JP2010002733A - Substrate with planar element, display medium using the same, and method for manufacturing substrate with planar element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、平板状素子付き基板、これを用いた表示媒体および平板状素子付き基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate with a flat element, a display medium using the same, and a method for manufacturing a substrate with a flat element.
近年、フレキシブルディスプレイや、電子ペーパーといった新しい表示媒体の研究、商品化が活発となっている。上記表示媒体には、可撓性を有することが必須機能として求められる。
可撓性を表示媒体に付与するためには、回路基板のフレキシブル化が必須となる。これを達成する技術として、画素制御素子や微小シリコン集積回路チップ等のトランジスタをプラスチック基板へ転写する方法が知られている（例えば、特許文献１〜３等参照）。この技術では、表示媒体を動作させるトランジスタ部分のみがフレキシブル化されている、又は、可撓性を有する基板（フレキシブル基板）上に作製される。
In recent years, research and commercialization of new display media such as flexible displays and electronic paper have become active. The display medium is required to have flexibility as an essential function.
In order to impart flexibility to the display medium, it is essential to make the circuit board flexible. As a technique for achieving this, a method of transferring a transistor such as a pixel control element or a micro silicon integrated circuit chip to a plastic substrate is known (see, for example,
また、トランジスタ部分をフレキシブル基板（有機樹脂基板）上に作製する技術としてＭＡＴ（ｍｉｃｒｏ ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ ｔｈｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が知られている（例えば、非特許文献１参照）。この非特許文献１には、ガラス転移温度が１６３℃の環状ポリオレフィン製基板表面に、圧力０．１〜０．６ＭＰａおよび基板温度１６０〜２１０℃の条件下で、縦横３００μｍ×３００μｍ、厚み７０μｍのＳｉチップが、段差なく埋め込めることが開示されている。
上述した技術は、表示媒体の画素単位の表示を制御するトランジスタ部分のみをフレキシブル基板上に転写したり埋め込んだりするものであるため、チップのサイズが小さい。しかし、例えば、表示媒体を作製する場合、画素が設けられる基板には、画素制御用の素子の周辺にはこれを駆動する等の目的で種々の平板状素子（ドライバーＩＣ等）も配置される。 Since the above-described technique transfers or embeds only a transistor portion that controls display on a pixel basis of a display medium on a flexible substrate, the chip size is small. However, for example, when a display medium is manufactured, various flat elements (driver ICs or the like) are also arranged around a pixel control element for the purpose of driving the pixel control element, for example. .
これらの素子の中には、ドライバーＩＣのように、縦横のサイズがミリメーターオーダーサイズで、画素制御用のトランジスタ部分と比べて大きいサイズを有するものもある。このような大型サイズの平板状素子については、従来、フレキシブルプリント基板に載せて、メインの基板外に付属させたり、あるいはメインの基板上にそのまま搭載配置されるため、基板表面には大型サイズの素子に起因する突出が存在する。このため、例えば、電子ペーパーなどのように薄さが求められる形態では、薄型化を阻害する原因となることがある。また、大型サイズの素子と他の素子との間に配線を形成する場合、例えば、スパッタリング法等の成膜法を利用した配線の形成を行う場合には、大型サイズの素子と基板表面との段差部分を跨ぐように成膜をする必要がある。しかし、段差が大きい場合これを使用中の破断を防止しうるように安定的に配線することは技術的な難易度が高い。 Some of these elements, like driver ICs, have a size in the order of millimeters in size, which is larger than that of the pixel control transistor portion. Since such a large-sized flat element is conventionally placed on a flexible printed circuit board and attached to the outside of the main circuit board or mounted as it is on the main circuit board, a large-sized element is formed on the surface of the circuit board. There are protrusions due to the element. For this reason, for example, in a form in which thinness is required, such as electronic paper, it may be a cause of inhibiting thinning. In addition, when a wiring is formed between a large-sized element and another element, for example, when forming a wiring using a film forming method such as a sputtering method, the large-sized element and the substrate surface It is necessary to form a film so as to straddle the stepped portion. However, when the level difference is large, it is technically difficult to stably wire so as to prevent breakage during use.
本発明は上述した事情等も考慮してなされたものであり、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性に優れる平板状素子付き基板およびこれを用いた表示媒体を提供することを課題とする。 The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances and the like, and even when a large-sized flat plate element is arranged on the substrate surface, the substrate with a flat plate element having excellent surface flatness and a display medium using the same It is an issue to provide.
上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、
請求項１に係わる発明は、
少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子と、を備え、
前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする平板状素子付き基板である。
・式（１） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
The above-mentioned subject is achieved by the following present invention. That is,
The invention according to
A substrate having at least a surface made of a resin material, and a flat surface that is embedded in the surface of the substrate made of the resin material with respect to the surface of the substrate and has a volume of 0.05 mm 3 or more. An element,
It is a board | substrate with a flat element characterized by the storage elastic modulus and loss elastic modulus of the said resin material satisfy | filling the following Formula (1).
Formula (1) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
[In Formula (1), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at temperature T (° C.), and E2 (T) represents the resin material at temperature T (° C.). Represents loss elastic modulus (MPa), T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, and T2 means a temperature exceeding T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. . ]
請求項２に係わる発明は、
前記基材が、前記樹脂材料のみから構成されることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
The invention according to
The said base material is comprised only from the said resin material, It is a board | substrate with a flat element of
請求項３に係わる発明は、
前記樹脂材料が、環状ポリオレフィン樹脂、および、ポリカーボネート樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
The invention according to
2. The substrate with a flat plate element according to
請求項４に係わる発明は、
前記平板状素子が、電子素子、光学素子、および、磁気素子からなる群より選択される少なくとも１種の素子であることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
The invention according to
2. The substrate with a flat element according to
請求項５に係わる発明は、
前記平板状素子が、ドライバーＩＣであることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
The invention according to claim 5 is:
2. The flat element-equipped substrate according to
請求項６に係わる発明は、
表示媒体用基板として用いられることを特徴とする請求項１に記載の平板状素子付き基板である。
The invention according to claim 6 is:
It is used as a display medium substrate, The flat element-equipped substrate according to
請求項７に係わる発明は、
少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状の非表示層制御用素子と、前記基材の前記非表示層制御用素子が埋め込まれた側の面に配置された表示層制御用素子とを有し、且つ、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（２）を満たす第１の表示媒体用基板と、
該第１の表示媒体用基板の前記表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置された第２の表示媒体用基板と、
前記第１の表示媒体用基板および前記第２の表示媒体用基板の間に配置された表示層と、を備えたことを特徴とする表示媒体である。
・式（２） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（２）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
The invention according to claim 7 is:
A substrate having at least a surface made of a resin material, and a flat surface that is embedded in the surface of the substrate made of the resin material with respect to the surface of the substrate and has a volume of 0.05 mm 3 or more. A non-display layer control element, and a display layer control element disposed on a surface of the substrate on which the non-display layer control element is embedded, and a storage elastic modulus of the resin material And a first display medium substrate whose loss elastic modulus satisfies the following formula (2):
A second display medium substrate disposed so as to face a surface of the first display medium substrate on which the display layer control element is disposed;
A display medium comprising: a display layer disposed between the first display medium substrate and the second display medium substrate.
Formula (2) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
[In Formula (2), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at temperature T (° C.), and E2 (T) represents the resin material at temperature T (° C.). Represents loss elastic modulus (MPa), T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, and T2 means a temperature exceeding T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. . ]
請求項８に係わる発明は、
前記基材が前記樹脂材料のみから構成され、且つ、前記第２の表示媒体用基板が樹脂製基板であることを特徴とする請求項７に記載の表示媒体である。
The invention according to claim 8 is:
The display medium according to claim 7, wherein the base material is composed only of the resin material, and the second display medium substrate is a resin substrate.
請求項９に係わる発明は、
少なくとも表面が、貯蔵弾性率および損失弾性率が下式（３）を満たす樹脂材料で構成される基材を準備する工程と、
該基材の前記樹脂材料から構成される面に体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子を配置する工程と、
前記基材に対して前記平板素子を下式（４）の温度条件の下で加圧して埋め込む工程と、を備えることを特徴とする平板状素子付き基板の製造方法である。
・式（３） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
・式（４） Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２
〔式（３）および式（４）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
The invention according to claim 9 is
A step of preparing a base material comprising at least a resin material having a storage elastic modulus and a loss elastic modulus satisfying the following formula (3):
Arranging a flat element having a volume of 0.05 mm 3 or more on the surface composed of the resin material of the substrate;
A step of pressing and embedding the flat plate element in the base material under the temperature condition of the following formula (4).
Formula (3) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
Formula (4) T1 <T <T2
[In the formulas (3) and (4), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at the temperature T (° C.), and E2 (T) represents the temperature T (° C.). Represents a loss elastic modulus (MPa) of the resin material, T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, T2 exceeds T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. Means the temperature. ]
以上に説明したように請求項１に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性に優れた平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項２に記載の発明によれば、可撓性を有する平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項３に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性が高い平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項４に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性が高い平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項５に記載の発明によれば、画素制御等に利用される素子の駆動を制御する素子を備えた平板状素子付き基板を提供することができる。
請求項６に記載の発明によれば、表示媒体に利用できる平板状素子付き基板を提供することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, it is possible to provide a flat element-equipped substrate having excellent surface flatness even when a large-sized flat plate element is disposed on the substrate surface. .
According to invention of
According to invention of
According to invention of
According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to provide a substrate with a flat plate-like element provided with an element for controlling driving of an element used for pixel control or the like.
According to invention of Claim 6, the board | substrate with a flat element which can be utilized for a display medium can be provided.
請求項７に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子が基板表面に配置された場合でも表面の平坦性の高い平板状素子付き基板を用いた表示媒体を提供することができる。
請求項８に記載の発明によれば、可撓性を有する表示媒体を提供することができる。
請求項９に記載の発明によれば、大型サイズの平板状素子を基板表面に配置する場合でも、表面の平坦性に優れた平板状素子付き基板を製造することができる。
According to the seventh aspect of the present invention, it is possible to provide a display medium using a flat element-equipped substrate having a high surface flatness even when a large sized flat element is arranged on the substrate surface.
According to the eighth aspect of the invention, a flexible display medium can be provided.
According to invention of Claim 9, even when arrange | positioning a large sized flat element on the surface of a board | substrate, the board | substrate with a flat element excellent in the flatness of the surface can be manufactured.
（平板状素子付き基板）
本発明の平板状素子付き基板は、少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子と、を備え、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする。
・式（１） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
即ち、本発明の平板状素子付き基板は、少なくとも基材の表面を構成する樹脂として、ガラス転移温度（℃）を超え熱分解温度（℃）未満の温度域の内、貯蔵弾性率Ｅ１と損失弾性率Ｅ２とが、Ｅ１＜Ｅ２の関係となる温度範囲を有する樹脂を用いることを特徴とする。
(Substrate with flat element)
The substrate with a flat element of the present invention is embedded in the base material surface at least on the base material composed of a resin material on the surface and the resin material of the base material, and has a volume of 0. 0.05 mm 3 or more, and the storage elastic modulus and loss elastic modulus of the resin material satisfy the following formula (1).
Formula (1) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
[In Formula (1), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at temperature T (° C.), and E2 (T) represents the resin material at temperature T (° C.). Represents loss elastic modulus (MPa), T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, and T2 means a temperature exceeding T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. . ]
That is, the substrate with a flat element of the present invention is a resin constituting at least the surface of the base material, and has a storage elastic modulus E1 and a loss within a temperature range exceeding the glass transition temperature (° C.) and below the thermal decomposition temperature (° C.). A resin having a temperature range in which the elastic modulus E2 satisfies a relationship of E1 <E2 is used.
本発明では、基材の平板状素子が埋め込まれる側の面を構成する樹脂材料が、上記式（１）を満たす。それゆえ、平板状素子を基材表面に配置した後に、式（１）を満たす温度域で熱処理しながら、平板状素子を基材表面に埋め込むように加圧して平板状素子付き基板を作製する際に、平板状素子を、基材表面に対して小さい段差で埋め込むことができる。
従って、本発明の平板状素子付き基板は、本来であれば高い突出を形成する平板状素子を有していても、平板状素子が配置された側の面において表面の平坦性を高くすることができる。
In this invention, the resin material which comprises the surface by which the flat element of a base material is embedded satisfy | fills said Formula (1). Therefore, after placing the flat element on the surface of the base material, heat treatment is performed in a temperature range satisfying the formula (1), and pressurization is performed so as to embed the flat element in the surface of the base material to produce a substrate with the flat element. In this case, the flat element can be embedded with a small step with respect to the substrate surface.
Therefore, even if the substrate with a flat element of the present invention originally has a flat element that forms a high protrusion, the surface flatness is increased on the surface on which the flat element is disposed. Can do.
なお、平板状素子の端部における、平板状素子の基材表面との段差は２μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以下であることが更に好ましく、０μｍ（段差無し）が最も好ましい。
段差が２μｍを超えると、例えば、平板状素子がドライバーＩＣなどの電子素子である場合において、平板状素子と基材表面に配置された他の電子素子との間に薄膜状の配線を形成しようとしても、製造時に段差部において配線が断絶してしまうことが多くなるだけでなく、これを装置として使用する場合にも、基板の変形に伴って断線することが多くなる場合がある。また、段差が２μｍ超えると、平板状素子付き基板の実質的な厚みが増加してしまうことになる。それゆえ、電子ペーパーなどの薄さが求められる平板状の各種装置を構成する基板として、平板状素子付き基板を用いる場合には平板状装置の薄型化が困難となる場合がある。
Note that the step difference between the flat element and the substrate surface at the end of the flat element is preferably 2 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.5 μm or less, and 0 μm. (No step) is most preferable.
If the step exceeds 2 μm, for example, when the flat element is an electronic element such as a driver IC, a thin film-like wiring is formed between the flat element and another electronic element disposed on the surface of the substrate. However, not only does the wiring often break at the step portion during manufacturing, but also when this is used as a device, there are cases where the wire is often broken due to the deformation of the substrate. On the other hand, if the level difference exceeds 2 μm, the substantial thickness of the substrate with a flat plate element increases. Therefore, when a substrate with a plate-like element is used as a substrate constituting various flat plate-like devices such as electronic paper, it may be difficult to reduce the thickness of the plate-like device.
また、本発明では、基材に埋め込まれる素子として、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子（以下、「大型素子」と称す場合がある）が用いられる。この平板状素子は、特許文献１〜３や非特許文献１等に例示されるような、従来、樹脂基板に埋め込まれていた平板状素子（体積に換算して、０．０５ｍｍ３未満程度；以下、「小型素子」と称す場合がある）と比べて一回り以上大きいサイズの素子である。
そこで、本発明者らは、基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度以上の温度域にて、基材表面に小型素子を埋め込む場合と同様の条件で、大型素子も埋め込めるものと考えて、種々のテストを実施したが、小型素子の場合に十分に埋め込めても大型素子の場合には埋め込みできないことを確認した。
これらの結果から、本発明者らは、大型素子を埋め込む場合には、単に基材を加熱して軟化させるだけでは不十分であると考えた。そして、種々の検討を行った結果、式（１）を満たす特性を有する樹脂材料を用い、樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度かつ、樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度域の内、貯蔵弾性率Ｅ１と損失弾性率Ｅ２とが、Ｅ１＜Ｅ２の関係となる（式（１）の関係を満たす）温度範囲にて加熱しながら埋め込むことで、大型素子でも基材表面に十分に埋め込めることを確認した。式（１）を満たす温度域にて埋め込んだ場合に、大型素子でも十分に埋め込める理由は、基材表面が弾性体よりも粘性体として振舞っている領域であり、弾性力が低いためと推定される。
In the present invention, a flat element having a volume of 0.05 mm 3 or more (hereinafter sometimes referred to as a “large element”) is used as the element embedded in the substrate. This flat element has been conventionally embedded in a resin substrate as exemplified in
Therefore, the present inventors consider that a large element can also be embedded under the same conditions as when a small element is embedded on the surface of the substrate in a temperature range higher than the glass transition temperature of the resin material constituting the substrate. Various tests were conducted, and it was confirmed that even if a small element was sufficiently embedded, it could not be embedded in a large element.
From these results, the present inventors considered that it is insufficient to simply heat and soften the substrate when embedding a large element. As a result of various investigations, using a resin material having characteristics satisfying the formula (1), a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material and a temperature lower than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. By embedding while heating in a temperature range in which the storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 satisfy the relationship of E1 <E2 (satisfying the relationship of Formula (1)), It was confirmed that it could be embedded sufficiently. When embedded in a temperature range that satisfies Equation (1), the reason why a large element can be embedded sufficiently is presumed to be because the surface of the base material behaves as a viscous body rather than an elastic body, and the elastic force is low. Is done.
また、大型素子全体が埋め込まれるように樹脂材料を高い温度で軟化させると、樹脂全体の粘度が低下し過ぎて、所定位置に配置すべき素子自体の位置が変動し、位置決め精度が悪化することも見出された。更に素子のサイズが大きいことから、この素子の埋め込み体積分の樹脂が周辺に押し出されることとなり、このため特に同時に埋め込む素子数が多い場合や、予め薄膜配線を形成しておいた場合などは、面内方向での相対的な位置ずれが発生しやすくなる。一方、低い温度で埋め込んだ場合には、平板状素子の端縁により樹脂材料を剪断する作用が生じ、平板状素子の端縁と樹脂材料の間にギャップが形成されてしまい、深さ方向にも平坦性が低下する。従って、この間を配線すると先に述べた段差に起因する断線も生じやすくなる。
そこで、平坦性を高めるのに加え、位置精度良く、素子と樹脂材料間のギャップを少なくするためには、埋め込む際の温度条件をＴ１＋２℃以上Ｔ２−２℃以下とすることが好ましく、（Ｔ１＋Ｔ２）／２℃に近いほど好ましい。更にその場合であっても、ガラス転移温度に近づける方が素子の位置ずれが小さくなる点で望ましい。
In addition, if the resin material is softened at a high temperature so that the entire large element is embedded, the viscosity of the entire resin is too low, and the position of the element itself to be placed at a predetermined position fluctuates, resulting in poor positioning accuracy. Was also found. Furthermore, since the size of the element is large, the resin for the embedded volume of this element will be pushed out to the periphery.For this reason, especially when the number of elements embedded at the same time is large or when thin film wiring is formed in advance, A relative displacement in the in-plane direction is likely to occur. On the other hand, when buried at a low temperature, an action of shearing the resin material by the edge of the flat element occurs, and a gap is formed between the edge of the flat element and the resin material, and the depth direction However, the flatness is reduced. Therefore, if wiring is provided between these, disconnection due to the above-described step is likely to occur.
In order to reduce the gap between the element and the resin material in addition to improving the flatness and reducing the gap between the element and the resin material, it is preferable to set the temperature condition at the time of embedding to T1 + 2 ° C. or higher and T2-2 ° C. or lower, and (T1 + T2 ) / 2 ° C is preferred. Furthermore, even in that case, it is desirable that the element shifts closer to the glass transition temperature because the positional deviation of the element is reduced.
−基材−
次に、本発明の平板状素子付き基板を構成する各部材についてより詳細に説明する。
まず、基材としては、少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材が用いられる。この場合、基材は金属や金属酸化物などの無機材料から構成される平板状部材の少なくとも片面に樹脂材料からなる層（樹脂層）を設けた態様（第１の態様）でもよく、あるいは、基材が樹脂材料のみから構成された態様（第２の態様）でもよい。
-Base material-
Next, each member which comprises the board | substrate with a flat element of this invention is demonstrated in detail.
First, as the substrate, a substrate having at least a surface made of a resin material is used. In this case, the substrate may be an embodiment (first embodiment) in which a layer (resin layer) made of a resin material is provided on at least one surface of a flat plate member made of an inorganic material such as a metal or metal oxide, or The aspect (2nd aspect) in which the base material was comprised only from the resin material may be sufficient.
第１の態様の基材では、樹脂層の厚みは、平板状素子全体を埋め込む場合には、少なくとも平板状素子の厚み以上となるように設けられる。樹脂層の厚みが平板状素子の厚み未満では、平板状素子を十分に埋め込むことができなくなるためである。
第２の態様の基材では、基材全体が樹脂材料から構成されるため、平板状素子付き基板に高い可撓性を付与することができる。それゆえ、例えば、平板状素子付き基板を電子ペーパーなどのフレキシビリティが求められる表示媒体用の基板として利用できる。また、基材の表面には、予め小型素子や配線などが設けられていてもよい。
In the base material of the first aspect, the thickness of the resin layer is provided so as to be at least the thickness of the flat element when the entire flat element is embedded. This is because if the thickness of the resin layer is less than the thickness of the flat element, the flat element cannot be embedded sufficiently.
In the base material of the 2nd mode, since the whole base material is constituted from a resin material, high flexibility can be given to a substrate with a flat element. Therefore, for example, a substrate with a flat element can be used as a substrate for a display medium that requires flexibility such as electronic paper. Moreover, a small element, wiring, etc. may be provided in advance on the surface of the base material.
また、基材は透明でも不透明でもよいが、平板状素子付き基板が、透過型の表示媒体用基板として用いられる場合や、反射型の表示媒体用基板において画像表示面側の基板として用いられる場合には、透明であることが必要である。 The substrate may be transparent or opaque, but the substrate with a flat plate element is used as a transmissive display medium substrate, or a reflective display medium substrate is used as a substrate on the image display surface side. It is necessary to be transparent.
−樹脂材料−
基材を構成する樹脂材料（平板状素子が埋め込まれる側の面を構成する樹脂材料）としては、式（１）を満たす樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、環状ポリオレフィン樹脂や、ポリカーボネート樹脂が利用できる。
-Resin material-
As the resin material constituting the substrate (resin material constituting the surface on which the flat element is embedded), a resin material satisfying the formula (1) is used. As such a resin material, for example, a cyclic polyolefin resin or a polycarbonate resin can be used.
−平板状素子−
本発明に用いられる平板状素子（大型素子）としては特に限定されず、公知の素子；例えば、ＩＣドライバー等の電子素子、光回路や導波路等の光学素子、ＩＣチップ等の磁気素子が利用できる。また、使用する大型素子の種類は、平板状素子付き基板の用途に応じて適宜選択できる。さらに、使用される平板状素子としては、大型素子のみに限定されず、大型素子と共に小型素子（例えば、画素制御に利用するＴＦＴ等のトランジスタ素子など）も併用することができる。
-Flat element-
The flat element (large element) used in the present invention is not particularly limited, and a known element; for example, an electronic element such as an IC driver, an optical element such as an optical circuit or a waveguide, or a magnetic element such as an IC chip is used. it can. Moreover, the kind of large sized element to be used can be suitably selected according to the use of the board | substrate with a flat element. Further, the flat plate element used is not limited to a large element, and a small element (for example, a transistor element such as a TFT used for pixel control) can be used together with the large element.
なお、本発明において、大型素子とは、既述したようにその体積が０．０５ｍｍ３以上であるものを意味する。体積は、０．５ｍｍ３以上であることが好ましく、１ｍｍ３以上であることがより好ましい。
素子の体積が０．０５ｍｍ３未満の場合は、素子のサイズが十分に小さくなるため、特許文献１〜３や非特許文献１に例示されるような従来の方法を利用して、平板状素子付き基板を得ることができる。
なお、大型素子の体積の上限は特に限定されないが実用上は２０００ｍｍ３以下であることが好ましい。大型素子の体積が２０００ｍｍ３を超える場合には、素子のサイズが大きすぎるために、印加する力が大きくなる。その場合、素子、もしくは基板の破損が発生しやすくなり、製造効率が低下し、実用上問題となる場合がある。
In the present invention, the large element means one having a volume of 0.05 mm 3 or more as described above. The volume is preferably 0.5 mm 3 or more, and more preferably 1 mm 3 or more.
When the volume of the element is less than 0.05 mm 3 , the size of the element is sufficiently small. Therefore, using conventional methods exemplified in
The volume of the upper limit is particularly but not limited to practical large element is preferably 2000 mm 3 or less. When the volume of the large element exceeds 2000 mm 3 , the applied force increases because the element size is too large. In that case, the element or the substrate is easily damaged, and the production efficiency is lowered, which may cause a problem in practical use.
大型素子の形状は平板状であれば特に限定されず、素子の機能や用途に応じて適宜選択できる。ただし、体積が大きくなると熱容量も増えるため、加熱に時間がかかる。そのため、実用上の観点から、長辺の長さが、７０ｍｍ以下であることが好ましく、５０ｍｍ以下であることがより好ましい。
また、大型素子の厚みは特に限定されず、素子の機能や用途に応じて適宜選択でき、基材より薄ければよい。ただし、厚みの上限は、厚すぎると基材を加熱する時間が長くなり、実用上問題となる。そのため、５ｍｍ以下であることが好ましく、２ｍｍ以下であることがより好ましい。
The shape of the large element is not particularly limited as long as it is a flat plate shape, and can be appropriately selected according to the function and application of the element. However, since the heat capacity increases as the volume increases, heating takes time. Therefore, from a practical viewpoint, the length of the long side is preferably 70 mm or less, and more preferably 50 mm or less.
Moreover, the thickness of a large sized element is not specifically limited, It can select suitably according to the function and use of an element, and should just be thinner than a base material. However, if the upper limit of the thickness is too thick, it takes a long time to heat the substrate, which causes a problem in practice. Therefore, it is preferably 5 mm or less, and more preferably 2 mm or less.
−平板状素子付き基板の用途−
平板状素子付き基板の用途としては特に限定されないが、例えば、形状が平板状の装置に利用することができ、この中でも液晶表示媒体や有機ＥＬ表示媒体等の各種の表示媒体に利用可能な表示媒体用基板として用いることが好ましく、特に可撓性や薄さが要求される表示媒体（いわゆる電子ペーパー）用基板として用いることが最も好ましい。
なお、平板状素子付き基板が表示媒体用基板として用いられる場合には、大型素子としては、ＴＦＴ素子等の画素表示を制御する小型素子の駆動を制御するために少なくともドライバーＩＣを用いることが好ましい。
-Applications of substrates with flat elements-
Although it does not specifically limit as a use of a board | substrate with a flat element, For example, it can utilize for a flat apparatus, for example, The display which can be used for various display media, such as a liquid crystal display medium and an organic electroluminescent display medium, among these It is preferably used as a medium substrate, and particularly preferably used as a substrate for a display medium (so-called electronic paper) that requires flexibility and thinness.
When a substrate with a flat element is used as a display medium substrate, it is preferable to use at least a driver IC as a large element to control driving of a small element that controls pixel display such as a TFT element. .
−平板状素子付き基板の製造方法−
平板状素子付き基板は、少なくとも表面が、貯蔵弾性率および損失弾性率が下式（３）を満たす樹脂材料で構成される基材を準備する工程（基材準備工程）と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子を配置する工程（配置工程）と、前記基材に対して前記平板素子を下式（４）の温度条件の下で加圧して埋め込む工程（埋め込み工程）と、を少なくとも経て作製される。
・式（３） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
・式（４） Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２
〔式（３）および式（４）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕
-Manufacturing method of substrate with flat element-
The substrate with a plate-shaped element has a step of preparing a base material (base material preparation step) in which at least the surface is made of a resin material whose storage elastic modulus and loss elastic modulus satisfy the following formula (3); A step (arrangement step) of arranging a flat element having a volume of 0.05 mm 3 or more on the surface composed of the resin material, And a step of embedding by pressing under pressure (embedding step).
Formula (3) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
Formula (4) T1 <T <T2
[In the formulas (3) and (4), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at the temperature T (° C.), and E2 (T) represents the temperature T (° C.). Represents a loss elastic modulus (MPa) of the resin material, T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, T2 exceeds T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. Means the temperature. ]
ここで、上記基材準備工程では、少なくとも樹脂層を有すると共に式（３）を満たす、前述の基材を準備する。 Here, in the said base material preparation process, the above-mentioned base material which has a resin layer and satisfy | fills Formula (3) at least is prepared.
また、配置工程において大型素子を基材表面に配置する方法としては特に限定されず、公知の方法が利用できるが、例えば、大型素子のサイズに相当する穴が所定の位置に設けられたマスクを基材表面に配置した後、この穴に大型素子を配置する方法や、表面に大型素子が貼り付けられた転写部材を用いて、この転写部材を基材にラミネートすることにより、大型素子を転写部材から基材表面へと転写する方法などが利用できる。
尚、配置工程においては、基材表面に、大型素子と同時にあるいは前後して小型素子を配置したり、予め小型素子が表面に形成された基材を用いることもできる。
Further, the method for arranging the large element on the substrate surface in the arranging step is not particularly limited, and a known method can be used. For example, a mask provided with a hole corresponding to the size of the large element at a predetermined position is used. After placing on the substrate surface, transfer the large element by laminating this transfer member on the substrate using a method of placing a large element in this hole or a transfer member with a large element attached to the surface. A method of transferring from a member to the surface of the substrate can be used.
In the arranging step, a small element can be arranged on the surface of the base material at the same time as or before or after the large element, or a base material on which the small element has been previously formed can be used.
埋込み工程では、プレス機等を利用して、式（４）を満たす温度域にて基材を加熱すると共に、加圧しながら大型素子を基材表面に埋め込む。なお、基材表面に（埋め込まれていない状態の）小型素子が既に配置されている場合には、大型素子と共に小型素子も基材表面に埋め込むことができる。
ここで、加熱温度は、式（４）が満たされる温度域；すなわち、Ｔ１℃を超えＴ２℃未満であれば特に限定されない。つまり、用いる樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度かつ、樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度域の内、貯蔵弾性率Ｅ１と損失弾性率Ｅ２とが、Ｅ１＜Ｅ２の関係となる（式（３）の関係を満たす）温度範囲にて加熱を施す。Ｔ１℃未満またはＴ２℃を超える温度では、大型素子を、段差が小さくなるように埋め込むことができなかったり、基板の変形が生じるなどして使用が困難となる。
また、平坦性を高めるのに加え、位置精度良く、素子と樹脂材料間のギャップを少なくするためには、加熱温度条件をＴ１＋２℃以上Ｔ２−２℃以下とすることが好ましく、（Ｔ１＋Ｔ２）／２℃に近いほど好ましい。更にその場合であっても、ガラス転移温度に近づける方が素子の位置ずれが小さくなる点で望ましい。
In the embedding step, the substrate is heated in a temperature range satisfying the formula (4) by using a press or the like, and a large element is embedded in the substrate surface while applying pressure. In addition, when the small element (in the state which is not embedded) is already arrange | positioned on the base-material surface, a small element can also be embedded on the base-material surface with a large element.
Here, the heating temperature is not particularly limited as long as it is in a temperature range in which the formula (4) is satisfied; That is, the relationship between the storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 in the temperature range exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material to be used and lower than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material is E1 <E2. Heating is performed in a temperature range that satisfies (the relationship of Formula (3) is satisfied). When the temperature is lower than T1 ° C. or higher than T2 ° C., it is difficult to use a large element because the step cannot be embedded so that the step becomes small or the substrate is deformed.
In addition to improving the flatness, in order to reduce the gap between the element and the resin material with good positional accuracy, the heating temperature condition is preferably T1 + 2 ° C. or more and T2-2 ° C. or less, and (T1 + T2) / The closer to 2 ° C, the better. Furthermore, even in that case, it is desirable that the element shifts closer to the glass transition temperature because the positional deviation of the element is reduced.
また、圧力は、基材のサイズ、大型素子のサイズ・厚みや個数等に応じて適宜選択できる。３ｋｇｆ／ｃｍ２以上５０ｋｇｆ／ｃｍ２以下が好ましく、６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３０ｋｇｆ／ｃｍ２以下がより好ましい。圧力が３ｋｇｆ／ｃｍ２未満では、大型素子を段差が２μｍ以下となるように埋め込むことが困難となる場合がある。一方、圧力が５０ｋｇｆ／ｃｍ２を超えると、基材が割れたり破損する場合がある。 The pressure can be appropriately selected according to the size of the substrate, the size / thickness, the number of large elements, and the like. 3 kgf / cm 2 or more 50 kgf / cm 2 or less are preferred, 6 kgf / cm 2 or more 30 kgf / cm 2 or less being more preferred. If the pressure is less than 3 kgf / cm 2 , it may be difficult to embed a large element so that the step is 2 μm or less. On the other hand, if the pressure exceeds 50 kgf / cm 2 , the substrate may be broken or broken.
加熱加圧に要する処理時間については、基材のサイズ、大型素子のサイズ・厚みや個数等に応じて適宜選択できるが、５分以上６０分以下が好ましく、１５分以上３０分以下がより好ましい。処理時間が５分未満では大型素子を段差が２μｍ以下となるように埋め込むことが困難となる場合がある。一方、処理時間が６０分を超えると、平板状素子付き基板の製造に時間を要することになり生産性が低下する場合がある。 The treatment time required for heating and pressing can be appropriately selected according to the size of the substrate, the size / thickness and number of large elements, etc., but preferably 5 minutes to 60 minutes, more preferably 15 minutes to 30 minutes. . If the processing time is less than 5 minutes, it may be difficult to embed a large element so that the step is 2 μm or less. On the other hand, when the processing time exceeds 60 minutes, it takes time to manufacture the substrate with flat plate elements, and the productivity may decrease.
また、平板状素子付き基板の用途に応じて基材準備工程中や、埋込み工程の後、配置工程と埋込み工程との間に、必要に応じて種々の工程を実施することができる。
例えば、平板状素子付き基板を表示媒体用基板として用いる場合は、下記に説明する工程を追加して実施してもよい。
すなわち、基材準備工程中に、基材の表面（大型素子が配置される側の面）に画像表示制御を目的とした小型素子（ＴＦＴ素子等の表示層制御素子）を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相成膜法を利用して形成する工程を実施することができる。また、埋込み工程の後に、ＩＣドライバー等の大型素子同士や、大型素子と表示層制御素子との間に薄膜状配線を形成する工程を実施することができる。ここで、薄膜状配線の形成に際しては、フォトリソグラフィー法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など公知の薄膜状配線形成方法が利用できる。
In addition, various processes can be performed as necessary during the base material preparation process or after the embedding process and between the placing process and the embedding process depending on the use of the substrate with the flat plate-like element.
For example, when using a flat element-equipped substrate as a display medium substrate, the steps described below may be added and implemented.
That is, during the substrate preparation process, a small element (display layer control element such as a TFT element) for image display control is applied to the surface of the substrate (the surface on the side where the large element is arranged) by CVD or sputtering. The process of forming using vapor phase film-forming methods, such as a method, can be implemented. In addition, after the embedding process, a process of forming a thin film wiring between large elements such as an IC driver or between the large elements and the display layer control element can be performed. Here, when forming the thin film-like wiring, a known thin film-like wiring forming method such as a photolithography method, an ink jet method, or a screen printing method can be used.
−平板状素子付き基板の具体例−
図１は、本発明の平板状素子付き基板の一例を示す模式断面図であり、図中、１０が平板状素子付き基板、２０が樹脂製基材、３０が大型素子、４０が基材表面（大型素子３０が設けられた側の面）、５０が表示層制御素子形成可能領域を表す。
-Specific examples of substrates with flat elements-
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate with a flat element of the present invention, in which 10 is a substrate with a flat element, 20 is a resin base material, 30 is a large element, and 40 is a base material surface. (A surface on the side where the
図１に示す平板状素子付き基板１０は、樹脂製基材２０と、この樹脂製基材２０の基材表面４０の端部側の領域に埋め込まれた大型素子３０とから構成されている。そして、大型素子３０は、基材表面４０に対して段差を形成しないように完全に埋め込まれている。
なお、平板状素子付き基板１０を表示媒体用基板として利用する場合には、基材表面４０の表示層制御素子形成可能領域５０に、複数の表示層制御素子（図中、不図示）が設けられる。ここで、大型素子３０が表示層制御素子を駆動するＩＣドライバーである場合には、表示層制御素子とＩＣドライバーとの間が薄膜状の配線で接続される。なお、この表示媒体用基板が表示媒体に組み込まれた場合には、少なくとも表示層制御素子形成可能領域５０上に、液晶層等の表示層（図中、不図示）が設けられる。なお、表示層は、表示層制御素子形成可能領域５０表面に直接接して設けられてもよいが、表示層と表示層制御素子形成可能領域５０表面との間に必要に応じて１層以上の中間層を設けることもできる。
The board |
In the case where the flat element-equipped
−表示媒体−
本発明の表示媒体としては、本発明の平板状素子付き基板を用いたものであれば特に限定されず、液晶表示媒体や、有機ＥＬ表示媒体など、公知の表示媒体に利用できるが、以下の構成を有することが好ましい。
すなわち、本発明の表示媒体は、少なくとも表面が樹脂材料から構成される基材と、該基材の前記樹脂材料から構成される面に、前記基材表面に対して埋め込まれ、且つ、体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状の非表示層制御用素子と、前記基材の前記非表示層制御用素子が埋め込まれた側の面に配置された表示層制御用素子とを有し、且つ、前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、記述した式（１）を満たす第１の表示媒体用基板と、該第１の表示媒体用基板の前記表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置された第２の表示媒体用基板と、前記第１の表示媒体用基板および前記第２の表示媒体用基板の間に配置された表示層と、を備えたことを特徴とする。以下、本発明の表示媒体を構成する各部材についてより詳細に説明する。
-Display media-
The display medium of the present invention is not particularly limited as long as it uses the flat element-equipped substrate of the present invention, and can be used for a known display medium such as a liquid crystal display medium or an organic EL display medium. It is preferable to have a configuration.
That is, the display medium of the present invention is embedded in the base material surface at least on the base material composed of a resin material on the surface and the resin material of the base material, and has a volume. A flat non-display layer control element having a thickness of 0.05 mm 3 or more, and a display layer control element disposed on the surface of the substrate on which the non-display layer control element is embedded; In addition, a first display medium substrate in which the storage elastic modulus and loss elastic modulus of the resin material satisfy Expression (1) described above, and the display layer control element of the first display medium substrate are arranged. And a display layer disposed between the first display medium substrate and the second display medium substrate. It is characterized by that. Hereafter, each member which comprises the display medium of this invention is demonstrated in detail.
−素子−
ここで、「表示層制御用素子」とは、表示層による表示状態を制御する機能を有する素子である。この表示層制御用素子の体積やサイズは、基本的には既述した小型素子に相当するものであり、例えば、個々の画素に対応するように設けられたＴＦＴ素子等が挙げられる。
また、「非表示層制御用素子」とは、表示層制御用素子とは異なる機能を有し、且つ、その体積やサイズが既述した大型素子に相当する素子を意味する。非表示層制御用素子の代表的な例としては、表示層制御用素子の駆動に用いるＩＣドライバ等の駆動素子が挙げられる。この非表示層制御用素子の配置位置は特に限定されないが、通常は、表示層制御用素子が配置された領域の周辺部分に配置される。
なお、必要に応じて、表示層制御用素子とは異なる機能を有し、且つ、その体積やサイズが既述した小型素子に相当する素子を更に用いることもできる。
-Element-
Here, the “display layer control element” is an element having a function of controlling a display state by the display layer. The volume and size of the display layer control element basically correspond to the small element described above, and examples thereof include a TFT element provided so as to correspond to each pixel.
The “non-display layer control element” means an element having a function different from that of the display layer control element and having a volume and a size corresponding to the large element described above. A typical example of the non-display layer control element is a drive element such as an IC driver used for driving the display layer control element. The arrangement position of the non-display layer control element is not particularly limited, but is normally arranged in a peripheral portion of the region where the display layer control element is arranged.
If necessary, an element having a function different from that of the display layer control element and having a volume and a size corresponding to the small element described above can be further used.
−表示層等−
表示層としては、公知の表示媒体を構成する表示層が利用でき、例えば、液晶材料を含む液晶層、電流が流れた場合に発光する発光材料（エレクトロルミネッセンス材料）を含む発光層、正または負に帯電し且つ着色剤を含む粒子（電荷移動性粒子）を溶媒に分散させた溶液を含む電荷移動性粒子分散層、電流を流した際の酸化／還元反応により粒径が数ナノメーター〜数十ナノメーターサイズのＡｕやＡｇ等からなる金属微粒子を溶解／析出する電解液を含む電解液層などが挙げられる。
また、必要に応じて、表示層の機能をサポートする等の目的から、第１の表示媒体用基板と第２の表示媒体用基板との間には、表示層以外に各種の中間層を１層以上設けてもよい。
例えば、液晶層の片側面に光導電性材料を含む光導電性層を設けることにより、光書き込み型の表示媒体を得ることができる。また、発光層への電荷供給を容易とするために、発光層の片面又は両面に正または負の電荷を輸送する電荷輸送性材料を含む電荷輸送層を設けることができる。
-Display layer, etc.-
As the display layer, a display layer constituting a known display medium can be used. For example, a liquid crystal layer containing a liquid crystal material, a light emitting layer containing a light emitting material (electroluminescence material) that emits light when an electric current flows, positive or negative Charge-transfer particle dispersion layer containing a solution in which particles (charge-transfer particles) charged with a colorant and dispersed in a solvent are dispersed, and the particle size is several nanometers to several by oxidation / reduction reaction when an electric current is applied Examples thereof include an electrolytic solution layer containing an electrolytic solution that dissolves / precipitates metal fine particles made of 10 nanometer-sized Au, Ag, or the like.
If necessary, for the purpose of supporting the function of the display layer, various intermediate layers other than the display layer are provided between the first display medium substrate and the second display medium substrate. More than one layer may be provided.
For example, by providing a photoconductive layer containing a photoconductive material on one side of the liquid crystal layer, a photo-writing display medium can be obtained. Further, in order to facilitate supply of charges to the light emitting layer, a charge transporting layer including a charge transporting material that transports positive or negative charges can be provided on one or both sides of the light emitting layer.
また、第１の表示媒体用基板と第２の表示媒体用基板との間には、これら一対の基板の間隔を維持するためにスペーサーを配置したり、画素単位で区切られるように隔壁を設けたりするなど、必要に応じて種々の部材を配置することができる。 In addition, a spacer is provided between the first display medium substrate and the second display medium substrate in order to maintain the distance between the pair of substrates, or a partition is provided so as to be separated in units of pixels. For example, various members can be arranged as necessary.
−第２の表示媒体用基板−
第２の表示媒体用基板は、第１の表示媒体用基板の表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置される。そして、両基板間に少なくとも表示層が配置される。また、第２の表示媒体用基板の第１の表示媒体用基板側の面には、表示媒体の構成に応じて対向電極を設けることができる。
なお、本発明の表示媒体に可撓性（フレキシビリティ）を付与したい場合には、第１の表示媒体用基板を構成する基材が樹脂材料のみから構成され、且つ、第２の表示媒体用基板として樹脂製基板を選択する。
-Second display medium substrate-
The second display medium substrate is disposed so as to face the surface of the first display medium substrate on which the display layer control element is disposed. At least a display layer is disposed between the substrates. Further, a counter electrode can be provided on the surface of the second display medium substrate on the first display medium substrate side according to the configuration of the display medium.
When it is desired to impart flexibility to the display medium of the present invention, the base material constituting the first display medium substrate is made of only a resin material and is used for the second display medium. A resin substrate is selected as the substrate.
（実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（日本ゼオン製、ゼオノア樹脂基板、厚み：１８８μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ａ−１）で表される環状ポリオレフィン樹脂の一種である。なお、構造式（Ａ−１）中、Ｒ１、Ｒ２は置換基、ｎは整数を表す。
(Example A / Comparative Example A / Reference Example A)
-Base material and its characteristics-
A resin substrate (manufactured by Nippon Zeon, Zeonore resin substrate, thickness: 188 μm) was used as the base material. The resin material constituting the resin substrate is a kind of cyclic polyolefin resin represented by the following structural formula (A-1). In Structural Formula (A-1), R1 and R2 represent substituents, and n represents an integer.
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は１６３℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図２に示すように１７４℃を超え１８６℃未満の温度域において、貯蔵弾性率Ｅ１＜損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は、ＳＩＩ社製のＤＭＳ６１００を用いて下記測定条件にて測定した。
＜測定条件＞
・試験方法 ： 強制振動引張法（温度掃引）
・測定温度 ： 室温〜２３０℃
・昇温速度 ： ２ ℃／分
・加振振幅 ： １５ ｍｍ
・加振周波数 ： １ Ｈｚ
・チャック間距離 ： ３０ ｍｍ
The glass transition temperature measured by thermal analysis of this resin material was 163 ° C. As a result of the measurement of the dynamic viscoelasticity of the substrate, it was found that the relationship of storage elastic modulus E1 <loss elastic modulus E2 was satisfied in a temperature range of more than 174 ° C. and less than 186 ° C. as shown in FIG.
In addition, the storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 were measured on the following measurement conditions using DMS6100 made from SII.
<Measurement conditions>
・ Test method: Forced vibration tension method (temperature sweep)
・ Measurement temperature: Room temperature to 230 ℃
・ Rise rate: 2 ° C / min ・ Excitation amplitude: 15 mm
・ Excitation frequency: 1 Hz
・ Distance between chucks: 30 mm
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ａ１〜Ａ３、比較例Ａ１、Ａ２の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：下記表１参照
・圧力 ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（樹脂基板に対して加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
-Embedded test evaluation-
(1) Evaluation of influence of heating temperature A flat Si chip (volume 1.8 mm 3 ,
The heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was applied and the temperature was reduced to 35 ° C. over about 30 minutes. Thereby, the board | substrate with a flat element of Examples A1-A3 and Comparative Examples A1 and A2 was obtained.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: See Table 1 below ・ Pressure: 30 kgf / cm 2 (equivalent to about 5000 kgf / cm 2 when converted to the pressure applied only to the Si chip surface portion at the initial stage of heating and pressurizing the resin substrate)
・ Heating and pressing time: 30 minutes
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表１に示す。 About the obtained board | substrate with a flat element, the level | step difference between Si chip and a substrate surface was measured with the needle-type surface roughness meter (Dektak3030, Sloan company) about each of 4 sides of Si chip, the average value and maximum The value was determined. The results are shown in Table 1.
また、上記Ｓｉチップに代えて、小型素子サイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積０．０２８８ｍｍ３、縦０．４ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を用いて上記と同様にして参考例Ａ１〜Ａ５の平板状素子付き基板を得た。なお、参考例Ａ１〜Ａ５の平板状素子付き基板の作製に際しては、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力が、大型素子サイズに相当するＳｉチップを用いて平板状素子付き基板を作製した場合と同様となるように、圧力を６ｋｇｆ／ｃｍ２に設定した。結果を表１に示す。 Further, instead of the Si chip, a flat plate Si chip (volume 0.0288 mm 3 , height 0.4 mm, width 0.4 mm, thickness 0.18 mm) corresponding to a small element size is used in the same manner as described above. The board | substrate with a flat element of reference example A1-A5 was obtained. In the production of the flat element-equipped substrates of Reference Examples A1 to A5, the pressure applied only to the surface portion of the Si chip in the initial stage of the heat and pressure treatment is a substrate with the flat element using an Si chip corresponding to a large element size. The pressure was set to 6 kgf / cm 2 so as to be the same as in the case of manufacturing. The results are shown in Table 1.
また、「位置ずれ量の平均値」を下記の方法により測定した。
ニコンインステック社製 ＣＮＣ画像測定システム ＮＥＸＩＶ ＶＭＲ−１５１５ＴＺを用いて、１つの埋め込み条件に対して、４つのチップの４頂点の座標（計１６点）を、埋め込み前後で測定し、埋め込み前後の各頂点座標から移動量を算出し、平均値を求めた。結果を表１に示す。
In addition, the “average value of positional deviation amounts” was measured by the following method.
Using the CNC image measurement system NEXIV VMR-1515TZ manufactured by Nikon Instech, the coordinates of the four vertices of the four chips (16 points in total) were measured before and after the embedding for each embedding condition. The movement amount was calculated from the vertex coordinates, and the average value was obtained. The results are shown in Table 1.
更に、「ギャップの有無」を下記の方法により確認した。
Ｓｉチップの４辺それぞれについて針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、ギャップの有無を確認した。結果を表１に示す。
Furthermore, “the presence or absence of a gap” was confirmed by the following method.
Each of the four sides of the Si chip was measured with a needle-type surface roughness meter (Dektak 3030, manufactured by Sloan) to confirm the presence or absence of a gap. The results are shown in Table 1.
（２）Ｓｉチップ体積の影響評価
Ｓｉチップとして、下記＜ａ＞〜＜ｅ＞に示す５種類を準備した。
＜ａ＞体積＝０．７２ｍｍ３（縦４ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｂ＞体積＝１．４４ｍｍ３（縦４ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｃ＞体積＝２．１６ｍｍ３（縦４ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｄ＞体積＝３．６ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｅ＞体積＝５．４ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
(2) Evaluation of influence of Si chip volume Five types of Si chips shown in the following <a> to <e> were prepared.
<a> Volume = 0.72 mm 3 (
<B> Volume = 1.44 mm 3 (
<C> Volume = 2.16 mm 3 (
<D> Volume = 3.6 mm 3 (
<E> Volume = 5.4 mm 3 (vertical 10 mm, horizontal 3 mm, thickness 0.18 mm)
続いて、これら体積の異なる５種類のＳｉチップを用いて、下記条件にて加熱加圧処理を実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ａ４〜Ａ８の平板状素子付き基板を得た。続いて、段差の平均値と最大値を先程と同様に評価した。結果を表２に示す。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：１８３℃
・圧力
Ｓｉチップ＜ａ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｂ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｃ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｄ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｅ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
なお、Ｓｉチップ＜ａ＞〜＜ｅ＞における各々の圧力条件は、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算するといずれも約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当するものである。
・加熱加圧時間：３０分
Subsequently, using these five types of Si chips having different volumes, the heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was maintained and the temperature was kept at 35 ° C. over about 30 minutes. Until cooled. This obtained the board | substrate with a flat element of Example A4-A8. Subsequently, the average value and the maximum value of the steps were evaluated in the same manner as described above. The results are shown in Table 2.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: 183 ° C
·pressure
Si chip <a>: 30 kgf / cm 2
Si chip <b>: 30 kgf / cm 2
Si chip <c>: 30 kgf / cm 2
Si chip <d>: 30 kgf / cm 2
Si chip <e>: 30 kgf / cm 2
Each pressure condition in the Si chips <a> to <e> corresponds to about 5000 kgf / cm 2 when converted to a pressure applied only to the Si chip surface portion in the initial stage of the heat and pressure treatment.
・ Heating and pressing time: 30 minutes
（実施例Ｂ／比較例Ｂ／参考例Ｂ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（帝人化成製、パンライト、厚み：２５０μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｂ−１）で表されるポリカーボネート樹脂である。なお、構造式（Ｂ−１）中、ｎは整数を表す。
(Example B / Comparative Example B / Reference Example B)
-Base material and its characteristics-
A resin substrate (manufactured by Teijin Chemicals, Panlite, thickness: 250 μm) was used as the base material. The resin material constituting this resin substrate is a polycarbonate resin represented by the following structural formula (B-1). In Structural Formula (B-1), n represents an integer.
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約１４０℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図３に示すように１５６℃を超え１６５℃未満の温度域において、貯蔵弾性率Ｅ１＜損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
The glass transition temperature measured by thermal analysis of this resin material was about 140 ° C. Further, as a result of the measurement of the dynamic viscoelasticity of the substrate, it was found that the relationship of storage elastic modulus E1 <loss elastic modulus E2 was satisfied in a temperature range of more than 156 ° C. and less than 165 ° C. as shown in FIG.
The storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 were measured in the same manner as in the case of “Example A / Comparative Example A / Reference Example A”.
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ｂ１〜Ｂ３、比較例Ｂ１、Ｂ２の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：下記表３参照
・圧力 ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
-Embedded test evaluation-
(1) Evaluation of influence of heating temperature A flat Si chip (volume 1.8 mm 3 ,
The heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was applied and the temperature was reduced to 35 ° C. over about 30 minutes. This obtained the board | substrate with a flat element of Examples B1-B3 and Comparative Examples B1 and B2.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: See Table 3 below ・ Pressure: 30 kgf / cm 2 (corresponding to about 5000 kgf / cm 2 when converted to pressure applied only to the surface of the Si chip in the initial stage of heat and pressure treatment)
・ Heating and pressing time: 30 minutes
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表３に示す。 About the obtained board | substrate with a flat element, the level | step difference of Si chip | tip and the substrate surface was measured with the needle-type surface roughness meter (Dektak3030, Sloan company) about each of four sides of Si chip | tip, and the average value and maximum The value was determined. The results are shown in Table 3.
また、上記Ｓｉチップに代えて、小型素子サイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積０．０２８８ｍｍ３、縦０．４ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を用いて上記と同様にして参考例Ｂ１〜Ｂ５の平板状素子付き基板を得た。なお、参考例Ｂ１〜Ｂ５の平板状素子付き基板の作製に際しては、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力が、大型素子サイズに相当するＳｉチップを用いて平板状素子付き基板を作製した場合と同様となるように、圧力を６ｋｇｆ／ｃｍ２に設定した。結果を表３に示す。 Further, instead of the Si chip, a flat plate Si chip (volume 0.0288 mm 3 , height 0.4 mm, width 0.4 mm, thickness 0.18 mm) corresponding to a small element size is used in the same manner as described above. The board | substrate with a flat element of reference example B1-B5 was obtained. In the production of the substrate with flat plate elements of Reference Examples B1 to B5, the pressure applied only to the surface portion of the Si chip in the initial stage of the heating and pressurizing process is performed using the Si chip corresponding to the large element size. The pressure was set to 6 kgf / cm 2 so as to be the same as in the case of manufacturing. The results are shown in Table 3.
（２）Ｓｉチップ体積の影響評価
Ｓｉチップとして、下記＜ａ＞〜＜ｅ＞に示す５種類を準備した。
＜ａ＞体積＝０．７２ｍｍ３（縦４ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｂ＞体積＝１．４４ｍｍ３（縦４ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｃ＞体積＝２．１６ｍｍ３（縦４ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｄ＞体積＝３．６ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
＜ｅ＞体積＝５．４ｍｍ３（縦１０ｍｍ、横３ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）
(2) Evaluation of influence of Si chip volume Five types of Si chips shown in the following <a> to <e> were prepared.
<a> Volume = 0.72 mm 3 (
<B> Volume = 1.44 mm 3 (
<C> Volume = 2.16 mm 3 (
<D> Volume = 3.6 mm 3 (
<E> Volume = 5.4 mm 3 (vertical 10 mm, horizontal 3 mm, thickness 0.18 mm)
続いて、これら体積の異なる５種類のＳｉチップを用いて、下記条件にて加熱加圧処理を実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ｂ４〜Ｂ８の平板状素子付き基板を得た。続いて、段差の平均値と最大値を先程と同様に評価した。結果を表４に示す。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：１６３℃
・圧力
Ｓｉチップ＜ａ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｂ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｃ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｄ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
Ｓｉチップ＜ｅ＞：３０ｋｇｆ／ｃｍ２
なお、Ｓｉチップ＜ａ＞〜＜ｅ＞における各々の圧力条件は、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算するといずれも約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当するものである。
・加熱加圧時間：３０分
Subsequently, using these five types of Si chips having different volumes, the heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was maintained and the temperature was kept at 35 ° C. over about 30 minutes. Until cooled. This obtained the board | substrate with a flat element of Examples B4-B8. Subsequently, the average value and the maximum value of the steps were evaluated in the same manner as described above. The results are shown in Table 4.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: 163 ° C
·pressure
Si chip <a>: 30 kgf / cm 2
Si chip <b>: 30 kgf / cm 2
Si chip <c>: 30 kgf / cm 2
Si chip <d>: 30 kgf / cm 2
Si chip <e>: 30 kgf / cm 2
Each pressure condition in the Si chips <a> to <e> corresponds to about 5000 kgf / cm 2 when converted to a pressure applied only to the Si chip surface portion in the initial stage of the heat and pressure treatment.
・ Heating and pressing time: 30 minutes
（実施例Ｃ／比較例Ｃ／参考例Ｃ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（ＪＳＲ製、アートン樹脂基板、厚み：５００μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｃ−１）で表される環状ポリオレフィン樹脂である。なお、構造式（Ｃ−１）中、ｎは整数を表す。
(Example C / Comparative Example C / Reference Example C)
-Base material and its characteristics-
A resin substrate (manufactured by JSR, Arton resin substrate, thickness: 500 μm) was used as the base material. The resin material constituting the resin substrate is a cyclic polyolefin resin represented by the following structural formula (C-1). In Structural Formula (C-1), n represents an integer.
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約１５０℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図４に示すように１５７℃を超え１７７℃未満の温度域において、貯蔵弾性率Ｅ１＜損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
The glass transition temperature measured by thermal analysis of this resin material was about 150 ° C. Further, as a result of the measurement of the dynamic viscoelasticity of the substrate, it was found that the relationship of storage elastic modulus E1 <loss elastic modulus E2 was satisfied in a temperature range of more than 157 ° C. and less than 177 ° C. as shown in FIG.
The storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 were measured in the same manner as in the case of “Example A / Comparative Example A / Reference Example A”.
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより実施例Ｃ１〜Ｃ３、比較例Ｃ１、Ｃ２の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：下記表５参照
・圧力 ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
-Embedded test evaluation-
(1) Evaluation of influence of heating temperature A flat Si chip (volume 1.8 mm 3 ,
The heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was applied and the temperature was reduced to 35 ° C. over about 30 minutes. This obtained the board | substrate with a flat element of Examples C1-C3 and Comparative Examples C1 and C2.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: See Table 5 below ・ Pressure: 30 kgf / cm 2 (corresponding to about 5000 kgf / cm 2 when converted to the pressure applied only to the surface portion of the Si chip in the initial stage of heat and pressure treatment)
・ Heating and pressing time: 30 minutes
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表５に示す。 About the obtained board | substrate with a flat element, the level | step difference between Si chip and a substrate surface was measured with the needle-type surface roughness meter (Dektak3030, Sloan company) about each of 4 sides of Si chip, the average value and maximum The value was determined. The results are shown in Table 5.
また、上記Ｓｉチップに代えて、小型素子サイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積０．０２８８ｍｍ３、縦０．４ｍｍ、横０．４ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を用いて上記と同様にして参考例Ｃ１〜Ｃ３の平板状素子付き基板を得た。なお、参考例Ｃ１〜Ｃ３の平板状素子付き基板の作製に際しては、加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力が、大型素子サイズに相当するＳｉチップを用いて平板状素子付き基板を作製した場合と同様となるように、圧力を６ｋｇｆ／ｃｍ２に設定した。結果を表５に示す。 Further, instead of the Si chip, a flat plate Si chip (volume 0.0288 mm 3 , height 0.4 mm, width 0.4 mm, thickness 0.18 mm) corresponding to a small element size is used in the same manner as described above. The board | substrate with a flat element of the reference examples C1-C3 was obtained. In the production of the substrate with flat plate elements of Reference Examples C1 to C3, the pressure applied only to the surface portion of the Si chip in the initial stage of the heat and pressure treatment is a substrate with flat plate elements using an Si chip corresponding to a large element size. The pressure was set to 6 kgf / cm 2 so as to be the same as in the case of manufacturing. The results are shown in Table 5.
（比較例Ｄ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（帝人製、テオネックス、厚み：２５０μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｄ−１）で表されるポリエチレンナフタレート樹脂である。なお、構造式（Ｄ−１）中、ｎは整数を表す。
(Comparative Example D)
-Base material and its characteristics-
A resin substrate (manufactured by Teijin, Teonex, thickness: 250 μm) was used as the base material. The resin material constituting the resin substrate is a polyethylene naphthalate resin represented by the following structural formula (D-1). In Structural Formula (D-1), n represents an integer.
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約１２０℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図５に示すようにガラス転移温度を超える温度域において、常に貯蔵弾性率Ｅ１＞損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
The glass transition temperature measured by thermal analysis of this resin material was about 120 ° C. Further, as a result of measuring the dynamic viscoelasticity of the substrate, it was found that the relationship of storage elastic modulus E1> loss elastic modulus E2 was always satisfied in the temperature range exceeding the glass transition temperature as shown in FIG.
The storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 were measured in the same manner as in the case of “Example A / Comparative Example A / Reference Example A”.
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより比較例Ｄ１〜Ｄ５の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：下記表６参照
・圧力 ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
-Embedded test evaluation-
(1) Evaluation of influence of heating temperature A flat Si chip (volume 1.8 mm 3 ,
The heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was applied and the temperature was reduced to 35 ° C. over about 30 minutes. This obtained the board | substrate with a flat element of Comparative Examples D1-D5.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: See Table 6 below ・ Pressure: 30 kgf / cm 2 (corresponding to about 5000 kgf / cm 2 when converted to the pressure applied only to the surface of the Si chip in the initial stage of heat and pressure treatment)
・ Heating and pressing time: 30 minutes
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表６に示す。 About the obtained board | substrate with a flat element, the level | step difference between Si chip and a substrate surface was measured with the needle-type surface roughness meter (Dektak3030, Sloan company) about each of 4 sides of Si chip, the average value and maximum The value was determined. The results are shown in Table 6.
（比較例Ｅ）
−基材およびその特性−
基材として、樹脂基板（東レ製、ルミラー、厚み：２５０μｍ）を用いた。この樹脂基板を構成する樹脂材料は下記構造式（Ｅ−１）で表されるポリエチレンテレフタレート樹脂である。なお、構造式（Ｅ−１）中、ｎは整数を表す。
(Comparative Example E)
-Base material and its characteristics-
A resin substrate (manufactured by Toray, Lumirror, thickness: 250 μm) was used as the base material. The resin material constituting the resin substrate is a polyethylene terephthalate resin represented by the following structural formula (E-1). In Structural Formula (E-1), n represents an integer.
この樹脂材料の熱分析により測定したガラス転移温度は約９５℃であった。また、基板の動的粘弾性測定を行った結果、図６に示すようにガラス転移温度を超える温度域において、常に貯蔵弾性率Ｅ１＞損失弾性率Ｅ２なる関係を満たすことがわかった。
なお、貯蔵弾性率Ｅ１、損失弾性率Ｅ２は「実施例Ａ／比較例Ａ／参考例Ａ」の項目に示した場合と同様にして測定した。
The glass transition temperature measured by thermal analysis of this resin material was about 95 ° C. As a result of the dynamic viscoelasticity measurement of the substrate, it was found that the relationship of storage elastic modulus E1> loss elastic modulus E2 was always satisfied in the temperature range exceeding the glass transition temperature as shown in FIG.
The storage elastic modulus E1 and the loss elastic modulus E2 were measured in the same manner as in the case of “Example A / Comparative Example A / Reference Example A”.
−埋め込みテスト評価−
（１）加熱温度の影響評価
樹脂基板の表面に、ドライバーＩＣ等の大型素子のサイズに相当する平板状のＳｉチップ（体積１．８ｍｍ３、縦１０ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．１８ｍｍ）を配置した。次に、プレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧処理を実施した。
なお、加熱加圧処理は、下記条件にて実施し、加熱加圧処理を終了した後、圧力を加えたまま、約３０分かけて３５℃まで冷却した。これにより比較例Ｅ１〜Ｅ５の平板状素子付き基板を得た。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：下記表７参照
・圧力 ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＳｉチップ表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
-Embedded test evaluation-
(1) Evaluation of influence of heating temperature A flat Si chip (volume 1.8 mm 3 ,
The heat and pressure treatment was performed under the following conditions, and after the heat and pressure treatment was completed, the pressure was applied and the temperature was reduced to 35 ° C. over about 30 minutes. This obtained the board | substrate with a flat element of Comparative Examples E1-E5.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: See Table 7 below ・ Pressure: 30 kgf / cm 2 (corresponding to about 5000 kgf / cm 2 when converted to the pressure applied only to the surface portion of the Si chip in the initial stage of heat and pressure treatment)
・ Heating and pressing time: 30 minutes
得られた平板状素子付き基板については、Ｓｉチップと基板表面との段差を、Ｓｉチップの４辺各々について針式表面粗さ計（Ｄｅｋｔａｋ３０３０，ｓｌｏａｎ社製）で測定し、その平均値および最大値を求めた。結果を表７に示す。 About the obtained board | substrate with a flat element, the level | step difference between Si chip and a substrate surface was measured with the needle-type surface roughness meter (Dektak3030, Sloan company) about each of 4 sides of Si chip, the average value and maximum The value was determined. The results are shown in Table 7.
（実施例Ｆ１）
基材として、「実施例Ｃ／比較例Ｃ／参考例Ｃ」で用いた樹脂基板（ＪＳＲ製、アートン樹脂基板、厚み：５００μｍ）を用いた。
(Example F1)
As a base material, the resin substrate (manufactured by JSR, Arton resin substrate, thickness: 500 μm) used in “Example C / Comparative Example C / Reference Example C” was used.
この樹脂基板に、平板状のＦＥＴ素子（電界効果トランジスタ素子、ＩＲジャパン製、ＩＲＬＵ３７１５Ｚ、体積０．４ｍｍ３、縦２ｍｍ、横１ｍｍ、厚み０．２ｍｍ）を下記条件にてプレス機（東洋精機社製、ラボプレス）により加熱加圧しながら埋め込みを行い、加熱加圧処理を終えた後は、加圧状態を維持したまま１５分かけて３５℃まで冷却し、その後、プレスを終了した。
なお、ＦＥＴ素子の埋め込みに際しては、電極端子が設けられた側の面が基板と反対側の面となるように、基板表面にＦＥＴ素子を配置した。
＜加熱加圧処理条件＞
・加熱温度 ：１７０℃
・圧力 ：３０ｋｇｆ／ｃｍ２（加熱加圧処理初期におけるＦＥＴ素子表面部分のみに加わる圧力に換算すると約５０００ｋｇｆ／ｃｍ２に相当）
・加熱加圧時間：３０分
A flat FET element (field effect transistor element, IR Japan, IRLU3715Z, volume 0.4 mm 3 ,
When embedding the FET element, the FET element was disposed on the surface of the substrate so that the surface on which the electrode terminal was provided was the surface opposite to the substrate.
<Heat and pressure treatment conditions>
・ Heating temperature: 170 ° C
-Pressure: 30 kgf / cm 2 (corresponding to about 5000 kgf / cm 2 when converted to the pressure applied only to the surface of the FET element at the initial stage of heat and pressure treatment)
・ Heating and pressing time: 30 minutes
得られたＦＥＴ素子付き基板の段差を任意の４点について測定したときの平均値は０．２５μｍ、最大値は１μｍであった。 When the step of the obtained substrate with the FET element was measured at four arbitrary points, the average value was 0.25 μm, and the maximum value was 1 μm.
次に、図７に示されるＮＯＴ回路を形成するために、ＦＥＴ素子が埋め込まれた基板の、素子が埋め込まれた面に対して真空蒸着法を利用して薄膜状の金属配線を形成し、片面にＮＯＴ回路が形成されたＦＥＴ素子付き基板を得た。
なお、図７中、１００はＮＯＴ回路、１１０は端子１、１２０は端子２、１３０は端子３を表す。
Next, in order to form the NOT circuit shown in FIG. 7, a thin-film metal wiring is formed on the surface of the substrate in which the FET element is embedded using a vacuum deposition method on the surface in which the element is embedded, A substrate with an FET element having a NOT circuit formed on one side was obtained.
In FIG. 7, 100 represents a NOT circuit, 110 represents a
次に、端子１に０．１Ｖ、０．２Ｖ、および、０．３Ｖの直流電圧を各々印加した状態で、端子３の電圧Ｖｉｎを０〜４Ｖの間で変化させたときの端子２における電圧Ｖｏｕｔを測定した。結果を図８に示す。図８から明らかなようにＮＯＴ回路として正常に作動することが確認された。
Next, the voltage at the
なお、配線の形成に際して、真空蒸着法の代わりにインクジェット法（ディマティックス社製インクジェットプリンターを使用）によりＡｇペーストからなる配線を形成した場合も、上述と同様の結果を得ることができた。 In addition, when the wiring was formed by the Ag paste (using an inkjet printer manufactured by Dimatics) instead of the vacuum vapor deposition method, the same result as described above could be obtained.
１０ 平板状素子付き基板
２０ 樹脂製基材
３０ 大型素子
４０ 基材表面
５０ 表示層制御素子形成可能領域
１００ ＮＯＴ回路
１１０ 端子１
１２０ 端子２
１３０ 端子３
DESCRIPTION OF
120
130
Claims (9)
前記樹脂材料の貯蔵弾性率および損失弾性率が、下式（１）を満たすことを特徴とする平板状素子付き基板。
・式（１） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（１）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕 A substrate having at least a surface made of a resin material, and a flat surface that is embedded in the surface of the substrate made of the resin material with respect to the surface of the substrate and has a volume of 0.05 mm 3 or more. An element,
The substrate with flat plate element, wherein the storage elastic modulus and loss elastic modulus of the resin material satisfy the following formula (1).
Formula (1) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
[In Formula (1), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at temperature T (° C.), and E2 (T) represents the resin material at temperature T (° C.). Represents loss elastic modulus (MPa), T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, and T2 means a temperature exceeding T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. . ]
該第１の表示媒体用基板の前記表示層制御用素子が配置された側の面に対向するように配置された第２の表示媒体用基板と、
前記第１の表示媒体用基板および前記第２の表示媒体用基板の間に配置された表示層と、を備えたことを特徴とする表示媒体。
・式（２） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
〔式（２）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕 A substrate having at least a surface made of a resin material, and a flat surface that is embedded in the surface of the substrate made of the resin material with respect to the surface of the substrate and has a volume of 0.05 mm 3 or more. A non-display layer control element, and a display layer control element disposed on a surface of the substrate on which the non-display layer control element is embedded, and a storage elastic modulus of the resin material And a first display medium substrate whose loss elastic modulus satisfies the following formula (2):
A second display medium substrate disposed so as to face a surface of the first display medium substrate on which the display layer control element is disposed;
A display medium, comprising: a display layer disposed between the first display medium substrate and the second display medium substrate.
Formula (2) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
[In Formula (2), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at temperature T (° C.), and E2 (T) represents the resin material at temperature T (° C.). Represents loss elastic modulus (MPa), T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, and T2 means a temperature exceeding T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. . ]
該基材の前記樹脂材料から構成される面に体積が０．０５ｍｍ３以上である平板状素子を配置する工程と、
前記基材に対して前記平板素子を下式（４）の温度条件の下で加圧して埋め込む工程と、を備えることを特徴とする平板状素子付き基板の製造方法。
・式（３） Ｅ１（Ｔ）＜Ｅ２（Ｔ） （但し、Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２）
・式（４） Ｔ１＜Ｔ＜Ｔ２
〔式（３）および式（４）中、Ｅ１（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｅ２（Ｔ）は温度Ｔ（℃）に於ける前記樹脂材料の損失弾性率（ＭＰａ）を表し、Ｔ１は前記樹脂材料のガラス転移温度（℃）を超える温度を意味し、Ｔ２はＴ１を超え且つ前記樹脂材料の熱分解温度（℃）未満の温度を意味する。〕 A step of preparing a base material comprising at least a resin material having a storage elastic modulus and a loss elastic modulus satisfying the following formula (3):
Arranging a flat element having a volume of 0.05 mm 3 or more on the surface composed of the resin material of the substrate;
A step of pressurizing and embedding the flat plate element in the base material under the temperature condition of the following formula (4).
Formula (3) E1 (T) <E2 (T) (where T1 <T <T2)
Formula (4) T1 <T <T2
[In the formulas (3) and (4), E1 (T) represents the storage elastic modulus (MPa) of the resin material at the temperature T (° C.), and E2 (T) represents the temperature T (° C.). Represents a loss elastic modulus (MPa) of the resin material, T1 means a temperature exceeding the glass transition temperature (° C.) of the resin material, T2 exceeds T1 and less than the thermal decomposition temperature (° C.) of the resin material. Means the temperature. ]
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8902597B2 (en) | 2010-12-01 | 2014-12-02 | Seiko Epson Corporation | Thin-film transistor forming substrate, semiconductor device, and electric apparatus |
| WO2019087806A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 日本ゼオン株式会社 | Polarizing film and method for producing same |
| US10981746B2 (en) | 2017-07-04 | 2021-04-20 | Tombow Pencil Co., Ltd. | Coating film transfer tool |
| US11261050B2 (en) | 2014-12-09 | 2022-03-01 | Tombow Pencil Co., Ltd. | Coating film transfer tool |
| US11866285B2 (en) | 2017-07-04 | 2024-01-09 | Tombow Pencil Co., Ltd. | Coating film transfer tool |
-
2008
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8902597B2 (en) | 2010-12-01 | 2014-12-02 | Seiko Epson Corporation | Thin-film transistor forming substrate, semiconductor device, and electric apparatus |
| US11261050B2 (en) | 2014-12-09 | 2022-03-01 | Tombow Pencil Co., Ltd. | Coating film transfer tool |
| US10981746B2 (en) | 2017-07-04 | 2021-04-20 | Tombow Pencil Co., Ltd. | Coating film transfer tool |
| US11866285B2 (en) | 2017-07-04 | 2024-01-09 | Tombow Pencil Co., Ltd. | Coating film transfer tool |
| WO2019087806A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 日本ゼオン株式会社 | Polarizing film and method for producing same |
| CN111247463A (en) * | 2017-10-31 | 2020-06-05 | 日本瑞翁株式会社 | Polarizing film and method for producing same |
| JPWO2019087806A1 (en) * | 2017-10-31 | 2020-12-17 | 日本ゼオン株式会社 | Polarizing film and its manufacturing method |
| CN111247463B (en) * | 2017-10-31 | 2022-02-25 | 日本瑞翁株式会社 | Polarizing film and method for producing same |
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