JP2009301655A - Method of manufacturing magnetic recording medium - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium which attains a desired track density, without causing deterioration of the fringe characteristics. <P>SOLUTION: The method of manufacturing a magnetic recording medium includes: stacking a ferromagnetic layer, a carbon hard mask layer, and a resist leveling layer on a substrate; applying a resist onto the residue leveling layer; transferring irregular patterns on the resist, by imprinting to form a resist pattern; removing resist residue remaining in recesses of the resist pattern; patterning the residue leveling layer using the resist pattern as a mask; patterning the carbon hard mask layer , by using the resist pattern as a mask; and etching the ferromagnetic layer using the pattern of the residue leveling layer as a mask to form irregular patterns of the ferromagnetic layer. When the ferromagnetic layer is etched, the time for etching the residue leveling layer is shorter than the time for etching the ferromagnetic layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium.

近年の情報化社会において、我々が記録媒体へ記録する情報の量は増加の一途をたどっている。このため、飛躍的に高い記録容量を有する記録再生装置および記録媒体の出現が望まれている。現在、大容量かつ安価な記録媒体として需要が増加し続けているハードディスクに関しても、数年後には現行のおよそ１０倍である１平方インチあたり１テラビット以上の記録密度が必要と言われている。   In the information-oriented society in recent years, the amount of information that we record on recording media continues to increase. For this reason, the appearance of a recording / reproducing apparatus and a recording medium having a remarkably high recording capacity is desired. Even for hard disks, for which demand continues to increase as a large-capacity and inexpensive recording medium, it is said that a recording density of 1 terabit per square inch, which is about 10 times the current level, is required several years later.

現行のハードディスクに用いられている磁気記録媒体では、磁性体微粒子の多結晶体を含む薄膜の一定の領域を１ビットとして記録している。記録媒体の記録容量を上げるためには記録密度を増加させなければならない。即ち、１ビットあたりの記録に使用できる記録マークサイズを小さくしなければならない。しかし、単純に記録マークサイズを小さくすると、磁性体微粒子の形状に依存するノイズの影響が無視できなくなる。ノイズを低減するために磁性体微粒子の粒子サイズを小さくすると、熱揺らぎのために常温で記録を保持することができなくなる。   In a magnetic recording medium used for a current hard disk, a certain area of a thin film containing a polycrystalline body of magnetic fine particles is recorded as one bit. In order to increase the recording capacity of the recording medium, the recording density must be increased. That is, the recording mark size that can be used for recording per bit must be reduced. However, if the recording mark size is simply reduced, the influence of noise depending on the shape of the magnetic fine particles cannot be ignored. If the particle size of the magnetic fine particles is reduced in order to reduce noise, recording cannot be maintained at room temperature due to thermal fluctuation.

これらの問題を回避するため、予め磁性体を非磁性体によって分断し、単一の磁性ドットを単一の記録セルとして記録再生を行うディスクリートビット型パターンド媒体が提案されている。   In order to avoid these problems, there has been proposed a discrete bit type patterned medium in which a magnetic material is divided in advance by a non-magnetic material and recording / reproduction is performed using a single magnetic dot as a single recording cell.

また、ＨＤＤに組み込まれる磁気記録媒体において、隣接トラック間の干渉によりトラック密度の向上が妨げられるという問題が顕在化している。特に記録ヘッド磁界のフリンジ効果による書きにじみの低減は重要な技術課題である。この問題に対して、磁気記録層を加工して記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターンド媒体（ＤＴＲ媒体）が提案されている。ＤＴＲ媒体では、記録時に隣接トラックの情報を消去するサイドイレース現象、再生時に隣接トラックの情報を読み出すサイドリード現象などを低減できるため、トラック密度を高めることができる。したがって、ＤＴＲ媒体は高記録密度を提供しうる磁気記録媒体として期待されている。なお、パターンド媒体を広い意味で用いる場合、ディスクリートビット型パターンド媒体やＤＴＲ媒体を含むものとする。   Further, in the magnetic recording medium incorporated in the HDD, a problem that the improvement of the track density is hindered due to the interference between adjacent tracks has become apparent. In particular, reduction of writing blur due to the fringe effect of the recording head magnetic field is an important technical issue. In order to solve this problem, a discrete track type patterned medium (DTR medium) that processes a magnetic recording layer to physically separate recording tracks has been proposed. In the DTR medium, since the side erase phenomenon of erasing information on adjacent tracks during recording and the side read phenomenon of reading information on adjacent tracks during reproduction can be reduced, the track density can be increased. Therefore, the DTR medium is expected as a magnetic recording medium that can provide a high recording density. Note that when a patterned medium is used in a broad sense, it includes a discrete bit type patterned medium and a DTR medium.

ＤＴＲ媒体を含むパターンド媒体の製造にあたっては、トラックピッチを小さくすれば、トラック密度の向上ひいては記録密度の向上に直結する。トラックピッチは最終的には磁性パターンの側壁（テーパー部）の幅に依存し、側壁の幅が短いほどトラックピッチを小さくすることができる。即ち、矩形性のよい磁性パターンを形成することができれば、トラック密度を上げることができる。   In manufacturing a patterned medium including a DTR medium, if the track pitch is reduced, the track density is improved and the recording density is directly improved. The track pitch ultimately depends on the width of the side wall (tapered portion) of the magnetic pattern. The shorter the side wall width, the smaller the track pitch. That is, if a magnetic pattern with good rectangularity can be formed, the track density can be increased.

従来のパターンド媒体の製造方法においては、インプリントによってスタンパからレジストに凹凸パターンを転写し、レジストパターンをマスクとして強磁性層をエッチングして磁性パターンを形成していた。インプリントにより凹凸パターンが転写されたレジストパターンは、凹部の底に残存しているレジスト残渣のムラが大きく、残渣を除去する工程が必要である。しかし、レジストはカーボンからなる保護膜や金属である強磁性層に対して一般的にエッチング選択比が低いため、除去すべきレジスト残渣の厚さに対してレジストパターンの凸部の厚さを厚くする必要があった。このため、全体のプロセス時間が長くなるという問題があった。   In a conventional method of manufacturing a patterned medium, a concavo-convex pattern is transferred from a stamper to a resist by imprinting, and the ferromagnetic layer is etched using the resist pattern as a mask to form a magnetic pattern. The resist pattern to which the concavo-convex pattern has been transferred by imprinting has a large unevenness of the resist residue remaining on the bottom of the recess, and a step for removing the residue is necessary. However, since resists generally have a low etching selectivity with respect to a protective film made of carbon or a ferromagnetic layer made of metal, the thickness of the convex portion of the resist pattern is made thicker than the thickness of the resist residue to be removed. There was a need to do. For this reason, there was a problem that the whole process time became long.

特許文献１には、強磁性層の上に、ＴｉＮからなる第１マスク層と、Ｎｉからなる第２マスク層を形成し、その上にレジストを塗布し、インプリント法を用い、各層を順次エッチングして磁性パターンを形成する方法が記載されている。しかし、この方法では、形成される磁性パターンの側壁の幅が大きいことがわかった。このため、所望のトラック密度に設定すると、フリンジ特性が悪くなるという問題が生じる。
特許第３８４４７５５号公報 In Patent Document 1, a first mask layer made of TiN and a second mask layer made of Ni are formed on a ferromagnetic layer, a resist is applied thereon, and each layer is sequentially formed using an imprint method. A method for forming a magnetic pattern by etching is described. However, in this method, it has been found that the width of the side wall of the magnetic pattern to be formed is large. For this reason, when a desired track density is set, there arises a problem that the fringe characteristic is deteriorated.
Japanese Patent No. 3844755

本発明の目的は、磁性パターンの側壁の幅を狭くすることができ、フリンジ特性の劣化を招くことなく、所望のトラック密度を達成できる磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium that can reduce the width of the side wall of a magnetic pattern and achieve a desired track density without deteriorating fringe characteristics.

本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に強磁性層、カーボンハードマスク層、および残渣均一化層を積層し、前記残渣均一化層にレジストを塗付し、インプリントにより前記レジストに凹凸パターンを転写してレジストパターンを形成し、前記レジストパターンの凹部に残存しているレジスト残渣を除去し、前記レジストパターンをマスクとして残渣均一化層をパターニングし、前記レジストパターンをマスクとしてカーボンハードマスク層をパターニングし、前記残渣均一化層のパターンをマスクとして強磁性層をエッチングして強磁性層の凹凸パターンを形成することを含み、前記強磁性層をエッチングする際に、前記残渣均一化層のエッチング時間が前記強磁性層のエッチング時間よりも短いことを特徴とする。   A method of manufacturing a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention includes: laminating a ferromagnetic layer, a carbon hard mask layer, and a residue uniformizing layer on a substrate; applying a resist to the residue uniformizing layer; The concave / convex pattern is transferred to the resist by printing to form a resist pattern, the resist residue remaining in the concave portion of the resist pattern is removed, the residue uniformizing layer is patterned using the resist pattern as a mask, and the resist pattern Etching the ferromagnetic layer using the pattern of the residue uniformizing layer as a mask to form a concavo-convex pattern of the ferromagnetic layer, and etching the ferromagnetic layer The etching time of the residue uniformizing layer is shorter than the etching time of the ferromagnetic layer

本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を用いれば、磁性パターンの側壁の幅を狭くすることができ、フリンジ特性の劣化を招くことなく、所望のトラック密度を達成できる。   By using the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the embodiment of the present invention, the width of the side wall of the magnetic pattern can be narrowed, and a desired track density can be achieved without causing deterioration of the fringe characteristics.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１に、本発明方法を用いて製造されるパターンド媒体の一例であるＤＴＲ媒体の周方向に沿う平面図を示す。図１に示すように、パターンド媒体１の周方向に沿って、サーボ領域２と、データ領域３が交互に形成されている。サーボ領域２には、プリアンブル部２１、アドレス部２２、バースト部２３が含まれる。データ領域３にはディスクリートトラック３１が含まれる。   FIG. 1 shows a plan view along the circumferential direction of a DTR medium which is an example of a patterned medium manufactured using the method of the present invention. As shown in FIG. 1, servo areas 2 and data areas 3 are alternately formed along the circumferential direction of the patterned medium 1. The servo area 2 includes a preamble part 21, an address part 22, and a burst part 23. The data area 3 includes a discrete track 31.

図２に、本発明方法を用いて製造されるパターンド媒体の他の例であるディスクリートビット型パターンド媒体の周方向に沿う平面図を示す。このパターンド媒体では、データ領域３に磁性ドット３２が形成されている。   FIG. 2 shows a plan view along the circumferential direction of a discrete bit type patterned medium which is another example of the patterned medium manufactured by using the method of the present invention. In this patterned medium, magnetic dots 32 are formed in the data area 3.

図３（ａ）〜（ｉ）を参照して本発明の一実施形態に係るパターンド媒体の製造方法を示す。   A method for manufacturing a patterned medium according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

ガラス基板５１上に、厚さ４０ｎｍのＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層、厚さ２０ｎｍのＲｕからなる配向制御用の下地層、厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂からなる強磁性層５２、厚さ１５ｎｍのカーボン（Ｃ）ハードマスク層５３、厚さ５ｎｍのＲｕからなる残渣均一層５４を順次成膜する。ここでは、簡略化のために、軟磁性下地層および配向制御層は図示していない。残渣均一層５４上に、レジスト５５として厚さ１００ｎｍのノボラック系のフォトレジストを塗布する（図３ａ）。 On a glass substrate 51, a soft magnetic underlayer made of CoZrNb with a thickness of 40 nm, an underlayer for orientation control made of Ru with a thickness of 20 nm, a ferromagnetic layer 52 made of CoCrPt—SiO _{2 with} a thickness of 15 nm, a thickness of 15 nm A carbon (C) hard mask layer 53 and a residue uniform layer 54 made of Ru having a thickness of 5 nm are sequentially formed. Here, for simplicity, the soft magnetic underlayer and the orientation control layer are not shown. On the residue uniform layer 54, a novolac photoresist having a thickness of 100 nm is applied as a resist 55 (FIG. 3a).

レジスト５５に対向するように、たとえば図１または図２に対応する凹凸パターンが形成されたスタンパ（図示せず）を配置し、インプリントを行ってスタンパの凹凸パターンをレジスト５５に転写する（図３ｂ）。   For example, a stamper (not shown) in which a concavo-convex pattern corresponding to FIG. 1 or 2 is formed is disposed so as to face the resist 55, and imprinting is performed to transfer the concavo-convex pattern of the stamper to the resist 55 (FIG. 3b).

パターン化されたレジスト５５の凹部の底に残っているレジスト残渣を除去して、残渣均一化層５４の一部の表面を露出させる。このときの条件は、たとえばＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置により、プロセスガスとしてＯ₂を用い、ガス圧を０．１Ｐａ、コイルＲＦパワーを１００Ｗ、プラテンＲＦパワーを５０Ｗとし、エッチング時間を３０秒とする（図３ｃ）。 The resist residue remaining at the bottom of the concave portion of the patterned resist 55 is removed, and the surface of a part of the residue uniformizing layer 54 is exposed. The conditions at this time are, for example, an ICP (inductively coupled plasma) etching apparatus using O ₂ as a process gas, a gas pressure of 0.1 Pa, a coil RF power of 100 W, a platen RF power of 50 W, and an etching time of 30 seconds. (FIG. 3c).

残ったレジストパターンをマスクとして、露出した残渣均一化層５４を全膜厚５ｎｍにわたってエッチングしてＣハードマスク５３を露出させる。このときの条件は、たとえばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）イオンガンにより、プロセスガスとしてＡｒを用い、マイクロ波パワー５００Ｗ、加速電圧６００Ｖで１０秒間エッチングする（図３ｄ）。   Using the remaining resist pattern as a mask, the exposed residue uniformizing layer 54 is etched over a total thickness of 5 nm to expose the C hard mask 53. The conditions at this time are, for example, etching using Ar as a process gas by an ECR (electron cyclotron resonance) ion gun at a microwave power of 500 W and an acceleration voltage of 600 V for 10 seconds (FIG. 3d).

残ったレジストパターンをマスクとして、露出したＣハードマスク層５３を全膜厚１５ｎｍにわたってエッチングして強磁性層５２を露出させる。また、Ｃハードマスク層５３のエッチングと同時に、残存したレジストパターンを全て除去し、凸部に残った残渣均一化層５４を露出させる。このときの条件は、たとえばＲＩＥ装置により、プロセスガスとしてＯ₂ガスを用い、ガス圧を０．１Ｐａ、コイルＲＦパワーを１００Ｗ、プラテンＲＦパワーを５０Ｗとし、エッチング時間を３０秒とする（図３ｅ）。 Using the remaining resist pattern as a mask, the exposed C hard mask layer 53 is etched over a total thickness of 15 nm to expose the ferromagnetic layer 52. Simultaneously with the etching of the C hard mask layer 53, the remaining resist pattern is all removed, and the residue uniformizing layer 54 remaining on the convex portion is exposed. The conditions at this time are, for example, an RIE apparatus using O ₂ gas as a process gas, a gas pressure of 0.1 Pa, a coil RF power of 100 W, a platen RF power of 50 W, and an etching time of 30 seconds (FIG. 3e). ).

残渣均一化層５４およびＣハードマスク層５３のパターンをマスクとして、強磁性層５２を１０ｎｍだけエッチングする。また、強磁性層５２のエッチングと同時に、露出した残渣均一化層５４を全てエッチングし、凸部に残ったＣハードマスク層５３を露出させる。このときの条件は、たとえばＥＣＲイオンガンにより、プロセスガスとしてＡｒを用い、マイクロ波パワーを５００Ｗ、加速電圧を６００Ｖとして、エッチング時間を２０秒とする（図３ｆ）。   The ferromagnetic layer 52 is etched by 10 nm using the pattern of the residue uniformizing layer 54 and the C hard mask layer 53 as a mask. Simultaneously with the etching of the ferromagnetic layer 52, the exposed residue uniformizing layer 54 is all etched to expose the C hard mask layer 53 remaining on the protrusions. The conditions at this time are, for example, Ar as a process gas using an ECR ion gun, a microwave power of 500 W, an acceleration voltage of 600 V, and an etching time of 20 seconds (FIG. 3f).

凹部に残った強磁性層５２をアモルファス化して磁性を失活させ、分離領域６１を形成する。このときの条件は、たとえばＥＣＲイオンガンにより、プロセスガスとしてＨｅを用い、ガス圧を０．０４Ｐａ、マイクロ波パワーを７００Ｗ、加速電圧を４００Ｖとし、暴露時間を２００秒とする（図３ｇ）。   The ferromagnetic layer 52 remaining in the recess is made amorphous to deactivate the magnetism, thereby forming the isolation region 61. Conditions at this time are, for example, He using process gas with an ECR ion gun, a gas pressure of 0.04 Pa, a microwave power of 700 W, an acceleration voltage of 400 V, and an exposure time of 200 seconds (FIG. 3g).

残存しているＣハードマスク層５３のパターンを剥離して強磁性層５２を露出させる。このときの条件は、たとえばＩＣＰエッチング装置により、プロセスガスとしてＯ₂を用い、ガス圧を１．５Ｐａ、コイルＲＦパワーを４００Ｗ、プラテンＲＦパワーを０Ｗとし、エッチング時間を３０秒とする（図３ｈ）。 The pattern of the remaining C hard mask layer 53 is peeled off to expose the ferromagnetic layer 52. Conditions at this time are, for example, an ICP etching apparatus using O ₂ as a process gas, a gas pressure of 1.5 Pa, a coil RF power of 400 W, a platen RF power of 0 W, and an etching time of 30 seconds (FIG. 3h). ).

さらに、ＣＶＤ（化学気相堆積法）により、全面にカーボン保護膜５６を形成する（図３ｉ）。このカーボン保護膜５６上に潤滑剤（図示せず）を塗布することにより、本発明の一実施形態に係るパターンド媒体を製造する。   Further, a carbon protective film 56 is formed on the entire surface by CVD (Chemical Vapor Deposition) (FIG. 3i). By applying a lubricant (not shown) onto the carbon protective film 56, a patterned medium according to an embodiment of the present invention is manufactured.

図４（ａ）〜（ｈ）を参照して本発明の他の実施形態に係るパターンド媒体の製造方法を示す。図４（ａ）〜（ｅ）の工程は、図３（ａ）〜（ｅ）の工程と同一である。その後、残渣均一化層５４およびＣハードマスク層５３のパターンをマスクとして、強磁性層５２を全膜厚にわたってエッチングして磁性パターン５２ａを形成する。また、強磁性層５２のエッチングと同時に、露出した残渣均一化層５４を全てエッチングし、凸部に残ったＣハードマスク層５３を露出させる（図４ｆ）。残存しているＣハードマスク層５３のパターンを剥離して磁性パターン５２ａを露出させる（図４ｇ）。さらに、ＣＶＤ（化学気相堆積法）により、全面にカーボン保護膜５６を形成する（図４ｈ）。   A method for manufacturing a patterned medium according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4E are the same as the steps in FIGS. 3A to 3E. Thereafter, using the pattern of the residue uniformizing layer 54 and the C hard mask layer 53 as a mask, the ferromagnetic layer 52 is etched over the entire film thickness to form a magnetic pattern 52a. Simultaneously with the etching of the ferromagnetic layer 52, the exposed residue uniformizing layer 54 is all etched to expose the C hard mask layer 53 remaining on the protrusions (FIG. 4f). The pattern of the remaining C hard mask layer 53 is peeled to expose the magnetic pattern 52a (FIG. 4g). Further, a carbon protective film 56 is formed on the entire surface by CVD (Chemical Vapor Deposition) (FIG. 4h).

図５（ａ）〜（ｊ）を参照して本発明のさらに他の実施形態に係るパターンド媒体の製造方法を示す。図５（ａ）〜（ｇ）の工程は、図４（ａ）〜（ｇ）の工程と同一である。その後、全面に非磁性層５７を成膜する（図５ｈ）。この非磁性層５７をエッチバックして、磁性パターン５２ａ間の凹部に非磁性層５７を充填する（図５ｉ）。図５（ｈ）および（ｉ）の工程を複数回繰り返してもよい。さらに、ＣＶＤ（化学気相堆積法）により、全面にカーボン保護膜５６を形成する（図５ｊ）。   A patterned medium manufacturing method according to still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The steps of FIGS. 5A to 5G are the same as the steps of FIGS. 4A to 4G. Thereafter, a nonmagnetic layer 57 is formed on the entire surface (FIG. 5h). The nonmagnetic layer 57 is etched back to fill the recesses between the magnetic patterns 52a with the nonmagnetic layer 57 (FIG. 5i). You may repeat the process of FIG.5 (h) and (i) in multiple times. Further, a carbon protective film 56 is formed on the entire surface by CVD (Chemical Vapor Deposition) (FIG. 5j).

次に、本発明の実施形態における各工程および材料について説明する。   Next, each process and material in embodiment of this invention are demonstrated.

＜インプリント＞
媒体の表面にレジストをスピンコート法で塗布し、スタンパを押し付けることにより、レジストにスタンパのパターンを転写する。レジストとしては、たとえば一般的なノボラック系のフォトレジストを用いることができる。 <Imprint>
A resist is applied to the surface of the medium by a spin coating method, and a stamper is pressed to transfer the stamper pattern to the resist. As the resist, for example, a general novolak photoresist can be used.

サーボ情報と記録トラックに対応する凹凸パターンが形成されたスタンパの凹凸面を、レジストに対向させる。このとき、ダイセットの下板にスタンパ、基板、バッファ層を積層し、ダイセットの上板で挟み、たとえば２０００ｂａｒで６０秒間プレスする。インプリントによってレジストに形成されるパターンの凹凸高さはたとえば６０〜７０ｎｍである。この状態で約６０秒間保持することにより、排除すべきレジストを移動させる。また、スタンパにフッ素系の剥離材を塗布することで、スタンパをレジストから良好に剥離することができる。   The uneven surface of the stamper on which the uneven pattern corresponding to the servo information and the recording track is formed is opposed to the resist. At this time, a stamper, a substrate, and a buffer layer are laminated on the lower plate of the die set, sandwiched between the upper plates of the die set, and pressed at, for example, 2000 bar for 60 seconds. The unevenness height of the pattern formed on the resist by imprinting is 60 to 70 nm, for example. By holding for about 60 seconds in this state, the resist to be removed is moved. Further, by applying a fluorine-based release material to the stamper, the stamper can be favorably peeled from the resist.

＜残渣除去＞
酸素ガスＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、レジストの凹部の底に残存している残渣を除去する。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマを生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）が好適であるが、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマや、一般的な平行平板型ＲＩＥ装置を用いてもよい。 <Removal of residue>
Residue remaining at the bottom of the recess of the resist is removed by oxygen gas RIE (reactive ion etching). The plasma source is preferably ICP (Inductively Coupled Plasma) capable of generating high-density plasma at a low pressure, but ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma or a general parallel plate RIE apparatus may be used.

＜Ｃハードマスク層＞
Ｃハードマスク層は、スパッタまたはＣＶＤにより成膜することができる。Ｃハードマスク層の膜厚は４〜４０ｎｍが好ましい。Ｃハードマスク層が厚すぎると剥離の際にエッチング時間がかかり、磁性パターンの側壁にダメージを与える原因となる。Ｃハードマスク層が薄すぎると、強磁性層のエッチングの際のハードマスクとしての機能が果たせない。 <C hard mask layer>
The C hard mask layer can be formed by sputtering or CVD. The film thickness of the C hard mask layer is preferably 4 to 40 nm. If the C hard mask layer is too thick, it takes an etching time during peeling, which causes damage to the side walls of the magnetic pattern. If the C hard mask layer is too thin, it cannot function as a hard mask when the ferromagnetic layer is etched.

Ｃハードマスク層は、レジスト残渣を除去し、Ａｒイオンビームにより凹部の残渣均一化層をエッチングした後、酸素ガスを用いてエッチングすることによって良好な形状に形成することができる。また、Ｃハードマスク層のエッチングと同時に、凸部に残存しているレジストパターンを剥離する。Ｃハードマスク層のエッチングは、その下の強磁性層が露出し、かつ凸部に残存しているレジストパターンがなくなった時点で終了とする。   The C hard mask layer can be formed into a good shape by removing the resist residue, etching the residue uniformizing layer of the recess with an Ar ion beam, and then etching with oxygen gas. At the same time as the etching of the C hard mask layer, the resist pattern remaining on the convex portion is peeled off. The etching of the C hard mask layer is terminated when the underlying ferromagnetic layer is exposed and the resist pattern remaining on the convex portions is gone.

＜残渣均一化層＞
残渣均一化層には、以下のような性質を有することが要求される。１）Ｏ₂ガスを用いたレジスト残渣の除去プロセスに対して耐性があること。２）希ガスであるＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅのイオンビームを用いたエッチング、またはＡｒガス（もしくはＯ₂ガスやＮ₂ガス）のＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）によるイオンビームを用いたエッチングによって十分な速度でエッチングされること。３）Ｏ₂ガスを用いたＣハードマスク層のエッチングプロセスに対して耐性があること。４）凸部に残った残渣均一化層が、強磁性層のエッチング時に同時にエッチングされること。 <Residue homogenization layer>
The residue homogenizing layer is required to have the following properties. 1) Resistant to a resist residue removal process using O ₂ gas. 2) Etching using an ion beam of rare gases He, Ne, Ar, Kr, and Xe, or etching using an ion beam by ECR (electron cyclotron resonance) of Ar gas (or O ₂ gas or N ₂ gas) To be etched at a sufficient rate. 3) Resistant to the etching process of the C hard mask layer using O ₂ gas. 4) The residue uniformizing layer remaining on the convex portion is etched simultaneously with the etching of the ferromagnetic layer.

（４）の条件を満たすには、強磁性層をエッチングする際に、残渣均一化層のエッチング時間が強磁性層のエッチング時間よりも短いことが要求される。すなわち、残渣均一化層の膜厚／エッチングレートが、強磁性層のエッチング深さ／エッチングレートよりも小さいことが要求される。   In order to satisfy the condition (4), the etching time of the residue uniformizing layer is required to be shorter than the etching time of the ferromagnetic layer when the ferromagnetic layer is etched. That is, the film thickness / etching rate of the residue uniformizing layer is required to be smaller than the etching depth / etching rate of the ferromagnetic layer.

残渣均一化層の材料としては、各種金属材料およびセラミックスを用いることができ、
スパッタ法で成膜可能なことが好ましい。一般的には、強磁性層よりもエッチングレートが速い金属材料を用いることが好適である。強磁性層よりもエッチングレートが速い材料としては、Ａｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｇａ、Ｓｍ、Ｐｂなどが挙げられる。また、強磁性層よりもエッチングレートが遅い材料でも、強磁性層よりも十分に薄ければ使用可能である。強磁性層よりもエッチングレートが遅い材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａおよびこれらの合金が上げられる。Ａｒイオンビームにより強磁性層をエッチングする場合、残渣均一化層としてＡｒイオンに対するエッチングレートが極端に遅い材料たとえばＡｌ₂Ｏ₃やＴｉＯ_xなどを用いると、残渣均一化層の膜厚を極薄にする必要があるので、プロセスの制御上好ましくない。 As a material for the residue homogenization layer, various metal materials and ceramics can be used,
It is preferable that the film can be formed by sputtering. In general, it is preferable to use a metal material having a higher etching rate than the ferromagnetic layer. Examples of materials having an etching rate faster than that of the ferromagnetic layer include Al, Co, Ni, Ru, Cu, Ag, Au, Ir, Ga, Sm, and Pb. A material having a slower etching rate than the ferromagnetic layer can be used if it is sufficiently thinner than the ferromagnetic layer. Examples of materials having a slower etching rate than the ferromagnetic layer include Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Zn, Nb, Mo, Pd, Ta, and alloys thereof. When etching a ferromagnetic layer with an Ar ion beam, if a material having an extremely low etching rate for Ar ions, such as Al ₂ O ₃ or TiO _x , is used as the residue uniformizing layer, the thickness of the residue uniformizing layer is extremely thin. Therefore, it is not preferable in terms of process control.

＜強磁性層のエッチング＞
強磁性層をエッチングするとともに残渣均一化層の除去を行う。強磁性層のエッチングは、希ガスであるＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅのイオンビームを用いるか、またはＡｒガス（もしくはＯ₂ガスやＮ₂ガス）のＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）によるイオンビームを用いるのが好適である。強磁性層のエッチングをＣｌガス、ＣＯとＮＨ₃との混合ガスまたはメタノールを用いたＲＩＥにより行ってもよい。強磁性層のエッチングをＣＯとＮＨ₃の混合ガスまたはメタノールを用いたＲＩＥにより行う場合、残渣均一化層にはＴｉ、Ｔａ、Ｗなどを用いる。 <Etching of ferromagnetic layer>
The ferromagnetic layer is etched and the residue uniformizing layer is removed. Etching of the ferromagnetic layer uses an ion beam of He, Ne, Ar, Kr, or Xe which is a rare gas, or an ion beam by ECR (electron cyclotron resonance) of Ar gas (or O ₂ gas or N ₂ gas). Is preferably used. The ferromagnetic layer may be etched by RIE using Cl gas, a mixed gas of CO and NH ₃ , or methanol. When the ferromagnetic layer is etched by RIE using a mixed gas of CO and NH ₃ or methanol, Ti, Ta, W, or the like is used for the residue uniformizing layer.

強磁性層をエッチングする際に、強磁性層の加工深さを強磁性層の厚さよりも浅くして、一部の強磁性層を残存させてもよい。この場合、凹部に残存している強磁性層の磁性を失活させて分離領域を形成する。このように強磁性層の一部を残すようにエッチングして製造した媒体をドライブへ組み込むと、ヘッドの浮上性が良くなる。   When etching the ferromagnetic layer, the processing depth of the ferromagnetic layer may be made shallower than the thickness of the ferromagnetic layer to leave a part of the ferromagnetic layer. In this case, the separation region is formed by deactivating the magnetism of the ferromagnetic layer remaining in the recess. When the medium manufactured by etching so as to leave a part of the ferromagnetic layer is incorporated into the drive, the flying property of the head is improved.

強磁性層をエッチングする際に、強磁性層を全膜厚にわたってエッチングしてもよい。この場合、強磁性層の磁性を失活させる工程は必要ない。   When etching the ferromagnetic layer, the ferromagnetic layer may be etched over the entire thickness. In this case, the step of deactivating the magnetism of the ferromagnetic layer is not necessary.

＜磁性失活＞
強磁性層の加工深さを強磁性層の厚さよりも浅くする場合、フリンジ特性を向上させるために、凹部に残存する強磁性層の磁性を失活させる。ここで「失活」とは、磁性を完全に消失させること、または磁性を劣化させることを指す。磁性失活工程は、ガスまたは溶液を用いて行うことができる。ガスとしては、ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃、Ｏ₂、Ｎ₂などの反応性ガスおよびそれらの混合ガスが用いられる。フッ素系ガスを用いる場合、フッ素と強磁性層に含まれるＣｏとの反応生成物を除去する工程を行って。反応生成物の除去は、水洗、または水蒸気プラズマもしくはＨ₂プラズマなどの照射により行うのが好適である。Ｏ₂やＮ₂を用いた場合、Ｏ原子やＮ原子が結晶中に入り込むので、そのような除去工程は不要である。Ｏ₂ガスを用いる場合、Ｃハードマスクが同時にエッチングされるので、Ｃハードマスクを厚く成膜することが好ましい。 <Magnetic deactivation>
When the processing depth of the ferromagnetic layer is made smaller than the thickness of the ferromagnetic layer, the magnetism of the ferromagnetic layer remaining in the recess is deactivated in order to improve the fringe characteristics. Here, “deactivation” refers to complete disappearance of magnetism or deterioration of magnetism. The magnetic deactivation step can be performed using a gas or a solution. As the gas, reactive gases such as CF ₄ , SF ₆ , CHF ₃ , O ₂ , and N ₂ and a mixed gas thereof are used. When a fluorine-based gas is used, a step of removing a reaction product of fluorine and Co contained in the ferromagnetic layer is performed. The reaction product is preferably removed by washing with water or irradiation with water vapor plasma or H ₂ plasma. When O ₂ or N ₂ is used, O and N atoms enter the crystal, so that such a removal step is unnecessary. When O ₂ gas is used, the C hard mask is etched at the same time, so it is preferable to form a thick C hard mask.

強磁性層の磁性を失活させるために、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの希ガスを用いてもよい。この場合、磁性の失活は結晶構造の破壊によって引き起こされるため、反応生成物は生じない。希ガスを用いる場合、強磁性層のエッチングと磁性失活とを同時に行うこともできる。   In order to deactivate the magnetism of the ferromagnetic layer, a rare gas such as He, Ne, Ar, Kr, or Xe may be used. In this case, since the deactivation of magnetism is caused by the destruction of the crystal structure, no reaction product is generated. When a rare gas is used, the etching of the ferromagnetic layer and the magnetic deactivation can be performed simultaneously.

強磁性層の磁性を失活させるために、フッ酸、塩酸、硝酸、スルファミン酸などの酸を用いてウェットエッチングを行ってもよい。   In order to deactivate the magnetism of the ferromagnetic layer, wet etching may be performed using an acid such as hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, or sulfamic acid.

＜レジスト剥離＞
強磁性層のエッチング（および必要であれば磁性失活工程）後、Ｃハードマスクの剥離を行う。Ｃハードマスクは、酸素アッシング装置、ＩＣＰエッチング装置、ＲＩＥ装置などで容易に剥離することができる。Ｃハードマスクの厚さに対して剥離時間を長くとりすぎると、強磁性層が酸化によるダメージを受け、Ｓ／Ｎが悪化するため好ましくない。レジスト剥離後、Ａｒなどのイオンビームによりエッチングして酸化層を剥離してもよい。 <Resist stripping>
After etching the ferromagnetic layer (and magnetic deactivation step if necessary), the C hard mask is peeled off. The C hard mask can be easily removed with an oxygen ashing apparatus, an ICP etching apparatus, an RIE apparatus, or the like. If the peeling time is too long with respect to the thickness of the C hard mask, the ferromagnetic layer is damaged by oxidation and S / N deteriorates, which is not preferable. After the resist is stripped, the oxide layer may be stripped by etching with an ion beam such as Ar.

＜凹部への埋め込み＞
レジスト剥離後、非磁性材料で凹部の埋め込みを行ってもよい。非磁性材料をバイアススパッタ法または通常のスパッタ法で成膜して埋め込みを行う。非磁性材料としては、無機物、金属、それらの酸化物や窒化物、たとえばＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＣ−Ｃ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ、Ａｌ_xＯ_y、Ｔｉ、ＴｉＯ_x、Ｒｕ、Ｐｄ、ＮｉＮｂ、ＮｉＮｂＴｉ、ＮｉＴａ、ＮｉＳｉ、Ｚｒ、ＺｒＯ_x、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣＮの単体または混合物が挙げられる。バイアススパッタ法は、基板にバイアスをかけながらスパッタ成膜する方法で、容易に凹部を埋め込みながら成膜できる。しかし、基板バイアスによる基板の溶解、スパッタダストが生じやすいので、通常のスパッタ法を用いるのが好適である。ＲＦスパッタを用いることもできるが、膜厚に分布が生じやすいため、ＤＣスパッタを用いることが好ましい。 <Embedded in recess>
After removing the resist, the recess may be filled with a nonmagnetic material. A non-magnetic material is deposited by bias sputtering or normal sputtering and embedded. Nonmagnetic materials include inorganic materials, metals, oxides and nitrides thereof, such as Si, SiC, SiC-C, SiOC, SiON, Si ₃ N ₄ , Al, Al _x O _y , Ti, TiO _x , Ru, Pd, NiNb, NiNbTi, NiTa, NiSi, Zr, ZrO _x , W, Ta, Cr, CrN, CN alone or a mixture may be mentioned. The bias sputtering method is a method of forming a sputtering film while applying a bias to the substrate, and can easily form a film while filling a concave portion. However, since the substrate is easily melted and sputter dust is generated by the substrate bias, it is preferable to use a normal sputtering method. Although RF sputtering can be used, it is preferable to use DC sputtering because the film thickness tends to be distributed.

＜平坦化エッチバック＞
埋め込みを行った場合、強磁性層（または必要に応じて強磁性層上に形成されているカーボン保護膜）が露出するまでエッチバックを行う。このエッチバックプロセスは、イオンミリングを用いることが望ましいが、ＳｉＯ₂などのシリコン系埋め込み材料を用いた場合には、フッ素系ガスを用いたＲＩＥを用いて行うことも可能である。ＥＣＲイオンガンを用いてエッチバックを行ってもよい。エッチバックのプロセスガスにＯ₂を混合すると、表面を改質しながらエッチバックを行うことができる。Ｏ₂ガス分圧が１％未満では改質が進まず所望の効果が得られない。Ｏ₂ガス分圧が７０％を超えるとカーボン保護膜の表面が荒れるので好ましくない。 <Flatening etchback>
When embedding is performed, etching back is performed until the ferromagnetic layer (or the carbon protective film formed on the ferromagnetic layer as necessary) is exposed. This etch back process is desirably performed by ion milling, but can be performed by RIE using a fluorine-based gas when a silicon-based embedded material such as SiO ₂ is used. Etch back may be performed using an ECR ion gun. When O ₂ is mixed with the etch back process gas, the etch back can be performed while modifying the surface. If the O ₂ gas partial pressure is less than 1%, the reforming does not proceed and the desired effect cannot be obtained. If the O ₂ gas partial pressure exceeds 70%, the surface of the carbon protective film becomes rough, which is not preferable.

＜表面保護膜形成および後処理＞
最後にＣ保護膜の形成を行う。Ｃ保護膜は、凹凸へのカバレッジを良くするためにＣＶＤ法で成膜することが望ましいが、スパッタ法または真空蒸着法で成膜してもよい。ＣＶＤ法でＣ保護膜を形成した場合、ｓｐ³結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が形成される。Ｃ保護膜の膜厚は、２ｎｍ未満だとカバレッジが悪くなり、１０ｎｍを超えると記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってＳＮＲが低下するので好ましくない。また、保護膜上に、潤滑剤を塗布する。潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。 <Surface protection film formation and post-treatment>
Finally, a C protective film is formed. The C protective film is desirably formed by a CVD method in order to improve the coverage to unevenness, but may be formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method. When the C protective film is formed by the CVD method, a DLC film containing a large amount of sp ³ bonded carbon is formed. If the thickness of the C protective film is less than 2 nm, the coverage is poor, and if it exceeds 10 nm, the magnetic spacing between the recording / reproducing head and the medium increases and the SNR decreases, which is not preferable. A lubricant is applied on the protective film. As the lubricant, for example, perfluoropolyether, fluorinated alcohol, fluorinated carboxylic acid, or the like can be used.

＜基板＞
基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラスおよび結晶化ガラスが挙げられる。アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが挙げられる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスが挙げられる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが挙げられる。基板としては、上述した金属基板や非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。 <Board>
As the substrate, for example, a glass substrate, an Al alloy substrate, a ceramic substrate, a carbon substrate, a Si single crystal substrate having an oxidized surface, or the like can be used. Examples of the glass substrate include amorphous glass and crystallized glass. Examples of the amorphous glass include general-purpose soda lime glass and aluminosilicate glass. Examples of crystallized glass include lithium-based crystallized glass. Examples of the ceramic substrate include sintered bodies mainly composed of general-purpose aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, etc., and fiber reinforced products thereof. As the substrate, a substrate in which a NiP layer is formed on the surface of the above-described metal substrate or non-metal substrate using a plating method or a sputtering method can also be used.

以下においては、基板上への薄膜の形成方法としてスパッタリングのみを記載しているが、真空蒸着や電解メッキなどでも同様の効果を得ることができる。   In the following, only sputtering is described as a method for forming a thin film on a substrate, but the same effect can be obtained by vacuum deposition, electrolytic plating, or the like.

＜軟磁性下地層＞
軟磁性下地層（ＳＵＬ）は、垂直磁磁気記録層を磁化するための単磁極ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる作用を有する。軟磁性下地層には、Ｆｅ、ＮｉまたはＣｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。軟磁性下地層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。Ｃｏ合金には８０ａｔ％以上のＣｏが含まれることが好ましい。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示すとともに、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂおよびＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。 <Soft magnetic underlayer>
The soft magnetic underlayer (SUL) has a part of the function of the magnetic head for passing a recording magnetic field from a single magnetic pole head for magnetizing the perpendicular magnetic recording layer in the horizontal direction and returning it to the magnetic head side. In addition, a steep and sufficient vertical magnetic field is applied to the recording layer of the magnetic field to improve the recording / reproducing efficiency. For the soft magnetic underlayer, a material containing Fe, Ni, or Co can be used. Examples of such materials include FeCo alloys such as FeCo and FeCoV, FeNi alloys such as FeNi, FeNiMo, FeNiCr, and FeNiSi, FeAl alloys, FeSi alloys such as FeAl, FeAlSi, FeAlSiCr, FeAlSiTiRu, and FeAlO. Examples thereof include FeTa, FeTaC, and FeTaN, and FeZr alloys such as FeZrN. It is also possible to use a material having a fine structure such as FeAlO, FeMgO, FeTaN, FeZrN or the like having a granular structure in which fine crystal particles are dispersed in a matrix containing Fe of 60 at% or more. As another material of the soft magnetic underlayer, a Co alloy containing Co and at least one of Zr, Hf, Nb, Ta, Ti, and Y can be used. The Co alloy preferably contains 80 at% or more of Co. In such a Co alloy, an amorphous layer is easily formed when it is formed by sputtering. Since the amorphous soft magnetic material does not have magnetocrystalline anisotropy, crystal defects, and grain boundaries, it exhibits very excellent soft magnetism and can reduce the noise of the medium. Examples of suitable amorphous soft magnetic materials include CoZr, CoZrNb, and CoZrTa-based alloys.

軟磁性下地層の下に、軟磁性下地層の結晶性の向上または基板との密着性の向上のために、さらに下地層を設けてもよい。こうした下地層の材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。軟磁性下地層と記録層との間に、非磁性体からなる中間層を設けてもよい。中間層は、軟磁性下地層と記録層との交換結合相互作用を遮断し、記録層の結晶性を制御する、という２つの作用を有する。中間層の材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。   An underlayer may be further provided under the soft magnetic underlayer in order to improve the crystallinity of the soft magnetic underlayer or the adhesion to the substrate. As a material for such an underlayer, Ti, Ta, W, Cr, Pt, alloys containing these, or oxides or nitrides thereof can be used. An intermediate layer made of a nonmagnetic material may be provided between the soft magnetic underlayer and the recording layer. The intermediate layer has two functions of blocking the exchange coupling interaction between the soft magnetic underlayer and the recording layer and controlling the crystallinity of the recording layer. As the material for the intermediate layer, Ru, Pt, Pd, W, Ti, Ta, Cr, Si, alloys containing these, or oxides or nitrides thereof can be used.

スパイクノイズ防止のために軟磁性下地層を複数の層に分け、０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挿入することで反強磁性結合させてもよい。また、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持つ硬磁性膜またはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させてもよい。交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に磁性膜（たとえばＣｏ）または非磁性膜（たとえばＰｔ）を積層してもよい。   In order to prevent spike noise, the soft magnetic underlayer may be divided into a plurality of layers and antiferromagnetically coupled by inserting Ru of 0.5 to 1.5 nm. Further, a hard magnetic film having in-plane anisotropy such as CoCrPt, SmCo, or FePt, or a pinned layer made of an antiferromagnetic material such as IrMn or PtMn may be exchange-coupled with the soft magnetic layer. In order to control the exchange coupling force, a magnetic film (for example, Co) or a nonmagnetic film (for example, Pt) may be stacked on and under the Ru layer.

＜強磁性層＞
垂直磁気記録層としては、Ｃｏを主成分とし、少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含む材料を用いることが好ましい。垂直磁気記録層は、必要に応じて、Ｃｒを含んでいてもよい。酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号ノイズ比（ＳＮ比）を得ることができる。このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。 <Ferromagnetic layer>
As the perpendicular magnetic recording layer, it is preferable to use a material mainly containing Co, containing at least Pt, and further containing an oxide. The perpendicular magnetic recording layer may contain Cr as necessary. As the oxide, silicon oxide and titanium oxide are particularly preferable. In the perpendicular magnetic recording layer, magnetic particles (crystal grains having magnetism) are preferably dispersed in the layer. The magnetic particles preferably have a columnar structure penetrating the perpendicular magnetic recording layer vertically. By forming such a structure, the orientation and crystallinity of the magnetic particles in the perpendicular magnetic recording layer are improved, and as a result, a signal noise ratio (SN ratio) suitable for high density recording can be obtained. In order to obtain such a structure, the amount of oxide to be contained is important.

垂直磁気記録層の酸化物含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましく、５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。垂直磁気記録層の酸化物含有量として上記範囲が好ましいのは、垂直磁気記録層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を分離させ、微細化させることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号ノイズ比（ＳＮ比）が得られなくなるため好ましくない。   The oxide content of the perpendicular magnetic recording layer is preferably 3 mol% or more and 12 mol% or less, and more preferably 5 mol% or more and 10 mol% or less with respect to the total amount of Co, Cr, and Pt. The above range is preferable as the oxide content of the perpendicular magnetic recording layer because, when the perpendicular magnetic recording layer is formed, oxide is deposited around the magnetic particles, and the magnetic particles can be separated and refined. It is. When the oxide content exceeds the above range, the oxide remains in the magnetic particles, and the orientation and crystallinity of the magnetic particles are impaired. This is not preferable because a columnar structure in which magnetic particles penetrate vertically through the perpendicular magnetic recording layer is not formed. When the oxide content is less than the above range, separation and refinement of magnetic particles are insufficient, resulting in increased noise during recording and reproduction, and a signal-to-noise ratio (SN ratio) suitable for high-density recording. Since it cannot be obtained, it is not preferable.

垂直磁気記録層のＣｒ含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましく、１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下であることがより好ましい。Ｃｒ含有量として上記範囲が好ましいのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるためである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。   The Cr content of the perpendicular magnetic recording layer is preferably 0 at% or more and 16 at% or less, and more preferably 10 at% or more and 14 at% or less. The above range is preferable as the Cr content because the uniaxial crystal magnetic anisotropy constant Ku of the magnetic particles is not lowered too much, and high magnetization is maintained, resulting in recording / reproduction characteristics suitable for high-density recording and sufficient heat. This is because fluctuation characteristics can be obtained. When the Cr content exceeds the above range, Ku of the magnetic particles becomes small, so the thermal fluctuation characteristics deteriorate, and the crystallinity and orientation of the magnetic particles deteriorate, resulting in poor recording / reproducing characteristics. Therefore, it is not preferable.

垂直磁気記録層のＰｔ含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量として上記範囲が好ましいのは、垂直磁性層に必要なＫｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるためである。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性に十分なＫｕが得られないため好ましくない。   The Pt content in the perpendicular magnetic recording layer is preferably 10 at% or more and 25 at% or less. The above range for the Pt content is preferable because Ku required for the perpendicular magnetic layer is obtained, and the crystallinity and orientation of the magnetic particles are good. As a result, thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording, recording / reproduction This is because characteristics can be obtained. When the Pt content exceeds the above range, an fcc structure layer is formed in the magnetic particles, and the crystallinity and orientation may be impaired. When the Pt content is less than the above range, it is not preferable because sufficient Ku for thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording cannot be obtained.

垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進し、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。   The perpendicular magnetic recording layer contains at least one element selected from B, Ta, Mo, Cu, Nd, W, Nb, Sm, Tb, Ru, and Re in addition to Co, Cr, Pt, and oxide. Can do. By including the above elements, it is possible to promote miniaturization of magnetic particles or improve crystallinity and orientation, and to obtain recording / reproducing characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for higher density recording. The total content of the above elements is preferably 8 at% or less. If it exceeds 8 at%, phases other than the hcp phase are formed in the magnetic particles, so that the crystallinity and orientation of the magnetic particles are disturbed, resulting in recording / reproduction characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for high-density recording. Since it is not possible, it is not preferable.

垂直磁気記録層としては、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ならびにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することもできる。   The perpendicular magnetic recording layer is composed mainly of at least one selected from the group consisting of CoPt alloys, CoCr alloys, CoPtCr alloys, CoPtO, CoPtCrO, CoPtSi, CoPtCrSi, and Pt, Pd, Rh, and Ru. A multilayer structure of an alloy and Co, and CoCr / PtCr, CoB / PdB, CoO / RhO, etc., to which Cr, B, and O are added can also be used.

垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは５ないし６０ｎｍ、より好ましくは１０ないし４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置を作製することができる。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。   The thickness of the perpendicular magnetic recording layer is preferably 5 to 60 nm, more preferably 10 to 40 nm. Within this range, a magnetic recording / reproducing apparatus suitable for a higher recording density can be produced. If the thickness of the perpendicular magnetic recording layer is less than 5 nm, the reproduction output tends to be too low and the noise component tends to be higher. If the thickness of the perpendicular magnetic recording layer exceeds 40 nm, the reproduction output tends to be too high and the waveform tends to be distorted. The coercive force of the perpendicular magnetic recording layer is preferably 237000 A / m (3000 Oe) or more. When the coercive force is less than 237000 A / m (3000 Oe), the thermal fluctuation resistance tends to be inferior. The perpendicular squareness ratio of the perpendicular magnetic recording layer is preferably 0.8 or more. When the vertical squareness ratio is less than 0.8, the thermal fluctuation resistance tends to be inferior.

＜保護膜＞
保護膜は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。保護膜の材料としては、たとえばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂を含むものが挙げられる。保護膜の厚さは１ないし１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。カーボンは、ｓｐ²結合炭素（グラファイト）とｓｐ³結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ³結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、ｓｐ²結合炭素とｓｐ³結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。ｓｐ³結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護膜として利用されている。ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によるＤＬＣの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってＤＬＣを生成させるため、条件を合わせることで、よりｓｐ³結合炭素に富んだＤＬＣを形成することができる。 <Protective film>
The protective film is provided for the purpose of preventing corrosion of the perpendicular magnetic recording layer and preventing damage to the medium surface when the magnetic head contacts the medium. Examples of the material for the protective film include those containing C, SiO ₂ , and ZrO ₂ . The thickness of the protective film is preferably 1 to 10 nm. Thereby, the distance between the head and the medium can be reduced, which is suitable for high-density recording. Carbon can be classified into sp ² bonded carbon (graphite) and sp ³ bonded carbon (diamond). The sp ³ -bonded carbon is superior in durability and corrosion resistance, but the surface smoothness is inferior to that of graphite because it is crystalline. Usually, the carbon film is formed by sputtering using a graphite target. In this method, amorphous carbon in which sp ² bonded carbon and sp ³ bonded carbon are mixed is formed. The one with a large proportion of sp ³ -bonded carbon is called diamond-like carbon (DLC), which has excellent durability and corrosion resistance, and since it is amorphous, it also has excellent surface smoothness, so it is used as a surface protective film for magnetic recording media. ing. In DLC film formation by CVD (chemical vapor deposition), the source gas is excited and decomposed in plasma to generate DLC by chemical reaction. Therefore, DLC richer in sp ³ -bonded carbon can be obtained by adjusting the conditions. Can be formed.

図６に本発明の実施形態に係る磁気記録装置（ハードディスクドライブ）の斜視図を示す。この磁気記録装置は、筐体７０の内部に、上記の磁気記録媒体７１と、磁気記録媒体７１を回転させるスピンドルモータ７２と、磁気ヘッドを組み込んだヘッドスライダ７６と、ヘッドスライダ７６を支持する、サスペンション７５およびアクチュエータアーム７４を含むヘッドサスペンションアッセンブリと、ヘッドサスペンションアッセンブリのアクチュエータとしてのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７と、回路基板とを備えている。   FIG. 6 is a perspective view of a magnetic recording apparatus (hard disk drive) according to an embodiment of the present invention. This magnetic recording apparatus supports the magnetic recording medium 71, the spindle motor 72 that rotates the magnetic recording medium 71, a head slider 76 incorporating a magnetic head, and the head slider 76 inside the housing 70. A head suspension assembly including a suspension 75 and an actuator arm 74, a voice coil motor (VCM) 77 as an actuator of the head suspension assembly, and a circuit board are provided.

磁気記録媒体７１はスピンドルモータ７２によって回転される。ヘッドスライダ７６にはライトヘッドとリードヘッドを含む磁気ヘッドが組み込まれている。アクチュエータアーム７４はピボット７３に回動自在に取り付けられている。アクチュエータアーム７４の一端にサスペンション７５が取り付けられる。ヘッドスライダ７６はサスペンション７５に設けられたジンバルを介して弾性支持されている。アクチュエータアーム７４の他端にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７が設けられている。ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７はアクチュエータアーム７４にピボット７３周りの回転トルクを発生させ、磁気ヘッドを磁気記録媒体７１の任意の半径位置上に浮上した状態で位置決めする。回路基板はヘッドＩＣを備え、アクチュエータの駆動信号および磁気ヘッドを読み書き制御するための制御信号などを生成する。   The magnetic recording medium 71 is rotated by a spindle motor 72. The head slider 76 incorporates a magnetic head including a write head and a read head. The actuator arm 74 is rotatably attached to the pivot 73. A suspension 75 is attached to one end of the actuator arm 74. The head slider 76 is elastically supported via a gimbal provided on the suspension 75. A voice coil motor (VCM) 77 is provided at the other end of the actuator arm 74. A voice coil motor (VCM) 77 causes the actuator arm 74 to generate a rotational torque around the pivot 73 and positions the magnetic head in a state where it floats on an arbitrary radial position of the magnetic recording medium 71. The circuit board includes a head IC, and generates a drive signal for the actuator and a control signal for reading and writing control of the magnetic head.

実施例１
図１に示したようなサーボパターン（プリアンブル、アドレス、バースト）およびディスクリートトラックに対応する凹凸パターンが形成されたスタンパを用いて、図４に示した方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Example 1
A DTR medium was manufactured by the method shown in FIG. 4 using a stamper on which a concave / convex pattern corresponding to servo patterns (preamble, address, burst) and discrete tracks as shown in FIG. 1 was formed.

基板上に、厚さ１５ｎｍの強磁性層、厚さ１５ｎｍのＣハードマスク層、厚さ１５ｎｍのＲｕからなる残渣均一化層を積層した。インプリントレジストとしてノボラック系フォトレジストを使用した。スタンパの凸部の高さは７０ｎｍ、インプリント後のレジストパターンの凸部の高さは６０ｎｍであった。   On the substrate, a 15 nm thick ferromagnetic layer, a 15 nm thick C hard mask layer, and a 15 nm thick Ru uniform layer were laminated. A novolak photoresist was used as the imprint resist. The height of the stamper convex portion was 70 nm, and the height of the convex portion of the resist pattern after imprinting was 60 nm.

ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、レジスト残渣を残渣均一化層に達するまで除去した。ガス流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧を０．１Ｐａ、コイルＲＦパワーを１００Ｗ、プラテンＲＦパワーを５０Ｗとして３０秒間エッチングを行った。ＡＦＭによりレジストの底が平坦になっていることを確認した。 The resist residue was removed with an ICP etching apparatus using O ₂ gas until the residue reached the residue homogenization layer. Etching was performed for 30 seconds with a gas flow rate of 20 sccm, a gas pressure of 0.1 Pa, a coil RF power of 100 W, and a platen RF power of 50 W. It was confirmed by AFM that the bottom of the resist was flat.

ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、残渣均一化層をエッチングした。ガス圧を０．０４Ｐａ、プラズマパワーを５００Ｗ、加速電圧を６００Ｖとして３０秒間エッチングを行い、凹部に露出していた厚さ１５ｎｍのＲｕからなる残渣均一化層を完全に除去した。   The residue uniformizing layer was etched using an Ar ion beam with an ECR ion gun. Etching was performed for 30 seconds with a gas pressure of 0.04 Pa, a plasma power of 500 W, and an acceleration voltage of 600 V, thereby completely removing the 15 nm thick Ru uniform layer exposed in the recesses.

ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、凹部のＣハードマスクを強磁性層が露出するまでエッチングした。また、Ｃハードマスクのエッチングと同時に、残存したレジストパターンを全て除去し、凸部に残った残渣均一化層を露出させた。エッチング条件はレジスト残渣除去工程と同じであった。 The C hard mask in the recesses was etched using O ₂ gas with an ICP etching apparatus until the ferromagnetic layer was exposed. Simultaneously with the etching of the C hard mask, the remaining resist pattern was all removed, and the residue uniformizing layer remaining on the protrusions was exposed. Etching conditions were the same as those in the resist residue removing step.

次に、ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、凹部の強磁性層を全膜厚の１５ｎｍにわたってエッチングした。エッチング条件は残渣均一化層のエッチング工程と同じであった。この時、凹部の強磁性層と同時に、凸部の残渣均一化層（Ｒｕ）もエッチングされ完全に除去された。   Next, an Ar ion beam was used with an ECR ion gun to etch the recessed ferromagnetic layer over the entire thickness of 15 nm. The etching conditions were the same as the etching process for the residue uniformizing layer. At this time, the residue uniformizing layer (Ru) of the convex part was etched and completely removed simultaneously with the ferromagnetic layer of the concave part.

最後に、凸部に残ったＣハードマスク層をＯ₂プラズマで除去した。ＡＦＭでトラック部の側壁のテーパー角度を測定すると７０度であった。 Finally, the C hard mask layer remaining on the protrusions was removed with O ₂ plasma. When the taper angle of the side wall of the track part was measured by AFM, it was 70 degrees.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。この媒体をハードディスクドライブへ組み込み、フリンジ特性を評価した。作製した媒体は、トラック密度が２４４ｋＴＰＩ、ビット密度が１２６０ｋＢＰＩであった。評価に用いたヘッドはリード幅８０ｎｍ、ライト幅１１６ｎｍである。隣接記録前のエラー率は１０の−６乗であり、隣接トラックに１０００回記録を行った後のエラー率は１０の−４．８乗であった。この結果より、本プロセスで作製した媒体は、ＤＴＲ媒体として隣接記録耐性があることを確認できた。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. This medium was incorporated into a hard disk drive and the fringe characteristics were evaluated. The produced medium had a track density of 244 kTPI and a bit density of 1260 kBPI. The head used for the evaluation has a read width of 80 nm and a write width of 116 nm. The error rate before adjacent recording was 10 −6, and the error rate after recording 1000 times on the adjacent track was 10 −4.8. From this result, it was confirmed that the medium produced by this process has adjacent recording resistance as a DTR medium.

比較例１
強磁性層上に厚さ１５ｎｍのＲｕからなる残渣均一化層のみを形成しＣハードマスク層を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Comparative Example 1
A DTR medium was produced in the same manner as in Example 1 except that only a residue uniformizing layer made of Ru having a thickness of 15 nm was formed on the ferromagnetic layer and no C hard mask layer was formed.

インプリント後、レジスト残渣を残渣均一化層に達するまで除去した。ＡＦＭでレジストの底が平坦になっていることを確認した。   After imprinting, the resist residue was removed until it reached the residue homogenization layer. It was confirmed by AFM that the bottom of the resist was flat.

ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、残渣均一化層をエッチングした。ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、凸部に残存しているレジストパターンを除去した。ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、凹部の強磁性層を全膜厚の１５ｎｍにわたってエッチングした。この時、凹部の強磁性層と同時に、凸部の残渣均一化層（Ｒｕ）もエッチングされ完全に除去された。ＡＦＭでトラック部の側壁のテーパー角度を測定すると１０度であった。 The residue uniformizing layer was etched using an Ar ion beam with an ECR ion gun. The resist pattern remaining on the convex portion was removed using O ₂ gas with an ICP etching apparatus. Using a Ar ion beam with an ECR ion gun, the ferromagnetic layer in the recess was etched over a total thickness of 15 nm. At this time, the residue uniformizing layer (Ru) of the convex part was etched and completely removed simultaneously with the ferromagnetic layer of the concave part. When the taper angle of the side wall of the track portion was measured by AFM, it was 10 degrees.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。この媒体をハードディスクドライブへ組み込み、フリンジ特性を評価した。作製した媒体は、トラック密度が２４４ｋＴＰＩ、ビット密度が１２６０ｋＢＰＩであった。評価に用いたヘッドはリード幅８０ｎｍ、ライト幅１１６ｎｍである。隣接記録前のエラー率は１０の−６乗であり、隣接トラックに１０００回記録を行った後のエラー率は１０の−３．６乗でフリンジ耐性が不十分であることがわかった。トラック部の側壁にテーパーがつきすぎているため、熱揺らぎの影響を受けやすくなっているものと思われる。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. This medium was incorporated into a hard disk drive and the fringe characteristics were evaluated. The produced medium had a track density of 244 kTPI and a bit density of 1260 kBPI. The head used for the evaluation has a read width of 80 nm and a write width of 116 nm. The error rate before adjacent recording was 10 −6, and the error rate after recording 1000 times on the adjacent track was 10 −3.6, indicating that the fringe resistance was insufficient. It seems that the side wall of the track part is too tapered, so that it is easily affected by thermal fluctuation.

実施例１と比較例１との比較から、Ｃハードマスク層および残渣均一化層を形成する製造方法によって、フリンジ耐性の強い媒体が得られることがわかった。   From a comparison between Example 1 and Comparative Example 1, it was found that a medium having high fringe resistance can be obtained by the manufacturing method for forming the C hard mask layer and the residue uniformizing layer.

実施例２
実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。ＡＦＭで強磁性層の凸部の高さを測定すると、トラック部でもサーボ部でも１５ｎｍであった。製造した媒体をドライブに搭載し、信号を観察したところ、凹凸に応じた強度を有する信号が得られた。 Example 2
A DTR medium was produced in the same manner as in Example 1. When the height of the convex part of the ferromagnetic layer was measured by AFM, it was 15 nm in both the track part and the servo part. When the manufactured medium was mounted on a drive and the signal was observed, a signal having an intensity corresponding to the unevenness was obtained.

比較例２
強磁性層上に厚さ１５ｎｍのＣハードマスク層のみを形成し残渣均一化層を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Comparative Example 2
A DTR medium was produced in the same manner as in Example 1 except that only the C hard mask layer having a thickness of 15 nm was formed on the ferromagnetic layer and the residue uniformizing layer was not formed.

インプリント後、Ｏ₂プラズマを用いて、レジスト残渣を除去し、続けてＣハードマスクをエッチングして、凹部の強磁性層を露出させた。ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、凹部の強磁性層を全膜厚の１５ｎｍにわたってエッチングした。Ｏ₂プラズマによりレジストおよびＣハードマスクを除去した。ＡＦＭで強磁性層の凸部の高さを測定すると、トラック部では５ｎｍであったのに対し、サーボ部では１５ｎｍであった。 After imprinting, the resist residue was removed using O ₂ plasma, and then the C hard mask was etched to expose the ferromagnetic layer in the recess. Using a Ar ion beam with an ECR ion gun, the ferromagnetic layer in the recess was etched over a total thickness of 15 nm. The resist and C hard mask were removed by O ₂ plasma. When the height of the convex portion of the ferromagnetic layer was measured by AFM, it was 5 nm at the track portion, and 15 nm at the servo portion.

製造した媒体をドライブに搭載し信号を観察したところ、トラック部からの信号強度は、実施例２の場合の１／３であった。残渣均一化層を設けなかったため、Ｃハードマスクを良好な形状で形成することができず、サーボ部に比べてトラック部の凹凸が減少したためと思われる。   When the manufactured medium was mounted on the drive and the signal was observed, the signal intensity from the track portion was 1/3 of that in Example 2. This is probably because the C hard mask could not be formed in a good shape because the residue uniformizing layer was not provided, and the unevenness of the track portion was reduced compared to the servo portion.

以上の結果より、Ｃハードマスク上に残渣均一化層を設ければ、Ｃハードマスクを良好な形状で形成でき、磁性パターンの凸部の高さにムラのない媒体を製造できることがわかる。   From the above results, it can be seen that if a residue uniformizing layer is provided on the C hard mask, the C hard mask can be formed in a good shape, and a medium without unevenness in the height of the convex portions of the magnetic pattern can be produced.

実施例３
Ｃハードマスク層の厚みを２ｎｍ、４ｎｍ、８ｎｍ、１５ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍとし、実施例１と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。断面ＴＥＭにより、トラック部の側壁のテーパー角度、側壁上のリデポ（re-deposition、再付着層）の発生の有無を調べた。また、フリンジ特性を評価した。これらの結果を表１にまとめて示す。 Example 3
The thickness of the C hard mask layer was set to 2 nm, 4 nm, 8 nm, 15 nm, 30 nm, 40 nm, and 50 nm, and a DTR medium was produced in the same manner as in Example 1. By cross-sectional TEM, the taper angle of the side wall of the track portion and the presence or absence of re-deposition (re-deposition layer) on the side wall were examined. In addition, fringe characteristics were evaluated. These results are summarized in Table 1.

Ｃハードマスク層の厚さが４０ｎｍを超えた場合、磁性パターンの側壁にリデポが発生しやすいことがわかる。リデポはＯ₂による剥離プロセスで除去できない。このため、媒体をドライブに組み込んだときに、グライド試験結果が悪く、ドライブの評価が不可能であった。一方、Ｃハードマスクの厚さが４ｎｍ未満の場合、テーパー角度が小さくなり、フリンジ特性が悪化した。表１の結果より、Ｃハードマスク層の適当な厚さは、４〜４０ｎｍの範囲にあるといえる。

It can be seen that when the thickness of the C hard mask layer exceeds 40 nm, redeposition is likely to occur on the side wall of the magnetic pattern. Redepo cannot be removed by an O ₂ stripping process. For this reason, when the medium was incorporated in the drive, the glide test result was poor, and the drive could not be evaluated. On the other hand, when the thickness of the C hard mask was less than 4 nm, the taper angle became small and the fringe characteristics deteriorated. From the results in Table 1, it can be said that the appropriate thickness of the C hard mask layer is in the range of 4 to 40 nm.

実施例４
図１に示したようなサーボパターン（プリアンブル、アドレス、バースト）およびディスクリートトラックに対応する凹凸パターンが形成されたスタンパを用いて、図３に示した方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Example 4
A DTR medium was manufactured by the method shown in FIG. 3 using a stamper in which a concave / convex pattern corresponding to servo patterns (preamble, address, burst) and discrete tracks as shown in FIG. 1 was formed.

基板上に、厚さ１５ｎｍの強磁性層、厚さ１５ｎｍのＣハードマスク層、厚さ５ｎｍのＡｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｇａ、Ｓｍ、またはＰｂからなる残渣均一化層を積層した。インプリントレジストとしてノボラック系フォトレジストを使用した。スタンパの凸部の高さは７０ｎｍ、インプリント後のレジストパターンの凸部の高さは６０ｎｍであった。   On the substrate, a 15 nm thick ferromagnetic layer, a 15 nm thick C hard mask layer, a 5 nm thick Al, Co, Ni, Ru, Cu, Ag, Au, Ir, Ga, Sm, or Pb residue A homogenization layer was laminated. A novolak photoresist was used as the imprint resist. The height of the stamper convex portion was 70 nm, and the height of the convex portion of the resist pattern after imprinting was 60 nm.

ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、レジスト残渣を残渣均一化層に達するまで除去した。ガス流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧を０．１Ｐａ、コイルＲＦパワーを１００Ｗ、プラテンＲＦパワーを５０Ｗとして３０秒間エッチングを行った。ＡＦＭによりレジストの底が平坦になっていることを確認した。 The resist residue was removed with an ICP etching apparatus using O ₂ gas until the residue reached the residue homogenization layer. Etching was performed for 30 seconds with a gas flow rate of 20 sccm, a gas pressure of 0.1 Pa, a coil RF power of 100 W, and a platen RF power of 50 W. It was confirmed by AFM that the bottom of the resist was flat.

ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、残渣均一化層をエッチングした。ガス圧を０．０４Ｐａ、プラズマパワーを５００Ｗ、加速電圧を６００Ｖとして３０秒間エッチングを行い、凹部に露出していた厚さ５ｎｍの残渣均一化層を完全に除去した。   The residue uniformizing layer was etched using an Ar ion beam with an ECR ion gun. Etching was performed for 30 seconds at a gas pressure of 0.04 Pa, a plasma power of 500 W, and an acceleration voltage of 600 V to completely remove the 5 nm thick residue uniformizing layer exposed in the recesses.

ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、凹部のＣハードマスクを強磁性層が露出するまでエッチングした。また、Ｃハードマスクのエッチングと同時に、残存したレジストパターンを全て除去し、凸部に残った残渣均一化層を露出させた。エッチング条件はレジスト残渣除去工程と同じであった。 The C hard mask in the recesses was etched using O ₂ gas with an ICP etching apparatus until the ferromagnetic layer was exposed. Simultaneously with the etching of the C hard mask, the remaining resist pattern was all removed, and the residue uniformizing layer remaining on the protrusions was exposed. Etching conditions were the same as those in the resist residue removing step.

次に、ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、凹部の強磁性層を５ｎｍだけエッチングした。エッチング条件は残渣均一化層のエッチング時と同じである。この時、凹部の強磁性層と同時に凸部の残渣均一化層もエッチングされ、完全に除去された。   Next, the ferromagnetic layer in the recess was etched by 5 nm using an Ar ion beam with an ECR ion gun. The etching conditions are the same as when the residue uniformizing layer is etched. At this time, the residual homogenization layer of the convex portion was etched and completely removed simultaneously with the ferromagnetic layer of the concave portion.

凹部に残った厚さ１０ｎｍの強磁性層の磁性を失活させるため、ＥＣＲイオンガンによりＨｅガスを用い、ガス圧を０．０４Ｐａ、マイクロ波パワーを７００Ｗ、加速電圧を４００Ｖとして１００秒間暴露した。   In order to deactivate the magnetism of the 10 nm thick ferromagnetic layer remaining in the recess, He gas was used with an ECR ion gun, gas pressure was set to 0.04 Pa, microwave power was set to 700 W, and acceleration voltage was set to 400 V, and exposure was performed for 100 seconds.

Ｏ₂プラズマを用いて９０秒間で凸部に残ったＣハードマスク層を剥離し、凸部の強磁性層を露出させた。ＡＦＭでトラック部の側壁のテーパー角度を測定すると、７０度であった。 The C hard mask layer remaining on the projecting portion was peeled off using O ₂ plasma in 90 seconds to expose the projecting ferromagnetic layer. When the taper angle of the side wall of the track part was measured by AFM, it was 70 degrees.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。得られた媒体をそれぞれハードディスクドライブへ組み込み、グライド試験を行った。全ての媒体において、グライド高さ８ｎｍをパスし、ハードディスク媒体として使用できるレベルにあることがわかった。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. Each of the obtained media was incorporated into a hard disk drive, and a glide test was performed. It was found that all the media passed the glide height of 8 nm and were at a level that could be used as a hard disk medium.

比較例４
残渣均一化層として厚さ５ｎｍのＴｉＯ_xまたはＡｌ₂Ｏ₃を用いた以外は、実施例４と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。強磁性層の加工後、全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。得られた媒体をそれぞれハードディスクドライブへ組み込み、グライド試験を行った。その結果、グライド高さ１２ｎｍでも振動があることがわかった。ＡＦＭで観察すると、マスクが残っていることがわかった。ＴｉＯ_xおよびＡｌ₂Ｏ₃はＡｒに対するエッチングレートが非常に遅いため、強磁性層のエッチング時に除去しきれず、残渣均一化層およびＣハードマスクが残ったと考えられる。 Comparative Example 4
A DTR medium was produced in the same manner as in Example 4 except that TiO _x or Al ₂ O ₃ having a thickness of 5 nm was used as the residue uniformizing layer. After processing the ferromagnetic layer, a DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. Each of the obtained media was incorporated into a hard disk drive, and a glide test was performed. As a result, it was found that there was vibration even at a glide height of 12 nm. When observed with AFM, it was found that the mask remained. Since TiO _x and Al ₂ O ₃ have a very slow etching rate with respect to Ar, they cannot be completely removed during the etching of the ferromagnetic layer, and it is considered that the residue uniformizing layer and the C hard mask remained.

これらの結果から、Ａｒイオンビームで強磁性層をエッチングする際に残渣均一化層も同時に除去できるよう、（強磁性層の加工膜厚／強磁性層のエッチングレート）＞（残渣均一化層の膜厚／残渣均一化層のエッチングレート）という条件が必要であることがわかった。   From these results, (the processed film thickness of the ferromagnetic layer / the etching rate of the ferromagnetic layer)> (residue uniformizing layer so that the residue uniformizing layer can be removed at the same time when the ferromagnetic layer is etched with an Ar ion beam. It was found that the condition of (film thickness / etching rate of residue uniformizing layer) was necessary.

実施例５
残渣均一化層として厚さ５ｎｍのＲｕを用いた。また、Ｃハードマスク層をエッチングする際に、Ｏ₂ガス、Ｏ₂／ＣＦ₄混合ガス、Ｏ₂／Ａｒ混合ガス、Ｏ₂／Ｎ₂混合ガスを用いた。混合ガスの流量比は１：１とした。これ以外は、実施例４と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Example 5
5 nm thick Ru was used as the residue homogenization layer. Further, when the C hard mask layer was etched, O ₂ gas, O ₂ / CF ₄ mixed gas, O ₂ / Ar mixed gas, and O ₂ / N ₂ mixed gas were used. The flow ratio of the mixed gas was 1: 1. Except for this, a DTR medium was produced in the same manner as in Example 4.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。得られた媒体をそれぞれハードディスクドライブへ組み込み、実施例１と同様の方法でフリンジ評価を行った。表２に隣接トラックに１０００回記録を行った後のエラー率をまとめて示す。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. Each of the obtained media was incorporated into a hard disk drive, and fringe evaluation was performed in the same manner as in Example 1. Table 2 summarizes error rates after recording 1000 times on adjacent tracks.

比較例５
Ｃハードマスク層をエッチングする際に、Ａｒガスを用いた以外は、実施例５と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Comparative Example 5
A DTR medium was produced in the same manner as in Example 5 except that Ar gas was used when the C hard mask layer was etched.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。得られた媒体をそれぞれハードディスクドライブへ組み込み、実施例１と同様の方法でフリンジ評価を行った。表２に隣接トラックに１０００回記録を行った後のエラー率をまとめて示す。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. Each of the obtained media was incorporated into a hard disk drive, and fringe evaluation was performed in the same manner as in Example 1. Table 2 summarizes error rates after recording 1000 times on adjacent tracks.

表２の結果より、ＣハードマスクのエッチングにＯ₂またはＯ₂を含む混合ガスを用いればＣハードマスクを良好な形状にエッチングでき、さらに強磁性層を良好な形状にエッチングできるので、フリンジ特性のよいＤＴＲ媒体が得られることがわかる。

From the results in Table 2, it is possible to etch the C hard mask into a good shape and to etch the ferromagnetic layer into a good shape if a mixed gas containing O ₂ or O ₂ is used for etching the C hard mask. It can be seen that a good DTR medium can be obtained.

実施例６
残渣均一化層として厚さ５ｎｍのＲｕを用い、強磁性層のエッチング深さを５ｎｍとした。凹部に残存している強磁性層の磁性を失活させるために、反応性ガスとしてＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃、Ｎ₂もしくはＯ₂、または希ガスとしてＨｅ、ＮｅもしくはＡｒを用いた。反応性ガスを用いた失活はＩＣＰ ＲＩＥ装置により、希ガスを用いた失活はＥＣＲプラズマ装置により行った。これ以外は実施例４と同様の方法でＤＴＲ媒体を作製した。 Example 6
Ru of 5 nm thickness was used as the residue homogenizing layer, and the etching depth of the ferromagnetic layer was 5 nm. In order to deactivate the magnetism of the ferromagnetic layer remaining in the recess, CF ₄ , SF ₆ , CHF ₃ , N ₂ or O ₂ was used as a reactive gas, or He, Ne, or Ar was used as a rare gas. Deactivation using a reactive gas was performed using an ICP RIE apparatus, and deactivation using a rare gas was performed using an ECR plasma apparatus. Except for this, a DTR medium was fabricated in the same manner as in Example 4.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。得られた媒体をそれぞれハードディスクドライブへ組み込み、フリンジ特性を評価した。作製した媒体は、トラック密度が２４４ｋＴＰＩ、ビット密度が１２６０ｋＢＰＩであった。評価に用いたヘッドはリード幅８０ｎｍ、ライト幅１１６ｎｍである。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. Each of the obtained media was incorporated into a hard disk drive, and the fringe characteristics were evaluated. The produced medium had a track density of 244 kTPI and a bit density of 1260 kBPI. The head used for the evaluation has a read width of 80 nm and a write width of 116 nm.

表３に、強磁性層の失活条件と、隣接トラックに１０００回記録を行った際のエラー率をまとめて示す。隣接記録前のエラー率は１０の−６乗であった。表３の結果より、全ての条件において、本実施例の方法で製造した媒体はＤＴＲ媒体として有効であることが示された。

Table 3 summarizes the deactivation conditions of the ferromagnetic layer and the error rate when recording is performed 1000 times on the adjacent track. The error rate before adjacent recording was 10 −6. From the results in Table 3, it was shown that the medium produced by the method of this example was effective as a DTR medium under all conditions.

実施例７
実施例１と同様の方法で、強磁性層を完全に分断したＤＴＲ媒体を作製した。表面保護膜を成膜する前に、磁性パターン間の凹部に非磁性体による埋め込みを行った。非磁性体としてＮｉＮｂＴｉを用い、スパッタにより埋め込みを行った。非磁性体のエッチバックは強磁性層の加工と同様にＥＣＲイオンガンにより行った。厚さ５０ｎｍの非磁性体による埋め込みおよび厚さ５０ｎｍの非磁性体のエッチバックを５回繰り返した。媒体表面のトラック部においてＲａを測定したところ１．５ｎｍという値が得られた。 Example 7
In the same manner as in Example 1, a DTR medium in which the ferromagnetic layer was completely divided was produced. Before forming the surface protective film, the recesses between the magnetic patterns were filled with a nonmagnetic material. NiNbTi was used as a nonmagnetic material, and embedding was performed by sputtering. The non-magnetic material was etched back by an ECR ion gun in the same manner as the processing of the ferromagnetic layer. The embedding with a nonmagnetic material having a thickness of 50 nm and the etching back of the nonmagnetic material having a thickness of 50 nm were repeated five times. When Ra was measured at the track portion on the surface of the medium, a value of 1.5 nm was obtained.

全面にＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。この媒体をハードディスクドライブへ組み込み、浮上試験を行ったところ、良好な浮上性を示した。   A DLC protective film was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. When this medium was installed in a hard disk drive and a flying test was conducted, it showed good flying characteristics.

実施例８
図２に示したようなサーボパターン（プリアンブル、アドレス、バースト）および磁性ドットに対応する凹凸パターンが形成されたスタンパを用いて、図３に示した方法でディスクリートビット型パターンド媒体を作製した。 Example 8
A discrete bit type patterned medium was manufactured by the method shown in FIG. 3 using a stamper in which a servo pattern (preamble, address, burst) as shown in FIG. 2 and a concavo-convex pattern corresponding to magnetic dots were formed.

基板上に、厚さ１０ｎｍのＣｏＰｔ強磁性層、厚さ１５ｎｍのＣハードマスク層、厚さ５ｎｍのＲｕからなる残渣均一化層を積層した。インプリントレジストとしてノボラック系フォトレジストを使用した。スタンパの凸部の高さは５０ｎｍ、インプリント後のレジストパターンの凸部の高さは４０ｎｍであった。   On the substrate, a CoPt ferromagnetic layer with a thickness of 10 nm, a C hard mask layer with a thickness of 15 nm, and a residue uniformizing layer made of Ru with a thickness of 5 nm were laminated. A novolak photoresist was used as the imprint resist. The height of the stamper convex portion was 50 nm, and the height of the convex portion of the resist pattern after imprinting was 40 nm.

ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、レジスト残渣を残渣均一化層に達するまで除去した。ガス流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧を０．１Ｐａ、コイルＲＦパワーを１００Ｗ、プラテンＲＦパワーを５０Ｗとして３０秒間エッチングを行った。ＡＦＭによりレジストの底が平坦になっていることを確認した。 The resist residue was removed with an ICP etching apparatus using O ₂ gas until the residue reached the residue homogenization layer. Etching was performed for 30 seconds with a gas flow rate of 20 sccm, a gas pressure of 0.1 Pa, a coil RF power of 100 W, and a platen RF power of 50 W. It was confirmed by AFM that the bottom of the resist was flat.

ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、残渣均一化層をエッチングした。ガス圧を０．０４Ｐａ、プラズマパワーを５００Ｗ、加速電圧を６００Ｖとして３０秒間エッチングを行い、凹部に露出していた厚さ５ｎｍのＲｕからなる残渣均一化層を完全に除去した。   The residue uniformizing layer was etched using an Ar ion beam with an ECR ion gun. Etching was performed at a gas pressure of 0.04 Pa, a plasma power of 500 W, and an acceleration voltage of 600 V for 30 seconds to completely remove the residue uniformizing layer made of 5 nm thick Ru exposed in the recesses.

ＩＣＰエッチング装置によりＯ₂ガスを用いて、凹部のＣハードマスクを強磁性層が露出するまでエッチングした。また、Ｃハードマスクのエッチングと同時に、残存したレジストパターンを全て除去し、凸部に残った残渣均一化層を露出させた。エッチング条件はレジスト残渣除去工程と同じであった。 The C hard mask in the recesses was etched using O ₂ gas with an ICP etching apparatus until the ferromagnetic layer was exposed. Simultaneously with the etching of the C hard mask, the remaining resist pattern was all removed, and the residue uniformizing layer remaining on the protrusions was exposed. Etching conditions were the same as those in the resist residue removing step.

次に、ＥＣＲイオンガンによりＡｒイオンビームを用いて、凹部の強磁性層を全膜厚の１０ｎｍにわたってエッチングした。エッチング条件は残渣均一化層のエッチング工程と同じであった。この時、凹部の強磁性層と同時に、凸部の残渣均一化層（Ｒｕ）もエッチングされ完全に除去された。その後、Ｃハードマスクを、Ｏ₂ガスプラズマで３０秒間剥離し、凸部の強磁性層を全て露出させた。 Next, an Ar ion beam was used with an ECR ion gun to etch the recessed ferromagnetic layer over the entire thickness of 10 nm. The etching conditions were the same as the etching process for the residue uniformizing layer. At this time, the residue uniformizing layer (Ru) of the convex part was etched and completely removed simultaneously with the ferromagnetic layer of the concave part. Thereafter, the C hard mask was peeled off with O ₂ gas plasma for 30 seconds to expose all of the convex ferromagnetic layers.

全面に厚さ５ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成し、潤滑剤を塗布した。この媒体をスピンスタンドで評価した。この媒体は浮上性及び信号強度に問題がなく、パターンド媒体として使用できるレベルにあることがわかった。   A DLC protective film having a thickness of 5 nm was formed on the entire surface, and a lubricant was applied. This medium was evaluated with a spin stand. This medium was found to be at a level that can be used as a patterned medium with no problem in floating property and signal strength.

以上説明したように、本発明の方法によれば、強磁性層上にＣハードマスク層および残渣均一化層を設けたことにより、フリンジ特性の良好なディスクリートトラック媒体およびパターンド媒体を製造できる。   As described above, according to the method of the present invention, a discrete track medium and a patterned medium having good fringe characteristics can be manufactured by providing the C hard mask layer and the residue uniformizing layer on the ferromagnetic layer.

本発明の一実施形態に係るＤＴＲ媒体の周方向に沿う平面図。The top view which follows the circumferential direction of the DTR medium which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係るディスクリートビット型パターンド媒体の周方向に沿う平面図。The top view which follows the circumferential direction of the discrete bit type | mold patterned medium which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the magnetic-recording medium based on embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the magnetic-recording medium based on other embodiment of this invention. 本発明のさらに他の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the magnetic-recording medium based on further another embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る磁気記録装置の斜視図。1 is a perspective view of a magnetic recording apparatus according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１…パターンド媒体、２…サーボ領域、２１…プリアンブル部、２２…アドレス部、２３…バースト部、３…データ領域、３１…ディスクリートトラック、３２…磁性ドット、５１…ガラス基板、５２…強磁性層、５２ａ…磁性パターン、５３…Ｃハードマスク層、５４…残渣均一化層、５５…レジスト、５６…保護膜、５７…非磁性層、６１…分離領域、７０…筐体、７１…磁気記録媒体、７２…スピンドルモータ、７３…ピボット、７４…アクチュエータアーム、７５…サスペンション、７６…ヘッドスライダ、７７…ボイスコイルモータ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Patterned medium, 2 ... Servo area, 21 ... Preamble part, 22 ... Address part, 23 ... Burst part, 3 ... Data area, 31 ... Discrete track, 32 ... Magnetic dot, 51 ... Glass substrate, 52 ... Ferromagnetic Layer, 52a ... magnetic pattern, 53 ... C hard mask layer, 54 ... residue homogenizing layer, 55 ... resist, 56 ... protective film, 57 ... nonmagnetic layer, 61 ... separation region, 70 ... casing, 71 ... magnetic recording Medium 72. Spindle motor 73 Pivot 74 Actuator arm 75 Suspension 76 Head slider 77 Voice coil motor

Claims (8)

基板上に強磁性層、カーボンハードマスク層、および残渣均一化層を積層し、
前記残渣均一化層にレジストを塗付し、
インプリントにより前記レジストに凹凸パターンを転写してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンの凹部に残存しているレジスト残渣を除去し、
前記レジストパターンをマスクとして残渣均一化層をパターニングし、
前記レジストパターンをマスクとしてカーボンハードマスク層をパターニングし、
前記残渣均一化層のパターンをマスクとして強磁性層をエッチングして強磁性層の凹凸パターンを形成することを含み、
前記強磁性層をエッチングする際に、前記残渣均一化層のエッチング時間が前記強磁性層のエッチング時間よりも短いことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 Laminating a ferromagnetic layer, a carbon hard mask layer, and a residue uniformizing layer on the substrate,
Apply a resist to the residue homogenization layer,
The imprint pattern is transferred to the resist by imprinting to form a resist pattern,
Removing the resist residue remaining in the recesses of the resist pattern;
Patterning the residue uniformizing layer using the resist pattern as a mask;
The carbon hard mask layer is patterned using the resist pattern as a mask,
Etching the ferromagnetic layer using the pattern of the residue uniformizing layer as a mask to form an uneven pattern of the ferromagnetic layer,
A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein when etching the ferromagnetic layer, the etching time of the residue uniformizing layer is shorter than the etching time of the ferromagnetic layer. 前記残渣均一化層の膜厚／エッチングレートが、前記強磁性層のエッチング深さ／エッチングレートよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。   2. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the film thickness / etching rate of the residue uniformizing layer is smaller than the etching depth / etching rate of the ferromagnetic layer. 前記カーボンハードマスク層のエッチングにＯ₂ガスまたはＯ₂を含んだ混合ガスを用い、残存している前記レジストパターンを同時に剥離することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 _{2. The} method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the remaining resist pattern is peeled off simultaneously using O ₂ gas or a mixed gas containing O ₂ for etching the carbon hard mask layer. . 前記強磁性層をエッチングする際に、エッチングガスとしてＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｏ₂、またはＮ₂およびこれらの混合ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 _2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein when the ferromagnetic layer is etched, Ar, He, Ne, Kr, Xe, O ₂ , or N ₂ and a mixed gas thereof are used as an etching gas. Manufacturing method. 前記強磁性層をエッチングする際に、残存している前記残渣均一化層のパターンを除去することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。   2. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein when the ferromagnetic layer is etched, the remaining pattern of the residue uniformizing layer is removed. 前記残渣均一化層は、Ａｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｇａ、Ｓｍ、Ｐｂ、およびこれらの合金からなる群より選択される金属で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。   The residue homogenizing layer is made of a metal selected from the group consisting of Al, Co, Ni, Ru, Cu, Ag, Au, Ir, Ga, Sm, Pb, and alloys thereof. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1. 前記カーボンハードマスク層は、厚さが４ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。   The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the carbon hard mask layer has a thickness of 4 nm to 40 nm. 前記強磁性層をエッチングする際に、凹部に一部の強磁性層を残存させ、残存した強磁性層をＯ₂、Ｎ₂、Ｈｅ、Ｎｅ、ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃およびこれらの混合ガスからなる群より選択されるガスを用いて処理し、磁性を失活させることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 When etching the ferromagnetic layer, a part of the ferromagnetic layer is left in the recess, and the remaining ferromagnetic layer is replaced with O ₂ , N ₂ , He, Ne, CF ₄ , SF ₆ , CHF ₃ and a mixture thereof. 2. The method of manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein treatment is performed using a gas selected from the group consisting of gases to deactivate magnetism.

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