JP2009523341A - Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (18)
- ベースチップ(BC)と、
該ベースチップの表面に被着されパターニングされた層構造体(SA)と、
該層構造体内に設けられ、該層構造体の縁領域によって包囲された切欠(AN)と、
前記切欠内に配置され、前記層構造体に接続されている可動電極(ME)と、
後面電極(RE)を含み、前記切欠を覆うように前記層構造体上に載置されたカバー層(DS)と
を有している、
容量的に動作するMEMSセンサにおいて、
前記カバー層(DS)または該カバー層の部分層が前記層構造体(SA)内部の前記切欠(AN)を包囲する領域において前記ベースチップの表面に通じており、前記カバー層または該カバー層の部分層と前記ベースチップとが接続されて該切欠の側方を定めている
ことを特徴とするMEMSセンサ。 - 前記切欠(AN)の領域の前記カバー層(DS)は導電性部分層を含む、請求項1記載のMEMSセンサ。
- 前記カバー層(DS)はポリシリコンから成る部分層を含む、請求項2記載のMEMSセンサ。
- 前記カバー層の表面は前記切欠(AN)の領域と前記縁領域とにおいて前記ベースチップ(BC)の表面上方の同じレベルに位置する、請求項1から3までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- 前記導電性部分層または前記可動電極(ME)および/または前記カバー層(DS)の部分層はポリシリコンから形成されている、請求項2から4までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- 前記切欠(AN)の領域の前記カバー層(DS)は複数の開口部(OE)のパターンを有する、請求項1から5までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- 前記カバー層(DS)は窒化ケイ素層を含む、請求項1から6までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- 前記カバー層(DS)は2つの窒化ケイ素層を含み、該2つの窒化ケイ素層のあいだにポリシリコン層(PS)が配置されている、請求項7記載のMEMSセンサ。
- 前記可動電極(ME)はメンブレインとして形成されており、前記縁領域の前記カバー層または該カバー層(DS)の部分層は前記切欠(AN)の内部に前記ベースチップ(BC)の方向へ向かう突起部を有しており、該突起部は前記メンブレインの直上に達する、請求項1から8までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- 前記メンブレインは前記ベースチップ(BC)の全厚さにわたるスルーホール(DB)の上方に配置されている、請求項1から9までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- 犠牲層の材料は酸化ケイ素を含む、請求項1から9までのいずれか1項記載のMEMSセンサ。
- ステップA)一連の層形成プロセスおよび層パターニングプロセスにより、2つの犠牲層(OS)およびこれらのあいだに配置された可動電極(ME)を含む層構造体(SA)を形成し、該層構造体が平坦な表面を有するようにし、該層構造体の可動電極(ME)がベースチップ(BC)の上方の中央に位置するように該層構造体(SA)を該ベースチップ(BC)の表面に被着し、
ステップB)該層構造体内に、所定の距離を置いて前記可動電極を包囲し前記ベースチップの表面に達するトレンチ(GR)をエッチングし、
ステップC)前記層構造体の表面全体および前記トレンチ内にカバー層(DS)を被着し、
ステップD)前記可動電極の上方の前記カバー層に複数の開口部(OE)のパターンを形成し、
ステップE)前記トレンチ(GR)を少なくとも部分的にコーティングしているカバー層(DS)をエッチストップとして用い、エッチングにより前記可動電極の上方および下方の犠牲層(OS)を除去し、前記層構造体の環状の縁領域によって包囲される切欠(AN)を生じさせ、該切欠を前記カバー層が覆いかつ該切欠内に前記可動電極が位置するようにする
ことを特徴とするMEMSセンサの製造方法。 - 前記犠牲層(OS)は酸化ケイ素を含み、フッ化水素を含むエッチング剤により前記犠牲層を除去する、請求項12記載の方法。
- 前記カバー層(DS)を形成するために、前記ステップCにおいて、
サブステップC1)エッジを覆うように第2のポリシリコン層(PS2)を堆積し、
サブステップC2)第2のポリシリコン層をパターニングして後面電極を形成し、
サブステップC3)酸化物層を堆積して平坦化し、
サブステップC4)第1の窒化ケイ素層(NS)を堆積する、
請求項12または13記載の方法。 - 前記ステップAにおいて、
サブステップA1)少なくとも1つの下方の犠牲層(OS)を形成し、
サブステップA2)ドープされた第1のポリシリコン層(PS)を形成し、
サブステップA3)該第1のポリシリコン層をパターニングして可動電極(ME)を形成し、
サブステップA4)少なくとも1つの上方の犠牲層(OS)を形成し、
サブステップA5)層構造体(SA)を平坦化する、
請求項12から14までのいずれか1項記載の方法。 - 前記サブステップA3において、前記第1のポリシリコン層(PS1)をパターニングしてメンブレインを形成し、続いて前記第2のポリシリコン層(PS2)から前記上方の犠牲層へ達する袋孔および前記メンブレインへ達する別の袋孔をエッチングし、前記サブステップC4において、エッジを覆うように窒化ケイ素層(NS)を全袋孔内に堆積させる、請求項15記載の方法。
- 前記サブステップC3の後、前記サブステップC4において、第3のポリシリコン層(PS)を前記窒化ケイ素層上に形成し、その上に、前記サブステップC5において、第2の窒化ケイ素層(NS)を形成する、請求項14から16までのいずれか1項記載の方法。
- 前記ステップEの前に前記ベースチップ(BC)へ前記層構造体(SA)と反対側の後面からスルーホール(DB)をエッチングし、該スルーホールにおいてメンブレインとして構成された前記可動電極(ME)の下方の前記下方の犠牲層(OS)を露出させる、請求項12から17までのいずれか1項記載の方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011055087A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | New Japan Radio Co Ltd | Memsマイクロフォンおよびその製造方法 |
JP2015182188A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
US9743195B2 (en) | 2015-02-02 | 2017-08-22 | Omron Corporation | Acoustic sensor |
WO2021049292A1 (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | ローム株式会社 | トランスデューサ |
JP7449661B2 (ja) | 2019-09-13 | 2024-03-14 | ローム株式会社 | トランスデューサ |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101462691B (zh) * | 2007-12-19 | 2011-08-24 | 清华大学 | 刻蚀牺牲层形成间隙的方法 |
KR100878454B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2009-01-13 | (주)실리콘화일 | 신호처리블록을 구비하는 적층형 마이크로폰과 그 제조방법 |
JP5065974B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2012-11-07 | 株式会社船井電機新応用技術研究所 | マイクロホンユニット及びその製造方法 |
KR101150186B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2012-05-25 | 주식회사 비에스이 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
KR101161295B1 (ko) * | 2010-10-15 | 2012-07-04 | 서강대학교산학협력단 | 압력 측정 장치 및 그 제조 방법 |
JP5787251B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-09-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8673756B2 (en) * | 2011-04-14 | 2014-03-18 | Robert Bosch Gmbh | Out-of-plane spacer defined electrode |
KR101281555B1 (ko) * | 2011-12-13 | 2013-07-03 | 인천대학교 산학협력단 | Mems 센서를 활용한 건설 현장 작업자 위치 및 안전 정보 추적 시스템 |
US9452924B2 (en) | 2012-06-15 | 2016-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS devices and fabrication methods thereof |
US9450109B2 (en) * | 2012-06-15 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS devices and fabrication methods thereof |
DE102012215251A1 (de) * | 2012-08-28 | 2013-03-21 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauelement |
US9487386B2 (en) * | 2013-01-16 | 2016-11-08 | Infineon Technologies Ag | Comb MEMS device and method of making a comb MEMS device |
US9809448B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-11-07 | Invensense, Inc. | Systems and apparatus having MEMS acoustic sensors and other MEMS sensors and methods of fabrication of the same |
US8692340B1 (en) | 2013-03-13 | 2014-04-08 | Invensense, Inc. | MEMS acoustic sensor with integrated back cavity |
CN106688246B (zh) * | 2015-03-12 | 2020-01-21 | 欧姆龙株式会社 | 静电电容式转换器及音响传感器 |
CN107465983B (zh) * | 2016-06-03 | 2021-06-04 | 无锡华润上华科技有限公司 | Mems麦克风及其制备方法 |
JP6930101B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2021-09-01 | オムロン株式会社 | 音響センサ及び静電容量型トランスデューサ |
US10446681B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-10-15 | Micron Technology, Inc. | NAND memory arrays, and devices comprising semiconductor channel material and nitrogen |
US10559466B2 (en) | 2017-12-27 | 2020-02-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a channel region of a transistor and methods used in forming a memory array |
US10297611B1 (en) | 2017-12-27 | 2019-05-21 | Micron Technology, Inc. | Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells |
CN111115566B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-07-14 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种用于mems晶圆级封装的应力补偿方法 |
US11538919B2 (en) | 2021-02-23 | 2022-12-27 | Micron Technology, Inc. | Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004506394A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ノールズ エレクトロニクス,リミテッド ライアビリティ カンパニー | 小型ブロードバンド変換器 |
JP2005191208A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトレットコンデンサー |
JP2007067893A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 音響センサ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4951510A (en) * | 1988-07-14 | 1990-08-28 | University Of Hawaii | Multidimensional force sensor |
DE59101980D1 (de) * | 1990-05-02 | 1994-07-28 | Siemens Ag | Kapazitiver Sensor mit Frequenzausgang. |
DE59006845D1 (de) * | 1990-05-02 | 1994-09-22 | Siemens Ag | Kapazitiver Sensor. |
US5573679A (en) | 1995-06-19 | 1996-11-12 | Alberta Microelectronic Centre | Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process |
US6698295B1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-03-02 | Shipley Company, L.L.C. | Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer |
US6535460B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-03-18 | Knowles Electronics, Llc | Miniature broadband acoustic transducer |
ITVA20000042A1 (it) | 2000-12-15 | 2002-06-15 | St Microelectronics Srl | Sensore di pressione monoliticamente integrato e relativo processo direalizzazione. |
DE10206711B4 (de) | 2002-02-18 | 2012-02-23 | Siemens Ag | Mikromechanisches Bauelement |
US7045459B2 (en) * | 2002-02-19 | 2006-05-16 | Northrop Grumman Corporation | Thin film encapsulation of MEMS devices |
JP2004082260A (ja) | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sony Corp | Memsデバイスの製造方法 |
US6829814B1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-12-14 | Delphi Technologies, Inc. | Process of making an all-silicon microphone |
JP2004160607A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sony Corp | マイクロマシンの製造方法 |
-
2006
- 2006-01-11 DE DE102006001493A patent/DE102006001493B4/de active Active
-
2007
- 2007-01-10 WO PCT/EP2007/000173 patent/WO2007082662A1/de active Application Filing
- 2007-01-10 US US12/087,712 patent/US7923792B2/en active Active
- 2007-01-10 JP JP2008549826A patent/JP5032501B2/ja active Active
- 2007-01-10 EP EP07700207A patent/EP1874678B1/de not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-10 KR KR1020077025705A patent/KR100996157B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004506394A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ノールズ エレクトロニクス,リミテッド ライアビリティ カンパニー | 小型ブロードバンド変換器 |
JP2005191208A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エレクトレットコンデンサー |
JP2007067893A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 音響センサ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011055087A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | New Japan Radio Co Ltd | Memsマイクロフォンおよびその製造方法 |
JP2015182188A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
US9743195B2 (en) | 2015-02-02 | 2017-08-22 | Omron Corporation | Acoustic sensor |
WO2021049292A1 (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | ローム株式会社 | トランスデューサ |
JP7449661B2 (ja) | 2019-09-13 | 2024-03-14 | ローム株式会社 | トランスデューサ |
Also Published As
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