JP2010010932A - Baw resonance device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたBAW(Bulk Acoustic Wave)共振装置およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a BAW (Bulk Acoustic Wave) resonance device including a resonator using a longitudinal vibration mode in a thickness direction of a piezoelectric layer, and a manufacturing method thereof.
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、1GHz以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なBAW共振装置として、図4(i)に示すように支持基板1’の一表面側に、下部電極31’と上部電極33’との間に圧電層32’を有する共振子3’が形成され、支持基板1’に、下部電極31’における圧電層32’側とは反対側の表面を露出させる開孔部1a’が形成されてなるBAW共振装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。なお、上記特許文献1には、支持基板1’の上記一表面側に共振子3’を複数個形成してフィルタ(BAWフィルタ)を構成することも記載されている。
Conventionally, as a BAW resonance device applicable to a high frequency filter used in a high frequency band of 1 GHz or more in the field of mobile communication devices such as mobile phones, one surface of a
以下、図4に示した構成のBAW共振装置の製造方法について図4(a)〜(i)に基づいて簡単に説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing the BAW resonator having the configuration shown in FIG. 4 will be briefly described with reference to FIGS.
まず、図4(a)に示すSi基板からなる支持基板1’の上記一表面側の全面に下部電極31’をスパッタ法などにより形成し(図4(b)参照)、続いて、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を利用して下部電極31’をパターニングする(図4(c)参照)。
First, the
その後、支持基板1’の上記一表面側の全面に圧電層32’をスパッタ法などにより形成し(図4(d)参照)、その後、支持基板1’の上記一表面側の全面に上部電極33’をスパッタ法などにより形成し(図4(e)参照)、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極33’をパターニングする(図4(f)参照)。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上部電極33’のうち共振子3’とならない部分を途中までエッチングして薄くする(図4(g)参照)。
Thereafter, a
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層32’をパターニングする(図4(h)参照)。
Thereafter, the
更にその後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して支持基板1’の他表面側から支持基板1’のうち開孔部1a’に対応する部分をドライエッチングすることにより開孔部1a’を形成する(図4(i)参照)。
Thereafter, a
上記特許文献1に開示されたBAW共振装置では、圧電層32’の圧電材料としてAlNなどを採用し、支持基板1’の材料としてSiなどを採用しているが、2GHz以上の高周波帯で利用する高周波フィルタ、例えば、UWB(Ultra Wide Band)用フィルタに応用する場合、圧電層32’の圧電材料として、帯域幅が中心周波数に対して4〜5%しか広帯域化できないAlNに比べて中心周波数に対して10%程度の帯域幅を得ることが可能な鉛系圧電材料(例えば、PZT、PMN−PZTなど)を採用し、圧電層32’の結晶性を向上させるために支持基板1’の材料としてMgOもしくはSrTiO3を採用することが考えられる。
ところで、図4(i)に示した構成のBAW共振装置では、共振子3’直下に開孔部1a’が形成されているので、脆弱になってしまうという問題があった。また、図4(i)に示した構成のBAW共振装置などのFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)型のBAW共振装置では、機械的品質係数(Q値)のより一層の向上が望まれていた。
By the way, the BAW resonance device having the configuration shown in FIG. 4 (i) has a problem that the
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるBAW共振装置およびその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above reasons, and an object of the present invention is to provide a BAW resonance apparatus and a method for manufacturing the same, which can improve the robustness and the mechanical quality factor.
請求項1の発明は、支持基板の一表面側に、下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子が形成され、支持基板に、下部電極における圧電層側とは反対側の表面を露出させる開孔部が形成されてなるBAW共振装置であって、下部電極の前記表面に、下部電極を補強する金属材料からなる補強部が設けられてなることを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, a resonator having a piezoelectric layer is formed between the lower electrode and the upper electrode on one surface side of the support substrate, and the surface of the lower electrode opposite to the piezoelectric layer side is formed on the support substrate. A BAW resonance device in which an opening for exposing the substrate is formed, wherein a reinforcing portion made of a metal material for reinforcing the lower electrode is provided on the surface of the lower electrode.
この発明によれば、下部電極の前記表面に、下部電極を補強する金属材料からなる補強部が設けられているので、堅牢化を図れ、しかも、下部電極の低抵抗化による機械的品質係数の向上を図れる。 According to the present invention, the reinforcing portion made of a metal material that reinforces the lower electrode is provided on the surface of the lower electrode, so that the robustness can be achieved and the mechanical quality factor of the lower electrode is reduced. Improvements can be made.
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記補強部は、前記共振子において前記下部電極と前記圧電層と前記上部電極とが積層されている共振領域外に設けられてなることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the reinforcing portion is provided outside a resonance region in which the lower electrode, the piezoelectric layer, and the upper electrode are stacked in the resonator. Features.
この発明によれば、前記共振子の共振周波数に影響を与えることなく堅牢化を図れる。 According to this invention, robustness can be achieved without affecting the resonance frequency of the resonator.
請求項3の発明は、請求項1の発明において、前記補強部は、前記共振子において前記下部電極と前記圧電層と前記上部電極とが積層されている共振領域内に設けられてなることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the reinforcing portion is provided in a resonance region where the lower electrode, the piezoelectric layer, and the upper electrode are stacked in the resonator. Features.
この発明によれば、前記共振子の共振周波数を調整することが可能となる。 According to the present invention, the resonance frequency of the resonator can be adjusted.
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3の発明において、前記補強部は、平面視形状がハニカム状に形成されてなることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the first to third aspects of the present invention, the reinforcing portion is formed in a honeycomb shape in plan view.
この発明によれば、前記補強部が薄膜状に形成されている場合に比べて堅牢化を図れる。 According to the present invention, it is possible to achieve robustness as compared with the case where the reinforcing portion is formed in a thin film shape.
請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のBAW共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面側に共振子を形成する共振子形成工程と、支持基板の他表面側から支持基板のうち開孔部に対応する部分をエッチングすることにより開孔部を形成する開孔部形成工程と、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成する補強部形成工程とを備えることを特徴とする。 A fifth aspect of the present invention is a method of manufacturing a BAW resonance device according to any one of the first to fourth aspects, wherein a resonator is formed on the one surface side of the support substrate. An opening portion forming step of forming an opening portion by etching a portion corresponding to the opening portion of the supporting substrate from the other surface side of the supporting substrate, and an electroplating method after the opening portion forming step. A reinforcing part forming step of forming a reinforcing part on the surface of the electrode.
この発明によれば、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成する補強部形成工程を備えているので、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるBAW共振装置を提供することができる。また、この発明によれば、補強部形成工程では、電気めっき法により下部電極の前記表面に補強部を形成するので、前記補強部をスパッタ法や蒸着法などにより形成する場合に比べて、容易に厚く形成することができるから、低コストで堅牢化を図れる。 According to the present invention, since the reinforcing portion forming step of forming the reinforcing portion on the surface of the lower electrode by the electroplating method is provided after the opening portion forming step, the robustness and the improvement of the mechanical quality factor can be achieved. A BAW resonance device can be provided. Further, according to the present invention, in the reinforcing portion forming step, since the reinforcing portion is formed on the surface of the lower electrode by electroplating, it is easier than when the reinforcing portion is formed by sputtering or vapor deposition. Therefore, it can be made robust at low cost.
請求項6の発明は、請求項5の発明において、前記補強部形成工程では、前記下部電極の前記表面における前記補強部の形成予定領域以外の露出領域をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により前記補強部を形成することを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the invention, in the reinforcing portion forming step, an exposed region other than a region where the reinforcing portion is to be formed on the surface of the lower electrode is covered with a resist layer, and then an electroplating method is performed. The reinforcing portion is formed by the following.
この発明によれば、前記補強部の厚みを厚くしながらも前記補強部を所望の形状に容易に形成することができる。 According to this invention, the reinforcing part can be easily formed into a desired shape while increasing the thickness of the reinforcing part.
請求項1の発明では、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるという効果がある。
In the invention of
請求項5の発明では、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるBAW共振装置を提供することができるという効果がある。
In the invention of
本実施形態のBAW共振装置は、図1に示すように、支持基板1の一表面側に、下部電極31と上部電極33との間に圧電層32を有する複数個の共振子3が形成され、支持基板1に、各共振子3の下部電極31における支持基板1側の表面を露出させる開孔部(空洞)1aが形成されている。ここにおいて、支持基板1の開孔部1aは、当該支持基板1の厚み方向に貫設されている。なお、本実施形態のBAW共振装置は、上述の複数個の共振子3が直列接続されているが、ラダー型フィルタを構成するように接続するようにすれば、2GHz以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、UWB用フィルタとして用いることができる。
As shown in FIG. 1, in the BAW resonator according to this embodiment, a plurality of
本実施形態のBAW共振装置は、各共振子3が、上述のように、支持基板1の上記一表面側に形成された下部電極31と、下部電極31における支持基板1側とは反対側に形成された圧電層32と、圧電層32における下部電極31側とは反対側に形成された上部電極33とを有しており、下部電極31と下部電極31直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板1側へバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしてある。ここで、支持基板1の開孔部1aは、支持基板1の厚み方向において下部電極31から離れるにつれて徐々に開口面積が大きくなる形状に開孔されている。なお、支持基板1の開孔部1aは、エッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。
In the BAW resonator according to the present embodiment, each
また、本実施形態のBAWフィルタは、支持基板1の上記一表面側に、平面視において各共振子3を取り囲む絶縁層4が形成されている。
Further, in the BAW filter of the present embodiment, the
図1に示した例では、下部電極31同士が電気的に接続された2個1組の共振子3の組を複数組(図示例では、2組)備えており、各組の2個の共振子3では、下部電極31と圧電層32とが連続して形成される一方で上部電極33同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する2個の共振子3の上部電極33同士が上部電極33と連続して形成された配線34を介して電気的に接続されている。ここで、配線34の一部は、上部電極33と連続して形成された金属配線により構成されている。また、各共振子3は、下部電極31と圧電層32と上部電極33とが積層されている領域が共振領域を構成している。
In the example shown in FIG. 1, a plurality of sets (two sets in the illustrated example) of two
本実施形態のBAW共振装置は、圧電層32の圧電材料として、PZTを採用しており、支持基板1としては、上記一表面である主表面が(001)面の単結晶MgO基板や、上記一表面である主表面が(001)面の単結晶STO(:SrTiO3)基板を用いてもよい。
The BAW resonator according to the present embodiment employs PZT as the piezoelectric material of the
また、本実施形態のBAW共振装置では、下部電極31および上部電極33の金属材料としてPtを採用しているが、これらの金属材料は特に限定するものではなく、例えば、Alや他の金属材料を採用してもよく、例えば、Pt、Mo、W、Ir、Cr、Ruの群から選択される少なくとも一種を採用すれば、下部電極31および上部電極33それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるAuの場合に比べて、下部電極31および上部電極33それぞれの機械的品質係数を高めることができ、共振子3全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。なお、下部電極31と上部電極33とは必ずしも同じ金属材料を採用する必要はなく、下部電極31の金属材料は、圧電層32の格子歪を抑制するために圧電層32の圧電材料との格子定数差の小さな金属材料を採用することが望ましい。
Further, in the BAW resonance device of the present embodiment, Pt is adopted as the metal material of the
また、圧電層32は、PZT薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。ここで、図1には図示していないが、下部電極31と圧電層32との間に、圧電層32の配向を制御するためのシード層としてSRO層を形成することが望ましい。なお、本実施形態では、圧電層32の圧電材料として、PZTを採用しているが、PZTに限らず、不純物を添加したPZTやPMN−PZTなどの鉛系圧電材料であればよく、圧電材料がAlNやZnOである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層32の圧電材料は、鉛系圧電材料に限らず、例えば、鉛フリーのKNN(K0.5Na0.5NbO3)や、KN(KNbO3)、NN(NaNbO3)、KNNに不純物(例えば、Li,Nb,Ta,Sb,Cuなど)を添加したものや、AlN、ZnOなどでもよい。
The
また、絶縁層4の材料としては、SiO2を採用しているが、SiO2に限らず、例えば、Si3N4を採用してもよい。また、絶縁層4は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、SiO2からなる第1の絶縁膜とSi3N4膜からなる第2の絶縁膜との積層膜でもよい。
As a material of the insulating
なお、本実施形態のBAW共振装置では、図1における左側の2個の共振子3の共振周波数を4GHzに設定してあり、下部電極31の厚みを100nm、圧電層32の厚みを300nm、上部電極33の厚みを100nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を3GHz〜5GHzの範囲で設計する場合には、圧電層32の厚みは200nm〜600nmの範囲で適宜設定すればよい。また、図1における右側の2個の共振子3については、共振周波数を調整するための絶縁膜(例えば、SiO2膜、AlN膜など)からなる質量付加部35を積層してあるが、質量付加部35は、必ずしも設ける必要はなく、必要に応じて適宜設ければよい。
In the BAW resonator of this embodiment, the resonance frequency of the two left-
ところで、本実施形態のBAW共振装置は、下部電極31における圧電層32側とは反対側の表面に、下部電極31を補強する金属材料(例えば、Cu、Alなど)からなる補強部5が設けられている。
By the way, in the BAW resonance device of the present embodiment, the reinforcing
しかして、本実施形態のBAW共振装置では、下部電極31における圧電層32側とは反対側の表面に、下部電極32を補強する金属材料からなる補強部5が設けられているので、堅牢化を図れ、しかも、下部電極31の低抵抗化による機械的品質係数の向上を図れる。また、本実施形態では、補強部5の平面視形状(下部電極31における圧電層32側とは反対側から見た平面視形状)をハニカム状の形状に形成してある(したがって、支持基板1の上記一表面に直交する断面の形状もハニカム状となっている)ので、補強部5を薄膜状に形成する場合に比べて堅牢化を図れる。なお、補強部5の平面視形状はハニカム状に限らず、例えば、放射状、I字状、H字状などでもよい。
Thus, in the BAW resonance device of the present embodiment, the reinforcing
また、本実施形態のBAW共振装置では、上述の補強部5が共振子3において下部電極31と圧電層32と上部電極33とが積層されている共振領域外に設けられているので、共振子3の共振周波数に影響を与えることなく堅牢化を図れる。ただし、補強部5は、共振子3の共振領域内に設けられてよく、この場合には、共振子3の共振周波数を調整することが可能となる。
Further, in the BAW resonance device of the present embodiment, the above-described reinforcing
以下、本実施形態のBAW共振装置の製造方法について図2を参照しながら説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing the BAW resonator according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
まず、単結晶のMgO基板からなる支持基板1の上記一表面側の全面に、下部電極31の基礎となる第1の金属膜(例えば、Pt膜)31aを例えばスパッタ法やCVD法やEB蒸着法などにより形成する第1の金属膜形成工程を行うことによって、図2(a)に示す構造を得る。
First, a first metal film (for example, Pt film) 31a serving as a base of the
その後、支持基板1の上記一表面側の全面に圧電層32の基礎となる圧電薄膜(例えば、PZT薄膜など)からなる圧電材料層32aをスパッタ法やCVD法やゾルゲル法などにより形成する圧電材料層形成工程を行うことによって、図2(b)に示す構造を得る。
Thereafter, a
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電材料層32aを所望の平面形状にパターニングする圧電材料層パターニング工程を行うことで圧電材料層32aの一部からなる圧電層32を形成する圧電材料層パターニング工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第1の金属膜31aをパターニングすることにより第1の金属膜31aの一部からなる下部電極31を形成する第1の金属膜パターニング工程を行うことによって、図2(c)に示す構造を得る。
Thereafter, a piezoelectric material layer patterning step for patterning the
その後、支持基板1の上記一表面側に、所定形状の絶縁層4を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図2(d)に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁層形成工程では、支持基板1の上記一表面側に絶縁層4の形成予定領域が開孔されたレジスト層を形成してから、例えばSiO2からなる絶縁層4をスパッタ法やCVD法などにより形成し、リフトオフを行うようにしてもよいし、支持基板1の上記一表面側の全面に絶縁層4をスパッタ法やCVD法などにより形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層4をパターニングするようにしてもよい。
Then, the structure shown in FIG.2 (d) is obtained by performing the insulating layer formation process which forms the insulating
上述の絶縁層形成工程の後、支持基板1の上記一表面側の全面に上部電極33の基礎となる第2の金属膜(例えば、Pt膜など)をスパッタ法やEB蒸着法やCVD法などにより形成する第2の金属膜形成工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2の金属膜をパターニングすることにより第2の金属膜の一部からなる上部電極33および配線34の一部を形成する第2の金属膜パターニング工程を行い、更にその後、配線34を低抵抗化するために支持基板1の上記一表面側の全面に第2の金属膜に比べて厚い金属層を積層して適宜パターニングする金属層パターニング工程を行うことによって、図2(e)に示す構造を得る。したがって、配線34は、第2の金属膜の一部と上記金属層の一部とで構成される。なお、第1の金属膜形成工程と圧電材料層形成工程との間に、圧電材料層32aの配向を制御するためのシード層としてSRO層を形成するシード層形成工程を設けることが望ましい。また、本実施形態では、上述の第1の金属膜形成工程から第2の金属膜パターニング工程までの工程により支持基板1の上記一表面側に共振子3を形成する共振子形成工程を構成している。
After the insulating layer forming step, a second metal film (for example, a Pt film) serving as the basis of the
上述の金属層パターニング工程の後、支持基板1の上記一表面側の全面に質量付加部35を形成する質量付加部形成工程を行うことによって、図2(f)に示す構造を得る。なお、質量付加部形成工程では、例えば、支持基板1の上記一表面側の全面に質量付加部35の基礎となる絶縁膜をスパッタ法やCVD法などにより形成してから、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁膜をパターニングすればよい。
After the above-described metal layer patterning step, a mass addition portion forming step for forming the
上述の質量付加部形成工程の後、支持基板1の上記一表面側の全面にレジスト層(以下、表面側レジスト層と称する)を形成するとともに支持基板1の他表面側にフォトリソグラフィ技術を利用して開孔部1a形成用にパターニングされたレジスト層(以下、裏面側レジスト層と称する)を形成し、支持基板1の上記他表面側から支持基板1のうち開孔部1aに対応する部分をエッチングすることで開孔部1aを形成する開孔部形成工程を行い、上記表面側レジスト層および上記裏面側レジスト層を除去するレジスト層除去工程を行うことによって、図2(g)に示す構造を得る。なお、本実施形態では、支持基板1としてMgO基板を用いているので、開孔部形成工程において支持基板1を燐酸溶液により異方性エッチングすることで開孔部1aを形成している。
After the mass addition portion forming step, a resist layer (hereinafter referred to as a surface side resist layer) is formed on the entire surface of the
上述のレジスト層除去工程の後、下部電極31における圧電層32側とは反対側の表面に補強部5を形成する補強部形成工程を行うことによって、図2(h)に示す構造のBAW共振装置を得る。ここにおいて、補強部形成工程では、電気めっき法により下部電極31の上記表面に補強部5を形成するようにしている。より具体的には、下部電極31の上記表面における補強部5の形成予定領域以外の露出領域および支持基板1の上記一表面側の全面をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により補強部5を形成し、その後、レジスト層を除去する。ここにおいて、電気めっき法により補強部5を形成するにあたっては、めっき液として硫酸銅めっき液を用い、支持基板1の上記他表面側に対向配置した銅板からなる陽極(図示せず)と下部電極31からなる陰極との間に通電して下部電極31における圧電層32側とは反対側の表面に補強部5を析出させる。なお、補強部5の形成方法は、電気めっき法に限らず、スパッタ法やCVD法などにより形成して、リフトオフを行うようにしてもよいし、下部電極31の上記表面側にレジスト層を形成せずにスパッタ法や蒸着法などにより補強部5を形成した後で、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングするようにしてもよい。
After the resist layer removing step described above, a BAW resonance having a structure shown in FIG. 2H is performed by performing a reinforcing portion forming step for forming the reinforcing
上述のBAW共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板1としてウェハを用いてウェハレベルで多数のBAW共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のBAW共振装置に分割するようにしている。
In manufacturing the above-described BAW resonator, a large number of BAW resonators are formed at the wafer level using a wafer as the above-described
以上説明した本実施形態のBAW共振装置の製造方法によれば、開孔部形成工程の後で電気めっき法により下部電極31の上記表面に補強部5を形成する補強部形成工程を備えているので、堅牢化および機械的品質係数の向上を図れるBAW共振装置を提供することができる。また、上述の製造方法によれば、補強部形成工程では、電気めっき法により下部電極31の上記表面に補強部5を形成するので、補強部5をスパッタ法や蒸着法などにより形成する場合に比べて、容易に厚く形成することができるから、低コストで堅牢化を図れる。また、補強部形成工程では、下部電極31の上記表面における補強部5の形成予定領域以外の露出領域をレジスト層により覆ってから、電気めっき法により補強部5を形成するので、補強部5の厚みを厚くしながらも補強部5を所望の形状に容易に形成することができる。
According to the manufacturing method of the BAW resonator of the present embodiment described above, the reinforcing portion forming step of forming the reinforcing
ところで、上述の図1に示したBAW共振装置は、支持基板1の上記一表面側に複数個の共振子3が形成され、当該複数個の共振子3に対して1つの開孔部1aが形成されているが、図3に示すように、1個の共振子3に対して1つの開孔部1aを形成するようにしてもよく、また、支持基板1の開孔部1a内で下部電極31における圧電層32側とは反対側の全面に補強部5を形成するようにしてもよい。
By the way, in the BAW resonance device shown in FIG. 1 described above, a plurality of
1 支持基板
1a 開孔部
3 共振子
4 絶縁層
5 補強部
31 下部電極
32 圧電層
33 上部電極
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US10554191B2 (en) | 2016-07-14 | 2020-02-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave filter device and method for manufacturing the same |
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