JP2010028118A - パワー半導体モジュール - Google Patents
パワー半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010028118A JP2010028118A JP2009167694A JP2009167694A JP2010028118A JP 2010028118 A JP2010028118 A JP 2010028118A JP 2009167694 A JP2009167694 A JP 2009167694A JP 2009167694 A JP2009167694 A JP 2009167694A JP 2010028118 A JP2010028118 A JP 2010028118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor module
- substrate
- package
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
【解決手段】 本出願は、基板(12)とパッケージ(14)とブリッジ要素(16)とを有しているパワー半導体モジュール(10)について述べている。パッケージ(14)は冷却コンポーネントに固定されることができる。ブリッジ要素(16)は、パッケージに配され、基板(12)に対してプッシング要素(32)でプレスされる。さらに、ブリッジ要素(16)は、基板(12)の相互接続部(20)に対して負荷接続要素(38)を位置決めするために設けられる。優れた耐電圧或いは絶縁破壊強度を確実にするために、基板(12)とブリッジ要素(16)とがユニット(26)を形成し、このユニット(26)は全横方向に限定された動きを有してパッケージ(14)に配される。
【選択図】 図1
Description
12 (パワー半導体モジュール10の)基板
14 (パワー半導体モジュール10の)パッケージ
16 (パワー半導体モジュール10の)ブリッジ要素
18 (基板12の)第1主要面
20 (第1主要面18の)相互接続部
22 (基板12の)第2主要面
24 (第2主要面22の)金属層
26 (ブリッジ要素16を備えている、基板12の)ユニット
28 (ユニット26とパッケージ14との間の)2方向矢印/可動性
30 (ブリッジ要素16の)周囲側壁
32 (基板12のための、ブリッジ要素16の)プッシング要素
34 (コンタクト部分36のための、ブリッジ要素16の)ガイドシャフト
36 (負荷接続要素38の)コンタクト部分
38 (パワー半導体モジュール10の)負荷接続要素
40 (負荷接続要素38の)接続部分
42 (パッケージ14の)フレーム要素
44 (パッケージ14の)カバー要素
46 (制御或いは補助接続要素48のための、カバー要素44の)ドーム
48 (パワー半導体モジュール10の)制御或いは補助接続要素
50 (基板12のための、周囲側壁30の)周囲つば
52 (周囲側壁30の)外側寸法
54 (フレーム要素42の)内側寸法
56 (フレーム要素42の)面
58 (面56の)切除部分
60 (カバー要素44の)内面
62 (内面60の)リセス
64 (接続部分40の)コンタクト突起部
66 (カバー要素44の)取付穴
68 (フレーム要素42の)取付穴
Claims (8)
- 基板(12)とパッケージ(14)とブリッジ要素(16)とを有しているパワー半導体モジュールであって、基板(12)が、第1主要面(18)に負荷接続要素(38)とパワー半導体コンポーネントとのための相互接続部(20)を、反対側の第2主要面(22)に冷却コンポーネントに熱を放散させるために設けられている金属層(24)を有し、
パッケージ(14)が冷却コンポーネントに固定可能であり、
ブリッジ要素(16)がパッケージ(14)に配され、基板(12)の相互接続部(20)に対して負荷接続要素(38)のコンタクト部分(36)を位置決めするために設けられ、プッシング要素(32)を用いて基板(12)の第1主要面(18)に対してプレスするパワー半導体モジュールにおいて、
基板(12)とブリッジ要素(16)とがユニット(26)を形成し、このユニットが基板(12)の第1主要面(18)と第2主要面(22)とに平行する全横方向に限定された動きを有してパッケージ(14)に配されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 基板(12)とブリッジ要素(16)とを備えているユニット(26)が横方向に直交する方向に限定された動きを有していることを特徴とする、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- ブリッジ要素(16)が、周囲側壁(30)と、プッシング要素(32)と、負荷接続要素(38)のコンタクト部分(36)のためのガイドシャフト(34)とを備えたキャップ型を形成していることと、パッケージ(14)がフレーム要素(42)とカバー要素(44)とを有していることとを特徴とする、請求項1又は2に記載のパワー半導体モジュール。
- ブリッジ要素(16)の周囲側壁(30)が、基板(12)のために設けられ、内側寸法が基板(12)の外側エッジに適合する周囲つば(50)と共に形成されていることを特徴とする、請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
- ブリッジ要素(16)の周囲側壁(30)が外側寸法(52)を有し、この外側寸法(52)が、パッケージ(14)のフレーム要素(42)の内側寸法(54)より若干小さいことを特徴とする、請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
- パッケージ(14)のフレーム要素(42)が、カバー要素(44)に対向する面(56)に負荷接続要素(38)の接続部分(40)のための切除部分(58)と共に形成され、パッケージ(14)のカバー要素(44)が、フレーム要素(42)に対向する面(60)に負荷接続要素(38)の接続部分(40)のためのリセス(62)と共に形成されていることを特徴とする、請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
- 負荷接続要素(38)の接続部分(40)が、自由に接触可能なようにパッケージ(14)のカバー要素(44)を越えて突出しているコンタクト突起部(64)を有していることを特徴とする、請求項6に記載のパワー半導体モジュール。
- パッケージ(14)のカバー要素(44)とフレーム要素(42)とが、取付要素のための軸上に一直線に並んだ取付穴(66、68)と共に形成され、これらの取付要素を用いてパワー半導体モジュール(10)が冷却コンポーネントに取付け可能であることを特徴とする、請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008034068.5A DE102008034068B4 (de) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | Leistungshalbleitermodul |
DE102008034068.5 | 2008-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010028118A true JP2010028118A (ja) | 2010-02-04 |
JP5469942B2 JP5469942B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=41066525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009167694A Active JP5469942B2 (ja) | 2008-07-22 | 2009-07-16 | パワー半導体モジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2148368B1 (ja) |
JP (1) | JP5469942B2 (ja) |
KR (1) | KR101580326B1 (ja) |
CN (1) | CN101635287B (ja) |
DE (1) | DE102008034068B4 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010038735B3 (de) * | 2010-07-30 | 2011-11-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Betreiben eines PWM-Ausgangs eines Treibers für einen Leistungshalbleiter |
KR101890752B1 (ko) | 2012-11-01 | 2018-08-22 | 삼성전자 주식회사 | 균일한 병렬 스위치 특성을 갖는 파워모듈용 기판 및 이를 포함하는 파워모듈 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121605A (ja) * | 1991-04-08 | 1993-05-18 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路配置 |
JPH06209073A (ja) * | 1992-11-07 | 1994-07-26 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路装置 |
WO2004109801A1 (de) * | 2003-06-10 | 2004-12-16 | Eupec | Leistungshalbleitermodul |
JP2007221128A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 少なくとも1個のパワー半導体モジュールと冷却部とを備えた構造体および関連する製造方法 |
JP2007221126A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 圧力接触部設計のパワー半導体モジュール |
JP2009147314A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-07-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 基板及び加圧装置を有するパワー半導体モジュール |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10149886A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistunghalbleitermodul |
DE10231219C1 (de) | 2002-07-11 | 2003-05-22 | Semikron Elektronik Gmbh | Druckkontaktiertes Halbleiterrelais |
DE10306643B4 (de) * | 2003-02-18 | 2005-08-25 | Semikron Elektronik Gmbh | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102004021122B4 (de) * | 2004-04-29 | 2007-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102006008807B4 (de) * | 2006-02-25 | 2010-10-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil |
-
2008
- 2008-07-22 DE DE102008034068.5A patent/DE102008034068B4/de active Active
-
2009
- 2009-07-03 EP EP09008707.3A patent/EP2148368B1/de active Active
- 2009-07-16 JP JP2009167694A patent/JP5469942B2/ja active Active
- 2009-07-22 CN CN2009101521842A patent/CN101635287B/zh active Active
- 2009-07-22 KR KR1020090066723A patent/KR101580326B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121605A (ja) * | 1991-04-08 | 1993-05-18 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路配置 |
JPH06209073A (ja) * | 1992-11-07 | 1994-07-26 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路装置 |
WO2004109801A1 (de) * | 2003-06-10 | 2004-12-16 | Eupec | Leistungshalbleitermodul |
JP2007221128A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 少なくとも1個のパワー半導体モジュールと冷却部とを備えた構造体および関連する製造方法 |
JP2007221126A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 圧力接触部設計のパワー半導体モジュール |
JP2009147314A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-07-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 基板及び加圧装置を有するパワー半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008034068A1 (de) | 2010-02-04 |
CN101635287A (zh) | 2010-01-27 |
KR20100010494A (ko) | 2010-02-01 |
JP5469942B2 (ja) | 2014-04-16 |
KR101580326B1 (ko) | 2015-12-24 |
DE102008034068B4 (de) | 2019-07-18 |
EP2148368A1 (de) | 2010-01-27 |
EP2148368B1 (de) | 2018-04-18 |
CN101635287B (zh) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006269639A (ja) | 放熱装置および車載電子機器 | |
JP2010057345A (ja) | 電子制御装置 | |
US9976721B2 (en) | Light source module | |
JP2008072062A (ja) | 実装構造、およびこれを備えた電子機器 | |
JP4887273B2 (ja) | 電子制御装置 | |
JP2008082596A (ja) | パワーモジュール及びそれを用いた空気調和機 | |
JP5068098B2 (ja) | 放熱装置 | |
JP4466744B2 (ja) | 電子装置の放熱構造 | |
JP2016063076A (ja) | 電子装置 | |
JP5469942B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2004363183A (ja) | 電子部品の放熱構造 | |
JP2006339223A (ja) | Cpuの放熱構造 | |
JP5318304B1 (ja) | 半導体モジュールおよび半導体装置 | |
JP4783054B2 (ja) | スイッチングユニット | |
JP2012199354A (ja) | 電子制御装置 | |
JP2011087157A (ja) | 冷却装置、冷却方法 | |
JP2008103577A (ja) | パワーモジュールの放熱構造およびそれを備えたモータ制御装置 | |
JP2007067067A (ja) | 樹脂注型形電力用回路ユニット | |
JP2008028311A (ja) | 半導体装置 | |
KR20120085489A (ko) | 내부에 기판을 구비하는 전자 기기 및 기판 조립체 | |
JP2005354118A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2006286465A (ja) | スイッチングユニット | |
JP2007216823A (ja) | 車載制御装置のケース収容構造 | |
JP2005300092A (ja) | 冷蔵庫制御基板の収納装置 | |
JP2014229804A (ja) | 電子制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5469942 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |