JP2010039659A - 光センサ装置および認証機能付き画像表示装置 - Google Patents
光センサ装置および認証機能付き画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010039659A JP2010039659A JP2008200393A JP2008200393A JP2010039659A JP 2010039659 A JP2010039659 A JP 2010039659A JP 2008200393 A JP2008200393 A JP 2008200393A JP 2008200393 A JP2008200393 A JP 2008200393A JP 2010039659 A JP2010039659 A JP 2010039659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- sensor element
- image display
- types
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 10
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 10
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 101000623895 Bos taurus Mucin-15 Proteins 0.000 description 3
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 3
- 101100336288 Mus musculus Nr3c1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 2
- 102000002273 Polycomb Repressive Complex 1 Human genes 0.000 description 2
- 108010000598 Polycomb Repressive Complex 1 Proteins 0.000 description 2
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100465401 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SCL1 gene Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 1
- 208000016339 iris pattern Diseases 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Image Input (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
【解決手段】検出用電磁波の発信源と、生体の特徴の情報を含む電磁波を検出するためのセンサ装置とから構成される生体認証装置であって、
前記発信源は、異なる波長帯をもった二種類以上の発信源によって構成され、
前記センサ装置は、電磁波を検出するための複数のセンサ素子が2次元的に配列されているエリアセンサ部と、前記エリアセンサ部の動作制御回路群と、前記エリアセンサ部からの出力を演算処理するための演算処理回路群とを具備し、前記エリアセンサ部が、検出波長帯の異なる2種類以上のセンサ素子群によって構成されている。
【選択図】図1
Description
堀内かほり, 日経バイト, pp.28-47, (2005) 河合基伸, 日経エレクトロニクス, pp.61-66, (2005)
(光センサ装置等の構成)
図1(a)ないし(d)は、それぞれ、本発明に係る認証装置を構成する光センサ装置SSの概略平面図である。
次に、絶縁基板上に、波長感度の異なる2種類以上のセンサ素子から構成されるエリアセンサ部とその周縁の回路を構成する薄膜トランジスタからなるスイッチ素子(以下、TFTと称する場合がある)の製造方法の一実施例を説明する。この製造方法の一連の工程を図7(a)〜(d)、図8(e)〜(g)、図9(h)〜(j)に示している。
次に、絶縁基板上に、波長感度の異なる2種類以上のセンサ素子から構成されるエリアセンサ部とその周縁の回路を構成するスイッチ素子の製造方法の他の実施例を、図10、図11を用いて説明をする。この製造方法は、図8(f)の工程の後、図10(a)、(b)、図11(c)、(d)を順次経てなされる。
図12(a)〜(e)は、それぞれ、実施例1に示した生体認証装置を画像表示装置に搭載することによって、該画像表示装置に個人認証機能を具備させる場合のレイアウトを示した実施例である。
図13(a)〜(d)は、それぞれ、たとえば図12(e)に示したように画素表示部ARの領域にエリアセンサ部TSを形成した場合において、複数種類のセンサと画素との配置等の構成を示した実施例である。
Claims (21)
- 電磁波を検出するための複数のセンサ素子が2次元的に配列されているエリアセンサ部と、前記エリアセンサ部の動作制御回路群と、前記エリアセンサ部からの出力を演算処理するための演算処理回路群とを具備する光センサ装置であって、前記エリアセンサ部が、検出波長帯の異なる2種類以上のセンサ素子群によって構成されていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、前記エリアセンサ部、および前記演算処理回路群の一部が、同一の絶縁性基板上に形成されていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、異なる二種類以上の検出波長帯域を持つセンサ素子は、それぞれ、光電変換部の膜厚が異なっていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、異なる二種類以上の検出波長帯域を持つセンサ素子は、それぞれ、基板面に対し電流方向が垂直であるPIN型素子で構成され、かつP型、N型領域のうち、入射光側の領域の厚さが互いに異なることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、各種センサ素子のピクセルの形状が同一で、各種センサ毎に観た場合の配列パターンが、1通りとなっていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、各種センサ素子のピクセルの形状が同一で、各種センサ毎に観た場合の配列パターンが少なくとも2通りとなっていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、少なくとも2種のセンサ素子においてピクセルの形状が互いに異なっていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、少なくとも1種のセンサ素子は、ピクセルの形状が2種以上存在することを特徴とする光センサ装置。
- 請求項1に記載の光センサ装置であって、少なくとも1種類のセンサ素子群は、1から10列、N行(Nは整数で100以上)のライン状に配置されていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項9に記載のセンサ装置であって、前記エリアセンサ部は長方形の形状からなり、かつライン状に配置されている少なくとも1種類のセンサ素子群は、前記長方形の1辺に沿う形態で配列されていることを特徴とする光センサ装置。
- 検出用電磁波の発信源と、生体の特徴の情報を含む電磁波を検出するためのセンサ装置とから構成される生体認証装置であって、
前記発信源は、異なる波長帯をもった二種類以上の発信源によって構成され、
前記センサ装置は、電磁波を検出するための複数のセンサ素子が2次元的に配列されているエリアセンサ部と、前記エリアセンサ部の動作制御回路群と、前記エリアセンサ部からの出力を演算処理するための演算処理回路群とを具備し、前記エリアセンサ部が、検出波長帯の異なる2種類以上のセンサ素子群によって構成されていることを特徴とする生体認証装置。 - 請求項11に記載の生体認証装置であって、異なる波長帯をもった二種類以上の検出用電磁波は、共に同一の生体の特徴を検出することを特徴とする生体認証装置。
- 請求項11に記載の生体認証装置であって、異なる波長帯をもった二種類以上の検出用電磁波は、それぞれ異なる生体の特徴を検出することを特徴とする生体認証装置。
- 請求項11に記載の生体認証装置であって、検出用電磁波、センサ素子は二種類からなり、かつ二種類の検出用電磁波、センサ素子の一組は、700-1000 nmの波長帯に強度分布、感度を持ち、他の検出用電磁波、センサ素子の一組は、500-700 nmの波長帯に強度分布を持つことを特徴とする生体認証装置。
- 個人認証機能を具備した画像表示装置であって、前記個人認証機能は、検出用電磁波の発信源と、生体の特徴の情報を含む電磁波を検出するためのセンサ装置とから構成される生体認証装置であって、
前記発信源は、異なる波長帯をもった二種類以上の発信源によって構成され、
前記センサ装置は、電磁波を検出するための複数のセンサ素子が2次元的に配列されているエリアセンサ部と、前記エリアセンサ部の動作制御回路群と、前記エリアセンサ部からの出力を演算処理するための演算処理回路群とを具備し、前記エリアセンサ部が、検出波長帯の異なる2種類以上のセンサ素子群によって構成されている生体認証装置からなることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項15に記載の画像表示装置であって、エリアセンサ部と、画素部が、同一の絶縁性基板上に形成されていることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項16に記載の画像表示装置であって、回路群の少なくとも一部が、前記絶縁性基板上に形成されていることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項16に記載の画像表示装置であって、各種類のセンサ素子のピクセル形状、サイズは、各画素のピクセル形状、サイズと同一であることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項16に記載の画像表示装置であって、少なくとも1種類のセンサ素子のピクセル形状、サイズは、各画素のピクセル形状、サイズと異なることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項16に記載の画像表示装置であって、少なくとも1種類のセンサ素子群は、1から10列、N行(Nは整数で100以上)のライン状に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項20に記載の画像表示装置であって、ライン状に配置されている少なくとも1種類のセンサ素子群は、画像表示部を形成する1辺に沿う形態で配列されていることを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200393A JP2010039659A (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 光センサ装置および認証機能付き画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200393A JP2010039659A (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 光センサ装置および認証機能付き画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010039659A true JP2010039659A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=42012158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008200393A Pending JP2010039659A (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 光センサ装置および認証機能付き画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010039659A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018042778A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
KR20180089226A (ko) * | 2017-01-31 | 2018-08-08 | 삼성전자주식회사 | 생체 센서를 제어하는 방법 및 전자 장치 |
US10563241B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Biosensor |
JPWO2020137129A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2021-10-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0721354A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像入出力装置 |
JP2000174324A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Agilent Technol Inc | 高性能多色検出pin型フォトダイオ―ドピクセルセンサ |
JP2000346610A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 凹凸検出センサ、凹凸検出装置、指紋照合装置および個人判別装置 |
JP2003298039A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-10-17 | Agilent Technol Inc | 二色フォトディテクタを有するディジタルイメージセンサ |
-
2008
- 2008-08-04 JP JP2008200393A patent/JP2010039659A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0721354A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像入出力装置 |
JP2000174324A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Agilent Technol Inc | 高性能多色検出pin型フォトダイオ―ドピクセルセンサ |
JP2000346610A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 凹凸検出センサ、凹凸検出装置、指紋照合装置および個人判別装置 |
JP2003298039A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-10-17 | Agilent Technol Inc | 二色フォトディテクタを有するディジタルイメージセンサ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10563241B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Biosensor |
WO2018042778A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US11386688B2 (en) | 2016-08-29 | 2022-07-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device |
US11922715B2 (en) | 2016-08-29 | 2024-03-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device |
KR20180089226A (ko) * | 2017-01-31 | 2018-08-08 | 삼성전자주식회사 | 생체 센서를 제어하는 방법 및 전자 장치 |
KR102684523B1 (ko) * | 2017-01-31 | 2024-07-15 | 삼성전자주식회사 | 생체 센서를 제어하는 방법 및 전자 장치 |
JPWO2020137129A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2021-10-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
JP7144814B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-09-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10936840B2 (en) | Optical sensor with angled reflectors | |
US10211265B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
KR102489337B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
US11450142B2 (en) | Optical biometric sensor with automatic gain and exposure control | |
EP1154383B1 (en) | User identity authentication system and user identity authentication method and mobile telephonic device | |
US20190019850A1 (en) | Fingerprint recognition device and oled display device | |
CN112001337B (zh) | 一种指纹识别基板及显示装置 | |
CN108171183B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置和指纹识别方法 | |
JP2008306080A (ja) | 光センサ素子、およびこれを用いた光センサ装置、画像表示装置 | |
US11538848B2 (en) | Fingerprint identification substrate and manufacturing method therefor, identification method and display apparatus | |
US11508765B2 (en) | Active pixel sensing circuit structure and active pixel sensor, display panel and display device | |
CN110197834A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板和指纹识别显示装置 | |
WO2019148798A1 (en) | Pattern identification device and display apparatus | |
US11835808B2 (en) | Array substrate, display panel, and electronic device | |
JP4364452B2 (ja) | 携帯型情報通信装置 | |
JP2010039659A (ja) | 光センサ装置および認証機能付き画像表示装置 | |
US11783618B2 (en) | Fingerprint sensor, method for manufacturing fingerprint sensor, and display device including fingerprint sensor | |
US20210313364A1 (en) | Array substrate and display panel | |
CN113836968B (zh) | 纹路识别装置以及电子装置 | |
CN212783451U (zh) | 具有抗杂光干扰结构的光学生物特征感测器 | |
CN111079667A (zh) | 显示面板、显示设备、指纹解锁方法及触控方法 | |
CN108365050B (zh) | 一种传感器及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
JP2006086333A (ja) | 画像読取装置 | |
TWI835086B (zh) | 薄膜電晶體感光電路、顯示面板、使用其之行動裝置以及其製造方法 | |
JP4930329B2 (ja) | 生体認証装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110216 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110218 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121127 |