JP2009272059A - El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element - Google Patents

El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element Download PDF

Info

Publication number
JP2009272059A
JP2009272059A JP2008119013A JP2008119013A JP2009272059A JP 2009272059 A JP2009272059 A JP 2009272059A JP 2008119013 A JP2008119013 A JP 2008119013A JP 2008119013 A JP2008119013 A JP 2008119013A JP 2009272059 A JP2009272059 A JP 2009272059A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
electrode layer
refractive index
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008119013A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihito Kagotani
彰人 籠谷
Toshitaka Toda
敏貴 戸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2008119013A priority Critical patent/JP2009272059A/en
Publication of JP2009272059A publication Critical patent/JP2009272059A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To further enhance light-extraction efficiency by properly determining dimensional parameters of a diffraction grating structure for enhancing the light-extraction efficiency in an EL element provided with the diffraction grating structure. <P>SOLUTION: The EL element 10 is provided with a translucent substrate 12 and a light-emitting laminated structure 14, provided on one face of the translucent substrate 12. The light-emitting laminated structure 14 includes an EL light-emitting layer 20. A diffraction grating structure having a periodic pattern of a pitch P1 is provided between the EL light-emitting layer 20 and the translucent substrate 12 and is set, such that at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted by the EL light-emitting layer 20 and the pitch P1 satisfy the relation expressed by formula (1): P<SB>1</SB>s×λ/2. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明はEL(エレクトロ・ルミネッセンス)素子に関し、また、EL素子を用いた液晶ディスプレイ用パックライト装置、EL素子を用いた照明装置、EL素子を用いた電子看板装置、及びEL素子を用いたディスプレイ装置に関する。本発明に係るEL素子は、優れた光取り出し効率を有するものである。   The present invention relates to an EL (electroluminescence) element, and also includes a pack light device for a liquid crystal display using the EL element, an illumination device using the EL element, a digital signage device using the EL element, and a display using the EL element. Relates to the device. The EL device according to the present invention has excellent light extraction efficiency.

一般的に用いられているEL素子は、透光性基板と、この透光性基板の一方の面に設けられた発光積層構造体とを備えており、その発光積層構造体は、陽極層と、陰極層と、それら電極層の間に挟まれたEL(エレクトロ・ルミネッセンス)発光層とを含んでいる。そして、陽極層と陰極層との間に直流電圧を印加してEL発光層に電子および正孔を注入し、それらの再結合によって励起子を生成し、この励起子の失活する際の光の放出を利用してEL発光層を発光させており、こうして発光積層構造体から発した光が、透光性基板の一方の面を介して透光性基板へ入射し、その透光性基板を通過して、その透光性基板の他方の面を介して外部へ出射するようにしている。   A generally used EL element includes a light-transmitting substrate and a light-emitting laminated structure provided on one surface of the light-transmitting substrate. The light-emitting laminated structure includes an anode layer and an anode layer. A cathode layer and an EL (electroluminescence) light emitting layer sandwiched between the electrode layers. Then, a direct current voltage is applied between the anode layer and the cathode layer to inject electrons and holes into the EL light emitting layer, and excitons are generated by recombination thereof, and light generated when the excitons are deactivated. The EL light emitting layer is caused to emit light using the emission of light, and thus the light emitted from the light emitting laminated structure is incident on the light transmitting substrate through one surface of the light transmitting substrate, and the light transmitting substrate. And is emitted to the outside through the other surface of the translucent substrate.

従来、かかる構成のEL素子において、EL発光層から発して透光性基板へ入射した光がその透光性基板を通過して空気中へ出射しようとする際に、その光のかなりの部分が透光性基板の表面において全反射するために、光のロスが生じるという問題があった。この全反射による光のロスは、何の対策も講じなければ約80%にも達することがあり、その場合、EL素子からの光取り出し効率は20%程度になってしまう。光取り出し効率が低ければ、所要の輝度を得るために大きな電力を投入せねばならず、それによってEL素子に加わる負荷が増大するため、EL素子の信頼性が低下することにもなる。   Conventionally, in an EL device having such a configuration, when light emitted from an EL light emitting layer and incident on a translucent substrate attempts to exit the air through the translucent substrate, a considerable portion of the light is There is a problem that light loss occurs due to total reflection on the surface of the translucent substrate. The light loss due to the total reflection may reach about 80% if no measures are taken. In this case, the light extraction efficiency from the EL element is about 20%. If the light extraction efficiency is low, a large amount of power must be input in order to obtain a required luminance, and this increases the load applied to the EL element, thereby reducing the reliability of the EL element.

EL素子のような面発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的として、面発光素子の透光性基板の表面に微細な凹凸パターンを形成するという方法が、従来より提案されている(例えば、特許文献1参照)。   For the purpose of improving the light extraction efficiency of a surface light emitting element such as an EL element, a method of forming a fine uneven pattern on the surface of a light-transmitting substrate of the surface light emitting element has been conventionally proposed (for example, , See Patent Document 1).

特開2004−119286号公報JP 2004-119286 A

特許文献1に提案されている方法によれば、EL素子の透光性基板(同文献では「ガラス基板」と称している)の表面に回折格子を形成することで、光取り出し効率を向上させている。しかしながら、その回折格子のパラメータを如何に定めれば最善の光取出し効率が得られるのかについては、何ら示唆されておらず、それゆえ、光取り出し効率を高めるためにEL素子に設ける回折格子構造のパラメータを適切に定めることによって、その光取り出し効率を更に高めることが、なお要望されている。本発明の課題は、かかる要望に応えることにある。   According to the method proposed in Patent Document 1, the light extraction efficiency is improved by forming a diffraction grating on the surface of a light-transmitting substrate (referred to as “glass substrate” in the same document) of the EL element. ing. However, there is no suggestion about how to determine the parameters of the diffraction grating to obtain the best light extraction efficiency. Therefore, in order to increase the light extraction efficiency, the diffraction grating structure provided in the EL element is not suggested. There is still a need to further increase the light extraction efficiency by appropriately defining the parameters. The subject of this invention is responding to this request.

本発明は上記課題を解決するべくなされたものであり、本発明に係るEL素子は、透光性基板と、該透光性基板の第1面に設けられた発光積層構造体とを備え、該発光積層構造体は、第1電極層である透明電極層と、第2電極層と、それら電極層の間に挟まれたEL(エレクトロ・ルミネッセンス)発光層とを含んでおり、前記透明電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板の側に位置している電極層であり、前記第2電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板とは反対側に位置している電極層であり、前記発光積層構造体から発した光が、前記透明電極層を透過して前記透光性基板へ入射し、更に該透光性基板を通過し、該透光性基板の第2面を介して外部へ出射するように構成されたEL素子において、前記EL発光層と前記透光性基板との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する回折格子構造が設けられており、前記EL発光層が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと前記ピッチP1とが下式(1)で表される関係を満足していることを特徴とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and an EL device according to the present invention includes a light-transmitting substrate and a light-emitting laminated structure provided on the first surface of the light-transmitting substrate, The light emitting laminated structure includes a transparent electrode layer as a first electrode layer, a second electrode layer, and an EL (electroluminescence) light emitting layer sandwiched between the electrode layers, and the transparent electrode The layer is an electrode layer positioned on the side of the light-transmitting substrate on both sides of the EL light-emitting layer, and the second electrode layer is the light-transmitting substrate on both sides of the EL light-emitting layer. An electrode layer located on the opposite side, the light emitted from the light-emitting laminated structure is transmitted through the transparent electrode layer and incident on the translucent substrate, and further passes through the translucent substrate; In the EL element configured to emit to the outside through the second surface of the translucent substrate, the E A diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P1 is provided between the light emitting layer and the translucent substrate, and at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer and the pitch P1. Satisfies the relationship represented by the following formula (1).

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項2に係る発明は更に、前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記回折格子構造が、ピッチP1及び高さT1の周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、前記屈折率n1、前記屈折率n2、前記ピッチP1、及び前記高さTlが下式(2)で表される関係を満足していることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, a transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate, and the transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2. And the diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent intermediate layer and the transparent electrode layer having a periodic uneven pattern with a pitch P1 and a height T1, and the refractive index n1 and the refractive index n2 The pitch P1 and the height Tl satisfy the relationship represented by the following expression (2).

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項3に係る発明は更に、前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、前記回折格子構造が、周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、前記透明電極層が層厚さT3に形成されており、前記屈折率n1、n2、及びn3が、n1>n2>n3で表される関係、または、n1<n2<n3で表される関係を満足しており、前記屈折率n2、前記層厚さT3、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(3)で表される関係を満足していることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, a transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate, and the diffraction grating structure has a periodic uneven pattern. The transparent intermediate layer and the transparent electrode layer having an interface between the transparent electrode layer, the transparent electrode layer made of a material having a refractive index n2, and the EL light emitting layer made of a material having a refractive index n3, The layer is formed with a layer thickness T3, and the refractive indexes n1, n2, and n3 satisfy a relationship represented by n1> n2> n3 or a relationship represented by n1 <n2 <n3. The refractive index n2, the layer thickness T3, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following expression (3).

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項4に係る発明は更に、前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、前記回折格子構造が、周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、前記透明電極層が層厚さT3に形成されており、前記屈折率n1、n2、及びn3が、n2<n1、且つ、n2<n3で表される関係、または、n2>n1、且つ、n2>n3で表される関係を満足しており、前記屈折率n2、前記層厚さT3、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(4)で表される関係を満足していることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, a transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate, and the diffraction grating structure has a periodic uneven pattern. The transparent intermediate layer and the transparent electrode layer having an interface between the transparent electrode layer, the transparent electrode layer made of a material having a refractive index n2, and the EL light emitting layer made of a material having a refractive index n3, A layer is formed with a layer thickness T3, and the refractive indexes n1, n2, and n3 are expressed as n2 <n1 and n2 <n3, or n2> n1 and n2> n3 And the refractive index n2, the layer thickness T3, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (4). It is characterized by that.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項5に係る発明は更に、前記EL発光層が層厚さT4に形成されており、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、前記第2電極層が屈折率n4の材料から成り、前記屈折率n2、n3、及びn4が、n2>n3>n4で表される関係、または、n2<n3<n4で表される関係を満足しており、前記屈折率n3、前記層厚さT4、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(5)で表される関係を満足していることを特徴とする。   In the invention according to claim 5, the EL light emitting layer is further formed with a layer thickness T4, the transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2, and the EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3. The second electrode layer is made of a material having a refractive index n4, and the refractive indexes n2, n3, and n4 satisfy a relationship represented by n2> n3> n4 or a relationship represented by n2 <n3 <n4. The refractive index n3, the layer thickness T4, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (5).

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項6に係る発明は更に、前記EL発光層が層厚さT4に形成されており、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、前記第2電極層が屈折率n4の材料から成り、前記屈折率n2、n3、及びn4が、n3<n2、且つ、n3<n4で表される関係、または、n3>n2、且つ、n3>n4で表される関係を満足しており、前記屈折率n3、前記層厚さT4、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(6)で表される関係を満足していることを特徴とする。   In the invention according to claim 6, the EL light emitting layer is further formed with a layer thickness T4, the transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2, and the EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3. The second electrode layer is made of a material having a refractive index n4, and the refractive indexes n2, n3, and n4 are represented by n3 <n2 and n3 <n4, or n3> n2 and n3>. The relationship represented by n4 is satisfied, and the refractive index n3, the layer thickness T4, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (6). It is characterized by.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項7に係る発明は更に、前記発光積層構造体が更に透明基板を含んでおり、該透明基板上に前記透明中間層が形成されており、該透明基板と前記光透過性基板とがアドヒーシブ層を介して貼着されていることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, the light emitting laminated structure further includes a transparent substrate, the transparent intermediate layer is formed on the transparent substrate, and the transparent substrate and the light transmissive substrate are adhesive. It is characterized by being stuck through a layer.

請求項8に係る発明は更に、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、前記回折格子構造が、ピッチP1及び高さT1の周期的凹凸パターンを有する前記透明電極層と前記EL発光層との間の界面により構成されており、前記屈折率n2、前記屈折率n3、前記ピッチP1、及び前記高さTlが下式(7)で表される関係を満足していることを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, the transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2, the EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3, and the diffraction grating structure has a periodicity with a pitch P1 and a height T1. It is comprised by the interface between the said transparent electrode layer which has an uneven | corrugated pattern, and the said EL light emitting layer, The said refractive index n2, the said refractive index n3, the said pitch P1, and the said height Tl are following Formula (7). It is characterized by satisfying the expressed relationship.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項9に係る発明は更に、前記発光積層構造体が更に透明基板を含んでおり、該透明基板上に前記透明電極層が形成されており、該透明基板と前記光透過性基板とがアドヒーシブ層を介して貼着されていることを特徴とする。   In the invention according to claim 9, the light-emitting laminated structure further includes a transparent substrate, the transparent electrode layer is formed on the transparent substrate, and the transparent substrate and the light-transmitting substrate are adhesive. It is characterized by being stuck through a layer.

また、本発明に係るEL素子は、透光性基板と、該透光性基板の第1面に設けられた発光積層構造体とを備え、該発光積層構造体は、第1電極層である透明電極層と、第2電極層と、それら電極層の間に挟まれたEL(エレクトロ・ルミネッセンス)発光層とを含んでおり、前記透明電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板の側に位置している電極層であり、前記第2電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板とは反対側に位置している電極層であり、前記発光積層構造体から発した光が、前記透明電極層を透過して前記透光性基板へ入射し、更に該透光性基板を通過し、該透光性基板の第2面を介して外部へ出射するように構成されたEL素子において、前記EL発光層と前記透光性基板との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する第1の回折格子構造と、ピッチP2の周期的パターンを有する第2の回折格子構造とが、重層的に設けられており、前記EL発光層が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと前記ピッチP1とが下式(8)で表される関係を満足しており、前記EL発光層が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと前記ピッチP2とが下式(9)で表される関係を満足していることを特徴とする。   Moreover, the EL device according to the present invention includes a light-transmitting substrate and a light-emitting laminated structure provided on the first surface of the light-transmitting substrate, and the light-emitting laminated structure is a first electrode layer. A transparent electrode layer; a second electrode layer; and an EL (electroluminescence) light emitting layer sandwiched between the electrode layers, wherein the transparent electrode layer is the transparent electrode layer on both sides of the EL light emitting layer. An electrode layer located on the side of the optical substrate, and the second electrode layer is an electrode layer located on the opposite side of the EL light emitting layer from the translucent substrate, Light emitted from the light-emitting laminated structure passes through the transparent electrode layer, enters the light-transmitting substrate, passes through the light-transmitting substrate, and passes through the second surface of the light-transmitting substrate. In the EL element configured to emit light to the pitch P1 between the EL light emitting layer and the light transmitting substrate. The first diffraction grating structure having a periodic pattern and the second diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P2 are provided in multiple layers, and at least one in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer. The two peak wavelengths λ and the pitch P1 satisfy the relationship expressed by the following formula (8), and at least one peak wavelength λ and the pitch P2 in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer are expressed by the following formula: It is characterized by satisfying the relationship represented by (9).

Figure 2009272059
Figure 2009272059

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項11に係る発明は更に、前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、前記第1の回折格子構造が、ピッチP1及び高さT1の周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、前記屈折率n1、前記屈折率n2、前記ピッチP1、及び前記高さTlが下式(10)で表される関係を満足しており、前記第2の回折格子構造が、ピッチP2及び高さT2の周期的凹凸パターンを有する前記透明電極層と前記EL発光層との間の界面により構成されており、前記屈折率n2、前記屈折率n3、前記ピッチP2、及び前記高さT2が下式(11)で表される関係を満足していることを特徴とする。   According to an eleventh aspect of the present invention, a transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate, and the transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2. The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3, and the first diffraction grating structure is provided between the transparent intermediate layer and the transparent electrode layer having a periodic uneven pattern having a pitch P1 and a height T1. The second diffraction grating structure is configured by an interface, and the refractive index n1, the refractive index n2, the pitch P1, and the height Tl satisfy the relationship represented by the following formula (10). Is constituted by an interface between the transparent electrode layer having a periodic concavo-convex pattern having a pitch P2 and a height T2, and the EL light emitting layer, and the refractive index n2, the refractive index n3, the pitch P2, and The height T2 is the following formula (11 Characterized in that it satisfies the in represented by the relationship.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

Figure 2009272059
Figure 2009272059

請求項12に係る発明は更に、前記発光積層構造体が更に透明基板を含んでおり、該透明基板上に前記透明中間層が形成されており、該透明基板と前記光透過性基板とがアドヒーシブ層を介して貼着されていることを特徴とする。   According to a twelfth aspect of the present invention, the light emitting laminated structure further includes a transparent substrate, the transparent intermediate layer is formed on the transparent substrate, and the transparent substrate and the light transmissive substrate are adhesive. It is characterized by being stuck through a layer.

請求項13に係る発明は更に、前記透光性基板の前記第1面及び前記第2面のいずれか一方もしくは両方に光拡散層が形成されていることを特徴とする。   The invention according to claim 13 is further characterized in that a light diffusion layer is formed on one or both of the first surface and the second surface of the translucent substrate.

請求項14に係る発明は更に、前記透明電極層が導電性ポリマーから成ることを特徴とする。   The invention according to claim 14 is further characterized in that the transparent electrode layer is made of a conductive polymer.

請求項15に係る発明は更に、前記第2電極層が導電性ポリマーから成ることを特徴とする。   The invention according to claim 15 is further characterized in that the second electrode layer is made of a conductive polymer.

請求項16に係る発明は、請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を発光源として用いたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置のためのバックライト装置である。   A sixteenth aspect of the present invention is a backlight device for a liquid crystal display device using the EL element according to any one of the first to fifteenth aspects as a light source.

請求項17に係る発明は、請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を発光源として用いたことを特徴とする照明装置である。   The invention according to claim 17 is an illumination device using the EL element according to any one of claims 1 to 15 as a light source.

請求項18に係る発明は、請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を発光源として用いたことを特徴とする電子看板装置である。   According to an eighteenth aspect of the present invention, there is provided an electronic signage apparatus using the EL element according to any one of the first to fifteenth aspects as a light source.

請求項19に係る発明は、請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を画素駆動するように構成して成ることを特徴とするディスプレイ装置である。   The invention according to claim 19 is a display device characterized in that the EL element according to any one of claims 1 to 15 is configured to drive a pixel.

本発明に係るEL素子によれば、また、本発明に係る液晶用パックライト装置、照明装置、電子看板装置、ないしはディスプレイ装置によれば、EL素子に設ける回折格子構造のパラメータを取り出そうとする光の波長に合わせて適切に設定することにより、光取り出し効率を向上させることができる。   According to the EL element according to the present invention, and according to the liquid crystal pack light device, the illumination device, the electronic signage device, or the display device according to the present invention, the light for extracting the parameters of the diffraction grating structure provided in the EL element. The light extraction efficiency can be improved by appropriately setting according to the wavelength.

以下に図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態について説明して行く。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に示したのは本発明の第1の実施の形態に係るEL素子10の断面図である。EL素子10は、透光性基板12と、この透光性基板12の第1面(図中では下面)に設けられた発光積層構造体14とを備えている。透光性基板12は、ガラス基板としてもよく、プラスチック基板としてもよいが、ただし、発光積層構造体14からの光をできるだけ透過させることができるように、全光線透過率を50%以上とすることのできる材料で形成することが好ましい。   FIG. 1 is a cross-sectional view of the EL element 10 according to the first embodiment of the present invention. The EL element 10 includes a translucent substrate 12 and a light emitting laminated structure 14 provided on the first surface (the lower surface in the drawing) of the translucent substrate 12. The translucent substrate 12 may be a glass substrate or a plastic substrate, provided that the total light transmittance is 50% or more so that light from the light-emitting laminated structure 14 can be transmitted as much as possible. It is preferable to form with the material which can be used.

発光積層構造体14は、第1電極層である透明電極層16と、第2電極層18と、それら2つの電極層16、18の間に挟まれたEL発光層20とを含んでいる。2つの電極層16、18の一方は陽極層、他方は陰極層である。それら陽極層と陰極層との間に直流電圧を印加してEL発光層20に電子および正孔を注入し、それらの再結合によって励起子を生成し、この励起子の失活する際の光の放出を利用してEL発光層20を発光させるようにしている。発光積層構造体14には更に、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層などが設けられることもあるが、それらは周知のものであり、また本発明の本質とってさほど重要ではなく、必要に応じて適宜設ければよいものであるため、ここではそれらについての説明を省略する。   The light-emitting laminated structure 14 includes a transparent electrode layer 16 that is a first electrode layer, a second electrode layer 18, and an EL light-emitting layer 20 sandwiched between the two electrode layers 16 and 18. One of the two electrode layers 16 and 18 is an anode layer, and the other is a cathode layer. A direct current voltage is applied between the anode layer and the cathode layer to inject electrons and holes into the EL light emitting layer 20, and excitons are generated by recombination thereof. The EL light emitting layer 20 is caused to emit light by utilizing the emission of. The light-emitting laminated structure 14 may be further provided with a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc., which are well known and are essential to the present invention. Since it is not so important and may be provided as necessary, description thereof will be omitted here.

透明電極層16は、EL発光層20の両側のうちの透光性基板12の側に位置している電極層であり、第2電極層18は、EL発光層20の両側のうちの透光性基板12とは反対側に位置している電極層である。発光積層構造体14から発した光(即ち、EL発光層20から発した光は、透明電極層16を透過して透光性基板12へ入射し、更にこの透光性基板12を通過し、この透光性基板の第2面(図中では上面)を介してEL素子10の外部へ出射する。   The transparent electrode layer 16 is an electrode layer located on the light-transmitting substrate 12 side of both sides of the EL light emitting layer 20, and the second electrode layer 18 is a light transmitting material on both sides of the EL light emitting layer 20. It is an electrode layer located on the opposite side to the conductive substrate 12. Light emitted from the light-emitting laminated structure 14 (that is, light emitted from the EL light-emitting layer 20 passes through the transparent electrode layer 16 and enters the light-transmitting substrate 12, and further passes through the light-transmitting substrate 12, The light is emitted to the outside of the EL element 10 through the second surface (upper surface in the drawing) of the translucent substrate.

第1電極層16は透明電極層であり、この透明電極層は、例えば、ITO膜、IZO膜などを蒸着法やスパッタ法などのドライプロセスで成膜した層とすることができる。ただし、成膜材料はこれらに限定されず、透明であって電気伝導性を有する材料であればその他の材料も使用可能である。また、その膜厚は1μm以下とすることが望ましい。なぜならば、膜厚が大きいほど電気伝導性は向上するものの、透明電極層に局所的なスパイクが入りやすくなり、また全光線透過率が低下するという問題があるからである。局所的なスパイクは、その突起の高さが例えば100nmに達すると、その後の成膜工程に問題を生じるおそれがある。   The first electrode layer 16 is a transparent electrode layer, and this transparent electrode layer can be, for example, a layer in which an ITO film, an IZO film, or the like is formed by a dry process such as a vapor deposition method or a sputtering method. However, the film forming material is not limited to these, and other materials can be used as long as they are transparent and have electrical conductivity. The film thickness is desirably 1 μm or less. This is because, although the electrical conductivity is improved as the film thickness is increased, there is a problem that local spikes easily enter the transparent electrode layer and the total light transmittance is reduced. When the height of the protrusion reaches 100 nm, for example, the local spike may cause a problem in the subsequent film formation process.

EL発光層20は、白色発光層とすることもあり、或いは、青色、赤色、黄色、緑色などの発光層とすることもある。白色発光層とする場合には、このEL発光層20の構成を、例えば、ITO/CuPc(銅フタロシアニン)/α−NPDにルブレン1%ドープ/ジナクチルアントラセンにペリレン1%ドープ/Alq3/フッ化リチウム/陰極としてAl、という構成とすればよい。ただしこの構成に限定されるものではなく、発光層から射出する光線の波長をR(赤色)、G(緑色)、B(青色)とすることのできる適宜材料を用いた任意の構成を採用することが可能である。また、フルカラーディスプレイ用途で使用する場合にはR、G、Bに対応した3種類の発光材料の塗り分けとすることや、白色光にカラーフィルターを重ねることによりフルカラー表示が可能となる。   The EL light emitting layer 20 may be a white light emitting layer, or may be a light emitting layer of blue, red, yellow, green, or the like. In the case of a white light emitting layer, the structure of the EL light emitting layer 20 is, for example, ITO / CuPc (copper phthalocyanine) / α-NPD doped with rubrene 1% / dinactylanthracene perylene 1% doped / Alq 3 / fluorinated. What is necessary is just to set it as Al as lithium / cathode. However, the present invention is not limited to this configuration, and an arbitrary configuration using an appropriate material that can set the wavelength of light emitted from the light emitting layer to R (red), G (green), and B (blue) is adopted. It is possible. Further, when used in a full-color display application, full-color display can be performed by separately applying three types of light emitting materials corresponding to R, G, and B, or by superimposing a color filter on white light.

透明電極層16と透光性基板12との間に透明中間層22が形成されている。この透明中間層22の形成材料は、透光性基板12の形成材料と同一としてもよく、異なったものとしてもよい。透明中間層22の形成材料の具体例を挙げるならば、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系アクリル樹脂、シリコーン系アクリル樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィンポリマー、メチルスチレン樹脂、フルオレン樹脂、PET、ポリプロピレン、それに種々のガラス類等を使用することができる。   A transparent intermediate layer 22 is formed between the transparent electrode layer 16 and the translucent substrate 12. The material for forming the transparent intermediate layer 22 may be the same as or different from the material for forming the translucent substrate 12. Specific examples of the material for forming the transparent intermediate layer 22 include, for example, polycarbonate resin, acrylic resin, fluorine acrylic resin, silicone acrylic resin, epoxy acrylate resin, polystyrene resin, cycloolefin polymer, methylstyrene resin, fluorene. Resin, PET, polypropylene, and various glasses can be used.

透明中間層22の材料の屈折率と透明電極層16の材料の屈折率とは異ならせてある。また更に、それら透明中間層22と透明電極層16との間の界面を、所定ピッチP1及び所定高さT1の周期的凹凸パターンを有する界面として形成してある。この界面によって回折格子構造が構成されている。従って、EL発光層20と透光性基板12との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する回折格子構造が設けられている。そして、EL発光層20が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λとこの回折格子構造のピッチP1とが下式(1)で表される関係を満足するようにこのピッチP1の大きさを定めることによって、良好な光取り出し効率を達成するようにしている。   The refractive index of the material of the transparent intermediate layer 22 is different from the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16. Furthermore, the interface between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16 is formed as an interface having a periodic uneven pattern having a predetermined pitch P1 and a predetermined height T1. This interface constitutes a diffraction grating structure. Therefore, a diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P1 is provided between the EL light emitting layer 20 and the translucent substrate 12. The size of the pitch P1 is set so that at least one peak wavelength λ in the spectrum of the light emitted from the EL light emitting layer 20 and the pitch P1 of the diffraction grating structure satisfy the relationship represented by the following expression (1). By determining, good light extraction efficiency is achieved.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

ここで波長λは、通常は発光波長の中で最大のピークとなっているものを選ぶ。但し、必ずしもそれに限られず、ここで選んだ波長によって、取り出す光線の波長をある程度選択することができる。   Here, the wavelength λ is usually selected to have the maximum peak among the emission wavelengths. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the wavelength of the extracted light can be selected to some extent depending on the wavelength selected here.

また更に、透明中間層22の材料の屈折率をn1とし、透明電極層16の材料の屈折率をn2とするとき、屈折率n1、屈折率n2、ピッチP1、及び高さTlが下式(2)で表される関係を満足するようにすることが好ましく、そうすることで、光取り出し効率を更に向上させることができる。   Furthermore, when the refractive index of the material of the transparent intermediate layer 22 is n1, and the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 is n2, the refractive index n1, the refractive index n2, the pitch P1, and the height Tl are expressed by the following formula ( It is preferable to satisfy the relationship represented by 2), and by doing so, the light extraction efficiency can be further improved.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

また更に、透明中間層22の材料の屈折率をn1とし、透明電極層16の材料の屈折率をn2とし、EL発光層20の材料の屈折率をn3とし、透明電極層16の層厚さをT3とするときに、屈折率n1、n2、及びn3が、n1>n2>n3で表される関係、または、n1<n2<n3で表される関係を満足する場合には、屈折率n2、層厚さT3、及びEL発光層20の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(3)で表される関係を満足するようにすることが好ましく、或いはまた、屈折率n1、n2、及びn3が、n2<n1、且つ、n2<n3で表される関係、または、n2>n1、且つ、n2>n3で表される関係を満足する場合には、屈折率n2、層厚さT3、及びEL発光層20の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(4)で表される関係を満足するようにすることが好ましい。そのようにすれば、光の共振効果によって、EL素子10の正面方向における光の取り出し効率を更に高めることができる。   Furthermore, the refractive index of the material of the transparent intermediate layer 22 is n1, the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 is n2, the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 is n3, and the layer thickness of the transparent electrode layer 16 When the refractive index n1, n2, and n3 satisfy the relationship represented by n1> n2> n3 or the relationship represented by n1 <n2 <n3, where T3 is the refractive index n2 It is preferable that the layer thickness T3 and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer 20 satisfy the relationship represented by the following formula (3). Alternatively, the refractive indexes n1, n2, and When n3 satisfies the relationship represented by n2 <n1 and n2 <n3, or the relationship represented by n2> n1 and n2> n3, the refractive index n2, the layer thickness T3, And the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer 20 is expressed by the following formula: It is preferable to satisfy the relationship represented by (4). By doing so, the light extraction efficiency in the front direction of the EL element 10 can be further increased by the light resonance effect.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

Figure 2009272059
Figure 2009272059

また更に、透明電極層16の材料の屈折率をn2とし、EL発光層20の材料の屈折率をn3とし、第2電極層18の材料の屈折率をn4とし、EL発光層20の層厚さをT4とするときに、屈折率n2、n3、及びn4が、n2>n3>n4で表される関係、または、n2<n3<n4で表される関係を満足する場合には、屈折率n3、層厚さT4、及びEL発光層20の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(5)で表される関係を満足するようにすることが好ましく、或いはまた、屈折率n2、n3、及びn4が、n3<n2、且つ、n3<n4で表される関係、または、n3>n2、且つ、n3>n4で表される関係を満足する場合には、屈折率n3、層厚さT4、及びEL発光層20の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(6)で表される関係を満足するようにすることが好ましい。そのようにすれば、この場合もまた光の共振効果によって、EL素子10の正面方向における光の取り出し効率を更に高めることができる。   Furthermore, the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 is n2, the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 is n3, the refractive index of the material of the second electrode layer 18 is n4, and the layer thickness of the EL light emitting layer 20 is set. If the refractive indexes n2, n3, and n4 satisfy the relationship represented by n2> n3> n4 or the relationship represented by n2 <n3 <n4 when the thickness is T4, the refractive index It is preferable that n3, the layer thickness T4, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer 20 satisfy the relationship represented by the following formula (5). Alternatively, the refractive indexes n2, n3, And n4 satisfy the relationship represented by n3 <n2 and n3 <n4, or satisfy the relationship represented by n3> n2 and n3> n4, the refractive index n3 and the layer thickness T4. , And the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer 20 is It is preferable to satisfy the relationship represented by (6). In this case, the light extraction efficiency in the front direction of the EL element 10 can be further increased by the light resonance effect.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

Figure 2009272059
Figure 2009272059

透明中間層22と透明電極層16との間の界面により画成される回折格子構造の側面形状は、図1に示したような三角プリズム形状としたときに、正面方向への集光性が高くなり光取り出し効率が最良となるが、ただし、必ずしもこの形状に限られず、その他の様々な形状とすることができる。例えば、図2に示したような、丸みを帯びた側面形状にしてもよく(これは、透明中間層22をマイクロレンズ形状もしくはレンチキュラーレンズ形状とした場合の形状である)、この場合には、正面方向のみならず様々な方向へと光を射出するため、広い視野範囲を得ることができる。また、図3に示したような、矩形形状にしてもよく、これらの形状とした場合にも光取り出し効率を向上させることができる。   When the side surface shape of the diffraction grating structure defined by the interface between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16 is a triangular prism shape as shown in FIG. However, the shape is not necessarily limited to this shape, and may be various other shapes. For example, it may have a rounded side surface shape as shown in FIG. 2 (this is a shape when the transparent intermediate layer 22 has a microlens shape or a lenticular lens shape). Since light is emitted not only in the front direction but also in various directions, a wide viewing range can be obtained. In addition, a rectangular shape as shown in FIG. 3 may be used, and the light extraction efficiency can be improved even when these shapes are used.

また、この回折格子構造の平面形状も、様々な形状とすることができる。その具体例を図4、図5、及び図6に示した。これらの図に示した具体例は、微細な単位凹凸パターンを平面的に並べた形状としたものであり、図4の具体例は、単位凹凸パターンを略々四角錐形状としたもの、図5の具体例は、単位凹凸パターンを略々三角錐形状としたもの、そして図6の具体例は、単位凹凸パターンを略々六角錐形状としたものである。これらの具体例では、単位凹凸パターンを隙間なく敷き詰めることができる。また、これらの具体例において、単位凹凸パターンのピッチは適宜決定できるが、近年のディスプレイにおける画素構造にアライメントさせて画像のボケを防止することを考慮するならば、10μm以上500μm以下とするのがよく、10μm以上400μm以下とすれば更に好ましい。尚、回折格子構造の側面形状及び平面形状は以上に提示した具体例に限られず、その他の形状とすることも可能であり、使用するディスプレイに求められる配光特性によって適宜選択すればよい。また、EL発光層20が存在しない部分には回折格子構造は必要なく、従って、EL素子にEL発光層20が存在する部分と存在しない部分とがある場合には、EL素子の全体に単位凹凸パターンを敷き詰めるのではなく、EL発光層22が存在する部分にだけ単位凹凸パターンを設けるようにすればよい。   Also, the planar shape of the diffraction grating structure can be various shapes. Specific examples thereof are shown in FIGS. 4, 5, and 6. The specific examples shown in these figures have a shape in which fine unit concavo-convex patterns are arranged in a plane, and the specific example in FIG. 4 has a unit concavo-convex pattern substantially in the shape of a quadrangular pyramid. In the specific example, the unit uneven pattern has a substantially triangular pyramid shape, and in the specific example of FIG. 6, the unit uneven pattern has a substantially hexagonal pyramid shape. In these specific examples, the unit concavo-convex pattern can be spread without gaps. In these specific examples, the pitch of the unit concavo-convex pattern can be determined as appropriate. However, if it is considered to prevent blurring of the image by aligning with a pixel structure in a recent display, the pitch is 10 μm or more and 500 μm or less. It is more preferable if it is 10 μm or more and 400 μm or less. In addition, the side surface shape and the planar shape of the diffraction grating structure are not limited to the specific examples presented above, and other shapes may be used, and may be appropriately selected depending on the light distribution characteristics required for the display to be used. In addition, the diffraction grating structure is not necessary in the portion where the EL light emitting layer 20 does not exist. Therefore, when the EL element includes a portion where the EL light emitting layer 20 exists and a portion where the EL light emitting layer 20 does not exist, the unit unevenness is formed on the entire EL element. Instead of spreading the pattern, it is only necessary to provide the unit uneven pattern only in the portion where the EL light emitting layer 22 exists.

図7に示したのは、図1に示した第1の実施の形態に係るEL素子10の第1の変更例に係るEL素子10−1の断面図である。図1のEL素子10と異なる点は、発光積層構造体14が透明基板24を含んでおり、この透明基板24がアドヒーシブ層26を介してEL素子10−1の透光性基板12に貼着されていることである。この構成によれば、EL素子10−1を製作する際に、先ず透明基板24上に透明中間層22を形成し、その上に透明電極層16、EL発光層20、第2電極層18を形成して行くことで、発光積層構造体14を完成させ、しかる後に、その完成した発光積層構造体14と透光性基板12とを、アドヒーシブ層26を介して貼着するという、好適な製作手順を採用することができる。   FIG. 7 is a cross-sectional view of an EL element 10-1 according to a first modification of the EL element 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1 differs from the EL element 10 of FIG. 1 in that the light-emitting laminated structure 14 includes a transparent substrate 24, and this transparent substrate 24 is attached to the light-transmitting substrate 12 of the EL element 10-1 through the adhesive layer 26. It has been done. According to this configuration, when manufacturing the EL element 10-1, the transparent intermediate layer 22 is first formed on the transparent substrate 24, and the transparent electrode layer 16, the EL light emitting layer 20, and the second electrode layer 18 are formed thereon. The light-emitting laminated structure 14 is completed by forming, and then the completed light-emitting laminated structure 14 and the translucent substrate 12 are bonded via the adhesive layer 26. Procedures can be adopted.

アドヒーシブ層26は、接着剤の層とすることもあり、粘着剤の層とすることもある。好適な接着剤ないし粘着剤の具体例としては、例えば、ウレタン系、ゴム系、シリコーン系、ビニル系、エポキシ系、水性高分子−イソシアネート系、アクリル系等の硬化型接着剤及び粘着剤、湿気硬化ウレタン接着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート等の嫌気性粘着剤、シアノアクリレート系の瞬間接着剤、それに、アクリレートとペルオキシド系の2液型瞬間接着剤などがある。このように、接着剤ないし粘着剤としては、1液型で押圧して接着するものや、熱や光で硬化させるものなどを用いることができる他に、2液、もしくは複数の液を混合して硬化させるものを用いることもでき、更にその他の様々なものを用いることができる。また、公知の方法を用いて粘着剤中に帯電防止剤や各種のフィラーを混入するようにしてもよい。アドヒーシブ層26の形成方法としては、様々な方法を用いることができ、その具体例を挙げるならば、例えば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、スプレー塗布、インクジェット法などによって接合面に直接塗布する方法を用いてもよい。また、接着剤ないし粘着剤の材料から成るドライフィルムを準備しておき、そのドライフィルムを貼着することでアドヒーシブ層を形成するという方法を用いることもでき、この方法は、製造工程を簡易化する上で好ましい方法である。   The adhesive layer 26 may be an adhesive layer or an adhesive layer. Specific examples of suitable adhesives or pressure-sensitive adhesives include, for example, urethane-based, rubber-based, silicone-based, vinyl-based, epoxy-based, water-based polymer-isocyanate-based, curable adhesives and pressure-sensitive adhesives, moisture, and the like. Cured urethane adhesives, anaerobic adhesives such as polyether methacrylate, ester methacrylate, oxidized polyether methacrylate, cyanoacrylate instant adhesives, and acrylate and peroxide two-component instant adhesives is there. As described above, as an adhesive or pressure-sensitive adhesive, one that is pressed and adhered in a one-pack type, one that is cured by heat or light, or the like can be used, and two or more liquids can be mixed. What is hardened can also be used, and also various other things can be used. Moreover, you may make it mix an antistatic agent and various fillers in an adhesive using a well-known method. Various methods can be used as a method for forming the adhesive layer 26. Specific examples thereof include, for example, a gravure coater, a micro gravure coater, a comma coater, a bar coater, a spray coating, an ink jet method, and the like. You may use the method of apply | coating directly to. It is also possible to use a method of preparing a dry film made of an adhesive or pressure sensitive adhesive material and forming an adhesive layer by sticking the dry film. This method simplifies the manufacturing process. This is a preferable method.

図8及び図9に示したのは、夫々、図1に示した第1の実施の形態に係るEL素子10の第2の変更例に係るEL素子10−2と、第3の変更例に係るEL素子10−3の断面図である。図1のEL素子10と異なる点は、光拡散層28、30を備えていることである。図8のEL素子10−2では、光拡散層28が透光性基板12の上面に設けられていて、EL素子10−2の表面に配置されている。図9のEL素子10−3では、光拡散層30が透光性基板12の下面に設けられていて、EL素子10−3の内部に配置されている。尚、光拡散層を透光性基板12の上下両面に設けるようにしてもよい。このように光拡散層28、30を設けることによって、視野角の角度依存性、波長依存性を緩和することができる。また、単純に視野角を拡大する場合や、コントロールする場合にも有効である。光拡散層28、30は、ヘイズ値が20%以上の層とすることが好ましく、ヘイズ値が20%未満であると、光拡散性能が不十分となり面内輝度の均一性が悪化するという問題が発生するおそれがある。光拡散層28、30は、例えば、無機材料あるいは有機材料の微粒子を内包した層としてもよく、その場合の微粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、酸化亜鉛、クレー、水酸化アルミニウム、硫化亜鉛、シリカ、それにシリコーンなどの、白色ないし透明な微粒子を用いるもでき、また、例えばアルミニウムや銀などの金属粒子を用いることもできる。また、白色ないし透明粒子や金属粒子を1種類だけ使用してもよいし、複数種類を混合して使用してもよい。また、微粒子を内包する層ばかりでなく、三角柱形状、四角柱形状、円錐形状などをはじめとする様々な形状の微細凹凸パターンを有する層としたり、レンチキュラーレンズ層やマイクロレンズ層などとしてもよく、更にその他の形態の層とすることも可能である。   8 and 9 show an EL element 10-2 according to the second modification example of the EL element 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1 and a third modification example, respectively. It is sectional drawing of the EL element 10-3 which concerns. The difference from the EL element 10 of FIG. 1 is that light diffusing layers 28 and 30 are provided. In the EL element 10-2 of FIG. 8, the light diffusion layer 28 is provided on the upper surface of the translucent substrate 12, and is disposed on the surface of the EL element 10-2. In the EL element 10-3 of FIG. 9, the light diffusion layer 30 is provided on the lower surface of the translucent substrate 12, and is disposed inside the EL element 10-3. In addition, you may make it provide a light-diffusion layer in the upper and lower surfaces of the translucent board | substrate 12. FIG. By providing the light diffusion layers 28 and 30 as described above, the angle dependency and wavelength dependency of the viewing angle can be relaxed. It is also effective when the viewing angle is simply expanded or controlled. The light diffusion layers 28 and 30 are preferably layers having a haze value of 20% or more. If the haze value is less than 20%, the light diffusion performance is insufficient and the uniformity of in-plane luminance is deteriorated. May occur. The light diffusion layers 28 and 30 may be, for example, layers containing fine particles of an inorganic material or an organic material. In this case, the fine particles include titanium oxide, barium sulfate, magnesium carbonate, zinc oxide, clay, aluminum hydroxide, White or transparent fine particles such as zinc sulfide, silica and silicone can also be used, and metal particles such as aluminum and silver can also be used. Further, only one type of white or transparent particles or metal particles may be used, or a plurality of types may be mixed and used. In addition to a layer containing fine particles, it may be a layer having a fine concavo-convex pattern of various shapes including a triangular prism shape, a quadrangular prism shape, a conical shape, or a lenticular lens layer or a micro lens layer. Furthermore, other forms of layers are possible.

光拡散層28、30は更に、シート状の光拡散部材を貼着することによって形成するようにしてもよく、そのシート状の光拡散部材は、例えば、透明樹脂に光拡散粒子を分散して形成したものとすることができる。その場合の透明樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを用いることができ、より具体的には例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系アクリル樹脂、シリコーン系アクリル樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィンポリマー、メチルスチレン樹脂、フルオレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン、アクリルニトリルスチレン共重合体、アクリロニトリルポリスチレン共重合体などを用いることができる。また光拡散粒子としては、無機酸化物または樹脂からなる透明粒子を用いることができる。無機酸化物からなる透明粒子としては、例えば、シリカ、アルミナなどを用いることができる。また、樹脂からなる透明粒子としては、アクリル粒子、スチレン粒子、スチレンアクリル粒子及びその架橋体、メラミン・ホルマリン縮合物の粒子、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(ペルフルオロアルコキシ樹脂)、FEP(テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体)、PVDF(ポリフルオロビニリデン)、及びETFE(エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体)等のフッ素ポリマー粒子、シリコーン樹脂粒子などを用いることができる。また、上述した透明粒子から2種類以上の透明粒子を組み合わせて使用してもよい。さらにまた、透明粒子の大きさ、形状は、特に規定されない。以上の構成としたシート状の光拡散部材の厚さは0.05mm〜5mmとすることが好ましく、そうすることによって、好適な拡散性能と輝度とを得ることができる。この光拡散部材の厚さが0.05mm未満であると、拡散性能が不足するおそれがあり、一方、その厚さが5mmを超えると、樹脂量が多いため吸収による輝度低下が生じるおそれがある。   The light diffusing layers 28 and 30 may be further formed by sticking a sheet-like light diffusing member. The sheet-like light diffusing member may be formed by, for example, dispersing light diffusing particles in a transparent resin. It can be formed. In this case, as the transparent resin, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be used. More specifically, for example, polycarbonate resin, acrylic resin, fluorine acrylic resin, silicone acrylic resin, epoxy acrylate resin. Polystyrene resin, cycloolefin polymer, methylstyrene resin, fluorene resin, polyethylene terephthalate (PET), polypropylene, acrylonitrile styrene copolymer, acrylonitrile polystyrene copolymer, and the like can be used. As the light diffusing particles, transparent particles made of an inorganic oxide or a resin can be used. As the transparent particles made of an inorganic oxide, for example, silica, alumina or the like can be used. The transparent particles made of resin include acrylic particles, styrene particles, styrene acrylic particles and cross-linked products thereof, melamine / formalin condensate particles, PTFE (polytetrafluoroethylene), PFA (perfluoroalkoxy resin), FEP (tetrafluoroethylene). Fluoropolymer particles such as fluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer), PVDF (polyfluorovinylidene), and ETFE (ethylene / tetrafluoroethylene copolymer), silicone resin particles, and the like can be used. Moreover, you may use combining 2 or more types of transparent particles from the transparent particle mentioned above. Furthermore, the size and shape of the transparent particles are not particularly defined. The thickness of the sheet-like light diffusing member having the above configuration is preferably 0.05 mm to 5 mm. By doing so, suitable diffusion performance and luminance can be obtained. If the thickness of the light diffusing member is less than 0.05 mm, the diffusing performance may be insufficient. On the other hand, if the thickness exceeds 5 mm, the amount of resin is so large that the luminance may decrease due to absorption. .

或いはまた、光拡散層28、30をシート状の光拡散部材を貼着することによって形成する場合に、そのシート状の光拡散部材を、熱可塑性樹脂に微細な気泡を内包させたシートとして形成したものとすることもできる。すなわち、熱可塑性樹脂の内部に形成された微細な気泡の内部表面が光の乱反射を生じさせ、光拡散粒子を分散させた場合と同等以上の光拡散機能を発現させることができる。そのため、光拡散部材の膜厚をより薄くすることが可能となる。このような光拡散部材として、白色PETや白色PPなどを挙げることができる。白色PETは、PETと相溶性のない樹脂や酸化チタン(TiO2)、硫酸化バリウム(BaSO4)、炭酸カルシウムのようなフィラーをPETに分散させた後、該PETを2軸延伸法で延伸することにより、該フィラーの周りに気泡を発生させて形成する。なお、このような構成の熱可塑性樹脂からなる光拡散部材は、少なくとも1軸方向に延伸したものとすればよく、少なくとも1軸方向に延伸することによって、フィラーの周りに気泡を発生させることができる。また、この場合の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン−2、6−ナフレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、シクロヘキサンジメタノール共重合ポリエステル樹脂、イソフタル酸共重合ポリエステル樹脂、スポログリコール共重合ポリエステル樹脂、フルオレン共重合ポリエステル樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、脂環式オレフィン共重合樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステル、ポリ塩化ビニル、シクロオレフィンポリマー、およびこれらを成分とする共重合体、またこれら樹脂の混合物などを用いることができ、特に制限されることはない。また、このように微細な気泡を内包させたシート状の光拡散部材の厚さは、25μm〜500μmとすることが好ましい。この光拡散部材の厚さが25μm未満であると、シートのこしが不足し、製造工程やディスプレイ内でしわを発生しやすくなる。一方、その厚さが500μmを超えると、光学性能についてはとくに問題ないが、剛性が増すためロール状に加工しにくくなるなどの不都合が生じるおそれがある。   Alternatively, when the light diffusing layers 28 and 30 are formed by sticking a sheet-like light diffusing member, the sheet-like light diffusing member is formed as a sheet in which fine bubbles are included in a thermoplastic resin. It can also be made. That is, the inner surface of fine bubbles formed inside the thermoplastic resin causes diffused reflection of light, and a light diffusing function equivalent to or higher than that when light diffusing particles are dispersed can be exhibited. Therefore, it becomes possible to make the film thickness of the light diffusing member thinner. Examples of such a light diffusing member include white PET and white PP. For white PET, a resin that is incompatible with PET, titanium oxide (TiO2), barium sulfate (BaSO4), fillers such as calcium carbonate are dispersed in PET, and then the PET is stretched by a biaxial stretching method. Thus, bubbles are generated around the filler. In addition, the light diffusing member made of the thermoplastic resin having such a configuration may be extended at least in the uniaxial direction, and bubbles may be generated around the filler by extending in the at least uniaxial direction. it can. Examples of the thermoplastic resin in this case include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene-2,6-naphthalate, polypropylene terephthalate, polybutylene terephthalate, cyclohexane dimethanol copolymer polyester resin, isophthalic acid copolymer polyester resin, Polyester resins such as low-glycol copolymer polyester resin and fluorene copolymer polyester resin, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, and alicyclic olefin copolymer resins, acrylic resins such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, polystyrene , Polyamides, polyethers, polyesteramides, polyetheresters, polyvinyl chloride, cycloolefin polymers, and their components Copolymers, also can be used as mixtures of these resins are not particularly limited. Moreover, it is preferable that the thickness of the sheet-like light diffusing member enclosing such fine bubbles is 25 μm to 500 μm. When the thickness of the light diffusing member is less than 25 μm, the sheet is insufficiently squeezed and wrinkles are likely to occur in the manufacturing process and display. On the other hand, when the thickness exceeds 500 μm, there is no particular problem with optical performance, but there is a possibility that inconveniences such as difficulty in processing into a roll shape due to increase in rigidity.

図10に示したのは、本発明の第2の実施の形態に係るEL素子40の断面図である。先に説明した図1のEL素子10と同様に、このEL素子40も、透光性基板12と、この透光性基板12の第1面(図中では下面)に設けられた発光積層構造体14とを備えている。発光積層構造体14は、第1電極層である透明電極層16と、第2電極層18と、それら2つの電極層16、18の間に挟まれたEL発光層20とを含んでいる。2つの電極層16、18の一方は陽極層、他方は陰極層である。それら陽極層と陰極層との間に直流電圧を印加してEL発光層20に電子および正孔を注入し、それらの再結合によって励起子を生成し、この励起子の失活する際の光の放出を利用してEL発光層20を発光させるようにしている。   FIG. 10 is a cross-sectional view of an EL element 40 according to the second embodiment of the present invention. Similar to the EL element 10 of FIG. 1 described above, this EL element 40 also has a light-transmitting substrate 12 and a light-emitting laminated structure provided on the first surface (lower surface in the drawing) of the light-transmitting substrate 12. And a body 14. The light-emitting laminated structure 14 includes a transparent electrode layer 16 that is a first electrode layer, a second electrode layer 18, and an EL light-emitting layer 20 sandwiched between the two electrode layers 16 and 18. One of the two electrode layers 16 and 18 is an anode layer, and the other is a cathode layer. A direct current voltage is applied between the anode layer and the cathode layer to inject electrons and holes into the EL light emitting layer 20, and excitons are generated by recombination thereof. The EL light emitting layer 20 is caused to emit light by utilizing the emission of.

透明電極層16は、EL発光層20の両側のうちの透光性基板12の側に位置している電極層であり、第2電極層18は、EL発光層20の両側のうちの透光性基板12とは反対側に位置している電極層である。発光積層構造体14から発した光(即ち、EL発光層20から発した光は、透明電極層16を透過して透光性基板12へ入射し、更にこの透光性基板12を通過し、この透光性基板の第2面(図中では上面)を介してEL素子10の外部へ出射する。   The transparent electrode layer 16 is an electrode layer located on the light-transmitting substrate 12 side of both sides of the EL light emitting layer 20, and the second electrode layer 18 is a light transmitting material on both sides of the EL light emitting layer 20. It is an electrode layer located on the opposite side to the conductive substrate 12. Light emitted from the light-emitting laminated structure 14 (that is, light emitted from the EL light-emitting layer 20 passes through the transparent electrode layer 16 and enters the light-transmitting substrate 12, and further passes through the light-transmitting substrate 12, The light is emitted to the outside of the EL element 10 through the second surface (upper surface in the drawing) of the translucent substrate.

ただし、図10のEL素子40は、図1のEL10の透明中間層22に相当する層を備えておらず、透明電極層16の材料の屈折率とEL発光層20の材料の屈折率とが異なることを利用して、それら透明電極層16とEL発光層20との間の界面を所定ピッチP1及び所定高さT1の周期的凹凸パターンを有する界面として形成してあり、この界面によって回折格子構造が構成されている。従ってこのEL素子40においても、EL発光層20と透光性基板12との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する回折格子構造が設けられている。そして、EL発光層20が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λとこの回折格子構造のピッチP1とが下式(7)で表される関係を満足するようにこのピッチP1の大きさを定めることによって、良好な光取り出し効率を達成するようにしている。   However, the EL element 40 of FIG. 10 does not include a layer corresponding to the transparent intermediate layer 22 of the EL 10 of FIG. 1, and the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 and the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 are different. Utilizing the difference, the interface between the transparent electrode layer 16 and the EL light emitting layer 20 is formed as an interface having a periodic concavo-convex pattern having a predetermined pitch P1 and a predetermined height T1, and the diffraction grating is formed by this interface. The structure is structured. Therefore, also in this EL element 40, a diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P1 is provided between the EL light emitting layer 20 and the translucent substrate 12. The size of the pitch P1 is set so that at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer 20 and the pitch P1 of the diffraction grating structure satisfy the relationship expressed by the following expression (7). By determining, good light extraction efficiency is achieved.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

ここで波長λは、通常は発光波長の中で最大のピークとなっているものを選ぶ。但し、必ずしもそれに限られず、ここで選んだ波長によって、取り出す光線の波長をある程度選択することができる。   Here, the wavelength λ is usually selected to have the maximum peak among the emission wavelengths. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the wavelength of the extracted light can be selected to some extent depending on the wavelength selected here.

また更に、透明電極層16の材料の屈折率をn2とし、EL発光層20の材料の屈折率をn3とするとき、屈折率n2、屈折率n3、ピッチP1、及び高さT1が下式(8)で表される関係を満足するようにすることが好ましく、そうすることで、光取り出し効率を更に向上させることができる。   Furthermore, when the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 is n2 and the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 is n3, the refractive index n2, the refractive index n3, the pitch P1, and the height T1 are expressed by the following formula ( It is preferable to satisfy the relationship represented by 8), and by doing so, the light extraction efficiency can be further improved.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

また更に、図1のEL素子10と同様にこのEL素子40でも、透明電極層16の材料の屈折率をn2とし、EL発光層20の材料の屈折率をn3とし、第2電極層18の材料の屈折率をn4とし、EL発光層20の層厚さをT4とするときに、屈折率n2、n3、及びn4が、n2>n3>n4で表される関係、または、n2<n3<n4で表される関係を満足する場合には、屈折率n3、層厚さT4、及びEL発光層20の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(9)で表される関係を満足するようにすることが好ましく、或いはまた、屈折率n2、n3、及びn4が、n3<n2、且つ、n3<n4で表される関係、または、n3>n2、且つ、n3>n4で表される関係を満足する場合には、屈折率n3、層厚さT4、及びEL発光層20の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(10)で表される関係を満足するようにすることが好ましい。そのようにすれば、この場合もまた光の共振効果によって、EL素子10の正面方向における光の取り出し効率を更に高めることができる。   Further, similarly to the EL element 10 of FIG. 1, in this EL element 40, the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 is n2, the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 is n3, and the second electrode layer 18 When the refractive index of the material is n4 and the layer thickness of the EL light emitting layer 20 is T4, the refractive indexes n2, n3, and n4 are represented by n2> n3> n4, or n2 <n3 < When the relationship represented by n4 is satisfied, the refractive index n3, the layer thickness T4, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer 20 satisfy the relationship represented by the following formula (9). It is preferable that the refractive indexes n2, n3, and n4 are expressed as n3 <n2 and n3 <n4, or a relationship expressed as n3> n2 and n3> n4. Is satisfied, refractive index n3, layer thickness T4, and EL It is preferred that the at least one peak wavelength of light layer 20 lambda is to satisfy the relationship represented by the following formula (10). In this case, the light extraction efficiency in the front direction of the EL element 10 can be further increased by the light resonance effect.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

Figure 2009272059
Figure 2009272059

図11に示したのは、図10に示した第2の実施の形態に係るEL素子40の変更例に係るEL素子40−1の断面図である。図10のEL素子40と異なる点は、発光積層構造体14が透明基板24を含んでおり、この透明基板24がアドヒーシブ層26を介してEL素子40−1の透光性基板12に貼着されていることである。この構成によれば、EL素子40−1を製作する際に、先ず透明基板24上に透明電極層16を形成し、その上にEL発光層20、及び第2電極層18を形成することで、発光積層構造体14を完成させ、しかる後に、その完成した発光積層構造体14と透光性基板12とをアドヒーシブ層26を介して貼着するという、好適な製作手順を採用することができる。また、図には示さなかったが、更なる変更例として、図8及び図9に示したEL素子10−1、10−2と同様に、透光性基板12の上面及び下面のいずれか一方もしくは両方に光拡散層を設けるようにしてもよい。   FIG. 11 is a cross-sectional view of an EL element 40-1 according to a modification of the EL element 40 according to the second embodiment shown in FIG. 10 is different from the EL element 40 in FIG. 10 in that the light-emitting laminated structure 14 includes a transparent substrate 24, and the transparent substrate 24 is attached to the translucent substrate 12 of the EL element 40-1 via the adhesive layer 26. It has been done. According to this configuration, when manufacturing the EL element 40-1, the transparent electrode layer 16 is first formed on the transparent substrate 24, and then the EL light emitting layer 20 and the second electrode layer 18 are formed thereon. The light emitting laminated structure 14 is completed, and thereafter, a suitable manufacturing procedure of adhering the completed light emitting laminated structure 14 and the translucent substrate 12 through the adhesive layer 26 can be adopted. . Although not shown in the drawing, as a further modification, one of the upper surface and the lower surface of the light-transmitting substrate 12 is similar to the EL elements 10-1 and 10-2 shown in FIGS. Or you may make it provide a light-diffusion layer in both.

図12に示したのは、本発明の第3の実施の形態に係るEL素子50の断面図である。先に説明した図1のEL素子10と同様に、このEL素子50も、透光性基板12と、この透光性基板12の第1面(図中では下面)に設けられた発光積層構造体14とを備えている。発光積層構造体14は、第1電極層である透明電極層16と、第2電極層18と、それら2つの電極層16、18の間に挟まれたEL発光層20とを含んでいる。2つの電極層16、18の一方は陽極層、他方は陰極層である。それら陽極層と陰極層との間に直流電圧を印加してEL発光層20に電子および正孔を注入し、それらの再結合によって励起子を生成し、この励起子の失活する際の光の放出を利用してEL発光層20を発光させるようにしている。   FIG. 12 is a cross-sectional view of an EL element 50 according to the third embodiment of the present invention. Similar to the EL element 10 of FIG. 1 described above, the EL element 50 also has a light-transmitting substrate 12 and a light-emitting laminated structure provided on the first surface (lower surface in the drawing) of the light-transmitting substrate 12. And a body 14. The light-emitting laminated structure 14 includes a transparent electrode layer 16 that is a first electrode layer, a second electrode layer 18, and an EL light-emitting layer 20 sandwiched between the two electrode layers 16 and 18. One of the two electrode layers 16 and 18 is an anode layer, and the other is a cathode layer. A direct current voltage is applied between the anode layer and the cathode layer to inject electrons and holes into the EL light emitting layer 20, and excitons are generated by recombination thereof. The EL light emitting layer 20 is caused to emit light by utilizing the emission of.

透明電極層16は、EL発光層20の両側のうちの透光性基板12の側に位置している電極層であり、第2電極層18は、EL発光層20の両側のうちの透光性基板12とは反対側に位置している電極層である。発光積層構造体14から発した光(即ち、EL発光層20から発した光は、透明電極層16を透過して透光性基板12へ入射し、更にこの透光性基板12を通過し、この透光性基板の第2面(図中では上面)を介してEL素子10の外部へ出射する。   The transparent electrode layer 16 is an electrode layer located on the light-transmitting substrate 12 side of both sides of the EL light emitting layer 20, and the second electrode layer 18 is a light transmitting material on both sides of the EL light emitting layer 20. It is an electrode layer located on the opposite side to the conductive substrate 12. Light emitted from the light-emitting laminated structure 14 (that is, light emitted from the EL light-emitting layer 20 passes through the transparent electrode layer 16 and enters the light-transmitting substrate 12, and further passes through the light-transmitting substrate 12, The light is emitted to the outside of the EL element 10 through the second surface (upper surface in the drawing) of the translucent substrate.

透明電極層16と透光性基板12との間に透明中間層22が形成されており、この透明中間層22の材料の屈折率と透明電極層16の材料の屈折率とは異ならせてある。また更に、それら透明中間層22と透明電極層16との間の界面を、所定ピッチP1及び所定高さT1の周期的凹凸パターンを有する界面として形成してある。この界面によって回折格子構造が構成されている。   A transparent intermediate layer 22 is formed between the transparent electrode layer 16 and the translucent substrate 12, and the refractive index of the material of the transparent intermediate layer 22 is different from the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16. . Furthermore, the interface between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16 is formed as an interface having a periodic uneven pattern having a predetermined pitch P1 and a predetermined height T1. This interface constitutes a diffraction grating structure.

更に、透明電極層16の材料の屈折率とEL発光層20の材料の屈折率とが異なることを利用して、それら透明電極層16とEL発光層20との間の界面を、所定ピッチP2及び所定高さT2の周期的凹凸パターンを有する界面として形成してあり、この界面によってもう1つの回折格子構造が構成されている。   Further, by utilizing the fact that the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 and the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 are different, the interface between the transparent electrode layer 16 and the EL light emitting layer 20 is set at a predetermined pitch P2. And an interface having a periodic concavo-convex pattern having a predetermined height T2, and this interface constitutes another diffraction grating structure.

従って、この実施の形態のEL素子50においては、EL発光層20と透光性基板12との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する第1の回折格子構造と、ピッチP2の周期パターンを有する第2の回折格子構造とが、重層的に設けられている。図12に示した具体例ではピッチP1とピッチP2とが等しいが、それらを互いに異なった大きさのピッチとすることも可能である。両者を等しくする場合も、また異ならせる場合も、EL発光層20が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと第1の回折格子構造のピッチP1とが下式(11)で表される関係を満足するようにこのピッチP1の大きさを定め、また、EL発光層20が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと第2の回折格子構造のピッチP2とが下式(12)で表される関係を満足するようにこのピッチP2の大きさを定めることによって、良好な光取り出し効率を達成することができる。   Therefore, in the EL element 50 of this embodiment, the first diffraction grating structure having the periodic pattern with the pitch P1 and the periodic pattern with the pitch P2 are provided between the EL light emitting layer 20 and the translucent substrate 12. The second diffraction grating structure is provided in multiple layers. In the specific example shown in FIG. 12, the pitch P1 and the pitch P2 are equal, but it is also possible to make them pitches having different sizes. Whether they are equal or different, at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer 20 and the pitch P1 of the first diffraction grating structure are expressed by the following equation (11). The size of the pitch P1 is determined so as to satisfy the relationship, and at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer 20 and the pitch P2 of the second diffraction grating structure are expressed by the following equation (12). By determining the size of the pitch P2 so as to satisfy the relationship expressed by the following, it is possible to achieve good light extraction efficiency.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

Figure 2009272059
Figure 2009272059

ここで波長λは、通常は発光波長の中で最大のピークとなっているものを選ぶ。但し、必ずしもそれに限られず、ここで選んだ波長によって、取り出す光線の波長をある程度選択することができる。特に、第1の回折格子構造のピッチP1と、第2の回折格子構造のピッチP2とを異ならせる場合には、2つのピーク波長を選ぶことができる。   Here, the wavelength λ is usually selected to have the maximum peak among the emission wavelengths. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the wavelength of the extracted light can be selected to some extent depending on the wavelength selected here. In particular, when the pitch P1 of the first diffraction grating structure is different from the pitch P2 of the second diffraction grating structure, two peak wavelengths can be selected.

また更に、透明電極層16の材料の屈折率をn2とし、EL発光層20の材料の屈折率をn3とするとき、屈折率n2、屈折率n3、ピッチP2、及び高さT2が下式(13)で表される関係を満足するようにすることが好ましく、そうすることで、光取り出し効率を更に向上させることができる。   Furthermore, when the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16 is n2, and the refractive index of the material of the EL light emitting layer 20 is n3, the refractive index n2, the refractive index n3, the pitch P2, and the height T2 are expressed by the following formula ( It is preferable to satisfy the relationship represented by 13), and by doing so, the light extraction efficiency can be further improved.

Figure 2009272059
Figure 2009272059

図13に示したのは、図12に示した第3の実施の形態に係るEL素子50の第1の変更例に係るEL素子50−1の断面図である。図12のEL素子50と異なる点は、発光積層構造体14が透明基板24を含んでおり、この透明基板24がアドヒーシブ層26を介してEL素子50−1の透光性基板12に貼着されていることである。この構成によれば、EL素子50−1を製作する際に、先ず透明基板24上に透明中間層22を形成し、その上に透明電極層16、EL発光層20、第2電極層18を形成して行くことで、発光積層構造体14を完成させ、しかる後に、その完成した発光積層構造体14と透光性基板12とを、アドヒーシブ層26を介して貼着するという、好適な製作手順を採用することができる。特に、図12に示した具体例のように、第1の回折格子構造のピッチP1と第2の回折格子構造のピッチP2とを等しくする場合には、透明基板24上に、所要の形状の表面を有する透明中間層22を形成した後に、スパッタ法あるいは蒸着法によって透明電極層16を形成するようにし、その際に、形成される透明電極層16の表面形状が、その下層の透明中間層22の表面形状を保つようにすれば、第2の回折格子構造の界面形状を第1の回折格子構造の界面形状に容易に揃えることができ、製作上有利である。また、図には示さなかったが、更なる変更例として、図8及び図9に示したEL素子10−1、10−2と同様に、透光性基板12の上面及び下面のいずれか一方もしくは両方に光拡散層を設けるようにしてもよい。   FIG. 13 is a cross-sectional view of an EL element 50-1 according to a first modification of the EL element 50 according to the third embodiment shown in FIG. A difference from the EL element 50 of FIG. 12 is that the light-emitting laminated structure 14 includes a transparent substrate 24, and this transparent substrate 24 is attached to the translucent substrate 12 of the EL element 50-1 through the adhesive layer 26. It has been done. According to this configuration, when manufacturing the EL element 50-1, the transparent intermediate layer 22 is first formed on the transparent substrate 24, and the transparent electrode layer 16, the EL light emitting layer 20, and the second electrode layer 18 are formed thereon. The light-emitting laminated structure 14 is completed by forming, and then the completed light-emitting laminated structure 14 and the translucent substrate 12 are bonded via the adhesive layer 26. Procedures can be adopted. In particular, when the pitch P1 of the first diffraction grating structure is equal to the pitch P2 of the second diffraction grating structure as in the specific example shown in FIG. After the transparent intermediate layer 22 having the surface is formed, the transparent electrode layer 16 is formed by sputtering or vapor deposition. At this time, the surface shape of the formed transparent electrode layer 16 is the transparent intermediate layer below it. If the surface shape of 22 is maintained, the interface shape of the second diffraction grating structure can be easily aligned with the interface shape of the first diffraction grating structure, which is advantageous in manufacturing. Although not shown in the drawing, as a further modification, one of the upper surface and the lower surface of the light-transmitting substrate 12 is similar to the EL elements 10-1 and 10-2 shown in FIGS. Or you may make it provide a light-diffusion layer in both.

図14に示したのは、図12に示した第3の実施の形態に係るEL素子50の第2の変更例に係るEL素子50−2の断面図である。図12のEL素子50と異なる点は、EL発光層20が、RGB(緑、青、赤)の3色に対応した3種類のEL発光物質のマトリクスとして形成されていることである。RGBの3色のEL発光物質はピーク波長が互いに異なるが、透明中間層22と透明電極層16との間の界面に形成された第1の回折格子構造と、透明電極層16とEL発光層20との間に形成された第2の回折格子構造とは、最も取り出し効率を高めたい光の波長に合わせて、それら回折格子構造のピッチP1、P2(図示例ではP1=P2である)及び/または高さT1、T2を定めるようにする。より具体的には、ここでは一例として、Rの発光物質の輝度が、G及びBの発光物質に比べて低いものとすれば、Rの発光物質のピーク波長に合わせて、第1及び第2の回折格子構造のピッチ及び/または高さを定めるようにする。これによって、簡便にRGBの発光物質の発光輝度の違いを緩和することができ、或いはまた、逆に強調することも可能である。   FIG. 14 is a cross-sectional view of an EL element 50-2 according to a second modification of the EL element 50 according to the third embodiment shown in FIG. A difference from the EL element 50 of FIG. 12 is that the EL light emitting layer 20 is formed as a matrix of three types of EL light emitting materials corresponding to three colors of RGB (green, blue, red). Although the EL light emitting materials of three colors of RGB have different peak wavelengths, the first diffraction grating structure formed at the interface between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16, the transparent electrode layer 16 and the EL light emitting layer The second diffraction grating structure formed between the first and second diffraction grating structures 20 and 20 has a pitch P1, P2 (P1 = P2 in the illustrated example) and a diffraction grating structure pitches P1 and P2 in accordance with the wavelength of light most desired to increase the extraction efficiency. The heights T1 and T2 are determined. More specifically, here, as an example, if the luminance of the R light emitting material is lower than that of the G and B light emitting materials, the first and second light sources are matched with the peak wavelength of the R light emitting material. The pitch and / or height of the diffraction grating structure is determined. Thereby, the difference in emission luminance of the RGB luminescent materials can be easily reduced, or conversely, it can be emphasized.

図15〜図17に示したのは、図12に示した第3の実施の形態に係るEL素子50の第3〜第5の変更例に係るEL素子の断面図である。これらのEL素子は、図17に示したEL素子50−2と同様に、EL発光層20が、RGB(緑、青、赤)の3色に対応した3種類のEL発光物質のマトリクスとして形成されており、それらRGBの3色のEL発光物質はピーク波長が互いに異なる。図15〜図17において、細かなジグザグ線で界面を模式的に描いた回折格子構造は、その回折格子構造の寸法パラメータ(ピッチ及び/または高さ)を、RGB各色のEL発光物質に合わせて、即ち、各色ごとに異なった設定として形成されている回折格子構造である。一方、粗いジグザグ線で界面を模式的に描いた回折格子構造は、各色ごとに区別せず、EL素子の全面に亘って同一の寸法パラメータとして形成されている回折格子構造である。   15 to 17 are cross-sectional views of EL elements according to third to fifth modifications of the EL element 50 according to the third embodiment shown in FIG. In these EL elements, like the EL element 50-2 shown in FIG. 17, the EL light emitting layer 20 is formed as a matrix of three types of EL light emitting materials corresponding to three colors of RGB (green, blue, red). The three EL light-emitting materials of RGB have different peak wavelengths. 15 to 17, the diffraction grating structure in which the interface is schematically drawn with fine zigzag lines is set so that the dimensional parameters (pitch and / or height) of the diffraction grating structure are matched to the EL light-emitting materials of RGB colors. That is, it is a diffraction grating structure formed as a different setting for each color. On the other hand, the diffraction grating structure in which the interface is schematically drawn with rough zigzag lines is a diffraction grating structure formed as the same dimensional parameter over the entire surface of the EL element without being distinguished for each color.

図15に示したEL素子50−3では、第1の回折格子構造と第2の回折格子構造との両方が、各色ごとに異なった寸法パラメータに設定されている。この構成とすることで、互いにピーク波長が異なるRGBの3色のEL発光物質から発する光の取り出し効率を各色ごとに個別にコントロールすることが可能となる。そのため、特に、ホワイトバランスを取ることが重要な場合に、この構成は極めて有利である。   In the EL element 50-3 shown in FIG. 15, both the first diffraction grating structure and the second diffraction grating structure are set to different dimensional parameters for each color. With this configuration, it is possible to individually control the extraction efficiency of light emitted from the EL light emitting materials of three colors of RGB having different peak wavelengths. For this reason, this configuration is extremely advantageous, particularly when white balance is important.

図16に示したEL素子50−4では、第1の回折格子構造はこのEL素子50−4の全面に亘って同一の寸法パラメータで形成されており、第2の回折格子構造だけが各色ごとに異なった寸法パラメータに設定されている。図17に示したEL素子50−5では、これと逆に、第1の回折格子構造だけが各色ごとに異なった寸法パラメータに設定されており、第2の回折格子構造はこのEL素子50−5の全面に亘って同一の寸法パラメータで形成されている。これらの構成でも、光の取り出し効率を各色ごとにコントロールすることができ、図16のEL素子50−3ほど綿密なコントロールはできない替わりに、製作コストが低廉となる。   In the EL element 50-4 shown in FIG. 16, the first diffraction grating structure is formed with the same dimensional parameters over the entire surface of the EL element 50-4, and only the second diffraction grating structure is provided for each color. Are set to different dimensional parameters. In the EL element 50-5 shown in FIG. 17, on the contrary, only the first diffraction grating structure is set to a different dimensional parameter for each color, and the second diffraction grating structure is the EL element 50-. 5 are formed with the same dimensional parameters over the entire surface. Even in these configurations, the light extraction efficiency can be controlled for each color, and the manufacturing cost is low, although the control is not as precise as the EL element 50-3 in FIG.

図18に示したのは、本発明の第4の実施の形態に係るEL素子60の断面図である。このEL素子は、本発明をマルチフォトン素子に適用した場合の具体例として提示するものである。先に説明した図1のEL素子10と同様に、このEL素子60も、透光性基板12と、この透光性基板12の第1面(図中では下面)に設けられた発光積層構造体14とを備えている。発光積層構造体14は、第1電極層である透明電極層16と、第2電極層18と、それら2つの電極層16、18の間に挟まれた発光積層体とを含んでおり、この発光積層体は、EL発光層20と電荷発生層21とを交互に積層して成るものである。透明電極層16と透光性基板12との間に透明中間層22が形成されており、この透明中間層22の材料の屈折率と透明電極層16の材料の屈折率とは異ならせてある。この構成においては、透明中間層22と透明電極層16との間の界面によって第1の回折格子構造を構成し、また、透明電極層16と一番上のEL発光層20との間の界面によって第2の回折格子構造を構成することに加えて、複数存在するEL発光層20と電荷発生層21との間の界面の各々に更なる回折格子構造を構成している。そして、それら回折格子構造の寸法パラメータを先に説明した様々な実施の形態と同様に設定することによって、良好な光取り出し効率を達成することができる。   FIG. 18 is a cross-sectional view of an EL element 60 according to the fourth embodiment of the present invention. This EL element is presented as a specific example when the present invention is applied to a multi-photon element. Similar to the EL element 10 of FIG. 1 described above, the EL element 60 also has a light-transmitting substrate 12 and a light-emitting laminated structure provided on the first surface (lower surface in the drawing) of the light-transmitting substrate 12. And a body 14. The light emitting laminated structure 14 includes a transparent electrode layer 16 that is a first electrode layer, a second electrode layer 18, and a light emitting laminated body sandwiched between the two electrode layers 16 and 18. The light emitting laminate is formed by alternately laminating EL light emitting layers 20 and charge generation layers 21. A transparent intermediate layer 22 is formed between the transparent electrode layer 16 and the translucent substrate 12, and the refractive index of the material of the transparent intermediate layer 22 is different from the refractive index of the material of the transparent electrode layer 16. . In this configuration, the first diffraction grating structure is formed by the interface between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16, and the interface between the transparent electrode layer 16 and the uppermost EL light emitting layer 20. In addition to forming the second diffraction grating structure, a further diffraction grating structure is formed at each of the plurality of interfaces between the EL light emitting layer 20 and the charge generation layer 21. Then, by setting the dimensional parameters of these diffraction grating structures in the same manner as in the various embodiments described above, it is possible to achieve good light extraction efficiency.

以上に説明したEL素子は、優れた光取り出し効率を有するため、照明装置の発光源として用いるのに適したものであり、そのように構成した照明装置も本発明の範囲に含まれる。また、以上に説明したEL素子は、その他の様々な用途にも好適に用い得るものである。   Since the EL element described above has an excellent light extraction efficiency, it is suitable for use as a light source of a lighting device, and a lighting device having such a configuration is also included in the scope of the present invention. The EL element described above can be suitably used for various other purposes.

例えば、本発明に係るEL素子にTFT層を付設して、そのEL素子を画素駆動するようにすれば、アクティブマトリックス型のディスプレイ装置を構成することができ、そのように構成したディスプレイ装置も本発明の範囲に含まれる。また更に、本発明に係るEL素子は、アクティブマトリックス型のディスプレイ装置ばかりでなく、パッシブ型のディスプレイ装置に用いることも可能である。   For example, if a TFT layer is attached to an EL element according to the present invention and the EL element is driven by a pixel, an active matrix type display device can be constructed. It is included in the scope of the invention. Furthermore, the EL element according to the present invention can be used not only in an active matrix display device but also in a passive display device.

また、本発明に係るEL素子は、液晶ディスプレイ装置のためのバックライト装置の発光源としても好適に用い得るものであり、そのように構成したバックライト装置も本発明の範囲に含まれる。本発明に係るEL素子を液晶ディスプレイ装置のためのバックライト装置の発光源として用いることによって、発光源として冷陰極蛍光ランプを用いたバックライト装置と比較して、より構造を薄型化し、消費電力も低下させることが可能となる。また、光源ムラも実質上皆無となるため、ランプイメージを低減させるための拡散板や、レンズシートも不要となり、コストダウンに資する。   Further, the EL element according to the present invention can be suitably used as a light source of a backlight device for a liquid crystal display device, and the backlight device configured as such is also included in the scope of the present invention. By using the EL element according to the present invention as a light source of a backlight device for a liquid crystal display device, the structure is made thinner and the power consumption is reduced as compared with a backlight device using a cold cathode fluorescent lamp as a light source. Can also be reduced. In addition, since there is virtually no light source unevenness, a diffusion plate and a lens sheet for reducing the lamp image are not required, which contributes to cost reduction.

本発明に係るEL素子は更に、電子看板装置の発光源としても好適に用い得るものであり、そのように構成した電子看板装置も本発明の範囲に含まれる。   The EL element according to the present invention can also be suitably used as a light emission source of a digital signage apparatus, and the electronic signage apparatus configured as such is also included in the scope of the present invention.

以上に具体例として提示した本発明に係る様々なEL素子のうち、図1に示した第1の実施の形態に係るELとその変更例に係るEL素子、図12に示した第3の実施の形態に係るEL素子とその変形例に係るEL素子、それに図18に示した第4の実施の形態に係るEL素子は、いずれも、透明中間層22と透明電極層16との間の界面によって構成した回折格子構造を備えたEL素子である。このように透明中間層22と透明電極層16との間の界面により構成した回折格子構造の1つの実施例について以下に説明する。   Of the various EL elements according to the present invention presented above as specific examples, the EL element according to the first embodiment shown in FIG. 1 and the EL element according to the modified example, and the third embodiment shown in FIG. The EL element according to the embodiment, the EL element according to the modification thereof, and the EL element according to the fourth embodiment shown in FIG. 18 are both interfaces between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16. An EL element having a diffraction grating structure configured by One embodiment of the diffraction grating structure constituted by the interface between the transparent intermediate layer 22 and the transparent electrode layer 16 will be described below.

この実施例では、先ず、透明中間層22の材料として屈折率n1=1.51の材料を使用し、透明電極層16の材料として屈折率n2=2.12の材料を使用することとした。また、両者間の界面の周期的凹凸パターンについては、そのパラメータの目標値を、ピッチP1=0.2μm、高さT1=0.4μmとした。また更に、透明中間層22の材料にはUV硬化性樹脂を使用することとした。そして、ガラス板にUV硬化性樹脂を塗布し、周期的パターンを有するナノ構造物を表面に形成したガラス製金型をその塗布したUV硬化性樹脂の表面に密着させ、UV光照射によりUV硬化性樹脂を硬化させて、透明中間層22とする透明樹脂層を形成した。こうして形成した透明樹脂層の表面の周期的パターンのパラメータを実測したところ、ピッチP1=0.19、高さT1=0.38μmであって、略々目標値に近い寸法が得られていた。   In this embodiment, first, a material having a refractive index n1 = 1.51 is used as the material of the transparent intermediate layer 22, and a material having a refractive index n2 = 2.12 is used as the material of the transparent electrode layer 16. For the periodic uneven pattern at the interface between the two, the target values of the parameters were pitch P1 = 0.2 μm and height T1 = 0.4 μm. Furthermore, a UV curable resin is used as the material of the transparent intermediate layer 22. Then, a UV curable resin is applied to a glass plate, a glass mold having a nanostructure with a periodic pattern formed on the surface is brought into close contact with the surface of the applied UV curable resin, and UV curing is performed by UV light irradiation. The transparent resin layer to be the transparent intermediate layer 22 was formed by curing the functional resin. When the parameters of the periodic pattern on the surface of the transparent resin layer thus formed were actually measured, the pitch P1 = 0.19 and the height T1 = 0.38 μm, and a dimension substantially close to the target value was obtained.

続いて、透明電極層16を構成するITO膜をスパッタ法によって膜厚0.45μmに成膜し、その表面を研磨して平坦化した。こうしてITO膜を成膜した上に、4,4’,4”−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下、m−MTDATA)を膜厚40nmに蒸着して、ホール注入層を形成し、次いで、N,N’−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を膜厚35nmに蒸着して、ホール輸送層を形成した。さらにその上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを膜厚50nmに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。続いて、AlLi電子注入電極(Li濃度:7.2at%)を膜厚50nmに成膜し、こうして得られたEL素子基板を他のスパッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッタ法により膜厚200nmのAl層を成膜した。最後にガラス封止板との接続後、点灯試験を行ったが、問題なく点灯した。また、こうして透明中間層と透明電極層との間の界面に回折格子構造を構成したEL素子では、その回折格子構造を持たないEL素子に対して、52%程度の取り出し効率向上が見られた。   Subsequently, an ITO film constituting the transparent electrode layer 16 was formed to a film thickness of 0.45 μm by sputtering, and the surface was polished and flattened. In addition to the ITO film thus formed, 4,4 ′, 4 ″ -tris (—N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (hereinafter, m-MTDATA) was formed to a film thickness of 40 nm. The hole injection layer is formed by vapor deposition, and then N, N′-diphenyl-N, N′-m-tolyl-4,4′-diamino-1,1′-biphenyl (hereinafter referred to as TPD) is formed into a film thickness. A hole transport layer was formed by vapor deposition to 35 nm, and further, tris (8-quinolinolato) aluminum was vapor deposited to a thickness of 50 nm to form an electron injection transport / light emitting layer. (Li concentration: 7.2 at%) was formed to a thickness of 50 nm, the EL element substrate thus obtained was transferred to another sputtering apparatus, and an Al layer having a thickness of 200 nm was formed by DC sputtering using an Al target. Membrane Finally, after the connection with the glass sealing plate, a lighting test was conducted, but it was lit without problems.In this way, in the EL element having a diffraction grating structure at the interface between the transparent intermediate layer and the transparent electrode layer, The extraction efficiency was improved by about 52% with respect to the EL element having no diffraction grating structure.

本発明の第1の実施の形態に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1のEL素子における回折格子構造の側面形状の具体例を示した図である。It is the figure which showed the specific example of the side surface shape of the diffraction grating structure in the EL element of FIG. 図1のEL素子における回折格子構造の側面形状の具体例を示した図である。It is the figure which showed the specific example of the side surface shape of the diffraction grating structure in the EL element of FIG. 図1のEL素子における回折格子構造の平面形状の具体例を示した図である。It is the figure which showed the specific example of the planar shape of the diffraction grating structure in the EL element of FIG. 図1のEL素子における回折格子構造の平面形状の具体例を示した図である。It is the figure which showed the specific example of the planar shape of the diffraction grating structure in the EL element of FIG. 図1のEL素子における回折格子構造の平面形状の具体例を示した図である。It is the figure which showed the specific example of the planar shape of the diffraction grating structure in the EL element of FIG. 図1のEL素子の第1の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 1st modification of the EL element of FIG. 図1のEL素子の第2の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 2nd modification of the EL element of FIG. 図1のEL素子の第3の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 3rd modification of the EL element of FIG. 本発明の第2の実施の形態に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図10のEL素子の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the example of a change of the EL element of FIG. 本発明の第3の実施の形態に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図12のEL素子の第1の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 1st modification of the EL element of FIG. 図12のEL素子の第2の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 2nd modification of the EL element of FIG. 図12のEL素子の第3の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 3rd modification of the EL element of FIG. 図12のEL素子の第4の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 4th modification of the EL element of FIG. 図12のEL素子の第5の変更例に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 5th modification of the EL element of FIG. 本発明の第4の実施の形態に係るEL素子の断面図である。It is sectional drawing of the EL element which concerns on the 4th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10、10−1、10−2、10−3 EL素子
12 透光性基板
14 発光積層構造体
16 透明電極層
18 第2電極層
20 EL発光層
21 電荷発生層
22 透明中間層
24 透明基板
26 アドヒーシブ層
28 光拡散層
30 光拡散層
40、40−1 EL素子
50、50−1、50−2、50−3、50−4、50−5 EL素子
60 EL素子
10, 10-1, 10-2, 10-3 EL element 12 Translucent substrate 14 Light-emitting laminated structure 16 Transparent electrode layer 18 Second electrode layer 20 EL light-emitting layer 21 Charge generation layer 22 Transparent intermediate layer 24 Transparent substrate 26 Adhesive layer 28 Light diffusion layer 30 Light diffusion layer 40, 40-1 EL element 50, 50-1, 50-2, 50-3, 50-4, 50-5 EL element 60 EL element

Claims (19)

透光性基板と、該透光性基板の第1面に設けられた発光積層構造体とを備え、該発光積層構造体は、第1電極層である透明電極層と、第2電極層と、それら電極層の間に挟まれたEL(エレクトロ・ルミネッセンス)発光層とを含んでおり、前記透明電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板の側に位置している電極層であり、前記第2電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板とは反対側に位置している電極層であり、前記発光積層構造体から発した光が、前記透明電極層を透過して前記透光性基板へ入射し、更に該透光性基板を通過し、該透光性基板の第2面を介して外部へ出射するように構成されたEL素子において、
前記EL発光層と前記透光性基板との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する回折格子構造が設けられており、
前記EL発光層が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと前記ピッチP1とが下式(1)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とするEL素子。
A translucent substrate; and a light emitting laminated structure provided on the first surface of the translucent substrate, the light emitting laminated structure comprising: a transparent electrode layer that is a first electrode layer; a second electrode layer; And an EL (electroluminescence) light emitting layer sandwiched between the electrode layers, and the transparent electrode layer is located on the side of the translucent substrate on both sides of the EL light emitting layer. An electrode layer, and the second electrode layer is an electrode layer located on the opposite side of the EL light emitting layer from the translucent substrate, and the light emitted from the light emitting laminated structure is An EL element configured to pass through the transparent electrode layer, enter the light-transmitting substrate, pass through the light-transmitting substrate, and exit to the outside through the second surface of the light-transmitting substrate. In
A diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P1 is provided between the EL light emitting layer and the translucent substrate,
At least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer and the pitch P1 satisfy the relationship represented by the following formula (1):
Figure 2009272059
An EL element.
前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、
前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記回折格子構造が、ピッチP1及び高さT1の周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、
前記屈折率n1、前記屈折率n2、前記ピッチP1、及び前記高さTlが下式(2)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項1記載のEL素子。
A transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate,
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent intermediate layer and the transparent electrode layer having a periodic uneven pattern with a pitch P1 and a height T1;
The refractive index n1, the refractive index n2, the pitch P1, and the height Tl satisfy the relationship represented by the following formula (2).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 1.
前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、
前記回折格子構造が、周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、
前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、
前記透明電極層が層厚さT3に形成されており、
前記屈折率n1、n2、及びn3が、n1>n2>n3で表される関係、または、n1<n2<n3で表される関係を満足しており、
前記屈折率n2、前記層厚さT3、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(3)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項1記載のEL素子。
A transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate,
The diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent intermediate layer having a periodic uneven pattern and the transparent electrode layer;
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3,
The transparent electrode layer is formed to a layer thickness T3;
The refractive indexes n1, n2, and n3 satisfy a relationship represented by n1>n2> n3 or a relationship represented by n1 <n2 <n3,
The refractive index n2, the layer thickness T3, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (3).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 1.
前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、
前記回折格子構造が、周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、
前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、
前記透明電極層が層厚さT3に形成されており、
前記屈折率n1、n2、及びn3が、n2<n1、且つ、n2<n3で表される関係、または、n2>n1、且つ、n2>n3で表される関係を満足しており、
前記屈折率n2、前記層厚さT3、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(4)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項1記載のEL素子。
A transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate,
The diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent intermediate layer having a periodic uneven pattern and the transparent electrode layer;
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3,
The transparent electrode layer is formed to a layer thickness T3;
The refractive indexes n1, n2, and n3 satisfy the relationship represented by n2 <n1 and n2 <n3, or the relationship represented by n2> n1 and n2> n3,
The refractive index n2, the layer thickness T3, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (4).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 1.
前記EL発光層が層厚さT4に形成されており、
前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、
前記第2電極層が屈折率n4の材料から成り、
前記屈折率n2、n3、及びn4が、n2>n3>n4で表される関係、または、n2<n3<n4で表される関係を満足しており、
前記屈折率n3、前記層厚さT4、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(5)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項1記載のEL素子。
The EL light emitting layer is formed with a layer thickness T4,
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3,
The second electrode layer is made of a material having a refractive index n4;
The refractive indexes n2, n3, and n4 satisfy a relationship represented by n2>n3> n4 or a relationship represented by n2 <n3 <n4,
The refractive index n3, the layer thickness T4, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (5).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 1.
前記EL発光層が層厚さT4に形成されており、
前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、
前記第2電極層が屈折率n4の材料から成り、
前記屈折率n2、n3、及びn4が、n3<n2、且つ、n3<n4で表される関係、または、n3>n2、且つ、n3>n4で表される関係を満足しており、
前記屈折率n3、前記層厚さT4、及び前記EL発光層の前記少なくとも1つのピーク波長λが下式(6)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項1記載のEL素子。
The EL light emitting layer is formed with a layer thickness T4,
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3,
The second electrode layer is made of a material having a refractive index n4;
The refractive indexes n2, n3, and n4 satisfy a relationship represented by n3 <n2 and n3 <n4, or a relationship represented by n3> n2 and n3> n4,
The refractive index n3, the layer thickness T4, and the at least one peak wavelength λ of the EL light emitting layer satisfy the relationship represented by the following formula (6).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 1.
前記発光積層構造体が更に透明基板を含んでおり、該透明基板上に前記透明中間層が形成されており、該透明基板と前記光透過性基板とがアドヒーシブ層を介して貼着されていることを特徴とする請求項2乃至6の何れか1項記載のEL素子。   The light-emitting laminated structure further includes a transparent substrate, the transparent intermediate layer is formed on the transparent substrate, and the transparent substrate and the light-transmitting substrate are bonded via an adhesive layer. The EL device according to any one of claims 2 to 6, wherein the EL device is characterized in that: 前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、
前記回折格子構造が、ピッチP1及び高さT1の周期的凹凸パターンを有する前記透明電極層と前記EL発光層との間の界面により構成されており、
前記屈折率n2、前記屈折率n3、前記ピッチP1、及び前記高さTlが下式(7)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項1記載のEL素子。
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3,
The diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent electrode layer having a periodic uneven pattern with a pitch P1 and a height T1, and the EL light emitting layer,
The refractive index n2, the refractive index n3, the pitch P1, and the height Tl satisfy the relationship represented by the following formula (7).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 1.
前記発光積層構造体が更に透明基板を含んでおり、該透明基板上に前記透明電極層が形成されており、該透明基板と前記光透過性基板とがアドヒーシブ層を介して貼着されていることを特徴とする請求項7記載のEL素子。   The light-emitting laminated structure further includes a transparent substrate, the transparent electrode layer is formed on the transparent substrate, and the transparent substrate and the light-transmitting substrate are attached via an adhesive layer. The EL element according to claim 7. 透光性基板と、該透光性基板の第1面に設けられた発光積層構造体とを備え、該発光積層構造体は、第1電極層である透明電極層と、第2電極層と、それら電極層の間に挟まれたEL(エレクトロ・ルミネッセンス)発光層とを含んでおり、前記透明電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板の側に位置している電極層であり、前記第2電極層は前記EL発光層の両側のうちの前記透光性基板とは反対側に位置している電極層であり、前記発光積層構造体から発した光が、前記透明電極層を透過して前記透光性基板へ入射し、更に該透光性基板を通過し、該透光性基板の第2面を介して外部へ出射するように構成されたEL素子において、
前記EL発光層と前記透光性基板との間に、ピッチP1の周期的パターンを有する第1の回折格子構造と、ピッチP2の周期的パターンを有する第2の回折格子構造とが、重層的に設けられており、
前記EL発光層が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと前記ピッチP1とが下式(8)で表される関係を満足しており、
Figure 2009272059
前記EL発光層が発する光のスペクトルにおける少なくとも1つのピーク波長λと前記ピッチP2とが下式(9)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とするEL素子。
A translucent substrate and a light-emitting laminated structure provided on the first surface of the translucent substrate, the light-emitting laminated structure comprising: a transparent electrode layer as a first electrode layer; a second electrode layer; And an EL (electroluminescence) light emitting layer sandwiched between the electrode layers, and the transparent electrode layer is located on the side of the translucent substrate on both sides of the EL light emitting layer. An electrode layer, and the second electrode layer is an electrode layer located on the opposite side of the EL light emitting layer from the translucent substrate, and the light emitted from the light emitting laminated structure is An EL element configured to pass through the transparent electrode layer, enter the light-transmitting substrate, pass through the light-transmitting substrate, and exit to the outside through the second surface of the light-transmitting substrate. In
Between the EL light emitting layer and the translucent substrate, a first diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P1 and a second diffraction grating structure having a periodic pattern with a pitch P2 are layered. It is provided in
The at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer and the pitch P1 satisfy the relationship represented by the following formula (8):
Figure 2009272059
The at least one peak wavelength λ in the spectrum of light emitted from the EL light emitting layer and the pitch P2 satisfy the relationship represented by the following formula (9).
Figure 2009272059
An EL element.
前記透明電極層と前記透光性基板との間に屈折率n1の材料から成る透明中間層が形成されており、
前記透明電極層が屈折率n2の材料から成り、
前記EL発光層が屈折率n3の材料から成り、
前記第1の回折格子構造が、ピッチP1及び高さT1の周期的凹凸パターンを有する前記透明中間層と前記透明電極層との間の界面により構成されており、
前記屈折率n1、前記屈折率n2、前記ピッチP1、及び前記高さTlが下式(10)で表される関係を満足しており、
Figure 2009272059
前記第2の回折格子構造が、ピッチP2及び高さT2の周期的凹凸パターンを有する前記透明電極層と前記EL発光層との間の界面により構成されており、
前記屈折率n2、前記屈折率n3、前記ピッチP2、及び前記高さT2が下式(11)で表される関係を満足している、
Figure 2009272059
ことを特徴とする請求項10記載のEL素子。
A transparent intermediate layer made of a material having a refractive index n1 is formed between the transparent electrode layer and the translucent substrate,
The transparent electrode layer is made of a material having a refractive index n2,
The EL light emitting layer is made of a material having a refractive index n3,
The first diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent intermediate layer and the transparent electrode layer having a periodic concavo-convex pattern having a pitch P1 and a height T1;
The refractive index n1, the refractive index n2, the pitch P1, and the height Tl satisfy the relationship represented by the following formula (10):
Figure 2009272059
The second diffraction grating structure is constituted by an interface between the transparent electrode layer having a periodic uneven pattern having a pitch P2 and a height T2, and the EL light emitting layer;
The refractive index n2, the refractive index n3, the pitch P2, and the height T2 satisfy the relationship represented by the following formula (11).
Figure 2009272059
The EL device according to claim 10.
前記発光積層構造体が更に透明基板を含んでおり、該透明基板上に前記透明中間層が形成されており、該透明基板と前記光透過性基板とがアドヒーシブ層を介して貼着されていることを特徴とする請求項10又は11記載のEL素子。   The light-emitting laminated structure further includes a transparent substrate, the transparent intermediate layer is formed on the transparent substrate, and the transparent substrate and the light-transmitting substrate are bonded via an adhesive layer. The EL element according to claim 10 or 11, wherein 前記透光性基板の前記第1面及び前記第2面のいずれか一方もしくは両方に光拡散層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項記載のEL素子。   13. The EL element according to claim 1, wherein a light diffusion layer is formed on one or both of the first surface and the second surface of the translucent substrate. 前記透明電極層が導電性ポリマーから成ることを特徴とする請求項1乃至13の何れか1項記載のEL素子。   The EL device according to claim 1, wherein the transparent electrode layer is made of a conductive polymer. 前記第2電極層が導電性ポリマーから成ることを特徴とする請求項1乃至13の何れか1項記載のEL素子。   The EL device according to claim 1, wherein the second electrode layer is made of a conductive polymer. 請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を発光源として用いたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置のためのバックライト装置。   16. A backlight device for a liquid crystal display device, wherein the EL element according to claim 1 is used as a light source. 請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を発光源として用いたことを特徴とする照明装置。   16. An illuminating device using the EL element according to claim 1 as a light source. 請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を発光源として用いたことを特徴とする電子看板装置。   An electronic signboard device, wherein the EL element according to claim 1 is used as a light source. 請求項1乃至15の何れか1項記載のEL素子を画素駆動するように構成して成ることを特徴とするディスプレイ装置。   16. A display device comprising the EL element according to claim 1 so as to drive a pixel.
JP2008119013A 2008-04-30 2008-04-30 El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element Pending JP2009272059A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008119013A JP2009272059A (en) 2008-04-30 2008-04-30 El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008119013A JP2009272059A (en) 2008-04-30 2008-04-30 El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009272059A true JP2009272059A (en) 2009-11-19

Family

ID=41438454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008119013A Pending JP2009272059A (en) 2008-04-30 2008-04-30 El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009272059A (en)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010098279A1 (en) * 2009-02-24 2010-09-02 パナソニック電工株式会社 Light-emitting element
JP2011133779A (en) * 2009-12-25 2011-07-07 Canon Inc Display unit
WO2011132773A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 出光興産株式会社 Organic electroluminescent element and lighting device
JP2011233412A (en) * 2010-04-28 2011-11-17 Mitsubishi Rayon Co Ltd Transparent conductive laminate and method for manufacturing the same
JP2012133945A (en) * 2010-12-20 2012-07-12 Canon Inc Light-emitting element
WO2013065170A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device
WO2013065177A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device
WO2013065172A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device and method for producing light-emitting device
WO2013065178A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device
CN103460797A (en) * 2010-11-02 2013-12-18 王子控股株式会社 Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
WO2014077490A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus with self-luminous display panel
JPWO2013042745A1 (en) * 2011-09-21 2015-03-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 Organic electroluminescence device
JPWO2013065177A1 (en) * 2011-11-04 2015-04-02 パイオニア株式会社 Light emitting device
WO2015097971A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device
EP2986082A4 (en) * 2013-04-12 2016-05-11 Panasonic Ip Man Co Ltd Light-emitting device
US9647240B2 (en) 2013-05-21 2017-05-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2017103231A (en) * 2015-11-30 2017-06-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
WO2017144308A1 (en) * 2016-02-24 2017-08-31 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
KR20170100404A (en) 2016-02-25 2017-09-04 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device
CN107134534A (en) * 2012-01-04 2017-09-05 欧司朗Oled股份有限公司 Launch the organic component of radiation
WO2019031786A1 (en) * 2017-08-08 2019-02-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical member, polarization member, and display device
WO2023095622A1 (en) * 2021-11-26 2023-06-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Light-emitting element, display device, and electronic apparatus

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11307266A (en) * 1998-04-23 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Organic luminescent element
JP2002110362A (en) * 2000-09-27 2002-04-12 Seiko Epson Corp Surface luminous device
JP2002289358A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Ricoh Co Ltd Organic electroluminescence element
JP2003115377A (en) * 2001-10-03 2003-04-18 Nec Corp Light emitting element, its manufacturing method, and display equipment using this
JP2003142277A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Tohoku Pioneer Corp Organic el color display, and manufacturing method of the same
JP2004311419A (en) * 2003-03-25 2004-11-04 Kyoto Univ Light-emitting device and organic electroluminescent light-emitting device
JP2005026228A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Lg Electron Inc Organic el display
JP2005215372A (en) * 2004-01-30 2005-08-11 Sony Corp Image display element and image projector
JP2006040881A (en) * 2004-06-25 2006-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11307266A (en) * 1998-04-23 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Organic luminescent element
JP2002110362A (en) * 2000-09-27 2002-04-12 Seiko Epson Corp Surface luminous device
JP2002289358A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Ricoh Co Ltd Organic electroluminescence element
JP2003115377A (en) * 2001-10-03 2003-04-18 Nec Corp Light emitting element, its manufacturing method, and display equipment using this
JP2003142277A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Tohoku Pioneer Corp Organic el color display, and manufacturing method of the same
JP2004311419A (en) * 2003-03-25 2004-11-04 Kyoto Univ Light-emitting device and organic electroluminescent light-emitting device
JP2005026228A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Lg Electron Inc Organic el display
JP2005215372A (en) * 2004-01-30 2005-08-11 Sony Corp Image display element and image projector
JP2006040881A (en) * 2004-06-25 2006-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6013040802; 藤本明、浅川鋼児: '自己組織化膜によるナノ凹凸構造を利用したLED 高輝度化技術' 東芝レビュー Vol.60 No.10, 200510, p.32-35, 東芝 *

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8772761B2 (en) 2009-02-24 2014-07-08 Panasonic Corporation Light emitting device
JP2010198881A (en) * 2009-02-24 2010-09-09 Panasonic Electric Works Co Ltd Light-emitting element
WO2010098279A1 (en) * 2009-02-24 2010-09-02 パナソニック電工株式会社 Light-emitting element
JP2011133779A (en) * 2009-12-25 2011-07-07 Canon Inc Display unit
WO2011132773A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 出光興産株式会社 Organic electroluminescent element and lighting device
KR101874649B1 (en) * 2010-04-22 2018-07-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Organic electroluminescent element and lighting device
CN102742352A (en) * 2010-04-22 2012-10-17 出光兴产株式会社 Organic electroluminescent element and lighting device
CN102742352B (en) * 2010-04-22 2016-08-31 出光兴产株式会社 Organic electroluminescent element, lighting device, and method for forming light output layer
US9184414B2 (en) 2010-04-22 2015-11-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and lighting device
JP5711726B2 (en) * 2010-04-22 2015-05-07 出光興産株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND LIGHTING DEVICE
JP2011233412A (en) * 2010-04-28 2011-11-17 Mitsubishi Rayon Co Ltd Transparent conductive laminate and method for manufacturing the same
US9728751B2 (en) 2010-11-02 2017-08-08 Oji Holdings Corporation Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
CN103460797A (en) * 2010-11-02 2013-12-18 王子控股株式会社 Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
US10566574B2 (en) 2010-11-02 2020-02-18 Oji Holdings Corporation Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
US9246122B2 (en) 2010-11-02 2016-01-26 Oji Holdings Corporation Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
US10050233B2 (en) 2010-11-02 2018-08-14 Oji Holdings Corporation Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
JP2012133945A (en) * 2010-12-20 2012-07-12 Canon Inc Light-emitting element
JPWO2013042745A1 (en) * 2011-09-21 2015-03-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 Organic electroluminescence device
WO2013065170A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device
JPWO2013065177A1 (en) * 2011-11-04 2015-04-02 パイオニア株式会社 Light emitting device
WO2013065178A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device
WO2013065172A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device and method for producing light-emitting device
WO2013065177A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 Light-emitting device
CN107134534A (en) * 2012-01-04 2017-09-05 欧司朗Oled股份有限公司 Launch the organic component of radiation
WO2014077490A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus with self-luminous display panel
US9401464B2 (en) 2012-11-15 2016-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus with self-luminous display panel
US9595648B2 (en) 2013-04-12 2017-03-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
EP2986082A4 (en) * 2013-04-12 2016-05-11 Panasonic Ip Man Co Ltd Light-emitting device
US9647240B2 (en) 2013-05-21 2017-05-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting apparatus
JPWO2015097971A1 (en) * 2013-12-27 2017-03-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emitting device
WO2015097971A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device
JP2017103231A (en) * 2015-11-30 2017-06-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
WO2017144308A1 (en) * 2016-02-24 2017-08-31 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
KR20170100404A (en) 2016-02-25 2017-09-04 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device
US10062870B2 (en) 2016-02-25 2018-08-28 Japan Display Inc. Display device including a diffraction grating
WO2019031786A1 (en) * 2017-08-08 2019-02-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical member, polarization member, and display device
US11036073B2 (en) 2017-08-08 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical member, polarization member, and display device
WO2023095622A1 (en) * 2021-11-26 2023-06-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Light-emitting element, display device, and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009272059A (en) El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, and display device using the element
US8089208B2 (en) Planar light source device
WO2019214156A1 (en) Flexible display panel, flexible display device, and method of fabricating flexible display panel
JP2009272068A (en) El element, backlight apparatus for liquid crystal display using el element, lighting device using el element, electronic signboard device using el element, and display device using el element
US8829784B2 (en) Surface light source device, lighting device, and backlight device
JP2010212204A (en) El element, display apparatus, display device, and liquid crystal display device
JP2007234578A (en) Surface emitter, display device, and light control member
TWI502224B (en) Optical plate and surface light source device
KR101255626B1 (en) Optical sheet for light extracting and beam-shaping for organic light emitting diodes
JP5287355B2 (en) EL element, and backlight device for liquid crystal display, electronic signage device, illumination device, display device, and light extraction film using the same
JP5131166B2 (en) EL element
JP2011086527A (en) El element, lighting device, and display device
KR101676291B1 (en) White organic light-emitting device including light conversion layer and preparing method of the same
JP5287356B2 (en) EL element, and display device, display device, and liquid crystal display device using the same
JP2010218839A (en) El element, backlight device for liquid crystal display, lighting system, electronic signboard device, display device, and light extraction film
JP4393788B2 (en) Electroluminescence element, surface light source and display device
JP5216112B2 (en) Planar light emitter
JP5504576B2 (en) EL ELEMENT MANUFACTURING METHOD, EL ELEMENT, LIQUID CRYSTAL DISPLAY BACKLIGHT DEVICE USING EL ELEMENT, LIGHTING DEVICE USING EL ELEMENT, ELECTRONIC SIGNATURE DEVICE USING EL ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE USING EL ELEMENT
JP2009272063A (en) El element, backlight device for liquid-crystal display using the same, lighting device using the same, electronic advertising display device using the same, display device using the element, and light-extraction film
JP2009272069A (en) El element, backlight device for liquid-crystal display using the element, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, display device using the element, and optical sheet
JP5862576B2 (en) Light emitting element
JP2009210749A (en) Optical sheet, and display backlight unit and display using the same
JP2009272067A (en) El element, backlight device for liquid-crystal display using the element, lighting device using the element, electronic advertising display device using the element, display device using the device, and optical sheet
JP5870651B2 (en) LENS SHEET AND ORGANIC EL ELEMENT HAVING THE SAME
JP6136096B2 (en) LIGHTING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131015

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140527