JP2009272598A - タンタルコンデンサの外部電極形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】タンタルコンデンサのモールディング材の表面にフッ化物を用いた前処理を行うステップと、前記モールディング材の表面に露出された陽極ワイヤの端部側表面をパラジウムの含まれた触媒処理液によって1次触媒処理を行うステップと、前記陽極ワイヤの端部周囲の前記モールディング材の表面をパラジウムの含まれた触媒処理液によって2次触媒処理を行うステップと、前記陽極ワイヤ及びモールディング材の表面にニッケルメッキ膜を設けるステップとを含み、コンデンサ素子の電気的特性が良好に維持されると共に、タンタルコンデンサの静電容量確保のためのコンデンサ素子の体積効率を増大させることができるという利点がある。
【選択図】 図3
Description
120 タンタルワイヤ
130 モールディング材
140 外部電極
210、220 パラジウムメッキ層
230 ニッケルメッキ膜
Claims (21)
- タンタルコンデンサのモールディング材の表面にフッ化物を用いた前処理を行うステップと、
前記モールディング材の表面に露出された陽極ワイヤの端部側表面をパラジウムの含まれた触媒処理液によって1次触媒処理を行うステップと、
前記陽極ワイヤの端部周囲の前記モールディング材の表面をパラジウムの含まれた触媒処理液によって2次触媒処理を行うステップと、
前記陽極ワイヤ及び前記モールディング材の表面にニッケルメッキ膜を設けるステップと、
を含むことを特徴とするタンタルコンデンサの外部電極形成方法。 - 前記フッ化物を用いた前処理ステップの前に、メッキ膜形成部位にアルカリ脱脂及び酸脱脂の工程を先行して行い、該メッキ膜形成部位の表面を洗浄するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項1に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記タンタルコンデンサの前処理は、フッ化ボロン酸(HBF4)系のフッ化物を用いて、前記タンタルコンデンサのモールディング材と前記モールディング材から露出された陽極ワイヤ端部の表面とに設けられた酸化膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記1次触媒処理ステップに使われる触媒処理液は、イオンタイプの触媒処理液であることを特徴とする請求項1に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記2次触媒処理ステップに使われる触媒処理液は、コロイドタイプの触媒処理液であることを特徴とする請求項1に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記1次触媒処理ステップにおいて、前記イオンタイプの1次触媒処理液の中に含まれたパラジウムは、パラジウム置換メッキによって前記タンタルワイヤ端部の表面上にのみ選択的に吸着されることを特徴とする請求項4に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記2次触媒処理ステップにおいて、前記コロイドタイプの2次触媒処理液の中に含まれたパラジウムは、パラジウム置換メッキによってエキポシ材質の前記モールディング材の表面上にのみ選択的に吸着されることを特徴とする請求項5に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記ニッケルメッキ膜は、P含量3〜4%の含まれた無電解メッキ液の中に前記タンタルコンデンサのメッキ対象面を浸漬させ、抵抗値の低いNi−PまたはNi−Bメッキ膜として設けられることを特徴とする請求項1に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- タンタルコンデンサのモールディング材の表面と該表面から露出されたタンタルワイヤの端面とから構成されたメッキ対象面を、フッ化物及びパラジウムの含まれた触媒処理液によって前処理すると同時に、前記タンタルワイヤの端面を選択的に1次触媒処理するステップと、
前記陽極ワイヤの端部周囲の前記モールディング材の表面を、パラジウムの含まれた触媒処理液によって2次触媒処理するステップと、
前記陽極ワイヤ及び前記モールディング材の表面に、ニッケルメッキ膜を設けるステップと、
を含むことを特徴とするタンタルコンデンサの外部電極形成方法。 - 前記前処理及び前記1次触媒処理ステップの前に、メッキ膜形成部位にアルカリ脱脂及び酸脱脂の工程を先行して該メッキ膜形成部位の表面を洗浄するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項9に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記タンタルコンデンサの前処理は、フッ化ボロン酸(HBF4)系列のフッ化物を用いて、前記タンタルコンデンサのモールディング材の表面に設けられた酸化膜を除去することを特徴とする請求項9に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記1次触媒処理ステップに使われる触媒処理液は、イオンタイプの触媒処理液であることを特徴とする請求項9に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記2次触媒処理ステップに使われる触媒処理液は、コロイドタイプの触媒処理液であることを特徴とする請求項9に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記ニッケルメッキ膜は、P含量3〜4%の含まれた無電解メッキ液の中に前記タンタルコンデンサのメッキ対象面を浸漬させ、抵抗値の低いNi−PまたはNi−Bメッキ膜として設けられることを特徴とする請求項9に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- タンタルコンデンサのモールディング材の表面にフッ化物を用いる前処理を行うステップと、
前記モールディング材の表面と該表面から露出されたタンタルワイヤの端面とを、パラジウムの含まれた触媒処理液によって、同時に触媒処理するステップと、
前記陽極ワイヤ及び前記モールディング材の表面に、ニッケルメッキ膜を設けるステップと、
を含むことを特徴とするタンタルコンデンサの外部電極形成方法。 - 前記触媒処理液は、イオンタイプの触媒処理液とコロイドタイプの触媒処理液とが混合され、前記タンタルワイヤの端面と前記モールディング材の表面とに選択的にパラジウムメッキ層が設けられるようにすることを特徴とする請求項15に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記フッ化物を用いた前処理ステップの前に、メッキ膜形成部位にアルカリ脱脂及び酸脱脂の工程を先行して行い、該メッキ膜形成部位の表面を洗浄するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項15に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記タンタルコンデンサの前処理は、フッ化ボロン酸(HBF4)系列のフッ化物を用いて、前記タンタルコンデンサのモールディング材と前記モールディング材から露出された陽極ワイヤ端部の表面とに設けられた酸化膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記パラジウムメッキ層は、前記イオンタイプの触媒処理液及び前記コロイドタイプの触媒処理液の中に含まれたパラジウムの置換メッキによって、前記タンタルワイヤの端部の表面上にのみ選択的に設けられた請求項16に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記パラジウムメッキ層は、前記イオンタイプの触媒処理液及び前記コロイドタイプの触媒処理液の中に含まれたパラジウムの還元メッキによって、前記モールディング材の表面上にのみ選択的に設けられた請求項16に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
- 前記ニッケルメッキ膜は、P含量3〜4%の含まれた無電解メッキ液の中に前記タンタルコンデンサのメッキ対象面を浸漬させ、抵抗値の低いNi−PまたはNi−Bメッキ膜として設けられる請求項15に記載のタンタルコンデンサの外部電極形成方法。
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