JP2009260032A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus with which throughput is improved and which rapidly performs a heat treatment on a substrate after exposure. <P>SOLUTION: In a cleaning and heating block 15a of an interface block 15, a substrate W before an exposure treatment is conveyed by a sixth center robot CR6 and the substrate W after an exposure treatment is conveyed by a seventh center robot CR7. In a carry-in/carry-out block 15b of the interface block 15, hands H1 and H2 of an interface conveying mechanism IFR are driven independently of each other with the substrate W before the exposure treatment conveyed by the hand H1 and the substrate W after the exposure treatment conveyed by the hand H2. Namely, a conveying path for the substrate W before the exposure treatment and a conveying path for the substrate W after the exposure treatment are secured independently of each other in the interface block 15. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。   In order to perform various processes on various substrates such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate, It is used.

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。   In such a substrate processing apparatus, generally, a plurality of different processes are continuously performed on a single substrate. The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes an indexer block, an antireflection film processing block, a resist film processing block, a development processing block, and an interface block. An exposure apparatus that is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus is disposed adjacent to the interface block.

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。   In the substrate processing apparatus described above, the substrate carried in from the indexer block is configured such that after the formation of the antireflection film and the coating process of the resist film are performed in the antireflection film processing block and the resist film processing block, the interface block is To the exposure apparatus. After the exposure process is performed on the resist film on the substrate in the exposure apparatus, the substrate is transported to the development processing block via the interface block. After a resist pattern is formed by performing development processing on the resist film on the substrate in the development processing block, the substrate is transported to the indexer block.

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。   In recent years, miniaturization of resist patterns has become an important issue as the density and integration of devices increase. In a conventional general exposure apparatus, exposure processing is performed by reducing and projecting a reticle pattern onto a substrate via a projection lens. However, in such a conventional exposure apparatus, since the line width of the exposure pattern is determined by the wavelength of the light source of the exposure apparatus, there is a limit to the miniaturization of the resist pattern.

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット Accordingly, a liquid immersion method has been proposed as a projection exposure method that enables further miniaturization of the exposure pattern (see, for example, Patent Document 2). In the projection exposure apparatus of Patent Document 2, a liquid is filled between the projection optical system and the substrate, and the exposure light on the substrate surface can be shortened. Thereby, the exposure pattern can be further miniaturized.
JP 2003-324139 A International Publication No. 99/49504 Pamphlet

近年における露光パターンの微細化の要求に伴い、基板の処理工程が複雑化している。それにより、基板処理装置のスループットが低下する。   With recent demands for finer exposure patterns, the substrate processing process has become complicated. Thereby, the throughput of the substrate processing apparatus decreases.

また、基板の露光処理後においては、露光処理による化学反応をレジスト膜内で促進させるために、基板のＰＥＢ（露光後ベーク）処理が行われる。所望の露光パターンを得るためには、露光処理後、より迅速に基板のＰＥＢ処理を行い、速やかに化学反応を促進させることが望まれる。   In addition, after the substrate exposure process, a PEB (post-exposure bake) process is performed on the substrate in order to promote a chemical reaction by the exposure process in the resist film. In order to obtain a desired exposure pattern, it is desired that the substrate is subjected to PEB processing more rapidly after the exposure processing, and the chemical reaction is promptly accelerated.

本発明の目的は、スループットが向上されるとともに、露光後に迅速に基板の加熱処理を行うことができる基板処理装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the throughput and performing the heat treatment of the substrate quickly after exposure.

（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための第１の処理部と、第１の処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第２の処理部とを備え、第１の処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、第２の処理部は、露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、露光処理前の基板を第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送する第１の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置および熱処理ユニットの間で搬送する第２の基板搬送機構とを含むものである。   (1) A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus, and includes a first processing unit for processing a substrate, a first processing unit, and exposure. And a second processing unit that performs processing on the substrate and loads and unloads the substrate with respect to the exposure apparatus. The first processing unit is made of a photosensitive material on the substrate. A photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film, and the second processing unit includes: a cleaning processing unit that cleans a substrate before exposure processing; a thermal processing unit that performs thermal processing on the substrate after exposure processing; A first substrate transport mechanism for transporting the substrate between the first processing unit, the cleaning processing unit and the exposure apparatus, and a second substrate transport mechanism for transporting the substrate after the exposure process between the exposure apparatus and the heat treatment unit. Is included.

この基板処理装置においては、第１の処理部において感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その基板は第２の処理部に搬送され、洗浄処理ユニットにより洗浄された後、露光装置に搬入される。露光装置において露光処理が行われた基板は、第２の処理部に戻される。そして、第２の処理部において熱処理ユニットにより基板に熱処理が行われる。   In this substrate processing apparatus, a photosensitive film is formed on the substrate by the photosensitive film forming unit in the first processing section. The substrate is transferred to the second processing unit, cleaned by the cleaning processing unit, and then carried into the exposure apparatus. The substrate subjected to the exposure process in the exposure apparatus is returned to the second processing unit. Then, the substrate is subjected to heat treatment by the heat treatment unit in the second treatment unit.

この場合、露光処理前の基板が第１の基板搬送機構により第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送され、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により露光装置および熱処理ユニットの間で搬送される。すなわち、第２の処理部では、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。   In this case, the substrate before the exposure process is transported between the first processing unit, the cleaning unit, and the exposure apparatus by the first substrate transport mechanism, and the substrate after the exposure process is Transported between heat treatment units. That is, in the second processing unit, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independently secured.

それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。   Thereby, the substrate can be efficiently transported as compared with the case where the transport route of the substrate before the exposure processing intersects with the transport route of the substrate after the exposure processing. As a result, the throughput can be improved. In addition, since the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process do not contact the same part, mutual contamination between the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process can be prevented.

また、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板を円滑に熱処理ユニットに搬送することができる。そのため、複数の基板を連続的に処理する場合に、露光処理から熱処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。   In addition, since the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independent of each other, the substrate after the exposure process can be smoothly transported to the heat treatment unit. Therefore, when processing a plurality of substrates continuously, the time from exposure processing to heat treatment can be made substantially constant. As a result, variations in exposure pattern accuracy can be prevented.

さらに、熱処理ユニットが露光装置に隣接する第２の処理部に設けられているので、露光処理後の基板を迅速に熱処理ユニットまで搬送することができる。したがって、露光処理後、迅速に基板の熱処理を行うことができる。その結果、感光性膜内の化学反応を速やかに促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。   Furthermore, since the heat treatment unit is provided in the second processing unit adjacent to the exposure apparatus, the substrate after the exposure process can be quickly transported to the heat treatment unit. Accordingly, the substrate can be quickly heat-treated after the exposure processing. As a result, the chemical reaction in the photosensitive film can be promptly promoted, and a desired exposure pattern can be obtained.

（２）第２の処理部は、基板に処理を行う処理用ブロックと、露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う搬入搬出用ブロックとを含み、洗浄処理ユニットおよび熱処理ユニットは、処理用ブロックに設けられ、第１の基板搬送機構は、処理用ブロックに設けられ、露光処理前の基板を第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび搬入搬出用ブロックの間で搬送する第１の搬送手段と、搬入搬出用ブロックに設けられ、露光処理前の基板を処理用ブロックおよび露光装置の間で搬送する第２の搬送手段とを含み、第２の基板搬送機構は、処理用ブロックに設けられ、露光処理後の基板を搬入搬出用ブロックおよび熱処理ユニットの間で搬送する第３の搬送手段と、搬入搬出用ブロックに設けられ、露光処理後の基板を露光装置および処理用ブロックの間で搬送する第４の搬送手段とを含んでもよい。   (2) The second processing unit includes a processing block for processing the substrate and a loading / unloading block for loading and unloading the substrate with respect to the exposure apparatus, and the cleaning processing unit and the heat treatment unit are for processing. The first substrate transport mechanism provided in the block is provided in the processing block, and transports the substrate before the exposure processing between the first processing unit, the cleaning processing unit, and the loading / unloading block. And a second transport unit that is provided in the loading / unloading block and transports the substrate before the exposure processing between the processing block and the exposure apparatus, and the second substrate transport mechanism is provided in the processing block. A third transport means for transporting the substrate after the exposure processing between the loading / unloading block and the heat treatment unit; and a loading / unloading block. The substrate after the exposure processing is exposed to the exposure apparatus and the processing block. It may include a fourth conveying means for conveying between the click.

この場合、露光処理前の基板が、第１の搬送手段により第１の処理部から洗浄処理ユニットに搬送され、続いて洗浄処理ユニットから搬入搬出用ブロックに搬送される。そして、第２の搬送手段によりその基板が露光装置に搬入される。   In this case, the substrate before the exposure processing is transported from the first processing unit to the cleaning processing unit by the first transporting unit, and then transported from the cleaning processing unit to the loading / unloading block. Then, the substrate is carried into the exposure apparatus by the second transport means.

また、露光処理後の基板が、第３の搬送手段により露光装置から搬出される。そして、その基板が第４の搬送手段により搬入搬出用ブロックから熱処理ユニットに搬送される。   Further, the substrate after the exposure processing is carried out of the exposure apparatus by the third transport means. Then, the substrate is transferred from the loading / unloading block to the heat treatment unit by the fourth transfer means.

これにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが独立し、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを十分に向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することを確実に防止することができ、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。   As a result, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independent, and the substrate can be transported efficiently. As a result, the throughput can be sufficiently improved. In addition, it is possible to reliably prevent the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process from contacting the same part, and prevent cross-contamination between the substrate before the exposure process and the substrate after the exposure process. can do.

（３）搬入搬出用ブロックは、処理用ブロックに対して可動であってもよい。   (3) The loading / unloading block may be movable with respect to the processing block.

この場合、搬入搬出用ブロックを処理用ブロックに対して移動させることにより、保守作業のための作業スペースを確保することができる。それにより、処理用ブロックにおいて多くの用力を用いる場合に、処理用ブロックと用力設備との接続を維持したまま保守作業を行うことができる。したがって、作業労力および作業時間を大幅に軽減することができる。   In this case, a work space for maintenance work can be secured by moving the loading / unloading block with respect to the processing block. Accordingly, when a large amount of power is used in the processing block, maintenance work can be performed while maintaining the connection between the processing block and the power equipment. Therefore, work labor and work time can be greatly reduced.

（４）第１の処理部は、熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第５の搬送手段をさらに含んでもよい。   (4) The first processing unit may further include a fifth transfer means for carrying out the substrate after the heat treatment from the heat treatment unit.

この場合、露光処理後の基板が第４の搬送手段により熱処理ユニットに搬入され、第５の搬送手段により熱処理ユニットから搬出される。このように、熱処理ユニットを介して第１の処理部から第２の処理部への基板の搬送を行うことにより、基板の搬送効率をさらに向上させることができる。   In this case, the substrate after the exposure processing is carried into the heat treatment unit by the fourth carrying means, and unloaded from the heat treatment unit by the fifth carrying means. As described above, the substrate transfer efficiency can be further improved by transferring the substrate from the first processing unit to the second processing unit via the heat treatment unit.

（５）熱処理ユニットは、第３の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第１の載置部と、第５の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第２の載置部と、基板を加熱する加熱部と、第１および第２の載置部ならびに加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有してもよい。   (5) The heat treatment unit temporarily places the first placement unit for temporarily placing the substrate carried in by the third carrying means and the substrate carried out by the fifth carrying means. You may have the 2nd mounting part for heating, the heating part which heats a board | substrate, and the conveyance part which conveys a board | substrate between the 1st and 2nd mounting part and a heating part.

この場合、第３の搬送手段により第１の載置部に基板が搬入され、搬送部によりその基板が加熱部に搬送される。加熱部において基板に加熱処理が行われ、加熱処理後の基板が搬送部により加熱部から第２の載置部に搬送される。そして、第５の搬送手段により第２の載置部から基板が搬出される。   In this case, the substrate is carried into the first placement unit by the third conveyance unit, and the substrate is conveyed to the heating unit by the conveyance unit. A heating process is performed on the substrate in the heating unit, and the substrate after the heating process is transferred from the heating unit to the second placement unit by the transfer unit. And a board | substrate is carried out from a 2nd mounting part by a 5th conveyance means.

このように、第１の載置部と第２の載置部とを別個に設けることにより、第３の搬送手段による基板の搬入動作および第５の搬送手段による基板の搬出動作を容易かつ円滑に行うことができる。それにより、スループットをさらに向上させることができる。   As described above, by separately providing the first placement unit and the second placement unit, the substrate carrying-in operation by the third carrying unit and the substrate carrying-out operation by the fifth carrying unit can be easily and smoothly performed. Can be done. Thereby, the throughput can be further improved.

（６）第２の処理部は、露光装置による露光処理後であって熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、第２の基板搬送機構は、露光処理後の基板を露光装置、乾燥処理ユニットおよび熱処理ユニットの間で搬送してもよい。   (6) The second processing unit further includes a drying processing unit that dries the substrate after the exposure processing by the exposure apparatus and before the heat processing by the heat processing unit, and the second substrate transport mechanism includes the substrate after the exposure processing. You may convey between an exposure apparatus, a drying processing unit, and a heat processing unit.

この場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。   In this case, even if a liquid adheres to the substrate in the exposure apparatus, the liquid can be prevented from falling into the substrate processing apparatus. As a result, malfunction of the substrate processing apparatus can be prevented.

（７）第１の処理部、第２の処理部および露光装置は第１の方向に沿って並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の処理部において第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、第２の処理部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されてもよい。   (7) The first processing unit, the second processing unit, and the exposure apparatus are juxtaposed along the first direction, and the cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are the first processing unit in the second processing unit. The heat treatment unit is arranged in a substantially central portion of the second processing unit, and the cleaning processing unit and the drying processing unit are arranged in the second direction. It may be arranged on one side and the other side of the heat treatment unit.

この場合、第２の処理部における基板の搬送効率を十分に確保しつつ第２の処理部の小型化および省スペース化が可能になる。   In this case, it is possible to reduce the size and save space of the second processing unit while sufficiently securing the substrate transfer efficiency in the second processing unit.

本発明によれば、第２の処理部で露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されることにより、効率よく基板が搬送され、スループットが向上する。また、熱処理ユニットが露光装置に隣接する第２の処理部に設けられているので、露光処理後、迅速に基板の熱処理を行うことができ、所望の露光パターンを得ることができる。   According to the present invention, the substrate transport path before the exposure process and the substrate transport path after the exposure process are independently secured in the second processing unit, thereby efficiently transporting the substrate and improving the throughput. To do. In addition, since the heat treatment unit is provided in the second processing unit adjacent to the exposure apparatus, the substrate can be rapidly heat-treated after the exposure process, and a desired exposure pattern can be obtained.

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。   Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図５および図８には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1 and FIGS. 2 to 5 and FIG. 8 to be described later, arrows indicating the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other are attached in order to clarify the positional relationship. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In each direction, the direction in which the arrow points is the + direction, and the opposite direction is the-direction. Further, the rotation direction around the Z direction is defined as the θ direction.

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、洗浄加熱ブロック１５ａおよび搬入搬出ブロック１５ｂを含む。インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂに隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a resist cover film processing block 13, and a resist cover film removal block. 14 and an interface block 15. The interface block 15 includes a cleaning heating block 15a and a loading / unloading block 15b. An exposure device 16 is disposed adjacent to the carry-in / carry-out block 15b of the interface block 15. In the exposure apparatus 16, the substrate W is subjected to an exposure process by a liquid immersion method.

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。   Hereinafter, each of the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, the resist cover film processing block 13, the resist cover film removal block 14 and the interface block 15 is referred to as a processing block. Call.

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。   The indexer block 9 includes a main controller (control unit) 30 that controls the operation of each processing block, a plurality of carrier platforms 40, and an indexer robot IR. The indexer robot IR is provided with a hand IRH for delivering the substrate W.

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。   The antireflection film processing block 10 includes antireflection film heat treatment units 100 and 101, an antireflection film application processing unit 50, and a first central robot CR1. The antireflection film coating processing unit 50 is provided opposite to the antireflection film heat treatment units 100 and 101 with the first central robot CR1 interposed therebetween. The first center robot CR1 is provided with hands CRH1 and CRH2 for transferring the substrate W up and down.

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。   A partition wall 17 is provided between the indexer block 9 and the antireflection film processing block 10 for shielding the atmosphere. In the partition wall 17, substrate platforms PASS 1 and PASS 2 for transferring the substrate W between the indexer block 9 and the anti-reflection film processing block 10 are provided close to each other in the vertical direction. The upper substrate platform PASS1 is used when transporting the substrate W from the indexer block 9 to the antireflection film processing block 10, and the lower substrate platform PASS2 is used to transport the substrate W to the antireflection film processing block. It is used when transporting from 10 to the indexer block 9.

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１２にも同様に設けられる。   The substrate platforms PASS1, PASS2 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence or absence of the substrate W. Thereby, it is possible to determine whether or not the substrate W is placed on the substrate platforms PASS1 and PASS2. The substrate platforms PASS1, PASS2 are provided with a plurality of support pins fixedly installed. The optical sensors and the support pins are also provided in the same manner on the substrate platforms PASS3 to PASS12 described later.

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。   The resist film processing block 11 includes resist film heat treatment units 110 and 111, a resist film coating processing unit 60, and a second central robot CR2. The resist film application processing unit 60 is provided to face the resist film heat treatment units 110 and 111 with the second central robot CR2 interposed therebetween. The second center robot CR2 is provided with hands CRH3 and CRH4 for transferring the substrate W up and down.

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。   A partition wall 18 is provided between the antireflection film processing block 10 and the resist film processing block 11 for shielding the atmosphere. The partition wall 18 is provided with substrate platforms PASS3 and PASS4 that are close to each other in the vertical direction for transferring the substrate W between the anti-reflection film processing block 10 and the resist film processing block 11. The upper substrate platform PASS3 is used when the substrate W is transported from the antireflection film processing block 10 to the resist film processing block 11, and the lower substrate platform PASS4 is used to transfer the substrate W to the resist film. It is used when transporting from the processing block 11 to the processing block 10 for antireflection film.

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。   The development processing block 12 includes development heat treatment units 120 and 121, a development processing unit 70, and a third central robot CR3. The development processing unit 70 is provided to face the development heat treatment units 120 and 121 with the third central robot CR3 interposed therebetween. The third center robot CR3 is provided with hands CRH5 and CRH6 for transferring the substrate W up and down.

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。   A partition wall 19 is provided between the resist film processing block 11 and the development processing block 12 for shielding the atmosphere. In the partition wall 19, substrate platforms PASS 5 and PASS 6 for transferring the substrate W between the resist film processing block 11 and the development processing block 12 are provided close to each other in the vertical direction. The upper substrate platform PASS5 is used when the substrate W is transported from the resist film processing block 11 to the development processing block 12, and the lower substrate platform PASS6 is used to transfer the substrate W from the development processing block 12 to the resist processing block 12. Used when transported to the film processing block 11.

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。   The resist cover film processing block 13 includes resist cover film heat treatment units 130 and 131, a resist cover film coating processing unit 80, and a fourth central robot CR4. The resist cover film coating processing unit 80 is provided to face the resist cover film heat treatment units 130 and 131 with the fourth central robot CR4 interposed therebetween. The fourth center robot CR4 is provided with hands CRH7 and CRH8 for delivering the substrate W up and down.

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。   A partition wall 20 is provided between the development processing block 12 and the resist cover film processing block 13 for shielding the atmosphere. The partition wall 20 is provided with substrate platforms PASS 7 and PASS 8 that are adjacent to each other in the vertical direction for transferring the substrate W between the development processing block 12 and the resist cover film processing block 13. The upper substrate platform PASS7 is used when the substrate W is transferred from the development processing block 12 to the resist cover film processing block 13, and the lower substrate platform PASS8 is used to process the substrate W on the resist cover film. Used when transported from the block 13 to the development processing block 12.

レジストカバー膜除去ブロック１４は、熱処理部１４０、基板載置部ＰＡＳＳ１１、エッジ露光部ＥＥＷ、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。基板載置部ＰＡＳＳ１１およびエッジ露光部ＥＥＷは、洗浄加熱ブロック１５ａに隣接するように上下に設けられる。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで熱処理部１４０、基板載置部ＰＡＳＳ１１およびエッジ露光部ＥＥＷに対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。   The resist cover film removal block 14 includes a heat treatment unit 140, a substrate platform PASS11, an edge exposure unit EEW, a resist cover film removal processing unit 90, and a fifth central robot CR5. The substrate platform PASS11 and the edge exposure unit EEW are provided vertically so as to be adjacent to the cleaning heating block 15a. The resist cover film removal processing unit 90 is provided to face the heat treatment unit 140, the substrate platform PASS11, and the edge exposure unit EEW across the fifth central robot CR5. The fifth center robot CR5 is provided with hands CRH9 and CRH10 for transferring the substrate W up and down.

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。   A partition wall 21 is provided between the resist cover film processing block 13 and the resist cover film removal block 14 for shielding the atmosphere. The partition wall 21 is provided with substrate platforms PASS9 and PASS10 adjacent to each other in the vertical direction for transferring the substrate W between the resist cover film processing block 13 and the resist cover film removal block. The upper substrate platform PASS9 is used when the substrate W is transferred from the resist cover film processing block 13 to the resist cover film removal block 14, and the lower substrate platform PASS10 is used to transfer the substrate W to the resist cover film. It is used when transporting from the removal block 14 to the resist cover film processing block 13.

インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、第６のセンターロボットＣＲ６、載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢおよび第７のセンターロボットＣＲ７を含む。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における洗浄処理時には、純水等の洗浄液が用いられる。   The cleaning heating block 15a of the interface block 15 includes cleaning / drying processing units SD1 and SD2, a sixth central robot CR6, a placement / bake unit P-PEB, and a seventh central robot CR7. The cleaning / drying processing unit SD1 performs cleaning processing and drying processing of the substrate W before the exposure processing, and the cleaning / drying processing unit SD2 performs cleaning processing and drying processing of the substrate W after the exposure processing. During the cleaning process in the cleaning / drying processing units SD1 and SD2, a cleaning liquid such as pure water is used.

第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられ、第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられる。   The sixth center robot CR6 is provided with hands CRH11 and CRH12 for delivering the substrate W up and down, and the seventh center robot CR7 is provided with hands CRH13 and CRH14 for delivering the substrate W up and down. It is done.

インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂは、ベベル検査ユニットＩＭ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ、基板載置部ＰＡＳＳ１２および戻りバッファ部ＲＢＦを含む。インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。ハンドＨ１，Ｈ２はそれぞれ独立に駆動される。   The loading / unloading block 15b of the interface block 15 includes a bevel inspection unit IM, a placement / cooling unit P-CP, a feed buffer unit SBF, an interface transport mechanism IFR, a substrate platform PASS12, and a return buffer unit RBF. In the interface transport mechanism IFR, hands H1 and H2 for delivering the substrate W are provided up and down. The hands H1 and H2 are driven independently.

搬入搬出ブロック１５ｂは、洗浄加熱ブロック１５ａに対して＋Ｘ方向および−Ｘ方向に移動可能に設けられる。インターフェースブロック１５または露光装置１６のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１５ｂを＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動させて作業スペースを確保する。なお、搬入搬出ブロック１５ｂは他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。   The carry-in / carry-out block 15b is provided to be movable in the + X direction and the −X direction with respect to the cleaning heating block 15a. During maintenance of the interface block 15 or the exposure device 16, the loading / unloading block 15b is moved in the + X direction or the −X direction to secure a work space. The carry-in / carry-out block 15b is lighter than other blocks and can be easily moved.

また、洗浄加熱ブロック１５ａでは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において多量の洗浄液を用いる。そのため、洗浄加熱ブロック１５ａは、洗浄液を供給する用力設備（後述する図６の洗浄液供給源Ｒ１等）に確実に接続する必要がある。一方、搬入搬出ブロック１５ｂでは、用力をほとんど使用しない。そのため、搬入搬出ブロック１５ｂは、用力設備に簡易的に接続することができる。これにより、搬入搬出ブロック１５ｂと用力設備との間においては、切り離しおよび再接続を容易に行うことができる。   In the cleaning heating block 15a, a large amount of cleaning liquid is used in the cleaning / drying processing units SD1 and SD2. For this reason, the cleaning heating block 15a needs to be reliably connected to a power facility for supplying a cleaning liquid (such as a cleaning liquid supply source R1 in FIG. 6 described later). On the other hand, the loading / unloading block 15b uses little utility. Therefore, the carry-in / carry-out block 15b can be simply connected to utility equipment. Thereby, disconnection and reconnection can be easily performed between the loading / unloading block 15b and the utility equipment.

したがって、搬入搬出ブロック１５ｂを移動させることは、洗浄加熱ブロック１５ａを移動させることに比べて容易である。そのため、メンテナンス時に、洗浄加熱ブロック１５ａを移動させずに搬入搬出ブロック１５ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。   Therefore, moving the loading / unloading block 15b is easier than moving the cleaning heating block 15a. Therefore, by moving only the loading / unloading block 15b without moving the cleaning / heating block 15a during maintenance, the labor and working time of the operator can be greatly reduced.

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。   2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 viewed from the + X direction, and FIG. 3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 1 viewed from the −X direction. 2 mainly shows what is provided on the + X side of the substrate processing apparatus 500, and FIG. 3 mainly shows what is provided on the −X side of the substrate processing apparatus 500.

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。   First, the configuration on the + X side of the substrate processing apparatus 500 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, in the antireflection film coating processing unit 50 (see FIG. 1) of the antireflection film processing block 10, three coating units BARC are vertically stacked. Each coating unit BARC includes a spin chuck 51 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 52 that supplies a coating liquid for an antireflection film to the substrate W held on the spin chuck 51.

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。   In the resist film coating processing section 60 (see FIG. 1) of the resist film processing block 11, three coating units RES are stacked in a vertical direction. Each coating unit RES includes a spin chuck 61 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 62 that supplies a coating liquid for a resist film to the substrate W held on the spin chuck 61.

現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。   In the development processing unit 70 of the development processing block 12, five development processing units DEV are stacked one above the other. Each development processing unit DEV includes a spin chuck 71 that rotates by sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 72 that supplies the developer to the substrate W held on the spin chuck 71.

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。   In the resist cover film coating processing unit 80 of the resist cover film processing block 13, three coating units COV are stacked one above the other. Each coating unit COV includes a spin chuck 81 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 82 that supplies a coating liquid for the resist cover film to the substrate W held on the spin chuck 81. As a coating solution for the resist cover film, a material having a low affinity with the resist and water (a material having low reactivity with the resist and water) can be used. For example, a fluororesin. The coating unit COV forms a resist cover film on the resist film formed on the substrate W by applying a coating liquid onto the substrate W while rotating the substrate W.

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。   In the resist cover film removal processing unit 90 of the resist cover film removal block 14, three removal units REM are vertically stacked. Each removal unit REM includes a spin chuck 91 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, and a supply nozzle 92 that supplies a peeling liquid (for example, a fluororesin) to the substrate W held on the spin chuck 91. The removal unit REM removes the resist cover film formed on the substrate W by applying a stripping solution onto the substrate W while rotating the substrate W.

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。   The method for removing the resist cover film in the removal unit REM is not limited to the above example. For example, the resist cover film may be removed by supplying a stripping solution onto the substrate W while moving the slit nozzle above the substrate W.

インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａの＋Ｘ側には、５個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。搬入搬出ブロック１５ｂの＋Ｘ側には、基板載置部ＰＡＳＳ１２および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に配置される。   On the + X side of the cleaning heating block 15a of the interface block 15, five cleaning / drying processing units SD2 are stacked one above the other. On the + X side of the carry-in / carry-out block 15b, the substrate platform PASS12 and the return buffer unit RBF are arranged vertically.

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。   Next, the configuration on the −X side of the substrate processing apparatus 500 will be described with reference to FIG. 3. As shown in FIG. 3, two heating units (hot plates) HP and two cooling units (cooling plates) CP are provided in the antireflection film heat treatment units 100 and 101 of the antireflection film processing block 10, respectively. Laminated. Further, in the antireflection film heat treatment units 100 and 101, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。   Two heating units HP and two cooling units CP are stacked in the resist film heat treatment sections 110 and 111 of the resist film processing block 11, respectively. In addition, in the resist film heat treatment units 110 and 111, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。   In the development heat treatment sections 120 and 121 of the development processing block 12, two heating units HP and two cooling units CP are respectively stacked. Further, in the development heat treatment sections 120 and 121, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。   In the resist cover film heat treatment sections 130 and 131 of the resist cover film processing block 13, two heating units HP and two cooling units CP are respectively stacked. In addition, in the resist cover film heat treatment sections 130 and 131, local controllers LC for controlling the temperatures of the heating unit HP and the cooling unit CP are respectively arranged at the top.

レジストカバー膜除去ブロック１４の熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、洗浄加熱ブロック１５ａに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１および２個のエッジ露光部ＥＥＷが上下に積層配置される。   In the heat treatment section 140 of the resist cover film removal block 14, two heating units HP and two cooling units CP are stacked one above the other. In addition, the substrate platform PASS11 and the two edge exposure units EEW are stacked one above the other so as to be adjacent to the cleaning heating block 15a.

インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａの−Ｘ側には、５個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が上下に積層配置される。搬入搬出ブロック１５ｂの＋Ｘ側には、ベベル検査ユニットＩＭ、４個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび送りバッファ部ＳＢＦが上下に配置される。   On the −X side of the cleaning heating block 15a of the interface block 15, five cleaning / drying processing units SD1 are stacked in a vertical direction. On the + X side of the carry-in / carry-out block 15b, a bevel inspection unit IM, four placement / cooling units P-CP, and a feed buffer unit SBF are arranged vertically.

なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、ベベル検査ユニットＩＭ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの個数は適宜変更してもよい。   Coating units BARC, RES, COV, development processing unit DEV, removal unit REM, heating unit HP, cooling unit CP, edge exposure unit EEW, cleaning / drying processing units SD1, SD2, bevel inspection unit IM, mounting and cooling The number of the unit P-CP and the placement / heating unit P-PEB may be changed as appropriate.

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。 (2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。   On the carrier mounting table 40 of the indexer block 9, a carrier C that stores a plurality of substrates W in multiple stages is loaded. The indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W stored in the carrier C using the hand IRH. Thereafter, the indexer robot IR rotates in the ± θ direction while moving in the ± X direction, and places the unprocessed substrate W on the substrate platform PASS1.

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。   In the present embodiment, a front opening unified pod (FOUP) is adopted as the carrier C. However, the present invention is not limited to this, and an OC (open cassette) that exposes the standard mechanical interface (SMIF) pod and the storage substrate W to the outside air. ) Etc. may be used.

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。   Further, the indexer robot IR, the first to seventh center robots CR1 to CR7, and the interface transport mechanism IFR are each provided with a direct-acting transport robot that slides linearly with respect to the substrate W and moves the hand back and forth. Although it is used, the present invention is not limited to this, and an articulated transfer robot that linearly moves the hand forward and backward by moving the joint may be used.

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。   The unprocessed substrate W placed on the substrate platform PASS1 is received by the first central robot CR1 of the antireflection film processing block 10. The first center robot CR1 carries the substrate W into the antireflection film heat treatment units 100 and 101.

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。   Thereafter, the first central robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the antireflection film heat treatment units 100 and 101, and carries the substrate W into the antireflection film application processing unit 50. In the antireflection film coating processing unit 50, an antireflection film is applied and formed on the substrate W by the coating unit BARC in order to reduce standing waves and halation generated during exposure.

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。   Next, the first central robot CR1 takes out the coated substrate W from the antireflection film coating processing unit 50 and carries the substrate W into the antireflection film heat treatment units 100 and 101. Thereafter, the first central robot CR1 takes out the heat-treated substrate W from the antireflection film heat treatment units 100 and 101, and places the substrate W on the substrate platform PASS3.

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS3 is received by the second central robot CR2 of the resist film processing block 11. The second central robot CR2 carries the substrate W into the resist film heat treatment units 110 and 111.

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。   Thereafter, the second central robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the resist film heat treatment units 110 and 111, and carries the substrate W into the resist film coating treatment unit 60. In the resist film application processing unit 60, a resist film is applied and formed on the substrate W on which the antireflection film is applied and formed by the application unit RES.

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。   Next, the second central robot CR2 takes out the coated substrate W from the resist film coating processing unit 60, and carries the substrate W into the resist film heat treatment units 110 and 111. Thereafter, the second central robot CR2 takes out the heat-treated substrate W from the resist film heat treatment units 110 and 111, and places the substrate W on the substrate platform PASS5.

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS5 is received by the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third central robot CR3 places the substrate W on the substrate platform PASS7.

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS7 is received by the fourth central robot CR4 of the resist cover film processing block 13. The fourth central robot CR4 carries the substrate W into the resist cover film coating processing unit 80. In this resist cover film coating processing section 80, a resist cover film is applied and formed on the substrate W on which the resist film has been applied and formed by the coating unit COV.

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。   Next, the fourth central robot CR4 takes out the coated substrate W from the resist cover film coating processing unit 80 and carries the substrate W into the resist cover film heat treatment units 130 and 131. Thereafter, the fourth central robot CR4 takes out the heat-treated substrate W from the resist cover film heat treatment units 130 and 131, and places the substrate W on the substrate platform PASS9.

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS9 is received by the fifth central robot CR5 of the resist cover film removal block 14. The fifth central robot CR5 carries the substrate W into the edge exposure unit EEW. In the edge exposure unit EEW, the peripheral portion of the substrate W is subjected to exposure processing. Thereafter, the fifth central robot CR5 takes out the edge-exposed substrate W from the edge exposure unit EEW and places the substrate W on the substrate platform PASS11.

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄加熱ブロック１５ａの第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。   The substrate W placed on the substrate platform PASS11 is received by the sixth central robot CR6 of the cleaning heating block 15a. The sixth central robot CR6 carries the substrate W into one of the cleaning / drying processing units SD1. In the cleaning / drying processing unit SD1, cleaning and drying processing of the substrate W before the exposure processing is performed as described above.

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを搬入搬出ブロック１５ｂのベベル検査ユニットＩＭに搬入する。ベベル検査ユニットＩＭにおいては、基板Ｗのベベル部（外周端部）の検査が行われ、基板Ｗのベベル部に膜剥れ等の異常がないか確認される。   Next, the sixth central robot CR6 takes out the substrate W that has been cleaned and dried from the cleaning / drying processing unit SD1, and carries the substrate W into the bevel inspection unit IM of the loading / unloading block 15b. In the bevel inspection unit IM, the bevel portion (outer peripheral end portion) of the substrate W is inspected, and it is confirmed whether the bevel portion of the substrate W has an abnormality such as film peeling.

ベベル検査ユニットＩＭにおいてベベル部の異常が確認された場合、その基板Ｗは、別途所定の処置がとられる。例えばその基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりベベル検査ユニットＩＭから取り出された後に、送りバッファ部ＳＢＦに搬入される。そして、ロット終了後に作業者によって回収される。   When an abnormality in the bevel portion is confirmed in the bevel inspection unit IM, the substrate W is separately subjected to a predetermined treatment. For example, the substrate W is taken out from the bevel inspection unit IM by the sixth central robot CR6 and then carried into the sending buffer unit SBF. Then, after the lot is finished, it is collected by the operator.

ベベル部に異常がない基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりベベル検査ユニットＩＭから取り出され、その後、以下のように処理される。   The substrate W having no abnormality in the bevel portion is taken out from the bevel inspection unit IM by the sixth central robot CR6 and then processed as follows.

露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。そのため、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは搬入搬出ブロック１５ｂの送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６が、ベベル検査ユニットＩＭから取り出した検査済みの基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。   The exposure processing time by the exposure device 16 is usually longer than other processing steps and transport steps. Therefore, there are many cases where the exposure apparatus 16 cannot accept the subsequent substrate W. In this case, the substrate W is temporarily stored and stored in the sending buffer unit SBF of the loading / unloading block 15b. In the present embodiment, the sixth central robot CR6 transports the inspected substrate W taken out from the bevel inspection unit IM to the sending buffer unit SBF.

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。   Next, the sixth central robot CR6 takes out the substrate W stored and stored in the sending buffer unit SBF and carries the substrate W into the placement / cooling unit P-CP. The substrate W carried into the placement / cooling unit P-CP is maintained at the same temperature (for example, 23 ° C.) as that in the exposure apparatus 16.

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、ベベル検査ユニットＩＭから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。   When the exposure apparatus 16 has a sufficient processing speed, the substrate W is transported from the bevel inspection unit IM to the placement / cooling unit P-CP without storing and storing the substrate W in the sending buffer unit SBF. Also good.

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、搬入搬出ブロック１５ｂのインターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａに搬入される。   Subsequently, the substrate W maintained at the predetermined temperature by the placement / cooling unit P-CP is received by the upper hand H1 of the interface transport mechanism IFR of the carry-in / carry-out block 15b, and the substrate carry-in portion in the exposure apparatus 16 It is carried into 16a.

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２により基板搬出部１６ｂから搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。   The substrate W that has been subjected to the exposure processing in the exposure device 16 is unloaded from the substrate unloading portion 16b by the lower hand H2 of the interface transport mechanism IFR. The interface transport mechanism IFR places the substrate W on the substrate platform PASS12.

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、洗浄加熱ブロック１５ａの第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。   The substrate W placed on the substrate platform PASS12 is received by the seventh central robot CR7 of the cleaning heating block 15a. The seventh central robot CR7 carries the substrate W into one of the cleaning / drying processing units SD2. In the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W after the exposure processing is cleaned and dried as described above.

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬入する。載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの詳細については後述する。   Next, the seventh central robot CR7 takes out the substrate W that has been cleaned and dried from the cleaning / drying processing unit SD2, and carries the substrate W into the placement / heating unit P-PEB. In the placement / heating unit P-PEB, a post-exposure bake (PEB) process is performed on the substrate W. Details of the mounting / heating unit P-PEB will be described later.

本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６の動作工程が、基板載置部ＰＡＳＳ１１から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬送、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１からベベル検査ユニットＩＭへの基板Ｗの搬送、ベベル検査ユニットＩＭから送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬送、送りバッファ部ＳＢＦから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板Ｗの搬送、および載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから基板載置部ＰＡＳＳ１１への回転移動の５工程になる。   In the present embodiment, the operation process of the sixth central robot CR6 includes the transfer of the substrate W from the substrate platform PASS11 to the cleaning / drying processing unit SD1, and the substrate from the cleaning / drying processing unit SD1 to the bevel inspection unit IM. Transport of W, transport of substrate W from bevel inspection unit IM to transport buffer unit SBF, transport of substrate W from transport buffer unit SBF to mounting / cooling unit P-CP, and from mounting / cooling unit P-CP There are five steps of rotational movement to the substrate platform PASS11.

この場合、例えば１つの工程を３．６秒で行うことが可能な第６のセンターロボットＣＲ６を用いると、１時間で２００枚の基板Ｗを搬送することができる。   In this case, for example, when the sixth central robot CR6 capable of performing one process in 3.6 seconds is used, 200 substrates W can be transferred in one hour.

また、第７のセンターロボットＣＲ７の動作工程が、基板載置部ＰＡＳＳ１２から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬送、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢへの基板Ｗの搬送、および載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから基板載置部ＰＡＳＳ１２への回転移動の３工程になる。   Further, the operation process of the seventh central robot CR7 is to transfer the substrate W from the substrate platform PASS12 to the cleaning / drying processing unit SD2, and to transfer the substrate W from the cleaning / drying processing unit SD2 to the mounting / heating unit P-PEB. There are three steps of transporting W and rotational movement from the placement / heating unit P-PEB to the substrate platform PASS12.

この場合、例えば１つの工程を３．６秒で行うことが可能な第７のセンターロボットＣＲ７を用いると、１時間で３３３枚の基板Ｗを搬送することができる。   In this case, for example, if the seventh central robot CR7 capable of performing one process in 3.6 seconds is used, 333 substrates W can be transferred in one hour.

また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作工程が、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６への基板Ｗの搬送、露光装置１６から基板載置部ＰＡＳＳ１２への基板Ｗの搬送、および基板載置部ＰＡＳＳ１２から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの回転移動の３工程になる。   Further, the operation process of the interface transport mechanism IFR includes transport of the substrate W from the placement / cooling unit P-CP to the exposure apparatus 16, transport of the substrate W from the exposure apparatus 16 to the substrate platform PASS12, and substrate mounting. There are three steps of rotational movement from the placement part PASS12 to the placement / cooling unit P-CP.

この場合、例えば１つの工程を４．８秒で行うことが可能なインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いると、１時間で２５０枚の基板Ｗを搬送することができる。   In this case, for example, when the interface transport mechanism IFR capable of performing one process in 4.8 seconds is used, 250 substrates W can be transported in one hour.

これらにより、インターフェースブロック１５において、短時間で効率良く複数の基板Ｗを搬送することができる。   As a result, a plurality of substrates W can be efficiently transported in the interface block 15 in a short time.

露光後ベーク処理が行われた基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。   The substrate W that has been subjected to post-exposure baking is received from the placement / heating unit P-PEB by the fifth central robot CR5 of the resist cover film removal block 14. The fifth central robot CR5 carries the substrate W into the resist cover film removal processing unit 90. In the resist cover film removal processing unit 90, the resist cover film is removed.

なお、除去ユニットＲＥＭの故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。   When the resist cover film removal block 14 cannot temporarily receive the substrate W due to a failure of the removal unit REM or the like, the substrate W after the exposure processing can be temporarily stored and stored in the return buffer unit RBF. .

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。   Next, the fifth central robot CR5 takes out the processed substrate W from the resist cover film removal processing unit 90 and places the substrate W on the substrate platform PASS10.

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS10 is placed on the substrate platform PASS8 by the fourth central robot CR4 of the resist cover film processing block 13.

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS8 is received by the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third central robot CR3 carries the substrate W into the development processing unit 70. In the development processing unit 70, development processing is performed on the exposed substrate W.

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。   Next, the third central robot CR3 takes out the development-processed substrate W from the development processing unit 70, and carries the substrate W into the development heat treatment units 120 and 121. Thereafter, the third central robot CR3 takes out the substrate W after the heat treatment from the development heat treatment units 120 and 121, and places the substrate W on the substrate platform PASS6.

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。   The substrate W placed on the substrate platform PASS6 is placed on the substrate platform PASS4 by the second central robot CR2 of the resist film processing block 11. The substrate W placed on the substrate platform PASS4 is placed on the substrate platform PASS2 by the first central robot CR1 of the anti-reflection film processing block 10.

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。   The substrate W placed on the substrate platform PASS 2 is stored in the carrier C by the indexer robot IR of the indexer block 9. Thereby, each process of the board | substrate W in the substrate processing apparatus 500 is complete | finished.

（３）載置兼加熱ユニットの詳細
図４は、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの外観斜視図であり、図５は、ＹＺ平面における載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの断面図である。 (3) Details of Mounting / Heating Unit FIG. 4 is an external perspective view of the mounting / heating unit P-PEB, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the mounting / heating unit P-PEB in the YZ plane.

図４および図５に示すように、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢは、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０、加熱部２２０および搬送機構２３０を備える。搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０は、Ｙ方向に沿って並べて配置されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the placement / heating unit P-PEB includes an unloading placement unit 200, a loading placement unit 210, a heating unit 220, and a transport mechanism 230. The carry-out placement unit 200, the carry-in placement unit 210, and the heating unit 220 are arranged side by side along the Y direction.

搬出用載置部２００は、冷却プレート２０１を含む。冷却プレートの内部には、冷却配管ＷＰが設けられている。冷却配管ＷＰを通して冷却媒体（例えば冷却水）を循環させることにより、冷却プレート２０１を冷却することができる。冷却プレート２０１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２０２が設けられている。   The unloading placement unit 200 includes a cooling plate 201. A cooling pipe WP is provided inside the cooling plate. The cooling plate 201 can be cooled by circulating a cooling medium (for example, cooling water) through the cooling pipe WP. A plurality of (three in this example) lifting pins 202 are provided so as to protrude upward from the cooling plate 201.

搬入用載置部２１０は、載置プレート２１１を含む。載置プレート２１１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２１２が設けられている。   The loading placement unit 210 includes a placement plate 211. Plural (three in this example) lifting pins 212 are provided so as to protrude upward from the mounting plate 211.

加熱部２２０は、加熱プレート２２１を含む。加熱プレート２２１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２２２が設けられている。加熱プレート２２１の上方には、上蓋２２４が設けられている。上蓋２２４は上蓋昇降駆動部２２５に取り付けられている。上蓋昇降駆動部２２５により、上蓋２２４が昇降駆動される。   The heating unit 220 includes a heating plate 221. Plural (three in this example) lifting pins 222 are provided so as to protrude upward from the heating plate 221. An upper lid 224 is provided above the heating plate 221. The upper lid 224 is attached to the upper lid raising / lowering drive unit 225. The upper lid 224 is driven up and down by the upper lid raising / lowering drive unit 225.

図５に示すように、複数の昇降ピン２０２はピン支持板２０３に取り付けられ、複数の昇降ピン２１２はピン支持板２１３に取り付けられている。複数の昇降ピン２２２はピン支持板２２３に取り付けられている。ピン支持板２０３，２１３，２２３は、昇降ピン駆動機構２４０によりそれぞれ独立に昇降駆動される。   As shown in FIG. 5, the plurality of lifting pins 202 are attached to a pin support plate 203, and the plurality of lifting pins 212 are attached to a pin support plate 213. The plurality of lifting pins 222 are attached to the pin support plate 223. The pin support plates 203, 213, and 223 are lifted and lowered independently by the lift pin driving mechanism 240.

図４に示すように、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０の側方には、Ｙ方向に沿うようにガイドレール２３１が敷設されている。搬送機構２３０は、ガイドレール２３１に沿って移動可能に設けられている。   As shown in FIG. 4, guide rails 231 are laid along the Y direction on the sides of the loading platform 200, the loading platform 210, and the heating unit 220. The transport mechanism 230 is movably provided along the guide rail 231.

搬送機構２３０は、搬送ハンド２３２およびハンド駆動部２３３を有する。搬送ハンド２３２は、ハンド駆動部２３３により昇降されるとともに、ハンド駆動部２３３と一体的にＹ方向に沿って移動する。搬送ハンド２３２は、基板Ｗを保持した状態で、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０の間を移動する。搬送ハンド２３２には、昇降ピン２０２，２１２，２２２と干渉しないように切り込みが形成されている。   The transport mechanism 230 includes a transport hand 232 and a hand drive unit 233. The transport hand 232 is moved up and down by the hand drive unit 233 and moves along the Y direction integrally with the hand drive unit 233. The transport hand 232 moves between the unloading placement unit 200, the loading placement unit 210, and the heating unit 220 while holding the substrate W. Cuts are formed in the transport hand 232 so as not to interfere with the lift pins 202, 212, and 222.

次に、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの動作について説明する。まず、図１の第７のセンターロボットＣＲ７が、ハンドＣＲＨ１３またはハンドＣＲＨ１４によりＸ方向に沿って載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに基板Ｗを搬入し、搬入載置部２１０の昇降ピン２１２上に載置する。   Next, the operation of the placement / heating unit P-PEB will be described. First, the seventh central robot CR7 of FIG. 1 carries the substrate W into the placement / heating unit P-PEB along the X direction by the hand CRH13 or the hand CRH14, and is placed on the lifting pins 212 of the loading placement unit 210. Place.

第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１３またはハンドＣＲＨ１４が退出した後、搬送ハンド２３２が基板Ｗと載置プレート２１１との間に移動し、支持ピン２１２上の基板Ｗを受け取る。   After the hand CRH13 or the hand CRH14 of the seventh central robot CR7 has left, the transport hand 232 moves between the substrate W and the mounting plate 211 and receives the substrate W on the support pins 212.

続いて、上蓋２２４が加熱プレート２２１から離間した状態で、搬送ハンド２３２が加熱プレート２２１上に移動し、支持ピン２２２上に基板Ｗを載置する。   Subsequently, in a state where the upper lid 224 is separated from the heating plate 221, the transport hand 232 moves onto the heating plate 221 and places the substrate W on the support pins 222.

続いて、搬送ハンド２３２が加熱部２２０から退避するとともに、上蓋２２４が下降して加熱プレート２２１上の空間を閉塞する。そして、昇降ピン２２２が下降して基板Ｗを加熱プレート２２１上に載置する。その状態で、加熱プレート２２１により基板Ｗが加熱される。   Subsequently, the transport hand 232 is retracted from the heating unit 220 and the upper lid 224 is lowered to close the space on the heating plate 221. Then, the lift pins 222 are lowered to place the substrate W on the heating plate 221. In this state, the substrate W is heated by the heating plate 221.

所定時間経過後、基板Ｗの加熱が停止され、上蓋２２４が上昇する。続いて、昇降ピン２２２が上昇して基板Ｗを加熱プレート２２１から離間させる。そして、加熱プレート２２１と基板Ｗとの間に搬送ハンド２３２が移動し、昇降ピン２２２上の基板Ｗを受け取る。   After a predetermined time has elapsed, the heating of the substrate W is stopped, and the upper lid 224 is raised. Subsequently, the elevating pins 222 are raised to separate the substrate W from the heating plate 221. Then, the transport hand 232 moves between the heating plate 221 and the substrate W to receive the substrate W on the lift pins 222.

続いて、加熱後の基板Ｗを保持した状態で搬送ハンド２３２が搬出用載置部２００の冷却プレート２０１上に移動し、支持ピン２０２上に基板Ｗを載置する。続いて、支持ピン２０２が下降して基板Ｗを冷却プレート２０１上に載置する。その状態で、冷却プレート２０１が冷却されることにより、基板Ｗが冷却される。   Subsequently, the transport hand 232 moves onto the cooling plate 201 of the unloading placement unit 200 while holding the heated substrate W, and places the substrate W on the support pins 202. Subsequently, the support pins 202 are lowered to place the substrate W on the cooling plate 201. In this state, the cooling plate 201 is cooled, whereby the substrate W is cooled.

所定時間経過後、基板Ｗの冷却が停止され、支持ピン２０２が上昇して基板Ｗを冷却プレート２０１から離間させる。そして、図１の第５のセンターロボットＣＲ５が、ハンドＣＲ９またはハンドＣＲ１０により、支持ピン２０２上から基板Ｗを受け取り、Ｙ方向に沿って載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから搬出する。   After a predetermined time elapses, the cooling of the substrate W is stopped, and the support pins 202 are raised to separate the substrate W from the cooling plate 201. Then, the fifth central robot CR5 in FIG. 1 receives the substrate W from the support pins 202 by the hand CR9 or the hand CR10, and carries it out from the placement / heating unit P-PEB along the Y direction.

載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、第７のセンターロボットＣＲ７に近接する位置に搬入用載置部２１０が設けられ、第５のセンターロボットＣＲ５に近接する位置に搬出用載置部２００が設けられている。それにより、第７のセンターロボットＣＲ７による搬入用載置部２１０への基板Ｗの搬入および第５のセンターロボットＣＲ５による搬出用載置部２００からの基板Ｗの搬出が容易になる。その結果、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに対する基板Ｗの搬入および搬出を迅速に行うことが可能になる。   In the placement / heating unit P-PEB, a loading placement unit 210 is provided at a position close to the seventh center robot CR7, and a loading placement unit 200 is placed at a position close to the fifth center robot CR5. Is provided. This facilitates the loading of the substrate W into the loading platform 210 by the seventh center robot CR7 and the unloading of the substrate W from the loading platform 200 by the fifth center robot CR5. As a result, it becomes possible to quickly carry in and carry out the substrate W with respect to the placement / heating unit P-PEB.

なお、本実施の形態では、冷却プレート２０１によって基板Ｗが冷却されるが、基板Ｗの冷却方法はこれに限らず、搬送ハンド２３２に基板Ｗを冷却するための冷却機能を付与してもよい。   In the present embodiment, the cooling plate 201 cools the substrate W, but the cooling method of the substrate W is not limited to this, and a cooling function for cooling the substrate W may be provided to the transport hand 232. .

（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図である。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。 (4) Cleaning / Drying Processing Unit Next, the cleaning / drying processing unit SD1 will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 6 is a side view showing the configuration of the cleaning / drying processing unit SD1. The cleaning / drying processing unit SD2 has the same configuration as the cleaning / drying processing unit SD1.

図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。   As shown in FIG. 6, the cleaning / drying processing unit SD1 includes a spin chuck 621 for holding the substrate W horizontally and rotating the substrate W about a vertical rotation axis passing through the center of the substrate W.

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。   The spin chuck 621 is fixed to the upper end of the rotation shaft 625 rotated by the chuck rotation drive mechanism 636. In addition, the spin chuck 621 is formed with an intake path (not shown), and the substrate W is placed on the spin chuck 621 to exhaust the inside of the intake path so that the lower surface of the substrate W is covered with the spin chuck 621. The substrate W can be held in a horizontal posture.

スピンチャック６２１の外方には、モータ６６０が設けられている。モータ６６０には、回動軸６６１が接続されている。また、回動軸６６１には、アーム６６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。   A motor 660 is provided outside the spin chuck 621. A rotation shaft 661 is connected to the motor 660. Further, an arm 662 is connected to the rotation shaft 661 so as to extend in the horizontal direction, and a cleaning processing nozzle 650 is provided at the tip of the arm 662.

モータ６６０により回動軸６６１が回転するとともにアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。   The rotation shaft 661 is rotated by the motor 660 and the arm 662 is rotated, and the cleaning processing nozzle 650 is moved above the substrate W held by the spin chuck 621.

モータ６６０、回動軸６６１およびアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。   A cleaning treatment supply pipe 663 is provided so as to pass through the motor 660, the rotation shaft 661, and the arm 662. The cleaning processing supply pipe 663 is connected to the cleaning liquid supply source R1 and the rinsing liquid supply source R2 via the valves Va and Vb.

このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図６の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。   By controlling the opening and closing of the valves Va and Vb, the processing liquid supplied to the cleaning processing supply pipe 663 can be selected and the supply amount can be adjusted. In the configuration of FIG. 6, the cleaning liquid can be supplied to the cleaning processing supply pipe 663 by opening the valve Va, and the rinsing liquid can be supplied to the cleaning processing supply pipe 663 by opening the valve Vb. it can.

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。   The cleaning liquid or the rinse liquid is supplied to the cleaning process nozzle 650 from the cleaning liquid supply source R1 or the rinse liquid supply source R2 through the cleaning process supply pipe 663. Thereby, the cleaning liquid or the rinsing liquid can be supplied to the surface of the substrate W. As the cleaning liquid, for example, pure water, a liquid obtained by dissolving a complex (ionized) in pure water, a fluorine-based chemical liquid, or the like is used. As the rinsing liquid, for example, pure water, carbonated water, hydrogen water, electrolytic ion water, or HFE (hydrofluoroether) is used.

スピンチャック６２１の外方には、モータ６７１が設けられている。モータ６７１には、回動軸６７２が接続されている。また、回動軸６７２には、アーム６７３が水平方向に延びるように連結され、アーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。   A motor 671 is provided outside the spin chuck 621. A rotation shaft 672 is connected to the motor 671. Further, an arm 673 is connected to the rotation shaft 672 so as to extend in the horizontal direction, and a drying processing nozzle 670 is provided at the tip of the arm 673.

モータ６７１により回動軸６７２が回転するとともに、アーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。   The rotation shaft 672 is rotated by the motor 671, the arm 673 is rotated, and the drying processing nozzle 670 moves above the substrate W held by the spin chuck 621.

モータ６７１、回動軸６７２およびアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。   A drying processing supply pipe 674 is provided so as to pass through the motor 671, the rotation shaft 672, and the arm 673. The drying processing supply pipe 674 is connected to an inert gas supply source R3 via a valve Vc. By controlling the opening and closing of the valve Vc, the supply amount of the inert gas supplied to the drying treatment supply pipe 674 can be adjusted.

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。   The inert gas is supplied to the drying processing nozzle 670 from the inert gas supply source R3 through the drying processing supply pipe 674. Thereby, an inert gas can be supplied to the surface of the substrate W. As the inert gas, for example, nitrogen gas is used.

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。   When supplying the cleaning liquid or the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the cleaning processing nozzle 650 is positioned above the substrate. When supplying the inert gas to the surface of the substrate W, the cleaning processing nozzle 650 is Retreated to a predetermined position.

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。   Further, when supplying the cleaning liquid or the rinsing liquid to the surface of the substrate W, the drying processing nozzle 670 is retracted to a predetermined position, and when supplying the inert gas to the surface of the substrate W, the drying processing nozzle 670 is located above the substrate W.

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。   The substrate W held on the spin chuck 621 is accommodated in the processing cup 623. A cylindrical partition wall 633 is provided inside the processing cup 623. A drainage space 631 for draining the processing liquid (cleaning liquid or rinsing liquid) used for processing the substrate W is formed so as to surround the periphery of the spin chuck 621. Further, a recovery liquid space 632 for recovering the processing liquid used for processing the substrate W is formed between the processing cup 623 and the partition wall 633 so as to surround the drainage space 631.

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。   The drainage space 631 is connected to a drainage pipe 634 for guiding the processing liquid to a drainage processing apparatus (not shown), and the recovery liquid space 632 is supplied with the processing liquid to the recovery processing apparatus (not shown). A collection pipe 635 for guiding is connected.

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。   A guard 624 for preventing the processing liquid from the substrate W from splashing outward is provided above the processing cup 623. The guard 624 has a rotationally symmetric shape with respect to the rotation shaft 625. A drainage guide groove 641 having a square cross section is formed in an annular shape on the inner surface of the upper end portion of the guard 624.

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。   In addition, a recovery liquid guide portion 642 is formed on the inner surface of the lower end portion of the guard 624. The recovery liquid guide portion 642 includes an inclined surface that is inclined outward and downward. A partition wall storage groove 643 for receiving the partition wall 633 of the processing cup 623 is formed near the upper end of the recovered liquid guide portion 642.

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図６に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。   The guard 624 is provided with a guard lifting / lowering drive mechanism (not shown) configured by a ball screw mechanism or the like. The guard lifting / lowering drive mechanism includes a guard 624, a recovery position where the recovery liquid guide portion 642 faces the outer peripheral end surface of the substrate W held by the spin chuck 621, and the substrate W where the drainage guide groove 641 is held by the spin chuck 621. The liquid is moved up and down with respect to the drainage position facing the outer peripheral end face. When the guard 624 is at the recovery position (the guard position shown in FIG. 6), the processing liquid splashed outward from the substrate W is guided to the recovery liquid space 632 by the recovery liquid guide 642 and recovered through the recovery pipe 635. Is done. On the other hand, when the guard 624 is at the drainage position, the processing liquid splashed outward from the substrate W is guided to the drainage space 631 by the drainage guide groove 641 and drained through the drainage pipe 634. With the above configuration, the processing liquid is drained and collected.

次に、上記構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の処理動作は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の処理動作と同様である。   Next, the processing operation of the cleaning / drying processing unit SD1 having the above configuration will be described. The operation of each component of the cleaning / drying processing unit SD1 described below is controlled by the main controller (control unit) 30 in FIG. The processing operation of the cleaning / drying processing unit SD2 is the same as the processing operation of the cleaning / drying processing unit SD1.

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。   First, when the substrate W is carried in, the guard 624 is lowered, and the sixth central robot CR6 in FIG. 1 places the substrate W on the spin chuck 621. The substrate W placed on the spin chuck 621 is sucked and held by the spin chuck 621.

次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。   Next, the guard 624 moves to the above-described liquid discharge position, and the cleaning nozzle 650 moves above the center of the substrate W. Thereafter, the rotation shaft 625 rotates, and the substrate W held by the spin chuck 621 rotates with this rotation. Thereafter, the cleaning liquid is discharged from the cleaning nozzle 650 onto the upper surface of the substrate W. Thereby, the substrate W is cleaned.

なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。   In the cleaning / drying processing unit SD1, the components of the resist cover film on the substrate W are eluted in the cleaning liquid during this cleaning. In cleaning the substrate W, the cleaning liquid is supplied onto the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid on the substrate W always moves to the periphery of the substrate W due to centrifugal force and scatters. Therefore, it is possible to prevent the components of the resist cover film eluted in the cleaning liquid from remaining on the substrate W.

なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。   The components of the resist cover film may be eluted by, for example, depositing pure water on the substrate W and holding it for a certain time. The supply of the cleaning liquid onto the substrate W may be performed by a soft spray method using a two-fluid nozzle.

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。   After a predetermined time has elapsed, the supply of the cleaning liquid is stopped, and the rinsing liquid is discharged from the cleaning processing nozzle 650. Thereby, the cleaning liquid on the substrate W is washed away.

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。   Further, after a predetermined time has elapsed, the rotational speed of the rotating shaft 625 decreases. As a result, the amount of the rinsing liquid shaken off by the rotation of the substrate W is reduced, and a liquid layer L of the rinsing liquid is formed on the entire surface of the substrate W as shown in FIG. Note that the rotation of the rotation shaft 625 may be stopped to form the liquid layer L over the entire surface of the substrate W.

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。   Next, the supply of the rinsing liquid is stopped, the cleaning processing nozzle 650 is retracted to a predetermined position, and the drying processing nozzle 670 is moved above the center of the substrate W. Thereafter, an inert gas is discharged from the drying processing nozzle 670. As a result, as shown in FIG. 7B, the rinse liquid at the center of the substrate W moves to the peripheral edge of the substrate W, and the liquid layer L exists only at the peripheral edge of the substrate W.

次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図７（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。   Next, as the number of rotations of the rotation shaft 625 (see FIG. 6) increases, the drying processing nozzle 670 gradually moves from above the central portion of the substrate W to above the peripheral portion as shown in FIG. 7C. . As a result, a large centrifugal force acts on the liquid layer L on the substrate W, and an inert gas can be blown over the entire surface of the substrate W, so that the liquid layer L on the substrate W can be reliably removed. As a result, the substrate W can be reliably dried.

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗを搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。   Next, the supply of the inert gas is stopped, the drying processing nozzle 670 is retracted to a predetermined position, and the rotation of the rotating shaft 625 is stopped. Thereafter, the guard 624 descends and the sixth central robot CR6 in FIG. Thereby, the processing operation in the cleaning / drying processing unit SD1 is completed. Note that the position of the guard 624 during the cleaning and drying process is preferably changed as appropriate according to the necessity of collecting or draining the processing liquid.

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。   In the above embodiment, the cleaning liquid processing nozzle 650 is commonly used for supplying the cleaning liquid and the rinsing liquid so that both the cleaning liquid and the rinsing liquid can be supplied from the cleaning liquid processing nozzle 650. However, a configuration in which the cleaning liquid supply nozzle and the rinsing liquid supply nozzle are separately provided may be employed.

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。   Further, when supplying the rinsing liquid, pure water may be supplied from a back rinsing nozzle (not shown) to the back surface of the substrate W so that the rinsing liquid does not flow around the back surface of the substrate W.

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。   In addition, when pure water is used as a cleaning liquid for cleaning the substrate W, it is not necessary to supply a rinse liquid.

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。   In the above embodiment, the substrate W is dried by the spin drying method. However, the substrate W may be dried by other drying methods such as a reduced pressure drying method and an air knife drying method.

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。   In the above embodiment, the inert gas is supplied from the drying processing nozzle 670 in a state where the liquid layer L of the rinsing liquid is formed, but the liquid layer L of the rinsing liquid is not formed. Alternatively, when the rinsing liquid is not used, the substrate W is completely dried by immediately supplying an inert gas from the drying nozzle 670 after the substrate W is rotated and the liquid layer of the cleaning liquid is once shaken off. May be.

（５）本実施の形態の効果
本実施の形態では、インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａにおいて、露光処理前の基板Ｗが第６のセンターロボットＣＲ６により搬送され、露光処理後の基板Ｗが第７のセンターロボットＣＲ７により搬送される。また、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ独立に駆動され、露光処理前の基板ＷがハンドＨ１により搬送され、露光処理後の基板ＷがハンドＨ２により搬送される。 (5) Effects of the present embodiment In the present embodiment, in the cleaning heating block 15a of the interface block 15, the substrate W before the exposure process is transported by the sixth central robot CR6, and the substrate W after the exposure process is the first 7 is transferred by the center robot CR7. Further, in the loading / unloading block 15b of the interface block 15, the hands H1 and H2 of the interface transport mechanism IFR are independently driven, the substrate W before the exposure processing is transported by the hand H1, and the substrate W after the exposure processing is transferred to the hand. It is conveyed by H2.

このように、インターフェースブロック１５において、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。この場合、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とが交錯する場合に比べて、第６および第７のセンターロボットＣＲ６，ＣＲ７の動作が簡略化される。それにより、基板Ｗの搬送効率が向上し、スループットを向上させることが可能になる。   In this way, in the interface block 15, the transport path of the substrate W before the exposure process and the transport path of the substrate W after the exposure process are independently secured. In this case, the operations of the sixth and seventh center robots CR6 and CR7 are simplified as compared with the case where the transport path of the substrate W before the exposure process intersects with the transport path of the substrate W after the exposure process. Thereby, the transfer efficiency of the substrate W is improved, and the throughput can be improved.

また、洗浄加熱ブロック１５ａおよび搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが同一の部位に接触することがない。したがって、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーション（相互汚染）を防止することができる。   Further, in the cleaning heating block 15a and the carry-in / carry-out block 15b, the substrate W before the exposure process and the substrate W after the exposure process do not contact the same part. Therefore, cross contamination (cross-contamination) between the substrate W before the exposure process and the substrate W after the exposure process can be prevented.

また、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢが、露光装置１６に隣接するインターフェースブロック１５に設けられているので、露光処理後の基板Ｗを迅速に載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢまで搬送することができる。したがって、露光処理後、迅速に基板ＷのＰＥＢ処理を行うことができる。その結果、速やかにレジスト膜内の化学反応を促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。   Further, since the placement / heating unit P-PEB is provided in the interface block 15 adjacent to the exposure device 16, the substrate W after the exposure processing can be quickly transported to the placement / heating unit P-PEB. it can. Therefore, the PEB processing of the substrate W can be performed quickly after the exposure processing. As a result, the chemical reaction in the resist film can be promptly promoted, and a desired exposure pattern can be obtained.

また、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Ｗを円滑に載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬送することができる。そのため、複数の基板Ｗを連続的に処理する場合に、露光処理からＰＥＢ処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。   Further, since the transport path of the substrate W before the exposure process and the transport path of the substrate W after the exposure process are independent from each other, the substrate W after the exposure process is smoothly transported to the placement and heating unit P-PEB. can do. Therefore, when processing a plurality of substrates W continuously, the time from the exposure process to the PEB process can be made substantially constant. As a result, variations in exposure pattern accuracy can be prevented.

また、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢは、第７のセンターロボットＣＲ７から第５のセンターロボットＣＲ５への基板Ｗの受け渡しのための載置部の役割を担っている。この場合、インターフェースブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４への基板Ｗの搬送経路を簡略化することができる。それにより、スループットをさらに向上させることができる。   Further, the placement / heating unit P-PEB plays a role of a placement unit for transferring the substrate W from the seventh center robot CR7 to the fifth center robot CR5. In this case, the transport path of the substrate W from the interface block 15 to the resist cover film removal block 14 can be simplified. Thereby, the throughput can be further improved.

また、本実施の形態では、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。   Further, in the present embodiment, before the exposure processing of the substrate W is performed in the exposure apparatus 16, the cleaning processing of the substrate W is performed in the cleaning / drying processing unit SD1. During this cleaning process, some of the components of the resist cover film on the substrate W are eluted into the cleaning solution or the rinsing solution and washed away. Therefore, even if the substrate W comes into contact with the liquid in the exposure apparatus 16, the components of the resist cover film on the substrate W are hardly eluted in the liquid. Further, dust and the like attached to the substrate W before the exposure process can be removed. As a result, contamination in the exposure apparatus 16 is prevented.

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。   In the cleaning / drying processing unit SD1, the substrate W is subjected to a drying process after the substrate W is cleaned. As a result, the cleaning liquid or the rinse liquid adhering to the substrate W during the cleaning process is removed, so that the dust in the atmosphere or the like is prevented from adhering again to the substrate W after the cleaning process. As a result, contamination within the exposure apparatus 16 can be reliably prevented.

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。   Further, in the cleaning / drying processing unit SD1, the substrate W is dried by blowing an inert gas from the central portion to the peripheral portion of the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid and the rinsing liquid on the substrate W can be reliably removed, so that it is possible to reliably prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the cleaned substrate W. Thereby, the contamination of the substrate W can be surely prevented, and the occurrence of dry spots on the surface of the substrate W can be prevented.

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。   Further, in the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W after the exposure processing is dried. This prevents the liquid adhering to the substrate W during the exposure process from falling into the substrate processing apparatus 500. In addition, by performing a drying process on the substrate W after the exposure process, it is possible to prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the substrate W after the exposure process, thereby preventing contamination of the substrate W.

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。   In addition, since it is possible to prevent the substrate W to which the liquid is attached from being transported through the substrate processing apparatus 500, the liquid attached to the substrate W during the exposure process affects the atmosphere in the substrate processing apparatus 500. Can be prevented. Thereby, temperature and humidity adjustment in the substrate processing apparatus 500 is facilitated.

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサ用搬送機構ＩＦＲおよび第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。   Further, the liquid adhering to the substrate W during the exposure process is prevented from adhering to the indexer transport mechanism IFR and the first to seventh central robots CR1 to CR7. Therefore, it is possible to prevent the liquid from adhering to the substrate W before the exposure process. This prevents dust and the like in the atmosphere from adhering to the substrate W before the exposure process, so that contamination of the substrate W is prevented. As a result, it is possible to prevent the resolution performance from being deteriorated during the exposure process and to prevent contamination in the exposure apparatus 16.

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。   In addition, while the substrate W is transported from the cleaning / drying processing unit SD2 to the development processing unit 70, it is ensured that the resist component or the resist cover film component elutes in the cleaning liquid and the rinsing liquid remaining on the substrate W. Can be prevented. Thereby, deformation of the exposure pattern formed on the resist film can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent a reduction in line width accuracy during the development process.

これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。   As a result, it is possible to prevent malfunctions such as abnormalities in the electrical system of the substrate processing apparatus 500 and to reliably prevent malfunctions of the substrate W.

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。   Further, in the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is dried by blowing an inert gas from the central portion to the peripheral portion of the substrate W while rotating the substrate W. In this case, the cleaning liquid and the rinsing liquid on the substrate W can be reliably removed, so that it is possible to reliably prevent dust and the like in the atmosphere from adhering to the cleaned substrate W. Thereby, the contamination of the substrate W can be surely prevented, and the occurrence of dry spots on the surface of the substrate W can be prevented.

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。   In the cleaning / drying processing unit SD2, the substrate W is subjected to a cleaning process before the drying process. Therefore, even if dust or the like in the atmosphere adheres to the substrate W to which the liquid has adhered during the exposure process, the adhered matter is removed. Can be removed. Thereby, contamination of the substrate W can be prevented. As a result, it is possible to reliably prevent substrate processing defects.

（６）他の実施の形態
図８は、本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図８に示す基板処理装置５００ａについて、上記実施の形態の基板処理装置５００と異なる点を説明する。 (6) Other Embodiments FIG. 8 is a plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. A difference between the substrate processing apparatus 500a shown in FIG. 8 and the substrate processing apparatus 500 of the above embodiment will be described.

基板処理装置５００ａにおいては、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂに、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの代わりにインターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂが設けられる。また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂと第７のセンターロボットＣＲ７との間の洗浄加熱ブロック１５ａ内の領域に、基板載置部ＰＡＳＳ１２および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に配置される。   In the substrate processing apparatus 500a, interface transport mechanisms IFRa and IFRb are provided in the loading / unloading block 15b of the interface block 15 instead of the interface transport mechanism IFR. In addition, the substrate platform PASS12 and the return buffer unit RBF are vertically arranged in a region in the cleaning heating block 15a between the interface transport mechanism IFRb and the seventh central robot CR7.

インターフェース用搬送機構ＩＦＲａは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに載置された基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを露光装置１６の基板搬入部１６ａに搬入する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂは、露光装置１６の基板搬出部１６ｂから露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを洗浄加熱ブロック１５ａの基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られ、上記実施の形態と同様に処理される。   The interface transport mechanism IFRa receives the substrate W placed on the placement / cooling unit P-CP, and carries the substrate W into the substrate carry-in portion 16a of the exposure apparatus 16. The interface transport mechanism IFRb carries out the substrate W after the exposure processing from the substrate carry-out unit 16b of the exposure apparatus 16, and places the substrate W on the substrate platform PASS12 of the cleaning heating block 15a. The substrate W placed on the substrate platform PASS12 is received by the seventh central robot CR7 and processed in the same manner as in the above embodiment.

このように、基板処理装置５００ａでは、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲａにより搬送され、露光処理後の基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲｂにより搬送される。   As described above, in the substrate processing apparatus 500a, in the loading / unloading block 15b of the interface block 15, the substrate W before the exposure processing is transported by the interface transport mechanism IFRa, and the substrate W after the exposure processing is transported by the interface transport mechanism IFRb. Is done.

この場合、インターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂがそれぞれ独立して基板Ｗの搬送動作を行うことができるので、より効率良く基板Ｗを搬送することができる。したがって、スループットをさらに向上させることができる。   In this case, since the interface transport mechanisms IFRa and IFRb can independently perform the transport operation of the substrate W, the substrate W can be transported more efficiently. Therefore, the throughput can be further improved.

また、搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが別個のインターフェース用搬送機構によって搬送されるため、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーションがより確実に防止される。   In addition, in the loading / unloading block 15b, the substrate W before the exposure process and the substrate W after the exposure process are transported by separate interface transport mechanisms, so that the substrate W before the exposure process and the substrate W after the exposure process are transferred. Cross contamination between them can be prevented more reliably.

（７）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う従来の露光装置を外部装置として設けてもよい。その場合、洗浄加熱ブロック１０に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を設けなくてもよい。 (7) Still another embodiment In the above embodiment, the description has been given of the case where the exposure apparatus 16 that performs the exposure process of the substrate W by the immersion method is provided as an external apparatus of the substrate processing apparatus 500, but is not limited thereto. A conventional exposure apparatus that performs the exposure process on the substrate W without using a liquid may be provided as an external apparatus. In that case, the cleaning / drying processing unit SD2 may not be provided in the cleaning heating block 10.

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。 (8) Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.

上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が第１の処理部の例であり、インターフェースブロック１５が第２の処理部の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットの例であり、載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢが熱処理ユニットの例であり、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が第１の基板搬送機構の例であり、第７のセンターロボットＣＲ７およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が第２の基板搬送機構の例である。   In the above embodiment, the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, the resist cover film processing block 13, and the resist cover film removal block 14 are the first processing unit. The interface block 15 is an example of a second processing unit, the coating unit RES is an example of a photosensitive film forming unit, the cleaning / drying processing unit SD1 is an example of a cleaning processing unit, and The bake unit P-PEB is an example of the heat treatment unit, the hand H1 of the sixth center robot CR6 and the interface transport mechanism IFR is an example of the first substrate transport mechanism, and is used for the seventh center robot CR7 and the interface. The hand H2 of the transport mechanism IFR is an example of the second substrate transport mechanism.

また、洗浄加熱ブロック１５ａが処理用ブロックの例であり、搬入搬出ブロック１５ｂが搬入搬出用ブロックの例であり、第６のセンターロボットＣＲ６が第１の搬送手段の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が第２の搬送手段の例であり、第７のセンターロボットＣＲ７が第３の搬送手段の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が第４の搬送手段の例である。   Further, the cleaning and heating block 15a is an example of a processing block, the carry-in / carry-out block 15b is an example of a carry-in / carry-out block, the sixth center robot CR6 is an example of a first transport unit, and an interface transport mechanism The hand H1 of the IFR is an example of the second transport unit, the seventh center robot CR7 is an example of the third transport unit, and the hand H2 of the interface transport mechanism IFR is an example of the fourth transport unit. .

また、第５のセンターロボットＣＲ５が第５の搬送手段の例であり、搬入用載置部２１０が第１の載置部の例であり、搬出用載置部２００が第２の載置部の例であり、搬送機構２３０が搬送部の例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が乾燥処理ユニットの例である。   The fifth central robot CR5 is an example of a fifth transport unit, the loading placement unit 210 is an example of a first placement unit, and the unloading placement unit 200 is a second placement unit. The transport mechanism 230 is an example of a transport unit, and the cleaning / drying processing unit SD2 is an example of a drying processing unit.

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。   As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。   The present invention can be effectively used for processing various substrates.

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。It is the schematic side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 1 from the + X direction. 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。It is the schematic side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 1 from the -X direction. 載置兼加熱ユニットの外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of a mounting and heating unit. ＹＺ平面における載置兼加熱ユニットの断面図である。It is sectional drawing of the mounting and heating unit in a YZ plane. 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of a washing | cleaning / drying processing unit. 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of a washing | cleaning / drying processing unit. 本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。It is a top view of the substrate processing apparatus concerning other embodiments of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１５ａ 洗浄加熱ブロック
１５ｂ 搬入搬出ブロック
１６ 露光装置
５００，５００ａ 基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ７ 第１〜第７のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＦＲ，ＩＦＲａ，ＩＦＲｂ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＰＥＢ 載置兼ベークユニット
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 Indexer block 10 Antireflection film processing block 11 Resist film processing block 12 Development processing block 13 Resist cover film processing block 14 Resist cover film removal block 15 Interface block 15a Cleaning heating block 15b Loading / unloading block 16 Exposure apparatus 500, 500a Substrate processing apparatus BARC, RES, COV coating unit CR1 to CR7 1st to 7th central robot DEV Development processing unit IFR, IFRa, IFRb Interface transport mechanism P-PEB Placement and baking unit SD1, SD2 Cleaning / drying processing unit W substrate

Claims (7)

露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための第１の処理部と、
前記第１の処理部と前記露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第２の処理部とを備え、
前記第１の処理部は、
基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記第２の処理部は、
露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、
露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
露光処理前の基板を前記第１の処理部、前記洗浄処理ユニットおよび前記露光装置の間で搬送する第１の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置および前記熱処理ユニットの間で搬送する第２の基板搬送機構とを含むことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus,
A first processing unit for processing the substrate;
A second processing unit that is disposed between the first processing unit and the exposure apparatus, performs processing on the substrate, and loads and unloads the substrate with respect to the exposure apparatus;
The first processing unit includes:
Including a photosensitive film forming unit for forming a photosensitive film made of a photosensitive material on a substrate;
The second processing unit includes:
A cleaning processing unit for cleaning the substrate before the exposure processing;
A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate after the exposure processing;
A first substrate transport mechanism for transporting a substrate before exposure processing between the first processing section, the cleaning processing unit, and the exposure apparatus;
A substrate processing apparatus comprising: a second substrate transport mechanism for transporting a substrate after exposure processing between the exposure apparatus and the heat treatment unit. 前記第２の処理部は、基板に処理を行う処理用ブロックと、前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う搬入搬出用ブロックとを含み、
前記洗浄処理ユニットおよび前記熱処理ユニットは、前記処理用ブロックに設けられ、
前記第１の基板搬送機構は、
前記処理用ブロックに設けられ、露光処理前の基板を前記第１の処理部、前記洗浄処理ユニットおよび前記搬入搬出用ブロックの間で搬送する第１の搬送手段と、
前記搬入搬出用ブロックに設けられ、露光処理前の基板を前記処理用ブロックおよび前記露光装置の間で搬送する第２の搬送手段とを含み、
前記第２の基板搬送機構は、
前記処理用ブロックに設けられ、露光処理後の基板を前記搬入搬出用ブロックおよび前記熱処理ユニットの間で搬送する第３の搬送手段と、
前記搬入搬出用ブロックに設けられ、露光処理後の基板を前記露光装置および前記処理用ブロックの間で搬送する第４の搬送手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 The second processing unit includes a processing block for processing the substrate, and a loading / unloading block for loading and unloading the substrate with respect to the exposure apparatus,
The cleaning processing unit and the heat treatment unit are provided in the processing block,
The first substrate transport mechanism includes:
A first transport means provided in the processing block, for transporting the substrate before the exposure processing between the first processing unit, the cleaning processing unit, and the loading / unloading block;
A second transport unit that is provided in the loading / unloading block and transports the substrate before the exposure process between the processing block and the exposure apparatus;
The second substrate transfer mechanism includes:
A third transfer means provided in the processing block for transferring the substrate after the exposure processing between the loading / unloading block and the heat treatment unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a fourth transport unit that is provided in the loading / unloading block and transports the substrate after exposure processing between the exposure apparatus and the processing block. 前記搬入搬出用ブロックは、前記処理用ブロックに対して可動であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the loading / unloading block is movable with respect to the processing block. 前記第１の処理部は、前記熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第５の搬送手段をさらに含むことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the first processing unit further includes a fifth transport unit that transports the substrate after the heat treatment from the heat treatment unit. 5. 前記熱処理ユニットは、
第３の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第１の載置部と、
第５の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第２の載置部と、
基板を加熱する加熱部と、
前記第１および第２の載置部ならびに前記加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。 The heat treatment unit includes:
A first placement section for temporarily placing the substrate carried in by the third transport means;
A second placement section for temporarily placing a substrate carried out by the fifth transport means;
A heating unit for heating the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising: a transport unit configured to transport the substrate between the first and second placement units and the heating unit. 前記第２の処理部は、前記露光装置による露光処理後であって前記熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、
前記第２の基板搬送機構は、露光処理後の基板を前記露光装置、前記乾燥処理ユニットおよび前記熱処理ユニットの間で搬送することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。 The second processing unit further includes a drying processing unit that dries the substrate after the exposure processing by the exposure apparatus and before the heat treatment by the heat treatment unit,
The substrate processing according to claim 1, wherein the second substrate transport mechanism transports a substrate after exposure processing between the exposure apparatus, the drying processing unit, and the heat treatment unit. apparatus. 前記第１の処理部、前記第２の処理部および前記露光装置は第１の方向に沿って並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の処理部において前記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記第２の処理部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。 The first processing unit, the second processing unit, and the exposure apparatus are juxtaposed along a first direction,
The cleaning processing unit, the heat treatment unit, and the drying processing unit are arranged along a second direction orthogonal to the first direction in a horizontal plane in the second processing unit,
The heat treatment unit is disposed at a substantially central portion of the second processing unit,
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the cleaning processing unit and the drying processing unit are arranged on one side and the other side of the heat treatment unit along the second direction.
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