JP2009300562A - 多チャンネル直角光路変換素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】垂直光導波路を有する多チャンネル直角光路変換光導波路において、曲げ光導波路を有するような直角光路変換素子を容易に作製する方法が求められていた。
【解決手段】光導波路と反射ミラーで構成され、基板に対し水平な光導波路と垂直な光導波路の交差部に反射ミラーを配した、光信号の方向を直角に変換する多チャンネル光路変換素子において、基板に垂直な直線光導波路と水平な曲線状又は直線状光導波路及び反射ミラーからなり、接合することなく、連続したコアとクラッドで構成され、単一の構造体であることを特徴とする、光導波路型の多チャンネル光路変換素子。
【選択図】 図4

Description

本発明は、垂直光導波路を有する多チャンネル直角光路変換素子の構造とその製造方法に関する。
情報通信システムの基盤技術として光通信技術が浸透するにつれ、光ファイバを用いた長距離光伝送に加えて、電子配線基板間や同一基板内に実装されたチップ間等の近距離光伝送を行う光インターコネクション技術の開発が活発に進められている。光インターコネクションの応用範囲は、スーパーコンピュータから携帯機器分野まで拡大しており、今後、高速伝送性だけでなく実装の高密度化や低コスト化に対する要求がより高まると予想される。
このような光インターコネクションは、面発光レーザーやフォトダイオード等の光電変換素子と光ファイバや光導波路の光配線により構成されている。光配線は、光電気混載基板内部又は上面に形成され、光ファイバや光導波路が用いられるが、一般的には配線パターンを自由に形成できるため光導波路が用いられている。光電気混載基板内の光配線は、基板と平行に形成されるため、光電気混載基板表面に光電変換素子を容易に実装するためには、光路を直角に曲げる必要があるため直角光路変換素子が注目されている。
直角光路変換素子としては、ファイバやフレキシブル光導波路を90度に曲げて光路変換を行うもの(特許文献1参照)、ファイバやフレキシブル光導波路に45度の反射ミラーを設けたもの(特許文献2参照)、更には複数のL字状の光導波路を貼り合せて45度の反射ミラーを設けたもの(特許文献3参照)が提案されている。
特開平10−246827号公報 特開平10−300961号公報 特許第3833863号公報
例えばフレキシブル光導波路を90度に曲げる特開平10−246827号公報に記載のものは、フレキシブル光導波路の曲げ半径を小さくなるにつれて損失が大きくなるために、小型化に限度があり、高集積化は困難である。
また、ファイバやフレキシブル光導波路に45度の反射ミラーを設けた特開平10−300961号公報に記載の構造である図1は、垂直光導波路が無いために作製は簡単であるが、コア2と光学素子1との結合損失が大きく、コア2に結合できなかった光がクラッド3に漏れる為、多チャンネル化時に漏れた信号が近接する関係のない光配線に混信するクロストークが大きくなる問題があるため、図2の垂直光導波路を有する直角光路変換素子が有効である事が報告されている。
複数のL字状の光導波路に45度の反射ミラーを設けた垂直光導波路を具備した特許第3833863号公報に記載の構造は、小型化、損失面で優れているが、交差した光導波路を貼り合せて作製する為、貼り合わせの誤差の蓄積によるコア位置ズレによる損失のバラツキが生じると共に、光路変換素子の形状に制限が生じ、水平光導波路の構造は、直線状しかできない問題がある。
さらに、従来の直角光路変換素子は、図3の水平光導波路のコア部9と垂直光導波路のコア部10の様に直線構造のみで構成されており、水平光導波路構造に曲げ構造を有する直角光路変換素子は存在しない。
従って、直角光路変換素子において低価格で低光損失、高密度化が可能な上に、光導波路構造の制約が無く汎用性の高い直角光路変換素子とその作製法が望まれているが、出現していないのが現状である。
例えば、従来の垂直導波路を有する直角光路変換素子の作製方法として図8でダイシング法、図9で貼り合わせ法を説明する。
図8は、ダイシングによる直角光路変換素子の作製法を説明する図である。まず図8(A)では、仮基板37上にクラッド材料を成膜し、(B)で垂直光導波路となる溝39をインプリント又はダイシングにより形成し、(C)でコア層40を成膜する。(D)では、光導波路部41、42、43、44をダイシングにより切り分けて形成し、(E)でクラッド層を形成する。(F)では、ダイシングにより45度の反射面46を形成後、金属又は誘電体多層膜等の反射膜47を成膜する。(G)で反射膜部分をクラッド48で埋め込み、(H)で本基板50を貼り付け、(I)において仮基板49を除去して直角光路変換素子を作製する。図4の作製方法は、ウエハ上に安定して光導波路形成を行うことができるが、ダイシングにより1チャンネル毎に光導波路を形成するため、チャンネルが増える度に時間を要する為、量産性には不向きである。また導波路をダイシングにより形成する為、直線構造のみしか作製できない。
図9は、貼り合わせにより直角光路変換素子の作製法を説明する図である。まず図9(A)ではウエハ上に形成したL字又は十字光導波路51、52、53、54を作製し、(B)でそれぞれの導波路を位置あわせの後に接着剤57で貼り合せて接着する。(C)で、L字又は十字導波路の交差部分にダイシングにより45度の反射面58を形成し、(D)で反射面に金属又は誘電体多層膜等の反射膜59を成膜する事で直角光路変換素子を作製する方法である。図9の作製方法は、簡単であるがそれぞれの導波路を位置合わせして貼り合わせる為、貼り合わせ誤差の蓄積によるコア位置ズレによる損失のバラツキが生じると共に、光路変換素子の形状に制限が生じ、図8の作製法と同様、直線構造のみしか作製できず、光導波路構造に自由度がない問題がある。また直角光路変換素子に光電変換素子を実装するために電極が必要となるが、導波路端面に電極を形成する必要があり、電極形成が難しい問題がある。
また従来の直角光路変換素子の構造は、図3の水平光導波路のコア部9と垂直光導波路のコア部10とコア9および10を被うクラッド12と反射ミラー11で構成されている。水平光導波路9の構造は、上述の図8、9の作製方法では直線構造のみしかできず、例えば図3、図4、図5の様に曲線や貼り合せ方向に変化のある水平光導波路構造は形成できないため、曲線を有する光導波路部と直角光路変換部を別々に作製し、二つの部品を接着して作製しなければならず、接着時の位置合せによる位置ズレや接着層により損失が発生する問題があった。
また多層構造を有する多チャンネル直角光路変換素子は、図10の様な複数のチャンネルが光導波路のコア61が交差する構造が一般的であるが、交差部から他のチャンネルに信号が漏れるクロストークが発生する問題があった。
好ましくは図11の様に各チャンネルの光導波路のコア65が交差しない構造が望ましいが、図8、9の作製方法では、作製できず、複数の部品に分割して作製し、接着する必要があり、組立て時の損失やコア位置精度が悪くなる問題があった。
本発明は、光導波路と反射ミラーで構成され、基板に対し水平な光導波路と垂直な光導波路の交差部に反射ミラーを配した、光信号の方向を直角に変換する多チャンネル光路変換素子において、基板に垂直な直線光導波路と水平な曲線状又は直線状光導波路及び反射ミラーからなり、接合することなく、連続したコアとクラッドで構成され、単一の構造体であることを特徴とする、光導波路型の多チャンネル光路変換素子である。
また各チャンネルの光導波路のコアは交差すること無く、自由に配置し、単一の構造体である事を特徴とする光導波路型の多チャンネル光路変換素子である。
また、光導波路型の多チャンネル直角光路変換素子の作製法であって、仮基板上に3次元配列されたコアを形成する工程において、
(1)UV硬化性又は熱硬化性のクラッド材料を用いて溝又は穴を形成し、
(2)UV硬化性のコア材料を成膜し、
(3)曲線状又は直線状の任意の導波路形状を描画したフォトマスクを通して、コア材料にUV照射し、
(4)フォトマスク形状が転写され、未硬化のコア材料を除去することにより、クラッド材料で形成した溝内部に垂直光導波路のコアと基板と水平な曲線状又は直線状の任意の形状を含む光導波路のコアが形成されることを特徴とする上記の多チャンネル光路変換素子の製造方法である。
また、多チャンネル光路変換素子の製造方法において、垂直導波路のクラッドとなる溝と垂直光導波路及び水平光導波路のコア形成を繰り返し行うことにより、多層のコア配列を有する光導波路が形成されることを特徴とする上記の多チャンネル光路変換素子の製造方法である。
また、多チャンネル光路変換素子の製造方法において、垂直導波路のクラッドとなる溝を形成し、垂直光導波路のコア部のみを形成する工程を繰り返し行い、基板に対し垂直方向の光導波路のみを自由に長くすることを特徴とする上記の多チャンネル光路変換素子の製造方法である。
さらに、上記の製造方法によって製造された多チャンネル光路変換素子である。
本発明によれば、垂直光導波路を有する多チャンネル直角光路変換光導波路を容易に作製できると共に水平光導波路の構造が自由に形成できるため、これまで作製できなかった曲げ光導波路を有する直角光路変換素子を提供できる。
更にあらゆる2次元光導波路構造に対し、垂直導波路を有する直角光路変換機能を付与できると共に、2次元光導波路構造を積層することにより、積層した層毎に機能の異なる光導波路に垂直導波路を有する直角光路変換機能を付与する事が可能となる。またチャンネル間で光導波路が交差しない単一の構造体を作製できるため低損失な直角光路変換素子を提供できる。
仮基板上に3次元配列された逆U字型または逆L字型のコアを作製する工程において、UV硬化性又は熱硬化性のクラッド材料を用いて垂直光導波路のクラッドとなる溝又は穴を形成し、UV硬化性のコア材料を成膜し、曲線状又は直線状の任意の形状を描画したフォトマスクを用い、UV照射することで、フォトマスク形状が転写され、未硬化のコア材料を除去することにより、垂直導波路を有する曲線状又は直線状の任意の形状を含むコアが一括で形成される。
以下、図7に基づき本発明の作製方法について詳細に説明する。まず図7(A)では、ガラス基板17上に、犠牲層18を成膜し、UV硬化のクラッド材19を成膜する。図7(B)において、基板上に成膜した未硬化のUV硬化性クラッド材に、任意の溝形状を描画したフォトマスク20を介して、UV23を照射する事で、溝以外のクラッド22は硬化し、溝部21はフォトマスクにより未硬化となる。図7(C)で、未硬化の溝部を有機溶剤により除去すると垂直光導波路のクラッドとなる溝部24が形成できる。溝の形状は、垂直光導波路のコア形状と同じ幅とし、四角形、円形の穴でも良い。垂直光導波路のクラッドとなる溝及び穴の作製方法は、溝形状を形成したモールドによるインプリントにより作製しても良い。図7(D)では、(C)で形成したクラッド溝を形成した基板上にUV硬化のコア材25を所定の厚さに成膜し、図7(E)において、未硬化のコア材料に曲線等の任意のコア形状を描画したフォトマスク26を介してUV29を照射することにより、未硬化部28と硬化したコア部27が形成される。図7(F)において未硬化のコア部を有機溶剤にて除去する事で、U字の光導波路のコア部30を形成する。図7(G)でクラッド層31を成膜・硬化し、(H)で45度のダイサーブレードにて反射面32を形成し、反射膜33を形成する。図7(I)で反射膜形成部位を、クラッド材34で成膜し、(J)では、本基板35を接着後に、(K)で犠牲層を除去することで仮基板36を除去し、(L)でU字の直角光路変換素子が作製できる。光導波路構造は、作製後の光導波路の性能評価を行う為に、L字構造よりU字構造が望ましい。
本発明のポイントは、垂直光導波路のクラッドを溝又は穴として先に形成した後に、コア材料を成膜し、フォトマスクを用いて、溝内部と溝以外のコア形状を一括して形成し、逆U字又は逆L字型の光導波路を形成することにある。垂直光導波路と水平光導波路のコア部を一括で作製するため、一回で硬化できる厚みに限界があるため、一般的に、垂直光導波路のクラッド溝又は穴の深さは、クラッド上部のコア高さを含めて150μm以下が望ましい。また水平光導波路構造は、フォトマスクにより自由に形成できるため、コアピッチ変換器やスプリッタ、方向性結合器の様な機能を持つ2次元導波路をフォトマスク描画することで、直角光路変換素子に新たな機能を付与することが可能である。
以下、実施例により説明する。
本実施例は、図4に示す本発明によるコアピッチ変換機能を有する直角光路変換素子を作製したものである。本実施例では、図4の水平導波路のコアピッチW1は、125μmとし、垂直光導波路のコアピッチW2は250μmとした。またコアは50×50μmのマルチモード光導波路とした。
厚さ1.5mmのガラス基板上に、位置合わせマーカーと犠牲層を形成するため、リフトオフ用のレジストを塗布し、位置合わせマーカーパターンを形成した後にスパッタリングによりAlを成膜して、位置合わせマーカーを形成した。位置合わせマーカー以外は全てAlの犠牲層となる様に成膜した。
犠牲層上にクラッド材であるUV硬化のシリコン樹脂をスピンコーターにより100μm成膜した。クラッド材は未硬化の状態で、溝形状を描画したフォトマスクを、クラッド材に接触しないように基板外部にクラッド表面と基板の厚みが50μm以下となる様なスペーサーを設置し、マスクアライナーにてマーカーを基準に位置合わせを行い、UV照射を行った。未硬化のクラッド材は、有機溶剤により除去し、垂直光導波路のクラッドとなる幅50μm、深さ100μmの溝を形成した。クラッド材にて溝を形成した基板上にコア材料をスピンコーターにより50μmとなる様に成膜した。コア材料は、未硬化の状態で、コア形状を描画したフォトマスクを、未硬化のコア材に接触しないように基板外部にコア材表面と基板の厚みが50μm以下となる様なスペーサーを設置し、マスクアライナーにてマーカーを基準に位置合わせを行い、コアとなる部分にUV照射を行った。未硬化のコア材は、有機溶剤にて除去し、コアサイズ50×50μmの光導波路のコア部を形成した。コア形状は、仮基板上に逆U字型の構造となった。コア形成後にクラッド層をスピンコーターにより20μm成膜し、UV硬化した。粒度6000番のV字型のブレードで反射面を形成後、スパッタ装置で反射面にAuの反射膜を成膜した。Auの反射膜は、露出したコアを覆うようにパターニングした。反射膜形成後、クラッド材料にて反射面を形成した際に形成したV字の溝を埋めるためスピンコーターにて50μmを2回成膜した。最後に本基板を接着材で接着後、塩酸に浸漬し、犠牲層のAlを溶解させて仮基板を除去した。
ダイシング装置で所定のサイズに切断し、コアピッチ変換光導波路付の直角光路変換素子を作製した。
作製したコアピッチ変換光導波路付の直角光路変換素子の光学特性を調べるため、波長850nmの光をコア径50μmのGIマルチモードファイバを用いて水平光導波路に入射させ、垂直光導波路より出射した光をコア径50μmのGIマルチモードファイバで受光することで損失を測定した。コアピッチ変換機能を有する直角光路変換素子の損失は、3dB以下と低損失であった。
本実施例は、図6に示す本発明による2層で異なる構造を有する2×4チャンネル直角光路変換素子を作製したものである。基板から1層目の水平導波路は、コアピッチが125μmから250μmに変換するコアピッチ変換器で、2層目は、一般的な直線型の直角光路変換素子である。各チャンネルの光導波路のコアは交差する事無い構造である。
本発明の作製法では、最初に直線型の直角光路変換素子を形成後に、コアピッチ変換機能を有する直角光路変換素子を形成する。
厚さ2.5mmのガラス基板上に、位置合わせマーカーと犠牲層を形成するため、リフトオフ用のレジストを塗布し、位置合わせマーカーパターンを形成した後にスパッタリングによりAlを成膜して、位置合わせマーカーを形成した。位置合わせマーカー以外は全てAlの犠牲層となる様に成膜した。
犠牲層上にクラッド材であるUV硬化のシリコン樹脂をスピンコーターにより150μm成膜し、硬化した。ダイシングソーにより垂直導波路幅となるブレードで幅50μm、深さ120μmの溝を所定の位置に形成した。
クラッド材にて溝を形成した基板上にコア材料をスピンコーターにより50μmとなる様に成膜した。コア材料は、未硬化の状態で、直線状のコアパターンとコアピッチ変換器の垂直導波路のコア部が描画されたフォトマスクを、未硬化のコア材に接触しないように基板外部にコア材表面と基板の厚みが50μm以下となる様なスペーサーを設置し、マスクアライナーにてマーカーを基準に位置合わせを行い、コアとなる部分にUV照射を行った。未硬化のコア材は、有機溶剤にて除去し、コアサイズ50×50μmの光導波路のコア部を形成した。コア形成後にクラッド層をスピンコーターによりコア上部に20μm成膜し、UV硬化した。粒度6000番のV字型のブレードで反射面を形成後、スパッタ装置で反射面にAuの反射膜を成膜した。Auの反射膜は、露出したコアを覆うようにパターニングした。反射ミラー部にクラッド材を充填し、研削により、コア上部に20μmのクラッド層となる様に調整し、スピンコーターでクラッド層を55μm成膜し、UV硬化した。
ダイシングソーによりコアピッチ変換導波路に接続される垂直導波路の位置に幅50μm、深さ120μmの溝を形成した。更にクラッド材にて溝を形成した基板上にコア材料をスピンコーターにより50μmとなる様に成膜した。コア材料は、未硬化の状態で、コアピッチ変換導波路のコア部が描画されたフォトマスクを、未硬化のコア材に接触しないように基板外部にコア材表面と基板の厚みが50μm以下となる様なスペーサーを設置し、マスクアライナーにてマーカーを基準に位置合わせを行い、コアとなる部分にUV照射を行った。未硬化のコア材は、有機溶剤にて除去し、コアサイズ50×50μmのコアピッチ変換光導波路のコア部を形成した。コア形成後にクラッド層をスピンコーターによりコア上部に20μm成膜し、UV硬化した。粒度6000番のV字型のブレードで反射面を形成後、スパッタ装置で反射面にAuの反射膜を成膜した。Auの反射膜は、露出したコアを覆うようにパターニングした。反射膜形成後、クラッド材料にて反射面を形成した際に形成したV字の溝を埋めるためスピンコーターにて50μmを2回成膜した。最後に本基板を接着材で接着後、塩酸に浸漬し、犠牲層のAlを溶解させて仮基板を除去した。仮基板除去面を50μm研削、研磨し、垂直導波路コアを露出させた。
ダイシング装置で所定のサイズに切断し、コアピッチ変換光導波路付の直角光路変換素子を作製した。
作製した2層で異なる構造を有する2×4チャンネル直角光路変換素子は、基板から1層目のコアピッチ変換器の損失が3dB以下であり、2層目の直角光路変換素子の損失が2.5dB以下と低損失であった。本実施例により、各層で異なる機能を有する低損失な直角光路変換素子を具現化した。
本発明は、光通信分野における通信システムはもちろん、評価・測定など光伝送の応用分野にも利用できるものである。
一般的な直角光路変換素子の概略図である。 垂直導波路を有する直角光路変換素子の概略図である。 一般的な直線型の直角光路変換素子である。 本発明によるコアピッチ変換機能付の直角光路変換素子である。 本発明による曲げ導波路を有する直角光路変換素子である。 本発明による2層で異なる構造を有する2×4チャンネル直角光路変換素子である。 本発明の直角光路変換素子の作製方法を説明する図である。 従来のダイシングによる直角光路変換素子の作製方法を説明する図である。 従来の貼り合わせによる直角光路変換素子の作製方法を説明する図である。 従来の各チャンネルの導波路が交差する多チャンネル直角光路変換素子の断面図である。 本発明による各チャンネルの導波路に交差が無い多チャンネル直角光路変換素子の断面図である。
符号の説明
W1 水平光導波路のコアピッチ幅
W2 垂直光導波路のコアピッチ幅
1 面発光レーザー
2 光導波路のコア部
3 光導波路のクラッド部
4 反射ミラー
5 面発光レーザー
6 光導波路のコア部
7 光導波路のクラッド部
8 反射ミラー
9 直角光路変換素子の水平光導波路部(直線光導波路)
10 直角光路変換素子の垂直光導波路部
11 反射ミラー
12 光導波路のクラッド部
13 直角光路変換素子の水平光導波路部(曲がり光導波路)
14 直角光路変換素子の垂直光導波路部
15 反射ミラー
16 光導波路のクラッド部
17 仮基板
18 犠牲層
19 未硬化のクラッド
20 垂直光導波路のクラッド用のフォトマスク
21 未硬化のクラッド
22 クラッド
23 紫外線
24 垂直導波路のクラッド用の溝
25 未硬化のコア
26 水平光導波路用のフォトマスク
27 水平及び垂直光導波路となる硬化したコア部
28 未硬化のコア
29 紫外線
30 現像後の水平及び垂直光導波路のコア
31 クラッド
32 反射ミラー用45度V字溝
33 反射ミラー
34 クラッド
35 本基板
36、37 仮基板
38 クラッド層
39 垂直導波路のクラッド用の溝
40 コア層
41〜44 光導波路部
45 クラッド層
46 反射ミラー用45度V字溝
47 反射ミラー
48 クラッド層
49 仮基板
50 本基板
51〜54 L字光導波路部
55 光導波路コア
56 光導波路クラッド
57 接着剤層
58 反射面
59 反射ミラー
60 面発光レーザーアレイ
61 光導波路コア
62 光導波路クラッド
63 反射ミラー
64 面発光レーザーアレイ
65 光導波路コア
66 光導波路クラッド
67 反射ミラー

Claims (6)

  1. 光導波路と反射ミラーで構成され、基板に対し水平な光導波路と垂直な光導波路の交差部に反射ミラーを配した、光信号の方向を直角に変換する多チャンネル光路変換素子において、基板に垂直な直線光導波路と水平な曲線状又は直線状光導波路及び反射ミラーからなり、接合することなく、連続したコアとクラッドで構成され、単一の構造体であることを特徴とする、光導波路型の多チャンネル光路変換素子。
  2. 基板に垂直な直線光導波路と水平な曲線状又は直線状光導波路で構成される1本の連続した光導波路のコアが、複数配置された多チャンネル光路変換素子において、各チャンネルが交差することなく配置されることを特徴とする、請求項1記載の光導波路型の多チャンネル光路変換素子。
  3. 光導波路型の多チャンネル直角光路変換素子の作製法であって、仮基板上に3次元配列されたコアを形成する工程において、
    (1)UV硬化性又は熱硬化性のクラッド材料を用いて溝又は穴を形成し、
    (2)UV硬化性のコア材料を成膜し、
    (3)曲線状又は直線状の任意の導波路形状を描画したフォトマスクを通して、コア材料にUV照射し、
    (4)フォトマスク形状が転写され、未硬化のコア材料を除去することにより、クラッド材料で形成した溝内部に垂直光導波路のコアと基板と水平な曲線状又は直線状の任意の形状を含む光導波路のコアが形成されることを特徴とする、多チャンネル光路変換素子の製造方法。
  4. 多チャンネル光路変換素子の製造方法において、垂直導波路のクラッドとなる溝と垂直光導波路及び水平光導波路のコア形成を繰り返し行うことにより、多層のコア配列を有する光導波路が形成されることを特徴とする請求項3に記載の多チャンネル光路変換素子の製造方法。
  5. 多チャンネル光路変換素子の製造方法において、垂直導波路のクラッドとなる溝を形成し、垂直光導波路のコア部のみを形成する工程を繰り返し行い、基板に対し垂直方向の光導波路のみを自由に長くすることを特徴とする請求項3または4に記載の多チャンネル光路変換素子の製造方法。
  6. 請求項3乃至5に記載の製造方法によって製造された多チャンネル光路変換素子。
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