JP2010042158A - 光超音波断層画像化装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】測定光Lを射出する光発生手段121と、測定光Lを被検部150に照射する光照射手段122と、測定光Lの照射によって被検部150内に生じる超音波Uを検出する超音波検出手段132と、超音波検出手段132により検出された超音波Uの受信信号に基づいて、被検部150の断層画像を取得する断層画像取得手段130とを備える光超音波断層画像化装置において、
光発生手段121を、測定光Lとして、1〜100nsecのパルス幅を有するパルス光が複数並んだパルス列を射出するよう構成し、断層画像取得手段130を、パルス列Lの送信信号と受信信号との相関処理によって、処理された受信信号を生成し、この処理された受信信号に基づいて被検部の断層画像を取得するものとする。
【選択図】図1
Description
測定光を射出する光発生手段と、測定光を被検部に照射する光照射手段と、測定光の照射によって被検部内に生じる超音波を検出する超音波検出手段と、超音波検出手段により検出された超音波の受信信号に基づいて、被検部の断層画像を取得する断層画像取得手段とを備える光超音波断層画像化装置において、
光発生手段が、レーザパルス光源と、光変調手段とを有するものであって、レーザパルス光源と光変調手段とを用いて、測定光として、1〜100nsecのパルス幅を有するパルス光が複数並んだパルス列を射出するものであり、
断層画像取得手段が、パルス列の送信信号と受信信号との相関処理によって、処理された受信信号を生成し、この処理された受信信号に基づいて、被検部の断層画像を取得するものであることを特徴とするものである。
レーザパルス光源は、半導体レーザパルス光源であり、光変調手段は、半導体レーザパルス光源を制御するレーザ制御手段と、半導体レーザパルス光源から生じせしめられた光を増幅する光増幅手段とを有するものであることが好ましい。この場合さらに、光増幅手段は、光ファイバ増幅器であることが好ましく、この光ファイバ増幅器は、イッテルビウム添加光ファイバ増幅器またはエルビウム添加光ファイバ増幅器であることがより好ましい。
本発明による光超音波断層画像化(PAI:photoacoustic imaging)装置の実施形態について説明する。図1は、本実施形態のPAI装置101の全体構成を示す概略図である。
図4に示すように、本形態の光発生手段では、まず小出力の半導体レーザパルス光源(Ep=2uJ、パルス幅30nsec、繰り返し16MHz、duty=50%、ピークパワー66W、波長1.5um)から、変調された低エネルギーのパルス列が射出される。そして、この半導体レーザパルス光源に電流変調が加えられ、容易に任意の波形(パルス列)が生成される。次に、このパルス列が、ダブルクラッド型EDFA(エルビウム添加光ファイバ増幅器)によって、利得30dBの条件で光増幅される。そして、ピークパワーをおよそ30kW程度、パルス列中の各々のパルス光のエネルギーをmJ程度以上にまで光増幅した後に、SHGを加えることで、波長780nmでmJクラスのパルス列を得ることが出来る。なお、4bit=4mJ×1.5kHzとすると、平均出力=6Wと十分に光ファイバ増幅器の飽和出力で実現することが可能である。
第2の形態の光発生手段は、主に高エネルギーのパルス光を1つ射出することができるレーザパルス光源と、遅延インターリーブ光回路とからなる。
まず、レーザパルス光源の説明をする。レーザパルス光源に要求される特性は、前述したように、波長700〜900nm、パルス光エネルギーEp=10uJ〜数10mJ、パルス幅10〜100nsec、繰り返し30Hz〜3kHzである。パルス幅から考えて、これを実現する手段は、Qスイッチ固体レーザまたは利得スイッチ固体レーザが最も適している。これは、パルス励起によるノーマルモード動作では、レーザ結晶の緩和振動の発生によりパルス幅は〜usec程度になり、一方モード同期動作では、パルス幅はpsec〜fsecとなるためである。パルス動作シード光源を光ファイバ増幅器にて増幅する手法も考えられるが、コストの点でQスイッチ型が最適と考えられる。
110 制御手段
111 画像表示装置
120 ファンクションジェネレータ
121 光発生手段
122 光照射手段(光ファイバ)
130 断層画像取得手段
131 相関処理手段
132 超音波検出手段
150 被検部
151 生体組織
L 測定光(パルス列)
Lo 入力パルス光
U 超音波
Claims (6)
- 測定光を射出する光発生手段と、前記測定光を被検部に照射する光照射手段と、前記測定光の照射によって前記被検部内に生じる超音波を検出する超音波検出手段と、該超音波検出手段により検出された前記超音波の受信信号に基づいて、前記被検部の断層画像を取得する断層画像取得手段とを備える光超音波断層画像化装置において、
前記光発生手段が、レーザパルス光源と、光変調手段とを有するものであって、該レーザパルス光源と該光変調手段とを用いて、前記測定光として、1〜100nsecのパルス幅を有するパルス光が複数並んだパルス列を射出するものであり、
前記断層画像取得手段が、前記パルス列の送信信号と前記受信信号との相関処理によって、処理された受信信号を生成し、該処理された受信信号に基づいて、前記被検部の断層画像を取得するものであることを特徴とする光超音波断層画像化装置。 - 前記レーザパルス光源が、半導体レーザパルス光源であり、
前記光変調手段が、前記半導体レーザパルス光源を制御するレーザ制御手段と、前記半導体レーザパルス光源から生じせしめられた光を増幅する光増幅手段とを有するものであることを特徴とする請求項1に記載の光超音波断層画像化装置。 - 前記光増幅手段が、光ファイバ増幅器であることを特徴とする請求項2に記載の光超音波断層画像化装置。
- 前記光ファイバ増幅器が、イッテルビウム添加光ファイバ増幅器またはエルビウム添加光ファイバ増幅器であることを特徴とする請求項3に記載の光超音波断層画像化装置。
- 前記レーザパルス光源が、固体レーザパルス光源であり、
前記光変調手段が、前記固体レーザパルス光源から生じせしめられた1のパルス光を、前記パルス列が有するビット数と同数のパルス光に分割する分割手段と、該分割したパルス光をそれぞれ異なる時間遅延させる遅延手段と、前記分割したパルス光をそれぞれ遮断することができる遮断手段と、前記分割し遅延させたパルス光を合波する合波手段とを有するものであることを特徴とする請求項1に記載の光超音波断層画像化装置。 - 前記固体レーザパルス光源が、Qスイッチ型または利得スイッチ型であることを特徴とする請求項5に記載の光超音波断層画像化装置。
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