JP2010008461A - 液晶装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜時に成膜条件が変動することを防止して、良好な無機配向膜を成膜できるようにした液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室2と、成膜室2内にて基板Wに配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置3と、基板Wを保持して搬送する搬送ホルダー6と、基板Wの周辺にガスを噴出するガス噴出口6hと、を備え、ガス噴出口6hは、基板Wの搬送時に基板Wとの位置関係が一定となるように成膜室2内に移動可能に設けられていることを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】成膜室2と、成膜室2内にて基板Wに配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置3と、基板Wを保持して搬送する搬送ホルダー6と、基板Wの周辺にガスを噴出するガス噴出口6hと、を備え、ガス噴出口6hは、基板Wの搬送時に基板Wとの位置関係が一定となるように成膜室2内に移動可能に設けられていることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
この発明は、液晶装置の製造装置に関するものである。
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、表示画像を形成するようになっている。
ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。しかし、このようなラビング法は簡便であるものの、物理的にポリイミド膜をこすることでポリイミド膜に対して配向特性を付与するために、種々の不都合が指摘されている。具体的には、(1)配向性の均一さを確保することが困難であること、(2)ラビング処理時の筋跡が残り易いこと、(3)配向方向の制御およびプレチルト角の選択的な制御が可能ではなく、また広視野角を得るために用いられるマルチドメインを使用した液晶パネルには適さないこと、(4)ガラス基板からの静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊や、配向膜の破壊が生じ、歩留まりを低下させること、(5)ラビング布からのダスト発生による表示不良が発生しがちであること、などである。
また、このような有機物からなる配向膜では、液晶プロジェクタのような高出力光源を備えた機器に用いた場合、光エネルギーにより有機物がダメージを受けて配向不良を生じてしまう。特に、プロジェクタの小型化および高輝度化を図った場合には、液晶パネルに入射する単位面積あたりのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱でさらにその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性が低下してしまう。
そこで、このような不都合を解消するため、ターゲットから放出されるスパッタ粒子が1方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施することにより、基板に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成する方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。このような方法によれば、得られる無機配向膜は高い信頼性を有するものと期待されている。
特開2007−286401号公報
しかしながら、上記従来のスパッタ装置では、基板をスパッタ装置に対して相対的に移動させながら成膜を行うため、成膜条件が変動するという課題がある。
例えば成膜時には、基板を搬送手段により水平方向に搬送して、スパッタ粒子を放出するスパッタ装置の開口部上に基板を通過させて成膜する。このとき、成膜室内には、例えば酸素等のガスが導入される。また、スパッタ装置内部には、例えばアルゴン等のガスが導入される。そのため、搬送中の基板の位置によって、例えばスパッタ装置内部の酸素ガスの濃度が上昇したり、成膜室内の基板周辺の酸素濃度が低下したりする。このように、成膜時にスパッタ装置内部や基板周辺のガス濃度等の成膜条件が変動すると、基板に成膜された無機配向膜の膜質が不均一になる。
例えば成膜時には、基板を搬送手段により水平方向に搬送して、スパッタ粒子を放出するスパッタ装置の開口部上に基板を通過させて成膜する。このとき、成膜室内には、例えば酸素等のガスが導入される。また、スパッタ装置内部には、例えばアルゴン等のガスが導入される。そのため、搬送中の基板の位置によって、例えばスパッタ装置内部の酸素ガスの濃度が上昇したり、成膜室内の基板周辺の酸素濃度が低下したりする。このように、成膜時にスパッタ装置内部や基板周辺のガス濃度等の成膜条件が変動すると、基板に成膜された無機配向膜の膜質が不均一になる。
そこで、この発明は、成膜時に成膜条件が変動することを防止して、良好な無機配向膜を成膜できるようにした液晶装置の製造装置を提供するものである。
上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、前記基板を保持して搬送する搬送ホルダーと、前記基板の周辺にガスを噴出するガス噴出口と、を備え、前記ガス噴出口は、前記基板の搬送時に前記基板との位置関係が一定となるように前記成膜室内に移動可能に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板を搬送ホルダーに保持して搬送する際に、基板とガス噴出口との相対位置関係を保持したまま、ガス噴出口から基板の周辺にガスを噴出させることができる。そのため、成膜室内における基板の位置に係わらず、基板の周辺の圧力やガス濃度を一定にすることができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板への無機配向膜成の膜時の成膜条件を安定させ、基板に良好な無機配向膜を成膜することができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記搬送ホルダーに設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板の搬送時に基板とガス噴出口との位置関係を一定にすることができる。また、ガス噴出口を基板と共に移動させる新たな移動手段を必要としない。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、製造装置の構成を簡略化して部品点数を削減し、製造装置の製造を容易にすることができる。また、製造装置の製造コストを削減することができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記基板の搬送方向の前方に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板の搬送方向前方から基板の周辺にガスを噴出させ、基板の周辺のガス濃度や圧力を一定にすることができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度の分布を均一化することができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記搬送方向の後方に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板の搬送方向後方から基板の周辺にガスを噴出させ、基板の周辺のガス濃度や圧力を一定にすることができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度や圧力の分布を均一化することができる。また、基板の搬送方向前方にもガス噴出口が設けられている場合には、基板の搬送方向の前後からそれぞれガスを噴出させて、基板上のガス濃度や圧力の分布をより均一化することができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記搬送方向の側方に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板の搬送方向側方から基板の周辺にガスを噴出させ、基板の周辺のガス濃度や圧力を一定にすることができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度や圧力の分布を均一化することができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記搬送方向の側方の両側に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板の搬送方向側方の両側の噴出口から基板の周辺にそれぞれガスを噴出させることができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板の搬送方向に交差する方向の基板上のガス濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記ガスを前記基板の外周に対して斜めに噴出するように設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、基板の搬送速度やガス噴出口と基板との位置に応じた最適な方向にガスを噴出することができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記搬送ホルダーの前記基板が保持される面の反対側に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、ガス噴出口から噴出されたガスは、搬送ホルダーの裏側から表側に回りこむようにして基板の周辺に到達する。この過程でガスは成膜室内に拡散される。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記基板の外周に沿って複数設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、複数のガス噴出口から基板の周辺にそれぞれガスを噴出させることができる。また、各々のガス噴出口のガスの噴出方向やガスの流量を調整することができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記ガス噴出口は、前記基板の外周に沿って延びる溝状に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、ガス噴出口から基板の周辺のより広い範囲にガスを噴出させることができる。したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、基板上のガス濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
<第一実施形態>
以下、図面を参照して本発明の第一実施形態について説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。また、以下では、基板の搬送方向をX方向、基板の成膜面に平行でX方向に直交する方向をY方向、基板の厚さ方向をZ方向とする直交座標系を用いて説明する。また、スパッタ粒子の放出方向をZa方向、スパッタ装置のターゲットに垂直な方向をXa方向としている。
以下、図面を参照して本発明の第一実施形態について説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。また、以下では、基板の搬送方向をX方向、基板の成膜面に平行でX方向に直交する方向をY方向、基板の厚さ方向をZ方向とする直交座標系を用いて説明する。また、スパッタ粒子の放出方向をZa方向、スパッタ装置のターゲットに垂直な方向をXa方向としている。
(液晶装置の製造装置)
図1(a)は本発明の第一実施形態に係る液晶装置の製造装置の概略構成図である。図1(b)は、スパッタ装置3をXa方向に観察した側面構成図である。
図1(a)に示すように、製造装置1は、液晶装置の構成部材となる基板W上にスパッタ法により無機配向膜を成膜する装置である。製造装置1は、基板Wを収容する真空チャンバーである成膜室2と、基板Wの表面に無機材料からなる配向膜をスパッタ法により形成するスパッタ装置3とを備えている。
図1(a)は本発明の第一実施形態に係る液晶装置の製造装置の概略構成図である。図1(b)は、スパッタ装置3をXa方向に観察した側面構成図である。
図1(a)に示すように、製造装置1は、液晶装置の構成部材となる基板W上にスパッタ法により無機配向膜を成膜する装置である。製造装置1は、基板Wを収容する真空チャンバーである成膜室2と、基板Wの表面に無機材料からなる配向膜をスパッタ法により形成するスパッタ装置3とを備えている。
スパッタ装置3は、そのプラズマ生成領域に放電用のアルゴンガスを流通させる第1のガス供給手段21を備えている。
成膜室2は、内部に収容された基板W上に飛来する配向膜材料と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガスを供給する第2のガス供給手段22を備えている。
成膜室2には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための排気制御装置20が配管20aを介して接続されている。また、成膜室2の図示下側の壁面から外側に突出するようにして、スパッタ装置3の接続部を成す装置接続部25が形成されている。
成膜室2は、内部に収容された基板W上に飛来する配向膜材料と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガスを供給する第2のガス供給手段22を備えている。
成膜室2には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための排気制御装置20が配管20aを介して接続されている。また、成膜室2の図示下側の壁面から外側に突出するようにして、スパッタ装置3の接続部を成す装置接続部25が形成されている。
装置接続部25は、成膜室2内部に収容される基板Wの成膜面法線方向(図示Z軸方向)と所定の角度(θ1)を成して斜め方向に延びて形成されている。また、装置接続部25は、その先端部に接続されるスパッタ装置3を基板Wに対して所定の角度で斜めに向けて配置することができるようになっている。
また実際の製造装置では、成膜室2の真空度を保持した状態での基板Wの搬入/搬出を可能とするロードロックチャンバーが、成膜室2のX軸方向外側に備えられている。ロードロックチャンバーにも、これを独立して真空雰囲気に調整する排気制御装置が接続されている。ロードロックチャンバーと成膜室2とは、チャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブを介して接続されている。かかる構成により、成膜室2を大気に解放することなく基板Wの出し入れを行えるようになっている。
成膜室2内には、基板Wをその被処理面(成膜面)が水平(XY面に平行)になるようにして保持する搬送ホルダー6が設けられている。
また、搬送ホルダー6には、搬送ホルダー6を図示略のロードロックチャンバー側からその反対側へ水平に搬送する移動手段6aが接続されている。移動手段6a及び搬送ホルダー6による基板Wの搬送方向は、図1においてX軸と平行でかつY軸と直交する方向である。
また、搬送ホルダー6には、搬送ホルダー6を図示略のロードロックチャンバー側からその反対側へ水平に搬送する移動手段6aが接続されている。移動手段6a及び搬送ホルダー6による基板Wの搬送方向は、図1においてX軸と平行でかつY軸と直交する方向である。
また、搬送ホルダー6には、第2のガス供給手段22が接続されている。搬送ホルダー6の内部には、第2のガス供給手段22から供給された酸素ガスを流通させるガス流路6gが設けられている。また、搬送ホルダー6の基板Wが保持された面には、基板Wの搬送方向の前方と後方に、それぞれガスノズル6nが設けられている。
ガスノズル6nはガス流路6gに接続され、ガス流路6gから供給された酸素ガスを噴出させて、矢印22fで示すように基板W上に流通させるように設けられている。
ガスノズル6nはガス流路6gに接続され、ガス流路6gから供給された酸素ガスを噴出させて、矢印22fで示すように基板W上に流通させるように設けられている。
また、搬送ホルダー6には、保持した基板Wを加熱するためのヒータ(加熱手段)7が設けられている。さらに、搬送ホルダー6には、保持した基板Wを冷却するための第3の冷却手段8cが設けられている。
ヒータ7は、電源等を具備した制御部7aに接続されている。そして、ヒータ7は、制御部7aを介した昇温動作により所望の温度に搬送ホルダー6を加熱し、これによって基板Wを所望の温度に加熱できるように構成されている。
一方、第3の冷却手段8cは、第3の冷媒循環手段18cと配管等を介して接続されている。そして、第3の冷却手段8cは、第3の冷媒循環手段18cから供給される冷媒を循環させることにより所望の温度に搬送ホルダー6を冷却し、これによって基板Wを所望の温度に冷却するように構成されている。
一方、第3の冷却手段8cは、第3の冷媒循環手段18cと配管等を介して接続されている。そして、第3の冷却手段8cは、第3の冷媒循環手段18cから供給される冷媒を循環させることにより所望の温度に搬送ホルダー6を冷却し、これによって基板Wを所望の温度に冷却するように構成されている。
スパッタ装置3は、2枚のターゲット5a、5bを対向配置してなる対向ターゲット型のスパッタ装置である。
第1のターゲット5aは略平板状の第1電極9aに装着され、第2のターゲット5bは略平板状の第2電極9bに装着されている。電極9a、9bに支持されたターゲット5a、5bは、基板W上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。またターゲット5a、5bは図示Y方向に延びる細長い板状のものが用いられており(図2参照)、互いの対向面がほぼ平行になるように設置されている。
第1のターゲット5aは略平板状の第1電極9aに装着され、第2のターゲット5bは略平板状の第2電極9bに装着されている。電極9a、9bに支持されたターゲット5a、5bは、基板W上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。またターゲット5a、5bは図示Y方向に延びる細長い板状のものが用いられており(図2参照)、互いの対向面がほぼ平行になるように設置されている。
第1電極9aには直流電源又は高周波電源からなる電源4aが接続され、第2電極9bには直流電源又は高周波電源からなる電源4bが接続されている。そして、各電源4a、4bから供給される電力によりターゲット5a、5bが対向する空間(プラズマ生成領域)にプラズマPzを発生させるようになっている。
第1電極9aのターゲット5aと反対側にはターゲット5aを冷却するための第1の冷却手段8aが設けられている。第1の冷却手段8aには、第1の冷媒循環手段18aが配管等を介して接続されている。
また第2電極9bのターゲット5bと反対側には、ターゲット5bを冷却するための第2の冷却手段8bが設けられている。第2の冷却手段8bには、配管等を介して第2の冷媒循環手段18bが接続されている。
また第2電極9bのターゲット5bと反対側には、ターゲット5bを冷却するための第2の冷却手段8bが設けられている。第2の冷却手段8bには、配管等を介して第2の冷媒循環手段18bが接続されている。
第1の冷却手段8aは、図1(b)に示すようにターゲット5aとほぼ同一の平面寸法に形成されている。また、第1の冷却手段8aは、図1(a)に示す第1電極9aを介してターゲット5aと平面視で重なる位置に配設されている。また特に図示はしないが、第2の冷却手段8bについても同様にターゲット5bと平面視で重なる位置に配設されている。冷却手段8a、8bは内部に冷媒を流通させる冷媒流路を備えており、かかる冷媒流路に対して冷媒循環手段18a、18bから供給される冷媒を循環させることでターゲット5a、5bの冷却を行うようになっている。
また、図1(b)に示すように、平面視矩形状の第1の冷却手段8aを取り囲むようにして矩形枠状の永久磁石、電磁石、これらを組み合わせた磁石等からなる第1の磁界発生手段16aが配設されている。図1(a)に示す第2の冷却手段8bを取り囲む第2の磁界発生手段16bも同様の形状である。
なお、冷却手段8a、8bは、導電部材により作製してそれぞれ第1電極9a、9bと電気的に接続してもよく、この場合には冷却手段8a、8bに対しそれぞれ電源4a、4bを電気的に接続することができる。また、第1電極9a、9bの内部に冷媒流路を形成することで第1電極9a、9bが冷却手段を兼ねる構成としてもよい。
なお、冷却手段8a、8bは、導電部材により作製してそれぞれ第1電極9a、9bと電気的に接続してもよく、この場合には冷却手段8a、8bに対しそれぞれ電源4a、4bを電気的に接続することができる。また、第1電極9a、9bの内部に冷媒流路を形成することで第1電極9a、9bが冷却手段を兼ねる構成としてもよい。
図2は、図1(a)に示すスパッタ装置3の構成を示す図である。図2(a)はスパッタ装置3を成膜室2側から見た平面図である。図2(b)は図2(a)におけるG−G’線に沿う矢視断面図である。
図1及び図2に示すように、第1電極9a及び第2電極9bは、それらの一端部(−Za側端部)に接続された側壁部材19と、第1電極9a及び第2電極9bのY軸方向両端部にそれぞれ接続された側壁部材9c、9dとともにスパッタ装置3の真空チャンバーとなる箱形筐体を構成している。ただし、箱形筐体を構成する第1電極9a、第2電極9b、及び側壁部材9c、9d、19は互いに絶縁された構造である。箱形筐体は、装置接続部25を介して成膜室2に接続されている。かかる接続構造により箱形筐体の内部は成膜室2の内部と連通している。
図1及び図2に示すように、第1電極9a及び第2電極9bは、それらの一端部(−Za側端部)に接続された側壁部材19と、第1電極9a及び第2電極9bのY軸方向両端部にそれぞれ接続された側壁部材9c、9dとともにスパッタ装置3の真空チャンバーとなる箱形筐体を構成している。ただし、箱形筐体を構成する第1電極9a、第2電極9b、及び側壁部材9c、9d、19は互いに絶縁された構造である。箱形筐体は、装置接続部25を介して成膜室2に接続されている。かかる接続構造により箱形筐体の内部は成膜室2の内部と連通している。
図1に示すように、ターゲット5a、5bに挟まれるプラズマ生成領域に対して成膜室2と反対側に配置された側壁部材19には、第1のガス供給手段21が接続されている。第1のガス供給手段21から供給されるアルゴンガスは、側壁部材19側からプラズマ生成領域(ターゲット対向領域)に流入し、装置接続部25を介して成膜室2内に流入するようになっている。
そして、成膜室2に流入したアルゴンガスは、矢印21fで示すように排気制御装置20側へ流れるようになっている。
そして、成膜室2に流入したアルゴンガスは、矢印21fで示すように排気制御装置20側へ流れるようになっている。
図1(a)に示すように、第1電極9aのターゲット5aと反対側に第1の磁界発生手段16aが配置され、第2電極9bのターゲット5bと反対側には第2の磁界発生手段16bが配置されている。また、図2(b)に示すように、第2の磁界発生手段16bは、矩形状のターゲット5bの外周端に沿って配置された矩形枠状であり、第1の磁界発生手段16aも同様である。
したがって、第1の磁界発生手段16aと第2の磁界発生手段16bとは、対向配置されたターゲット5a、5bの外周部で互いに対向して配置されている。そして、これらの磁界発生手段16a、16bがターゲット5a、5bを取り囲むXa方向の磁界をスパッタ装置3内に発生させ、かかる磁界によってプラズマPzに含まれる電子をプラズマ生成領域内に拘束する電子拘束手段を構成している。
図3(a)は搬送ホルダー6の近傍の拡大断面図である。図3(b)は、図3(a)のA−A’線に沿う矢視図である。
図3(a)に示すように、搬送ホルダー6の内部にはガスを流通させるガス流路6gが設けられ、ガス流路6gには第2のガス供給手段22から酸素ガスを供給するホース22hが接続されている。
図3(a)に示すように、搬送ホルダー6の内部にはガスを流通させるガス流路6gが設けられ、ガス流路6gには第2のガス供給手段22から酸素ガスを供給するホース22hが接続されている。
また、図3(a)及び図3(b)に示すように、搬送ホルダー6の基板Wが保持された面には、ガスノズル6nが設けられている。ガスノズル6nは、ガス流路6gに接続され、基板Wの周辺にガスを噴出するガス噴出口6hが設けられている。ガスノズル6nは、基板Wを搬送ホルダー6及び移動手段6aにより搬送する際に基板Wとガス噴出口6hとの位置関係が一定となるように、搬送ホルダー6に固定されている。
図3(b)に示すように、ガスノズル6nは、搬送ホルダー6の基板Wの搬送方向前方(+X側)に、基板Wの外周に沿って複数設けられ、ガス噴出口6hが基板Wに向くように固定されている。ガスノズル6nは、搬送ホルダー6の基板Wの搬送方向後方(−X側)にも、搬送方向前方のガスノズル6nと同様にガス噴出口6hを基板Wに向けて複数設けられている。これによりガスノズル6nは、第2のガス供給手段22から供給された酸素ガスを矢印22fで示すように基板Wの周辺に噴出して成膜室2内を流通させることができるようになっている。
製造装置1により液晶装置の構成部材である基板W上に無機配向膜を形成するには、図1に示す第1のガス供給手段21からアルゴンガスを導入しつつ、第1電極9a及び第2電極9bにDC電力(RF電力)を供給する。これにより、ターゲット5a、5bに挟まれる空間にプラズマPzを発生させ、プラズマ雰囲気中のアルゴンイオン等をターゲット5a、5bに衝突させる。そして、ターゲット5a、5bから配向膜材料(シリコン)をスパッタ粒子5pとしてたたき出す。さらにプラズマPzに含まれるスパッタ粒子5pのうち、プラズマPzから開口部3a側へ飛行するスパッタ粒子5pのみを選択的に成膜室2側へ放出する。そして、基板Wの面上に斜め方向から飛来したスパッタ粒子5pと、成膜室2を流通する酸素ガスとを基板W上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜を基板W上に形成するようになっている。
ここで、本実施形態の液晶装置の製造装置1では、ガス噴出口6hを備えたガスノズル6nが搬送ホルダー6に固定され、基板Wの搬送時にガス噴出口6hと基板Wとが一定の位置関係を保ったまま成膜室2内を移動可能に設けられている。そのため、基板Wを搬送ホルダー6に保持して搬送する際に、基板Wとガス噴出口6hとの相対位置関係を保持したまま、ガス噴出口6hから基板Wの周辺に酸素ガスを噴出させることができる。これにより、成膜室2内における基板Wの位置に係わらず、基板Wの周辺の圧力や酸素ガスの濃度を一定にすることができる。
また、基板Wに向けたガス噴出口6hから基板Wの周辺にのみ酸素ガスを噴出し、第1のガス供給手段21からスパッタ装置3の内部にアルゴンガスを供給して成膜室2内に流入させることで、酸素ガスがスパッタ装置3の内部に侵入することが防止される。これにより、スパッタ装置3内はアルゴンガスの濃度を略100%に維持することが可能となる。これにより、成膜条件が安定して無機配向膜の膜質を向上させることができるだけでなく、制御の容易なメタルモードのスパッタを維持することができる。
また、ガス噴出口6hを備えたガスノズル6nを搬送ホルダー6に設けることで、ガス噴出口6hと基板Wとの位置関係を従来よりも基板Wに近い位置に保ったまま、基板Wの周辺に酸素ガスを噴出することが可能となる。これにより、基板Wの周辺の酸素ガスがアルゴンガスによって希釈されることが防止され、基板Wの周辺の酸素ガスの濃度を略100%に維持することが可能になる。したがって、略100%のSiO2からなる良質な無機配向膜を形成することが可能になる。
また、ガス噴出口6hを備えたガスノズル6nを搬送ホルダー6に設けることで、ガス噴出口6hと基板Wとの位置関係を維持することができるだけでなく、ガス噴出口6hを基板Wと共に移動させる新たな移動手段を設ける必要が無くなる。したがって、製造装置1の構成を簡略化して部品点数を削減し、製造装置1の製造を容易にすることができる。また、製造装置1の製造コストを削減することができる。
また、ガス噴出口6hが基板Wの搬送方向前方(+X側)に設けられているので、基板Wの+X側から基板Wの周辺に酸素ガスを噴出させ、基板Wの周辺の酸素ガスの濃度や圧力を一定にすることができる。また、ガス噴出口6hが基板Wの搬送方向後方(−X側)にも設けられているので、基板Wの−X側から基板Wの周辺にガスを噴出させ、基板Wの周辺の酸素ガスの濃度や圧力を一定にすることができる。また、基板Wの搬送方向の前後からそれぞれガスを噴出させて、基板W上の酸素ガスの濃度や圧力の分布をより均一化することができる。
また、ガス噴出口6hは基板Wの外周に沿って複数設けられているので、複数のガス噴出口6hから基板Wの周辺にそれぞれ酸素ガスを噴出させることができる。また、各々のガス噴出口6hのガスの噴出方向やガスの流量を調整し、基板W上の酸素ガスの濃度や圧力の分布をより均一化することができる。
以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造装置1によれば、成膜室2内における基板Wの搬送位置に係わらず、基板Wの周辺の酸素ガスの濃度や圧力等の成膜条件が変動することを防止して、良好な無機配向膜を成膜することができる。
以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造装置1によれば、成膜室2内における基板Wの搬送位置に係わらず、基板Wの周辺の酸素ガスの濃度や圧力等の成膜条件が変動することを防止して、良好な無機配向膜を成膜することができる。
なお、本実施形態では、スパッタ粒子5pとしてのシリコンを、第2のスパッタガスである酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板W上に成膜する場合について説明しているが、ターゲット5a、5bとして例えばシリコン酸化物(SiOx)やアルミニウム酸化物(AlOy等)などを用い、ターゲット5a、5bに対してRF電力を入力してスパッタ動作を行うことで、これらシリコン酸化物やアルミニウム酸化物からなる無機配向膜を基板W上に形成することができる。またこの場合において、スパッタガス(酸素ガス)を成膜室2内に流通させておくことで、形成される無機配向膜の酸化物組成からのずれを防止することができ、無機配向膜の絶縁性を高めることができる。
また、対向ターゲット型のスパッタ装置3を基板Wに対して所定角度(θ1)傾けて配置しているので、スパッタ装置3の開口部3aから放出されるスパッタ粒子5pを所定角度で斜め方向から基板Wの成膜面に入射させることができる。そして、このようにして斜め方向から入射させたスパッタ粒子5pの堆積により、一方向に配向した柱状構造を具備した無機配向膜を基板W上に形成することができるようになっている。また、対向ターゲット型のスパッタ装置3では、開口部3aから放出されないスパッタ粒子は、主にターゲット5a、5bに入射して再利用されるため、極めて高いターゲット利用効率を得られるようになっている。さらにスパッタ装置3においては、ターゲット間隔を狭めることで開口部3aから放出されるスパッタ粒子5pの指向性を高めることができるので、基板Wに到達するスパッタ粒子5pの入射角は高度に制御されたものとなり、形成される無機配向膜における柱状構造の配向性も良好なものとなる。
[液晶装置の製造方法]
次に、上記製造装置1を用いた液晶装置の製造方法(基板W上に無機配向膜を形成する工程)について説明する。
まず、基板Wとして、液晶装置用基板としてスイッチング素子や電極等、所定の構成部材が形成された基板を用意する。次いで、基板Wを成膜室2に併設されたロードロックチャンバー内に収容し、ロードロックチャンバー内を減圧して真空状態とする。また、これとは別に、排気制御装置を作動させて成膜室2内を所望の真空度に調整しておく。
次に、上記製造装置1を用いた液晶装置の製造方法(基板W上に無機配向膜を形成する工程)について説明する。
まず、基板Wとして、液晶装置用基板としてスイッチング素子や電極等、所定の構成部材が形成された基板を用意する。次いで、基板Wを成膜室2に併設されたロードロックチャンバー内に収容し、ロードロックチャンバー内を減圧して真空状態とする。また、これとは別に、排気制御装置を作動させて成膜室2内を所望の真空度に調整しておく。
続いて、基板Wを成膜室2内に搬送し、搬送ホルダー6にセットする。そして、配向膜形成の前処理として、搬送ホルダー6のヒータ7によって基板Wを例えば250℃〜300℃程度で加熱し、基板Wの表面に付着した吸着水やガスなどの脱水・脱ガス処理を行う。次いで、ヒータ7による加熱を停止した後、スパッタリングによる基板温度の上昇を抑制するため、冷媒循環手段18cを作動させて冷却手段8cに冷媒を循環させることで基板Wを所定温度、例えば室温に保持する。
次に、アルゴンガスを第1のガス供給手段21からスパッタ装置3内に所定流量で導入し、酸素ガスを第2のガス供給手段22から所定流量で供給して搬送ホルダー6のガスノズル6nから噴出させて成膜室2内に導入する。それとともに、排気制御装置20を作動させ、所定の操作圧力、例えば10−1Pa程度に調整する。酸素ガスプラズマでは酸素ラジカル、酸素の負イオンが発生するため、本実施形態の製造装置1では、プラズマ生成領域であるターゲット5a、5bの前面にはアルゴンガスのみを導入し、酸素ガスは別系統のガス供給路から基板W上へ噴出させている。また、成膜中にも必要に応じてヒータ7、冷却手段8cを作動させることにより、基板Wを室温に保持することが好ましい。
その後、このような成膜条件のもとで、移動手段6aにより基板Wを図1中のX方向に所定の速度で移動させ、スパッタ装置3によるスパッタリングを行う。すると、ターゲット5a、5bからは、配向膜材料となるスパッタ粒子(シリコン)が放出されるが、対向ターゲット型のスパッタ装置3では、ターゲット対向方向に進行するスパッタ粒子はプラズマPz内に閉じ込められ、ターゲット面方向の開口部3aに向かって進行するスパッタ粒子5pのみが開口部3aから成膜室2内に放出され、進行方向を規制されたスパッタ粒子5pのみが基板W上に入射するようになる。
スパッタ粒子5pは、装置接続部25に臨む基板Wの成膜面に対してのみ選択的に入射、基板W上で酸素ガスと反応してシリコン酸化物の被膜を形成する。このように基板Wに対して斜めに傾けて配置されたスパッタ装置3から放出され、さらに基板Wに対してスパッタ装置3と同様に斜めに傾けて配置された装置接続部25を通過したスパッタ粒子5pは、基板Wの成膜面に対して所定の角度、すなわち前記θ1で入射するようになる。その結果、基板W上で酸素ガスとスパッタ粒子5pとの反応を伴って堆積した無機配向膜は、前記の入射角θ1に対応した角度で傾斜する柱状構造を有した無機配向膜となる。
このように、製造装置1により基板W状に形成される無機配向膜は所望の角度で傾斜した柱状構造を有する無機配向膜であり、この配向膜を備えてなる液晶装置は、かかる無機配向膜によって液晶のプレチルト角を良好に制御することがでるものとなる。
また、基板Wの搬送位置にかかわらず、基板Wの周囲の圧力及びガス濃度等の成膜条件が安定する。これにより、良好な膜質の無機配向膜を成膜することができる。
また、基板Wの搬送位置にかかわらず、基板Wの周囲の圧力及びガス濃度等の成膜条件が安定する。これにより、良好な膜質の無機配向膜を成膜することができる。
以上の工程により基板W上に無機配向膜を形成したならば、別途製造した他の基板とシール材を介して貼り合わせ、基板間に液晶を封入することで液晶装置を製造することができる。なお、本発明に係る液晶装置の製造方法において、無機配向膜の形成工程以外の製造工程については公知の製造方法を適用することができる。
<第二実施形態>
次に、本発明の第二実施形態について、図1(a)〜図3(a)を援用し、図4を用いて説明する。本実施形態では、搬送ホルダーの基板の搬送方向の側方にもガス噴出口が設けられている点で上述の第一実施形態と異なっている。その他は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
次に、本発明の第二実施形態について、図1(a)〜図3(a)を援用し、図4を用いて説明する。本実施形態では、搬送ホルダーの基板の搬送方向の側方にもガス噴出口が設けられている点で上述の第一実施形態と異なっている。その他は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
図4は、図3(a)のA−A’線に沿う矢視図に相当する本実施形態の搬送ホルダー6Bの平面図である。
図4に示すように、ガスノズル6nは、第一実施形態と同様に搬送ホルダー6Bの基板Wの搬送方向前方(+X側)及び搬送方向後方(−X側)の双方に、基板Wの外周に沿って複数設けられている。
図4に示すように、ガスノズル6nは、第一実施形態と同様に搬送ホルダー6Bの基板Wの搬送方向前方(+X側)及び搬送方向後方(−X側)の双方に、基板Wの外周に沿って複数設けられている。
また、ガスノズル6nは、基板Wに対して基板Wの搬送方向の側方(Y方向)にも、基板Wの外周に沿って複数設けられ、ガス噴出口6hを基板Wに向けて固定されている。ガスノズル6nは、基板Wの+Y側と−Y側の両側に設けられ、それぞれガス噴出口6hを基板Wに向けて固定されている。
また、ガスノズル6nは、搬送ホルダー6Bの角部の各々にも設けられ、酸素ガスを基板Wの外周に対して斜めに噴射するように、ガス噴出口6hを基板Wの中央部に向けて固定されている。
また、ガスノズル6nは、搬送ホルダー6Bの角部の各々にも設けられ、酸素ガスを基板Wの外周に対して斜めに噴射するように、ガス噴出口6hを基板Wの中央部に向けて固定されている。
搬送ホルダー6Bを備えた本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、基板WのY方向に設けられたガスノズル6nのガス噴出口6hから基板Wの周辺にガスを噴出させ、基板Wの周辺のガス濃度や圧力を一定にすることができる。また、基板Wの+Y側及び−Y側のガスノズル6nのガス噴出口6hから基板Wの周辺にそれぞれ酸素ガスを噴出させることができる。また、基板Wの外周に対して斜めにガスを噴出すように設けられたガスノズル6nは、ガスの噴出角度を調整することで、基板Wの搬送速度やガス噴出口6hと基板Wとの位置に応じた最適な方向にガスを噴出することができる。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、第一実施形態と同様の効果が得られるだけでなく、基板W上の酸素ガスの濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、第一実施形態と同様の効果が得られるだけでなく、基板W上の酸素ガスの濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
<第三実施形態>
次に、本発明の第三実施形態について、図1(a)〜図3(a)を援用し、図5を用いて説明する。本実施形態では、搬送ホルダーの基板を保持する面とは反対側にガス噴出口が設けられている点で上述の第一実施形態と異なっている。その他は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
次に、本発明の第三実施形態について、図1(a)〜図3(a)を援用し、図5を用いて説明する。本実施形態では、搬送ホルダーの基板を保持する面とは反対側にガス噴出口が設けられている点で上述の第一実施形態と異なっている。その他は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
図5は、基板Wが保持された面の反対側から見た本実施形態の搬送ホルダー6Cの平面図である。
図5に示すように、ガス噴出口6hを備えたガスノズル6nは、搬送ホルダー6Cの基板Wが保持される面の反対側に設けられている。ガスノズル6nは、ガス噴出口6hが基板Wの搬送方向前方(+X側)を向くように搬送ホルダー6Cに固定されている。
図5に示すように、ガス噴出口6hを備えたガスノズル6nは、搬送ホルダー6Cの基板Wが保持される面の反対側に設けられている。ガスノズル6nは、ガス噴出口6hが基板Wの搬送方向前方(+X側)を向くように搬送ホルダー6Cに固定されている。
搬送ホルダー6Cを備えた本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、ガス噴出口6hから噴出された酸素ガスは、搬送ホルダー6Cの裏側から表側(基板Wが保持された側)に回りこむようにして基板Wの周辺に到達する。この過程で酸素ガスは成膜室2内に拡散される。したがって、本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、基板W上の酸素ガスの濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
<第四実施形態>
次に、本発明の第四実施形態について、図1(a)〜図3(a)を援用し、図6を用いて説明する。本実施形態では、基板の周囲に溝状のガス噴出口が形成されている点で上述の第一実施形態と異なっている。その他は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
次に、本発明の第四実施形態について、図1(a)〜図3(a)を援用し、図6を用いて説明する。本実施形態では、基板の周囲に溝状のガス噴出口が形成されている点で上述の第一実施形態と異なっている。その他は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
図6は、図3(a)のA−A’線に沿う矢視図に相当する本実施形態の搬送ホルダーの平面図である。
図6に示すように、搬送ホルダー6Dには、基板Wの外周に沿って延びる溝状のガス噴出スリット(ガス噴出口)6sを備えたガス噴出部6Nが設けられている。ガス噴出部6Nは、上述の実施形態で説明したガスノズル6nと同様の断面構造を有し、図3に示すように、ガス流路6gに接続されている。
図6に示すように、搬送ホルダー6Dには、基板Wの外周に沿って延びる溝状のガス噴出スリット(ガス噴出口)6sを備えたガス噴出部6Nが設けられている。ガス噴出部6Nは、上述の実施形態で説明したガスノズル6nと同様の断面構造を有し、図3に示すように、ガス流路6gに接続されている。
搬送ホルダー6Cを備えた本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、ガス噴出スリット6sから基板Wの周辺のより広い範囲に酸素ガスを噴出させることができる。したがって、本実施形態の液晶装置の製造装置によれば、基板W上の酸素ガスの濃度や圧力の分布をより均一にすることができる。
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、ガス噴出口は、基板との位置関係を一定にすることができれば、搬送ホルダーに設けられていなくても良い。例えば、搬送ホルダーの側方に搬送ホルダーとは別の移動手段を設け、その移動手段によりガス噴出口を基板Wとともに移動させても良い。
また、上述の実施の形態ではガス噴出口を複数設ける場合について説明したが、ガス噴出口は一つであってもよい。
また、ガス噴出口からのガスの噴出方向が可変となる機構を設けてもよい。例えばノズルを回転させるノズル回転機構を設けることができる。
また、ガス噴出口はガスノズルではなく、搬送ホルダーに直接設けてもよい。
また、スパッタ装置は基板の成膜面に対して垂直であってもよい。
また、上述の実施の形態ではガス噴出口を複数設ける場合について説明したが、ガス噴出口は一つであってもよい。
また、ガス噴出口からのガスの噴出方向が可変となる機構を設けてもよい。例えばノズルを回転させるノズル回転機構を設けることができる。
また、ガス噴出口はガスノズルではなく、搬送ホルダーに直接設けてもよい。
また、スパッタ装置は基板の成膜面に対して垂直であってもよい。
1 製造装置、2 成膜室、3 スパッタ装置、6,6B,6C,6D 搬送ホルダー、6h ガス噴出口、6s ガス噴出スリット(ガス噴出口)、W 基板、X 搬送方向
Claims (10)
- 対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、前記基板を保持して搬送する搬送ホルダーと、前記基板の周辺にガスを噴出するガス噴出口と、を備え、
前記ガス噴出口は、前記基板の搬送時に前記基板との位置関係が一定となるように前記成膜室内に移動可能に設けられていることを特徴とする液晶装置の製造装置。 - 前記ガス噴出口は、前記搬送ホルダーに設けられていることを特徴とする請求項1記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記基板の搬送方向の前方に設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記搬送方向の後方に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記搬送方向の側方に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記基板に対して前記搬送方向の側方の両側に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記ガスを前記基板の外周に対して斜めに噴出するように設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記搬送ホルダーの前記基板が保持される面の反対側に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記基板の外周に沿って複数設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
- 前記ガス噴出口は、前記基板の外周に沿って延びる溝状に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
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