JP2010008082A - Multiphoton excitation measuring instrument - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、多光子吸収現象を用いて観察対象の測定を行う多光子励起測定装置に関するものである。 The present invention relates to a multiphoton excitation measurement apparatus that measures an observation target using a multiphoton absorption phenomenon.
近年、生命科学の先端研究分野等では、生体等の標本のより深部を観察したいという要請が高まっている。多光子吸収現象を用いた多光子励起測定装置の一例としての多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムは、組織透過性の高い長波長のレーザ光を使用するので、従来使用されている共焦点レーザ顕微鏡と比べて、生体標本の深部を観測するのに適している。 In recent years, in the advanced research field of life science and the like, there is an increasing demand for observing a deeper part of a specimen such as a living body. The multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system, which is an example of a multiphoton excitation measurement apparatus using the multiphoton absorption phenomenon, uses a long-wavelength laser beam with high tissue permeability, so that a confocal laser conventionally used Compared to a microscope, it is suitable for observing deep parts of biological specimens.
多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムにより試料の表層部から深層部まで異なる深さにおける画像データを取得するには、試料への入射光の光軸に垂直な平面であるXY平面に対して入射光の集光点を走査しつつ、該試料からの反射光又は透過光を検出することによってXY方向の2次元平面の画像データを取得し、上記入射光の集光点を光軸と平行な方向であるZ軸方向に変化させて、試料から発生する信号光を観察する。 In order to acquire image data at different depths from the surface layer to the deep layer of the sample using a multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system, it is incident on the XY plane, which is a plane perpendicular to the optical axis of the incident light on the sample. By scanning the light condensing point and detecting reflected light or transmitted light from the sample, image data of a two-dimensional plane in the XY direction is acquired, and the condensing point of the incident light is parallel to the optical axis. The signal light generated from the sample is observed while changing in the direction of the Z axis.
ところで、上述のようにZ軸方向に集光位置を変えた場合、励起光パルスは試料の表面から深部に至る際に散乱・吸収を受けるため、試料の表面と同一の多光子励起を行うことはできない。また、得られる画像も、表層部からの深さが深くなるに従い、試料から発する蛍光が散乱や吸収を受けるために輝度が低下してしまうという現象が生じる。そのため、集光位置の試料表層部からの深さに応じて、レーザ光の光強度を変化させることや、単位時間当たりに照射する光パルス数を変化させることによって、輝度を均一化する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 By the way, when the condensing position is changed in the Z-axis direction as described above, the excitation light pulse is scattered and absorbed when it reaches the deep part from the surface of the sample, so that the same multiphoton excitation as the surface of the sample is performed. I can't. In addition, in the obtained image, as the depth from the surface layer portion becomes deeper, a phenomenon occurs in which luminance decreases because fluorescence emitted from the sample is scattered and absorbed. Therefore, there is a method to make the luminance uniform by changing the light intensity of the laser light or changing the number of light pulses irradiated per unit time according to the depth from the sample surface layer portion at the condensing position. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
図13は、特許文献1に記載された多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムの概略構成図を示している。この多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム101では、超短パルスレーザと音響光学素子(AOM)とを備える光源装置102から出射した光パルスが、2次元走査機構103、ミラー104を経由して、対物レンズ105により試料107内の集光点に集光する。ここで、光源装置102の超短パルスレーザは、所定の繰返し周波数で光パルス列を発振する。
FIG. 13 shows a schematic configuration diagram of the multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system described in
また、AOMはこの光パルス列の一部の透過を抑止して単位時間当たりのパルス数を変化させる、あるいは、強度変調を行う機能を有する。さらに、2次元走査機構103は、試料内の集光点を入射する光パルスの光軸と垂直な2次元平面、すなわちXY平面内で走査可能としている。対物レンズ105には、この対物レンズ105を試料107に対してZ方向に変位させるためのZ軸方向駆動部106が接続されている。
Further, the AOM has a function of suppressing the transmission of a part of the optical pulse train to change the number of pulses per unit time or performing intensity modulation. Further, the two-
さらに、この多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム101は、モニタ113が接続されたコンピュータ108を備えている。このコンピュータ108は、走査制御装置110を介してZ軸方向駆動部106および2次元走査機構103を制御し、且つ、レーザ制御装置109、レーザパワーコントローラ111を介して光源装置102内のAOMを制御することができる。
Furthermore, the multiphoton excitation laser scanning
このような構成により、この多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム101の使用者は、モニタ113の表示を参照しつつコンピュータ8を介して以下の操作を行う、すなわち、Z軸方向駆動部106により対物レンズ105を移動させることにより、試料107内の光パルスの集光点を観測したい領域のうち最も深い位置に移動させる。そして、図示しない多光子励起により発生した蛍光の可視化装置により蛍光の輝度を確認し、この輝度が充分な強さとなるように、AOMによる強度変調度または単位時間当たりの照射光パルス数を調整する。次に、試料107の最表面に光パルスの集光点を移動させて、上記と同様に、強度変調度、または、照射光パルス数を調整して、多光子励起により発生した蛍光の輝度が、上記の、最も深い位置における輝度と同等の明るさとなるよう調整する。
With such a configuration, the user of the multiphoton excitation laser scanning
そしてこの調整結果は、レーザ制御装置109内のメモリ装置112に、試料107内の集光点のZ軸方向の位置(以下、Z軸位置とも呼ぶ)およびAOM設定値のテーブルとして記憶される。次に、使用者がZ軸方向の観測したい最表面と最深部とその間の分割数を設定し測定をスタートさせると、設定した分割数に応じて分割された各Z軸位置に応じて、Z軸方向駆動部106が対物レンズ105を移動させる。これと略同時に、レーザ制御装置109は、メモリ装置112のテーブルを参照してAOMの強度変調度あるいは照射パルス数を設定して観察を行う。これによって、輝度が均一で見やすい画像が得られるようになっている。
The adjustment result is stored in the
しかしながら、上記特許文献1に記載された多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムでは、試料の深部を測定する場合、AOMを用いて超短パルスレーザの光パルス列の透過率を高める(変調度を低くする)か、あるいは、単位時間当たりの光パルス数を増加させるので、試料に照射されるレーザ光の平均光強度が増大する。このため、例えば、生細胞などの試料が過剰に過熱されて損傷してしまう虞がある。
However, in the multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system described in
なお、2次元走査機構103により、光を偏向して試料を2次元走査する場合には、対物レンズの光軸から離れるに従って、対物レンズの収差等の影響により集光点が大きくなり、蛍光の輝度の低下が生じることになるが、従来はこの点については、着目されていない。これを解決する手段として試料の外周部の光パルス列の透過率を高めるか単位時間当たりの光パルス数を増加させると、上記と同様の問題が発生する。
Note that when the sample is two-dimensionally scanned by deflecting light by the two-
したがって、これらの点に着目してなされた本発明の目的は、光パルスによる加熱により試料を損傷することなく、観測点の位置に依存せず略等しい輝度の画像を得ることができる多光子励起測定装置を提供することにある。 Therefore, the purpose of the present invention, which has been focused on these points, is the multi-photon excitation that can obtain an image with substantially the same brightness without depending on the position of the observation point without damaging the sample by heating with the light pulse. It is to provide a measuring device.
上記目的を達成する請求項1に記載の多光子励起測定装置の発明は、高強度の光パルスによる多光子吸収現象を用いて試料の測定を行う多光子励起測定装置であって、繰返し周波数が調整可能な光パルスを出射する短パルス光源と、前記短パルス光源から出射した光パルスを前記試料内の観測点に集光させて照射する照明光学系と、前記光パルスの照射により前記観測点から発生する多光子励起にともなう信号光を検出する検出器と、前記試料内の前記観測点の位置を変位させる観測点変位手段と、前記観測点変位手段による前記観測点の位置に応じて、前記短パルス光源から出射される前記光パルスの繰返し周波数を制御する制御手段と、前記検出器により検出された前記信号光による信号を情報化して表示する表示手段とを備えたことを特徴とするものである。
The invention of the multiphoton excitation measurement device according to
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の多光子励起測定装置において、前記短パルス光源は、出射する光パルスの強度の尖頭値を、前記繰返し周波数に応じて制御することを特徴とするものである。 According to a second aspect of the present invention, in the multiphoton excitation measurement apparatus according to the first aspect, the short pulse light source controls the peak value of the intensity of the emitted light pulse in accordance with the repetition frequency. It is a feature.
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の多光子励起測定装置において、前記短パルス光源は、平均光強度が略一定の光パルスを出射することを特徴とするものである。 According to a third aspect of the present invention, in the multiphoton excitation measurement apparatus according to the first or second aspect, the short pulse light source emits a light pulse having a substantially constant average light intensity. .
請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置において、前記短パルス光源は、パルス幅が略一定の光パルスを出射することを特徴とするものである。
The invention according to
請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置において、前記観測点変位手段は、前記照明光学系と前記試料とを前記照明光学系の光軸方向に相対的に変位させるように構成し、前記制御手段は、前記観測点変位手段による前記照明光学系の光軸と平行な方向における観測点の位置に応じて、前記短パルス光源から出射される前記光パルスの繰返し周波数を制御することを特徴とするものである。 According to a fifth aspect of the present invention, in the multiphoton excitation measurement apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the observation point displacing unit is configured to change the illumination optical system and the sample from the illumination optical system. The control unit is configured to relatively displace in the optical axis direction, and the control unit is configured to change the observation point from the short pulse light source according to the position of the observation point in a direction parallel to the optical axis of the illumination optical system. The repetition frequency of the emitted light pulse is controlled.
請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置において、前記観測点変位手段は、前記照明光学系の光軸に垂直な面内で、前記短パルス光源から出射した光パルスを2次元方向に偏向する2次元走査手段を有し、前記制御手段は、前記観測点変位手段による前記照明光学系の光軸と垂直な面内における観測点の位置に応じて、前記短パルス光源から出射される前記光パルスの繰返し周波数を制御することを特徴とするものである。
The invention according to
請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置において、前記短パルス光源は、光パルスを発生する光源と、該光源からの光パルスを増幅するファイバ増幅器とを有することを特徴とするものである。
The invention according to
請求項8に記載の発明は、前記短パルス光源は、請求項7に記載の多光子励起測定装置において、利得スイッチ半導体レーザを含んで構成されることを特徴とするものである。
The invention described in claim 8 is characterized in that the short-pulse light source is configured to include a gain-switched semiconductor laser in the multi-photon excitation measurement apparatus according to
請求項9に記載の発明は、前記短パルス光源は、請求項7に記載の多光子励起測定装置において、能動モードロックファイバリングレーザを含んで構成されることを特徴とするものである。
The invention according to
請求項10に記載の発明は、請求項1〜9のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置において、前記短パルス光源と前記照明光学系との間に、非線形パルス圧縮手段を備えたことを特徴とするものである。 A tenth aspect of the present invention is the multiphoton excitation measurement device according to any one of the first to ninth aspects, further comprising a nonlinear pulse compression means between the short pulse light source and the illumination optical system. It is characterized by this.
本発明によれば、観測点変位手段により設定された観測点の位置に応じて、光パルスの繰り返し周波数を調節するようにしたので、平均光強度が略一定である場合には、光パルスによる加熱のため試料を損傷することなく、光パルスの強度の尖頭値を変化させて、観測点の位置に依存せず略等しい輝度の画像を得ることができる。 According to the present invention, since the repetition frequency of the light pulse is adjusted according to the position of the observation point set by the observation point displacement means, when the average light intensity is substantially constant, By changing the peak value of the intensity of the light pulse without damaging the sample due to heating, it is possible to obtain an image having substantially the same brightness regardless of the position of the observation point.
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[第1実施の形態]
本発明による多光子励起測定装置の第一実施の形態を、図1〜図6を用いて詳細に説明する。なお、ここでは多光子励起測定装置として多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムを例として説明を行う。
[First embodiment]
A first embodiment of a multiphoton excitation measurement apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. Here, a multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system will be described as an example of the multiphoton excitation measurement apparatus.
図1は、本発明の第1実施の形態に係る多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムの概略構成図である。この多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1は、光パルスを出射してこの光パルスを空間伝播によりレーザ走査型顕微鏡4に供給する短パルス光源2、短パルス光源2から入射した光パルスにより試料6の多光子励起による蛍光の検出を行うレーザ走査型顕微鏡4、このレーザ走査型顕微鏡4に接続し、多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1全体の制御を行うとともに、レーザ走査型顕微鏡4からの信号を画像化するコンピュータ81、画像化した上記信号等を表示するモニタ82、コンピュータ81に接続されてコンピュータ81からの命令により短パルス光源2から出射する光パルスの繰り返し周波数を調節するレーザ制御装置83、多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1の使用者が、コンピュータ81に対して入力を行うためのインタフェース装置84とから構成される。ここで、コンピュータ81およびレーザ制御装置83は、制御手段を構成し、また、コンピュータ81とモニタ82は表示手段を構成する。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system according to the first embodiment of the present invention. The multi-photon excitation laser scanning
さらに、レーザ走査型顕微鏡4は、短パルス光源2から入射した光パルスを反射させるミラー41、ミラー41で反射された光を2次元走査させる2次元走査手段42、2次元走査手段42を出射した光パルスを集光して中間像を結像させる瞳投影レンズ43、中間像を結像した光パルスを略平行光にする結像レンズ44、結像レンズ44を出射した略平行光を試料6に集光させる対物レンズ45、および、試料6を載置するステージ7を含んで構成する。ここで、2次元走査手段42は、例えば互いに直交する2本の軸線回りに揺動する2枚のガルバノミラーを近接配置した、いわゆる近接ガルバノミラーにより構成する。また、ステージ7は、試料6を載置するステージ上面を入射する光パルスの光軸方向(Z軸方向)に変位させて対物レンズ45との相対距離を変化させるための駆動機構を備える。以上の構成において、瞳投影レンズ43、結像レンズ44、および対物レンズ45は、照明光学系を形成している。また、2次元走査手段42およびステージ7は、観測点の位置を変位させる観測点変位手段である。
Further, the
ここで試料6は、例えば、蛍光タンパクが発現した生細胞である。この試料に光パルスを集光すると、蛍光タンパクが多光子吸収により励起され、信号光である蛍光を発する。この多光子吸収過程は非線型過程であり、蛍光強度は、2光子励起の場合、励起光パルスの平均光強度の2乗に比例し、光パルスの時間幅と繰返し周波数に反比例する。
Here, the
また、レーザ走査顕微鏡4は、結像レンズ44と対物レンズ45との間に配置され、入射光パルスを透過させ、入射光パルスの光路と逆方向に伝播する蛍光を反射させて、入射光パルスと蛍光とを波長によって分離するダイクロイックミラー46と、ダイクロイックミラー46で反射した蛍光を集光させる集光レンズ47と、この集光レンズ47による集光点で蛍光を検出して電気信号に変換する検出器48とを更に備える。ここで、ダイクロイックミラー46は、入射光パルスおよび光パルスの試料6による反射光を透過させ、多光子励起により発生する蛍光を反射させる反射、透過特性を有する。
The
さらに、レーザ走査顕微鏡4は、コンピュータ81と接続された外部入出力装置49を含んで構成される。この外部入出力装置49は、2次元走査手段42およびステージ7と電気的に接続されており、コンピュータ81からの指令により2次元走査手段42およびステージ7の動作を制御するとともに、検出器48とも電気的に接続され、この検出器48から出力された電気信号を蓄積し、および、コンピュータ81に送信できるように構成されている。
Further, the
次に短パルス光源2の詳細について説明する。図2は、短パルス光源2の概略構成図である。短パルス光源2は、数百から数千ピコ秒幅の電気パルスを発生させる電気パルス発生器21、この電気パルスにより流入する電流によって利得が瞬間的に発生消滅する、いわゆる利得スイッチ動作により短波長から長波長へと時間的にチャープした数十ピコ秒幅の光パルスを発生させる半導体レーザ22、半導体レーザ22から出射した光パルスを伝播させる、例えば、長さ約1kmのシングルモード光ファイバ23、シングルモード光ファイバ23から出射した光パルスを数十mWから数Wの平均光強度(平均出力)に増幅する二つのファイバ増幅器24、25を含んで構成する。
Next, details of the short pulse
電気パルス発生器21はレーザ制御装置83と電気的に接続されており、図1のコンピュータ81からの指令を受けたレーザ制御装置83からのパルス繰返し周波数(パルス間隔時間)の指令により、電気パルスの繰返し周波数が、1MHzから200MHz(パルス間隔に換算して5nsから1μs)の範囲で、随時変更可能である。
The
半導体レーザ22はVCSEL(面発光レーザ)を使用し、また、光パルスの波長は試料6の多光子励起に適した波長であれば良く、可視から近赤外や赤外光までの波長が使用可能であるが、本実施の形態では近赤外の980nm帯を用いる。
The
シングルモード光ファイバ23は、正の群速度分散(GVD)を有し、これによってこのシングルモード光ファイバ23を伝播する光パルスの長波長側が短波長側より速く光ファイバを伝播してチャープが補正される。光パルスの時間幅とその波長の拡がり幅(光スペクトル幅)との積には、限界となる最小値であるトランスフォームリミット(TL)を有することが知られている。すなわち、より短い時間幅の光パルスを得るためにはより広い光スペクトル幅が必要となる。VCSELの光スペクトル幅は1nm程度なので、TLな光パルスの時間幅は3psから5ps程度となる。シングルモード光ファイバ23は、光パルスを数ピコ秒幅のTLな光パルスに変換する。
The single-mode
ファイバ増幅器24、25は、図示しない半導体レーザで励起されるYbがドープされたシングルクラッド光ファイバである。このファイバ増幅器24、25は飽和出力動作の状態となっており、すなわち、入射する光パルスの繰返し周波数によらず略一定の平均光強度(平均出力)の光パルスを出力する。
The
なお、短パルス光源2には、各光学素子の接続に適宜偏波保持光ファイバが使用され、偏波による動作の不安定を抑制する。また、反射光による半導体レーザ22やファイバ増幅器24、25の損傷を防ぐための光アイソレータや、最適な光スペクトル波形を得るための光フィルタが挿入されている。
In the short pulse
図3は、短パルス光源2から出射する光パルスの繰返し周波数と平均光強度、パルス幅、光パルスの強度の尖頭値であるピーク光強度の関係を示すグラフである。ファイバ増幅器24、25の特性により、平均光強度は繰返し周波数の変化に対して略一定である。また、パルス幅(光パルスの時間幅)も繰返し周波数の変化に対して略一定である。パルス幅および平均出力が一定であれば、先に説明したように、多光子励起による蛍光強度は、光パルスの時間幅に反比例する。したがって、繰返し周波数が下がると光パルス当たりのエネルギーは大きくなり、ピーク光強度が高くなることになる。すなわち、ピーク光強度は繰返し周波数に対して反比例の関係となる。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the repetition frequency of the light pulse emitted from the short pulse
図4は、短パルス光源2から出射する光パルスについて繰返し周波数に対するパルス波形の差異を説明するグラフである。図4において、横軸は時間であり縦軸は光強度である。グラフは、それぞれ繰返し周波数fpがA、2A、3A、4Aの場合の光パルス波形を示している。繰返し周波数(fp)が4A、3A、2A、Aと低くなるにつれて、各光パルスのピーク光強度は高くなる。すなわち、短パルス光源2は、光パルスの繰返し周波数を変更することで、平均照射エネルギー(平均光強度)を変えずに、ピーク光強度を変化させることができる。
FIG. 4 is a graph for explaining the difference in the pulse waveform with respect to the repetition frequency for the optical pulse emitted from the short pulse
本実施の形態の多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1は、観測点のZ軸方向の位置変化に応じて光パルスの繰返し周波数を変化させることにより、試料6の複数のZ軸位置で輝度が略均一となるようにして、XY平面の観測画像を得るようにしたものである。以下に、図1、図5、図6を用いてその動作を説明する。
The multiphoton excitation laser scanning
図5は、本実施の形態の多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1を用いた、顕微鏡観測の手順を示すフローチャートである。この手順は、観測に先立ってZ軸位置に応じた光パルスの繰返し周波数の情報設定を行うための設定段階(ステップS1〜S8)、および、この設定された情報に基づいて観測を行う観測段階(ステップS9〜S15)を含む。
FIG. 5 is a flowchart showing a procedure for microscopic observation using the multiphoton excitation laser scanning
まず、設定段階において、使用者は、図1の試料6をステージ7に載置して、ステージ7上面のZ軸位置を調整して、光パルスの集光点が試料6の最表面に位置するようにする(ステップS1)。このZ軸方向の調整は、使用者が、モニタ82に表示される入力用画面を参照しつつ、例えばキーボードやマウス等のインタフェース装置84を介して、数値情報あるいは微動指令をコンピュータ81に入力すること等により行う。数値情報または微動指令の入力を受けたコンピュータ81は、レーザ走査型顕微鏡4の外部入出力装置49を介してステージ7の駆動機構を動作させて、ステージ7のZ軸位置を調整する。
First, in the setting stage, the user places the
次に、使用者は、繰返し周波数の調整を以下の要領で行う(ステップS2)。まず、使用者は、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に2次元レーザ走査とモニタ82への画像表示を指示する。この指示を受けたコンピュータ81は、レーザ走査型顕微鏡4の外部入出力装置49を介して、2次元走査手段42を駆動させ、試料6の最表面であるXY平面上でレーザ光の光パルスの集光点を走査させる。これによって、光パルスの集光点では、2光子吸収により励起された蛍光が発生する。この蛍光は対物レンズ45を経てダイクロイックミラー46で反射され、集光レンズ47を透過して検知器48で検出されて電気信号に変換され、外部入出力装置49でデジタル数値化されてコンピュータ81に送信される。コンピュータ81では、集光点の現在のXY平面での走査位置情報と検知器48で検出された蛍光による電気信号とから所定の観察面の2次元画像を構成し、モニタ82に表示する。
Next, the user adjusts the repetition frequency in the following manner (step S2). First, the user instructs the
使用者は、最適な画像輝度となる繰返し周波数を探して設定するために、モニタ82に表示される画像を見ながら、光パルスの繰返し周波数を順次変更する。この、繰返し周波数の変更は、上記と同様にインタフェース装置84を介してコンピュータ81に数値情報あるいは微変動指令を入力することによって行う。コンピュータ81は、入力された数値情報または微変動情報に応じて、レーザ制御装置83に繰返し周波数の変更の命令を送信する。レーザ制御装置83は、図2に示した短パルス光源2の電気パルス発生器21を制御して、短パルス光源2から出射する光パルスの繰返し周波数を所望の繰返し周波数に変更する。
The user sequentially changes the repetition frequency of the light pulse while looking at the image displayed on the
前述のように、短パルス光源2は、繰返し周波数によらず略一定の平均光強度の光パルスを出力する一方、ピーク光強度は繰返し周波数に対して反比例の関係にある。このため、繰返し周波数を下げるとピーク光強度が高くなり、試料6においてより多くの多光子励起による蛍光が発生する。このため、コンピュータ81が処理してモニタ82に表示する画像の輝度も高くなる。使用者は、このような繰返し周波数の変更による画像の輝度の変化を観察し、例えば画像のコントラストなどの点で、最適な画像が得られる繰返し周波数を見つけて設定する。
As described above, the short pulse
使用者が最適な繰返し周波数を設定すると、コンピュータ81は、この時のステージ7の位置を示すZ軸位置情報と、繰返し周波数情報とをコンピュータ81内のメモリに記憶する(ステップS3)。
When the user sets the optimum repetition frequency, the
次に、使用者は、ステップS1と同様の操作によって、試料6の観察をしたい領域の最深部に光パルスの集光点が位置するようにステージ7を移動させる(ステップS4)。そして、ステップS2における最表面の場合と同様にして、ステップS2の場合と略等しい画像輝度が得られる最適な光パルスの繰返し周波数を設定する(ステップS5)。コンピュータ81は、この時のZ軸位置情報と繰返し周波数情報とをステップS3と同様に、コンピュータ81のメモリに記憶する(ステップS6)。
Next, the user moves the
一般に、試料6の最表面から深部へと多光子励起を行う観測面が移動すると、試料媒質での散乱や吸収により光強度が減衰する。また、多光子励起で試料6から発生した蛍光などの信号光も同様に減衰する。したがって、最深部における光パルスの繰返し周波数は、最表面の場合と比較してより低い設定値となる。
In general, when the observation surface that performs multiphoton excitation moves from the outermost surface of the
次に、使用者は、観測するZ軸の範囲とこのZ軸の範囲でのZ軸方向の分割数を、インタフェース装置84に数値入力することによって、コンピュータ81に設定する(ステップS7)。これらの値が入力されると、前述した最表面と最深部とにおける最適な繰返し周波数に基づき、コンピュータ81は、観測する各Z軸位置を示す数値と各Z軸位置での繰り返し周波数とを含むテーブルを作成して、コンピュータ81のメモリに格納する(ステップS8)。
Next, the user sets the
図6は、Z軸位置と繰返し周波数との関係を示すテーブルの作成方法を説明するグラフである。図6において、上述したステップS3およびステップS6で記憶した最表面および最深部についてのZ軸位置と繰返し周波数とのデータをプロットすると、グラフ上の2点のデータとなる。試料6の特性等に応じて、線形近似、対数近似、累乗近似、または、指数近似などにより、この2点を通る近似式を導出し、この近似式に当てはめて各Z軸位置に対する繰返し周波数を求め、この繰返し周波数をZ軸位置情報とともに格納したテーブルを生成する。
FIG. 6 is a graph for explaining a method of creating a table showing the relationship between the Z-axis position and the repetition frequency. In FIG. 6, when the data of the Z-axis position and the repetition frequency for the outermost surface and the deepest portion stored in Steps S3 and S6 described above are plotted, data of two points on the graph is obtained. Depending on the characteristics of the
次に、本実施の形態の多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1を用いた顕微鏡観測の観測段階(ステップS9〜S15)について説明する。
Next, the observation stage (steps S9 to S15) of microscope observation using the multiphoton excitation laser scanning
使用者が観測開始の指令を、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に入力すると(ステップS9)、図1に示すコンピュータ81は観測中であることをモニタ82に表示するとともに、前述の繰返し周波数をZ軸位置情報とともに格納したテーブルの先頭から、例えば最表面のZ軸位置とこのZ軸位置に対応する繰返し周波数とを読み出す。その後、コンピュータ81は、レーザ走査型顕微鏡4の外部入出力装置49にステージ7の設定位置として読み出したZ軸位置を指示し、外部入出力装置49はステージ7の駆動装置を制御してステージ7をこのZ軸位置に移動させる(ステップS10)。
When the user inputs an instruction to start observation to the
移動が完了すると、ステージ7は完了信号を外部入出力49に出力する。外部入出力装置49は、これを受け取ると完了信号をコンピュータ81に出力する。コンピュータ81はこの完了信号を受け取ると、ステージ7のZ軸位置に対応する繰返し周波数をレーザ制御装置83に出力する。レーザ制御装置83は、コンピュータ81から入力された繰返し周波数に従い短パルス光源2が動作するように信号パルスを短パルス光源2に出力する。これにより、短パルス光源2は指示された繰返し周波数で光パルスを発振する(ステップS11)。
When the movement is completed, the
コンピュータ81がレーザ制御装置83へ繰返し周波数を出力した時点から、実際に短パルス光源2が設定された繰返し周波数で動作するのに要する所定の時間が経過すると、コンピュータ81は外部入出力装置49に2次元走査手段42の走査開始信号を出力する。外部入出力装置49は、この信号を受け取ると2次元走査手段42に走査開始信号を出力する。この2次元走査手段42は走査開始信号を受け取ると走査を開始するとともに(ステップS12)、試料上の集光点のXY平面内における位置を示す走査位置情報を、外部入出力装置49に出力する。また、外部入出力装置49は、パルス光の集光点の2次元走査による多光子励起により発生した蛍光を検出して検出器48が出力する検出信号を受け取るともにデジタル数値化し、2次元走査手段42が出力する走査位置情報とともに、外部入出力装置49内のメモリ上に設けたテーブルに格納する。(ステップS13)。
When a predetermined time required for the short pulse
2次元走査手段42は、所定の走査を完了すると(ステップS14)完了信号を外部入出力装置49に出力し、外部入出力装置49はこの信号を受け取るとコンピュータ81にこの完了信号を出力するとともに、走査位置情報と検出信号とのテーブルを出力する。コンピュータ81は、走査位置と検出信号とのテーブルを記憶するとともに、これから観測画像を作成し、モニタ82に表示させる(ステップS15)。
When the predetermined scanning is completed (step S14), the two-dimensional scanning means 42 outputs a completion signal to the external input /
次に、コンピュータ81は上述のステップS10〜S15の動作が完了すると、前述の繰返し周波数とZ軸位置情報とを格納したテーブルから、次のZ軸位置および繰返し周波数を読み出し、このZ軸位置と繰返し周波数について、ステップS10〜S15の動作を行う。このようにして、順次のZ軸位置に対する測定を行い、全てのZ軸位置についての測定が完了すると、コンピュータ81は測定を終了してモニタ82にその旨を表示する(ステップS16)。
Next, when the operations of steps S10 to S15 described above are completed, the
このとき、Z軸位置の変化に対して、図6に示したようにZ軸位置が試料6の表面から深部へ変化するにつれて、光パルスの繰返し周波数を低く設定するので、光パルスのピーク強度は高くなり、ピーク光強度の二乗に比例する多光子励起効率を高くすることができるので、試料内の散乱・吸収による多光子励起光パルスや試料からの蛍光など信号光の低下を補償することができる。
At this time, as the Z-axis position changes from the surface of the
以上説明したように、本実施の形態によれば、多光子励起による蛍光の顕微鏡観察において、平均光強度が略一定の短パルス光源2を用い、試料6のZ軸位置に応じて短パルス光源2から出射する光パルスの繰返し周波数を変化させるようにしたので、試料の深部を観測する場合においても光パルスによる過熱により試料を損傷することなく、測定位置の深さに依存せず略等しい輝度の画像を得ることができる。このことは、特に生細胞などを試料とした時に加熱による損傷を低減できるので有利である。また、利得スイッチ半導体レーザに印加するピコ秒からナノ秒の時間幅の電気パルスの繰返し周波数を変更するだけで、短パルス光源の繰返し周波数を瞬時かつ安定に制御することができる。
As described above, according to the present embodiment, in the microscopic observation of fluorescence by multiphoton excitation, the short pulse
[第2実施の形態]
本発明の第2実施の形態では、図1に示した構成の多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1において、試料のXY方向の2次元平面に対して集光点を走査した時、測定する画像の平面内輝度を均一化する。このため、本実施の形態は、使用者によるインタフェース装置84への入力動作、これに基づくコンピュータ81によるレーザ制御装置83を介した短パルス光源2、外部入出力装置49、並びに、この外部入出力装置49を介したステージ7および2次走査装置42の制御の点において第1実施の形態と異なっている。
[Second Embodiment]
In the second embodiment of the present invention, in the multiphoton excitation laser scanning
図7は、光軸からの距離と光パルスの最適な繰返し周波数との関係を説明するためのグラフである。まず、本実施の形態は、所定のZ軸位置において、光軸と垂直なXY平面を走査する際に、集光点の光軸からの距離に応じて短パルス光源2から出射される光パルスの繰返し周波数を変化させるように設定する。以下にこの繰返し周波数の設定方法について説明する。
FIG. 7 is a graph for explaining the relationship between the distance from the optical axis and the optimum repetition frequency of the optical pulse. First, in the present embodiment, when scanning an XY plane perpendicular to the optical axis at a predetermined Z-axis position, an optical pulse emitted from the short pulse
図1に示した多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1のように、2次元走査手段42により入射光パルスを偏向して2次元走査する場合、一般に、XY平面のほぼ中央である光軸上と、それ以外の点では対物レンズ等の透過光学部品の影響で収差が発生し、集光点の大きさが光軸上の場合と比較して大きくなる。多光子励起により発生する蛍光の強度は、照射される光パルスの光強度の二乗に比例するので集光点が大きくなると、単位面積当たりの光強度が低下して蛍光強度が減少する。
When the incident light pulse is deflected and scanned two-dimensionally by the two-dimensional scanning means 42 as in the multiphoton excitation laser scanning
最適な繰返し周波数を求めるに当たり、まず、使用者は、第1実施の形態で説明した方法により、ステージ7を所望のZ軸位置に調節する。次に、使用者は、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に、光軸周辺の画像を表示させる命令を入力する。コンピュータ81はこの命令を受けて、外部入力装置49により2次元走査手段42を制御して、光パルスの集光点をXY平面上の光軸上位置の近傍領域のみを走査させる。これによって、当該領域の画像をモニタ82に表示する。使用者はこの画像を見ながら光パルスの最適な繰返し周波数を設定する。2次元走査手段42による集光点の走査から、当該領域をモニタへ表示するまでの各構成要素の動作、および、光パルスの最適な繰返し周波数の設定方法は、第1実施の形態と同様である。
In obtaining the optimum repetition frequency, first, the user adjusts the
その後、使用者は、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に命令を入力して、光パルスの集光点をXY平面上の最外周における所望の点の近傍領域のみを走査させ、当該領域の画像をモニタ82に表示させ、上記と同様に光パルスの最適な繰返し周波数を設定する。
Thereafter, the user inputs a command to the
次に、使用者は、観測するXY平面の光軸からの距離による分割数を、インタフェース装置84に数値入力することによって、コンピュータ81に設定する。この値が入力されると、コンピュータ81は、前述した中心軸および最外周における最適な繰返し周波数の2点のデータに基づき、試料6の特性等に応じて、線形近似や対数近似によってこの2点を通る近似式を導出し、この近似式に基づき、観測する各光軸からの距離を示す数値と各光軸からの距離に対応する繰り返し周波数とのテーブルを作成して、コンピュータ81のメモリに格納する。
Next, the user sets the number of divisions according to the distance from the optical axis of the XY plane to be observed to the
次に図1を参照して、本実施の形態に係る多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1の動作について説明する。使用者が、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に観測開始の指令を入力すると、コンピュータ81は観測中であることをモニタ82に表示するとともに、外部入出力装置49に2次元走査手段42によるXY平面内の集光点の設定位置を指示し、外部入出力装置49は2次元走査手段42にこの設定位置へ集光点を移動させる移動指令を出力する。
Next, the operation of the multiphoton excitation laser scanning
2次元走査手段42は移動が完了すると完了信号を外部入出力49に出力し、外部入出力装置49はこれを受け取ると完了信号をコンピュータ81に出力する。コンピュータ81は、この完了信号を受信すると、2次元走査手段42の設定位置に対応する短パルス光源2の繰返し周波数を上述のテーブルから読取り、これをレーザ制御装置83に出力する。レーザ制御装置83は、受け取った繰返し周波数で短パルス光源2が動作するよう信号パルスを短パルス光源2に出力する。これにより、短パルス光源2は指示された繰返し周波数で光パルスを発振する。
The two-dimensional scanning means 42 outputs a completion signal to the external input /
このコンピュータ81からのレーザ制御装置83への繰返し周波数が出力された時点から、実際に短パルス光源2が設定された繰返し周波数で動作するのに要する所定の時間が経過すると、コンピュータ81は外部入出力装置49に検出器48の信号取得指令を出力する。外部入出力装置49は、この信号を受け取ると検出器48が出力する検出信号を受け取るとともにデジタル数値化し、2次元走査手段42が出力するXY平面内での走査位置情報とともに、走査位置および検出信号のテーブルに蓄積する。外部入出力装置49は、所望の設定位置の走査が完了するとコンピュータ81に完了信号を出力し、コンピュータ81は次の2次元走査手段42の設定位置の測定へと移る。以下コンピュータ81は各測定位置について上記と同様に測定とデータの蓄積を行う。
When a predetermined time required for the short pulse
XY平面内の全ての測定位置の走査を完了すると、コンピュータ81は外部入出力装置49に完了信号を出力し、外部入出力装置49は、走査位置情報と検出信号のテーブルとをコンピュータ81に出力する。コンピュータ81は、走査位置情報と検出信号とのテーブルを記憶するとともに、これから観測画像を生成するとともに、この画像および完了した旨の表示をモニタ82に表示する。
When the scanning of all the measurement positions in the XY plane is completed, the
以上説明したように、本実施の形態によれば、入射光パルスを偏向して試料を走査する多光子励起による蛍光の顕微鏡観察において、平均光強度が略一定の短パルス光源2を用い、集光点の走査による2次元平面内の観測時に、試料6の光軸からの距離に応じて短パルス光源2から出射する光パルスの繰返し周波数を変化させるようにしたので、試料の最外周を観測する場合においても、光パルスによる過熱により試料を損傷することなく、光学系の収差等による観測点の光量低下や集光点サイズの増大による、多光子励起の効率低下や試料からの蛍光の低下を補償し、測定位置の光軸からの距離に依存せず、観察する平面内で略等しい輝度の画像を得ることができる。このことは、第1実施の形態と同様に、生細胞を試料とするときに有利である。
As described above, according to the present embodiment, in the microscopic observation of fluorescence by multiphoton excitation that deflects the incident light pulse and scans the sample, the short pulse
[第3実施の形態]
本発明の第3実施の形態は、図1に示した構成の多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1において、第1実施の形態と第2実施の形態とを組み合わせて、試料を3次元的に観測して画像化する際に、観測領域内である特定領域について強調した画像を得るものである。
[Third Embodiment]
The third embodiment of the present invention is a multi-photon excitation laser scanning
このため、本実施の形態は、使用者によるインタフェース装置84への入力動作、これに基づくコンピュータ81によるレーザ制御装置83を介した短パルス光源2、外部入出力装置49、並びに、この外部入出力装置49を介したステージ7および2次走査装置42の制御の点において第1実施の形態および第2実施の形態と異なっている。
For this reason, in the present embodiment, the input operation to the
図8は、特定領域の設定方法を示す説明図である。本実施の形態では、三次元試料内の光軸と平行なZ軸位置について少なくとも三点について、光軸と垂直なXY軸平面についてレーザ走査による観測を行う。 FIG. 8 is an explanatory diagram showing a method for setting a specific area. In the present embodiment, observation by laser scanning is performed on at least three Z-axis positions parallel to the optical axis in the three-dimensional sample, and on an XY-axis plane perpendicular to the optical axis.
まず、使用者は、所定の3つのZ軸位置、例えば、所望の観察範囲におけるZ軸方向の最表面(Z1)、最深部(Z3)、および、Z1とZ3との中間(Z2)のそれぞれについて、第1実施の形態および第2実施の形態に記載した設定段階の動作と同様にして、光軸からの距離に応じた最適な繰返し周波数を決定するとともに、モニタ画像を参照しながら、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に特定領域設定コマンドを用いて領域を設定する。これにより、コンピュータ81は、この設定した特定領域をZ軸位置とともに記憶する。
First, the user has three predetermined Z-axis positions, for example, the outermost surface (Z1) in the Z-axis direction in the desired observation range, the deepest part (Z3), and the middle (Z2) between Z1 and Z3. In the same manner as the operation of the setting stage described in the first embodiment and the second embodiment, an optimum repetition frequency according to the distance from the optical axis is determined and the interface is referred to while referring to the monitor image An area is set in the
次に、使用者は、所望の観察範囲におけるZ軸方向の分割数を、インタフェース装置84に数値入力することによって、コンピュータ81に設定する。コンピュータ81は、観測を行った最表面のZ1から中間のZ2を経て最深部のZ3までの、Z軸を設定された分割数により分割する。コンピュータ81は、この分割した各Z軸位置がZ1とZ2との間にあるときは、このZ軸位置に対応するXY平面上での特定領域を、Z1およびZ2の輪郭から内挿することによって設定し、また、Z2とZ3との間にあるときは、このZ軸位置に対応するXY平面上での特定領域を、Z2およびZ3の輪郭から内挿することによって設定する。
Next, the user sets the number of divisions in the Z-axis direction in the desired observation range in the
その後、コンピュータ81は、特定領域外については、蛍光強度が低くなるように、例えば所定の1を超える係数を乗じることなどにより、繰返し周波数を高くした値を算出して、その値を当該測定位置の光パルスの繰返し周波数とする。図9の右側に示すグラフには、Z1とZ3とのXY平面について、このようにして得られた光軸からの距離と光パルスの繰返し周波数との関係を示すグラフを表している。
Thereafter, the
コンピュータ81は、これらの繰返し周波数を、Z軸位置およびXY平面内の位置情報とともに、コンピュータ81内のメモリに設けられたテーブルに格納する。その後、使用者が、インタフェース装置84を介してコンピュータ81に観測開始の指令を入力すると、コンピュータ81は、レーザ走査型顕微鏡4の外部入力装置49を介して2次元走査手段42にXY平面内での走査を開始させるとともに、順次Z軸位置を前述の分割した各Z軸位置に移動させて、観測を行う。このとき、コンピュータ81は、Z軸位置およびXY平面内の位置情報に基づいて、各観測点に対応した光パルスの繰返し周波数を前述のテーブルから読み出し、第1実施の形態および第2実施の形態で説明したように、レーザ制御装置83を介して短パルス光源2からこの繰り返し周波数の光パルスを出射させる。
The
その後、第1実施の形態で説明したのと同様の動作により、コンピュータ81は、外部入力装置49からの各観測点の位置情報および検出信号を記憶するとともに、これから観測画像を作成しモニタ82に表示する。このとき、特定領域には繰返し周波数が特定領域外よりも低く、ピーク光強度の高い光パルスが照射されるため、特定領域外の領域より輝度の高い画像が得られる。
Thereafter, the
以上説明したように、本実施の形態によれば、図1に示した構成の多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1において、第1実施の形態と第2実施の形態とを組み合わせて、試料6を3次元的に観測して画像化する際に、試料6の特定領域の繰返し周波数を特定領域外の繰返し周波数よりも低くして、試料6に光パルスを照射したので、試料内の特に強調して観測したい領域のみ多光子励起強度を高めて、試料からの強い信号光を得ることが可能となり、信号光の検出器感度の制御や、観測後の信号処理を加えることなく、試料内の特定領域を強調することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, in the multiphoton excitation laser scanning
[第4実施の形態]
図10は、本発明の第4実施の形態に係る多光子励起測定装置の概略構成図である。本実施の形態は、図1に示された第1〜第3実施形態における多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1において、短パルス光源2とレーザ走査型顕微鏡4とを光ファイバを用いて着脱可能に接続したものであり、その他の部分は第1〜第3実施の形態における構成と同様であるので、異なる部分のみ説明を行う。
[Fourth embodiment]
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a multiphoton excitation measurement apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, in the multiphoton excitation laser scanning
このため、本実施の形態では、短パルス光源2には光パルスを出射させる光ファイバコネクタ32を設け、レーザ走査型顕微鏡4にも光パルスを入射させる光ファイバコネクタ33を設ける。さらに、光ファイバコネクタ32と33との間は、シングルモード光ファイバ31で接続する。また、レーザ走査型顕微鏡4には、光ファイバコネクタ33を出射した光パルスを略平行光にするコリメートレンズ51が設けられる。シングルモード光ファイバ31は光パルスの波長に対して損失が小さく、長さは1mから5mの範囲が望ましく、例えば本実施の形態では、長さを1.5mとする。
For this reason, in the present embodiment, the short pulse
以上のような構成によって、短パルス光源2から出射する光パルスは、シングルモード光ファイバ31でレーザ走査型顕微鏡4に入射する。この様な構成によっても、第1〜第3実施の形態で示した多光子励起による蛍光顕微鏡観測が可能となる。
With the configuration as described above, the light pulse emitted from the short pulse
以上説明したように、本実施の形態によれば、短パルス光源2とレーザ走査型顕微鏡4とを、光ファイバを介して着脱可能に接続したので、短パルス光源2とレーザ走査型顕微鏡4との光学的接続が容易となり、顕微鏡システムのレイアウトの自由度を高めることができる。
As described above, according to the present embodiment, since the short pulse
[第5実施の形態]
図11は、本発明の第5実施の形態に係る多光子励起測定装置の概略構成図である。本実施の形態は、図10に示した多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1において、シングルモード光ファイバ31と協働して、光パルスの時間幅を圧縮する機構を設けたものである。
[Fifth Embodiment]
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a multiphoton excitation measurement apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. In the present embodiment, in the multiphoton excitation laser scanning
このため、本実施の形態では、レーザ走査型顕微鏡4に、負の分散補償装置53と、コリメートレンズ51を出射した光パルスを反射して上述の負の分散補償装置53に入射させるミラー52と、この負の分散補償装置53から出射した光パルスをミラー41へ入射させるミラー54とをさらに設ける。
For this reason, in the present embodiment, the
負の分散補償装置53は、2枚の回折格子55、56およびミラー57を含み、ミラー52で反射された光パルスを2枚の回折格子55、56で回折をさせて反射した後、ミラー57でその光軸を紙面と垂直方向に折り返し、再び2枚の回折格子55,56で回折させ反射してミラー54へ出射させる。このように、ミラー57で反射させ、回折格子55、56を往復させることにより、光パルスは、入射時とほぼ同じ円形の空間分布で負の分散補償装置53を出射することができる。
The
また、本実施の形態におけるシングルモード光ファイバ31の長さは、例えば15mである。
Moreover, the length of the single mode
図11において、短パルス光源2からシングルモード光ファイバ31に入射した光パルスは、シングルモード光ファイバ31内で非線形光学現象である自己位相変調(SPM)により光スペクトルが拡大し、同時に、正の群速度分散(GVD)により長波長から短波長に時間的にチャープされた数十ピコ秒の光パルスとなる。
In FIG. 11, the light pulse incident on the single mode
この光パルスはレーザ走査型顕微鏡4に入射し、コリメートレンズ52で略平行光化された後、ミラー52により反射される。その後、光パルスは負の分散補償装置53に入射し、ここで負の群速度分散を受ける。シングルモード光ファイバ31の正のGVDで生じたチャープは、負の分散補償装置53で逆のGVDを受けチャープが補償される。また、シングルモード光ファイバ31でのSPMにより光スペクトルが拡大しているので、短パルス光源2から出力された数ピコ秒幅の光パルスは、数百フェムト秒の光パルスに圧縮される。
This light pulse is incident on the
時間幅が圧縮された光パルスは、負の分散補償装置53を出射して、ミラー54で反射され、ミラー41に入射する。その後の光パルスの光路は、第1〜第4実施の形態と同様である。
The light pulse whose time width is compressed exits the
以上説明したように、本実施の形態によれば、シングルモード光ファイバと負の分散補償装置とを設けて光パルスを圧縮するようにしたので、第4実施の形態の効果に加え、数ピコ秒の光パルスを発振する短パルス光源2を使用しながら、非線形パルス圧縮によりこの短パルス光源2から出射する光パルスを圧縮することで、より高い効率の多光子励起が可能なよりピーク光強度の高いフェムト秒の光パルスを試料に照射することが可能となる。また、より安定な数ピコ秒の光パルスを発振する短パルス光源2を用いながら、高価で不安定なフェムト秒の光パルスを発振する短パルス光源を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
As described above, according to the present embodiment, a single mode optical fiber and a negative dispersion compensator are provided to compress an optical pulse. Therefore, in addition to the effects of the fourth embodiment, a few pico By using a short pulse
[第6実施の形態]
本発明の第6実施の形態は、上述した、第1〜第5実施の形態における多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム1において、短パルス光源2を、半導体レーザ22を用いずに、能動モードロックファイバリングレーザ9を用いて構成したものである。
[Sixth Embodiment]
In the sixth embodiment of the present invention, the short pulse
図12は、第6実施の形態に係る短パルス光源2の概略構成図である。この短パルス光源2は、能動モードロックファイバリングレーザ9と、この能動モードロックファイバリングレーザ9から出射した光パルスを増幅するファイバ増幅器24、25とから構成する。ファイバ増幅器24、25は、図2を参照して第1実施の形態で説明した短パルス光源2の増幅器24、25と同様の特性を有する。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a short pulse
能動モードロックファイバリングレーザ9は、分岐カプラ91、利得部92、バンドパスフィルタ93、アイソレータ96および分散補償手段97を含んで構成し、これら光学部品の間はシングルモード光ファイバ94によりリング状に接続する。さらに、能動モードロックファイバリングレーザ9は、利得部92に接続された信号発生器95を備える。
The active mode-locked
利得部92は、希土類添加ファイバにより成る利得媒質とLN(LiNbO3)変調器より成る強度変調器とから構成する。ここで、希土類添加ファイバは、Ybが添加されたシングルモード光ファイバである。この希土類添加ファイバには図示しないWDM(波長分割多重)カプラを接続し、このWDMカプラの合波側には図示しない励起用光源である半導体レーザを光学的に接続する。ここでは半導体レーザは連続発振をする波長915nmのレーザであり、この半導体レーザからの光がWDMカプラによりYb添加ファイバに吸収されることにより980nm帯の利得が発生するように構成する。
The
分岐カプラ91は入射した光を設定した比率により分岐するものであり、シングルモード光ファイバ94に分岐する比率を反射率と呼び、ファイバ増幅器24への分岐比率を透過率と呼ぶ。
The branching
分散補償手段97は負の分散量を持ち、シングルモード光ファイバ94および利得部92の利得媒質が有する正の分散を相殺して、能動モードロックファイバリングレーザ9のリング部分全体としてゼロ分散状態となるようにして、波長により周回速度が異ならないようにする。
The dispersion compensation means 97 has a negative dispersion amount, cancels the positive dispersion of the gain medium of the single mode
アイソレータ96は一方向にのみ光を伝播させる。本実施の形態では、図12において順時計方向、すなわち、分散補償手段97からの光をバンドパスフィルタ93の方向にのみ伝播させ、その逆方向の光は透過させない。
The
バンドパスフィルタ93は特定の波長帯域にのみ透過特性を持つものであり、これにより広帯域な波長帯である自然放出光を透過させるとともに、これと異なる波長の光により発振が生じることを抑止する。
The
信号発生器95は、利得部92の強度変調器に接続されており、レーザ制御装置83からの指令により、この利得部の時間的な透過特性を変調することができる。
The
以上のような構成により、利得部92から発した自然放出光は、シングルモード光ファイバ94を介して分岐カプラ91で一部がファイバ増幅器24へ分岐し、残りの部分が分散補償手段97、アイソレータ96、バンドパスフィルタ93の順に伝播し、再び利得部92のYb添加ファイバに到達し増幅される。利得部92による利得が、分岐カプラ91の透過率とその他損失の合計を上回ると、この自然放出光がこのリング状の経路の伝播過程を繰り返すことにより増幅され、レーザ発振する。
With the above configuration, spontaneous emission light emitted from the
ここで、利得部92の利得発生の時間幅とタイミングが、利得発生時に自然放出光がシングルモード光ファイバ94で接続されたリング状の経路を周回して、再び利得部92に到達する時間間隔に一致するように、図示しない強度変調器に接続された信号発生器95の信号発生周波数を設定することにより、モードロック状態が達成される。この場合、分岐カプラ91からファイバ増幅器24に出射するレーザ光は、信号発生器95の信号発生周波数と同じ繰返し周波数を有するパルス光となる。
Here, the time width and timing of the gain generation of the
さらに、上記リング状の経路の周回を繰り返すことによって、能動モードロックファイバリングレーザ9から発振するレーザ光の光パルスの時間幅を数ピコ秒の短パルス光とすることが可能となる。また、このモードロック状態は、シングルモード光ファイバ94で接続されたリング状の経路内に1個の光パルスが存在する場合を基本状態とし、2個以上の光パルスが存在するようにもできる。これは、信号発生器95の周波数を基本状態の整数倍に設定することにより可能となる。これによって、基本状態における光パルスの周波数の整数倍の値に、光パルスの繰返し周波数を調整することができる。
Further, by repeating the circulation of the ring-shaped path, the time width of the optical pulse of the laser light oscillated from the active mode-locked
このようにして、能動モードロックファイバリングレーザ9から出射した短パルス光は、2つのファイバ増幅器24、25で数十mWから数Wの平均光強度(平均出力)に増幅され、短パルス光源2から出力される。このようにして出射された光パルスを用いることで、第1〜第5実施の形態に記載したと同様な観測を行うことができる。
In this way, the short pulse light emitted from the active mode-locked
以上説明したように、本実施の形態によれば、短パルス光源2に能動モードロックファイバリングレーザ9を用いたので、能動モードロックファイバリングレーザ9の強度変調器に印加する変調電気信号の繰返し時間間隔を変更するだけで、短パルス光源2の繰返し周波数を瞬時かつ安定に制御することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, since the active mode-locked
以上,本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で幾多の変形または変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to these embodiments, and various modifications or changes can be made without departing from the gist of the present invention. It can be changed.
例えば、多光子励起測定装置として多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システムを例として説明を行ったが、多光子励起(非線形励起)を伴う他の顕微鏡システムにも適用が可能である。また、試料としては主として生細胞を対象として説明を行ったが、半導体材料など他の試料に対しても適用可能である。 For example, a multiphoton excitation laser scanning fluorescence microscope system has been described as an example of the multiphoton excitation measurement apparatus, but the present invention can also be applied to other microscope systems with multiphoton excitation (nonlinear excitation). Further, the sample has been described mainly for living cells, but it can also be applied to other samples such as semiconductor materials.
図2を用いて第1実施の形態で説明した半導体レーザ22は、面発光レーザ(VCSEL)に限られず、量子井戸分布帰還型レーザダイオード(QWDFBLD)や量子ドット分布帰還型レーザダイオード(QDDFBLD)等が使用可能である。また、ファイバ増幅器24、25は、半導体レーザで励起されるYbがドープされたシングルクラッド光ファイバであるとしたが、これに限られない。ファイバ増幅器の増幅にはファイバレーザを用いても良く、被励起媒質はNdやTmやErがドープされたシングルクラッドまたはダブルクラッド、断面に空孔がある光ファイバ等を用いても良い。
The
また、本発明の第1実施の形態では光軸に平行なZ軸上のZ軸位置について、最表面と最深部の2点のデータから近似を行ったが、3つ以上のZ軸位置について測定を行い3点以上から近似を行っても良い。 Further, in the first embodiment of the present invention, the Z-axis position on the Z-axis parallel to the optical axis is approximated from the data of the two points of the outermost surface and the deepest part. You may measure and approximate from three or more points.
さらに、第2実施例においては、光軸上と最外周における2点のデータから近似を行ったが、3つ以上の光軸からの距離の位置で測定を行い3点以上から近似を行っても良い。また収差の場合、光学シミュレーションの結果と実際の結果は比較的一致するので、測定は光軸上の1点とし、光学シミュレーションによる近似式にこの測定結果を代入して用いる近似式としても良い。 Further, in the second embodiment, the approximation is performed from the data of two points on the optical axis and the outermost circumference, but the measurement is performed at the position of the distance from three or more optical axes, and the approximation is performed from three or more points. Also good. In the case of aberration, the result of the optical simulation and the actual result are relatively coincident, so that the measurement is performed at one point on the optical axis, and the approximate expression used by substituting the measurement result into the approximate expression by the optical simulation may be used.
第3実施の形態では、図8において特定領域を円で設定しているが、三角形、四角形または多角形であっても良い。また、測定するZ軸位置を3点としたが、より多くの位置で測定をすることが望ましい。さらに、第3実施の形態では、特定領域の内外で繰り返し周波数を変更する例を示したが、照明光学系と平行なZ方向および光軸と垂直なXY面内の任意の組合せの座標に相当する観測点において、照明用光源と観察点とを結ぶ直線距離が遠いほど繰返し周波数を低くするような制御を行って、3次元的に一定の蛍光輝度を得るようにしても良い。 In the third embodiment, the specific region is set as a circle in FIG. 8, but it may be a triangle, a quadrangle, or a polygon. Moreover, although the Z-axis position to be measured is three points, it is desirable to measure at more positions. Furthermore, in the third embodiment, an example in which the frequency is repeatedly changed inside and outside the specific region has been shown, but it corresponds to coordinates in any combination in the XY plane perpendicular to the Z direction parallel to the illumination optical system and the optical axis. In such an observation point, the control may be performed such that the repetition frequency is lowered as the linear distance between the illumination light source and the observation point increases, so that a constant three-dimensional fluorescence luminance may be obtained.
さらに、第5実施の形態において、負の分散補償装置53としては、回折格子対に代えてプリズム対、グリズム対などを使用することもできる。
Further, in the fifth embodiment, as the
また、第6実施の形態において、利得部92は、利得媒質である希土類添加ファイバと強度変調器との組合せのものを使用したが、これに限られない。例えば、利得媒質と変調手段を兼ねる半導体光増幅器を使用しても良い。
In the sixth embodiment, the
1 多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム
2 短パルス光源
4 レーザ走査型顕微鏡
6 試料
7 ステージ
9 能動モードロックファイバリングレーザ
21 電気パルス発生器
22 半導体レーザ
23 シングルモード光ファイバ
24、25 ファイバ増幅器
31 シングルモード光ファイバ
32、33 光ファイバコネクタ
41 ミラー
42 2次元走査手段
43 瞳投影レンズ
44 結像レンズ
45 対物レンズ
46 ダイクロイックミラー
47 集光レンズ
48 検出器
49 外部入出力装置
51 コリメートレンズ
52 ミラー
53 負の分散補償装置
54 ミラー
55、56 回折格子
57 ミラー
81 コンピュータ
82 モニタ
83 レーザ制御装置
84 インタフェース装置
91 分岐カプラ
92 利得部
93 バンドパスフィルタ
94 シングルモード光ファイバ
95 信号発生器
96 アイソレータ
97 分散補償手段
101 多光子励起レーザ走査型蛍光顕微鏡システム
102 光源装置
103 2次元走査機構
104 ミラー
105 対物レンズ
106 Z軸方向駆動部
107 試料
108 コンピュータ
109 レーザ制御装置
110 走査制御装置
111 レーザパワーコントローラ
112 メモリ装置
113 モニタ
DESCRIPTION OF
57
Claims (10)
繰返し周波数が調整可能な光パルスを出射する短パルス光源と、
前記短パルス光源から出射した光パルスを前記試料内の観測点に集光させて照射する照明光学系と、
前記光パルスの照射により前記観測点から発生する多光子励起にともなう信号光を検出する検出器と、
前記試料内の前記観測点の位置を変位させる観測点変位手段と、
前記観測点変位手段による前記観測点の位置に応じて、前記短パルス光源から出射される前記光パルスの繰返し周波数を制御する制御手段と、
前記検出器により検出された前記信号光による信号を情報化して表示する表示手段と
を備えたことを特徴とする多光子励起測定装置。 A multiphoton excitation measurement device that measures a sample using a multiphoton absorption phenomenon by a high-intensity light pulse,
A short pulse light source that emits a light pulse with adjustable repetition frequency;
An illumination optical system for condensing and irradiating a light pulse emitted from the short pulse light source at an observation point in the sample;
A detector for detecting signal light accompanying multiphoton excitation generated from the observation point by irradiation of the light pulse;
Observation point displacement means for displacing the position of the observation point in the sample;
Control means for controlling the repetition frequency of the optical pulse emitted from the short pulse light source according to the position of the observation point by the observation point displacement means;
A multi-photon excitation measurement apparatus comprising: a display unit configured to display the signal of the signal light detected by the detector as information.
前記制御手段は、前記観測点変位手段による前記照明光学系の光軸と平行な方向における観測点の位置に応じて、前記短パルス光源から出射される前記光パルスの繰返し周波数を制御することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置。 The observation point displacing means is configured to relatively displace the illumination optical system and the sample in an optical axis direction of the illumination optical system,
The control means controls the repetition frequency of the light pulse emitted from the short pulse light source according to the position of the observation point in a direction parallel to the optical axis of the illumination optical system by the observation point displacement means. The multiphoton excitation measurement apparatus according to claim 1, wherein the multiphoton excitation measurement apparatus is characterized.
前記制御手段は、前記観測点変位手段による前記照明光学系の光軸と垂直な面内における観測点の位置に応じて、前記短パルス光源から出射される前記光パルスの繰返し周波数を制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の多光子励起測定装置。 The observation point displacing means has a two-dimensional scanning means for deflecting a light pulse emitted from the short pulse light source in a two-dimensional direction within a plane perpendicular to the optical axis of the illumination optical system,
The control means controls the repetition frequency of the light pulse emitted from the short pulse light source according to the position of the observation point in a plane perpendicular to the optical axis of the illumination optical system by the observation point displacement means. The multiphoton excitation measurement apparatus according to any one of claims 1 to 5.
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