JP2010056336A - イオン照射装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】大面積の処理対象物にイオンを均一に照射するための技術を提供する。
【解決手段】
イオン化室11内で生成されたイオンは、第一〜第三の電極板17〜19に形成されたイオン通過路12を通り、イオン化室11から処理室30に放出される。第一〜第三の電極板17〜19は中心が処理対象物33の回転軸線24から離間して配置され、イオン通過路12は、回転軸線を通る直線で挟まれた中央領域に配置されており、略垂直に入射するイオンは、処理対象物33のどの位置でも略等しい時間照射され、処理対象物33表面に均一にイオンが照射される。
【選択図】図1
Description
図14の符号100は、従来技術のイオン照射装置の一例を示している。イオン照射装置100は、イオン化室111を有している。イオン化室111には、開口部が形成されていて、開口部には、電極装置116が配置されている。
本発明はイオン照射装置であって、前記第一の電極表面は、前記回転軸線を中心とする大円と小円で、前記回転軸線に近い方から中心領域と中間領域と外周領域に区分けされ、前記イオン通過路は、前記中央領域内であって且つ前記中間領域内であるイオン通過領域に配置されたイオン照射装置である。
本発明はイオン照射装置であって、前記回転軸線を中心とする円の円周方向の前記イオン通過路の個数は、前記回転軸線に近い円上の個数よりも、遠い円上の個数の方が多くなるように配置されたイオン照射装置である。
本発明はイオン照射装置であって、前記イオン通過路の端部であって、前記第一の電極上に位置する入口孔は、同一面積であって、隣接する前記入口孔の中心間は、互いに等距離に配置されたイオン照射装置である。
本発明はイオン照射装置であって、前記イオン化室内には、前記第一の電極と離間して配置された邪魔板が、前記イオン通過領域の一部と対面する位置に配置されたイオン照射装置である。
本発明はイオン照射装置であって、前記邪魔板は、誘電体で構成されたイオン照射装置である。
この真空処理装置50は、イオン照射装置10と処理装置30を有している。
イオン照射装置10と処理装置30はイオン化室11と処理室31をそれぞれ有しており、イオン化室11と、処理室31には、それぞれ開口部が形成されている。
イオン化室11の開口には、電極装置16が配置されている。
第一〜第三の電極板17〜19は、イオン化室11の内部側から処理室31の内部側に向かって、記載した順序で互いに離間して平行に配置されている。
第一の電極板17には、イオン通過路12の入口となる貫通孔(入口孔20)がイオン通過路12と同数形成されている。
隣接する電極板17〜19間には絶縁性の碍子6が配置されており、第一〜第三の電極板17〜19は碍子6によって離間し、互いに絶縁されおり、各電極板17〜19には電圧を個別に印加できる。
ここでは、処理対象物33は板状であって、載置面は第一〜第三の電極板17〜19と平行な平面内に位置し、処理対象物33は第一〜第三の電極板17〜19に対して平行に保持される。
各入口孔20は同じ形状同じ大きさであり、入口孔20の中心間の距離を一定にして配置されている。従って、隣接する入口孔20の中心間は、互いに等距離になっている。
入口孔20の平面形状は特に限定されず、円形(真円、楕円含む)であってもよいし、多角形であってもよい。
イオン生成方法も特に限定されず、イオン化室11内部にフィラメントを配置し、フィラメントに通電してプラズマを発生させてもよい。処理ガスの種類は特に限定されず、Ar、Xe、Ne等種々のものを用いることができる。
図5の符号gは中心領域d1にも入口孔20を配置した場合(図4)であり、回転中心から150mmと広い範囲がエッチングされており、直径が電極板17〜19の二倍以上の広い範囲にエッチング可能なことがわかる。
図6を見ると、邪魔板25が50mmと小さすぎる場合、面内分布が不均一になり、また、オフセットが変ると面内分布も変る。従って、邪魔板25の大きさや位置を変えることで、面内分布を改善可能なことがわかる。
図9から邪魔板25がイオン化室11の略中央に位置する場合が、均一な部分が多く(ウェハ回転中心からの位置−150mm〜−60mmの範囲)、均一度が±10%となった。
12……イオン通過路
16……電極装置
17……第一の電極
18……第二の電極
20……入口孔
25……邪魔板
32……試料ホルダー
33……処理対象物
35……回転装置
Claims (6)
- イオン化室と、
前記イオン化室内に導入された処理ガスをイオン化するイオン生成装置と、
生成されたイオンを前記イオン化室から外部に放出させる電極装置と、
処理対象物と前記電極装置とを一の回転軸線を中心にして相対的に回転させる回転装置とを有し、
前記処理対象物に対して前記イオン室内で生成された前記イオンを照射するイオン照射装置であって、
前記電極装置は、前記イオン化室内の前記イオンのエネルギーを決める電圧が印加される第一の電極と、
前記イオンを吸引する極性の電圧が印加される第二の電極と、
前記第一、第二の電極を貫通し前記イオン化室の外部に前記イオンを通過させる複数のイオン通過路とを有し、
前記第一の電極は、前記第一の電極の中心が前記回転軸線から離間して配置され、
前記第一の電極表面は、当該表面が位置する平面内で、前記回転軸線を通る二直線によって、前記二直線で挟まれた中央領域と、前記中央領域の両側に位置する端部領域とに区分けされ、
前記イオン通過路は、前記中央領域に配置されたイオン照射装置。 - 前記第一の電極表面は、前記回転軸線を中心とする大円と小円で、前記回転軸線に近い方から中心領域と中間領域と外周領域に区分けされ、
前記イオン通過路は、前記中央領域内であって且つ前記中間領域内であるイオン通過領域に配置された請求項1記載のイオン照射装置。 - 前記回転軸線を中心とする円の円周方向の前記イオン通過路の個数は、前記回転軸線に近い円上の個数よりも、遠い円上の個数の方が多くなるように配置された請求項2記載のイオン照射装置。
- 前記イオン通過路の端部であって、前記第一の電極上に位置する入口孔は、同一面積であって、隣接する前記入口孔の中心間は、互いに等距離に配置された請求項2記載のイオン照射装置。
- 前記イオン化室内には、前記第一の電極と離間して配置された邪魔板が、前記イオン通過領域の一部と対面する位置に配置された請求項2乃至請求項4のいずれか1項記載のイオン照射装置。
- 前記邪魔板は、誘電体で構成された請求項5記載のイオン照射装置。
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Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55141729A (en) * | 1979-04-21 | 1980-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ion-shower device |
JPS6215743A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
JPH01274398A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-02 | Nissin Electric Co Ltd | Ecrプラズマ源 |
JPH03207859A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Hitachi Ltd | イオン源装置およびイオンビーム処理装置 |
JPH0582452A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Toshiba Corp | 光応用基板処理装置 |
JPH08206866A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-08-13 | Ebara Corp | エネルギービーム加工法及びエネルギービーム加工装置 |
JPH09320507A (ja) * | 1996-06-01 | 1997-12-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH10317172A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-02 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
JPH10321175A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Kobe Steel Ltd | イオンビーム発生装置 |
JP2004079465A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Shimadzu Corp | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
JP2005268235A (ja) * | 2005-06-13 | 2005-09-29 | Ulvac Japan Ltd | イオンビーム照射装置及び方法 |
JP2007165107A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
-
2008
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55141729A (en) * | 1979-04-21 | 1980-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ion-shower device |
JPS6215743A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-24 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
JPH01274398A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-02 | Nissin Electric Co Ltd | Ecrプラズマ源 |
JPH03207859A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Hitachi Ltd | イオン源装置およびイオンビーム処理装置 |
JPH0582452A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Toshiba Corp | 光応用基板処理装置 |
JPH08206866A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-08-13 | Ebara Corp | エネルギービーム加工法及びエネルギービーム加工装置 |
JPH09320507A (ja) * | 1996-06-01 | 1997-12-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH10321175A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Kobe Steel Ltd | イオンビーム発生装置 |
JPH10317172A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-02 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
JP2004079465A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Shimadzu Corp | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
JP2005268235A (ja) * | 2005-06-13 | 2005-09-29 | Ulvac Japan Ltd | イオンビーム照射装置及び方法 |
JP2007165107A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
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