JP2009280468A - Method for evaluating degree of internal contamination of single crystal manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という）によるシリコン単結晶の育成に適用される単結晶製造装置の内部の汚染度の評価方法に関する。さらに詳しくは、引き上げる単結晶の抵抗率がライフタイムの測定が困難な程度に低い場合であっても、評価可能な単結晶製造装置の内部汚染度評価方法に関する。 The present invention relates to a method for evaluating the degree of contamination inside a single crystal manufacturing apparatus applied to the growth of a silicon single crystal by the Czochralski method (hereinafter referred to as “CZ method”). More specifically, the present invention relates to a method for evaluating the degree of internal contamination of a single crystal manufacturing apparatus that can be evaluated even when the resistivity of the single crystal to be pulled up is so low that it is difficult to measure the lifetime.
半導体材料のシリコンウェーハに用いるシリコン単結晶の育成に、最も広く採用されている方法がＣＺ法による単結晶引上げである。このＣＺ法によるシリコン単結晶の育成では、単結晶製造装置の中央部に設置された石英坩堝内で多結晶シリコンが溶解され、シリコン融液が収容される。そして、シリコン融液に種結晶が浸漬され、種結晶および石英坩堝を回転させながら、その鉛直方向に種結晶を上方へ引き上げることにより、種結晶の下方にシリコン単結晶が育成される。 Single crystal pulling by the CZ method is the most widely adopted method for growing silicon single crystals used for silicon wafers of semiconductor materials. In the growth of a silicon single crystal by the CZ method, polycrystalline silicon is dissolved in a quartz crucible installed at the center of a single crystal manufacturing apparatus, and a silicon melt is accommodated. Then, the seed crystal is immersed in the silicon melt, and while rotating the seed crystal and the quartz crucible, the silicon single crystal is grown below the seed crystal by pulling the seed crystal upward in the vertical direction.
単結晶製造装置の内部が、単結晶製造装置を構成する部材から発生した金属粉やカーボン粉等の汚染物質によって汚染されていると、育成されたシリコン単結晶の表面もこの汚染物質によって汚染されることとなる。汚染されたシリコン単結晶から得られたウェーハは、酸化膜耐圧の低下やリーク電流の増加を引き起こすなど、品質上の問題を有する。 If the inside of the single crystal manufacturing device is contaminated with contaminants such as metal powder or carbon powder generated from the components that make up the single crystal manufacturing device, the surface of the grown silicon single crystal is also contaminated with this contaminant. The Rukoto. A wafer obtained from a contaminated silicon single crystal has quality problems such as a reduction in oxide film breakdown voltage and an increase in leakage current.
単結晶製造装置の内部の汚染を評価する手法としては、育成された単結晶から切り出したウェーハの再結合ライフタイムを測定することで、シリコン単結晶の金属汚染量を評価する方法があり、これにより単結晶製造装置の内部の汚染を評価することができる。 As a method for evaluating the contamination inside the single crystal manufacturing apparatus, there is a method for evaluating the metal contamination amount of the silicon single crystal by measuring the recombination lifetime of the wafer cut out from the grown single crystal. Thus, contamination inside the single crystal manufacturing apparatus can be evaluated.
ここで、ウェーハの再結合ライフタイム（以下、単にライフタイムと記す）を測定する手法としては、通常、非破壊で迅速な測定が可能なμ−ＰＣＤ法（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｄｅｔｅｃｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｄｅｃａｙ Ｍｅｔｈｏｄ 、マイクロ波検知光導電減衰法）が広く用いられている。この方法は、ウエーハ内部に照射された光により発生した過剰キャリアの減衰状態をマイクロ波の反射で検出する方法である。 Here, as a technique for measuring the recombination lifetime of the wafer (hereinafter simply referred to as lifetime), a μ-PCD method (Microwave Detected Photomethod, microwave detection capable of non-destructive and quick measurement is usually used. The photoconductive decay method) is widely used. This method is a method of detecting the attenuation state of excess carriers generated by light irradiated inside the wafer by reflection of microwaves.
また、単結晶製造装置の内部の汚染を評価する別の手法として、特許文献１および２では、モニタ用ウェーハを空の石英坩堝内に吊り下げて所定温度で所定時間保持した後、モニタ用ウェーハを回収し、原子吸光分析法等を用いてその不純物濃度を測定する方法が提案されている。
As another method for evaluating the contamination inside the single crystal manufacturing apparatus, in
しかし、先のμ−ＰＣＤ法を用いてシリコンウェーハのライフタイムを測定する場合、比抵抗（抵抗率）が３Ωｃｍ以下の低抵抗シリコン単結晶インゴットから切り出したウェーハでは、その抵抗率が非常に低いため、マイクロ波の反射率が極めて高くなる。そのため、μ−ＰＣＤ検出器の出力が飽和したり、マイクロ波ノイズが重畳するため、過剰キャリア注入による反射率の変化を検出することが困難となり、ライフタイムの測定が困難になるという問題がある。 However, when the lifetime of a silicon wafer is measured using the previous μ-PCD method, the resistivity is very low in a wafer cut from a low-resistance silicon single crystal ingot having a specific resistance (resistivity) of 3 Ωcm or less. Therefore, the reflectance of the microwave becomes extremely high. Therefore, since the output of the μ-PCD detector is saturated or microwave noise is superimposed, it is difficult to detect a change in reflectance due to excess carrier injection, and it is difficult to measure lifetime. .
このため、育成されたシリコン単結晶の抵抗率が３Ωｃｍ以下である場合には、全溶解分析法が適用され、シリコン単結晶から切り出したウェーハを全て溶解し、汚染物質の定量評価を行うことで、単結晶製造装置の内部の汚染を評価することが必要になる。この場合、原子吸光分析法や二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ法）を使用しなければならず、コストが嵩み、評価に多大な時間を要することになる。 For this reason, when the resistivity of the grown silicon single crystal is 3 Ωcm or less, the total dissolution analysis method is applied, and all the wafers cut out from the silicon single crystal are dissolved to quantitatively evaluate the contaminants. Therefore, it is necessary to evaluate the contamination inside the single crystal manufacturing apparatus. In this case, atomic absorption analysis or secondary ion mass spectrometry (SIMS method) must be used, which increases costs and takes a long time for evaluation.
一方、育成されたシリコン単結晶の抵抗率が３Ωｃｍを超え、ライフタイムの測定が可能である場合でも、単結晶の抵抗率の範囲や、結晶軸の方向、ｐ型、ｎ型のタイプの違いによる品種の違いによって、同条件であっても異なるライフタイムとなるため、ライフタイムに基づいて単結晶製造装置内の汚染量の傾向管理をする際には、それぞれの品種別に管理する必要がある。 On the other hand, even when the resistivity of the grown silicon single crystal exceeds 3 Ωcm and the lifetime can be measured, the range of resistivity of the single crystal, the direction of the crystal axis, the difference between the p-type and n-type types Depending on the type of product, the lifetime will be different even under the same conditions. Therefore, when managing the tendency of the amount of contamination in the single crystal manufacturing equipment based on the lifetime, it is necessary to manage each product type. .
また、特許文献１および２で提案された方法では、原料が充填されない空の石英坩堝内に置かれたモニタ用ウェーハを測定するものであるため、主に石英坩堝に起因する汚染評価に留まるとともに、実際のシリコン単結晶育成環境とは異なる環境下に置かれたウェーハについての測定であり、測定結果の信頼性の劣るものとなる。
In addition, the methods proposed in
通常、石英坩堝や多結晶原料は、シリコン単結晶を育成する毎に、新しいものを使用し、その不純物量も厳しく管理されているので、石英坩堝や多結晶原料による不純物汚染は無視できるほどに極めて小さい。一方、単結晶を囲繞する熱遮蔽部材や、グラファイトサセプタ、ヒータ、保温筒、断熱材などの炭素材構造部品は、繰り返し使用されるため、その内部に不純物を吸着していることが多い。これら炭素材内に吸着されている不純物は長時間に亘って徐々に蒸発するため、単結晶育成を行う前に不純物測定を実施しても、実際のシリコン単結晶育成環境とは異なる結果となる。 Usually, quartz crucibles and polycrystalline raw materials are used every time a silicon single crystal is grown, and the amount of impurities is strictly controlled, so impurity contamination by quartz crucibles and polycrystalline raw materials is negligible. Very small. On the other hand, a heat shielding member that surrounds a single crystal, and carbon material structural parts such as a graphite susceptor, a heater, a heat insulating cylinder, and a heat insulating material are repeatedly used, and thus impurities are often adsorbed therein. Since the impurities adsorbed in these carbon materials gradually evaporate over a long period of time, even if the impurity measurement is performed before the single crystal growth, the result differs from the actual silicon single crystal growth environment. .
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、育成するシリコン単結晶の品種によらず一定の条件でライフタイムの測定が行えるＣＺ単結晶製造装置の内部汚染度評価方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides an internal contamination degree evaluation method for a CZ single crystal manufacturing apparatus capable of measuring lifetime under a certain condition regardless of the type of silicon single crystal to be grown. For the purpose.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その要旨は、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成する単結晶製造装置の内部汚染度を評価する方法であって、単結晶インゴットの昇降を行う昇降軸の下端に取り付けた種結晶の上方にライフタイム測定が可能な抵抗率を有するシリコンからなる評価用試料を取着させた状態で、前記種結晶の下端に単結晶インゴットを育成した後、前記評価用試料のライフタイムを測定することを特徴とする単結晶製造装置の内部汚染度評価方法である。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and the gist of the present invention is a method for evaluating the degree of internal contamination of a single crystal manufacturing apparatus for growing a single crystal silicon ingot by the CZ method. A single crystal ingot is attached to the lower end of the seed crystal with a sample for evaluation made of silicon having a resistivity capable of lifetime measurement being attached above the seed crystal attached to the lower end of the lifting shaft. After growing up, the lifetime of the sample for evaluation is measured, and this is a method for evaluating the degree of internal contamination of a single crystal manufacturing apparatus.
本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法によれば、製品であるシリコン単結晶からウェーハを切り出すことなく、迅速かつ簡便なμ−ＰＣＤ法を用いて評価試料を評価するだけでよく、製品シリコン単結晶の歩留まりの向上、および評価時間を大幅に低減することができる。 According to the internal contamination degree evaluation method of the single crystal manufacturing apparatus of the present invention, it is only necessary to evaluate an evaluation sample using a quick and simple μ-PCD method without cutting a wafer from a silicon single crystal as a product. The yield of the product silicon single crystal can be improved and the evaluation time can be greatly reduced.
前記評価用試料は、単結晶インゴットの育成を完了するまでの間、単結晶インゴットの上昇に同期して上方に移動しながら単結晶製造装置の内部に保持されるため、育成したシリコン単結晶と同等の環境下に置かれた評価用試料についてのライフタイムを測定することが可能となり、評価結果の信頼性が高いものとなる。 The sample for evaluation is held inside the single crystal manufacturing apparatus while moving upward in synchronization with the rise of the single crystal ingot until the growth of the single crystal ingot is completed. The lifetime of an evaluation sample placed in an equivalent environment can be measured, and the reliability of the evaluation result is high.
また、育成するシリコン単結晶の品種によらず一定の条件でのライフタイムの測定が可能となり、単結晶製造装置の内部の汚染状態の傾向管理を精度よく行うことができ、単結晶製造装置の適切な保守管理を行うことができる。 In addition, it is possible to measure the lifetime under certain conditions regardless of the type of silicon single crystal to be grown, and to manage the tendency of the contamination state inside the single crystal manufacturing apparatus with high accuracy. Appropriate maintenance management can be performed.
さらに、引き上げられたシリコン単結晶からの試料を切り出す必要がないため、シリコン単結晶の歩留まりを向上させることができる。 Furthermore, since it is not necessary to cut out a sample from the pulled silicon single crystal, the yield of the silicon single crystal can be improved.
本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法について、図面に基づいて説明する。 A method for evaluating the degree of internal contamination of a single crystal production apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法は、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成する単結晶製造装置の内部汚染度を評価する方法であって、単結晶インゴットの昇降を行う昇降軸の下端に取り付けた種結晶の上方にライフタイム測定が可能な抵抗率を有するシリコンからなる評価用試料を取着させた状態で、前記種結晶の下端に単結晶インゴットを育成した後、前記評価用試料のライフタイムを測定することを特徴とする。 An internal contamination degree evaluation method for a single crystal production apparatus according to the present invention is a method for evaluating the internal contamination degree of a single crystal production apparatus for growing a single crystal silicon ingot by the CZ method, and a lifting shaft for raising and lowering the single crystal ingot The evaluation was performed after growing a single crystal ingot on the lower end of the seed crystal in a state where an evaluation sample made of silicon having a resistivity capable of lifetime measurement was attached above the seed crystal attached to the lower end of the seed crystal. It is characterized by measuring the lifetime of a sample for use.
図１は、本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法に用いられる単結晶製造装置の全体構成を示す図である。シリコン単結晶の単結晶製造装置の外観を形成するチャンバ１２の内部には、シリコン融液３を収容する石英坩堝１が設けられ、この石英坩堝１の外周面および外底面はグラファイトサセプタ２により保持される。グラファイトサセプタ２は鉛直方向に平行な支持軸９の上端に固定され、この支持軸９を介して石英坩堝１を所定の方向に回転させるとともに、上下方向に移動できるように構成している。
FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of a single crystal manufacturing apparatus used in the method for evaluating the internal contamination degree of a single crystal manufacturing apparatus of the present invention. A
石英坩堝１およびグラファイトサセプタ２の外周面はヒータ５により囲繞され、このヒータ５はさらに保温筒１０により包囲される。シリコン単結晶の育成における原料溶解の過程では、ヒータ５の加熱により石英坩堝１内に充填された高純度の多結晶の原料シリコンが加熱、溶解されてシリコン融液３になる。
The outer peripheral surfaces of the
一方、単結晶製造装置のチャンバ１２の上端部には引上げ手段１１が設けられる。この引上げ手段１１には石英坩堝１の回転中心に向かって垂下された、単結晶インゴットの昇降を行う昇降軸（ワイヤケーブル）７が取り付けられ、ワイヤケーブル７を巻き取りまたは繰り出す引上げ用モータ（図示せず）が配備される。ワイヤケーブル７の下端には種結晶１３を把持するシードチャック６が取り付けられる。
On the other hand, a
育成中のシリコン単結晶４を囲繞するように、シリコン単結晶４と保温筒１０との間に円筒状の熱遮蔽部材８が設けられる。この熱遮蔽部材８はコーン部８ａとフランジ部８ｂとからなり、このフランジ部８ｂを保温筒１０に取り付けることにより熱遮蔽部材８が所定位置に配置される。
A cylindrical
図１に示される構成からなる単結晶製造装置を用い、シリコン単結晶を育成する手順は、次の通りである。結晶原料を溶解する段階では、高純度の多結晶の原料シリコンを石英坩堝１に充填し、ヒータ５でシリコンの融点以上に加熱、溶解してシリコン融液３を石英坩堝１に収容する（溶融工程）。
The procedure for growing a silicon single crystal using the single crystal manufacturing apparatus having the configuration shown in FIG. 1 is as follows. At the stage of melting the crystal raw material, high-purity polycrystalline silicon is filled in the
そして、シリコン融液３に種結晶１３を浸し、種結晶１３そのものを溶解した後、ワイヤケーブル７を回転させながら引き上げることにより、円柱状のシリコン単結晶４を育成する（育成工程）。このとき石英坩堝１はワイヤケーブル７の回転と反対方向の回転が加えられる。
Then, after immersing the
本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法は、単結晶インゴットの育成の間、ワイヤケーブル７によって評価用試料をチャンバ１２の内部に吊り下げ、育成完了後、チャンバ１２から評価用試料を取り出し、測定したその評価用試料のライフタイムを内部汚染度の評価値とするものである。評価用試料は、ライフタイムの測定が可能な抵抗率を有するシリコン単結晶のウェーハからなる。
In the method for evaluating the degree of internal contamination of the single crystal manufacturing apparatus according to the present invention, the sample for evaluation is suspended inside the
使用する評価用試料は、抵抗率が３Ωｃｍを超えればライフタイムの測定が可能である。しかし、抵抗率が高いほどライフタイム測定の感度が向上するため、抵抗率が１０Ωｃｍ以上のシリコン単結晶で構成することが望ましく、より望ましくはドーパントを添加していない高抵抗のシリコン単結晶からなるものが望ましい。これにより、育成されるシリコン単結晶インゴットがライフタイムの測定が困難な３Ωｃｍ以下の抵抗率であっても、評価試料のライフタイムを測定することで、単結晶製造装置の内部汚染度評価を行うことができる。 The evaluation sample to be used can measure the lifetime if the resistivity exceeds 3 Ωcm. However, since the sensitivity of lifetime measurement is improved as the resistivity is higher, it is preferable that the resistivity is composed of a silicon single crystal having a resistivity of 10 Ωcm or more, and more desirably a high resistance silicon single crystal to which no dopant is added. Things are desirable. Thereby, even if the silicon single crystal ingot to be grown has a resistivity of 3 Ωcm or less where it is difficult to measure the lifetime, the internal contamination degree of the single crystal manufacturing apparatus is evaluated by measuring the lifetime of the evaluation sample. be able to.
本発明に係る方法によれば、評価用試料を用いるため、製品である引き上げられたシリコン単結晶から試料を切り出す必要がなく、シリコン単結晶の歩留まりを向上させることができる。さらに、引き上げるシリコン単結晶の品種に関わらず、同一の評価用試料を用いることができるため、常に同一条件でチャンバ１２内部の汚染度を評価することができ、チャンバ１２内部の汚染状態の傾向管理を精度よく行うことが可能であり、単結晶製造装置の適切な保守管理を行うことができる。
According to the method of the present invention, since the evaluation sample is used, it is not necessary to cut out the sample from the pulled silicon single crystal that is a product, and the yield of the silicon single crystal can be improved. Furthermore, since the same sample for evaluation can be used regardless of the type of silicon single crystal to be pulled up, the degree of contamination inside the
また、チャンバ１２内部の汚染度を、引き上げたシリコン単結晶から切り出した試料のライフタイム測定値から評価する場合、引き上げるシリコン単結晶がライフタイムの測定が困難な低抵抗のものである場合には評価することができない。このため、引き上げたシリコン単結晶の測定値を用いる場合には、定期的に高抵抗のシリコン単結晶を引き上げなければならないという生産計画上の制約があった。しかし、本発明の内部汚染度評価方法によれば、このような制約がないため柔軟な生産計画を立てることが可能となる。
Further, when evaluating the degree of contamination inside the
ライフタイムの測定方法については特に限定されない。例えば、非破壊で迅速な測定が可能な装置が市販され、ウェーハの品質評価等に広く使用されているμ−ＰＣＤ法を用いればよい。 The method for measuring the lifetime is not particularly limited. For example, an apparatus capable of nondestructive and quick measurement is commercially available, and the μ-PCD method widely used for wafer quality evaluation and the like may be used.
図２は、本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法に用いられるシードチャック６の周辺の拡大図である。シードチャック６の側面に取り付けられた鍔状の載置台１５上に評価用試料１４を載置できるようにしている。載置台１５上には、評価用試料１４を垂直に支持できる支持部材１７を設けることが望ましい。支持部材１７を設けることにより、評価用試料１４をチャンバ１２に出し入れする際に落下するおそれを低減することができるとともに、評価用試料１４のチャンバ１２内部での姿勢を引き上げられるシリコン単結晶の表面に近い状態とすることができるため、汚染をより正確に評価することが可能となる。なお、ワイヤケーブル７によって評価用試料１４を吊り下げる方法としては、シードチャック６で把持する方法、シードチャック６に取着させる方法、ワイヤケーブル７の下端に直接取り付ける方法などが挙げられる。
FIG. 2 is an enlarged view of the periphery of the
評価用試料１４のライフタイム測定の結果に基づいて、チャンバ１２の内部の汚染が所定の基準以上であると評価された場合には、シリコン単結晶の引上げ後、チャンバ１２の内部の清掃等の必要な処置を施すことができる。これにより、次回のシリコン単結晶の育成を清浄な状態の単結晶製造装置で行うことができることから、品質不良が発生する可能性を低減させることが可能となる。
Based on the result of the lifetime measurement of the
一方、チャンバ１２の内部の汚染が所定の基準未満であると評価された場合には、そのまま次回のシリコン単結晶の引上げを行うこととすれば、不必要な清掃等を行うことがなく、シリコン単結晶の生産効率を向上させることができる。
On the other hand, if it is evaluated that the contamination inside the
この場合、評価用試料１４も引き上げられるシリコン単結晶と同様の環境下におかれることとなるため、評価用試料１４を用いて、引き上げられたシリコン単結晶から切り出した試料を用いた場合と同等のライフタイム測定を行うことができる。
In this case, the
これにより、ライフタイム測定をシリコン単結晶の引上げ後、迅速に行えるため、シリコン単結晶の品質を確認するまでの時間を短縮することができる。 Thereby, since the lifetime measurement can be performed quickly after pulling up the silicon single crystal, the time until the quality of the silicon single crystal is confirmed can be shortened.
本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法の効果を確認するため、下記の試験を行い、その結果を評価した。 In order to confirm the effect of the internal contamination degree evaluation method of the single crystal manufacturing apparatus of the present invention, the following tests were conducted and the results were evaluated.
本実施例の試験では、前記図２に示すシードチャックの載置台および支持部材を用いて評価用試料を支持し、前記図１に示す装置を用いてシリコン単結晶の育成を複数回行った。 In the test of this example, the sample for evaluation was supported using the mounting table and support member of the seed chuck shown in FIG. 2, and the silicon single crystal was grown a plurality of times using the apparatus shown in FIG.
具体的には、抵抗率が１０ΩｃｍのＰ型シリコン単結晶からなる評価用試料を使用し、種結晶の下端に抵抗率が１Ωｃｍのシリコン単結晶インゴットを育成した。単結晶インゴットの育成完了後に、評価用試料および育成したシリコン単結晶から切り出した試料について、μ−ＰＣＤ法により、ライフタイム測定を行った。 Specifically, a sample for evaluation made of a P-type silicon single crystal having a resistivity of 10 Ωcm was used, and a silicon single crystal ingot having a resistivity of 1 Ωcm was grown at the lower end of the seed crystal. After completion of the growth of the single crystal ingot, lifetime measurement was performed on the sample for evaluation and the sample cut out from the grown silicon single crystal by the μ-PCD method.
その結果、評価用試料のライフタイムの値が大きいほど、引上げ後のシリコン単結晶から切り出した試料のライフタイムの値も大きいという相関関係が見られた。このことから、本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法が、引上げ後のシリコン単結晶から切り出した試料を用いた評価方法の代替として有効であることが確認できた。 As a result, it was found that the larger the lifetime value of the sample for evaluation was, the larger the lifetime value of the sample cut out from the pulled silicon single crystal was. From this, it was confirmed that the internal contamination degree evaluation method of the single crystal manufacturing apparatus of the present invention is effective as an alternative to the evaluation method using the sample cut out from the pulled silicon single crystal.
本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法によれば、育成したシリコン単結晶を汚染度の評価に用いず、評価用試料を用いるため、シリコン単結晶の歩留まりを向上させることができ、迅速に汚染度の評価を行うことができる。また、シリコン単結晶の品種によらず汚染度の評価を行うことができるため、柔軟な生産計画を立案することが可能となる。 According to the internal contamination degree evaluation method of the single crystal manufacturing apparatus of the present invention, since the grown silicon single crystal is not used for the evaluation of the contamination degree and the evaluation sample is used, the yield of the silicon single crystal can be improved, The degree of contamination can be evaluated quickly. Further, since the degree of contamination can be evaluated regardless of the type of silicon single crystal, a flexible production plan can be established.
したがって、本発明の単結晶製造装置の内部汚染度評価方法は、シリコン単結晶の育成に好適に利用することができる。 Therefore, the internal contamination degree evaluation method for a single crystal manufacturing apparatus of the present invention can be suitably used for growing a silicon single crystal.
１ 石英坩堝
２ グラファイトサセプタ
３ シリコン融液
４ シリコン単結晶
５ ヒータ
６ シードチャック
７ ワイヤケーブル
８ 熱遮蔽部材
８ａ コーン部
８ｂ フランジ部
９ 支持軸
１０ 保温筒
１１ 引上げ手段
１２ チャンバ
１３ 種結晶
１４ 評価用試料
１５ 載置台
１６ ワイヤ
１７ 支持部材
DESCRIPTION OF
Claims (4)
単結晶インゴットの昇降を行う昇降軸の下端に取り付けた種結晶の上方にライフタイム測定が可能な抵抗率を有するシリコンからなる評価用試料を取着させた状態で、前記種結晶の下端に単結晶インゴットを育成した後、前記評価用試料のライフタイムを測定することを特徴とする単結晶製造装置の内部汚染度評価方法。 A method for evaluating the internal contamination degree of a single crystal manufacturing apparatus for growing a single crystal silicon ingot by the Czochralski method,
A sample for evaluation made of silicon having a resistivity capable of measuring lifetime is attached above the seed crystal attached to the lower end of the lifting shaft for raising and lowering the single crystal ingot. After growing a crystal ingot, the lifetime of the said sample for evaluation is measured, The internal contamination degree evaluation method of the single crystal manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned.
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