JP2009278476A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、マイクロコンピュータから供給されるデータ、クロック信号、制御信号等の入力信号に基づいて動作し、入力信号に混入したノイズを除去するノイズ除去回路を含む半導体集積回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a noise removal circuit that operates based on input signals such as data, a clock signal, and a control signal supplied from a microcomputer and removes noise mixed in the input signal.
一般に、電子機器においては、電源ラインや信号ラインにノイズが発生し、ノイズの影響によって、電子機器に搭載されている半導体集積回路が誤動作するという問題がある。例えば、半導体集積回路のリセット端子にノイズが印加されて半導体集積回路が誤動作すると、内部回路が初期化されてしまうので、電子機器に大きな支障が生じてしまう。 Generally, in an electronic device, there is a problem that noise occurs in a power supply line or a signal line, and a semiconductor integrated circuit mounted in the electronic device malfunctions due to the influence of the noise. For example, if noise is applied to the reset terminal of the semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit malfunctions, the internal circuit is initialized, which causes a serious problem for the electronic device.
半導体集積回路の入力端子にノイズが印加され、入力回路において入力信号の論理レベルが反転しても、内部回路がクロック信号に同期して動作する場合には、内部回路の論理動作によってノイズの影響を排除することが可能であるが、リセット信号や割り込み信号等に対しては、内部回路がクロック信号と非同期に動作するので、そのような信号の論理レベルがノイズによって反転すると、ノイズの影響が内部回路に伝播して半導体集積回路が誤動作してしまう。また、外部からクロック信号を入力するための入力端子にノイズが印加された場合にも、同様に半導体集積回路が誤動作してしまう。 Even if noise is applied to the input terminal of a semiconductor integrated circuit and the logic level of the input signal is inverted in the input circuit, the internal circuit operates in synchronization with the clock signal. However, because the internal circuit operates asynchronously with the clock signal for reset signals, interrupt signals, etc., if the logic level of such signals is inverted by noise, the effects of noise The semiconductor integrated circuit malfunctions by propagating to the internal circuit. Similarly, when a noise is applied to an input terminal for inputting a clock signal from the outside, the semiconductor integrated circuit similarly malfunctions.
そのような問題に対処するために、様々な技術が開発されている。例えば、入力信号が正論理の場合には、外部から供給される入力信号と、これを遅延させて得られた遅延信号との論理積を求めたり、入力信号が負論理の場合には、入力信号と遅延信号との論理和を求めたりすることにより、短期間(数ナノ秒程度)のノイズパルスを除去することができる。 Various techniques have been developed to deal with such problems. For example, when the input signal is positive logic, the logical product of the input signal supplied from the outside and the delayed signal obtained by delaying the input signal is obtained, or when the input signal is negative logic, By obtaining a logical sum of the signal and the delayed signal, it is possible to remove a noise pulse of a short period (about several nanoseconds).
関連する技術として、下記の特許文献1には、ノイズのレベルが入力論理回路の閾値を越える場合でもノイズを除去することができ、LSI化により使用部品点数の減少及びシステムボードの小型化を図り、コスト増加を抑制し得る非同期型ノイズフィルタ回路が開示されている。 As a related technique, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 can remove noise even when the noise level exceeds the threshold value of the input logic circuit, thereby reducing the number of components used and reducing the size of the system board by using LSI. An asynchronous noise filter circuit capable of suppressing an increase in cost is disclosed.
図8は、特許文献1に開示されている非同期型ノイズフィルタ回路の構成を示す回路図である。この非同期型ノイズフィルタ回路は、入力信号IN、及び、入力信号INが遅延素子13によって遅延された遅延信号が入力されるNAND回路12と、入力信号IN及び遅延信号が入力されるOR回路14と、NAND回路12の出力ノード及びOR回路14の出力ノードがそれぞれ対応してセット入力ノードS及びリセット入力ノードRに接続されるRSラッチ回路15と、インバータ回路16と、出力バッファ回路17とを具備する。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of an asynchronous noise filter circuit disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG. This asynchronous noise filter circuit includes an input signal IN, a
図9は、図8に示す非同期型ノイズフィルタ回路の動作を示すタイミングチャートである。図9に示すような入力信号INがフィルタ入力ノード11に入力された場合に、遅延素子13の出力ノードには、図示のように、遅延信号が出力される。NAND回路12において、入力信号INと遅延信号とのNAND演算が行われて、そのNAND出力がローレベルになると、RSラッチ回路15がセットされる。また、OR回路14において、入力信号INと遅延信号とのOR演算が行われて、そのOR出力がローレベルになると、RSラッチ回路15がリセットされる。これにより、RSラッチ回路15の出力ノードQには、入力信号INより遅延量αだけ遅れた反転信号が出力され、この反転信号が、インバータ回路16及び出力バッファ回路17を経て、フィルタ出力ノード18の出力信号OUTとなる。
FIG. 9 is a timing chart showing the operation of the asynchronous noise filter circuit shown in FIG. When an input signal IN as shown in FIG. 9 is input to the
そのような動作に際して、図9に示すように、入力信号IN中に、立上がり方向の複数のノイズパルス及び立下がり方向の複数のノイズパルス(各々のパルス幅はα以下)が混入したと仮定する。NAND回路12において、入力信号INと遅延信号とのNAND演算が行われると、NAND出力には、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、遅延信号の立上がりによってRSラッチ回路15がセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。
In such an operation, as shown in FIG. 9, it is assumed that a plurality of noise pulses in the rising direction and a plurality of noise pulses in the falling direction (each pulse width is α or less) are mixed in the input signal IN. . In the
また、OR回路14において、入力信号INと遅延信号とのOR演算が行われると、OR出力には、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路15がリセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。
Further, when the OR operation of the input signal IN and the delay signal is performed in the
一方、遅延素子13における遅延量と連続するノイズパルスの間隔との関係によっては、ノイズを除去できないこともある。図10は、図8に示す非同期型ノイズフィルタ回路の別の動作を示すタイミングチャートである。図10においては、遅延素子13における遅延量α'が、連続するノイズパルスの間隔に近い場合が示されている。そのような場合には、NAND回路12の出力に、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルスが出現し、それによりRSラッチ回路15がセットされて、出力信号OUTに残留ノイズが生じてしまう。また、OR回路14の出力に、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルスが出現し、それによりRSラッチ回路15がリセットされて、出力信号OUTに残留ノイズが生じてしまう。
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、複数のノイズパルスが連続して印加される場合においてもノイズを除去する能力を高めたノイズ除去回路を含む半導体集積回路を提供することを目的とする。 Therefore, in view of the above-described points, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit including a noise removal circuit having an improved ability to remove noise even when a plurality of noise pulses are continuously applied. .
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点に係る半導体集積回路は、入力信号を遅延する直列接続された複数の遅延回路と、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによってセット信号を生成する第1の論理回路と、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによってリセット信号を生成する第2の論理回路と、第1の論理回路によって生成されるセット信号によってセットされ、第2の論理回路によって生成されるリセット信号によってリセットされることにより、正論理の入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成するRSラッチ回路とを具備する。 In order to solve the above-described problem, a semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention includes a plurality of delay circuits connected in series for delaying an input signal, and at least three time delays given to each other by the plurality of delay circuits. A first logic circuit that generates a set signal by determining a logical product of the signals, and a second logic circuit that generates a reset signal by determining a logical sum of at least three signals that are given time differences by a plurality of delay circuits. It is set by the logic circuit and the set signal generated by the first logic circuit, and is reset by the reset signal generated by the second logic circuit, thereby removing pulse noise from the positive logic input signal. And an RS latch circuit for generating an output signal.
ここで、第1の論理回路がNAND回路であり、第2の論理回路がOR回路であり、RSラッチ回路が、2つのNAND回路によって構成され、第1の論理回路によってセット信号がローレベルにされたときにセットされて出力信号をローレベルに活性化し、第2の論理回路によってリセット信号がローレベルにされたときにリセットされて出力信号をハイレベルに非活性化するようにしても良い。 Here, the first logic circuit is a NAND circuit, the second logic circuit is an OR circuit, the RS latch circuit is configured by two NAND circuits, and the set signal is set to a low level by the first logic circuit. When the reset signal is set to low level by the second logic circuit, the output signal is reset to inactivate the output signal to high level. .
あるいは、第1の論理回路がAND回路であり、第2の論理回路がNOR回路であり、RSラッチ回路が、2つのNOR回路によって構成され、第1の論理回路によってセット信号がハイレベルにされたときにセットされて出力信号をハイレベルに活性化し、第2の論理回路によってリセット信号がハイレベルにされたときにリセットされて出力信号をローレベルに非活性化するようにしても良い。 Alternatively, the first logic circuit is an AND circuit, the second logic circuit is a NOR circuit, the RS latch circuit is configured by two NOR circuits, and the set signal is set to a high level by the first logic circuit. May be set to activate the output signal at a high level, and reset when the reset signal is set to a high level by the second logic circuit to deactivate the output signal to a low level.
また、本発明の第2の観点に係る半導体集積回路は、入力信号を遅延する直列接続された複数の遅延回路と、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによってセット信号を生成する第1の論理回路と、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによってリセット信号を生成する第2の論理回路と、第1の論理回路によって生成されるセット信号によってセットされ、第2の論理回路によって生成されるリセット信号によってリセットされることにより、負論理の入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成するRSラッチ回路とを具備する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit that performs a logical OR of a plurality of serially connected delay circuits that delay an input signal and at least three signals that are given a time difference by the plurality of delay circuits. A first logic circuit that generates a set signal by determining, a second logic circuit that generates a reset signal by determining a logical product of at least three signals that are given time differences by a plurality of delay circuits; Set by the set signal generated by the first logic circuit and reset by the reset signal generated by the second logic circuit to generate an output signal in which pulse-like noise is removed from the negative logic input signal RS latch circuit.
ここで、第1の論理回路がOR回路であり、第2の論理回路がNAND回路であり、RSラッチ回路が、2つのNAND回路によって構成され、第1の論理回路によってセット信号がローレベルにされたときにセットされて出力信号をローレベルに活性化し、第2の論理回路によってリセット信号がローレベルにされたときにリセットされて出力信号をハイレベルに非活性化するようにしても良い。 Here, the first logic circuit is an OR circuit, the second logic circuit is a NAND circuit, the RS latch circuit is configured by two NAND circuits, and the first logic circuit sets the set signal to a low level. When the reset signal is set to low level by the second logic circuit, the output signal is reset to inactivate the output signal to high level. .
あるいは、第1の論理回路がNOR回路であり、第2の論理回路がAND回路であり、RSラッチ回路が、2つのNOR回路によって構成され、第1の論理回路によってセット信号がハイレベルにされたときにセットされて出力信号をハイレベルに活性化し、第2の論理回路によってリセット信号がハイレベルにされたときにリセットされて出力信号をローレベルに非活性化するようにしても良い。 Alternatively, the first logic circuit is a NOR circuit, the second logic circuit is an AND circuit, the RS latch circuit is configured by two NOR circuits, and the set signal is set to a high level by the first logic circuit. May be set to activate the output signal at a high level, and reset when the reset signal is set to a high level by the second logic circuit to deactivate the output signal to a low level.
本発明によれば、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積又は論理和を求めることによってRSラッチ回路のセット信号又はリセット信号を生成することにより、複数のノイズパルスが連続して印加される場合においてもノイズを除去する能力を高めることができる。 According to the present invention, a plurality of noise pulses are generated by generating a set signal or a reset signal of an RS latch circuit by obtaining a logical product or a logical sum of at least three signals that are given time differences by a plurality of delay circuits. Even when the voltage is continuously applied, the ability to remove noise can be enhanced.
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1〜3の実施形態に係る半導体集積回路の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、半導体集積回路100は、複数の入出力端子と、複数の入出力回路が形成された入出力セル領域1と、ノイズ除去回路2と、内部回路3とを有している。内部回路3は、例えば、液晶パネルを駆動するためのドライバ回路を含んでいる。
The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor integrated circuit according to first to third embodiments of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor
実際のレイアウトにおいては、入出力セル領域1がチップの周辺部に形成され、複数の入出力端子がチップの4辺に沿って配置される。なお、複数の入出力回路及び入出力端子は、入力専用と出力専用とに分けて設けられても良いし、入出力兼用として設けられても良い。以下においては、入力専用の入力回路及び入力端子が設けられている場合について説明する。 In the actual layout, the input / output cell region 1 is formed in the peripheral portion of the chip, and a plurality of input / output terminals are arranged along the four sides of the chip. The plurality of input / output circuits and input / output terminals may be provided separately for input only and output only, or may be provided for both input and output. Hereinafter, a case where an input-only input circuit and an input terminal are provided will be described.
図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路に内蔵されているノイズ除去回路周辺の構成を示す回路図である。外部から入力端子(パッド)に入力される入力信号INは、入力バッファ回路1aによってバッファされ、ノイズ除去回路2に供給される。本実施形態においては、入力信号が正論理(ハイアクティブ)であるものとする。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration around a noise removal circuit built in the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. An input signal IN input from the outside to the input terminal (pad) is buffered by the
ノイズ除去回路2は、入力信号を遅延して複数の遅延信号を生成する直列接続された複数の遅延回路20と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてセット信号を生成する第1の論理回路21と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてリセット信号を生成する第2の論理回路22と、セット信号及びリセット信号に基づいて出力信号を生成するRSラッチ回路23と、RSラッチ回路23の出力信号を反転するインバータ24と、インバータ24から出力される信号をバッファして内部回路3(図1)に供給する出力バッファ回路25とを含んでいる。
The
図3は、図2に示す遅延回路の構成例を示す回路図である。図3に示すように、遅延回路20は、PチャネルMOSトランジスタQP1〜QP3と、NチャネルMOSトランジスタQN1〜QN3とを含んでいる。この遅延回路20は、第1の電源電位VDD及び第2の電源電位VSSが供給されて動作する。トランジスタQP1〜QP2及びQN1〜QN2によって構成される回路は、入力信号を遅延させながら反転する。トランジスタQP3及びQN3は、通常のインバータを構成している。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of the delay circuit shown in FIG. As shown in FIG. 3,
例えば、3つの遅延回路20を直列に接続する場合に、トータルの遅延量αを90nsとするためには、各々の遅延回路における遅延時間を30nsとすれば良い。あるいは、複数の遅延回路20が、互いに異なる遅延時間を有するようにしても良い。例えば、第1の遅延回路における遅延時間を20nsとし、第2の遅延回路における遅延時間を30nsとし、第3の遅延回路における遅延時間を40nsとすることができる。このように、複数の遅延回路20が互いに異なる遅延時間を有する場合には、一定の周期で連続するパルスノイズを有効に除去することができる。
For example, when three
再び図2を参照すると、本実施形態においては、第1の論理回路21としてNAND回路が用いられており、NAND回路21は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによって、負論理(ローアクティブ)のセット信号を生成する。また、第2の論理回路22としてOR回路が用いられており、OR回路22は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによって、負論理のリセット信号を生成する。
Referring again to FIG. 2, in the present embodiment, a NAND circuit is used as the
RSラッチ回路23は、2つのNAND回路23a及び23bによって構成される。NAND回路23aの出力端子は、NAND回路23bの一方の入力端子に接続され、NAND回路23bの出力端子は、NAND回路23aの一方の入力端子に接続される。NAND回路23aの他方の入力端子(セット端子S)には、NAND回路21の出力端子が接続され、NAND回路23bの他方の入力端子(リセット端子R)には、OR回路22の出力端子が接続される。
The RS latch circuit 23 includes two
RSラッチ回路23は、NAND回路21によってセット信号がローレベルにされたときにセットされて、出力ノードQにおける出力信号をローレベルに活性化し、OR回路22によってリセット信号がローレベルにされたときにリセットされて、出力ノードQにおける出力信号をハイレベルに非活性化する。
The RS latch circuit 23 is set when the set signal is set to the low level by the
図4は、図2に示すノイズ除去回路の動作を示すタイミングチャートである。図4においては、図10に示す従来の非同期型ノイズフィルタ回路の動作と比較するために、複数の遅延素子20における遅延量α'が、連続するノイズパルスの間隔に近い場合が示されている。ここでは、3つの遅延回路20を直列に接続する場合について説明する。
FIG. 4 is a timing chart showing the operation of the noise removal circuit shown in FIG. FIG. 4 shows a case where the delay amount α ′ in the plurality of
図4に示すような入力信号INがノイズ除去回路2に入力された場合に、3つの遅延回路20の出力ノードには、遅延信号A〜Cがそれぞれ出力される。NAND回路21において、入力信号INと遅延信号A〜CとのNAND演算が行われて、そのNAND出力がローレベルになると、RSラッチ回路23がセットされる。また、OR回路22において、入力信号INと遅延信号とのOR演算が行われて、そのOR出力がローレベルになると、RSラッチ回路23がリセットされる。これにより、RSラッチ回路23の出力ノードQには、入力信号INより遅延量α'だけ遅れた反転信号が出力され、この反転信号が、インバータ回路24及び出力バッファ回路25を経て、ノイズ除去回路2の出力信号OUTとなる。
When the input signal IN as shown in FIG. 4 is input to the
そのような動作に際して、図4に示すように、入力信号INがローレベルである期間中に立上がり方向の複数のノイズパルスが混入し、入力信号INがハイレベルである期間中に立下がり方向の複数のノイズパルスが混入したと仮定する(各々のパルス幅はα'以下)。NAND回路21において、入力信号INと遅延信号A〜CとのNAND演算が行われると、NAND出力には、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。比較として、図10に示す従来の非同期型ノイズフィルタ回路の場合を破線で示す。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路23がセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。
In such an operation, as shown in FIG. 4, a plurality of noise pulses in the rising direction are mixed during a period in which the input signal IN is at a low level, and in a falling direction in a period in which the input signal IN is at a high level. It is assumed that a plurality of noise pulses are mixed (each pulse width is α ′ or less). When the NAND operation of the input signal IN and the delay signals A to C is performed in the
また、OR回路22において、入力信号INと遅延信号A〜CとのOR演算が行われると、OR出力には、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。比較として、図10に示す従来の非同期型ノイズフィルタ回路の場合を破線で示す。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路23がリセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。このようにして、RSラッチ回路23は、入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成し、RSラッチ回路23の出力信号が反転されて、ノイズ除去回路2の出力信号OUTとして内部回路3(図1)に供給される。
When the OR circuit 22 performs an OR operation on the input signal IN and the delay signals A to C, a pulse corresponding to the noise pulse in the falling direction does not appear in the OR output, and the noise pulse in the rising direction. And a delayed pulse appear. As a comparison, the conventional asynchronous noise filter circuit shown in FIG. However, since these pulses appear during the period when the RS latch circuit 23 is reset, no malfunction occurs. In this way, the RS latch circuit 23 generates an output signal from which pulse-like noise has been removed from the input signal, the output signal of the RS latch circuit 23 is inverted, and is internally used as the output signal OUT of the
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路に内蔵されているノイズ除去回路周辺の構成を示す回路図である。外部から入力端子(パッド)に入力される入力信号INは、入力バッファ回路1aによってバッファされ、ノイズ除去回路2に供給される。本実施形態においては、入力信号が正論理(ハイアクティブ)であるものとする。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration around a noise removal circuit built in a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. An input signal IN input from the outside to the input terminal (pad) is buffered by the
ノイズ除去回路2は、入力信号を遅延して複数の遅延信号を生成する直列接続された複数の遅延回路20と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてセット信号を生成する第1の論理回路31と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてリセット信号を生成する第2の論理回路32と、セット信号及びリセット信号に基づいて出力信号を生成するRSラッチ回路33と、RSラッチ回路33の出力信号をバッファして内部回路3(図1)に供給する出力バッファ回路25とを含んでいる。
The
本実施形態においては、第1の論理回路31としてAND回路が用いられており、AND回路31は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによって、正論理のセット信号を生成する。また、第2の論理回路32としてNOR回路が用いられており、NOR回路32は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによって、正論理のリセット信号を生成する。
In the present embodiment, an AND circuit is used as the
RSラッチ回路33は、2つのNOR回路33a及び33bによって構成される。NOR回路33aの出力端子は、NOR回路33bの一方の入力端子に接続され、NOR回路33bの出力端子は、NOR回路33aの一方の入力端子に接続される。NOR回路33aの他方の入力端子(セット端子S)には、OR回路31の出力端子が接続され、NOR回路33bの他方の入力端子(リセット端子R)には、NOR回路32の出力端子が接続される。
The
RSラッチ回路33は、AND回路31によってセット信号がハイレベルにされたときにセットされて、出力ノードQにおける出力信号をハイレベルに活性化し、NOR回路32によってリセット信号がハイレベルにされたときにリセットされて、出力ノードQにおける出力信号をローレベルに非活性化する。
The
そのような動作に際して、入力信号INがローレベルである期間中に立上がり方向の複数のノイズパルスが混入し、入力信号INがハイレベルである期間中に立下がり方向の複数のノイズパルスが混入したと仮定する(各々のパルス幅はα'以下)。AND回路31において、入力信号INと遅延信号A〜CとのAND演算が行われると、AND出力には、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路33がセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。
In such an operation, a plurality of noise pulses in the rising direction are mixed during a period in which the input signal IN is at a low level, and a plurality of noise pulses in the falling direction are mixed in a period in which the input signal IN is at a high level. (Each pulse width is α ′ or less). When the AND
また、NOR回路32において、入力信号INと遅延信号A〜CとのNOR演算が行われると、NOR出力には、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路33がリセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。このようにして、RSラッチ回路33は、入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成する。
Further, when the NOR operation of the input signal IN and the delay signals A to C is performed in the NOR
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路に内蔵されているノイズ除去回路周辺の構成を示す回路図である。外部から入力端子(パッド)に入力される入力信号INは、入力バッファ回路1aによってバッファされ、ノイズ除去回路2に供給される。本実施形態においては、入力信号が負論理(ローアクティブ)であるものとする。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration around a noise removal circuit built in a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention. An input signal IN input from the outside to the input terminal (pad) is buffered by the
ノイズ除去回路2は、入力信号を遅延して複数の遅延信号を生成する直列接続された複数の遅延回路20と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてセット信号を生成する第1の論理回路41と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてリセット信号を生成する第2の論理回路42と、セット信号及びリセット信号に基づいて出力信号を生成するRSラッチ回路43と、RSラッチ回路43の出力信号をバッファして内部回路3(図1)に供給する出力バッファ回路25とを含んでいる。
The
本実施形態においては、第1の論理回路41としてOR回路が用いられており、OR回路41は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによって、負論理のセット信号を生成する。また、第2の論理回路42としてNAND回路が用いられており、NAND回路42は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによって、負論理のリセット信号を生成する。
In the present embodiment, an OR circuit is used as the
RSラッチ回路43は、2つのNAND回路43a及び43bによって構成される。NAND回路43aの出力端子は、NAND回路43bの一方の入力端子に接続され、NAND回路43bの出力端子は、NAND回路43aの一方の入力端子に接続される。NAND回路43aの他方の入力端子(セット端子S)には、OR回路41の出力端子が接続され、NAND回路43bの他方の入力端子(リセット端子R)には、NAND回路42の出力端子が接続される。
The
RSラッチ回路43は、OR回路41によってセット信号がローレベルにされたときにセットされて、出力ノードQにおける出力信号をローレベルに活性化し、NAND回路42によってリセット信号がローレベルにされたときにリセットされて、出力ノードQにおける出力信号をハイレベルに非活性化する。
The
そのような動作に際して、入力信号INがハイレベルである期間中に立下がり方向の複数のノイズパルスが混入し、入力信号INがローレベルである期間中に立上がり方向の複数のノイズパルスが混入したと仮定する(各々のパルス幅はα'以下)。OR回路41において、入力信号INと遅延信号A〜CとのOR演算が行われると、OR出力には、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路43がセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。
In such an operation, a plurality of noise pulses in the falling direction are mixed during a period in which the input signal IN is at a high level, and a plurality of noise pulses in the rising direction are mixed in a period in which the input signal IN is at a low level. (Each pulse width is α ′ or less). When the OR operation of the input signal IN and the delay signals A to C is performed in the
また、NAND回路42において、入力信号INと遅延信号A〜CとのNAND演算が行われると、NAND出力には、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路43がリセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。このようにして、RSラッチ回路43は、入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成する。
When the NAND operation of the input signal IN and the delay signals A to C is performed in the
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図7は、本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路に内蔵されているノイズ除去回路周辺の構成を示す回路図である。外部から入力端子(パッド)に入力される入力信号INは、入力バッファ回路1aによってバッファされ、ノイズ除去回路2に供給される。本実施形態においては、入力信号が負論理(ローアクティブ)であるものとする。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration around a noise removal circuit built in a semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment of the present invention. An input signal IN input from the outside to the input terminal (pad) is buffered by the
ノイズ除去回路2は、入力信号を遅延して複数の遅延信号を生成する直列接続された複数の遅延回路20と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてセット信号を生成する第1の論理回路51と、入力信号及び複数の遅延信号に基づいてリセット信号を生成する第2の論理回路52と、セット信号及びリセット信号に基づいて出力信号を生成するRSラッチ回路53と、RSラッチ回路53の出力信号を反転するインバータ24と、インバータ24から出力される信号をバッファして内部回路3(図1)に供給する出力バッファ回路25とを含んでいる。
The
本実施形態においては、第1の論理回路51としてNOR回路が用いられており、NOR回路51は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによって、正論理(ハイアクティブ)のセット信号を生成する。また、第2の論理回路52としてAND回路が用いられており、AND回路52は、複数の遅延回路20によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによって、正論理のリセット信号を生成する。
In the present embodiment, a NOR circuit is used as the
RSラッチ回路53は、2つのNOR回路53a及び53bによって構成される。NOR回路53aの出力端子は、NOR回路53bの一方の入力端子に接続され、NOR回路53bの出力端子は、NOR回路53aの一方の入力端子に接続される。NOR回路53aの他方の入力端子(セット端子S)には、NOR回路51の出力端子が接続され、NOR回路53bの他方の入力端子(リセット端子R)には、AND回路52の出力端子が接続される。
The
RSラッチ回路53は、NOR回路51によってセット信号がハイレベルにされたときにセットされて、出力ノードQにおける出力信号をハイレベルに活性化し、AND回路52によってリセット信号がハイレベルにされたときにリセットされて、出力ノードQにおける出力信号をローレベルに非活性化する。
The
そのような動作に際して、入力信号INがハイレベルである期間中に立下がり方向の複数のノイズパルスが混入し、入力信号INがローレベルである期間中に立上がり方向の複数のノイズパルスが混入したと仮定する(各々のパルス幅はα'以下)。NOR回路51において、入力信号INと遅延信号A〜CとのNOR演算が行われると、NOR出力には、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路53がセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。
In such an operation, a plurality of noise pulses in the falling direction are mixed during a period in which the input signal IN is at a high level, and a plurality of noise pulses in the rising direction are mixed in a period in which the input signal IN is at a low level. (Each pulse width is α ′ or less). When the NOR operation of the input signal IN and the delay signals A to C is performed in the NOR
また、AND回路52において、入力信号INと遅延信号A〜CとのAND演算が行われると、AND出力には、立上がり方向のノイズパルスに対応するパルスは出現せず、立下がり方向のノイズパルスに対応するパルス及びその遅延パルスが出現する。しかし、それらのパルスは、RSラッチ回路53がリセットされた期間中に出現するので、誤動作を招くことはない。このようにして、RSラッチ回路53は、入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成する。
Further, when the AND
1 入出力セル領域、 1a 入力バッファ回路、 2 ノイズ除去回路、 3 内部回路、 20 遅延回路、 21、31、41、51 第1の論理回路、 22、32、42、52 第2の論理回路、 23、33、43、53 RSラッチ回路、 23a、23b、43a、43b NAND回路、 33a、33b、53a、53b NOR回路、 100 半導体集積回路、 QP1〜QP3 PチャネルMOSトランジスタ、 QN1〜QN3 NチャネルMOSトランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input / output cell area | region, 1a Input buffer circuit, 2 Noise removal circuit, 3 Internal circuit, 20 Delay circuit, 21, 31, 41, 51 1st logic circuit, 22, 32, 42, 52 2nd logic circuit, 23, 33, 43, 53 RS latch circuit, 23a, 23b, 43a, 43b NAND circuit, 33a, 33b, 53a, 53b NOR circuit, 100 semiconductor integrated circuit, QP1 to QP3 P channel MOS transistor, QN1 to QN3 N channel MOS Transistor
Claims (6)
前記複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによってセット信号を生成する第1の論理回路と、
前記複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによってリセット信号を生成する第2の論理回路と、
前記第1の論理回路によって生成されるセット信号によってセットされ、前記第2の論理回路によって生成されるリセット信号によってリセットされることにより、正論理の入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成するRSラッチ回路と、
を具備する半導体集積回路。 A plurality of delay circuits connected in series for delaying an input signal;
A first logic circuit that generates a set signal by obtaining a logical product of at least three signals that are given time differences by the plurality of delay circuits;
A second logic circuit that generates a reset signal by calculating a logical sum of at least three signals that are given time differences by the plurality of delay circuits;
An output in which pulse noise is removed from a positive logic input signal by being set by a set signal generated by the first logic circuit and reset by a reset signal generated by the second logic circuit An RS latch circuit for generating a signal;
A semiconductor integrated circuit comprising:
前記複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理和を求めることによってセット信号を生成する第1の論理回路と、
前記複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも3つの信号の論理積を求めることによってリセット信号を生成する第2の論理回路と、
前記第1の論理回路によって生成されるセット信号によってセットされ、前記第2の論理回路によって生成されるリセット信号によってリセットされることにより、負論理の入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成するRSラッチ回路と、
を具備する半導体集積回路。 A plurality of delay circuits connected in series for delaying an input signal;
A first logic circuit that generates a set signal by obtaining a logical sum of at least three signals that are given time differences by the plurality of delay circuits;
A second logic circuit that generates a reset signal by obtaining a logical product of at least three signals that are given time differences by the plurality of delay circuits;
An output in which pulsed noise is removed from a negative logic input signal by being set by a set signal generated by the first logic circuit and reset by a reset signal generated by the second logic circuit An RS latch circuit for generating a signal;
A semiconductor integrated circuit comprising:
Priority Applications (1)
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JP2008129014A JP2009278476A (en) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102594305A (en) * | 2011-01-17 | 2012-07-18 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | Digital burr filtering circuit for clock pins of smart card |
JP2012257066A (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Parallel-serial conversion circuit |
US8674740B2 (en) | 2011-08-04 | 2014-03-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Noise removing delay circuit |
JP2014131168A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Electric circuit and semiconductor device |
JP2016063406A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社デンソーウェーブ | Digital filter device |
-
2008
- 2008-05-16 JP JP2008129014A patent/JP2009278476A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102594305A (en) * | 2011-01-17 | 2012-07-18 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | Digital burr filtering circuit for clock pins of smart card |
JP2012257066A (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Parallel-serial conversion circuit |
US8674740B2 (en) | 2011-08-04 | 2014-03-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Noise removing delay circuit |
JP2014131168A (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Electric circuit and semiconductor device |
JP2016063406A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社デンソーウェーブ | Digital filter device |
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