JP2009302996A - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベアチップIC15を実装したパッケージ本体5の内壁8b上に塗布したガ
ラス封止材12と、水晶振動素子26を搭載した蓋部材20の環状壁23と、を接合させ
ると共に、パッケージ本体5の外壁8a上の端子電極10に塗布した導電性接着剤13と
、蓋部材20の蓋本体22の周縁上の端子電極24と、接合させるように、パッケージ本
体5に蓋部材20を嵌め合せる。嵌合したパッケージ本体5及び蓋部材20を所定の温度
、例えば350℃の加熱炉で所定の時間保持すると、パッケージ本体5の外周壁8の内壁
8b上に塗布したガラス封止材12が溶融してパッケージ本体5と蓋部材20とが気密封
止されると共に、ポリイミド系の導電性接着剤13が硬化してパッケージ本体5端子電極
10と、蓋部材20の端子電極24とが導通する。
【選択図】図4
Description
に、加熱工程を減らし、使用する部材への熱ストレスを低減した圧電デバイスの製造方法
に関するものである。
るため、通信機器や電子機器等の多くの分野で用いられ、中でも圧電振動子の周波数温度
特性を補償した温度補償型圧電発振器(TCXO)は、携帯電話等に広く用いられている
。しかし、昨今、圧電発振器の小型化への要求は一段と高まっている。
特許文献1には、従来の小型圧電発振器の一例として水晶発振器が開示されている。
図5(a)は、特許文献1に開示されている従来の小型圧電発振器の分解斜視図、(b
)は断面図、(c)は(b)に示した波線円Aの部分の拡大斜視図である。
この図5に示す水晶発振器60は、発振回路等の電子回路62を搭載したセラミック基
板61と、このセラミック基板61と外周形状がほぼ等しく、水晶振動素子65を収納す
る凹陥部を有したセラミック容器66と、を備えている。
セラミック基板61は、角部を切り落とした形状であり、この切欠き部(4個所)に、
電子回路62と導体パターン63を介して接続する端子64が設けられている。
一方、セラミック容器66は、外周枠上の四隅に端子67を備えている。端子67は、
セラミック容器66内の水晶振動素子65、及び容器裏面の実装端子(図示していない)
と、容器内及び積層間に形成された導体配線を介して接続されている。
数のズレ等の良否検査を行ない、良品だけが選別される。そして、図5(b)に示すよう
に、セラミック容器66の凹陥部内に電子回路62が位置するようセラミック基板61と
セラミック容器66とを絶縁性の封止材、例えば、低融点ガラスを用いて気密封止する。
このとき、端子64と端子67とは、図5(c)に示すように互いに当接し、両端子64
、67を半田若しくは導電性接着剤を用いて接続するようにしている。
上記のように水晶発振器を構成する場合は、電子回路62に接続する端子64と、水晶
振動素子65及び実装端子に接続する端子67とを電気的に接続する領域が必要となる。
しかしながら、水晶発振器60を小型化する場合、その領域を、封止材を塗布するセラミ
ック容器66の外周壁上で確保することが難しい。
そこで、図5に示す水晶発振器60では、端子64、67を夫々セラミック基板61と
セラミック容器66との角部に設けている。その場合も半田又は導電性接着剤がはみ出さ
ないようにセラミック基板61の一部を切り欠くようにしている。
る場合、セラミック容器66の外周壁の上部周縁に塗布する封止材と、セラミック基板6
1とセラミック容器66との導通を図る端子67との間隔が狭くなり、封止材と、導電性
接着剤とが接して、導通不良、気密不良を生じる虞がある。
本発明は、上記したような点を解決するためになされたもので、圧電発振器の小型化を
図る場合に、セラミック容器の気密性と各端子間の導通の確実性を図ることができる圧電
デバイスの製造方法を提供することにある。
形態又は適用例として実現することが可能である。
を有したベース部、該ベース部の上面に環状に立設された外周壁、及び該外周壁内に形成
される凹陥部内に配置されたパッドと、を有したパッケージ本体と、下面にパッドを有し
た蓋本体、及び該蓋本体の下面から環状に立設した環状壁を有し、前記パッケージ本体の
凹陥部を閉止する蓋部材と、を備え、前記各パッドのうちの一方に圧電振動素子を搭載し
、他方にベアチップを搭載した圧電デバイスの製造方法であって、前記蓋部材の環状壁と
前記パッケージ本体との突き当て部をガラス封止材により接合すると共に、前記パッケー
ジ本体の外周壁と前記蓋部材との突き当て部をポリイミド系の導電性接着剤により接合す
る工程と、前記ガラス封止材と前記ポリイミド系の導電性接着剤とを加熱する工程と、を
備えたことを特徴とする。
性接着剤とが接して、導通不良、気密不良を生じる虞が無くなるという効果がある。
また、パッケージ本体と蓋部材とを、ポリイミド系の導電性接着剤を用いて導通接続す
る工程と、ガラス封止材を用いて接合、密封する工程と、が一連の作業工程で行われるの
で、加熱工程を減らすことが可能となり、ベアチップ、接着剤への熱ストレスの回数が低
減することができるという利点がある。
さらに、圧電振動素子及びベアチップはパッケージ本体と蓋部材とにより完全に密封さ
れるので、ベアチップを樹脂でコーティングする必要がない。コーティング剤(ポッティ
ング剤)を用いないので、導電性接着剤のデラミネーション(剥離)が生じる虞が無くな
るという効果がある。
り接合したことを特徴とする適用例1に記載の圧電デバイスの製造方法である。
性接着剤とが接して、導通不良、気密不良を生じる虞が無くなるという効果がある。
部と、前記環状壁の下端部との間を前記ガラス封止材により接合したことを特徴とする適
用例1に記載の圧電デバイスの製造方法である。
壁面に設けた段差部の一方を電気的接続用に他方を気密封止用に用いることが可能となり
、ガラス封止材と、ポリイミド系の導電性接着剤とが接して、導通不良、気密不良を生じ
る虞が無くなるという効果がある。
、圧電デバイスとして水晶発振器を例に挙げて説明する。
図1は、本発明に係る圧電デバイスの製造方法を用いて製造される水晶発振器の概略断
面図であり、図2(a)、(b)はその斜視図である。
なお、図2(a)は搭載する圧電振動素子を明示すべく反転(裏返)して図示している
。また、本実施形態では、圧電デバイスとして水晶発振器を例に挙げて説明する。
水晶発振器1は、ベアチップIC15と、このベアチップIC15を搭載するパッケー
ジ本体5と、圧電振動素子である水晶振動素子26と、この水晶振動素子26を搭載する
蓋部材20と、を備えている。
パッケージ本体5は、セラミックシートを複数積層して形成され、外底部に表面実装用
の外部電極6を有するベース部7と、ベース部7の上面に環状に立設された外周壁8と、
外周壁8内に形成される凹陥部内に配置されたベアチップIC15搭載用のパッド9と、
パッド電極9aとを備えている。
外周壁8は、断面が2段の段差構造、つまり外壁8aと、内壁8bとからなり、ベース
部7の底面からの外壁8aの高さは、内壁8bのそれより高く形成されている。更に、外
周壁8の外壁8a上端には複数の端子電極10が形成され、内部導体11によりパッド電
極9a、外部電極6に導通接続されている。
パッド電極21を有する蓋本体22と、蓋本体22の下面から環状に立設した環状壁23
とを備えている。環状壁23は、蓋本体22の周縁22aの内側に形成され、周縁22a
上には複数の端子電極24が形成されている。環状壁23内の端部寄りにパッド電極21
が形成され、このパッド電極21と端子電極24とは内部導体25により導通接続されて
いる。
パッケージ本体5のパッド9上に導電性接着剤(図示せず)、例えば耐熱性に優れたポ
リイミド系の導電性接着剤を塗布し、この導電性接着剤上にベアチップIC15を載置し
、導電性接着剤を所定の温度で乾燥させる。ベアチップIC15に形成された端子電極と
、パッケージ本体5の凹陥部に設けたパッド電極9aと、をボンディングワイヤにより接
続する。そして、パッケージ本体5の外周壁8の外壁8a上に形成した端子電極10に、
導電性接着剤13、例えばポリイミド系の接着剤を塗布し、内壁8bの周囲上面(突き当
て部)に、例えばガラス封止材12を塗布する。
ベアチップIC15には、水晶振動素子26を駆動する発振回路、水晶振動素子26の
周波数の温度補償に用いられる可変容量素子、該可変容量素子に電圧を供給する補償電圧
発生回路、データを記憶するメモリ等が構成されている。
ガラス封止材12の塗布工数を短縮するために、外周壁8の内壁8b周囲上面に予めガ
ラス封止材が塗布されたパッケージ本体5を用いてもよい。
イミド系の導電性接着剤27を塗布し、この導電性接着剤27上に水晶振動素子26を載
置し、導電性接着剤27を所定の温度で乾燥させる。
水晶振動素子26は、所定の厚さに仕上げたATカット水晶基板26aの両面に、対向
した励振電極26b、26c(図示せず)と、この励振電極26b、26cから水晶基板
26aの端部に延在する引き出し電極26d、26e(図示せず)と、を真空蒸着法等を
用いて形成する。
図1に示すようにベアチップIC15を実装したパッケージ本体5の、内壁8b上に塗
布したガラス封止材12と、裏面に水晶振動素子26を搭載した蓋部材20の環状壁23
と、を接合させると共に、パッケージ本体5の外壁8a上の端子電極10上に塗布した導
電性接着剤13と、蓋部材20の蓋本体22の周縁上に形成した端子電極24と、を接合
させるように、パッケージ本体5に蓋部材20を嵌め合せる。そして、所定の温度勾配の
加熱炉に所定の時間通すことにより、ガラス封止材12を溶融させ、水晶振動素子26と
ベアチップIC15とをパッケージ本体5内に気密封止する。このとき加熱炉に、例えば
、窒素ガスを満たすことにより、パッケージ本体5内に窒素ガスを封入することができる
。
略断面図である。
この図3に示す水晶発振器2と、図1に示した水晶発振器1と異なる点は、パッケージ
本体5のベース部7の上面に環状に突設された外周壁8’の構造、及び蓋部材20の蓋本
体22の下面から環状に突設した環状壁23’の構造である。
つまり、外周壁8’は、外壁8’aと内壁8’bとで構成されるが、図1に示した外周
壁8と異なり、内壁8’bのベース部7の上面からの高さが、外壁8’aのそれより高く
形成されている。
内壁8’bの上部にはパッド電極9a、外部電極6と導通する端子電極10が形成され
、外壁8’aの上部には蓋部材20の環状壁23’と接合するガラス封止材12が塗布さ
れている。
また、環状壁23’は、蓋本体22の周縁に沿って形成され、蓋本体22のパッド電極
21と接続する端子電極24は、環状壁23’に接して内部に形成されている。このよう
な構造のパッケージ本体5及び蓋部材20からなる水晶発振器に対しても本発明の製造方
法を適用することができる。
状に立設した外周壁8の内壁8b上、或いは外壁8a上にガラス封止材12を塗布し、ガ
ラス封止材12と、蓋部材20の蓋本体22の下面から環状に立設した環状壁23とを接
合させて、気密封止するようにしたが、外周壁8の外壁8a上、或いは内壁8b上にガラ
ス封止材12を塗布し、ガラス封止材12と、蓋部材20の蓋本体22の周縁部22a、
或いは環状壁23に接した内部の蓋本体22とを接合させて気密封止してもよい。後者の
場合は環状壁23の先端に端子電極を形成し、端子電極と圧電振動素子の引き出し電極2
6d、26eと、を内部導体により電気的に接続する必要がある。
また、図1及び図3では、ベアチップIC15の端子電極と、パッケージ本体5の端子
電極9aとをボンディングワイヤにより接続する例を示したが、ベアチップICをフリッ
プチップボンディングで接続してもよい。
また、圧電デバイスに電磁気遮蔽が求められる場合には、パッケージ本体5のベース部
7、及び蓋部材20の蓋本体22の内部に導体薄膜を挿入し、電磁気シールド用として用
いればよい。
するために、図1及び図2に付した符号を用いて説明する。始めに絶縁基板からなるパッ
ケージ本体5及び蓋部材20と、励振電極26b、26c及び引き出し電極26d、26
eを形成した水晶振動素子26と、ベアチップIC15と、を用意する。
パッケージ本体5の凹所内のパッド9上にポリイミド系の導電性接着剤を塗布し、この
導電性接着剤上にベアチップIC15を載置する。搭載したベアチップIC15の端子電
極と、パッケージ本体5の凹陥部に設けたパッド電極9aと、をボンディングワイヤにて
接続する(ICマウント)。ベアチップIC15をマウントしたパッケージ本体5を、所
定の温度の加熱炉内で所定の時間保持し、前記導電性接着剤を乾燥する。乾燥処理が終了
したパッケージ本体5を取り出し、その後、パッケージ本体5の外周壁8の内壁8a上に
ガラス封止材12を塗布する。あるいは、予めガラス封止材12を塗布したパッケージ本
体5を用意してもよい。そして、パッケージ本体5の外周壁8の外壁8a上に形成した複
数の電極10上にポリイミド系の導電性接着剤13を塗布する。
剤27、例えばポリイミド系の導電性接着剤を塗布し、その上に水晶振動素子26を載置
(マウント)する。水晶振動素子26を載置した蓋部材20を所定の温度の加熱炉内で所
定の時間保持し、導電性接着剤27を乾燥する。そして、所定の温度のアニール装置内で
所定の時間、アニール処理を行う。アニール処理は圧電基板26a、電極薄膜26b、2
6c、導電性接着剤27等に残留する歪を緩和するためである。アニール処理した後、水
晶振動素子26を所定の周波数に仕上げるため、真空装置内で励振電極26b、26c上
に微調整用の金属膜等を蒸着し、共振周波数を調整する。あるいは、励振電極から僅かに
薄膜を除去して周波数を調整してもよい。
ベアチップIC15を実装したパッケージ本体5の内壁8b上に塗布したガラス封止材
12と、水晶振動素子26を搭載した蓋部材20の環状壁23と、を接合させると共に、
パッケージ本体5の外壁8a上の端子電極10に塗布した導電性接着剤13と、蓋部材2
0の蓋本体22の周縁上の端子電極24と、接合させるように、パッケージ本体5に蓋部
材20を嵌め合せる。嵌合したパッケージ本体5及び蓋部材20を所定の温度、例えば3
50℃の加熱炉で所定の時間保持すると、パッケージ本体5の外周壁8の内壁8b上に塗
布したガラス封止材12が溶融してパッケージ本体5と蓋部材20とが気密封止されると
共に、ポリイミド系の導電性接着剤13が硬化してパッケージ本体5端子電極10と、蓋
部材20の端子電極24とが導通する。導電性のポリイミド系樹脂は350℃の高温に耐
用するように作られている。
密封封止した後、常温に戻して、圧電発振器の特性検査、例えば電気的特性を従来の手
法で検査する。
り、圧電デバイスは小型、低背化すると共に、圧電振動素子及びベアチップICはパッケ
ージ本体と蓋部材とにより完全に密封されるので、ベアチップICを樹脂でコーティング
する必要がない。コーティング剤(ポッティング剤)を用いないので、導電性接着剤のデ
ラミネーション(剥離)が生じる虞が無くなるという効果がある。また、パッケージ本体
と蓋部材とを、ポリイミド系の導電性接着剤を用いて導通接続する工程と、ガラス封止材
を用いて接合、密封する工程と、を一連の作業工程で行われるので、加熱工程を減らすこ
とが可能となり、ベアチップIC、接着剤への熱ストレスの回数が低減することができる
という利点がある。
また、パッケージ本体の外周壁の内壁面、或いは外壁面に設けた段差部の一方を電気的
接続用に、他方を気密封止用に用いることが可能であり、ガラス封止材と導電性接着剤と
が接して、導通不良、気密不良を生じるおそれが無くなるという効果がある。
…外周壁、8a、8’a…外壁、8b、8’b…内壁、9…パッド9a…パッド電極、1
0…端子電極、11…内部導体、12…ガラス封止材、13…導電性接着剤、15…ベア
チップIC、16…ボンディングワイヤ、20…蓋部材、21部品搭載パッド、22蓋本
体、22a蓋本体周縁部、23、23’環状壁、24…端子電極、25…内部導体、26
…水晶振動素子26a…圧電基板、26b、26c…励振電極、26d、26e…引出し
電極、27…導電性接着剤
Claims (3)
- 外底部に表面実装用の外部電極を有したベース部、該ベース部の上面に環状に立設され
た外周壁、及び該外周壁内に形成される凹陥部内に配置されたパッドと、を有したパッケ
ージ本体と、下面にパッドを有した蓋本体、及び該蓋本体の下面から環状に立設した環状
壁を有し、前記パッケージ本体の凹陥部を閉止する蓋部材と、を備え、前記各パッドのう
ちの一方に圧電振動素子を搭載し、他方にベアチップを搭載した圧電デバイスの製造方法
であって、
前記蓋部材の環状壁と前記パッケージ本体との突き当て部をガラス封止材により接合す
ると共に、前記パッケージ本体の外周壁と前記蓋部材との突き当て部をポリイミド系の導
電性接着剤により接合する工程と、
前記ガラス封止材と前記ポリイミド系の導電性接着剤とを加熱する工程と、
を備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 前記環状壁の下端部と、前記凹陥部内底面との間を前記ガラス封止材により接合したこ
とを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 外周壁の内壁面、或いは外壁面に設けた段差部と、前記環状壁の下端部との間を前記ガ
ラス封止材により接合したことを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。
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