JP2010027819A

JP2010027819A - Correction system of semiconductor laser array light quantity

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Publication number: JP2010027819A
Application number: JP2008186690A
Authority: JP
Inventors: Takeo Shirato; 健生白土
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2008-07-18
Filing date: 2008-07-18
Publication date: 2010-02-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a correction system of semiconductor laser array light equalizing the emitted light quantity in printing operation with that in light quantity adjustment. <P>SOLUTION: In control of correction of the light quantity of the semiconductor laser array with a plurality of light sources arrayed on one chip, when the light quantities of respective light sources of the semiconductor laser array are sequentially corrected using one light quantity detecting means, supply of an emission current and a bias current to each light source not corrected in light quantity is cut off and the light emission current and the bias current are supplied only to the light source to be corrected in light quantity. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザプリンタやデジタル複写機の光書込み装置をなす画像形成装置に使用される半導体レーザアレイの駆動制御方式に係り、特にレーザ出力の制御を安定に行うことができる半導体レーザアレイ光量補正方式に関するものである。 The present invention relates to a drive control system for a semiconductor laser array used in an image forming apparatus constituting an optical writing device of a laser printer or a digital copying machine, and more particularly, a semiconductor laser array light amount correction capable of stably controlling laser output. It relates to the method.

従来、複数の光源が一つのチップ上に配列された半導体レーザアレイを光源部に用い、複数のレーザビームを同時に感光体等の被走査面上に照射して、複数のラインを同時に走査する画像形成装置が提案されている。この画像形成装置によれば、走査速度を向上させることができ、画像形成装置の記録速度を向上させることが可能である。 Conventionally, a semiconductor laser array in which a plurality of light sources are arranged on a single chip is used as a light source unit, and a plurality of laser beams are simultaneously irradiated onto a surface to be scanned such as a photoconductor to scan a plurality of lines simultaneously. A forming apparatus has been proposed. According to this image forming apparatus, the scanning speed can be improved, and the recording speed of the image forming apparatus can be improved.

画像形成装置の光源部に使用する半導体レーザは、温度依存性が非常に高く、又、半導体レーザアレイのように同一パッケージ内に複数の発光素子（光源）を有する場合、他素子（他光源）の温度上昇の影響も受けるため、温度変化・素子劣化に応じて、常時一定の光量を得るためには、駆動電流量を変化させなければならない。 The semiconductor laser used in the light source section of the image forming apparatus has a very high temperature dependency. When a plurality of light emitting elements (light sources) are provided in the same package as in the semiconductor laser array, other elements (other light sources) are used. Therefore, in order to always obtain a constant light amount according to temperature change and element deterioration, the drive current amount must be changed.

そこで従来から、この種の画像形成装置の半導体レーザアレイ駆動装置に於ける半導体レーザ駆動電流制御では、非走査領域（非印刷領域）にて各光源の光量を順次検出することで定光量制御を行う、ＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ）方式が一般的に採用されている。 Therefore, conventionally, in the semiconductor laser driving current control in the semiconductor laser array driving device of this type of image forming apparatus, the constant light quantity control is performed by sequentially detecting the light quantity of each light source in the non-scanning area (non-printing area). An APC (Auto Power Control) system is generally employed.

これにより半導体レーザ自身の発熱や周囲温度に関係なく、一定の光量を容易に得ることが可能になり、画像情報に応じた画像形成を適正に行う事が可能となる。又、半導体レーザの制御方法として、半導体レーザにある一定の微小電流（バイアス電流）を常時供給し、さらに上記ＡＰＣ方式にて、上記バイアス電流との和が、半導体レーザの発振閾値電流Ｉｔｈ未満になるように、サンプルホールド電流（可変値）の供給制御を行うことで、半導体レーザの光量を光量調整時と同等に制御することが可能であり、且つ、微小電流（バイアス電流）を常時供給することで、半導体レーザの高速応答性の向上や、半導体レーザ自体の発光による温度上昇の抑制を図ることが可能であった。 This makes it possible to easily obtain a certain amount of light regardless of the heat generation of the semiconductor laser itself and the ambient temperature, and it is possible to appropriately perform image formation according to image information. As a method for controlling the semiconductor laser, a constant small current (bias current) is constantly supplied to the semiconductor laser, and the sum of the bias current is less than the oscillation threshold current Ith of the semiconductor laser in the APC method. Thus, by performing supply control of the sample hold current (variable value), it is possible to control the light amount of the semiconductor laser to be equivalent to that at the time of light amount adjustment, and always supply a minute current (bias current). As a result, it was possible to improve the high-speed response of the semiconductor laser and to suppress the temperature rise due to light emission of the semiconductor laser itself.

特許文献１には、半導体レーザを駆動する電流をバイアス電流、補助（サンプルホールド）電流、発光電流で独立に分け、ＡＰＣ方式によりレーザ光量を一定に維持する方法として、バイアス電流と発光電流は固定し、補助（サンプルホールド）電流を可変する技術が提案されている。 In Patent Document 1, a current for driving a semiconductor laser is divided into a bias current, an auxiliary (sample hold) current, and a light emission current independently, and a bias current and a light emission current are fixed as a method of maintaining a constant laser light quantity by the APC method. However, techniques for varying the auxiliary (sample hold) current have been proposed.

特開２００５−１１９４３号公報JP 2005-11194 A

しかしながら、複数の光源が一つのチップ上に配列された半導体レーザアレイの光量補正制御において、一つの光量検出手段を用いて、前記半導体レーザアレイの各光源の光量を順次補正する場合、光量検出を行っていない各光源のバイアス電流によるオフセット光量和の影響により、印刷動作時と光量調整時の光量に相違が発生するという、マルチビーム特有の問題点があった。 However, in the light amount correction control of the semiconductor laser array in which a plurality of light sources are arranged on one chip, when the light amount of each light source of the semiconductor laser array is sequentially corrected using one light amount detection means, the light amount detection is performed. There is a problem peculiar to multi-beam, in that there is a difference in light quantity between the printing operation and the light quantity adjustment due to the influence of the offset light quantity sum due to the bias current of each light source that is not performed.

本発明の目的は、印刷動作時と光量調整時の発光量を同等にすることが可能な半導体レーザアレイの光量補正方式を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a light amount correction method for a semiconductor laser array that can make the light emission amount during printing operation and light amount adjustment equal.

上記目的を達成するため、本発明の第１の手段は、複数の光源が一つのチップ上に配列された半導体レーザアレイと、前記半導体レーザアレイの光量を検出する一つの光量検出手段と、前記半導体レーザアレイの各光源にバイアス電流を供給する複数のバイアス電流生成手段と、前記半導体レーザアレイの各光源に発光させるための発光電流を供給する複数の発光電流生成手段とから構成され、前記光量検出手段を用いて前記半導体レーザアレイの各光源の光量を順次補正する場合には、光量補正を行っていない光源への発光電流とバイアス電流を遮断し、光量補正を行う光源のみに発光電流とバイアス電流を供給することを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, a first means of the present invention includes a semiconductor laser array in which a plurality of light sources are arranged on one chip, one light quantity detecting means for detecting the light quantity of the semiconductor laser array, A plurality of bias current generating means for supplying a bias current to each light source of the semiconductor laser array; and a plurality of light emitting current generating means for supplying a light emission current for causing each light source of the semiconductor laser array to emit light, When the light quantity of each light source of the semiconductor laser array is sequentially corrected using the detection means, the light emission current and the bias current to the light source that has not been subjected to the light quantity correction are cut off, and the light emission current and the light source for which the light quantity correction is performed only. A bias current is supplied.

本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記光量検出手段には半導体レーザアレイ内蔵のフォトダイオードまたは外部フォトダイオードを用いることを特徴とするものである。 A second means of the present invention is characterized in that, in the first means, a photodiode or a built-in external photodiode of a semiconductor laser array is used as the light amount detecting means.

以上の通り本発明によれば、複数の光源が一つのチップ上に配列された半導体レーザアレイの光量補正制御において、一つの光量検出手段を用いて、前記半導体レーザアレイの各光源の光量を順次補正する場合、光量補正を行う光源のみに発光電流とバイアス電流を供給し、各光源のバイアス電流によるオフセット光量和の影響を抑制することで、印刷動作時と光量調整時の発光量を同等にすることを可能となる。 As described above, according to the present invention, in the light amount correction control of the semiconductor laser array in which a plurality of light sources are arranged on one chip, the light amount of each light source of the semiconductor laser array is sequentially changed by using one light amount detecting means. When correcting, supply the light emission current and bias current only to the light source that performs light amount correction, and suppress the influence of the offset light amount sum due to the bias current of each light source, so that the light emission amount at the time of printing operation and light amount adjustment is equivalent It becomes possible to do.

本発明は、光出力をフィードバックして、断続的に自動光量制御を行う半導体レーザアレイ制御装置であって、複数の光源が一つのチップ上に配列された半導体レーザアレイと、前記半導体レーザアレイの光量を検知して、電位変換する一つの光量検出手段と、前記光出力検出手段の出力電位と発光量基準電圧を比較する複数の比較手段と、光量補正信号のＯＮ／ＯＦＦにより、前記比較手段の出力値に応じて、充放電を行う複数のサンプルホールドコンデンサと、前記サンプルホールドコンデンサに充電された電圧を電流に変換し、前記半導体レーザアレイの各光源にバイアス電流を供給する複数のバイアス電流生成手段と、前記半導体レーザアレイの各光源に発光させるための発光電流を供給する複数の発光電流生成手段から構成され、前記光量検出手段を用いて、前記半導体レーザアレイの各光源の光量を順次補正する場合には、光量補正を行っていない光源への発光電流とバイアス電流を遮断し、光量補正を行う光源のみに発光電流とバイアス電流を供給することを特徴とする。 The present invention relates to a semiconductor laser array control apparatus that performs automatic light quantity control intermittently by feeding back an optical output, a semiconductor laser array in which a plurality of light sources are arranged on a single chip, and the semiconductor laser array One light quantity detection means for detecting the light quantity and converting the potential, a plurality of comparison means for comparing the output potential of the light output detection means and the light emission amount reference voltage, and the comparison means by ON / OFF of the light quantity correction signal A plurality of sample and hold capacitors for charging and discharging, and a plurality of bias currents for converting the voltage charged in the sample and hold capacitors into current and supplying a bias current to each light source of the semiconductor laser array. And a plurality of light emission current generation means for supplying a light emission current for causing each light source of the semiconductor laser array to emit light, When the light quantity of each light source of the semiconductor laser array is sequentially corrected using the recording light quantity detection means, the light emission current and the bias current to the light source that is not subjected to the light quantity correction are cut off, and only the light source that performs the light quantity correction. A light emitting current and a bias current are supplied.

以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図１に示すように本実施の形態に係る半導体レーザアレイ駆動装置は、半導体レーザアレイ１と、発光電流Ｉη生成手段２−１〜２−ｎと、バイアス電流Ｉｂｉ生成手段３−１〜３−ｎと、発光電流ＩηＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ１）４−１〜４−ｎと、バイアス電流ＩｂｉＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ２）５−１〜５−ｎと、ＡＰＣＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ３）６−１〜６−ｎと、差動増幅器７−１〜７−ｎと、発光電流ＩηＯＮ信号（画像データ信号）８−１〜８−ｎと、バイアス電流ＩｂｉＯＮ信号９−１〜９−ｎと、ＡＰＣＯＮ信号１０−１〜１０−ｎと、発光量基準電位１１−１〜１１−ｎと、サンプルホールドコンデンサ１２−１〜１２−ｎとで概略構成され、図に示すような接続関係になっている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the semiconductor laser array driving apparatus according to the present embodiment includes a semiconductor laser array 1, light emission current Iη generation means 2-1 to 2-n, and bias current Ibi generation means 3-1 to 3-. n, light emission current IηON / OFF control SW (SW1) 4-1 to 4-n, bias current IbiON / OFF control SW (SW2) 5-1 to 5-n, and APC ON / OFF control SW (SW3) 6-1 to 6-n, differential amplifiers 7-1 to 7-n, light emission current IηON signals (image data signals) 8-1 to 8-n, and bias current IbiON signals 9-1 to 9-1. 9-n, APC ON signals 10-1 to 10-n, light emission amount reference potentials 11-1 to 11-n, and sample and hold capacitors 12-1 to 12-n, as shown in FIG. It is a simple connection relationship.

図２は、図１における半導体レーザアレイ駆動装置の動作を説明する制御タイミングチャートである。図３は、図２における非印刷領域の動作を詳細に説明する制御タイミングチャートである。図４は、半導体レーザアレイ駆動装置の動作電流変動図である。 FIG. 2 is a control timing chart for explaining the operation of the semiconductor laser array driving apparatus in FIG. FIG. 3 is a control timing chart for explaining in detail the operation of the non-printing area in FIG. FIG. 4 is an operating current fluctuation diagram of the semiconductor laser array driving apparatus.

以下、半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量調整中と印刷動作中の発光量に着目し、概略説明する。半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量調整を行う場合、発光電流ＩηＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ１）４−１〜４−ｎ、バイアス電流ＩｂｉＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ２）５−１〜５−ｎ、ＡＰＣＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ３）６−１〜６−ｎが、全てＯＮ状態となるため、発光電流Ｉη生成手段２−１〜２−ｎとバイアス電流Ｉｂｉ生成手段３−１〜３−ｎから、発光電流Ｉηとバイアス電流Ｉｂｉの電流和が半導体レーザアレイ１のｃｈ１に供給されている。 Hereinafter, a brief description will be given focusing on the light emission amount during the ch1 light amount adjustment and the printing operation of the semiconductor laser array 1. When the ch1 light amount of the semiconductor laser array 1 is adjusted, the emission current IηON / OFF control SW (SW1) 4-1 to 4-n and the bias current IbiON / OFF control SW (SW2) 5-1 to 5-n Since the APC ON / OFF control SWs (SW3) 6-1 to 6-n are all turned on, the light emission current Iη generating means 2-1 to 2-n and the bias current Ibi generating means 3-1 to 3 are used. From −n, the sum of the light emission current Iη and the bias current Ibi is supplied to ch1 of the semiconductor laser array 1.

又、半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量調整中、光量調整を行っていない半導体レーザアレイ１のｃｈ２〜ｃｈｎは、ＡＰＣＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ３）６−２〜６−ｎがＯＦＦ状態であるため、サンプルホールドコンデンサ１２−２〜１２−ｎに電荷が充電されないことから、半導体レーザアレイ１のｃｈ２〜ｃｈｎへのバイアス電流Ｉｂｉの供給が不可能となり、光量調整を行っていない半導体レーザアレイ１のｃｈ２〜ｃｈｎへの供給電流は０となる。よって、半導体レーザアレイ１のｃｈ１〜ｃｈｎに供給される駆動電流Ｉｏｐ（ｃｈ）は数１となる。 Further, during the light amount adjustment of ch1 of the semiconductor laser array 1, the ch2 to chn of the semiconductor laser array 1 where the light amount adjustment is not performed are in the OFF state of the APC ON / OFF control SW (SW3) 6-2 to 6-n. Therefore, since the sample hold capacitors 12-2 to 12-n are not charged, it becomes impossible to supply the bias current Ibi to ch2 to chn of the semiconductor laser array 1, and the semiconductor laser array in which the light amount is not adjusted. The current supplied to 1 ch2 to chn is 0. Therefore, the drive current Iop (ch) supplied to ch1 to chn of the semiconductor laser array 1 is expressed by Equation 1.

従って数１より、図４の電流変動図に示す各動作電流に対する発光量から、半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量調整時において、光量検出手段である半導体レーザアレイ１の内部フォトダイオードが検出する光量Ｐｐｄ（ｃｈ１）は、数２となる。 Therefore, from Equation 1, the light quantity detected by the internal photodiode of the semiconductor laser array 1 as the light quantity detection means when adjusting the light quantity of ch1 of the semiconductor laser array 1 from the light emission quantity for each operating current shown in the current fluctuation diagram of FIG. Ppd (ch1) is expressed by Equation 2.

次に、印刷動作中の非走査領域に於ける半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量補正制御について説明する。印刷動作中は、１ラスタ毎又は複数ラスタ毎の非印刷領域に、半導体レーザアレイ１のｃｈ１〜ｃｈｎの光量を、光量検出手段である半導体レーザアレイ１の内部フォトダイオードが、順次検出することで、各光源の光量補正制御を行っているため、半導体レーザアレイ１のｃｈ１〜ｃｈｎのサンプルホールドコンデンサ１２−１〜１２−ｎに電荷が充電され、半導体レーザアレイ１のｃｈ１〜ｃｈｎに常時バイアス電流Ｉｂｉが供給される。よって、印刷動作中の非走査領域（非印刷領域）において、半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量検出を行う場合、半導体レーザアレイ１のｃｈ１〜ｃｈｎに供給される電流Ｉｏｐ（ｃｈ）'は数３となる。 Next, the ch1 light quantity correction control of the semiconductor laser array 1 in the non-scanning region during the printing operation will be described. During the printing operation, the internal photodiodes of the semiconductor laser array 1 serving as the light amount detecting means sequentially detect the light amounts of ch1 to chn of the semiconductor laser array 1 in the non-printing region for each raster or for each of the plurality of rasters. Since the light quantity correction control of each light source is performed, charges are charged in the sample hold capacitors 12-1 to 12-n of ch1 to chn of the semiconductor laser array 1, and the bias current is constantly applied to ch1 to chn of the semiconductor laser array 1. Ibi is supplied. Therefore, in the non-scanning region (non-printing region) during the printing operation, when the ch1 light amount detection of the semiconductor laser array 1 is performed, the current Iop (ch) ′ supplied to the ch1 to chn of the semiconductor laser array 1 is expressed by the following equation (3). It becomes.

従って数３より、図４の電流変動図に示す各動作電流に対する発光量から、印刷動作中の半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量補正時において、光量検出手段である半導体レーザアレイ１の内部フォトダイオードが検出する光量Ｐｐｄ（ｃｈ１）'は、数４となる。 Therefore, from equation (3), the internal photodiodes of the semiconductor laser array 1 serving as the light amount detecting means when the light amount of the ch1 of the semiconductor laser array 1 during the printing operation is corrected from the light emission amount for each operating current shown in the current fluctuation diagram of FIG. The amount of light Ppd (ch1) ′ detected by Eq.

ここで数２と数４を比較した場合、Ｐｐｄ（ｃｈ１）＝Ｐｐｄ（ｃｈ１）'となり、光量検出手段である半導体レーザアレイ１の内部フォトダイオードが検出する光量は同等になるものの、印刷動作中におけるバイアス電流Ｉｂｉ（ｃｈ２）〜Ｉｂｉ（ｃｈｎ）のオフセット発光量の影響により、Ｐｏｐ（ｃｈ１）≠Ｐｏｐ（ｃｈ１）'となり、半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量調整時と印刷動作時の光量に相違が発生してしまう。ここでは、半導体レーザアレイ１のｃｈ１の光量調整中と印刷動作中の発光量に着目したが、半導体レーザアレイ１のｃｈ２〜ｃｈｎにおいても、同様の問題が発生する。 Here, when comparing Equations 2 and 4, Ppd (ch1) = Ppd (ch1) ′, and the light amount detected by the internal photodiode of the semiconductor laser array 1 serving as the light amount detecting means is equal, but the printing operation is in progress. Pop (ch1) ≠ Pop (ch1) 'due to the influence of the offset light emission amount of the bias currents Ibi (ch2) to Ibi (chn) in FIG. Will occur. Although attention is paid to the light emission amount during ch1 light amount adjustment and printing operation of the semiconductor laser array 1 here, the same problem occurs in the ch2 to chn of the semiconductor laser array 1 as well.

よって、上記問題を解決するため、図２及び図３に示すタイミングチャートのように、印刷動作時の非走査領域（非印刷領域）において、半導体レーザアレイ１のｃｈ１〜ｃｈｎの光量を、光量検出手段である半導体レーザアレイ１の内部フォトダイオードが、順次検出することで、各光源の光量補正制御を行う場合、光量補正を行っていない各光源のバイアス電流ＩｂｉＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ２）と、発光電流ＩηＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ１）をＯＦＦすることで、光量補正を行っていない各光源へのバイアス電流Ｉｂｉと発光電流Ｉηの供給を遮断し、光量補正を行っている光源のみバイアス電流Ｉｂｉと発光電流Ｉηを供給する。 Therefore, in order to solve the above problem, as shown in the timing charts of FIG. 2 and FIG. 3, in the non-scanning region (non-printing region) during the printing operation, the light amounts of the ch1 to chn of the semiconductor laser array 1 are detected. When the internal photodiodes of the semiconductor laser array 1 as the means sequentially detect light amount correction control of each light source, the bias current IbiON / OFF control SW (SW2) of each light source that is not subjected to light amount correction and By turning off the light emission current IηON / OFF control SW (SW1), the supply of the bias current Ibi and the light emission current Iη to each light source not performing light amount correction is cut off, and only the light source performing light amount correction is biased A current Ibi and a light emission current Iη are supplied.

前述のように、光量補正を行っている光源のみ発光させ、光量補正を行っていない光源のオフセット光量の影響を抑制することで、印刷動作時と光量調整時の発光量を同等し、マルチビーム特有の問題点を解決することが可能となる。 As described above, only the light source for which light amount correction is performed is caused to emit light, and the influence of the offset light amount of the light source that is not subjected to light amount correction is suppressed, so that the light emission amount at the time of printing operation and light amount adjustment is made equal, and multi-beam It becomes possible to solve specific problems.

本発明の実施形態に係る半導体レーザアレイ装置の概要構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor laser array device according to an embodiment of the present invention. その半導体レーザアレイ駆動装置の動作を説明する制御タイミングチャートである。It is a control timing chart explaining operation of the semiconductor laser array drive device. その半導体レーザアレイ駆動装置における非印刷領域の動作を説明する制御タイミングチャートである。It is a control timing chart explaining operation | movement of the non-printing area | region in the semiconductor laser array drive device. その半導体レーザアレイ駆動装置の動作電流変動図である。It is an operating current fluctuation diagram of the semiconductor laser array driving device.

符号の説明Explanation of symbols

１は半導体レーザアレイ、２−１〜２−ｎは発光電流Ｉη生成手段（固定値）、３−１〜３−ｎはバイアス電流Ｉｂｉ生成手段（可変値）、４−１〜４−ｎは発光電流ＩηＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ１）、５−１〜５−ｎはバイアス電流ＩｂｉＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ２）、６−１〜６−ｎはＡＰＣＯＮ／ＯＦＦ制御用ＳＷ（ＳＷ３）、７−１〜７−ｎは差動増幅器、８−１〜８−ｎは発光電流ＩηＯＮ信号（画像データ信号）、９−１〜９−ｎはバイアス電流ＩｂｉＯＮ信号、１０−１〜１０−ｎはＡＰＣＯＮ信号、１１−１〜１１−ｎは発光量基準電位、１２−１〜１２−ｎはサンプルホールドコンデンサである。 1 is a semiconductor laser array, 2-1 to 2-n are light emission current Iη generation means (fixed value), 3-1 to 3-n are bias current Ibi generation means (variable value), and 4-1 to 4-n are Light emission current IηON / OFF control SW (SW1), 5-1 to 5-n are bias current IbiON / OFF control SW (SW2), and 6-1 to 6-n are APC ON / OFF control SW (SW3). , 7-1 to 7-n are differential amplifiers, 8-1 to 8-n are light emission current IηON signals (image data signals), 9-1 to 9-n are bias current IbiON signals, and 10-1 to 10−. n is an APC ON signal, 11-1 to 11-n are light emission amount reference potentials, and 12-1 to 12-n are sample and hold capacitors.

Claims

複数の光源が一つのチップ上に配列された半導体レーザアレイと、
前記半導体レーザアレイの光量を検出する一つの光量検出手段と、
前記半導体レーザアレイの各光源にバイアス電流を供給する複数のバイアス電流生成手段と、
前記半導体レーザアレイの各光源に発光させるための発光電流を供給する複数の発光電流生成手段とから構成され、
前記光量検出手段を用いて前記半導体レーザアレイの各光源の光量を順次補正する場合には、光量補正を行っていない光源への発光電流とバイアス電流を遮断し、光量補正を行う光源のみに発光電流とバイアス電流を供給することを特徴とする半導体レーザアレイ光量補正方式。 A semiconductor laser array in which a plurality of light sources are arranged on one chip;
One light quantity detection means for detecting the light quantity of the semiconductor laser array;
A plurality of bias current generating means for supplying a bias current to each light source of the semiconductor laser array;
A plurality of light emission current generating means for supplying a light emission current for causing each light source of the semiconductor laser array to emit light;
When the light amount of each light source of the semiconductor laser array is sequentially corrected using the light amount detection means, the light emission current and the bias current to the light source that has not been subjected to light amount correction are cut off, and only the light source that performs light amount correction emits light. A semiconductor laser array light quantity correction method characterized by supplying a current and a bias current.

前記光量検出手段には、半導体レーザアレイ内蔵のフォトダイオードまたは外部フォトダイオードを用いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ光量補正方式。 2. The semiconductor laser array light quantity correction system according to claim 1, wherein the light quantity detection means uses a photodiode or an external photodiode built in the semiconductor laser array.