JP2010032297A - Manufacturing method of scintillator panel - Google Patents
Manufacturing method of scintillator panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010032297A JP2010032297A JP2008193331A JP2008193331A JP2010032297A JP 2010032297 A JP2010032297 A JP 2010032297A JP 2008193331 A JP2008193331 A JP 2008193331A JP 2008193331 A JP2008193331 A JP 2008193331A JP 2010032297 A JP2010032297 A JP 2010032297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor layer
- moisture
- scintillator panel
- proof film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、放射線を可視光に変換するシンチレータパネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a scintillator panel that converts radiation into visible light.
従来、医療、工業用のX線撮影では、X線感光フィルムが用いられてきたが、昨今、利便性や撮影結果の保存性の面から、コンピューテッド・ラジオロジー(以下CR)や平面検出器(以下FPD)のようなデジタル化が普及してきている。このような放射線画像検出器では、まずシンチレータパネルの蛍光体層を用いて、入射X線を可視光に変換する方式が主流である。 Conventionally, X-ray photosensitive films have been used in medical and industrial X-ray photography, but recently, in terms of convenience and preservation of imaging results, computed radiology (hereinafter referred to as CR) and planar detection are used. Digitalization such as a container (hereinafter referred to as FPD) has become widespread. In such a radiation image detector, first, a method of converting incident X-rays into visible light using a phosphor layer of a scintillator panel is the mainstream.
この蛍光体層の代表的な材料であるCsIは吸湿性材料であり、空気中の水蒸気(湿気)を吸収して潮解し、蛍光体層の特性、特に解像度が劣化しやすいことから、シンチレータパネルにおいては、蛍光体層の表面に水分不透過性の防湿膜を形成することにより、蛍光体層を湿気から保護している。 CsI, which is a typical material of this phosphor layer, is a hygroscopic material, which absorbs water vapor (humidity) in the air and deliquesces, so that the characteristics of the phosphor layer, particularly the resolution, are likely to deteriorate. In, the phosphor layer is protected from moisture by forming a moisture-impermeable moisture-proof film on the surface of the phosphor layer.
蛍光体層を湿気から保護するための防湿膜としてポリパラキシリレン膜等の防湿膜が用いられており、この防湿膜はCVD法(気相成長法)により蒸着されている。 A moisture-proof film such as a polyparaxylylene film is used as a moisture-proof film for protecting the phosphor layer from moisture, and this moisture-proof film is deposited by a CVD method (vapor phase growth method).
CVD法により防湿膜を蒸着する場合には、シンチレータパネルの蛍光体層が上向きの状態でシンチレータパネルの底面を支持し、蒸着装置の蒸着室に導入するやり方が一般的である(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、CVD法により防湿膜を蒸着する場合、蛍光体層が上向きの状態で防湿膜を蒸着すると、蒸着装置内の塵埃等が蛍光体層に付着しやすいという問題がある。 However, when the moisture-proof film is deposited by the CVD method, if the moisture-proof film is deposited with the phosphor layer facing upward, there is a problem that dust or the like in the vapor deposition apparatus easily adheres to the phosphor layer.
この蒸着装置内の塵埃等をすべて取り除くことは非常に困難なので、蛍光体層にゴミが付着しにくい方法で、防湿膜の蒸着を行う必要がある。 Since it is very difficult to remove all dust and the like in the vapor deposition apparatus, it is necessary to vapor-deposit a moisture-proof film by a method in which dust does not easily adhere to the phosphor layer.
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、CVD法により防湿膜を蒸着する際、蛍光体層に塵埃等が付着しにくいシンチレータパネルの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a scintillator panel in which dust or the like hardly adheres to a phosphor layer when a moisture-proof film is deposited by a CVD method.
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、放射線を可視光に変換する蛍光体層が一面に形成された基板を、その蛍光体層が上向き以外となる向きに支持し、CVD法により蛍光体層を覆う防湿膜を蒸着するものである。 The scintillator panel manufacturing method of the present invention supports a substrate on which a phosphor layer that converts radiation into visible light is formed on one side, with the phosphor layer facing in a direction other than upward, and the phosphor layer is formed by a CVD method. A covering moisture-proof film is deposited.
本発明のシンチレータパネルの製造方法によれば、蛍光体層を上向き以外となる向きに支持してCVD法により防湿膜を蒸着するため、蛍光体層を上向きに支持してCVD法により防湿膜を蒸着した場合に比べて、蛍光体層への塵埃等の付着を低減でき、高品質のシンチレータパネルを提供できる。 According to the method for manufacturing a scintillator panel of the present invention, the phosphor layer is supported in a direction other than upward and the moisture-proof film is deposited by the CVD method. Therefore, the moisture-proof film is supported by the CVD method while supporting the phosphor layer upward. Compared to the case of vapor deposition, adhesion of dust and the like to the phosphor layer can be reduced, and a high-quality scintillator panel can be provided.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1ないし図8に第1の実施の形態を示す。 1 to 8 show a first embodiment.
図4は防湿膜を形成する前のシンチレータパネル11の側面図を示す。
FIG. 4 shows a side view of the
このシンチレータパネル11は、円板状または矩形平板状の基板12を有し、この基板12の一面にTlをドープしたCsIを500μm真空蒸着した蛍光体層13が少なくとも形成されている。基板12の蛍光体層13が形成された面の周辺部には、蛍光体層13が形成されていないスペース14が形成されている。
The
また、図3は防湿膜を形成したシンチレータパネル11の断面図を示す。
FIG. 3 shows a cross-sectional view of the
蛍光体層13を含むシンチレータパネル11の表面全体に防湿膜15が形成されている。この防湿膜15は、ポリパラキシリレン膜等が用いられており、CVD法(気相成長法)により蒸着されている。
A moisture-
基板12の蛍光体層13が形成された一面の防湿膜15の周辺部には、すなわち基板12の周辺部の蛍光体層13が形成されていないスペース14の位置に対応して、CVD法により防湿膜15を蒸着する際に蛍光体層13が下向きとなる向きに基板12を支持していた痕跡を示す円錐孔状の支持痕跡部16が複数箇所であって例えば3個所に形成されている。
The peripheral portion of the moisture-
また、図5は蛍光体層13を下向きとしてシンチレータパネル11を支持する支持台21の斜視図を示す。
FIG. 5 is a perspective view of the
この支持台21は、防湿膜15を形成する際にシンチレータパネル11を支持するもので、枠状の台部22を備え、この台部22の上面の複数箇所であって例えば3個所に柱部23が突設されているとともに、これら柱部23の上面から先端が鋭く尖った円錐形状の支持針24が突設されている。そして、図1に示すように、支持台21では、蛍光体層13が下向きの基板12の周辺部のスペース14部分を複数の支持針24によって支持する。
The
また、図6はシンチレータパネル11に防湿膜15をCVD法により蒸着する蒸着装置31の構成図を示す。
FIG. 6 shows a configuration diagram of a
この蒸着装置31は、防湿膜15の原料であるジパラキシリレンを昇華させる昇華炉32、昇華したジパラキシリレンをラジカル化する分解炉33、ラジカル化された状態のジポリパラキシリレンをシンチレータパネル11に蒸着させるチャンバー34、余分なラジカル化された状態のジパラキシリレンをトラップするチラー35、および真空ポンプを有する排気系36を備えて構成されている。
The
また、図7は蒸着装置31のチャンバー34の断面図を示す。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
チャンバー34は、ラジカル化されたジパラキシリレンを導入する導入口37、および余分なポリパラキシリレンを排出する排出口38を有するとともに、蒸着処理を行うシンチレータパネル11を支持した支持台21を配置するターンテーブル39を有する。
The
次に、シンチレータパネル11に防湿膜15を形成する製造方向を説明する。
Next, a manufacturing direction for forming the moisture-
図1に示すように、シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きとして、基板12の周辺部のスペース14を支持台21の複数の支持針24により支持する。
As shown in FIG. 1, the
シンチレータパネル11を支持した支持台21をチャンバー34内のターンテーブル39にセットし、チャンバー34内の圧力を0.5Pa以下になるように設定する。
The
チャンバー34内の圧力が0.5Pa以下になったら、分解炉33を650℃まで加熱する。分解炉33の温度が650℃に達したら、分解炉33の温度を650℃に保ったまま、昇華炉32を120℃から150℃まで段階的に加熱し、ジパラキシリレンを昇華させる。昇華したジパラキシリレンは分解炉33でラジカル化され、導入口37を通り、図2に示すように、チャンバー34内の基板12および蛍光体層13を含むシンチレータパネル11の全面に蒸着されてポリパラキシリレン膜が形成され、このポリパラキシリレン膜である防湿膜15が15μmの厚さに形成される。
When the pressure in the
この際、ターンテーブル39は、シンチレータパネル11に防湿膜15が均一に蒸着されるように、4rpmの速度で回転させている。また、ジパラキシリレンの昇華に伴いチャンバー34内の圧力が上昇し、ジパラキシリレンがすべて昇華し、蒸着が終了すると、再び圧力が下がる。また、チャンバー34内の余分なジパラキシリレンは、排出口38から排出されチラー35にてトラップされる。
At this time, the turntable 39 is rotated at a speed of 4 rpm so that the moisture-
防湿膜15の蒸着終了後、シンチレータパネル11および支持台21をチャンバー34内から取り出し、シンチレータパネル11を支持台21から取り外す。
After vapor deposition of the moisture-
図3に示すように、防湿膜15を蒸着したシンチレータパネル11では、基板12の蛍光体層13が形成された一面の防湿膜15の周辺部に、すなわち基板12の周辺部の蛍光体層13が形成されていないスペース14の位置に対応して、CVD法により防湿膜15を蒸着する際に蛍光体層13が下向きとなる向きに基板12を支持していた支持針24の痕跡を示す円錐孔状の支持痕跡部16が複数箇所であって例えば3個所に残る。
As shown in FIG. 3, in the
このようなシンチレータパネル11の製造方法によれば、蛍光体層13を下向きに支持してCVD法により防湿膜15を蒸着するため、蛍光体層13を上向きに支持してCVD法により防湿膜を蒸着した場合に比べて、蛍光体層13への塵埃等の付着を低減でき、高品質のシンチレータパネル11を提供できる。
According to such a method of manufacturing the
ところで、蛍光体層13を下向きに支持してCVD法により防湿膜15を蒸着する場合、例えば、下向きの蛍光体層13をメッシュ状の台に載せて蒸着すると、蛍光体層13の表面に十分な膜厚の防湿膜15が均一に付着できず、蛍光体層13を傷付けてしまう不具合がある。
By the way, when the moisture-
それに対し、支持台21の複数の支持針24により、蛍光体層13を下向きとする基板12の周辺部のスペース14部分を支持するため、蛍光体層13の表面に十分な膜厚の防湿膜15を均一に付着でき、蛍光体層13を傷付けることがない。しかも、支持針24の先端と基板12のスペース14との接触面積が非常に小さくなることから、基板12のスペース14の部分にも防湿膜15を均一に蒸着させることができる。さらに、防湿膜15の蒸着後に、基板12を支持台21から容易に取り外すことができる。
On the other hand, a plurality of
次に、図8ないし図10に第2の実施の形態を示す。 Next, FIGS. 8 to 10 show a second embodiment.
図8に示すように、シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きとして、基板12の周辺部のスペース14を支持台21の複数の支持針24により支持する際、基板12の蛍光体層13側の面と対向する面(反対側の面)に、基板12と同一の外形寸法のカバー41を配置する。
As shown in FIG. 8, when the
この状態で、CVD法により防湿膜15を蒸着することで、図9に示すように、基板12および蛍光体層13を含むシンチレータパネル11の表面とともにカバー41の表面に防湿膜15が蒸着される。
In this state, the moisture-
防湿膜15の蒸着後に、シンチレータパネル11からカバー41を外す。このシンチレータパネル11を図10に示す。
After vapor deposition of the moisture-
防湿膜15の蒸着時に、カバー41をすることによって、基板12の蛍光体層13側の面と対向する面に塵埃等が付着するのを低減でき、高品質のシンチレータパネル11を提供できる。
By depositing the
次に、図11に第3の実施の形態を示す。 Next, FIG. 11 shows a third embodiment.
上記実施の形態においては、基板12を3本の支持針24を備える支持台21によって支持しているが、4本以上の支持針24を備える支持台21により支持してもかまわない。例えば、図11に示すように、8本の支持針24を備える試料支持台21により支持してもよい。
In the above embodiment, the
このように支持針24の数が多くなれば、基板12の支持を安定させ、防湿膜15の蒸着を安定させることができる。
Thus, if the number of support needles 24 increases, the support of the
なお、上記実施の形態においては、基板12の蛍光体層13側の面(スペース14)を支持針24によって支持しているが、基板12の蛍光体層13側の面に隣り合う側面を支持針24によって挟み込んで支持するようにしても構わない。
In the above embodiment, the surface of the
また、上記実施の形態においては、CVD法により防湿膜15を蒸着する際、シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きに支持したが、横向きに支持してもよく、上向き以外であれば、蛍光体層13への塵埃等の付着を低減できる。
In the above embodiment, when the moisture-
また、上記実施の形態においては、1つの支持台21で1つの基板12を支持したが、複数に分割された支持台21で基板12を支持しても、1つの支持台21で複数の基板12を支持してもよい。
In the above-described embodiment, one
また、上記の実施の形態においては、蛍光体層13は、CsI(Tl)が用いられているが、これに限定せず、CsI(Na)、NaI(Tl)、KI(Tl)、LiI(Eu)等を用いてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施の形態における防湿膜15は、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等を含む。
Further, the moisture-
11 シンチレータパネル
12 基板
13 蛍光体層
15 防湿膜
41 カバー
11 Scintillator panel
12 Board
13 Phosphor layer
15 Moisture barrier
41 Cover
Claims (6)
CVD法により蛍光体層を覆う防湿膜を蒸着する
ことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 A substrate on which a phosphor layer that converts radiation into visible light is formed on one side is supported in a direction in which the phosphor layer is other than upward,
A method of manufacturing a scintillator panel, comprising depositing a moisture-proof film covering the phosphor layer by a CVD method.
ことを特徴とする請求項1記載のシンチレータパネルの製造方法。 The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 1, wherein the direction in which the phosphor layer is other than upward is an orientation in which the phosphor layer is downward.
ことを特徴とする請求項1または2記載のシンチレータパネルの製造方法。 The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 1 or 2, wherein a surface of the substrate on which the phosphor layer is formed is supported.
ことを特徴とする請求項3記載のシンチレータパネルの製造方法。 The method for manufacturing a scintillator panel according to claim 3, wherein a side surface of the substrate adjacent to the surface on which the phosphor layer is formed is supported.
ことを特徴とする請求項3または4記載のシンチレータパネルの製造方法。 The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 3 or 4, wherein at least three or more points of the substrate are supported.
ことを特徴とする請求項1ないし5いずれか記載のシンチレータパネルの製造方法。 A moisture-proof film is deposited by a CVD method in a state where a cover is disposed on a surface of the substrate facing the phosphor layer, and the cover is removed from the substrate after the deposition of the moisture-proof film. A method for manufacturing a scintillator panel according to any one of claims 1 to 5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008193331A JP2010032297A (en) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | Manufacturing method of scintillator panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008193331A JP2010032297A (en) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | Manufacturing method of scintillator panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010032297A true JP2010032297A (en) | 2010-02-12 |
Family
ID=41736957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008193331A Pending JP2010032297A (en) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | Manufacturing method of scintillator panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010032297A (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999066351A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of organic film deposition |
JP2000234164A (en) * | 1999-02-09 | 2000-08-29 | Seiko Epson Corp | Vacuum deposition method and vacuum deposition device |
JP2004037234A (en) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Substrate holding-device |
JP2004059976A (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Substrate supporter |
WO2004079396A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and method of manufacturing radiation image sensor |
JP2007211295A (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Ishikawa Seisakusho Ltd | Film deposition unit having film deposition apparatus, and film deposition method using the film deposition unit |
JP2008008741A (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Scintillator plate for radiation, and its manufacturing method |
-
2008
- 2008-07-28 JP JP2008193331A patent/JP2010032297A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999066351A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of organic film deposition |
JP2000234164A (en) * | 1999-02-09 | 2000-08-29 | Seiko Epson Corp | Vacuum deposition method and vacuum deposition device |
JP2004037234A (en) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Substrate holding-device |
JP2004059976A (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Substrate supporter |
WO2004079396A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and method of manufacturing radiation image sensor |
JP2007211295A (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Ishikawa Seisakusho Ltd | Film deposition unit having film deposition apparatus, and film deposition method using the film deposition unit |
JP2008008741A (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Scintillator plate for radiation, and its manufacturing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100687368B1 (en) | Method of organic film deposition | |
CN102779565A (en) | Scintillator panel and method of manufacturing the scintillator panel | |
US20080000420A1 (en) | Shadow mask and deposition device having the same | |
JP5422149B2 (en) | Scintillator panel | |
US8268079B2 (en) | Vacuum film deposition apparatus | |
JP4317169B2 (en) | Scintillator panel | |
TWI482176B (en) | Scintillator panel and radiation detector | |
JP2012098175A5 (en) | ||
JP2010032297A (en) | Manufacturing method of scintillator panel | |
JP2012141188A (en) | Scintillator panel and method for manufacturing the same | |
JP4317068B2 (en) | Scintillator panel | |
JP4916472B2 (en) | Crucible and vacuum deposition equipment | |
JP3095740B2 (en) | Evaporator for organic compounds | |
JP2006274301A (en) | Vapor deposition method | |
EP3137575A1 (en) | Radiographic flat panel detector having a ferromagnetic layer and the method of production thereof | |
JP2001235548A (en) | Scintillator panel | |
JP2008013850A (en) | Evaporation device and transport system thereof | |
KR101834171B1 (en) | Apparatus for evaluation of deposition process in manufacturing of organic thin film | |
JP2015196899A (en) | Method for depositing bismuth iodide, method for manufacturing radiation detection element having bismuth iodide and method for manufacturing radiation detector including radiation detection element | |
JP2005105392A (en) | Molecular beam source cell for depositing thin film | |
KR20160080411A (en) | Thin film deposition apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131211 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140507 |