JP2010047461A - 先端上で整列したナノ構造 - Google Patents
先端上で整列したナノ構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010047461A JP2010047461A JP2008310618A JP2008310618A JP2010047461A JP 2010047461 A JP2010047461 A JP 2010047461A JP 2008310618 A JP2008310618 A JP 2008310618A JP 2008310618 A JP2008310618 A JP 2008310618A JP 2010047461 A JP2010047461 A JP 2010047461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tip
- nanostructure
- fluid
- catalyst particles
- nanostructures
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/08—Probe characteristics
- G01Q70/10—Shape or taper
- G01Q70/12—Nanotube tips
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/943—Information storage or retrieval using nanostructure
- Y10S977/947—Information storage or retrieval using nanostructure with scanning probe instrument
Abstract
【解決手段】 先端に整列したカーボンナノチューブを製造する技術が提供される。一実施形態において、先端に整列したカーボンナノチューブを製造する方法は、ナノ構造を先端に形成し、先端を流れる流体を用いて、ナノ構造を先端に整列することを含む。
【選択図】 図1
Description
本開示は概してナノ構造に関する。
近年、カーボンナノチューブ(CNT)、ナノワイヤ、ナノロッド等を含むナノ構造がかなり研究されている。かかる研究の1つの成果は、CNTを、原子力顕微鏡(AFM)の先端として用いることができるという知見である。AFMの先端は、操作中、試料表面との衝撃に耐える十分に高い強度と、高アスペクト比を有する接触構造を高い信頼性で測定するための高解像度を必要とする。高解像度を達成するために、先端は、高アスペクト比の幾何構造を有し得る。
一実施形態において、先端上で整列したナノ構造を製造する方法は、ナノ構造を先端上に形成する工程と、先端を流れる流体を用いて、ナノ構造を先端上で整列させる工程を含む。
以下の詳細な説明において、その一部を形成する添付の図面を参照する。図面において、特に断りのない限り、同様の符号は、典型的に、同様の構成要素を示す。詳細な説明に記載された例示の実施形態、図面、請求項は、限定されるものではない。ここに示した主題の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態を用い、その他変更を行うことができる。概して、ここに記載され、図面に例示された本開示の構成要素は、様々な異なる構成でアレンジ、置換、結合および設計することができ、それらはすべて明確に意図されており、この開示の一部をなすことが容易に理解できる。
図2は、図1のブロック110に関連して、ナノ構造を先端に製造する方法の例示の実施形態のフローチャートである。ブロック210で始まり、触媒粒子が先端上に形成される。触媒粒子は、金属触媒粒子であってよい。例えば、金属触媒粒子は、ニッケル、コバルト、モリブデンまたは鉄等の金属を含み得る。次に、ブロック220において、ナノ構造を、触媒粒子から形成する。いくつかの実施形態におけるナノ構造を先端に形成する方法の各プロセスを、ここで図3〜9を参照してさらに説明する。
図12は、ナノ構造を先端上で整列させる方法の例示の実施形態のフローチャートである。ブロック1210で始まり、流体をナノ構造を含む先端上に導入する。ブロック1220において、先端に沿って流れる流体が、ナノ構造に力を加えて、ナノ構造を先端上で整列させる。力は、先端と流体との間の毛細管力であり得る。その結果、整列したナノ構造が、先端上に形成される。ナノ構造を先端上で整列する方法の各プロセスを、ここで図13〜15を参照して説明する。
310a 頂点
310b 傾斜部分
330 溶液
350 触媒粒子
610 先端
610a 頂点
610b 傾斜部分
630 電解質溶液
650 金属触媒イオン
670 電極容器
790 外部電源
850 触媒粒子
910 先端
910a 頂点
910b 傾斜部分
930 電解質溶液
950 金属触媒イオン
970 電極容器
990 外部電源
1050 触媒粒子
1110 反応ガス
1130 CNT
1310 先端
1310a 頂点
1310b 傾斜部分
1350 ナノ構造
1370 流体
Claims (29)
- ナノ構造を先端上に形成する工程と、
前記先端上を流れる流体を用いて前記ナノ構造を前記先端上で整列させる工程を含む整列したナノ構造を先端上に製造する方法。 - 前記ナノ構造が、カーボンナノチューブまたはナノワイヤを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造を前記先端上に形成する工程が、
触媒粒子を前記先端上に形成する工程と、
前記触媒粒子から前記ナノ構造を形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記触媒粒子を前記先端上に形成する工程が、
前記先端を前記触媒粒子を含む溶液に浸漬する工程と、
前記触媒粒子と接触している前記先端を、前記溶液から引き抜く工程を含む、請求項3に記載の方法。 - 前記触媒粒子を前記先端上に形成する工程が、
前記先端を金属触媒イオンを含む電解質溶液から間隔をあけて配置する工程と、
前記金属触媒イオンを前記電解質溶液から放出させるために前記電解質溶液に電界を印加する工程と、
前記触媒粒子を形成するために前記放出された金属触媒イオンを前記先端に付着させる工程を含む、請求項3に記載の方法。 - 前記触媒粒子を先端上に形成する工程が、
前記先端を金属触媒イオンを含む電解質溶液に浸漬する工程と、
前記電解質溶液と前記先端との間に電界を生成する工程と、
前記金属触媒イオンを前記先端に付着させる工程を含む、請求項3に記載の方法。 - 前記触媒粒子が、ニッケル、コバルト、モリブデンおよび鉄からなる群から選択される少なくとも1つを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記触媒粒子から前記ナノ構造を形成する工程が、前記ナノ構造に対応する反応ガスを前記触媒粒子に提供する工程を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ナノ構造を前記先端上で整列させる工程が、
前記流体を前記先端上に導入する工程と、
前記流体を前記ナノ構造に向かって流すことにより前記流体を前記ナノ構造と接触させる工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記流体が、前記先端に対してぬれ性を有する、請求項9に記載の方法。
- 前記流体が、前記ナノ構造に対してぬれ性を有する、請求項9に記載の方法。
- 前記流体が、水または有機溶媒を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記流体を前記先端上に導入する工程が、液滴の形態の前記流体を、前記ナノ構造が形成されている領域以外の領域にスプレーする工程を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記流体を前記先端上に導入する工程が、前記先端の前記ナノ構造が形成されていない領域を、前記流体を含む溶液に浸漬する工程を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記流体が、重力により前記ナノ構造に向かって流れる、請求項9に記載の方法。
- 前記流体が、前記先端に供給された不活性ガスフローにより、前記ナノ構造に向かって流れる、請求項9に記載の方法。
- 前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム及び水素からなる群から選択される少なくとも1つを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記流体を前記ナノ構造と接触させる工程が、前記ナノ構造を前記流体の流れる方向に整列させるために、前記流体に前記ナノ構造に対して物理的力を加えさせる工程を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記物理的力が、前記流体と前記先端との間の毛細管力により生成される、請求項18に記載の方法。
- 前記ナノ構造を前記先端上に形成する工程と、
前記先端と前記先端を流れる流体との間の毛細管作用により、前記ナノ構造を集中させる工程を含む、先端に集中したナノ構造を製造する方法。 - 前記ナノ構造を前記先端上に形成する工程が、
触媒粒子を前記先端上に形成する工程と、
前記触媒粒子から前記ナノ構造を形成する工程を含む、請求項20に記載の方法。 - 前記ナノ構造を集中させる工程が、
前記流体を前記先端上に供給する工程と、
前記流体を前記ナノ構造に向かって流すことにより、前記流体を前記ナノ構造と接触させる工程を含む、請求項20に記載の方法。 - 前記流体を前記ナノ構造と接触させる工程が、前記ナノ構造を前記流体の流れる方向に集中させるために、前記流体に前記ナノ構造に対して毛細管力による物理的力を加えさせる工程を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記流体と前記先端との間の分子間接着力が、前記流体中の分子間引力より大きい、請求項20に記載の方法。
- 頂点および傾斜部分を有する先端と、
前記先端の前記頂点において前記先端の長手方向に整列した第1のナノ構造と、
前記先端の前記傾斜部分を囲むように整列した第2のナノ構造と
を含む装置。 - 前記第1および第2のナノ構造が、前記傾斜部分上を流れる流体の物理的力により整列する、請求項25に記載の装置。
- 前記第1および第2のナノ構造が、前記先端に沿って流れる流体の流れる方向に並んでいる、請求項25に記載の装置。
- 頂点を有する先端と、
前記頂点から前記先端の長手方向に集中したナノ構造と、
前記ナノ構造を形成するのに用いる触媒と
を含む装置。 - 前記ナノ構造が、前記先端と前記先端を流れる流体との間の毛細管作用により集中させられている、請求項28に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/196,194 | 2008-08-21 | ||
US12/196,194 US7917966B2 (en) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | Aligned nanostructures on a tip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010047461A true JP2010047461A (ja) | 2010-03-04 |
JP5027100B2 JP5027100B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=41606248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008310618A Expired - Fee Related JP5027100B2 (ja) | 2008-08-21 | 2008-12-05 | 先端上で整列したナノ構造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7917966B2 (ja) |
JP (1) | JP5027100B2 (ja) |
CN (1) | CN101654220B (ja) |
DE (1) | DE102008060289A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103900894A (zh) | 2008-06-06 | 2014-07-02 | 华盛顿大学 | 用于从溶液浓缩颗粒的方法和*** |
TWI438437B (zh) * | 2009-04-23 | 2014-05-21 | Nat Univ Tsing Hua | 探針尖端固著導電顆粒之製備方法 |
US8943641B2 (en) * | 2010-06-03 | 2015-02-03 | Linden Photonics, Inc. | Method and apparatus for cleaning a fiber optic connector end face |
US8365311B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-01-29 | The Regents Of The University Of California | Quantitative analysis of MRNA and protein expression |
KR20150054179A (ko) * | 2013-11-11 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 레이저 유도 초음파 발생장치 및 그 제조방법 |
CN104049112B (zh) * | 2014-06-27 | 2016-05-11 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种硅纳米线探针结构的制作方法 |
CN112974796B (zh) * | 2021-02-07 | 2022-06-21 | 南京大学 | 一种单根银纳米线的复合结构及其制备方法和应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003287488A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Unisoku Co Ltd | 走査型プローブ顕微鏡用探針の作製方法、該作製方法によって作製された探針及び作製装置 |
JP2003292315A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Inst Of Physical & Chemical Res | カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2004182537A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Mie Tlo Co Ltd | ナノカーボン材料配列構造の形成方法 |
JP2005503273A (ja) * | 2001-06-04 | 2005-02-03 | ユーティーバッテル エルエルシー | カンチレバーおよびカーボンナノワイヤのチップ上において、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブの成長 |
JP2005061859A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-03-10 | Japan Science & Technology Agency | Spm探針尖端部へのナノチューブの接合方法 |
JP2006513048A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-04-20 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ナノ構造を含む材料を集めるおよび分類する方法および関連する物品 |
JP2006228818A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブの形成方法および電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4326989A (en) | 1979-09-11 | 1982-04-27 | Union Carbide Corporation | Catalyst of nickel compound and ligand in presence of a reducing metal |
US4498962A (en) | 1982-07-10 | 1985-02-12 | Agency Of Industrial Science And Technology | Anode for the electrolysis of water |
JPH0713624B2 (ja) | 1988-10-05 | 1995-02-15 | 株式会社日立製作所 | イオンの抽出および分析装置 |
US6635311B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-10-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby |
EP1061041A1 (en) | 1999-06-18 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Low-temperature thermal chemical vapor deposition apparatus and method of synthesizing carbon nanotube using the same |
US20030157254A1 (en) * | 2000-01-05 | 2003-08-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby |
WO2002026624A1 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-04 | President And Fellows Of Harvard College | Direct growth of nanotubes, and their use in nanotweezers |
WO2002059395A2 (en) | 2000-12-28 | 2002-08-01 | The Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Electrolytic deposition of coatings for prosthetic metals and alloys |
TW502282B (en) | 2001-06-01 | 2002-09-11 | Delta Optoelectronics Inc | Manufacture method of emitter of field emission display |
US20070082459A1 (en) * | 2001-09-12 | 2007-04-12 | Faris Sadeg M | Probes, methods of making probes and applications of probes |
AU2002339597A1 (en) | 2001-11-09 | 2003-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Vacuum display device |
US7022541B1 (en) | 2001-11-19 | 2006-04-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Patterned growth of single-walled carbon nanotubes from elevated wafer structures |
US6872645B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
CN100537052C (zh) * | 2002-12-09 | 2009-09-09 | 北卡罗来纳-查佩尔山大学 | 用于组装和分选含纳米结构的材料的方法和相关制品 |
JP4238024B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-03-11 | 株式会社カネカ | 複合炭素質基板の製造方法 |
WO2005048283A2 (en) * | 2003-07-18 | 2005-05-26 | Northwestern University | Surface and site-specific polymerization by direct-write lithography |
US7235159B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-06-26 | Molecular Nanosystems, Inc. | Methods for producing and using catalytic substrates for carbon nanotube growth |
US20070014148A1 (en) | 2004-05-10 | 2007-01-18 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Methods and systems for attaching a magnetic nanowire to an object and apparatuses formed therefrom |
US7431856B2 (en) | 2005-05-18 | 2008-10-07 | National Research Council Of Canada | Nano-tip fabrication by spatially controlled etching |
JP4817296B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-11-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 配向カーボンナノチューブ・バルク集合体ならびにその製造方法および用途 |
WO2007089650A2 (en) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nanoselect, Inc. | Electrospray deposition: devices and methods thereof |
US7572300B2 (en) | 2006-03-23 | 2009-08-11 | International Business Machines Corporation | Monolithic high aspect ratio nano-size scanning probe microscope (SPM) tip formed by nanowire growth |
US9095639B2 (en) * | 2006-06-30 | 2015-08-04 | The University Of Akron | Aligned carbon nanotube-polymer materials, systems and methods |
-
2008
- 2008-08-21 US US12/196,194 patent/US7917966B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-03 DE DE102008060289A patent/DE102008060289A1/de not_active Ceased
- 2008-12-05 JP JP2008310618A patent/JP5027100B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-05 CN CN2008101829083A patent/CN101654220B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005503273A (ja) * | 2001-06-04 | 2005-02-03 | ユーティーバッテル エルエルシー | カンチレバーおよびカーボンナノワイヤのチップ上において、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブの成長 |
JP2003287488A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Unisoku Co Ltd | 走査型プローブ顕微鏡用探針の作製方法、該作製方法によって作製された探針及び作製装置 |
JP2003292315A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Inst Of Physical & Chemical Res | カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2004182537A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Mie Tlo Co Ltd | ナノカーボン材料配列構造の形成方法 |
JP2006513048A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-04-20 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ナノ構造を含む材料を集めるおよび分類する方法および関連する物品 |
JP2005061859A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-03-10 | Japan Science & Technology Agency | Spm探針尖端部へのナノチューブの接合方法 |
JP2006228818A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブの形成方法および電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5027100B2 (ja) | 2012-09-19 |
DE102008060289A1 (de) | 2010-03-04 |
US7917966B2 (en) | 2011-03-29 |
CN101654220A (zh) | 2010-02-24 |
US20100047621A1 (en) | 2010-02-25 |
CN101654220B (zh) | 2013-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5027100B2 (ja) | 先端上で整列したナノ構造 | |
JP4140765B2 (ja) | 針状シリコン結晶およびその製造方法 | |
JP2004325428A (ja) | 棒形状のナノ構造物が付着された信号検出用プローブおよびその製造方法 | |
JP4975005B2 (ja) | 先端上の触媒粒子 | |
Slattery et al. | Efficient attachment of carbon nanotubes to conventional and high-frequency AFM probes enhanced by electron beam processes | |
Lee et al. | Manufacture of a nanotweezer using a length controlled CNT arm | |
US20110000703A1 (en) | Carbon nanotube supporting body and process for producing the carbon nanotube supporting body | |
Tripathi et al. | Field emission response from multi-walled carbon nanotubes grown on electrochemically engineered copper foil | |
US7814565B2 (en) | Nanostructure on a probe tip | |
Shingaya et al. | Carbon nanotube tip for scanning tunneling microscopy | |
Xu et al. | In situ, controlled and reproducible attachment of carbon nanotubes onto conductive AFM tips | |
US20080203884A1 (en) | Field emission cathode and method for fabricating same | |
Liu et al. | Ion emission properties of indium nanowires grown on anodic aluminum oxide template | |
Fang et al. | Local oxidation characteristics on titanium nitride film by electrochemical nanolithography with carbon nanotube tip | |
Shearer et al. | Highly resilient field emission from aligned single-walled carbon nanotube arrays chemically attached to n-type silicon | |
Ha et al. | Investigation of field emission and photoemission properties of high-purity single-walled carbon nanotubes synthesized by hydrogen arc discharge | |
Berdinsky et al. | Growth of carbon nanotubes in etched ion tracks in silicon oxide on silicon | |
JPWO2017159062A1 (ja) | カンチレバーおよびカンチレバーの製造方法 | |
Nishimura et al. | Electrochemical etching of metal wires in low-stress electric contact using a liquid metal electrode to fabricate tips for scanning tunneling microscopy | |
Marchi et al. | Nanometer scale patterning by scanning tunelling microscope assisted chemical vapour deposition | |
Furer | Growth of single-wall carbon nanotubes by chemical vapor deposition for electrical devices | |
Park et al. | Field-emission properties of carbon nanotubes grown on a submicron-sized tungsten tip in terms of various buffer layers | |
Lee et al. | Characterization of plasma synthesized vertical carbon nanofibers for nanoelectronics applications | |
Briston et al. | Fabrication of carbon nanotubes by electrical breakdown of carbon-coated Au nanowires | |
Kim et al. | Effects of process parameters on the electrochemical etching of sharp metallic tips with an attached mass |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120525 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5027100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |