JP2010041346A - 副振動抑圧型の水晶発振回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水晶振動子3と第1及び第2コンデンサC1、C2とからなる発振用共振回路1と発振用トランジスタ2とを有し、ベース・コレクタ間に水晶振動子3を、エミッタ・コレクタ間に第1コンデンサC1を、エミッタ・ベース間に第2コンデンサC2を接続したコルピッツ型で、発振用トランジスタ2のエミッタ・コレクタ間又はエミッタ・ベース間は第1又は第2コンデンサC1、C2にLC直列回路4を並列接続したリアクタンス並列回路5からなり、リアクタンス並列回路5は主振動モードによる発振周波数f1oでは容量性となる共振特性を有し、LC直列回路4の共振周波数frは副振動モードによる振動周波数fo2に一致した構成とする。
【選択図】図1
Description
水晶発振回路は水晶振動子に起因して周波数安定度が格段に高いことから、各種通信機器の周波数発生源として採用される。このようなものの一つに、例えば応力感度特性に優れたSCカットの水晶振動子を用いた水晶発振回路があり、特に周波数偏差を例えばppb(1/10億の単位)として高安定とした基地局等に適用される。
第5図(ab)は一従来例を説明する水晶発振回路の図で、同図(ab)ともに電源やバイアス抵抗等を除いた高周波的な発振回路(等価回路)図である。
しかしながら、上記構成の水晶発振回路(Bモード抑圧)では、主振動であるCモードの通過域及び副振動となるBモードの減衰域を形成する第1及び第2直列共振回路4(xy)を帰還ループ内に挿入することから、部品点数を多くする問題があった。また、特許文献2の場合でも、同様の趣旨でCモードの通過域及びBモードの減衰域を形成するが、この場合でも同様に部品点数を多くする問題があった。
本発明は副振動モードによる振動周波数での発振を抑圧して主振動モードによる振動周波数での発振を確実にしてしかも部品点数を少なくする、特に水晶振動子をSCカットとした水晶発振回路を提供する。
本発明は、コルピッツ型とする発振用共振回路は分圧コンデンサとしての第1及び第2コンデンサが必須の要件である点、及び第1及び第2コンデンサは発振領域のみで容量成分(コンデンサ)として機能すればよい点に着目した。そして、例えばいずれか一方のコンデンサを周波数依存のリアクタンス素子(リアクタンス回路)として発振領域では容量成分とし、発振領域外では抵抗成分とする。これにより、発振領域ではコルピッツ型の発振回路を形成し、発振領域外ではコルピッツ型の発振回路を形成しない点を発想した。
本発明は、特許請求の範囲(請求項1)に示したように、インダクタ成分として機能する水晶振動子と第1及び第2コンデンサとからなる発振用共振回路と、前記発振用共振回路による発振周波数を帰還増幅する発振用トランジスタとを有し、前記発振用トランジスタのベース・コレクタ間に前記水晶振動子を、エミッタ・コレクタ間に前記第1コンデンサを、エミッタ・ベース間に前記第2コンデンサを接続してコルピッツ型とし、前記水晶振動子の主振動モードによる振動周波数を発振周波数とし、前記主振動モードに接近した副振動モードによる振動周波数での発振を抑圧した副振動抑圧型の水晶発振回路において、前記発振用トランジスタのエミッタ・コレクタ間又はエミッタ・ベース間は、前記第1又は第2コンデンサにインダクタ及びコンデンサのLC直列回路を並列接続したリアクタンス並列回路からなり、前記リアクタンス並列回路は前記主振動モードによる発振周波数では容量性となる共振特性を有し、前記LC直列回路の共振周波数は前記副振動モードによる振動周波数に一致した構成とする。
本発明の請求項2では、請求項1において、前記LC直列回路の共振周波数は前記リアクタンス並列回路の共振周波数よりも高くする。これにより、請求項1での「・・前記リアクタンス並列回路は前記主振動モードによる発振周波数では容量性となる共振特性を有し・・」とする構成がさらに明確になる。
上記実施形態ではコレクタ接地とした具体例を示して説明したが、この場合の高周波的な等価回路は第3図(a)になり、基本的には接地方式には拘わらずに適用できる。そして、リアクタンス並列回路5はエミッタ・コレクタ間のみならず、第3図(b)に示したようにエミッタ・ベース間であっても同様の効果を奏する。
Claims (3)
- インダクタ成分として機能する水晶振動子と第1及び第2コンデンサとからなる発振用共振回路と、前記発振用共振回路による発振周波数を帰還増幅する発振用トランジスタとを有し、
前記発振用トランジスタのベース・コレクタ間に前記水晶振動子を、エミッタ・コレクタ間に前記第1コンデンサを、エミッタ・ベース間に前記第2コンデンサを接続してコルピッツ型とし、
前記水晶振動子の主振動モードによる振動周波数を発振周波数とし、前記主振動モードに接近した副振動モードによる振動周波数での発振を抑圧した副振動抑圧型の水晶発振回路において、
前記発振用トランジスタのエミッタ・コレクタ間又はエミッタ・ベース間は、前記第1又は第2コンデンサにインダクタ及びコンデンサのLC直列回路を並列接続したリアクタンス並列回路からなり、
前記リアクタンス並列回路は前記主振動モードによる発振周波数では容量性となる共振特性を有し、前記LC直列回路の共振周波数は前記副振動モードによる振動周波数に一致したことを特徴とする副振動抑圧型の水晶発振回路。 - 請求項1において、前記LC直列回路の共振周波数は前記リアクタンス並列回路の共振周波数よりも高い副振動抑圧型の水晶発振回路。
- 請求項1において、前記水晶振動子はSCカットとし、前記主振動モードはCモードとして前記副振動モードはBモードとし、前記Bモードは前記Cモードよりも高域側に接近して発生する副振動抑圧型の水晶発振回路。
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