JP2010004105A - Tdi type image sensor and its driving method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、リモートセンシング等の分野で用いられるイメージセンサ、及びその駆動方法に関する。 The present invention relates to an image sensor used in fields such as remote sensing and a driving method thereof.
半導体基板上に多数の光検出器をアレイ状に配置し、同一基板上に信号電荷の読出回路や出力アンプを備えたイメージセンサが多数開発されている。リモートセンシングにおいては、光検出器を1次元アレイ状に配置したリニアイメージセンサを人工衛星等に搭載して、アレイと垂直な方向を衛星の進行方向に一致させることによって地表の2次元画像を撮影する。画像解像度を向上させるには、光検出器における画素ピッチをできるだけ小さくすることが望ましいが、そうすることで光検出器の面積が縮小する。よって、その分だけ光検出器への入射光量が減少し、S/N比が劣化するという課題がある。 A large number of image sensors have been developed in which a large number of photodetectors are arranged in an array on a semiconductor substrate, and a signal charge readout circuit and an output amplifier are provided on the same substrate. In remote sensing, a linear image sensor with photodetectors arranged in a one-dimensional array is mounted on an artificial satellite, etc., and a two-dimensional image of the ground surface is taken by matching the direction perpendicular to the array with the direction of travel of the satellite. To do. In order to improve the image resolution, it is desirable to make the pixel pitch in the photodetector as small as possible, but doing so reduces the area of the photodetector. Therefore, there is a problem that the amount of light incident on the photodetector is reduced by that amount and the S / N ratio is deteriorated.
S/N比を改善するための巧妙な手段として、TDI方式(Time Delay and Integration)のイメージセンサが開発されている。TDI方式は、2次元イメージセンサであるFFT(フル・フレーム・トランスファ)型CCD(Charge Coupled Devices)を用い、電荷転送のタイミングを被写体像の移動タイミングに同期させることでS/N比を改善する、CCDイメージセンサの読出し方式である。リモートセンシングの場合、垂直方向の電荷転送を衛星の移動速度に合わせることでTDI動作が実現できる。即ち、垂直CCDでM段のTDI動作を行うと、蓄積時間が実効的にM倍となる。よって、感度がM倍向上し、S/N比は、√M倍に改善される。 As a clever means for improving the S / N ratio, a TDI (Time Delay and Integration) image sensor has been developed. The TDI system uses an FFT (full frame transfer) CCD (Charge Coupled Devices), which is a two-dimensional image sensor, and improves the S / N ratio by synchronizing the charge transfer timing with the movement timing of the subject image. This is a readout method of a CCD image sensor. In the case of remote sensing, TDI operation can be realized by adjusting the charge transfer in the vertical direction to the moving speed of the satellite. That is, when M stages of TDI operations are performed with a vertical CCD, the accumulation time is effectively M times. Therefore, the sensitivity is improved M times, and the S / N ratio is improved to √M times.
一般的な2次元イメージセンサの場合、垂直方向の電荷転送は水平ブランキング期間に行われるが、リモートセンシングに用いるTDI方式リニアイメージセンサの場合には、水平方向の電荷転送期間中に垂直方向の電荷転送を行う。
しかしながら、垂直方向への電荷転送用の垂直転送クロックの立上り及び立下り時点において、駆動クロックの干渉によって、信号出力にスパイク状のカップリングノイズが重畳するといった課題がある。
In the case of a general two-dimensional image sensor, the vertical charge transfer is performed during the horizontal blanking period. In the case of a TDI linear image sensor used for remote sensing, the vertical direction charge transfer is performed during the horizontal charge transfer period. Charge transfer is performed.
However, there is a problem that spike-like coupling noise is superimposed on the signal output due to the interference of the drive clock at the rise and fall times of the vertical transfer clock for charge transfer in the vertical direction.
その対策として、例えば特許文献1では、垂直CCDについて、垂直転送クロックφV1〜φV4からなる4相にて駆動し、垂直転送クロックφV1と垂直転送クロックφV3、及び垂直転送クロックφV2と垂直転送クロックφV4とを互いに逆相で駆動することで、上記カップリングノイズを相殺する方法が提案されている。
As a countermeasure, for example, in
又、TDI方式のイメージセンサは、TDI方式にて電荷転送を行うCCDの段数(以下、TDI段数と記す)に比例して感度が変わるため、被写体の輝度に応じてTDI段数を切り替え可能な構成を有することが望ましい。このようなTDI段数切替機能を実現するためのCCDの駆動方法の一つとして、イメージセンサの各画素にて生成した信号電荷の転送を制御する、イメージセンサに備わる垂直転送ゲートに与える駆動電圧をH、L、LL(L>LL)の3値とする方法が知られている。このTDI段数制御方法について、図面を用いて以下に説明する。 In addition, since the sensitivity of the TDI image sensor changes in proportion to the number of CCD stages (hereinafter referred to as the number of TDI stages) that transfer charges by the TDI system, the number of TDI stages can be switched according to the luminance of the subject. It is desirable to have As one of the CCD driving methods for realizing such a TDI stage number switching function, a drive voltage applied to a vertical transfer gate provided in the image sensor for controlling transfer of signal charges generated in each pixel of the image sensor is set. A method of setting three values of H, L, and LL (L> LL) is known. This TDI stage number control method will be described below with reference to the drawings.
まず、TDI方式の電荷転送について簡単に説明する。
図5Aは、4相駆動CCDの電荷転送方向に沿った断面構造の模式図と、転送チャネルのポテンシャル変化のようすを時系列に表した図である。尚、4相駆動CCDとは、イメージセンサに含まれる一画素の構成部分に対して4相の転送クロックを供給して電荷転送を行うCCDである。又、図5Bは、図5Aに示す4相駆動CCDに与える転送クロックの波形を示す。尚、図5Bに示す転送クロックでは、上記特許文献1のように、垂直転送クロックφV1と垂直転送クロックφV3、及び垂直転送クロックφV2と垂直転送クロックφV4とは、互いに逆相としている。
First, TDI charge transfer will be briefly described.
FIG. 5A is a schematic diagram of a cross-sectional structure along the charge transfer direction of the four-phase drive CCD, and a time series showing changes in the potential of the transfer channel. The four-phase drive CCD is a CCD that transfers charges by supplying a four-phase transfer clock to a component of one pixel included in the image sensor. FIG. 5B shows the waveform of the transfer clock applied to the four-phase drive CCD shown in FIG. 5A. In the transfer clock shown in FIG. 5B, as in
4相駆動CCDの各入力ピン7に、図5Bに示す転送クロックφV1〜φV4を供給すると、時刻t1〜t5における、転送チャネルのポテンシャル分布は図5Aに示されるようになる。尚、図5Bに示すように、CCD転送クロックφV1〜φV4のHigh電圧をH、Low電圧をLとする。 When the transfer clocks φV1 to φV4 shown in FIG. 5B are supplied to the input pins 7 of the four-phase drive CCD, the potential distribution of the transfer channel at times t1 to t5 is as shown in FIG. 5A. As shown in FIG. 5B, the high voltage of the CCD transfer clocks φV1 to φV4 is H, and the low voltage is L.
図5Aに示すように、転送ゲート8のうち電圧Hが印加されたゲートの下にポテンシャル井戸9が形成される。例えば光入射によって発生した信号電荷を10とすると、CCDの転送動作によってポテンシャル井戸9が図面右方へと移動するのに伴って、信号電荷10は、図面右方へと電荷転送される。このとき、被写体像の移動速度とCCD転送速度とを一致させることによりTDI動作が実現でき、電荷転送と電荷積分とが同時に行われる。
As shown in FIG. 5A, the
次に、TDI段数切り替え機能について説明する。
図6Aは、TDI段数切り替え機能を有する従来の4相駆動CCDの転送方向に沿った断面構造の模式図、及び転送チャネルのポテンシャル変化のようすを時系列に表した図である。又、図6Bは、図6Aに示す4相駆動CCDに与える転送クロックの波形を示す。尚、図6Bに示す転送クロックにおいても、上記特許文献1のように、垂直転送クロックφV1と垂直転送クロックφV3、及び垂直転送クロックφV2と垂直転送クロックφV4とは、互いに逆相としている。
Next, the TDI stage number switching function will be described.
FIG. 6A is a schematic diagram of a cross-sectional structure along the transfer direction of a conventional four-phase drive CCD having a function of switching the number of TDI stages, and shows a time series of changes in the potential of the transfer channel. FIG. 6B shows the waveform of the transfer clock applied to the four-phase drive CCD shown in FIG. 6A. 6B, the vertical transfer clock φV1 and the vertical transfer clock φV3, and the vertical transfer clock φV2 and the vertical transfer clock φV4 are out of phase with each other, as in
図6Aに示す、TDI段数切り替え機能付き4相駆動CCDの例では、TDI転送ゲートのうち転送クロックφV4xを供給する配線6xが他の転送クロックφV1〜φV4が供給されるクロック配線6とは独立するように形成されている。尚、転送クロックφV4xの転送ゲート11を他の転送ゲート8と区別するため、以下、転送ゲート11を「ブロックゲート」と記す。
In the example of the four-phase drive CCD with the TDI stage number switching function shown in FIG. 6A, the
図6Bに示すように、通常の転送ゲート8に接続している入力ピン7−1〜7−4には、4相駆動CCDの転送クロックφV1〜φV4を与え、ブロックゲート11に接続している入力ピン7xには、一定電圧LL(LL<L)のDCバイアスを与える。これにより、時刻t1〜t5におけるポテンシャル分布は、図6Aのようになる。このとき、ブロックゲート11下にポテンシャル障壁12が形成される。ブロックゲート11よりも図面右側では、CCDの転送動作によってポテンシャル井戸9が図面右方へと移動するのに伴い、信号電荷10が図面右方へと電荷転送される。一方、ブロックゲート11よりも図面左側では、ブロックゲート11下に形成されたポテンシャル障壁12のため、ポテンシャル障壁12より右側には信号電荷が転送されない。
As shown in FIG. 6B, input clocks 7-1 to 7-4 connected to the
その結果、ブロックゲート11から図面右側にある転送ゲート8の段数分だけ信号蓄積が行われ、実効的なTDI段数が減少する。このとき、ブロックゲート11よりも図面左側では、転送チャネル全体にわたって不要電荷13が広がるが、この不要電荷13は、CCDの左端に設けた電荷排出ドレイン(図示せず)を通して素子外部へと排出される。
As a result, signal accumulation is performed from the
図7は、TDI段数切り替え機能を有する従来の4相駆動CCDの、素子全体の平面構造を示すレイアウト図である。図7では、ブロックゲート11を画素アレイにおける垂直方向の複数箇所に設けた構成例が示されている。この例では、画素1を水平方向に8画素、垂直方向に16画素を2次元アレイ状に配置し、垂直方向において図面下方から順に、TDI−2段目、3段目、5段目、9段目、13段目の画素群について、これら以外の画素群ではCCD転送クロックφV4が供給される転送ゲートに対して、金属配線6とは独立した金属配線6A〜6Eを接続し、これらの金属配線6A〜6Eに接続した入力ピン7A〜7Eに、転送制御クロックφV4A〜φV4Eが供給される構成になっている。尚、図7に示す「2」は水平転送CCD、「3」は電荷蓄積部、「4」は電荷排出ドレイン、「5」は出力アンプを示している。
又、図8は、図7に示した従来の4相駆動CCDの画素部付近、具体的には入力ピン7A付近を拡大したレイアウト図である。
FIG. 7 is a layout diagram showing a planar structure of the entire element of a conventional four-phase drive CCD having a TDI stage number switching function. FIG. 7 shows a configuration example in which the
FIG. 8 is an enlarged layout view of the vicinity of the pixel portion of the conventional four-phase drive CCD shown in FIG. 7, specifically, the vicinity of the
図8に示すように、各画素1では、Si基板上にポリシリコンからなる転送ゲート8a及び転送ゲート8bが交互に配置され、その下に転送チャネル(図示せず)が形成される。転送チャネルは、Si基板とは逆導電型の不純物領域からなる分離領域16で電気的に分離されている。4相駆動CCDでは、図示するように、2組の転送ゲート8a及び転送ゲート8bによる計4本の電極によって一つの画素1が形成される。
As shown in FIG. 8, in each
それぞれの転送ゲート8a及び転送ゲート8bには、金属配線6を介して入力ピン7−1〜7−4からCCD転送クロックφV1〜φV4が供給され、あるいは、例えば図8に示すように、入力ピン7Aから金属配線6Aを介して転送制御クロックφV4Aが供給される。独立配線6Aは、独立配線となっているため、入力ピン7Aへの入力クロックを選択することで、つまり一定電圧のDCバイアス、又は通常の転送クロックφV4を選択することで、ブロックゲート11でTDI方式を行う段数を制限することができる。
The
TDI段数の決定手法について、図7を参照してより具体的に説明する。図7に示す構成例では、上述のように、TDI−2段目、3段目、5段目、9段目、13段目の画素群について、入力ピン7A〜7Eからそれぞれ独立した金属配線6A〜6Eが接続されており、これらの独立の金属配線6A〜6Eには、転送制御クロックφV4A〜φV4Eが供給される構成になっている。この構成において、金属配線6A〜6Eが接続されたブロックゲート11のいずれか1つに対して、電圧LLで一定のDCバイアスを供給し、残りの他のブロックゲート11には、入力ピン7−4へ供給されるのと同じCCD転送クロックφV4を供給する。
A method for determining the number of TDI stages will be described more specifically with reference to FIG. In the configuration example shown in FIG. 7, as described above, the metal wirings independent from the input pins 7 </ b> A to 7 </ b> E for the pixel groups of the second stage, the third stage, the fifth stage, the ninth stage, and the thirteenth stage as described above. 6A to 6E are connected, and transfer control clocks φV4A to φV4E are supplied to these
このように操作することで、どのブロックゲート11に対して一定電圧LLのDCバイアスを供給するかに応じて、TDI方式を行う段数を決定することができる。尚、図7に示すTDI方式イメージセンサについて、TDIの段数設定と、入力ピン7A〜7Eに供給する入力クロック、つまりCCD転送クロックφV4又は一定電圧LLのDCバイアスとの関係を図9に示す。図9に示すように、入力ピン7A〜7Eへ供給する入力クロックの種類によって、TDI段数を制御することができる。例えば、入力ピン7Cへ転送制御クロックφV4Cとして電圧LLで一定のDCバイアスを供給し、残りの入力ピン7A、7B、7D、7Eには、通常の転送クロックφV4を供給することで、図面下から4段目までの画素群について、信号電荷の転送が可能となり、5段目から16段目までの画素群については信号電荷転送が行われない。
By operating in this way, the number of stages for performing the TDI method can be determined according to which
一方、上述したようなTDI段数の切り替え機能を、TDI方式を実行する従来のイメージセンサに適用した場合、垂直転送クロックの干渉によって生じるカップリングノイズの低減に関する上述の特許文献1に開示の技術をたとえ適用したとしても、上記カップリングノイズを低減することはできない。
即ち、特許文献1に開示されるカップリングノイズの低減方法では、互いに逆相とされる、対になるCCD転送クロック(4相駆動CCDでは、φV1とφV3、及び、φV2とφV4)が供給される入力ピンの入力容量は等しく、これらの入力ピンで発生するカップリングノイズの絶対値は等しいことが前提となっている。
On the other hand, when the switching function of the number of TDI stages as described above is applied to a conventional image sensor that executes the TDI method, the technique disclosed in the above-mentioned
That is, in the coupling noise reduction method disclosed in
これに対して、TDI段数の切り替え機能を有する従来の4相駆動CCDでは、上述のように、転送クロックφV4が供給される転送ゲートの内、複数個は、独立配線を施してブロックゲートとして用いられる。よって、転送クロックφV4が供給される入力ピンの入力容量は、ブロックゲート分だけ小さくなる。したがって、転送クロックφV2が供給される入力ピン(例えば図7に示す入力ピン7−2)の入力容量と、転送クロックφV4が供給される入力ピン(例えば図7に示す入力ピン7−4)の入力容量とは、互いに異なってしまう。その結果、この4相駆動CCDを特許文献1の方法によって駆動したとしても、転送クロックφV1と転送クロックφV3との干渉によるカップリングノイズは、相殺できるが、転送クロックφV2と転送クロックφV4との干渉によるカップリングノイズは、相殺できない。
On the other hand, in the conventional four-phase drive CCD having the function of switching the number of TDI stages, as described above, a plurality of transfer gates supplied with the transfer clock φV4 are used as block gates with independent wiring. It is done. Therefore, the input capacitance of the input pin to which the transfer clock φV4 is supplied is reduced by the block gate. Accordingly, the input capacitance of the input pin (for example, the input pin 7-2 shown in FIG. 7) to which the transfer clock φV2 is supplied and the input pin (for example, the input pin 7-4 shown in FIG. 7) to which the transfer clock φV4 is supplied. It differs from the input capacitance. As a result, even if this four-phase driving CCD is driven by the method of
本発明は、上述のような問題点を解決するためになされたもので、TDI段数の切り替え機能を有し、かつカップリングノイズを抑制したTDI方式イメージセンサ、及びその駆動方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a TDI image sensor having a function of switching the number of TDI stages and suppressing coupling noise, and a driving method thereof. Objective.
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第1態様におけるTDI方式イメージセンサは、光電変換素子にて光電変換された信号電荷を垂直方向へ転送する転送ゲートを有する画素がマトリクス状に2次元配置された画素群を有し、それぞれの上記転送ゲートが接続され電気的に互いに独立したクロック配線に対となる2つの垂直転送クロックを互いに逆相にて供給して上記信号電荷を上記垂直方向へ時間遅延積分(TDI)して転送を行うTDI方式イメージセンサにおいて、上記画素群において上記垂直方向へ上記信号電荷をTDI転送させる段数を切り替えるTDI段数切替構成を備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.
That is, the TDI image sensor according to the first aspect of the present invention has a pixel group in which pixels having transfer gates that transfer signal charges photoelectrically converted by photoelectric conversion elements in a vertical direction are arranged two-dimensionally in a matrix. Then, two vertical transfer clocks that are paired to clock lines electrically connected to each other and connected to the respective transfer gates are supplied in opposite phases to each other, and the signal charges are time delay integrated (TDI) in the vertical direction. In the TDI image sensor that performs transfer, the TDI stage number switching configuration that switches the number of stages in which the signal charges are TDI transferred in the vertical direction in the pixel group is provided.
又、本発明の第2態様におけるTDI方式イメージセンサの駆動方法は、光電変換素子にて光電変換された信号電荷を垂直方向へ転送する転送ゲートを有する画素がマトリクス状に2次元配置され、それぞれの上記転送ゲートが接続され電気的に互いに独立したクロック配線に4以上の偶数相にてなり対となる2相が互いに逆相の関係にてなる偶数組の垂直転送クロックを供給して上記信号電荷を垂直方向へ時間遅延積分(TDI)して転送を行うTDI方式イメージセンサであって、上記画素群における所望の上記転送ゲートに接続され、上記クロック配線とは電気的に独立した偶数本からなり、上記偶数組の垂直転送クロックの内の1組の垂直転送クロックが供給される第1種配線及び第2種配線にて構成され、上記第1種配線及び上記第2種配線の本数並びに上記入力容量が互いに等しい段数決定用候補配線を備えたTDI方式イメージセンサの駆動方法において、上記段数決定用候補配線の内、TDI転送を行う所望の段数に対応する一つの段数決定配線に第1一定電圧を印加し、上記段数決定配線よりも上記信号電荷の反垂直転送方向側に位置し上記段数決定配線とは反対種の上記段数決定用候補配線の一つに、上記第1一定電圧よりも高い第2一定電圧を印加し、残りの上記段数決定用候補配線には、上記第1種配線及び上記第2種配線に対応して上記1組の垂直転送クロックを供給する、ことを特徴とする。 Further, in the driving method of the TDI image sensor in the second aspect of the present invention, the pixels having transfer gates that transfer the signal charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion elements in the vertical direction are two-dimensionally arranged in a matrix, respectively. The above-mentioned transfer gates are connected to the electrically independent clock lines, and an even number of vertical transfer clocks in which two or more even-phase and paired two-phases are in opposite phase to each other are supplied to the signal A TDI type image sensor that transfers charges by time delay integration (TDI) in the vertical direction, and is connected to a desired transfer gate in the pixel group, and from an even number electrically independent of the clock wiring. The first type wiring and the second type wiring to which one set of vertical transfer clocks of the even number of vertical transfer clocks are supplied, In the driving method of the TDI image sensor having the number of two types of wirings and the stage number determination candidate wirings having the same input capacitance, one of the stage number determination candidate wirings corresponding to a desired number of stages performing TDI transfer. A first constant voltage is applied to the stage number determination wiring, and one of the stage number determination candidate wirings of the type opposite to the stage number determination wiring, which is located on the anti-vertical transfer direction of the signal charge with respect to the stage number determination wiring, A second constant voltage higher than the first constant voltage is applied, and the set of vertical transfer clocks corresponding to the first type wiring and the second type wiring is applied to the remaining stage number determination candidate wirings. It is characterized by supplying.
本発明の第1態様におけるTDI方式イメージセンサ、及び第2態様におけるTDI方式イメージセンサの駆動方法によれば、対となる2つが互いに逆相にてなる垂直転送クロックを供給して信号電荷を垂直方向へ時間遅延積分して転送するTDI方式イメージセンサにおいて、TDI段数切替構成を備え、TDI方式イメージセンサは、所定の駆動方法にて駆動される。このように構成することで、TDI方式イメージセンサに対して、単に逆相にてなる垂直転送クロックを供給した場合には発生を防止することができない、垂直転送クロックの干渉によって生じるいわゆるカップリングノイズを低減することが可能となり、さらに、垂直方向への信号電荷を転送させる段数を切り替えることが可能となる。よって、TDI方式イメージセンサにおいて、カップリングノイズを抑制し、かつ被写体の輝度に応じてTDI段数を切り替えて適切な感度を得ることが可能となる。 According to the TDI type image sensor in the first aspect of the present invention and the TDI type image sensor driving method in the second aspect, the vertical transfer clocks in which the two pairs are in opposite phases are supplied to vertically transfer the signal charges. The TDI image sensor that integrates and transfers in the direction with a time delay includes a TDI stage number switching configuration, and the TDI image sensor is driven by a predetermined driving method. With this configuration, generation of so-called coupling noise caused by interference of a vertical transfer clock that cannot be prevented when a vertical transfer clock that is simply in reverse phase is supplied to a TDI image sensor. And the number of stages for transferring signal charges in the vertical direction can be switched. Therefore, in the TDI image sensor, it is possible to suppress coupling noise and obtain appropriate sensitivity by switching the number of TDI stages according to the luminance of the subject.
本発明の実施形態であるTDI方式イメージセンサ、及び該TDI方式イメージセンサの駆動方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。又、以下の説明では、TDI方式イメージセンサは、光電変換により信号電荷を発生し転送する部分である画素がマトリクス状に配置された構成を有するが、上記画素を一次元に信号電荷の垂直転送方向に配列したTDI方式のリニアイメージセンサとして構成することもできる。 A TDI image sensor according to an embodiment of the present invention and a driving method of the TDI image sensor will be described below with reference to the drawings. In each figure, the same or similar components are denoted by the same reference numerals. In the following description, the TDI type image sensor has a configuration in which pixels, which are portions that generate and transfer signal charges by photoelectric conversion, are arranged in a matrix, but the pixels are vertically transferred in one dimension. It can also be configured as a TDI linear image sensor arranged in the direction.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1によるTDI方式リニアイメージセンサ101の回路構成を示す素子平面図である。当該TDI方式リニアイメージセンサ101は、大きく分けて、画素群110と、水平方向電荷転送部112と、電荷蓄積部113と、電荷排出ドレイン部114と、TDI段数切替構成120とを備え、信号電荷を垂直方向へ時間遅延積分(TDI)して転送を行う。
FIG. 1 is an element plan view showing a circuit configuration of a TDI type
画素群110は、本実施形態1では、Si基板表面上に画素111が水平転送方向182に8画素、垂直転送方向181に16画素の2次元アレイ状(マトリクス状)に配列されて構成される。画素111は、光信号を信号電荷に変換する光電変換素子と上記信号電荷を転送する、後述の転送ゲートを含む。尚、上記光電変換素子として、本実施形態では、FFT(フル・フレーム・トランスファ)型CCD(電荷結合素子)を使用する。勿論、画素群110を構成する画素配列数は、本実施形態のものに限定されない。又、垂直転送方向181は、図面における上から下への方向であり、信号電荷のTDI転送を行う方向であり、当該TDI方式イメージセンサ101を例えば人工衛星に搭載したときにおける衛星の進行方向に対応する方向である。又、水平転送方向182は、図面における左から右への方向であり、垂直転送方向181に直角な方向である。
In the first embodiment, the
画素111の構成について、図2を参照して説明する。Si基板上には、水平方向に沿ってポリシリコンからなる転送ゲート(転送電極とも言う)108a及び転送ゲート108bが交互に配置され、その下に転送チャネル(図示せず)が形成される。転送チャネルは、Si基板とは逆の導電型の不純物領域からなる分離領域116にて電気的に分離されている。本実施形態では、以下に説明するように、4相の垂直転送クロックが計4本からなる2組の転送ゲート108a及び転送ゲート108bに供給され、垂直転送方向181への信号電荷の転送が行われる。よって、本実施形態では図2に示すように、4本の転送ゲート108a−1、転送ゲート108b−1、転送ゲート108a−2、転送ゲート108b−2によって、一つの画素111が形成される。
The configuration of the
尚、4本の転送ゲート108a−1、転送ゲート108b−1、転送ゲート108a−2、転送ゲート108b−2には、後述の段数決定用候補配線を施す場合を除いて、それぞれの垂直転送クロックφV1〜φV4を供給するクロック配線106−1〜106−4が接続されている。又、詳細後述するが、各クロック配線106−1〜106−4は、互いに逆相の関係にてなる、本実施形態では2組の、上記垂直転送クロックが供給される。本実施形態では、図3Bに示すように、対となる垂直転送クロックφV1と垂直転送クロックφV3とは、互いに180度位相がずれた、つまり同時刻では互いに位相が逆である逆相にてなる1組の垂直転送クロックに相当し、同様に、対となる垂直転送クロックφV2と垂直転送クロックφV4とは、互いに180度位相がずれた、つまり同時刻では互いに位相が逆である逆相にてなる他の1組の垂直転送クロックに相当する。
The four
水平方向電荷転送部112は、画素群110の各列、本実施形態では上述のように8列から転送される信号電荷を水平転送方向182に転送する部分である。水平転送方向182に転送された信号電荷は、出力アンプ115を通して当該TDI方式イメージセンサ101から出力される。
The horizontal
電荷蓄積部113は、画素群110の各列、本実施形態では上述のように8列から転送される信号電荷を一旦蓄積する部分であり、画素群110と水平方向電荷転送部112との間に配置されている。当該TDI方式イメージセンサ101では、水平方向電荷転送部112における水平転送方向182への信号電荷の有効転送期間内に、画素群110の各列から電荷蓄積部113へ信号電荷の垂直転送が行われる。
The
電荷排出ドレイン部114は、画素群110の反垂直転送方向181a側に配置され、後述する不要電荷の排出を行う。
The charge
次に、本実施形態において特徴的構成部分の一つであるTDI段数切替構成120について説明する。
TDI段数切替構成120は、画素群110において垂直転送方向181へ信号電荷をTDI転送させる段数を切り替える構成部分であり、本実施形態では段数決定用候補配線121と、駆動部122とを備える。
Next, the TDI stage
The TDI stage
段数決定用候補配線121は、水平方向において画素群110における所望の転送ゲート(転送電極)108a−1、転送ゲート108b−1、転送ゲート108a−2、又は転送ゲート108b−2のいずれかに接続され、転送ゲート108とは電気的に独立し、画素群110において偶数本から構成される配線であり、上記偶数本の半数本同士の入力容量が互いに等しい配線であり、かつ、上記TDI転送させる段数を決定する転送制御クロックが供給される配線である。尚、段数決定用候補配線121が接続された転送ゲートについて、クロック配線106−1〜106−4が接続された転送ゲートと区別するため、以下では、ブロックゲートと記す場合もある。
The stage number
図1を参照して具体的に説明する。本実施形態では、垂直転送方向181に16個の画素(16段)にて形成された画素群110において、電荷蓄積部113に近接する画素111より1段目、2段目、…とし、最遠のつまり電荷排出ドレイン部114に近接する画素111を16段目とし、2段目、3段目、5段目、9段目、13段目、16段目の計6つの段をTDI転送段に設定している。
A specific description will be given with reference to FIG. In the present embodiment, in the
上記2段目の画素111では、図2に示すように、転送ゲート108a−1、転送ゲート108b−1、及び転送ゲート108a−2には、クロック配線106−1〜106−3がそれぞれ接続され、転送ゲート108b−2には、クロック配線106−4ではなく、転送制御クロックとしての垂直転送クロックが供給可能な段数決定用候補配線121Aが接続されている。
In the second-
上記3段目の画素111では、転送ゲート108a−1、転送ゲート108a−2、及び転送ゲート108b−2には、クロック配線106−1、106−3、106−4がそれぞれ接続され、転送ゲート108b−1には、クロック配線106−2ではなく、転送制御クロックとしての垂直転送クロックが供給可能な段数決定用候補配線121Bが接続されている。
In the
上記5段目の画素111では、上記2段目の画素111と同様に、転送ゲート108a−1、転送ゲート108b−1、及び転送ゲート108a−2には、クロック配線106−1〜106−3がそれぞれ接続され、転送ゲート108b−2には、クロック配線106−4ではなく、転送制御クロックとしての垂直転送クロックが供給可能な段数決定用候補配線121Cが接続されている。
In the fifth-
上記9段目の画素111では、上記3段目の画素111と同様に、転送ゲート108a−1、転送ゲート108a−2、及び転送ゲート108b−2には、クロック配線106−1、106−3、106−4がそれぞれ接続され、転送ゲート108b−1には、クロック配線106−2ではなく、転送制御クロックとしての垂直転送クロックが供給可能な段数決定用候補配線121Dが接続されている。
In the ninth-
上記13段目の画素111では、上記2段目及び5段目の画素111と同様に、転送ゲート108a−1、転送ゲート108b−1、及び転送ゲート108a−2には、クロック配線106−1〜106−3がそれぞれ接続され、転送ゲート108b−2には、クロック配線106−4ではなく、転送制御クロックとしての垂直転送クロックが供給可能な段数決定用候補配線121Eが接続されている。
In the
上記16段目の画素111では、上記3段目及び9段目の画素111と同様に、転送ゲート108a−1、転送ゲート108a−2、及び転送ゲート108b−2には、クロック配線106−1、106−3、106−4がそれぞれ接続され、転送ゲート108b−1には、クロック配線106−2ではなく、転送制御クロックとしての垂直転送クロックが供給可能な段数決定用候補配線121Fが接続されている。
In the
上述したように、段数決定用候補配線121A〜121Fは、互いに電気的に独立した配線となっており、又、クロック配線106−1〜106−4からも電気的に独立した配線であり、TDI段数を制御する場合に、段数決定用候補配線121ごとに異なるバイアス電圧やクロックを与えることができる。
As described above, the stage number determination candidate wirings 121A to 121F are wirings that are electrically independent from each other, and are also wirings that are electrically independent from the clock wirings 106-1 to 106-4. When controlling the number of stages, a different bias voltage or clock can be applied to each stage number
又、詳細後述するように、上記6つの段から上記転送制御クロックを供給する段を選択することで、TDI転送させる段を切り替えることができる。例えば、TDI転送させる段を上記5段目としたときには、1段目から4段目までに存在する画素111から信号電荷がTDI転送され、5段目から16段目までに存在する画素111の信号電荷は、電荷排出ドレイン部114から排出されることになる。
勿論、TDI転送させる段の数は、上記6つに限定されず、又、設定段も上記2、3、5、…に限定されない。
Further, as will be described in detail later, the stage for TDI transfer can be switched by selecting the stage for supplying the transfer control clock from the six stages. For example, when the TDI transfer stage is the fifth stage, signal charges are transferred from the
Of course, the number of TDI transfer stages is not limited to the above six, and the setting stages are not limited to the above 2, 3, 5,.
又、本実施形態において、上述したように、垂直転送クロックφV1と垂直転送クロックφV3とが互いに逆相にてなる1組の垂直転送クロックであり、垂直転送クロックφV2と垂直転送クロックφV4とが互いに逆相にてなる他の1組の垂直転送クロックである。よって、下記の駆動部122の説明からより明らかとなるが、段数決定用候補配線121は、上記複数組の垂直転送クロックの内の1組の垂直転送クロックが供給される第1種配線及び第2種配線にて構成され、上記第1種配線及び上記第2種配線の本数並びに上記入力容量は互いに等しく構成されている。即ち、本実施形態では、転送制御クロックとしての垂直転送クロックφV4が供給可能な段数決定用候補配線121A、121C、121Eが例えば上記第1種配線に相当し、転送制御クロックとしての垂直転送クロックφV2が供給可能な段数決定用候補配線121B、121D、121Fが例えば上記第2種配線に相当する。さらに、段数決定用候補配線121A、121C、121Eと、段数決定用候補配線121B、121D、121Fとは、互いに3本ずつで同じ本数であり、かつ、互いの入力容量が等しくなるように構成している。
In the present embodiment, as described above, the vertical transfer clock φV1 and the vertical transfer clock φV3 are a pair of vertical transfer clocks having opposite phases, and the vertical transfer clock φV2 and the vertical transfer clock φV4 are mutually connected. It is another set of vertical transfer clocks in reverse phase. Therefore, as will become more apparent from the following description of the
尚、上述の、段数決定用候補配線121は、複数組の垂直転送クロックの内の1組の垂直転送クロックが供給される第1種配線及び第2種配線にて構成され、上記第1種配線及び上記第2種配線の本数並びに上記入力容量は互いに等しく構成される、という条件を満たす限り、本実施形態における2、3、5、…段目のようなTDI転送させる設定段において、段数決定用候補配線121が設定されるクロック配線106は、供給される1組の垂直転送クロックの種類に応じて変化する。つまり、段数決定用候補配線121が設定されるクロック配線106は、本実施形態におけるクロック配線106−4、106−2に限定されない。
The stage number
次に、駆動部122について説明する。
駆動部122は、クロック配線106に対して上述の逆相の垂直転送クロックφV1、φV3と、垂直転送クロックφV2、φV4とを供給するとともに、段数決定用候補配線121に対して上記転送制御クロックを供給する部分である。ここで転送制御クロックは、上記逆相の垂直転送クロックφV1、φV3又はφV2、φV4、並びに一定電圧である。
Next, the
The
より詳しく説明すると、駆動部122は、段数決定用候補配線121の内、TDI転送を行う所望段数に対応する一つの段数決定配線に一定電圧の第1一定電圧を印加する。つまり、例えば1〜4段目の画素111についてTDI転送させたい場合、TDI転送の設定段として上述の5段目に設けている段数決定用候補配線121Cに一定電圧の第1一定電圧を印加する。尚、第1一定電圧が印加された段数決定用候補配線121Cを段数決定配線と呼ぶ。又、第1一定電圧とは、垂直転送クロックφV1〜φV4を形成するHレベル電圧及びLレベル電圧のLレベル電圧よりも低い電圧L1である。
More specifically, the driving
TDI転送の設定段が5段目で、第1一定電圧L1を段数決定配線に印加し、さらに駆動部122は、反垂直転送方向181a側に位置し上記段数決定配線とは反対種の段数決定用候補配線121の一つに、第2一定電圧L2を印加し、その他の段数決定用候補配線には、上記第1種配線及び上記第2種配線に対応して上記1組の垂直転送クロックの垂直転送クロックを供給する。
The setting stage of the TDI transfer is the fifth stage, the first constant voltage L1 is applied to the stage number determination wiring, and the
即ち、本例の場合、段数決定配線である段数決定用候補配線121Cは、垂直転送クロックφV4が供給可能なクロック配線106−4に相当する配線である。よって、これとは反対種の垂直転送クロックφV2が供給可能なクロック配線106−2に相当する配線である段数決定用候補配線121B、121D、121Fの中から、段数決定用候補配線121Cよりも反垂直転送方向181a側に位置する段数決定用候補配線121D、121Fを、駆動部122は抽出する。そして駆動部122は、段数決定用候補配線121D、121Fのいずれか一方に、第2一定電圧L2を印加する。説明の便宜上、段数決定用候補配線121Fに第2一定電圧L2を印加するとして次の説明を行う。尚、第2一定電圧L2は、垂直転送クロックのLレベルと同じ電圧である。
That is, in this example, the stage number
上述の、段数決定配線である段数決定用候補配線121C及び段数決定用候補配線121Fを除いた、残りの段数決定用候補配線121A、121B、121D、121Eについて、段数決定用候補配線121A、121Eは、上記第1種配線に相当し、転送制御クロックとしての垂直転送クロックφV4が供給可能な配線であり、段数決定用候補配線121B、121Dは、上記第2種配線に相当し、転送制御クロックとしての垂直転送クロックφV2が供給可能な配線である。よって、駆動部122は、残りの段数決定用候補配線121A、121B、121D、121Eに対して、これらの配線の種類に対応して、段数決定用候補配線121A、121Eには、転送制御クロックとして垂直転送クロックφV4を供給し、段数決定用候補配線121B、121Dには、転送制御クロックとして垂直転送クロックφV2を供給する。
With respect to the remaining stage number determination candidate wirings 121A, 121B, 121D, and 121E, excluding the stage number
尚、以上のように構成される駆動部122は、画素群110等が形成されるSi基板と同じ基板上に形成してもよいし、画素群110等を形成した基板とは別の基板に別途形成することもできる。
Note that the driving
以上説明した、実施の形態1によるTDI方式イメージセンサ101では、段数決定用候補配線121が接続されたブロックゲートは、垂直転送クロックφV2とφV4とに振り分けて同数ずつ形成される。そのため、段数決定用候補配線121A、121C、121Eと、段数決定用候補配線121B、121D、121Fとは、互いに3本ずつで同じ本数であり、かつ、互いの入力容量を等しく形成可能である。そのため、互いに逆相とした垂直転送クロックを段数決定用候補配線121に供給することで、垂直転送クロックφV2とφV4、及び垂直転送クロックφV1とφV3のカップリングノイズを相殺することができる。
In the
以上のように構成される本実施形態におけるTDI方式イメージセンサ101の動作、及びTDI方式イメージセンサ101の駆動方法について、図3A、図3B、及び図4を参照して、以下に説明する。
図3A及び図3Bは、TDI方式イメージセンサ101の駆動方法を説明するための図であり、図3Aは、TDI方式イメージセンサ101の信号転送方向に沿った断面構造の模式図であり、転送チャネルのポテンシャル変化のようすを時系列に表した図である。又、図3Bは、転送ゲート及びブロックゲートに供給する垂直転送クロックφV1〜φV4、及び上記第1一定電圧L1の波形を示す。
The operation of the TDI
3A and 3B are diagrams for explaining a driving method of the TDI
上述したように、駆動部122によって、段数決定用候補配線121のいずれか1本に、上記段数決定配線とするために第1一定電圧L1が印加され、他の1本に第2一定電圧L2が印加される。図3Aでは、TDI転送ゲートの内、第1一定電圧L1が印加される転送ゲートをブロックゲート131とし、第1一定電圧L1の転送制御クロックとして「φV4x」を記している。又、第2一定電圧L2が印加される転送ゲートをブロックゲート134とし、第2一定電圧L2の転送制御クロックとして「φV2y」を記している。よって、図3Aに示す例では、ブロックゲート131が接続されている段数決定用候補配線121は、垂直転送クロックφV4が供給可能な、上述した例えば第1種配線に相当し、段数決定用候補配線121A、121C、121Eのいずれかが相当し、ブロックゲート134が接続されている段数決定用候補配線121は、垂直転送クロックφV2が供給可能な、上述した例えば第2種配線に相当し、段数決定用候補配線121B、121D、121Fのいずれかが相当する。又、既に説明したように、段数決定用候補配線121は、他のクロック配線106−1〜106−4とは電気的に独立している。
As described above, the
図3Bに示すように、駆動部122によって、クロック配線106−1〜106−4には、4相の駆動CCDの転送クロックφV1〜φV4を供給し、段数決定用候補配線121を通してブロックゲート131には、第1一定電圧L1の転送制御クロックφV4xを印加し、段数決定用候補配線121を通してブロックゲート134には、第2一定電圧L2の転送制御クロックφV2yを印加する。これにより、時刻t1〜t5におけるポテンシャル分布は、図3Aに示すようになる。
As shown in FIG. 3B, the
このとき、ブロックゲート131下にポテンシャル障壁132が形成される。ブロックゲート134に与えられる第2一定電圧L2は、ブロックゲート131に与えられる第1一定電圧L1よりも大きいため、ブロックゲート134下にはポテンシャル障壁は形成されない。
ブロックゲート131よりも右側では、クロック配線106−1〜106−4に供給される転送クロックφV1〜φV4によるCCDの転送動作によってポテンシャル井戸が図面右方へと移動するのに伴い、信号電荷130(130a〜130c)が図面右方へと電荷転送される。
At this time, a
On the right side of the
一方、ブロックゲート131よりも左側では、ブロックゲート131下に形成されたポテンシャル障壁132のため、ブロックゲート131より右側には信号電荷は転送されない。その結果、ブロックゲート131から右側にある転送ゲート138の段数分だけ信号蓄積が行われ、実効的なTDI段数は減少する。このとき、ブロックゲート131よりも左側では転送チャネル全体にわたって不要電荷133が広がるが、この不要電荷133は、CCDの左端に設けた電荷排出ドレイン114(図1)を通して素子外部へと排出される。
On the other hand, on the left side of the
次に、実施の形態1のTDI方式イメージセンサ101の駆動方法について具体例を挙げて説明する。
駆動部122により、例えば段数決定用候補配線121Aに第1一定電圧L1を印加する。これにより、図1に示す構成において、1段目の画素111についてTDI転送が行われることになり、段数決定用候補配線121Aが段数決定配線となる。又、上述したように、駆動部122により、段数決定用候補配線121B、121D、121Fの中から例えば段数決定用候補配線121Fに第2一定電圧L2が印加される。さらに、駆動部122により、段数決定用候補配線121C、121Eには、クロック配線106−4に供給されるのと同じ転送クロックφV4が供給され、段数決定用候補配線121B、121Dには、クロック配線106−2に供給されるのと同じ転送クロックφV2が供給される。又、クロック配線106−1〜106−4には、駆動部122により、対になる転送クロックを互いに逆相とした4相駆動CCDの転送クロックφV1〜φV4が供給される。
Next, a method for driving the
For example, the
この状態において、クロック配線106−1、106−3には、それぞれ同数のCCD転送ゲート138が接続されるため、これら2つのクロック配線106−1、106−3の入力容量は、互いに等しくなる。これと同様に、クロック配線106−2、106−4の入力容量も互いに等しくなる。このため、転送クロックφV1とφV3、及び転送クロックφV2とφV4を互いに逆相として駆動すると、転送クロックφV1〜φV4の干渉によって生じるカップリングノイズは相殺されることになる。
In this state, since the same number of
さらに、転送クロックφV4と同一のクロックが段数決定用候補配線121C、121Eの2つに与えられ、転送クロックφV2と同一のクロックが段数決定用候補配線121B、121Dの2つに与えられ、段数決定用候補配線121C、121Eと、段数決定用候補配線121B、121Dとのそれぞれの入力ピン容量は、ブロックゲート1個分で互いに等しい。よって、これらの段数決定用候補配線121C、121E、121B、121Dに接続されているブロックゲートに与えられるCCD転送クロックについてもφV2とφV4の干渉によって生じるカップリングノイズは相殺される。
又、段数決定用候補配線121A、121Fには、上述のように一定電圧L1、L2が印加されるため、転送クロックの干渉は生じない。
Further, the same clock as the transfer clock φV4 is supplied to two of the stage number determination candidate wirings 121C and 121E, and the same clock as the transfer clock φV2 is supplied to the two of the stage number determination candidate wirings 121B and 121D to determine the number of stages. The input pin capacities of the candidate wirings 121C and 121E and the stage number determination candidate wirings 121B and 121D are equal to each other for one block gate. Therefore, the coupling noise generated by the interference between φV2 and φV4 is canceled out with respect to the CCD transfer clock given to the block gate connected to these stage number determination candidate wirings 121C, 121E, 121B, and 121D.
Further, since the constant voltages L1 and L2 are applied to the stage number
以上の説明は、TDI転送を行う段を1段目に設定した場合を示している。図4には、TDI転送を行う設定段数と、入力クロックの与え方の関係を示している。以下に、図4を参照してTDI段数の制御方法について説明する。 The above description shows the case where the stage for performing the TDI transfer is set to the first stage. FIG. 4 shows the relationship between the number of setting stages for performing TDI transfer and how to provide an input clock. Hereinafter, a method for controlling the number of TDI stages will be described with reference to FIG.
TDI転送を行う段数を16段より小さく設定する場合、まずポテンシャル障壁132を形成するブロックゲートを1つ選択する。つまり段数決定用候補配線121A〜121Fのいずれか一つを選択する。尚、選択方法としては、例えば、操作者が駆動部122に指令を入力する方法や、別途設けた、被写体の輝度とTDI転送を行う段数との関係を決定する決定部から設定信号を駆動部122に供給することで自動的に上記段数を設定する等の方法を採ることができる。
When the number of stages for performing TDI transfer is set to be smaller than 16, first, one block gate that forms the
例えば上記段数として4段を選択した場合、図4に示すTDI段数の「4」の欄について右方向に示すように、駆動部122により、段数決定用候補配線121Cに第1一定電圧L1が印加される。
次に、駆動部122は、第2一定電圧L2を印加する段数決定用候補配線121を決定する。即ち、既に行った説明の繰り返しになるが、段数決定用候補配線121Cは、転送クロックφV4が供給されるクロック配線106−4に対応する配線であるので、駆動部122は、転送クロックφV4と逆相の転送クロックφV2が供給されるクロック配線106−2に対応する配線である段数決定用候補配線121B、121D、121Fの中から、段数決定用候補配線121Cよりも反垂直転送方向181a側に位置する段数決定用候補配線121D、121Fを抽出する。そして駆動部122は、段数決定用候補配線121D、121Fのいずれか一方に、(図4では段数決定用候補配線121Fを選択した場合を示している。)第2一定電圧L2を印加する。
For example, when four stages are selected as the number of stages, the
Next, the
次に、駆動部122は、残りのブロックゲートが接続されている段数決定用候補配線121A、121B、121D、121Eに対して、図4に示すように、転送クロックφV4が供給されるクロック配線106−4に対応する段数決定用候補配線121A、121EにはφV4のCCD転送クロックを供給し、転送クロックφV2が供給されるクロック配線106−2に対応する段数決定用候補配線121B、121DにはφV2のCCD転送クロックを供給する。
Next, as shown in FIG. 4, the driving
このとき、転送クロックφV2及び転送クロックφV4が供給される段数決定用候補配線121は、段数決定用候補配線121B、121Dと、段数決定用候補配線121A、121Eとの互いに2つずつで、同数となる。
At this time, the number of candidate stages 121 for determining the number of stages to which the transfer clock φV2 and the transfer clock φV4 are supplied is the same as the number of
尚、段数決定用候補配線121B及び段数決定用候補配線121Dを段数決定配線に選択しこれらに第1一定電圧L1が印加される場合には、図4に示すように、TDI段数は、2.5段及び8.5段と整数倍ではなくなる。これは、ポテンシャル障壁132を形成するゲート位置がクロック配線106−4に接続される転送ゲートからクロック配線106−2に接続される転送ゲートへと1/2画素分だけずれた位置に対応することを示している。
When the stage number
次に、TDI段数を最大の16段に設定する場合、図4に示すTDI段数の「16」の欄について右方向に示すように、駆動部122は、第1一定電圧L1が印加されて形成されるポテンシャル障壁132を形成せず、転送クロックφV4が供給されるクロック配線106−4に対応する段数決定用候補配線121A、121C、121Eには、転送クロックφV4を供給し、転送クロックφV2が供給されるクロック配線106−2に対応する段数決定用候補配線121B、121D、121Fには、転送クロックφV2を供給する。このとき、転送クロックφV2及び転送クロックφV4が供給される段数決定用候補配線121は、それぞれ3つずつで同数となる。
Next, when setting the maximum number of TDI stages to 16, the
以上、説明した駆動方法によれば、いずれの段数にTDI段数を設定する場合でも、対になる段数決定用候補配線121の入力容量が互いに等しくなる。よって、逆相クロックによるCCD駆動を行うと、CCD転送クロックの干渉によるカップリングノイズを完全に相殺することができる。 As described above, according to the driving method described above, the input capacities of the pair of stage number determination candidate wirings 121 are equal to each other regardless of the number of TDI stages. Therefore, when the CCD is driven by the reverse phase clock, the coupling noise due to the interference of the CCD transfer clock can be completely canceled.
以上、説明したように、本実施の形態によるTDI方式イメージセンサの駆動方法によれば、TDI段数切り替えを行うと同時に、垂直転送クロックの干渉によって生じるカップリングノイズを完全に相殺することが可能になる。 As described above, according to the TDI image sensor driving method according to the present embodiment, it is possible to completely cancel the coupling noise caused by the interference of the vertical transfer clock at the same time as switching the number of TDI stages. Become.
尚、上述した各説明では、信号電荷をTDI転送させる段数を設定するブロックゲートを、転送クロックφV2及び転送クロックφV4が供給されるクロック配線106−2,161−4に対応する段数決定用候補配線121に接続されるブロックゲートとしたが、勿論、互いに逆相となる転送クロックφV1及び転送クロックφV3に対応したブロックゲートとすることもできる。さらに、ブロックゲートを、転送クロックφV1〜φV4のすべてについて等数ずつ設ける場合についても同様である。 In each of the above explanations, the block gate for setting the number of stages for transferring the signal charges in TDI is the stage number determining candidate wiring corresponding to the clock wirings 106-2 and 161-4 to which the transfer clock φV2 and the transfer clock φV4 are supplied. Although the block gate connected to 121 is, of course, a block gate corresponding to the transfer clock φV1 and the transfer clock φV3 that are in opposite phases to each other. The same applies to the case where the block gates are provided in equal numbers for all the transfer clocks φV1 to φV4.
又、TDI転送段をいずれに設定するか、さらに段数の切替候補段をいくつに設定するかについては、画素群110においてブロックゲートを設ける位置と、その数とに応じて決まり、図4を用いて説明した設定方法に従う範囲内で任意の位置と箇所に設定可能である。
又、上述した各説明では、4相の転送クロックを用いる場合を例に採ったが、転送クロックを6相等、4相以上の偶数相数にて駆動されるCCDに適用する場合についても、上述の実施形態は適用可能である。
In addition, the setting of the TDI transfer stage and the number of stage switching candidate stages are determined according to the position where the block gate is provided in the
In each of the above explanations, the case of using a four-phase transfer clock is taken as an example. However, the case where the transfer clock is applied to a CCD driven by an even number of phases of four or more, such as six phases, is also described above. This embodiment is applicable.
101 TDI方式イメージセンサ、
106,106−1〜106−4 クロック配線、
108,108a,108b,108a−1,108b−1,108a−2,108b−2 転送ゲート、110 画素群、111 画素、112 水平方向電荷転送部、
113 電荷蓄積部、114 電荷排出ドレイン、
120 TDI段数切替構成、
121,121−1〜121−6 段数決定用候補配線、122 駆動部、
130 信号電荷、131 ブロックゲート、132 ポテンシャル障壁、
134 ブロックゲート、
181 垂直転送方向、181a 反垂直転送方向、182 水平転送方向。
101 TDI image sensor,
106, 106-1 to 106-4 clock wiring,
108, 108a, 108b, 108a-1, 108b-1, 108a-2, 108b-2 transfer gate, 110 pixel group, 111 pixel, 112 horizontal direction charge transfer unit,
113 charge storage unit, 114 charge discharge drain,
120 TDI stage number switching configuration,
121, 121-1 to 121-6, candidate wiring for determining the number of stages, 122 driving unit,
130 signal charge, 131 block gate, 132 potential barrier,
134 block gate,
181 Vertical transfer direction, 181a Anti-vertical transfer direction, 182 Horizontal transfer direction.
Claims (4)
上記画素群において上記垂直方向へ上記信号電荷をTDI転送させる段数を切り替えるTDI段数切替構成を備えたことを特徴とするTDI方式イメージセンサ。 A pixel group having a transfer gate for transferring a signal charge photoelectrically converted by a photoelectric conversion element in a vertical direction has a pixel group arranged two-dimensionally in a matrix, and the transfer gates are connected and electrically independent from each other. In a TDI type image sensor that supplies two vertical transfer clocks that are paired to the clock wiring in opposite phases and transfers the signal charges by time delay integration (TDI) in the vertical direction,
A TDI type image sensor comprising a TDI stage number switching configuration for switching the number of stages for TDI transfer of the signal charge in the vertical direction in the pixel group.
上記段数決定用候補配線は、上記画素群における所望の上記転送ゲートに接続され、上記クロック配線とは電気的に独立した偶数本から構成され、対となる互いに逆相の関係にある2つの上記垂直転送クロックが供給されるものの入力容量が互いに等しく、上記段数を決定する転送制御クロックが供給される配線であり、
上記駆動部は、それぞれの上記クロック配線に対して上記逆相の垂直転送クロックを供給するとともに、上記段数決定用候補配線に対して上記転送制御クロックを供給し、ここで転送制御クロックは、上記逆相の垂直転送クロック及び一定電圧である、
請求項1記載のTDI方式イメージセンサ。 The TDI stage number switching configuration includes a stage number determination candidate wiring and a drive unit.
The stage number determination candidate wiring is connected to the desired transfer gate in the pixel group, is configured of an even number electrically independent from the clock wiring, and has two pairs of opposite phases that are paired with each other. Although the vertical transfer clock is supplied, the input capacities are equal to each other, and the transfer control clock that determines the number of stages is supplied to the wiring.
The drive unit supplies the reverse-phase vertical transfer clock to each of the clock wirings, and supplies the transfer control clock to the stage number determination candidate wiring, where the transfer control clock is A reverse phase vertical transfer clock and a constant voltage,
The TDI image sensor according to claim 1.
上記段数決定用候補配線は、上記複数組の垂直転送クロックの内の1組の垂直転送クロックが供給される第1種配線及び第2種配線にて構成され、上記第1種配線及び上記第2種配線の本数並びに上記入力容量は互いに等しく、
上記駆動部は、上記段数決定用候補配線の内、TDI転送を行う所望段数に対応する一つの段数決定配線に上記一定電圧内の第1一定電圧を印加し、上記信号電荷の反垂直転送方向側に位置し上記段数決定配線とは反対種の上記段数決定用候補配線の一つに、上記第1一定電圧よりも高い第2一定電圧を印加し、その他の段数決定用候補配線には、上記第1種配線及び上記第2種配線に対応して上記1組の垂直転送クロックの垂直転送クロックを供給する、請求項2記載のTDI方式イメージセンサ。 Each of the pixels has an even number of transfer gates of 4 or more, and each of the clock wirings includes a plurality of even phases of 4 or more and a pair of two phases that are in opposite phase to each other. A set of vertical transfer clocks is provided,
The stage number determination candidate wiring is configured by a first type wiring and a second type wiring to which one set of vertical transfer clocks among the plurality of sets of vertical transfer clocks is supplied. The number of the two types of wiring and the input capacitance are equal to each other,
The driving unit applies a first constant voltage within the constant voltage to one stage number determination wiring corresponding to a desired number of stages to perform TDI transfer among the stage number determination candidate wirings, and the anti-vertical transfer direction of the signal charge A second constant voltage higher than the first constant voltage is applied to one of the stage number determination candidate wirings located on the side opposite to the stage number determination wiring, and the other stage number determination candidate wirings are 3. The TDI image sensor according to claim 2, wherein a vertical transfer clock of the set of vertical transfer clocks is supplied corresponding to the first type wiring and the second type wiring.
上記段数決定用候補配線の内、TDI転送を行う所望の段数に対応する一つの段数決定配線に第1一定電圧を印加し、
上記段数決定配線よりも上記信号電荷の反垂直転送方向側に位置し上記段数決定配線とは反対種の上記段数決定用候補配線の一つに、上記第1一定電圧よりも高い第2一定電圧を印加し、
残りの上記段数決定用候補配線には、上記第1種配線及び上記第2種配線に対応して上記1組の垂直転送クロックを供給する、
ことを特徴とするTDI方式イメージセンサの駆動方法。 Pixels having transfer gates that transfer signal charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion elements in a vertical direction are two-dimensionally arranged in a matrix, and the transfer gates are connected to each other and four or more clock wirings are electrically independent from each other. A TDI system in which an even number of vertical transfer clocks in which two even pairs of phases are in opposite phases with each other are supplied and the signal charges are transferred by time delay integration (TDI) in the vertical direction. An image sensor, which is connected to a desired transfer gate in the pixel group and is composed of an even number electrically independent from the clock wiring, and one set of vertical transfer clocks among the even number of vertical transfer clocks The number of first-type wirings and second-type wirings to be supplied, the number of first-type wirings and second-type wirings, and the stage number determination candidate wirings having the same input capacitances. A method of driving a TDI type of image sensor which includes,
A first constant voltage is applied to one stage number determination wiring corresponding to a desired number of stages to perform TDI transfer among the stage number determination candidate wirings,
A second constant voltage higher than the first constant voltage is applied to one of the stage number determination candidate wirings located on the anti-vertical transfer direction side of the signal charge with respect to the stage number determination wiring and opposite to the stage number determination wiring. Apply
The set of vertical transfer clocks corresponding to the first type wiring and the second type wiring is supplied to the remaining stage number determination candidate wirings.
A method of driving a TDI image sensor.
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