JP2009532484A - サリノスポラミドａ及びその類縁体の全合成 - Google Patents
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Abstract
本発明は、化学及び医療の分野で使用され得る或る特定の化合物、及び或る特定の化合物を製造する方法に関する。詳細には、種々の化合物及び中間体を製造する方法、並びにこれらの化合物及び中間体自体が本明細書中に記載される。より詳細には、式（Ｖ）の化合物からサリノスポラミドＡ及びその類縁体を製造する方法が本明細書中に記載される。
Description
本発明は、或る特定の化合物、並びに化学及び医学の分野において使用可能な或る特定の化合物を製造する方法に関する。
［関連出願の相互参照］
本願は、２００６年４月６日に出願された米国仮特許出願第６０／７９０，１６８号、２００６年６月２７日に出願された同第６０／８１６，９６８号、２００６年８月７日に出願された同第６０／８３６，１５５号、２００６年９月１９日に出願された同第６０／８４４，１３２号及び２００７年１月１７日に出願された同第６０／８８５，３７９号（これらはそれぞれ、「サリノスポラミドＡ及びその類縁体の全合成（Total Synthesis of
Salinosporamide A and Analogs Thereof）」という表題が付され、いかなる図面も含め、その全体が参照により本明細書に援用される）に対して優先権を主張する。
本願は、２００６年４月６日に出願された米国仮特許出願第６０／７９０，１６８号、２００６年６月２７日に出願された同第６０／８１６，９６８号、２００６年８月７日に出願された同第６０／８３６，１５５号、２００６年９月１９日に出願された同第６０／８４４，１３２号及び２００７年１月１７日に出願された同第６０／８８５，３７９号（これらはそれぞれ、「サリノスポラミドＡ及びその類縁体の全合成（Total Synthesis of
Salinosporamide A and Analogs Thereof）」という表題が付され、いかなる図面も含め、その全体が参照により本明細書に援用される）に対して優先権を主張する。
癌は、米国において主な死亡原因である。癌を治療するための新たなアプローチを見出すための多大な努力にもかかわらず、主要な治療選択は依然として、単独で、又は併用して、手術、化学療法及び放射線療法である。しかしながら、手術及び放射線療法は一般的に、極めて範囲が明瞭なタイプの癌に対してのみ有用であり、播種性疾患を伴う患者の治療における使用には限界がある。化学療法は、例えば、白血病と言った、転移性癌又はびまん性癌を伴う患者を治療するのに一般的に有用な方法である。化学療法は、治療的有益性を提供することができるが、患者の癌細胞が化学療法剤に耐性となっているため、疾患の治癒をもたらすことができないことが多い。化学療法剤に耐性となっている癌細胞の可能性に幾分起因して、このような化学療法剤は一般的に、患者を治療するのに併用して使用される。
同様に、例えば細菌、真菌及び原虫により引き起こされる感染性疾患は、治療及び治癒がますます困難になっている。例えば、より一層多くの細菌、真菌及び原虫が、現在の抗生物質及び化学療法剤に対して耐性を発達させつつある。このような微生物の例としては、バシラス属（Bacillus）、リーシュマニア属（Leishmania）、プラスモディウム属（Plasmodium）及びトリパノソーマ属（Trypanosoma）が挙げられる。
さらに、より多くの疾患及び病状が、炎症性疾患として分類される。このような疾患は、喘息のような状態から心血管疾患までを包含する。これらの疾患は、新たな療法及び医療の進歩にもかかわらず、依然として世界中でより一層多数の人々に影響を及ぼしている。
したがって、癌、炎症性疾患及び感染性疾患を治療するのに、さらなる化学療法剤、抗菌剤及び抗炎症剤が必要とされる。新たな潜在的に有用な化学療法剤及び抗菌剤を同定するための継続的な努力が、個々の研究者、学界及び企業により行われている。
海洋由来の天然産物は、潜在的な新たな抗癌剤及び抗菌剤の豊富な供給源である。海洋は、非常に複雑であり、圧力、塩分及び温度が極端に変動する環境で生じる、微生物の多様な集合を収容している。したがって、海洋微生物は、特有の代謝能力及び生理学的能力を発達させてきた。それらの能力は、極端且つ変化に富む生息環境における生存を確実にするだけでなく、地上の微生物からは観察されないであろう代謝産物を生産する潜在力も付与する（Okami, Y. 1993 J Mar Biotechnol 1:59）。このような代謝産物の代表的な構造的種類としては、テルペン、ペプチド、ポリケチド及び混合された生合成起源を有する
化合物が挙げられる。これらの分子の多くは、明らかな抗腫瘍活性、抗細菌活性、抗真菌活性、抗炎症活性又は免疫抑制活性を有し（Bull, A.T.他, 2000 Microbiol Mol Biol Rev 64:573; Cragg, G.M. & D.J. Newman 2002 Trends Pharmacol Sci 23:404; Kerr, R.G.
& S.S. Kerr 1999 Exp Opin Ther Patents 9:1207; Moore, B.S 1999 Nat Prod Rep 16:653; Faulkner, D.J. 2001 Nat Prod Rep 18:1; Mayer, A.M. & V.K. Lehmann 2001 Anticancer Res 21:2489）、非常に貴重な治療剤を単離するためのこの供給源の有用性を確証する。さらに、現在市場に出回っているものに対して代替メカニズム的種類を表す新規抗癌剤及び抗菌剤の単離は、バイオテロリズム目的で病原体に導入され得る、あらゆるメカニズムベースの耐性を含む、耐性の問題への対処を支援するであろう。
化合物が挙げられる。これらの分子の多くは、明らかな抗腫瘍活性、抗細菌活性、抗真菌活性、抗炎症活性又は免疫抑制活性を有し（Bull, A.T.他, 2000 Microbiol Mol Biol Rev 64:573; Cragg, G.M. & D.J. Newman 2002 Trends Pharmacol Sci 23:404; Kerr, R.G.
& S.S. Kerr 1999 Exp Opin Ther Patents 9:1207; Moore, B.S 1999 Nat Prod Rep 16:653; Faulkner, D.J. 2001 Nat Prod Rep 18:1; Mayer, A.M. & V.K. Lehmann 2001 Anticancer Res 21:2489）、非常に貴重な治療剤を単離するためのこの供給源の有用性を確証する。さらに、現在市場に出回っているものに対して代替メカニズム的種類を表す新規抗癌剤及び抗菌剤の単離は、バイオテロリズム目的で病原体に導入され得る、あらゆるメカニズムベースの耐性を含む、耐性の問題への対処を支援するであろう。
本明細書中に開示される実施の形態は包括的に、複素環式化合物及びそれらの類縁体を含む、化学化合物の全合成に関する。幾つかの実施の形態は、化学化合物及び中間化合物に関する。他の実施の形態は、化学化合物及び中間化合物を合成する個々の方法を示す。
本明細書中に開示される実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（Ｖ）：
の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載される一実施の形態は、式（Ｖ）の中間化合物を合成する方法に関する。
本明細書中に記載される別の実施の形態は、式（Ｘ）の中間化合物を合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、式（ＸＶ）の中間化合物を合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、式（ＸＶＩＩ）の中間化合物を合成する方法に関する。
本明細書中に記載される一実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（Ｖ
）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載される別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＶＩ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（Ｘ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（Ｘｐ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＩ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載される一実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＶ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載される別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＶＩＩ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＶＩＩｐ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載されるさらに別の実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＶＩＩＩ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載される一実施の形態は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＸＩＩＩ）の中間化合物を介して合成する方法に関する。
本明細書中に記載される幾つかの実施の形態は、式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、（ＩＸ）、（Ｘ）、（ＸＶ）、（ＸＶＩ）、（ＸＸＩＩ）、（ＸＸＩＩＩ）、（ＸＸＩＶ）、（ＸＸＶ）、（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物及びそれらの保護誘導体を合成する個々の方法に関する。
本明細書中に記載される他の実施の形態は、式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、（ＩＸ）、（Ｘ）、（ＸＶ）、（ＸＶＩ）、（ＸＸＩＩ）、（ＸＸＩＩＩ）、（ＸＸＩＶ）、（ＸＸＶ）、（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩ）の個々の化合物及びそれらの保護誘導体に関する。
本明細書中に記載される一実施の形態は、式（Ｖ）の化合物から式（Ｘ）の化合物を製造する方法に関し、当該方法は、式（Ｖ）の化合物の炭素−炭素二重結合を開裂させると共に、開裂された二重結合を第三級ヒドロキシ基で環化させる工程と、−ＣＯＯＲ2をア
ルデヒドに変換させる工程と、少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部分を用いてＲ4をアルデヒドに付加する工程とを含み、ここでＲ2及びＲ4は本明細書中に記載されるものとする。
ルデヒドに変換させる工程と、少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部分を用いてＲ4をアルデヒドに付加する工程とを含み、ここでＲ2及びＲ4は本明細書中に記載されるものとする。
本明細書中に記載される一実施の形態は、式（Ｘ）の化合物から式（ＸＶ）の化合物を製造する方法に関し、当該方法は、アミナール基を開裂させる工程と、ＰＧ1を除去する
と共に、ヘミアセタールを還元的に開環する工程と、４員ラクトン環を形成する工程とを含み、ここでＰＧ1は本明細書中に記載される保護基部分であり得る。幾つかの実施の形
態では、アミナール基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環の前、
且つ４員ラクトン環の形成前に行ってもよい。他の実施の形態では、アミナール基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環の後であるが、４員環の形成前に行
ってもよい。
と共に、ヘミアセタールを還元的に開環する工程と、４員ラクトン環を形成する工程とを含み、ここでＰＧ1は本明細書中に記載される保護基部分であり得る。幾つかの実施の形
態では、アミナール基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環の前、
且つ４員ラクトン環の形成前に行ってもよい。他の実施の形態では、アミナール基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環の後であるが、４員環の形成前に行
ってもよい。
本明細書中に記載される別の実施の形態は、式（Ｖ）の化合物から式（ＸＶＩＩ）の化合物を製造する方法に関し、当該方法は、式（Ｖ）の化合物の炭素−炭素二重結合を開裂させると共に、開裂された二重結合を第三級ヒドロキシ基で環化させる工程と、第三級ヒドロキシ基による環化後に、少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部分を用いてＲ4を付加する工程とを含み、ここでＲ4は本明細書中に記載されるものとする。
本明細書中に記載される一実施の形態は、式（ＸＶＩＩ）の化合物から式（ＸＸＩＩ）の化合物を製造する方法に関し、当該方法は、アミナール基を開裂させる工程と、ＰＧ1
を除去すると共に、ヘミアセタールを還元的に開環する工程と、ラクトン化反応を介して４員環を形成する工程と、ケトン上の任意の保護基を除去する工程とを含み、ここでＰＧ1は本明細書中に記載される保護基部分であり得る。幾つかの実施の形態では、アミナー
ル基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環前、且つラクトン化反応
を介した４員環の形成前に行なってもよい。他の実施の形態では、アミナール基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環後であるが、ラクトン化反応を介した
４員環の形成前に行なってもよい。
を除去すると共に、ヘミアセタールを還元的に開環する工程と、ラクトン化反応を介して４員環を形成する工程と、ケトン上の任意の保護基を除去する工程とを含み、ここでＰＧ1は本明細書中に記載される保護基部分であり得る。幾つかの実施の形態では、アミナー
ル基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環前、且つラクトン化反応
を介した４員環の形成前に行なってもよい。他の実施の形態では、アミナール基の開裂を、ＰＧ1の除去及びヘミアセタールの還元的な開環後であるが、ラクトン化反応を介した
４員環の形成前に行なってもよい。
本明細書中に組み込まれ、且つ本明細書の一部を成す添付の図面は、単に本発明の或る特定の好ましい実施形態を説明するに過ぎない。本明細書の残りの部分と共に、添付の図面は、本発明の或る特定の化合物を作製する好ましい形態を当業者に説明するのに役立つように意図されている。
多数の参照文献が本明細書中で引用される。本明細書中に引用される米国特許を含む本明細書中に引用される参照文献はそれぞれ、それらの全体が参照により本明細書へ援用されるとみなされる。
本発明の実施形態は、様々な化合物及び中間体を製造する方法、並びに化合物及び中間体そのものを含むが、これらに限定されない。幾つかの実施形態では、１つ又は複数の置換基、１つ又は複数の化合物又は化合物群は、以下でより十分に記載される方法又は化合物の任意の１つ又は複数から特異的に除外され得る。
サリノスポラミドＡ及びその類縁体は、様々な生物活性を有する。例えば、化合物は、化学感作活性、抗菌活性、抗炎症活性、放射線感作活性及び抗癌活性を有する。実施された研究により、サリノスポラミドＡ及びその類縁体は、プロテアソーム阻害活性を有してＮＦ−κＢ／ＩκＢシグナル伝達経路に影響を与え、また抗炭疽活性を有することが示される。サリノスポラミドＡ及び種々の類縁体、並びにその生物活性は、２００３年６月２０日に出願された米国仮特許出願第６０／４８０，２７０号、２００４年４月３０日に出願された同第６０／５６６，９５２号、２００４年１１月１２日に出願された同第６０／６２７，４６１号、２００４年１２月３日に出願された同第６０／６３３，３７９号、２００５年１月１３日に出願された同第６０／６４３，９２２号、２００５年３月４日に出願された同第６０／６５８，８８４号、２００５年４月２９日に出願された同第６０／６７６，５３３号、２００４年４月３０日に出願された同第６０／５６７，３３６号、２００４年６月１８日に出願された同第６０／５８０，８３８号、２００４年７月２６日に出願された同第６０／５９１，１９０号、２００４年１１月１２日に出願された同第６０／６２７，４６２号、２００５年１月１３日に出願された同第６０／６４４，１３２号及び
２００５年３月４日に出願された同第６０／６５９，３８５号、２００４年６月１８日に出願された米国特許出願第１０／８７１，３６８号、２００５年４月２９日に出願された同第１１／１１８，２６０号、２００６年４月２７日に出願された同第１１／４１２，４７６号及び２００６年６月１５日に出願された同第１１／４５３，３７４号、並びに２００４年６月１８日に出願された国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０１９５４３号、２００５年１２月２日に出願された同第ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０４４０９１号、２００５年４月２９日に出願された同第ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０１４８４６号及び２００６年４月２７日に出願された同第ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０１６１０４号（これらはそれぞれ、その全体が参照により本明細書に援用される）に記載される。
２００５年３月４日に出願された同第６０／６５９，３８５号、２００４年６月１８日に出願された米国特許出願第１０／８７１，３６８号、２００５年４月２９日に出願された同第１１／１１８，２６０号、２００６年４月２７日に出願された同第１１／４１２，４７６号及び２００６年６月１５日に出願された同第１１／４５３，３７４号、並びに２００４年６月１８日に出願された国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０１９５４３号、２００５年１２月２日に出願された同第ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０４４０９１号、２００５年４月２９日に出願された同第ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０１４８４６号及び２００６年４月２７日に出願された同第ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０１６１０４号（これらはそれぞれ、その全体が参照により本明細書に援用される）に記載される。
サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（Ｖ）：
の中間化合物を介して合成する方法が本明細書中で提供される。
式（Ｖ）の化合物は、本明細書中に記載されるように、容易に入手可能な出発物質から合成することができる。式（Ｖ）の化合物は続いて、サリノスポラミドＡ又はその類縁体に変換することができる。例えば、サリノスポラミドＡ又はその類縁体はスキームＡに従って合成することができる。
本明細書中に記載される化合物については、ステレオジェニック炭素（stereogenic carbon）は各々、Ｒ配置またはＳ配置であり得る。本願において例示される特定の化合物は、特定の構造で図示することができるが、他に定めのない限り、任意の所定のキラル中心にてその反対の立体化学を有する化合物又はそれらの混合物も想定される。キラル中心が本発明の誘導体に見られる場合、当該化合物は、他に指定のない限り、全ての可能な立体異性体を包含することを理解されたい。
用語「置換」は、関連技術分野における多くの最新の特許において見られるような、一般的な意味を有する。例えば、米国特許第６，５０９，３３１号、同第６，５０６，７８７号、同第６，５００，８２５号、同第５，９２２，６８３号、同第５，８８６，２１０号、同第５，８７４，４４３号及び同第６，３５０，７５９号を参照のこと。これら全ては、その全体が参照により本明細書中に援用される。適当な置換基の例としては、水素、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アシル、アシルアミノ、アシルオキシ、アミノ、アルキルアミノ、アミノアシル、アミノアシルオキシ、オキシアシルアミノ、シアノ、ハロゲン、ヒドロキシ、カルボキシル、カルボキシルアルキル、ケト、チオケト、チオール、チオアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアリールオキシ、複素環、ヘテロシクロオキシ、ヒドロキシアミノ、アルコキシアミノ、ニトロ、−ＳＯ−アルキル、−ＳＯ−置換アルキル、−ＳＯ−アリール、−ＳＯ−ヘテロアリール、−ＳＯ2−Ｈ、−ＳＯ2−ＯＨ、−ＳＯ2−アルキル、−ＳＯ2−置換アルキル、−ＳＯ2−アリール及び−ＳＯ2−ヘテロアリール、ヘテロアリール、アルキルボロン酸、ボロン酸、（ＯＨ）2Ｂ−アルキル、リン酸及びリン酸エステル、ホスホノオキシ、ホスホノ
オキシアルキル、アジド、アジドアルキル、アンモニウム、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノ、アルキルアミノの塩、ジアルキルアミノ、ジアルキルアミノの塩、アルキルチオ、アリールチオ、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニル、アルカンスルフィニル、アルコキシスルフィニル、チオシアノ、アルキルボロン酸、アルキルボロン酸エステル、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキ
ルグアニジノの塩、グアニジノの塩及びグアニジノアルキルが挙げられるが、これらに限定されない。各々の置換基はさらに置換されてもよい。他の上記で挙げた特許もまた、当業者によく理解されている用語「置換」の標準定義を提供している。
オキシアルキル、アジド、アジドアルキル、アンモニウム、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノ、アルキルアミノの塩、ジアルキルアミノ、ジアルキルアミノの塩、アルキルチオ、アリールチオ、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニル、アルカンスルフィニル、アルコキシスルフィニル、チオシアノ、アルキルボロン酸、アルキルボロン酸エステル、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキ
ルグアニジノの塩、グアニジノの塩及びグアニジノアルキルが挙げられるが、これらに限定されない。各々の置換基はさらに置換されてもよい。他の上記で挙げた特許もまた、当業者によく理解されている用語「置換」の標準定義を提供している。
基が「任意選択的に置換された」と記載される場合はいつでも、又は本明細書中に記載される１つ又は複数の置換基で置換されてもよい。
本明細書中で用いられる場合、任意の「Ｒ」基（複数可）、例えば、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、ＲA及びＲB（これらに限定されない）は、指示された原子に結合可能な置換基である。Ｒ基は置換されていても置換されていなくてもよい。２つの「Ｒ」基が同じ原子又は隣接した原子に共有結合する場合、本明細書中に規定されるように「合わさって」シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又は複素環を形成し得る。例えば、限られるものではないが、ＮＲ1aＲ1bのＲ1a及びＲ1b基が「合わさる」と示される場合、それらは互いに共有結合して環：
を形成することを意味する。
用語「アルキル」は、本明細書中で用いられる場合、任意の未分岐状若しくは分岐状の置換又は非置換の飽和炭化水素を意味し、Ｃ1〜Ｃ24を有するのが好ましく、Ｃ1〜Ｃ6の
炭化水素が好ましく、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、及びｔｅｒｔ−ブチル及びペンチルを有するのが最も好ましい。
炭化水素が好ましく、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、及びｔｅｒｔ−ブチル及びペンチルを有するのが最も好ましい。
用語「アルケニル」は、本明細書中で用いられる場合、任意の未分岐状若しくは分岐状の置換又は非置換の不飽和炭化水素（１つ又は複数の二重結合を含む）を意味する。アルケニル基の幾つかの例としては、アリル、ホモアリル、ビニル、クロチル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル及びオクテニルが挙げられる。
用語「アルキニル」は、本明細書中で用いられる場合、任意の未分岐状若しくは分岐状の置換又は非置換の不飽和炭化水素（１つ又は複数の三重結合を含む）を意味する。
用語「シクロアルキル」は、好ましくは環を含む５〜１２個の原子を有する任意の置換又は非置換の非芳香族炭化水素環を指す。さらに、本文脈において、用語「シクロアルキル」は縮合環系を含み、二環構造及び三環構造もその定義に包含される。
用語「シクロアルケニル」は、好ましくは環を含む５〜１２個の原子を有する任意の置換又は非置換の非芳香族炭化水素環（二重結合を含む）を指す。さらに、本文脈において、用語「シクロアルケニル」は縮合環系を含み、二環構造及び三環構造もその定義に包含される。
用語「シクロアルキニル」は、好ましくは環を含む５〜１２個の原子を有する任意の置換又は非置換の非芳香族炭化水素環（三重結合を含む）を指す。さらに、本文脈において
、用語「シクロアルキニル」は縮合環系を含み、二環構造及び三環構造もその定義に包含される。
、用語「シクロアルキニル」は縮合環系を含み、二環構造及び三環構造もその定義に包含される。
用語「アシル」は、カルボニル基を介して置換基として結合した水素、低級アルキル、低級アルケニル又はアリールを指す。例としては、ホルミル、アセチル、プロパノイル、ベンゾイル及びアクリルが挙げられる。アシルは置換されていても置換されていなくてもよい。
本文脈において、用語「アリール」は、炭素環式芳香族環又は炭素環式芳香族環系を意味することを意図される。さらに、用語「アリール」は、少なくとも２つのアリール環又は少なくとも１つのアリール及び少なくとも１つのＣ3〜8−シクロアルキルが、少なくとも１つの化学結合を共有する縮合環系を含む。「アリール」環の幾つかの例としては、任意選択的に置換されたフェニル、ナフタレニル、フェナントレニル、アントラセニル、テトラリニル、フルオレニル、インデニル及びインダニルが挙げられる。アリール基は置換されていても置換されていなくてもよい。
本文脈において、用語「ヘテロアリール」は、芳香族環中の１つ又は複数の炭素原子が、窒素、硫黄、亜リン酸及び酸素を含む群から選択される１つ又は複数のヘテロ原子で置換された、複素環式芳香族基を意味することを意図される。さらに、本文脈において、用語「ヘテロアリール」は、少なくとも１つのアリール環及び少なくとも１つのヘテロアリール環、少なくとも２つのヘテロアリール環、少なくとも１つのヘテロアリール環及び少なくとも１つのヘテロシクリル環又は少なくとも１つのヘテロアリール環及び少なくとも１つのＣ3〜8−シクロアルキル環が、少なくとも１つの化学結合を共有する縮合環系を含む。ヘテロアリールは置換されていても置換されていなくてもよい。
用語「複素環」及び「ヘテロシクリル」は、炭素原子が１〜３個のヘテロ原子と共に環を構成する、３、４、５、６、７及び８員環を意味することを意図される。複素環は、そのような方法で位置する１つ又は複数の不飽和結合を任意選択的に含み得るが、芳香族π電子系は生じない。ヘテロ原子は独立して、酸素、硫黄及び窒素から選択される。複素環は、１つ又は複数のカルボニル官能基又はチオカルボニル官能基をさらに含み、ラクタム、ラクトン、環状イミド、環状チオイミド、環状カルバマート等のオキソ系及びチオ系もその定義に包含される。ヘテロシクリル環はまた任意選択的に、少なくとも他のヘテロシクリル環、少なくとも１つのＣ3〜8−シクロアルキル環、少なくとも１つのＣ3〜8−シクロアルケニル環及び／又は少なくとも１つのＣ3〜8−シクロアルキニル環と融合してもよく、二環構造及び三環構造もその定義に包含される。ベンゾ縮合ヘテロシクリル基の例としては、ベンズイミダゾリジノン、テトラヒドロキノリン及びメチレンジオキシベンゼン環構造が挙げられるが、これらに限定されない。「複素環」の幾つかの例としては、テトラヒドロチオピラン、４Ｈ−ピラン、テトラヒドロピラン、ピペリジン、１，３−ジオキシン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキシン、１，４−ジオキサン、ピペラジン、１，３−オキサチアン、１，４−オキサチイン、１，４−オキサチアン、テトラヒドロ−１，４−チアジン、２Ｈ−１，２−オキサジン、マレイミド、スクシンイミド、バルビツール酸、チオバルビツール酸、ジオキソピペラジン、ヒダントイン、ジヒドロウラシル、モルホリン、トリオキサン、ヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジン、テトラヒドロチオフェン、テトラヒドロフラン、ピリジン、ピリジニウム、ピロリン、ピロリジン、ピロリドン、ピロリジオン、ピラゾリン、ピラゾリジン、イミダゾリン、イミダゾリジン、１，３−ジオキソール、１，３−ジオキソラン、１，３−ジチオール、１，３−ジチオラン、イソオキサゾリン、イソオキサゾリジン、オキサゾリン、オキサゾリジン、オキサゾリジノン、チアゾリン、チアゾリジン及び１，３−オキサチオランが挙げられるが、これらに限定されない。本発明の複素環式基は置換されていても置換されていなくてもよい。
用語「アルコキシ」は、任意の未分岐状又は分岐状、置換又は非置換、飽和又は不飽和のエーテルを指し、Ｃ1〜Ｃ6の未分岐状、非置換の飽和エーテルを有するのが好ましく、メトキシを有するのが好ましく、ジメチル、ジエチル、メチルイソブチル及びメチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルを有するのもまた好ましい。
用語「シクロアルコキシ」は、酸素ヘテロ原子を含む任意の非芳香族炭化水素環を指し、好ましくは、環を含む５〜１２個の原子を有する。シクロアルコキシは置換されていても置換されていなくてもよい。
用語「アルコキシカルボニル」は、カルボニル基と結合する任意の直鎖状、分岐状、環状、飽和、不飽和、脂肪族又は芳香族のアルコキシを指す。例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、フェニルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。アルコキシカルボニルは置換されていても置換されていなくてもよい。
用語「（シクロアルキル）アルキル」は、低級アルキレンを介して置換基として結合したシクロアルキル基として理解される。（シクロアルキル）アルキル基及び（シクロアルキル）アルキル基の低級アルキレンは、置換されていても置換されていなくてもよい。
用語「（複素環式）アルキル」及び「（ヘテロシクリル）アルキル」は、低級アルキレンを介して置換基として結合した複素環式基として理解される。複素環式基及び（複素環式）アルキル基の低級アルキレンは、置換されていても置換されていなくてもよい。
用語「アリールアルキル」は、低級アルキレン（本明細書中で定義される）を介して置換基として結合したアリール基（本明細書中で定義される）を意味すると意図される。アリール基及びアリールアルキルの低級アルキレンは、置換されていても置換されていなくてもよい。例としては、ベンジル、置換ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル及びナフチルアルキルが挙げられる。
用語「ヘテロアリールアルキル」は、低級アルキレン（本明細書中で定義される）を介して置換基として結合したヘテロアリール基（本明細書中で定義される）として理解される。ヘテロアリール及びヘテロアリールアルキル基の低級アルキレンは、置換されていても置換されていなくてもよい。例としては、２−チエニルメチル、３−チエニルメチル、フリルメチル、チエニルエチル、ピロリルアルキル、ピリジルアルキル、イソオキサゾリルアルキル、イミダゾリルアルキル及びこれらの置換体（substituted）並びにベンゾ縮
合類縁体が挙げられる。
合類縁体が挙げられる。
用語「ハロゲン原子」は、本明細書中で用いられる場合、元素周期表の第１７族の放射安定性（radio-stable）原子、即ち、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素のいずれか１つを意味し、臭素及び塩素が好ましい。
本明細書中で用いられる場合、以下の用語は化学文献における通義を有する。
９−ＢＢＮ ：９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナン
ＢＦ3・Ｅｔ2Ｏ ：三フッ化ホウ素ジエチルエーテル
Ｂｎ ：ベンジル
ＢｎＯＨ ：ベンジルアルコール
ＢＯＰＣｌ ：ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）ホスフィン酸クロ
リド
ｔ−ＢｕＯＨ ：ｔｅｒｔ−ブタノール／ｔｅｒｔ−ブチルアルコール
ｔ−ＢｕＯＫ ：カリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド
Ｂｚ ：ベンゾイル
ＤＭＩＰＳ ：ジメチルイソプロピルシリル
ＥＳＩ ：電気スプレー電離
ＥｔＯＡｃ ：酢酸エチル
ＦＤＨ ：ギ酸脱水素酵素（dehydroganase）
ＧＤＨ ：グルコース脱水素酵素
ＩＤ ：内径
ＩＰＡ ：イソプロピルアルコール
ＬＣ−ＭＳ ：液体クロマトグラフィー質量分析
ＬＤＡ ：リチウムジイソプロピルアミド
ＭＳ ：質量スペクトル
ＭｓＣｌ ：メタンスルホニルクロリド
ＮａＯＭｅ ：ナトリウムメトキシド
ＮａＯＥｔ ：ナトリウムエトキシド
ＮＭＯ ：Ｎ−メチルモルホリン Ｎ−オキシド
ＮＭＲ ：核磁気共鳴
Ｐｂ（ＯＡｃ）4 ：酢酸鉛
ＰＣＣ ：クロロクロム酸ピリジニウム
ＰＤＣ ：ジクロム酸ピリジニウム
ＰＰＴＳ ：ピリジニウムパラトルエンスルホネート
ＰＴＳＡ ：パラトルエンスルホン酸
ＲＴ ：室温
ＳＡＲ ：構造−活性相関
ＴＭＳ ：トリメチルシリル
ＴＢＳ ：ｔ−ブチルジメチルシリル
ＴＥＳ ：トリエチルシリル
ＴＨＦ ：テトラヒドロフラン
ＴＦＡ ：トリフルオロ酢酸
ＴＰＡＰ ：過ルテニウム酸テトラプロピルアンモニウム
９−ＢＢＮ ：９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナン
ＢＦ3・Ｅｔ2Ｏ ：三フッ化ホウ素ジエチルエーテル
Ｂｎ ：ベンジル
ＢｎＯＨ ：ベンジルアルコール
ＢＯＰＣｌ ：ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）ホスフィン酸クロ
リド
ｔ−ＢｕＯＨ ：ｔｅｒｔ−ブタノール／ｔｅｒｔ−ブチルアルコール
ｔ−ＢｕＯＫ ：カリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド
Ｂｚ ：ベンゾイル
ＤＭＩＰＳ ：ジメチルイソプロピルシリル
ＥＳＩ ：電気スプレー電離
ＥｔＯＡｃ ：酢酸エチル
ＦＤＨ ：ギ酸脱水素酵素（dehydroganase）
ＧＤＨ ：グルコース脱水素酵素
ＩＤ ：内径
ＩＰＡ ：イソプロピルアルコール
ＬＣ−ＭＳ ：液体クロマトグラフィー質量分析
ＬＤＡ ：リチウムジイソプロピルアミド
ＭＳ ：質量スペクトル
ＭｓＣｌ ：メタンスルホニルクロリド
ＮａＯＭｅ ：ナトリウムメトキシド
ＮａＯＥｔ ：ナトリウムエトキシド
ＮＭＯ ：Ｎ−メチルモルホリン Ｎ−オキシド
ＮＭＲ ：核磁気共鳴
Ｐｂ（ＯＡｃ）4 ：酢酸鉛
ＰＣＣ ：クロロクロム酸ピリジニウム
ＰＤＣ ：ジクロム酸ピリジニウム
ＰＰＴＳ ：ピリジニウムパラトルエンスルホネート
ＰＴＳＡ ：パラトルエンスルホン酸
ＲＴ ：室温
ＳＡＲ ：構造−活性相関
ＴＭＳ ：トリメチルシリル
ＴＢＳ ：ｔ−ブチルジメチルシリル
ＴＥＳ ：トリエチルシリル
ＴＨＦ ：テトラヒドロフラン
ＴＦＡ ：トリフルオロ酢酸
ＴＰＡＰ ：過ルテニウム酸テトラプロピルアンモニウム
用語「有機金属部分」及び「複数の有機金属部分（organometallic moieties）」は、
本明細書中で用いられる場合、大部分は共有結合性の金属元素結合（複数可）を含む、任意の化合物を指す。用語「金属」は、本明細書中で用いられる場合、古くから金属と分類される元素（例えば、リチウム、マグネシウム、亜鉛及びスズ）及び半金属と分類される元素（例えば、ホウ素）を含む。
本明細書中で用いられる場合、大部分は共有結合性の金属元素結合（複数可）を含む、任意の化合物を指す。用語「金属」は、本明細書中で用いられる場合、古くから金属と分類される元素（例えば、リチウム、マグネシウム、亜鉛及びスズ）及び半金属と分類される元素（例えば、ホウ素）を含む。
用語「保護基部分」及び「複数の保護基部分（protecting group moieties）」は、本
明細書中で用いられる場合、分子中の既存の基が望ましくない化学反応を受けることを防ぐために、分子に付加される任意の原子又は原子の基を指す。保護基部分の例は、T. W. Greene and P. G. M. Wuts,「有機合成における保護基（Protective Groups in Organic Synthesis）」, 3. Ed. John Wiley & Sons, 1999, 及びJ. F. W. McOmie,「有機化学に
おける保護基（Protective Groups in Organic Chemistry）」, Plenum Press, 1973（どちらもその全体が参照により本明細書に援用される）に記載されている。保護基部分は、適用される反応条件に安定であり、当該技術分野で既知の方法論を用いて都合のよい段階で容易に除去されるように選ばれ得る。保護基の例としては、ベンジル、置換ベンジル、アルキルカルボニル（例えば、ｔ−ブトキシカルボニル（ＢＯＣ））、アリールアルキルカルボニル（例えば、ベンジルオキシカルボニル、ベンゾイル）、置換メチルエーテル（
例えば、メトキシメチルエーテル）、置換エチルエーテル、置換ベンジルエーテル、テトラヒドロピラニルエーテル、シリルエーテル（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル又はｔ−ブチルジフェニルシリル）、エステル（例えば、安息香酸エステル）、炭酸塩（例えば、メトキシメチルカーボネート）、スルホン酸塩（例えば、トシレート、メシレート）、非環状ケタール（例えば、ジメチルアセタール）、環状ケタール（例えば、１，３−ジオキサン又は１，３−ジオキソラン）、非環状アセタール、環状アセタール、非環状ヘミアセタール、環状ヘミアセタール及び環状ジチオケタール（例えば、１，３−ジチアン又は１，３−ジチオラン）が挙げられるが、これらに限定されない。本明細書中で用いられる場合、ＰＧ1、ＰＧ2及びＰＧ3等の（これらに限定されない）任意の「ＰＧ」基（複数可）は保護基部分を表す
。
明細書中で用いられる場合、分子中の既存の基が望ましくない化学反応を受けることを防ぐために、分子に付加される任意の原子又は原子の基を指す。保護基部分の例は、T. W. Greene and P. G. M. Wuts,「有機合成における保護基（Protective Groups in Organic Synthesis）」, 3. Ed. John Wiley & Sons, 1999, 及びJ. F. W. McOmie,「有機化学に
おける保護基（Protective Groups in Organic Chemistry）」, Plenum Press, 1973（どちらもその全体が参照により本明細書に援用される）に記載されている。保護基部分は、適用される反応条件に安定であり、当該技術分野で既知の方法論を用いて都合のよい段階で容易に除去されるように選ばれ得る。保護基の例としては、ベンジル、置換ベンジル、アルキルカルボニル（例えば、ｔ−ブトキシカルボニル（ＢＯＣ））、アリールアルキルカルボニル（例えば、ベンジルオキシカルボニル、ベンゾイル）、置換メチルエーテル（
例えば、メトキシメチルエーテル）、置換エチルエーテル、置換ベンジルエーテル、テトラヒドロピラニルエーテル、シリルエーテル（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル又はｔ−ブチルジフェニルシリル）、エステル（例えば、安息香酸エステル）、炭酸塩（例えば、メトキシメチルカーボネート）、スルホン酸塩（例えば、トシレート、メシレート）、非環状ケタール（例えば、ジメチルアセタール）、環状ケタール（例えば、１，３−ジオキサン又は１，３−ジオキソラン）、非環状アセタール、環状アセタール、非環状ヘミアセタール、環状ヘミアセタール及び環状ジチオケタール（例えば、１，３−ジチアン又は１，３−ジチオラン）が挙げられるが、これらに限定されない。本明細書中で用いられる場合、ＰＧ1、ＰＧ2及びＰＧ3等の（これらに限定されない）任意の「ＰＧ」基（複数可）は保護基部分を表す
。
本明細書中で使用する場合「純粋な」、「精製された」、「実質的に精製された」及び「単離された」という用語は、化合物がその自然状態で見出される場合に、その自然状態で関連される他の異なる化合物を含まない実施形態の化合物を指す。本明細書中で「純粋な」、「精製された」、「実質的に精製された」又は「単離された」と記載される或る特定の実施形態では、化合物は、所定の試料の質量の少なくとも０．５重量％、１重量％、５重量％、１０重量％又は２０重量％、最も好ましくは少なくとも５０重量％又は７５重量％を構成し得る。
「誘導体」、「変異体」という用語又は他の類似の用語は、他の化合物の類縁体である化合物を指す。
スキーム１〜４に示すように、式（Ｉ）及び（ＩＩ）の出発化合物は容易に入手可能な物質から合成することができる。スキーム１−１に示すように、式（Ｉ）の化合物は、セリンエステル塩、アルデヒド（例えば、ｔ−ブチルアルデヒド）及び塩基（例えば、トリエチルアミン）から高温で合成することができる。幾つかの実施形態では、セリンエステル塩は、スキーム１−２に示す立体化学を有する式（Ｉ）の化合物を形成可能なＤ−セリンメチルエステル塩であり得る。
幾つかの実施形態では、式（Ｉ）の化合物は上記の構造を有し得る。ここで、Ｒ1は水
素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、
アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。Ｒ1が水素であ
る一実施形態では、当業者は、Ｃ−４位の立体化学が、以下に示す式（ＩＶ）の化合物から式（Ｖ）の化合物への変換の際に保持されないことを理解するだろう。Ｒ1が非置換又
は置換Ｃ1〜6アルキルである一実施形態では、当業者は、Ｃ−４位の立体化学が、以下に示す式（ＩＶ）の化合物から式（Ｖ）の化合物への変換の際に保持されないことを理解するだろう。一例としては、式（Ｉ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、
アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。Ｒ1が水素であ
る一実施形態では、当業者は、Ｃ−４位の立体化学が、以下に示す式（ＩＶ）の化合物から式（Ｖ）の化合物への変換の際に保持されないことを理解するだろう。Ｒ1が非置換又
は置換Ｃ1〜6アルキルである一実施形態では、当業者は、Ｃ−４位の立体化学が、以下に示す式（ＩＶ）の化合物から式（Ｖ）の化合物への変換の際に保持されないことを理解するだろう。一例としては、式（Ｉ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＩＩ）の化合物は、スキーム２、３及び４に従って合成することができる。式（ＩＩ）の化合物のエステル前駆体は、スキーム２に従って、β−ケトエステル及び塩基（例えば、ｔ−ＢｕＯＫ又はＮａＨ）から出発し、次にハロゲン化アリルを付加することで生じさせることができる。
幾つかの実施形態では、式（ＩＩ）の化合物のエステル前駆体は上記の構造を有し得る。ここで、Ｒは水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニ
ル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。例示的なエステル前駆体は、以下の構造を有する化合物である：
ル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。例示的なエステル前駆体は、以下の構造を有する化合物である：
式（ＩＩ）の化合物の保護エステル前駆体は、スキーム３に従って生じさせることができる。エステル前駆体のケトンカルボニルは、本明細書中に記載されるように、適当な保護基部分（又は複数の保護基部分）を使用して保護することができる。ケトンカルボニルを保護する一方法をスキーム３に示す。
幾つかの実施形態では、式（ＩＩ）の化合物の保護エステル前駆体は、スキーム３に示した構造を有し得る。ここで、Ｒは水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキ
ル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。
ル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。
例えば、ケトンカルボニルは、エステル前駆体を１，２−ジヒドロキシエタンと反応させて、以下に示す１，３−ジオキソラン複素環を形成することにより保護することができる：
スキーム４に示すように、式（ＩＩ）の化合物の保護エステル前駆体を、次にＴＦＡ又はＰＴＳＡ等の適切な酸を用いてカルボン酸等価物に加水分解し、式（ＩＩ）の化合物を形成することができる。
幾つかの実施形態では、式（ＩＩ）の化合物は、スキーム４に示す構造を有し得る。ここで、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロ
アルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。一例としては、式（ＩＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
アルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。一例としては、式（ＩＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
式（Ｉ）及び（ＩＩ）の出発化合物から式（Ｖ）の化合物を生じさせる方法を以下のスキーム５に示す：
スキーム５の工程（ａ）では、式（ＩＩＩ）の化合物は、適当な条件下で式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させることにより形成することができる。ここで、Ｒ1
は水素、又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキ
ル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6ア
ルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意
選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。例えば、式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＩ）の化合物、弱塩基（mild base）
（例えば、トリエチルアミン又はＮ−メチルピペリジン）及びメタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリド又はギ酸クロロメチル等のアシル化剤を含有する混合物に添加することができる。
は水素、又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキ
ル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6ア
ルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意
選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。例えば、式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＩ）の化合物、弱塩基（mild base）
（例えば、トリエチルアミン又はＮ−メチルピペリジン）及びメタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリド又はギ酸クロロメチル等のアシル化剤を含有する混合物に添加することができる。
一例としては、式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
一実施形態では、式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
式（ＩＩＩ）の化合物はスキーム５の工程（ｂ）に示すように、脱保護され、式（ＩＶ）の化合物を形成し得る。ここで、Ｒ1は水素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキル
であり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール又はアリールアルキルの置換若しく
は非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニ
ル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。ケトンカルボニル保護基（例えば、１，３−ジオキソラン）を除去する一方法は、式（ＩＩＩ）の化合物をヨウ化ナトリウム及び塩化セリウム（ＩＩＩ）七水和物等のルイス塩基と反応させることを含む。第２の方法は、式（ＩＩＩ）の化合物を高温下、アセトン中でヨウ素と反応させることを含む。代替的には、式（ＩＩＩ）の化合物を、高温下でテトラフルオロホウ酸リチウム（lithium tetrafluoroboride）と反応させ、式（ＩＶ）の化合物を形成してもよい。Ｙが硫黄の場
合、ケトンカルボニル保護基は、様々な加水分解法、酸化法及び／又は固相（solid-state）法、例えばHabibi他,「分子（Molecules）」, (2003) 8, 663-9（その全体が参照により本明細書に援用される）に記載及び引用される方法を用いて除去することができる。
であり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール又はアリールアルキルの置換若しく
は非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニ
ル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る（ここで、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成し得る）。ケトンカルボニル保護基（例えば、１，３−ジオキソラン）を除去する一方法は、式（ＩＩＩ）の化合物をヨウ化ナトリウム及び塩化セリウム（ＩＩＩ）七水和物等のルイス塩基と反応させることを含む。第２の方法は、式（ＩＩＩ）の化合物を高温下、アセトン中でヨウ素と反応させることを含む。代替的には、式（ＩＩＩ）の化合物を、高温下でテトラフルオロホウ酸リチウム（lithium tetrafluoroboride）と反応させ、式（ＩＶ）の化合物を形成してもよい。Ｙが硫黄の場
合、ケトンカルボニル保護基は、様々な加水分解法、酸化法及び／又は固相（solid-state）法、例えばHabibi他,「分子（Molecules）」, (2003) 8, 663-9（その全体が参照により本明細書に援用される）に記載及び引用される方法を用いて除去することができる。
式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
例えば、式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム５の工程（ｃ）に示すように、式（ＩＶ）の化合物を適切な塩基（例えば、ｔ−ＢｕＯＫ、ＮａＯＭｅ、ＮａＯＥｔ又はＬＤＡ）で処理することで、分子内アルドール反応を誘発し、式（Ｖ）の化合物を形成することができる。ここで、Ｒ1は水素、又は非
置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール、
若しくはアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、
Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。
置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール、
若しくはアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、
Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。
例えば、式（ＩＶ）及び（Ｖ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
より詳細には、式（Ｖ）の化合物は以下の立体化学構造の１つをとり得る：
式（ＩＶ）及び（Ｖ）の化合物の例示的な構造を以下に示す：
より詳細には、式（Ｖ）の化合物は以下の立体化学構造の１つをとり得る：
式（Ｖ）の化合物は、サリノスポラミドＡ及びその類縁体等の複素環式化合物を合成するために用いることができる。一方法は、本明細書中のスキームに示すように、後にサリノスポラミドＡ及びその類縁体に変換可能な式（Ｘ）の化合物を経て進行し得る。一実施形態では、式（Ｘ）の化合物はスキーム６に示すように、式（Ｖ）の化合物から生成することができる。
スキーム６の工程（ｄ）では、式（Ｖ）の化合物の炭素−炭素二重結合を、酸化的に開裂した後、環化し、第三級ヒドロキシ基を有するヘミアセタールを形成して、式（ＶＩ）の化合物を形成することができる。ここで、Ｒ1は水素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6
アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール又はアリールアルキルの置
換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6
アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。式（ＶＩ）の化合物を生じさせるための例示的な方法は、式（Ｖ）の化合物を適当な酸化剤又は酸化剤の組み合わせ、例えばＯｓＯ4及びＮＭＯと数時間
反応させた後、反応混合物にさらなる酸化剤（例えば、ＮａＩＯ4又はＰｂ（ＯＡｃ）4）を添加することを含む。適当な塩溶液を用いて反応を停止することができる。
アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール又はアリールアルキルの置
換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6
アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり得る。式（ＶＩ）の化合物を生じさせるための例示的な方法は、式（Ｖ）の化合物を適当な酸化剤又は酸化剤の組み合わせ、例えばＯｓＯ4及びＮＭＯと数時間
反応させた後、反応混合物にさらなる酸化剤（例えば、ＮａＩＯ4又はＰｂ（ＯＡｃ）4）を添加することを含む。適当な塩溶液を用いて反応を停止することができる。
式（Ｖ）及び（ＶＩ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
式（Ｖ）及び（ＶＩ）の化合物の例は以下の通りである：
必要に応じて、スキーム６の工程（ｅ）に示すように、保護基部分（例えば、ベンジル、置換ベンジル、シリル又はメトキシルメチル）を用いてアセタールを形成することで、式（ＶＩ）の化合物のヘミアセタールを保護し、式（ＶＩＩ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、式（ＶＩ）の化合物に関して記載
したものと同じであり、ＰＧ1は保護基部分であり得る。適当な保護基部分の例は本明細
書中に記載されている。
したものと同じであり、ＰＧ1は保護基部分であり得る。適当な保護基部分の例は本明細
書中に記載されている。
一例としては、式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）の化合物の例示的な構造を以下に示す：
スキーム６の工程（ｆ）に示すように、式（ＶＩＩ）の化合物のＣＯＯＲ2基をアルコ
ールに還元し、式（ＶＩＩＩ）の化合物を形成することができる。ここでＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。例えば、適当な
還元試薬（例えば、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化リチウムアルミニウム、スーパーハイドライド）及び既知の技法を用いて、ＣＯＯＲ2基を
アルコールに還元することができる。
ールに還元し、式（ＶＩＩＩ）の化合物を形成することができる。ここでＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。例えば、適当な
還元試薬（例えば、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化リチウムアルミニウム、スーパーハイドライド）及び既知の技法を用いて、ＣＯＯＲ2基を
アルコールに還元することができる。
式（ＶＩＩ）及び（ＶＩＩＩ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
例えば、式（ＶＩＩ）及び（ＶＩＩＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム６の工程（ｇ）では、式（ＶＩＩＩ）の化合物のＣ−５アルコールを適切な酸化剤を用いて酸化し、式（ＩＸ）の化合物を形成することができる。ここでＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。例えば、Ｄｅ
ｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ／ＮＭＯ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ等の酸化剤を用いて、アルコールをアルデヒドへと酸化することができる。
ｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ／ＮＭＯ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ等の酸化剤を用いて、アルコールをアルデヒドへと酸化することができる。
式（ＶＩＩＩ）及び（ＩＸ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＶＩＩＩ）及び（ＩＸ）の化合物の例は以下の通りである：
別の実施形態では、式（ＶＩＩ）の化合物のＣＯＯＲ2基は、直接アルデヒドに還元さ
れ、一段階で式（ＩＸ）の化合物を生じ得る。
れ、一段階で式（ＩＸ）の化合物を生じ得る。
スキーム６の工程（ｈ）に示すように、式（Ｘ）の化合物は、少なくとも１つのＲ4を
含有する有機金属部分と式（ＩＸ）の化合物を反応させることで合成することができる。ここでＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり
、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。幾つかの実施形態では、Ｒ4はＣ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。
含有する有機金属部分と式（ＩＸ）の化合物を反応させることで合成することができる。ここでＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり
、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。幾つかの実施形態では、Ｒ4はＣ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。
適当な有機金属部分の例としては、有機マグネシウム化合物、有機リチウム化合物、有機スズ化合物、有機銅酸化物化合物、有機亜鉛及び有機パラジウム化合物、金属カルボニル、メタロセン、カルビン錯体及び有機半金属（例えば、有機ボラン及び有機シラン）が挙げられるが、これらに限定されない。幾つかの実施形態では、有機金属部分は、Ｒ4−
ＭｇＲ7、Ｒ4−ＺｎＲ7、Ｒ4−Ｌｉ、（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-p及び（Ｒ4）q−Ｓｎ（Ｒ7
）4-qから成る群から選択され得る。ここでＲ7はハロゲン、又はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル、イソピノカンフェイル、ヒドロキシ、アルコキシ及びカルボニルアルコキシの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る。ここで２つ以上のＲ7が存在する場合、Ｒ7基は任意選択的に互いに結合し、任意選択的に置換されたシクロアルキル（例えば、９−ＢＢＮ）、任意選択的に置換されたシクロアルケニル、任意選択的に置換されたヘテロアルキル又は任意選択的に置換されたヘテ
ロアルケニル環を形成し、ｐは１〜３の整数であり、ｑは１〜４の整数であり得る。一実施形態では、有機金属部分は（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-pである。或る特定の実施形態では、有機金属部分は（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-pであり、ここでＲ4は２−シクロヘキセニルであ
る。幾つかの実施形態では、有機金属部分は（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-pであり、ここでＲ4
は２−シクロヘキセニルであり、ｐは１であり、２つのＲ7基は合わさって任意選択的に
置換されたシクロアルキルを形成する。別の実施形態では、有機金属部分はＲ4−ＭｇＲ7である。或る特定の実施形態では、有機金属部分はＲ4−ＭｇＲ7であり、ここでＲ4は２
−シクロヘキセニルである。幾つかの実施形態では、有機金属部分はＲ4−ＭｇＲ7であり、ここでＲ4は２−シクロヘキセニルであり、Ｒ7はハロゲン（例えば、塩素）である。
ＭｇＲ7、Ｒ4−ＺｎＲ7、Ｒ4−Ｌｉ、（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-p及び（Ｒ4）q−Ｓｎ（Ｒ7
）4-qから成る群から選択され得る。ここでＲ7はハロゲン、又はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル、イソピノカンフェイル、ヒドロキシ、アルコキシ及びカルボニルアルコキシの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る。ここで２つ以上のＲ7が存在する場合、Ｒ7基は任意選択的に互いに結合し、任意選択的に置換されたシクロアルキル（例えば、９−ＢＢＮ）、任意選択的に置換されたシクロアルケニル、任意選択的に置換されたヘテロアルキル又は任意選択的に置換されたヘテ
ロアルケニル環を形成し、ｐは１〜３の整数であり、ｑは１〜４の整数であり得る。一実施形態では、有機金属部分は（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-pである。或る特定の実施形態では、有機金属部分は（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-pであり、ここでＲ4は２−シクロヘキセニルであ
る。幾つかの実施形態では、有機金属部分は（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-pであり、ここでＲ4
は２−シクロヘキセニルであり、ｐは１であり、２つのＲ7基は合わさって任意選択的に
置換されたシクロアルキルを形成する。別の実施形態では、有機金属部分はＲ4−ＭｇＲ7である。或る特定の実施形態では、有機金属部分はＲ4−ＭｇＲ7であり、ここでＲ4は２
−シクロヘキセニルである。幾つかの実施形態では、有機金属部分はＲ4−ＭｇＲ7であり、ここでＲ4は２−シクロヘキセニルであり、Ｒ7はハロゲン（例えば、塩素）である。
一例としては、式（ＩＸ）及び（Ｘ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
別の例としては、式（ＩＸ）及び（Ｘ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＩＸ）及び（Ｘ）の化合物の例示的な構造を以下に示す：
式（Ｘ）の化合物をサリノスポラミドＡ及びその類縁体に変換するために、様々な合成経路を用いることができる。一実施形態では、合成は式（ＸＶ）の中間化合物を経て進行し得る。例示的な合成経路をスキーム７−１〜７−５に示す。
スキーム７−１の工程（ｉ）に示すように、式（Ｘ）の化合物のＣ−５第二級ヒドロキシ基を適当な保護基部分で保護し、式（Ｘｐ）の化合物を形成することができる。ここでＲ1、Ｒ3、Ｒ4及びＰＧ1は、式（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2は保護基部分であり得る。式（Ｘ）の化合物のＣ−５第二級ヒドロキシ基を保護するた
めに用いられ得る適当な保護基部分の例としては、置換メチルエーテル（例えば、メトキシメチル）、置換エチル、置換ベンジルエチル、テトラヒドロピラニル、シリルエーテル（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル又はｔ−ブチルジフェニルシリル）、エステル（例えば、安息香酸エステル）又は炭酸塩（例えば、メトキシメチルカーボネート）が挙げられるが、これらに限定されない。代替的には、幾つかの実施形態では、スキーム７−２に示すように、式（Ｘ）の化合物のＣ−５第二級ヒドロキシ基は保護されないままであり得る。
めに用いられ得る適当な保護基部分の例としては、置換メチルエーテル（例えば、メトキシメチル）、置換エチル、置換ベンジルエチル、テトラヒドロピラニル、シリルエーテル（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル又はｔ−ブチルジフェニルシリル）、エステル（例えば、安息香酸エステル）又は炭酸塩（例えば、メトキシメチルカーボネート）が挙げられるが、これらに限定されない。代替的には、幾つかの実施形態では、スキーム７−２に示すように、式（Ｘ）の化合物のＣ−５第二級ヒドロキシ基は保護されないままであり得る。
式（Ｘ）及び（Ｘｐ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
例えば、式（Ｘ）及び（Ｘｐ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム７−１に示すように、式（Ｘｐ）の化合物のアミナールを適当な酸（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ＨＣｌ、ＰＴＳＡ、ＰＰＴＳ、ＴＦＡ、ショウノウスルホン酸）を用いて開裂し、式（ＸＩｐ）の化合物を形成することができる。Ｃ−５第二級ヒドロキシ基が保護されない場合、式（Ｘ）の化合物から式（ＸＩ）の化合物を形成するために、同じか又は別の酸を用いることができる。スキーム７−２を参照されたい。式（ＸＩ）及び（ＸＩｐ）の化合物の置換基及び保護基部分（Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、ＰＧ1及び該当する場合はＰＧ2）は、式（Ｘｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
式（Ｘ）、（Ｘｐ）、（ＸＩ）及び（ＸＩｐ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
別の例としては、式（Ｘ）、（Ｘｐ）、（ＸＩ）及び（ＸＩｐ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
例えば、式（Ｘ）、（Ｘｐ）、（ＸＩ）及び（ＸＩｐ）の化合物は、以下の構造を有し得る：
スキーム７−１、工程（ｋ）に示すように、式（ＸＩｐ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基をＲ5に変換し、式（ＸＩＩｐ）の化合物を形成することができる。同様に、
Ｃ−５第二級ヒドロキシ基が保護されない場合、式（ＸＩ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基をＲ5に変換し、式（ＸＩＩ）の化合物を形成することができる。スキーム７
−２を参照されたい。式（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4、ＰＧ1、（及
び該当する場合はＰＧ2）は、式（Ｘｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり、
Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、−Ｃ（＝Ｏ）Ｚ
から成る群から選択され得る。ここで各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。例えば、第一級アルコール基は、ジョーンズ酸化等の適切な酸化条件を用いてカルボン酸に変換することができる。代替的には、カルボン酸基は、式（ＸＩ）又は（ＸＩｐ）の化合物の第一級アルコール基からアルデヒドを経て生じさせることができる。式（ＸＩ）又は（ＸＩｐ）の化合物の第一級アルコール基をまず、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ等の適切な酸化剤を用いてアルデヒドに変換し、次に生じたアルデヒドを、亜塩素酸ナトリウム／第二リン酸ナトリウム／２−メチル−２−ブテンの組み合わせ等の適切な酸化剤を用いて、さらにカルボン酸へと酸化することができる。必要に応じて、カルボン酸は次に適切なアルコール、チオール（例えば、チオフェノール、シスチン）、チオニル若しくは塩化オキサリル、カルボン酸（例えば、酢酸、安息香酸）及び／又は無水物（例えば、無水酢酸）を用いて、エステル、チオエステル、酸ハロゲン化物（例えば、酸塩化物）又は無水物にさらに変換することができる。
Ｃ−５第二級ヒドロキシ基が保護されない場合、式（ＸＩ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基をＲ5に変換し、式（ＸＩＩ）の化合物を形成することができる。スキーム７
−２を参照されたい。式（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4、ＰＧ1、（及
び該当する場合はＰＧ2）は、式（Ｘｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり、
Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、−Ｃ（＝Ｏ）Ｚ
から成る群から選択され得る。ここで各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。例えば、第一級アルコール基は、ジョーンズ酸化等の適切な酸化条件を用いてカルボン酸に変換することができる。代替的には、カルボン酸基は、式（ＸＩ）又は（ＸＩｐ）の化合物の第一級アルコール基からアルデヒドを経て生じさせることができる。式（ＸＩ）又は（ＸＩｐ）の化合物の第一級アルコール基をまず、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ等の適切な酸化剤を用いてアルデヒドに変換し、次に生じたアルデヒドを、亜塩素酸ナトリウム／第二リン酸ナトリウム／２−メチル−２−ブテンの組み合わせ等の適切な酸化剤を用いて、さらにカルボン酸へと酸化することができる。必要に応じて、カルボン酸は次に適切なアルコール、チオール（例えば、チオフェノール、シスチン）、チオニル若しくは塩化オキサリル、カルボン酸（例えば、酢酸、安息香酸）及び／又は無水物（例えば、無水酢酸）を用いて、エステル、チオエステル、酸ハロゲン化物（例えば、酸塩化物）又は無水物にさらに変換することができる。
一例としては、式（ＸＩ）、（ＸＩｐ）、（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩｐ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＩ）、（ＸＩｐ）、（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩｐ）の化合物の他の例示的な構造及び立体化学は、以下の構造及び立体化学を含む：
式（ＸＩ）、（ＸＩｐ）、（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩｐ）の化合物の例示的な構造は以下の通りである：
幾つかの実施形態では、式（ＸＩＩ）の化合物は、スキーム７−２に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＩＩ）の化合物が式（ＸＩＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6はｔ−ブチルである）をとり得ない。
式（ＸＩＶ）の化合物は、式（ＸＩＩ）及び／又は（ＸＩＩｐ）の化合物の任意の保護基部分を除去して式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成し、次に式（ＸＩＩＩ）の化合物のヘミアセタールを開裂することで合成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＩＶ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は、式（ＸＩＩｐ）の化合物に関して記
載したものと同じであり得る。ヘミアセタールを還元的に開裂する一方法は、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な還元試薬を使用することであり得る。一実施形態では、式（ＸＩＩ）又は（ＸＩＩｐ）の化合物からの式（ＸＩＶ）の化合物の形成は、一段階で行うことができる。別の実施形態では、初めに式（ＸＩＩ）の化合物の保護基部分ＰＧ1を除去し
て式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成し、次に生じたヘミアセタールを還元的に開裂して式（ＸＩＶ）の化合物を形成することができる。別の実施形態では、式（ＸＩＩｐ）の化合物の保護基部分ＰＧ1及びＰＧ2を、同時に又は順番に除去して式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成し、次に生じたヘミアセタールを還元的に開裂して式（ＸＩＶ）の化合物を形成することができる。式（ＸＩＩｐ）の化合物の保護基部分を順番に除去する場合、任意の順序で除去して式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成することができる。
載したものと同じであり得る。ヘミアセタールを還元的に開裂する一方法は、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な還元試薬を使用することであり得る。一実施形態では、式（ＸＩＩ）又は（ＸＩＩｐ）の化合物からの式（ＸＩＶ）の化合物の形成は、一段階で行うことができる。別の実施形態では、初めに式（ＸＩＩ）の化合物の保護基部分ＰＧ1を除去し
て式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成し、次に生じたヘミアセタールを還元的に開裂して式（ＸＩＶ）の化合物を形成することができる。別の実施形態では、式（ＸＩＩｐ）の化合物の保護基部分ＰＧ1及びＰＧ2を、同時に又は順番に除去して式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成し、次に生じたヘミアセタールを還元的に開裂して式（ＸＩＶ）の化合物を形成することができる。式（ＸＩＩｐ）の化合物の保護基部分を順番に除去する場合、任意の順序で除去して式（ＸＩＩＩ）の化合物を形成することができる。
式（ＸＩＩ）、（ＸＩＩｐ）、（ＸＩＩＩ）及び（ＸＩＶ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＩＩ）、（ＸＩＩｐ）、（ＸＩＩＩ）及び（ＸＩＶ）の化合物の例示的な構造を以下に示す：
幾つかの実施形態では、式（ＸＩＶ）の化合物は、式（ＸＩＩ）及び／又は（ＸＩＩｐ）の化合物の任意の保護基部分を除去し、式（ＸＩＩＩ）の化合物に生じたヘミアセタールを還元的に開裂することにより合成することができる。但し、式（ＸＩＩ）の化合物が式（ＸＩＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6はｔ−ブチルである）をとり得ない。他の実施形態では、式（ＸＩＶ）の化
合物は、式（ＸＩＩ）及び／又は（ＸＩＩｐ）の化合物の任意の保護基部分を除去し、式（ＸＩＩＩ）の化合物に生じたヘミアセタールを還元的に開裂することにより合成することができる。但し、式（ＸＩＩＩ）の化合物が式（ＸＩＩＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6はｔ−ブチルである）をと
り得ない。
合物は、式（ＸＩＩ）及び／又は（ＸＩＩｐ）の化合物の任意の保護基部分を除去し、式（ＸＩＩＩ）の化合物に生じたヘミアセタールを還元的に開裂することにより合成することができる。但し、式（ＸＩＩＩ）の化合物が式（ＸＩＩＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6はｔ−ブチルである）をと
り得ない。
一実施形態では、式（ＸＩＩＩ）の化合物は、式（ＸＩＩＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し得る。但し、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6はｔ−ブチルである
）をとり得ない。一実施形態では、式（ＸＩＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＩＶ）の化合物が式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素、メチル又はｔ−ブチルで
ある）をとり得ない。
）をとり得ない。一実施形態では、式（ＸＩＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＩＶ）の化合物が式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素、メチル又はｔ−ブチルで
ある）をとり得ない。
最終的に、スキーム７−１及び７−２の工程（ｍ）では、式（ＸＩＶ）の化合物を適切な塩基（例えば、ＢＯＰＣｌ／ピリジン、トリエチルアミン）で処理してラクトン化反応を誘導し、４員複素環を形成することで、式（ＸＶ）の化合物を形成することができる。ここでＲ3、Ｒ4及びＲ5は、式（ＸＩＩ）又は（ＸＩＩｐ）の化合物に関して記載したも
のと同じであり得る。一実施形態では、Ｒ5がエステルである場合、適切な試薬で処理し
てラクトン化反応を誘導する前に、式（ＸＩＶ）の化合物はまず、カルボン酸、活性酸（
例えば、酸ハロゲン化物）又は活性エステル（例えば、ｐ−ニトロフェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等）に変換され得る。例えばＲ5がカ
ルボン酸の場合、式（ＸＩＶ）の化合物は、適切な塩基で処理されラクトン化反応に影響を与え得る。幾つかの実施形態では、Ｒ5がアミドの場合、適切な塩基で処理してラクト
ン化反応を誘導する前に、式（ＸＩＶ）の化合物はまず、本明細書中に記載されるようなカルボン酸、活性酸又は活性エステルに変換され得る。
のと同じであり得る。一実施形態では、Ｒ5がエステルである場合、適切な試薬で処理し
てラクトン化反応を誘導する前に、式（ＸＩＶ）の化合物はまず、カルボン酸、活性酸（
例えば、酸ハロゲン化物）又は活性エステル（例えば、ｐ−ニトロフェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等）に変換され得る。例えばＲ5がカ
ルボン酸の場合、式（ＸＩＶ）の化合物は、適切な塩基で処理されラクトン化反応に影響を与え得る。幾つかの実施形態では、Ｒ5がアミドの場合、適切な塩基で処理してラクト
ン化反応を誘導する前に、式（ＸＩＶ）の化合物はまず、本明細書中に記載されるようなカルボン酸、活性酸又は活性エステルに変換され得る。
一例としては、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
別の例では、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の化合物の例示的な構造は以下の通りである：
一実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物のＲ5はカルボン酸であり得る。幾つか
の実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物のＲ5は、活性酸（例えば、酸塩化物）で
あり得る。或る特定の実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物のＲ5は、ｐ−ニトロ
フェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等の活性エステルであり得る。一実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ｂ）の化合物のＲ5はカルボン酸であり
得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ｂ）の化合物のＲ5は、活性酸（例えば、
酸塩化物）であり得る。或る特定の実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ｂ）の化合物のＲ5は
、ｐ−ニトロフェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等の活性エステルであり得る。
の実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物のＲ5は、活性酸（例えば、酸塩化物）で
あり得る。或る特定の実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ａ）の化合物のＲ5は、ｐ−ニトロ
フェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等の活性エステルであり得る。一実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ｂ）の化合物のＲ5はカルボン酸であり
得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ｂ）の化合物のＲ5は、活性酸（例えば、
酸塩化物）であり得る。或る特定の実施形態では、式（ＸＩＶ−１Ｂ）の化合物のＲ5は
、ｐ−ニトロフェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等の活性エステルであり得る。
幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＩＶ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の化合物が式（ＸＩＶ−１Ａ）及び（ＸＶ−１Ａ）の化合物と同じ構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素である）をとり得ない。他の実施形態
では、ラクトン化反応は、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の化合物が式（ＸＩＶ−１Ａ）及び（ＸＶ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ6はメチル又はｔ−ブチル
をとり得ないというさらなる条件を含む。幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＩＶ）及び／又は（ＸＩＶ−Ａ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素、メチル
又はｔ−ブチルである）である場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。一実施形態では
、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4はイソプロピル、シクロヘキシル又はフェニルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。
では、ラクトン化反応は、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の化合物が式（ＸＩＶ−１Ａ）及び（ＸＶ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ6はメチル又はｔ−ブチル
をとり得ないというさらなる条件を含む。幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＩＶ）及び／又は（ＸＩＶ−Ａ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素、メチル
又はｔ−ブチルである）である場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。一実施形態では
、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4はイソプロピル、シクロヘキシル又はフェニルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。
式（ＸＶ）の化合物はまた、スキーム７−３に示すように、式（Ｘ）の化合物から合成することができる。式（ＸＶ）の化合物はまた、スキーム７−４及び７−５に示すように、保護／脱保護配列を修飾することで、式（Ｘ）の化合物から得ることができる。
式（ＸＸＩＩＩ）の化合物は、式（Ｘ）の化合物の保護基部分を除去し、ヘミアセタールを還元的に開環することにより合成することができる。保護基部分は既知の方法を用いて除去することができ、ヘミアセタールは還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）を用いて還元的に開環することができる。幾つかの実施形態では、式（Ｘ）及び（ＸＸＩＩＩ）の化合物に関する置換基（及び該当する場合は保護基部分）（Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4及びＰ
Ｇ1）は、以下より選択することができる。Ｒ1は水素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換又は非置換変異体であり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシ
クリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アル
キルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。
Ｇ1）は、以下より選択することができる。Ｒ1は水素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換又は非置換変異体であり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシ
クリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アル
キルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。
式（Ｘ）及び（ＸＸＩＩＩ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
例えば、式（Ｘ）及び（ＸＸＩＩＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
必要に応じて、スキーム７−３に示すように、式（ＸＸＩＩＩ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシ基及びＣ−５第二級ヒドロキシ基を、本明細書中に記載されるような適当な保護基部分を用いて保護し、式（ＸＸＩＶｐ）の化合物を形成することができる。代替的には、スキーム７−４及び７−５に示すように、式（ＸＸＩＩＩ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシ基のみを保護して、式（ＸＸＩＶ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＩＶ）の化合物のＲ1、Ｒ3及びＲ4は、式（Ｘ）の化合
物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ3は保護基部分であり得る。或る特定の実施
形態では、ＰＧ3は置換若しくは非置換アリールカルボニル（例えば、ベンゾイル）、置
換若しくは非置換アルキルカルボニル（例えば、アセチル）、置換メチルエーテル（例えば、メトキシメチル）、置換エチルエーテル、置換若しくは非置換ベンジルエーテル（例えば、ベンジル、４−メトキシベンジル）、テトラヒドロピラニルエーテル、シリルエーテル（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル又はｔ−ブチルジフェニルシリル）、炭酸塩（例えば、メトキシメチルカーボネート）及びスルホン酸塩（例えば、メシレート、トシレート）から成る群から選択され得る。一実施形態では、式（ＸＸＩＶｐ）の化合物のＲ1、Ｒ3及びＲ4は、式（
Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分であり得る。幾つかの実施形態では、ＰＧ3はアルキルカルボニル（例えば、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2ＣＨ3）をとり得ない。他の実施形態では、ＰＧ3はスルホン酸塩（例えば、メチレート）をとり得ない。
物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ3は保護基部分であり得る。或る特定の実施
形態では、ＰＧ3は置換若しくは非置換アリールカルボニル（例えば、ベンゾイル）、置
換若しくは非置換アルキルカルボニル（例えば、アセチル）、置換メチルエーテル（例えば、メトキシメチル）、置換エチルエーテル、置換若しくは非置換ベンジルエーテル（例えば、ベンジル、４−メトキシベンジル）、テトラヒドロピラニルエーテル、シリルエーテル（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル又はｔ−ブチルジフェニルシリル）、炭酸塩（例えば、メトキシメチルカーボネート）及びスルホン酸塩（例えば、メシレート、トシレート）から成る群から選択され得る。一実施形態では、式（ＸＸＩＶｐ）の化合物のＲ1、Ｒ3及びＲ4は、式（
Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分であり得る。幾つかの実施形態では、ＰＧ3はアルキルカルボニル（例えば、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2ＣＨ3）をとり得ない。他の実施形態では、ＰＧ3はスルホン酸塩（例えば、メチレート）をとり得ない。
一例としては、式（ＸＸＩＩＩ）、（ＸＸＩＶ）及び（ＸＸＩＶｐ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＸＩＩＩ）、（ＸＸＩＶ）及び（ＸＸＩＶｐ）の化合物の構造及び立体化学の他の例は以下を含む：
スキーム７−１及び７−２の工程（ｊ）と同様に、式（ＸＸＩＶ）の化合物のアミナールを、本明細書中に記載されるような適当な酸を用いて開裂し、式（ＸＸＶ）の化合物を形成することができる。Ｃ−５第二級ヒドロキシが保護されている場合、式（ＸＸＩＶｐ）の化合物のアミナールもまた、適当な酸を用いて開裂し、式（ＸＸＶｐ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ3は保護基部分であり得る。幾
つかの実施形態では、式（ＸＸＶｐ）の化合物に関するＲ3及びＲ4、並びにＰＧ2は、式
（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分であり得る。
つかの実施形態では、式（ＸＸＶｐ）の化合物に関するＲ3及びＲ4、並びにＰＧ2は、式
（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分であり得る。
式（ＸＸＩＶ）及び（ＸＸＶ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
式（ＸＸＩＶｐ）及び（ＸＸＶｐ）の化合物の構造及び立体化学のさらなる例は以下の通りであり得る：
式（ＸＸＩＶ）、（ＸＸＩＶｐ）、（ＸＸＶ）及び（ＸＸＶｐ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
スキーム７−５に示すように、まず、式（ＸＸＩＶ）の化合物のアミナールを本明細書中に記載される方法の１つを用いて開裂し、式（ＸＸＶ）の化合物を形成することができる。次に、式（ＸＸＶ）の化合物のＣ−５第二級ヒドロキシ基を適切な保護基部分で保護して、式（ＸＸＶｐ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶ）及び（ＸＸＶｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4、ＰＧ2及びＰＧ3は、先の段落で記載したものと同じであり得る。
式（ＸＸＶ）及び（ＸＸＶｐ）の化合物の例示的な構造は以下の通りである：
一例としては、式（ＸＸＶ）及び（ＸＸＶｐ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
一実施形態では、式（ＸＸＶ）及び／又は（ＸＸＶｐ）の化合物の第一級アルコール基をＲ5に変換して、それぞれ式（ＸＸＶＩ）及び／又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物を形成す
ることができる（それぞれスキーム７−３及び７−４を参照）。
ることができる（それぞれスキーム７−３及び７−４を参照）。
幾つかの実施形態では、スキーム７−５に示すように、式（ＸＸＶｐ）の化合物を直接式（ＸＸＶＩ）の化合物に変換することができる。一実施形態では、式（ＸＸＶｐ）の化合物の保護基部分であるＰＧ2を、Ｃ−１５第一級アルコールをＲ5基に変換すると同時に除去し、式（ＸＸＶＩ）の化合物を形成することができる。代替的には、一実施形態では、第一級アルコールの変換前又は変換後にＰＧ2を除去することができる。
Ｃ−１５第一級アルコール基のＲ5基への変換は、スキーム７−１及び／又は７−２の
工程（ｋ）に記載したものと同じか又は同様の方法を用いて達成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は、
スキーム７−１及び／又は７−２の式（ＸＩＩ）又は（ＸＩＩｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分であり得る。
工程（ｋ）に記載したものと同じか又は同様の方法を用いて達成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は、
スキーム７−１及び／又は７−２の式（ＸＩＩ）又は（ＸＩＩｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分であり得る。
式（ＸＸＶ）、（ＸＸＶｐ）、（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物の例示的な構造及び立体化学は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＸＶ）、（ＸＸＶｐ）、（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物の構造及び立体化学の他の例を以下に示す：
幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物の保護基ＰＧ3を
除去して、それぞれ式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物を形成することができる。スキーム７−５を参照されたい。次に、式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシを、同じか又は異なる保護基で再保護（reprotected
）することができる。例えば、一実施形態では、式（ＸＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＣ−１３ヒドロキシを保護するベンゾイル基は、ＴＢＳ又はＴＥＳ保護基を用いて除去及び置換することができる。保護基を除去するための適切な方法は当業者にとって既知である。例えば、ベンゾイル保護基（ＰＧ3＝Ｂｚ）をＫ2ＣＯ3等の適当な塩基を用い
て除去し、式（ＸＸＶＩＩ）又は（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物を形成することができる。
除去して、それぞれ式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物を形成することができる。スキーム７−５を参照されたい。次に、式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシを、同じか又は異なる保護基で再保護（reprotected
）することができる。例えば、一実施形態では、式（ＸＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＣ−１３ヒドロキシを保護するベンゾイル基は、ＴＢＳ又はＴＥＳ保護基を用いて除去及び置換することができる。保護基を除去するための適切な方法は当業者にとって既知である。例えば、ベンゾイル保護基（ＰＧ3＝Ｂｚ）をＫ2ＣＯ3等の適当な塩基を用い
て除去し、式（ＸＸＶＩＩ）又は（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物を形成することができる。
式（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩｐ）、（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
式（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩｐ）、（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物の構造及び立体化学のさらなる例は以下の通りであり得る：
式（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩｐ）、（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物の構造及び立体化学のさらなる例は以下の通りであり得る：
式（ＸＸＶＩＩＩ）及び／又は（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物は、それぞれ式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物から、適切な塩基を用いて、ラクトン化反応を経て合成することができる。スキーム７−３、７−４及び７−５を参照されたい。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4、Ｒ5（及び該当
する場合はＰＧ2）は、式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物に関して記載したも
のと同じであり、ＰＧ3は保護基部分であり得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩ
）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ5は、カルボン酸であり得る。一実施形態では、式（
ＸＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ5は、活性酸（例えば、酸塩化物）であり得
る。或る特定の実施形態では、式（ＸＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ5は、ｐ
−ニトロフェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等の活性エステルであり得る。
する場合はＰＧ2）は、式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩｐ）の化合物に関して記載したも
のと同じであり、ＰＧ3は保護基部分であり得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩ
）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ5は、カルボン酸であり得る。一実施形態では、式（
ＸＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ5は、活性酸（例えば、酸塩化物）であり得
る。或る特定の実施形態では、式（ＸＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物のＲ5は、ｐ
−ニトロフェニルエステル、ペンタフルオロフェニルエステル、ペンタフルオロエチルエステル、トリフルオロエチルエステル、トリクロロエチルエステル、チオエステル等の活性エステルであり得る。
幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物は、式（ＸＸＶＩ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、式（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩＩ−１Ａ）及び（ＸＸＶＩ−１Ａ）の化合物と同じ構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素であ
る）をとり得ない。他の実施形態では、ラクトン化反応は、式（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩＩ−１Ａ）及び（ＸＸＶＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有するとき、Ｒ6はメチル又はｔ−ブチルをとり得ないというさらなる条件
を含む。一実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物は、本明細書中に記載される構造を有し得る。但し、Ｒ4が２−シクロヘキセニルであり、Ｒ3がメチルである場合、ＰＧ3
は−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2ＣＨ3及び／又はメシレートをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、並びにＲ4が２−シクロヘキセニルであり、Ｒ3がメチルである場合、ＰＧ3は−Ｃ（
＝Ｏ）ＣＨ2ＣＨ3及び／又はメシレートをとり得ない。
る）をとり得ない。他の実施形態では、ラクトン化反応は、式（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩＩ−１Ａ）及び（ＸＸＶＩ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有するとき、Ｒ6はメチル又はｔ−ブチルをとり得ないというさらなる条件
を含む。一実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物は、本明細書中に記載される構造を有し得る。但し、Ｒ4が２−シクロヘキセニルであり、Ｒ3がメチルである場合、ＰＧ3
は−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ2ＣＨ3及び／又はメシレートをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、並びにＲ4が２−シクロヘキセニルであり、Ｒ3がメチルである場合、ＰＧ3は−Ｃ（
＝Ｏ）ＣＨ2ＣＨ3及び／又はメシレートをとり得ない。
一例としては、式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物は、以下に示す構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＸＶＩｐ）及び（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物の他の例示的な構造及び立体化学は以下の通りである：
式（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩｐ）、（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物の構造及び立体化学のさらなる例を以下に示す：
スキーム７−３、７−４及び７−５に示した最終工程では、式（ＸＸＶＩＩＩ）及び／又は（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物の任意の保護基部分を除去して、それぞれ式（ＸＶ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩｐ）及び（ＸＶ）の化合物のＲ3及びＲ4（及び該当する場合はＰＧ2）は、式（Ｘ
ＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ3は保護
基部分であり得る。別の実施形態では、保護基ＰＧ2及びＰＧ3を式（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物から段階的に除去して、式（ＸＶ）の化合物を形成することができる（保護基は任意の順序で除去可能である）。さらに別の実施形態では、保護基ＰＧ2及びＰＧ3を同時に式（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物から除去して、式（ＸＶ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチ
ルである場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。
ＸＶＩ）又は（ＸＸＶＩｐ）の化合物に関して記載したものと同じであり、ＰＧ3は保護
基部分であり得る。別の実施形態では、保護基ＰＧ2及びＰＧ3を式（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物から段階的に除去して、式（ＸＶ）の化合物を形成することができる（保護基は任意の順序で除去可能である）。さらに別の実施形態では、保護基ＰＧ2及びＰＧ3を同時に式（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物から除去して、式（ＸＶ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチ
ルである場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。
式（ＸＸＶＩＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩｐ）及び（ＸＶ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
また、式（ＸＸＶＩＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩｐ）及び（ＸＶ）の化合物は、以下に示す構造及び立体化学を有し得る：
スキーム７−５に示すように、式（ＸＶ）の化合物はまた、適切な塩基を用いて、式（ＸＸＶＩＩ）の化合物からラクトン化反応を経て、又は式（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物のラクトン化反応に続く脱保護を経て、合成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＶＩＩ）、（ＸＸＶＩＩｐ）及び（ＸＶ）の化合物のＲ3、Ｒ4、Ｒ5（及び該当する
場合はＰＧ2）は、式（ＸＶＩＩ）又は（ＸＶＩＩｐ）の化合物に関して記載したものと
同じであり得る。
場合はＰＧ2）は、式（ＸＶＩＩ）又は（ＸＶＩＩｐ）の化合物に関して記載したものと
同じであり得る。
一例としては、式（ＸＸＶＩＩ）、（ＸＸＶＩＩｐ）、（ＸＶｐ）及び（ＸＶ）の化合物は、以下に示す構造及び立体化学を有し得る：
幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＸＶＩＩ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＶ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩ−１Ａ）及び（ＸＶ−１Ａ）の化合物と同じ構造及び立体化学を有する場合、Ｒ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素である）をとり得ない。
他の実施形態では、ラクトン化反応は、式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＶ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩ−１Ａ）及び（ＸＶ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ6は
メチル又はｔ−ブチルをとり得ないというさらなる条件を含む。幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＸＶＩＩ）及び／又は（ＸＸＶＩＩ−Ａ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ
Ｒ6（ここでＲ6は水素、メチル又はｔ−ブチルである）である場合、Ｒ4はイソプロピル
をとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し
得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶｐ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、Ｒ3がメチルであり、Ｒ4がイソプロピルである場合、ＰＧ2はＤ
ＭＩＰＳ又はＴＢＳをとり得ない。幾つかの実施形態では、式（ＸＶｐ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶｐ）の化合物が式（ＸＶｐ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルであり、Ｒ4がイソプロピルである場合、ＰＧ2はＤＭＩＰＳ又はＴＢＳをとり得ない。
他の実施形態では、ラクトン化反応は、式（ＸＸＶＩＩ）及び（ＸＶ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩ−１Ａ）及び（ＸＶ−１Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ6は
メチル又はｔ−ブチルをとり得ないというさらなる条件を含む。幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＸＶＩＩ）及び／又は（ＸＸＶＩＩ−Ａ）の化合物に対してラクトン化反応を行うことにより合成することができる。但し、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ
Ｒ6（ここでＲ6は水素、メチル又はｔ−ブチルである）である場合、Ｒ4はイソプロピル
をとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し
得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶ）の化合物が式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルである場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＶｐ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、Ｒ3がメチルであり、Ｒ4がイソプロピルである場合、ＰＧ2はＤ
ＭＩＰＳ又はＴＢＳをとり得ない。幾つかの実施形態では、式（ＸＶｐ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＶｐ）の化合物が式（ＸＶｐ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルであり、Ｒ4がイソプロピルである場合、ＰＧ2はＤＭＩＰＳ又はＴＢＳをとり得ない。
一実施形態では、式（ＸＸＶＩＩ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3がメチルであり、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6はメチル、Ｈ又はｔ−ブチルである）である場合、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。一実施形態では、
式（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩｐ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3が
メチルであり、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素又はメチルである）であり、
ＰＧ2がＴＢＳ又はＤＭＩＰＳである場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。
式（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物は、本明細書中に示した構造を有し得る。但し、式（ＸＸＶＩＩｐ）の化合物が式（ＸＸＶＩＩｐ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有し、Ｒ3が
メチルであり、Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（ここでＲ6は水素又はメチルである）であり、
ＰＧ2がＴＢＳ又はＤＭＩＰＳである場合、Ｒ4はイソプロピルをとり得ない。
式（ＸＸＶＩＩ）、（ＸＸＶＩＩｐ）、（ＸＶｐ）及び（ＸＶ）の化合物の他の例示的な構造及び立体化学は以下の通りである：
スキーム７−６に示すように、式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシ基を置換して、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することによりさらに変換することができる。ここでＲ3及びＲ4は式（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり、Ｘはハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ）であり得る。要望又は必要に応じて、幾つかの実施形態では、本明細書中に
記載される任意の合成工程において、Ｒ4は一回又は複数回保護及び／又は脱保護するこ
とができる。
記載される任意の合成工程において、Ｒ4は一回又は複数回保護及び／又は脱保護するこ
とができる。
式（ＸＶ）及び（ＸＶＩ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
式（ＸＶ）及び（ＸＶＩ）の化合物の構造及び立体化学のさらなる例を以下に示す：
一実施形態では、サリノスポラミドＡは、式（ＸＶ）の化合物を塩素化することにより合成することができる。ここでＲ4は２−シクロヘキセニルであり、Ｒ3はメチルである。
幾つかの実施形態では、式（ＸＶＩ）の化合物は、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシ基を置換することにより生じさせることができる。但し、式（ＸＶ）及び（ＸＶＩ）の化合物は式（ＸＶ−１Ａ）及び（ＸＶＩ−１Ａ）の化合物をとり得ない。或る特定の実施形態では、式（ＸＶＩ）の化合物が式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ3がメチルであり、Ｘが塩素であるときＲ4はイソプロピル又は２−シクロヘキセニルをとり得ない。
一実施形態では、スキーム７−７に示すように、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシ基は脱離基に変換することができる。適当な脱離基（ＬＧ）の例としては、スルホン酸塩脱離基（例えば、トシレート、（ＯＴｓ）、メシレート（ＯＭｓ）、トリフレート（ＯＴｆ）、トリプシレート（tripsylate）（ＯＴｐｓ）及びメシチレート（mesitylate）（ＯＭｓｔ））が挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、Ｒ3及
びＲ4は式（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。必要に応じて、Ｃ−
５第二級ヒドロキシは、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第二級ヒドロキシ基を変換する前に保護又は酸化することができる。脱離基を付加した後、Ｃ−５中心をヒドロキシ基に脱保護及び／又は還元することができる。
びＲ4は式（Ｘ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。必要に応じて、Ｃ−
５第二級ヒドロキシは、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第二級ヒドロキシ基を変換する前に保護又は酸化することができる。脱離基を付加した後、Ｃ−５中心をヒドロキシ基に脱保護及び／又は還元することができる。
式（ＸＶ）の化合物及びＣ−１３酸素に付随する脱離基を有する式（ＸＸＸＸ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
式（ＸＸＸＸ）の化合物の脱離基を、当業者に既知の方法を用いて求核試薬（Ｎｕ）により置き換え、式（ＸＸＸＸＩ）の化合物を形成することができる。スキーム７−８を参照されたい。一実施形態では、Ｒ3及びＲ4は式（ＸＸＸＸ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。適当な求核試薬としては、Ｒ9Ｓ-、ＣＮ-、Ｒ9Ｏ-、ハロゲン化物
アニオン、ＮＲ9aＲ9b -、Ｎ3 -、−ＣＯ2Ｒ9、Ｒ9ＯＨ及びＲ9ＳＨが挙げられるが、これ
らに限定されない。ここでＲ9、Ｒ9a及びＲ9bはそれぞれ独立して、水素、又はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル及びアルキルアシルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る。ここでＲ9a及びＲ9bは合わさって任意選択的に置換されたシクロアルキルを形成し得る。
アニオン、ＮＲ9aＲ9b -、Ｎ3 -、−ＣＯ2Ｒ9、Ｒ9ＯＨ及びＲ9ＳＨが挙げられるが、これ
らに限定されない。ここでＲ9、Ｒ9a及びＲ9bはそれぞれ独立して、水素、又はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル及びアルキルアシルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され得る。ここでＲ9a及びＲ9bは合わさって任意選択的に置換されたシクロアルキルを形成し得る。
式（ＸＸＸＸ）及び（ＸＸＸＸＩ）の化合物の例示的な構造及び立体化学は以下を含む：
幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシ基を酸化することができる。例えば、一実施形態では、Ｃ−１３第一級ヒドロキシ基をアルデヒドへと酸化して式（ＸＸＸ）の化合物を形成することができる。スキーム７−９を参照されたい。一実施形態では、式（ＸＸＸ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。必要に応じて、Ｃ−５第二級ヒドロキシを酸化の間保護するか又は非保護のままにすることができる。
式（ＸＶ）及び（ＸＸＸ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
式（ＸＶ）及び（ＸＸＸ）の化合物の構造及び立体化学のさらなる例は以下を含む：
スキーム７−１０の工程（ｎ）に示すように、式（ＸＸＸ）の化合物はさらに変換することができる。一実施形態では、ウィッティヒ反応を用いて式（ＸＸＸ）の化合物を式（ＸＸＸＩ）の化合物に変換することができる。ここでＲ3及びＲ4は、式（ＸＸＸ）の化合物に関して記載したものと同じであり、Ｒ’は水素、ハロゲン、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ’’、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ’’、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ’’）2、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ’’、−ＣＮ、−
（ＣＨ2）nＯＨ及び−（ＣＨ2）nＸであり、Ｒ’’は水素、又はアルキル、アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ及びアリールアルコキシの置換若しくは非置換変異体であり（２つ以上のＲ’’が存在する場合、これらは同じであっても又は異なっていてもよい）、Ｘはハロゲンであり、ｎは０、１、２、３又は４であり得る。適切な条件及び試薬は当業者に既知であり、トリフェニルホスホニウムイリド等のウィッティヒ試薬を含む）。一実施形態では、ｎは０であり得る。別の実施形態では、ｎは１であり得る。さらに別の実施形態では、ｎは２であり得る。またさらに別の実施形態では、ｎは３であり得る。一実施形態では、ｎは４であり得る。
（ＣＨ2）nＯＨ及び−（ＣＨ2）nＸであり、Ｒ’’は水素、又はアルキル、アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ及びアリールアルコキシの置換若しくは非置換変異体であり（２つ以上のＲ’’が存在する場合、これらは同じであっても又は異なっていてもよい）、Ｘはハロゲンであり、ｎは０、１、２、３又は４であり得る。適切な条件及び試薬は当業者に既知であり、トリフェニルホスホニウムイリド等のウィッティヒ試薬を含む）。一実施形態では、ｎは０であり得る。別の実施形態では、ｎは１であり得る。さらに別の実施形態では、ｎは２であり得る。またさらに別の実施形態では、ｎは３であり得る。一実施形態では、ｎは４であり得る。
式（ＸＸＸ）及び（ＸＸＸＩ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
スキーム７−１０の工程（ｏ）に示すように、式（ＸＸＸＩ）の化合物の側鎖二重結合を選択的に水素化することにより、式（ＸＸＸＩＩＩ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、式（ＸＸＸＩＩＩ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ’は、式（ＸＸＸＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＩＩＩ）の化合物は、本明細書中に示す構造を有し得る。但し、Ｒ3がメチルであり、Ｒ’
が水素又は塩素である場合、Ｒ4はイソプロピル、シクロヘキシル又はフェニルをとり得
ない。
が水素又は塩素である場合、Ｒ4はイソプロピル、シクロヘキシル又はフェニルをとり得
ない。
式（ＸＸＸＩ）及び（ＸＸＸＩＩＩ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
或る特定の実施形態では、式（ＸＸＸＩ）及び（ＸＸＸＩＩＩ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
別の実施形態では、式（ＸＸＸ１−Ａ）又は（ＸＸＸ１−Ｂ）の化合物を非選択的に還元することを用いて、それぞれ式（ＸＸＸＩＩ）の化合物を得ることができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＩＩ）の化合物は、本明細書中に示す構造を有し得る。但し、Ｒ’は水素又は塩素をとり得ない。
スキーム７−１０の工程（ｐ）に示すように、式（ＸＸＸ）の化合物はまた、有機金属
試薬を用いて式（ＸＸＸＩＶ）の化合物を形成するのに使用することができる。適当な有機金属試薬は、有機リチウム化合物、有機スズ化合物、有機銅酸化物化合物、有機亜鉛及び有機パラジウム化合物、金属カルボニル、メタロセン、カルビン錯体並びに有機半金属（例えば、有機ボラン及び有機シラン）を含むが、これらに限定されない。幾つかの実施形態では、有機金属部分は、Ｒ8−ＭｇＲ7、Ｒ8−ＺｎＲ7、Ｒ8−Ｌｉ、（Ｒ8）p−Ｂ（
Ｒ7）3-p及び（Ｒ8）q−Ｓｎ（Ｒ7）4-qから成る群から選択され得る。ここでＲ7はハロ
ゲン、又はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル、イソピノカンフェイル、ヒドロキシ、アルコキシ及びカルボニルアルコキシの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され（ここで２つ以上のＲ7が存在する場合、Ｒ7基は任意選択的に合わさって任意選択的に置換されたシクロアルキル（例えば、９−ＢＢＮ）、任意選択的に置換されたシクロアルケニル、任意選択的に置換されたヘテロアルキル又は任意選択的に置換されたヘテロアルケニル環を形成し得る）、ｐは１〜３の整数であり、q
は１〜４の整数であり、Ｒ8はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリ
ールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。一実施形態では、有機金属部分は（Ｒ8）p−Ｂ（Ｒ7）3-pである。或る特定の実施形態では、有機金属部分は（Ｒ8）p−Ｂ（Ｒ7）3-pであり、ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨである。幾つかの実施形
態では、有機金属部分は（Ｒ8）p−Ｂ（Ｒ7）3-pである。ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨ
であり、ｐは１であり、２つのＲ7基は合わさって任意選択的に置換されたシクロアルキ
ルを形成し得る。別の実施形態では、有機金属部分はＲ8−ＭｇＲ7である。或る特定の実施形態では、有機金属部分はＲ8−ＭｇＲ7であり、ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨである
。幾つかの実施形態では、有機金属部分はＲ8−ＭｇＲ7である。ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨであり、Ｒ7はハロゲン（例えば、塩素）である。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＩＶ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＸＶＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。一実施形態では、ａは１であり得る。別の実施形態では、ａは２であり得る。さらに別の実施形態では、ａは３であり得る。またさらに別の実施形態では、ａは４であり得る。一実施形態では、ａは５であり得る。一実施形態では、ａは６であり得る。さらに別の実施形態では、一実施形態では、ａは７以上であり得る。
試薬を用いて式（ＸＸＸＩＶ）の化合物を形成するのに使用することができる。適当な有機金属試薬は、有機リチウム化合物、有機スズ化合物、有機銅酸化物化合物、有機亜鉛及び有機パラジウム化合物、金属カルボニル、メタロセン、カルビン錯体並びに有機半金属（例えば、有機ボラン及び有機シラン）を含むが、これらに限定されない。幾つかの実施形態では、有機金属部分は、Ｒ8−ＭｇＲ7、Ｒ8−ＺｎＲ7、Ｒ8−Ｌｉ、（Ｒ8）p−Ｂ（
Ｒ7）3-p及び（Ｒ8）q−Ｓｎ（Ｒ7）4-qから成る群から選択され得る。ここでＲ7はハロ
ゲン、又はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル、イソピノカンフェイル、ヒドロキシ、アルコキシ及びカルボニルアルコキシの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され（ここで２つ以上のＲ7が存在する場合、Ｒ7基は任意選択的に合わさって任意選択的に置換されたシクロアルキル（例えば、９−ＢＢＮ）、任意選択的に置換されたシクロアルケニル、任意選択的に置換されたヘテロアルキル又は任意選択的に置換されたヘテロアルケニル環を形成し得る）、ｐは１〜３の整数であり、q
は１〜４の整数であり、Ｒ8はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリ
ールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。一実施形態では、有機金属部分は（Ｒ8）p−Ｂ（Ｒ7）3-pである。或る特定の実施形態では、有機金属部分は（Ｒ8）p−Ｂ（Ｒ7）3-pであり、ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨである。幾つかの実施形
態では、有機金属部分は（Ｒ8）p−Ｂ（Ｒ7）3-pである。ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨ
であり、ｐは１であり、２つのＲ7基は合わさって任意選択的に置換されたシクロアルキ
ルを形成し得る。別の実施形態では、有機金属部分はＲ8−ＭｇＲ7である。或る特定の実施形態では、有機金属部分はＲ8−ＭｇＲ7であり、ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨである
。幾つかの実施形態では、有機金属部分はＲ8−ＭｇＲ7である。ここでＲ8は−（ＣＨ2）aＯＨであり、Ｒ7はハロゲン（例えば、塩素）である。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＩＶ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＸＶＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。一実施形態では、ａは１であり得る。別の実施形態では、ａは２であり得る。さらに別の実施形態では、ａは３であり得る。またさらに別の実施形態では、ａは４であり得る。一実施形態では、ａは５であり得る。一実施形態では、ａは６であり得る。さらに別の実施形態では、一実施形態では、ａは７以上であり得る。
式（ＸＸＸ）及び（ＸＸＸＩＶ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
或る特定の実施形態では、Ｒ8は−（ＣＨ2）aＯＨであり、ここでａは１、２、３、４
、６又は７から成る群から選択され得る。Ｒ8が−（ＣＨ2）aＯＨである場合の、式（Ｘ
ＸＸＩＶ−１Ｂ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
、６又は７から成る群から選択され得る。Ｒ8が−（ＣＨ2）aＯＨである場合の、式（Ｘ
ＸＸＩＶ−１Ｂ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
Ｒ8が−（ＣＨ2）aＯＨである場合、スキーム７−１１に示すように、式（ＸＸＸＩＶ
）の化合物をハロゲン化して式（ＸＸＸＶ）の化合物を形成することができる。ここでＸはハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ）である。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＶ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＸＶＩ）の化合物に関して記載したものと同じで
あり得る。一実施形態では、ａは１であり得る。別の実施形態では、ａは２であり得る。さらに別の実施形態では、ａは３であり得る。またさらに別の実施形態では、ａは４であり得る。一実施形態では、ａは５であり得る。別の実施形態では、ａは６であり得る。さらに別の実施形態では、ａは６であり得る。またさらに別の実施形態では、ａは７以上であり得る。
）の化合物をハロゲン化して式（ＸＸＸＶ）の化合物を形成することができる。ここでＸはハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ）である。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＶ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＸＶＩ）の化合物に関して記載したものと同じで
あり得る。一実施形態では、ａは１であり得る。別の実施形態では、ａは２であり得る。さらに別の実施形態では、ａは３であり得る。またさらに別の実施形態では、ａは４であり得る。一実施形態では、ａは５であり得る。別の実施形態では、ａは６であり得る。さらに別の実施形態では、ａは６であり得る。またさらに別の実施形態では、ａは７以上であり得る。
式（ＸＸＸＸＩＩ）及び（ＸＸＸＶ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物の第二級ヒドロキシ基の立体化学は、（例えば、光延変換反応（Mitsunobu transformation）により）反転させて式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物を形成することができる。
一実施形態では、サリノスポラミドＡは、以下に示すように、式（ＸＶＩ−１Ｂ）の構造及び立体化学を有する化合物から合成することができる：
代替的には、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、例えば、第二級ヒドロキシをケトンへと酸化した後、そのケトンを逆の立体化学を有する第二級ヒドロキシに還元するというような多段階プロセスを経て反転させることができる。一方法では、適当な酸化剤（例えば、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ／ＮＭＯ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ）を用いて式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物を酸化して、式（ＸＸＩＩ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＩＩ）の化合物の幾つかの実施形態では、Ｒ3がメ
チルであり、Ｘがハロゲンである場合、Ｒ4は置換又は非置換シクロヘキセニル、非置換
シクロヘキサ−１，３−ジエニル、ＴＭＳＯ置換シクロヘキサ−１，３−ジエニル、非置換フェニル、ＴＭＳＯ置換フェニルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＸＩＩ）の化合物が式（ＸＸＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ3がメチルであ
り、Ｘがハロゲンであるとき、Ｒ4は置換又は非置換シクロヘキセニル、非置換シクロヘ
キサ−１，３−ジエニル、ＴＭＳＯ置換シクロヘキサ−１，３−ジエニル、非置換フェニル、ＴＭＳＯ置換フェニルをとり得ない。次に、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な化学試薬を用いて、式（ＸＸＩＩ）の化合物を式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物に還元することができる。幾つかの実施形態では、選択的酵素変換反応を経て還元を行うことができる。或る
特定の実施形態では、還元酵素はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及び／又はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ等のケト還元酵素である。
チルであり、Ｘがハロゲンである場合、Ｒ4は置換又は非置換シクロヘキセニル、非置換
シクロヘキサ−１，３−ジエニル、ＴＭＳＯ置換シクロヘキサ−１，３−ジエニル、非置換フェニル、ＴＭＳＯ置換フェニルをとり得ない。一実施形態では、式（ＸＸＩＩ）の化合物が式（ＸＸＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学を有する場合、Ｒ3がメチルであ
り、Ｘがハロゲンであるとき、Ｒ4は置換又は非置換シクロヘキセニル、非置換シクロヘ
キサ−１，３−ジエニル、ＴＭＳＯ置換シクロヘキサ−１，３−ジエニル、非置換フェニル、ＴＭＳＯ置換フェニルをとり得ない。次に、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な化学試薬を用いて、式（ＸＸＩＩ）の化合物を式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物に還元することができる。幾つかの実施形態では、選択的酵素変換反応を経て還元を行うことができる。或る
特定の実施形態では、還元酵素はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及び／又はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ等のケト還元酵素である。
別の実施形態では、サリノスポラミドＡは、以下のように式（ＸＶＩ−１Ｂ）の構造及び立体化学を有する化合物から合成することができる：
さらに、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、Ｒ4基を式（Ｘ）の化合物に付加した
後、任意の時点で反転させることができる。例えば、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、式（Ｘ）、（Ｘｐ）、（ＸＩ）、（ＸＩｐ）、（ＸＩＩ）、（ＸＩＩｐ）、（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）、（ＸＶ）、（ＸＸＩＩＩ）、（ＸＸＩＶ）、（ＸＸＩＶｐ）、（ＸＸＶ）、（ＸＸＶｐ）、（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩｐ）、（ＸＸＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物において反転させることができる。一実施形態では、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、本明細書中に記載される一段階プロセス（例えば、光延変換反応により）反転させることができる。多段階プロセスでも反転を行うことができる。一実施形態では、Ｃ−５第二級ヒドロキシ基を、適切な酸化剤（例えば、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ／ＮＭＯ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ）を用いてケト基へと酸化した後、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な還元剤を用いてヒ
ドロキシ基に還元することができる。別の実施形態では、ケト基は選択的酵素変換反応を経て還元することができる。或る特定の実施形態では、還元酵素は、ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及び／又はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ等のケト還元酵素である。
後、任意の時点で反転させることができる。例えば、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、式（Ｘ）、（Ｘｐ）、（ＸＩ）、（ＸＩｐ）、（ＸＩＩ）、（ＸＩＩｐ）、（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）、（ＸＶ）、（ＸＸＩＩＩ）、（ＸＸＩＶ）、（ＸＸＩＶｐ）、（ＸＸＶ）、（ＸＸＶｐ）、（ＸＸＶＩ）、（ＸＸＶＩｐ）、（ＸＸＩＩ）、（ＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物において反転させることができる。一実施形態では、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、本明細書中に記載される一段階プロセス（例えば、光延変換反応により）反転させることができる。多段階プロセスでも反転を行うことができる。一実施形態では、Ｃ−５第二級ヒドロキシ基を、適切な酸化剤（例えば、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ／ＮＭＯ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ）を用いてケト基へと酸化した後、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な還元剤を用いてヒ
ドロキシ基に還元することができる。別の実施形態では、ケト基は選択的酵素変換反応を経て還元することができる。或る特定の実施形態では、還元酵素は、ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及び／又はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ等のケト還元酵素である。
式（Ｖ）の化合物からサリノスポラミドＡ及びその類縁体を合成するための代替的な方法は、式（ＸＶＩＩ）の化合物を経て進めることができる。式（Ｖ）の化合物から式（ＸＶＩＩ）の化合物を合成する方法をスキーム８−１に示す。式（Ｘ）の化合物から式（ＸＶＩＩ）の化合物を合成する方法をスキーム８−２に示す。式（ＸＶＩＩ）の化合物からサリノスポラミドＡ及びその類縁体を合成する方法をスキーム９−１及び９−２に示す。
本明細書中に記載される実施形態の幾つかについては、スキーム８−１の工程（ｄ）及び（ｅ）はスキーム６に関して上記したものと同じであり得る。
スキーム８−１の工程（ｆ2）では、Ｒ4を少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部
分を用いて式（ＶＩＩ）の化合物に付加し、式（ＸＶＩＩ）の化合物を形成することができる。ここでＲ1は水素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール若しくはアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロア
ルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、ＰＧ1は
保護基部分であり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニ
ル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロ
アリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオ
アルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。幾つかの実施形態では、Ｒ4はＣ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。適当な有機金属部分は本明細書中に記載されている。
分を用いて式（ＶＩＩ）の化合物に付加し、式（ＸＶＩＩ）の化合物を形成することができる。ここでＲ1は水素、又は非置換若しくは置換Ｃ1〜6アルキルであり、Ｒ2は水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール若しくはアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、Ｒ3はＣ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロア
ルケニル、アリール又はアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体であり、ＰＧ1は
保護基部分であり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニ
ル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロ
アリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオ
アルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。幾つかの実施形態では、Ｒ4はＣ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。適当な有機金属部分は本明細書中に記載されている。
式（ＶＩＩ）及び（ＸＶＩＩ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
式（ＶＩＩ）及び（ＸＶＩＩ）の化合物の構造の例を以下に示す：
式（ＸＶＩＩ）の化合物はまた、スキーム８−２に従って、式（Ｘ）の化合物の第二級アルコール基を酸化することにより、式（Ｘ）の化合物から合成することができる。式（Ｘ）の化合物は、スキーム６に記載されるように合成することができる。
式（Ｘ）及び（ＸＶＩＩ）の化合物の例示的な構造は以下の通りである：
さらに、式（ＸＶＩＩ）の化合物は、合成スキーム８−３を経て得ることができる。
式（ＶＩＩ）の化合物は、スキーム６に関して上記したスキーム８−３の工程（ｄ）及び（ｅ）を経て、式（Ｖ）の化合物から合成することができる。式（ＶＩＩ）の化合物のエステルを、当業者に既知の方法（例えば、ＬｉＯＨ、アルカリ性チオエート（alkaline
thioates）（ＬｉＳＭｅ、ＮａＳＭｅ、ＬｉＳＣ2Ｈ5等）による加水分解）を用いてカ
ルボン酸に変換し、適当な試薬（例えば、オキサリルクロリド、ＳＯＣｌ2等）を用いて
酸ハロゲン化物にさらに変換して、式（ＸＸＸＶＩ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、式（ＸＸＸＶＩ）の化合物のＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化
合物に関して記載したものと同じであり得る。また、Ｘはハロゲンである。
thioates）（ＬｉＳＭｅ、ＮａＳＭｅ、ＬｉＳＣ2Ｈ5等）による加水分解）を用いてカ
ルボン酸に変換し、適当な試薬（例えば、オキサリルクロリド、ＳＯＣｌ2等）を用いて
酸ハロゲン化物にさらに変換して、式（ＸＸＸＶＩ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、式（ＸＸＸＶＩ）の化合物のＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化
合物に関して記載したものと同じであり得る。また、Ｘはハロゲンである。
式（ＶＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩ）の化合物の構造の例を以下に示す：
式（ＸＸＸＶＩ）の化合物のカルボン酸／酸ハロゲン化物を、適切なＮ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩［ＨＣｌ・ＨＮＭｅ（ＯＭｅ）］と反応させて、対応するワインレブアミドを形成することができる。ここでＲ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化
合物に関して記載したものと同じであり、Ｒ’’’及びＲ’’’’はそれぞれ独立して、アルキル（例えば、メチル）、アルコキシ（例えば、メトキシ）から成る群から選択され得る。
合物に関して記載したものと同じであり、Ｒ’’’及びＲ’’’’はそれぞれ独立して、アルキル（例えば、メチル）、アルコキシ（例えば、メトキシ）から成る群から選択され得る。
式（ＸＸＸＶＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩ）の化合物の例示的な構造は以下の通りである：
式（ＸＸＸＶＩＩ）の化合物のワインレブアミドを、少なくとも１つのＲ4を含有する
適切な有機金属部分と反応させて、式（ＸＶＩＩ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、Ｒ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同
じであり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3
〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3
〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。幾つかの実施形態では、Ｒ4はＣ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。適当な有機金属部分は本明細書中に記載されている。
適切な有機金属部分と反応させて、式（ＸＶＩＩ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、Ｒ1、Ｒ3及びＰＧ1は、式（ＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同
じであり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3
〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3
〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。幾つかの実施形態では、Ｒ4はＣ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、アルキルボロン酸エステル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され得る。適当な有機金属部分は本明細書中に記載されている。
或る特定の実施形態では、式（ＸＸＸＶＩＩ）及び（ＸＶＩＩ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
サリノスポラミドＡ及びその類縁体を式（ＸＶＩＩ）の化合物から得るための一方法をスキーム９−１に示す。
スキーム９−１の工程（ｇ2）に示すように、式（ＸＶＩＩ）の化合物のアミナールを
酸試薬（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸又はＨＣｌ）を用いて開裂し、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物のＲ1、Ｒ3、Ｒ4及びＰＧ1は、式（ＸＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
酸試薬（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸又はＨＣｌ）を用いて開裂し、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物のＲ1、Ｒ3、Ｒ4及びＰＧ1は、式（ＸＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
一例としては、式（ＸＶＩＩ）及び（ＸＶＩＩＩ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
式（ＸＶＩＩ）及び（ＸＶＩＩＩ）の化合物の例示的な構造を以下に示す：
工程（ｈ2）では、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基は、−Ｃ
（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6及び−Ｃ（＝Ｏ）Ｚから成る群から選択され得るＲ5に変換することができる。ここで各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、ア
リールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。ジョーンズ酸化等の適切な酸化条件を用いて、アルコール基をカルボン酸（Ｒ6＝Ｈ）に変換することにより、第一級アル
コール基をＲ5に変換してもよい。代替的には、カルボン酸基は、式（ＸＶＩＩＩ）の化
合物の第一級アルコール基から、アルデヒドを経て生じさせることができる。式（ＸＶＩＩＩ）の化合物の第一級アルコール基をまず、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ等の適切な酸化剤を用いてアルデヒドに変換し、次に生じたアルデヒドを、亜塩素酸ナトリウム／第二リン酸ナトリウム／２−メチル−２−ブテンの組み合わせ等の適切な酸化剤を用いて、カルボン酸へとさらに酸化することができる。必要に応じて、カルボン酸をその後、適切なアルコール、チオール（例えば、チオフェノール、シスチン）、カルボン酸（例えば、酢酸、安息香酸）又は無水物（例えば、無水酢酸）を用いて、エステル、チオエステル又は無水物に変換し、式（ＸＩＸ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＩＸ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6及び−Ｃ（＝Ｏ）Ｚから成る群から選択され得るＲ5に変換することができる。ここで各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、ア
リールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。ジョーンズ酸化等の適切な酸化条件を用いて、アルコール基をカルボン酸（Ｒ6＝Ｈ）に変換することにより、第一級アル
コール基をＲ5に変換してもよい。代替的には、カルボン酸基は、式（ＸＶＩＩＩ）の化
合物の第一級アルコール基から、アルデヒドを経て生じさせることができる。式（ＸＶＩＩＩ）の化合物の第一級アルコール基をまず、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ等の適切な酸化剤を用いてアルデヒドに変換し、次に生じたアルデヒドを、亜塩素酸ナトリウム／第二リン酸ナトリウム／２−メチル−２−ブテンの組み合わせ等の適切な酸化剤を用いて、カルボン酸へとさらに酸化することができる。必要に応じて、カルボン酸をその後、適切なアルコール、チオール（例えば、チオフェノール、シスチン）、カルボン酸（例えば、酢酸、安息香酸）又は無水物（例えば、無水酢酸）を用いて、エステル、チオエステル又は無水物に変換し、式（ＸＩＸ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＩＸ）の化合物のＲ3及びＲ4は、式（ＸＶＩＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
式（ＸＶＩＩＩ）及び（ＸＩＸ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
例えば、式（ＸＶＩＩＩ）及び（ＸＩＸ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム９−１の工程（ｉ2）では、式（ＸＸ）の化合物は、式（ＸＩＸ）の化合物の
保護基部分を除去し、生じたヘミアセタールを還元的に開環することにより合成することができる。一例としては、ヘミアセタールは、還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）を用いて還元的に開環することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は、式（ＸＩＸ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
保護基部分を除去し、生じたヘミアセタールを還元的に開環することにより合成することができる。一例としては、ヘミアセタールは、還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）を用いて還元的に開環することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は、式（ＸＩＸ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
式（ＸＩＸ）及び（ＸＸ）の化合物の例示的な構造及び立体化学は以下の通りであり得る：
例えば、式（ＸＩＸ）及び（ＸＸ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム９−１の工程（ｊ2）に示すように、式（ＸＸＩ）の化合物は、適切な塩基（
例えば、ＢＯＰＣｌ／ピリジン）を用いて、式（ＸＸ）の化合物からラクトン化反応を経て合成することができる。一実施形態では、式（ＸＸＩ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は
、式（ＸＸ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
例えば、ＢＯＰＣｌ／ピリジン）を用いて、式（ＸＸ）の化合物からラクトン化反応を経て合成することができる。一実施形態では、式（ＸＸＩ）の化合物のＲ3、Ｒ4及びＲ5は
、式（ＸＸ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
式（ＸＸ）及び（ＸＸＩ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
例えば、式（ＸＸ）及び（ＸＸＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム９−１の工程（ｋ2）に示すように、式（ＸＸＩ）の化合物は、式（ＸＸＩ）
の化合物の第一級ヒドロキシを置換して、式（ＸＸＩＩ）の化合物を形成することにより、さらに変換することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＩＩ）の化合物のＲ3
及びＲ4は、式（ＸＸＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり、Ｘはハロゲンで
あり得る。
の化合物の第一級ヒドロキシを置換して、式（ＸＸＩＩ）の化合物を形成することにより、さらに変換することができる。幾つかの実施形態では、式（ＸＸＩＩ）の化合物のＲ3
及びＲ4は、式（ＸＸＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり、Ｘはハロゲンで
あり得る。
式（ＸＸＩ）及び（ＸＸＩＩ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
例えば、式（ＸＸＩ）及び（ＸＸＩＩ）の化合物は以下の構造を有し得る：
スキーム９−１の工程（ｌ2）に示すように、式（ＸＸＩＩ）の化合物のＲ4に隣接する炭素に付随するＣ−５ケトン基を、適当な還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）又は酵素を用いて第二級ヒドロキシ基に還元し、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することができる。一実施形態では、式（ＸＸＩＩ）の化合物を式（ＸＶＩ−Ａ）及び／又は（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物に還元することができる。
式（ＸＸＩＩ）及び（ＸＶＩ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
別の例としては、式（ＸＸＩＩ）及び（ＸＶＩ）の化合物は以下の構造及び立体化学を有し得る：
必要に応じて、式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物の第二級ヒドロキシの立体化学は、本明細書中に記載されるように、一段階又は多段階プロセスで反転させることができる。
式（ＸＸＩ）の化合物は、スキーム９−１に示すように、式（ＸＶ）の化合物の合成にも用いることができる。式（ＸＸＩ）の化合物のＣ−５ケト基を、本明細書中に記載されるような適切な還元剤を用いて還元し、式（ＸＶ）の化合物を形成することができる。本明細書中に記載されるスキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に従って、式（ＸＶ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシを用いてサリノスポラミドＡ又はその類縁体を得ることができる。式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物の第二級ヒドロキシの立体化学は、記載されるような一段階又は多段階プロセスで反転させることができる。
或る特定の実施形態では、式（ＸＸＩ）、（ＸＶ）及び（ＸＶＩ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
幾つかの実施形態では、式（ＸＶ）の化合物はスキーム９−２を経て合成することがで
きる。
きる。
式（ＸＸＩ）の化合物は、スキーム９−１に関して上記したスキーム９−２の工程（ｇ2）、（ｈ2）、（ｉ2）及び（ｊ2）を経て、式（ＸＶＩＩ）の化合物から合成することができる。式（ＸＸＩ）の化合物のＣ−５ケト基を、適当な還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）又は酵素を用いて第二級ヒドロキシ基に還元し、式（ＸＶ）の複素環式化合物、例えば、化合物（ＸＶ−Ａ）及び／又は（ＸＶ−Ｂ）を形成することができる。ここでＲ3、Ｒ4及びＸは式（ＸＸＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
式（ＸＸＩ）及び（ＸＶ）の化合物の例示的な構造及び立体化学を以下に示す：
次に、本明細書中に記載されるスキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に従って、式（ＸＶ）の化合物を用いてサリノスポラミドＡ又はその類縁体を得ることができる。
式（ＸＶＩＩ）の化合物からサリノスポラミドＡ及びその類縁体を得るための別の方法をスキーム９−３に示す。
アミナールの開裂に先行して、式（ＸＶＩＩ）の化合物のケトン基を適当な保護基部分（複数可）を用いて保護し、式（ＸＶＩＩｐ）の化合物を形成することができる。幾つかの実施形態では、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4及びＰＧ1は、式（ＸＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり、各Ｙは酸素又は硫黄であり、ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルから成る群から選択され得る。ここでＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して、任意選択的に置換された５、６、７又は８員ヘテロシクリルを形成することができる。
スキーム９−３に示すように、式（ＸＶＩＩｐ）の化合物は、スキーム９−１の工程（ｇ2）、（ｈ2）、（ｉ2）、（ｊ2）及び（ｋ2）に関して記載した方法に従って、式（Ｘ
ＸＩＩｐ）の化合物に変換することができる。スキーム９−３に示すように、保護基部分（複数可）、Ｙ−ＲA及びＹ−ＲBを、式（ＸＸＩＩｐ）の化合物から適当な方法を用いて除去し、式（ＸＸＩＩ）の化合物を得ることができる。各々の工程に関して、ケトン保護
化合物の置換基は、対応する非保護化合物に関して記載したものと同じ基から選択され得る。例えば、式（ＸＩＸｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4、ＰＧ1及びＲ5は、式（ＸＩＸ）の化合物と同じ基から選択され得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＶＩＩｐ）、（ＸＶＩＩＩｐ）、（ＸＩＸｐ）、（ＸＸｐ）、（ＸＸＩｐ）及び（ＸＸＩＩｐ）の化合物は、ケトカルボニル基が適当な保護基（複数可）で保護されている点を除いて、スキーム９−１の対応する非保護化合物と同じ構造及び／又は立体化学を有し得る。
ＸＩＩｐ）の化合物に変換することができる。スキーム９−３に示すように、保護基部分（複数可）、Ｙ−ＲA及びＹ−ＲBを、式（ＸＸＩＩｐ）の化合物から適当な方法を用いて除去し、式（ＸＸＩＩ）の化合物を得ることができる。各々の工程に関して、ケトン保護
化合物の置換基は、対応する非保護化合物に関して記載したものと同じ基から選択され得る。例えば、式（ＸＩＸｐ）の化合物のＲ3、Ｒ4、ＰＧ1及びＲ5は、式（ＸＩＸ）の化合物と同じ基から選択され得る。幾つかの実施形態では、式（ＸＶＩＩｐ）、（ＸＶＩＩＩｐ）、（ＸＩＸｐ）、（ＸＸｐ）、（ＸＸＩｐ）及び（ＸＸＩＩｐ）の化合物は、ケトカルボニル基が適当な保護基（複数可）で保護されている点を除いて、スキーム９−１の対応する非保護化合物と同じ構造及び／又は立体化学を有し得る。
最終的に、式（ＸＸＩＩ）の化合物のＲ4に隣接する炭素に付随するケトン基を、適当
な還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）又は酵素を用いてヒドロキシ基に還元し、式（ＸＶＩ−Ａ）及び／又は（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物を含む式（ＸＶＩ）の化合物を形成することができる。ここでＲ3、Ｒ4及びＸは、式（ＸＸＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
な還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）又は酵素を用いてヒドロキシ基に還元し、式（ＸＶＩ−Ａ）及び／又は（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物を含む式（ＸＶＩ）の化合物を形成することができる。ここでＲ3、Ｒ4及びＸは、式（ＸＸＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。
一実施形態では、式（ＸＶ）の化合物は、スキーム９−４に示すように式（ＸＶＩＩ）の化合物から合成することができる。
式（ＸＸＩｐ）の化合物は、スキーム９−１に関して上記したスキーム９−４の工程（ｇ2）、（ｈ2）、（ｉ2）及び（ｊ2）を経て、式（ＸＶＩＩ）の化合物から合成することができる。保護基部分（複数可）、Ｙ−ＲA及びＹ−ＲBを、式（ＸＸＩｐ）の化合物から適当な方法を用いて除去し、式（ＸＸＩ）の化合物を得ることができる。一実施形態では、Ｒ3及びＲ4は、式（ＸＶＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。式（ＸＸＩ）の化合物のＣ−５ケト基を、適当な還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）又は酵素を用いて第二級ヒドロキシ基に還元し、式（ＸＶ−Ａ）及び／又は（ＸＶ−Ｂ）の化合物を含む式（ＸＶ）の化合物を形成することができる。ここでＲ3及びＲ4は、式（ＸＸＩＩ）の化合物に関して記載したものと同じであり得る。次に、本明細書中に記載されるスキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に従って、式（ＸＶ）の化合物を用いてサリノスポラミドＡ又はその類縁体を得ることができる。
或る特定の実施形態では、式（ＸＸＩｐ）、（ＸＸＩ）及び（ＸＶ）の化合物は、以下の構造及び立体化学を有し得る：
サリノスポラミドＡ及びその類縁体を合成するためのさらなる方法を、以下のスキーム９−５及び９−６に示す。式（ＸＶＩＩ）又は（ＸＶＩＩｐ）の化合物のＰＧ1を除去し
、生じたヘミアセタールを上記のように還元的に開き、それぞれ式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物のアミナールを本明細書中に記載されるように開裂し、それぞれ式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基を、本明細書中に記載される方法を用いてＲ5に変換することができる。ここでＲ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、
−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6及び−Ｃ（＝Ｏ）Ｚから成る群から選択され
、各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン又は以下の置換若しくは非置換変異体から成る群か
ら選択され、各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アル
キルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。Ｒ5の変換後、スキーム９−１及び９−３に関して上記したように、式（ＸＶ
Ｉ）の化合物を形成することができる。必要に応じて、式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物のＣ−１５ヒドロキシ基の酸化の間、Ｃ−１３第一級ヒドロキシ基は保護することができ、その後必要に応じて除去することができる。
、生じたヘミアセタールを上記のように還元的に開き、それぞれ式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物のアミナールを本明細書中に記載されるように開裂し、それぞれ式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基を、本明細書中に記載される方法を用いてＲ5に変換することができる。ここでＲ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、
−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6及び−Ｃ（＝Ｏ）Ｚから成る群から選択され
、各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン又は以下の置換若しくは非置換変異体から成る群か
ら選択され、各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アル
キルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。Ｒ5の変換後、スキーム９−１及び９−３に関して上記したように、式（ＸＶ
Ｉ）の化合物を形成することができる。必要に応じて、式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物のＣ−１５ヒドロキシ基の酸化の間、Ｃ−１３第一級ヒドロキシ基は保護することができ、その後必要に応じて除去することができる。
式（ＸＶ）の化合物を合成するためのさらなる方法をスキーム９−７及び９−８に示す。式（ＸＶＩＩ）又は（ＸＶＩＩｐ）の化合物のＰＧ1を除去し、生じたヘミアセタール
を上記のように還元的に開き、それぞれ式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物のアミナールを本明細書中に記載されるように開裂し、それぞれ式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基を、本明細書中に記載される方法を用いてＲ5に変換することができる。ここでＲ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6及び−Ｃ（＝Ｏ）Ｚから成る群から選択され、各Ｒ6は独立して、水素
、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリ
ール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。Ｒ5の変換後、スキーム
９−１、９−２、９−３及び９−４に関して上記したように、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することができる。本明細書中に記載されるスキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に従って、スキーム９−７及び／又は９−８の方法により得た式（ＸＶ）の化合物を用いて、サリノスポラミドＡ又はその類縁体を形成することができる。
を上記のように還元的に開き、それぞれ式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）の化合物のアミナールを本明細書中に記載されるように開裂し、それぞれ式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物を形成することができる。式（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物のＣ−１５第一級アルコール基を、本明細書中に記載される方法を用いてＲ5に変換することができる。ここでＲ5は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6及び−Ｃ（＝Ｏ）Ｚから成る群から選択され、各Ｒ6は独立して、水素
、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリ
ール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、Ｚはハロゲンであり得る。Ｒ5の変換後、スキーム
９−１、９−２、９−３及び９−４に関して上記したように、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することができる。本明細書中に記載されるスキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に従って、スキーム９−７及び／又は９−８の方法により得た式（ＸＶ）の化合物を用いて、サリノスポラミドＡ又はその類縁体を形成することができる。
式（ＸＸＸＶＩＩＩ）、（ＸＸＸＩＸ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物の構造及び立体化学の例を以下に示す：
幾つかの実施形態では、式（ＸＸＸＶＩＩＩｐ）及び（ＸＸＸＩＸｐ）の化合物は、ケトカルボニル基が適当な保護基（複数可）で保護されている点を除いて、対応する式（ＸＸＸＶＩＩＩ）及び（ＸＸＸＩＸ）の非保護化合物と同じ構造及び／又は立体化学を有し得る。
一実施形態では、サリノスポラミドＡ（化合物ＸＶＩ−１Ａ）は、式（ＸＸＩＩ）の化合物から得ることができる。ここでＲ4は２−シクロヘキセニルであり、Ｒ3はメチルであり、Ｘは塩素である。
別の実施形態では、式（ＸＸＩＩ−１）の化合物は、式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物に変換することができる。必要に応じて、式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物のＣ−５第二級ヒドロキシの立体化学を、本明細書中に先に記載したように一段階又は多段階プロセスで反転させ、式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物を得ることができる。
サリノスポラミドＡ又はその類縁体はまた、式（ＸＸＩ）及び／又は（ＸＸＩｐ）の化合物から得ることができる。一実施形態では、式（ＸＸＩ）及び（ＸＸＩｐ）の化合物のＣ−１３第一級ヒドロキシは、本明細書中に記載されるスキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に示す手順に従って、修飾することができる。サリノスポラミドＡ又はその類縁体を生成するための、適切な還元剤（例えば、水素化ホウ素ナトリウム）を用いたＣ−５ケト基のヒドロキシ基への還元は、スキーム７−６、７−７、７−８、７−９、７−１０及び７−１１に示した任意の工程において行うことができる。
Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、本明細書中に記載される方法の１つ又は当業者に既知の方法を用いて任意の時点で反転させることができる。例えば、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、式（ＸＶ）の化合物において反転させることができる。一実施形態では、Ｃ−５第二級ヒドロキシの立体化学は、本明細書中に記載されるように一段階プロセスで（例えば、光延変換反応により）反転させることができる。多段階プロセスでも反転を行うことができる。一実施形態では、Ｃ−５第二級ヒドロキシ基を、適切な酸化剤（例えば、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン、ＴＰＡＰ／ＮＭＯ、スワーン酸化剤、ＰＣＣ又はＰＤＣ）を用いてケト基へと酸化した後、水素化ホウ素ナトリウム等の適当な還元剤を用いてヒドロキシ基に還元することができる。別の実施形態では、ケト基は選択的酵素変換反応を経て還元することができる。或る特定の実施形態では、還元酵素は、ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及び／又はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ等のケト還元酵素である。
幾つかの実施形態では、本明細書中に記載される化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4は２−シクロヘキセニルをとり得ない。他の実施形態では、本明細書中に記載される
化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4は２−シクロヘキセニルである。幾つかの実施
形態では、本明細書中に記載される化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4はイソプロ
ピルをとり得ない。他の実施形態では、本明細書中に記載される化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4はイソプロピルである。
化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4は２−シクロヘキセニルである。幾つかの実施
形態では、本明細書中に記載される化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4はイソプロ
ピルをとり得ない。他の実施形態では、本明細書中に記載される化合物及び方法のいずれにおいても、Ｒ4はイソプロピルである。
市販の化合物はSigma-Aldrichから入手し、記述がない限り精製することなくそれらを
用いた。1Ｈ ＮＭＲ、13Ｃ ＮＭＲ及び1Ｈ−1Ｈ ＣＯＳＹスペクトルはBruker分光器
により５００ＭＨｚで記録し、化学シフトは、残留溶媒ピーククロロホルム（ＣＤＣｌ3
）を参照して、それぞれ７．２４及び７７．００のδ値（ｐｐｍ）で与えられる。ＬＣ−ＭＳデータは、Ａｇｉｌｅｎｔ ＰＤＡ検出器（移動相はＣＨ3ＣＮとＨ2Ｏとの混合物である）とＭＳＤシステムとを備えたＡｇｉｌｅｎｔ ＨＰ１１００ ＨＰＬＣから得た。旋光度はＡｕｔｏｐｏｌ−ＩＩＩ自動旋光計から取得し、融点はＭｅｌ−Ｔｅｍｐ装置から得た。
用いた。1Ｈ ＮＭＲ、13Ｃ ＮＭＲ及び1Ｈ−1Ｈ ＣＯＳＹスペクトルはBruker分光器
により５００ＭＨｚで記録し、化学シフトは、残留溶媒ピーククロロホルム（ＣＤＣｌ3
）を参照して、それぞれ７．２４及び７７．００のδ値（ｐｐｍ）で与えられる。ＬＣ−ＭＳデータは、Ａｇｉｌｅｎｔ ＰＤＡ検出器（移動相はＣＨ3ＣＮとＨ2Ｏとの混合物である）とＭＳＤシステムとを備えたＡｇｉｌｅｎｔ ＨＰ１１００ ＨＰＬＣから得た。旋光度はＡｕｔｏｐｏｌ−ＩＩＩ自動旋光計から取得し、融点はＭｅｌ−Ｔｅｍｐ装置から得た。
［実施例１］
化合物（Ｉ−１）の合成
化合物（Ｉ−１）の合成
Ｄ−セリンメチルエステル塩酸塩（２５ｇ、１６０．６７ｍｍｏｌ）のペンタン（８００ｍＬ）懸濁液（室温）に、ｔ−ブチルアルデヒド（２０．７３ｇ、２４１ｍｍｏｌ）及びＥｔ3Ｎ（１７．８５ｇ、１７６．７４ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を、Ｄ
ｅａｎ−Ｓｔａｒｋ装置を用いて５０℃で１５時間還流した。得られた反応混合物を室温に冷却し、セライトによって濾過し、このセライトケークをペンタン（２×４０ｍＬ）で洗浄した。合わせた濾液を減圧下で濃縮し、高真空下で乾燥させて、生成物である化合物Ｉ−１（２４．５ｇ、１３１ｍｍｏｌ、８１．５％収率）を透明な油分として得た。これはさらに精製することなく使用することができる。化合物Ｉ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図２を参照。
ｅａｎ−Ｓｔａｒｋ装置を用いて５０℃で１５時間還流した。得られた反応混合物を室温に冷却し、セライトによって濾過し、このセライトケークをペンタン（２×４０ｍＬ）で洗浄した。合わせた濾液を減圧下で濃縮し、高真空下で乾燥させて、生成物である化合物Ｉ−１（２４．５ｇ、１３１ｍｍｏｌ、８１．５％収率）を透明な油分として得た。これはさらに精製することなく使用することができる。化合物Ｉ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図２を参照。
［実施例２］
化合物（ＩＩ−１）のエステル前駆体の合成
化合物（ＩＩ−１）のエステル前駆体の合成
方法Ａ
ｔ−ブチルアセトアセテート（３０ｇ、０．１９ｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（８００ｍＬ）溶液（０℃）にｔ−ＢｕＯＫ（２３．４１ｇ、９５％ｗ／ｗ、０．２１ｍｏｌ）を添加し、この溶液を約１５分間攪拌した。臭化アリル（１８．３９ｇ、０．１５２ｍｏｌ）を添
加し、この溶液を０℃でさらに１５分間攪拌した。次に反応混合物を室温に温め、約５時間Ｎ2雰囲気下で攪拌した。上記の反応混合物をその後０℃に冷却し、Ｈ2Ｏ（３００ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×２００ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。粗生成物を、１００％ヘキサン（１．５Ｌ）→１．５％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（３Ｌ）→２．５％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（１Ｌ）→４％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（７００ｍＬ）の溶媒グラジエントを用いてシリカゲルフラッシュクロマトグラフィ（５ｃｍＩＤ×４５ｃｍ）で精製し、純生成物（１４．５ｇ、０．０７３ｍｏｌ、３８．５％収率）を得た。代替的には、粗生成物を高真空（１２ｍｍＨｇ）下における分留（１３０℃油浴、９０℃〜９５℃ ｂｐ）によって精製し、生成物である化合物（ＩＩ−１）のエステル前駆体（６６％収率）を得た。
ｔ−ブチルアセトアセテート（３０ｇ、０．１９ｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（８００ｍＬ）溶液（０℃）にｔ−ＢｕＯＫ（２３．４１ｇ、９５％ｗ／ｗ、０．２１ｍｏｌ）を添加し、この溶液を約１５分間攪拌した。臭化アリル（１８．３９ｇ、０．１５２ｍｏｌ）を添
加し、この溶液を０℃でさらに１５分間攪拌した。次に反応混合物を室温に温め、約５時間Ｎ2雰囲気下で攪拌した。上記の反応混合物をその後０℃に冷却し、Ｈ2Ｏ（３００ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×２００ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。粗生成物を、１００％ヘキサン（１．５Ｌ）→１．５％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（３Ｌ）→２．５％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（１Ｌ）→４％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（７００ｍＬ）の溶媒グラジエントを用いてシリカゲルフラッシュクロマトグラフィ（５ｃｍＩＤ×４５ｃｍ）で精製し、純生成物（１４．５ｇ、０．０７３ｍｏｌ、３８．５％収率）を得た。代替的には、粗生成物を高真空（１２ｍｍＨｇ）下における分留（１３０℃油浴、９０℃〜９５℃ ｂｐ）によって精製し、生成物である化合物（ＩＩ−１）のエステル前駆体（６６％収率）を得た。
方法Ｂ
ｔ−ＢｕＯＫ（５０ｇ、９５％ｗ／ｗ、０．４２ｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（１．５Ｌ）溶液（０℃）にｔ−ブチルアセトアセテート（６５ｇ、０．４１ｍｏｌ）を添加し、この溶液を約１５分間Ｎ2雰囲気下で攪拌した。臭化アリル（４７ｇ、０．３９ｍｏｌ）を徐々
に添加し、溶液を０℃で約２０時間攪拌した。反応混合物を室温に温め、さらに１５時間攪拌した。反応混合物をその後０℃のＨ2Ｏ（１Ｌ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×０．５
ｍＬ）で抽出した。有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。粗生成物を、高
真空（１２ｍｍＨｇ）下における分留（１３０℃油浴、９０℃〜９５℃ ｂｐ）によって精製し、生成物である化合物（ＩＩ−１）のエステル前駆体（５４ｇ、０．２７ｍｏｌ、６６％収率）を得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．６８（ｍ，１Ｈ）、５．０３（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１，１７Ｈｚ，１Ｈ）、４．９７（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１．１０Ｈｚ，１Ｈ）、３．３５（ｔ，Ｊ＝７．５，１Ｈ）、２．４８（ｂｒ ｔ，Ｊ＝７．０，２Ｈ）、２．１６（ｓ，３Ｈ）、１．３９（ｓ，９Ｈ）。図３を参照。
ｔ−ＢｕＯＫ（５０ｇ、９５％ｗ／ｗ、０．４２ｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（１．５Ｌ）溶液（０℃）にｔ−ブチルアセトアセテート（６５ｇ、０．４１ｍｏｌ）を添加し、この溶液を約１５分間Ｎ2雰囲気下で攪拌した。臭化アリル（４７ｇ、０．３９ｍｏｌ）を徐々
に添加し、溶液を０℃で約２０時間攪拌した。反応混合物を室温に温め、さらに１５時間攪拌した。反応混合物をその後０℃のＨ2Ｏ（１Ｌ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×０．５
ｍＬ）で抽出した。有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。粗生成物を、高
真空（１２ｍｍＨｇ）下における分留（１３０℃油浴、９０℃〜９５℃ ｂｐ）によって精製し、生成物である化合物（ＩＩ−１）のエステル前駆体（５４ｇ、０．２７ｍｏｌ、６６％収率）を得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．６８（ｍ，１Ｈ）、５．０３（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１，１７Ｈｚ，１Ｈ）、４．９７（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１．１０Ｈｚ，１Ｈ）、３．３５（ｔ，Ｊ＝７．５，１Ｈ）、２．４８（ｂｒ ｔ，Ｊ＝７．０，２Ｈ）、２．１６（ｓ，３Ｈ）、１．３９（ｓ，９Ｈ）。図３を参照。
［実施例３］
化合物（ＩＩ−１）の保護エステル前駆体の合成
化合物（ＩＩ−１）の保護エステル前駆体の合成
エステル前駆体（４５ｇ、０．２３ｍｏｌ）のヘキサン（１．６Ｌ）溶液にエチレングリコール（７０．５ｇ、１．１５ｍｏｌ）及びＰＰＴＳ（２．８５ｇ、０．０１１ｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ装置を用いて９５℃で６日間還流し（注記：２日毎に２８．５ｇ（０．４６ｍｏｌ）のエチレングリコールを反応混合物に添加してその濃度を維持した）、その後室温に冷却した。次に反応混合物を８００μＬのＥｔ3Ｎで中和し、Ｈ2Ｏ（５００ｍＬ）で希釈した。有機層を分離し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して生成物である化合物（ＩＩ−１）の保護エステル前駆体（４４ｇ、０．１８ｍｍｏｌ、８０％収率）を得た。これは精製することなく次の工程で使用することができる。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．７２（ｍ，１Ｈ）、５．０６（ｄｄ，Ｊ＝１，１７Ｈｚ，１Ｈ）、４．９７（ｄ，Ｊ＝１０Ｈｚ，１Ｈ）、３．９４（ｍ，４Ｈ）、２．６０（ｄｄ，Ｊ＝３．６，１１．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．４
３（ｍ，１Ｈ）、２．２９（ｍ，１Ｈ）、１．４２（ｓ，９Ｈ）、１．３８（ｓ，３Ｈ）。図４を参照。
３（ｍ，１Ｈ）、２．２９（ｍ，１Ｈ）、１．４２（ｓ，９Ｈ）、１．３８（ｓ，３Ｈ）。図４を参照。
［実施例４］
化合物（ＩＩ−１）の合成
化合物（ＩＩ−１）の合成
保護基部分を含むエステル前駆体（２８ｇ、０．１１５ｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（２８ｍＬ）溶液（０℃）にトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ ｎｅａｔ、５６ｍＬ、０．７２７ｍｏｌ）を添加し、この溶液を約５分間攪拌した。次にこの反応混合物を室温に温め、１時間攪拌した。反応混合物をＣＨ2Ｃｌ2（４００ｍＬ）で希釈し、氷水（３×３００ｍＬ）で抽出した。有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、高真空下で約１時間乾燥させ（残留ＴＦＡを除去し）、生成物である化合物ＩＩ−１（１５．５ｇ、０．０８３ｍｏｌ、７２％収率）を淡黄色油分として得た。これは精製することなく次の工程で使用することができる。化合物ＩＩ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．７７（ｍ，１Ｈ）、５．１０（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１，１７Ｈｚ，１Ｈ）、５．０２（ｂｒ ｄ，Ｊ＝１０Ｈｚ，１Ｈ）、４．００（ｍ，４Ｈ）、２．７６（ｄｄ，Ｊ＝３．８，１１．０Ｈｚ，１Ｈ）、２．４３（ｍ，２Ｈ）、１．４１（ｓ，３Ｈ）。図５を参照。
［実施例５］
化合物（ＩＩＩ−１）の合成
化合物（ＩＩＩ−１）の合成
化合物ＩＩ−１（４．８ｇ、２５．８１ｍｍｏｌ）の乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（２００ｍＬ）溶液（０℃）に、Ｅｔ3Ｎ（７．８２ｇ、７７．４２ｍｍｏｌ）及びメタンスルホニルクロ
リド（５．８９ｇ、５１．６２ｍｍｏｌ）を添加し、この溶液を約１０分間攪拌した。次に化合物Ｉ−１（５．３１ｇ、２８．４ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を室温に徐々に温め、約１５時間攪拌した。その後反応混合物をＨ2Ｏ（２００ｍＬ）で急冷し、Ｃ
Ｈ2Ｃｌ2（３×１００ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、２つのジアステレオマー（３：２）の混合物を得た。図６ｂを参照。粗生成物を、１９：１（５００ｍＬ）→９：１（５００ｍＬ）→１７：３（５００ｍＬ）→４：１（１．５Ｌ）→３：１（１Ｌ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（３ｃｍＩＤ×３０ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＩＩ−１（６ｇ、１６．９ｍｍｏｌ、６５．５％収率）を得た。化合物ＩＩＩ−１を1
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図６を参照。ＭＳ（Ｅ
ＳＩ） ｍ／ｚ ３５６［Ｍ＋Ｈ］。
リド（５．８９ｇ、５１．６２ｍｍｏｌ）を添加し、この溶液を約１０分間攪拌した。次に化合物Ｉ−１（５．３１ｇ、２８．４ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を室温に徐々に温め、約１５時間攪拌した。その後反応混合物をＨ2Ｏ（２００ｍＬ）で急冷し、Ｃ
Ｈ2Ｃｌ2（３×１００ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、２つのジアステレオマー（３：２）の混合物を得た。図６ｂを参照。粗生成物を、１９：１（５００ｍＬ）→９：１（５００ｍＬ）→１７：３（５００ｍＬ）→４：１（１．５Ｌ）→３：１（１Ｌ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（３ｃｍＩＤ×３０ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＩＩ−１（６ｇ、１６．９ｍｍｏｌ、６５．５％収率）を得た。化合物ＩＩＩ−１を1
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図６を参照。ＭＳ（Ｅ
ＳＩ） ｍ／ｚ ３５６［Ｍ＋Ｈ］。
［実施例６］
化合物（ＩＶ−１）の合成
化合物（ＩＶ−１）の合成
方法Ａ：化合物ＩＩＩ−１（６ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）のＣＨ3ＣＮ（３５０ｍＬ）溶
液に、ヨウ化ナトリウム（３．３ｇ、２１．９７ｍｍｏｌ）及び塩化セリウム（ＩＩＩ）七水和物（９．４５ｇ、２５．３５ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を６０℃〜６５℃で４時間攪拌した（反応の進行はＬＣ−ＭＳによってモニタリングすることができる）。上記反応混合物を次に水で急冷し（２００ｍＬ）、ＥｔＯＡｃ（３×１５０ｍＬ）で抽出した。この合わせた有機層（混濁）を減圧下で濃縮し、ＣＨ3ＣＮ／ＥｔＯＡｃを全て
除去すると、約２０ｍＬのＨ2Ｏ（ＣＨ3ＣＮ可溶分）が後に残り、これをＥｔＯＡｃ（１００ｍＬ）でさらに抽出した。有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、生成物である化合物ＩＶ−１（４．４ｇ、１４．２ｍｍｏｌ、８３．５％収率）を２つのジアステレオマーの混合物（３：２）として得た。図７ｅを参照。所望であれば、生成物は精製することなく次の工程で使用することができる。化合物ＩＶ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3、５００ＭＨｚ）及びＮＯＥＳＹ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図７ａ及び図７ｂを参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］。生成物の一部を、Ｃ−１８カラム（１５０ｍｍ×２１ｍｍ）及びＨ2Ｏ中４０％アセトニトリルの定組
成溶媒系を１４．５ｍＬ／分の流速で用いた逆相ＨＰＬＣによってさらに精製し、個々のジアステレオマーＩＶ−１Ａ及びジアステレオマーＩＶ−１Ｂを純試料として得た。ジアステレオマーＩＶ−１Ａ及びジアステレオマーＩＶ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図７ｃ及び図７ｄを参照。
液に、ヨウ化ナトリウム（３．３ｇ、２１．９７ｍｍｏｌ）及び塩化セリウム（ＩＩＩ）七水和物（９．４５ｇ、２５．３５ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を６０℃〜６５℃で４時間攪拌した（反応の進行はＬＣ−ＭＳによってモニタリングすることができる）。上記反応混合物を次に水で急冷し（２００ｍＬ）、ＥｔＯＡｃ（３×１５０ｍＬ）で抽出した。この合わせた有機層（混濁）を減圧下で濃縮し、ＣＨ3ＣＮ／ＥｔＯＡｃを全て
除去すると、約２０ｍＬのＨ2Ｏ（ＣＨ3ＣＮ可溶分）が後に残り、これをＥｔＯＡｃ（１００ｍＬ）でさらに抽出した。有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、生成物である化合物ＩＶ−１（４．４ｇ、１４．２ｍｍｏｌ、８３．５％収率）を２つのジアステレオマーの混合物（３：２）として得た。図７ｅを参照。所望であれば、生成物は精製することなく次の工程で使用することができる。化合物ＩＶ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3、５００ＭＨｚ）及びＮＯＥＳＹ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図７ａ及び図７ｂを参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］。生成物の一部を、Ｃ−１８カラム（１５０ｍｍ×２１ｍｍ）及びＨ2Ｏ中４０％アセトニトリルの定組
成溶媒系を１４．５ｍＬ／分の流速で用いた逆相ＨＰＬＣによってさらに精製し、個々のジアステレオマーＩＶ−１Ａ及びジアステレオマーＩＶ−１Ｂを純試料として得た。ジアステレオマーＩＶ−１Ａ及びジアステレオマーＩＶ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図７ｃ及び図７ｄを参照。
化合物ＩＶ−１Ａ：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．７３（ｍ，１Ｈ）、５．３４（ｓ，１Ｈ）、５．１２（ｍ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ）、４．６４（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ）、４．５３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．９０（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、３．８０，（ｓ，３Ｈ）、３．６７（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）、２．６０（ｍ，２Ｈ）、２．２７（ｓ，３Ｈ）、０．９１（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+。
化合物ＩＶ−１Ｂ：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．７６（ｍ，１Ｈ）、５．２８（ｓ，１Ｈ）、５．１８（ｂｒ ｄ，Ｊ＝１７．３Ｈｚ，１Ｈ）、５．０８（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ）、４．８８（ｍ，１Ｈ）、４．５２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．８８（ｍ，１Ｈ）、３．８１，（ｍ，１Ｈ）、３．７６（ｓ，３Ｈ）、２．８８（ｍ，１Ｈ）、２．６３（ｍ，１Ｈ）、２．２１（ｓ，３Ｈ）、０．８６（ｓ，９Ｈ）；ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+。
方法Ｂ：アセトン（２０ｍＬ）中の化合物ＩＩＩ−１（１７５ｍｇ、０．４９３ｍｍｏｌ）とヨウ素（１２．５２ｍｇ、０．０４９３ｍｍｏｌ）との混合物を５６℃で１時間還流した。次にこの反応混合物を室温に冷却し、アセトンを減圧下で除去し、粗反応生成物をＣＨ2Ｃｌ2（２０ｍＬ）中に溶解した。ＣＨ2Ｃｌ2溶液を５％水性チオ硫酸ナトリウム（１０ｍＬ）、Ｈ2Ｏ（１０ｍＬ）及びブライン（１０ｍＬ）で連続的に洗浄した。得ら
れた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→４：１（１００ｍＬ）→３：１（１００ｍＬ）→７：３（１００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカゲルプラグカラム（２．５ｃｍＩＤ×６ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＶ−１（９７ｍｇ、０．３１２ｍｍｏｌ、６３．３％収率）を得た。
れた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→４：１（１００ｍＬ）→３：１（１００ｍＬ）→７：３（１００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカゲルプラグカラム（２．５ｃｍＩＤ×６ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＶ−１（９７ｍｇ、０．３１２ｍｍｏｌ、６３．３％収率）を得た。
方法Ｃ：ＣＨ3ＣＮ（６ｍＬ、２％Ｈ2Ｏで湿潤）中の化合物ＩＩＩ−１（５００ｍｇ、１．４０ｍｍｏｌ）とＬｉＢＦ4（２００ｍｇ、２．１ｍｍｏｌ）との混合物を７０℃で
１．５時間〜２時間攪拌した（反応の進行はＬＣ−ＭＳによってモニタリングすることができる）。次に上記反応混合物を０℃に急速に冷却し、シリカショートプラグに通して濾過し、減圧下で濃縮した。この生成物を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→４：１（５０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィ（１．２５ｃｍＩＤ×５ｃｍ）で精製し、精製された生成物である化合物ＩＶ−１（２６０ｍｇ、０．８４ｍｍｏｌ、６０％収率）を得た。
１．５時間〜２時間攪拌した（反応の進行はＬＣ−ＭＳによってモニタリングすることができる）。次に上記反応混合物を０℃に急速に冷却し、シリカショートプラグに通して濾過し、減圧下で濃縮した。この生成物を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→４：１（５０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィ（１．２５ｃｍＩＤ×５ｃｍ）で精製し、精製された生成物である化合物ＩＶ−１（２６０ｍｇ、０．８４ｍｍｏｌ、６０％収率）を得た。
［実施例７］
化合物（Ｖ−１Ａ）の合成
化合物（Ｖ−１Ａ）の合成
化合物ＩＶ−１（２６ｇ、８３．６ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（２．７Ｌ）溶液（室温）にｔ−ＢｕＯＫ（４．６８ｇ、４１．８ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を室温で１５分間Ｎ2雰囲気下で攪拌した後、Ｈ2Ｏ（９００ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×４００ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相を飽和ブライン溶液で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。反応混合物を１：１エーテル：ヘキサン（各７５ｍＬ）中に溶解し、結晶皿に移してここで静置及び結晶化させた。１時間後、結晶（第１の産出物）を
、母液をデカントすることによって分離した。この結晶をエーテル（２×１０ｍＬ）及びヘキサン（２×１０ｍＬ）で洗浄した。母液と洗浄液とを合わせたものを減圧下で濃縮し、１：１エーテル：ヘキサン（各５０ｍＬ）中に再溶解し、結晶化プロセスを上記のように繰り返した。結晶（第２の産出物）を、母液をデカントすることによって分離した。結晶をエーテル（２×１０ｍＬ）及びヘキサン（２×１０ｍＬ）で洗浄した。２つの結晶産出物を併せて、化合物Ｖ−１Ａ（１３．５ｇ、４３．４ｍｍｏｌ、結晶化による５１．９％収率）を得た。この母液を、１９：１（５００ｍＬ）→９：１（１Ｌ）→１７：３（５００ｍＬ）ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの溶媒グラジエントを用いてシリカゲルフラッシュカラム（３０×４ｃｍ）でクロマトグラフィにかけ、化合物ＸＸＩＸ−１（２．４７ｇ）、化合物Ｖ−１Ａ（３．０５ｇ）、化合物Ｖ−１Ｂ（混合物として２５０ｍｇ）及び化合物Ｖ−１Ｃ（１．８１ｇ）を得た。２つの結晶産出物を併せて、総収率６３．６％で化合物Ｖ−１Ａを得た。化合物Ｖ−１Ａを無色結晶質として得た。化合物Ｖ−１Ｂ、化合物Ｖ−１Ｃ及び化合物ＸＸＩＸ−１の構造を以下に示す。
、母液をデカントすることによって分離した。この結晶をエーテル（２×１０ｍＬ）及びヘキサン（２×１０ｍＬ）で洗浄した。母液と洗浄液とを合わせたものを減圧下で濃縮し、１：１エーテル：ヘキサン（各５０ｍＬ）中に再溶解し、結晶化プロセスを上記のように繰り返した。結晶（第２の産出物）を、母液をデカントすることによって分離した。結晶をエーテル（２×１０ｍＬ）及びヘキサン（２×１０ｍＬ）で洗浄した。２つの結晶産出物を併せて、化合物Ｖ−１Ａ（１３．５ｇ、４３．４ｍｍｏｌ、結晶化による５１．９％収率）を得た。この母液を、１９：１（５００ｍＬ）→９：１（１Ｌ）→１７：３（５００ｍＬ）ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの溶媒グラジエントを用いてシリカゲルフラッシュカラム（３０×４ｃｍ）でクロマトグラフィにかけ、化合物ＸＸＩＸ−１（２．４７ｇ）、化合物Ｖ−１Ａ（３．０５ｇ）、化合物Ｖ−１Ｂ（混合物として２５０ｍｇ）及び化合物Ｖ−１Ｃ（１．８１ｇ）を得た。２つの結晶産出物を併せて、総収率６３．６％で化合物Ｖ−１Ａを得た。化合物Ｖ−１Ａを無色結晶質として得た。化合物Ｖ−１Ｂ、化合物Ｖ−１Ｃ及び化合物ＸＸＩＸ−１の構造を以下に示す。
化合物Ｖ−１Ａ：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．９６（ｍ，１Ｈ）、５．１５（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１．５，１７．２Ｈｚ，１Ｈ）、５．０５（ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，１Ｈ）、４．９３（ｓ，１Ｈ）、４．５０（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，１Ｈ）、４．２６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，１Ｈ）、３．７７（ｓ，３Ｈ）、３．１０（ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，１Ｈ）、２．５６（ｍ，１Ｈ）、２．３１（ｍ，１Ｈ）、１．９６（ｓ，１Ｈ）、１．３０（ｓ，３Ｈ）、０．８７（ｓ，９Ｈ）。13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２
５ＭＨｚ）（δ）：１７７．９、１７１．８、１３６．７、１１６．６、９６．７、８０．４、７９．２、６８．０、５３．３、５２．６、３６．５、２７．９、２５．０（３×ＣＨ3）、２３．０。Ｍ．Ｐ．１１３℃〜１１４℃（１：１；ジエチルエーテル：ヘキサ
ンから得られる結晶）。［α］22 D ８．４（ｃ ０．９６、ＣＨ3ＣＮ）。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２（Ｍ＋Ｈ）。図８を参照。
５ＭＨｚ）（δ）：１７７．９、１７１．８、１３６．７、１１６．６、９６．７、８０．４、７９．２、６８．０、５３．３、５２．６、３６．５、２７．９、２５．０（３×ＣＨ3）、２３．０。Ｍ．Ｐ．１１３℃〜１１４℃（１：１；ジエチルエーテル：ヘキサ
ンから得られる結晶）。［α］22 D ８．４（ｃ ０．９６、ＣＨ3ＣＮ）。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２（Ｍ＋Ｈ）。図８を参照。
また化合物Ｖ−１Ａを13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）及び1Ｈ−1Ｈ ＣＯ
ＳＹ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図９及び図１０を参
照。化合物Ｖ−１Ａの構造を、図１１に示されるようにｘ線結晶構造解析によって確認した。
ＳＹ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図９及び図１０を参
照。化合物Ｖ−１Ａの構造を、図１１に示されるようにｘ線結晶構造解析によって確認した。
化合物Ｖ−１Ｂ：化合物Ｖ−１Ｂを、３０％→７０％ＣＨ3ＣＮ／Ｈ2Ｏの溶媒グラジエントを用いて３０分かけて１４．５ｍＬ／分の流速で逆相ＨＰＬＣによって精製し、純化合物を得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．８８（ｍ，１Ｈ）、５．０９（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１．５，１７Ｈｚ，２Ｈ）、４．９（ｓ，１Ｈ）、４．５２（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，１Ｈ）、４．２（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，１Ｈ）、３．７７（ｓ，３Ｈ）、
２．６８（ｍ，１Ｈ）、２．５１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ）、２．４５（ｍ，１Ｈ）、１．２９（ｓ，３Ｈ）、０．８９（ｓ，９Ｈ）。図２５を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+。構造をｘ線結晶構造解析によって確認した（図２６）。
２．６８（ｍ，１Ｈ）、２．５１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ）、２．４５（ｍ，１Ｈ）、１．２９（ｓ，３Ｈ）、０．８９（ｓ，９Ｈ）。図２５を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+。構造をｘ線結晶構造解析によって確認した（図２６）。
化合物Ｖ−１Ｃ：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．９３（ｍ，１Ｈ）、５．１６（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１，１７Ｈｚ，１Ｈ）、５．０６（ｂｒ ｄ，Ｊ＝１０Ｈｚ，１Ｈ）、４．８８（ｓ，１Ｈ）、４．５８（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，１Ｈ）、３．９６（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，１Ｈ）、３．７９（ｓ，３Ｈ）、３．４３（ｄｄ，Ｊ＝６．３，８．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．５３（ｍ，１Ｈ）、２．１７（ｍ，１Ｈ）、１．２７（ｓ，３Ｈ）、０．８６（ｓ，９Ｈ）。図２７を参照。13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５Ｍ
Ｈｚ）（δ）：１７５．８、１７１．５、１３５．８、１１６．９、９６．２、８０．９、７８．３、６８．８、５３．３、５２．６、３６．５、２８．８、２５．０、２０．２。図２８を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+。相対立体化学をＮＯＥ
ＳＹによって求めた（図２９）。
Ｈｚ）（δ）：１７５．８、１７１．５、１３５．８、１１６．９、９６．２、８０．９、７８．３、６８．８、５３．３、５２．６、３６．５、２８．８、２５．０、２０．２。図２８を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+。相対立体化学をＮＯＥ
ＳＹによって求めた（図２９）。
化合物ＸＸＩＸ−１：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：５．８１（ｍ，１Ｈ）、５．０４（ｂｒ ｄｄ，Ｊ＝１．５，７．５Ｈｚ，１Ｈ）、５．０２（ｓ，１Ｈ）、４．７８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、４．６６（ｓ，１Ｈ）、３．７４（ｓ，３Ｈ）、３．１８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．９７（ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，１Ｈ）、１．８３（ｓ，３Ｈ）、０．９１（ｓ，９Ｈ）。図３０を参照。13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）（δ）：１７８．４、１７０．０、１５１．９、１３３．４、１
３２．８、１１６．１、９６．９、７８．０、７０．５、５２．９、３５．２、２７．６、２４．７、１２．１。図３１を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ２９４［Ｍ＋Ｈ］+。
３２．８、１１６．１、９６．９、７８．０、７０．５、５２．９、３５．２、２７．６、２４．７、１２．１。図３１を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ２９４［Ｍ＋Ｈ］+。
［実施例８］
化合物（ＶＩ−１）の合成
化合物（ＶＩ−１）の合成
化合物Ｖ−１Ａ（５３０ｍｇ、１．７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ／Ｈ2Ｏ（１：１、１２ｍＬ
）溶液に、ＮＭＯ（５０％ｗ／ｗ水溶液、７５０μＬ、３．４ｍｍｏｌ）及びＯｓＯ4（
２−メチル−２−プロパノール中２．５％重量％、１．１ｍＬ、０．０８５ｍｍｏｌ）を添加した。得られた混合物を室温で１７時間攪拌した。次にＮａＩＯ4（２５０ｍｇ、１
．１６ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、さらに３時間２５℃で攪拌した。反応混合物を飽和Ｎａ2Ｓ2Ｏ3（１０ｍＬ）及び飽和ＮａＨＣＯ3（１０ｍＬ）で急冷し、ＣＨ2Ｃ
ｌ2（３×２０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃
縮した。粗生成物を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→４：１（５０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（
１．２５ｃｍＩＤ×５ｃｍ）で精製し、化合物ＶＩ−１（１７０ｍｇ、０．５４ｍｍｏｌ、９４％）をジアステレオマーの混合物として得た。化合物ＶＩ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１２を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／
ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］。
）溶液に、ＮＭＯ（５０％ｗ／ｗ水溶液、７５０μＬ、３．４ｍｍｏｌ）及びＯｓＯ4（
２−メチル−２−プロパノール中２．５％重量％、１．１ｍＬ、０．０８５ｍｍｏｌ）を添加した。得られた混合物を室温で１７時間攪拌した。次にＮａＩＯ4（２５０ｍｇ、１
．１６ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、さらに３時間２５℃で攪拌した。反応混合物を飽和Ｎａ2Ｓ2Ｏ3（１０ｍＬ）及び飽和ＮａＨＣＯ3（１０ｍＬ）で急冷し、ＣＨ2Ｃ
ｌ2（３×２０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃
縮した。粗生成物を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→４：１（５０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（
１．２５ｃｍＩＤ×５ｃｍ）で精製し、化合物ＶＩ−１（１７０ｍｇ、０．５４ｍｍｏｌ、９４％）をジアステレオマーの混合物として得た。化合物ＶＩ−１を1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１２を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／
ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］。
［実施例９］
化合物（ＶＩＩ−１）の合成
化合物（ＶＩＩ−１）の合成
化合物ＶＩ−１（１７０ｍｇ、０．５４ｍｍｏｌ）の乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（３ｍＬ）溶液に、ＢｎＯＨ（１７０μｌ、１．６４ｍｍｏｌ）、その後ＢＦ3・Ｅｔ2Ｏ（２０μｌ、０．１６ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を２５℃で１５時間攪拌した。次にＥｔ3Ｎ
（１００μｌ、０．７ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、直ちに濃縮した後、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→４：１（５０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いたシリカフラッシュカラム（１．２５ｃｍＩＤ×５ｃｍ）クロマトグラフィにかけ、化合物ＶＩＩ−１a（８３ｍｇ、０．２１ｍｍｏｌ）及び化合物ＶＩＩ−
１b（１０４ｍｇ、０．２６ｍｍｏｌ）を得た。化合物ＶＩＩ−１a及び化合物ＶＩＩ−１bの総収率は８６％であった。
（１００μｌ、０．７ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、直ちに濃縮した後、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→４：１（５０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いたシリカフラッシュカラム（１．２５ｃｍＩＤ×５ｃｍ）クロマトグラフィにかけ、化合物ＶＩＩ−１a（８３ｍｇ、０．２１ｍｍｏｌ）及び化合物ＶＩＩ−
１b（１０４ｍｇ、０．２６ｍｍｏｌ）を得た。化合物ＶＩＩ−１a及び化合物ＶＩＩ−１bの総収率は８６％であった。
化合物ＶＩＩ−１a：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：７．３０（ｍ
，５Ｈ）、５．２４（ｄｄ，Ｊ＝４．４，６．３Ｈｚ，１Ｈ）、４．７７（ｓ，１Ｈ）、４．７２（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．６４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、４．４５（ｄ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ，１Ｈ）、４．１７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、３．７８（ｓ，３Ｈ）、３．３６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．８１（ｄｄｄ，Ｊ＝１．０，６．３，１４．２Ｈｚ，１Ｈ）、２．１３（ｍ，１Ｈ）、１．３７（ｓ，３Ｈ）、０．８６（ｓ，９Ｈ）、図１３を参照。
，５Ｈ）、５．２４（ｄｄ，Ｊ＝４．４，６．３Ｈｚ，１Ｈ）、４．７７（ｓ，１Ｈ）、４．７２（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．６４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、４．４５（ｄ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ，１Ｈ）、４．１７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、３．７８（ｓ，３Ｈ）、３．３６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．８１（ｄｄｄ，Ｊ＝１．０，６．３，１４．２Ｈｚ，１Ｈ）、２．１３（ｍ，１Ｈ）、１．３７（ｓ，３Ｈ）、０．８６（ｓ，９Ｈ）、図１３を参照。
化合物ＶＩＩ−１b：1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）（δ）：７．２７（ｍ
，５Ｈ）、５．１９（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．６５（ｄ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，１Ｈ）、４．６５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、４．６０（ｓ，１Ｈ），４．４５（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．２１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、３．７６（ｓ，３Ｈ）、３．１７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．６０（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ，１Ｈ）、２．１３（ｍ，１Ｈ）、１．２３（ｓ，３Ｈ）、０．８２（ｓ，９Ｈ）。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４０４［Ｍ＋Ｈ］。図１４を参照。
，５Ｈ）、５．１９（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．６５（ｄ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，１Ｈ）、４．６５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、４．６０（ｓ，１Ｈ），４．４５（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．２１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、３．７６（ｓ，３Ｈ）、３．１７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、２．６０（ｄ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ，１Ｈ）、２．１３（ｍ，１Ｈ）、１．２３（ｓ，３Ｈ）、０．８２（ｓ，９Ｈ）。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４０４［Ｍ＋Ｈ］。図１４を参照。
化合物ＶＩＩ−１bの構造を、図１５に示されるように結晶構造によって確認した。
［実施例１０］
化合物（ＶＩＩＩ−１b）の合成
化合物（ＶＩＩＩ−１b）の合成
化合物ＶＩＩ−１b（４０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液（−２
０℃）にＬｉＡｌＨ4（２．０Ｍ、７５μｌ、０．１５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応
混合物を１０分間のうちに−５℃に温め、さらに２０分間攪拌した。次に反応混合物を飽和水性酒石酸カリウムナトリウム（５ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×５ｍｌ）で抽出した。合わせた有機層をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し粗生成物を得て、これを
、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→４：１（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）によって精製し、生成物である化合物ＶＩＩＩ−１b（１９ｍｇ、
０．０５１ｍｍｏｌ、５０％収率）を得た。化合物ＶＩＩＩ−１bを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１６を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ
３７６［Ｍ＋Ｈ］。
０℃）にＬｉＡｌＨ4（２．０Ｍ、７５μｌ、０．１５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応
混合物を１０分間のうちに−５℃に温め、さらに２０分間攪拌した。次に反応混合物を飽和水性酒石酸カリウムナトリウム（５ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（３×５ｍｌ）で抽出した。合わせた有機層をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し粗生成物を得て、これを
、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→４：１（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）によって精製し、生成物である化合物ＶＩＩＩ−１b（１９ｍｇ、
０．０５１ｍｍｏｌ、５０％収率）を得た。化合物ＶＩＩＩ−１bを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１６を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ
３７６［Ｍ＋Ｈ］。
［実施例１１］
化合物（ＶＩＩＩ−１a）の合成
化合物（ＶＩＩＩ−１a）の合成
化合物ＶＩＩ−１a（９０ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に水
素化ホウ素リチウム（ＴＨＦ溶液（２Ｍ）、５５８ｕＬ、１．１ｍｍｏｌ）を添加し、室温で攪拌した。１５分の攪拌後、メタノール（１００ｕＬ）を反応混合物に室温で添加した（室温は反応混合物を水浴で冷却することによって維持した）。さらに３時間の攪拌後
、反応混合物をＨ2Ｏ（２０ｍＬ）で急冷し、酢酸エチル（２×２０ｍＬ）で抽出した。
合わせた有機層をブライン（２０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して生成物である化合物ＶＩＩＩ−１aを透明な油分（７５ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ、９０
．９％収率）として得た。これは如何なるカラムクロマトグラフィも用いることなく次の工程で使用することができる。化合物ＶＩＩＩ−１aを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００
ＭＨｚ）によって特性決定した。図１７を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３７６［Ｍ＋Ｈ］及び３９８［Ｍ＋Ｎａ］。
素化ホウ素リチウム（ＴＨＦ溶液（２Ｍ）、５５８ｕＬ、１．１ｍｍｏｌ）を添加し、室温で攪拌した。１５分の攪拌後、メタノール（１００ｕＬ）を反応混合物に室温で添加した（室温は反応混合物を水浴で冷却することによって維持した）。さらに３時間の攪拌後
、反応混合物をＨ2Ｏ（２０ｍＬ）で急冷し、酢酸エチル（２×２０ｍＬ）で抽出した。
合わせた有機層をブライン（２０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して生成物である化合物ＶＩＩＩ−１aを透明な油分（７５ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ、９０
．９％収率）として得た。これは如何なるカラムクロマトグラフィも用いることなく次の工程で使用することができる。化合物ＶＩＩＩ−１aを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００
ＭＨｚ）によって特性決定した。図１７を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３７６［Ｍ＋Ｈ］及び３９８［Ｍ＋Ｎａ］。
［実施例１２］
化合物（ＩＸ−１b）の合成
化合物（ＩＸ−１b）の合成
化合物ＶＩＩＩ−１b（３０ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）の乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（１ｍｌ）溶
液に、ＮＭＯ（２８ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）及びＴＰＡＰ（３．０ｍｇ、０．００８ｍｍｏｌ）を添加した。得られた混合物を室温で１８時間攪拌した。次にこの反応混合物を濃縮し、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→１７：３（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＸ−１bを透明な油分（
２７ｍｇ、０．０７２ｍｍｏｌ、９０％収率）として得た。化合物ＩＸ−１bを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１８を参照。ＭＳ（ＥＳＩ）
ｍ／ｚ ３７４［Ｍ＋Ｈ］。
液に、ＮＭＯ（２８ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）及びＴＰＡＰ（３．０ｍｇ、０．００８ｍｍｏｌ）を添加した。得られた混合物を室温で１８時間攪拌した。次にこの反応混合物を濃縮し、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→１７：３（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＸ−１bを透明な油分（
２７ｍｇ、０．０７２ｍｍｏｌ、９０％収率）として得た。化合物ＩＸ−１bを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１８を参照。ＭＳ（ＥＳＩ）
ｍ／ｚ ３７４［Ｍ＋Ｈ］。
［実施例１３］
化合物（ＩＸ−１a）の合成
化合物（ＩＸ−１a）の合成
アルコールである化合物ＶＩＩＩ−１a（４０ｍｇ、０．１０７ｍｍｏｌ）の乾燥ＣＨ2Ｃｌ2（３ｍｌ）溶液に、ＮＭＯ（３７．５ｍｇ、０．３２ｍｍｏｌ）及びＴＰＡＰ（３
．７８ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を室温で１８時間攪拌した。次に上記反応混合物を濃縮し、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→１７：３（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム２．５ｃｍＩＤ×６ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＸ−１aを白色固体（３４ｍｇ、０．０９１ｍｍｏｌ、８５．５％収率）として得た。化合物
ＩＸ−１aを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１９を
参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３７４［Ｍ＋Ｈ］及び３９６［Ｍ＋Ｎａ］。
．７８ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を室温で１８時間攪拌した。次に上記反応混合物を濃縮し、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→１７：３（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム２．５ｃｍＩＤ×６ｃｍ）で精製し、生成物である化合物ＩＸ−１aを白色固体（３４ｍｇ、０．０９１ｍｍｏｌ、８５．５％収率）として得た。化合物
ＩＸ−１aを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図１９を
参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３７４［Ｍ＋Ｈ］及び３９６［Ｍ＋Ｎａ］。
［実施例１４］
９−シクロヘキス−２−エニル−９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナンの合成
９−シクロヘキス−２−エニル−９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナンの合成
９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナン（９−ＢＢＮ）のＴＨＦ（０．５Ｍ、１０．０ｍｌ、５．０ｍｍｏｌ）溶液に１，３−シクロヘキサジエン（９７％）（４９０μｌ、５．０ｍｍｏｌ）を添加し、２４時間室温で攪拌し、９−シクロヘキス−２−エニル−９−ＢＢＮのＴＨＦ（０．５Ｍ）溶液を得た。これは式ＩＸ−１の化合物と結合させるのにそのまま使用することができる。
［実施例１５］
化合物（Ｘ−１bＢ）の合成
化合物（Ｘ−１bＢ）の合成
化合物ＩＸ−１b（２０ｍｇ、０．０５３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（０．５ｍｌ）溶液（−
７８℃）に９−シクロヘキス−２−エニル−９−ＢＢＮ（実施例１２を参照）のＴＨＦ（０．５Ｍ、３２０μｌ、０．１６ｍｍｏｌ）溶液を添加した。この反応混合物を１．５時間かけて室温に温め、さらに１０時間室温で攪拌した。次にエチルアミン（１６μｌ、０
．２６５ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、攪拌をさらに１６時間室温で続けた。その後、反応混合物を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→１７：３（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）で精製し、生成物である化合物Ｘ−１bＢを、ヘキサン／エチルエーテル（１：１）から結晶化され
た白色固体（１７．０ｍｇ、０．０３７ｍｍｏｌ、７０．４％）として得た。化合物Ｘ−１bＢを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図２０及び図２１を参照。化合物Ｘ−１bＢの構造をＸ
線結晶構造によって確認した。図２２を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６［Ｍ＋Ｈ］及び４７８［Ｍ＋Ｎａ］。
７８℃）に９−シクロヘキス−２−エニル−９−ＢＢＮ（実施例１２を参照）のＴＨＦ（０．５Ｍ、３２０μｌ、０．１６ｍｍｏｌ）溶液を添加した。この反応混合物を１．５時間かけて室温に温め、さらに１０時間室温で攪拌した。次にエチルアミン（１６μｌ、０
．２６５ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、攪拌をさらに１６時間室温で続けた。その後、反応混合物を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）→１７：３（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）で精製し、生成物である化合物Ｘ−１bＢを、ヘキサン／エチルエーテル（１：１）から結晶化され
た白色固体（１７．０ｍｇ、０．０３７ｍｍｏｌ、７０．４％）として得た。化合物Ｘ−１bＢを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図２０及び図２１を参照。化合物Ｘ−１bＢの構造をＸ
線結晶構造によって確認した。図２２を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６［Ｍ＋Ｈ］及び４７８［Ｍ＋Ｎａ］。
［実施例１６］
化合物（Ｘ−１aＢ）の合成
化合物（Ｘ−１aＢ）の合成
アルデヒドである化合物ＩＸ−１a（６０ｍｇ、０．１６１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２．
０ｍＬ）溶液（−７８℃）に９−シクロヘキス−２−エニル−９−ＢＢＮのＴＨＦ（０．５Ｍ、０．９６ｍＬ、０．４８ｍｍｏｌ）溶液を添加し、この反応混合物を１．５時間かけて室温に温め、さらに１０時間室温で攪拌した。次にエチルアミン（５０μｌ、０．８１ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、攪拌をさらに１６時間室温で続けた。その後、反応混合物を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）で精製し、純生成物である化合物Ｘ−１aＢ
（５２．０ｍｇ、０．１１４ｍｍｏｌ、７０．９％）を得た。化合物Ｘ−１aＢを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図２３及び図２４を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６［Ｍ＋Ｈ］及び４７８［Ｍ＋Ｎａ］。
０ｍＬ）溶液（−７８℃）に９−シクロヘキス−２−エニル−９−ＢＢＮのＴＨＦ（０．５Ｍ、０．９６ｍＬ、０．４８ｍｍｏｌ）溶液を添加し、この反応混合物を１．５時間かけて室温に温め、さらに１０時間室温で攪拌した。次にエチルアミン（５０μｌ、０．８１ｍｍｏｌ）を上記反応混合物に添加し、攪拌をさらに１６時間室温で続けた。その後、反応混合物を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（２００ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．２５ｃｍＩＤ×１０ｃｍ）で精製し、純生成物である化合物Ｘ−１aＢ
（５２．０ｍｇ、０．１１４ｍｍｏｌ、７０．９％）を得た。化合物Ｘ−１aＢを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図２３及び図２４を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６［Ｍ＋Ｈ］及び４７８［Ｍ＋Ｎａ］。
［実施例１７］
化合物（ＸＸＩＩ−１）の合成
化合物（ＸＸＩＩ−１）の合成
シンチレーションバイアル（２０ｍｌ）内の化合物ＸＶＩ−１Ｂ（３．５ｍｇ、１１．２μｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（１ｍｌ）溶液に、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン（２３．７ｍｇ；５６μｍｏｌ）及び磁気攪拌棒を添加した。この反応混合物を室温で約１６時間攪拌した。反応の進行をＨＰＬＣ分析によってモニタリングした。次に反応混合物を濾過膜（０．２μｍ）に通して濾過し、Ｐｈｅｎｏｍｅｎｅｘ Ｌｕｎａ １０ｕシリカカラム（２５ｃｍ×２１．２ｍｍＩＤ）、ＥＬＳＤ検出器、１９分間にわたる２５％→８０％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン、１分間にわたる８０％→１００％ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの溶媒グラジエントを用い、１００％ＥｔＯＡｃを５分間維持して、１４．５ｍｌ／分の流速で順相ＨＰＬＣによって精製し、式ＸＸＩＩ−１の純化合物を得た。1Ｈ ＮＭＲ（Ｄ
ＭＳＯ−ｄ6、５００ＭＨｚ）δ１．５４（ｓ，３Ｈ）、１．５９（ｍ，２Ｈ）、１．６
６〜１．７０（ｍ，１Ｈ）、１．７３〜１．８０（ｍ，１Ｈ）、１．９６（ｍ，２Ｈ）、２．０〜２．１１（ｍ，２Ｈ）、３．０９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、３．６３（ｂｒｓ，１Ｈ）、３．８３〜３．８８（ｍ，１Ｈ）、３．８９〜３．９３（ｍ，１Ｈ）、５．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２，１０Ｈｚ）、５．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．５，１０Ｈｚ）、９．７０（ｓ，１Ｈ、ＮＨ）；ＭＳ（ＥＳＩ）、ｍ／ｚ ３１２（Ｍ＋Ｈ）+及び
３３４（Ｍ＋Ｎａ）+。
ＭＳＯ−ｄ6、５００ＭＨｚ）δ１．５４（ｓ，３Ｈ）、１．５９（ｍ，２Ｈ）、１．６
６〜１．７０（ｍ，１Ｈ）、１．７３〜１．８０（ｍ，１Ｈ）、１．９６（ｍ，２Ｈ）、２．０〜２．１１（ｍ，２Ｈ）、３．０９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、３．６３（ｂｒｓ，１Ｈ）、３．８３〜３．８８（ｍ，１Ｈ）、３．８９〜３．９３（ｍ，１Ｈ）、５．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２，１０Ｈｚ）、５．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．５，１０Ｈｚ）、９．７０（ｓ，１Ｈ、ＮＨ）；ＭＳ（ＥＳＩ）、ｍ／ｚ ３１２（Ｍ＋Ｈ）+及び
３３４（Ｍ＋Ｎａ）+。
［実施例１８］
化学還元を介した化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
化学還元を介した化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
式ＸＶＩ−１Ａの化合物を、表１に示すような種々の反応条件下で式ＸＸＩＩ−１の化合物のケト基を一般的な還元剤（或いは複数の還元剤）で還元することによって合成した。
［実施例１９］
酵素による還元を介した化合物（ＸＸＩＩ−１）からの化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
酵素による還元を介した化合物（ＸＸＩＩ−１）からの化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
方法Ａ：化合物ＸＸＩＩ−１を、ケト還元酵素ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及びＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ（BioCatalytics, Pasadena CA）を用いて酵素による還元にかけた。２０ｍＭの化合物ＸＸＩＩ−１（６２ｍｇ、ＤＭＳＯ溶液として添加、０．４ｍＬ）、６０ｍｇのＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ又はＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ、５０ｍＭギ酸ナトリウム、１ｍＭ ＮＡＤ＋及び３０ｍｇのＦＤＨ−１０１を１０ｍＬのリン酸バッファ（１５０ｍＭ、ｐＨ６．９）に溶解した。反応物をＥｔＯＡｃで抽出する前に３０℃で１時間攪拌した。合わせた有機層を、高速真空装置を用いて乾燥体となるまで蒸発させ、生成物である化合物ＸＶＩ−１Ａを固体白色粉末として得た。ＨＰＬＣ分析（Ｃ１８逆相カラム（ＡＣＥ Ｃ１８、５ｍ １５０×４／６ｎｍ））及びＮＭＲは、表２に示されるように化合物ＸＶＩ−１Ａの形成しか示さなかった。ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及びＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙは両方とも生成物の形成を示した。他のジアステレオマーアルコールである式ＸＶＩ−１Ｂの化合物の検出可能な形成は観測されなかった。
反応（１０ｍｇ〜１００ｍｇスケール）を、グルコース及びグルコース脱水素酵素（ＧＤＨ）を補因子循環剤として用いてｐＨ６．９でＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａ及びＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙによって実施した（方法Ｂは最適化手法である）。この生成物をＥｔＯＡｃで抽出し、ＨＰＬＣによって分析した。結果を表３に示す。
表３に示されるように、ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａケト還元酵素を用いた場合、化合物ＸＸＩＩ−１から化合物ＸＶＩ−１Ａへの変換率は、１０ｍｇスケールで１時間後に完全に７０％であった。有機抽出物のＨＰＬＣ分析によると、反応時間を３時間に延ばした場合に変換率は完全に９０％となったが、水性抽出物のその後の蒸発によって、生成物の一部が分解されることが明らとなった。分解される生成物とは、水溶液中に生じる所与の加水分解生成物である。分解生成物は以下に示される構造を有する。分解は、二相性溶液（５０％水性ｔ−ＢｕＯＡｃ、ｎ−ＢｕＯＡｃ、ＴＢＭＥ）を用いた場合に最小限に抑えられたが、％変換率は、５０％水性ＴＢＭＥを除けば長い反応時間（２０時間〜２４時間）を用いても包括的に極めて低かった。２つのケト還元酵素のうち、ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙケト還元酵素は、化合物ＸＸＩＩ−１から化合物ＸＶＩ−１Ａへの変換率の点でＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａよりも優れていた。ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ及びＧＤＨの濃度を二倍にし、且つ反応時間を短縮すると、生成物のより良好な収率及び最小限の分解（２％〜５％）が得られた。
方法Ｂ：実施例３１を参照。
［実施例２０］
化合物（Ｘ−１bＢ）を介した化合物（ＸＸＩＩＩ−１Ｂ）の合成
化合物（Ｘ−１bＢ）を介した化合物（ＸＸＩＩＩ−１Ｂ）の合成
方法Ａ：化合物Ｘ−１bＢ（４００ｍｇ、０．８８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２０ｍＬ）溶
液に水性ＨＣｌ（０．５Ｍ、２ｍＬ）を添加した。この反応混合物を６０℃に温め、１０時間この温度で攪拌した。上記反応混合物をＨ2Ｏ（２０ｍＬ）で希釈した後、ＥｔＯＡ
ｃ（２×２０ｍＬ）及びＣＨ2Ｃｌ2（３×２０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。粗残渣をＴＨＦ／Ｈ2Ｏ（（２：１；２２．５ｍＬ）中に再溶解した後、ＮａＢＨ4（１００ｍｇ、２．６３ｍｍｏｌ）を添加し、２５℃で
３０分間攪拌した。この反応混合物をＨ2Ｏ（２０ｍＬ）で希釈し、ＥｔＯＡｃ（２×２
０ｍＬ）及びＣＨ2Ｃｌ2（３×２０ｍＬ）で抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減
圧下で濃縮して化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂを粗白色固体（２６０ｍｇ、８１％）として得た。これは精製することなく次の工程で使用することができる。化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ
）によって特性決定した。図３２及び図３３を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３６８．３［Ｍ＋Ｈ］+。
液に水性ＨＣｌ（０．５Ｍ、２ｍＬ）を添加した。この反応混合物を６０℃に温め、１０時間この温度で攪拌した。上記反応混合物をＨ2Ｏ（２０ｍＬ）で希釈した後、ＥｔＯＡ
ｃ（２×２０ｍＬ）及びＣＨ2Ｃｌ2（３×２０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。粗残渣をＴＨＦ／Ｈ2Ｏ（（２：１；２２．５ｍＬ）中に再溶解した後、ＮａＢＨ4（１００ｍｇ、２．６３ｍｍｏｌ）を添加し、２５℃で
３０分間攪拌した。この反応混合物をＨ2Ｏ（２０ｍＬ）で希釈し、ＥｔＯＡｃ（２×２
０ｍＬ）及びＣＨ2Ｃｌ2（３×２０ｍＬ）で抽出し、有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減
圧下で濃縮して化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂを粗白色固体（２６０ｍｇ、８１％）として得た。これは精製することなく次の工程で使用することができる。化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ
）によって特性決定した。図３２及び図３３を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３６８．３［Ｍ＋Ｈ］+。
方法Ｂ：ナトリウム金属（Ｎａ、３０ｍｇ、１．３０ｍｍｏｌ）をアンモニア液（３ｍ
Ｌ）（−７８℃）中に溶解し、得られた暗青色混合物を５分間攪拌した。化合物Ｘ−１b
Ｂ（３０ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（０．５ｍｌ）溶液を上記反応混合物に徐々に添加し、−７８℃でさらに２時間攪拌した。固体塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ
、４０ｍｇ）を反応混合物に徐々に添加した後、（ドライアイス−アセトン冷浴を取り除くことによって）これを室温に温めた。アンモニアは温めている間に蒸発した。白色残渣をブラインで洗浄し、ＥｔＯＡｃで抽出した。この有機相を濃縮して粗ヘミアセタールを得た。これは精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
Ｌ）（−７８℃）中に溶解し、得られた暗青色混合物を５分間攪拌した。化合物Ｘ−１b
Ｂ（３０ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（０．５ｍｌ）溶液を上記反応混合物に徐々に添加し、−７８℃でさらに２時間攪拌した。固体塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ
、４０ｍｇ）を反応混合物に徐々に添加した後、（ドライアイス−アセトン冷浴を取り除くことによって）これを室温に温めた。アンモニアは温めている間に蒸発した。白色残渣をブラインで洗浄し、ＥｔＯＡｃで抽出した。この有機相を濃縮して粗ヘミアセタールを得た。これは精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
上記ヘミアセタールのＴＨＦ：Ｈ2Ｏ（２：１；１．５ｍＬ）溶液にＮａＢＨ4（８ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を１時間室温で攪拌した後、ブラインで希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、シ
リカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％〜３０％）で精製してトリオールＸＸＩＩＩ−１Ｂを透明な油分（１８ｍｇ、０．０４９ｍｍｏｌ、二段階を通じて７４．２％収率）として得た。化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。
図３２及び図３３を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３６８．３［Ｍ＋Ｈ］+。
リカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％〜３０％）で精製してトリオールＸＸＩＩＩ−１Ｂを透明な油分（１８ｍｇ、０．０４９ｍｍｏｌ、二段階を通じて７４．２％収率）として得た。化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。
図３２及び図３３を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３６８．３［Ｍ＋Ｈ］+。
［実施例２１］
化合物（Ｘ−１aＢ）を介した化合物（ＸＸＩＩＩ−１Ｂ）の合成
化合物（Ｘ−１aＢ）を介した化合物（ＸＸＩＩＩ−１Ｂ）の合成
ナトリウム金属（Ｎａ、２０ｍｇ、０．８８ｍｍｏｌ）をアンモニア液（３ｍＬ）（−７８℃）中に溶解し、得られた暗青色混合物を５分間攪拌した。化合物Ｘ−１aＢ（２０
ｍｇ、０．０４４ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（０．５ｍｌ）溶液を上記反応混合物に徐々に添加し、−７８℃でさらに２時間攪拌した。固体塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ、３０ｍ
ｇ）を反応混合物に徐々に添加した後、（ドライアイス−アセトン冷浴を取り除くことによって）これを室温に温めた。アンモニアは温めている間に蒸発した。白色残渣をブラインで洗浄し、ＥｔＯＡｃで抽出した。この有機相を減圧下で濃縮して粗ヘミアセタールを得た。これは精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
ｍｇ、０．０４４ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（０．５ｍｌ）溶液を上記反応混合物に徐々に添加し、−７８℃でさらに２時間攪拌した。固体塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ、３０ｍ
ｇ）を反応混合物に徐々に添加した後、（ドライアイス−アセトン冷浴を取り除くことによって）これを室温に温めた。アンモニアは温めている間に蒸発した。白色残渣をブラインで洗浄し、ＥｔＯＡｃで抽出した。この有機相を減圧下で濃縮して粗ヘミアセタールを得た。これは精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
上記ヘミアセタールのＴＨＦ：Ｈ2Ｏ（２：１；１．５ｍｌ）溶液にＮａＢＨ4（５ｍｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を１時間室温で攪拌した後、ブラインで希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、シ
リカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％〜３０％）で精製してトリオールＸＸＩＩＩ−１Ｂを透明な油分（１１．３ｍｇ、０．０３１ｍｍｏｌ、二段階
を通じて７０％収率）として得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）スペクトルはそれぞれ、図３２及び図３３に示され
るものと同様であった。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３６８．３［Ｍ＋Ｈ］。
リカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％〜３０％）で精製してトリオールＸＸＩＩＩ−１Ｂを透明な油分（１１．３ｍｇ、０．０３１ｍｍｏｌ、二段階
を通じて７０％収率）として得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）スペクトルはそれぞれ、図３２及び図３３に示され
るものと同様であった。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３６８．３［Ｍ＋Ｈ］。
［実施例２２］
化合物（ＸＸＩＩＩ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＸＩＶ−１Ｂ）の合成
化合物（ＸＸＩＩＩ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＸＩＶ−１Ｂ）の合成
化合物ＸＸＩＩＩ−１Ｂ（１２０ｍｇ、０．３３ｍｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（５ｍＬ）溶液に、Ｅｔ3Ｎ（１２０μｌ、０．８６ｍｍｏｌ）及び塩化ベンゾイル（ＢｚＣｌ、６０
μｌ、０．５２ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を２５℃で１０時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で直ちに濃縮し、得られた生成物をシリカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％〜３０％）で精製して化合物ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚ（１３６ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ、８７％）を得た。化合物ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚを1Ｈ
−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図３４を参照。ＭＳ（Ｅ
ＳＩ） ｍ／ｚ ４７２．３［Ｍ＋Ｈ］+。
μｌ、０．５２ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を２５℃で１０時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で直ちに濃縮し、得られた生成物をシリカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％〜３０％）で精製して化合物ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚ（１３６ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ、８７％）を得た。化合物ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚを1Ｈ
−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図３４を参照。ＭＳ（Ｅ
ＳＩ） ｍ／ｚ ４７２．３［Ｍ＋Ｈ］+。
［実施例２３］
化合物（ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ）の合成
化合物（ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ）の合成
化合物ＸＸＩＶ−１Ｂ−Ｂｚ（１３６ｍｇ、０．２９ｍｍｏｌ）のＣＦ3ＣＨ2ＯＨ（２
ｍＬ）溶液に、１，３−プロパンジチオール（２００μｌ、２ｍｍｏｌ）及び触媒量の水性ＨＣｌ（１２Ｎ、１０μＬ）を添加した。この反応混合物を６０℃で３時間〜４時間攪拌し、減圧下で濃縮した後、得られた粗生成物をシリカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、２０％〜８０％）で精製して化合物ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ（１１０ｍｇ、０．２７ｍｍｏｌ、９４％）を得た。化合物ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚを1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図３５及び図３６を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４０４．３［Ｍ＋Ｈ］+。
ｍＬ）溶液に、１，３−プロパンジチオール（２００μｌ、２ｍｍｏｌ）及び触媒量の水性ＨＣｌ（１２Ｎ、１０μＬ）を添加した。この反応混合物を６０℃で３時間〜４時間攪拌し、減圧下で濃縮した後、得られた粗生成物をシリカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、２０％〜８０％）で精製して化合物ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ（１１０ｍｇ、０．２７ｍｍｏｌ、９４％）を得た。化合物ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚを1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図３５及び図３６を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４０４．３［Ｍ＋Ｈ］+。
［実施例２４］
化合物（ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ）の合成
化合物（ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ）の合成
化合物ＸＸＶ−１Ｂ−Ｂｚ（７０ｍｇ、０．１７ｍｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（２ｍＬ）溶液に、Ｅｔ3Ｎ（４８０μＬ、３．４７ｍｍｏｌ）及びＴＭＳＣｌ（２２０μＬ、１．７
４ｍｍｏｌ）を添加し、この溶液を２５℃で１２時間攪拌した。反応物を飽和水性ＮａＨＣＯ3（５ｍＬ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（３×５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭ
ｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した後、シリカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサ
ン中ＥｔＯＡｃ、２０％〜８０％）で精製して化合物ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ（４４ｍｇ、０．０９３ｍｍｏｌ、５３％収率）を得た。化合物ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５Ｍ
Ｈｚ）によって特性決定した。図３７及び図３８を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４７６．３［Ｍ＋Ｈ］+。
４ｍｍｏｌ）を添加し、この溶液を２５℃で１２時間攪拌した。反応物を飽和水性ＮａＨＣＯ3（５ｍＬ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（３×５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭ
ｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した後、シリカフラッシュクロマトグラフィ（ヘキサ
ン中ＥｔＯＡｃ、２０％〜８０％）で精製して化合物ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ（４４ｍｇ、０．０９３ｍｍｏｌ、５３％収率）を得た。化合物ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５Ｍ
Ｈｚ）によって特性決定した。図３７及び図３８を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４７６．３［Ｍ＋Ｈ］+。
［実施例２５］
化合物（ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ）を介した化合物（ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ）の合成
化合物（ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ）を介した化合物（ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ）の合成
化合物ＸＸＶｐ−１Ｂ−Ｂｚ−ＴＭＳ（１２０ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（５ｍＬ）溶液にＤｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン（１１８ｍｇ、０．２７８ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で２時間攪拌した。反応物を飽和水性Ｎａ2Ｓ2Ｏ3（３ｍＬ）及び飽和水性ＮａＨＣＯ3（２ｍＬ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（２×５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して粗アルデヒドを
白色粉末として得た。これは精製することなく次の工程で使用することができる。
白色粉末として得た。これは精製することなく次の工程で使用することができる。
上記の新たに調製したアルデヒドのｔ−ＢｕＯＨ／Ｈ2Ｏ（２：１；４．５ｍＬ）の溶
液にＮａＨ2ＰＯ4（４００ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を０℃に冷却した。その後２−メチル−２−ブテン（ＴＨＦ中２Ｍ、３．７０ｍＬ、７．５７ｍｍｏｌ）及びＮａＣｌＯ2（１７５ｍｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を順次添加し、０℃で１．５
時間攪拌した。次に反応混合物をブライン（５ｍＬ）で希釈し、ＥｔＯＡｃ（２×５ｍＬ）で抽出した。水性相をＨＣｌ（０．５Ｍ）でｐＨ３．０に酸性化し、ＣＨ2Ｃｌ2（３×５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して白色固
体残渣を得た。これを、ＡＣＥ ５μ Ｃ１８カラム（１５０×２１ｍｍＩＤ）及び２２分間にわたる１０％→１００％ＣＨ3ＣＮ／Ｈ2Ｏ／０．０５％ＴＦＡの溶媒グラジエントを用い、１００％ＣＨ3ＣＮ／０．０５％ＴＦＡを３分間維持して、１４．５ｍＬ／分の
流速で逆相ＨＰＬＣによって精製し、カルボン酸ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ（６６ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ、二段階を通じて６２．６％収率）を得た。カルボン酸ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＯＤ、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＯＤ、１２５Ｍ
Ｈｚ）によって特性決定した。図３９及び図４０を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４１８．２［Ｍ＋Ｈ］+。
液にＮａＨ2ＰＯ4（４００ｍｇ、３．３３ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を０℃に冷却した。その後２−メチル−２−ブテン（ＴＨＦ中２Ｍ、３．７０ｍＬ、７．５７ｍｍｏｌ）及びＮａＣｌＯ2（１７５ｍｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を順次添加し、０℃で１．５
時間攪拌した。次に反応混合物をブライン（５ｍＬ）で希釈し、ＥｔＯＡｃ（２×５ｍＬ）で抽出した。水性相をＨＣｌ（０．５Ｍ）でｐＨ３．０に酸性化し、ＣＨ2Ｃｌ2（３×５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して白色固
体残渣を得た。これを、ＡＣＥ ５μ Ｃ１８カラム（１５０×２１ｍｍＩＤ）及び２２分間にわたる１０％→１００％ＣＨ3ＣＮ／Ｈ2Ｏ／０．０５％ＴＦＡの溶媒グラジエントを用い、１００％ＣＨ3ＣＮ／０．０５％ＴＦＡを３分間維持して、１４．５ｍＬ／分の
流速で逆相ＨＰＬＣによって精製し、カルボン酸ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ（６６ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ、二段階を通じて６２．６％収率）を得た。カルボン酸ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＯＤ、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤ3ＯＤ、１２５Ｍ
Ｈｚ）によって特性決定した。図３９及び図４０を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４１８．２［Ｍ＋Ｈ］+。
［実施例２６］
化合物（ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＶ−１Ｂ）の合成
化合物（ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ）を介した化合物（ＸＶ−１Ｂ）の合成
方法Ａ：１）Ｋ2ＣＯ3、ＭｅＯＨ；Ｈ+；２）ＴＢＳＣｌ、イミダゾール（imid.）；３）ＢＯＰＣｌ；４）ピリジンＨＦ（HF.Pyr）
化合物ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ（１４ｍｇ、０．０３３ｍｍｏｌ）のＭｅＯＨ（０．５ｍｌ）溶液にＫ2ＣＯ3（１４ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で１５時間攪拌した。次に水性ＨＣｌ（２００μｌ、１．０Ｍ）をこの反応混合物に添加して直ちに濃縮し、高真空下で乾燥させて、ベンゾイル基が水素で置換された化合物ＸＸＶＩＩ−１Ｂを白色残渣として得た。これはさらに精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
前の工程から得られた生成物のＣＨ2Ｃｌ2（０．５０ｍｌ）溶液に、イミダゾール（７．０ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）及びＴＢＳＣｌ（１０ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ）を添加し、この混合物を２５℃で１０時間攪拌した。次にこの反応混合物を減圧下で直ちに濃縮し、高真空によって十分に乾燥させて化合物ＸＸＶＩ−１Ｂ−ＴＢＳを白色残渣として得た。これはさらに精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
化合物ＸＸＶＩ−１Ｂ−ＴＢＳのＣＨ3ＣＮ（０．４０ｍｌ）溶液に、ピリジン（０．
４０ｍｌ）及びＢＯＰＣｌ（１７ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物
を２５℃で１６時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で濃縮し、この生成物を、ＥｔＯＡｃ／ヘキサングラジエント（２０％→８０％）を用いてシリカゲルクロマトグラフィによって精製して、化合物ＸＸＶＩＩＩ−１Ｂ−ＴＢＳ（５．０ｍｇ；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ
Ｃｌ3、５００ＭＨｚ）図４１を参照）及び化合物ＸＶ−１Ｂ（３．０ｍｇ）を白色固体
として得た。
４０ｍｌ）及びＢＯＰＣｌ（１７ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物
を２５℃で１６時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で濃縮し、この生成物を、ＥｔＯＡｃ／ヘキサングラジエント（２０％→８０％）を用いてシリカゲルクロマトグラフィによって精製して、化合物ＸＸＶＩＩＩ−１Ｂ−ＴＢＳ（５．０ｍｇ；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ
Ｃｌ3、５００ＭＨｚ）図４１を参照）及び化合物ＸＶ−１Ｂ（３．０ｍｇ）を白色固体
として得た。
上記化合物ＸＸＶＩＩＩ−１Ｂ−ＴＢＳ（５．０ｍｇ）のＴＨＦ（０．５ｍｌ）溶液に、ピリジン（３０μｌ）及びピリジンＨＦ（３０μｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で２時間プラスチックチューブ内において攪拌した。次に反応混合物を飽和水性ＮａＨＣＯ3（１ｍｌ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（３×１．０ｍｌ）で抽出した。この有機相をＭ
ｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、ＥｔＯＡｃ／ヘキサングラジエント（２０％→８
０％）を用いてシリカゲルフラッシュクロマトグラフィで精製して化合物ＸＶ−１Ｂ（４．０ｍｇ、０．０１３ｍｍｏｌ）を得た。全収率＝７３％であった。化合物ＸＶ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6、１２
５ＭＨｚ）によって特性決定した。図４２及び図４３を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ２９６［Ｍ＋Ｈ］+。
ｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、ＥｔＯＡｃ／ヘキサングラジエント（２０％→８
０％）を用いてシリカゲルフラッシュクロマトグラフィで精製して化合物ＸＶ−１Ｂ（４．０ｍｇ、０．０１３ｍｍｏｌ）を得た。全収率＝７３％であった。化合物ＸＶ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6、１２
５ＭＨｚ）によって特性決定した。図４２及び図４３を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ２９６［Ｍ＋Ｈ］+。
方法Ｂ：１）Ｋ2ＣＯ3、ＭｅＯＨ；Ｈ+；２）ＴＥＳＣｌ、イミダゾール；３）ＢＯＰ
Ｃｌ；４）ピリジンＨＦ ２８％
Ｃｌ；４）ピリジンＨＦ ２８％
化合物ＸＸＶＩ−１Ｂ−Ｂｚ（２４０ｍｇ、０．５７５ｍｍｏｌ）のＭｅＯＨ（３．０ｍｌ）溶液にＫ2ＣＯ3（２４０ｍｇ、１．７４ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で１５時間攪拌した。次に水性ＨＣｌ（６００μｌ、１．０Ｍ）をこの反応混合物に添加して直ちに濃縮し、高真空下で乾燥させて化合物ＸＸＶＩＩ−１Ｂを白色残渣として得た。これはさらに精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
前の工程から得られた生成物のＣＨ2Ｃｌ2（５．０ｍｌ）溶液に、イミダゾール（１９５ｍｇ、２．８７ｍｍｏｌ）及びＴＥＳＣｌ（０．３９ｍｇ、２．３０ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で１８時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で直ちに濃縮し、高真空によって十分に乾燥させて化合物ＸＸＶＩ−１Ｂ−ＴＥＳを白色残渣として得た。これはさらに精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
化合物ＸＸＶＩ−１Ｂ−ＴＥＳのＣＨ3ＣＮ（３．０ｍｌ）溶液に、ピリジン（３．０
ｍｌ）及びＢＯＰＣｌ（２９０ｍｇ、１．１５ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で１８時間攪拌した。次に反応混合物を、シリカショートプラグに通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮し、高真空によって乾燥させて、ＴＥＳ−β−ラクトンＸＸＶＩＩＩ−１Ｂ−ＴＥＳを白色残渣として得た。これはさらに精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
ｍｌ）及びＢＯＰＣｌ（２９０ｍｇ、１．１５ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で１８時間攪拌した。次に反応混合物を、シリカショートプラグに通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮し、高真空によって乾燥させて、ＴＥＳ−β−ラクトンＸＸＶＩＩＩ−１Ｂ−ＴＥＳを白色残渣として得た。これはさらに精製することなく次の工程でそのまま使用することができる。
上記ＴＥＳ−β−ラクトン残渣（ＸＸＶＩＩＩ−１Ｂ−ＴＥＳ）のＴＨＦ（５．０ｍｌ）溶液に、ピリジン（１５０μｌ）及びピリジンＨＦ（１５０μｌ）を添加し、この反応混合物を２５℃で５時間〜６時間プラスチックチューブ内において攪拌した。次に反応混合物を飽和水性ＮａＨＣＯ3（１０ｍｌ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（３×１．０ｍｌ）で抽
出した。この有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、シリカフラッシュクロマ
トグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％→８０％）で精製してβ−ラクトンＸＶ−１Ｂ（４７．０ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）を得た。全収率＝２８％であった。
出した。この有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮し、シリカフラッシュクロマ
トグラフィ（ヘキサン中ＥｔＯＡｃ、１０％→８０％）で精製してβ−ラクトンＸＶ−１Ｂ（４７．０ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）を得た。全収率＝２８％であった。
［実施例２７］
化合物（ＸＶ−１Ｂ）を介した化合物（ＸＶＩ−１Ｂ）の合成
化合物（ＸＶ−１Ｂ）を介した化合物（ＸＶＩ−１Ｂ）の合成
実施例２６から得られた化合物ＸＶ−１Ｂ（３５ｍｇ、０．１１８ｍｍｏｌ）のＣＨ3
ＣＮ（２５０μｌ）溶液に、ピリジン（２５０μｌ）及びＰｈ3ＰＣｌ2（８０ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を室温で１８時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で濃縮し、ＥｔＯＡｃ／ヘキサングラジエント（５％→２０％）を用いてシリカゲルフラッシュクロマトグラフィで精製して化合物ＸＶＩ−１Ｂ（２１ｍｇ、５７％収率）を得た。化合物ＸＶＩ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図４４及び図４５を参照。ＭＳ
（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］+。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］+。ＨＲＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４．１１５１［Ｍ＋Ｈ］+（Ｃ15Ｈ21ＣｌＮＯ4に関する算出値、３１４．１１５９、Δ＝−２．４ｐｐｍ）。
ＣＮ（２５０μｌ）溶液に、ピリジン（２５０μｌ）及びＰｈ3ＰＣｌ2（８０ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を室温で１８時間攪拌した。次に反応混合物を減圧下で濃縮し、ＥｔＯＡｃ／ヘキサングラジエント（５％→２０％）を用いてシリカゲルフラッシュクロマトグラフィで精製して化合物ＸＶＩ−１Ｂ（２１ｍｇ、５７％収率）を得た。化合物ＸＶＩ−１Ｂを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図４４及び図４５を参照。ＭＳ
（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］+。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］+。ＨＲＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４．１１５１［Ｍ＋Ｈ］+（Ｃ15Ｈ21ＣｌＮＯ4に関する算出値、３１４．１１５９、Δ＝−２．４ｐｐｍ）。
［実施例２８］
化合物（ＸＶＩ−１Ｂ）を介した化合物（ＸＸＩＩ−１）の合成
化合物（ＸＶＩ−１Ｂ）を介した化合物（ＸＸＩＩ−１）の合成
丸底フラスコ（２５ｍＬ）内の実施例２７から得られた化合物ＸＶＩ−１Ｂ（１０ｍｇ、３２μｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（４ｍＬ）溶液に、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン（２０．３５ｍｇ、４８μｍｏｌ）及び磁気攪拌棒を添加した。この反応混合物を室温で約２時間攪拌し、次に飽和水性Ｎａ2Ｓ2Ｏ3（５ｍｌ）及び飽和水性ＮａＨＣＯ3（５ｍ
ｌ）で急冷した後、ＣＨ2Ｃｌ2（２×５ｍｌ）で抽出した。この有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。その後、得られた粗生成物を、１９：１（５ｍＬ）→９：１（５ｍＬ）→１７：３（５ｍＬ）→４：１（１０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュカラム（０．４ｃｍＩＤ×３ｃｍ）クロマトグラフィで精製して化合物ＸＸＩＩ−１（６ｍｇ、１９．３μｍｏｌ、６０．３％収率）を得た。化合物ＸＸＩＩ−１を1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図４６を参照。ＭＳ（ＥＳＩ）、ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+及び３３４［Ｍ＋Ｎａ］+。
ｌ）で急冷した後、ＣＨ2Ｃｌ2（２×５ｍｌ）で抽出した。この有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。その後、得られた粗生成物を、１９：１（５ｍＬ）→９：１（５ｍＬ）→１７：３（５ｍＬ）→４：１（１０ｍＬ）ヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュカラム（０．４ｃｍＩＤ×３ｃｍ）クロマトグラフィで精製して化合物ＸＸＩＩ−１（６ｍｇ、１９．３μｍｏｌ、６０．３％収率）を得た。化合物ＸＸＩＩ−１を1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図４６を参照。ＭＳ（ＥＳＩ）、ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+及び３３４［Ｍ＋Ｎａ］+。
［実施例２９］
酵素を用いた還元による化合物（ＸＸＩＩ−１）を介した化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
酵素を用いた還元による化合物（ＸＸＩＩ−１）を介した化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
丸底フラスコ（２５ｍＬ）内の実施例２８から得られた化合物ＸＸＩＩ−１（６ｍｇ、１９．３μｍｏｌ）のＤＭＳＯ（０．４ｍＬ）溶液に、６００μＬのリン酸カリウムバッファ（１５０ｍＭ、ｐＨ６．９）、１２ｍｇのケト還元酵素ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ、１．２ｍｇのグルコース脱水素酵素（ＧＤＨ）、３００μＬのグルコース（５０ｍＭ）及び３００μＬのＮＡＤ（１ｍＭ）を添加した。上記反応混合物を３７℃〜３９℃で約４０分間攪拌した後、ＥｔＯＡｃ（２×１０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。これにより約５ｍｇの化合物ＸＶＩ−１Ａ（８２．７％収率）が粗生成物として得られ、これを、Ｐｈｅｎｏｍｅｎｅｘ Ｌｕｎａ １０μシリカカラム（２５ｃｍ×２１．２ｍｍＩＤ）を用い、１９分間にわたる２５％→８０％ＥｔＯＡｃ／ヘキサン、１分間にわたる８０→１００％ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの溶媒グラジエントを用い、１００％ＥｔＯＡｃを５分間維持して、１４．５ｍＬ／分の流速で、蒸発型光散乱検出（ＥＬＳＤ）によって精製をモニタリングしながら順相ＨＰＬＣによってさらに精製し、２ｍｇの純化合物ＸＶＩ−１Ａを得た。［α］D−７０°（ｃ０．０５、ＣＨ3ＣＮ）。化合物ＸＶＩ−１Ａを1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、１２５ＭＨｚ）によって特性決定した。図４７及び図４９を参
照。1Ｈ ＮＭＲスペクトルは化合物ＸＶＩ−１Ａの基準試料のスペクトルと完全に一致
した（それぞれ図４８及び図５０）。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］+。Ｈ
ＲＥＳＩＭＳ ｍ／ｚ ３１４．１１７３［Ｍ＋Ｈ］+（Ｃ15Ｈ21ＣｌＮＯ4に関する算出値、３１４．１１５９、Δ＝４．５ｐｐｍ）。
照。1Ｈ ＮＭＲスペクトルは化合物ＸＶＩ−１Ａの基準試料のスペクトルと完全に一致
した（それぞれ図４８及び図５０）。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ３１４［Ｍ＋Ｈ］+。Ｈ
ＲＥＳＩＭＳ ｍ／ｚ ３１４．１１７３［Ｍ＋Ｈ］+（Ｃ15Ｈ21ＣｌＮＯ4に関する算出値、３１４．１１５９、Δ＝４．５ｐｐｍ）。
［実施例３０］
サリノスポラ属の発酵産物の半合成誘導体として得られる）化合物（ＸＶＩ−１Ｂ）を介
した化合物（ＸＸＩＩ−１）の合成
サリノスポラ属の発酵産物の半合成誘導体として得られる）化合物（ＸＶＩ−１Ｂ）を介
した化合物（ＸＸＩＩ−１）の合成
丸底フラスコ（１５０ｍＬ）内の（米国特許第７，１７６，２３２号（２００７年２月１３日発行）（その全体が参照により本明細書に援用される）に開示されているようにサリノスポラ・トロピカ（Salinospora tropica）の発酵によって得られた、化合物ＸＶＩ
−１Ａの半合成誘導体として得られる）化合物ＸＶＩ−１Ｂ（７５ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（３５ｍＬ）溶液に、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン（２０２．５ｍｇ；０．４８ｍｍｏｌ）及び磁気攪拌棒を添加した。この反応混合物を室温で約３時間攪拌し、この間、反応の進行を分析ＨＰＬＣによってモニタリングした。次に反応混合物を飽和水性Ｎａ2Ｓ2Ｏ3（４０ｍｌ）及び飽和水性ＮａＨＣＯ3（４０ｍｌ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（２×４０ｍｌ）で抽出した。この有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧によって濃縮して化合物ＸＸＩＩ−１（７０ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ、９４％収率）を得た。1Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、５００ＭＨｚ）δ１．５４（ｓ，３Ｈ）、１．５９（ｍ，２Ｈ）、１．６６〜１．７０（ｍ，１Ｈ）、１．７３〜１．８０（ｍ，１Ｈ）、１．９６（ｍ、２Ｈ）、２．０〜２．１１（ｍ，２Ｈ）、３．０９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、３．６３（ｂｒｓ，１Ｈ）、３．８３〜３．８８（ｍ，１Ｈ）、３．８９〜３．９３（ｍ，１Ｈ）、５．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２，１０Ｈｚ）、５．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．５，１０Ｈｚ）、９．７０（ｓ，１Ｈ，ＮＨ）；ＭＳ（ＥＳＩ）、ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+及び３３４［Ｍ＋Ｎａ］+。
−１Ａの半合成誘導体として得られる）化合物ＸＶＩ−１Ｂ（７５ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）のＣＨ2Ｃｌ2（３５ｍＬ）溶液に、Ｄｅｓｓ−Ｍａｒｔｉｎペルヨージナン（２０２．５ｍｇ；０．４８ｍｍｏｌ）及び磁気攪拌棒を添加した。この反応混合物を室温で約３時間攪拌し、この間、反応の進行を分析ＨＰＬＣによってモニタリングした。次に反応混合物を飽和水性Ｎａ2Ｓ2Ｏ3（４０ｍｌ）及び飽和水性ＮａＨＣＯ3（４０ｍｌ）で急冷し、ＣＨ2Ｃｌ2（２×４０ｍｌ）で抽出した。この有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧によって濃縮して化合物ＸＸＩＩ−１（７０ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ、９４％収率）を得た。1Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、５００ＭＨｚ）δ１．５４（ｓ，３Ｈ）、１．５９（ｍ，２Ｈ）、１．６６〜１．７０（ｍ，１Ｈ）、１．７３〜１．８０（ｍ，１Ｈ）、１．９６（ｍ、２Ｈ）、２．０〜２．１１（ｍ，２Ｈ）、３．０９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、３．６３（ｂｒｓ，１Ｈ）、３．８３〜３．８８（ｍ，１Ｈ）、３．８９〜３．９３（ｍ，１Ｈ）、５．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２，１０Ｈｚ）、５．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．５，１０Ｈｚ）、９．７０（ｓ，１Ｈ，ＮＨ）；ＭＳ（ＥＳＩ）、ｍ／ｚ ３１２［Ｍ＋Ｈ］+及び３３４［Ｍ＋Ｎａ］+。
［実施例３１］
酵素を用いた還元による化合物（ＸＸＩＩ−１）を介した化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
酵素を用いた還元による化合物（ＸＸＩＩ−１）を介した化合物（ＸＶＩ−１Ａ）の合成
丸底フラスコ（２５ｍＬ）内の実施例３０から得られた化合物ＸＸＩＩ−１（５０ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）のＤＭＳＯ（１ｍＬ）溶液に、５ｍＬのリン酸カリウムバッファ（１５０ｍＭ、ｐＨ６．９）、１００ｍｇのケト還元酵素ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ、１０ｍｇのグルコース脱水素酵素（ＧＤＨ）、２．５ｍＬのグルコース（５０ｍＭ）及び２．５ｍＬのＮＡＤ（１ｍＭ）を添加した。上記反応混合物を３７℃〜３９℃で４０分間攪拌した後、ＥｔＯＡｃ（２×２５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して粗生成物を得て、これを２０ｍＬ容シンチレーションバイアル内、１：１アセトン：ヘプタン（６ｍＬ）中で（窒素ガス雰囲気下でゆっくりと蒸発させることにより）結晶化させ、化合物ＸＶＩ−１Ａを白色結晶固体（４２ｍｇ、０．１３ｍｍｏｌ、８５％収率）として得た。化合物ＸＶＩ−１Ａの構造は、融点、比旋光度、並びに1
Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを基準試料のものと比較することによって確認した。
Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲスペクトルを基準試料のものと比較することによって確認した。
［実施例３２］
２−シクロヘキセニル亜鉛クロリドの合成
２−シクロヘキセニル亜鉛クロリドの合成
窒素雰囲気下における、１，３−シクロヘキサジエン（０．９６ｇ、１２ｍｍｏｌ、ｄ＝０．８４、１１４３ｕＬ）及びＰｄ（ＰＰｈ3）4（４６２．２ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）のベンゼン（１０ｍＬ）溶液に、Ｂｕ3ＳｎＨ（１．１６ｇ、４ｍｍｏｌ、ｄ＝１．０９
８、１．０６ｍＬ）を室温で滴下し、１５分間攪拌した。溶媒を留去し、生成物を、１０：０（１００ｍＬ）→１９：１（１００ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）のヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．５ｃｍＩＤ×２０ｃｍ）で精製してシクロヘキセニルトリブチルスズ（３．５ｇ、９．４ｍｍｏｌ、７８．６％収率）を透明な液体として得た。シクロヘキセニルトリブチルスズを1
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図５１を参照。
８、１．０６ｍＬ）を室温で滴下し、１５分間攪拌した。溶媒を留去し、生成物を、１０：０（１００ｍＬ）→１９：１（１００ｍＬ）→９：１（１００ｍＬ）のヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム１．５ｃｍＩＤ×２０ｃｍ）で精製してシクロヘキセニルトリブチルスズ（３．５ｇ、９．４ｍｍｏｌ、７８．６％収率）を透明な液体として得た。シクロヘキセニルトリブチルスズを1
Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）によって特性決定した。図５１を参照。
窒素下におけるシクロヘキセニルトリブチルスズ（０．９２ｇ、２．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液（−７８℃）にｎＢｕＬｉ（１ｍＬ、２．５Ｍヘキサン溶液、２．５
ｍｍｏｌ）を添加した。さらに３０分間攪拌した後、ＺｎＣｌ2（３４０ｍｇ、２．５ｍ
ｍｏｌ、２ｍｌのＴＨＦ中に溶解）を添加し、攪拌を３０分間−７８℃で続けて２−シクロヘキセニル亜鉛クロリドを得た。
ｍｍｏｌ）を添加した。さらに３０分間攪拌した後、ＺｎＣｌ2（３４０ｍｇ、２．５ｍ
ｍｏｌ、２ｍｌのＴＨＦ中に溶解）を添加し、攪拌を３０分間−７８℃で続けて２−シクロヘキセニル亜鉛クロリドを得た。
［実施例３３］
化合物Ｘ−１aの合成
化合物Ｘ−１aの合成
化合物ＩＸ−１a（３０ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液（−７８℃
）に、１ｍＬのシクロヘキセニル亜鉛クロリド（新たに調製；実施例３２）を添加し、−７８℃で約３時間攪拌した。この反応物をＨ2Ｏ（１５ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（２
×１５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相を無水Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して粗生成物を得て、これを、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→１７：３（５０ｍＬ）→８：２（５０ｍＬ）→７：３（５０ｍＬ）のヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム２．５ｃｍＩＤ×６ｃｍ）で精製し、純シクロヘキセン誘導体Ｘ−１a（２６ｍｇ、０．０５７ｍｍｏｌ、７１．４
％収率）を得た。化合物Ｘ−１aを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）で特性決定した。図５２及び図５３を参照。ＭＳ（
ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６．３［ＭＨ］+及び４７８．３［Ｍ＋Ｎａ］+。
）に、１ｍＬのシクロヘキセニル亜鉛クロリド（新たに調製；実施例３２）を添加し、−７８℃で約３時間攪拌した。この反応物をＨ2Ｏ（１５ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡｃ（２
×１５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相を無水Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して粗生成物を得て、これを、１９：１（５０ｍＬ）→９：１（５０ｍＬ）→１７：３（５０ｍＬ）→８：２（５０ｍＬ）→７：３（５０ｍＬ）のヘキサン／ＥｔＯＡｃの溶媒グラジエントを用いてシリカフラッシュクロマトグラフィ（カラム２．５ｃｍＩＤ×６ｃｍ）で精製し、純シクロヘキセン誘導体Ｘ−１a（２６ｍｇ、０．０５７ｍｍｏｌ、７１．４
％収率）を得た。化合物Ｘ−１aを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）で特性決定した。図５２及び図５３を参照。ＭＳ（
ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６．３［ＭＨ］+及び４７８．３［Ｍ＋Ｎａ］+。
［実施例３４］
化合物Ｘ−１bの合成
化合物Ｘ−１bの合成
化合物ＩＸ−１b（３５ｍｇ、０．０９４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液（−７８
℃）に、１．２ｍＬのシクロヘキセニル亜鉛クロリド（新たに調製；実施例３２）を添加し、−７８℃で約３時間攪拌した。この反応物をＨ2Ｏ（１５ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡ
ｃ（２×２０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相を無水Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して液体残渣を得た。この残渣を５ｍＬのヘキサン中に溶解し、１時間静置した。白色固体を残渣から沈降させ、これを、溶媒をデカントすることによって分離した。さらにこの固形物をヘキサン（２×２ｍＬ）で洗浄し、高真空で乾燥させて純化合物Ｘ−１b（
３２ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ、７５％収率）を得た。化合物Ｘ−１bを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）で特性決定した。図５４及び図５５を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６．３［Ｍ＋Ｈ］+及び４７
８．３［Ｍ＋Ｎａ］+。立体化学をＸ線結晶構造解析によって求めた（図５６を参照）。
℃）に、１．２ｍＬのシクロヘキセニル亜鉛クロリド（新たに調製；実施例３２）を添加し、−７８℃で約３時間攪拌した。この反応物をＨ2Ｏ（１５ｍＬ）で急冷し、ＥｔＯＡ
ｃ（２×２０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機相を無水Ｎａ2ＳＯ4で乾燥させ、減圧下で濃縮して液体残渣を得た。この残渣を５ｍＬのヘキサン中に溶解し、１時間静置した。白色固体を残渣から沈降させ、これを、溶媒をデカントすることによって分離した。さらにこの固形物をヘキサン（２×２ｍＬ）で洗浄し、高真空で乾燥させて純化合物Ｘ−１b（
３２ｍｇ、０．０６６ｍｍｏｌ、７５％収率）を得た。化合物Ｘ−１bを1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、５００ＭＨｚ）及び13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、１２５ＭＨｚ）で特性決定した。図５４及び図５５を参照。ＭＳ（ＥＳＩ） ｍ／ｚ ４５６．３［Ｍ＋Ｈ］+及び４７
８．３［Ｍ＋Ｎａ］+。立体化学をＸ線結晶構造解析によって求めた（図５６を参照）。
［実施例３５］
合成源及び発酵源から得られた化合物ＸＶＩ−１Ａによる２０Ｓプロテアソーム活性のｉｎ ｖｉｔｒｏ阻害
化合物ＸＶＩ−１Ａを、本明細書中に記載の方法を用いた合成によって、また米国特許第７，１４４，７２３号（その全体が参照により本明細書に援用される）に記載の発酵によって得た。合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａを共にＤＭＳＯ中の２０ｍＭ原液として調製し、−８０℃において少量ずつ貯蔵した。精製されたウサギ筋由来２０ＳプロテアソームをBoston Biochem（Cambridge, MA）から入手した。プロテアソー
ムのキモトリプシン様活性を高めるために、アッセイバッファ（２０ｍＭ ＨＥＰＥＳ、ｐＨ７．３、０．５ｍＭ ＥＤＴＡ、及び０．０５％Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ１００）をＳＤＳで補充し、最終ＳＤＳ濃度を０．０３５％とした。用いた基質は、ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ、即ちプロテアソームのキモトリプシン様活性によって特異的に開裂される蛍光原ペプチド基質であった。アッセイは、９６ウェルＣｏｓｔａｒマイクロタイタープレートにおいて最終容積を２００μｌとし、１μｇ／ｍｌのプロテアソーム濃度で実施した。合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａは共に、最終濃度が５００ｎＭ〜１５８ｐＭの範囲をとる８点用量−応答曲線として試験した。試験化合物をウサギ由来２０Ｓプロテアソームに添加した後、温度制御されたＦｌｕｏｒｏｓｋａｎ Ａｓｃｅｎｔ９６ウェルマイクロプレートリーダー（Thermo Electron, Waltham, MA）において試料を３７℃で５分間プレインキュベートした。このプレインキュベート工程の間、基質をＳＤＳ含有アッセイバッファ中で２５倍に希釈させた。プレインキュベート期間後、１０μｌの希釈基質を添加することによって反応を開始させ、プレートをプレートリーダーへと戻した。反応物中の基質の最終濃度は２０μＭであった。開裂されたペプチド基質の蛍光を、(ex
＝３９０ｎｍ及び(em＝４６０ｎｍで測定した。全データは５分毎に２時間回収したもの
であり、多重データ点の平均値としてプロットした。ＩＣ50値（５０％の最大相対蛍光が阻害される薬剤濃度）を、Ｓ字状用量−応答の可変勾配モデルを用いてＰｒｉｓｍ（GraphPad Software）によって算出した。２０Ｓプロテアソームのカスパーゼ様活性に対する
化合物の活性を評価するために、Ｚ−ＬＬＥ−ＡＭＣをペプチド基質として用いた以外は、上記のように反応を実施した。合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａを５μＭ〜１．６ｎＭの範囲の濃度で試験した。２０Ｓプロテアソームのトリプシン様活性に対するこれらの化合物の評価では、ＳＤＳをアッセイバッファから排除して、Ｂｏｃ−ＬＲＲ−ＡＭＣをペプチド基質として使用した。これらのアッセイに使用した試験化合物の濃度は５００ｎＭ〜１５８ｐＭの範囲であった。
合成源及び発酵源から得られた化合物ＸＶＩ−１Ａによる２０Ｓプロテアソーム活性のｉｎ ｖｉｔｒｏ阻害
化合物ＸＶＩ−１Ａを、本明細書中に記載の方法を用いた合成によって、また米国特許第７，１４４，７２３号（その全体が参照により本明細書に援用される）に記載の発酵によって得た。合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａを共にＤＭＳＯ中の２０ｍＭ原液として調製し、−８０℃において少量ずつ貯蔵した。精製されたウサギ筋由来２０ＳプロテアソームをBoston Biochem（Cambridge, MA）から入手した。プロテアソー
ムのキモトリプシン様活性を高めるために、アッセイバッファ（２０ｍＭ ＨＥＰＥＳ、ｐＨ７．３、０．５ｍＭ ＥＤＴＡ、及び０．０５％Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ１００）をＳＤＳで補充し、最終ＳＤＳ濃度を０．０３５％とした。用いた基質は、ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ、即ちプロテアソームのキモトリプシン様活性によって特異的に開裂される蛍光原ペプチド基質であった。アッセイは、９６ウェルＣｏｓｔａｒマイクロタイタープレートにおいて最終容積を２００μｌとし、１μｇ／ｍｌのプロテアソーム濃度で実施した。合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａは共に、最終濃度が５００ｎＭ〜１５８ｐＭの範囲をとる８点用量−応答曲線として試験した。試験化合物をウサギ由来２０Ｓプロテアソームに添加した後、温度制御されたＦｌｕｏｒｏｓｋａｎ Ａｓｃｅｎｔ９６ウェルマイクロプレートリーダー（Thermo Electron, Waltham, MA）において試料を３７℃で５分間プレインキュベートした。このプレインキュベート工程の間、基質をＳＤＳ含有アッセイバッファ中で２５倍に希釈させた。プレインキュベート期間後、１０μｌの希釈基質を添加することによって反応を開始させ、プレートをプレートリーダーへと戻した。反応物中の基質の最終濃度は２０μＭであった。開裂されたペプチド基質の蛍光を、(ex
＝３９０ｎｍ及び(em＝４６０ｎｍで測定した。全データは５分毎に２時間回収したもの
であり、多重データ点の平均値としてプロットした。ＩＣ50値（５０％の最大相対蛍光が阻害される薬剤濃度）を、Ｓ字状用量−応答の可変勾配モデルを用いてＰｒｉｓｍ（GraphPad Software）によって算出した。２０Ｓプロテアソームのカスパーゼ様活性に対する
化合物の活性を評価するために、Ｚ−ＬＬＥ−ＡＭＣをペプチド基質として用いた以外は、上記のように反応を実施した。合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａを５μＭ〜１．６ｎＭの範囲の濃度で試験した。２０Ｓプロテアソームのトリプシン様活性に対するこれらの化合物の評価では、ＳＤＳをアッセイバッファから排除して、Ｂｏｃ−ＬＲＲ−ＡＭＣをペプチド基質として使用した。これらのアッセイに使用した試験化合物の濃度は５００ｎＭ〜１５８ｐＭの範囲であった。
表４及び図５７〜図５９に示される結果（ＩＣ50値）は、合成化合物ＸＶＩ−１Ａ及び発酵化合物ＸＶＩ−１Ａが両方とも、２０Ｓプロテアソームのｉｎ ｖｉｔｒｏにおけるキモトリプシン様活性、トリプシン様活性及びカスパーゼ様活性に対して同様の阻害活性を有することを示す。
［実施例３６］
合成及び発酵により得られる化合物ＸＶＩ−１Ａによる、ＲＰＭＩ８２２６細胞中のプロテアソームのキモトリプシン様活性に対する影響
ＲＰＭＩ８２２６（ＡＴＣＣ、ＣＣＬ−１５５）であるヒト多発性骨髄腫細胞株を、３７℃、５％ ＣＯ2及び９５％加湿空気において、２ｍＭ Ｌ−グルタミン、１％ペニシ
リン／ストレプトマイシン、１０ｍＭ ＨＥＰＥＳ及び１０％ウシ胎児血清を補充したＲＰＭＩ１６４０培地中で培養した。２０Ｓプロテアソームのキモトリプシン様活性に対する阻害効果を評価するために、ＤＭＳＯ中に調製した試験化合物を培養液中で適宜希釈し、１×１０6／ｍｌ ＲＭＰＩ８２２６細胞に最終濃度が１ｎＭ、５ｎＭ又は１０ｎＭと
なるように添加した。ＤＭＳＯをビヒクル対照群として最終濃度０．１％で用いた。１時間の化合物によるＲＭＰＩ８２２６細胞のインキュベーション後に、細胞を室温で１０秒間２０００ｒｐｍの遠心分離によってペレット状にし、氷冷１×Dubachリン酸緩衝食塩水（ＤＰＢＳ、Mediatech, Herndon, VA）で３回洗浄した。ＤＰＢＳで洗浄した細胞を氷上で１５分間、プロテアーゼ阻害剤カクテル（Roche Diagnostics, Indianapolis, IN）を
補充した溶解バッファ（２０ｍＭ ＨＥＰＥＳ、０．５ｍＭ ＥＤＴＡ、０．０５％ Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ−１００、ｐＨ７．３）中に溶解した。細胞片を、４℃で１０分間１４０００ｒｐｍの遠心分離によってペレット状にし、上澄み液（＝細胞可溶化物）を新しいチューブに移した。タンパク質濃度を、ＢＣＡタンパク質アッセイキット（Pierce Biotechnology, Rockford, IL）によって求めた。ＲＰＭＩ８２２６細胞可溶化物中の２０Ｓプロテアソームのキモトリプシン様活性を、最終濃度が０．０３５％ＳＤＳであるプロテアソームアッセイバッファ（２０ｍＭ ＨＥＰＥＳ、０．５ｍＭ ＥＤＴＡ、ｐＨ８．０）中で、Ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ蛍光原ペプチド基質によって測定した。１０μＬの０．４ｍＭ Ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ（ペプチドのＤＭＳＯ（１：２５）１０ｍＭ溶液をアッセイバッファで希釈することによって調製）を１９０μＬの細胞可溶化物に添加することによって、９６ウェルＣｏｓｔａｒマイクロタイタープレートで反応を開始させ、Ｔｈｅｒｍｏ Ｌａｂ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｆｌｕｏｒｏｓｋａｎプレートリーダーにおいて３７℃でインキュベートした。開裂されたペプチド基質の蛍光を、(ex＝３９０ｎｍ及び(em＝４６０ｎｍで測定した。全データは５分毎に２時間回収したものである。各アッセイに用いたタンパク質は合わせて２０μｇであった。Ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ及びＤＭＳＯの最終濃度はそれぞれ２０μＭ及び０．２％であった。バックグラウンド（細胞可溶化物を含まない、バッファと基質とを含有するウェルからの値）の減算補正後、ＤＭＳＯ処理された対照細胞中で観測されるプロテアソーム活性を基準にして、試験化合物の活性を阻害％として表した。
合成及び発酵により得られる化合物ＸＶＩ−１Ａによる、ＲＰＭＩ８２２６細胞中のプロテアソームのキモトリプシン様活性に対する影響
ＲＰＭＩ８２２６（ＡＴＣＣ、ＣＣＬ−１５５）であるヒト多発性骨髄腫細胞株を、３７℃、５％ ＣＯ2及び９５％加湿空気において、２ｍＭ Ｌ−グルタミン、１％ペニシ
リン／ストレプトマイシン、１０ｍＭ ＨＥＰＥＳ及び１０％ウシ胎児血清を補充したＲＰＭＩ１６４０培地中で培養した。２０Ｓプロテアソームのキモトリプシン様活性に対する阻害効果を評価するために、ＤＭＳＯ中に調製した試験化合物を培養液中で適宜希釈し、１×１０6／ｍｌ ＲＭＰＩ８２２６細胞に最終濃度が１ｎＭ、５ｎＭ又は１０ｎＭと
なるように添加した。ＤＭＳＯをビヒクル対照群として最終濃度０．１％で用いた。１時間の化合物によるＲＭＰＩ８２２６細胞のインキュベーション後に、細胞を室温で１０秒間２０００ｒｐｍの遠心分離によってペレット状にし、氷冷１×Dubachリン酸緩衝食塩水（ＤＰＢＳ、Mediatech, Herndon, VA）で３回洗浄した。ＤＰＢＳで洗浄した細胞を氷上で１５分間、プロテアーゼ阻害剤カクテル（Roche Diagnostics, Indianapolis, IN）を
補充した溶解バッファ（２０ｍＭ ＨＥＰＥＳ、０．５ｍＭ ＥＤＴＡ、０．０５％ Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ−１００、ｐＨ７．３）中に溶解した。細胞片を、４℃で１０分間１４０００ｒｐｍの遠心分離によってペレット状にし、上澄み液（＝細胞可溶化物）を新しいチューブに移した。タンパク質濃度を、ＢＣＡタンパク質アッセイキット（Pierce Biotechnology, Rockford, IL）によって求めた。ＲＰＭＩ８２２６細胞可溶化物中の２０Ｓプロテアソームのキモトリプシン様活性を、最終濃度が０．０３５％ＳＤＳであるプロテアソームアッセイバッファ（２０ｍＭ ＨＥＰＥＳ、０．５ｍＭ ＥＤＴＡ、ｐＨ８．０）中で、Ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ蛍光原ペプチド基質によって測定した。１０μＬの０．４ｍＭ Ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ（ペプチドのＤＭＳＯ（１：２５）１０ｍＭ溶液をアッセイバッファで希釈することによって調製）を１９０μＬの細胞可溶化物に添加することによって、９６ウェルＣｏｓｔａｒマイクロタイタープレートで反応を開始させ、Ｔｈｅｒｍｏ Ｌａｂ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｆｌｕｏｒｏｓｋａｎプレートリーダーにおいて３７℃でインキュベートした。開裂されたペプチド基質の蛍光を、(ex＝３９０ｎｍ及び(em＝４６０ｎｍで測定した。全データは５分毎に２時間回収したものである。各アッセイに用いたタンパク質は合わせて２０μｇであった。Ｓｕｃ−ＬＬＶＹ−ＡＭＣ及びＤＭＳＯの最終濃度はそれぞれ２０μＭ及び０．２％であった。バックグラウンド（細胞可溶化物を含まない、バッファと基質とを含有するウェルからの値）の減算補正後、ＤＭＳＯ処理された対照細胞中で観測されるプロテアソーム活性を基準にして、試験化合物の活性を阻害％として表した。
表５における結果は、ＲＰＭＩ８２２６細胞を発酵化合物ＸＶＩ−１Ａ又は合成化合物ＸＶＩ−１Ａに曝すことによって、２０Ｓプロテアソームキモトリプシン様活性が用量依存的に阻害されたことを示す。さらに、細胞を、発酵を介して得られる化合物ＸＶＩ−１Ａ、又は合成によって得られる化合物ＸＶＩ−１Ａに曝した場合に、同様の阻害プロファイルが観測された。
上述の実施例は、単に実施形態の理解を助長するために記述される。したがって、上記方法は化合物の誘導体を提供し得ることが当業者に理解されよう。
本発明は、目的を実施して、且つ上述の結果及び利点、並びに本明細書中の固有のものを得るように十分適応されることは、当業者に容易に理解されよう。本明細書中に記載する方法及び手順は、好ましい実施形態の目下の代表例であり、例示であり、本発明の範囲に対する限定として意図されるものではない。その点から変更及び他の使用は、当業者が思い付くものであり、これらは、本発明の精神内に包含される。
本明細書中に開示する実施形態に対して、本発明の範囲及び精神を逸脱することなく、様々な代替形態及び変更形態がなされ得ることは、当業者には容易に明らかであろう。
本明細書中で言及した特許及び刊行物はすべて、本発明が属する技術分野における当業者の水準を示す。特許及び刊行物はすべて、個々の刊行物が参照により援用されるように具体的且つ個別に示されたのと同程度に参照により本明細書に援用される。
適切に本明細書中で例示的に記載される発明は、本明細書中で具体的に開示されない任意の要素（単数又は複数）、限定（単数又は複数）の非存在下で実施することができる。用いた用語及び表現は、説明の用語として使用されるものであり、限定の用語として使用されるものではなく、かかる用語及び表現の使用は、図示且つ記載される特徴又はその一部の均等物の除外を示すことを意図するものではない。様々な変更形態が本発明の範囲内で可能であることが認識される。したがって、本発明は、好ましい実施形態及び任意の特徴により具体的に開示されているが、本明細書中に開示する概念の変更及び変形が当業者により行われ得ること、及びかかる変更及び変形は、本発明の実施形態の範囲内に収まるとみなされることが理解されるべきである。
Claims (185)
- 化学合成方法であって、
（ａ）式（Ｉ）：
（ｂ）前記式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護し、式（ＩＶ）：
（ｃ）前記式（ＩＶ）の化合物上で分子内アルドール反応を実施し、式（Ｖ）：
（ｄ）前記式（Ｖ）の化合物の炭素−炭素二重結合を開裂させると共に、開裂された該二重結合を第三級ヒドロキシ基で環化させ、式（ＶＩ）：
（ｅ）前記式（ＶＩ）の化合物のヘミアセタールを保護し、式（ＶＩＩ）：
（ｆ）前記式（ＶＩＩ）の化合物のＣＯＯＲ2基をアルコールに還元し、式（ＶＩＩＩ
）：
（ｇ）前記式（ＶＩＩＩ）の化合物のアルコールを酸化させ、式（ＩＸ）：
（ｈ）前記式（ＩＸ）の化合物を少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部分と反応
させることによって、Ｒ4を該式（ＩＸ）の化合物に付加し、式（Ｘ）：
（ｉ）前記式（Ｘ）の化合物上のＰＧ1を除去すると共に、該式（Ｘ）の化合物のヘミ
アセタールを還元的に開環し、式（ＸＸＩＩＩ）：
（ｊ）前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物の第一級ヒドロキシ基を保護し、式（ＸＸＩＶ）：
（ｋ）前記式（ＸＸＩＶ）の化合物のアミナール基を開裂させ、式（ＸＸＶ）：
（ｌ）前記式（ＸＸＶ）の化合物の第二級アルコールを保護し、式（ＸＸＶｐ）：
（ｍ）第一級アルコール基を変換すると共に、前記式（ＸＸＶｐ）の化合物の第二級アルコール上のＰＧ2保護基部分を除去し、式（ＸＸＶＩ）：
（ｎ）前記式（ＸＸＶＩ）の化合物の第一級アルコール上のＰＧ3保護基部分を除去し
、式（ＸＸＶＩＩ）：
（ｏ）前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物の第一級アルコールを、前記ＰＧ3保護基部分で
保護し、式（ＸＸＶＩ）：
（ｐ）前記式（ＸＸＶＩ）の化合物の上でラクトン化反応を実施し、式（ＸＸＶＩＩＩ）：
（ｑ）前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物上のＰＧ3保護基部分を除去し、式（ＸＶ）
：
（式中、
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、ア
ジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して、任意選択的に置換された５、６、７又は８員へテロシクリルを形成することができ、
Ｙは酸素又は硫黄であり、
Ｚはハロゲンであり、且つ
ＰＧ1及びＰＧ3はそれぞれ保護基部分である） - 前記式（ＸＶ）の化合物の第一級ヒドロキシ基を置換し、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することをさらに含み、
該式（ＸＶＩ）の化合物が下記構造：
を有する、請求項１に記載の方法。 - 前記式（ＸＶ）の化合物の第一級ヒドロキシ基を置換し、式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物を
形成することをさらに含み、
該式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物が下記構造：
を有する、請求項１に記載の方法。 - （１）前記式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物の第二級ヒドロキシ基を酸化させる工程であって、該式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物が下記構造：
（２）前記式（ＸＸＩＩ）の化合物のケト基を還元する工程であって、式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物を形成し、該式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物が下記構造：
- （１）前記式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物の第二級ヒドロキシ炭素中心の立体化学を反転させる工程であって、該式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物が下記構造：
- ＰＧ1及びＰＧ2がそれぞれ独立して、ベンジル、置換ベンジル、アルキルカルボニル、アリールアルキルカルボニル、置換メチルエーテル、置換エチルエーテル、置換ベンジルエーテル、テトラヒドロピラニルエーテル、シリルエーテル、エステル及びカーボネートから成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
- 前記有機金属部分が、有機マグネシウム化合物、有機リチウム化合物、有機スズ化合物、有機銅酸化物化合物、有機亜鉛化合物、有機ボロン化合物、及び有機パラジウム化合物、金属カルボニル、メタロセン、カルビン錯体、及び有機半金属から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
- 前記有機金属部分が、Ｒ4−ＭｇＲ7、Ｒ4−ＺｎＲ7、−Ｌｉ、（Ｒ4）p−Ｂ（Ｒ7）3-p、及び（Ｒ4）q−Ｓｎ（Ｒ7）4-qから成る群から選択され、
Ｒ7が、ハロゲン、又はアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリール
アルキル、イソピノカンフェニル、ヒドロキシ、アルコキシ及びカルボニルアルコキシの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択され、２つ以上のＲ7が存在する場合、該
Ｒ7基は任意選択的に互いに結合して、任意選択的に置換されたシクロアルキル、シクロ
アルケニル、ヘテロアルキル又はヘテロアルケニル環を形成することができ、
ｐが１〜３の整数であり、且つ
ｑが１〜４の整数である、請求項１に記載の方法。 - Ｒ4が２−シクロヘキセニルである、請求項１に記載の方法。
- Ｒ3がメチルである、請求項１に記載の方法。
- Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6であり、Ｒ6が水素、又は置換若しくは非置換Ｃ1〜Ｃ24アルキルである、請求項１に記載の方法。
- Ｒ5が−Ｃ（＝Ｏ）Ｚであり、Ｚがハロゲンである、請求項１に記載の方法。
- 式（Ｖ）の化合物から式（Ｘ）の化合物を製造する方法であって、前記式（Ｖ）の化合物の炭素−炭素二重結合を開裂させると共に、開裂された該二重結合を第三級ヒドロキシ基で環化させる工程と、
−ＣＯＯＲ2をアルデヒドに変換させる工程であって、Ｒ2が水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択される工程と、
少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部分を用いてＲ4を前記アルデヒドに付加する工程であって、Ｒ4が、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル
、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロア
リールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される工程とを含む方法。 - アミナール基を開裂させる工程と、
ＰＧ1を除去すると共に、ヘミアセタールを還元的に開環する工程であって、ＰＧ1が保護基部分である、除去すると共に開環する工程と、
４員ラクトン環を形成する工程と、
を含む、式（Ｘ）の化合物から式（ＸＶ）の化合物を製造する方法。 - 前記アミナール基の開裂が、前記ＰＧ1の除去及び前記ヘミアセタールの還元的な開環
の前、且つ前記４員ラクトン環の形成前である、請求項１４に記載の方法。 - 前記アミナール基の開裂が、前記ＰＧ1の除去及び前記ヘミアセタールの還元的な開環
の後であるが、前記４員環の形成前である、請求項１４に記載の方法。 - 式（Ｖ）の化合物から式（ＸＶＩＩ）の化合物を製造する方法であって、前記式（Ｖ）の化合物の炭素−炭素二重結合を開裂させると共に、開裂された該二重結合を第三級ヒドロキシ基で環化させる工程と、
前記第三級ヒドロキシ基による環化後に、少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部
分を用いてＲ4を付加する工程であって、Ｒ4が、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリ
ールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアル
キル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される工程とを含む方法。 - アミナール基を開裂させる工程と、
ＰＧ1を除去すると共に、ヘミアセタールを還元的に開環する工程であって、ＰＧ1が保護基部分である工程と、
ラクトン化反応を介して４員環を形成する工程と、
ケトン上の任意の保護基を除去する工程と、
を含む、式（ＸＶＩＩ）の化合物から式（ＸＸＩＩ）の化合物を製造する方法。 - 前記アミナール基の開環が、前記ＰＧ1の除去及び前記ヘミアセタールの還元的な開環
の前、且つ前記ラクトン化反応を介した４員環の形成前である、請求項１８に記載の方法。 - 前記アルミナール基の開裂が、前記ＰＧ1の除去及び前記ヘミアセタールの還元的な開
環の後であるが、前記ラクトン化反応を介した４員環の形成前である、請求項１８に記載の方法。 - 式（Ｉ）：
（式中、
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｙは酸素又は硫黄であり、且つ
ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して、任意選択的に置換された５、６、７又は８員へテロシクリルを形成し得る）
- 前記式（Ｉ）の化合物が構造：
前記式（ＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｉ）の化合物が構造：
前記式（ＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護し、式（ＩＶ）の化合物を形成することを含む、式（ＩＶ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｙは酸素又は硫黄であり、且つ
ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して、任意選択的に置換された５、６、７又は８員へテロシクリルを形成し得る） - 前記式（ＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
- 式（ＩＶ）の化合物上で分子内アルドール反応を実施し、式（Ｖ）の化合物を形成することを含む、式（Ｖ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、且つ
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される） - 前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 前記（ＩＶ）の化合物が構造：
前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 式（Ｖ）の化合物の二重結合を開裂させると共に、開裂された該二重結合を第三級ヒドロキシ基で環化させ、式（ＶＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、且つ
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される） - 前記式（Ｖ）の化合物が構造：
前記式（ＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｖ）の化合物が構造：
前記式（ＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩ）の化合物の酸素含有複素環に結合するヒドロキシ置換基を保護することを含む、式（ＶＩＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、且つ
ＰＧ1は保護基部分である） - 前記式（ＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＶＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＶＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩＩ）の化合物のＣＯＯＲ2基をアルコールに還元し、式（ＶＩＩＩ）の化合物
を形成することを含む、式（ＶＩＩＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、且つ
ＰＧ1は保護基部分である） - 前記式（ＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩＩＩ）の化合物のアルコール基をアルデヒドへと酸化させ、式（ＩＸ）の化合物を形成することを含む、式（ＩＸ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、且つ
ＰＧ1は保護基部分である） - 前記式（ＶＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
- 式（ＩＸ）の化合物を少なくとも１つのＲ4を含有する有機金属部分と反応させること
によって、Ｒ4を該式（ＩＸ）の化合物に付加し、式（Ｘ）の化合物を製造することを含
む、式（Ｘ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ1は保護基部分である） - 前記有機金属部分が、９−シクロヘキス−２−エニル−９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナンである、請求項４４に記載の方法。
- 前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 式（Ｘ）の化合物上の保護基部分を除去すると共に、ヘミアセタールを還元的に開環し、式（ＸＸＩＩＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＩＩＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ1は保護基部分である） - 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＩＩＩ）の化合物の第一級ヒドロキシ基を保護し、式（ＸＸＩＶ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＩＶ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホ
アルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つＰＧ3は保護基部分である） - 式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＩＶ）の化合物のアミナール基を開裂させ、式（ＸＸＶ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＶ）の化合物を製造する方法。
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ3は保護基部分である） - 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶ）の化合物の第二級アルコールを保護し、式（ＸＸＶｐ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＶｐ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシ
アルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分である） - 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 第一級アルコール基を変換すると共に、式（ＸＸＶｐ）の化合物の第二級アルコール上のＰＧ2保護基部分を除去し、式（ＸＸＶＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸ
ＶＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよく、且つ
ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分である） - 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩ）の化合物の第一級アルコール上のＰＧ3保護基部分を除去し、式（ＸＸ
ＶＩＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＶＩＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル
、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよく、且つ
ＰＧ3は保護基部分である） - 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩＩ）の化合物の第一級アルコールを、請求項５７における前記ＰＧ3と同
じであっても又は異なっていてもよいＰＧ3保護基部分で保護し、式（ＸＸＶＩ）の化合
物を形成することを含む、式（ＸＸＶＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよく、且つ
ＰＧ3は保護基部分である） - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩ）の化合物上でラクトン化反応を実施し、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよく、且つ
ＰＧ3は保護基部分である） - 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩＩ）の化合物上でラクトン化反応を実施し、式（ＸＶ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＶ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル
、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよいが、
但し、前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物及び前記式（ＸＶ）の化合物は、下記構造及び立体化学：
ある）
を有することができない） - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
は−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6（式中、Ｒ6は水素、メチル又はｔ−ブチルである）をとり得ない、請求項９０に記載の方法。 - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
である）ではない、請求項９０に記載の方法。 - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物上のＰＧ3保護基部分を除去し、式（ＸＶ）の化合物を形
成することを含む、式（ＸＶ）の化合物を製造する方法。
クロアルケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル
、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ3は保護基部分である）。 - 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
- 式（ＸＶ）の化合物の第一級ヒドロキシ基を置換し、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＶＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができるが、
但し、前記式（ＸＶ）の化合物及び前記式（ＸＶＩ）の化合物は、下記構造及び立体化学：
を有することができない） - 前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＶＩ）の化合物のＲ4に隣接するＣ−５炭素に結合するアルコール基をケトンへ
と酸化させ、式（ＸＸＩＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＸＩＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシ
アルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
Ｘはハロゲンである） - 前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＩＩ）の化合物のＲ4に隣接する炭素に付随するケトンをアルコールへと還元
し、式（ＸＶＩ）の化合物を形成することを含む、式（ＸＶＩ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
Ｘはハロゲンである） - 前記還元することが、酵素又はＮａＢＨ4を還元剤として使用することを含む、請求項
１０９に記載の方法。 - 前記酵素が、ＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｂ１Ｙ及びＫＲＥＤ−ＥＸＰ−Ｃ１Ａから成る群から選択される、請求項１１０に記載の方法。
- 前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物の第二級ヒドロキシ基の立体化学を反転させ、式（ＸＶＩ−Ａ）の複素環式化合物を形成することを含む、式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物を製造する方法。
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
Ｘはハロゲンである） - 前記式（ＸＶＩ−Ｂ）の化合物が構造：
前記式（ＸＶＩ−Ａ）の化合物が構造：
- 式（ＩＩＩ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｙは酸素又は硫黄であり、且つ
ＲA及びＲBはそれぞれ独立して、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ2〜6アルケニル及びＣ2〜6アルキニルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、ＲA及びＲBは任意選択的に互いに結合して、任意選択的に置換された５、６、７又は８員へテロシクリルを形成し得る）
の化合物。 - 前記式（ＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＩＶ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、且つ
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される）
の化合物。 - 前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＶ）の化合物が構造：
- 式（Ｖ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、且つ
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される）
の化合物。 - 前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｖ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、且つ
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択される）
の化合物。 - 前記式（ＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩＩ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ2は、水素、又はＣ1〜6アルキル、アリール及びアリールアルキルの置換若しくは非置
換変異体から成る群から選択され、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、且つ
ＰＧ1は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＶＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＶＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＶＩＩＩ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、且つ
ＰＧ1は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＩＸ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、且つ
ＰＧ1は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
- 前記式（ＩＸ）の化合物が構造：
- 式（Ｘ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル
、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ1は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 前記式（Ｘ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＩＩＩ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ1は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＩＶ）：
Ｒ1は、水素又は置換若しくは非置換Ｃ1〜6アルキルであり、
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ3は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＩＶ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶ）：
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ3は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶｐ）：
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、且つ
ＰＧ2及びＰＧ3は保護基部分である）
の化合物。 - 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶｐ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩ）：
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよく、且つ
ＰＧ3は保護基部分である）
の化合物。 - 前記ＰＧ3保護基部分が、ベンゾイル、ＴＢＳ及びＴＥＳから成る群から選択される、
請求項１６６に記載の化合物。 - 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩＩ）：
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｒ5は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ6、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ6Ｒ6、及び−Ｃ（＝
Ｏ）Ｚから成る群から選択され、
各Ｒ6は独立して、水素、ハロゲン、又はＣ1〜Ｃ24アルキル、アシル、アルキルアシル、アリールアシル、アリール、アリールアルキル、ｐ−ニトロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロエチル、トリフルオロエチル、トリクロロエチル、及びヘテロアリールの置換若しくは非置換変異体から成る群から選択することができ、
Ｚはハロゲンであってもよいが、
但し、前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物は、式（ＸＸＶＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学：
ＯＲ6、且つＲ6は水素、メチル又はｔ−ブチルである）
を有することができない）
の化合物。 - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
１７２に記載の化合物。 - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
である）でない、請求項１７２に記載の化合物。 - 前記式（ＸＸＶＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＸＶＩＩＩ）：
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキ
ル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができ、
ＰＧ3は保護基部分であるが、
但し、前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物は、式（ＸＸＶＩＩＩ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学：
）ＣＨ2ＣＨ3又はメシレートである）
を有することができない）
の化合物。 - 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
。 - 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＸＶＩＩＩ）の化合物が構造：
- 式（ＸＶ）：
Ｒ3は、Ｃ1〜6アルキル、Ｃ3〜6シクロアルキル、Ｃ2〜6アルケニル、Ｃ3〜6シクロアル
ケニル、アリール及びアリールアルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択され、
Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ2〜Ｃ12アルケニル、Ｃ2〜Ｃ12アルキニル、Ｃ3〜Ｃ12シ
クロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキニル、Ｃ3〜Ｃ12ヘ
テロシクリル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル、ヘテロアリールアルキル、（シクロアルキル）アルキル、（ヘテロシクリル）アルキル、アシル、アシルアルキル、アルキルオキシカルボニルオキシ、カルボニルアシル、アミノカルボニル、アジド、アジドアルキル、アミノアルキル、アミノアルキルの塩、カルボキシアルキル、カルボキシアルキルの塩、アルキルアミノアルキル、アルキルアミノアルキルの塩、ジアルキルアミノアルキル、ジアルキルアミノアルキルの塩、フェニル、アルキルチオアルキル、アリールチオアルキル、カルボキシ、シアノ、アルカンスルホニルアルキル、アルカンスルフィニルアルキル、アルコキシスルフィニルアルキル、チオシアノアルキル、ボロン酸アルキ
ル、ボロン酸エステルアルキル、グアニジノアルキル、グアニジノアルキルの塩、スルホアルキル、スルホアルキルの塩、アルコキシスルホニルアルキル、スルホオキシアルキル、スルホオキシアルキルの塩、アルコキシスルホニルオキシアルキル、ホスホノオキシアルキル、ホスホノオキシアルキルの塩、（アルキルホスホオキシ）アルキル、ホスホリルアルキル、ホスホリルアルキルの塩、（アルキルホスホリル）アルキル、ピリジニルアルキル、ピリジニルアルキルの塩、ヘテロアリールアルキルの塩、及びポリハロゲン化アルキルを含むハロゲン化アルキルの置換又は非置換変異体から成る群から選択することができるが、
但し、前記式（ＸＶ）の化合物は、式（ＸＶ−Ａ）の化合物の構造及び立体化学：
を有することができず、また
前記式（ＸＶ）は構造：
を有することができない）
の化合物。 - 前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
- 前記式（ＸＶ）の化合物が構造：
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