JP2010044916A

JP2010044916A - Manufacturing method of organic el element

Info

Publication number: JP2010044916A
Application number: JP2008207170A
Authority: JP
Inventors: Toshio Hama; 敏夫濱
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2008-08-11
Filing date: 2008-08-11
Publication date: 2010-02-25

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element wherein an auxiliary electrode is easily connected to an second electrode while an organic EL layer is vapor-deposited on the entire surface. <P>SOLUTION: In the manufacturing method of a top emission type organic EL element, a plurality of pixels are formed on a substrate where a plurality of TFTs are formed. The organic EL element comprises a first electrode, a second transparent electrode provided to face the first electrode, and an organic EL layer sandwiched between the first electrode and the second electrode. The end part of the first electrode is covered with an insulating film, and the second electrode is connected to a metal film which is patterned on the insulating film. The manufacturing method of the organic EL element comprises a step in which a metal film pattern is formed on the insulating film, a step in which a wire mask is installed to overlap the formed metal film pattern under tension, a step in which an organic EL layer is formed on the entire surface of the substrate where the wire mask is installed, a step to remove the wire mask from the substrate, and a step to form the second electrode on the entire surface of the substrate from which the wire mask is removed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネセンス（以下有機ＥＬという）素子の製造方法に関する。この有機ＥＬ素子は高精細で視認性に優れ、携帯端末機、産業用計測器、家庭用テレビなど広範囲な画面表示への応用可能性を有する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element. This organic EL element has high definition and excellent visibility, and has applicability to a wide range of screen displays such as portable terminals, industrial measuring instruments, and home televisions.

表示装置に適用される発光素子の一つとして、有機化合物の薄膜積層構造を有する有機ＥＬ発光素子が知られている。有機ＥＬ発光素子は、薄膜の自発光型素子であり、低駆動電圧、高解像度、高視野角といった優れた特徴を有することから、それらの実用化に向けて様々な検討がなされている。 As one of light emitting elements applied to a display device, an organic EL light emitting element having a thin film laminated structure of organic compounds is known. Organic EL light-emitting elements are thin-film self-luminous elements and have excellent characteristics such as low driving voltage, high resolution, and high viewing angle, and various studies have been made for their practical use.

有機ＥＬ発光素子は、陽極と陰極の間に少なくとも有機ＥＬ層を備えた構造を有している。有機ＥＬ層は有機発光層を備え、さらに、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。陽極および陰極に電圧が印加されることによって注入された正孔および電子が有機発光層で再結合し、その結果生じた高エネルギー状態から基底状態に遷移する際に発光する。ディスプレイは多くの画素をマトリクスに配列して表示を構成する。画素のマトリクスの駆動方法には種々あるが、アクティブマトリクス駆動と呼ばれる方法は、個々の画素がＴＦＴ素子のスイッチング動作によって駆動されることから、パッシブマトリクス方式より消費電力を低下でき、また、動画などの表示に適していると期待されている。 The organic EL light emitting element has a structure including at least an organic EL layer between an anode and a cathode. The organic EL layer includes an organic light emitting layer, and further has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer are interposed as required. Holes and electrons injected by applying a voltage to the anode and cathode recombine in the organic light emitting layer, and light is emitted when the resulting high energy state transitions to the ground state. A display is configured by arranging many pixels in a matrix. There are various pixel matrix driving methods, but the method called active matrix driving can reduce the power consumption compared to the passive matrix method because each pixel is driven by the switching operation of the TFT element, and the moving image etc. It is expected to be suitable for display.

近年、ディスプレイの大型化の要請が高まり、アクティブマトリクス型有機ＥＬ素子についても大型サイズにおける消費電力の低下が課題となってきている。低消費電力化では、発光面側の透明電極に起因する電圧降下を防ぐことが重要な課題である。 In recent years, there has been an increasing demand for larger displays, and reduction of power consumption in large-size active matrix organic EL elements has become an issue. In order to reduce power consumption, it is an important issue to prevent a voltage drop caused by the transparent electrode on the light emitting surface side.

発光面側の透明電極に起因する電圧降下を防ぐために、基板上に第１電極部と絶縁された補助配線を設け、第２電極と露出した補助配線との接触を行うという提案がある（例えば、特許文献１参照。）。 In order to prevent a voltage drop due to the transparent electrode on the light emitting surface side, there is a proposal that an auxiliary wiring insulated from the first electrode portion is provided on the substrate, and the second electrode is brought into contact with the exposed auxiliary wiring (for example, , See Patent Document 1).

また、第１電極を区画する絶縁層に覆われた補助電極に、絶縁層に設けたスルーホールを介して第２電極を接続する提案もある（例えば、特許文献２参照。）。 There is also a proposal of connecting the second electrode to an auxiliary electrode covered with an insulating layer that partitions the first electrode through a through hole provided in the insulating layer (see, for example, Patent Document 2).

また、第１電極をそれぞれに区画する壁状絶縁層上に補助電極を設け、有機ＥＬ層を壁状絶縁層内に形成し、基板全面に第２電極を形成して、補助電極と第２電極を接続させる提案もある（例えば、特許文献３参照。）。 In addition, an auxiliary electrode is provided on the wall-like insulating layer partitioning the first electrode, an organic EL layer is formed in the wall-like insulating layer, a second electrode is formed on the entire surface of the substrate, and the auxiliary electrode and the second electrode are formed. There is also a proposal for connecting electrodes (for example, see Patent Document 3).

また、下部電極と上部電極との間に有機層が設けられた有機電界発光素子を基板上に設けた表示装置の製造方法が提案されており、その製造方法において、前記基板上の各画素にパターン形成された下部電極の間に設けられた光吸収層を備えた補助配線を設けた後、基板全面に有機ＥＬ層を形成し、レーザー光を補助配線部に照射して、補助配線部の上に形成された有機ＥＬ層を除去することにより、補助電極と上部電極を接続する提案もある（例えば、特許文献４参照。）。 In addition, a method for manufacturing a display device in which an organic electroluminescent element having an organic layer provided between a lower electrode and an upper electrode is provided on a substrate has been proposed. In the manufacturing method, each pixel on the substrate is provided with each pixel. After providing the auxiliary wiring having the light absorption layer provided between the patterned lower electrodes, an organic EL layer is formed on the entire surface of the substrate, and the auxiliary wiring portion is irradiated with laser light. There is also a proposal for connecting the auxiliary electrode and the upper electrode by removing the organic EL layer formed thereon (see, for example, Patent Document 4).

特開２００５−０１１８１０号公報JP 2005-011810 A 特開２００５−３２７６７４号公報JP 2005-327664 A 特開２００６−０５９７９６号公報JP 2006-059796 A 特開２００７−０５２９６６号公報JP 2007-052966 A 特開２００４−０１４１４６号公報JP 2004-014146 A 特開２０００−０６８０５４号公報JP 2000-068054 A 特開２００５−１６５０１５号公報JP 2005-165015 A

上記特許文献１〜３では、いずれも有機ＥＬ層はマスク蒸着法または塗布法により画素を塗り分けて形成している。しかし、マスク蒸着法はマスク合わせ精度、歩留りに問題があり、塗布法では高精細化が容易ではないという問題があった。 In the above Patent Documents 1 to 3, the organic EL layer is formed by separately painting pixels by a mask vapor deposition method or a coating method. However, the mask vapor deposition method has problems in mask alignment accuracy and yield, and the coating method has a problem that high definition is not easy.

特許文献４では、基板全面に有機ＥＬ層を形成した後、レーザー光照射を用いて、補助電極上に堆積した有機ＥＬ層を除去しているため、レーザー光による有機ＥＬ層の除去により製造コストが高くなるという問題がある。 In Patent Document 4, after an organic EL layer is formed on the entire surface of the substrate, the organic EL layer deposited on the auxiliary electrode is removed using laser light irradiation. There is a problem that becomes high.

本発明はこのような状況に鑑み、なされたもので、有機ＥＬ層を全面蒸着しながらも、より簡便な工程で補助電極と第２電極との接続を行うことのできる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a method for manufacturing an organic EL element capable of connecting the auxiliary electrode and the second electrode in a simpler process while depositing the entire surface of the organic EL layer. The purpose is to provide.

即ち、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、複数のＴＦＴが形成された基板上に複数の画素が形成される有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子が、画素領域を規定する第１電極と、第１電極に対向して設けられた透明な第２電極と、第１電極と第２電極の間に挟まれる有機ＥＬ層とを有し、前記第１電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第２電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなるトップエミッション型有機ＥＬ素子であって、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層が形成された基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第２電極を形成する工程を有することを特徴とする。 That is, the organic EL device manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an organic EL device in which a plurality of pixels are formed on a substrate on which a plurality of TFTs are formed, and the organic EL device defines a pixel region. And an organic EL layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, and an end portion of the first electrode. Is a top-emission organic EL element in which the second electrode is connected to a metal film patterned on the insulating film, and the metal film pattern is formed on the insulating film. A step of installing a wire mask in a tensioned state so as to overlap the formed metal film pattern, a step of forming an organic EL layer on the entire surface of the substrate on which the wire mask is installed, and an organic EL layer comprising: Wire mask from the formed substrate Ku and step, and a step of forming a second electrode over the entire surface of the substrate except for the wire mask.

本発明の製造方法により得られる有機ＥＬ素子は、上部透明電極に補助陰極を形成したことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となる。また、この有機ＥＬ素子をＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス方式で駆動させる場合に駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となる。 The organic EL element obtained by the manufacturing method of the present invention can obtain uniform light emission since the auxiliary cathode is formed on the upper transparent electrode, so that the voltage drop when the current flows in the horizontal direction can be minimized. Is possible. In addition, when the organic EL element is driven by an active matrix method using TFTs or the like, it is possible to provide high luminance and high light emission efficiency without increasing the driving voltage.

また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、より簡便な工程で補助電極と第２電極との接続を行うことができる。 Moreover, according to the manufacturing method of the organic EL element of this invention, a connection with an auxiliary electrode and a 2nd electrode can be performed by a simpler process.

以下、本発明について実施の形態を詳細に説明する。
図１は本発明の製造方法により製造する有機ＥＬ素子の１実施態様の素子構造を示す上部電極までを形成した要部断面図であり、１副画素とそれに隣接する補助電極を示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part in which up to an upper electrode showing the element structure of one embodiment of an organic EL element manufactured by the manufacturing method of the present invention is shown, showing one subpixel and an auxiliary electrode adjacent thereto.

ＴＦＴ基板１０の上には、パターン形成された第１電極１１が搭載されている。
フォトレジスト材料あるいはシリコン酸化膜などの無機材料からなる層間絶縁膜１２は第１電極１１の端部から、隣接する第１電極１１間のＴＦＴ基板１０表面を経て、隣接する第１電極１１の端部にかけて形成され、画素領域を定める。 On the TFT substrate 10, a patterned first electrode 11 is mounted.
The interlayer insulating film 12 made of an inorganic material such as a photoresist material or a silicon oxide film is connected to the end of the adjacent first electrode 11 from the end of the first electrode 11 through the surface of the TFT substrate 10 between the adjacent first electrodes 11. The pixel region is defined by being formed over the portion.

層間絶縁膜１２はその断面形状がその中央部に凹部１３を有する形状となっている。前記凹部上に金属膜１４を形成し、この金属膜１４を第２電極１６と接続する補助電極とする。層間絶縁膜１２の断面形状の中央部に凹部が形成されており、その凹部の上に形成される金属膜１４の断面形状もこれに沿ってその中央部に凹部が形成されている。 The interlayer insulating film 12 has a cross-sectional shape having a recess 13 at the center. A metal film 14 is formed on the recess, and this metal film 14 is used as an auxiliary electrode connected to the second electrode 16. A recess is formed in the central portion of the cross-sectional shape of the interlayer insulating film 12, and the cross-sectional shape of the metal film 14 formed on the recess is also formed in the central portion along this.

層間絶縁膜１２の凹部１３は、所定のレジストパターンをマスクとして用いて、露出している層間絶縁膜部をエッチングすることによって形成できる。 The recess 13 of the interlayer insulating film 12 can be formed by etching the exposed interlayer insulating film using a predetermined resist pattern as a mask.

金属膜１４形成後、図２に示すように、この金属膜の前記断面形状の凹部からなる凹状溝に沿ってワイヤマスク１７を設置する。このとき、ワイヤマスク１７はこの金属膜の凹部状箇所で固定されることになる。図２はワイヤが円形断面を有するワイヤである場合を示している。ワイヤマスク１７の直径は前記金属膜の断面形状の凹部の開口部の幅よりも大きいものとする。 After the formation of the metal film 14, as shown in FIG. 2, a wire mask 17 is installed along the concave groove formed by the concave portion of the cross-sectional shape of the metal film. At this time, the wire mask 17 is fixed at the concave portion of the metal film. FIG. 2 shows the case where the wire is a wire having a circular cross section. The diameter of the wire mask 17 is assumed to be larger than the width of the opening of the recess having the cross-sectional shape of the metal film.

有機ＥＬ層１５が蒸着で形成されるとき、有機分子の蒸気流はほぼ直線的に進むので、ワイヤマスク１７に正対する箇所では有機分子はワイヤの影になる部分に堆積することはない。たとえ、蒸気流の回り込みがあったとしても、金属膜１４とワイヤマスク１７の接触箇所で回り込みは阻止され、凹状内部に有機ＥＬ層１５が堆積することはない。 When the organic EL layer 15 is formed by vapor deposition, the vapor flow of the organic molecules travels almost linearly, so that the organic molecules are not deposited on the portion that is in the shadow of the wire at the position facing the wire mask 17. Even if the vapor flow wraps around, the wraparound is prevented at the contact point between the metal film 14 and the wire mask 17, and the organic EL layer 15 is not deposited inside the concave shape.

ワイヤマスクに用いるワイヤの断面形状は、円形、楕円形、矩形、台形など任意の断面形状とすることができるが、図２に示すような円形断面を有するワイヤが好ましく用いられる。図５はワイヤマスク１７として矩形断面形状を有するワイヤを用いた例を示しているが、図５に示す矩形状ワイヤの場合も上記と同様金属蒸気流の回り込みは阻止される。 The cross-sectional shape of the wire used for the wire mask can be any cross-sectional shape such as a circle, an ellipse, a rectangle, and a trapezoid, but a wire having a circular cross-section as shown in FIG. 2 is preferably used. FIG. 5 shows an example in which a wire having a rectangular cross-sectional shape is used as the wire mask 17, but also in the case of the rectangular wire shown in FIG.

金属膜１４の凹部状周辺にテーパーをつけることで、テーパー部でワイヤマスク１７を接触させ、ワイヤマスク１７のぶれを抑えることができる。 By tapering the periphery of the concave portion of the metal film 14, the wire mask 17 can be brought into contact with the tapered portion, and blurring of the wire mask 17 can be suppressed.

層間絶縁膜１２の凹部１３がテーパー形状であることが金属膜１４のテーパーを形成するために望ましい。 In order to form the taper of the metal film 14, it is desirable that the recess 13 of the interlayer insulating film 12 has a taper shape.

凹部１３を有する層間絶縁膜１２、金属膜（補助電極）１４はフォトリソグラフィーにより高精細に形成する。 The interlayer insulating film 12 having the recess 13 and the metal film (auxiliary electrode) 14 are formed with high definition by photolithography.

図３にワイヤマスク１７を設置した場合の平面図を示す。図３は、３画素分を示している。 FIG. 3 shows a plan view when the wire mask 17 is installed. FIG. 3 shows three pixels.

図３に示す画素領域開口部１８は周囲を層間絶縁膜１２でかこまれ、第１電極１１がその表面に露出している。この画素領域開口部１８に有機ＥＬ層１５、第２電極１６を順次形成して画素を形成する。 The pixel region opening 18 shown in FIG. 3 is surrounded by the interlayer insulating film 12, and the first electrode 11 is exposed on the surface thereof. A pixel is formed by sequentially forming the organic EL layer 15 and the second electrode 16 in the pixel region opening 18.

本発明においては、図２に示すように、有機ＥＬ層１５形成前に、層間絶縁膜１２上部の補助電極１４上に金属ワイヤマスク１７を設置し、例えば、蒸着法やスパッタ法で有機ＥＬ層１５を形成する。即ち、複数本のワイヤをマスクとすることにより有機ＥＬ層１５の分離パターンを形成する。有機ＥＬ層１５を形成後、ワイヤマスク１７を除去し、その後、第２電極１６を基板全面に形成して、補助電極１４と第２電極１６の接続を行う。ワイヤマスク１７除去後の凹状内部には有機ＥＬ層１５が堆積することはないので、第２電極１６と金属膜１４のコンタクトは金属膜１４の凹状部中心部で確実に形成される。 In the present invention, as shown in FIG. 2, before the organic EL layer 15 is formed, a metal wire mask 17 is placed on the auxiliary electrode 14 on the interlayer insulating film 12, and the organic EL layer is formed by, for example, vapor deposition or sputtering. 15 is formed. That is, the separation pattern of the organic EL layer 15 is formed by using a plurality of wires as a mask. After the organic EL layer 15 is formed, the wire mask 17 is removed, and then the second electrode 16 is formed on the entire surface of the substrate, and the auxiliary electrode 14 and the second electrode 16 are connected. Since the organic EL layer 15 is not deposited inside the concave shape after the wire mask 17 is removed, the contact between the second electrode 16 and the metal film 14 is reliably formed at the center of the concave portion of the metal film 14.

ワイヤマスクによるパターン形成については、パッシブマトリクス素子の陰極分離法ではあるが、有機ＥＬ層の上にワイヤマスクを置いた状態で上部陰極を形成することでラインパターンを有する上部陰極を形成している（特許文献５参照。）。このワイヤが所定の間隔をあけて直線的に配置されるようにワイヤには張力がかけられている。また、これもパッシブマトリクス素子の陰極分離法ではあるが、陰極分離工程における線材の伸びによるストレスの影響を吸収するために、樹脂線状材料を用いる提案もある（特許文献６参照。）。特許文献７もパッシブマトリクス型有機ＥＬ装置に関するもので、特許文献７では、ワイヤをマスクとしてＥＬ層を蒸着により形成している。 The pattern formation by the wire mask is a cathode separation method of the passive matrix element, but the upper cathode having the line pattern is formed by forming the upper cathode with the wire mask placed on the organic EL layer. (See Patent Document 5). The wire is tensioned so that the wire is linearly arranged at a predetermined interval. Although this is also a cathode separation method for passive matrix elements, there is also a proposal to use a resin linear material in order to absorb the influence of stress due to elongation of the wire in the cathode separation step (see Patent Document 6). Patent Document 7 also relates to a passive matrix organic EL device. In Patent Document 7, an EL layer is formed by vapor deposition using a wire as a mask.

いずれの例においても、ワイヤは平らな基板面に置かれており、ワイヤに張力がかけられていても基板の両端に張り渡されたワイヤのぶれが生じるため、高精細なパターン形成は困難となる。 In any example, the wire is placed on a flat substrate surface, and even if the wire is tensioned, the wire stretched across the both ends of the substrate is generated, which makes it difficult to form a high-definition pattern. Become.

本発明においては、ワイヤマスク１７は、耐熱性金属のワイヤを用いてなることが好ましい。ワイヤマスク１７に好ましく用いることのできる耐熱性金属としては、タングステン、タンタル、モリブデンあるいはこれらの合金を挙げることができる。 In the present invention, the wire mask 17 is preferably made of a heat-resistant metal wire. Examples of the heat-resistant metal that can be preferably used for the wire mask 17 include tungsten, tantalum, molybdenum, and alloys thereof.

このワイヤマスク１７を構成するワイヤの太さは、所定の分離間隔を実現できる太さであればよいが、好ましくは１５μｍ〜６０μｍ、より好ましくは３０μｍの太さのワイヤを用いる。 The wire constituting the wire mask 17 may have a thickness that can realize a predetermined separation interval, but a wire having a thickness of preferably 15 μm to 60 μm, more preferably 30 μm is used.

有機ＥＬ層１５は、少なくとも有機発光層を備え、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの層を積層してなるものであり、基板全面に画素領域を開口した蒸着マスクを用いず、真空蒸着法により各層を順次ベタ形成する。以下に、例示的な有機ＥＬ層の構成を示す。 The organic EL layer 15 includes at least an organic light emitting layer, and is formed by laminating layers such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer as necessary. Each layer is sequentially solid-formed by a vacuum vapor deposition method without using a vapor deposition mask having an open area. Below, the structure of an example organic electroluminescent layer is shown.

（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極 (1) Anode / organic light emitting layer / cathode (2) Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / cathode (3) Anode / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode (4) Anode / hole injection layer / organic Light emitting layer / electron injection layer / cathode (5) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode

有機ＥＬ層における各層の材料としては、特に限定されるものではなく公知のものを使用することが可能である。例えば、電子注入層としてはＬｉＦを用いることができる。電子輸送層としてはＡｌｑ₃を用いることができ、これにＬｉなどのアルカリ金属をドープしてもよい。 The material of each layer in the organic EL layer is not particularly limited, and known materials can be used. For example, LiF can be used as the electron injection layer. Alq ₃ can be used as the electron transport layer, and it may be doped with an alkali metal such as Li.

有機発光層の材料は、所望する色調に応じて選択することが可能であり、例えば青色から青緑色の発光を得るためには、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などを使用することが可能である。 The material of the organic light emitting layer can be selected according to the desired color tone. For example, in order to obtain light emission from blue to blue-green, fluorescence such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole is used. Brightening agents, styrylbenzene compounds, aromatic dimethylidin compounds, and the like can be used.

ホスト材料としては、アルミキレート、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）、２，５−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾオキサゾリル）−チオフェン（ＢＢＯＴ）、ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を用いる。青色ドーパントとしては、ぺリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）などを０．１〜５％、赤色ドーパントとしては、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン、４，４−ジフロロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ，−ジアザ−ｓ−インダセン、プロパンジニトリル（ＤＣＪＴ１）、ナイルレッドなどを０．１〜５％添加することが用いられる。白色発光を行うには、上記の青色ドーパントを含む青色発光層と上記の赤色ドーパントを含む赤色発光層を積層してもよい。 As host materials, aluminum chelate, 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl), 2,5-bis (5-tert-butyl-2-benzoxazolyl) -thiophene (BBOT), biphenyl (DPVBi) is used. Blue dopants include perylene, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene (TBP), 4,4′-bis [2- {4- (N, N-diphenylamino) phenyl} vinyl] Biphenyl (DPAVBi) or the like is 0.1 to 5%, and red dopants include 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran, 4,4-difluoro-1 , 3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a, 4a, -diaza-s-indacene, propanedinitrile (DCJT1), Nile Red and the like are used in an amount of 0.1 to 5%. In order to perform white light emission, a blue light-emitting layer containing the blue dopant and a red light-emitting layer containing the red dopant may be stacked.

正孔輸送層としてはα−ＮＰＤを用いることができ、これにＦ４−ＴＣＮＱなどのルイス酸化合物をドーピングしてもよい。また、正孔注入層としてはＣｕＰｃを用いることができる。 As the hole transport layer, α-NPD can be used, and it may be doped with a Lewis acid compound such as F4-TCNQ. Moreover, CuPc can be used as the hole injection layer.

図６に示すように色変換フィルター基板２００は以下のように作製する。 As shown in FIG. 6, the color conversion filter substrate 200 is manufactured as follows.

１．１カラーフィルター
本発明の素子で用いるカラーフィルターは、フォトレジストに顔料を分散させた、顔料分散型カラーフィルターを用いる。 1.1 Color Filter The color filter used in the element of the present invention is a pigment dispersion type color filter in which a pigment is dispersed in a photoresist.

カラーフィルターは、４００ｎｍ〜５５０ｎｍの波長を透過する青色フィルター２４、５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長を透過する、緑色フィルター２３、６００ｎｍ以上の波長を透過する、赤色フィルター２２のそれぞれを配列する。また、各カラーフィルター画素間に、主にコントラストの向上を目的として、可視域を透過しない、ブラックマトリックス２５を配設する。 The color filter includes a blue filter 24 that transmits a wavelength of 400 nm to 550 nm, a green filter 23 that transmits a wavelength of 500 nm to 600 nm, and a red filter 22 that transmits a wavelength of 600 nm or more. Further, a black matrix 25 that does not transmit the visible region is disposed between the color filter pixels mainly for the purpose of improving the contrast.

１．２色変換フィルター
本発明において、色変換フィルター２６、２７に用いる有機蛍光色素としては、発光体から発する近紫外領域ないし可視領域の光、特には青色ないし青緑色領域の光を吸収して異なる可視光を発するものであればよいが、好ましくは、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種類以上が用いられ、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種以上と組み合わせてもよい。 1.2 Color Conversion Filter In the present invention, the organic fluorescent dye used for the color conversion filters 26 and 27 absorbs light in the near-ultraviolet region or visible region, particularly blue or blue-green region emitted from the light emitter. Any one that emits different visible light may be used, but preferably at least one fluorescent dye that emits fluorescence in the red region is used, and may be combined with one or more fluorescent dyes that emit fluorescence in the green region.

発光体から発する青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えばローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−〔４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１３−ブタジエニル〕−ピリジウム−パークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などが挙げられる。 Examples of fluorescent dyes that absorb light in the blue to blue-green region emitted from the light emitter and emit fluorescence in the red region include rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101, rhodamine 110, sulforhodamine, basic violet 11, Rhodamine dyes such as Basic Red 2, cyanine dyes, pyridine dyes such as 1-ethyl-2- [4- (p-dimethylaminophenyl) -13-butadienyl] -pyridium-perchlorate (pyridine 1), or And oxazine dyes.

発光体から発する青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば３−（２‘−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２‘−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などが挙げられる。 Examples of fluorescent dyes that absorb light in the blue or blue-green region emitted from the light emitter and emit fluorescence in the green region include 3- (2′-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6) and 3- (2 '-Benzimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin 7), 3- (2'-N-methylbenzimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin 30), 2, 3, 5, 6 -1H, 4H-tetrahydro-8-trifluoromethylquinolidine (9,9a, 1-gh) coumarin (coumarin 153) and other coumarin dyes, or basic yellow 51 which is a coumarin dye dye, and solvent yellow 11 And naphthalimide dyes such as Solvent Yellow 116.

なお、本発明に用いる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂及びこれらの樹脂混合物などに予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。 The organic fluorescent dye used in the present invention is a polymethacrylate, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, alkyd resin, aromatic sulfonamide resin, urea resin, melamine resin, benzoguanamine resin, and these resins. An organic fluorescent pigment may be obtained by kneading into a mixture or the like in advance to obtain a pigment.

本発明に用いる有機蛍光色素は、蛍光色変換膜に対して、該変換膜の重量を基準として０．０１〜５重量％、より好ましくは０．１〜２重量％含有される。もし有機蛍光色素の含有量が０．０１重量％未満ならば、十分な波長変換を行うことができず、あるいはまた、該含有量が５％を越えるならば、濃度消光等の効果により色変換効率の低下をもたらす。 The organic fluorescent dye used in the present invention is contained in the fluorescent color conversion film in an amount of 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 2% by weight, based on the weight of the conversion film. If the content of the organic fluorescent dye is less than 0.01% by weight, sufficient wavelength conversion cannot be performed, or if the content exceeds 5%, color conversion is performed due to effects such as concentration quenching. Resulting in reduced efficiency.

次に、本発明の蛍光色変換膜に用いられるマトリクス樹脂は、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を、光および／または熱処理して、ラジカル種やイオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものである。光硬化性又は光熱併用型硬化性樹脂が高精細でパターニングが可能であり、耐溶剤性、耐熱性等の信頼性の面でも好ましい。 Next, the matrix resin used in the fluorescent color conversion film of the present invention is a photocurable or photothermal combination type curable resin that is subjected to light and / or heat treatment to generate radical species or ionic species to be polymerized or crosslinked. Insoluble and infusible. A photocurable or photothermal combination type curable resin can be patterned with high definition, and is preferable in terms of reliability such as solvent resistance and heat resistance.

１．３ガスバリア層
色変換フィルター基板２００を、有機発光素子と組み合わせる場合、色変換フィルターから発生する水分から有機発光素子を守る目的で、上面にパッシベーション効果を有するガスバリア層２８を積層しても良い。ガスバリア層２８は透明且つピンホールのない緻密な膜が求められ、例えばＳｉＯ_x、ＳｉＮ_x、ＳｉＮ_xＯｙ、ＡｌＯ_x、ＴｉＯ_x、ＴａＯ_x、ＺｎＯ_x等の無機酸化物、無機窒化物等が使用できる。該ガスバリア層２８の形成方法としては特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法等の慣用の手法により形成できる。膜厚は２００〜５００ｎｍが好ましい。 1.3 Gas Barrier Layer When the color conversion filter substrate 200 is combined with an organic light emitting element, a gas barrier layer 28 having a passivation effect may be laminated on the upper surface for the purpose of protecting the organic light emitting element from moisture generated from the color conversion filter. . The gas barrier layer 28 is required to be a transparent and dense pinhole film, such as SiO _x , SiN _x , SiN _x Oy, AlO _x , TiO _x , TaO _x , ZnO _{x and} other inorganic oxides and inorganic nitrides. Can be used. There is no restriction | limiting in particular as a formation method of this gas barrier layer 28, It can form by common methods, such as a sputtering method, CVD method, a vacuum evaporation method, a dip method. The film thickness is preferably 200 to 500 nm.

上記のように形成された、有機発光素子基板１００と、色変換フィルター基板２００とを、図７に示すように対向して重ねあわせ、これをグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、貼り合わせてディスプレイを完成することができる。 The organic light-emitting element substrate 100 and the color conversion filter substrate 200 formed as described above are overlapped facing each other as shown in FIG. 7, and this is dried in a glove box in a dry nitrogen atmosphere (both oxygen and moisture concentrations are 10 ppm). Below), the display can be completed by pasting together.

以下に、実施例を用いて本発明をさらに説明する。 The present invention will be further described below with reference to examples.

＜実施例１＞
ＶＧＡ規格（６４０×ＲＧＢ×４８０）のディスプレイの作製をおこなった。画素ピッチは０．７８０ｍｍである。ＲＧＢ副画素サイズは０．１４８×０．６６４ｍｍ、副画素間隔は０．１００ｍｍとし、画素サイズは０．６６４ｍｍ×０．６６４ｍｍ、画素間隔は０．１１６ｍｍとした。 <Example 1>
A VGA standard (640 × RGB × 480) display was produced. The pixel pitch is 0.780 mm. The RGB subpixel size was 0.148 × 0.664 mm, the subpixel interval was 0.100 mm, the pixel size was 0.664 mm × 0.664 mm, and the pixel interval was 0.116 mm.

５００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５０ｍｍのガラス基板１９上に、上記画素構成の発光部（６４０×ＲＧＢ×４８０）を形成した。その作製法を以下に示す。 On the glass substrate 19 having a size of 500 mm × 500 mm × 0.50 mm, a light emitting portion (640 × RGB × 480) having the above pixel configuration was formed. The manufacturing method is shown below.

図４は、有機ＥＬ素子の工程を段階的に示す要部断面図であり、１副画素とそれに隣接する補助電極を示す。 FIG. 4 is a cross-sectional view of an essential part showing steps of the organic EL element step by step, showing one subpixel and an auxiliary electrode adjacent thereto.

まず、ガラス基板１９上にポリシリコンＴＦＴ基板１０を従来公知の方法で形成した。図４（ａ）はガラス基板１９上にポリシリコンＴＦＴ基板１０を搭載した状態を示す図である。 First, the polysilicon TFT substrate 10 was formed on the glass substrate 19 by a conventionally known method. FIG. 4A is a view showing a state in which the polysilicon TFT substrate 10 is mounted on the glass substrate 19.

次に、蒸着法にて高反射電極として、厚さ１００ｎｍのＡｌを全面蒸着し、フォトリソグラフィーにより不要部分を除去して、０．１４８ｍｍ×０．６６４ｍｍの副画素電極となる第１電極（陰極）１１を形成した。第１電極（陰極）１１が形成された状態を図４（ｂ）に示す。ＴＦＴ基板１０に開口したビアホールを介して第１電極１１とＴＦＴのドレインとのコンタクトが形成されている。 Next, 100 nm-thick Al is vapor-deposited as a highly reflective electrode by vapor deposition, and unnecessary portions are removed by photolithography to form a first electrode (cathode) that becomes a subpixel electrode of 0.148 mm × 0.664 mm. ) 11 was formed. FIG. 4B shows a state where the first electrode (cathode) 11 is formed. A contact between the first electrode 11 and the drain of the TFT is formed through a via hole opened in the TFT substrate 10.

次にポジ型フォトレジスト［ＷＩＸ−２Ａ］（商品名、日本ゼオン製）を全面に塗布し、フォトリソグラフィーにより第１電極１１上の副画素対応箇所に０．１４８×０．６６４ｍｍの開口部を形成して、厚さ１．０μｍの層間絶縁膜１２を形成した。その状態を図４（ｃ）に示す。層間絶縁膜１２端部のＴＦＴ基板１０に対する角度は鋭角となっている。 Next, a positive photoresist [WIX-2A] (trade name, manufactured by ZEON CORPORATION) is applied to the entire surface, and an opening of 0.148 × 0.664 mm is formed at the position corresponding to the subpixel on the first electrode 11 by photolithography. Then, an interlayer insulating film 12 having a thickness of 1.0 μm was formed. The state is shown in FIG. The angle of the end portion of the interlayer insulating film 12 with respect to the TFT substrate 10 is an acute angle.

引き続き、フォトリソグラフィーにより、層間絶縁膜１２の中央に、画素アレイの一方向に伸びる、幅２０μｍの開口部を設けたレジストパターンを基板全面に形成し、露出した層間絶縁膜部分を深さ０．５μｍ分エッチングし，レジストを剥離した後、画素アレイの一方向に伸びる、幅２０μｍ、深さ０．５μｍの凹部１３を形成した。その状態を図４（ｄ）に示す。 Subsequently, a resist pattern having an opening of 20 μm width extending in one direction of the pixel array is formed on the entire surface of the substrate by photolithography, and the exposed interlayer insulating film portion has a depth of 0.1 mm. After etching by 5 μm and stripping the resist, a recess 13 having a width of 20 μm and a depth of 0.5 μm extending in one direction of the pixel array was formed. The state is shown in FIG.

次に、凹部形成用のレジストパターン形成用のフォトマスクと同じパターン形状のマスクを用いた蒸着法にて、層間絶縁膜１２上に設けた凹部を覆うように、厚さ２００ｎｍ、幅２５μｍのＡｌ金属膜１４を形成し、補助電極とした。補助電極も下地の絶縁膜の凹状形状を反映し、幅２０μｍ、深さ０．５μｍの凹部を有した。補助電極を設置した状態を図４（e）に示す。 Next, Al having a thickness of 200 nm and a width of 25 μm is formed so as to cover the concave portion provided on the interlayer insulating film 12 by vapor deposition using a mask having the same pattern shape as the photomask for forming the concave portion resist pattern. A metal film 14 was formed as an auxiliary electrode. The auxiliary electrode also has a concave portion with a width of 20 μm and a depth of 0.5 μm reflecting the concave shape of the underlying insulating film. The state where the auxiliary electrode is installed is shown in FIG.

次に、第１電極１１、層間絶縁膜１２、金属膜１４からなる補助電極を形成した基板を基板ホルダに配置し、複数本のタングステンワイヤ（直径６０μｍ）からなるワイヤマスク１７を、補助電極１４の凹状形状をガイドとして、補助電極の配列方向に平行に整列させた。ワイヤマスク１７を配置した状態を図４（f）に示す。このワイヤには１０Ｎの張力を印加した。基板ホルダを蒸着装置の真空準備室に移動させて、基板をワイヤマスク１７に密着させ、真空槽内圧を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。 Next, the substrate on which the auxiliary electrode made of the first electrode 11, the interlayer insulating film 12, and the metal film 14 is formed is placed on the substrate holder, and the wire mask 17 made of a plurality of tungsten wires (diameter 60 μm) is placed on the auxiliary electrode 14. These concave shapes were used as a guide and aligned in parallel to the arrangement direction of the auxiliary electrodes. A state in which the wire mask 17 is arranged is shown in FIG. A 10 N tension was applied to the wire. The substrate holder was moved to the vacuum preparation chamber of the vapor deposition apparatus, the substrate was brought into close contact with the wire mask 17, and the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 ⁻⁴ Pa.

以上の工程に続き、前記第１電極１１、層間絶縁膜１２を形成した基板を蒸着装置内に装着し、電子輸送層、第１有機発光層、正孔輸送層を、真空を破らずに順次成膜して有機ＥＬ層１５を形成した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０^-4Ｐａまで減圧した。電子輸送層はＡｌｑ３を４０ｎｍ積層した。有機発光層はホスト材料４，４'−ビス(２，２'−ジフェニルビニル)ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に、青色ゲスト材料を４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）５％ドープして４０ｎｍ積層した。正孔輸送層はα−ＮＰＤを２００ｎｍ積層した。有機ＥＬ層１５を形成した状態を図４（ｇ）に示す。 Following the above steps, the substrate on which the first electrode 11 and the interlayer insulating film 12 are formed is mounted in a vapor deposition apparatus, and the electron transport layer, the first organic light emitting layer, and the hole transport layer are sequentially formed without breaking the vacuum. The organic EL layer 15 was formed by forming a film. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 ⁻⁴ Pa. The electron transport layer was formed by laminating 40 nm of Alq3. The organic light emitting layer is composed of a host material 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi), and a blue guest material 4,4′-bis [2- {4- (N, N-diphenylamino). ) Phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi) 5% doped and laminated to 40 nm. The hole transport layer was formed by laminating 200 nm of α-NPD. A state where the organic EL layer 15 is formed is shown in FIG.

この後、真空準備室にて、基板ホルダからワイヤマスクをとりはずし、スパッタ法にて透明電極（ＩＴＯ）を膜厚１００ｎｍで全面成膜して透明な第２電極の形成を行った。図４（ｈ）はワイヤマスク１７を取り外した状態を示し、図４（ｉ）は第２電極を形成した状態を示す。 Thereafter, in the vacuum preparation chamber, the wire mask was removed from the substrate holder, and a transparent electrode (ITO) was formed over the entire surface with a film thickness of 100 nm by sputtering to form a transparent second electrode. FIG. 4 (h) shows a state where the wire mask 17 is removed, and FIG. 4 (i) shows a state where the second electrode is formed.

（色変換フィルター基板の作製）
図６は、色変換フィルター基板の製造工程の一例を示す模式断面図である。 (Production of color conversion filter substrate)
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of the manufacturing process of the color conversion filter substrate.

［ブラックマトリックスの作製］
５００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５０ｍｍのガラス基板２１上に、上記画素構成の発光部（６４０×ＲＧＢ×４８０）に対応させた色変換フィルター部を以下のようにして作製した。 [Preparation of black matrix]
On a glass substrate 21 having a size of 500 mm × 500 mm × 0.50 mm, a color conversion filter unit corresponding to the light emitting unit (640 × RGB × 480) having the above pixel configuration was produced as follows.

ガラス基板２１としてのコーニングガラス（０．７ｍｍ厚）上に、スピンコート法により黒色色素を含むレジスト樹脂を塗布し、フォトリソグラフ法により、パターニングを実施し、カラーフィルター形成用の開口部を形成し、膜厚２μｍのブラックマトリックス２５を副画素間は０．１００ｍｍ幅、画素間は０．１１６ｍｍ幅でパターン形成した。 A resist resin containing a black pigment is applied on a Corning glass (0.7 mm thickness) as the glass substrate 21 by spin coating, patterning is performed by photolithography, and openings for forming color filters are formed. The black matrix 25 having a film thickness of 2 μm was patterned with a width of 0.100 mm between the sub-pixels and a width of 0.116 mm between the pixels.

[カラーフィルターの作製]
青色フィルター材料（富士フィルム製：カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚２μｍのラインパターンを形成し、青色フィルター２４を得た。つぎに、緑色フィルター材料（富士フィルム製：カラーモザイクＣＧ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚２μｍの緑色フィルターパターンを形成し、緑色フィルター２３を得た。つぎに、赤色フィルター材料（富士フィルム製：カラーモザイクＣＲ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚２μｍの赤色フィルターパターンを形成し、赤色フィルター２２を得た。 [Production of color filters]
After applying a blue filter material (Fuji Film: Color Mosaic CB-7001) by spin coating, patterning is performed by photolithography to form a line pattern with a 0.780 mm pitch and a film thickness of 2 μm. Got. Next, after applying a green filter material (manufactured by Fuji Film: Color Mosaic CG-7001) by a spin coating method, patterning is performed by a photolithographic method to form a green filter pattern having a 0.780 mm pitch and a film thickness of 2 μm. A green filter 23 was obtained. Next, after applying a red filter material (Fuji Film: Color Mosaic CR-7001) by spin coating, patterning is performed by photolithography to form a red filter pattern having a 0.780 mm pitch and a film thickness of 2 μm. A red filter 22 was obtained.

[緑色変換フィルターの作製]
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。該溶液に対して光重合性樹脂「Ｖ２５９ＰＡ/Ｐ５」（商品名、新日鐵化成工業株式会社）１００重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、透明基板としてのコーニングガラス（６４５ｍｍ×８４５ｍｍ×１．１ｍｍ）上に、スピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの緑色変換フィルター２７を得た。 [Production of green conversion filter]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of a solvent, propylene glycol monoethyl acetate (PGMEA). 100 parts by weight of a photopolymerizable resin “V259PA / P5” (trade name, Nippon Steel Chemical Industry Co., Ltd.) was added to the solution and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied onto a coning glass (645 mm × 845 mm × 1.1 mm) as a transparent substrate using a spin coating method, and patterned by a photolithographic method, with a 0.780 mm pitch and a film thickness of 10 μm. A green conversion filter 27 was obtained.

［赤色変換フィルターの作製］
蛍光色素としてクマリン６(０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂の［Ｖ２５９ＰＡ/Ｐ５］（商品名、新日鐵化成工業株式会社）１００重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、透明基板としてのコーニングガラス（６４５ｍｍ×８４５ｍｍ×１．１ｍｍ）上に、スピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、０．７８０ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの赤色変換フィルター２６を得た。 [Production of red conversion filter]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monoethyl acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of photopolymerizable resin [V259PA / P5] (trade name, Nippon Steel Chemical Industry Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied onto a coning glass (645 mm × 845 mm × 1.1 mm) as a transparent substrate using a spin coating method, and patterned by a photolithographic method, with a 0.780 mm pitch and a film thickness of 10 μm. A red conversion filter 26 was obtained.

[ガスバリア層の作製]
この蛍光変換フィルターの上に、ガスバリア層２８としてＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射し、基板全面に膜厚５μｍ形成した。この時、蛍光変換フィルターのパターンは変形がなく、且つ、保護層上面は平坦であった。 [Production of gas barrier layer]
On this fluorescence conversion filter, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate) was applied as a gas barrier layer 28 by a spin coating method and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a film thickness of 5 μm on the entire surface of the substrate. At this time, the pattern of the fluorescence conversion filter was not deformed, and the upper surface of the protective layer was flat.

上記のようにして色変換フィルター基板２００を形成した。 The color conversion filter substrate 200 was formed as described above.

上記のようにして得られた有機発光素子基板１００と、赤色色変換層と緑色色変換層を備えた色変換フィルター基板２００とを、乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、ＵＶ硬化接着剤２９を用いて封止した。 The organic light-emitting element substrate 100 obtained as described above and the color conversion filter substrate 200 provided with the red color conversion layer and the green color conversion layer are placed under a dry nitrogen atmosphere (both oxygen and moisture concentrations are 10 ppm or less). Sealed with a UV curable adhesive 29.

図７では、有機発光素子基板１００と色変換フィルター基板２００の間に充填剤３０としてエポキシ系熱硬化樹脂を入れた場合を示したが、充填剤３０を入れないで窒素雰囲気としてももちろんかまわない。 Although FIG. 7 shows a case where an epoxy thermosetting resin is put as the filler 30 between the organic light emitting element substrate 100 and the color conversion filter substrate 200, a nitrogen atmosphere may be used without the filler 30. .

こうして得られた有機ＥＬ素子は、上部透明電極に補助陰極を形成したことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となった。また、この有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス方式で駆動させた場合に駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となった。 The organic EL device obtained in this way can form uniform light emission since the auxiliary cathode is formed on the upper transparent electrode, so that the voltage drop when the current flows in the horizontal direction can be minimized. It was. Further, when this organic EL element is driven by an active matrix method, it becomes possible to provide high luminance and high luminous efficiency without increasing the driving voltage.

また、簡易な方法でワイヤマスク用のガイドとなる凹部を補助電極上に設けたので、ワイヤズレによる歩留り低下がなくなり、生産性が向上した。 In addition, since a concave portion serving as a guide for the wire mask is provided on the auxiliary electrode by a simple method, the yield is not reduced by wire displacement, and the productivity is improved.

＜実施例２＞
ポジ型フォトレジスト［ＷＩＸ−２Ａ］に代え、シリコン酸化膜を層間絶縁膜に用い、シリコン酸化膜のパターニングと凹部形成にドライエッチングを用いた以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子の形成をおこなった。シリコン酸化膜の形成と所定のパターン形成は以下のように行った。 <Example 2>
In place of the positive photoresist [WIX-2A], an organic EL element is formed in the same manner as in Example 1 except that a silicon oxide film is used as an interlayer insulating film, and dry etching is used for patterning of the silicon oxide film and forming a recess. I did it. Formation of the silicon oxide film and predetermined pattern formation were performed as follows.

シリコン酸化膜のパターン形成は、ポジ型レジスト(東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０)を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、レジストパターンを形成した後、スパッタリング装置を用い、厚さ１．０μｍ成膜した。その際の条件は、単結晶シリコンをターゲットとし、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の分圧比を１対１とするスパッタガスを用いてパワー２．５ｋＷ、ガス圧０．５Ｐａで行った。次に、層間絶縁膜を所定の形状に加工するため、ポジ型レジスト(東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０)を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、レジストパターンを形成した。その後、ドライエッチング装置で層間絶縁膜であるシリコン酸化膜をドライエッチングした。条件は、ＳＦ₆ガスとＣＨＦ₃ガスとアルゴンの流量比を２：１：１、ガス圧を１００Ｐａ、印加電力１．５ｋＷとした。この後、酸素ガス５００ＳＣＣＭ、ガス圧２０Ｐａ、印加電力２ｋＷの条件でアッシングによるレジストの除去を行った。この場合は、実施例１に比べて側壁が略垂直である凹部が得られるが、ワイヤの一部がこの開口部内に入り込むものを用いればよい。 The silicon oxide film pattern is formed by applying a positive resist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: TFR-1250), performing exposure and development using a mask having a predetermined pattern to form a resist pattern, and then a sputtering apparatus. Was used to form a film having a thickness of 1.0 μm. The conditions at that time were a single crystal silicon target, a sputtering gas having a partial pressure ratio of argon and oxygen of 1: 1 as a sputtering gas, and a power of 2.5 kW and a gas pressure of 0.5 Pa. Next, in order to process the interlayer insulating film into a predetermined shape, a positive resist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: TFR-1250) is applied, exposed and developed using a mask of a predetermined pattern, and a resist pattern Formed. Thereafter, the silicon oxide film as an interlayer insulating film was dry etched with a dry etching apparatus. The conditions were SF ₆ gas / CHF ₃ gas / argon flow ratio of 2: 1: 1, gas pressure of 100 Pa, and applied power of 1.5 kW. Thereafter, the resist was removed by ashing under the conditions of oxygen gas 500 SCCM, gas pressure 20 Pa, and applied power 2 kW. In this case, a concave portion whose side wall is substantially vertical as compared with the first embodiment is obtained, but a wire in which a part of the wire enters the opening may be used.

得られた有機ＥＬ素子は実施例１で得た有機ＥＬ素子と同様、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となった。また、この有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス方式で駆動させた場合に駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となった。また、この有機ＥＬ素子は実施例１で得た有機ＥＬ素子と同様、ワイヤズレによる歩留り低下がなく、生産性が向上した。 Like the organic EL element obtained in Example 1, the obtained organic EL element can minimize the voltage drop when a current flows in the horizontal direction, so that uniform light emission can be obtained. Further, when this organic EL element is driven by an active matrix method, it becomes possible to provide high luminance and high luminous efficiency without increasing the driving voltage. Moreover, this organic EL element did not have a decrease in yield due to wire misalignment as in the organic EL element obtained in Example 1, and the productivity was improved.

本発明の製造方法によれば、均一に発光し、高輝度と高発光効率を有する有機ＥＬ素子を高生産性で製造することが可能となる。 According to the manufacturing method of the present invention, it becomes possible to manufacture an organic EL element that emits light uniformly and has high luminance and high luminous efficiency with high productivity.

本発明の有機ＥＬ素子の構造の１例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the structure of the organic EL element of this invention. ワイヤマスクを設置した状態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which installed the wire mask. ワイヤマスクを設置した状態を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the state which installed the wire mask. 有機ＥＬ素子の製造工程の一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the manufacturing process of an organic EL element. 矩形状ワイヤマスクを設置した状態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which installed the rectangular wire mask. 色変換フィルター基板の製造工程の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of the manufacturing process of a color conversion filter board | substrate. 有機発光素子基板と色変換フィルター基板とを張り合わせた状態の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of the state which bonded together the organic light emitting element board | substrate and the color conversion filter board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

１０ＴＦＴ基板
１１第１電極
１２層間絶縁膜
１３凹部
１４金属膜（補助電極）
１５有機ＥＬ層
１６第２電極
１７ワイヤマスク
１８画素領域開口部
１９、２１ガラス基板
２２赤色フィルター
２３緑色フィルター
２４青色フィルター
２５ブラックマトリックス
２６赤色変換フィルター
２７緑色変換フィルター
２８ガスバリア層
２９ＵＶ硬化接着剤
３０充填剤
１００有機発光素子基板
２００色変換フィルター基板 10 TFT substrate 11 First electrode 12 Interlayer insulating film 13 Recess 14 Metal film (auxiliary electrode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Organic EL layer 16 2nd electrode 17 Wire mask 18 Pixel area opening part 19, 21 Glass substrate 22 Red filter 23 Green filter 24 Blue filter 25 Black matrix 26 Red conversion filter 27 Green conversion filter 28 Gas barrier layer 29 UV hardening adhesive 30 Filler 100 Organic light emitting device substrate 200 Color conversion filter substrate

Claims

複数のＴＦＴが形成された基板上に複数の画素が形成される有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子が、画素領域を規定する第１電極と、第１電極に対向して設けられた透明な第２電極と、第１電極と第２電極の間に挟まれる有機ＥＬ層とを有し、前記第１電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第２電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなるトップエミッション型有機ＥＬ素子であって、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層が形成された基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第２電極を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 A method of manufacturing an organic EL element in which a plurality of pixels are formed on a substrate on which a plurality of TFTs are formed, wherein the organic EL element is opposed to a first electrode that defines a pixel region and a first electrode. A transparent second electrode provided; and an organic EL layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, wherein an end of the first electrode is covered with an insulating film, and the second electrode Is a top emission type organic EL element connected to the metal film patterned on the insulating film, the step of forming the metal film pattern on the insulating film, and overlapping the formed metal film pattern A step of installing the wire mask in a tensioned state, a step of forming an organic EL layer on the entire surface of the substrate on which the wire mask is installed, a step of removing the wire mask from the substrate on which the organic EL layer is formed, and a wire Full board surface excluding mask The method for manufacturing an organic EL device, characterized in that it comprises a step of forming a second electrode.

前記金属膜パターンの断面形状が凹部を有する形状であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the metal film pattern is a shape having a recess.

前記絶縁膜の断面形状が凹部を有する形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the insulating film has a cross-sectional shape having a recess.

前記ワイヤマスクは張力がかけられた状態で金属膜の前記断面形状の凹部からなる凹状溝に沿って展開されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 The organic EL according to any one of claims 1 to 3, wherein the wire mask is developed along a concave groove formed of a concave portion having the cross-sectional shape of the metal film in a state where tension is applied. Device manufacturing method.