JP2010060975A - 半導体集積回路、自発光表示パネルモジュール、電子機器及び電源線駆動方法 - Google Patents

半導体集積回路、自発光表示パネルモジュール、電子機器及び電源線駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ピーク輝度レベルの可変制御により動画特性やフリッカ特性が変動し、視認性が低下することがある。
【解決手段】自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線を駆動する電源線駆動回路に、以下の機能を搭載する。すなわち、自発光素子の発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源を、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給する機能と、自発光素子の非発光期間には、自発光素子を非発光状態に制御する第3の駆動電源を前記電源線に供給する機能とを搭載する。ただし、両端位置が固定された発光期間に占める第1の駆動電源の出力期間長と第2の駆動電源の出力期間長の比率と、第2の駆動電源の電圧値とが、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定する。
【選択図】図23

Description

この明細書で説明する発明は、自発光表示パネルの電源線駆動技術に関する。なお、発明は、半導体集積回路、自発光表示パネルモジュール、電子機器及び電源線駆動方法としての側面を有する。
有機ELディスプレイパネルは、コントラストが高いだけでなく、視野角が広く、応答速度も速いという特性を有している。また、バックライト光源が不要であり、薄型化にも適している。このため、有機ELディスプレイパネルは、次世代のフラットパネルの本命として注目されている。
特開2002−251167号公報
ところで、有機ELディスプレイパネルは、有機EL素子OLEDの発光時間長でピーク輝度レベルを制御することができる。図1及び図2を用いて、この輝度レベルの制御機能を説明する。図1は、1フレーム期間を100%として、その何パーセントを発光期間として使用するかを表している。図中、網掛けで示す棒グラフの長さが発光期間長である。例えば図1(B)は、1フレーム期間の25%を発光期間に使用することを意味し、図1(C)は、1フレーム期間の50%を発光期間に使用することを意味する。
なお、1フレーム期間における総発光期間長が同じであれば、1フレーム期間中における発光期間の数は必ずしも1回に限られることはなく、複数回に分割することもできる。
図2は、発光期間長の長さの違いによる画素階調と輝度レベルとの関係を表している。図2の縦軸が輝度レベルであり、横軸が画素階調に対応する信号電位Vsig 又は駆動電流Isig である。図2に示すように、発光期間長が長いほど、ピーク輝度レベルを高くすることができる。すなわち、輝度レベルの可変範囲を大きくとることができる。
ところが、図1に示すように単一の発光期間の長さだけでピーク輝度レベルを可変制御する方法には、動画性能やフリッカ性能の両立が難しくなる問題がある。例えば発光期間長を長くするほどピーク輝度レベルを高めることができる一方で、動画応答特性が低下する問題がある。反対に発光期間長を短くするほど動画応答特性を高めることができる一方で、ピーク輝度レベルが低下すると共にフリッカが目立ち易くなる問題がある。
そこで、発明者らは、以下の駆動条件を満たす電源線駆動回路を有する半導体集積回路を提案する。
(a)自発光素子の発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源を、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給する。
(b)自発光素子の非発光期間には、自発光素子を非発光状態に制御する第3の駆動電源を前記電源線に供給する。
(c)両端位置が固定された発光期間に占める第1の駆動電源の出力期間長と第2の駆動電源の出力期間長の比率と、第2の駆動電源の電圧値とが、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定される。
因みに、第2の駆動電源は、自発光素子に順電圧を印加する範囲内で可変電圧値に設定されることが望ましい。
また、第2の駆動電源は、フレーム画像の平均輝度レベルが高いほど第1の駆動電源との電位差が小さくなるように可変的に制御され、フレーム画像の平均輝度レベルが低いほど第1の駆動電源との電位差が大きくなるように可変的に制御されることが望ましい。
また、第2の駆動電源は、自発光表示パネルの周辺照度が高いほど第1の駆動電源との電位差が小さくなるように可変的に制御され、自発光表示パネルの周辺照度が低いほど第1の駆動電源との電位差が大きくなるように可変的に制御されることが望ましい。
因みに、第2の駆動電源は、前記発光期間内に複数回出力されることが望ましい。
更に、発明者らは、以下の駆動条件を満たす駆動電源発生部を有する半導体集積回路を提案する。
(a)発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源とが、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給される場合に、
(b)両端位置が固定された発光期間に占める第1の駆動電源の出力期間長と第2の駆動電源の出力期間長の比率と、第2の駆動電源の電圧値とを、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定する。
発明者らの提案する駆動技術を採用する場合、第2の駆動電源の出力期間長の比率と電圧値の可変制御によって、発光期間の発光開始から発光終了までの期間長は変更することなく、ピーク輝度レベルを可変制御することが可能になる。しかも、発光開始から発光終了までの期間長は変化しないので、ピーク輝度レベルの変化に伴う表示品質の変化を最小限にとどめることができる。
以下では、自発光表示パネルの一例であるアクティブマトリクス駆動型の有機ELパネルについて、発明者らが提案する発明の最良の形態例を、以下に示す順番に説明する。
(A)有機ELパネルモジュールの外観構造
(B)形態例1(平均輝度レベルに基づいてピーク輝度レベルを設定する形態例)
(C)形態例2(周辺照度に基づいてピーク輝度レベルを設定する形態例)
(D)他の形態例
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
(A)有機ELパネルモジュールの外観構造
まず、有機ELパネルモジュールの外観例を説明する。ただし、この明細書においては、画素アレイ部と駆動回路を同じ基板上に形成するパネルモジュールだけでなく、例えば特定用途向けICとして製造された駆動回路を画素アレイ部と同じ基板上に実装したものも含めてパネルモジュールと呼ぶことにする。ここでの特定用途向けICが、特許請求の範囲における「半導体集積回路」に対応する。
図3に、有機ELパネルモジュールの外観例を示す。有機ELパネルモジュール1は、支持基板3に対向基板5を貼り合わせた構造を有している。
支持基板3は、ガラス、プラスチックその他の基材で構成される。対向基板5も、ガラス、プラスチックその他の透明部材を基材とする。対向基板5は、封止材料を挟んで支持基板3の表面を封止する部材である。
なお、基板の透明性は光の射出側だけ確保されていれば良く、他方の基板側は不透性の基板でも良い。
この他、有機ELパネル1には、外部信号や駆動電源を入力するためのFPC(フレキシブルプリントサーキット)7が必要に応じて配置される。
(B)形態例1
(B−1)システム構成例
図4に、この形態例に係る有機ELパネルモジュール11のシステム構成例を示す。有機ELパネルモジュール11は、画素アレイ部13と、信号線駆動部15と、書込制御線駆動部17と、電源線駆動部19と、駆動電源発生部21とをガラス基板上に配置した構成を有している。この形態例の場合、画素アレイ部13以外の回路は、1個又は複数個の半導体集積回路として形成され、ガラス基板上に実装されるものとする。
(B−2)各デバイスの構成
以下、有機ELパネルモジュール11を構成するデバイス(機能ブロック)の形態例を順番に説明する。
(a)画素アレイ部
画素アレイ部13は、表示上の1画素を構成するホワイトユニットがM行×N列に配置されたマトリクス構造を有している。なお、この明細書において、行とは、図中X方向に延びる3×N個のサブ画素23で構成される画素列をいう。また、列とは、図中Y方向に延びるM個のサブ画素23で構成される画素列をいう。勿論、MとNの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。
図5に、ホワイトユニットを構成するサブ画素23の配列例を示す。図5は、3原色に対応するR画素、G画素、B画素に対応するサブ画素23によりホワイトユニットが構成される場合の例である。勿論、ホワイトユニットの構成は、これに限らない。また、サブ画素23についても原色発光型だけでなく、フィルタによる色変換型やマルチ発光型等のサブ画素構造が考えられる。
図6に、アクティブマトリクス駆動に対応するサブ画素23の画素回路例を示す。なお、この種の画素回路には、実に様々な回路構成が提案されている。図6は、これらのうち最も単純な回路例の一つである。
図6の場合、画素回路は、サンプリング動作を制御する薄膜トランジスタ(以下、「サンプリングトランジスタ」という。)N1と、駆動電流の供給動作を制御する薄膜トランジスタ(以下、「駆動トランジスタ」という。)N2と、保持容量Csと、有機EL素子OLEDとで構成される。
図6の場合、サンプリングトランジスタN1と駆動トランジスタN2はNチャネルMOSトランジスタで構成される。なお、サンプリングトランジスタN1は、ゲート電極に接続された書込制御線WSLにより動作状態が制御される。サンプリングトランジスタN1がオン状態のとき、画素データに対応する信号線DTLの電位が保持容量Csに書き込まれる。
保持容量Csは、駆動トランジスタN2のゲート電極とソース電極間に接続される容量性負荷である。保持容量Csに保持された信号電位Vsig が、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsを与える。この電圧に相当する信号電流Isig が、電流供給線としての電源線DSLから引き込まれ、有機EL素子OLEDに供給される。
なお、信号電流Isig が大きいほど、有機EL素子OLEDに流れる電流は大きくなり、発光輝度が高くなる。すなわち、信号電流Isig の大きさにより階調が表現される。この信号電流Isig の供給が続く限り、有機EL素子OLEDの所定輝度による発光状態が継続される。
この形態例の場合、電源線DSLは行単位で配線され、同じ行に位置する全てのサブ画素23に駆動電源を供給する。この形態例の場合、電源線DSLは、3値の駆動電源VH、VM、VSSにて駆動される。3値の駆動電源のうち2つの駆動電源VHとVMは、有機EL素子OLEDをオン状態に保つことが可能な電源であり、残る1つの駆動電源VSSは有機EL素子OLEDをオフ状態に制御する電源である。
このうち、駆動電源VHは固定的に設定される駆動電源であり、特許請求の範囲における第1の駆動電源に対応する。また、駆動電源VMは可変的に設定される駆動電源であり、特許請求の範囲おける第2駆動電源に対応する。なお、この明細書においては、駆動電源VMを、可変駆動電源ともいう。
駆動電源VMの最小値は、有機EL素子OLEDを発光状態に維持できる範囲で設定される。この形態例の場合、カソード電極電位Vcat に設定される。一方、駆動電源VMの最大値は、駆動電源VHに一致する。駆動電源VMの設定方法については後述する。
また、駆動電源VSSは、特許請求の範囲における第3の駆動電源に対応する固定電源である。なお、この形態例の場合、駆動電源VSSは、有機EL素子OLEDのカソード電極電位Vcat よりも低い電位に設定されている。
(b)信号線駆動部
信号線駆動部15は、サブ画素23の特性補正に必要な基準電位(以下では、「オフセット電位」という。)Vofs と、画素階調に対応する信号電位Vsig を信号線DTLに印加する回路デバイスである。信号線DTLは列単位で配線され、同じ列に位置する全てのサブ画素23に電位を印加する。
(c)書込制御線駆動部
書込制御線駆動部17は、オフセット電位Vofs や信号電位Vsig の書き込みタイミングを与える制御パルスを書込制御線WSLに印加する回路デバイスである。この形態例の場合、書込制御線WSLは、前述したように行単位で配線される。従って、書込制御線駆動部17の動作は水平走査クロックに同期し、水平走査クロックの入力毎に次行の画素列に制御パルスを出力するように動作する。
この形態例の場合、書込制御線駆動部17は、各出力段が各行(画素列)に対応するシフトレジスタと各行に対応する出力段とを基本構成とする。なお、シフトレジスタは、例えば制御パルスの立ち上がりタイミングと立ち下がりタイミングを与えるタイミング信号を次行に順次転送するのに用いられる。出力段は、シフトレジスタから与えられるタイミングパルスに基づいて制御パルスを発生する論理回路と、制御パルスを駆動に適した電位に変換するレベルシフタと、書込制御線WSLを実際に駆動するバッファ回路とで構成される。
(d)電源線駆動部
電源線駆動部19は、書込制御線WSLの制御動作と連動してサブ画素23の駆動動作を制御する回路デバイスである。前述したように、電源線駆動部19は、3値の駆動電源のいずれか一つを時間順次に電源線DSLに印加する。
なお、この明細書においては、有機EL素子OLEDが発光している期間を発光期間といい、有機EL素子OLEDが発光していない期間を非発光期間という。
なお、発光期間は、各サブ画素23の保持容量Csに信号電位Vsig が書き込まれた状態において、電源線DSLに駆動電源VH又はVMが印加される期間が対応する。また、非発光期間は、サブ画素23に次フレームの信号電位Vsig を書き込むまでの期間と、各サブ画素23の保持容量Csに信号電位Vsig が書き込まれた状態において、電源線DSLに駆動電源VSSが印加されている期間が対応する。
なお、非発光期間を構成する前者の期間においては、保持容量Csの電位の初期化動作時と閾値補正動作の準備期間に、電源線DSLに駆動電源VSSが印加され、その他の期間は高電位の駆動電源VHが印加される。
この形態例の場合、電源線駆動部19は、各行(画素列)に対応する出力段を基本構成とする。出力段は、制御パルスを駆動に適した電位に変換するレベルシフタと、書込制御線WSLを実際に駆動するバッファ回路とで構成する。なお、この形態例の場合、出力段に対する3値の駆動電源は、駆動電源発生部21から与えられる。
(e)駆動電源発生部
(e−1)全体構成
駆動電源発生部21は、各行に対応する電源線DSLに印加する駆動電源を発生する回路デバイスである。
図7に、駆動電源発生部21の回路構成例を示す。駆動電源発生部21は、1フレーム平均輝度検出部31、ピーク輝度制御部33、フリッカ成分検出部35、発光モード判別部37、ユーザー設定部39、出力パターンルックアップテーブル41、可変駆動電源発生部43、駆動タイミング発生部45で構成される。
以下、各機能ブロックの構成を説明する。
(e−2)1フレーム平均輝度検出部
1フレーム平均輝度検出部31は、1フレーム画面を構成する全画素に対応する入力画像データDinの平均輝度レベルYavr を算出する回路デバイスである。因みに、入力画像データDinは、R(赤)画素データ、G(緑)画素データ、B(青)画素データのデータ形式により与えられる。この形態例の場合、平均輝度レベルYavr は、最大輝度レベルを100%とした値として算出される。
1フレーム平均輝度検出部31は、平均輝度レベルYavr の算出に際し、まず各画素に対応するR画素データ、G画素データ、B画素データを画素単位の輝度レベルに変換する。
また、平均輝度レベルYavr は、1フレーム単位で算出しても良いし、複数フレーム単位の平均値として算出しても良い。
(e−3)ピーク輝度制御部
ピーク輝度制御部33は、算出された平均輝度レベルYavr に基づいて該当フレーム画面の表示に使用するピーク輝度レベルPyを設定する回路デバイスである。例えば平均輝度レベルYavr の低いフレーム画面には、ピーク輝度レベルPyがダイナミックレンジの高値になるように発光期間長を設定する。この形態例の場合、発光期間長は、1フレーム期間長を100%として与えることにする。
この種の画面には、夜空に星が点在するような画面が該当する。この種の画面でピーク輝度レベルPyを低く設定したのでは、星の輝きを表現できないためである。一方、例えば平均輝度レベルYavr の高いフレーム画面には、ピーク輝度レベルPyがダイナミックレンジの中間値になるように発光期間長を設定する。設定された発光期間長は、可変駆動電源発生部43に供給される。
(e−4)フリッカ成分検出部
フリッカ成分検出部35は、入力画像データDinに基づいて、入力画像に含まれる動画成分とフリッカ成分を検出する回路デバイスである。因みに、動画成分の検出には、例えば前フレームに対する動きベクトルの平均値によって検出する方法や、1フレームに占める静止画素の割合によって検出する方法などを適用する。
また、フリッカ成分の検出には、例えば以下の各条件を数値化して検出する方法を適用する。
・フレームレート
・1フレーム内の発光時間長
・動き量
・平均輝度レベルが50%以上の領域の連続出現時間
図8に、フリッカ成分検出部35の内部構成例を示す。フリッカ検出部35は、輝度レベル検出部51、発光期間長制御部53、動き量検出部55、動き量フォーマット変換部57、ブロック制御部59、発光時間計測部61及びフリッカ情報算出部63で構成する。
(1)輝度レベル検出部
このうち、輝度レベル検出部51は、1フレーム画面を構成する全画素に対応する入力画像データDinの平均輝度レベルを算出する回路デバイスである。
(2)発光期間長制御部
発光期間長制御部53は、1フレーム画面全体の平均輝度レベルS1に基づいて、1フレーム期間内の発光期間長を可変的に制御する回路デバイスである。具体的には、平均輝度レベルS1が高いほど発光期間長を短く制御し、反対に平均輝度レベルS1が低いほど発光期間長を長く制御する。使用する発光期間長S5は、ブロック制御部59に供給される。
(3)動き量検出部
動き量検出部55は、入力画像データDinに基づいて画素毎の動き量を検出する回路デバイスである。
図9に、動き量検出部55の内部構成例を示す。動き量検出部55は、フレームメモリ71、動き検出部73、動画/静止画判定部75で構成する。
この形態例の場合、フレームメモリ71は、2フレーム分のメモリ領域を有している。各メモリ領域は、垂直同期信号Vsyncによって書き込みと読み出しが入れ替わる。すなわち、一方のメモリ領域に入力画像データDinが書き込まれている最中に、他方のメモリ領域から前フレームの入力画像データDinが読み出される。
動き検出部73は、画素数単位で動き量S4を検出する回路デバイスである。
動画/静止画判定部75は、検出された動き量S4に基づいて、入力画像が動画か静止画かを判定し、判定結果S3を出力する回路デバイスである。
動画/静止画判定部75は、基本的に動き量がゼロである画像を静止画像と判定する。ただし、動き量が非常に小さい画像も静止画像と判定する場合もある。ここでの判定閾値には、経験等を加味した設計上の値を使用する。
なお、この形態例の場合には、2フレーム画像の比較により動き量を検出しているが、現在使用可能なその他の動き検出技術を使用することもできる。
例えばコムフィルタを用いる動き検出技術、MPEGデコーダで使用する動き検出技術、インタレース・プログレッシブ変換処理で使用する動き検出技術その他を使用することもできる。また、有機ELパネルモジュール11が搭載するこれら動き検出機能の検出結果を流用することもできる。図8では、この種の外部から与えられる動き量をDmoveで示している。
参考までに、図10に、MPEGデコーダから与えられる動き量Dmoveのデータ例を示す。外部に配置する動き検出部では、単なる動き量だけでなく、その方向や輝度成分についても検出される。従って、図10に示すように、動き量Dmoveは、輝度成分81と、動きベクトルの方向83と、動きベクトルの大きさ85を一組として与えられる。
(4)動き量フォーマット変換部
動き量フォーマット変換部57は、基本的に画素数で与えられる動き量S4又はDmoveを演算用の数値(この形態例では、「動き値」という。)にフォーマット変換する回路デバイスである。ここでの動き値は、ブロック制御部59でフリッカ判定用のブロック面積を調整するために使用するパラメータの一つである。通常、動きが大きい画面ではフリッカが目立ち難くなるため、動き量が大きいほど動き値には大きな値が割り当てられる。
図11に、動き量と動き値との対応関係を記録したテーブル例を示す。図11の場合、動き量S4は、0、1、2、3、4、5以上の6段階である。図11の場合、動き量の大きさがゼロの画素(すなわち、静止画)には動き値
「1.0」を割り当てている。また図11の場合、動き量の大きさがゼロ以外の画素(すなわち、動画像)には、動き量の大きさに比例して動き値を増やすように割り当てている。なお、無制限に動き値を増やしてしまうと、本来の目的であるフリッカ判定に支障が生じかねない。そこで、図11の場合には、動き量が5以上の場合には、動き値の増加を
「1.5」に制限している。
具体的には、動き量が1画素大きくなると、動き値を 「0.1」大きくする。この対応関係は、動き量の1画素分の増加が、基準面積(動き量がゼロの場合の面積)の10%分だけ大きく変化させるように作用する。
なお、前述したように、動き量が外部からDmoveとして与えられる場合には、動きベクトルの大きさを画素数に換算した上で動き値に変換することになる。勿論、図11は一例であり、動き量の段数や対応する変化幅も任意である。
(5)ブロック制御部
ブロック制御部59は、フリッカ判定処理で使用するブロック領域の数、位置、面積を決定する回路デバイスである。
図12に、ブロック制御部59の内部構成例を示す。ブロック制御部59は、輝度分布検出部91、ブロック数決定部93、ブロック位置決定部95、ブロック面積決定部97、初期設定情報記憶部99で構成する。
輝度分布検出部91は、画素毎に得られる輝度レベルS2に基づいて輝度レベルの高い領域を検出する回路デバイスである。輝度分布検出部91は、例えば判定閾値に輝度レベルの50%(最大階調値を 100%とする。)を使用し、各輝度レベルS2との比較結果を輝度分布情報S7として出力する。この形態例の場合、判定閾値より輝度レベルが高い画素は値「1」で表され、判定閾値より輝度レベルが低い画素は値「0」で表される。
この形態例において、閾値に輝度レベルの50%を使用するのは、フリッカは明るい領域ほど見えやすくなるためである。勿論、この条件は一例であり、後述するように他の条件も揃わないとフリッカとして視認される訳ではない。
このように、輝度分布情報S7を予め求めることにより、後段の各処理部で必要となる演算量を削減することができる。
判定結果は、輝度分布情報S7としてブロック数決定部93、ブロック位置決定部95及びブロック面積決定部97に供給される。因みに、高解像度の表示デバイスでは画素数が多くなる。従って、輝度分布情報S7はRAM等のメモリ上に保存し、後段の各処理部は当該メモリにアクセスする方法を採用しても良い。
ブロック数決定部93は、フリッカ判定処理で使用するブロック数を決定する回路デバイスである。ここでの決定処理は、2段階に分けて実行される。
1段目の処理では、画面全体の平均輝度レベルS1と発光期間長S5に基づいて、入力画像に含まれるフリッカ成分が画面内に「分散」しているか「集中」しているかを判定する処理が実行される。
この形態例の場合、ブロック数決定部93は、以下の2つの条件を同時に満たすとき「分散型」であると判定し、その他のとき「集中型」であると判定する。
・画面全体の平均輝度レベルS1が50%以上(最大階調値を 100%とする。)
・発光期間長S5が1フレーム期間の60%以下(1フレーム期間を 100%とする。)
なお、この形態例の場合、発光期間長は、25%から50%の範囲で設定される場合を考える。従って、2つ目の条件は無条件に満たしている。
「分散型」と判定された場合、ブロック数決定部93は、ブロック数S8を「1」に設定する。一方、「集中型」と判定された場合、ブロック数決定部93は、ブロック数S8を2段目の処理を通じて決定する。
2段目の処理では、輝度分布情報S7と、事前に用意された判定ブロックの初期設定情報(個数、位置、面積)とに基づいて、入力画面に応じたブロック数を決定する処理が実行される。
図13に、判定ブロックの初期設定例を示す。前述したように、フリッカ成分が認識されるには、全画面の10%以上の面積領域があることが条件となる。このため、初期設定時のブロック面積は、最大でも全画面の 5%〜10%の範囲に設定しておく。また、画面中央付近は画面周囲に比べてフリッカが目立ち易い。このため、初期設定時には、図13に示したように、中央付近のブロックを周辺領域の4分の1の面積に設定している。図13では、通し番号の「6」〜「13」に対応するブロックが対応する。
ここで、ブロック数決定部93は、集中型と判定された入力画像について、初期設定情報記憶部99に用意された各ブロック領域(図13)に対応する輝度分布情報S7を割り当て、該当ブロック領域の平均輝度レベルが階調輝度の50%以上か否かを判定する。この形態例の場合、各ブロック領域に対応する輝度分布情報S7のうち平均輝度レベルが階調輝度の50%を超えると判定された画素(値「1」)の数と、平均輝度レベルが階調輝度の50%未満と判定された画素(値「0」)の数とを比較し、いずれが多いかによって各ブロック領域の平均輝度レベルが50%以上か否かを判定する。
例えばあるブロック領域の平均輝度レベルが階調輝度の50%未満であると判定された場合(値「0」の数>値「1」の数の場合)、ブロック数決定部93は、当該当ブロック領域を1個として計数するか、隣接する複数個のブロック領域を合わせて1個として計数する。例えば中央付近のように既に細分化されているブロックについては、隣接するブロック領域が同じ判定結果であることを条件として、全画面の10%を超えない範囲で1つのブロック領域として計数する。
図14に、合体後のイメージ例を示す。図14は、図13におけるブロック「6」、「7」、「10」、「11」の平均輝度レベルがそれぞれ閾値以下である場合に、これら4つを1つのブロックとして扱う状態を表している。この場合、判定用のブロック領域の数は、初期状態の18個から15個に変更される。
一方、あるブロック領域の平均輝度レベルが階調輝度の50%以上であると判定された場合(値「0」の数<値「1」の数の場合)、ブロック数決定部93は、当該ブロック領域の初期状態と位置(中央付近か周辺領域か)を考慮してブロック領域の細分化数を決定する。例えば周辺部に位置するブロックについては2つ以上に分割する。
図15に、分割後のイメージ例を示す。図15は、図13におけるブロック「2」の平均輝度レベルが閾値以上である場合に、当該ブロックを4つのブロック領域に分割した状態を表している。この場合、判定用のブロック領域の数は、初期状態の18個から21個に変更される。
このような処理を経て決定されたブロック数S8は、ブロック位置決定部95に与えられる。なお、ブロック領域の面積が小さいほど、フリッカの判定精度は高くなる。ただし、ブロック領域の数が多くなり過ぎると必要になる演算量も過大になるので適当な数に制限することが望ましい。
ブロック位置決定部95は、輝度分布情報S7と、ブロック数S8と、事前に用意された判定ブロックの初期設定情報(位置)とに基づいて、各ブロックの位置情報S9を決定する処理を実行する。
因みに、ブロック領域の数が1個であった場合(「分散型」の場合)、画面全体が1ブロックになる。従って、ブロック位置決定部95は、ブロック領域の位置情報S9を個別に決定する必要がない。ここでは、事前に定められた1個の基準位置を位置情報S9として出力する。
これに対し、ブロック領域が複数個決定された場合(「集中型」の場合)、ブロック位置決定部95は、輝度分布情報S7を参照し、輝度レベルの高い画素が多く集まる領域にブロック領域が多数割り当てられるように位置情報S9を決定する。
ただし、この時点では、ブロック数が決まっているだけで、各ブロックの面積は未定である。
従って、初期設定情報を参考に、ブロックの始点座標(例えばブロックの右上座標)や中心座標等をXY座標で与える。例えば輝度レベルが低い領域については、初期設定情報で定められたブロック領域の位置情報をそのまま使用する。また例えば輝度レベルが高い領域については、ブロック数決定部93と同様、初期設定情報で定められたブロック領域を分割するように位置情報S9を決定する。
ブロック面積決定部97は、動き値S6と輝度分布情報S7とに基づいて、対応するブロックの面積を決定する回路デバイスである。ブロック面積決定部97は、逐次算出されるブロック面積S10を発光時間計測部61に出力する。
なお、供給された位置情報S9の数が1個である場合(分散型の場合)には、画面全体が1つのブロック領域であるので面積は求めなくて良い。
一方、位置情報S9が複数個与えられる場合(集中型の場合)、ブロック面積決定部97は、位置情報S9に対応する各ブロックの面積を次式に基づいて算出する。
ブロック面積=(全表示領域の10%の面積)×輝度レベル値×動き値 (式1)
ここでの輝度レベル値は、ブロック面積の調整用に使用するパラメータの一つである。輝度レベル値は、位置情報S9に基づいて位置決めされるブロック領域(全表示領域の10%の面積を有するブロック領域)内に位置する全画素の平均輝度レベルとして与えられる。
なお、位置決めされるブロック領域の形状は正方形状でも良いし、画面のアスペクト比を保存する形状でも良い。この形態例の場合には、画面のアスペクト比と一致させる方法を採用する。
また、平均輝度レベルは、各ブロック領域内に位置する全画素の輝度レベルS2の平均値として算出される。
図16に、輝度レベルと輝度レベル値との対応テーブル例を示す。一般に、輝度レベルが高いほどフリッカは知覚され易くなる。そこで、この形態例では、輝度レベルが高いブロック領域ほど面積を小さくなるように、小さい輝度レベル値を割り当てる。なお、高輝度領域に配置されるブロック領域の面積を小さくすることで、高輝度領域の面積の検出精度が高くなり、フリッカの検出精度が高くなる。
図16の場合、輝度レベルは、50%〜55%,55%〜60%,60%〜65%,65%〜70%,70%〜75%,75%以上の6段階用意する。
図16の場合、輝度レベルが50%〜55%のブロックには輝度レベル値
「1.0」を割り当てる。また図16の場合、輝度レベルが1段階上がるごとに、輝度レベル値を減らすように割り当る。具体的には、輝度レベルの階級が1段階上がると、輝度レベル値を
「0.1」小さくする。この対応関係は、輝度レベルが1階級上がると、基準面積(輝度レベルが50%〜55%の場合の面積)の10%分だけ小さく変化させることを意味する。
図17及び図18を用い、ブロック面積決定部97による処理結果の一例を示す。図17は、入力画像例である。なお、図17に示す入力画像は、動き量がゼロであり、かつ、画面右下隅に輝度が集中する場合を表している。
図18は、ブロック面積決定部97の出力例である。ブロック位置決定部95の段階で画面右下隅に多くのブロックが配置される上に、式1に基づく面積の計算によって画面右下隅に面積の小さいブロックが多く配置される。
初期設定情報記憶部99は、前述したように、フリッカ判定用のブロックの数、位置、面積の初期値を格納する記憶領域である。
(6)発光時間計測部
発光時間計測部61(図8)は、一定以上の面積を有する高輝度領域を検出して、その発光時間を計測する回路デバイスである。フリッカは、単に明るい画像や動きの少ない画像があるだけでなく、一定面積と一定時間以上の連続発光がなければ視認されないためである。
このため、発光時間計測部61は、以下の処理を実行する。まず、発光時間計測部61は、前段処理で設定されたブロック領域のうち平均輝度レベルが階調輝度の50%以上のブロック領域を検出する。次に、発光時間計測部61は、それらのうち互いに隣接又は重なり合うブロック領域同士を一つのブロック領域として結合し、結合後のブロック領域について面積を求める。
更に、発光時間計測部61は、算出された面積が表示領域全体の10%以上になる結合ブロックが一つでも検出された場合、検出開始から未検出までの時間を計測する。なお、面積が表示領域の10%以上になるブロック領域の最大個数は10個である。この形態例の場合、これら10個の発光時間を同時に計測できるものとする。
発光時間の計測対象になったブロック領域の面積と計測値は発光時間情報S11として63に供給される。
なお、入力画像が分散型の場合(画面全体が平均的に明るく、総発光期間長が閾値以上の場合)、発光時間計測部61は、分散型との検出結果が得られている間中、その発光時間と平均輝度レベルを発光時間情報S11として出力する。
(7)フリッカ情報算出部
フリッカ情報算出部63は、発光時間情報S11とフレームレートS12に基づいて、フリッカ情報を算出する回路デバイスである。なお、フリッカ情報算出部63におけるフリッカ情報の算出は、発光時間情報S11の時間長が非ゼロの場合に実行される。なお、発光時間情報S11の計測対象になった領域が複数ある場合、全ての領域についてフリッカ情報を算出しても良いが、フリッカが最も目立ち易い(すなわち、面積が最も大きい)領域についてのみフリッカ情報を算出しても良い。
フリッカ情報算出部63は、次式に基づいてフリッカ情報を算出する。
フリッカ情報=フレームレート値×平均輝度レベル50%以上の面積値×発光時間値
…(式2)
式2のうち、フレームレート値は、有機ELパネルモジュール11の表示駆動に使用するフレームレートS12の大きさを反映する判定用のパラメータである。平均輝度レベル50%以上の面積値は、発光時間情報S11の測定対象になった結合ブロック領域の面積の大きさを反映する判定用のパラメータである。発光時間値も、発光時間情報S11の計測時間を反映する判定用のパラメータである。
図19〜図21に、各値を対応するパラメータに変換するための対応テーブル例を示す。
図19は、フレームレートとフレームレート値との対応テーブル例である。フレームレートが65Hz以上の場合、一般にフリッカは見えなくなる。このため、この範囲のフレームレートには、フレームレート値としてゼロが対応付けられる。なお、フレームレートが65Hzより小さくなると、フリッカが徐々に見えやすくなる。このため、フレームレート値は徐々に大きくなる。図19の場合、フレームレートが54Hz以下の場合、フレームレート値は最大値である「4」になる。
図20は、高輝度領域の面積と面積値との対応テーブル例である。いうまでもなく、面積が全表示領域の10%以下の場合には、一般にフリッカは見えなくなる。このため、この範囲の面積には、面積値としてゼロが対応付けられる。なお、面積が10%より大きくなると、フリッカが徐々に見えやすくなる。このため、面積値は徐々に大きくなる。図20の場合、対応関係は面積の5%刻みで設定され、面積が50%以上の場合、面積値は最大値の「2」になる。
図21は、検出された高輝度領域の発光時間と発光時間値との対応テーブル例である。いうまでもなく、高輝度領域であったとしても、その発光時間が短ければフリッカも見えなくなる。図21では、この限界値を1秒とし、1秒未満の発光時間には、発光時間値としてゼロを対応付けている。なお、発光時間が1秒より大きくなると、フリッカが徐々に見えやすくなる。このため、発光時間値は徐々に大きくなる。図21の場合、対応関係は 0.1秒刻みで設定され、発光時間が2秒以上の場合、発光時間値は最大値の「2」になる。
以上の対応テーブルを使用して、フリッカ情報算出部63は、フリッカ情報S13を算出する。
なお、フリッカ情報S13は、フレームレートが高い場合、高輝度領域(平均輝度レベルが50%以上で、その面積が全画面の10%以上の領域)の面積が小さい場合、又は高輝度領域の連続発光時間が1秒未満の場合、値ゼロを採る。因みに、ブロック数の決定時には総発光時間長が反映され、高輝度領域の面積の決定時には動き量も反映される。従って、このフリッカ情報S13には、フリッカの判定に必要な全ての条件が反映されている
(e−5)発光モード判別部
発光モード判定部37は、検出されたフリッカ情報S13に基づいて、対象画像の表示に使用する発光モードを判定する回路デバイスである。
この形態例の場合、発光モード判定部37は、図22に示す対応関係に従って、検出されたフリッカ情報S13に対応する発光モードを判定する。勿論、フリッカ情報S13の値が小さいほどフリッカの強度は小さく、フリッカ情報S13の値が大きいほどフリッカの強度は大きくなる。
図22の場合、フリッカの強度が小さい入力画像に対しては、動画改善系の発光モード(発光モード3)を適用する。また、図22の場合、フリッカの強度が中程度の入力画像に対しては、バランス系の発光モード(発光モード2)を適用する。また、図22の場合、フリッカの強度が大きい入力画像に対しては、フリッカ改善系の発光モード(発光モード1)を適用する。
(e−6)ユーザー設定部
ユーザー設定部39は、ユーザーの好みを発光モードの判定に反映させるために配置される回路デバイスである。すなわち、操作画面を通じて受け付けた表示画質に対するユーザーの好みを記憶領域に保持する回路デバイスである。
表示画質に対するユーザーの好みとしては、例えば動画の表示品質を重視するかとか、静止画の表示品質を重視する等の情報の他、動画ボケとフリッカのいずれを重視するかと言った情報も含む。
(e−7)出力パターンルックアップテーブル
出力パターンルックアップテーブル41は、発光モードと点灯期間長に出力パターンを対応づけた状態で記憶する記憶領域である。この形態例の場合、発光期間長の25%から50%に対応する出力パターンが記憶されているものとする。
図23に、出力パターンルックアップテーブル41に記憶する出力パターンの一例を示す。図23(A)は、発光期間長が1フレームの50%で与えられる場合の出力パターン例である。この形態例で想定するピーク輝度レベルの最大値に対応する。
図23(B)と図23(E)は、発光モード3(すなわち、動画改善系)の出力パターン例である。因みに、図23(B)は発光期間長が40%の場合の出力パターンであり、図23(E)は、発光期間長が25%の場合の出力パターンである。
図23(C)と図23(F)は、発光モード1(すなわち、フリッカ改善系)の出力パターン例である。因みに、図23(C)は発光期間長が40%の場合の出力パターンであり、図23(F)は、発光期間長が25%の場合の出力パターンである。
図23(D)と図23(G)は、発光モード2(すなわち、バランス系)の出力パターン例である。因みに、図23(D)は発光期間長が40%の場合の出力パターンであり、図23(G)は、発光期間長が25%の場合の出力パターンである。
出力パターンルックアップテーブル41には、3種類の発光モードについて、発光期間長25%から50%までの複数種類の出力パターンが記録されている。なお、記録する出力パターンの数は、記憶容量に応じて定まるものとする。
図23(B)〜(G)に示すように、各出力パターンの発光開始位置と発光終了位置は固定であり、発光モードに応じて駆動電源VHの出力期間長と駆動電源VMの出力期間長の比率と駆動電源VMの電圧値が可変的に設定されている。
この形態例の場合、駆動電源VMの出力回数は1回であり、駆動電源VHの出力回数は発光期間の両端に対応する2回である。
図23(B)及び(E)に示すように、動画改善系の出力パターンでは、固定電源である駆動電源VHの出力期間長が相対的に短く設定される。一方、図23(C)及び(F)に示すように、フリッカ改善系の出力パターンでは、固定電源である駆動電源VHの出力期間長が相対的に長く設定される。
また、図23(D)及び(G)に示すように、バランス系の出力パターンでは、固定電源である駆動電源VHの出力期間長が、動画改善系とバランス系の中間値になるように設定される。
なお、一般的に、設定されたピーク輝度レベルが高いほど、駆動電源VMの電圧値は、駆動電源VHとの電位差が小さくなるように設定される。また、設定されたピーク輝度レベルが小さいほど、駆動電源VMの電圧値は、駆動電源VHとの電位差が大きくなるように設定される。
図24に、各出力パターンと輝度分布との関係を示す。図24(A)は、図23(A)に対応する輝度分布を示す。図に太線で示すように、出力パターンと輝度分布とが一致していることが分かる。図24(B)は、動画改善系に対応する輝度分布を示す。図に太線で示すように、発光期間両端の輝度分布は小さく、視認性には影響しない。すなわち、発光期間は1つとして視認される。図24(C)は、フリッカ改善系に対応する輝度分布を示す。図に太線で示すように、発光期間内に2つの高輝度期間が現われる。結果的に、見掛け上の周波数成分が高くなり、フリッカが視認され難くできる。
図24(D)は、バランス系の輝度分布を示す。図に太線で示すように、この出力パターンに対応する輝度分布は、動画改善系とフリッカ改善系の中間的な輝度分布となる。この出力パターンは、見掛け上の周波数成分を上昇できる一方で、発光期間の両端に当たる輝度分布のピーク幅を小さくでき、動画応答性にも配慮した輝度分布となる。
(e−8)可変駆動電源発生部
可変駆動電源発生部43は、出力パターンルックアップテーブル41に基づいて、設定された発光モードとピーク輝度レベルを満足する出力パターンに対応する電圧値と出力期間長の比率を設定する回路デバイスである。因みに、出力パターンは、可変駆動電源発生部43は、出力パターンルックアップテーブル41から読み出された出力パターンの中からピーク輝度制御部33から与えられたピーク輝度レベルを満足するものを選択する。
この形態例の場合、ピーク輝度制御部33から与えられたピーク輝度レベルに一致する出力パターンが存在しない場合には、近似するピーク輝度レベルを有する出力パターンから近似的に必要な出力パターンを生成する。
ここで、出力パターンが特定されると、固定電源である駆動電源VHと可変駆動電源VMの出力期間長の比率と、可変駆動電源である駆動電源VMの電圧値がそれぞれ確定する。
この確定情報が駆動タイミング発生部45に供給される。
図25に、可変駆動電源発生部43の回路構成例を示す。可変駆動電源発生部43は、可変駆動電源値・出力期間長比率設定部101、ディジタル/アナログ変換回路43、レベルシフト・バッファ回路45で構成される。
可変駆動電源値・出力期間長比率設定部101は、検出された平均輝度レベルに対応する駆動電源VMの電圧値と、駆動電源VHの出力期間長と駆動電源VMの出力期間長の比率を設定する回路デバイスである。この電圧値と出力期間長の比率は、図23の出力パターンの各波形に対応する。
可変駆動電源値・出力期間長比率設定部101は、発光モードに対応する複数の出力パターンのうち設定されたピーク輝度レベルを満たす出力パターンを1つ選択する又は近似的に設定する動作を実行する。
なお、設定された出力期間長の比率は、可変駆動電源値・出力期間長比率設定部101から図7に示す駆動タイミング発生部45に直接出力される。一方、設定された駆動電圧値は、後段のディジタル/アナログ変換回路103に出力される。
ディジタル/アナログ変換回路103では、ディジタル値として設定された可変駆動電源値がアナログ電圧に変換される。
レベルシフト・バッファ回路105は、前段から入力されるアナログ電圧のレベルをサブ画素23の駆動に必要な電圧レベルに変換するバッファ回路である。このレベルシフト・バッファ回路105が図7における駆動タイミング発生部45に与えられる。
(e−9)駆動タイミング発生部
駆動タイミング発生部45は、3種類の駆動電圧VH、VM、VSSの出力を時間順次に切り替え、電源線DSLの駆動に必要な駆動パルスを発生する回路デバイスである。なお、生成された駆動パルスは、各行(水平ライン)間で線順次に転送される。
図26に、駆動パルスの出力パターン例を示す。この出力パターンは、全ての電源線DSLに共通である。
図26に示すように、駆動パルスの出力パターンは、1フレーム単位で繰り返されるように発生される。前述したように、各行(水平ライン)の初期化タイミングは1水平走査期間毎ずれるように配置される。
図26に両矢印で示す期間が、各サブ画素23に信号電位Vsig を書き込むための期間であり、その他の期間が基本的に有機EL素子OLEDの発光に使用できる期間である。ただし、駆動電源VSSの期間は、信号電位Vsig の書き込みとは無関係に設定される非発光期間である。この駆動電源VSSの出力期間は固定期間である。
また、図26に示すように、発光期間の全体の長さは固定であるが、これを構成する駆動電源VHとVMの各出力期間長は可変である。図26の場合、発光期間の両端に配置される2つの駆動電源VHの期間長が短く、発光期間の中央に配置される駆動電源VMの期間長が長く設定されている。すなわち、図26は、発光モード3(動画改善系の発光モード)に対応する出力パターンである。
また、図26に示すように、この形態例における駆動電源VMの可変範囲は、カソード電極電位Vcat から駆動電源VHの範囲で与えられる。なお、駆動電源VMの最小値をカソード電極電位Vcat に定めるのは、発光期間中には、有機EL素子OLEDに順バイアスのみが印加されるようするためである。
仮に、駆動電源VMの最小値をカソード電極電位Vcat より低い駆動電源VSSに定めると、発光期間中に順バイアスと逆バイアスが繰り返す事態が起こりうることになる。しかし、この順バイアスと逆バイアスの繰り返しは、有機EL素子OLEDを含むパネルに与える負担が大きい。
そこで、この形態例の場合には、可変型の駆動電源VMの最小値をカソード電極電位Vcat
に定め、有機EL素子OLEDを含むパネルに与える負担を最小限にとどめている。
(B−3)有機ELパネルモジュールの駆動動作例
以下、図27に基づいて、有機ELパネルモジュールの駆動動作例を説明する。なお、図27(A)は信号線DTLの電位波形であり、図27(B)は書込制御線WSLの駆動波形である。図27(C)は電源線DSLの駆動波形である。図27(D)は駆動トランジスタN2のゲート電位Vgの電位波形である。図27(E)は駆動トランジスタN2のソース電位Vsの電位波形である。
まず、初期化動作から説明する。初期化動作は、保持容量Csの保持電位を初期化する動作である。この動作は、書込制御線WSLがLレベルの状態で、電源線DSLが駆動電源VHから駆動電源VSSに切り替えられることで実行される。このとき、電源線DSLが駆動電源VSSに低下することで、駆動トランジスタN2のソース電位Vsは駆動電源VSSへと低下する。勿論、有機EL素子OLEDには逆バイアスが印加されるので消灯する。
この際、駆動トランジスタN2はフローティング状態で動作している。従って、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの低下に伴い、保持容量Csを通じてカップリングされているゲート電極の電位(ゲート電位Vg)も低下する。この動作が初期化動作である。
この動作状態は、駆動トランジスタN2の閾値電圧Vthのバラツキ補正動作(閾値補正動作)の開始直前まで継続する。
なお、この形態例の場合、図27(B)に示すように、閾値補正動作の開始直前に書込制御線WSLをLレベルからHレベルに切り替えておく。書込制御線WSLがHレベルになることで、サンプリングトランジスタN1はオン動作し、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgはオフセット電位Vofs に設定される。この動作が補正準備動作である。
この後、電源線DSLが駆動電源VSSから駆動電源VHに切り替えられることで、閾値補正動作が開始される。
閾値補正動作が開始すると、駆動トランジスタN2はオン動作し、ソース電位Vsが上昇を開始する。一方、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgはオフセット電位Vofs に固定されているので、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは徐々に小さくなる。図28に、閾値補正動作時における駆動トランジスタN2のソース電位Vsの電位変化を拡大して示す。
図28に示すように、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの電位の上昇は、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsが閾値電圧Vthに達した時点で自動的に停止する。この動作が閾値補正動作であり、駆動ランジスタN2の閾値電圧Vthのバラツキがキャンセルされる。なお、書込制御線WSLの電位は、閾値補正動作に要する時間のバラツキを加味して設定されたタイミングを待って、HレベルからLレベルに切替制御される。
この後、信号線DTLの電位は信号電位Vsig に切り替えられる。勿論、信号電位Vsig は、書込み対象であるサブ画素23の画素階調に応じた電位である。なお、信号電位Vsig
の信号線DTLへの書き込みは、書込制御線WSLがHレベルに切り替えられる前に実行される。信号線DTLの電位が信号電位Vsig に遷移した状態で書込みを開始するためである。
さて、前述したように、信号線DTLに信号電位Vsig が印加され、電源線DSLに駆動電源VHが印加された状態で書込制御線WSLがHレベルに切り替え制御され、信号電位Vsig の書き込みが開始される。
信号電位Vsig の書き込みに伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは上昇し、駆動トランジスタN2はオン動作する。
駆動トランジスタN2がオン動作すると、Vgs−Vthに応じた大きさの電流が電源線DSLから引き込まれ、有機EL素子OLEDに寄生する容量成分を充電する。この寄生容量の充電により、有機EL素子OLEDのアノード電位(駆動トランジスタN2のソース電位Vs)は上昇する。ただし、有機EL素子OLEDのアノード電位がカソード電位に対して閾値電圧Vth(oled)以上高くならない限り、有機EL素子OLEDは発光しない。
また、このとき流れる電流は、駆動トランジスタN2の移動度μに依存する。図29に、移動度μの違いによるソース電位Vsの上昇速度の違いを示す。図29に示すように、移動度μが大きいほど電流量が増加し、ソース電位Vsも速く上昇する。このことは、同じ信号電位Vsig が印加される場合でも、移動度μの大きい駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、相対的に移動度μが小さい駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsよりも小さくなることを意味する。
すなわち、移動度μの大きい駆動トランジスタN2に流れる電流量は、相対的に移動度μが小さい駆動トランジスタN2に流れる電流量よりも小さくなる。結果的に、移動度μの大きさのバラツキによらず、信号電位Vsig が同じであれば、同じ大きさの電流が有機EL素子OLEDに流れるように補正される。この動作が移動度補正動作である。
なお、移動度補正動作が完了する時点には、有機EL素子OLEDのアノード電位も閾値電圧Vth(oled)より大きくなり、有機EL素子OLEDがオン動作する。このオン動作により有機EL素子OLEDの発光が開始する。
また、信号電位Vsig の書き込み終了後は、サンプリングトランジスタN1がオフ制御され、駆動トランジスタN2はフローティング状態で動作する。このため、有機EL素子OLEDのオン動作によるアノード電位の上昇に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgもブートストラップ動作により上昇する。
この後は、駆動電源VHによる発光と、発光モードとピーク輝度レベルに応じて設定された駆動電源VMによる発光とが実行される。
なお、駆動電源VMは、前述したように、カソード電極電位Vcat から駆動電源VHの範囲で変化する。この際、駆動電源VHの開始端から終了端までの期間長のフレーム期間長に対する比と、駆動電源VHの出力期間長と駆動電源VMの出力期間長との比によってピーク輝度レベルを可変的に制御することができる。しかも、ピーク輝度レベルを可変制御しながらも、発光期間の開始時点から終了時点までの期間長は固定することができる。
(B−4)まとめ
以上の通り。この形態例の場合には、駆動電源VMとその出力期間長の比率の可変制御によってピーク輝度レベルを制御することができる。この際、画素データに対しては何らの加工が行われない。従って、ピーク輝度レベルの制御に際して、階調表現の表示性能を損なうことがない。
また、この形態例の場合、発光期間の開始時点から終了時点までの期間長は固定されている。すなわち、ピーク輝度レベルを可変しても、発光期間長と非発光期間長の比率が固定される。このため、ピーク輝度レベルの可変制御に伴い、動画表示性能やフリッカ表示性能が大きく変化することを防ぐことができる。
また、この形態例の場合、駆動電源VHを2つの出力期間に分割し、これら2つの出力期間の中間に可変駆動電源である駆動電源VMの出力期間を配置する。そして、これら出力期間長の比率と駆動電源VMの電圧値をピーク輝度レベルの可変制御に伴って調整することにより、発光期間を構成する輝度分布の形状を滑らかに調整することができる。
なお、輝度電源VHの出力期間長の比率を高めれば、フレーム周波数を固定したままで見掛け上の周波数成分を高めることができ、フリッカが視認され難くできる。また、輝度電源VHの出力期間長の比率を低くすることで、動画の視認性を高めることができる。また、輝度電源VHの出力期間長の比率を最適化すれば、フリッカ特性と動画特性のバランスを優先した駆動動作も実現できる。
(C)形態例2
(C−1)システム構成例
図30に、この形態例に係る有機ELパネルモジュール111のシステム構成例を示す。なお、図30には、図4との対応部分に同一符号を付して示す。
有機ELパネルモジュール111は、画素アレイ部13と、信号線駆動部15と、書込制御線駆動部17と、電源線駆動部19と、駆動電源発生部113とをガラス基板上に配置した構成を有している。
以下では、新規の構成である駆動電源発生部113についてのみ説明する。この形態例における駆動電源発生部113も、各行に対応する電源線DSLに印加する駆動電源を発生する。ただし、駆動電源の発生には、図31に示すように、照度センサ115によって検出されたパネル周辺の照度値を参照する。なお、図31には、図7との対応部分に同一符号を付して示す。
因みに照度センサ115は、パネル周辺の照度を正確に検出できるように筺体の表面に配置される。照度センサ115には、例えばフォトトランジスタ、フォトダイオード、フォトIC(フォトダイオード+アンプ回路)が用いられる。
図31に示すように、駆動電源発生部113は、ピーク輝度制御部117、フリッカ成分検出部35、発光モード判別部37、ユーザー設定部39、出力パターンルックアップテーブル41、可変駆動電源発生部43及び駆動タイミング発生部45で構成される。
以下では、新規の構成であるピーク輝度制御部117についてのみ説明する。ピーク輝度制御部117は、検出された周辺照度に応じてピーク輝度レベルPyを制御する回路デバイスである。図32に、ピーク輝度制御部117に搭載するルックアップテーブルの入出力特性を示す。
なお、図32の横軸は照度[lx]であり、縦軸はピーク輝度レベル[%]である。この形態例の場合、ピーク輝度レベルPyは、1フレーム期間の25%から50%の範囲で設定される。この点は、形態例1と同じである。具体的には、想定する照度の最小値に25%の発光期間長で与えられるピーク輝度レベルを割り当て、想定する照度の最大値に50%の発光期間長で与えられるピーク輝度レベルを割り当てるものとする。想定する照度の最小値と最大値は、それぞれ使用環境を想定して設定される。
なお、設定されたピーク輝度レベルが高いほど、駆動電源VMの電圧値は、駆動電源VHとの電位差が小さくなるように設定される。また、設定されたピーク輝度レベルが小さいほど、駆動電源VMの電圧値は、駆動電源VHとの電位差が大きくなるように設定される。
(C−2)まとめ
この形態例の場合、周辺照度が明るい場合にはピーク輝度レベルを高くして視認性を高める一方で、周辺照度が暗い場合にはピーク輝度レベルを下げて眩しさや消費電力を抑制することができる。
勿論、動画特性とフリッカ特性は両立できるため、表示品質を従来技術に比して高めることができる。
(D)他の形態例
(D−1)ピーク輝度レベルの他の設定方法
前述した形態例の場合には、フレーム平均輝度や周辺照度の大きさに応じてピーク輝度レベルを可変的に設定する場合について説明した。
しかし、他の情報を参照してピーク輝度レベルを設定することもできる。例えば有機ELパネルモジュールの周辺温度や環境温度に基づいて、ピーク輝度レベルを可変的に設定しても良い。例えば温度が低い場合にはピーク輝度レベルを高く設定し、温度が高い場合にはピーク輝度レベルの電圧値を低く設定しても良い。
また、前述した複数の条件を組み合わせてピーク輝度レベルを可変的に設定しても良い。
(D−2)可変駆動電源の配置回数
前述した形態例の場合には、可変駆動電源である駆動電源VMを発光期間内に1回だけ出現させる場合について説明した。
しかしながら、図33に示すように、駆動電源VMの出現回数を複数回としても良い。なお、図33は、駆動電源VMの出現回数が4回の例である。
(D−3)駆動対象とする他の電源線
前述した形態例の場合には、有機EL素子OLEDのカソード電極電位を固定し、アノード側の駆動電源を可変的に制御する場合について説明した。
しかし、同様の動作は、有機EL素子OLEDのアノード電極側の電位を固定し、カソード電極側の電位を可変的に制御しても良い。
図34に、サブ画素23と駆動回路との対応関係を示す。なお、図34には、図6との対応部分に同一符号を付して示す。図20に示すサブ画素23では、有機EL素子OLEDのアノード電極側を全てのサブ画素23に共通の駆動電源VHに設定する。一方、有機EL素子OLEDのカソード電極に行単位で電源線DSLを接続する。なお、この形態例の場合、電源線DSLには、駆動電源VSS、VM、VHのいずれかを線順次に印加する。
この形態例の場合、カソード電極の電位を電源線駆動部121が駆動制御する。
図35に、電源線駆動部121が電源線DSLに印加する出力パターンの波形例を示す。図35の横軸は時間、縦軸は電圧である。この駆動波形は、図26に示す駆動波形の上下を反転した関係にある。なお、駆動電源VMの最大値を、VH−(Vcat −VSS)とするのは、有機EL素子OLEDに逆バイアスが印加されないようにするためである。
(D−4)サブ画素の他の回路構成
サブ画素の回路構成は、他の回路構成も考えられる。図36に、サブ画素131の他の回路構成例を示す。サブ画素131の場合、駆動トランジスタN2をPチャネル型の薄膜トランジスタとする。また、サブ画素131の場合、保持容量Csの一方の電極を固定電源に接続する。勿論、他の回路構成の画素回路についても考えられる。
(D−5)共通電源の駆動電源
前述した形態例1及び2の場合には、有機EL素子OLEDを非発光状態に制御する駆動電源をカソード電極電位Vcat より低電位のVSSに設定する場合について説明した。すなわち、有機EL素子OLEDに逆バイアスを印加するように設定した。
しかしながら、非発光状態に制御する駆動電源をカソード電極電位Vcat に設定しても良い。
(D−6)他の出力パターン例
前述した形態例1及び2の場合には、発光期間の両端位置に固定電源である駆動電源VHを印加し、それらの中間に可変電源である駆動電源VMを印加する場合について説明した。すなわち、駆動電源VMが駆動電源VHより小さい場合、発光期間中の駆動電源が凹形状に変化する場合について説明した。
しかし、動画改善系の出力パターンについては、図37に示すような出力パターンを採用することができる。すなわち、発光期間の両端位置に可変電源である駆動電源VMを印加し、それらの中間に固定電源である駆動電源VHを印加しても良い。この場合、駆動電源VMが駆動電源VHより小さい場合、発光期間中の駆動電源は凸形状に変化する。
因みに、図37(A)は、固定電源である駆動電源VHの出力期間長の比率が高い場合の例である。図37(B)は、固定電源である駆動電源VHの出力期間長の比率が図37(A)と同じであるが、可変電源である駆動電源VMの電圧値が図37(A)よりも小さい場合の例である。
また、図37(C)は、可変電源である駆動電源VMの電圧値が図37(A)と同じであるが、固定電源である駆動電源VHの出力期間長の比率が図37(A)よりも小さい場合の例である。
いずれの場合も、発光期間長自体は固定した状態でピーク輝度レベルを可変することができ、しかも輝度分布を発光期間の中央部に集中させることができ、動画像の表示品質を高めることが可能になる。すなわち、動画ボケが視認され難くできる。
(D−7)製品例(電子機器)
前述の説明では、形態例に係る点灯期間の設定機能を搭載した有機ELパネルモジュールを例に発明を説明した。しかし、この種の設定機能を搭載する有機ELパネルモジュールその他の表示パネルモジュールは、各種の電子機器に実装した商品形態でも流通される。以下、電子機器への実装例を示す。
図38に、電子機器141の概念構成例を示す。電子機器141は、前述した有機ELパネルモジュール143、システム制御部145及び操作入力部147で構成される。システム制御部145で実行される処理内容は、電子機器141の商品形態により異なる。また、操作入力部147は、システム制御部145に対する操作入力を受け付けるデバイスである。操作入力部147には、例えばスイッチ、ボタンその他の機械式インターフェース、グラフィックインターフェース等が用いられる。
なお、電子機器141は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
図39に、その他の電子機器がテレビジョン受像機の場合の外観例を示す。テレビジョン受像機151の筐体正面には、フロントパネル153及びフィルターガラス155等で構成される表示画面157が配置される。表示画面157の部分が有機ELパネルモジュール143に対応する。
また、この種の電子機器141には、例えばデジタルカメラが想定される。図40に、デジタルカメラ161の外観例を示す。図40(A)が正面側(被写体側)の外観例であり、図40(B)が背面側(撮影者側)の外観例である。
デジタルカメラ161は、保護カバー163、撮像レンズ部165、表示画面167、コントロールスイッチ169及びシャッターボタン171で構成される。このうち、表示画面157の部分が有機ELパネルモジュール143に対応する。
また、この種の電子機器141には、例えばビデオカメラが想定される。図41に、ビデオカメラ181の外観例を示す。
ビデオカメラ181は、本体183の前方に被写体を撮像する撮像レンズ185、撮影のスタート/ストップスイッチ187及び表示画面189で構成される。このうち、表示画面189の部分が有機ELパネルモジュール143に対応する。
また、この種の電子機器141には、例えば携帯端末装置が想定される。図42に、携帯端末装置としての携帯電話機191の外観例を示す。図42に示す携帯電話機191は折りたたみ式であり、図42(A)が筐体を開いた状態の外観例であり、図42(B)が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
携帯電話機191は、上側筐体193、下側筐体195、連結部(この例ではヒンジ部)197、表示画面199、補助表示画面201、ピクチャーライト203及び撮像レンズ205で構成される。このうち、表示画面199及び補助表示画面201の部分が有機ELパネルモジュール143に対応する。
また、この種の電子機器141には、例えばコンピュータが想定される。図43に、ノート型コンピュータ211の外観例を示す。
ノート型コンピュータ211は、下側筐体213、上側筐体215、キーボード217及び表示画面219で構成される。このうち、表示画面219の部分が有機ELパネルモジュール143に対応する。
これらの他、電子機器141には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
(D−8)他の表示デバイス例
前述の形態例においては、発明を有機ELパネルモジュールに適用する場合について説明した。
しかし、前述した駆動技術は、その他の自発光型の表示パネルモジュールに対しても適用することができる。例えばLEDを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。例えば無機EL素子をマトリクス状に配置する表示パネルモジュールにも適用できる。
(D−9)その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
1フレーム期間と発光期間長との関係を示す図である。 発光期間長とピーク輝度レベルとの関係を説明する図である。 有機ELパネルモジュールの外観例を示す図である。 有機ELパネルモジュールの構成例を示す図である。 画素アレイ部を構成するサブ画素の配列構造を説明する図である。 サブ画素の回路構成例を示す図である。 駆動電源発生部の内部構成例を説明する図である。 フリッカ成分検出部の内部構成例を示す図である。 動き量検出部の内部構成例を示す図である。 動き量のデータ例を示す図である。 動き量と動き値との対応関係を記録したテーブル例を示す図である。 ブロック制御部の内部構成例を示す図である。 判定ブロックの初期設定例を示す図である。 ブロック領域の合体動作を説明する図である。 ブロック領域の分割動作を説明する図である。 輝度レベルと輝度レベル値との対応テーブル例を示す図である。 入力画像例を示す図である。 ブロック面積決定部の出力例を示す図である。 フレームレートとフレームレート値との対応テーブル例を示す図である。 高輝度領域の面積と面積値との対応テーブル例を示す図である。 高輝度領域の発光時間と発光時間値との対応テーブル例を示す図である。 発光モードの判定に使用する対応関係の一例を示す図である。 発光モードとピーク輝度レベルに関連づけられた出力パターン例を説明する図である。 出力パターンと輝度分布との関係を説明する図である。 可変駆動電源発生部の内部構成例を示す図である。 電源線の駆動波形例を示す図である。 有機ELパネルモジュールの駆動動作例を説明する図である。 閾値補正動作を説明する図である。 移動度補正動作を説明する図である。 形態例2に係る有機ELパネルモジュールの構成例を示す図である。 形態例2に係る駆動電源発生部の回路構成例を説明する図である。 周辺照度に応じたピーク輝度レベルの設定例を説明する図である。 電源線の他の駆動波形例を示す図である。 カソード電極電位を駆動する場合のサブ画素と駆動回路の接続関係を説明する図である。 カソード電極電位を駆動する場合の駆動波形例を示す図である。 サブ画素の他の画素回路例を示す図である。 他の出力パターン例を示す図である。 電子機器の機能構成例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。 電子機器の商品例を示す図である。
符号の説明
11 有機ELパネルモジュール
13 画素アレイ部
15 信号線駆動部
17 書込制御線駆動部
19 電源線駆動部
21 駆動電源発生部
23 サブ画素
31 1フレーム平均輝度検出部
33 ピーク輝度制御部
35 フリッカ成分検出部
37 発光モード判別部
43 可変駆動電源発生部
115 照度センサ

Claims (9)

  1. 自発光素子の発光期間には、
    固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源を、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給し、
    自発光素子の非発光期間には、
    自発光素子を非発光状態に制御する第3の駆動電源を前記電源線に供給する電源線駆動回路を有し、
    両端位置が固定された前記発光期間に占める前記第1の駆動電源の出力期間長と前記第2の駆動電源の出力期間長の比率と、前記第2の駆動電源の電圧値とが、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定されている
    半導体集積回路。
  2. 前記第2の駆動電源は、自発光素子に順電圧を印加する範囲内で可変電圧値に設定される
    請求項1に記載の半導体集積回路。
  3. 前記第2の駆動電源は、フレーム画像の平均輝度レベルが高いほど前記第1の駆動電源との電位差が小さくなるように可変的に制御され、フレーム画像の平均輝度レベルが低いほど前記第1の駆動電源との電位差が大きくなるように可変的に制御される
    請求項2に記載の半導体集積回路。
  4. 前記第2の駆動電源は、自発光表示パネルの周辺照度が高いほど前記第1の駆動電源との電位差が小さくなるように可変的に制御され、自発光表示パネルの周辺照度が低いほど前記第1の駆動電源との電位差が大きくなるように可変的に制御される
    請求項2に記載の半導体集積回路。
  5. 前記第2の駆動電源は、前記発光期間内に複数回出力される
    請求項3又は4に記載の半導体集積回路。
  6. 発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源とが、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給される場合に、
    両端位置が固定された前記発光期間に占める第1の駆動電源の出力期間長と前記第2の駆動電源の出力期間長の比率と、前記第2の駆動電源の電圧値とを、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定する駆動電源発生部
    を有する半導体集積回路。
  7. アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する画素アレイ部と、
    信号線を駆動する信号線駆動回路と、
    前記画素アレイ部にマトリクス配置される各画素に対する電位の書き込みを制御する書込制御線駆動回路と、
    自発光素子の発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源を、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給し、自発光素子の非発光期間には、自発光素子を非発光状態に制御する第3の駆動電源を前記電源線に供給する電源線駆動回路と、
    両端位置が固定された前記発光期間に占める前記第1の駆動電源の出力期間長と前記第2の駆動電源の出力期間長の比率と、前記第2の駆動電源の電圧値とが、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定する駆動電源発生部と
    を有することを特徴とする自発光表示パネルモジュール。
  8. アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する画素アレイ部と、
    信号線を駆動する信号線駆動回路と、
    前記画素アレイ部にマトリクス配置される各画素に対する電位の書き込みを制御する書込制御線駆動回路と、
    自発光素子の発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源を、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給し、自発光素子の非発光期間には、自発光素子を非発光状態に制御する第3の駆動電源を前記電源線に供給する電源線駆動回路と、
    両端位置が固定された前記発光期間に占める前記第1の駆動電源の出力期間長と前記第2の駆動電源の出力期間長の比率と、前記第2の駆動電源の電圧値とが、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定する駆動電源発生部と、
    システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
    前記システム制御部に対する操作入力部と
    を有することを特徴とする電子機器。
  9. 発光期間には、固定電圧値の第1の駆動電源と可変電圧値の第2の駆動電源とが、自発光表示パネル上にマトリクス配置される各画素に接続される電源線に対して時間順次に供給される場合に、
    両端位置が固定された前記発光期間に占める第1の駆動電源の出力期間長と前記第2の駆動電源の出力期間長の比率と、前記第2の駆動電源の電圧値とを、可変的に設定されるピーク輝度レベルが得られるように設定する処理と、
    前記第1及び第2の駆動電源を時間順次に対応する電源線に供給する処理と
    を有する自発光表示パネル上に配線される電源線の駆動方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9583042B2 (en) 2010-08-26 2017-02-28 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a power providing line
JP2018072780A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002221938A (ja) * 2000-11-17 2002-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2004317947A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005266751A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Sharp Corp 映像表示装置
JP2005266752A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Sharp Corp 映像表示装置および映像表示方法
JP2006030318A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2006189645A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
JP2006215097A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
JP2007316163A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Sony Corp 画像表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002221938A (ja) * 2000-11-17 2002-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2004317947A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005266751A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Sharp Corp 映像表示装置
JP2005266752A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Sharp Corp 映像表示装置および映像表示方法
JP2006030318A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2006189645A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
JP2006215097A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
JP2007316163A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Sony Corp 画像表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9583042B2 (en) 2010-08-26 2017-02-28 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a power providing line
JP2018072780A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

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