JP2009302237A - Tape applying device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体基板などのウエハに、ダイシングテープなどのテープを貼り付けるためのテープ貼付装置に関する。 The present invention relates to a tape attaching device for attaching a tape such as a dicing tape to a wafer such as a semiconductor substrate.
半導体ウエハをチップ形状に分割するダイシング工程において、半導体ウエハをダイシングテープに貼り付けるマウント作業を行う。下記特許文献１のテープ貼付装置は、上部に弾性体が備え付けられた押圧機構の上に裏面が上向きの半導体ウエハを保持し、真空室内においてこの押圧機構で半導体ウエハをウエハの上側にあるダイシングテープに下から押し付け、ダイシングテープの上側に備え付けられた弾性体と挟み込むことにより半導体ウエハをダイシングテープに貼り付けている。 In the dicing process of dividing the semiconductor wafer into chips, a mounting operation for attaching the semiconductor wafer to the dicing tape is performed. The tape sticking device of Patent Document 1 below holds a semiconductor wafer with a back surface facing upward on a pressing mechanism provided with an elastic body on the upper part, and a dicing tape in which the semiconductor wafer is placed above the wafer by the pressing mechanism in a vacuum chamber. The semiconductor wafer is affixed to the dicing tape by being pressed from below and sandwiched with an elastic body provided on the upper side of the dicing tape.
下記特許文献２のテープ貼付装置は、半導体ウエハの外周を支持する凹状の中空部を有するウエハ支持台と、このウエハ支持台上にテープを展延するテープ展延手段と、テープをウエハ支持台上に載置されている半導体ウエハ上に粘着するテープ粘着手段とを有し、この凹状の中空部において加圧気体が圧入され、この加圧気体の圧力がテープ貼り付け手段の貼り付け圧力に抗して半導体ウエハにテープを貼り付けている。 The tape sticking apparatus disclosed in Patent Document 2 below includes a wafer support base having a concave hollow portion that supports the outer periphery of a semiconductor wafer, tape spreading means for spreading the tape on the wafer support base, and the tape on the wafer support base. A tape adhering means for adhering onto the semiconductor wafer placed thereon, and a pressurized gas is press-fitted in the concave hollow portion, and the pressure of the pressurized gas becomes the adhering pressure of the tape adhering means. The tape is stuck on the semiconductor wafer against this.
近年、デバイスの高機能化という観点から、ウエハの薄厚化が進んでいる。それに伴い、オモテ面や裏面に形成される金属電極などによる応力の影響を受け、テープ貼り付け前にウエハ自体が反っていたり、また自重によりウエハが撓んでいることが多い。したがって、このように反っているウエハにテープを適切に貼り付ける必要がある。 In recent years, the thickness of wafers has been reduced from the viewpoint of increasing the functionality of devices. Along with this, the wafer itself is often warped before being attached to the tape, or the wafer is bent due to its own weight due to the influence of stress caused by metal electrodes formed on the front and back surfaces. Accordingly, it is necessary to appropriately apply the tape to the wafer that is warped in this way.
特許文献１のように、弾性体を介してウエハを保持するテープ貼付装置では、ウエハを弾性体の上に載置するだけであるため、反った状態のウエハがテープと接触する際に、ウエハとテープの間に気泡が入りやすいという課題がある。 As in Patent Document 1, in a tape attaching apparatus that holds a wafer via an elastic body, since the wafer is merely placed on the elastic body, when the warped wafer comes into contact with the tape, the wafer There is a problem that air bubbles easily enter between the tape and the tape.
さらに、特許文献１のような装置では、ウエハのオモテ面に形成された電極などのパターンを下向きにして弾性体の上に載置するため、弾性体とパターンが接触する際、弾性体上の異物によってパターンが傷ついたり、ウエハが割れる可能性が高く、製品の良品率を低下させる一因となる。 Furthermore, in an apparatus such as Patent Document 1, since a pattern such as an electrode formed on the front surface of the wafer is placed on the elastic body with the surface facing downward, when the elastic body and the pattern come into contact with each other, There is a high possibility that the pattern will be damaged by the foreign material or the wafer will be broken, and this will contribute to a decrease in the yield rate of the product.
一方、特許文献２のように、オモテ面パターンが形成されていないウエハの外周を真空吸着で保持する貼り付け装置では、ウエハに反りや撓みがある場合、ウエハを外周部のみで構成される真空吸着孔を有する真空吸着機構だけで吸着・保持することは難しいという課題がある。これは、ウエハの反りが原因で真空吸着孔とウエハの間に大きな隙間が発生した場合、真空吸着機構では十分な吸着力を発生させられないためである。また、この装置構成では、大気中でテープを貼り付けるため、ウエハとテープの間に気泡が入りやすいという課題がある。 On the other hand, as in Patent Document 2, in a pasting apparatus that holds the outer periphery of a wafer on which a front surface pattern is not formed by vacuum suction, when the wafer is warped or bent, the vacuum is configured only by the outer peripheral portion. There is a problem that it is difficult to suck and hold only by a vacuum suction mechanism having suction holes. This is because when a large gap is generated between the vacuum suction hole and the wafer due to the warpage of the wafer, the vacuum suction mechanism cannot generate a sufficient suction force. Further, in this apparatus configuration, since the tape is attached in the atmosphere, there is a problem that air bubbles are easily generated between the wafer and the tape.
本発明の目的は、上記課題を解決するため、ウエハに反りや撓みがある場合でも、ウエハパターンとの接触を回避しつつ、ウエハにテープを均一に貼り付けることが可能なテープ貼付装置を提供することである。 In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a tape applicator that can evenly apply a tape to a wafer while avoiding contact with the wafer pattern even when the wafer is warped or bent. It is to be.
上記目的を達成するために、本発明に係るテープ貼付装置は、ウエハを第１主面の周縁部で支持するためのウエハ支持部と、
ウエハの第２主面側に配置され、テープを静電吸着するための静電チャックを有するテープ吸着機構とを備え、
静電チャックは、独立に上下移動可能な複数の電極を含むことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a tape applicator according to the present invention includes a wafer support for supporting a wafer at the peripheral edge of the first main surface,
A tape suction mechanism disposed on the second main surface side of the wafer and having an electrostatic chuck for electrostatically attracting the tape;
The electrostatic chuck includes a plurality of electrodes that are independently movable up and down.
本発明によれば、ウエハを第１主面の周縁部で支持することによって、第１主面に形成されたパターンとの接触を回避できるため、パターンやウエハの損傷を防止できる。また、ウエハの第２主面側では、独立に上下移動可能な複数の電極を含む静電チャックによってテープを静電吸着することによって、ウエハに反りや撓みがある場合でも、ウエハにテープを均一に貼り付けることが可能になる。 According to the present invention, since the wafer is supported by the peripheral edge portion of the first main surface, contact with the pattern formed on the first main surface can be avoided, so that damage to the pattern and the wafer can be prevented. Also, on the second main surface side of the wafer, the tape is evenly attached to the wafer even when the wafer is warped or bent by electrostatically attracting the tape with an electrostatic chuck including a plurality of electrodes that can be moved up and down independently. It becomes possible to paste on.
実施の形態１．
図１〜図５は、本発明の第１実施形態を示す構成図である。テープ貼付装置は、半導体基板やガラス基板などのウエハＷを支持するためのウエハ支持部１０と、ダイシングテープや接着テープなどのテープＴＰを保持するためのテープ吸着機構１などで構成される。
Embodiment 1 FIG.
1 to 5 are configuration diagrams showing a first embodiment of the present invention. The tape sticking apparatus includes a wafer support unit 10 for supporting a wafer W such as a semiconductor substrate or a glass substrate, and a tape suction mechanism 1 for holding a tape TP such as a dicing tape or an adhesive tape.
ウエハ支持部１０は、ウエハＷの直径とほぼ同じ外径を有する有底円筒状の支持台１１を備え、配線パターンや電極パターンが形成されたオモテ面（第１主面）を下向けに、裏面（第２主面）を上向きにした状態で、ウエハＷを周縁部で支持する。ウエハＷが支持台１１に搭載されると、ウエハＷのオモテ面と支持台１１とで囲まれた空間ＳＰ２が形成される。支持台１１の上端面には、ゴムやプラスチック等からなるリング状の弾性体１２が設けられ、これによりウエハＷとの弾性接触が得られる。こうした構成により、ウエハＷのオモテ面に形成されたパターンとの接触を回避でき、パターンやウエハの損傷を防止できる。 The wafer support unit 10 includes a bottomed cylindrical support base 11 having an outer diameter substantially the same as the diameter of the wafer W, and a front surface (first main surface) on which a wiring pattern and an electrode pattern are formed faces downward. The wafer W is supported by the peripheral edge with the back surface (second main surface) facing upward. When the wafer W is mounted on the support base 11, a space SP <b> 2 surrounded by the front surface of the wafer W and the support base 11 is formed. A ring-shaped elastic body 12 made of rubber, plastic or the like is provided on the upper end surface of the support base 11, whereby elastic contact with the wafer W is obtained. With such a configuration, contact with the pattern formed on the front surface of the wafer W can be avoided, and damage to the pattern and the wafer can be prevented.
テープ吸着機構１は、ウエハＷの裏面側に配置され、テープＴＰを静電吸着するための静電チャック４を有する。静電チャック４は、同心円状に配置され、独立に上下移動可能な複数の電極を含む。 The tape suction mechanism 1 is disposed on the back side of the wafer W and has an electrostatic chuck 4 for electrostatically attracting the tape TP. The electrostatic chuck 4 includes a plurality of electrodes arranged concentrically and independently movable up and down.
図６は、図１のＡ−Ａ’線に沿った静電チャックの断面図である。静電チャック４は、ウエハＷの直径とほぼ同じ外径を有する円形断面を有し、その中心には排気孔５が設けられ、排気孔５の周囲には、正の電極４ａと負の電極４ｂとが交互に並ぶように同心円状に配置されている。テープＴＰを保持する際、正の電極４ａと負の電極４ｂの間には、高圧電源（不図示）から供給される高電圧（例えば、０．５〜１ｋＶＤＣ）が印加される。各電極４ａ，４ｂは、周知のリニア駆動機構を用いて、図６の紙面垂直方向に個別に位置決め可能である。 FIG. 6 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck taken along the line A-A ′ of FIG. 1. The electrostatic chuck 4 has a circular cross section having an outer diameter substantially the same as the diameter of the wafer W, and an exhaust hole 5 is provided at the center thereof. A positive electrode 4 a and a negative electrode are provided around the exhaust hole 5. 4b and are arranged concentrically so as to be arranged alternately. When holding the tape TP, a high voltage (for example, 0.5 to 1 kVDC) supplied from a high-voltage power supply (not shown) is applied between the positive electrode 4a and the negative electrode 4b. Each electrode 4a, 4b can be individually positioned in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 6 using a known linear drive mechanism.
図１に戻って、テープＴＰは、ベースの片面に塗布された接着剤からなる粘着面を有し、粘着面を下向けにした状態で、ウエハＷより大きいフレーム３によって所定の張力に保持されている。静電チャック４は、テープＴＰのベース面（非粘着面）と接触して、フレーム３とともにテープＴＰを保持できる。テープＴＰには、排気孔５に対応した位置に貫通孔が予め形成されている。この貫通孔のサイズおよび数は、排気孔５と連通可能であれば任意であり、１つの排気孔５に対して２つ以上の貫通孔を設けてもよく、貫通孔のサイズは排気孔５と一致していなくても構わない。 Returning to FIG. 1, the tape TP has an adhesive surface made of an adhesive applied to one side of the base, and is held at a predetermined tension by the frame 3 larger than the wafer W with the adhesive surface facing downward. ing. The electrostatic chuck 4 can contact the base surface (non-adhesive surface) of the tape TP and hold the tape TP together with the frame 3. A through hole is previously formed in the tape TP at a position corresponding to the exhaust hole 5. The size and number of the through holes are arbitrary as long as they can communicate with the exhaust holes 5, and two or more through holes may be provided for one exhaust hole 5. Does not have to match.
静電チャック４の排気孔５は、配管２１、バルブ２２を経由して排気装置２３と接続されている。図１に示すように、ウエハＷの周縁部に相当する外側の電極だけが下降して状態でテープＴＰとウエハＷが接している場合、ウエハＷの裏面とテープＴＰとで囲まれた空間ＳＰ１が形成される。このときバルブ２２を開くことにより、テープＴＰの貫通孔および静電チャック４の排気孔５を通じて、空間ＳＰ１を排気することができる。 The exhaust hole 5 of the electrostatic chuck 4 is connected to an exhaust device 23 via a pipe 21 and a valve 22. As shown in FIG. 1, when the tape TP and the wafer W are in contact with each other with only the outer electrode corresponding to the peripheral edge of the wafer W lowered, a space SP1 surrounded by the back surface of the wafer W and the tape TP. Is formed. At this time, by opening the valve 22, the space SP1 can be exhausted through the through hole of the tape TP and the exhaust hole 5 of the electrostatic chuck 4.
次に、動作について説明する。まず、図２に示すように、静電チャック４の各電極が、支持台１１の上端面から充分離れた位置で同一平面になるように位置決めされた状態で、テープＴＰを吸着する。このとき、テープＴＰの貫通孔と静電チャック４の排気孔５とが連通するように設定する。 Next, the operation will be described. First, as shown in FIG. 2, the tape TP is adsorbed in a state where each electrode of the electrostatic chuck 4 is positioned so as to be in the same plane at a position sufficiently away from the upper end surface of the support base 11. At this time, the through hole of the tape TP and the exhaust hole 5 of the electrostatic chuck 4 are set to communicate with each other.
次に、ウエハＷを支持台１１の上に戴置する。なお、図面では理解容易のため、ウエハＷの湾曲を強調している。 Next, the wafer W is placed on the support base 11. In the drawings, the curvature of the wafer W is emphasized for easy understanding.
次に、図３に示すように、ウエハＷの周縁部に相当する外側の電極を下降させて、テープＴＰが上に凸になるように変形させる。次に、静電チャック４の各電極を均等に下降させて、図１に示すように、ウエハＷの周縁部だけがテープＴＰを介して押圧されるようにする。このとき、ウエハＷは弾性体１２によって支持されているため、ウエハＷに反りや撓みがある場合でも、ウエハＷと弾性体１２との間の密着度およびウエハＷとテープＴＰとの間の密着度は良好に保たれる。また、ウエハＷは周縁部だけで支持されるため、ウエハＷのオモテ面に形成されたパターンとの接触を回避でき、パターンやウエハの損傷を防止できる。 Next, as shown in FIG. 3, the outer electrode corresponding to the peripheral edge of the wafer W is lowered and deformed so that the tape TP is convex upward. Next, each electrode of the electrostatic chuck 4 is lowered evenly so that only the peripheral edge of the wafer W is pressed through the tape TP as shown in FIG. At this time, since the wafer W is supported by the elastic body 12, even when the wafer W is warped or bent, the degree of adhesion between the wafer W and the elastic body 12 and the adhesion between the wafer W and the tape TP. The degree is kept good. In addition, since the wafer W is supported only at the peripheral portion, contact with the pattern formed on the front surface of the wafer W can be avoided, and damage to the pattern and the wafer can be prevented.
この状態で、ウエハＷの裏面とテープＴＰとで囲まれた空間ＳＰ１の排気動作を開始する。続いて、排気中または排気完了後に、図４に示すように、静電チャック４の各電極の下降動作を外側から内側へ順番に行って、ウエハＷの外周部から中心に向かってテープＴＰをウエハＷに押圧していく。このようにウエハＷが先に保持された外周部から中心の排気孔５へ向けてテープＴＰを貼り付けることにより、テープＴＰとウエハＷの固定面積が大きくなり、テープ貼付時のウエハＷの逃げを少なくすることができ、気泡の残留を防止しつつ、テープＴＰを意図した位置に位置精度よく貼り付けることができる。 In this state, the exhaust operation of the space SP1 surrounded by the back surface of the wafer W and the tape TP is started. Subsequently, as shown in FIG. 4, during the evacuation or after the evacuation is completed, the lowering operation of each electrode of the electrostatic chuck 4 is sequentially performed from the outside to the inside, and the tape TP is moved from the outer peripheral portion of the wafer W toward the center. The wafer W is pressed. By sticking the tape TP from the outer peripheral portion where the wafer W is previously held toward the central exhaust hole 5 in this way, the fixed area between the tape TP and the wafer W increases, and the wafer W escapes when the tape is stuck. The tape TP can be attached to the intended position with high positional accuracy while preventing air bubbles from remaining.
最内周電極の下降動作が完了すると、図５に示すように、静電チャック４の通電を停止し、バルブ２２の操作により排気孔５を大気圧に戻して、静電チャック４の各電極を上昇させて、テープＴＰを解放する。 When the lowering operation of the innermost peripheral electrode is completed, as shown in FIG. 5, the energization of the electrostatic chuck 4 is stopped, and the exhaust hole 5 is returned to the atmospheric pressure by the operation of the valve 22. To release the tape TP.
このように、ウエハＷが反りや撓みを有する場合であっても、ウエハＷの外周部のみを弾性体１２に押し付けることにより、ウエハＷを平らな状態で保持することができる。そして、ウエハＷとテープＴＰとで囲まれた空間ＳＰ１を排気して、ウエハＷの外周から内側に向かって順番にテープＴＰをウエハＷに貼り付けることにより、ウエハＷのオモテ面パターンとの接触を回避しつつ、ウエハＷとテープＴＰの間に気泡を残留させることなく、テープＴＰを位置精度よく貼り付けることが可能となる。 As described above, even when the wafer W is warped or bent, the wafer W can be held in a flat state by pressing only the outer peripheral portion of the wafer W against the elastic body 12. Then, the space SP1 surrounded by the wafer W and the tape TP is evacuated, and the tape TP is attached to the wafer W in order from the outer periphery to the inner side of the wafer W, thereby making contact with the front surface pattern of the wafer W. It is possible to attach the tape TP with high positional accuracy without leaving bubbles between the wafer W and the tape TP.
実施の形態２．
図７は、本発明の第２実施形態を示す構成図である。テープ貼付装置は、ウエハＷを支持するためのウエハ支持部１０と、テープＴＰを保持するためのテープ吸着機構１などで構成される。ウエハ支持部１０、テープ吸着機構１などの全体構成は、実施の形態１と同様であるため、重複説明を省く。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 7 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. The tape applicator includes a wafer support unit 10 for supporting the wafer W, a tape suction mechanism 1 for holding the tape TP, and the like. Since the overall configuration of the wafer support unit 10 and the tape suction mechanism 1 is the same as that of the first embodiment, a duplicate description is omitted.
本実施形態では、ウエハＷのオモテ面と支持台１１とで囲まれた空間ＳＰ２の圧力を制御するための圧力制御手段が設けられる。例えば、支持台１１には、空間ＳＰ２と連通する貫通孔が設けられ、この貫通孔は、配管２４、バルブ２５を経由して配管２１と接続され、さらに配管２１、バルブ２２を経由して排気装置２３と接続されている。 In the present embodiment, a pressure control means for controlling the pressure in the space SP2 surrounded by the front surface of the wafer W and the support base 11 is provided. For example, the support base 11 is provided with a through hole communicating with the space SP <b> 2, and this through hole is connected to the pipe 21 via the pipe 24 and the valve 25, and further exhausted via the pipe 21 and the valve 22. A device 23 is connected.
空間ＳＰ２の圧力は、ウエハＷの裏面とテープＴＰとで囲まれた空間ＳＰ１の圧力と同等か、あるいは空間ＳＰ１より少し高めになるように、バルブ２５の開度を調整することが好ましい。これによりウエハＷの形状を平坦もしくは少し上に凸に厳密に制御することが可能となり、ウエハＷやテープＴＰに作用する応力の緩和を図ることができる。 It is preferable to adjust the opening of the valve 25 so that the pressure in the space SP2 is equal to or slightly higher than the pressure in the space SP1 surrounded by the back surface of the wafer W and the tape TP. Thereby, the shape of the wafer W can be strictly controlled to be flat or slightly convex upward, and the stress acting on the wafer W and the tape TP can be relaxed.
なお、空間ＳＰ２の圧力制御手段として、配管２１、バルブ２２および排気装置２３の系統とは分離して、配管２４、バルブ２５を第２の排気装置と接続するように構成しても構わない。 Note that the pressure control means for the space SP2 may be configured so that the piping 24 and the valve 25 are connected to the second exhaust device separately from the system of the piping 21, the valve 22 and the exhaust device 23.
実施の形態３．
図８は、本発明の第３実施形態を示す構成図である。テープ貼付装置は、ウエハＷを支持するためのウエハ支持部１０と、テープＴＰを保持するためのテープ吸着機構１などで構成される。ウエハ支持部１０、テープ吸着機構１、圧力制御手段などの全体構成は、実施の形態１，２と同様であるため、重複説明を省く。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 8 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention. The tape applicator includes a wafer support unit 10 for supporting the wafer W, a tape suction mechanism 1 for holding the tape TP, and the like. The overall configuration of the wafer support unit 10, the tape suction mechanism 1, the pressure control unit, and the like is the same as that of the first and second embodiments, and thus redundant description is omitted.
本実施形態では、ウエハ支持部１０に、ウエハＷを静電吸着するための第２の静電チャック３０が設けられる。支持台１１の上端面には、誘電材料からなるリング状の弾性体３１が設けられ、弾性体３１の中には、正極と負極が交互に配列した複数の電極３２が埋設されている。これらの正極および負極は、配線３３を介して高圧電源３４と接続されている。 In the present embodiment, a second electrostatic chuck 30 for electrostatically attracting the wafer W is provided on the wafer support unit 10. A ring-shaped elastic body 31 made of a dielectric material is provided on the upper end surface of the support base 11, and a plurality of electrodes 32 in which positive and negative electrodes are alternately arranged are embedded in the elastic body 31. These positive and negative electrodes are connected to a high-voltage power supply 34 via a wiring 33.
静電チャック３０の吸着動作は、ウエハＷを支持台１１の上に戴置する際に開始してもよく、あるいは静電チャック４の電極がテープＴＰを介してウエハＷを押圧する際に開始してもよい。 The chucking operation of the electrostatic chuck 30 may be started when the wafer W is placed on the support 11 or when the electrode of the electrostatic chuck 4 presses the wafer W via the tape TP. May be.
こうした静電チャック３０をウエハ支持部１０に設けることにより、ウエハＷの保持力が高くなって、ウエハＷの湾曲補正やウエハＷの位置ずれ防止が図られため、テープＴＰの貼り付け精度を向上させることができる。 Providing such an electrostatic chuck 30 on the wafer support 10 increases the holding power of the wafer W, corrects the curvature of the wafer W and prevents the wafer W from being displaced, and improves the accuracy of attaching the tape TP. Can be made.
実施の形態４．
図９は、本発明の第４実施形態を示す構成図である。テープ貼付装置は、ウエハＷを支持するためのウエハ支持部１０と、テープＴＰを保持するためのテープ吸着機構１などで構成される。ウエハ支持部１０、テープ吸着機構１、圧力制御手段、静電チャック３０などの全体構成は、実施の形態１〜３と同様であるため、重複説明を省く。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 9 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention. The tape applicator includes a wafer support unit 10 for supporting the wafer W, a tape suction mechanism 1 for holding the tape TP, and the like. Since the overall configuration of the wafer support unit 10, the tape suction mechanism 1, the pressure control unit, the electrostatic chuck 30, and the like is the same as that of the first to third embodiments, a duplicate description is omitted.
本実施形態では、静電チャック３０がウエハＷを静電吸着するときに流れる電荷量を、記憶、解析するための電荷量記憶解析部３５が配線３３に設けられる。 In the present embodiment, the wiring 33 is provided with a charge amount storage analysis unit 35 for storing and analyzing the amount of charge that flows when the electrostatic chuck 30 electrostatically attracts the wafer W.
電荷量記憶解析部３５は、吸着動作ごとに流れた電荷量を毎回記憶するメモリを備えている。そして、所定の判別値（例えば、過去１０回の吸着動作の電荷量の平均値）と今回の電荷量と比較することによって、ウエハＷや静電チャック３０への異物付着、ウエハＷの位置ずれなど、吸着動作時の異常を判定することができる。 The charge amount storage analysis unit 35 includes a memory that stores the amount of charge that flows for each adsorption operation every time. Then, by comparing a predetermined discriminant value (for example, an average value of the charge amount of the past 10 adsorption operations) with the current charge amount, foreign matter adheres to the wafer W or the electrostatic chuck 30 and the wafer W is displaced. Thus, it is possible to determine an abnormality during the suction operation.
例えば、弾性体３１上に異物が付着していると、テープＴＰをウエハＷに押圧した場合、ウエハＷが破損する可能性がある。また、ウエハＷの位置がずれたままでテープＴＰを貼り付けた場合、次のダイシング工程においてエラーが発生する。従って、吸着動作時の電荷量を監視して解析することによって、こうした破損事故やエラー発生を未然に防止できる。さらに、例えば、電荷量がテープ貼り付け累計処理枚数と連動して徐々に変化する場合、弾性体３１の劣化が考えられる。その対策として、吸着動作時の電荷量を監視して解析することによって、弾性体３１の交換やメンテナンスを正確に実施することが可能となる。 For example, if a foreign substance adheres on the elastic body 31, the wafer W may be damaged when the tape TP is pressed against the wafer W. In addition, when the tape TP is attached while the position of the wafer W is shifted, an error occurs in the next dicing process. Therefore, by monitoring and analyzing the charge amount during the adsorption operation, it is possible to prevent such damage accidents and errors. Further, for example, when the charge amount gradually changes in conjunction with the cumulative number of tapes applied, the elastic body 31 may be deteriorated. As a countermeasure, it is possible to accurately replace and maintain the elastic body 31 by monitoring and analyzing the charge amount during the adsorption operation.
実施の形態５．
図１０は、本発明の第５実施形態を示す構成図である。テープ貼付装置は、ウエハＷを支持するためのウエハ支持部１０と、テープＴＰを保持するためのテープ吸着機構１などで構成される。ウエハ支持部１０、テープ吸着機構１、圧力制御手段などの全体構成は、実施の形態１，２と同様であるため、重複説明を省く。
Embodiment 5 FIG.
FIG. 10 is a block diagram showing a fifth embodiment of the present invention. The tape applicator includes a wafer support unit 10 for supporting the wafer W, a tape suction mechanism 1 for holding the tape TP, and the like. The overall configuration of the wafer support unit 10, the tape suction mechanism 1, the pressure control unit, and the like is the same as that of the first and second embodiments, and thus redundant description is omitted.
本実施形態では、テープ吸着機構１に吸着されたテープＴＰに、貫通孔を形成するための穿孔ツール１５が設けられる。穿孔ツール１５は、静電チャック４の排気孔５の内径と同じまたはそれより小さい外径を有する刃具を有する。テープＴＰが持ち上げられた状態で、穿孔ツール１５は、静電チャック４と支持台１１の間隙に挿入され、刃具と排気孔５が整列するように位置決めされる。そして、静電チャック４の電極下降または穿孔ツール１５の上昇により、テープＴＰの孔あけが行われ、その後、穿孔ツール１５は退避する。 In the present embodiment, a punching tool 15 for forming a through hole is provided in the tape TP sucked by the tape sucking mechanism 1. The drilling tool 15 has a cutting tool having an outer diameter equal to or smaller than the inner diameter of the exhaust hole 5 of the electrostatic chuck 4. With the tape TP lifted, the drilling tool 15 is inserted into the gap between the electrostatic chuck 4 and the support base 11 and positioned so that the blade and the exhaust hole 5 are aligned. Then, when the electrode of the electrostatic chuck 4 is lowered or the punching tool 15 is raised, the tape TP is punched, and then the punching tool 15 is retracted.
こうした構成により、予めテープＴＰに貫通孔を形成する必要がなく、貫通孔と排気孔５との位置合わせが不要になり、空間ＳＰ１と排気孔５との連通を容易に達成できる。 With such a configuration, it is not necessary to previously form a through hole in the tape TP, and the alignment between the through hole and the exhaust hole 5 becomes unnecessary, and the communication between the space SP1 and the exhaust hole 5 can be easily achieved.
１ テープ吸着機構、 ３ フレーム、 ４，３０ 静電チャック、
４ａ，４ｂ，３２ 電極、 ５ 排気孔、 １０ ウエハ支持部、 １１ 支持台、
１２，３１ 弾性体、 １５ 穿孔ツール、 ２１，２４ 配管、
２２，２５ バルブ、 ２３ 排気装置、 ３５ 電荷量記憶解析部、
ＴＰ テープ、 Ｗ ウエハ。
1 tape suction mechanism, 3 frame, 4,30 electrostatic chuck,
4a, 4b, 32 electrodes, 5 exhaust holes, 10 wafer support, 11 support base,
12,31 elastic body, 15 drilling tool, 21,24 piping,
22, 25 valve, 23 exhaust device, 35 charge amount storage analysis unit,
TP tape, W wafer.
Claims (8)
ウエハの第２主面側に配置され、テープを静電吸着するための静電チャックを有するテープ吸着機構とを備え、
静電チャックは、独立に上下移動可能な複数の電極を含むことを特徴とするテープ貼付装置。 A wafer support for supporting the wafer at the peripheral edge of the first main surface;
A tape suction mechanism disposed on the second main surface side of the wafer and having an electrostatic chuck for electrostatically attracting the tape;
The electrostatic chuck includes a plurality of electrodes that can be moved up and down independently.
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