JP2009301774A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＤＰの製造方法に係わり、欠陥セルの発生を抑制する、もしくは欠陥セルの特性を正常点灯セルと同様の特性にまで改善することができ、これによってパネルの表示品位を改善させ、良品率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本ＰＤＰ製造方法では、基本的なパネルを作製する工程（Ｓ１０）、パネルの電極に電圧を印加するエージング工程（Ｓ２０）、パネルの点灯試験及び表示品位確認等を行う工程（Ｓ３０）を有し、例えば点灯試験の工程（Ｓ３０）の後に、少なくとも一回、放電ガスが封入された状態のパネルを加熱処理する工程（Ｓ４０）を有する。この加熱処理により、欠陥セルの特性が正常点灯セルと同様の特性にまで改善される。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル（Plasma display panel：ＰＤＰ）の製造方法に関し、特に、製造方法による特性の劣化や欠陥の改善に関する。

ＰＤＰは、セル（放電セル）内で生じる気体放電により発生する真空紫外線によって蛍光体を励起して可視光を得る、自発光タイプのディスプレイである。一般にＰＤＰは、駆動方法によりＤＣ（直流）型とＡＣ（交流）型に大別でき、広くはＡＣ駆動型の三電極面放電型ＰＤＰが実用化されている。このＡＣ駆動型ＰＤＰでは、前面側または背面側の基板構造体において、セルの発光量を決める表示放電（維持放電）を発生させる、陽極と陰極からなる表示電極対（Ｘ電極とＹ電極）が平行に配列される。そして、他方の基板構造体側には、表示電極対と交差するように、発光セル選択用のアドレス電極が配列される。

前面側または背面側の基板構造体に配列された表示電極対及びアドレス電極は、例えば各々が誘電体層で覆われる。また、例えば表示電極対を形成する前面基板構造体（第１構造体）側においては、誘電体層を覆うように保護膜（保護層）が形成される。

保護膜は、耐スパッタ性に優れ、且つ２次電子放出係数が高い材料が使用される。この材料の代表例としては、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）が挙げられる。

また、アドレス電極を形成する背面基板構造体（第２構造体）側において、アドレス電極を覆う誘電体層の上には、アドレス電極に対応してセルを区画する隔壁及び蛍光体（蛍光体層）が形成される。これら前面側と背面側の基板構造体を重ね合わせて周囲部が封止（封着）され、その基板間領域に、排気と共に放電ガス（例えば主にＮｅ−Ｘｅ混合ガス）が充填（導入）及び密閉化されることにより、放電空間が形成される。放電空間に対しては保護膜が露出する。

従来、上記構成のパネルを作製するパネル工程（即ち、第１構造体製造工程、第２構造体製造工程、組み立て工程、排気工程など）に次いで、パネルを安定化させる処理（エージング）を行う工程（エージング工程）、及び、パネルの点灯試験などを行う工程（点灯試験工程）を有する（図１１）。パネル作製直後は、電圧特性、光学特性ともに不安定であるため、その安定化を図るために、エージング工程では、表示電極対に所定の電圧を所定の時間だけ印加する。また、点灯試験工程では、点灯試験などにより、電圧特性、光学特性と表示品位の検査などを行う。

特開２００１−３３２１７４号公報（特許文献１）に開示されたＰＤＰ及びその製造方法においては、エージング工程によって蛍光体の劣化が生じ発光特性が低下する課題に対して、エージング工程後に、蛍光体を加熱処理する工程を追加している。この加熱処理については、パネル全体を炉内で加熱処理する方法、蛍光体が配された部分にレーザ光を照射する方法、内部空間内に熱媒体を流す方法、が記載されている。また、蛍光体の加熱温度は、３００℃以上が望ましいと記載されている。

特開２００２−１３４０２１号公報（特許文献２）には、パネルが加熱された状態で放電ガス導入されることで、吸着ガスの脱離が促進される旨が記載されている。特に加熱温度が１７０℃以上においてＭｇＯ保護膜および蛍光体から不純ガスが放出される旨が記載されている。

特開２００２−８５３６号公報（特許文献３）は、高温で放電ガス導入される旨が記載されている。封着まで組み立てられたパネルを加熱チャンバーに入れ、加熱処理（３００〜４００℃）することにより、パネル内部の放電空間の清浄化を促進させる旨が記載されている。

特開２００１−２１０２３７号公報（特許文献４）には、エージング時間、不純ガスの残留、及びＭｇＯ保護膜などに関し、エージング工程で、不純ガスの脱離を促進させるためにパネルを加熱してもよい旨が記載されている。

特開２０００−２６８７３１号公報（特許文献５）には、蛍光体の劣化に関し、封着後に、１００℃以上、３５０℃以下の温度までＰＤＰ加熱して、内部空間に水蒸気を導入する旨が記載されている。

特開２００２−１４０９８８号公報（特許文献６）には、放電空間の清浄化、放電ガス導入に関し、ＰＤＰを室温あるいは加熱炉内に設置した上で、３０℃〜４００℃程度に加熱した状態で行うようにしてもよい旨が記載されている。
特開２００１−３３２１７４号公報 特開２００２−１３４０２１号公報 特開２００２−８５３６号公報 特開２００１−２１０２３７号公報 特開２０００−２６８７３１号公報 特開２００２−１４０９８８号公報

プラズマディスプレイパネルの製造工程中には、異物（例えばフッ素系）の付着や、保護膜（一例であるＭｇＯ膜）への不純ガス等（例えばＨ_２ＯやＣＯ_２）の吸着が発生する場合がある。当該工程中に付着した異物や、保護膜（ＭｇＯ膜）への不純ガス等の吸着により、セルの点灯電圧（放電開始電圧など）が著しく上昇して不灯となる場合がある。即ち欠陥セル（不灯セル）、特性が基準（正常点灯セルの特性）に満たないセルが発生する場合がある。点灯電圧の上昇は、不純物により保護膜（ＭｇＯ膜）の２次電子放出係数の特性が劣化したことによると推測される。これにより、パネルの表示品位の低下、良品率の低下に繋がるという問題がある。

しかしながら、上記特許文献１では、放電空間内にガスが流れる開放系で処理を行うため、異物や不純ガスの吸着により保護膜の特性が劣化する恐れがある。また、蛍光体を加熱処理の対象としており３００℃以上の高温で加熱するため、劣化した保護膜の特性を改善させることはできない。さらに、エージング工程での放電後に放電ガスを一旦排出することが必要であり、製造工程が複雑化するばかりか製造コストも増大する恐れがある。

また、特許文献２〜６も、特許文献１と同様に異物や不純ガスの吸着により保護膜の特性が劣化する恐れがある。また、放電空間内の清浄化等を対象とするため、やはり保護膜の特性を改善させることはできない。さらに、エージング工程等の他の工程と同じタイミングで加熱処理を施すことは、製造工程の複雑化、製造コストの増大等の原因となる恐れがある。

本発明は以上のような問題に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、保護膜の特性を改善し、欠陥セルの発生を抑制することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記目的を達成するために、本発明の代表的な実施の形態は、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の製造方法の技術であって、以下に示す構成を有することを特徴とする。

本形態のＰＤＰ製造方法においては、前記付着した異物や不純ガス等の吸着により低下した保護膜（ＭｇＯ膜）の２次電子放出係数の特性などを改善（回復）及びその改善促進するために、従来に対する製造工程の変更を行う。即ち、本製造方法では、従来のパネル工程（組み立て、封着、排気、及び放電ガス封入などの工程を含む）、エージング工程、及び点灯試験工程などの工程において、放電ガスを封入した状態（閉鎖系）でプラズマディスプレイパネルを所定のタイミングで加熱処理する工程（加熱処理工程）を設ける。

例えば点灯試験工程の後に加熱処理工程を設け、当該工程では、例えば炉内でパネルを１５０〜２００℃程度で加熱処理する。この加熱処理工程により、セルの特性が改善する。本パネルの加熱処理は、パネルの放電空間内に放電ガスが充填された閉鎖系の状態での処理である。

更に、上記パネルの加熱処理工程よりも前に、加速試験工程を追加してもよい。本加速試験工程では、常温以上の温度でのパネルの放置により、前述の欠陥セルを顕在化させる。本工程の後に加熱処理工程を行うことで、顕在化された欠陥セルの特性が改善される。

上記構成により、パネルの基板構造体（放電空間）への異物の付着や不純ガス等の吸着によるセルの欠陥を抑制、もしくは正常点灯セルと同様の特性（状態）にまで改善する。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。即ち、本発明の代表的な実施の形態によれば、欠陥セルの発生を抑制することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１〜図６等を用いて、本発明の実施の形態１のＰＤＰ製造方法について説明する。実施の形態１は、点灯試験工程Ｓ３０の後（次）に加熱処理工程Ｓ４０等を設けるものである。図１は、実施の形態１のＰＤＰ製造方法の工程フローを示す。図２は、実施の形態１のＰＤＰ製造方法で製造するＰＤＰの断面構造例を示す。図３は、同ＰＤＰのセル構造例を示す。図４は、実施の形態１のＰＤＰ製造方法の各工程で用いる装置構成を簡単に示す。図５は、実施の形態１のＰＤＰ製造方法における加熱処理工程に関する実施例（１，２）を示す。図６は、実施の形態１のＰＤＰ製造方法の変形例を示す。

図１に示す実施の形態１のＰＤＰ製造方法（製造方法（１））の工程フローにおいて、順に、パネル工程Ｓ１０、エージング工程Ｓ２０、点灯試験工程Ｓ３０、加熱処理工程Ｓ４０、表示品位確認工程Ｓ５０を有する。

従来と同様の各工程（Ｓ１０，Ｓ２０，Ｓ３０）で所定方式のパネルを製造（作製）する。これらの工程が終了した後（次）に、加熱処理工程Ｓ４０を実行し、当該加熱処理工程Ｓ４０による結果（効果）を、次の表示品位確認工程Ｓ５０で確認し、終了する。

加熱処理工程Ｓ４０では、パネルを加熱炉（図４、炉２０３）内で、所定の加熱温度、例えば実施例（図５）として１５０℃〜２００℃で、所定時間を単位として少なくとも一回、加熱処理する。これにより、点灯試験工程Ｓ３０の後のパネル状態において仮に欠陥セルがあったとしても、加熱処理により、欠陥セルの特性が正常点灯セルと同様の特性にまで改善される。表示品位確認工程Ｓ５０では、加熱処理工程Ｓ４０による結果のパネルについて表示品位などの特性（欠陥の改善の度合いなど）を確認する。これにより、パネル製品として良品であるか不良品であるかを決める。

＜製造方法（基本）＞
図１１において、実施の形態１のＰＤＰ製造方法（図１）の工程のうち、従来のＰＤＰ製造方法と同じ基本的な部分（従来のＰＤＰ製造方法の工程）について示している。順に、パネル工程（パネル製造工程）Ｓ１０、エージング工程Ｓ２０、点灯試験工程Ｓ３０を有する。パネル工程Ｓ１０は、所定方式のパネル（ＰＤＰ）を作製する基本的な工程であり、前面基板構造体（第１構造体）製造工程Ｓ１１、背面基板構造体（第２構造体）製造工程Ｓ１２、組み立て・封着工程Ｓ１３、排気・ガス封入（導入）工程Ｓ１４などを含む。

第１構造体製造工程Ｓ１１では、基板（前面ガラス基板１３）上に、表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）、誘電体層１７、保護層（ＭｇＯ膜）１８などを順に形成する。第１構造体製造工程Ｓ１１中、保護層（ＭｇＯ膜）１８の形成は、例えば電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような当該分野で公知の薄膜プロセスにより形成できる。

第２構造体製造工程Ｓ１２では、基板（背面ガラス基板１９）上に、アドレス電極２０、誘電体層２１、隔壁２２、蛍光体２３などを順に形成する。第２構造体製造工程Ｓ１２中、蛍光体２３の形成は、例えば、蛍光体ペーストを隔壁２２間の領域にスクリーン印刷またはディスペンサを用いた方法などで塗布し、これを色別に繰り返した後、焼成することにより形成できる。

組み立て・封着工程Ｓ１３では、上記作製した第１構造体１１と第２構造体１２とを重ね合わせてその外周部を封着材４０を用いて封着（シール）する。封着材４０は、例えば低融点ガラス材料などによるペースト（フリット）から成る。外周部に封着材４０が塗布され、熱処理により固着される。

排気・ガス導入工程Ｓ１４では、パネルを、通排気孔４１（チップ管）を通じて、ガス処理系の装置（図４、排気・ガス封入装置２０１）に接続した状態において、封着により形成されたパネルの内部空間を、排気し、放電ガスを封入（導入）する。通排気孔４１を封じ切ることで内部空間が閉鎖系となり放電空間３０が構成される。

なお、製造方法の詳細に応じて、例えば外周部の封着と排気及びガス封入とを並行して行うこと等も可能である。

エージング工程Ｓ２０では、放電空間３０を含むパネルの電極を駆動回路（図４、駆動回路２０２）と接続した状態において、所定時間、電極に所要電圧を印加して当該パネルを安定化させる。例えば、数時間、表示電極対（１４，１５）に、放電を発生させるための電圧を印加して放電空間３０で放電を発生させることにより安定化させる。ここでは、例えば放電空間３０に露出する保護層（ＭｇＯ膜）１８や蛍光体２３などを含むセルの状態が安定化される。

点灯試験工程Ｓ３０では、全セルに関する点灯試験などにより、パネルの表示品位などの特性の確認などを行う。点灯試験では、例えば、パネルの表示領域（図４、表示領域３５）の全セルが所定電圧（点灯電圧）の印加により正常に点灯するかどうかを確認する。また、点灯／不灯の確認のみならず、電圧特性や、輝度や色などの光学的特性を測定して表示品位を確認する。例えば、最小維持電圧（表示領域３５全面でセルを維持放電により正常に点灯させることができる最小の電圧）を測定し、欠陥セルの有無を検出する。

なおパネル工程Ｓ１０では、外周部の封着の際の焼成処理の場合など、必要に応じて公知の加熱の工程を含むが、これは加熱処理工程Ｓ４０とは別のものである。

なお、不灯セルの発生の原因に関しては、主に、放電空間３０内における保護膜（ＭｇＯ膜）等における不純物と推測される。即ち、異物が付着しているセルの周辺領域において、不純ガスが保護膜（ＭｇＯ膜）に吸着されることにより、２次電子放出係数が著しく低下し、当該セルの放電開始電圧（点灯電圧）が高くなり、不灯セルが発生する、と推測される。

従来技術のように蛍光体の改善（特性回復）や放電ガス導入のプロセスの際には、放電空間内にガスが流れるように開放系であることが必要または望ましい。一方、本実施の形態では、加熱処理工程Ｓ４０は、放電ガスが封入された放電空間３０が閉鎖系の状態で行われる。

＜パネル断面＞
図２において、本ＰＤＰ１の基本的な構造として、前面基板構造体（第１構造体）１１と背面基板構造体（第２構造体）１２を有する。これら構造体（１１，１２）の間の領域（放電空間３０となる）に対応して、電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５、アドレス電極２０）の交差により行列状に配列される複数の表示色のセル（放電セル）を有する。

第１構造体１１において、基板（前面ガラス基板１３）上、横方向（ＤＸ）に伸びるように、セル（行）に対し平行して放電ギャップを成す表示電極対（Ｘ電極１４とＹ電極１５）と、表示電極対を覆う誘電体層１７と、誘電体層１７を覆う保護層１８とを有する。保護層１８は、ＭｇＯ膜などであり、放電空間３０に露出する。

第２構造体１２において、基板（背面ガラス基板１９）上、縦方向に伸びるように、表示色（列）ごとにアドレス電極２０が形成される。アドレス電極２０を覆うように、誘電体層２１が形成される。誘電体層２１上には、パネル垂直方向（ＤＺ）に、放電空間３０でセルを区画する隔壁２２が形成される。セル内、隔壁２２間の領域（誘電体層２１表面及び隔壁２２側面を含む）には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の表示色（列）ごとに、蛍光体２３が形成される。

前面側と背面側の基板構造体（１１，１２）の間の放電空間３０は、Ｎｅ−Ｘｅ等による放電ガスが封入された状態で密閉化される。放電空間３０に対しては、パネルの一部（例えば第２構造体１２の角隅）の通排気孔（チップ管）４１を通じて、排気及び放電ガス導入などが行われる。パネルの外周部は、低融点ガラスフリット等による封着材４０により封着される。

＜セル構造＞
図３において、パネル１のセル構造一例を示している。本例は、隔壁２２の構造として、縦方向の隔壁部（隔壁２２Ａ）及び横方向（ＤＸ）の隔壁部（隔壁２２Ｂ）を持つボックス形状の場合である。各セルは、放電空間３０において、ボックス形状の隔壁部（２２Ａ，２２Ｂ）により、放電領域（放電が起こる領域）が閉じられており、隣接セル同士での影響を受け難い構造である。

電極構造例として、表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）においては、横方向（ＤＸ）の隔壁部（２２Ｂ）よりも少しセル内側に張り出す位置に、それぞれバス電極（１４ｂ，１５ｂ）が直線状に形成されている。バス電極（１４ｂ，１５ｂ）及びアドレス電極２０は、例えばＣｒ，Ｃｕ等の金属による。そして、バス電極（１４ｂ，１５ｂ）に対してそれぞれ透明電極（１４ａ，１５ａ）が電気的に接続されている。透明電極（１４ａ，１５ａ）は、ＩＴＯ等の光透過性材料による。透明電極（１４ａ，１５ａ）は、例えば、バス電極（１４ｂ，１５ｂ）に重なる部分から、セル内側の方向に、例えばＴ字形で張り出し、それらの隣接する対で放電ギャップを形成する。

＜製造装置＞
図４において、本パネル１の製造に用いる装置などをまとめて示している。本パネル１は、図２を簡略化したものを示す。

パネル工程Ｓ１０における排気・ガス封入工程（図１１、Ｓ１４）では、通排気孔４１に対し、排気・ガス封入装置２０１が接続され、排気や放電ガス導入等のプロセスが制御される。

また、エージング工程Ｓ２０では、パネル１の表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）に対し駆動回路２０２が接続された状態において、当該電極対に所要電圧が印加される。

また、点灯試験工程Ｓ３０では、例えばパネル１の表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）に対し駆動回路２０２が接続された状態において、当該電極対に所要電圧（点灯電圧）が印加され、これによりセルが正しく点灯するかどうか等が試験される。

そして、加熱処理工程Ｓ４０では、炉２０３の中にパネル１が配置された状態で、制御装置２０４によるプロセスの制御の下、加熱処理が行われる。加熱処理の温度は、例えば、パネル１の内圧が大気圧（１０１ｋＰａ）以下となる温度（言い換えればパネルが割れない温度）、またはパネル１に使用している材料（封着材４０など）が溶解しない温度とする。

＜詳細＞
実施の形態１のＰＤＰ製造方法について詳しく説明する。前述したように、従来のＰＤＰ及びその製造方法（図１１）では、パネル工程Ｓ１０における第１構造体１１および第２構造体１２の製造工程（Ｓ１１，Ｓ１２）中に付着した異物や保護層（ＭｇＯ膜）１８への不純ガス等の吸着により、セルの点灯電圧の上昇による欠陥セル（不灯セル）が発生する場合があった。この場合、点灯試験（点灯試験工程Ｓ３０）時に当該セルが欠陥として判定（検出）され、これによって当該パネルの表示品位の低下へと繋がる。当該パネルは、欠陥セルを持ち表示品位で劣るもの（不良品）として、他のパネルと区別して扱われることになる。

また、従来、点灯試験工程Ｓ３０の後、パネル製品として長期に保管される場合がある。その場合、時間経過によって、パネルの正常セルが欠陥セルに変化することがある。

本発明者は、上記点灯試験においてセルの欠陥（欠陥セル）が発見されたパネル（表示欠陥品）を、以下のように処理することで改善できることを見出した。即ち、当該パネル（表示欠陥品）を、放電ガスを封入した閉鎖系の状態で加熱処理（Ｓ４０）することにより、当該セル（欠陥セル）が、正常セルとほぼ同等の特性を有した状態にまで回復する。即ち、当該回復したパネル（表示改善品）は、欠陥セルが無かった正常品に遜色無いものとして救済されることになる。その結果、良品率の向上が可能となる。従来では、上記表示欠陥品を不良品として除いた場合には良品率が低かったが、上記回復したパネル（表示改善品）を利用できることで良品率の向上が可能となる。

本実施の形態１では、前述の図１等に示すように、上記加熱処理として、例えば点灯試験工程Ｓ３０の後に、加熱処理工程Ｓ４０（及びその後の表示品位確認工程Ｓ５０）を設けている。加熱処理工程Ｓ４０では、少なくとも１回は、通排気口の封じを切ることなく、閉鎖系の状態でパネルを加熱処理する。

図５において、実施の形態１における実施例１，２として、加熱処理温度［℃］に対しての表示欠陥品の救済率［％］を示している。加熱処理温度に対する欠陥セルの改善度合いを示したものである。ここで示された表示欠陥品の救済率は、本特徴的な加熱処理（Ｓ４０）の効果を検証した結果である。実施例１として加熱処理温度が２００℃では救済率が８７．５％となり、実施例２として１５０℃では７５％となった。

この結果から、加熱処理温度が高い方（例えば実施例２に対して実施例１）が、欠陥セルの改善効果（救済率）が大きいことが分かる。このことは、本特徴的なパネルの加熱処理工程Ｓ４０による欠陥セルの改善が有効であることを裏付けている。

加熱処理温度は、当該温度が低いと効果が小さいので、下限は常温以上とし、上限は、条件を満たす範囲、例えば１５０℃〜２００℃にする。パネル工程Ｓ１０よりも後の工程では、加熱処理工程Ｓ４０における温度が一番高い。

また、上記実施例において、加熱処理温度の上限は、パネル１の内圧が大気圧（１０１ｋＰａ）を超えない温度（言い換えればパネルが割れない温度）であって、この条件を表す次の式（１）を満たす方が望ましい。Ｐ_０：大気圧、Ｐ_１：放電ガスの封入内圧（＝常温下でのパネル内圧）、Ｐ_２：加熱処理時のパネル内圧、Ｔ_１：放電ガス封入時のパネル温度（＝常温下でのパネル温度）、Ｔ_２：加熱処理時のパネル温度、Ｖ_１：放電ガス封入時のパネル容積（＝常温下でのパネル容積）、Ｖ_２：加熱処理時のパネルの容積、とする。

Ｐ_０＞Ｐ_２＝（Ｐ_１×Ｖ_１×Ｔ_２）／（Ｔ_１×Ｖ_２） ・・・（１）
式（１）の関係を満たす限りは、加熱処理温度が、上記実施例１で示す２００℃以上であっても構わない。または、式（１）を満たさなくても、パネルに使用している材料が溶解しない温度とすればよい。例えば、当該加熱処理温度は、前面側と背面側の基板構造体（１１，１２）を封着する封着材４０（低融点ガラスフリット等）の軟化点を超えないのであれば、上記パネル内圧が大気圧を超える温度であっても構わない。封着材４０の軟化点は、例えば４００℃である。実施例１，２は上記条件を満たしている。

不灯セル（欠陥セル）が発生したパネル状態に対して、加熱処理工程Ｓ４０を施すことで、例えば保護層（ＭｇＯ膜）１８に吸着した不純ガスが拡散し、当該不灯セルを正常セルと同様の特性（２次電子放出係数）を持つ保護層（ＭｇＯ膜）１８の質にまで回復させることができる（当該不灯セルが正常セルとなる）。

＜変形例＞
図６において、実施の形態１における変形例（製造方法（１ｂ））のフローを示している。本方法は、点灯試験工程Ｓ３０の結果の判定（Ｓ３５）に応じて次の加熱処理工程Ｓ４０を実行する場合である。パネル工程Ｓ１０における第１構造体１１や第２構造体１２の製造工程（Ｓ１１，Ｓ１２）中にフッ素系などの異物が付着した場合などにより、点灯試験工程Ｓ３０時にセルの点灯電圧が上昇することでセルの不灯等の欠陥ないし劣化が生じる。そのようなパネル（表示欠陥品）に対し加熱処理工程Ｓ４０を施す。

前記図１のフローでは、例えば、点灯試験工程Ｓ３０の結果、パネル（セル）の特性における正常または欠陥（劣化）などの状態に関わらず、次の加熱処理工程Ｓ４０を実行する。即ち、当該結果が正常であっても、潜在的な欠陥可能性（時間経過によって欠陥の状態へ変化する可能性）にも対処するため、いずれのパネルに対しても同じように加熱処理工程Ｓ４０を実行する。

一方、図６のフローでは、Ｓ３５の判定において、点灯試験工程Ｓ３０の結果における、パネル（セル）の特性における正常または欠陥（劣化）などの状態の確認に応じて、次の加熱処理工程Ｓ４０を実行するか否かを判定する。Ｓ３５で、例えば、パネルの表示領域３５の全セルのうち、欠陥セル（点灯電圧を印加して不灯となったセル）が存在した場合（Ｙ）、加熱処理工程Ｓ４０及び表示品位確認工程Ｓ５０を実行し、全セルが正常セル（所定の電圧を印加して点灯したセル）であった場合（Ｎ）、加熱処理工程Ｓ４０及び表示品位確認工程Ｓ５０を実行せずに終了する。

（実施の形態２）
実施の形態１では、点灯試験工程Ｓ３０の後に加熱処理工程Ｓ４０を行う例を示したが、他にも以下の実施の形態が可能である。図７は実施の形態２、図８は実施の形態３、図９は実施の形態４について示している。

図７に示す実施の形態２のＰＤＰ製造方法（製造方法（２））においては、パネル工程Ｓ１０とエージング工程Ｓ２０の間に加熱処理工程Ｓ４０を追加した形態である。

実施の形態２，３では、パネル（セル）における表示の欠陥（欠陥セル）が発生する恐れがあるパネルに対して、事前に、即ち点灯試験工程Ｓ３０よりも前に、当該欠陥が発生しないように加熱処理工程Ｓ４０による処置を施している。そのため、点灯試験（Ｓ３０）時における表示の欠陥（欠陥セル）の発生が少なく、良品率の向上が望める。それと共に、この場合、点灯試験（パネルの試験や特性確認などのために必要な工程）が、最後のＳ３０のように、一回で済む。一方例えば図１のフローではＳ３０，Ｓ５０と二回行っている。なお、実施の形態２，３の点灯試験工程Ｓ３０の内容では、実施の形態１の点灯試験工程Ｓ３０相当、及び表示品位確認工程Ｓ５０相当などが含まれている。

これにより、実施の形態２，３では、点灯試験（Ｓ３０）後に加熱処理（Ｓ４０）を実施する場合（実施の形態１）よりも、生産性（製造効率）に優れる利点がある。

（実施の形態３）
図８に示す実施の形態３のＰＤＰ製造方法（製造方法（３））においては、エージング工程Ｓ２０と点灯試験工程Ｓ３０の間に加熱処理工程Ｓ４０を追加した形態である。実施の形態３は、上述したように実施の形態２と同様の利点を有する。

（実施の形態４）
図１１のような従来の製造工程（Ｓ１０，Ｓ２０，Ｓ３０）においては、パネル組み立て後、点灯試験（Ｓ３０）時に欠陥セルが無く良品となったパネルであっても、当該パネルを常温雰囲気下で長期間に渡って保管した後に再度点灯させてみた所、上記欠陥セルが発生したものがみられた。これは、時間経過後に保護膜（ＭｇＯ膜）の質が変化（劣化）することで、正常セルが欠陥セルに変化したものと推測される。

そこで、図９のように、実施の形態４のＰＤＰ製造方法（製造方法（４））では、加速試験工程Ｓ６０として示すように、各工程（Ｓ１０，Ｓ２０，Ｓ３０）を通じて得られたパネルを、常温以上の環境雰囲気下で一定時間以上放置する加速試験を行う工程を追加する。本加速試験により、前もってパネル（セル）の潜在的な欠陥を顕在化させる。本方法では、加熱処理工程Ｓ４０の前、例えば図１の実施の形態１の点灯試験工程Ｓ３０の後で加熱処理工程Ｓ４０の前に、当該試験の結果（正常／欠陥）に関わらず、加速試験工程Ｓ６０を導入する。これにより、加速試験工程Ｓ６０及び加熱処理工程Ｓ４０等によって、パネルの欠陥セルを顕在化して改善処置できる。よって、従来のパネルの長期間の保管などによる欠陥セルの発生を未然に防ぐことが可能となり、長期間の保管を含めたパネルにおける表示品位の高いパネルの供給が可能となる。同様に、実施の形態２，３に対しても、加熱処理工程Ｓ４０の前に加速試験工程Ｓ６０を追加した形態とすることが可能である。

加速試験工程Ｓ６０では、例えばパネルを８０℃で一日放置する。異物の付着等の原因による不灯セル（欠陥セル）は、常温以上の雰囲気下で放置する加速試験（Ｓ６０）により、当該試験を行わない場合よりも顕在化され易く、これにより例えば不灯セルの数が増加することになる。例えば点灯試験工程Ｓ３０の後（次）に、加速試験工程Ｓ６０、加熱処理工程Ｓ４０、表示品位確認工程Ｓ５０を順に実行する。これにより、この後、当該パネルの長期間の保管が行われた場合でも、欠陥セルの発生を抑制または防止できる。

＜対象パネル＞
なお、前述した異物の付着や不純ガス等の吸着による欠陥ないし劣化は、パネル構造におけるセルを区画する隔壁（隔壁２２）の形状などによって発生頻度が異なる。例えば隔壁構造としては、縦方向の隔壁部のみを持つストレート（ストライプ）形状の構造よりも、図３に示したように、縦方向及び横方向の隔壁部（２２Ａ,２２Ｂ）を持つボックス形状の構造の方が、発生頻度が高い傾向がみられる。その理由として、ストレート形状の場合では、横方向の隔壁部が無いことにより、縦方向での隣接セルからのプライミング効果が得られ易く、且つ、不活性物質がパネル内に拡散し易いため、欠陥セルに成り難い。一方、ボックス形状の場合では、横方向の隔壁部（２２Ｂ）が有ることにより、縦方向の隣接セルからのプライミング効果が期待できず、且つ、不活性物質が拡散せずにセル（放電領域）内に留まり易いため、欠陥セルが発生し易い。

従って、特にボックス形状の隔壁２２を持つパネル構造の方が、本特徴である加熱処理工程Ｓ４０等による対象となり易い。即ち、当該パネル構造を対象とした場合、表示品位向上等の特性改善に関する高い効果が得られ易い。勿論、ストレート形状などの他のパネル構造を対象とした場合においても、相応の特性改善の効果が得られる。

＜点灯電圧＞
図１０において、上述した例えば実施の形態１における、加熱処理工程Ｓ４０の前後における点灯電圧（放電開始電圧）［Ｖ］について示している。設定電圧を例えば１７５Ｖとしたパネルの場合である。当該電圧は、点灯試験工程Ｓ３０等で測定可能である。加熱処理前では、正常セルの点灯電圧（丸印）は１６１．７Ｖ、欠陥セルの点灯電圧（四角印）は１９５．０Ｖ以上（１７５Ｖを超えているので欠陥セル）であった。それに対し、加熱処理後では、正常セルの点灯電圧（丸印）は１６０．９Ｖ、欠陥セルの点灯電圧（四角印）は１６２．６Ｖであった。加熱処理（Ｓ４０）により、正常セルの点灯電圧は殆ど変わらないが、欠陥セルの点灯電圧が大きく低下し、設定電圧を下回り、正常セルの点灯電圧と殆ど同等になったことが確認された。これにより当該パネルは良品として救済される。

以上のように、本実施の形態によれば、欠陥セルの発生を抑制する、もしくは欠陥セルの特性を正常点灯セルと同様の特性にまで改善することができ、これによってパネルの表示品位などを改善させ、良品率を向上させることができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、プラズマディスプレイ装置に利用可能である。

本発明の実施の形態１であるＰＤＰ製造方法における工程フローを示す図である。 実施の形態１のＰＤＰ製造方法で製造するＰＤＰの断面構造例を示す図である。 実施の形態１のＰＤＰ製造方法で製造するＰＤＰのセル構造例を示す図である。 実施の形態１のＰＤＰ製造方法の各工程で用いる装置構成を簡単に示す図である。 実施の形態１のＰＤＰ製造方法における加熱処理工程に関する実施例（１，２）を示す図である。 実施の形態１のＰＤＰ製造方法の変形例における工程フローを示す図である。 本発明の実施の形態２であるＰＤＰ製造方法における工程フローを示す図である。 本発明の実施の形態３であるＰＤＰ製造方法における工程フローを示す図である。 本発明の実施の形態４であるＰＤＰ製造方法における工程フローを示す図である。 （ａ），（ｂ）は、実施の形態１等のＰＤＰ製造方法における加熱処理工程の前後の点灯電圧について示す図である。 実施の形態１等のＰＤＰ製造方法の工程のうち、従来のＰＤＰ製造方法と同じ基本的な部分（従来のＰＤＰ製造方法の工程）について示す図である。

符号の説明

１…ＰＤＰ（パネル）、１１…前面基板構造体（第１構造体）、１２…背面基板構造体（第２構造体）、１３…基板（前面ガラス基板）、１４…Ｘ電極、１４ａ…透明電極、１４ｂ…バス電極、１５…Ｙ電極、１５ａ…透明電極、１５ｂ…バス電極、１７…誘電体層、１８…保護層（ＭｇＯ膜）、１９…基板（背面ガラス基板）、２０…アドレス電極、２１…誘電体層、２２，２２Ａ，２２Ｂ…隔壁、２３…蛍光体、３０…放電空間、３５…表示領域、４０…封着材、４１…通排気孔（チップ管）、２０１…排気・ガス封入装置、２０２…駆動回路、２０３…炉、２０４…制御装置。

Claims (14)

1. 前面基板と背面基板の間に放電空間を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記放電空間に放電ガスを封入して前記前面基板と前記背面基板とを封着する封着工程を備え、
   前記封着工程の後、前記前面基板と前記背面基板とが封着された状態で、前記プラズマディスプレイパネルを１５０℃以上２００℃以下の温度で加熱する加熱処理工程を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記加熱処理工程は、前記前面基板に形成された保護膜の特性を改善する工程であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
3. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記封着工程の後、前記プラズマディスプレイパネルの駆動を安定化させるエージング工程と、
   前記エージング工程の後、前記プラズマディスプレイパネルの点灯試験を行う点灯試験工程と、を更に備え、
   前記加熱処理工程を、前記封着工程と前記エージング工程の間に行うこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記封着工程の後、前記プラズマディスプレイパネルの駆動を安定化させるエージング工程と、
   前記エージング工程の後、前記プラズマディスプレイパネルの点灯試験を行う点灯試験工程と、を更に備え、
   前記加熱処理工程を、前記エージング工程と前記点灯試験工程の間に行うこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
5. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記封着工程の後、前記プラズマディスプレイパネルの駆動を安定化させるエージング工程と、
   前記エージング工程の後、前記プラズマディスプレイパネルの点灯試験を行う点灯試験工程と、を更に備え、
   前記加熱処理工程を、前記点灯試験工程の後に行うこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
6. 放電空間及び表示セル群が形成されるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記放電空間に放電ガスが封入された閉鎖系の状態となるまで、本プラズマディスプレイパネルを作製するパネル工程と、
   前記パネル工程の後の本プラズマディスプレイパネルの電極に所定電圧を所定時間印加して安定化させるエージング工程と、
   前記エージング工程の後の本プラズマディスプレイパネルの前記表示セル群に対し点灯試験及び特性確認を行う点灯試験工程と、を有し、
   前記点灯試験工程の後に、本プラズマディスプレイパネルを、前記放電空間に放電ガスが封入された閉鎖系の状態で、少なくとも一回は加熱処理する、加熱処理工程を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
7. 放電空間及び表示セル群が形成されるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記放電空間に放電ガスが封入された閉鎖系の状態となるまで、本プラズマディスプレイパネルを製造するパネル工程と、
   前記パネル工程の後の本プラズマディスプレイパネルの電極に所定電圧を所定時間印加して安定化させるエージング工程と、
   前記エージング工程の後の本プラズマディスプレイパネルの前記表示セル群に対し点灯試験及び特性確認を行う点灯試験工程と、を有し、
   前記パネル工程と前記エージング工程との間に、本プラズマディスプレイパネルを、前記放電空間に放電ガスが封入された閉鎖系の状態で、少なくとも一回は加熱処理する、加熱処理工程を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
8. 放電空間及び表示セル群が形成されるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記放電空間に放電ガスが封入された閉鎖系の状態となるまで、本プラズマディスプレイパネルを製造するパネル工程と、
   前記パネル工程の後の本プラズマディスプレイパネルの電極に所定電圧を所定時間印加して安定化させるエージング工程と、
   前記エージング工程の後の本プラズマディスプレイパネルの前記表示セル群に対し点灯試験及び特性確認を行う点灯試験工程と、を有し、
   前記エージング工程と前記点灯試験工程との間に、本プラズマディスプレイパネルを、前記放電空間に放電ガスが封入された閉鎖系の状態で、少なくとも一回は加熱処理する、加熱処理工程を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
9. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記加熱処理工程の加熱処理温度の条件は、１５０℃以上２００℃以下であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
10. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記加熱処理工程の加熱処理温度の上限の条件は、前記プラズマディスプレイパネルの内圧が大気圧を超えない温度であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
11. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記加熱処理工程の加熱処理温度の上限の条件は、前記プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板構造体と背面基板構造体とを重ね合わせて組み立て外周部を封着する工程における封着材の軟化点であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
12. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記加熱処理工程の前に、前記プラズマディスプレイパネルを常温以上の雰囲気で一定時間以上放置する加速試験の工程を設けたこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
13. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記パネル工程中に前記プラズマディスプレイパネルの放電空間に異物ないし不純物が付着したことにより、前記点灯試験工程において前記表示セルの点灯電圧が上昇することで不灯のセルが発生したパネルに対し、前記加熱処理工程を施すこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
14. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
    前記パネル工程において、前記プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板構造体と背面基板構造体とをそれぞれ作製する工程と、
    前記前面基板構造体と背面基板構造体を重ね合わせて組み立て外周部を封着する工程と、
    前記プラズマディスプレイパネルの内部空間を排気し放電ガスを封入する工程と、を有し、
    前記前面基板構造体を作製する工程において、基板上に、表示電極対、誘電体層、及び保護層を形成する各工程を有し、
    前記背面基板構造体を作製する工程において、基板上に、アドレス電極、誘電体層、前記放電空間で前記表示セル群を区画する隔壁、及び前記隔壁間に形成される蛍光体を形成する各工程を有し、
    前記隔壁の構造は、前記プラズマディスプレイパネルの表示領域の縦方向及び横方向に隔壁部を持つボックス形状を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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