JP2009266922A - Organic light-emitting device - Google Patents

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JP2009266922A JP2008112305A JP2008112305A JP2009266922A JP 2009266922 A JP2009266922 A JP 2009266922A JP 2008112305 A JP2008112305 A JP 2008112305A JP 2008112305 A JP2008112305 A JP 2008112305A JP 2009266922 A JP2009266922 A JP 2009266922A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic light-emitting device capable of eliminating defects due to foreign matter stuck onto the end part of a protective layer, and preventing moisture and oxygen from entering. <P>SOLUTION: The organic light-emitting device 21 includes a substrate 1, an organic light-emitting element provided on the substrate 1 and having a lower electrode 6, an organic compound layer 10, and an upper electrode 11 in this order, a pixel area where a plurality of organic light-emitting elements are arrayed, a laminate covering the pixel area, and a sealing area 8 disposed at an outer edge of the pixel area and provided in a region where an organic flattening layer 5 is removed. The laminate includes a first protective layer 13 made of an organic compound and a second protective layer 14 made of an inorganic compound. An end sealing body 15 made of an inorganic material is provided at an end of the first protective layer 13, and comes into contact with the second protective layer 14. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等に用いられる有機発光装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic light emitting device used for a flat panel display or the like and a method for manufacturing the same.

近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機発光装置が注目されている。有機発光装置の構成部材である有機発光素子は、水分や酸素により特性劣化を招き易く、少量の水分が存在するだけで有機化合物層と電極層との剥離が生じダークスポットの発生の原因となる。このため、有機発光素子をエッチングガラスカバーで覆い、シール剤により周辺を貼り付け、内部に吸湿剤を装着して、シール面から浸入する水分を吸湿剤で吸湿することで、有機発光素子の寿命を確保している。   In recent years, organic light-emitting devices, which are self-luminous devices, have attracted attention as flat panel displays. Organic light-emitting elements, which are constituent members of organic light-emitting devices, are liable to deteriorate characteristics due to moisture and oxygen, and the presence of a small amount of moisture causes peeling between the organic compound layer and the electrode layer, causing dark spots. . For this reason, the organic light emitting device is covered with an etching glass cover, the periphery is pasted with a sealing agent, a moisture absorbent is attached inside, and the moisture entering from the sealing surface is absorbed by the moisture absorbing agent, so that the lifetime of the organic light emitting device is achieved. Is secured.

しかし、薄型の有機発光装置による省スペースのフラットパネルディスプレイを実現するためには、画素エリア周辺の吸湿剤のスペースを無くすようにする必要があるため、大量の吸湿剤を必要としない有機発光装置の封止方法が必要となる。この省スペース化を実現するため、有機化合物層への水分や酸素の浸入を防止するための高機能な保護層、及びこの保護層による固体封止が要求されている。   However, in order to realize a space-saving flat panel display with a thin organic light emitting device, it is necessary to eliminate the space of the hygroscopic agent around the pixel area, so an organic light emitting device that does not require a large amount of the hygroscopic agent The sealing method is required. In order to realize this space saving, a highly functional protective layer for preventing intrusion of moisture and oxygen into the organic compound layer, and solid sealing by this protective layer are required.

ところで、有機発光素子上には、素子分離膜やスルーホールによる凹凸が存在する。この様な凹凸をカバーしつつ水分や酸素の浸入を防止する方法として、有機発光素子上に有機材料からなる第一保護層（有機保護層）と、無機材料からなる第二保護層（無機保護層）とからなる積層体で覆う方法が提案されている。   By the way, on the organic light emitting device, there are irregularities due to an element isolation film and through holes. As a method of preventing moisture and oxygen from entering while covering such unevenness, a first protective layer (organic protective layer) made of an organic material and a second protective layer made of an inorganic material (inorganic protection) on the organic light-emitting element. Have been proposed.

特許文献１には、有機発光素子及びその周囲の基板表面を、有機保護層で覆い、さらに有機保護膜、その縁部及びその周囲の基板の表面を無機保護層で覆い形成された有機発光装置が提案されている。   Patent Document 1 discloses an organic light-emitting device in which an organic light-emitting element and its surrounding substrate surface are covered with an organic protective layer, and an organic protective film, its edge and its surrounding substrate surface are covered with an inorganic protective layer. Has been proposed.

特許文献２にも、有機発光素子を覆うように有機保護層と無機保護層とがこの順に形成されている有機発光装置が提案されている。具体的には、有機化合物層を形成する前に、フォトリソグラフィー法により発光エリアを囲繞する仕切りを形成し、次いで仕切りに囲繞された領域に有機保護層を形成した後、有機保護層及び仕切り全体を被覆するように無機保護層を形成している。ここで仕切りの具体的な構成材料として、感光性樹脂が記載されている。   Patent Document 2 also proposes an organic light emitting device in which an organic protective layer and an inorganic protective layer are formed in this order so as to cover the organic light emitting element. Specifically, before the organic compound layer is formed, a partition surrounding the light emitting area is formed by a photolithography method, and then an organic protective layer is formed in a region surrounded by the partition, and then the organic protective layer and the entire partition are formed. An inorganic protective layer is formed so as to cover the film. Here, a photosensitive resin is described as a specific constituent material of the partition.

特開２００３−２８２２４０号公報JP 2003-282240 A 特開２００３−３２３９７４号公報JP 2003-323974 A

ところで有機発光装置を製造する場合、特に、有機化合物層を形成するマスク蒸着工程や、エリアマスクを用いて上部電極を形成するスパッタ工程において、マスクに付着していた異物が基板の表面に付着することが多々ある。この異物は、マスクと基板の接していた部分、例えば特許文献２における画素エリアを区画する仕切りや、仕切りの端部に付着する場合が多い。   By the way, when manufacturing an organic light-emitting device, in particular, in a mask vapor deposition process for forming an organic compound layer and a sputtering process for forming an upper electrode using an area mask, foreign substances adhering to the mask adhere to the surface of the substrate. There are many things. In many cases, the foreign matter adheres to a portion where the mask and the substrate are in contact, for example, a partition that partitions a pixel area in Patent Document 2 or an end portion of the partition.

一方、特許文献１では、有機化合物層を形成する工程から有機保護層を形成する工程までマスクが用いられる。また特許文献２では、有機化合物層形成前にフォトリソグラフィー法により発光エリアを囲繞するように仕切りを形成している。そのため、その後の有機化合物層形成のマスク蒸着や上部電極形成のマスクを用いた成膜工程で封止領域に異物が付着することがある。   On the other hand, in patent document 1, a mask is used from the process of forming an organic compound layer to the process of forming an organic protective layer. In Patent Document 2, a partition is formed so as to surround the light emitting area by photolithography before forming the organic compound layer. Therefore, a foreign substance may adhere to the sealing region in a subsequent film deposition process using a mask deposition for forming an organic compound layer or a mask for forming an upper electrode.

付着した異物は、その側面の形状が切立っていたり、逆テーパー状になっていたり、溝形状であったりと形状が複雑である。このような異物の上に無機化合物層を形成すると欠陥が生じやすい。例えば、異物の形状が基板面に対して６０°程度を超えるような切立った斜面や逆テーパー状になっている場合では、有機保護層の端部に形成される無機保護層に密度の小さい部分が生じたり、無機保護層に亀裂が生じたりする。   The adhering foreign matter has a complicated shape such as a sharp side shape, a reverse taper shape, or a groove shape. If an inorganic compound layer is formed on such a foreign substance, defects are likely to occur. For example, in the case where the shape of the foreign material is a steep slope or reverse taper shape exceeding about 60 ° with respect to the substrate surface, the density of the inorganic protective layer formed at the end of the organic protective layer is small. A part will arise or a crack will arise in an inorganic protective layer.

従って、特許文献１及び２で提案されている方法で保護層の端部から水分や酸素の浸入を十分防止するには、無機保護層を厚く形成し、これら異物を欠陥なく被膜しなければならない。ここで無機保護層は、一般に成膜速度の低いＣＶＤ法等の真空法で形成されるため、無機保護層の膜厚を厚くすると製造時間が増大してしまう。また製造時間の問題を解決する策として無機保護層の製造装置の台数を増やすという方法があるが、その場合は大幅な設備投資が必要となる。   Therefore, in order to sufficiently prevent moisture and oxygen from entering from the edge of the protective layer by the methods proposed in Patent Documents 1 and 2, the inorganic protective layer must be formed thick and these foreign substances must be coated without defects. . Here, since the inorganic protective layer is generally formed by a vacuum method such as a CVD method having a low film formation rate, if the thickness of the inorganic protective layer is increased, the manufacturing time increases. Further, as a measure for solving the problem of the manufacturing time, there is a method of increasing the number of manufacturing apparatuses for the inorganic protective layer, but in that case, a large capital investment is required.

本発明の目的は、保護層の端部に付着した異物に起因による欠陥を無くして水分や酸素の進入を防止する有機発光装置を提供することである。また本発明の他の目的は、ローコストで製造することができる有機発光装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide an organic light-emitting device that eliminates defects due to foreign matters adhering to the end portion of a protective layer and prevents entry of moisture and oxygen. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting device that can be manufactured at low cost.

本発明の有機発光装置は、基板と、該基板上に設けられ下部電極と、有機化合物層と、上部電極と、をこの順に有する有機発光素子と、該有機発光素子が複数配列される画素エリアと、該画素エリアを覆っている積層体と、該画素エリアの外縁に位置し、有機平坦化層が除去されている領域に設けられる無機材料からなる封止領域と、から構成され、該積層体が有機化合物からなる第一保護層と、無機化合物からなる第二保護層と、からなる有機発光装置において、該第一保護層の端部に無機材料からなる端部封止体が設けられ、該端部封止体が該第二保護層と接していることを特徴とする。   The organic light-emitting device of the present invention includes a substrate, an organic light-emitting element provided on the substrate, a lower electrode, an organic compound layer, and an upper electrode in this order, and a pixel area in which a plurality of the organic light-emitting elements are arranged. And a laminated body that covers the pixel area, and a sealing region that is located on the outer edge of the pixel area and is made of an inorganic material provided in a region from which the organic planarization layer is removed. An organic light emitting device comprising a first protective layer made of an organic compound and a second protective layer made of an inorganic compound, wherein an end sealing body made of an inorganic material is provided at an end of the first protective layer. The end sealing body is in contact with the second protective layer.

本発明によれば、保護層の端部に付着した異物に起因による欠陥を無くして水分や酸素の進入を防止する有機発光装置を提供することができる。また本発明によれば、ローコストで製造することができる有機発光装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic light-emitting device which eliminates the defect resulting from the foreign material adhering to the edge part of a protective layer, and prevents the penetration | invasion of a water | moisture content or oxygen can be provided. Moreover, according to this invention, the organic light-emitting device which can be manufactured at low cost can be provided.

以下、本発明の有機発光装置の実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, although embodiment of the organic light-emitting device of this invention is described, this invention is not limited to these embodiment.

本発明の有機発光装置は、基板と、該基板上に設けられる画素エリアと、該画素エリアを覆っている積層体と、該画素エリアの外縁に位置し、有機平坦化層が除去されている領域に設けられる無機材料からなる封止領域と、から構成される。ここで有機発光素子は、下部電極と、有機化合物層と、上部電極と、をこの順に有する積層体で、画素ごとに設けられている。また画素エリアを覆っている積層体とは、有機化合物からなる第一保護層と、無機化合物からなる第二保護層と、からなるものである。   The organic light-emitting device of the present invention includes a substrate, a pixel area provided on the substrate, a laminate covering the pixel area, and an organic planarization layer located on the outer edge of the pixel area. And a sealing region made of an inorganic material provided in the region. Here, the organic light emitting element is a laminated body having a lower electrode, an organic compound layer, and an upper electrode in this order, and is provided for each pixel. The laminate covering the pixel area includes a first protective layer made of an organic compound and a second protective layer made of an inorganic compound.

＜第一の実施形態＞
まず本発明の有機発光装置における第一の実施形態について図面を参照しながら説明する。 <First embodiment>
First, a first embodiment of the organic light emitting device of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。また図２は、本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す平面模式図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of the organic light-emitting device of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view showing the first embodiment of the organic light-emitting device of the present invention.

図１の有機発光装置２１は、少なくとも基板１と、有機発光素子と、当該有機発光素子を覆い保護する積層体膜とを具備するものである。ここで、有機発光素子は、下部電極６と、有機化合物層１０と、上部電極１１と、をこの順に有する素子である。またこの有機発光素子を覆っている積層体膜は、有機化合物からなる第一保護層１３（以下、有機保護層という）と、無機化合物からなる第二保護層１４（以下、無機保護層という）と、からなる積層薄膜である。   An organic light emitting device 21 in FIG. 1 includes at least a substrate 1, an organic light emitting element, and a laminated film that covers and protects the organic light emitting element. Here, the organic light emitting element is an element having the lower electrode 6, the organic compound layer 10, and the upper electrode 11 in this order. In addition, the laminate film covering the organic light emitting element includes a first protective layer 13 made of an organic compound (hereinafter referred to as an organic protective layer) and a second protective layer 14 made of an inorganic compound (hereinafter referred to as an inorganic protective layer). And a laminated thin film comprising:

図１の有機発光装置２１において、基板１は透明であっても不透明であってもよい。また基板１として、ガラスや合成樹脂等からなる絶縁性基板、又は表面に酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板あるいは半導体基板を使用することができる。   In the organic light emitting device 21 of FIG. 1, the substrate 1 may be transparent or opaque. As the substrate 1, an insulating substrate made of glass, synthetic resin, or the like, or a conductive substrate or a semiconductor substrate in which an insulating layer such as silicon oxide or silicon nitride is formed on the surface can be used.

基板１上には、各々の有機発光素子を駆動するための薄膜トランジスタ２及び薄膜トランジスタの信号配線３が形成されている。そして薄膜トランジスタ２は、無機材料からなる絶縁層４に覆われている。また絶縁層４上には、薄膜トランジスタ２の凹凸を吸収するために有機平坦化層５が形成されている。   On the substrate 1, a thin film transistor 2 and a signal wiring 3 of the thin film transistor for driving each organic light emitting element are formed. The thin film transistor 2 is covered with an insulating layer 4 made of an inorganic material. An organic planarization layer 5 is formed on the insulating layer 4 in order to absorb unevenness of the thin film transistor 2.

絶縁層４の構成材料として、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等が挙げられる。   Examples of the constituent material of the insulating layer 4 include silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide.

有機平坦化層５の構成材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。   Examples of the constituent material of the organic planarizing layer 5 include acrylic resins, polyimide resins, norbornene resins, and fluorine resins.

有機平坦化層５上であって、図２に示される画素エリア２０内の各画素に相当する位置に下部電極６が形成されている。ここで、画素エリアとは、有機発光素子が複数配列された画像表示部分のことである。画素とは、画像を構成する最小単位であり、画素ごとに有機発光素子が設けられている。   A lower electrode 6 is formed on the organic planarization layer 5 at a position corresponding to each pixel in the pixel area 20 shown in FIG. Here, the pixel area is an image display portion in which a plurality of organic light emitting elements are arranged. A pixel is a minimum unit constituting an image, and an organic light emitting element is provided for each pixel.

下部電極６は、絶縁層４及び有機平坦化層５を貫通して形成されるコンタクトホール６ａを介して薄膜トランジスタの信号配線３と電気的に接続されている。   The lower electrode 6 is electrically connected to the signal wiring 3 of the thin film transistor through a contact hole 6 a formed through the insulating layer 4 and the organic planarization layer 5.

下部電極６の構成材料として、アルミニウムとシリコンの化合物、アルミニウム、銀、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等が挙げられる。   Examples of the constituent material of the lower electrode 6 include a compound of aluminum and silicon, aluminum, silver, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), and the like.

図１の有機発光装置２１では、下部電極６の周縁部を覆うように画素分離膜７が形成されている。画素分離膜７の構成材料として、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等からなる無機系絶縁材料や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を使用することができる。   In the organic light emitting device 21 of FIG. 1, the pixel separation film 7 is formed so as to cover the peripheral edge of the lower electrode 6. As a constituent material of the pixel isolation film 7, an inorganic insulating material made of silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, or the like, an acrylic resin, a polyimide resin, a novolac resin, or the like can be used.

図２に示される画素エリア２０の外周部分には封止領域８が形成されている。ここで封止領域８は、絶縁層４及び有機平坦化層５が除去されている部分に形成されている。また封止領域８は、無機材料から構成される部材である。封止領域８の構成材料である無機材料として、具体的には、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、ＩＴＯ、ＩＺＯ、アルミニウム等が挙げられる。   A sealing region 8 is formed on the outer peripheral portion of the pixel area 20 shown in FIG. Here, the sealing region 8 is formed in a portion where the insulating layer 4 and the organic planarizing layer 5 are removed. The sealing region 8 is a member made of an inorganic material. Specific examples of the inorganic material that is a constituent material of the sealing region 8 include silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, ITO, IZO, and aluminum.

基板１の一方の端部には、外部接続端子９が設けられている。この外部接続端子９は、絶縁層４及び有機平坦化層５が除去されている部分に形成されている。また外部接続端子９は、薄膜トランジスタの信号配線３と電気的に接続されている。   An external connection terminal 9 is provided at one end of the substrate 1. The external connection terminal 9 is formed in a portion where the insulating layer 4 and the organic planarizing layer 5 are removed. The external connection terminal 9 is electrically connected to the signal wiring 3 of the thin film transistor.

下部電極６上は有機化合物層１０が形成されている。有機化合物層１０の具体的な構造として、例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の三層からなる三層構造が挙げられる。ただし、この三層構造に限定されるものではなく、発光層のみの一層構造でもよく、三層構造以外の複数の層構造（二層構造、四層構造等）であってもよい。   An organic compound layer 10 is formed on the lower electrode 6. Specific examples of the structure of the organic compound layer 10 include a three-layer structure including three layers of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. However, the present invention is not limited to this three-layer structure, and may be a single-layer structure having only a light emitting layer, or a plurality of layer structures (two-layer structure, four-layer structure, etc.) other than the three-layer structure.

有機化合物層１０上には上部電極１１が形成されている。上部電極１１として、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の酸化物透明導電膜や、銀、アルミ、金等の金属半透過膜を使用することができる。   An upper electrode 11 is formed on the organic compound layer 10. As the upper electrode 11, an oxide transparent conductive film such as IZO (indium zinc oxide) or ITO (indium tin oxide), or a metal translucent film such as silver, aluminum, or gold can be used.

図１の有機発光装置２１には、上部電極１１上に保護層１２が形成されている。保護層１２は以下の点で有機発光素子を保護する役割を果たす。即ち、後で形成される有機保護層１３の材料を有機発光素子上に塗布し、有機保護層１３をベークするまでの短時間の間、有機保護層１３の構成材料に含まれる水分から有機発光素子を保護する役割を果たす。また、有機保護層１３をベークする時に発生するガス、及び有機保護層１３をベークする時に生じる応力による膜剥れから有機発光素子を保護する役割も果たす。   In the organic light emitting device 21 of FIG. 1, a protective layer 12 is formed on the upper electrode 11. The protective layer 12 serves to protect the organic light emitting device in the following points. That is, the material of the organic protective layer 13 to be formed later is applied on the organic light emitting element, and the organic light emitting is emitted from the moisture contained in the constituent material of the organic protective layer 13 for a short time until the organic protective layer 13 is baked. It serves to protect the device. The organic light emitting device is also protected from gas generated when the organic protective layer 13 is baked and film peeling due to stress generated when the organic protective layer 13 is baked.

保護層１２の構成材料として、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン等が挙げられる。またこれらの材料で形成される層を複数重ねた積層体も採用することができる。保護層１２は、スパッタ法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。   Examples of the constituent material of the protective layer 12 include silicon nitride, silicon oxide, and silicon nitride oxide. A laminate in which a plurality of layers formed of these materials are stacked can also be employed. The protective layer 12 can be formed using a sputtering method or a CVD method.

尚、保護層１２は、端部封止体１５を形成した後、端部封止体１５に接するようにその内側全面に形成してもよいし、外部接続端子９を除く基板１全領域に形成してもよい。   The protective layer 12 may be formed on the entire inner surface so as to be in contact with the end sealing body 15 after the end sealing body 15 is formed, or in the entire region of the substrate 1 excluding the external connection terminals 9. It may be formed.

保護層１２上であって、封止領域８に位置する場所には、無機材料からなる端部封止体１５が形成されている。   An end sealing body 15 made of an inorganic material is formed on the protective layer 12 at a location located in the sealing region 8.

この端部封止体の構成材料となる無機材料として、好ましくは、インジウム、金、銀、銅から選択される金属、インジウム、金、銀、銅、炭素及びガラスから選択される無機物が含まれるペースト状組成物を熱処理した固形物、インジウム、ビスマス、鉛、錫、カドミウム及び銅のうち二種類以上を組み合わせた合金、又は、シリコン、ＳｉＯ2等のシラザンの重合生成物である。 Preferably, the inorganic material used as the constituent material of the end sealing body includes a metal selected from indium, gold, silver, and copper, and an inorganic material selected from indium, gold, silver, copper, carbon, and glass. It is a solid product obtained by heat-treating the paste-like composition, an alloy combining two or more of indium, bismuth, lead, tin, cadmium and copper, or a polymerization product of silazane such as silicon and SiO 2 .

端部封止体１５の構成材料が元素（特に、金属元素）や合金である場合は、例えば、超音波半田ごてを用いて形成することができる。   When the constituent material of the end sealing body 15 is an element (particularly a metal element) or an alloy, it can be formed using, for example, an ultrasonic soldering iron.

また端部封止体１５の構成材料がクリーム半田やペースト状組成物である場合は、ディスペンサーを用いた塗布、スクリーン印刷等により端部封止体１５を形成することができる。尚、上述した塗布やスクリーン印刷を行った後、基板１の画素エリア２０の温度を１２０℃以下で加熱してから、基板表面からスポット径３ｍｍの遠赤外光を当てて、照射部を加熱することで端部封止体１５を成形する。   When the constituent material of the end sealing body 15 is cream solder or a paste-like composition, the end sealing body 15 can be formed by coating using a dispenser, screen printing, or the like. In addition, after performing application | coating and screen printing which were mentioned above, after heating the temperature of the pixel area 20 of the board | substrate 1 at 120 degrees C or less, the far-infrared light with a spot diameter of 3 mm is applied from the board | substrate surface, and an irradiation part is heated. Thus, the end sealing body 15 is formed.

図１の有機発光装置２１は、基板１上の画素エリア２０を含んだ端部封止体１５で囲まれた領域に、端部封止体１５に接するように有機保護層１３が形成されている。   In the organic light emitting device 21 of FIG. 1, an organic protective layer 13 is formed in a region surrounded by the end sealing body 15 including the pixel area 20 on the substrate 1 so as to be in contact with the end sealing body 15. Yes.

ここで有機保護層１３を形成する際に、端部封止体１５の高さと同等となるまで、有機保護層１３の構成材料を端部封止体１５で囲まれた領域に充填するのが好ましい。このように有機保護層１３の構成材料を充填すると、端部封止体１５の画素エリア２０側にある異物によって形成される凹凸を平坦化すると共に、端部封止体１５と有機保護層１３との段差を滑らかにすることができる。その結果、有機保護層１３の端部に相当する位置で、亀裂や低密度部分を生じさせることなく無機保護層１４を形成することができる。尚、有機保護層１３端部からの水分の浸入は、端部封止体１５により防止される。   Here, when forming the organic protective layer 13, the constituent material of the organic protective layer 13 is filled in the region surrounded by the end sealing body 15 until the height of the end sealing body 15 becomes equal. preferable. When the constituent material of the organic protective layer 13 is filled in this way, the unevenness formed by the foreign matter on the pixel area 20 side of the end seal 15 is flattened, and the end seal 15 and the organic protective layer 13 are flattened. Can be smoothed. As a result, the inorganic protective layer 14 can be formed at a position corresponding to the end of the organic protective layer 13 without causing cracks or low density portions. In addition, intrusion of moisture from the end portion of the organic protective layer 13 is prevented by the end sealing body 15.

有機保護層１３は、有機発光素子上に形成するときにダークスポットの発生しない低含水率の高分子材料であれば特に限定されるものではない。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、シリコーン樹脂等を使用することができる。   The organic protective layer 13 is not particularly limited as long as it is a polymer material with a low water content that does not generate dark spots when formed on the organic light emitting device. For example, an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, a polyurethane resin, a polyurea resin, a silicone resin, or the like can be used.

また有機保護層１３は、真空中又は低露点下の窒素雰囲気中で形成するのが好ましい。その具体的な形成方法としては、ディスペンサーを用いた塗布法、スクリーン印刷、スリットコーター等を採用することができる。   The organic protective layer 13 is preferably formed in a vacuum or a nitrogen atmosphere under a low dew point. As a specific forming method, a coating method using a dispenser, screen printing, a slit coater, or the like can be employed.

有機保護層１３上には、無機保護層１４が有機保護層１３及び端部封止体１５を覆うように形成されている。また無機保護層１４は、画素エリア２０及び封止領域８を覆うように形成されるので、有機発光素子は、無機材料で包囲されると共に、外気から遮断する状態にすることができる。また図１の有機発光装置２１は、端部封止体１５と接しているように無機保護層１４が形成されることにより、有機発光素子の上面から水分及び酸素が進入するのを防ぐことができる。   On the organic protective layer 13, an inorganic protective layer 14 is formed so as to cover the organic protective layer 13 and the end sealing body 15. Moreover, since the inorganic protective layer 14 is formed so as to cover the pixel area 20 and the sealing region 8, the organic light emitting element can be surrounded by an inorganic material and can be shielded from the outside air. In addition, the organic light emitting device 21 of FIG. 1 can prevent moisture and oxygen from entering from the upper surface of the organic light emitting element by forming the inorganic protective layer 14 so as to be in contact with the end sealing body 15. it can.

無機保護層１４の構成材料として、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を使用することができるが、好ましくは窒化シリコンである。それは、水分透過性が、窒化酸化シリコンに比べて窒化シリコンの方が低いからである。また、無機保護層１４は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等で形成することができる。   As the constituent material of the inorganic protective layer 14, silicon nitride, silicon nitride oxide, or the like can be used, but silicon nitride is preferable. This is because the moisture permeability of silicon nitride is lower than that of silicon nitride oxide. The inorganic protective layer 14 can be formed by a plasma CVD method, a sputtering method, or the like.

図１の有機発光装置２１は、基板１の端部に設けられている外部接続端子９とフレキシブル配線基板（以下ＦＰＣ）１７とを、異方性導電フィルム（以下、ＡＣＦという）１６によって電気的に接続する。   The organic light-emitting device 21 in FIG. 1 electrically connects an external connection terminal 9 and a flexible wiring board (hereinafter referred to as FPC) 17 provided at an end of a substrate 1 by an anisotropic conductive film (hereinafter referred to as ACF) 16. Connect to.

この接続の具体的な方法を以下に示す。まず外部接続端子９上にＡＣＦ１６を仮圧着する。仮圧着は低温圧着を行うとよい。次に、ＡＣＦ１６上の保護シートを除去し、フレキシブル配線基板（以下、ＦＰＣという）１７を外部接続端子９と位置あわせする。このときの位置合わせは、自動アライメントでもよい。位置合わせした後、加熱したヒーターヘッドをＦＰＣ１７上に当て、熱加圧することにより、外部接続端子９とＦＰＣ１７との接合を完了する。   A specific method of this connection is shown below. First, the ACF 16 is temporarily crimped onto the external connection terminal 9. Temporary pressure bonding may be performed at low temperature pressure bonding. Next, the protective sheet on the ACF 16 is removed, and a flexible wiring board (hereinafter referred to as FPC) 17 is aligned with the external connection terminals 9. The alignment at this time may be automatic alignment. After the alignment, the heated heater head is placed on the FPC 17 and heated and pressed to complete the joining of the external connection terminal 9 and the FPC 17.

無機保護層１４上であって、画素エリア２０に該当する領域には、粘着剤１８を介して円偏光板１９が貼り付けてある。円偏光板１９は、通例の円偏光板と同様に、偏光板と１／４λ板（位相差板）とを組み合わせた構成である。   A circularly polarizing plate 19 is attached to the region corresponding to the pixel area 20 on the inorganic protective layer 14 via an adhesive 18. The circularly polarizing plate 19 has a configuration in which a polarizing plate and a 1 / 4λ plate (retardation plate) are combined in the same manner as a usual circularly polarizing plate.

＜第二の実施形態＞
図３は、本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。図３の有機発光装置２２は、図１で示される保護層１２が形成されていないことを除いては、図１の有機発光装置２１と同様である。 <Second Embodiment>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the organic light-emitting device of the present invention. The organic light emitting device 22 in FIG. 3 is the same as the organic light emitting device 21 in FIG. 1 except that the protective layer 12 shown in FIG. 1 is not formed.

有機保護層１３の構成材料が材料自体の含水量が微量であり、有機保護層１３をベークする時のガス放出が微量であり、ベーク硬化時の収縮が殆ど無い場合は、保護層１２の形成を省略することができる。   When the organic protective layer 13 is composed of a material with a very small water content, the gas release when baking the organic protective layer 13 is small, and there is almost no shrinkage during baking, the protective layer 12 is formed. Can be omitted.

＜第三の実施形態＞
図４は、本発明の有機発光装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。 <Third embodiment>
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the organic light-emitting device of the present invention.

図４の有機発光装置２３は、基板１、ＴＦＴ２、信号配線３、絶縁層４、有機平坦化層５、コンタクトホール６ａ、画素分離膜７、封止領域８、外部接続端子９及び保護層１２については、図１の有機発光装置２１と同様である。また下部電極６、有機化合物層１０及び上部電極１１をこの順に有する有機発光素子についても、図１の有機発光装置２１と同様である。   4 includes a substrate 1, a TFT 2, a signal wiring 3, an insulating layer 4, an organic flattening layer 5, a contact hole 6a, a pixel separation film 7, a sealing region 8, an external connection terminal 9, and a protective layer 12. Is the same as the organic light emitting device 21 of FIG. Further, the organic light emitting element having the lower electrode 6, the organic compound layer 10, and the upper electrode 11 in this order is the same as the organic light emitting device 21 in FIG.

図４の有機発光装置２３は、基板１上に設けられる有機発光素子を有する画素エリア２０及び下層に有機平坦化層１０が無い無機物からなる封止領域８のほぼ中央までの領域を有機保護層１３で覆っている。   The organic light-emitting device 23 in FIG. 4 has a pixel area 20 having an organic light-emitting element provided on the substrate 1 and a region up to substantially the center of the sealing region 8 made of an inorganic material having no organic planarizing layer 10 in the lower layer. 13 is covered.

有機保護層１３上には、無機保護層１４が形成されており、無機保護層１４は、有機保護層１３、封止領域８及び基板１表面を覆っている。無機保護層１４は、有機保護層１３端部からの水分の浸入を防止するために、有機保護層１３の端部を超えて封止領域８と接するようになるべく広く覆うことが好ましい。これは、無機保護層１４と封止領域８との界面から浸透する水分を遮断する必要があるからである。つまり、外部接続端子９を除く基板１の全領域に、無機保護層１４を形成するのが好ましい。   An inorganic protective layer 14 is formed on the organic protective layer 13, and the inorganic protective layer 14 covers the organic protective layer 13, the sealing region 8, and the surface of the substrate 1. The inorganic protective layer 14 is preferably covered as widely as possible so as to contact the sealing region 8 beyond the end of the organic protective layer 13 in order to prevent moisture from entering from the end of the organic protective layer 13. This is because it is necessary to block moisture penetrating from the interface between the inorganic protective layer 14 and the sealing region 8. That is, it is preferable to form the inorganic protective layer 14 in the entire region of the substrate 1 except for the external connection terminals 9.

また図４の有機発光装置２３は、無機保護層１４上であって有機保護層１３の端部の直上に位置する場所に、端部封止体１５が形成されている。この場所に端部封止体１５を設けることにより以下の効果を奏する。即ち、有機保護層１３の形成時における異物１００の混入（図５）により、有機保護層１３の端部を無機保護層１４で十分に封止できなかったとしても、端部封止体１５によってこの端部を封止することができる。また有機保護層１３の端部の断面形状（図６）によって無機保護層１４の一部に欠陥１０１が生じることで有機保護層１３の端部を無機保護層１４で十分に封止できなかったとしても、端部封止体１５によってこの端部を封止することができる。また、本実施形態では、無機保護層１４を厚く形成しなくても、端部封止体１５が有機保護層１３の端部を封止することができるので、ローコストで有機発光装置を製造することができる。   Further, in the organic light emitting device 23 of FIG. 4, the end sealing body 15 is formed on the inorganic protective layer 14 at a position located immediately above the end of the organic protective layer 13. By providing the end sealing body 15 at this place, the following effects can be obtained. That is, even if the end portion of the organic protective layer 13 cannot be sufficiently sealed with the inorganic protective layer 14 due to the contamination of the foreign matter 100 during the formation of the organic protective layer 13 (FIG. 5), the end sealing body 15 This end can be sealed. Moreover, the edge part of the organic protective layer 13 was not fully sealed with the inorganic protective layer 14 because the defect 101 occurred in a part of the inorganic protective layer 14 due to the cross-sectional shape of the end part of the organic protective layer 13 (FIG. 6). Even so, this end can be sealed by the end seal 15. Moreover, in this embodiment, since the edge sealing body 15 can seal the edge part of the organic protective layer 13, even if it does not form the inorganic protective layer 14 thickly, an organic light-emitting device is manufactured at low cost. be able to.

尚、本発明の有機発光装置は、有機保護層１３の端部に端部封止体１５が設けられることを特徴とするものであるが、この第三の実施形態のように、有機保護層１３の端部と端部封止体１５とが必ずしも接している必要はない。   The organic light-emitting device of the present invention is characterized in that the end sealing body 15 is provided at the end of the organic protective layer 13, but as in the third embodiment, the organic protective layer It is not always necessary that the end portion 13 and the end sealing body 15 are in contact with each other.

＜第四の実施形態＞
図７は、本発明の有機発光装置における第四の実施形態を示す断面模式図である。 <Fourth embodiment>
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a fourth embodiment of the organic light-emitting device of the present invention.

図７の有機発光装置２４は、基板１、ＴＦＴ２、信号配線３、絶縁層４、有機平坦化層５、コンタクトホール６ａ、画素分離膜７、封止領域８、外部接続端子９、保護層１２及び有機保護層１３については、図３の有機発光装置２３と同様である。また下部電極６、有機化合物層１０及び上部電極１１をこの順に有する有機発光素子についても、図３の有機発光装置２３と同様である。   7 includes a substrate 1, a TFT 2, a signal wiring 3, an insulating layer 4, an organic planarization layer 5, a contact hole 6 a, a pixel separation film 7, a sealing region 8, an external connection terminal 9, and a protective layer 12. The organic protective layer 13 is the same as the organic light emitting device 23 of FIG. Further, the organic light emitting device having the lower electrode 6, the organic compound layer 10, and the upper electrode 11 in this order is the same as the organic light emitting device 23 of FIG.

図７の有機発光装置２４は、有機保護層１３を形成した後、この有機保護層１３の端部の上方に、この端部と接すると共にこの端部を覆うように端部封止体１５が形成されている。そして無機保護層１４が有機保護層１３及び端部封止体１５を覆うように形成されている。   In the organic light emitting device 24 of FIG. 7, after the organic protective layer 13 is formed, the end sealing body 15 is in contact with the end portion and covers the end portion above the end portion of the organic protective layer 13. Is formed. And the inorganic protective layer 14 is formed so that the organic protective layer 13 and the edge part sealing body 15 may be covered.

図７の有機発光装置２４は、有機保護層１３の端部を覆うように端部封止体１５が形成されているため、有機保護層１３の端部に生じ得る異物や有機保護層１３の端部の断面形状の影響を受けずに有機保護層１３の端部を端部封止体１５で封止することができる。   In the organic light emitting device 24 of FIG. 7, since the end sealing body 15 is formed so as to cover the end of the organic protective layer 13, foreign matter that may be generated at the end of the organic protective layer 13 and the organic protective layer 13. The end of the organic protective layer 13 can be sealed with the end sealing body 15 without being affected by the cross-sectional shape of the end.

以下、本発明の実施例について説明する。   Examples of the present invention will be described below.

＜実施例１＞
図１に示される有機発光装置を以下の方法で製造した。 <Example 1>
The organic light emitting device shown in FIG. 1 was manufactured by the following method.

ガラス基板（基板１）上にＴＦＴ２と、絶縁層４（膜厚３００ｎｍ）と、有機平坦化層５（膜厚１０００ｎｍ）と、をこの順で積層した。次に、フォトリソ工程によりコンタクトホール６ａを形成した。次に、有機平坦化層５上に、コンタクトホール６ａと電気的に接続するように、画素単位でアルミ（Ａｌ）膜とインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜とで形成される下部電極６を形成した。このとき下部電極６の膜厚を１５０ｎｍの膜厚とした。次に、フォトリソ工程により画素分離膜７を形成し、画素を形成する部分の周囲をポリイミド製の画素分離膜７で覆った。   On the glass substrate (substrate 1), the TFT 2, the insulating layer 4 (thickness 300 nm), and the organic planarization layer 5 (thickness 1000 nm) were laminated in this order. Next, a contact hole 6a was formed by a photolithography process. Next, the lower electrode 6 formed of an aluminum (Al) film and an indium tin oxide (ITO) film is formed on the organic planarization layer 5 so as to be electrically connected to the contact hole 6a. did. At this time, the thickness of the lower electrode 6 was set to 150 nm. Next, the pixel separation film 7 was formed by a photolithography process, and the periphery of the part where the pixel was formed was covered with the pixel separation film 7 made of polyimide.

画素分離膜７まで形成された基板（ＴＦＴ基板）を、約５分間純水により洗浄した後、この基板を約２００℃で２時間ベークすることで、脱水処理を行った。次に、下部電極６にＵＶ／オゾン洗浄を施した。   After the substrate (TFT substrate) formed up to the pixel separation film 7 was washed with pure water for about 5 minutes, the substrate was baked at about 200 ° C. for 2 hours to perform dehydration. Next, the lower electrode 6 was subjected to UV / ozone cleaning.

次に、下部電極６上に正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、からなる有機化合物層１０を形成した。   Next, an organic compound layer 10 composed of a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer was formed on the lower electrode 6.

有機化合物層１０の具体的な形成方法を以下に説明する。まず真空蒸着装置内に上記のＴＦＴ基板及び材料を取り付けた。次に、蒸着装置内の圧力を１×１０-3Ｐａとしてから、下部電極６上にＮ，Ｎ’−α−ジナフチルベンジジン（α−ＮＰＤ）を成膜し正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を４０ｎｍとした。 A specific method for forming the organic compound layer 10 will be described below. First, the above TFT substrate and materials were attached in a vacuum evaporation apparatus. Next, after the pressure in the vapor deposition apparatus was set to 1 × 10 −3 Pa, N, N′-α-dinaphthylbenzidine (α-NPD) was formed on the lower electrode 6 to form a hole transport layer. At this time, the thickness of the hole transport layer was 40 nm.

次に、正孔輸送層上に、緑色発光するクマリン色素（クマリン−５４０）と、トリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ3）とを、クマリン色素とＡｌｑ3との体積比が１．０：９９．０となるように共蒸着することで発光層を形成した。このとき発光層の膜厚を３０ｎｍとした。 Next, a coumarin dye (coumarin-540) that emits green light and tris [8-hydroxyquinolinate] aluminum (Alq 3 ) are mixed on the hole transport layer, and the volume ratio of the coumarin dye and Alq 3 is 1. The light emitting layer was formed by co-evaporation so that the ratio was 0.0: 99.0. At this time, the thickness of the light emitting layer was set to 30 nm.

次に、下記式（１）に示されるフェナントロリン化合物を成膜し電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとした。   Next, a phenanthroline compound represented by the following formula (1) was formed to form an electron transport layer. At this time, the thickness of the electron transport layer was 10 nm.

Figure 2009266922
Figure 2009266922

次に、電子輸送層上に、炭酸セシウム（２．９ｖｏｌ％）と式（１）のフェナントロリン化合物とを、炭酸セシウムとフェナントロリン化合物との体積比が２．９：９７．１となるように共蒸着することで電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を４０ｎｍとした。   Next, on the electron transport layer, cesium carbonate (2.9 vol%) and the phenanthroline compound of the formula (1) are mixed so that the volume ratio of cesium carbonate and the phenanthroline compound is 2.9: 97.1. An electron injection layer was formed by vapor deposition. At this time, the thickness of the electron injection layer was 40 nm.

次に、電子注入層まで成膜した基板を、別のスパッタ装置へ移動させ、この電子注入層上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法にて成膜し上部電極１１を形成した。このとき上部電極１１の膜厚を６０ｎｍとした。   Next, the substrate on which the electron injection layer was formed was moved to another sputtering device, and indium tin oxide (ITO) was formed on the electron injection layer by sputtering to form the upper electrode 11. At this time, the film thickness of the upper electrode 11 was set to 60 nm.

次に、スパッタ法により、外部取出し電極を除いた基板１の略全領域を覆うように保護層１２を形成した。具体的には、まずＡｒガスと窒素ガスとを流し、全体の圧力が０．７Ｐａ程度となるように調整した。次に、直流電力を供給しながらプラズマを発生させ、シリコンターゲットをスパッタすることで、窒化シリコンからなる保護層１２を堆積形成した。このとき保護層１２の膜厚を０．１μｍとした。   Next, the protective layer 12 was formed by a sputtering method so as to cover substantially the entire region of the substrate 1 excluding the external extraction electrode. Specifically, first, Ar gas and nitrogen gas were flowed to adjust the overall pressure to about 0.7 Pa. Next, plasma was generated while DC power was supplied, and a silicon target was sputtered to deposit and form a protective layer 12 made of silicon nitride. At this time, the thickness of the protective layer 12 was set to 0.1 μm.

次に、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びビスマス（Ｂｉ）を含むクリーム半田を使用し、保護層１２が形成された封止領域８の表面上にスクリーン印刷を行うことで、端部封止体１５を形成した。このとき端部封止体１５の幅を０．５ｍｍとし、膜厚を１０μｍとした。次に、ガラス基板（基板１）を８０℃に加熱した後、基板表面からスポット径３ｍｍの遠赤外光を照射することで端部封止体１５を成形した。このとき照射部の温度を２００℃となるように遠赤外光の照射を制御した。   Next, by using a cream solder containing tin (Sn), zinc (Zn), and bismuth (Bi), screen printing is performed on the surface of the sealing region 8 on which the protective layer 12 is formed. A stop 15 was formed. At this time, the width of the end sealing body 15 was 0.5 mm and the film thickness was 10 μm. Next, after heating the glass substrate (substrate 1) to 80 ° C., the end sealing body 15 was formed by irradiating far-infrared light having a spot diameter of 3 mm from the substrate surface. At this time, the irradiation of far-infrared light was controlled so that the temperature of the irradiation part was 200 ° C.

次に、以下に示す方法で、保護層１２上であって端部封止体１５によって囲まれた領域に、端部封止体１５に接するように有機保護層１３を形成した。   Next, an organic protective layer 13 was formed in a region on the protective layer 12 and surrounded by the end sealing body 15 so as to be in contact with the end sealing body 15 by the method described below.

即ち、約５０Ｐａの真空中におけるスクリーン印刷法により、熱硬化性エポキシ樹脂を端部封止体１５で囲まれている領域の全域に、有機発光素子を覆い端部封止体１５に接するように印刷した。このとき有機保護層１３の膜厚は約１０μｍであった。次に、真空中で、１００℃に加熱し３０分間のベークを行うことで、有機保護層１３を硬化した。   That is, by the screen printing method in a vacuum of about 50 Pa, the thermosetting epoxy resin is covered over the entire region surrounded by the end sealing body 15 so as to cover the organic light emitting element and come into contact with the end sealing body 15. Printed. At this time, the film thickness of the organic protective layer 13 was about 10 μm. Next, the organic protective layer 13 was cured by heating to 100 ° C. in a vacuum and baking for 30 minutes.

次に、以下に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法により、外部取出し電極を除いた基板１の略全領域において、無機保護層１４を、有機保護層１３及び端部封止体１５を覆うように形成した。   Next, the inorganic protective layer 14 was formed so as to cover the organic protective layer 13 and the end sealing body 15 in substantially the entire region of the substrate 1 excluding the external extraction electrode by the VHF plasma CVD method described below.

まず堆積膜形成装置の高周波電極と、この高周波電極に対向する接地電極とが基板１の裏面に接するように固定した。そして、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスをフローしながら、高周波電極と接地電極との間の反応空間圧力を制御した。次に、高周波電力を高周波電極に供給しながら無機保護層１４を堆積形成した。このとき無機保護層１４の膜厚を約１μｍとした。 First, the high-frequency electrode of the deposited film forming apparatus and the ground electrode facing the high-frequency electrode were fixed so as to be in contact with the back surface of the substrate 1. The reaction space pressure between the high-frequency electrode and the ground electrode was controlled while flowing SiH 4 gas, N 2 gas, and H 2 gas. Next, the inorganic protective layer 14 was deposited while supplying high frequency power to the high frequency electrode. At this time, the thickness of the inorganic protective layer 14 was about 1 μm.

次に、基板１の外部接続端子９とＦＰＣ１７との間に異方性導電フィルム１６を挟みこんだ後、外部接続端子９とＦＰＣ１７との間を熱圧着した。   Next, after sandwiching the anisotropic conductive film 16 between the external connection terminal 9 and the FPC 17 of the substrate 1, the external connection terminal 9 and the FPC 17 were thermocompression bonded.

次に、無機保護層１４上に円偏光板１９を粘着剤１８で貼り付けることにより、有機発光装置を得た。   Next, an organic light emitting device was obtained by sticking a circularly polarizing plate 19 on the inorganic protective layer 14 with an adhesive 18.

また以上に説明した方法により、１０枚の有機発光装置を製造した。   In addition, ten organic light-emitting devices were manufactured by the method described above.

製造した１０枚の有機発光装置を、６０℃９０％ＲＨの環境に１０００時間放置することで、１０００時間耐久実験を行った。評価は６０℃９０％ＲＨの環境に、それぞれ２５０時間、５００時間、１０００時間放置したときに有機発光装置を取出し、有機発光素子を発光させたときに有機発光素子の周囲からダークスポットが広がるかどうかで行った。この実験結果を表１に示す。尚、下記表１において、○は、周囲からダークスポットが発生していないで正常に点灯した場合を示し、×は、有機発光素子の周囲からダークスポットが発生した場合を示す。   Ten manufactured organic light-emitting devices were left in an environment of 60 ° C. and 90% RH for 1000 hours to conduct a 1000-hour durability experiment. The evaluation is that an organic light emitting device is taken out when left in an environment of 60 ° C. and 90% RH for 250 hours, 500 hours, and 1000 hours, respectively, and whether a dark spot spreads from the periphery of the organic light emitting element when the organic light emitting element emits light. I went there. The experimental results are shown in Table 1. In Table 1 below, “◯” indicates a case where a dark spot is not generated from the surroundings and the light is normally turned on, and “x” indicates a case where a dark spot is generated from the surroundings of the organic light emitting element.

Figure 2009266922
Figure 2009266922

表１に示すように、本実施例の有機発光装置は、６０℃９０％ＲＨの環境下で１０００時間さらされたとしても、ダークスポットの発生することなく正常に点灯した。   As shown in Table 1, the organic light emitting device of this example was normally lit without generation of dark spots even when exposed to an environment of 60 ° C. and 90% RH for 1000 hours.

＜実施例２＞
本実施例では、図３に示される有機発光素子を以下の方法で製造した。 <Example 2>
In this example, the organic light emitting device shown in FIG. 3 was manufactured by the following method.

まず有機発光素子までの部材を実施例１と同様の方法で作製した。上部電極１１まで形成した後、銀ペーストを使用し、封止領域８上にスクリーン印刷することで端部封止体１５を形成した。このとき端部封止体１５の膜厚を１０μｍとし、幅を０．５ｍｍとした。次に、基板１を８０℃に加熱した後、基板表面からスポット径３ｍｍの遠赤外光を照射することで端部封止体１５を成形した。このとき照射部を１８０℃に加熱した。   First, members up to the organic light emitting device were produced in the same manner as in Example 1. After forming to the upper electrode 11, the edge part sealing body 15 was formed by screen-printing on the sealing area | region 8 using the silver paste. At this time, the film thickness of the end sealing body 15 was 10 μm, and the width was 0.5 mm. Next, after heating the board | substrate 1 to 80 degreeC, the edge part sealing body 15 was shape | molded by irradiating far-infrared light with a spot diameter of 3 mm from the substrate surface. At this time, the irradiated part was heated to 180 ° C.

次に、スクリーン印刷法により、約５０Ｐａの真空中で熱硬化性エポキシ樹脂を、有機発光素子を覆うように印刷することで有機保護層１３を形成した。このとき有機保護層１３の膜厚を約１０μｍとした。次に、真空中で、１００℃に加熱し３０分間ベークを行うことで有機保護層１３を硬化させた。   Next, the organic protective layer 13 was formed by printing a thermosetting epoxy resin so as to cover the organic light emitting element in a vacuum of about 50 Pa by a screen printing method. At this time, the thickness of the organic protective layer 13 was about 10 μm. Next, the organic protective layer 13 was cured by heating to 100 ° C. in a vacuum and baking for 30 minutes.

次に、外部取出し電極を除いた基板１の略全領域において、実施例１と同様の方法で、無機保護層１４をＶＨＦプラズマＣＶＤ法により形成した。   Next, an inorganic protective layer 14 was formed by a VHF plasma CVD method in substantially the same region of the substrate 1 excluding the external extraction electrode by the same method as in Example 1.

次に、実施例１と同様の方法で、基板１の外部接続端子９とＦＰＣ１７とを熱圧着した。   Next, the external connection terminal 9 of the substrate 1 and the FPC 17 were thermocompression bonded in the same manner as in Example 1.

次に、無機保護層１４上に円偏光板１９を粘着剤１８で貼り付けることにより有機発光装置を得た。   Next, an organic light emitting device was obtained by sticking a circularly polarizing plate 19 with an adhesive 18 on the inorganic protective layer 14.

また以上に説明した方法により、１０枚の有機発光装置を製造した。   In addition, ten organic light-emitting devices were manufactured by the method described above.

本実施例の有機発光装置を、実施例１と同様に評価した。結果を表２に示す。   The organic light emitting device of this example was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

Figure 2009266922
Figure 2009266922

表２に示されるように、本実施例の有機発光装置は、６０℃９０％ＲＨの環境下で１０００時間さらされたとしても、ダークスポットの発生することなく正常に点灯した。また本実施例の有機発光装置は、異物による封止の不良は見られなかったので、端部封止体１５により、封止端部が封止されることがわかった。   As shown in Table 2, the organic light emitting device of this example was normally lit without generation of dark spots even when exposed to an environment of 60 ° C. and 90% RH for 1000 hours. Further, in the organic light emitting device of this example, since sealing failure due to foreign matters was not observed, it was found that the sealing end portion was sealed by the end sealing body 15.

以上に示したように、端部封止体１５を形成することにより、封止領域に付着した異物の影響で生じる封止不良を大幅に減少させることができると共に、封止端部の封止性能を得ることができる。これにより、本発明の有機発光装置は、有機発光素子への水分や酸素の浸入を防止することができると共に、ローコストで作製できる有機発光装置を提供できる。   As described above, by forming the end seal 15, it is possible to greatly reduce the sealing failure caused by the foreign matter attached to the sealing region, and to seal the sealing end. Performance can be obtained. Thereby, the organic light-emitting device of the present invention can prevent moisture and oxygen from entering the organic light-emitting element and can provide an organic light-emitting device that can be manufactured at low cost.

＜実施例３＞
本実施例では、図４に示される有機発光装置を以下に示す方法により製造した。尚、ガラス基板（基板１）上に保護層１２までの部材を実施例１と同様の方法で形成した。 <Example 3>
In this example, the organic light emitting device shown in FIG. 4 was manufactured by the following method. Members up to the protective layer 12 were formed on the glass substrate (substrate 1) in the same manner as in Example 1.

次に、スクリーン印刷法により、約５０Ｐａの真空中において、保護層１２上に、有機保護層１３を封止領域８のほぼ中央まで印刷した。このとき有機保護層１３の膜厚を約１０μとした。次に、真空中で、１００℃に加熱し３０分間ベークを行うことにより、有機保護層１３を硬化させた。   Next, the organic protective layer 13 was printed on the protective layer 12 up to almost the center of the sealing region 8 in a vacuum of about 50 Pa by a screen printing method. At this time, the film thickness of the organic protective layer 13 was about 10 μm. Next, the organic protective layer 13 was cured by heating to 100 ° C. in a vacuum and baking for 30 minutes.

次に、外部取出し電極を除く基板１の略全領域に無機保護層１４を、以下に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法で形成した。   Next, an inorganic protective layer 14 was formed on substantially the entire region of the substrate 1 excluding the external extraction electrode by the VHF plasma CVD method shown below.

まず堆積膜形成装置の高周波電極と、この高周波電極に対向する接地電極とが基板１の裏面に接するように固定した。次に、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスをフローしながら、高周波電極と接地電極との間の反応空間圧力を制御した。次に、高周波電力を高周波電極に供給することで無機保護層１４を堆積形成した。このとき無機保護層１４の膜厚を約１μｍとした。 First, the high-frequency electrode of the deposited film forming apparatus and the ground electrode facing the high-frequency electrode were fixed so as to be in contact with the back surface of the substrate 1. Next, the reaction space pressure between the high frequency electrode and the ground electrode was controlled while flowing SiH 4 gas, N 2 gas, and H 2 gas. Next, the inorganic protective layer 14 was deposited by supplying high frequency power to the high frequency electrode. At this time, the thickness of the inorganic protective layer 14 was about 1 μm.

次に、基板を８０℃に加熱し、有機保護層１３の端部を覆っている無機保護層１４の表面上に、インジウムを、超音波半田ごてを使用して溶かして、端部封止体１５を形成した。このとき端部封止体１５の膜厚を約１０μｍとし、幅を０．５ｍｍとした。   Next, the substrate is heated to 80 ° C., and indium is melted on the surface of the inorganic protective layer 14 covering the end of the organic protective layer 13 using an ultrasonic soldering iron, thereby sealing the end. Body 15 was formed. At this time, the film thickness of the end sealing body 15 was about 10 μm and the width was 0.5 mm.

次に、基板１に設けられている外部接続端子９とＦＰＣ１７との間にＡＣＦ１６挟み込んだ後、外部接続端子９とＦＰＣ１７との間を熱圧着した。   Next, the ACF 16 was sandwiched between the external connection terminal 9 provided on the substrate 1 and the FPC 17, and then the external connection terminal 9 and the FPC 17 were thermocompression bonded.

次に、無機保護層１４上に円偏光板１９を粘着剤１８で貼り付けることにより有機発光装置を得た。   Next, an organic light emitting device was obtained by sticking a circularly polarizing plate 19 with an adhesive 18 on the inorganic protective layer 14.

また以上に示す方法で、１０枚の有機発光装置を製造した。   In addition, ten organic light emitting devices were manufactured by the method described above.

本実施例の有機発光装置を、実施例１と同様に評価した。結果を表３に示す。   The organic light emitting device of this example was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

Figure 2009266922
Figure 2009266922

表３に示すように、本実施例の有機発光装置は、６０℃９０％ＲＨの環境下で１０００時間さらしても、ダークスポットの発生することなく正常に点灯した。   As shown in Table 3, the organic light emitting device of this example was normally lit without generation of dark spots even after being exposed for 1000 hours in an environment of 60 ° C. and 90% RH.

＜実施例４＞
図７に示される有機発光装置を以下に示す方法により形成した。 <Example 4>
The organic light emitting device shown in FIG. 7 was formed by the following method.

実施例３と同様に方法で基板１上に有機発光素子までの構成部材を形成した。   In the same manner as in Example 3, constituent members up to the organic light emitting element were formed on the substrate 1.

上部電極１１まで形成した後、外部接続端子９を除く基板１の略全領域に保護層１２をスパッタ法で形成した。このとき保護層１２の膜厚を２００ｎｍとした。   After forming up to the upper electrode 11, a protective layer 12 was formed by sputtering on substantially the entire area of the substrate 1 except for the external connection terminals 9. At this time, the film thickness of the protective layer 12 was 200 nm.

次に、保護層１２上に、以下に示す方法で有機保護層１３を形成した。即ち、約５０Ｐａの真空中において、スクリーン印刷法により、膜厚約１０μの熱硬化性エポキシ樹脂を、有機発光素子を覆いながら封止領域８のほぼ中央まで印刷することで有機保護層１３を形成した。次に、真空中において、基板１を１００℃に加熱しながら３０分間ベークを行うことで有機保護層１３を硬化させた。   Next, the organic protective layer 13 was formed on the protective layer 12 by the method shown below. That is, in a vacuum of about 50 Pa, the organic protective layer 13 is formed by printing a thermosetting epoxy resin having a thickness of about 10 μm to the center of the sealing region 8 while covering the organic light emitting element by screen printing. did. Next, the organic protective layer 13 was cured by baking for 30 minutes while heating the substrate 1 to 100 ° C. in a vacuum.

次に、有機保護層１３の端部の表面上に、銀ペーストを使用し、スクリーン印刷することによりにより、端部封止体１５を形成した。このとき端部封止体１５の膜厚を１０μｍとし、幅を０．５ｍｍとした。次に、基板１を８０℃に加熱した後、基板表面からスポット径３ｍｍの遠赤外光を当てることにより端部封止体１５を成形した。このとき照射部の温度を１２０℃になるように遠赤外光の照射を制御した。   Next, on the surface of the edge part of the organic protective layer 13, the edge part sealing body 15 was formed by screen-printing using a silver paste. At this time, the film thickness of the end sealing body 15 was 10 μm, and the width was 0.5 mm. Next, after heating the board | substrate 1 to 80 degreeC, the edge part sealing body 15 was shape | molded by applying far-infrared light with a spot diameter of 3 mm from the substrate surface. At this time, the irradiation of far-infrared light was controlled so that the temperature of the irradiation part was 120 ° C.

次に、外部取出し電極を除く基板１の略全領域に無機保護層１４を、実施例３と同様の方法で形成した。   Next, the inorganic protective layer 14 was formed in substantially the same region of the substrate 1 excluding the external extraction electrode by the same method as in Example 3.

次に、基板１の外部接続端子９とＦＰＣ１７との間にＡＣＦ１６を挟み込み、外部接続端子９とＦＰＣ１７との間を熱圧着した。   Next, the ACF 16 was sandwiched between the external connection terminal 9 and the FPC 17 of the substrate 1, and the external connection terminal 9 and the FPC 17 were thermocompression bonded.

次に、保護層１２上に円偏光板１９を粘着剤１８で貼り付けることにより、有機発光装置を得た。   Next, an organic light emitting device was obtained by attaching a circularly polarizing plate 19 on the protective layer 12 with an adhesive 18.

また以上に示す方法で１０枚の有機発光装置を製造した。   Ten organic light-emitting devices were manufactured by the method described above.

本実施例の有機発光装置を、実施例１と同様に評価した。結果を表４に示す。   The organic light emitting device of this example was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4.

Figure 2009266922
Figure 2009266922

表４に示すように、６０℃９０％ＲＨの条件下で１０００時間さらされた時に、ダークスポットの発生する有機発光装置は１０枚中１枚発生したが、残りの９枚は正常に点灯した。   As shown in Table 4, when 1000 hours of exposure was performed at 60 ° C. and 90% RH, one of 10 organic light emitting devices generating dark spots was generated, but the remaining 9 were lit normally. .

本実施例より、図５に示すように、封止領域８上であって有機保護層１３の端部に異物が有るために無機保護層１４で有機保護層１３の端部を封止することができない場合でも、端部封止体１５により有機保護層１３の端部を封止することができることが示された。また図６に示すように、有機保護層１３の端部の断面形状が急斜面であるため、無機保護層１４に亀裂が生じ無機保護層１４で有機保護層１３の端部を封止できない場合でも、端部封止体１５により有機保護層１３の端部を封止することができることが示された。   From this example, as shown in FIG. 5, the foreign protective layer 13 is sealed on the sealing region 8 and the organic protective layer 13 is sealed with the inorganic protective layer 14 because the foreign matter is present on the edge of the organic protective layer 13. It was shown that the end portion of the organic protective layer 13 can be sealed by the end sealing body 15 even when the end sealing body 15 cannot be used. Moreover, as shown in FIG. 6, since the cross-sectional shape of the edge part of the organic protective layer 13 is a steep slope, even if the inorganic protective layer 14 cracks and the edge part of the organic protective layer 13 cannot be sealed with the inorganic protective layer 14 It was shown that the end portion of the organic protective layer 13 can be sealed by the end sealing body 15.

＜実施例５＞
まず実施例３と同様の方法により基板１上に有機発光素子までの各部材を形成した。 <Example 5>
First, each member up to the organic light emitting element was formed on the substrate 1 by the same method as in Example 3.

上部電極１１まで形成した後、保護層１２、有機保護層１３及び無機保護層１４を実施例３と同様にこの順に形成した。   After forming to the upper electrode 11, the protective layer 12, the organic protective layer 13, and the inorganic protective layer 14 were formed in this order similarly to Example 3.

次に、シラザンを使用し、ディスペンサーにより、有機保護層１３の端部の表面上に端部封止体１５を形成した。このとき端部封止体１５の膜厚を約２０μｍとし、幅を０．５ｍｍとした。次に、基板１を６０℃９０％ＲＨの環境で３０分放置してシラザンを水分と反応させることにより、端部封止体１５をＳｉＯ2として硬化した。 Next, the end sealing body 15 was formed on the surface of the end portion of the organic protective layer 13 by using a dispenser using silazane. At this time, the film thickness of the end sealing body 15 was about 20 μm, and the width was 0.5 mm. Next, the substrate 1 was left in an environment of 60 ° C. and 90% RH for 30 minutes to allow silazane to react with moisture, thereby curing the end sealing body 15 as SiO 2 .

次に、基板１の外部接続端子９とＦＰＣ１１７との間にＡＣＦ１６を挟み込んだ後、外部接続端子９とＦＰＣ１１７との間を熱圧着した。   Next, the ACF 16 was sandwiched between the external connection terminal 9 and the FPC 117 of the substrate 1, and then the external connection terminal 9 and the FPC 117 were thermocompression bonded.

次に、無機保護層１４上に円偏光板１９を粘着剤１８で貼り付けることにより、有機発光装置を得た。   Next, an organic light emitting device was obtained by sticking a circularly polarizing plate 19 on the inorganic protective layer 14 with an adhesive 18.

以上に示す方法で、１０枚の有機発光装置を製造した。   Ten organic light emitting devices were manufactured by the method described above.

本実施例の有機発光装置について、実施例１と同様に評価した。結果を表５に示す。   The organic light emitting device of this example was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5.

Figure 2009266922
Figure 2009266922

表５より、６０℃９０％ＲＨの条件下で１０００時間さらされた時に、ダークスポットが発生した有機発光装置は、１０枚中１枚に留まった。   From Table 5, the organic light emitting device in which dark spots were generated when exposed to 1000 ° C. at 60 ° C. and 90% RH remained in one of ten.

以上ように、端部封止体１５を形成することにより、封止領域に付着した異物の影響で生じる封止不良や、有機保護層１３の端面形状による封止不良を修復できると共に、封止端部の封止性能をより向上させることができる。これにより、有機発光素子への水分や酸素の浸入を防止することができる。   As described above, by forming the end sealing body 15, it is possible to repair the sealing failure caused by the foreign matter attached to the sealing region and the sealing failure due to the end face shape of the organic protective layer 13, and the sealing. The sealing performance at the end can be further improved. Thereby, it is possible to prevent moisture and oxygen from entering the organic light emitting device.

本発明の有機発光装置は、表示装置として好ましく使用することができ、特に、テレビ受像機、携帯電話の表示部、撮像装置の表示部として好ましく使用することができる。   The organic light-emitting device of the present invention can be preferably used as a display device, and in particular, can be preferably used as a display unit of a television receiver, a mobile phone, or an imaging device.

本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1st embodiment in the organic light-emitting device of this invention. 本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows 1st embodiment in the organic light-emitting device of this invention. 本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 2nd embodiment in the organic light-emitting device of this invention. 本発明の有機発光装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 3rd embodiment in the organic light-emitting device of this invention. 第三の実施形態において、有機保護層の端部に異物が混入している様子を示す断面模式図である。In 3rd embodiment, it is a cross-sectional schematic diagram which shows a mode that the foreign material has mixed into the edge part of an organic protective layer. 第三の実施形態において、無機保護層に欠陥が生じている様子を示す断面模式図である。In 3rd embodiment, it is a cross-sectional schematic diagram which shows a mode that the defect has arisen in the inorganic protective layer. 本発明の有機発光装置における第四の実施形態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 4th embodiment in the organic light-emitting device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板
２ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
３ 信号配線
４ 絶縁層
５ 有機平坦化層
６ 下部電極
６ａ コンタクトホール
７ 画素分離膜
８ 封止領域
９ 外部接続端子
１０ 有機化合物層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層）
１１ 上部電極
１２ 保護層
１３ 第一保護層（有機保護層）
１４ 第二保護層（無機保護層）
１５ 端部封止体
１６ 異方性導電フィルム（ＡＣＦ）
１７ フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）
１８ 粘着剤
１９ 円偏光板
２０ 画素エリア
２１，２２，２３，２４ 有機発光装置
１００ 異物
１０１ 無機保護層の欠陥 1 Substrate 2 TFT (Thin Film Transistor)
3 Signal wiring 4 Insulating layer 5 Organic flattening layer 6 Lower electrode 6a Contact hole 7 Pixel isolation film 8 Sealing region 9 External connection terminal 10 Organic compound layer (hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer)
11 Upper electrode 12 Protective layer 13 First protective layer (organic protective layer)
14 Second protective layer (inorganic protective layer)
15 End sealing body 16 Anisotropic conductive film (ACF)
17 Flexible wiring board (FPC)
18 Adhesive 19 Circular Polarizer 20 Pixel Area 21, 22, 23, 24 Organic Light Emitting Device 100 Foreign Material 101 Defect in Inorganic Protective Layer

Claims (2)

基板と、
該基板上に設けられ下部電極と、有機化合物層と、上部電極と、をこの順に有する有機発光素子と、
該有機発光素子が複数配列される画素エリアと、
該画素エリアを覆う積層体と、
該画素エリアの外縁に位置し、有機平坦化層が除去されている領域に設けられる無機材料からなる封止領域と、から構成され、
該積層体が有機化合物からなる第一保護層と、無機化合物からなる第二保護層と、からなる有機発光装置において、
該第一保護層の端部に無機材料からなる端部封止体が設けられ、該端部封止体が該第二保護層と接していることを特徴とする、有機発光装置。 A substrate,
An organic light emitting device provided on the substrate and having a lower electrode, an organic compound layer, and an upper electrode in this order;
A pixel area in which a plurality of the organic light emitting elements are arranged;
A laminate covering the pixel area;
A sealing region made of an inorganic material located in the outer edge of the pixel area and provided in the region where the organic planarization layer is removed,
In the organic light-emitting device in which the laminate includes a first protective layer made of an organic compound and a second protective layer made of an inorganic compound,
An organic light-emitting device, wherein an end sealing body made of an inorganic material is provided at an end of the first protective layer, and the end sealing body is in contact with the second protective layer. 前記端部封止体が、
インジウム、金、銀、及び銅から選択される金属、
インジウム、金、銀、銅、炭素及びガラスから選択される無機物が含まれるペースト状組成物を熱処理した固形物、
インジウム、ビスマス、鉛、錫、カドミウム及び銅のうち二種類以上を組み合わせた合金、又は、
シラザンの重合生成物からなることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。 The end sealing body is
A metal selected from indium, gold, silver, and copper;
A solid obtained by heat-treating a paste-like composition containing an inorganic substance selected from indium, gold, silver, copper, carbon and glass;
An alloy combining two or more of indium, bismuth, lead, tin, cadmium and copper, or
The organic light-emitting device according to claim 1, comprising a polymerization product of silazane.
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