に対応した情報、すなわち、記憶容量，使用領域及び空き領域に関する数字を上記容量表示部４９に表示させ、さらに、上記寿命診断表示部５０のグラフ表示部５０ｂには、該ＳＳＤ１１（１２，１３）が寿命に達するまでのイレースカウントの最大値に対するイレースカウントの比率を示す数値５０ａと、該数値５０ａをより視覚的に把握し易いものとするグラフ表示部５０ｂが表示させ、さらに、上記使用限界予想日が上記第２の使用限界日表示部５０ｃに表示される。すなわち、この第２の使用限界日表示部５０ｃと上記第１の使用限界日表示部６１には、上述したステップＳｔ１０において、本発明を構成する使用限界予想情報として、使用限界予想日がそれぞれ表示され又は更新される。 Further, below the first to third inversion display portions 48a, 48b, and 48c, the storage capacity of any of the corresponding first to third SSDs 11, 12, and 13 and the storage capacity thereof are included. A capacity display section 49 is formed to display the size of the used area that is currently used and the size of the area that is not in use (empty area). A life diagnosis display unit 50 for displaying information on the life of any one of the first to third SSDs 11, 12, and 13 is formed. The life diagnosis display 50 displays the maximum erase count for any one of the first to third SSDs 11, 12, 13 selected by the first to third buttons 47 a, 47 b, 47 c. A numerical value 50a indicating the ratio of the erase count at the present time and a graph display part 50b indicating the numerical value 50a as a bar graph are formed, and below the graph display part 50b, the first to third buttons 47a, The second usage limit date indicating the expected usage limit date when the erase count of any one of the first to third SSDs 11, 12, and 13 selected by 47b and 47c is expected to reach the maximum value of the erase count. A display unit 50c is formed. Therefore, when the main window 41 is displayed and any one of the first to third buttons 47a, 47b, 47c is clicked, the CPU 2 displays the first to third reverse displays 48a, 48b, 48c. And the information corresponding to the selected SSD 11 (12, 13), that is, the numbers related to the storage capacity, the used area and the free area are displayed on the capacity display unit 49, and the life diagnosis is performed. In the graph display unit 50b of the display unit 50, the numerical value 50a indicating the ratio of the erase count to the maximum value of the erase count until the SSD 11 (12, 13) reaches the end of life, and the numerical value 50a are more visually grasped. The graph display unit 50b that facilitates the display displays the expected use limit date as the second use limit date display unit 5. It is displayed in the c. That is, the second use limit date display unit 50c and the first use limit date display unit 61 display the use limit forecast date as the use limit forecast information constituting the present invention in step St10 described above. Or updated.

なお、上記実施の形態では、ステップＳｔ３において、イレースカウントの最大値を、上記第１ないし第３のＳＳＤ１１，１２，１３の記憶容量から自動的に算出し、その上で該イレースカウントの最大値をメインメモリ３に記憶させ、以下このステップＳｔ３での算出により得られた該イレースカウントの最大値を用いて、上記ステップＳｔ９の処理等を順次行っている。しかし、本発明では、こうした方法を採用することなく、第１のＳＳＤ１１に予め該ＳＳＤ１１のイレースカウントの最大値が記憶されている場合には、この使用限界予想解析用プログラムを起動した際にこの第１のＳＳＤ１１に記憶されているイレースカウントの最大値をメインメモリ３に読み込み、以下該イレースカウントの最大値を用いて処理を順次行うものとしても良い。また、上記実施の形態では、上記ステップＳｔ１３での報知工程として、表示手段５に上記警告メッセージを表示する工程として説明したが、この報知工程において使用者に警告する方法としてはこのような表示によるものとは限らない。すなわち、出力手段としてスピーカーをこのコンピュータ１の構成要素とし、警告音や合成音声等によりしきい値を超えた旨を使用者に通知するものとしても良い。さらに、出力手段としてネットワーク等の通信手段をこのコンピュータ１の構成要素とし、この使用限界予想解析用プログラムが、該通信手段を介して予め設定されたメールアドレスに向けてしきい値を超えた旨を本文とする警告のメールを送信するものとしても良く、これは該コンピュータ１の管理者が遠隔地から該コンピュータ１を管理するような場合に有効なものとなる。 In the above embodiment, in step St3, the maximum value of the erase count is automatically calculated from the storage capacity of the first to third SSDs 11, 12, and 13, and then the maximum value of the erase count is calculated. Are stored in the main memory 3, and the process of step St9 is sequentially performed using the maximum value of the erase count obtained by the calculation in step St3. However, in the present invention, when the maximum value of the erase count of the SSD 11 is stored in advance in the first SSD 11 without adopting such a method, this use limit prediction analysis program is activated when this program is used. It is also possible to read the maximum value of the erase count stored in the first SSD 11 into the main memory 3 and sequentially perform processing using the maximum value of the erase count. Moreover, although the said embodiment demonstrated as a process of displaying the said warning message on the display means 5 as an alerting | reporting process in said step St13, as a method of alerting a user in this alerting | reporting process, it is based on such a display. Not necessarily. In other words, a speaker may be used as a component of the computer 1 as an output means, and the user may be notified that the threshold value has been exceeded by a warning sound or a synthesized voice. Further, a communication means such as a network as an output means is a component of the computer 1, and the usage limit prediction analysis program has exceeded a threshold value for a mail address set in advance via the communication means. It is also possible to send a warning e-mail with the text as the text, which is effective when the administrator of the computer 1 manages the computer 1 from a remote location.

使用限界予想解析用プログラムが動作するコンピュータの構成を模式的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows typically the structure of the computer with which the use limit prediction analysis program operates. 使用限界予想解析用プログラムの動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the use limit prediction analysis program. 使用限界予想解析用プログラムの動作により表示されるグラフである。It is a graph displayed by operation | movement of the use limit prediction analysis program. 使用限界予想解析用プログラムの動作により表示される警告メッセージである。This is a warning message displayed by the operation of the usage limit prediction analysis program. 使用限界予想解析用プログラムの動作により表示されるメインウィンドウを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the main window displayed by operation | movement of the use limit prediction analysis program. 使用限界予想解析用プログラムの動作により表示される第１の使用限界日表示部及びアイコンを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the 1st use limit date display part and icon displayed by operation | movement of the use limit prediction analysis program.

符号の説明Explanation of symbols

１コンピュータ
２制御手段
３メインメモリ
４入力手段
５表示手段
１１，１２，１３第１ないし第３のＳＳＤ
４２第２の使用限界日表示部
５０ｃ第１の使用限界日表示部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Computer 2 Control means 3 Main memory 4 Input means 5 Display means 11, 12, 13 1st thru | or 3rd SSD
42 2nd use limit date display part 50c 1st use limit date display part

Claims

記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるとともに、半導体記憶装置が内蔵され又は接続されてなるコンピュータに対して、
上記半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値を算出し、上記記憶手段に記憶させる最大値算出工程と、
上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、
上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、
上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、
この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を、上記表示手段に表示及び／又は上記出力手段より出力する使用限界表示出力工程と、
を実現させることを特徴とする半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラム。 Storage means, display means and / or output means, input means, control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the storage means, display means and / or output means, and input means And a computer having a semiconductor memory device incorporated therein or connected thereto,
Calculating the maximum value of the erase count of the semiconductor memory device from the capacity of the semiconductor memory device, and storing the maximum value in the storage means;
An erase count acquisition step of acquiring an erase count from the semiconductor memory device at regular intervals;
An erase count storage step of storing the erase count acquired in the erase count acquisition step and the acquisition time of the erase count in a storage means constituting the computer;
On the condition that the erase count acquisition step is performed a plurality of times, an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the semiconductor memory device is related to the maximum value of the erase count stored in the storage means A calculation process for calculating the expected usage limit time of
Usage limit display output step of displaying usage limit prediction information on the display means and / or outputting from the output means based on the expected usage limit time calculated by the calculation step;
A program for use limit prediction analysis of a semiconductor memory device characterized by realizing the above.

記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるとともに、半導体記憶装置が内蔵され又は接続されてなると同時に上記半導体記憶装置のイレースカウントの最大値が上記記憶手段に記憶されてなるコンピュータに対して、
上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、
上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、
上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、
この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を、上記表示手段に表示及び／又は上記出力手段より出力する使用限界表示出力工程と、
を実現させることを特徴とする半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラム。 Storage means, display means and / or output means, input means, control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the storage means, display means and / or output means, and input means And a computer in which the semiconductor memory device is built-in or connected and at the same time the maximum erase count of the semiconductor memory device is stored in the memory means.
An erase count acquisition step of acquiring an erase count from the semiconductor memory device at regular intervals;
An erase count storage step of storing the erase count acquired in the erase count acquisition step and the acquisition time of the erase count in a storage means constituting the computer;
On the condition that the erase count acquisition step is performed a plurality of times, an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the semiconductor memory device is related to the maximum value of the erase count stored in the storage means A calculation process for calculating the expected usage limit time of
Usage limit display output step of displaying usage limit prediction information on the display means and / or outputting from the output means based on the expected usage limit time calculated by the calculation step;
A program for use limit prediction analysis of a semiconductor memory device characterized by realizing the above.

前記イレースカウント記憶工程の後に、前記演算工程に並行して、前記記憶手段に記憶された個々のイレースカウントを時間の推移とともに、前記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力することを特徴とする請求項１又は２記載の何れかの半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラム。 After the erase count storage step, in parallel with the calculation step, the individual erase counts stored in the storage means are displayed on the display means and / or output from the output means along with the transition of time. The use limit prediction analysis program for a semiconductor memory device according to claim 1.

前記記憶手段には、イレースカウントのしきい値が記憶され、前記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントが上記しきい値を超えたことを報知する報知工程を備えてなることを特徴とする請求項１，２又は３記載の何れかの半導体記憶装置の使用限界予想解析用プログラム。 The erasure count threshold value is stored in the storage means, and a notification step of notifying that the erase count acquired in the erase count acquisition step exceeds the threshold value is provided. Item 4. A use limit prediction analysis program for a semiconductor memory device according to any one of Items 1, 2 and 3.

記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるコンピュータと、このコンピュータに内蔵され又は接続されてなる半導体記憶装置と、を備え、
上記記憶手段には、使用限界解析用プログラムが記憶されてなり、
上記制御手段は、上記使用限界解析用プログラムにより、
上記半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値を算出し、上記記憶手段に記憶させる最大値算出工程と、
上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、
上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、
上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、
この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を、上記表示手段及び／又は前記出力手段より出力に表示する使用限界表示出力工程と、
を有してなることを特徴とする半導体記憶装置の使用限界予想解析システム。 Storage means, display means and / or output means, input means, control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the storage means, display means and / or output means, and input means And a semiconductor storage device built in or connected to the computer,
The storage means stores a use limit analysis program,
The control means is based on the use limit analysis program.
Calculating the maximum value of the erase count of the semiconductor memory device from the capacity of the semiconductor memory device, and storing the maximum value in the storage means;
An erase count acquisition step of acquiring an erase count from the semiconductor memory device at regular intervals;
An erase count storage step of storing the erase count acquired in the erase count acquisition step and the acquisition time of the erase count in a storage means constituting the computer;
On the condition that the erase count acquisition step is performed a plurality of times, an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the semiconductor memory device is related to the maximum value of the erase count stored in the storage means A calculation process for calculating the expected usage limit time of
A usage limit display output step of displaying usage limit prediction information on the output from the display means and / or the output means based on the expected usage limit time calculated by the calculation step;
A use limit prediction analysis system for a semiconductor memory device, comprising:

記憶手段と、表示手段及び／又は出力手段と、入力手段と、これら記憶手段，表示手段及び／又は出力手段，入力手段に接続され該記憶手段，表示手段，入力手段，出力手段を制御する制御手段とを備えてなるコンピュータと、このコンピュータに内蔵され又は接続されてなる半導体記憶装置と、を備え、
上記記憶手段には、上記半導体記憶装置のイレースカウントの最大値と、使用限界解析用プログラムとが記憶されてなり、
上記制御手段は、上記使用限界解析用プログラムにより、
上記半導体記憶装置の容量から該半導体記憶装置のイレースカウントの最大値を算出し、上記記憶手段に記憶させる最大値算出工程と、
上記半導体記憶装置からイレースカウントを一定周期毎に取得するイレースカウント取得工程と、
上記イレースカウント取得工程により取得したイレースカウントと、該イレースカウントの取得時間とを、上記コンピュータを構成する記憶手段に記憶するイレースカウント記憶工程と、
上記イレースカウント取得工程が複数回なされたことを条件に、イレースカウントの時間的推移に基づく上昇係数を演算し、上記記憶手段に記憶されたイレースカウントの最大値との関係で、上記半導体記憶装置の使用限界予想時間を演算する演算工程と、
この演算工程により演算された使用限界予想時間を基に使用限界予想情報を、上記表示手段に表示及び／又は前記出力手段より出力する使用限界時間表示工程と、
を有してなることを特徴とする半導体記憶装置の使用限界予想解析システム。 Storage means, display means and / or output means, input means, control means for controlling the storage means, display means, input means, and output means connected to the storage means, display means and / or output means, and input means And a semiconductor storage device built in or connected to the computer,
The storage means stores a maximum value of the erase count of the semiconductor storage device and a use limit analysis program,
The control means is based on the use limit analysis program.
Calculating the maximum value of the erase count of the semiconductor memory device from the capacity of the semiconductor memory device, and storing the maximum value in the storage means;
An erase count acquisition step of acquiring an erase count from the semiconductor memory device at regular intervals;
An erase count storage step of storing the erase count acquired in the erase count acquisition step and the acquisition time of the erase count in a storage means constituting the computer;
On the condition that the erase count acquisition step is performed a plurality of times, an increase coefficient based on the temporal transition of the erase count is calculated, and the semiconductor memory device is related to the maximum value of the erase count stored in the storage means A calculation process for calculating the expected usage limit time of
A use limit time display step of displaying use limit prediction information on the display means and / or outputting from the output means based on the use limit expected time calculated by the calculation step;
A use limit prediction analysis system for a semiconductor memory device, comprising: